找到16项技术成果数据。
找技术 >类金刚石薄膜半导体光电性能和应用的研究
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
一、项目特点和技术指标 类金刚石半导体薄膜特点: 1.宽带隙并且可在2ev~5ev范围内调节。 2.高临界击穿电压、高热导率、高载流子饱和漂移速度。 3.可在高温、辐射、腐蚀等恶劣环境下工作。 4.可能在大功率、光电子、抗辐射、显示、紫外探测等半导体器件获得应用。 5.具有很高的电子亲和势,可用于制备各种微真空器件的冷阴极。 6.制造成本低。以甲烷、乙炔等气体为原料采用PECVD等方法生长。 二、技术成熟程度 本项目处于探索阶段,先测量和分析人工生长的类金刚石薄膜各种半导体光电性能,如禁带宽度、导电类型、迁移率、掺杂浓度、介电常数、折射率、厚度等基本参数和特性,改进材料生长条件,探索类金刚石薄膜材料在半导体光电器件的可能应用。 三、应用范围 类金刚石半导体薄膜作为最有应用前景的宽带材料之一,可制备大功率、光电子、抗辐射、显示、紫外探测等新型半导体器件,可在高温、辐射、腐蚀等恶劣环境下工作,并有可能用于制备各种功能的微真空器件。 四、投产条件和预期经济效益 投产条件: 1、合作伙伴最好是类金刚石半导体薄膜材料的生产或研发单位,已具有类金刚石半导体薄膜生长设备,能提供研发所需要的类金刚石半导体薄膜。 2、投产资金:10万元人民币从事类金刚石薄膜半导体光电基本性能的材料和分析。若需要新建立类金刚石半导体薄膜材料生长设备,另需约30万元人民币。 预期经济效益: 本项目是源头创新的研发工作。先投入少量经费开展类金刚石薄膜半导体基本性质的研究,改进现有薄膜材料生长工艺,使所生长的薄膜材料能适应半导体器件的要求;再探索用类金刚石薄膜材料研发各种新型半导体器件的可能性并尽快研发出适合市场需要的新型半导体器件。 五、合作方式 合作开发
一种柔性半导体薄膜电子器件的封装结构及封装方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明公开了一种柔性半导体薄膜电子器件的封装结构,包括生长于柔性半导体薄膜电子器件之上的水氧阻隔层/导电层组合结构和生长于水氧阻隔层/导电层组合结构之上的有机保护层;所述水氧阻隔层/导电层组合结构为一个或两个;所述水氧阻隔层/导电层组合结构由水氧阻隔层及生长于其上的导电层构成。本发明还公开上了一种柔性半导体薄膜电子器件的封装方法。本发明实现了在最小化器件厚度,有利于柔性器件正常使用的同时,可以获得优良的水氧隔绝性能,制作工艺简单,降低了制造成本。
一种 CuInS2纳米晶半导体薄膜的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
一种 CuInS2纳米晶半导体薄膜的制备方法 专利号:CN200910236304.7 发明人:徐新花;吉静;刘景军 专利摘要:本技术属于能源材料领域。本技术分别以氯化铜、氯化铟、硫代硫酸钠和氯化锂作为铜、铟、硫源和支持电解质,以邻苯二甲酸氢钾兼作络合剂和 pH 缓冲剂配制电沉积液,并调节 pH=1.5-3.5后,在搅拌条件下进行电沉积,而后将所得前躯体薄膜在惰性气氛保护条件下于 250-500℃下恒温 30-180min,得到 CuInS2纳米晶半导体薄膜。本技术所提供的方法可控性强,重复好,所制备的 CuInS2 纳米晶半导体薄膜无杂质,适用于薄膜太阳能电池光吸收层材料。
飞秒脉冲激光制备β-FeSi2半导体薄膜的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
飞秒脉冲激光制备β-FeSi2半导体薄膜的方法 本发明提供了一种飞秒脉冲激光制备β-FeSi2半导体薄膜的方法,将脉冲激光沉积薄膜装置抽真空,气压10-5~10-3Pa,以FeSi2合金为靶材,将靶材和基片置于脉冲激光沉积薄膜装置内,靶材和基片平行,且相距20~50mm,基片加热到20℃~700℃,然后保温,以1012~1015W/cm2的峰值功率密度的激光束照射靶材,喷出的等离子体在基片上沉积,沿基片晶面外延生长形成薄膜。本发明适合于不同的基底,在较低的温度下,短时间内合成大面积的、均匀的单相β-FeSi2薄膜,所制备的薄膜有较好的发光和光伏特性,解决了作为红外发光二极管和太阳能电池所需的优质β-FeSi2薄膜的技术难题。
超声喷雾热分解化合物半导体薄膜制备系统
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种超声喷雾热分解化合物半导体薄膜制备系统,用于在平面基质上制备氧化物和硫化物半导体薄膜。该系统由雾化、沉积两大部分构成。其中雾化部分有载气源、储液罐、雾化室和相应电路构成,沉积部分由密封室、喷头、加热台、电动传动组件、温控仪、真空压力表和鼓泡池组成。其中储液罐、雾化室、喷头、密封室都采用了独特的设计。该发明具有成本低,运行稳定,成膜质量好等优点,可应用于氧化物和硫化物半导体薄膜的科学研究和工业生产。
一种通过电化学解吸附方法制备可排列多染料吸附层共敏化薄膜的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:一种通过电化学解吸附方法制备可排列多染料吸附层共敏化薄膜的方法,方法为:(1)在导电玻璃基底上制备纳米多孔半导体薄膜;(2)将纳米多孔半导体薄膜浸入染料a溶液中,使薄膜完全吸附染料a;(3)以吸附染料a的纳米多孔半导体薄膜为工作电极,铂片作为解吸附电极;(4)将含有染料空白层的半导体薄膜浸入第二种染料b,使染料空白层吸附染料得到含有2个染料吸附层的共敏化薄膜;(5)重复步骤(3)和(4)可得到含多染料吸附层的共敏化薄膜。本发明优势在于:解决以往单靠染料吸附制备共敏化薄膜方法中存在的染料吸附时间、染料吸附量和染料空白层厚度之间的矛盾;通过控制电势分布深度可以调控每个染料吸附层的厚度。
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成熟度:正在研发
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一、项目特点和技术指标 类金刚石半导体薄膜特点: 1.宽带隙并且可在2ev~5ev范围内调节。 2.高临界击穿电压、高热导率、高载流子饱和漂移速度。 3.可在高温、辐射、腐蚀等恶劣环境下工作。 4.可能在大功率、光电子、抗辐射、显示、紫外探测等半导体器件获得应用。 5.具有很高的电子亲和势,可用于制备各种微真空器件的冷阴极。 6.制造成本低。以甲烷、乙炔等气体为原料采用PECVD等方法生长。 二、技术成熟程度 本项目处于探索阶段,先测量和分析人工生长的类金刚石薄膜各种半导体光电性能,如禁带宽度、导电类型、迁移率、掺杂浓度、介电常数、折射率、厚度等基本参数和特性,改进材料生长条件,探索类金刚石薄膜材料在半导体光电器件的可能应用。 三、应用范围 类金刚石半导体薄膜作为最有应用前景的宽带材料之一,可制备大功率、光电子、抗辐射、显示、紫外探测等新型半导体器件,可在高温、辐射、腐蚀等恶劣环境下工作,并有可能用于制备各种功能的微真空器件。 四、投产条件和预期经济效益 投产条件: 1、合作伙伴最好是类金刚石半导体薄膜材料的生产或研发单位,已具有类金刚石半导体薄膜生长设备,能提供研发所需要的类金刚石半导体薄膜。 2、投产资金:10万元人民币从事类金刚石薄膜半导体光电基本性能的材料和分析。若需要新建立类金刚石半导体薄膜材料生长设备,另需约30万元人民币。 预期经济效益: 本项目是源头创新的研发工作。先投入少量经费开展类金刚石薄膜半导体基本性质的研究,改进现有薄膜材料生长工艺,使所生长的薄膜材料能适应半导体器件的要求;再探索用类金刚石薄膜材料研发各种新型半导体器件的可能性并尽快研发出适合市场需要的新型半导体器件。 五、合作方式 合作开发
一种柔性半导体薄膜电子器件的封装结构及封装方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明公开了一种柔性半导体薄膜电子器件的封装结构,包括生长于柔性半导体薄膜电子器件之上的水氧阻隔层/导电层组合结构和生长于水氧阻隔层/导电层组合结构之上的有机保护层;所述水氧阻隔层/导电层组合结构为一个或两个;所述水氧阻隔层/导电层组合结构由水氧阻隔层及生长于其上的导电层构成。本发明还公开上了一种柔性半导体薄膜电子器件的封装方法。本发明实现了在最小化器件厚度,有利于柔性器件正常使用的同时,可以获得优良的水氧隔绝性能,制作工艺简单,降低了制造成本。
一种 CuInS2纳米晶半导体薄膜的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
一种 CuInS2纳米晶半导体薄膜的制备方法 专利号:CN200910236304.7 发明人:徐新花;吉静;刘景军 专利摘要:本技术属于能源材料领域。本技术分别以氯化铜、氯化铟、硫代硫酸钠和氯化锂作为铜、铟、硫源和支持电解质,以邻苯二甲酸氢钾兼作络合剂和 pH 缓冲剂配制电沉积液,并调节 pH=1.5-3.5后,在搅拌条件下进行电沉积,而后将所得前躯体薄膜在惰性气氛保护条件下于 250-500℃下恒温 30-180min,得到 CuInS2纳米晶半导体薄膜。本技术所提供的方法可控性强,重复好,所制备的 CuInS2 纳米晶半导体薄膜无杂质,适用于薄膜太阳能电池光吸收层材料。
飞秒脉冲激光制备β-FeSi2半导体薄膜的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
飞秒脉冲激光制备β-FeSi2半导体薄膜的方法 本发明提供了一种飞秒脉冲激光制备β-FeSi2半导体薄膜的方法,将脉冲激光沉积薄膜装置抽真空,气压10-5~10-3Pa,以FeSi2合金为靶材,将靶材和基片置于脉冲激光沉积薄膜装置内,靶材和基片平行,且相距20~50mm,基片加热到20℃~700℃,然后保温,以1012~1015W/cm2的峰值功率密度的激光束照射靶材,喷出的等离子体在基片上沉积,沿基片晶面外延生长形成薄膜。本发明适合于不同的基底,在较低的温度下,短时间内合成大面积的、均匀的单相β-FeSi2薄膜,所制备的薄膜有较好的发光和光伏特性,解决了作为红外发光二极管和太阳能电池所需的优质β-FeSi2薄膜的技术难题。
超声喷雾热分解化合物半导体薄膜制备系统
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种超声喷雾热分解化合物半导体薄膜制备系统,用于在平面基质上制备氧化物和硫化物半导体薄膜。该系统由雾化、沉积两大部分构成。其中雾化部分有载气源、储液罐、雾化室和相应电路构成,沉积部分由密封室、喷头、加热台、电动传动组件、温控仪、真空压力表和鼓泡池组成。其中储液罐、雾化室、喷头、密封室都采用了独特的设计。该发明具有成本低,运行稳定,成膜质量好等优点,可应用于氧化物和硫化物半导体薄膜的科学研究和工业生产。
一种通过电化学解吸附方法制备可排列多染料吸附层共敏化薄膜的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:一种通过电化学解吸附方法制备可排列多染料吸附层共敏化薄膜的方法,方法为:(1)在导电玻璃基底上制备纳米多孔半导体薄膜;(2)将纳米多孔半导体薄膜浸入染料a溶液中,使薄膜完全吸附染料a;(3)以吸附染料a的纳米多孔半导体薄膜为工作电极,铂片作为解吸附电极;(4)将含有染料空白层的半导体薄膜浸入第二种染料b,使染料空白层吸附染料得到含有2个染料吸附层的共敏化薄膜;(5)重复步骤(3)和(4)可得到含多染料吸附层的共敏化薄膜。本发明优势在于:解决以往单靠染料吸附制备共敏化薄膜方法中存在的染料吸附时间、染料吸附量和染料空白层厚度之间的矛盾;通过控制电势分布深度可以调控每个染料吸附层的厚度。
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成熟度:正在研发
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应用行业:制造业
技术简介
一、项目特点和技术指标 类金刚石半导体薄膜特点: 1.宽带隙并且可在2ev~5ev范围内调节。 2.高临界击穿电压、高热导率、高载流子饱和漂移速度。 3.可在高温、辐射、腐蚀等恶劣环境下工作。 4.可能在大功率、光电子、抗辐射、显示、紫外探测等半导体器件获得应用。 5.具有很高的电子亲和势,可用于制备各种微真空器件的冷阴极。 6.制造成本低。以甲烷、乙炔等气体为原料采用PECVD等方法生长。 二、技术成熟程度 本项目处于探索阶段,先测量和分析人工生长的类金刚石薄膜各种半导体光电性能,如禁带宽度、导电类型、迁移率、掺杂浓度、介电常数、折射率、厚度等基本参数和特性,改进材料生长条件,探索类金刚石薄膜材料在半导体光电器件的可能应用。 三、应用范围 类金刚石半导体薄膜作为最有应用前景的宽带材料之一,可制备大功率、光电子、抗辐射、显示、紫外探测等新型半导体器件,可在高温、辐射、腐蚀等恶劣环境下工作,并有可能用于制备各种功能的微真空器件。 四、投产条件和预期经济效益 投产条件: 1、合作伙伴最好是类金刚石半导体薄膜材料的生产或研发单位,已具有类金刚石半导体薄膜生长设备,能提供研发所需要的类金刚石半导体薄膜。 2、投产资金:10万元人民币从事类金刚石薄膜半导体光电基本性能的材料和分析。若需要新建立类金刚石半导体薄膜材料生长设备,另需约30万元人民币。 预期经济效益: 本项目是源头创新的研发工作。先投入少量经费开展类金刚石薄膜半导体基本性质的研究,改进现有薄膜材料生长工艺,使所生长的薄膜材料能适应半导体器件的要求;再探索用类金刚石薄膜材料研发各种新型半导体器件的可能性并尽快研发出适合市场需要的新型半导体器件。 五、合作方式 合作开发
一种柔性半导体薄膜电子器件的封装结构及封装方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明公开了一种柔性半导体薄膜电子器件的封装结构,包括生长于柔性半导体薄膜电子器件之上的水氧阻隔层/导电层组合结构和生长于水氧阻隔层/导电层组合结构之上的有机保护层;所述水氧阻隔层/导电层组合结构为一个或两个;所述水氧阻隔层/导电层组合结构由水氧阻隔层及生长于其上的导电层构成。本发明还公开上了一种柔性半导体薄膜电子器件的封装方法。本发明实现了在最小化器件厚度,有利于柔性器件正常使用的同时,可以获得优良的水氧隔绝性能,制作工艺简单,降低了制造成本。
一种 CuInS2纳米晶半导体薄膜的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
一种 CuInS2纳米晶半导体薄膜的制备方法 专利号:CN200910236304.7 发明人:徐新花;吉静;刘景军 专利摘要:本技术属于能源材料领域。本技术分别以氯化铜、氯化铟、硫代硫酸钠和氯化锂作为铜、铟、硫源和支持电解质,以邻苯二甲酸氢钾兼作络合剂和 pH 缓冲剂配制电沉积液,并调节 pH=1.5-3.5后,在搅拌条件下进行电沉积,而后将所得前躯体薄膜在惰性气氛保护条件下于 250-500℃下恒温 30-180min,得到 CuInS2纳米晶半导体薄膜。本技术所提供的方法可控性强,重复好,所制备的 CuInS2 纳米晶半导体薄膜无杂质,适用于薄膜太阳能电池光吸收层材料。
飞秒脉冲激光制备β-FeSi2半导体薄膜的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
飞秒脉冲激光制备β-FeSi2半导体薄膜的方法 本发明提供了一种飞秒脉冲激光制备β-FeSi2半导体薄膜的方法,将脉冲激光沉积薄膜装置抽真空,气压10-5~10-3Pa,以FeSi2合金为靶材,将靶材和基片置于脉冲激光沉积薄膜装置内,靶材和基片平行,且相距20~50mm,基片加热到20℃~700℃,然后保温,以1012~1015W/cm2的峰值功率密度的激光束照射靶材,喷出的等离子体在基片上沉积,沿基片晶面外延生长形成薄膜。本发明适合于不同的基底,在较低的温度下,短时间内合成大面积的、均匀的单相β-FeSi2薄膜,所制备的薄膜有较好的发光和光伏特性,解决了作为红外发光二极管和太阳能电池所需的优质β-FeSi2薄膜的技术难题。
超声喷雾热分解化合物半导体薄膜制备系统
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种超声喷雾热分解化合物半导体薄膜制备系统,用于在平面基质上制备氧化物和硫化物半导体薄膜。该系统由雾化、沉积两大部分构成。其中雾化部分有载气源、储液罐、雾化室和相应电路构成,沉积部分由密封室、喷头、加热台、电动传动组件、温控仪、真空压力表和鼓泡池组成。其中储液罐、雾化室、喷头、密封室都采用了独特的设计。该发明具有成本低,运行稳定,成膜质量好等优点,可应用于氧化物和硫化物半导体薄膜的科学研究和工业生产。
一种通过电化学解吸附方法制备可排列多染料吸附层共敏化薄膜的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:一种通过电化学解吸附方法制备可排列多染料吸附层共敏化薄膜的方法,方法为:(1)在导电玻璃基底上制备纳米多孔半导体薄膜;(2)将纳米多孔半导体薄膜浸入染料a溶液中,使薄膜完全吸附染料a;(3)以吸附染料a的纳米多孔半导体薄膜为工作电极,铂片作为解吸附电极;(4)将含有染料空白层的半导体薄膜浸入第二种染料b,使染料空白层吸附染料得到含有2个染料吸附层的共敏化薄膜;(5)重复步骤(3)和(4)可得到含多染料吸附层的共敏化薄膜。本发明优势在于:解决以往单靠染料吸附制备共敏化薄膜方法中存在的染料吸附时间、染料吸附量和染料空白层厚度之间的矛盾;通过控制电势分布深度可以调控每个染料吸附层的厚度。
找到16项技术成果数据。
找技术 >类金刚石薄膜半导体光电性能和应用的研究
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
一、项目特点和技术指标 类金刚石半导体薄膜特点: 1.宽带隙并且可在2ev~5ev范围内调节。 2.高临界击穿电压、高热导率、高载流子饱和漂移速度。 3.可在高温、辐射、腐蚀等恶劣环境下工作。 4.可能在大功率、光电子、抗辐射、显示、紫外探测等半导体器件获得应用。 5.具有很高的电子亲和势,可用于制备各种微真空器件的冷阴极。 6.制造成本低。以甲烷、乙炔等气体为原料采用PECVD等方法生长。 二、技术成熟程度 本项目处于探索阶段,先测量和分析人工生长的类金刚石薄膜各种半导体光电性能,如禁带宽度、导电类型、迁移率、掺杂浓度、介电常数、折射率、厚度等基本参数和特性,改进材料生长条件,探索类金刚石薄膜材料在半导体光电器件的可能应用。 三、应用范围 类金刚石半导体薄膜作为最有应用前景的宽带材料之一,可制备大功率、光电子、抗辐射、显示、紫外探测等新型半导体器件,可在高温、辐射、腐蚀等恶劣环境下工作,并有可能用于制备各种功能的微真空器件。 四、投产条件和预期经济效益 投产条件: 1、合作伙伴最好是类金刚石半导体薄膜材料的生产或研发单位,已具有类金刚石半导体薄膜生长设备,能提供研发所需要的类金刚石半导体薄膜。 2、投产资金:10万元人民币从事类金刚石薄膜半导体光电基本性能的材料和分析。若需要新建立类金刚石半导体薄膜材料生长设备,另需约30万元人民币。 预期经济效益: 本项目是源头创新的研发工作。先投入少量经费开展类金刚石薄膜半导体基本性质的研究,改进现有薄膜材料生长工艺,使所生长的薄膜材料能适应半导体器件的要求;再探索用类金刚石薄膜材料研发各种新型半导体器件的可能性并尽快研发出适合市场需要的新型半导体器件。 五、合作方式 合作开发
一种柔性半导体薄膜电子器件的封装结构及封装方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明公开了一种柔性半导体薄膜电子器件的封装结构,包括生长于柔性半导体薄膜电子器件之上的水氧阻隔层/导电层组合结构和生长于水氧阻隔层/导电层组合结构之上的有机保护层;所述水氧阻隔层/导电层组合结构为一个或两个;所述水氧阻隔层/导电层组合结构由水氧阻隔层及生长于其上的导电层构成。本发明还公开上了一种柔性半导体薄膜电子器件的封装方法。本发明实现了在最小化器件厚度,有利于柔性器件正常使用的同时,可以获得优良的水氧隔绝性能,制作工艺简单,降低了制造成本。
一种 CuInS2纳米晶半导体薄膜的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
一种 CuInS2纳米晶半导体薄膜的制备方法 专利号:CN200910236304.7 发明人:徐新花;吉静;刘景军 专利摘要:本技术属于能源材料领域。本技术分别以氯化铜、氯化铟、硫代硫酸钠和氯化锂作为铜、铟、硫源和支持电解质,以邻苯二甲酸氢钾兼作络合剂和 pH 缓冲剂配制电沉积液,并调节 pH=1.5-3.5后,在搅拌条件下进行电沉积,而后将所得前躯体薄膜在惰性气氛保护条件下于 250-500℃下恒温 30-180min,得到 CuInS2纳米晶半导体薄膜。本技术所提供的方法可控性强,重复好,所制备的 CuInS2 纳米晶半导体薄膜无杂质,适用于薄膜太阳能电池光吸收层材料。
飞秒脉冲激光制备β-FeSi2半导体薄膜的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
飞秒脉冲激光制备β-FeSi2半导体薄膜的方法 本发明提供了一种飞秒脉冲激光制备β-FeSi2半导体薄膜的方法,将脉冲激光沉积薄膜装置抽真空,气压10-5~10-3Pa,以FeSi2合金为靶材,将靶材和基片置于脉冲激光沉积薄膜装置内,靶材和基片平行,且相距20~50mm,基片加热到20℃~700℃,然后保温,以1012~1015W/cm2的峰值功率密度的激光束照射靶材,喷出的等离子体在基片上沉积,沿基片晶面外延生长形成薄膜。本发明适合于不同的基底,在较低的温度下,短时间内合成大面积的、均匀的单相β-FeSi2薄膜,所制备的薄膜有较好的发光和光伏特性,解决了作为红外发光二极管和太阳能电池所需的优质β-FeSi2薄膜的技术难题。
超声喷雾热分解化合物半导体薄膜制备系统
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种超声喷雾热分解化合物半导体薄膜制备系统,用于在平面基质上制备氧化物和硫化物半导体薄膜。该系统由雾化、沉积两大部分构成。其中雾化部分有载气源、储液罐、雾化室和相应电路构成,沉积部分由密封室、喷头、加热台、电动传动组件、温控仪、真空压力表和鼓泡池组成。其中储液罐、雾化室、喷头、密封室都采用了独特的设计。该发明具有成本低,运行稳定,成膜质量好等优点,可应用于氧化物和硫化物半导体薄膜的科学研究和工业生产。
一种通过电化学解吸附方法制备可排列多染料吸附层共敏化薄膜的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:一种通过电化学解吸附方法制备可排列多染料吸附层共敏化薄膜的方法,方法为:(1)在导电玻璃基底上制备纳米多孔半导体薄膜;(2)将纳米多孔半导体薄膜浸入染料a溶液中,使薄膜完全吸附染料a;(3)以吸附染料a的纳米多孔半导体薄膜为工作电极,铂片作为解吸附电极;(4)将含有染料空白层的半导体薄膜浸入第二种染料b,使染料空白层吸附染料得到含有2个染料吸附层的共敏化薄膜;(5)重复步骤(3)和(4)可得到含多染料吸附层的共敏化薄膜。本发明优势在于:解决以往单靠染料吸附制备共敏化薄膜方法中存在的染料吸附时间、染料吸附量和染料空白层厚度之间的矛盾;通过控制电势分布深度可以调控每个染料吸附层的厚度。
找到16项技术成果数据。
找技术 >类金刚石薄膜半导体光电性能和应用的研究
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
一、项目特点和技术指标 类金刚石半导体薄膜特点: 1.宽带隙并且可在2ev~5ev范围内调节。 2.高临界击穿电压、高热导率、高载流子饱和漂移速度。 3.可在高温、辐射、腐蚀等恶劣环境下工作。 4.可能在大功率、光电子、抗辐射、显示、紫外探测等半导体器件获得应用。 5.具有很高的电子亲和势,可用于制备各种微真空器件的冷阴极。 6.制造成本低。以甲烷、乙炔等气体为原料采用PECVD等方法生长。 二、技术成熟程度 本项目处于探索阶段,先测量和分析人工生长的类金刚石薄膜各种半导体光电性能,如禁带宽度、导电类型、迁移率、掺杂浓度、介电常数、折射率、厚度等基本参数和特性,改进材料生长条件,探索类金刚石薄膜材料在半导体光电器件的可能应用。 三、应用范围 类金刚石半导体薄膜作为最有应用前景的宽带材料之一,可制备大功率、光电子、抗辐射、显示、紫外探测等新型半导体器件,可在高温、辐射、腐蚀等恶劣环境下工作,并有可能用于制备各种功能的微真空器件。 四、投产条件和预期经济效益 投产条件: 1、合作伙伴最好是类金刚石半导体薄膜材料的生产或研发单位,已具有类金刚石半导体薄膜生长设备,能提供研发所需要的类金刚石半导体薄膜。 2、投产资金:10万元人民币从事类金刚石薄膜半导体光电基本性能的材料和分析。若需要新建立类金刚石半导体薄膜材料生长设备,另需约30万元人民币。 预期经济效益: 本项目是源头创新的研发工作。先投入少量经费开展类金刚石薄膜半导体基本性质的研究,改进现有薄膜材料生长工艺,使所生长的薄膜材料能适应半导体器件的要求;再探索用类金刚石薄膜材料研发各种新型半导体器件的可能性并尽快研发出适合市场需要的新型半导体器件。 五、合作方式 合作开发
一种柔性半导体薄膜电子器件的封装结构及封装方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明公开了一种柔性半导体薄膜电子器件的封装结构,包括生长于柔性半导体薄膜电子器件之上的水氧阻隔层/导电层组合结构和生长于水氧阻隔层/导电层组合结构之上的有机保护层;所述水氧阻隔层/导电层组合结构为一个或两个;所述水氧阻隔层/导电层组合结构由水氧阻隔层及生长于其上的导电层构成。本发明还公开上了一种柔性半导体薄膜电子器件的封装方法。本发明实现了在最小化器件厚度,有利于柔性器件正常使用的同时,可以获得优良的水氧隔绝性能,制作工艺简单,降低了制造成本。
一种 CuInS2纳米晶半导体薄膜的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
一种 CuInS2纳米晶半导体薄膜的制备方法 专利号:CN200910236304.7 发明人:徐新花;吉静;刘景军 专利摘要:本技术属于能源材料领域。本技术分别以氯化铜、氯化铟、硫代硫酸钠和氯化锂作为铜、铟、硫源和支持电解质,以邻苯二甲酸氢钾兼作络合剂和 pH 缓冲剂配制电沉积液,并调节 pH=1.5-3.5后,在搅拌条件下进行电沉积,而后将所得前躯体薄膜在惰性气氛保护条件下于 250-500℃下恒温 30-180min,得到 CuInS2纳米晶半导体薄膜。本技术所提供的方法可控性强,重复好,所制备的 CuInS2 纳米晶半导体薄膜无杂质,适用于薄膜太阳能电池光吸收层材料。
飞秒脉冲激光制备β-FeSi2半导体薄膜的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
飞秒脉冲激光制备β-FeSi2半导体薄膜的方法 本发明提供了一种飞秒脉冲激光制备β-FeSi2半导体薄膜的方法,将脉冲激光沉积薄膜装置抽真空,气压10-5~10-3Pa,以FeSi2合金为靶材,将靶材和基片置于脉冲激光沉积薄膜装置内,靶材和基片平行,且相距20~50mm,基片加热到20℃~700℃,然后保温,以1012~1015W/cm2的峰值功率密度的激光束照射靶材,喷出的等离子体在基片上沉积,沿基片晶面外延生长形成薄膜。本发明适合于不同的基底,在较低的温度下,短时间内合成大面积的、均匀的单相β-FeSi2薄膜,所制备的薄膜有较好的发光和光伏特性,解决了作为红外发光二极管和太阳能电池所需的优质β-FeSi2薄膜的技术难题。
超声喷雾热分解化合物半导体薄膜制备系统
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种超声喷雾热分解化合物半导体薄膜制备系统,用于在平面基质上制备氧化物和硫化物半导体薄膜。该系统由雾化、沉积两大部分构成。其中雾化部分有载气源、储液罐、雾化室和相应电路构成,沉积部分由密封室、喷头、加热台、电动传动组件、温控仪、真空压力表和鼓泡池组成。其中储液罐、雾化室、喷头、密封室都采用了独特的设计。该发明具有成本低,运行稳定,成膜质量好等优点,可应用于氧化物和硫化物半导体薄膜的科学研究和工业生产。
一种通过电化学解吸附方法制备可排列多染料吸附层共敏化薄膜的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:一种通过电化学解吸附方法制备可排列多染料吸附层共敏化薄膜的方法,方法为:(1)在导电玻璃基底上制备纳米多孔半导体薄膜;(2)将纳米多孔半导体薄膜浸入染料a溶液中,使薄膜完全吸附染料a;(3)以吸附染料a的纳米多孔半导体薄膜为工作电极,铂片作为解吸附电极;(4)将含有染料空白层的半导体薄膜浸入第二种染料b,使染料空白层吸附染料得到含有2个染料吸附层的共敏化薄膜;(5)重复步骤(3)和(4)可得到含多染料吸附层的共敏化薄膜。本发明优势在于:解决以往单靠染料吸附制备共敏化薄膜方法中存在的染料吸附时间、染料吸附量和染料空白层厚度之间的矛盾;通过控制电势分布深度可以调控每个染料吸附层的厚度。
找到16项技术成果数据。
找技术 >类金刚石薄膜半导体光电性能和应用的研究
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
一、项目特点和技术指标 类金刚石半导体薄膜特点: 1.宽带隙并且可在2ev~5ev范围内调节。 2.高临界击穿电压、高热导率、高载流子饱和漂移速度。 3.可在高温、辐射、腐蚀等恶劣环境下工作。 4.可能在大功率、光电子、抗辐射、显示、紫外探测等半导体器件获得应用。 5.具有很高的电子亲和势,可用于制备各种微真空器件的冷阴极。 6.制造成本低。以甲烷、乙炔等气体为原料采用PECVD等方法生长。 二、技术成熟程度 本项目处于探索阶段,先测量和分析人工生长的类金刚石薄膜各种半导体光电性能,如禁带宽度、导电类型、迁移率、掺杂浓度、介电常数、折射率、厚度等基本参数和特性,改进材料生长条件,探索类金刚石薄膜材料在半导体光电器件的可能应用。 三、应用范围 类金刚石半导体薄膜作为最有应用前景的宽带材料之一,可制备大功率、光电子、抗辐射、显示、紫外探测等新型半导体器件,可在高温、辐射、腐蚀等恶劣环境下工作,并有可能用于制备各种功能的微真空器件。 四、投产条件和预期经济效益 投产条件: 1、合作伙伴最好是类金刚石半导体薄膜材料的生产或研发单位,已具有类金刚石半导体薄膜生长设备,能提供研发所需要的类金刚石半导体薄膜。 2、投产资金:10万元人民币从事类金刚石薄膜半导体光电基本性能的材料和分析。若需要新建立类金刚石半导体薄膜材料生长设备,另需约30万元人民币。 预期经济效益: 本项目是源头创新的研发工作。先投入少量经费开展类金刚石薄膜半导体基本性质的研究,改进现有薄膜材料生长工艺,使所生长的薄膜材料能适应半导体器件的要求;再探索用类金刚石薄膜材料研发各种新型半导体器件的可能性并尽快研发出适合市场需要的新型半导体器件。 五、合作方式 合作开发
一种柔性半导体薄膜电子器件的封装结构及封装方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明公开了一种柔性半导体薄膜电子器件的封装结构,包括生长于柔性半导体薄膜电子器件之上的水氧阻隔层/导电层组合结构和生长于水氧阻隔层/导电层组合结构之上的有机保护层;所述水氧阻隔层/导电层组合结构为一个或两个;所述水氧阻隔层/导电层组合结构由水氧阻隔层及生长于其上的导电层构成。本发明还公开上了一种柔性半导体薄膜电子器件的封装方法。本发明实现了在最小化器件厚度,有利于柔性器件正常使用的同时,可以获得优良的水氧隔绝性能,制作工艺简单,降低了制造成本。
一种 CuInS2纳米晶半导体薄膜的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
一种 CuInS2纳米晶半导体薄膜的制备方法 专利号:CN200910236304.7 发明人:徐新花;吉静;刘景军 专利摘要:本技术属于能源材料领域。本技术分别以氯化铜、氯化铟、硫代硫酸钠和氯化锂作为铜、铟、硫源和支持电解质,以邻苯二甲酸氢钾兼作络合剂和 pH 缓冲剂配制电沉积液,并调节 pH=1.5-3.5后,在搅拌条件下进行电沉积,而后将所得前躯体薄膜在惰性气氛保护条件下于 250-500℃下恒温 30-180min,得到 CuInS2纳米晶半导体薄膜。本技术所提供的方法可控性强,重复好,所制备的 CuInS2 纳米晶半导体薄膜无杂质,适用于薄膜太阳能电池光吸收层材料。
飞秒脉冲激光制备β-FeSi2半导体薄膜的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
飞秒脉冲激光制备β-FeSi2半导体薄膜的方法 本发明提供了一种飞秒脉冲激光制备β-FeSi2半导体薄膜的方法,将脉冲激光沉积薄膜装置抽真空,气压10-5~10-3Pa,以FeSi2合金为靶材,将靶材和基片置于脉冲激光沉积薄膜装置内,靶材和基片平行,且相距20~50mm,基片加热到20℃~700℃,然后保温,以1012~1015W/cm2的峰值功率密度的激光束照射靶材,喷出的等离子体在基片上沉积,沿基片晶面外延生长形成薄膜。本发明适合于不同的基底,在较低的温度下,短时间内合成大面积的、均匀的单相β-FeSi2薄膜,所制备的薄膜有较好的发光和光伏特性,解决了作为红外发光二极管和太阳能电池所需的优质β-FeSi2薄膜的技术难题。
超声喷雾热分解化合物半导体薄膜制备系统
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种超声喷雾热分解化合物半导体薄膜制备系统,用于在平面基质上制备氧化物和硫化物半导体薄膜。该系统由雾化、沉积两大部分构成。其中雾化部分有载气源、储液罐、雾化室和相应电路构成,沉积部分由密封室、喷头、加热台、电动传动组件、温控仪、真空压力表和鼓泡池组成。其中储液罐、雾化室、喷头、密封室都采用了独特的设计。该发明具有成本低,运行稳定,成膜质量好等优点,可应用于氧化物和硫化物半导体薄膜的科学研究和工业生产。
一种通过电化学解吸附方法制备可排列多染料吸附层共敏化薄膜的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:一种通过电化学解吸附方法制备可排列多染料吸附层共敏化薄膜的方法,方法为:(1)在导电玻璃基底上制备纳米多孔半导体薄膜;(2)将纳米多孔半导体薄膜浸入染料a溶液中,使薄膜完全吸附染料a;(3)以吸附染料a的纳米多孔半导体薄膜为工作电极,铂片作为解吸附电极;(4)将含有染料空白层的半导体薄膜浸入第二种染料b,使染料空白层吸附染料得到含有2个染料吸附层的共敏化薄膜;(5)重复步骤(3)和(4)可得到含多染料吸附层的共敏化薄膜。本发明优势在于:解决以往单靠染料吸附制备共敏化薄膜方法中存在的染料吸附时间、染料吸附量和染料空白层厚度之间的矛盾;通过控制电势分布深度可以调控每个染料吸附层的厚度。
找到16项技术成果数据。
找技术 >类金刚石薄膜半导体光电性能和应用的研究
成熟度:正在研发
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应用行业:制造业
技术简介
一、项目特点和技术指标 类金刚石半导体薄膜特点: 1.宽带隙并且可在2ev~5ev范围内调节。 2.高临界击穿电压、高热导率、高载流子饱和漂移速度。 3.可在高温、辐射、腐蚀等恶劣环境下工作。 4.可能在大功率、光电子、抗辐射、显示、紫外探测等半导体器件获得应用。 5.具有很高的电子亲和势,可用于制备各种微真空器件的冷阴极。 6.制造成本低。以甲烷、乙炔等气体为原料采用PECVD等方法生长。 二、技术成熟程度 本项目处于探索阶段,先测量和分析人工生长的类金刚石薄膜各种半导体光电性能,如禁带宽度、导电类型、迁移率、掺杂浓度、介电常数、折射率、厚度等基本参数和特性,改进材料生长条件,探索类金刚石薄膜材料在半导体光电器件的可能应用。 三、应用范围 类金刚石半导体薄膜作为最有应用前景的宽带材料之一,可制备大功率、光电子、抗辐射、显示、紫外探测等新型半导体器件,可在高温、辐射、腐蚀等恶劣环境下工作,并有可能用于制备各种功能的微真空器件。 四、投产条件和预期经济效益 投产条件: 1、合作伙伴最好是类金刚石半导体薄膜材料的生产或研发单位,已具有类金刚石半导体薄膜生长设备,能提供研发所需要的类金刚石半导体薄膜。 2、投产资金:10万元人民币从事类金刚石薄膜半导体光电基本性能的材料和分析。若需要新建立类金刚石半导体薄膜材料生长设备,另需约30万元人民币。 预期经济效益: 本项目是源头创新的研发工作。先投入少量经费开展类金刚石薄膜半导体基本性质的研究,改进现有薄膜材料生长工艺,使所生长的薄膜材料能适应半导体器件的要求;再探索用类金刚石薄膜材料研发各种新型半导体器件的可能性并尽快研发出适合市场需要的新型半导体器件。 五、合作方式 合作开发
一种柔性半导体薄膜电子器件的封装结构及封装方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
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摘要:本发明公开了一种柔性半导体薄膜电子器件的封装结构,包括生长于柔性半导体薄膜电子器件之上的水氧阻隔层/导电层组合结构和生长于水氧阻隔层/导电层组合结构之上的有机保护层;所述水氧阻隔层/导电层组合结构为一个或两个;所述水氧阻隔层/导电层组合结构由水氧阻隔层及生长于其上的导电层构成。本发明还公开上了一种柔性半导体薄膜电子器件的封装方法。本发明实现了在最小化器件厚度,有利于柔性器件正常使用的同时,可以获得优良的水氧隔绝性能,制作工艺简单,降低了制造成本。
一种 CuInS2纳米晶半导体薄膜的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
一种 CuInS2纳米晶半导体薄膜的制备方法 专利号:CN200910236304.7 发明人:徐新花;吉静;刘景军 专利摘要:本技术属于能源材料领域。本技术分别以氯化铜、氯化铟、硫代硫酸钠和氯化锂作为铜、铟、硫源和支持电解质,以邻苯二甲酸氢钾兼作络合剂和 pH 缓冲剂配制电沉积液,并调节 pH=1.5-3.5后,在搅拌条件下进行电沉积,而后将所得前躯体薄膜在惰性气氛保护条件下于 250-500℃下恒温 30-180min,得到 CuInS2纳米晶半导体薄膜。本技术所提供的方法可控性强,重复好,所制备的 CuInS2 纳米晶半导体薄膜无杂质,适用于薄膜太阳能电池光吸收层材料。
飞秒脉冲激光制备β-FeSi2半导体薄膜的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
飞秒脉冲激光制备β-FeSi2半导体薄膜的方法 本发明提供了一种飞秒脉冲激光制备β-FeSi2半导体薄膜的方法,将脉冲激光沉积薄膜装置抽真空,气压10-5~10-3Pa,以FeSi2合金为靶材,将靶材和基片置于脉冲激光沉积薄膜装置内,靶材和基片平行,且相距20~50mm,基片加热到20℃~700℃,然后保温,以1012~1015W/cm2的峰值功率密度的激光束照射靶材,喷出的等离子体在基片上沉积,沿基片晶面外延生长形成薄膜。本发明适合于不同的基底,在较低的温度下,短时间内合成大面积的、均匀的单相β-FeSi2薄膜,所制备的薄膜有较好的发光和光伏特性,解决了作为红外发光二极管和太阳能电池所需的优质β-FeSi2薄膜的技术难题。
超声喷雾热分解化合物半导体薄膜制备系统
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种超声喷雾热分解化合物半导体薄膜制备系统,用于在平面基质上制备氧化物和硫化物半导体薄膜。该系统由雾化、沉积两大部分构成。其中雾化部分有载气源、储液罐、雾化室和相应电路构成,沉积部分由密封室、喷头、加热台、电动传动组件、温控仪、真空压力表和鼓泡池组成。其中储液罐、雾化室、喷头、密封室都采用了独特的设计。该发明具有成本低,运行稳定,成膜质量好等优点,可应用于氧化物和硫化物半导体薄膜的科学研究和工业生产。
一种通过电化学解吸附方法制备可排列多染料吸附层共敏化薄膜的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:一种通过电化学解吸附方法制备可排列多染料吸附层共敏化薄膜的方法,方法为:(1)在导电玻璃基底上制备纳米多孔半导体薄膜;(2)将纳米多孔半导体薄膜浸入染料a溶液中,使薄膜完全吸附染料a;(3)以吸附染料a的纳米多孔半导体薄膜为工作电极,铂片作为解吸附电极;(4)将含有染料空白层的半导体薄膜浸入第二种染料b,使染料空白层吸附染料得到含有2个染料吸附层的共敏化薄膜;(5)重复步骤(3)和(4)可得到含多染料吸附层的共敏化薄膜。本发明优势在于:解决以往单靠染料吸附制备共敏化薄膜方法中存在的染料吸附时间、染料吸附量和染料空白层厚度之间的矛盾;通过控制电势分布深度可以调控每个染料吸附层的厚度。
找到16项技术成果数据。
找技术 >类金刚石薄膜半导体光电性能和应用的研究
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
一、项目特点和技术指标 类金刚石半导体薄膜特点: 1.宽带隙并且可在2ev~5ev范围内调节。 2.高临界击穿电压、高热导率、高载流子饱和漂移速度。 3.可在高温、辐射、腐蚀等恶劣环境下工作。 4.可能在大功率、光电子、抗辐射、显示、紫外探测等半导体器件获得应用。 5.具有很高的电子亲和势,可用于制备各种微真空器件的冷阴极。 6.制造成本低。以甲烷、乙炔等气体为原料采用PECVD等方法生长。 二、技术成熟程度 本项目处于探索阶段,先测量和分析人工生长的类金刚石薄膜各种半导体光电性能,如禁带宽度、导电类型、迁移率、掺杂浓度、介电常数、折射率、厚度等基本参数和特性,改进材料生长条件,探索类金刚石薄膜材料在半导体光电器件的可能应用。 三、应用范围 类金刚石半导体薄膜作为最有应用前景的宽带材料之一,可制备大功率、光电子、抗辐射、显示、紫外探测等新型半导体器件,可在高温、辐射、腐蚀等恶劣环境下工作,并有可能用于制备各种功能的微真空器件。 四、投产条件和预期经济效益 投产条件: 1、合作伙伴最好是类金刚石半导体薄膜材料的生产或研发单位,已具有类金刚石半导体薄膜生长设备,能提供研发所需要的类金刚石半导体薄膜。 2、投产资金:10万元人民币从事类金刚石薄膜半导体光电基本性能的材料和分析。若需要新建立类金刚石半导体薄膜材料生长设备,另需约30万元人民币。 预期经济效益: 本项目是源头创新的研发工作。先投入少量经费开展类金刚石薄膜半导体基本性质的研究,改进现有薄膜材料生长工艺,使所生长的薄膜材料能适应半导体器件的要求;再探索用类金刚石薄膜材料研发各种新型半导体器件的可能性并尽快研发出适合市场需要的新型半导体器件。 五、合作方式 合作开发
一种柔性半导体薄膜电子器件的封装结构及封装方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明公开了一种柔性半导体薄膜电子器件的封装结构,包括生长于柔性半导体薄膜电子器件之上的水氧阻隔层/导电层组合结构和生长于水氧阻隔层/导电层组合结构之上的有机保护层;所述水氧阻隔层/导电层组合结构为一个或两个;所述水氧阻隔层/导电层组合结构由水氧阻隔层及生长于其上的导电层构成。本发明还公开上了一种柔性半导体薄膜电子器件的封装方法。本发明实现了在最小化器件厚度,有利于柔性器件正常使用的同时,可以获得优良的水氧隔绝性能,制作工艺简单,降低了制造成本。
一种 CuInS2纳米晶半导体薄膜的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
一种 CuInS2纳米晶半导体薄膜的制备方法 专利号:CN200910236304.7 发明人:徐新花;吉静;刘景军 专利摘要:本技术属于能源材料领域。本技术分别以氯化铜、氯化铟、硫代硫酸钠和氯化锂作为铜、铟、硫源和支持电解质,以邻苯二甲酸氢钾兼作络合剂和 pH 缓冲剂配制电沉积液,并调节 pH=1.5-3.5后,在搅拌条件下进行电沉积,而后将所得前躯体薄膜在惰性气氛保护条件下于 250-500℃下恒温 30-180min,得到 CuInS2纳米晶半导体薄膜。本技术所提供的方法可控性强,重复好,所制备的 CuInS2 纳米晶半导体薄膜无杂质,适用于薄膜太阳能电池光吸收层材料。
飞秒脉冲激光制备β-FeSi2半导体薄膜的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
飞秒脉冲激光制备β-FeSi2半导体薄膜的方法 本发明提供了一种飞秒脉冲激光制备β-FeSi2半导体薄膜的方法,将脉冲激光沉积薄膜装置抽真空,气压10-5~10-3Pa,以FeSi2合金为靶材,将靶材和基片置于脉冲激光沉积薄膜装置内,靶材和基片平行,且相距20~50mm,基片加热到20℃~700℃,然后保温,以1012~1015W/cm2的峰值功率密度的激光束照射靶材,喷出的等离子体在基片上沉积,沿基片晶面外延生长形成薄膜。本发明适合于不同的基底,在较低的温度下,短时间内合成大面积的、均匀的单相β-FeSi2薄膜,所制备的薄膜有较好的发光和光伏特性,解决了作为红外发光二极管和太阳能电池所需的优质β-FeSi2薄膜的技术难题。
超声喷雾热分解化合物半导体薄膜制备系统
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种超声喷雾热分解化合物半导体薄膜制备系统,用于在平面基质上制备氧化物和硫化物半导体薄膜。该系统由雾化、沉积两大部分构成。其中雾化部分有载气源、储液罐、雾化室和相应电路构成,沉积部分由密封室、喷头、加热台、电动传动组件、温控仪、真空压力表和鼓泡池组成。其中储液罐、雾化室、喷头、密封室都采用了独特的设计。该发明具有成本低,运行稳定,成膜质量好等优点,可应用于氧化物和硫化物半导体薄膜的科学研究和工业生产。
一种通过电化学解吸附方法制备可排列多染料吸附层共敏化薄膜的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:一种通过电化学解吸附方法制备可排列多染料吸附层共敏化薄膜的方法,方法为:(1)在导电玻璃基底上制备纳米多孔半导体薄膜;(2)将纳米多孔半导体薄膜浸入染料a溶液中,使薄膜完全吸附染料a;(3)以吸附染料a的纳米多孔半导体薄膜为工作电极,铂片作为解吸附电极;(4)将含有染料空白层的半导体薄膜浸入第二种染料b,使染料空白层吸附染料得到含有2个染料吸附层的共敏化薄膜;(5)重复步骤(3)和(4)可得到含多染料吸附层的共敏化薄膜。本发明优势在于:解决以往单靠染料吸附制备共敏化薄膜方法中存在的染料吸附时间、染料吸附量和染料空白层厚度之间的矛盾;通过控制电势分布深度可以调控每个染料吸附层的厚度。