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专利简介
本发明公开了一种细化高硅铝硅合金初晶硅组织的方法。将预先分别制备好的同成分高温熔体和低温熔体以1:1~3:1比例进行混溶处理,之后将混合熔体冷却至750~780℃的预设温度下进行等温处理,然后浇铸到模具中凝固获得初晶硅显著细化的铸件组织。其高温熔体制备中,先升温至1000℃左右预处理,再升温至1200℃左右保温让其经历不可逆结构转变,随后降温至1000℃左右保温待用;其低温熔体制备也经历同样高温处理,不同的是冷却至液固两相区进行升温和降温的2~3轮的循环处理后保温待用。本发明可使Si>18%的高硅铝硅合金中初晶硅平均尺寸细化到17~23μm,且因硅晶粒外缘钝化而降低应力集中;本发明避免了以往加变质剂(含P等)方法对生产及社会环境造成的严重污染。
温馨提示
此专利适用于积分落户、高企申报、中考加分、自主招生申报、获得大学学分。
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