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科易网>技术转让>技术列表>一种SiC-MOSFET的高速隔离驱动保护电路

一种SiC-MOSFET的高速隔离驱动保护电路

专利(申请号):CN201620319583.9

专利类型:实用新型专利

技术成熟度:正在研发

所 在 地:江苏徐州

最近更新:2018-01-10 16:25:20

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一种SiC-MOSFET的高速隔离驱动保护电路0
    项目简介
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    本实用新型公开了一种SiC‑MOSFET的高速隔离驱动保护电路,包括高速CMOS数字隔离电路、高速驱动电路、栅源极过压保护电路和负压产生电路。高速CMOS数字隔离电路可以实现输入端和驱动电路的严格电位隔离,并能保证驱动的快速性;高速驱动电路可提供强大的驱动电流;栅源极过压保护电路可以防止栅源极出现过电压;负压产生电路给栅源极间提供一个负电压,使SiC‑MOSFET可靠关断。本实用新型可用在高频电路中快速驱动SiC‑MOSFET,兼具快速性、隔离性,以及可靠的保护功能。

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