介电高分子材料
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在OFET器件中,载流子注入和传输两方面过程决定了载流子的输运行为。其中,有机半导体与栅绝缘层的界面控制着微观电荷输运过程,并在很大程度上决定了OFETs的宏观电学性能。为进一步降低OFETs的工作电
聚合物电介质因其质轻、加工性好、击穿强度高等优势成为储能用静电电容器的理想介质材料。近年来随着电子器件集成化趋势发展以及电力系统的升级迭代,具有高储能密度的薄膜电容器材料受到了学术界和工业界的多方关注
聚合物电介质因其质轻、加工性好、击穿强度高等优势成为储能用静电电容器的理想介质材料。一般来说,目前常通过增加填料或极性基团含量达到介电常数的提高。然而高场下极性基团的增加会引起聚合物电导损耗和泄漏电流
具有高介电常数的聚合物电介质由于其质轻、加工性好、击穿强度高等优势作为薄膜电容器,广泛用于逆变器等电子器件中。目前,工业上常以BOPP作为薄膜电容器的聚合物介质。其在室温下具有极好的击穿强度和低介电损
具有低电压运行的高性能有机场效应晶体管(OFETs)是下一代电子器件和数字集成电路的重要组成部分。在OFETs中,除有机半导体材料和电极外,栅极介电层的调控对于提高器件性能也至关重要。为了实现这一点,
辐射制冷是热物体以黑体辐射的方式,通过大气的红外透明窗口(8-13 μm),将热量辐射到地外空间冷阱的一种新型制冷方式。与传统的空调制冷相比,辐射制冷是一种“零能耗、零污染”的绿色、被动制冷方式。近年
传统硅基晶体管随着特征尺寸不断减小已受到了物理上和加工技术上的限制。从材料着手探寻新的先进材料以进一步提升晶体管性能并减小器件尺寸和功耗,是后摩尔时代场效应晶体管的发展路线之一。半导体单壁碳纳米管由于
π–π堆积作用已成为设计先进功能材料的有力手段,这不仅是因为共轭效应产生了优异的光电性能,而且还因为它具有很强的单向堆积倾向,有利于分子的自组装。尽管人们通过分子结构设计实现多重极化耦合,获得了优异的
在外加电场作用下,所有介电材料都能产生与激发极化强度平方成正比的电致伸缩应变。与陶瓷材料相比,电致伸缩聚合物具有重量轻、加工容易、电致伸缩应变大等特点,在软机器人驱动、机械传感和能量采集等领域具有广阔
众所周知,自由体积是高分子聚合物无定形区的纳米孔洞,是高聚物中一种极其重要的本征缺陷。从结构上看,自由体积是高聚物中分子链段间无规分布的空穴:从分子运动上看,它是分子链段运动所需的空间。由于自由体积为