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科易网>技术转让>技术列表>LED外延芯片粗化技术

LED外延芯片粗化技术

专利(申请号):ZL201310197875.0

专利类型:发明专利

技术成熟度:已有样品

所 在 地:福建厦门

最近更新:2018-01-05 08:47:51

行    业:

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LED外延芯片粗化技术0
    项目简介
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      项目简介:

      新一代照明技术的核心发光二极管(LED,light emitting diode)有着极大的应用前景。不仅在于可以节约能源、减少污染、还具有体积小、寿命长、控制灵活方便等优点。目前,限制LED性能提高的主要原因是光提效率不高,导致亮度不高,发热严重,严重影响了以LED芯片为核心的半导体照明的普及。LED被称为第四代照明光源或绿色光源,具有节能、环保、寿命长、体积小等特点,可以广泛应用于各种指示、显示、装饰、背光源、普通照明和城市夜景等领域。目前,限制LED性能提高的主要原因是取光效率不高,导致亮度不高,发热严重,严重影响了以LED芯片为核心的半导体照明的普及。这些年来,随着半导体照明的不断深入发展,LED以其高电光转换效率和绿色环保的优势受到越来越广泛的关注。半导体照明产品中的核心组成部分LED芯片,其研究与生产技术有了飞速的发展,芯片亮度和可靠性不断提高。在LED芯片的研发和生产过程中,器件外量子效率的提高一直是核心内容,因此,取光效率的提高显得至关重要。

      项目核心创新点:

      本发明的目的在于提供一种六角形粗化表面的LED外延片的制备方法,以降低操作的复杂度以及理想的粗化效果,同时不会影响LED的光电性能。

      为了达到上述目的及其他目的,本发明提供的这种六角形粗化表面的LED外延片的制备方法具有业界领先的核心技术和工艺,优化性能提升效率和亮度。

      项目详细用途:

      用于GaN、GaAs和GaP基LED表面粗化的制备方法主要有两种类型:一是对LED表面进行外延后即芯片部分的处理,现有方法主要为:光辅助电化学腐蚀法、强酸和强碱溶液湿法腐蚀法和干法刻蚀等。此类工艺较为复杂,成本较高;二是原位直接生长表面粗化的P型GaN层,一般是采用在生长P型GaN时进行降温处理形成P型GaN表面粗化,然而由于现有P型GaN一般有掺杂镁原子,这会增加粗化的难度,同时由于低温进行粗化会导致电学性质的破坏例如电压会急剧升高,因此降温所形成的P型GaN层粗化表面效果并不理想。

      因此,提供一种简单且P型GaN层表面粗化更为明显而且不影响电学性质的粗化表面方法

      预期效益说明:可帮助LED生产企业获得大幅度的效率和亮度的提高,帮助企业增加1000万以上的利润。

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