Nat. Mater.:通过空间周期性介电屏蔽在单层半导体中产生莫尔条纹

低维材料技术 2D材料技术
低维 昂维    2021-01-26    1118

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  成果介绍

  二维范德华材料的莫尔超晶格已经成为设计电子能带结构和发现新兴物理现象的强大平台。一个关键的概念涉及当两种材料重叠时,通过层间电子杂化或原子波纹在晶体中构建长波长周期性电势和莫尔能带。

  有鉴于此,近日,美国康奈尔大学Kin Fai Mak和Jie Shan(共同通讯作者)等演示了一种基于空间周期性介电屏蔽的新方法,可在单层半导体中构建莫尔条纹。这种方法依赖于减少对单层半导体中库仑相互作用及其环境依赖性介电电子能带结构的介电屏蔽。当单层WSe2靠近六方氮化硼上的小角度错位石墨烯放置时,观察到莫尔条纹之间的光学跃迁。莫尔条纹是长程库仑相互作用的结果,该相互作用具有很强的栅极可调性,并且可以具有与主体材料晶格无关的多变超晶格对称性。本文的研究结果还证明了单层半导体是灵敏的局部介电传感器。

  图文导读

图片.png  图1。 通过介电屏蔽在单层WSe2中构建空间周期性电子能带结构的示意图。

图片.png  图2。 有无石墨烯/hBN对齐器件的反射对比。

图片.png  图3。 超晶格周期和间隔层厚度的影响。

  文献信息

  Creation of moiré bands in a monolayer semiconductor by spatially periodic dielectric screening

  (Nat。 Mater。, 2020, DOI:10。1038/s41563-020-00888-y)

  文献链接:https://www。nature。com/articles/s41563-020-00888-y

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