找到78项技术成果数据。
找技术 >硅片清洗剂
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
技术投资分析:简介:随着信息时代的到来,作为其基础的硅片的生产、加工和使用得到迅猛的发展。因硅片的清洗要求非常严格,现多采用昂贵的进口清洗剂。SDC-30硅片清洗剂正是为有效替代进口而成功开发的一种硅片清洗剂。主要特点技术性能:1、生产工业简单,价格适中。2、清洗能力优良,高效和无毒,是完全可以替代国外同类进口产品的绿色环保型清洗剂。3、清洗液无需排放,只要不断添加新液即可。4、如在超声波清洗剂或流动的清洗液中进行清洗,效果更佳。泡沫性能 低泡硬水中稳定性 合格(JB4322-86)清洗能力 >95%PH值 1~2技术的应用领域前景分析:用途:广泛应用于电信、电子、机电等企业加工生产过程。效益分析:本项目市场广泛,效益十分可观。厂房条件建议:无备注:无
第三代太阳能级高效多晶硅锭、硅片研发与产业化
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
第三代太阳能级高效多晶硅锭、硅片产品是该公司完全自主研发的用于制造太阳能晶体硅电池片的主要基底材料。该项目通过创新的晶体生长机理以及与之匹配的热场设计和优化的铸锭工艺,使其具有晶粒尺寸均匀、晶体缺陷密度低等优势。在现有的多晶光伏电池技术下,其可以有效提高入射光吸收效率,降低体载流子和表面载流子的复合率,进而提升其光电转换效率。主要科技创新点:1.创新的热场设计;2.创新的晶体生长工艺;3.创新的装料方式;4.设计一种特殊的坩埚处理方法:与公司配套坩埚生产合作研发GCL新高效工艺高纯坩埚,有效解决多晶硅片边缘的黑边问题,大幅降低边缘黑边比例,使下游的组件可靠性大幅提高,提高电池转换效率。5.开发出一种全新的共掺杂技术。该创新彻底解决了多晶电池片的光衰问题,组件光衰平均低1%,为后续的PERC等高效工艺提供更宽广的空间。知识产权方面:第三代太阳能级高效多晶硅锭、硅片产品正是该公司的行业主打产品,为了更好保护自己并防止国内外生产竞争对手对该公司实施技术壁垒,在该项目实施和产业化期间:①发表SCI论文1篇或影响因子累计1.75;②申请并已授权专利12件,其中发明专利5件;③主持国家标准制订2项,参与国际标准制定1项。应用推广方面:与国内外各大硅片厂商对比,第三代太阳能级高效多晶产品的电池光电转换效率高于行业内普通多晶硅片电池效率0.2%以上。截止到2016年1月之前,该公司已实现了该硅片的规模化量产,并且该产品获得了客户的广泛认可,成为市场上最具有统治力的高效多晶硅片产品。经济效益方面:第三代高效多晶硅锭、硅片产品项目自2015年开始全面产业化生产,在企业的ERP系统单独命名,并单独核算,经财务系统查询和确认销售利润表计算得出,2015年新增销售额376404万元,新增利润68812万元;2016年新增销售额710368万元,新增利润99582万元;2017年新增销售额1011135万元,新增利润94973万元。并在2016年成功申报江苏省高新技术产品《太阳能级高效多晶硅锭三代》。社会效益:第三代太阳能级高效多晶产品作为公司主流产品,光电转化效率由早期的16.5%提升到平均19.1%以上。产能、良率、转化效率行业遥遥领先,受到下游客户的一致好评。且电池片效率分布更加集中,为客户提供更多的附加价值。该项目的研发和产业化加快了国家实现光伏发电平价上网进程,减少化石能源的使用所带来的污染,对于保护人类赖以生存的环境以及人类社会可持续性发展具有重要意义。
200微米硅片生产新工艺
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
一、科学技术领域 作为太阳能最主要的原料之一,200微米硅片主要用于制作太阳能电池极板。单晶硅片的品质直接决定着太阳能电池的质量。由于我国硅片行业起步较晚,技术落后,为了尽快缩短我国硅片制造水平与国外的差距,提高硅片的制造水平,降低硅片成本,研制开发太阳能电池用超薄硅片势在必行。 二、科技内容 1、减小切割钢线直径,在保证硅片质量前提,减少刀缝损耗。 2、减小导轮槽距,从而降低片厚,既能提高出片率又能提高太阳能电池的转换效率。 3、确定合理走线速度,减少钢线磨损,从而减少片头、片尾钢线线径差,以达到减小硅片厚度偏差的目的。 4、在硅棒进刀部位粘贴树脂条,减少硅片进刀薄厚,提高硅片质量。 5、提高砂浆品质,控制温湿度、设计合理的砂浆配比、砂浆黏度,同时研究切割进给速度、线速及砂浆流量等影响硅片质量的因素,控制表面线痕,提高硅片质量。三、性能指标 1、硅片厚度:200微米 2、硅片TV(片厚误差):TV±20微米 3、硅片TTV(总厚度误差):TTV<30微米 4、切片成品率:>95% 5、边长:125±0.5mm 6、对角线长度:150±0.5 mm 7、氧含量:≤0.85×1018atoms/cm^3 8、碳含量:≤3×1016atoms/cm^3 四、经济效益 新工艺使生产成本显著下降,原来每公斤硅棒切片58片,现在每公斤切片达到64片,公司每年切割硅棒近260吨,年可多切出硅片156万片,以56元/片计,新增销售收入8736万元,利税2400万元 五、行业作用及社会效益 本项目产品的研发成功可以填补国内空白,带动太阳能电池行业的快速发展及技术的提高,从而极大的缓解能源短缺、减少环境污染,提高我国太阳能行业技术水平和国际竞争力。项目的实施将加快东北地区产业调整的步伐,为振兴东北老工业基地做出贡献。同时将创造新的工作岗位,为下岗职工和待业人员提供就业机会,还可以培育区域经济增长点,促进辽西经济发展,实现经济效益和社会效益的双赢。
基于二氧化钒纳米线的纳米材料导热系数的测量系统
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及基于二氧化钒纳米线的纳米材料导热系数的测量系统。该系统包括二氧化钒纳米线悬臂梁、激光热源机构、光学显微镜机构和真空压力腔机构;激光热源机构和光学显微镜机构位于真空压力腔机构外部。真空压力腔体内一侧设有硅片基底,二氧化钒纳米线悬臂梁的一端连接着硅片基底,一端为悬壁端,二氧化钒纳米线悬臂梁与真空压力腔体顶部的玻璃窗口对应;光学显微镜机构位于玻璃窗口外部的上方;测量时,待测纳米线悬臂梁的一端连接着硅片基底,且位于二氧化钒纳米线悬臂梁的上方;待测纳米线悬臂梁的另一端为悬臂梁,连接着二氧化钒纳米线悬臂梁的悬臂端。本发明用于相关热物性测量,成本低,防止纳米线表面出现加速老化,提高了测量的准确度。
一种芯片式铷滤光泡
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:信息传输、软件和信息技术服务业
技术简介
项目简介: 一种芯片式铷滤光泡,涉及一种滤光装置,尤其是涉及一种主要适用于常规、微小型化与芯片式以及应用激光作为光源的各种铷原子钟的滤除特定谱线的芯片式铷滤光泡。提供一种不仅体积较小、功耗较低,而且可有效滤除不需要的谱线,减小所需要的谱线的衰减,获得较好滤光效果的芯片式铷滤光泡。设有一硅片,在硅片中央设有一个通孔,在通孔的一边上设有沟道,通孔经沟道与外部连通。在硅片两侧面分别设有玻璃片,硅片与两侧面的玻璃片键合成一块芯片,硅片中央的通孔与硅片两侧面的玻璃片构成的腔体内充入铷-85和惰性气体。
用于光电单片集成的硅基光电探测器及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:信息传输、软件和信息技术服务业
技术简介
项目简介: 用于光电单片集成的硅基光电探测器及其制备方法,涉及一种硅基光电单片集成电路。提供一种与商业的BCD标准工艺完全兼容的用于光电单片集成的硅基光电探测器及其制备方法。硅基光电探测器设有P型硅衬底、BN+、BP+、N-EPI外延层、N阱、P阱、P+、N+、Al层、场氧层、SiO2绝缘介质层和Si3N4表面钝化层,P型硅衬底、BN+、BP+、N-EPI外延层、N阱、P阱、P+、N+设于同一硅片上,场氧层是在硅片表面生成的氧化硅层,金属铝层沉积在硅片表面,按制备顺序从下至上共3层SiO2绝缘介质层通过沉积工艺附着在硅衬底上、Si3N4表面钝化层通过沉积工艺附着在SiO2绝缘介质层上。
多孔硅场发射发光二极管阵列及其制作技术
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及场发射显示技术领域,特别是一种多孔硅场发射发光二极管阵列及其制作技术。本发明的多孔硅场发射发光二极管阵列,包括阳极板、阴极板、荧光粉和多孔硅片,其中,阳极板由导电玻璃和引线一组成,阴极板由玻璃和引线二组成,多孔硅片由硅基底和多孔硅层组成。在阴极板的玻璃上设有m列银浆导电引线二,每列上固定n片多孔硅片;在阳极板的导电玻璃上把导电层腐蚀成n行引线一,荧光粉涂履在阳极板玻璃正面的引线一上,每行引线上涂履m块荧光粉浆料,每块荧光粉浆料的面积尺寸比阴极板上多孔硅片略大;多孔硅场发射发光二极管阵列的阴极板与阳极板之间的间隙通过隔离子和密封材料构成一真空度在1×10-5Pa以下的密封空腔。
多孔硅场发射发光二极管及其制作技术
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及场发射显示技术领域,特别是一种多孔硅场发射发光二极管及其制作技术。本发明的多孔硅场发射发光二极管,包括导电玻璃、荧光粉、多孔硅片,其中,多孔硅片为多孔硅场发射发光二极管的阴极,多孔硅片由硅基底和多孔硅层组成;多孔硅场发射发光二极管的阳极由荧光粉涂履在导电玻璃的导电层上而成;多孔硅场发射发光二极管的附有荧光粉的导电玻璃导电层与多孔硅片的多孔硅层之间的间隙,通过隔离子和密封材料构成一真空度在1×10-5Pa以下的密封空腔。本发明多孔硅场发射发光二极管的制作步骤:1.多孔硅片的制作;2.多孔硅场发射发光二极管的制作,其中:(1)制作阴极,(2)制作阳极,(3)制作隔离子,(4)真空封装。
一种超微锥电极阵列及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
一种超微锥电极阵列及其制备方法。首先对硅片进行干湿氧化形成SiO2膜,并采用正胶在上述SiO2膜光上刻出方形窗口;其次用TMAH溶液对上述SiO2膜方形窗口中裸露的硅片进行湿法刻蚀形成正四棱锥形凹坑,后去除残留的SiO2膜;然后在950℃条件下对硅片进行热氧化形成SiO2膜,随后在硅片上有正四棱锥形凹坑的一面用射频磁控溅射工艺溅射超微电极材料,并经光刻和刻蚀工艺形成超微电极位置和引线图形;再用气相沉积工艺在超微电极材料表面沉积Si3N4薄膜,并用光刻和刻蚀工艺在上述Si3N4薄膜上刻出窗口以便裸露出超微电极键合窗口;最后用TMAH从背面对硅片进行减薄刻蚀直到露出一定高度的SiO2凸台,再对该SiO2凸台进行刻蚀以便露出具有一定高宽比的超微电极,最终得到纳米尺度的超微锥电极阵列。
太阳能硅片切割加工副产物资源化回收与利用
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:电力、热力、燃气及水生产和供应业
技术简介
我国作为世界太阳能硅片生产基地,硅棒在切割加工为硅片的过程中,年产生大量的废砂浆,其主要成分为切割液(聚乙二醇、表面活性剂、添加剂等)、碳化硅及多晶硅微粉等;对其资源化利用与产业化开发,形成可循环使用的资源再生型产品,不仅节约了重要的石油和高能耗产品资源、避免对环境造成严重污染,也以降耗、增效为特色促进太阳能行业的发展。 本项目采用分离剂技术综、整体化分质技术,精密控制及按级分离技术、化学转化与调配技术,对废砂浆进行资源产品化开发,形成循环使用于太阳能硅片加工的再生型切削液、碳化硅系列产品、回收型晶硅与纯硅衍生产品;开发先进的工艺技术与流程、规模化工业装置、精确过程控制与产品质量控制技术、保证大型生产连续性、稳定性和可控性;工业装置规模达到10万吨/年,实现了切割液回收率≥96%,碳化硅回收率≥95%,总资源利用率≥86%,形成3个再生型切割液产品、5个再生型碳化硅微粉产品,3年累计实现销售收入60691万元、净利润10052万元、入库纳税6718万元。实现了可循环使用的资源再生型产品系列化、成果产业化。 项目已获发明专利2项(ZL200810020743.X、ZL200810020744.4)、实用新型专利3项(ZL201020168297.X、ZL201020168310.1、ZL201020168291.2),申请发明专利5项。通过2项科技成果鉴定:中轻联科鉴字[2010]第033号、教育部鉴字[教CW2009]第020号,鉴定结论均为国际先进。 本项目得到江苏省科技支撑计划(BE2008085)(已通过项目验收)、江苏省科技成果转化专项基金(项目编号BA2010111)的立项。 本成果转化产品已循环使用于海润光伏、昱辉阳光、江西赛维LDK、中国英利、晶澳、高佳、舒奇蒙等多家大型骨干硅片生产企业,3年以上的使用结果表明,本项目资源再生型产品质量完全满足硅片切割加工的要求,服务硅片企业节支(增值)82641万元,对硅片生产企业提高质量、降低成本、提高经济效益产生了明显的作用。对太阳能光伏产业的资源利用、循环经济起到重要示范与推进作用。
找到78项技术成果数据。
找技术 >硅片清洗剂
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
技术投资分析:简介:随着信息时代的到来,作为其基础的硅片的生产、加工和使用得到迅猛的发展。因硅片的清洗要求非常严格,现多采用昂贵的进口清洗剂。SDC-30硅片清洗剂正是为有效替代进口而成功开发的一种硅片清洗剂。主要特点技术性能:1、生产工业简单,价格适中。2、清洗能力优良,高效和无毒,是完全可以替代国外同类进口产品的绿色环保型清洗剂。3、清洗液无需排放,只要不断添加新液即可。4、如在超声波清洗剂或流动的清洗液中进行清洗,效果更佳。泡沫性能 低泡硬水中稳定性 合格(JB4322-86)清洗能力 >95%PH值 1~2技术的应用领域前景分析:用途:广泛应用于电信、电子、机电等企业加工生产过程。效益分析:本项目市场广泛,效益十分可观。厂房条件建议:无备注:无
第三代太阳能级高效多晶硅锭、硅片研发与产业化
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
第三代太阳能级高效多晶硅锭、硅片产品是该公司完全自主研发的用于制造太阳能晶体硅电池片的主要基底材料。该项目通过创新的晶体生长机理以及与之匹配的热场设计和优化的铸锭工艺,使其具有晶粒尺寸均匀、晶体缺陷密度低等优势。在现有的多晶光伏电池技术下,其可以有效提高入射光吸收效率,降低体载流子和表面载流子的复合率,进而提升其光电转换效率。主要科技创新点:1.创新的热场设计;2.创新的晶体生长工艺;3.创新的装料方式;4.设计一种特殊的坩埚处理方法:与公司配套坩埚生产合作研发GCL新高效工艺高纯坩埚,有效解决多晶硅片边缘的黑边问题,大幅降低边缘黑边比例,使下游的组件可靠性大幅提高,提高电池转换效率。5.开发出一种全新的共掺杂技术。该创新彻底解决了多晶电池片的光衰问题,组件光衰平均低1%,为后续的PERC等高效工艺提供更宽广的空间。知识产权方面:第三代太阳能级高效多晶硅锭、硅片产品正是该公司的行业主打产品,为了更好保护自己并防止国内外生产竞争对手对该公司实施技术壁垒,在该项目实施和产业化期间:①发表SCI论文1篇或影响因子累计1.75;②申请并已授权专利12件,其中发明专利5件;③主持国家标准制订2项,参与国际标准制定1项。应用推广方面:与国内外各大硅片厂商对比,第三代太阳能级高效多晶产品的电池光电转换效率高于行业内普通多晶硅片电池效率0.2%以上。截止到2016年1月之前,该公司已实现了该硅片的规模化量产,并且该产品获得了客户的广泛认可,成为市场上最具有统治力的高效多晶硅片产品。经济效益方面:第三代高效多晶硅锭、硅片产品项目自2015年开始全面产业化生产,在企业的ERP系统单独命名,并单独核算,经财务系统查询和确认销售利润表计算得出,2015年新增销售额376404万元,新增利润68812万元;2016年新增销售额710368万元,新增利润99582万元;2017年新增销售额1011135万元,新增利润94973万元。并在2016年成功申报江苏省高新技术产品《太阳能级高效多晶硅锭三代》。社会效益:第三代太阳能级高效多晶产品作为公司主流产品,光电转化效率由早期的16.5%提升到平均19.1%以上。产能、良率、转化效率行业遥遥领先,受到下游客户的一致好评。且电池片效率分布更加集中,为客户提供更多的附加价值。该项目的研发和产业化加快了国家实现光伏发电平价上网进程,减少化石能源的使用所带来的污染,对于保护人类赖以生存的环境以及人类社会可持续性发展具有重要意义。
200微米硅片生产新工艺
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
一、科学技术领域 作为太阳能最主要的原料之一,200微米硅片主要用于制作太阳能电池极板。单晶硅片的品质直接决定着太阳能电池的质量。由于我国硅片行业起步较晚,技术落后,为了尽快缩短我国硅片制造水平与国外的差距,提高硅片的制造水平,降低硅片成本,研制开发太阳能电池用超薄硅片势在必行。 二、科技内容 1、减小切割钢线直径,在保证硅片质量前提,减少刀缝损耗。 2、减小导轮槽距,从而降低片厚,既能提高出片率又能提高太阳能电池的转换效率。 3、确定合理走线速度,减少钢线磨损,从而减少片头、片尾钢线线径差,以达到减小硅片厚度偏差的目的。 4、在硅棒进刀部位粘贴树脂条,减少硅片进刀薄厚,提高硅片质量。 5、提高砂浆品质,控制温湿度、设计合理的砂浆配比、砂浆黏度,同时研究切割进给速度、线速及砂浆流量等影响硅片质量的因素,控制表面线痕,提高硅片质量。三、性能指标 1、硅片厚度:200微米 2、硅片TV(片厚误差):TV±20微米 3、硅片TTV(总厚度误差):TTV<30微米 4、切片成品率:>95% 5、边长:125±0.5mm 6、对角线长度:150±0.5 mm 7、氧含量:≤0.85×1018atoms/cm^3 8、碳含量:≤3×1016atoms/cm^3 四、经济效益 新工艺使生产成本显著下降,原来每公斤硅棒切片58片,现在每公斤切片达到64片,公司每年切割硅棒近260吨,年可多切出硅片156万片,以56元/片计,新增销售收入8736万元,利税2400万元 五、行业作用及社会效益 本项目产品的研发成功可以填补国内空白,带动太阳能电池行业的快速发展及技术的提高,从而极大的缓解能源短缺、减少环境污染,提高我国太阳能行业技术水平和国际竞争力。项目的实施将加快东北地区产业调整的步伐,为振兴东北老工业基地做出贡献。同时将创造新的工作岗位,为下岗职工和待业人员提供就业机会,还可以培育区域经济增长点,促进辽西经济发展,实现经济效益和社会效益的双赢。
基于二氧化钒纳米线的纳米材料导热系数的测量系统
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及基于二氧化钒纳米线的纳米材料导热系数的测量系统。该系统包括二氧化钒纳米线悬臂梁、激光热源机构、光学显微镜机构和真空压力腔机构;激光热源机构和光学显微镜机构位于真空压力腔机构外部。真空压力腔体内一侧设有硅片基底,二氧化钒纳米线悬臂梁的一端连接着硅片基底,一端为悬壁端,二氧化钒纳米线悬臂梁与真空压力腔体顶部的玻璃窗口对应;光学显微镜机构位于玻璃窗口外部的上方;测量时,待测纳米线悬臂梁的一端连接着硅片基底,且位于二氧化钒纳米线悬臂梁的上方;待测纳米线悬臂梁的另一端为悬臂梁,连接着二氧化钒纳米线悬臂梁的悬臂端。本发明用于相关热物性测量,成本低,防止纳米线表面出现加速老化,提高了测量的准确度。
一种芯片式铷滤光泡
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:信息传输、软件和信息技术服务业
技术简介
项目简介: 一种芯片式铷滤光泡,涉及一种滤光装置,尤其是涉及一种主要适用于常规、微小型化与芯片式以及应用激光作为光源的各种铷原子钟的滤除特定谱线的芯片式铷滤光泡。提供一种不仅体积较小、功耗较低,而且可有效滤除不需要的谱线,减小所需要的谱线的衰减,获得较好滤光效果的芯片式铷滤光泡。设有一硅片,在硅片中央设有一个通孔,在通孔的一边上设有沟道,通孔经沟道与外部连通。在硅片两侧面分别设有玻璃片,硅片与两侧面的玻璃片键合成一块芯片,硅片中央的通孔与硅片两侧面的玻璃片构成的腔体内充入铷-85和惰性气体。
用于光电单片集成的硅基光电探测器及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:信息传输、软件和信息技术服务业
技术简介
项目简介: 用于光电单片集成的硅基光电探测器及其制备方法,涉及一种硅基光电单片集成电路。提供一种与商业的BCD标准工艺完全兼容的用于光电单片集成的硅基光电探测器及其制备方法。硅基光电探测器设有P型硅衬底、BN+、BP+、N-EPI外延层、N阱、P阱、P+、N+、Al层、场氧层、SiO2绝缘介质层和Si3N4表面钝化层,P型硅衬底、BN+、BP+、N-EPI外延层、N阱、P阱、P+、N+设于同一硅片上,场氧层是在硅片表面生成的氧化硅层,金属铝层沉积在硅片表面,按制备顺序从下至上共3层SiO2绝缘介质层通过沉积工艺附着在硅衬底上、Si3N4表面钝化层通过沉积工艺附着在SiO2绝缘介质层上。
多孔硅场发射发光二极管阵列及其制作技术
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及场发射显示技术领域,特别是一种多孔硅场发射发光二极管阵列及其制作技术。本发明的多孔硅场发射发光二极管阵列,包括阳极板、阴极板、荧光粉和多孔硅片,其中,阳极板由导电玻璃和引线一组成,阴极板由玻璃和引线二组成,多孔硅片由硅基底和多孔硅层组成。在阴极板的玻璃上设有m列银浆导电引线二,每列上固定n片多孔硅片;在阳极板的导电玻璃上把导电层腐蚀成n行引线一,荧光粉涂履在阳极板玻璃正面的引线一上,每行引线上涂履m块荧光粉浆料,每块荧光粉浆料的面积尺寸比阴极板上多孔硅片略大;多孔硅场发射发光二极管阵列的阴极板与阳极板之间的间隙通过隔离子和密封材料构成一真空度在1×10-5Pa以下的密封空腔。
多孔硅场发射发光二极管及其制作技术
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及场发射显示技术领域,特别是一种多孔硅场发射发光二极管及其制作技术。本发明的多孔硅场发射发光二极管,包括导电玻璃、荧光粉、多孔硅片,其中,多孔硅片为多孔硅场发射发光二极管的阴极,多孔硅片由硅基底和多孔硅层组成;多孔硅场发射发光二极管的阳极由荧光粉涂履在导电玻璃的导电层上而成;多孔硅场发射发光二极管的附有荧光粉的导电玻璃导电层与多孔硅片的多孔硅层之间的间隙,通过隔离子和密封材料构成一真空度在1×10-5Pa以下的密封空腔。本发明多孔硅场发射发光二极管的制作步骤:1.多孔硅片的制作;2.多孔硅场发射发光二极管的制作,其中:(1)制作阴极,(2)制作阳极,(3)制作隔离子,(4)真空封装。
一种超微锥电极阵列及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
一种超微锥电极阵列及其制备方法。首先对硅片进行干湿氧化形成SiO2膜,并采用正胶在上述SiO2膜光上刻出方形窗口;其次用TMAH溶液对上述SiO2膜方形窗口中裸露的硅片进行湿法刻蚀形成正四棱锥形凹坑,后去除残留的SiO2膜;然后在950℃条件下对硅片进行热氧化形成SiO2膜,随后在硅片上有正四棱锥形凹坑的一面用射频磁控溅射工艺溅射超微电极材料,并经光刻和刻蚀工艺形成超微电极位置和引线图形;再用气相沉积工艺在超微电极材料表面沉积Si3N4薄膜,并用光刻和刻蚀工艺在上述Si3N4薄膜上刻出窗口以便裸露出超微电极键合窗口;最后用TMAH从背面对硅片进行减薄刻蚀直到露出一定高度的SiO2凸台,再对该SiO2凸台进行刻蚀以便露出具有一定高宽比的超微电极,最终得到纳米尺度的超微锥电极阵列。
太阳能硅片切割加工副产物资源化回收与利用
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:电力、热力、燃气及水生产和供应业
技术简介
我国作为世界太阳能硅片生产基地,硅棒在切割加工为硅片的过程中,年产生大量的废砂浆,其主要成分为切割液(聚乙二醇、表面活性剂、添加剂等)、碳化硅及多晶硅微粉等;对其资源化利用与产业化开发,形成可循环使用的资源再生型产品,不仅节约了重要的石油和高能耗产品资源、避免对环境造成严重污染,也以降耗、增效为特色促进太阳能行业的发展。 本项目采用分离剂技术综、整体化分质技术,精密控制及按级分离技术、化学转化与调配技术,对废砂浆进行资源产品化开发,形成循环使用于太阳能硅片加工的再生型切削液、碳化硅系列产品、回收型晶硅与纯硅衍生产品;开发先进的工艺技术与流程、规模化工业装置、精确过程控制与产品质量控制技术、保证大型生产连续性、稳定性和可控性;工业装置规模达到10万吨/年,实现了切割液回收率≥96%,碳化硅回收率≥95%,总资源利用率≥86%,形成3个再生型切割液产品、5个再生型碳化硅微粉产品,3年累计实现销售收入60691万元、净利润10052万元、入库纳税6718万元。实现了可循环使用的资源再生型产品系列化、成果产业化。 项目已获发明专利2项(ZL200810020743.X、ZL200810020744.4)、实用新型专利3项(ZL201020168297.X、ZL201020168310.1、ZL201020168291.2),申请发明专利5项。通过2项科技成果鉴定:中轻联科鉴字[2010]第033号、教育部鉴字[教CW2009]第020号,鉴定结论均为国际先进。 本项目得到江苏省科技支撑计划(BE2008085)(已通过项目验收)、江苏省科技成果转化专项基金(项目编号BA2010111)的立项。 本成果转化产品已循环使用于海润光伏、昱辉阳光、江西赛维LDK、中国英利、晶澳、高佳、舒奇蒙等多家大型骨干硅片生产企业,3年以上的使用结果表明,本项目资源再生型产品质量完全满足硅片切割加工的要求,服务硅片企业节支(增值)82641万元,对硅片生产企业提高质量、降低成本、提高经济效益产生了明显的作用。对太阳能光伏产业的资源利用、循环经济起到重要示范与推进作用。
找到78项技术成果数据。
找技术 >硅片清洗剂
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
技术投资分析:简介:随着信息时代的到来,作为其基础的硅片的生产、加工和使用得到迅猛的发展。因硅片的清洗要求非常严格,现多采用昂贵的进口清洗剂。SDC-30硅片清洗剂正是为有效替代进口而成功开发的一种硅片清洗剂。主要特点技术性能:1、生产工业简单,价格适中。2、清洗能力优良,高效和无毒,是完全可以替代国外同类进口产品的绿色环保型清洗剂。3、清洗液无需排放,只要不断添加新液即可。4、如在超声波清洗剂或流动的清洗液中进行清洗,效果更佳。泡沫性能 低泡硬水中稳定性 合格(JB4322-86)清洗能力 >95%PH值 1~2技术的应用领域前景分析:用途:广泛应用于电信、电子、机电等企业加工生产过程。效益分析:本项目市场广泛,效益十分可观。厂房条件建议:无备注:无
第三代太阳能级高效多晶硅锭、硅片研发与产业化
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
第三代太阳能级高效多晶硅锭、硅片产品是该公司完全自主研发的用于制造太阳能晶体硅电池片的主要基底材料。该项目通过创新的晶体生长机理以及与之匹配的热场设计和优化的铸锭工艺,使其具有晶粒尺寸均匀、晶体缺陷密度低等优势。在现有的多晶光伏电池技术下,其可以有效提高入射光吸收效率,降低体载流子和表面载流子的复合率,进而提升其光电转换效率。主要科技创新点:1.创新的热场设计;2.创新的晶体生长工艺;3.创新的装料方式;4.设计一种特殊的坩埚处理方法:与公司配套坩埚生产合作研发GCL新高效工艺高纯坩埚,有效解决多晶硅片边缘的黑边问题,大幅降低边缘黑边比例,使下游的组件可靠性大幅提高,提高电池转换效率。5.开发出一种全新的共掺杂技术。该创新彻底解决了多晶电池片的光衰问题,组件光衰平均低1%,为后续的PERC等高效工艺提供更宽广的空间。知识产权方面:第三代太阳能级高效多晶硅锭、硅片产品正是该公司的行业主打产品,为了更好保护自己并防止国内外生产竞争对手对该公司实施技术壁垒,在该项目实施和产业化期间:①发表SCI论文1篇或影响因子累计1.75;②申请并已授权专利12件,其中发明专利5件;③主持国家标准制订2项,参与国际标准制定1项。应用推广方面:与国内外各大硅片厂商对比,第三代太阳能级高效多晶产品的电池光电转换效率高于行业内普通多晶硅片电池效率0.2%以上。截止到2016年1月之前,该公司已实现了该硅片的规模化量产,并且该产品获得了客户的广泛认可,成为市场上最具有统治力的高效多晶硅片产品。经济效益方面:第三代高效多晶硅锭、硅片产品项目自2015年开始全面产业化生产,在企业的ERP系统单独命名,并单独核算,经财务系统查询和确认销售利润表计算得出,2015年新增销售额376404万元,新增利润68812万元;2016年新增销售额710368万元,新增利润99582万元;2017年新增销售额1011135万元,新增利润94973万元。并在2016年成功申报江苏省高新技术产品《太阳能级高效多晶硅锭三代》。社会效益:第三代太阳能级高效多晶产品作为公司主流产品,光电转化效率由早期的16.5%提升到平均19.1%以上。产能、良率、转化效率行业遥遥领先,受到下游客户的一致好评。且电池片效率分布更加集中,为客户提供更多的附加价值。该项目的研发和产业化加快了国家实现光伏发电平价上网进程,减少化石能源的使用所带来的污染,对于保护人类赖以生存的环境以及人类社会可持续性发展具有重要意义。
200微米硅片生产新工艺
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
一、科学技术领域 作为太阳能最主要的原料之一,200微米硅片主要用于制作太阳能电池极板。单晶硅片的品质直接决定着太阳能电池的质量。由于我国硅片行业起步较晚,技术落后,为了尽快缩短我国硅片制造水平与国外的差距,提高硅片的制造水平,降低硅片成本,研制开发太阳能电池用超薄硅片势在必行。 二、科技内容 1、减小切割钢线直径,在保证硅片质量前提,减少刀缝损耗。 2、减小导轮槽距,从而降低片厚,既能提高出片率又能提高太阳能电池的转换效率。 3、确定合理走线速度,减少钢线磨损,从而减少片头、片尾钢线线径差,以达到减小硅片厚度偏差的目的。 4、在硅棒进刀部位粘贴树脂条,减少硅片进刀薄厚,提高硅片质量。 5、提高砂浆品质,控制温湿度、设计合理的砂浆配比、砂浆黏度,同时研究切割进给速度、线速及砂浆流量等影响硅片质量的因素,控制表面线痕,提高硅片质量。三、性能指标 1、硅片厚度:200微米 2、硅片TV(片厚误差):TV±20微米 3、硅片TTV(总厚度误差):TTV<30微米 4、切片成品率:>95% 5、边长:125±0.5mm 6、对角线长度:150±0.5 mm 7、氧含量:≤0.85×1018atoms/cm^3 8、碳含量:≤3×1016atoms/cm^3 四、经济效益 新工艺使生产成本显著下降,原来每公斤硅棒切片58片,现在每公斤切片达到64片,公司每年切割硅棒近260吨,年可多切出硅片156万片,以56元/片计,新增销售收入8736万元,利税2400万元 五、行业作用及社会效益 本项目产品的研发成功可以填补国内空白,带动太阳能电池行业的快速发展及技术的提高,从而极大的缓解能源短缺、减少环境污染,提高我国太阳能行业技术水平和国际竞争力。项目的实施将加快东北地区产业调整的步伐,为振兴东北老工业基地做出贡献。同时将创造新的工作岗位,为下岗职工和待业人员提供就业机会,还可以培育区域经济增长点,促进辽西经济发展,实现经济效益和社会效益的双赢。
基于二氧化钒纳米线的纳米材料导热系数的测量系统
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及基于二氧化钒纳米线的纳米材料导热系数的测量系统。该系统包括二氧化钒纳米线悬臂梁、激光热源机构、光学显微镜机构和真空压力腔机构;激光热源机构和光学显微镜机构位于真空压力腔机构外部。真空压力腔体内一侧设有硅片基底,二氧化钒纳米线悬臂梁的一端连接着硅片基底,一端为悬壁端,二氧化钒纳米线悬臂梁与真空压力腔体顶部的玻璃窗口对应;光学显微镜机构位于玻璃窗口外部的上方;测量时,待测纳米线悬臂梁的一端连接着硅片基底,且位于二氧化钒纳米线悬臂梁的上方;待测纳米线悬臂梁的另一端为悬臂梁,连接着二氧化钒纳米线悬臂梁的悬臂端。本发明用于相关热物性测量,成本低,防止纳米线表面出现加速老化,提高了测量的准确度。
一种芯片式铷滤光泡
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:信息传输、软件和信息技术服务业
技术简介
项目简介: 一种芯片式铷滤光泡,涉及一种滤光装置,尤其是涉及一种主要适用于常规、微小型化与芯片式以及应用激光作为光源的各种铷原子钟的滤除特定谱线的芯片式铷滤光泡。提供一种不仅体积较小、功耗较低,而且可有效滤除不需要的谱线,减小所需要的谱线的衰减,获得较好滤光效果的芯片式铷滤光泡。设有一硅片,在硅片中央设有一个通孔,在通孔的一边上设有沟道,通孔经沟道与外部连通。在硅片两侧面分别设有玻璃片,硅片与两侧面的玻璃片键合成一块芯片,硅片中央的通孔与硅片两侧面的玻璃片构成的腔体内充入铷-85和惰性气体。
用于光电单片集成的硅基光电探测器及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:信息传输、软件和信息技术服务业
技术简介
项目简介: 用于光电单片集成的硅基光电探测器及其制备方法,涉及一种硅基光电单片集成电路。提供一种与商业的BCD标准工艺完全兼容的用于光电单片集成的硅基光电探测器及其制备方法。硅基光电探测器设有P型硅衬底、BN+、BP+、N-EPI外延层、N阱、P阱、P+、N+、Al层、场氧层、SiO2绝缘介质层和Si3N4表面钝化层,P型硅衬底、BN+、BP+、N-EPI外延层、N阱、P阱、P+、N+设于同一硅片上,场氧层是在硅片表面生成的氧化硅层,金属铝层沉积在硅片表面,按制备顺序从下至上共3层SiO2绝缘介质层通过沉积工艺附着在硅衬底上、Si3N4表面钝化层通过沉积工艺附着在SiO2绝缘介质层上。
多孔硅场发射发光二极管阵列及其制作技术
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及场发射显示技术领域,特别是一种多孔硅场发射发光二极管阵列及其制作技术。本发明的多孔硅场发射发光二极管阵列,包括阳极板、阴极板、荧光粉和多孔硅片,其中,阳极板由导电玻璃和引线一组成,阴极板由玻璃和引线二组成,多孔硅片由硅基底和多孔硅层组成。在阴极板的玻璃上设有m列银浆导电引线二,每列上固定n片多孔硅片;在阳极板的导电玻璃上把导电层腐蚀成n行引线一,荧光粉涂履在阳极板玻璃正面的引线一上,每行引线上涂履m块荧光粉浆料,每块荧光粉浆料的面积尺寸比阴极板上多孔硅片略大;多孔硅场发射发光二极管阵列的阴极板与阳极板之间的间隙通过隔离子和密封材料构成一真空度在1×10-5Pa以下的密封空腔。
多孔硅场发射发光二极管及其制作技术
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及场发射显示技术领域,特别是一种多孔硅场发射发光二极管及其制作技术。本发明的多孔硅场发射发光二极管,包括导电玻璃、荧光粉、多孔硅片,其中,多孔硅片为多孔硅场发射发光二极管的阴极,多孔硅片由硅基底和多孔硅层组成;多孔硅场发射发光二极管的阳极由荧光粉涂履在导电玻璃的导电层上而成;多孔硅场发射发光二极管的附有荧光粉的导电玻璃导电层与多孔硅片的多孔硅层之间的间隙,通过隔离子和密封材料构成一真空度在1×10-5Pa以下的密封空腔。本发明多孔硅场发射发光二极管的制作步骤:1.多孔硅片的制作;2.多孔硅场发射发光二极管的制作,其中:(1)制作阴极,(2)制作阳极,(3)制作隔离子,(4)真空封装。
一种超微锥电极阵列及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
一种超微锥电极阵列及其制备方法。首先对硅片进行干湿氧化形成SiO2膜,并采用正胶在上述SiO2膜光上刻出方形窗口;其次用TMAH溶液对上述SiO2膜方形窗口中裸露的硅片进行湿法刻蚀形成正四棱锥形凹坑,后去除残留的SiO2膜;然后在950℃条件下对硅片进行热氧化形成SiO2膜,随后在硅片上有正四棱锥形凹坑的一面用射频磁控溅射工艺溅射超微电极材料,并经光刻和刻蚀工艺形成超微电极位置和引线图形;再用气相沉积工艺在超微电极材料表面沉积Si3N4薄膜,并用光刻和刻蚀工艺在上述Si3N4薄膜上刻出窗口以便裸露出超微电极键合窗口;最后用TMAH从背面对硅片进行减薄刻蚀直到露出一定高度的SiO2凸台,再对该SiO2凸台进行刻蚀以便露出具有一定高宽比的超微电极,最终得到纳米尺度的超微锥电极阵列。
太阳能硅片切割加工副产物资源化回收与利用
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:电力、热力、燃气及水生产和供应业
技术简介
我国作为世界太阳能硅片生产基地,硅棒在切割加工为硅片的过程中,年产生大量的废砂浆,其主要成分为切割液(聚乙二醇、表面活性剂、添加剂等)、碳化硅及多晶硅微粉等;对其资源化利用与产业化开发,形成可循环使用的资源再生型产品,不仅节约了重要的石油和高能耗产品资源、避免对环境造成严重污染,也以降耗、增效为特色促进太阳能行业的发展。 本项目采用分离剂技术综、整体化分质技术,精密控制及按级分离技术、化学转化与调配技术,对废砂浆进行资源产品化开发,形成循环使用于太阳能硅片加工的再生型切削液、碳化硅系列产品、回收型晶硅与纯硅衍生产品;开发先进的工艺技术与流程、规模化工业装置、精确过程控制与产品质量控制技术、保证大型生产连续性、稳定性和可控性;工业装置规模达到10万吨/年,实现了切割液回收率≥96%,碳化硅回收率≥95%,总资源利用率≥86%,形成3个再生型切割液产品、5个再生型碳化硅微粉产品,3年累计实现销售收入60691万元、净利润10052万元、入库纳税6718万元。实现了可循环使用的资源再生型产品系列化、成果产业化。 项目已获发明专利2项(ZL200810020743.X、ZL200810020744.4)、实用新型专利3项(ZL201020168297.X、ZL201020168310.1、ZL201020168291.2),申请发明专利5项。通过2项科技成果鉴定:中轻联科鉴字[2010]第033号、教育部鉴字[教CW2009]第020号,鉴定结论均为国际先进。 本项目得到江苏省科技支撑计划(BE2008085)(已通过项目验收)、江苏省科技成果转化专项基金(项目编号BA2010111)的立项。 本成果转化产品已循环使用于海润光伏、昱辉阳光、江西赛维LDK、中国英利、晶澳、高佳、舒奇蒙等多家大型骨干硅片生产企业,3年以上的使用结果表明,本项目资源再生型产品质量完全满足硅片切割加工的要求,服务硅片企业节支(增值)82641万元,对硅片生产企业提高质量、降低成本、提高经济效益产生了明显的作用。对太阳能光伏产业的资源利用、循环经济起到重要示范与推进作用。
找到78项技术成果数据。
找技术 >硅片清洗剂
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
技术投资分析:简介:随着信息时代的到来,作为其基础的硅片的生产、加工和使用得到迅猛的发展。因硅片的清洗要求非常严格,现多采用昂贵的进口清洗剂。SDC-30硅片清洗剂正是为有效替代进口而成功开发的一种硅片清洗剂。主要特点技术性能:1、生产工业简单,价格适中。2、清洗能力优良,高效和无毒,是完全可以替代国外同类进口产品的绿色环保型清洗剂。3、清洗液无需排放,只要不断添加新液即可。4、如在超声波清洗剂或流动的清洗液中进行清洗,效果更佳。泡沫性能 低泡硬水中稳定性 合格(JB4322-86)清洗能力 >95%PH值 1~2技术的应用领域前景分析:用途:广泛应用于电信、电子、机电等企业加工生产过程。效益分析:本项目市场广泛,效益十分可观。厂房条件建议:无备注:无
第三代太阳能级高效多晶硅锭、硅片研发与产业化
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
第三代太阳能级高效多晶硅锭、硅片产品是该公司完全自主研发的用于制造太阳能晶体硅电池片的主要基底材料。该项目通过创新的晶体生长机理以及与之匹配的热场设计和优化的铸锭工艺,使其具有晶粒尺寸均匀、晶体缺陷密度低等优势。在现有的多晶光伏电池技术下,其可以有效提高入射光吸收效率,降低体载流子和表面载流子的复合率,进而提升其光电转换效率。主要科技创新点:1.创新的热场设计;2.创新的晶体生长工艺;3.创新的装料方式;4.设计一种特殊的坩埚处理方法:与公司配套坩埚生产合作研发GCL新高效工艺高纯坩埚,有效解决多晶硅片边缘的黑边问题,大幅降低边缘黑边比例,使下游的组件可靠性大幅提高,提高电池转换效率。5.开发出一种全新的共掺杂技术。该创新彻底解决了多晶电池片的光衰问题,组件光衰平均低1%,为后续的PERC等高效工艺提供更宽广的空间。知识产权方面:第三代太阳能级高效多晶硅锭、硅片产品正是该公司的行业主打产品,为了更好保护自己并防止国内外生产竞争对手对该公司实施技术壁垒,在该项目实施和产业化期间:①发表SCI论文1篇或影响因子累计1.75;②申请并已授权专利12件,其中发明专利5件;③主持国家标准制订2项,参与国际标准制定1项。应用推广方面:与国内外各大硅片厂商对比,第三代太阳能级高效多晶产品的电池光电转换效率高于行业内普通多晶硅片电池效率0.2%以上。截止到2016年1月之前,该公司已实现了该硅片的规模化量产,并且该产品获得了客户的广泛认可,成为市场上最具有统治力的高效多晶硅片产品。经济效益方面:第三代高效多晶硅锭、硅片产品项目自2015年开始全面产业化生产,在企业的ERP系统单独命名,并单独核算,经财务系统查询和确认销售利润表计算得出,2015年新增销售额376404万元,新增利润68812万元;2016年新增销售额710368万元,新增利润99582万元;2017年新增销售额1011135万元,新增利润94973万元。并在2016年成功申报江苏省高新技术产品《太阳能级高效多晶硅锭三代》。社会效益:第三代太阳能级高效多晶产品作为公司主流产品,光电转化效率由早期的16.5%提升到平均19.1%以上。产能、良率、转化效率行业遥遥领先,受到下游客户的一致好评。且电池片效率分布更加集中,为客户提供更多的附加价值。该项目的研发和产业化加快了国家实现光伏发电平价上网进程,减少化石能源的使用所带来的污染,对于保护人类赖以生存的环境以及人类社会可持续性发展具有重要意义。
200微米硅片生产新工艺
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
一、科学技术领域 作为太阳能最主要的原料之一,200微米硅片主要用于制作太阳能电池极板。单晶硅片的品质直接决定着太阳能电池的质量。由于我国硅片行业起步较晚,技术落后,为了尽快缩短我国硅片制造水平与国外的差距,提高硅片的制造水平,降低硅片成本,研制开发太阳能电池用超薄硅片势在必行。 二、科技内容 1、减小切割钢线直径,在保证硅片质量前提,减少刀缝损耗。 2、减小导轮槽距,从而降低片厚,既能提高出片率又能提高太阳能电池的转换效率。 3、确定合理走线速度,减少钢线磨损,从而减少片头、片尾钢线线径差,以达到减小硅片厚度偏差的目的。 4、在硅棒进刀部位粘贴树脂条,减少硅片进刀薄厚,提高硅片质量。 5、提高砂浆品质,控制温湿度、设计合理的砂浆配比、砂浆黏度,同时研究切割进给速度、线速及砂浆流量等影响硅片质量的因素,控制表面线痕,提高硅片质量。三、性能指标 1、硅片厚度:200微米 2、硅片TV(片厚误差):TV±20微米 3、硅片TTV(总厚度误差):TTV<30微米 4、切片成品率:>95% 5、边长:125±0.5mm 6、对角线长度:150±0.5 mm 7、氧含量:≤0.85×1018atoms/cm^3 8、碳含量:≤3×1016atoms/cm^3 四、经济效益 新工艺使生产成本显著下降,原来每公斤硅棒切片58片,现在每公斤切片达到64片,公司每年切割硅棒近260吨,年可多切出硅片156万片,以56元/片计,新增销售收入8736万元,利税2400万元 五、行业作用及社会效益 本项目产品的研发成功可以填补国内空白,带动太阳能电池行业的快速发展及技术的提高,从而极大的缓解能源短缺、减少环境污染,提高我国太阳能行业技术水平和国际竞争力。项目的实施将加快东北地区产业调整的步伐,为振兴东北老工业基地做出贡献。同时将创造新的工作岗位,为下岗职工和待业人员提供就业机会,还可以培育区域经济增长点,促进辽西经济发展,实现经济效益和社会效益的双赢。
基于二氧化钒纳米线的纳米材料导热系数的测量系统
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及基于二氧化钒纳米线的纳米材料导热系数的测量系统。该系统包括二氧化钒纳米线悬臂梁、激光热源机构、光学显微镜机构和真空压力腔机构;激光热源机构和光学显微镜机构位于真空压力腔机构外部。真空压力腔体内一侧设有硅片基底,二氧化钒纳米线悬臂梁的一端连接着硅片基底,一端为悬壁端,二氧化钒纳米线悬臂梁与真空压力腔体顶部的玻璃窗口对应;光学显微镜机构位于玻璃窗口外部的上方;测量时,待测纳米线悬臂梁的一端连接着硅片基底,且位于二氧化钒纳米线悬臂梁的上方;待测纳米线悬臂梁的另一端为悬臂梁,连接着二氧化钒纳米线悬臂梁的悬臂端。本发明用于相关热物性测量,成本低,防止纳米线表面出现加速老化,提高了测量的准确度。
一种芯片式铷滤光泡
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:信息传输、软件和信息技术服务业
技术简介
项目简介: 一种芯片式铷滤光泡,涉及一种滤光装置,尤其是涉及一种主要适用于常规、微小型化与芯片式以及应用激光作为光源的各种铷原子钟的滤除特定谱线的芯片式铷滤光泡。提供一种不仅体积较小、功耗较低,而且可有效滤除不需要的谱线,减小所需要的谱线的衰减,获得较好滤光效果的芯片式铷滤光泡。设有一硅片,在硅片中央设有一个通孔,在通孔的一边上设有沟道,通孔经沟道与外部连通。在硅片两侧面分别设有玻璃片,硅片与两侧面的玻璃片键合成一块芯片,硅片中央的通孔与硅片两侧面的玻璃片构成的腔体内充入铷-85和惰性气体。
用于光电单片集成的硅基光电探测器及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:信息传输、软件和信息技术服务业
技术简介
项目简介: 用于光电单片集成的硅基光电探测器及其制备方法,涉及一种硅基光电单片集成电路。提供一种与商业的BCD标准工艺完全兼容的用于光电单片集成的硅基光电探测器及其制备方法。硅基光电探测器设有P型硅衬底、BN+、BP+、N-EPI外延层、N阱、P阱、P+、N+、Al层、场氧层、SiO2绝缘介质层和Si3N4表面钝化层,P型硅衬底、BN+、BP+、N-EPI外延层、N阱、P阱、P+、N+设于同一硅片上,场氧层是在硅片表面生成的氧化硅层,金属铝层沉积在硅片表面,按制备顺序从下至上共3层SiO2绝缘介质层通过沉积工艺附着在硅衬底上、Si3N4表面钝化层通过沉积工艺附着在SiO2绝缘介质层上。
多孔硅场发射发光二极管阵列及其制作技术
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及场发射显示技术领域,特别是一种多孔硅场发射发光二极管阵列及其制作技术。本发明的多孔硅场发射发光二极管阵列,包括阳极板、阴极板、荧光粉和多孔硅片,其中,阳极板由导电玻璃和引线一组成,阴极板由玻璃和引线二组成,多孔硅片由硅基底和多孔硅层组成。在阴极板的玻璃上设有m列银浆导电引线二,每列上固定n片多孔硅片;在阳极板的导电玻璃上把导电层腐蚀成n行引线一,荧光粉涂履在阳极板玻璃正面的引线一上,每行引线上涂履m块荧光粉浆料,每块荧光粉浆料的面积尺寸比阴极板上多孔硅片略大;多孔硅场发射发光二极管阵列的阴极板与阳极板之间的间隙通过隔离子和密封材料构成一真空度在1×10-5Pa以下的密封空腔。
多孔硅场发射发光二极管及其制作技术
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及场发射显示技术领域,特别是一种多孔硅场发射发光二极管及其制作技术。本发明的多孔硅场发射发光二极管,包括导电玻璃、荧光粉、多孔硅片,其中,多孔硅片为多孔硅场发射发光二极管的阴极,多孔硅片由硅基底和多孔硅层组成;多孔硅场发射发光二极管的阳极由荧光粉涂履在导电玻璃的导电层上而成;多孔硅场发射发光二极管的附有荧光粉的导电玻璃导电层与多孔硅片的多孔硅层之间的间隙,通过隔离子和密封材料构成一真空度在1×10-5Pa以下的密封空腔。本发明多孔硅场发射发光二极管的制作步骤:1.多孔硅片的制作;2.多孔硅场发射发光二极管的制作,其中:(1)制作阴极,(2)制作阳极,(3)制作隔离子,(4)真空封装。
一种超微锥电极阵列及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
一种超微锥电极阵列及其制备方法。首先对硅片进行干湿氧化形成SiO2膜,并采用正胶在上述SiO2膜光上刻出方形窗口;其次用TMAH溶液对上述SiO2膜方形窗口中裸露的硅片进行湿法刻蚀形成正四棱锥形凹坑,后去除残留的SiO2膜;然后在950℃条件下对硅片进行热氧化形成SiO2膜,随后在硅片上有正四棱锥形凹坑的一面用射频磁控溅射工艺溅射超微电极材料,并经光刻和刻蚀工艺形成超微电极位置和引线图形;再用气相沉积工艺在超微电极材料表面沉积Si3N4薄膜,并用光刻和刻蚀工艺在上述Si3N4薄膜上刻出窗口以便裸露出超微电极键合窗口;最后用TMAH从背面对硅片进行减薄刻蚀直到露出一定高度的SiO2凸台,再对该SiO2凸台进行刻蚀以便露出具有一定高宽比的超微电极,最终得到纳米尺度的超微锥电极阵列。
太阳能硅片切割加工副产物资源化回收与利用
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:电力、热力、燃气及水生产和供应业
技术简介
我国作为世界太阳能硅片生产基地,硅棒在切割加工为硅片的过程中,年产生大量的废砂浆,其主要成分为切割液(聚乙二醇、表面活性剂、添加剂等)、碳化硅及多晶硅微粉等;对其资源化利用与产业化开发,形成可循环使用的资源再生型产品,不仅节约了重要的石油和高能耗产品资源、避免对环境造成严重污染,也以降耗、增效为特色促进太阳能行业的发展。 本项目采用分离剂技术综、整体化分质技术,精密控制及按级分离技术、化学转化与调配技术,对废砂浆进行资源产品化开发,形成循环使用于太阳能硅片加工的再生型切削液、碳化硅系列产品、回收型晶硅与纯硅衍生产品;开发先进的工艺技术与流程、规模化工业装置、精确过程控制与产品质量控制技术、保证大型生产连续性、稳定性和可控性;工业装置规模达到10万吨/年,实现了切割液回收率≥96%,碳化硅回收率≥95%,总资源利用率≥86%,形成3个再生型切割液产品、5个再生型碳化硅微粉产品,3年累计实现销售收入60691万元、净利润10052万元、入库纳税6718万元。实现了可循环使用的资源再生型产品系列化、成果产业化。 项目已获发明专利2项(ZL200810020743.X、ZL200810020744.4)、实用新型专利3项(ZL201020168297.X、ZL201020168310.1、ZL201020168291.2),申请发明专利5项。通过2项科技成果鉴定:中轻联科鉴字[2010]第033号、教育部鉴字[教CW2009]第020号,鉴定结论均为国际先进。 本项目得到江苏省科技支撑计划(BE2008085)(已通过项目验收)、江苏省科技成果转化专项基金(项目编号BA2010111)的立项。 本成果转化产品已循环使用于海润光伏、昱辉阳光、江西赛维LDK、中国英利、晶澳、高佳、舒奇蒙等多家大型骨干硅片生产企业,3年以上的使用结果表明,本项目资源再生型产品质量完全满足硅片切割加工的要求,服务硅片企业节支(增值)82641万元,对硅片生产企业提高质量、降低成本、提高经济效益产生了明显的作用。对太阳能光伏产业的资源利用、循环经济起到重要示范与推进作用。
找到78项技术成果数据。
找技术 >硅片清洗剂
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
技术投资分析:简介:随着信息时代的到来,作为其基础的硅片的生产、加工和使用得到迅猛的发展。因硅片的清洗要求非常严格,现多采用昂贵的进口清洗剂。SDC-30硅片清洗剂正是为有效替代进口而成功开发的一种硅片清洗剂。主要特点技术性能:1、生产工业简单,价格适中。2、清洗能力优良,高效和无毒,是完全可以替代国外同类进口产品的绿色环保型清洗剂。3、清洗液无需排放,只要不断添加新液即可。4、如在超声波清洗剂或流动的清洗液中进行清洗,效果更佳。泡沫性能 低泡硬水中稳定性 合格(JB4322-86)清洗能力 >95%PH值 1~2技术的应用领域前景分析:用途:广泛应用于电信、电子、机电等企业加工生产过程。效益分析:本项目市场广泛,效益十分可观。厂房条件建议:无备注:无
第三代太阳能级高效多晶硅锭、硅片研发与产业化
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
第三代太阳能级高效多晶硅锭、硅片产品是该公司完全自主研发的用于制造太阳能晶体硅电池片的主要基底材料。该项目通过创新的晶体生长机理以及与之匹配的热场设计和优化的铸锭工艺,使其具有晶粒尺寸均匀、晶体缺陷密度低等优势。在现有的多晶光伏电池技术下,其可以有效提高入射光吸收效率,降低体载流子和表面载流子的复合率,进而提升其光电转换效率。主要科技创新点:1.创新的热场设计;2.创新的晶体生长工艺;3.创新的装料方式;4.设计一种特殊的坩埚处理方法:与公司配套坩埚生产合作研发GCL新高效工艺高纯坩埚,有效解决多晶硅片边缘的黑边问题,大幅降低边缘黑边比例,使下游的组件可靠性大幅提高,提高电池转换效率。5.开发出一种全新的共掺杂技术。该创新彻底解决了多晶电池片的光衰问题,组件光衰平均低1%,为后续的PERC等高效工艺提供更宽广的空间。知识产权方面:第三代太阳能级高效多晶硅锭、硅片产品正是该公司的行业主打产品,为了更好保护自己并防止国内外生产竞争对手对该公司实施技术壁垒,在该项目实施和产业化期间:①发表SCI论文1篇或影响因子累计1.75;②申请并已授权专利12件,其中发明专利5件;③主持国家标准制订2项,参与国际标准制定1项。应用推广方面:与国内外各大硅片厂商对比,第三代太阳能级高效多晶产品的电池光电转换效率高于行业内普通多晶硅片电池效率0.2%以上。截止到2016年1月之前,该公司已实现了该硅片的规模化量产,并且该产品获得了客户的广泛认可,成为市场上最具有统治力的高效多晶硅片产品。经济效益方面:第三代高效多晶硅锭、硅片产品项目自2015年开始全面产业化生产,在企业的ERP系统单独命名,并单独核算,经财务系统查询和确认销售利润表计算得出,2015年新增销售额376404万元,新增利润68812万元;2016年新增销售额710368万元,新增利润99582万元;2017年新增销售额1011135万元,新增利润94973万元。并在2016年成功申报江苏省高新技术产品《太阳能级高效多晶硅锭三代》。社会效益:第三代太阳能级高效多晶产品作为公司主流产品,光电转化效率由早期的16.5%提升到平均19.1%以上。产能、良率、转化效率行业遥遥领先,受到下游客户的一致好评。且电池片效率分布更加集中,为客户提供更多的附加价值。该项目的研发和产业化加快了国家实现光伏发电平价上网进程,减少化石能源的使用所带来的污染,对于保护人类赖以生存的环境以及人类社会可持续性发展具有重要意义。
200微米硅片生产新工艺
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
一、科学技术领域 作为太阳能最主要的原料之一,200微米硅片主要用于制作太阳能电池极板。单晶硅片的品质直接决定着太阳能电池的质量。由于我国硅片行业起步较晚,技术落后,为了尽快缩短我国硅片制造水平与国外的差距,提高硅片的制造水平,降低硅片成本,研制开发太阳能电池用超薄硅片势在必行。 二、科技内容 1、减小切割钢线直径,在保证硅片质量前提,减少刀缝损耗。 2、减小导轮槽距,从而降低片厚,既能提高出片率又能提高太阳能电池的转换效率。 3、确定合理走线速度,减少钢线磨损,从而减少片头、片尾钢线线径差,以达到减小硅片厚度偏差的目的。 4、在硅棒进刀部位粘贴树脂条,减少硅片进刀薄厚,提高硅片质量。 5、提高砂浆品质,控制温湿度、设计合理的砂浆配比、砂浆黏度,同时研究切割进给速度、线速及砂浆流量等影响硅片质量的因素,控制表面线痕,提高硅片质量。三、性能指标 1、硅片厚度:200微米 2、硅片TV(片厚误差):TV±20微米 3、硅片TTV(总厚度误差):TTV<30微米 4、切片成品率:>95% 5、边长:125±0.5mm 6、对角线长度:150±0.5 mm 7、氧含量:≤0.85×1018atoms/cm^3 8、碳含量:≤3×1016atoms/cm^3 四、经济效益 新工艺使生产成本显著下降,原来每公斤硅棒切片58片,现在每公斤切片达到64片,公司每年切割硅棒近260吨,年可多切出硅片156万片,以56元/片计,新增销售收入8736万元,利税2400万元 五、行业作用及社会效益 本项目产品的研发成功可以填补国内空白,带动太阳能电池行业的快速发展及技术的提高,从而极大的缓解能源短缺、减少环境污染,提高我国太阳能行业技术水平和国际竞争力。项目的实施将加快东北地区产业调整的步伐,为振兴东北老工业基地做出贡献。同时将创造新的工作岗位,为下岗职工和待业人员提供就业机会,还可以培育区域经济增长点,促进辽西经济发展,实现经济效益和社会效益的双赢。
基于二氧化钒纳米线的纳米材料导热系数的测量系统
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及基于二氧化钒纳米线的纳米材料导热系数的测量系统。该系统包括二氧化钒纳米线悬臂梁、激光热源机构、光学显微镜机构和真空压力腔机构;激光热源机构和光学显微镜机构位于真空压力腔机构外部。真空压力腔体内一侧设有硅片基底,二氧化钒纳米线悬臂梁的一端连接着硅片基底,一端为悬壁端,二氧化钒纳米线悬臂梁与真空压力腔体顶部的玻璃窗口对应;光学显微镜机构位于玻璃窗口外部的上方;测量时,待测纳米线悬臂梁的一端连接着硅片基底,且位于二氧化钒纳米线悬臂梁的上方;待测纳米线悬臂梁的另一端为悬臂梁,连接着二氧化钒纳米线悬臂梁的悬臂端。本发明用于相关热物性测量,成本低,防止纳米线表面出现加速老化,提高了测量的准确度。
一种芯片式铷滤光泡
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:信息传输、软件和信息技术服务业
技术简介
项目简介: 一种芯片式铷滤光泡,涉及一种滤光装置,尤其是涉及一种主要适用于常规、微小型化与芯片式以及应用激光作为光源的各种铷原子钟的滤除特定谱线的芯片式铷滤光泡。提供一种不仅体积较小、功耗较低,而且可有效滤除不需要的谱线,减小所需要的谱线的衰减,获得较好滤光效果的芯片式铷滤光泡。设有一硅片,在硅片中央设有一个通孔,在通孔的一边上设有沟道,通孔经沟道与外部连通。在硅片两侧面分别设有玻璃片,硅片与两侧面的玻璃片键合成一块芯片,硅片中央的通孔与硅片两侧面的玻璃片构成的腔体内充入铷-85和惰性气体。
用于光电单片集成的硅基光电探测器及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:信息传输、软件和信息技术服务业
技术简介
项目简介: 用于光电单片集成的硅基光电探测器及其制备方法,涉及一种硅基光电单片集成电路。提供一种与商业的BCD标准工艺完全兼容的用于光电单片集成的硅基光电探测器及其制备方法。硅基光电探测器设有P型硅衬底、BN+、BP+、N-EPI外延层、N阱、P阱、P+、N+、Al层、场氧层、SiO2绝缘介质层和Si3N4表面钝化层,P型硅衬底、BN+、BP+、N-EPI外延层、N阱、P阱、P+、N+设于同一硅片上,场氧层是在硅片表面生成的氧化硅层,金属铝层沉积在硅片表面,按制备顺序从下至上共3层SiO2绝缘介质层通过沉积工艺附着在硅衬底上、Si3N4表面钝化层通过沉积工艺附着在SiO2绝缘介质层上。
多孔硅场发射发光二极管阵列及其制作技术
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及场发射显示技术领域,特别是一种多孔硅场发射发光二极管阵列及其制作技术。本发明的多孔硅场发射发光二极管阵列,包括阳极板、阴极板、荧光粉和多孔硅片,其中,阳极板由导电玻璃和引线一组成,阴极板由玻璃和引线二组成,多孔硅片由硅基底和多孔硅层组成。在阴极板的玻璃上设有m列银浆导电引线二,每列上固定n片多孔硅片;在阳极板的导电玻璃上把导电层腐蚀成n行引线一,荧光粉涂履在阳极板玻璃正面的引线一上,每行引线上涂履m块荧光粉浆料,每块荧光粉浆料的面积尺寸比阴极板上多孔硅片略大;多孔硅场发射发光二极管阵列的阴极板与阳极板之间的间隙通过隔离子和密封材料构成一真空度在1×10-5Pa以下的密封空腔。
多孔硅场发射发光二极管及其制作技术
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及场发射显示技术领域,特别是一种多孔硅场发射发光二极管及其制作技术。本发明的多孔硅场发射发光二极管,包括导电玻璃、荧光粉、多孔硅片,其中,多孔硅片为多孔硅场发射发光二极管的阴极,多孔硅片由硅基底和多孔硅层组成;多孔硅场发射发光二极管的阳极由荧光粉涂履在导电玻璃的导电层上而成;多孔硅场发射发光二极管的附有荧光粉的导电玻璃导电层与多孔硅片的多孔硅层之间的间隙,通过隔离子和密封材料构成一真空度在1×10-5Pa以下的密封空腔。本发明多孔硅场发射发光二极管的制作步骤:1.多孔硅片的制作;2.多孔硅场发射发光二极管的制作,其中:(1)制作阴极,(2)制作阳极,(3)制作隔离子,(4)真空封装。
一种超微锥电极阵列及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
一种超微锥电极阵列及其制备方法。首先对硅片进行干湿氧化形成SiO2膜,并采用正胶在上述SiO2膜光上刻出方形窗口;其次用TMAH溶液对上述SiO2膜方形窗口中裸露的硅片进行湿法刻蚀形成正四棱锥形凹坑,后去除残留的SiO2膜;然后在950℃条件下对硅片进行热氧化形成SiO2膜,随后在硅片上有正四棱锥形凹坑的一面用射频磁控溅射工艺溅射超微电极材料,并经光刻和刻蚀工艺形成超微电极位置和引线图形;再用气相沉积工艺在超微电极材料表面沉积Si3N4薄膜,并用光刻和刻蚀工艺在上述Si3N4薄膜上刻出窗口以便裸露出超微电极键合窗口;最后用TMAH从背面对硅片进行减薄刻蚀直到露出一定高度的SiO2凸台,再对该SiO2凸台进行刻蚀以便露出具有一定高宽比的超微电极,最终得到纳米尺度的超微锥电极阵列。
太阳能硅片切割加工副产物资源化回收与利用
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:电力、热力、燃气及水生产和供应业
技术简介
我国作为世界太阳能硅片生产基地,硅棒在切割加工为硅片的过程中,年产生大量的废砂浆,其主要成分为切割液(聚乙二醇、表面活性剂、添加剂等)、碳化硅及多晶硅微粉等;对其资源化利用与产业化开发,形成可循环使用的资源再生型产品,不仅节约了重要的石油和高能耗产品资源、避免对环境造成严重污染,也以降耗、增效为特色促进太阳能行业的发展。 本项目采用分离剂技术综、整体化分质技术,精密控制及按级分离技术、化学转化与调配技术,对废砂浆进行资源产品化开发,形成循环使用于太阳能硅片加工的再生型切削液、碳化硅系列产品、回收型晶硅与纯硅衍生产品;开发先进的工艺技术与流程、规模化工业装置、精确过程控制与产品质量控制技术、保证大型生产连续性、稳定性和可控性;工业装置规模达到10万吨/年,实现了切割液回收率≥96%,碳化硅回收率≥95%,总资源利用率≥86%,形成3个再生型切割液产品、5个再生型碳化硅微粉产品,3年累计实现销售收入60691万元、净利润10052万元、入库纳税6718万元。实现了可循环使用的资源再生型产品系列化、成果产业化。 项目已获发明专利2项(ZL200810020743.X、ZL200810020744.4)、实用新型专利3项(ZL201020168297.X、ZL201020168310.1、ZL201020168291.2),申请发明专利5项。通过2项科技成果鉴定:中轻联科鉴字[2010]第033号、教育部鉴字[教CW2009]第020号,鉴定结论均为国际先进。 本项目得到江苏省科技支撑计划(BE2008085)(已通过项目验收)、江苏省科技成果转化专项基金(项目编号BA2010111)的立项。 本成果转化产品已循环使用于海润光伏、昱辉阳光、江西赛维LDK、中国英利、晶澳、高佳、舒奇蒙等多家大型骨干硅片生产企业,3年以上的使用结果表明,本项目资源再生型产品质量完全满足硅片切割加工的要求,服务硅片企业节支(增值)82641万元,对硅片生产企业提高质量、降低成本、提高经济效益产生了明显的作用。对太阳能光伏产业的资源利用、循环经济起到重要示范与推进作用。
找到78项技术成果数据。
找技术 >硅片清洗剂
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
技术投资分析:简介:随着信息时代的到来,作为其基础的硅片的生产、加工和使用得到迅猛的发展。因硅片的清洗要求非常严格,现多采用昂贵的进口清洗剂。SDC-30硅片清洗剂正是为有效替代进口而成功开发的一种硅片清洗剂。主要特点技术性能:1、生产工业简单,价格适中。2、清洗能力优良,高效和无毒,是完全可以替代国外同类进口产品的绿色环保型清洗剂。3、清洗液无需排放,只要不断添加新液即可。4、如在超声波清洗剂或流动的清洗液中进行清洗,效果更佳。泡沫性能 低泡硬水中稳定性 合格(JB4322-86)清洗能力 >95%PH值 1~2技术的应用领域前景分析:用途:广泛应用于电信、电子、机电等企业加工生产过程。效益分析:本项目市场广泛,效益十分可观。厂房条件建议:无备注:无
第三代太阳能级高效多晶硅锭、硅片研发与产业化
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
第三代太阳能级高效多晶硅锭、硅片产品是该公司完全自主研发的用于制造太阳能晶体硅电池片的主要基底材料。该项目通过创新的晶体生长机理以及与之匹配的热场设计和优化的铸锭工艺,使其具有晶粒尺寸均匀、晶体缺陷密度低等优势。在现有的多晶光伏电池技术下,其可以有效提高入射光吸收效率,降低体载流子和表面载流子的复合率,进而提升其光电转换效率。主要科技创新点:1.创新的热场设计;2.创新的晶体生长工艺;3.创新的装料方式;4.设计一种特殊的坩埚处理方法:与公司配套坩埚生产合作研发GCL新高效工艺高纯坩埚,有效解决多晶硅片边缘的黑边问题,大幅降低边缘黑边比例,使下游的组件可靠性大幅提高,提高电池转换效率。5.开发出一种全新的共掺杂技术。该创新彻底解决了多晶电池片的光衰问题,组件光衰平均低1%,为后续的PERC等高效工艺提供更宽广的空间。知识产权方面:第三代太阳能级高效多晶硅锭、硅片产品正是该公司的行业主打产品,为了更好保护自己并防止国内外生产竞争对手对该公司实施技术壁垒,在该项目实施和产业化期间:①发表SCI论文1篇或影响因子累计1.75;②申请并已授权专利12件,其中发明专利5件;③主持国家标准制订2项,参与国际标准制定1项。应用推广方面:与国内外各大硅片厂商对比,第三代太阳能级高效多晶产品的电池光电转换效率高于行业内普通多晶硅片电池效率0.2%以上。截止到2016年1月之前,该公司已实现了该硅片的规模化量产,并且该产品获得了客户的广泛认可,成为市场上最具有统治力的高效多晶硅片产品。经济效益方面:第三代高效多晶硅锭、硅片产品项目自2015年开始全面产业化生产,在企业的ERP系统单独命名,并单独核算,经财务系统查询和确认销售利润表计算得出,2015年新增销售额376404万元,新增利润68812万元;2016年新增销售额710368万元,新增利润99582万元;2017年新增销售额1011135万元,新增利润94973万元。并在2016年成功申报江苏省高新技术产品《太阳能级高效多晶硅锭三代》。社会效益:第三代太阳能级高效多晶产品作为公司主流产品,光电转化效率由早期的16.5%提升到平均19.1%以上。产能、良率、转化效率行业遥遥领先,受到下游客户的一致好评。且电池片效率分布更加集中,为客户提供更多的附加价值。该项目的研发和产业化加快了国家实现光伏发电平价上网进程,减少化石能源的使用所带来的污染,对于保护人类赖以生存的环境以及人类社会可持续性发展具有重要意义。
200微米硅片生产新工艺
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
一、科学技术领域 作为太阳能最主要的原料之一,200微米硅片主要用于制作太阳能电池极板。单晶硅片的品质直接决定着太阳能电池的质量。由于我国硅片行业起步较晚,技术落后,为了尽快缩短我国硅片制造水平与国外的差距,提高硅片的制造水平,降低硅片成本,研制开发太阳能电池用超薄硅片势在必行。 二、科技内容 1、减小切割钢线直径,在保证硅片质量前提,减少刀缝损耗。 2、减小导轮槽距,从而降低片厚,既能提高出片率又能提高太阳能电池的转换效率。 3、确定合理走线速度,减少钢线磨损,从而减少片头、片尾钢线线径差,以达到减小硅片厚度偏差的目的。 4、在硅棒进刀部位粘贴树脂条,减少硅片进刀薄厚,提高硅片质量。 5、提高砂浆品质,控制温湿度、设计合理的砂浆配比、砂浆黏度,同时研究切割进给速度、线速及砂浆流量等影响硅片质量的因素,控制表面线痕,提高硅片质量。三、性能指标 1、硅片厚度:200微米 2、硅片TV(片厚误差):TV±20微米 3、硅片TTV(总厚度误差):TTV<30微米 4、切片成品率:>95% 5、边长:125±0.5mm 6、对角线长度:150±0.5 mm 7、氧含量:≤0.85×1018atoms/cm^3 8、碳含量:≤3×1016atoms/cm^3 四、经济效益 新工艺使生产成本显著下降,原来每公斤硅棒切片58片,现在每公斤切片达到64片,公司每年切割硅棒近260吨,年可多切出硅片156万片,以56元/片计,新增销售收入8736万元,利税2400万元 五、行业作用及社会效益 本项目产品的研发成功可以填补国内空白,带动太阳能电池行业的快速发展及技术的提高,从而极大的缓解能源短缺、减少环境污染,提高我国太阳能行业技术水平和国际竞争力。项目的实施将加快东北地区产业调整的步伐,为振兴东北老工业基地做出贡献。同时将创造新的工作岗位,为下岗职工和待业人员提供就业机会,还可以培育区域经济增长点,促进辽西经济发展,实现经济效益和社会效益的双赢。
基于二氧化钒纳米线的纳米材料导热系数的测量系统
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及基于二氧化钒纳米线的纳米材料导热系数的测量系统。该系统包括二氧化钒纳米线悬臂梁、激光热源机构、光学显微镜机构和真空压力腔机构;激光热源机构和光学显微镜机构位于真空压力腔机构外部。真空压力腔体内一侧设有硅片基底,二氧化钒纳米线悬臂梁的一端连接着硅片基底,一端为悬壁端,二氧化钒纳米线悬臂梁与真空压力腔体顶部的玻璃窗口对应;光学显微镜机构位于玻璃窗口外部的上方;测量时,待测纳米线悬臂梁的一端连接着硅片基底,且位于二氧化钒纳米线悬臂梁的上方;待测纳米线悬臂梁的另一端为悬臂梁,连接着二氧化钒纳米线悬臂梁的悬臂端。本发明用于相关热物性测量,成本低,防止纳米线表面出现加速老化,提高了测量的准确度。
一种芯片式铷滤光泡
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:信息传输、软件和信息技术服务业
技术简介
项目简介: 一种芯片式铷滤光泡,涉及一种滤光装置,尤其是涉及一种主要适用于常规、微小型化与芯片式以及应用激光作为光源的各种铷原子钟的滤除特定谱线的芯片式铷滤光泡。提供一种不仅体积较小、功耗较低,而且可有效滤除不需要的谱线,减小所需要的谱线的衰减,获得较好滤光效果的芯片式铷滤光泡。设有一硅片,在硅片中央设有一个通孔,在通孔的一边上设有沟道,通孔经沟道与外部连通。在硅片两侧面分别设有玻璃片,硅片与两侧面的玻璃片键合成一块芯片,硅片中央的通孔与硅片两侧面的玻璃片构成的腔体内充入铷-85和惰性气体。
用于光电单片集成的硅基光电探测器及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:信息传输、软件和信息技术服务业
技术简介
项目简介: 用于光电单片集成的硅基光电探测器及其制备方法,涉及一种硅基光电单片集成电路。提供一种与商业的BCD标准工艺完全兼容的用于光电单片集成的硅基光电探测器及其制备方法。硅基光电探测器设有P型硅衬底、BN+、BP+、N-EPI外延层、N阱、P阱、P+、N+、Al层、场氧层、SiO2绝缘介质层和Si3N4表面钝化层,P型硅衬底、BN+、BP+、N-EPI外延层、N阱、P阱、P+、N+设于同一硅片上,场氧层是在硅片表面生成的氧化硅层,金属铝层沉积在硅片表面,按制备顺序从下至上共3层SiO2绝缘介质层通过沉积工艺附着在硅衬底上、Si3N4表面钝化层通过沉积工艺附着在SiO2绝缘介质层上。
多孔硅场发射发光二极管阵列及其制作技术
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及场发射显示技术领域,特别是一种多孔硅场发射发光二极管阵列及其制作技术。本发明的多孔硅场发射发光二极管阵列,包括阳极板、阴极板、荧光粉和多孔硅片,其中,阳极板由导电玻璃和引线一组成,阴极板由玻璃和引线二组成,多孔硅片由硅基底和多孔硅层组成。在阴极板的玻璃上设有m列银浆导电引线二,每列上固定n片多孔硅片;在阳极板的导电玻璃上把导电层腐蚀成n行引线一,荧光粉涂履在阳极板玻璃正面的引线一上,每行引线上涂履m块荧光粉浆料,每块荧光粉浆料的面积尺寸比阴极板上多孔硅片略大;多孔硅场发射发光二极管阵列的阴极板与阳极板之间的间隙通过隔离子和密封材料构成一真空度在1×10-5Pa以下的密封空腔。
多孔硅场发射发光二极管及其制作技术
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及场发射显示技术领域,特别是一种多孔硅场发射发光二极管及其制作技术。本发明的多孔硅场发射发光二极管,包括导电玻璃、荧光粉、多孔硅片,其中,多孔硅片为多孔硅场发射发光二极管的阴极,多孔硅片由硅基底和多孔硅层组成;多孔硅场发射发光二极管的阳极由荧光粉涂履在导电玻璃的导电层上而成;多孔硅场发射发光二极管的附有荧光粉的导电玻璃导电层与多孔硅片的多孔硅层之间的间隙,通过隔离子和密封材料构成一真空度在1×10-5Pa以下的密封空腔。本发明多孔硅场发射发光二极管的制作步骤:1.多孔硅片的制作;2.多孔硅场发射发光二极管的制作,其中:(1)制作阴极,(2)制作阳极,(3)制作隔离子,(4)真空封装。
一种超微锥电极阵列及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
一种超微锥电极阵列及其制备方法。首先对硅片进行干湿氧化形成SiO2膜,并采用正胶在上述SiO2膜光上刻出方形窗口;其次用TMAH溶液对上述SiO2膜方形窗口中裸露的硅片进行湿法刻蚀形成正四棱锥形凹坑,后去除残留的SiO2膜;然后在950℃条件下对硅片进行热氧化形成SiO2膜,随后在硅片上有正四棱锥形凹坑的一面用射频磁控溅射工艺溅射超微电极材料,并经光刻和刻蚀工艺形成超微电极位置和引线图形;再用气相沉积工艺在超微电极材料表面沉积Si3N4薄膜,并用光刻和刻蚀工艺在上述Si3N4薄膜上刻出窗口以便裸露出超微电极键合窗口;最后用TMAH从背面对硅片进行减薄刻蚀直到露出一定高度的SiO2凸台,再对该SiO2凸台进行刻蚀以便露出具有一定高宽比的超微电极,最终得到纳米尺度的超微锥电极阵列。
太阳能硅片切割加工副产物资源化回收与利用
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:电力、热力、燃气及水生产和供应业
技术简介
我国作为世界太阳能硅片生产基地,硅棒在切割加工为硅片的过程中,年产生大量的废砂浆,其主要成分为切割液(聚乙二醇、表面活性剂、添加剂等)、碳化硅及多晶硅微粉等;对其资源化利用与产业化开发,形成可循环使用的资源再生型产品,不仅节约了重要的石油和高能耗产品资源、避免对环境造成严重污染,也以降耗、增效为特色促进太阳能行业的发展。 本项目采用分离剂技术综、整体化分质技术,精密控制及按级分离技术、化学转化与调配技术,对废砂浆进行资源产品化开发,形成循环使用于太阳能硅片加工的再生型切削液、碳化硅系列产品、回收型晶硅与纯硅衍生产品;开发先进的工艺技术与流程、规模化工业装置、精确过程控制与产品质量控制技术、保证大型生产连续性、稳定性和可控性;工业装置规模达到10万吨/年,实现了切割液回收率≥96%,碳化硅回收率≥95%,总资源利用率≥86%,形成3个再生型切割液产品、5个再生型碳化硅微粉产品,3年累计实现销售收入60691万元、净利润10052万元、入库纳税6718万元。实现了可循环使用的资源再生型产品系列化、成果产业化。 项目已获发明专利2项(ZL200810020743.X、ZL200810020744.4)、实用新型专利3项(ZL201020168297.X、ZL201020168310.1、ZL201020168291.2),申请发明专利5项。通过2项科技成果鉴定:中轻联科鉴字[2010]第033号、教育部鉴字[教CW2009]第020号,鉴定结论均为国际先进。 本项目得到江苏省科技支撑计划(BE2008085)(已通过项目验收)、江苏省科技成果转化专项基金(项目编号BA2010111)的立项。 本成果转化产品已循环使用于海润光伏、昱辉阳光、江西赛维LDK、中国英利、晶澳、高佳、舒奇蒙等多家大型骨干硅片生产企业,3年以上的使用结果表明,本项目资源再生型产品质量完全满足硅片切割加工的要求,服务硅片企业节支(增值)82641万元,对硅片生产企业提高质量、降低成本、提高经济效益产生了明显的作用。对太阳能光伏产业的资源利用、循环经济起到重要示范与推进作用。
找到78项技术成果数据。
找技术 >硅片清洗剂
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
技术投资分析:简介:随着信息时代的到来,作为其基础的硅片的生产、加工和使用得到迅猛的发展。因硅片的清洗要求非常严格,现多采用昂贵的进口清洗剂。SDC-30硅片清洗剂正是为有效替代进口而成功开发的一种硅片清洗剂。主要特点技术性能:1、生产工业简单,价格适中。2、清洗能力优良,高效和无毒,是完全可以替代国外同类进口产品的绿色环保型清洗剂。3、清洗液无需排放,只要不断添加新液即可。4、如在超声波清洗剂或流动的清洗液中进行清洗,效果更佳。泡沫性能 低泡硬水中稳定性 合格(JB4322-86)清洗能力 >95%PH值 1~2技术的应用领域前景分析:用途:广泛应用于电信、电子、机电等企业加工生产过程。效益分析:本项目市场广泛,效益十分可观。厂房条件建议:无备注:无
第三代太阳能级高效多晶硅锭、硅片研发与产业化
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
第三代太阳能级高效多晶硅锭、硅片产品是该公司完全自主研发的用于制造太阳能晶体硅电池片的主要基底材料。该项目通过创新的晶体生长机理以及与之匹配的热场设计和优化的铸锭工艺,使其具有晶粒尺寸均匀、晶体缺陷密度低等优势。在现有的多晶光伏电池技术下,其可以有效提高入射光吸收效率,降低体载流子和表面载流子的复合率,进而提升其光电转换效率。主要科技创新点:1.创新的热场设计;2.创新的晶体生长工艺;3.创新的装料方式;4.设计一种特殊的坩埚处理方法:与公司配套坩埚生产合作研发GCL新高效工艺高纯坩埚,有效解决多晶硅片边缘的黑边问题,大幅降低边缘黑边比例,使下游的组件可靠性大幅提高,提高电池转换效率。5.开发出一种全新的共掺杂技术。该创新彻底解决了多晶电池片的光衰问题,组件光衰平均低1%,为后续的PERC等高效工艺提供更宽广的空间。知识产权方面:第三代太阳能级高效多晶硅锭、硅片产品正是该公司的行业主打产品,为了更好保护自己并防止国内外生产竞争对手对该公司实施技术壁垒,在该项目实施和产业化期间:①发表SCI论文1篇或影响因子累计1.75;②申请并已授权专利12件,其中发明专利5件;③主持国家标准制订2项,参与国际标准制定1项。应用推广方面:与国内外各大硅片厂商对比,第三代太阳能级高效多晶产品的电池光电转换效率高于行业内普通多晶硅片电池效率0.2%以上。截止到2016年1月之前,该公司已实现了该硅片的规模化量产,并且该产品获得了客户的广泛认可,成为市场上最具有统治力的高效多晶硅片产品。经济效益方面:第三代高效多晶硅锭、硅片产品项目自2015年开始全面产业化生产,在企业的ERP系统单独命名,并单独核算,经财务系统查询和确认销售利润表计算得出,2015年新增销售额376404万元,新增利润68812万元;2016年新增销售额710368万元,新增利润99582万元;2017年新增销售额1011135万元,新增利润94973万元。并在2016年成功申报江苏省高新技术产品《太阳能级高效多晶硅锭三代》。社会效益:第三代太阳能级高效多晶产品作为公司主流产品,光电转化效率由早期的16.5%提升到平均19.1%以上。产能、良率、转化效率行业遥遥领先,受到下游客户的一致好评。且电池片效率分布更加集中,为客户提供更多的附加价值。该项目的研发和产业化加快了国家实现光伏发电平价上网进程,减少化石能源的使用所带来的污染,对于保护人类赖以生存的环境以及人类社会可持续性发展具有重要意义。
200微米硅片生产新工艺
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
一、科学技术领域 作为太阳能最主要的原料之一,200微米硅片主要用于制作太阳能电池极板。单晶硅片的品质直接决定着太阳能电池的质量。由于我国硅片行业起步较晚,技术落后,为了尽快缩短我国硅片制造水平与国外的差距,提高硅片的制造水平,降低硅片成本,研制开发太阳能电池用超薄硅片势在必行。 二、科技内容 1、减小切割钢线直径,在保证硅片质量前提,减少刀缝损耗。 2、减小导轮槽距,从而降低片厚,既能提高出片率又能提高太阳能电池的转换效率。 3、确定合理走线速度,减少钢线磨损,从而减少片头、片尾钢线线径差,以达到减小硅片厚度偏差的目的。 4、在硅棒进刀部位粘贴树脂条,减少硅片进刀薄厚,提高硅片质量。 5、提高砂浆品质,控制温湿度、设计合理的砂浆配比、砂浆黏度,同时研究切割进给速度、线速及砂浆流量等影响硅片质量的因素,控制表面线痕,提高硅片质量。三、性能指标 1、硅片厚度:200微米 2、硅片TV(片厚误差):TV±20微米 3、硅片TTV(总厚度误差):TTV<30微米 4、切片成品率:>95% 5、边长:125±0.5mm 6、对角线长度:150±0.5 mm 7、氧含量:≤0.85×1018atoms/cm^3 8、碳含量:≤3×1016atoms/cm^3 四、经济效益 新工艺使生产成本显著下降,原来每公斤硅棒切片58片,现在每公斤切片达到64片,公司每年切割硅棒近260吨,年可多切出硅片156万片,以56元/片计,新增销售收入8736万元,利税2400万元 五、行业作用及社会效益 本项目产品的研发成功可以填补国内空白,带动太阳能电池行业的快速发展及技术的提高,从而极大的缓解能源短缺、减少环境污染,提高我国太阳能行业技术水平和国际竞争力。项目的实施将加快东北地区产业调整的步伐,为振兴东北老工业基地做出贡献。同时将创造新的工作岗位,为下岗职工和待业人员提供就业机会,还可以培育区域经济增长点,促进辽西经济发展,实现经济效益和社会效益的双赢。
基于二氧化钒纳米线的纳米材料导热系数的测量系统
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及基于二氧化钒纳米线的纳米材料导热系数的测量系统。该系统包括二氧化钒纳米线悬臂梁、激光热源机构、光学显微镜机构和真空压力腔机构;激光热源机构和光学显微镜机构位于真空压力腔机构外部。真空压力腔体内一侧设有硅片基底,二氧化钒纳米线悬臂梁的一端连接着硅片基底,一端为悬壁端,二氧化钒纳米线悬臂梁与真空压力腔体顶部的玻璃窗口对应;光学显微镜机构位于玻璃窗口外部的上方;测量时,待测纳米线悬臂梁的一端连接着硅片基底,且位于二氧化钒纳米线悬臂梁的上方;待测纳米线悬臂梁的另一端为悬臂梁,连接着二氧化钒纳米线悬臂梁的悬臂端。本发明用于相关热物性测量,成本低,防止纳米线表面出现加速老化,提高了测量的准确度。
一种芯片式铷滤光泡
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:信息传输、软件和信息技术服务业
技术简介
项目简介: 一种芯片式铷滤光泡,涉及一种滤光装置,尤其是涉及一种主要适用于常规、微小型化与芯片式以及应用激光作为光源的各种铷原子钟的滤除特定谱线的芯片式铷滤光泡。提供一种不仅体积较小、功耗较低,而且可有效滤除不需要的谱线,减小所需要的谱线的衰减,获得较好滤光效果的芯片式铷滤光泡。设有一硅片,在硅片中央设有一个通孔,在通孔的一边上设有沟道,通孔经沟道与外部连通。在硅片两侧面分别设有玻璃片,硅片与两侧面的玻璃片键合成一块芯片,硅片中央的通孔与硅片两侧面的玻璃片构成的腔体内充入铷-85和惰性气体。
用于光电单片集成的硅基光电探测器及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:信息传输、软件和信息技术服务业
技术简介
项目简介: 用于光电单片集成的硅基光电探测器及其制备方法,涉及一种硅基光电单片集成电路。提供一种与商业的BCD标准工艺完全兼容的用于光电单片集成的硅基光电探测器及其制备方法。硅基光电探测器设有P型硅衬底、BN+、BP+、N-EPI外延层、N阱、P阱、P+、N+、Al层、场氧层、SiO2绝缘介质层和Si3N4表面钝化层,P型硅衬底、BN+、BP+、N-EPI外延层、N阱、P阱、P+、N+设于同一硅片上,场氧层是在硅片表面生成的氧化硅层,金属铝层沉积在硅片表面,按制备顺序从下至上共3层SiO2绝缘介质层通过沉积工艺附着在硅衬底上、Si3N4表面钝化层通过沉积工艺附着在SiO2绝缘介质层上。
多孔硅场发射发光二极管阵列及其制作技术
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及场发射显示技术领域,特别是一种多孔硅场发射发光二极管阵列及其制作技术。本发明的多孔硅场发射发光二极管阵列,包括阳极板、阴极板、荧光粉和多孔硅片,其中,阳极板由导电玻璃和引线一组成,阴极板由玻璃和引线二组成,多孔硅片由硅基底和多孔硅层组成。在阴极板的玻璃上设有m列银浆导电引线二,每列上固定n片多孔硅片;在阳极板的导电玻璃上把导电层腐蚀成n行引线一,荧光粉涂履在阳极板玻璃正面的引线一上,每行引线上涂履m块荧光粉浆料,每块荧光粉浆料的面积尺寸比阴极板上多孔硅片略大;多孔硅场发射发光二极管阵列的阴极板与阳极板之间的间隙通过隔离子和密封材料构成一真空度在1×10-5Pa以下的密封空腔。
多孔硅场发射发光二极管及其制作技术
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及场发射显示技术领域,特别是一种多孔硅场发射发光二极管及其制作技术。本发明的多孔硅场发射发光二极管,包括导电玻璃、荧光粉、多孔硅片,其中,多孔硅片为多孔硅场发射发光二极管的阴极,多孔硅片由硅基底和多孔硅层组成;多孔硅场发射发光二极管的阳极由荧光粉涂履在导电玻璃的导电层上而成;多孔硅场发射发光二极管的附有荧光粉的导电玻璃导电层与多孔硅片的多孔硅层之间的间隙,通过隔离子和密封材料构成一真空度在1×10-5Pa以下的密封空腔。本发明多孔硅场发射发光二极管的制作步骤:1.多孔硅片的制作;2.多孔硅场发射发光二极管的制作,其中:(1)制作阴极,(2)制作阳极,(3)制作隔离子,(4)真空封装。
一种超微锥电极阵列及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
一种超微锥电极阵列及其制备方法。首先对硅片进行干湿氧化形成SiO2膜,并采用正胶在上述SiO2膜光上刻出方形窗口;其次用TMAH溶液对上述SiO2膜方形窗口中裸露的硅片进行湿法刻蚀形成正四棱锥形凹坑,后去除残留的SiO2膜;然后在950℃条件下对硅片进行热氧化形成SiO2膜,随后在硅片上有正四棱锥形凹坑的一面用射频磁控溅射工艺溅射超微电极材料,并经光刻和刻蚀工艺形成超微电极位置和引线图形;再用气相沉积工艺在超微电极材料表面沉积Si3N4薄膜,并用光刻和刻蚀工艺在上述Si3N4薄膜上刻出窗口以便裸露出超微电极键合窗口;最后用TMAH从背面对硅片进行减薄刻蚀直到露出一定高度的SiO2凸台,再对该SiO2凸台进行刻蚀以便露出具有一定高宽比的超微电极,最终得到纳米尺度的超微锥电极阵列。
太阳能硅片切割加工副产物资源化回收与利用
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:电力、热力、燃气及水生产和供应业
技术简介
我国作为世界太阳能硅片生产基地,硅棒在切割加工为硅片的过程中,年产生大量的废砂浆,其主要成分为切割液(聚乙二醇、表面活性剂、添加剂等)、碳化硅及多晶硅微粉等;对其资源化利用与产业化开发,形成可循环使用的资源再生型产品,不仅节约了重要的石油和高能耗产品资源、避免对环境造成严重污染,也以降耗、增效为特色促进太阳能行业的发展。 本项目采用分离剂技术综、整体化分质技术,精密控制及按级分离技术、化学转化与调配技术,对废砂浆进行资源产品化开发,形成循环使用于太阳能硅片加工的再生型切削液、碳化硅系列产品、回收型晶硅与纯硅衍生产品;开发先进的工艺技术与流程、规模化工业装置、精确过程控制与产品质量控制技术、保证大型生产连续性、稳定性和可控性;工业装置规模达到10万吨/年,实现了切割液回收率≥96%,碳化硅回收率≥95%,总资源利用率≥86%,形成3个再生型切割液产品、5个再生型碳化硅微粉产品,3年累计实现销售收入60691万元、净利润10052万元、入库纳税6718万元。实现了可循环使用的资源再生型产品系列化、成果产业化。 项目已获发明专利2项(ZL200810020743.X、ZL200810020744.4)、实用新型专利3项(ZL201020168297.X、ZL201020168310.1、ZL201020168291.2),申请发明专利5项。通过2项科技成果鉴定:中轻联科鉴字[2010]第033号、教育部鉴字[教CW2009]第020号,鉴定结论均为国际先进。 本项目得到江苏省科技支撑计划(BE2008085)(已通过项目验收)、江苏省科技成果转化专项基金(项目编号BA2010111)的立项。 本成果转化产品已循环使用于海润光伏、昱辉阳光、江西赛维LDK、中国英利、晶澳、高佳、舒奇蒙等多家大型骨干硅片生产企业,3年以上的使用结果表明,本项目资源再生型产品质量完全满足硅片切割加工的要求,服务硅片企业节支(增值)82641万元,对硅片生产企业提高质量、降低成本、提高经济效益产生了明显的作用。对太阳能光伏产业的资源利用、循环经济起到重要示范与推进作用。
找到78项技术成果数据。
找技术 >硅片清洗剂
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
技术投资分析:简介:随着信息时代的到来,作为其基础的硅片的生产、加工和使用得到迅猛的发展。因硅片的清洗要求非常严格,现多采用昂贵的进口清洗剂。SDC-30硅片清洗剂正是为有效替代进口而成功开发的一种硅片清洗剂。主要特点技术性能:1、生产工业简单,价格适中。2、清洗能力优良,高效和无毒,是完全可以替代国外同类进口产品的绿色环保型清洗剂。3、清洗液无需排放,只要不断添加新液即可。4、如在超声波清洗剂或流动的清洗液中进行清洗,效果更佳。泡沫性能 低泡硬水中稳定性 合格(JB4322-86)清洗能力 >95%PH值 1~2技术的应用领域前景分析:用途:广泛应用于电信、电子、机电等企业加工生产过程。效益分析:本项目市场广泛,效益十分可观。厂房条件建议:无备注:无
第三代太阳能级高效多晶硅锭、硅片研发与产业化
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
第三代太阳能级高效多晶硅锭、硅片产品是该公司完全自主研发的用于制造太阳能晶体硅电池片的主要基底材料。该项目通过创新的晶体生长机理以及与之匹配的热场设计和优化的铸锭工艺,使其具有晶粒尺寸均匀、晶体缺陷密度低等优势。在现有的多晶光伏电池技术下,其可以有效提高入射光吸收效率,降低体载流子和表面载流子的复合率,进而提升其光电转换效率。主要科技创新点:1.创新的热场设计;2.创新的晶体生长工艺;3.创新的装料方式;4.设计一种特殊的坩埚处理方法:与公司配套坩埚生产合作研发GCL新高效工艺高纯坩埚,有效解决多晶硅片边缘的黑边问题,大幅降低边缘黑边比例,使下游的组件可靠性大幅提高,提高电池转换效率。5.开发出一种全新的共掺杂技术。该创新彻底解决了多晶电池片的光衰问题,组件光衰平均低1%,为后续的PERC等高效工艺提供更宽广的空间。知识产权方面:第三代太阳能级高效多晶硅锭、硅片产品正是该公司的行业主打产品,为了更好保护自己并防止国内外生产竞争对手对该公司实施技术壁垒,在该项目实施和产业化期间:①发表SCI论文1篇或影响因子累计1.75;②申请并已授权专利12件,其中发明专利5件;③主持国家标准制订2项,参与国际标准制定1项。应用推广方面:与国内外各大硅片厂商对比,第三代太阳能级高效多晶产品的电池光电转换效率高于行业内普通多晶硅片电池效率0.2%以上。截止到2016年1月之前,该公司已实现了该硅片的规模化量产,并且该产品获得了客户的广泛认可,成为市场上最具有统治力的高效多晶硅片产品。经济效益方面:第三代高效多晶硅锭、硅片产品项目自2015年开始全面产业化生产,在企业的ERP系统单独命名,并单独核算,经财务系统查询和确认销售利润表计算得出,2015年新增销售额376404万元,新增利润68812万元;2016年新增销售额710368万元,新增利润99582万元;2017年新增销售额1011135万元,新增利润94973万元。并在2016年成功申报江苏省高新技术产品《太阳能级高效多晶硅锭三代》。社会效益:第三代太阳能级高效多晶产品作为公司主流产品,光电转化效率由早期的16.5%提升到平均19.1%以上。产能、良率、转化效率行业遥遥领先,受到下游客户的一致好评。且电池片效率分布更加集中,为客户提供更多的附加价值。该项目的研发和产业化加快了国家实现光伏发电平价上网进程,减少化石能源的使用所带来的污染,对于保护人类赖以生存的环境以及人类社会可持续性发展具有重要意义。
200微米硅片生产新工艺
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
一、科学技术领域 作为太阳能最主要的原料之一,200微米硅片主要用于制作太阳能电池极板。单晶硅片的品质直接决定着太阳能电池的质量。由于我国硅片行业起步较晚,技术落后,为了尽快缩短我国硅片制造水平与国外的差距,提高硅片的制造水平,降低硅片成本,研制开发太阳能电池用超薄硅片势在必行。 二、科技内容 1、减小切割钢线直径,在保证硅片质量前提,减少刀缝损耗。 2、减小导轮槽距,从而降低片厚,既能提高出片率又能提高太阳能电池的转换效率。 3、确定合理走线速度,减少钢线磨损,从而减少片头、片尾钢线线径差,以达到减小硅片厚度偏差的目的。 4、在硅棒进刀部位粘贴树脂条,减少硅片进刀薄厚,提高硅片质量。 5、提高砂浆品质,控制温湿度、设计合理的砂浆配比、砂浆黏度,同时研究切割进给速度、线速及砂浆流量等影响硅片质量的因素,控制表面线痕,提高硅片质量。三、性能指标 1、硅片厚度:200微米 2、硅片TV(片厚误差):TV±20微米 3、硅片TTV(总厚度误差):TTV<30微米 4、切片成品率:>95% 5、边长:125±0.5mm 6、对角线长度:150±0.5 mm 7、氧含量:≤0.85×1018atoms/cm^3 8、碳含量:≤3×1016atoms/cm^3 四、经济效益 新工艺使生产成本显著下降,原来每公斤硅棒切片58片,现在每公斤切片达到64片,公司每年切割硅棒近260吨,年可多切出硅片156万片,以56元/片计,新增销售收入8736万元,利税2400万元 五、行业作用及社会效益 本项目产品的研发成功可以填补国内空白,带动太阳能电池行业的快速发展及技术的提高,从而极大的缓解能源短缺、减少环境污染,提高我国太阳能行业技术水平和国际竞争力。项目的实施将加快东北地区产业调整的步伐,为振兴东北老工业基地做出贡献。同时将创造新的工作岗位,为下岗职工和待业人员提供就业机会,还可以培育区域经济增长点,促进辽西经济发展,实现经济效益和社会效益的双赢。
基于二氧化钒纳米线的纳米材料导热系数的测量系统
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及基于二氧化钒纳米线的纳米材料导热系数的测量系统。该系统包括二氧化钒纳米线悬臂梁、激光热源机构、光学显微镜机构和真空压力腔机构;激光热源机构和光学显微镜机构位于真空压力腔机构外部。真空压力腔体内一侧设有硅片基底,二氧化钒纳米线悬臂梁的一端连接着硅片基底,一端为悬壁端,二氧化钒纳米线悬臂梁与真空压力腔体顶部的玻璃窗口对应;光学显微镜机构位于玻璃窗口外部的上方;测量时,待测纳米线悬臂梁的一端连接着硅片基底,且位于二氧化钒纳米线悬臂梁的上方;待测纳米线悬臂梁的另一端为悬臂梁,连接着二氧化钒纳米线悬臂梁的悬臂端。本发明用于相关热物性测量,成本低,防止纳米线表面出现加速老化,提高了测量的准确度。
一种芯片式铷滤光泡
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:信息传输、软件和信息技术服务业
技术简介
项目简介: 一种芯片式铷滤光泡,涉及一种滤光装置,尤其是涉及一种主要适用于常规、微小型化与芯片式以及应用激光作为光源的各种铷原子钟的滤除特定谱线的芯片式铷滤光泡。提供一种不仅体积较小、功耗较低,而且可有效滤除不需要的谱线,减小所需要的谱线的衰减,获得较好滤光效果的芯片式铷滤光泡。设有一硅片,在硅片中央设有一个通孔,在通孔的一边上设有沟道,通孔经沟道与外部连通。在硅片两侧面分别设有玻璃片,硅片与两侧面的玻璃片键合成一块芯片,硅片中央的通孔与硅片两侧面的玻璃片构成的腔体内充入铷-85和惰性气体。
用于光电单片集成的硅基光电探测器及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:信息传输、软件和信息技术服务业
技术简介
项目简介: 用于光电单片集成的硅基光电探测器及其制备方法,涉及一种硅基光电单片集成电路。提供一种与商业的BCD标准工艺完全兼容的用于光电单片集成的硅基光电探测器及其制备方法。硅基光电探测器设有P型硅衬底、BN+、BP+、N-EPI外延层、N阱、P阱、P+、N+、Al层、场氧层、SiO2绝缘介质层和Si3N4表面钝化层,P型硅衬底、BN+、BP+、N-EPI外延层、N阱、P阱、P+、N+设于同一硅片上,场氧层是在硅片表面生成的氧化硅层,金属铝层沉积在硅片表面,按制备顺序从下至上共3层SiO2绝缘介质层通过沉积工艺附着在硅衬底上、Si3N4表面钝化层通过沉积工艺附着在SiO2绝缘介质层上。
多孔硅场发射发光二极管阵列及其制作技术
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及场发射显示技术领域,特别是一种多孔硅场发射发光二极管阵列及其制作技术。本发明的多孔硅场发射发光二极管阵列,包括阳极板、阴极板、荧光粉和多孔硅片,其中,阳极板由导电玻璃和引线一组成,阴极板由玻璃和引线二组成,多孔硅片由硅基底和多孔硅层组成。在阴极板的玻璃上设有m列银浆导电引线二,每列上固定n片多孔硅片;在阳极板的导电玻璃上把导电层腐蚀成n行引线一,荧光粉涂履在阳极板玻璃正面的引线一上,每行引线上涂履m块荧光粉浆料,每块荧光粉浆料的面积尺寸比阴极板上多孔硅片略大;多孔硅场发射发光二极管阵列的阴极板与阳极板之间的间隙通过隔离子和密封材料构成一真空度在1×10-5Pa以下的密封空腔。
多孔硅场发射发光二极管及其制作技术
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及场发射显示技术领域,特别是一种多孔硅场发射发光二极管及其制作技术。本发明的多孔硅场发射发光二极管,包括导电玻璃、荧光粉、多孔硅片,其中,多孔硅片为多孔硅场发射发光二极管的阴极,多孔硅片由硅基底和多孔硅层组成;多孔硅场发射发光二极管的阳极由荧光粉涂履在导电玻璃的导电层上而成;多孔硅场发射发光二极管的附有荧光粉的导电玻璃导电层与多孔硅片的多孔硅层之间的间隙,通过隔离子和密封材料构成一真空度在1×10-5Pa以下的密封空腔。本发明多孔硅场发射发光二极管的制作步骤:1.多孔硅片的制作;2.多孔硅场发射发光二极管的制作,其中:(1)制作阴极,(2)制作阳极,(3)制作隔离子,(4)真空封装。
一种超微锥电极阵列及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
一种超微锥电极阵列及其制备方法。首先对硅片进行干湿氧化形成SiO2膜,并采用正胶在上述SiO2膜光上刻出方形窗口;其次用TMAH溶液对上述SiO2膜方形窗口中裸露的硅片进行湿法刻蚀形成正四棱锥形凹坑,后去除残留的SiO2膜;然后在950℃条件下对硅片进行热氧化形成SiO2膜,随后在硅片上有正四棱锥形凹坑的一面用射频磁控溅射工艺溅射超微电极材料,并经光刻和刻蚀工艺形成超微电极位置和引线图形;再用气相沉积工艺在超微电极材料表面沉积Si3N4薄膜,并用光刻和刻蚀工艺在上述Si3N4薄膜上刻出窗口以便裸露出超微电极键合窗口;最后用TMAH从背面对硅片进行减薄刻蚀直到露出一定高度的SiO2凸台,再对该SiO2凸台进行刻蚀以便露出具有一定高宽比的超微电极,最终得到纳米尺度的超微锥电极阵列。
太阳能硅片切割加工副产物资源化回收与利用
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:电力、热力、燃气及水生产和供应业
技术简介
我国作为世界太阳能硅片生产基地,硅棒在切割加工为硅片的过程中,年产生大量的废砂浆,其主要成分为切割液(聚乙二醇、表面活性剂、添加剂等)、碳化硅及多晶硅微粉等;对其资源化利用与产业化开发,形成可循环使用的资源再生型产品,不仅节约了重要的石油和高能耗产品资源、避免对环境造成严重污染,也以降耗、增效为特色促进太阳能行业的发展。 本项目采用分离剂技术综、整体化分质技术,精密控制及按级分离技术、化学转化与调配技术,对废砂浆进行资源产品化开发,形成循环使用于太阳能硅片加工的再生型切削液、碳化硅系列产品、回收型晶硅与纯硅衍生产品;开发先进的工艺技术与流程、规模化工业装置、精确过程控制与产品质量控制技术、保证大型生产连续性、稳定性和可控性;工业装置规模达到10万吨/年,实现了切割液回收率≥96%,碳化硅回收率≥95%,总资源利用率≥86%,形成3个再生型切割液产品、5个再生型碳化硅微粉产品,3年累计实现销售收入60691万元、净利润10052万元、入库纳税6718万元。实现了可循环使用的资源再生型产品系列化、成果产业化。 项目已获发明专利2项(ZL200810020743.X、ZL200810020744.4)、实用新型专利3项(ZL201020168297.X、ZL201020168310.1、ZL201020168291.2),申请发明专利5项。通过2项科技成果鉴定:中轻联科鉴字[2010]第033号、教育部鉴字[教CW2009]第020号,鉴定结论均为国际先进。 本项目得到江苏省科技支撑计划(BE2008085)(已通过项目验收)、江苏省科技成果转化专项基金(项目编号BA2010111)的立项。 本成果转化产品已循环使用于海润光伏、昱辉阳光、江西赛维LDK、中国英利、晶澳、高佳、舒奇蒙等多家大型骨干硅片生产企业,3年以上的使用结果表明,本项目资源再生型产品质量完全满足硅片切割加工的要求,服务硅片企业节支(增值)82641万元,对硅片生产企业提高质量、降低成本、提高经济效益产生了明显的作用。对太阳能光伏产业的资源利用、循环经济起到重要示范与推进作用。