找到198项技术成果数据。
找技术 >硅片直接键合技术
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:采矿业
技术简介
硅片直接键合(Silicon Wafer Direct Bonding, 缩写为SDB)是指二片镜面抛光硅片经过适当表面清洗与处理,可以在室温下直接键合,再经加热增加其键合强度而成为一个整体。键合前,硅片表面不需任何粘结剂,键合过程中,也不需在硅片表面施加外力。SDB 技术的特征在于它与半导体及集成电路加工技术的兼容性和自身的灵活性。VLSI的发展使硅片表面更为光滑、平整与洁净,这种发展与SDB 对硅片本身的要求完全一致;SDB 的灵活性表现在可以实现不同晶向、不同掺杂类型、不同杂质浓度、不同硅片厚度和带有SiO2 的键合。SDB 技术使硅材料和VLSI 技术的潜力得到了充分地发挥。项目发明了等离子体表面处理技术和化学表面处理技术,实现了硅/硅、硅/二氧化硅、二氧化硅/二氧化硅的硅片直接键合;提出了键合界面气体横向扩散的空洞消除机制;提出并优化了两步键合技术。键合结果表明:键合面积95%,键合强度大于体硅强度。针对电力电子器件的衬底材料、绝缘体上硅(SOI)材料、微传感器等制备需要,提出并实现了快速热键合技术,结果使键合界面杂质互扩散很少;提出并实现了掺TCE二氧化硅作为埋层的SOI 键合技术,结果使键合界面电荷与一般MOS 器件接近。发明了耗尽层边缘作为腐蚀停止界面的减薄技术,实现了小尺寸键合SOI 硅片的减薄。针对硅片直接键合技术的批量工业应用,广泛开展了界面杂质扩散、界面电荷、界面空洞、界面应力的表征和测试技术研究。
建设年产6000吨纳米级白炭黑
成熟度:通过中试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
技术简介:我所研制的纳米级白碳黑是一种人工合成的无定性二氧化硅超微粒子填料,化学名称为水合二氧化硅,是微细粉末状或超细粒子状的二氧化硅,分散性能好,比表面积大,密度2.319-2.653克/平方厘米,熔点1750℃.硅石与碱加温合成反应,经过滤,滤液与盐、盐酸反应后,再经过滤、洗涤、干燥、表面改性、超细粉碎、计量包装得纳米级白碳黑产品。即:硅石、碱→加温合成反映→过滤→盐、盐酸反应→过滤→洗涤→干燥→表面改性→超细粉碎→计量包装→成品纳米级白碳黑。技术的应用领域前景分析:纳米级白碳黑由于耐酸、耐碱、耐高温及良好的电绝缘性能和分散性,因而广泛用于橡胶、塑料的耐磨填充剂、油墨的增稠剂、油漆涂料的添加剂、合成润滑脂和硅脂稠化剂、制革业的平光剂、农药的分散剂、造纸的填充剂、合成树脂的添加剂、电子电器工业绝缘热填料及日用化工原料等行业,同时还用于聚丙稀无毒聚氯乙烯塑料薄膜的开口剂,农药、医药的防结块剂和载体。纳米级白碳黑是一种超细微粒、轻质白色填充剂,产品应用广泛,需求的行业多,市场销售形势好,国内需求量70%依赖于进口货源,销售前景十分广阔,不存在市场销售不畅的问题。经济收益分析:按年产6000吨纳米级白碳黑计算,年产值2.1亿元,年利润8972.42万元,年纳税1680万元,一年时间可收回总投资.并可解决400个待业人员.厂房条件建议:1)土地面积150亩 1500万元2)库房厂房及生活用房20000平方米 1000万元3)600千伏安变压器及设施一套 500万元4)供水设施一套 100万元合 计: 3100万元
纳米活性二氧化硅的制备与应用
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
纳米活性二氧化硅的制备与应用 纳米二氧化硅是纳米材料中的重要成员之一,由于其分散性好,比表面积高,光学性能和化学稳定性优良,使其具有许多奇异的性能,从而成为材料科学领域中的研究热点,并被誉为21世纪最有发展前景的新材料。 本项目以工业水玻璃为原料,在沉淀工序下加入添加剂,通过原位湿法改性,并结合工艺参数条件的优化,来调控二氧化硅颗粒尺寸分布及形貌,所制备出的二氧化硅具有粒径分布窄、分散性好、比表面积高等诸多特性。另外本项目通过设计合成新型的添加剂,生产出种类繁多新颖的具有特殊功能的新材料,将二氧化硅功能化,使其具有更加广阔的应用空间,广泛应用于橡胶、涂料、塑料、油墨、油漆、颜料等领域,在造纸、耐高温材料等方面也极具应用前景。所依托的相关的发明专利有:201010127620。3和201010127618。6
低温烧结二氧化硅基复合陶瓷及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:采矿业
技术简介
一、发明创造简介: 一种低温烧结二氧化硅基复合陶瓷,用通式(1-x)Sio2-xLi2Yio3表示的材料组成,式中x的取值为0.055~1300℃,与二氧化硅陶瓷的烧结温度1550℃,相比明显降低,克服了陶瓷材料谐振频率温度系数偏大的缺点,保证了材料的温度稳定性。本发明制备方法所用原料丰富、成本低廉,有利于工业化生产,可广泛应用于微波基板、导弹天线罩等微波器件的制造。 二、创新点: 本发明通过在二氧化硅中添加烧结助剂Li2TiO3,使陶瓷的烧结温度由1550℃降至1050~1300℃,且克服了陶瓷材料谐振频率温度系数偏大的缺点,保证了材料的温度稳定性。 三、发明的应用价值和市场前景: 本发明制备方法所用原料丰富、成本低廉,有利于工业化生产,可广泛应用于微波基板、导弹天线罩等微波器件的制造。
硅片直接键合技术
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
技术投资分析:硅片直接键合(Silicon Wafer Direct Bonding, 缩写为SDB)是指二片镜面抛光硅片经过适当表面清洗与处理,可以在室温下直接键合,再经加热增加其键合强度而成为一个整体。键合前,硅片表面不需任何粘结剂,键合过程中,也不需在硅片表面施加外力。SDB技术的特征在于它与半导体及集成电路加工技术的兼容性和自身的灵活性。VLSI的发展使硅片表面更为光滑、平整与洁净,这种发展与SDB对硅片本身的要求完全一致;SDB的灵活性表现在可以实现不同晶向、不同掺杂类型、不同杂质浓度、不同硅片厚度和带有SiO2的键合。SDB技术使硅材料和VLSI技术的潜力得到了充分地发挥。本项目发明了等离子体表面处理技术和化学表面处理技术,实现了硅/硅、硅/二氧化硅、二氧化硅/二氧化硅的硅片直接键合;提出了键合界面气体横向扩散的空洞消除机制;提出并优化了两步键合技术。键合结果表明:键合面积?95%,键合强度大于体硅强度。针对电力电子器件的衬底材料、绝缘体上硅(SOI)材料、微传感器等制备需要,提出并实现了快速热键合技术,结果使键合界面杂质互扩散很少;提出并实现了掺TCE二氧化硅作为埋层的SOI键合技术,结果使键合界面电荷与一般MOS器件接近。发明了耗尽层边缘作为腐蚀停止界面的减薄技术,实现了小尺寸键合SOI硅片的减薄。针对硅片直接键合技术的批量工业应用,广泛开展了界面杂质扩散、界面电荷、界面空洞、界面应力的表征和测试技术研究技术的应用领域前景分析:SDB技术的特征在于它与半导体及集成电路加工技术的兼容性和自身的灵活性. VLSI的发展使硅片表面更为光滑、平整与洁净,这种发展与SDB对硅片本身的要求完全一致;SDB的灵活性表现在可以实现不同晶向、不同掺杂类型、不同杂质浓度、不同硅片厚度和带有SiO2的键合。SDB技术使硅材料和VLSI技术的潜力得到了充分地发挥。针对硅片直接键合技术的批量工业应用,广泛开展了界面杂质扩散、界面电荷、界面空洞、界面应力的表征和测试技术研究。效益分析:经济效益巨大。厂房条件建议:无备注:无
硅片直接键合技术
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:采矿业
技术简介
技术投资分析:硅片直接键合(Silicon Wafer Direct Bonding, 缩写为SDB)是指二片镜面抛光硅片经过适当表面清洗与处理,可以在室温下直接键合,再经加热增加其键合强度而成为一个整体。键合前,硅片表面不需任何粘结剂,键合过程中,也不需在硅片表面施加外力。SDB技术的特征在于它与半导体及集成电路加工技术的兼容性和自身的灵活性。VLSI的发展使硅片表面更为光滑、平整与洁净,这种发展与SDB对硅片本身的要求完全一致;SDB的灵活性表现在可以实现不同晶向、不同掺杂类型、不同杂质浓度、不同硅片厚度和带有SiO2的键合。SDB技术使硅材料和VLSI技术的潜力得到了充分地发挥。项目发明了等离子体表面处理技术和化学表面处理技术,实现了硅/硅、硅/二氧化硅、二氧化硅/二氧化硅的硅片直接键合;提出了键合界面气体横向扩散的空洞消除机制;提出并优化了两步键合技术。键合结果表明:键合面积?95%,键合强度大于体硅强度。针对电力电子器件的衬底材料、绝缘体上硅(SOI)材料、微传感器等制备需要,提出并实现了快速热键合技术,结果使键合界面杂质互扩散很少;提出并实现了掺TCE二氧化硅作为埋层的SOI键合技术,结果使键合界面电荷与一般MOS器件接近。发明了耗尽层边缘作为腐蚀停止界面的减薄技术,实现了小尺寸键合SOI硅片的减薄。针对硅片直接键合技术的批量工业应用,广泛开展了界面杂质扩散、界面电荷、界面空洞、界面应力的表征和测试技术研究技术的应用领域前景分析:SDB技术的特征在于它与半导体及集成电路加工技术的兼容性和自身的灵活性. VLSI的发展使硅片表面更为光滑、平整与洁净,这种发展与SDB对硅片本身的要求完全一致;SDB的灵活性表现在可以实现不同晶向、不同掺杂类型、不同杂质浓度、不同硅片厚度和带有SiO2的键合。SDB技术使硅材料和VLSI技术的潜力得到了充分地发挥。针对硅片直接键合技术的批量工业应用,广泛开展了界面杂质扩散、界面电荷、界面空洞、界面应力的表征和测试技术研究。效益分析:市场需求大,投资回收快,经济效益巨大。厂房条件建议:无备注:无
硼泥、菱镁矿和滑石矿制备氧化镁、二氧化硅的方法
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
两种综合利用硼泥、菱镁矿和滑石矿制备氧化镁、二氧化硅的绿色冶金方法,该方法包括:(一),(1)磨细,(2)磁选除铁,(3)酸处理,(4)碱处理,(5)制备氧化镁,(6)碳酸化分解制备二氧化硅;(二),(1)磨细,(2)磁选除铁,(3)碱处理,(4)水浸处理,(5)过滤分离,(6)制备氧化镁,(7)碳酸化分解制备二氧化硅。本发明的优点:本发明方法使反应介质全部循环利用,工艺流程简单、设备简便,没有固、液、气废弃物的排放,不造成二次污染,能够以较低的成本实现对硼泥、菱镁矿和滑石矿中的镁、硅的高附加值综合利用。
一种纳米活性二氧化硅的制备与应用技术
成熟度:通过小试
技术类型:发明,发明
应用行业:制造业
技术简介
纳米二氧化硅是纳米材料中的重要成员之一,由于其分散性好,比表面积高,光学性能和化学稳定性优良,使其具有许多奇异的性能,从而成为材料科学领域中的研究热点,并被誉为21世纪最有发展前景的新材料。 本项目以工业水玻璃为原料,在沉淀工序下加入添加剂,通过原位湿法改性,并结合工艺参数条件的优化,来调控二氧化硅颗粒尺寸分布及形貌,所制备出的二氧化硅具有粒径分布窄、分散性好、比表面积高等诸多特性。另外本项目通过设计合成新型的添加剂,生产出种类繁多新颖的具有特殊功能的新材料,将二氧化硅功能化,使其具有更加广阔的应用空间,广泛应用于橡胶、涂料、塑料、油墨、油漆、颜料等领域,在造纸、耐高温材料等方面也极具应用前景。
一种以竹叶为原料制备纳米二氧化硅的方法及所制备得到的纳米二氧化硅
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明提供一种以竹叶为原料制备纳米二氧化硅的方法,该方法包括以下步骤:将竹子脱落竹叶清洗和干燥;称取清洗和干燥后的竹叶置于盐酸溶液中煮沸;将盐酸煮沸处理后的竹叶清洗和干燥,在空气气氛下以0.5~30℃/min的升温速度升至200-1000℃退火处理0.5-10h,然后随炉冷却后得到白色纳米二氧化硅颗粒粉末。本发明以竹叶为原料,大量的使用了废弃的竹叶,有效减少了化学原料的使用量,具有成本低、工艺简单、环境友好等优势。本发明所制备的二氧化硅综合性能优异,纯度高达99%以上,比表面积为150-250m2/g,粒径均匀,径约为10-30nm,因此本发明在可在工业上大规模生产和应用。
一种低CO2选择性CO加氢制烯烃的核壳催化剂及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种具有核壳结构和疏水功能的金属氧化物催化剂,用于CO加氢制乙烯、丙烯、丁烯的高选择性生成,同时有效降低CO2选择性。本发明以水热合成的方法将二氧化硅包覆在金属氧化物活性组分中,形成核壳结构,金属氧化物为核,二氧化硅为壳层。选用二氧化硅作为有机基团改性的桥梁,借助于二氧化硅表面Si‑OH与有机硅烷试剂发生的硅烷化反应,实现了疏水基团的嫁接。制备的铁基催化剂保留了其高活性优势,还增添了有机基团的疏水性能、削弱了空间位阻,对制备烯烃作用显著。有机基团的疏水性对抑制WGS反应起到了很好的效果,CO2生成量明显降低。本发明制备方法简单,重复性好,对环境友好,反应寿命长,具有潜在的经济价值。
找到198项技术成果数据。
找技术 >硅片直接键合技术
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:采矿业
技术简介
硅片直接键合(Silicon Wafer Direct Bonding, 缩写为SDB)是指二片镜面抛光硅片经过适当表面清洗与处理,可以在室温下直接键合,再经加热增加其键合强度而成为一个整体。键合前,硅片表面不需任何粘结剂,键合过程中,也不需在硅片表面施加外力。SDB 技术的特征在于它与半导体及集成电路加工技术的兼容性和自身的灵活性。VLSI的发展使硅片表面更为光滑、平整与洁净,这种发展与SDB 对硅片本身的要求完全一致;SDB 的灵活性表现在可以实现不同晶向、不同掺杂类型、不同杂质浓度、不同硅片厚度和带有SiO2 的键合。SDB 技术使硅材料和VLSI 技术的潜力得到了充分地发挥。项目发明了等离子体表面处理技术和化学表面处理技术,实现了硅/硅、硅/二氧化硅、二氧化硅/二氧化硅的硅片直接键合;提出了键合界面气体横向扩散的空洞消除机制;提出并优化了两步键合技术。键合结果表明:键合面积95%,键合强度大于体硅强度。针对电力电子器件的衬底材料、绝缘体上硅(SOI)材料、微传感器等制备需要,提出并实现了快速热键合技术,结果使键合界面杂质互扩散很少;提出并实现了掺TCE二氧化硅作为埋层的SOI 键合技术,结果使键合界面电荷与一般MOS 器件接近。发明了耗尽层边缘作为腐蚀停止界面的减薄技术,实现了小尺寸键合SOI 硅片的减薄。针对硅片直接键合技术的批量工业应用,广泛开展了界面杂质扩散、界面电荷、界面空洞、界面应力的表征和测试技术研究。
建设年产6000吨纳米级白炭黑
成熟度:通过中试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
技术简介:我所研制的纳米级白碳黑是一种人工合成的无定性二氧化硅超微粒子填料,化学名称为水合二氧化硅,是微细粉末状或超细粒子状的二氧化硅,分散性能好,比表面积大,密度2.319-2.653克/平方厘米,熔点1750℃.硅石与碱加温合成反应,经过滤,滤液与盐、盐酸反应后,再经过滤、洗涤、干燥、表面改性、超细粉碎、计量包装得纳米级白碳黑产品。即:硅石、碱→加温合成反映→过滤→盐、盐酸反应→过滤→洗涤→干燥→表面改性→超细粉碎→计量包装→成品纳米级白碳黑。技术的应用领域前景分析:纳米级白碳黑由于耐酸、耐碱、耐高温及良好的电绝缘性能和分散性,因而广泛用于橡胶、塑料的耐磨填充剂、油墨的增稠剂、油漆涂料的添加剂、合成润滑脂和硅脂稠化剂、制革业的平光剂、农药的分散剂、造纸的填充剂、合成树脂的添加剂、电子电器工业绝缘热填料及日用化工原料等行业,同时还用于聚丙稀无毒聚氯乙烯塑料薄膜的开口剂,农药、医药的防结块剂和载体。纳米级白碳黑是一种超细微粒、轻质白色填充剂,产品应用广泛,需求的行业多,市场销售形势好,国内需求量70%依赖于进口货源,销售前景十分广阔,不存在市场销售不畅的问题。经济收益分析:按年产6000吨纳米级白碳黑计算,年产值2.1亿元,年利润8972.42万元,年纳税1680万元,一年时间可收回总投资.并可解决400个待业人员.厂房条件建议:1)土地面积150亩 1500万元2)库房厂房及生活用房20000平方米 1000万元3)600千伏安变压器及设施一套 500万元4)供水设施一套 100万元合 计: 3100万元
纳米活性二氧化硅的制备与应用
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
纳米活性二氧化硅的制备与应用 纳米二氧化硅是纳米材料中的重要成员之一,由于其分散性好,比表面积高,光学性能和化学稳定性优良,使其具有许多奇异的性能,从而成为材料科学领域中的研究热点,并被誉为21世纪最有发展前景的新材料。 本项目以工业水玻璃为原料,在沉淀工序下加入添加剂,通过原位湿法改性,并结合工艺参数条件的优化,来调控二氧化硅颗粒尺寸分布及形貌,所制备出的二氧化硅具有粒径分布窄、分散性好、比表面积高等诸多特性。另外本项目通过设计合成新型的添加剂,生产出种类繁多新颖的具有特殊功能的新材料,将二氧化硅功能化,使其具有更加广阔的应用空间,广泛应用于橡胶、涂料、塑料、油墨、油漆、颜料等领域,在造纸、耐高温材料等方面也极具应用前景。所依托的相关的发明专利有:201010127620。3和201010127618。6
低温烧结二氧化硅基复合陶瓷及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:采矿业
技术简介
一、发明创造简介: 一种低温烧结二氧化硅基复合陶瓷,用通式(1-x)Sio2-xLi2Yio3表示的材料组成,式中x的取值为0.055~1300℃,与二氧化硅陶瓷的烧结温度1550℃,相比明显降低,克服了陶瓷材料谐振频率温度系数偏大的缺点,保证了材料的温度稳定性。本发明制备方法所用原料丰富、成本低廉,有利于工业化生产,可广泛应用于微波基板、导弹天线罩等微波器件的制造。 二、创新点: 本发明通过在二氧化硅中添加烧结助剂Li2TiO3,使陶瓷的烧结温度由1550℃降至1050~1300℃,且克服了陶瓷材料谐振频率温度系数偏大的缺点,保证了材料的温度稳定性。 三、发明的应用价值和市场前景: 本发明制备方法所用原料丰富、成本低廉,有利于工业化生产,可广泛应用于微波基板、导弹天线罩等微波器件的制造。
硅片直接键合技术
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
技术投资分析:硅片直接键合(Silicon Wafer Direct Bonding, 缩写为SDB)是指二片镜面抛光硅片经过适当表面清洗与处理,可以在室温下直接键合,再经加热增加其键合强度而成为一个整体。键合前,硅片表面不需任何粘结剂,键合过程中,也不需在硅片表面施加外力。SDB技术的特征在于它与半导体及集成电路加工技术的兼容性和自身的灵活性。VLSI的发展使硅片表面更为光滑、平整与洁净,这种发展与SDB对硅片本身的要求完全一致;SDB的灵活性表现在可以实现不同晶向、不同掺杂类型、不同杂质浓度、不同硅片厚度和带有SiO2的键合。SDB技术使硅材料和VLSI技术的潜力得到了充分地发挥。本项目发明了等离子体表面处理技术和化学表面处理技术,实现了硅/硅、硅/二氧化硅、二氧化硅/二氧化硅的硅片直接键合;提出了键合界面气体横向扩散的空洞消除机制;提出并优化了两步键合技术。键合结果表明:键合面积?95%,键合强度大于体硅强度。针对电力电子器件的衬底材料、绝缘体上硅(SOI)材料、微传感器等制备需要,提出并实现了快速热键合技术,结果使键合界面杂质互扩散很少;提出并实现了掺TCE二氧化硅作为埋层的SOI键合技术,结果使键合界面电荷与一般MOS器件接近。发明了耗尽层边缘作为腐蚀停止界面的减薄技术,实现了小尺寸键合SOI硅片的减薄。针对硅片直接键合技术的批量工业应用,广泛开展了界面杂质扩散、界面电荷、界面空洞、界面应力的表征和测试技术研究技术的应用领域前景分析:SDB技术的特征在于它与半导体及集成电路加工技术的兼容性和自身的灵活性. VLSI的发展使硅片表面更为光滑、平整与洁净,这种发展与SDB对硅片本身的要求完全一致;SDB的灵活性表现在可以实现不同晶向、不同掺杂类型、不同杂质浓度、不同硅片厚度和带有SiO2的键合。SDB技术使硅材料和VLSI技术的潜力得到了充分地发挥。针对硅片直接键合技术的批量工业应用,广泛开展了界面杂质扩散、界面电荷、界面空洞、界面应力的表征和测试技术研究。效益分析:经济效益巨大。厂房条件建议:无备注:无
硅片直接键合技术
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:采矿业
技术简介
技术投资分析:硅片直接键合(Silicon Wafer Direct Bonding, 缩写为SDB)是指二片镜面抛光硅片经过适当表面清洗与处理,可以在室温下直接键合,再经加热增加其键合强度而成为一个整体。键合前,硅片表面不需任何粘结剂,键合过程中,也不需在硅片表面施加外力。SDB技术的特征在于它与半导体及集成电路加工技术的兼容性和自身的灵活性。VLSI的发展使硅片表面更为光滑、平整与洁净,这种发展与SDB对硅片本身的要求完全一致;SDB的灵活性表现在可以实现不同晶向、不同掺杂类型、不同杂质浓度、不同硅片厚度和带有SiO2的键合。SDB技术使硅材料和VLSI技术的潜力得到了充分地发挥。项目发明了等离子体表面处理技术和化学表面处理技术,实现了硅/硅、硅/二氧化硅、二氧化硅/二氧化硅的硅片直接键合;提出了键合界面气体横向扩散的空洞消除机制;提出并优化了两步键合技术。键合结果表明:键合面积?95%,键合强度大于体硅强度。针对电力电子器件的衬底材料、绝缘体上硅(SOI)材料、微传感器等制备需要,提出并实现了快速热键合技术,结果使键合界面杂质互扩散很少;提出并实现了掺TCE二氧化硅作为埋层的SOI键合技术,结果使键合界面电荷与一般MOS器件接近。发明了耗尽层边缘作为腐蚀停止界面的减薄技术,实现了小尺寸键合SOI硅片的减薄。针对硅片直接键合技术的批量工业应用,广泛开展了界面杂质扩散、界面电荷、界面空洞、界面应力的表征和测试技术研究技术的应用领域前景分析:SDB技术的特征在于它与半导体及集成电路加工技术的兼容性和自身的灵活性. VLSI的发展使硅片表面更为光滑、平整与洁净,这种发展与SDB对硅片本身的要求完全一致;SDB的灵活性表现在可以实现不同晶向、不同掺杂类型、不同杂质浓度、不同硅片厚度和带有SiO2的键合。SDB技术使硅材料和VLSI技术的潜力得到了充分地发挥。针对硅片直接键合技术的批量工业应用,广泛开展了界面杂质扩散、界面电荷、界面空洞、界面应力的表征和测试技术研究。效益分析:市场需求大,投资回收快,经济效益巨大。厂房条件建议:无备注:无
硼泥、菱镁矿和滑石矿制备氧化镁、二氧化硅的方法
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
两种综合利用硼泥、菱镁矿和滑石矿制备氧化镁、二氧化硅的绿色冶金方法,该方法包括:(一),(1)磨细,(2)磁选除铁,(3)酸处理,(4)碱处理,(5)制备氧化镁,(6)碳酸化分解制备二氧化硅;(二),(1)磨细,(2)磁选除铁,(3)碱处理,(4)水浸处理,(5)过滤分离,(6)制备氧化镁,(7)碳酸化分解制备二氧化硅。本发明的优点:本发明方法使反应介质全部循环利用,工艺流程简单、设备简便,没有固、液、气废弃物的排放,不造成二次污染,能够以较低的成本实现对硼泥、菱镁矿和滑石矿中的镁、硅的高附加值综合利用。
一种纳米活性二氧化硅的制备与应用技术
成熟度:通过小试
技术类型:发明,发明
应用行业:制造业
技术简介
纳米二氧化硅是纳米材料中的重要成员之一,由于其分散性好,比表面积高,光学性能和化学稳定性优良,使其具有许多奇异的性能,从而成为材料科学领域中的研究热点,并被誉为21世纪最有发展前景的新材料。 本项目以工业水玻璃为原料,在沉淀工序下加入添加剂,通过原位湿法改性,并结合工艺参数条件的优化,来调控二氧化硅颗粒尺寸分布及形貌,所制备出的二氧化硅具有粒径分布窄、分散性好、比表面积高等诸多特性。另外本项目通过设计合成新型的添加剂,生产出种类繁多新颖的具有特殊功能的新材料,将二氧化硅功能化,使其具有更加广阔的应用空间,广泛应用于橡胶、涂料、塑料、油墨、油漆、颜料等领域,在造纸、耐高温材料等方面也极具应用前景。
一种以竹叶为原料制备纳米二氧化硅的方法及所制备得到的纳米二氧化硅
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明提供一种以竹叶为原料制备纳米二氧化硅的方法,该方法包括以下步骤:将竹子脱落竹叶清洗和干燥;称取清洗和干燥后的竹叶置于盐酸溶液中煮沸;将盐酸煮沸处理后的竹叶清洗和干燥,在空气气氛下以0.5~30℃/min的升温速度升至200-1000℃退火处理0.5-10h,然后随炉冷却后得到白色纳米二氧化硅颗粒粉末。本发明以竹叶为原料,大量的使用了废弃的竹叶,有效减少了化学原料的使用量,具有成本低、工艺简单、环境友好等优势。本发明所制备的二氧化硅综合性能优异,纯度高达99%以上,比表面积为150-250m2/g,粒径均匀,径约为10-30nm,因此本发明在可在工业上大规模生产和应用。
一种低CO2选择性CO加氢制烯烃的核壳催化剂及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种具有核壳结构和疏水功能的金属氧化物催化剂,用于CO加氢制乙烯、丙烯、丁烯的高选择性生成,同时有效降低CO2选择性。本发明以水热合成的方法将二氧化硅包覆在金属氧化物活性组分中,形成核壳结构,金属氧化物为核,二氧化硅为壳层。选用二氧化硅作为有机基团改性的桥梁,借助于二氧化硅表面Si‑OH与有机硅烷试剂发生的硅烷化反应,实现了疏水基团的嫁接。制备的铁基催化剂保留了其高活性优势,还增添了有机基团的疏水性能、削弱了空间位阻,对制备烯烃作用显著。有机基团的疏水性对抑制WGS反应起到了很好的效果,CO2生成量明显降低。本发明制备方法简单,重复性好,对环境友好,反应寿命长,具有潜在的经济价值。
找到198项技术成果数据。
找技术 >硅片直接键合技术
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:采矿业
技术简介
硅片直接键合(Silicon Wafer Direct Bonding, 缩写为SDB)是指二片镜面抛光硅片经过适当表面清洗与处理,可以在室温下直接键合,再经加热增加其键合强度而成为一个整体。键合前,硅片表面不需任何粘结剂,键合过程中,也不需在硅片表面施加外力。SDB 技术的特征在于它与半导体及集成电路加工技术的兼容性和自身的灵活性。VLSI的发展使硅片表面更为光滑、平整与洁净,这种发展与SDB 对硅片本身的要求完全一致;SDB 的灵活性表现在可以实现不同晶向、不同掺杂类型、不同杂质浓度、不同硅片厚度和带有SiO2 的键合。SDB 技术使硅材料和VLSI 技术的潜力得到了充分地发挥。项目发明了等离子体表面处理技术和化学表面处理技术,实现了硅/硅、硅/二氧化硅、二氧化硅/二氧化硅的硅片直接键合;提出了键合界面气体横向扩散的空洞消除机制;提出并优化了两步键合技术。键合结果表明:键合面积95%,键合强度大于体硅强度。针对电力电子器件的衬底材料、绝缘体上硅(SOI)材料、微传感器等制备需要,提出并实现了快速热键合技术,结果使键合界面杂质互扩散很少;提出并实现了掺TCE二氧化硅作为埋层的SOI 键合技术,结果使键合界面电荷与一般MOS 器件接近。发明了耗尽层边缘作为腐蚀停止界面的减薄技术,实现了小尺寸键合SOI 硅片的减薄。针对硅片直接键合技术的批量工业应用,广泛开展了界面杂质扩散、界面电荷、界面空洞、界面应力的表征和测试技术研究。
建设年产6000吨纳米级白炭黑
成熟度:通过中试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
技术简介:我所研制的纳米级白碳黑是一种人工合成的无定性二氧化硅超微粒子填料,化学名称为水合二氧化硅,是微细粉末状或超细粒子状的二氧化硅,分散性能好,比表面积大,密度2.319-2.653克/平方厘米,熔点1750℃.硅石与碱加温合成反应,经过滤,滤液与盐、盐酸反应后,再经过滤、洗涤、干燥、表面改性、超细粉碎、计量包装得纳米级白碳黑产品。即:硅石、碱→加温合成反映→过滤→盐、盐酸反应→过滤→洗涤→干燥→表面改性→超细粉碎→计量包装→成品纳米级白碳黑。技术的应用领域前景分析:纳米级白碳黑由于耐酸、耐碱、耐高温及良好的电绝缘性能和分散性,因而广泛用于橡胶、塑料的耐磨填充剂、油墨的增稠剂、油漆涂料的添加剂、合成润滑脂和硅脂稠化剂、制革业的平光剂、农药的分散剂、造纸的填充剂、合成树脂的添加剂、电子电器工业绝缘热填料及日用化工原料等行业,同时还用于聚丙稀无毒聚氯乙烯塑料薄膜的开口剂,农药、医药的防结块剂和载体。纳米级白碳黑是一种超细微粒、轻质白色填充剂,产品应用广泛,需求的行业多,市场销售形势好,国内需求量70%依赖于进口货源,销售前景十分广阔,不存在市场销售不畅的问题。经济收益分析:按年产6000吨纳米级白碳黑计算,年产值2.1亿元,年利润8972.42万元,年纳税1680万元,一年时间可收回总投资.并可解决400个待业人员.厂房条件建议:1)土地面积150亩 1500万元2)库房厂房及生活用房20000平方米 1000万元3)600千伏安变压器及设施一套 500万元4)供水设施一套 100万元合 计: 3100万元
纳米活性二氧化硅的制备与应用
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
纳米活性二氧化硅的制备与应用 纳米二氧化硅是纳米材料中的重要成员之一,由于其分散性好,比表面积高,光学性能和化学稳定性优良,使其具有许多奇异的性能,从而成为材料科学领域中的研究热点,并被誉为21世纪最有发展前景的新材料。 本项目以工业水玻璃为原料,在沉淀工序下加入添加剂,通过原位湿法改性,并结合工艺参数条件的优化,来调控二氧化硅颗粒尺寸分布及形貌,所制备出的二氧化硅具有粒径分布窄、分散性好、比表面积高等诸多特性。另外本项目通过设计合成新型的添加剂,生产出种类繁多新颖的具有特殊功能的新材料,将二氧化硅功能化,使其具有更加广阔的应用空间,广泛应用于橡胶、涂料、塑料、油墨、油漆、颜料等领域,在造纸、耐高温材料等方面也极具应用前景。所依托的相关的发明专利有:201010127620。3和201010127618。6
低温烧结二氧化硅基复合陶瓷及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:采矿业
技术简介
一、发明创造简介: 一种低温烧结二氧化硅基复合陶瓷,用通式(1-x)Sio2-xLi2Yio3表示的材料组成,式中x的取值为0.055~1300℃,与二氧化硅陶瓷的烧结温度1550℃,相比明显降低,克服了陶瓷材料谐振频率温度系数偏大的缺点,保证了材料的温度稳定性。本发明制备方法所用原料丰富、成本低廉,有利于工业化生产,可广泛应用于微波基板、导弹天线罩等微波器件的制造。 二、创新点: 本发明通过在二氧化硅中添加烧结助剂Li2TiO3,使陶瓷的烧结温度由1550℃降至1050~1300℃,且克服了陶瓷材料谐振频率温度系数偏大的缺点,保证了材料的温度稳定性。 三、发明的应用价值和市场前景: 本发明制备方法所用原料丰富、成本低廉,有利于工业化生产,可广泛应用于微波基板、导弹天线罩等微波器件的制造。
硅片直接键合技术
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
技术投资分析:硅片直接键合(Silicon Wafer Direct Bonding, 缩写为SDB)是指二片镜面抛光硅片经过适当表面清洗与处理,可以在室温下直接键合,再经加热增加其键合强度而成为一个整体。键合前,硅片表面不需任何粘结剂,键合过程中,也不需在硅片表面施加外力。SDB技术的特征在于它与半导体及集成电路加工技术的兼容性和自身的灵活性。VLSI的发展使硅片表面更为光滑、平整与洁净,这种发展与SDB对硅片本身的要求完全一致;SDB的灵活性表现在可以实现不同晶向、不同掺杂类型、不同杂质浓度、不同硅片厚度和带有SiO2的键合。SDB技术使硅材料和VLSI技术的潜力得到了充分地发挥。本项目发明了等离子体表面处理技术和化学表面处理技术,实现了硅/硅、硅/二氧化硅、二氧化硅/二氧化硅的硅片直接键合;提出了键合界面气体横向扩散的空洞消除机制;提出并优化了两步键合技术。键合结果表明:键合面积?95%,键合强度大于体硅强度。针对电力电子器件的衬底材料、绝缘体上硅(SOI)材料、微传感器等制备需要,提出并实现了快速热键合技术,结果使键合界面杂质互扩散很少;提出并实现了掺TCE二氧化硅作为埋层的SOI键合技术,结果使键合界面电荷与一般MOS器件接近。发明了耗尽层边缘作为腐蚀停止界面的减薄技术,实现了小尺寸键合SOI硅片的减薄。针对硅片直接键合技术的批量工业应用,广泛开展了界面杂质扩散、界面电荷、界面空洞、界面应力的表征和测试技术研究技术的应用领域前景分析:SDB技术的特征在于它与半导体及集成电路加工技术的兼容性和自身的灵活性. VLSI的发展使硅片表面更为光滑、平整与洁净,这种发展与SDB对硅片本身的要求完全一致;SDB的灵活性表现在可以实现不同晶向、不同掺杂类型、不同杂质浓度、不同硅片厚度和带有SiO2的键合。SDB技术使硅材料和VLSI技术的潜力得到了充分地发挥。针对硅片直接键合技术的批量工业应用,广泛开展了界面杂质扩散、界面电荷、界面空洞、界面应力的表征和测试技术研究。效益分析:经济效益巨大。厂房条件建议:无备注:无
硅片直接键合技术
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:采矿业
技术简介
技术投资分析:硅片直接键合(Silicon Wafer Direct Bonding, 缩写为SDB)是指二片镜面抛光硅片经过适当表面清洗与处理,可以在室温下直接键合,再经加热增加其键合强度而成为一个整体。键合前,硅片表面不需任何粘结剂,键合过程中,也不需在硅片表面施加外力。SDB技术的特征在于它与半导体及集成电路加工技术的兼容性和自身的灵活性。VLSI的发展使硅片表面更为光滑、平整与洁净,这种发展与SDB对硅片本身的要求完全一致;SDB的灵活性表现在可以实现不同晶向、不同掺杂类型、不同杂质浓度、不同硅片厚度和带有SiO2的键合。SDB技术使硅材料和VLSI技术的潜力得到了充分地发挥。项目发明了等离子体表面处理技术和化学表面处理技术,实现了硅/硅、硅/二氧化硅、二氧化硅/二氧化硅的硅片直接键合;提出了键合界面气体横向扩散的空洞消除机制;提出并优化了两步键合技术。键合结果表明:键合面积?95%,键合强度大于体硅强度。针对电力电子器件的衬底材料、绝缘体上硅(SOI)材料、微传感器等制备需要,提出并实现了快速热键合技术,结果使键合界面杂质互扩散很少;提出并实现了掺TCE二氧化硅作为埋层的SOI键合技术,结果使键合界面电荷与一般MOS器件接近。发明了耗尽层边缘作为腐蚀停止界面的减薄技术,实现了小尺寸键合SOI硅片的减薄。针对硅片直接键合技术的批量工业应用,广泛开展了界面杂质扩散、界面电荷、界面空洞、界面应力的表征和测试技术研究技术的应用领域前景分析:SDB技术的特征在于它与半导体及集成电路加工技术的兼容性和自身的灵活性. VLSI的发展使硅片表面更为光滑、平整与洁净,这种发展与SDB对硅片本身的要求完全一致;SDB的灵活性表现在可以实现不同晶向、不同掺杂类型、不同杂质浓度、不同硅片厚度和带有SiO2的键合。SDB技术使硅材料和VLSI技术的潜力得到了充分地发挥。针对硅片直接键合技术的批量工业应用,广泛开展了界面杂质扩散、界面电荷、界面空洞、界面应力的表征和测试技术研究。效益分析:市场需求大,投资回收快,经济效益巨大。厂房条件建议:无备注:无
硼泥、菱镁矿和滑石矿制备氧化镁、二氧化硅的方法
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
两种综合利用硼泥、菱镁矿和滑石矿制备氧化镁、二氧化硅的绿色冶金方法,该方法包括:(一),(1)磨细,(2)磁选除铁,(3)酸处理,(4)碱处理,(5)制备氧化镁,(6)碳酸化分解制备二氧化硅;(二),(1)磨细,(2)磁选除铁,(3)碱处理,(4)水浸处理,(5)过滤分离,(6)制备氧化镁,(7)碳酸化分解制备二氧化硅。本发明的优点:本发明方法使反应介质全部循环利用,工艺流程简单、设备简便,没有固、液、气废弃物的排放,不造成二次污染,能够以较低的成本实现对硼泥、菱镁矿和滑石矿中的镁、硅的高附加值综合利用。
一种纳米活性二氧化硅的制备与应用技术
成熟度:通过小试
技术类型:发明,发明
应用行业:制造业
技术简介
纳米二氧化硅是纳米材料中的重要成员之一,由于其分散性好,比表面积高,光学性能和化学稳定性优良,使其具有许多奇异的性能,从而成为材料科学领域中的研究热点,并被誉为21世纪最有发展前景的新材料。 本项目以工业水玻璃为原料,在沉淀工序下加入添加剂,通过原位湿法改性,并结合工艺参数条件的优化,来调控二氧化硅颗粒尺寸分布及形貌,所制备出的二氧化硅具有粒径分布窄、分散性好、比表面积高等诸多特性。另外本项目通过设计合成新型的添加剂,生产出种类繁多新颖的具有特殊功能的新材料,将二氧化硅功能化,使其具有更加广阔的应用空间,广泛应用于橡胶、涂料、塑料、油墨、油漆、颜料等领域,在造纸、耐高温材料等方面也极具应用前景。
一种以竹叶为原料制备纳米二氧化硅的方法及所制备得到的纳米二氧化硅
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明提供一种以竹叶为原料制备纳米二氧化硅的方法,该方法包括以下步骤:将竹子脱落竹叶清洗和干燥;称取清洗和干燥后的竹叶置于盐酸溶液中煮沸;将盐酸煮沸处理后的竹叶清洗和干燥,在空气气氛下以0.5~30℃/min的升温速度升至200-1000℃退火处理0.5-10h,然后随炉冷却后得到白色纳米二氧化硅颗粒粉末。本发明以竹叶为原料,大量的使用了废弃的竹叶,有效减少了化学原料的使用量,具有成本低、工艺简单、环境友好等优势。本发明所制备的二氧化硅综合性能优异,纯度高达99%以上,比表面积为150-250m2/g,粒径均匀,径约为10-30nm,因此本发明在可在工业上大规模生产和应用。
一种低CO2选择性CO加氢制烯烃的核壳催化剂及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种具有核壳结构和疏水功能的金属氧化物催化剂,用于CO加氢制乙烯、丙烯、丁烯的高选择性生成,同时有效降低CO2选择性。本发明以水热合成的方法将二氧化硅包覆在金属氧化物活性组分中,形成核壳结构,金属氧化物为核,二氧化硅为壳层。选用二氧化硅作为有机基团改性的桥梁,借助于二氧化硅表面Si‑OH与有机硅烷试剂发生的硅烷化反应,实现了疏水基团的嫁接。制备的铁基催化剂保留了其高活性优势,还增添了有机基团的疏水性能、削弱了空间位阻,对制备烯烃作用显著。有机基团的疏水性对抑制WGS反应起到了很好的效果,CO2生成量明显降低。本发明制备方法简单,重复性好,对环境友好,反应寿命长,具有潜在的经济价值。
找到198项技术成果数据。
找技术 >硅片直接键合技术
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:采矿业
技术简介
硅片直接键合(Silicon Wafer Direct Bonding, 缩写为SDB)是指二片镜面抛光硅片经过适当表面清洗与处理,可以在室温下直接键合,再经加热增加其键合强度而成为一个整体。键合前,硅片表面不需任何粘结剂,键合过程中,也不需在硅片表面施加外力。SDB 技术的特征在于它与半导体及集成电路加工技术的兼容性和自身的灵活性。VLSI的发展使硅片表面更为光滑、平整与洁净,这种发展与SDB 对硅片本身的要求完全一致;SDB 的灵活性表现在可以实现不同晶向、不同掺杂类型、不同杂质浓度、不同硅片厚度和带有SiO2 的键合。SDB 技术使硅材料和VLSI 技术的潜力得到了充分地发挥。项目发明了等离子体表面处理技术和化学表面处理技术,实现了硅/硅、硅/二氧化硅、二氧化硅/二氧化硅的硅片直接键合;提出了键合界面气体横向扩散的空洞消除机制;提出并优化了两步键合技术。键合结果表明:键合面积95%,键合强度大于体硅强度。针对电力电子器件的衬底材料、绝缘体上硅(SOI)材料、微传感器等制备需要,提出并实现了快速热键合技术,结果使键合界面杂质互扩散很少;提出并实现了掺TCE二氧化硅作为埋层的SOI 键合技术,结果使键合界面电荷与一般MOS 器件接近。发明了耗尽层边缘作为腐蚀停止界面的减薄技术,实现了小尺寸键合SOI 硅片的减薄。针对硅片直接键合技术的批量工业应用,广泛开展了界面杂质扩散、界面电荷、界面空洞、界面应力的表征和测试技术研究。
建设年产6000吨纳米级白炭黑
成熟度:通过中试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
技术简介:我所研制的纳米级白碳黑是一种人工合成的无定性二氧化硅超微粒子填料,化学名称为水合二氧化硅,是微细粉末状或超细粒子状的二氧化硅,分散性能好,比表面积大,密度2.319-2.653克/平方厘米,熔点1750℃.硅石与碱加温合成反应,经过滤,滤液与盐、盐酸反应后,再经过滤、洗涤、干燥、表面改性、超细粉碎、计量包装得纳米级白碳黑产品。即:硅石、碱→加温合成反映→过滤→盐、盐酸反应→过滤→洗涤→干燥→表面改性→超细粉碎→计量包装→成品纳米级白碳黑。技术的应用领域前景分析:纳米级白碳黑由于耐酸、耐碱、耐高温及良好的电绝缘性能和分散性,因而广泛用于橡胶、塑料的耐磨填充剂、油墨的增稠剂、油漆涂料的添加剂、合成润滑脂和硅脂稠化剂、制革业的平光剂、农药的分散剂、造纸的填充剂、合成树脂的添加剂、电子电器工业绝缘热填料及日用化工原料等行业,同时还用于聚丙稀无毒聚氯乙烯塑料薄膜的开口剂,农药、医药的防结块剂和载体。纳米级白碳黑是一种超细微粒、轻质白色填充剂,产品应用广泛,需求的行业多,市场销售形势好,国内需求量70%依赖于进口货源,销售前景十分广阔,不存在市场销售不畅的问题。经济收益分析:按年产6000吨纳米级白碳黑计算,年产值2.1亿元,年利润8972.42万元,年纳税1680万元,一年时间可收回总投资.并可解决400个待业人员.厂房条件建议:1)土地面积150亩 1500万元2)库房厂房及生活用房20000平方米 1000万元3)600千伏安变压器及设施一套 500万元4)供水设施一套 100万元合 计: 3100万元
纳米活性二氧化硅的制备与应用
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
纳米活性二氧化硅的制备与应用 纳米二氧化硅是纳米材料中的重要成员之一,由于其分散性好,比表面积高,光学性能和化学稳定性优良,使其具有许多奇异的性能,从而成为材料科学领域中的研究热点,并被誉为21世纪最有发展前景的新材料。 本项目以工业水玻璃为原料,在沉淀工序下加入添加剂,通过原位湿法改性,并结合工艺参数条件的优化,来调控二氧化硅颗粒尺寸分布及形貌,所制备出的二氧化硅具有粒径分布窄、分散性好、比表面积高等诸多特性。另外本项目通过设计合成新型的添加剂,生产出种类繁多新颖的具有特殊功能的新材料,将二氧化硅功能化,使其具有更加广阔的应用空间,广泛应用于橡胶、涂料、塑料、油墨、油漆、颜料等领域,在造纸、耐高温材料等方面也极具应用前景。所依托的相关的发明专利有:201010127620。3和201010127618。6
低温烧结二氧化硅基复合陶瓷及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:采矿业
技术简介
一、发明创造简介: 一种低温烧结二氧化硅基复合陶瓷,用通式(1-x)Sio2-xLi2Yio3表示的材料组成,式中x的取值为0.055~1300℃,与二氧化硅陶瓷的烧结温度1550℃,相比明显降低,克服了陶瓷材料谐振频率温度系数偏大的缺点,保证了材料的温度稳定性。本发明制备方法所用原料丰富、成本低廉,有利于工业化生产,可广泛应用于微波基板、导弹天线罩等微波器件的制造。 二、创新点: 本发明通过在二氧化硅中添加烧结助剂Li2TiO3,使陶瓷的烧结温度由1550℃降至1050~1300℃,且克服了陶瓷材料谐振频率温度系数偏大的缺点,保证了材料的温度稳定性。 三、发明的应用价值和市场前景: 本发明制备方法所用原料丰富、成本低廉,有利于工业化生产,可广泛应用于微波基板、导弹天线罩等微波器件的制造。
硅片直接键合技术
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
技术投资分析:硅片直接键合(Silicon Wafer Direct Bonding, 缩写为SDB)是指二片镜面抛光硅片经过适当表面清洗与处理,可以在室温下直接键合,再经加热增加其键合强度而成为一个整体。键合前,硅片表面不需任何粘结剂,键合过程中,也不需在硅片表面施加外力。SDB技术的特征在于它与半导体及集成电路加工技术的兼容性和自身的灵活性。VLSI的发展使硅片表面更为光滑、平整与洁净,这种发展与SDB对硅片本身的要求完全一致;SDB的灵活性表现在可以实现不同晶向、不同掺杂类型、不同杂质浓度、不同硅片厚度和带有SiO2的键合。SDB技术使硅材料和VLSI技术的潜力得到了充分地发挥。本项目发明了等离子体表面处理技术和化学表面处理技术,实现了硅/硅、硅/二氧化硅、二氧化硅/二氧化硅的硅片直接键合;提出了键合界面气体横向扩散的空洞消除机制;提出并优化了两步键合技术。键合结果表明:键合面积?95%,键合强度大于体硅强度。针对电力电子器件的衬底材料、绝缘体上硅(SOI)材料、微传感器等制备需要,提出并实现了快速热键合技术,结果使键合界面杂质互扩散很少;提出并实现了掺TCE二氧化硅作为埋层的SOI键合技术,结果使键合界面电荷与一般MOS器件接近。发明了耗尽层边缘作为腐蚀停止界面的减薄技术,实现了小尺寸键合SOI硅片的减薄。针对硅片直接键合技术的批量工业应用,广泛开展了界面杂质扩散、界面电荷、界面空洞、界面应力的表征和测试技术研究技术的应用领域前景分析:SDB技术的特征在于它与半导体及集成电路加工技术的兼容性和自身的灵活性. VLSI的发展使硅片表面更为光滑、平整与洁净,这种发展与SDB对硅片本身的要求完全一致;SDB的灵活性表现在可以实现不同晶向、不同掺杂类型、不同杂质浓度、不同硅片厚度和带有SiO2的键合。SDB技术使硅材料和VLSI技术的潜力得到了充分地发挥。针对硅片直接键合技术的批量工业应用,广泛开展了界面杂质扩散、界面电荷、界面空洞、界面应力的表征和测试技术研究。效益分析:经济效益巨大。厂房条件建议:无备注:无
硅片直接键合技术
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:采矿业
技术简介
技术投资分析:硅片直接键合(Silicon Wafer Direct Bonding, 缩写为SDB)是指二片镜面抛光硅片经过适当表面清洗与处理,可以在室温下直接键合,再经加热增加其键合强度而成为一个整体。键合前,硅片表面不需任何粘结剂,键合过程中,也不需在硅片表面施加外力。SDB技术的特征在于它与半导体及集成电路加工技术的兼容性和自身的灵活性。VLSI的发展使硅片表面更为光滑、平整与洁净,这种发展与SDB对硅片本身的要求完全一致;SDB的灵活性表现在可以实现不同晶向、不同掺杂类型、不同杂质浓度、不同硅片厚度和带有SiO2的键合。SDB技术使硅材料和VLSI技术的潜力得到了充分地发挥。项目发明了等离子体表面处理技术和化学表面处理技术,实现了硅/硅、硅/二氧化硅、二氧化硅/二氧化硅的硅片直接键合;提出了键合界面气体横向扩散的空洞消除机制;提出并优化了两步键合技术。键合结果表明:键合面积?95%,键合强度大于体硅强度。针对电力电子器件的衬底材料、绝缘体上硅(SOI)材料、微传感器等制备需要,提出并实现了快速热键合技术,结果使键合界面杂质互扩散很少;提出并实现了掺TCE二氧化硅作为埋层的SOI键合技术,结果使键合界面电荷与一般MOS器件接近。发明了耗尽层边缘作为腐蚀停止界面的减薄技术,实现了小尺寸键合SOI硅片的减薄。针对硅片直接键合技术的批量工业应用,广泛开展了界面杂质扩散、界面电荷、界面空洞、界面应力的表征和测试技术研究技术的应用领域前景分析:SDB技术的特征在于它与半导体及集成电路加工技术的兼容性和自身的灵活性. VLSI的发展使硅片表面更为光滑、平整与洁净,这种发展与SDB对硅片本身的要求完全一致;SDB的灵活性表现在可以实现不同晶向、不同掺杂类型、不同杂质浓度、不同硅片厚度和带有SiO2的键合。SDB技术使硅材料和VLSI技术的潜力得到了充分地发挥。针对硅片直接键合技术的批量工业应用,广泛开展了界面杂质扩散、界面电荷、界面空洞、界面应力的表征和测试技术研究。效益分析:市场需求大,投资回收快,经济效益巨大。厂房条件建议:无备注:无
硼泥、菱镁矿和滑石矿制备氧化镁、二氧化硅的方法
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
两种综合利用硼泥、菱镁矿和滑石矿制备氧化镁、二氧化硅的绿色冶金方法,该方法包括:(一),(1)磨细,(2)磁选除铁,(3)酸处理,(4)碱处理,(5)制备氧化镁,(6)碳酸化分解制备二氧化硅;(二),(1)磨细,(2)磁选除铁,(3)碱处理,(4)水浸处理,(5)过滤分离,(6)制备氧化镁,(7)碳酸化分解制备二氧化硅。本发明的优点:本发明方法使反应介质全部循环利用,工艺流程简单、设备简便,没有固、液、气废弃物的排放,不造成二次污染,能够以较低的成本实现对硼泥、菱镁矿和滑石矿中的镁、硅的高附加值综合利用。
一种纳米活性二氧化硅的制备与应用技术
成熟度:通过小试
技术类型:发明,发明
应用行业:制造业
技术简介
纳米二氧化硅是纳米材料中的重要成员之一,由于其分散性好,比表面积高,光学性能和化学稳定性优良,使其具有许多奇异的性能,从而成为材料科学领域中的研究热点,并被誉为21世纪最有发展前景的新材料。 本项目以工业水玻璃为原料,在沉淀工序下加入添加剂,通过原位湿法改性,并结合工艺参数条件的优化,来调控二氧化硅颗粒尺寸分布及形貌,所制备出的二氧化硅具有粒径分布窄、分散性好、比表面积高等诸多特性。另外本项目通过设计合成新型的添加剂,生产出种类繁多新颖的具有特殊功能的新材料,将二氧化硅功能化,使其具有更加广阔的应用空间,广泛应用于橡胶、涂料、塑料、油墨、油漆、颜料等领域,在造纸、耐高温材料等方面也极具应用前景。
一种以竹叶为原料制备纳米二氧化硅的方法及所制备得到的纳米二氧化硅
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明提供一种以竹叶为原料制备纳米二氧化硅的方法,该方法包括以下步骤:将竹子脱落竹叶清洗和干燥;称取清洗和干燥后的竹叶置于盐酸溶液中煮沸;将盐酸煮沸处理后的竹叶清洗和干燥,在空气气氛下以0.5~30℃/min的升温速度升至200-1000℃退火处理0.5-10h,然后随炉冷却后得到白色纳米二氧化硅颗粒粉末。本发明以竹叶为原料,大量的使用了废弃的竹叶,有效减少了化学原料的使用量,具有成本低、工艺简单、环境友好等优势。本发明所制备的二氧化硅综合性能优异,纯度高达99%以上,比表面积为150-250m2/g,粒径均匀,径约为10-30nm,因此本发明在可在工业上大规模生产和应用。
一种低CO2选择性CO加氢制烯烃的核壳催化剂及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种具有核壳结构和疏水功能的金属氧化物催化剂,用于CO加氢制乙烯、丙烯、丁烯的高选择性生成,同时有效降低CO2选择性。本发明以水热合成的方法将二氧化硅包覆在金属氧化物活性组分中,形成核壳结构,金属氧化物为核,二氧化硅为壳层。选用二氧化硅作为有机基团改性的桥梁,借助于二氧化硅表面Si‑OH与有机硅烷试剂发生的硅烷化反应,实现了疏水基团的嫁接。制备的铁基催化剂保留了其高活性优势,还增添了有机基团的疏水性能、削弱了空间位阻,对制备烯烃作用显著。有机基团的疏水性对抑制WGS反应起到了很好的效果,CO2生成量明显降低。本发明制备方法简单,重复性好,对环境友好,反应寿命长,具有潜在的经济价值。
找到198项技术成果数据。
找技术 >硅片直接键合技术
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:采矿业
技术简介
硅片直接键合(Silicon Wafer Direct Bonding, 缩写为SDB)是指二片镜面抛光硅片经过适当表面清洗与处理,可以在室温下直接键合,再经加热增加其键合强度而成为一个整体。键合前,硅片表面不需任何粘结剂,键合过程中,也不需在硅片表面施加外力。SDB 技术的特征在于它与半导体及集成电路加工技术的兼容性和自身的灵活性。VLSI的发展使硅片表面更为光滑、平整与洁净,这种发展与SDB 对硅片本身的要求完全一致;SDB 的灵活性表现在可以实现不同晶向、不同掺杂类型、不同杂质浓度、不同硅片厚度和带有SiO2 的键合。SDB 技术使硅材料和VLSI 技术的潜力得到了充分地发挥。项目发明了等离子体表面处理技术和化学表面处理技术,实现了硅/硅、硅/二氧化硅、二氧化硅/二氧化硅的硅片直接键合;提出了键合界面气体横向扩散的空洞消除机制;提出并优化了两步键合技术。键合结果表明:键合面积95%,键合强度大于体硅强度。针对电力电子器件的衬底材料、绝缘体上硅(SOI)材料、微传感器等制备需要,提出并实现了快速热键合技术,结果使键合界面杂质互扩散很少;提出并实现了掺TCE二氧化硅作为埋层的SOI 键合技术,结果使键合界面电荷与一般MOS 器件接近。发明了耗尽层边缘作为腐蚀停止界面的减薄技术,实现了小尺寸键合SOI 硅片的减薄。针对硅片直接键合技术的批量工业应用,广泛开展了界面杂质扩散、界面电荷、界面空洞、界面应力的表征和测试技术研究。
建设年产6000吨纳米级白炭黑
成熟度:通过中试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
技术简介:我所研制的纳米级白碳黑是一种人工合成的无定性二氧化硅超微粒子填料,化学名称为水合二氧化硅,是微细粉末状或超细粒子状的二氧化硅,分散性能好,比表面积大,密度2.319-2.653克/平方厘米,熔点1750℃.硅石与碱加温合成反应,经过滤,滤液与盐、盐酸反应后,再经过滤、洗涤、干燥、表面改性、超细粉碎、计量包装得纳米级白碳黑产品。即:硅石、碱→加温合成反映→过滤→盐、盐酸反应→过滤→洗涤→干燥→表面改性→超细粉碎→计量包装→成品纳米级白碳黑。技术的应用领域前景分析:纳米级白碳黑由于耐酸、耐碱、耐高温及良好的电绝缘性能和分散性,因而广泛用于橡胶、塑料的耐磨填充剂、油墨的增稠剂、油漆涂料的添加剂、合成润滑脂和硅脂稠化剂、制革业的平光剂、农药的分散剂、造纸的填充剂、合成树脂的添加剂、电子电器工业绝缘热填料及日用化工原料等行业,同时还用于聚丙稀无毒聚氯乙烯塑料薄膜的开口剂,农药、医药的防结块剂和载体。纳米级白碳黑是一种超细微粒、轻质白色填充剂,产品应用广泛,需求的行业多,市场销售形势好,国内需求量70%依赖于进口货源,销售前景十分广阔,不存在市场销售不畅的问题。经济收益分析:按年产6000吨纳米级白碳黑计算,年产值2.1亿元,年利润8972.42万元,年纳税1680万元,一年时间可收回总投资.并可解决400个待业人员.厂房条件建议:1)土地面积150亩 1500万元2)库房厂房及生活用房20000平方米 1000万元3)600千伏安变压器及设施一套 500万元4)供水设施一套 100万元合 计: 3100万元
纳米活性二氧化硅的制备与应用
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
纳米活性二氧化硅的制备与应用 纳米二氧化硅是纳米材料中的重要成员之一,由于其分散性好,比表面积高,光学性能和化学稳定性优良,使其具有许多奇异的性能,从而成为材料科学领域中的研究热点,并被誉为21世纪最有发展前景的新材料。 本项目以工业水玻璃为原料,在沉淀工序下加入添加剂,通过原位湿法改性,并结合工艺参数条件的优化,来调控二氧化硅颗粒尺寸分布及形貌,所制备出的二氧化硅具有粒径分布窄、分散性好、比表面积高等诸多特性。另外本项目通过设计合成新型的添加剂,生产出种类繁多新颖的具有特殊功能的新材料,将二氧化硅功能化,使其具有更加广阔的应用空间,广泛应用于橡胶、涂料、塑料、油墨、油漆、颜料等领域,在造纸、耐高温材料等方面也极具应用前景。所依托的相关的发明专利有:201010127620。3和201010127618。6
低温烧结二氧化硅基复合陶瓷及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:采矿业
技术简介
一、发明创造简介: 一种低温烧结二氧化硅基复合陶瓷,用通式(1-x)Sio2-xLi2Yio3表示的材料组成,式中x的取值为0.055~1300℃,与二氧化硅陶瓷的烧结温度1550℃,相比明显降低,克服了陶瓷材料谐振频率温度系数偏大的缺点,保证了材料的温度稳定性。本发明制备方法所用原料丰富、成本低廉,有利于工业化生产,可广泛应用于微波基板、导弹天线罩等微波器件的制造。 二、创新点: 本发明通过在二氧化硅中添加烧结助剂Li2TiO3,使陶瓷的烧结温度由1550℃降至1050~1300℃,且克服了陶瓷材料谐振频率温度系数偏大的缺点,保证了材料的温度稳定性。 三、发明的应用价值和市场前景: 本发明制备方法所用原料丰富、成本低廉,有利于工业化生产,可广泛应用于微波基板、导弹天线罩等微波器件的制造。
硅片直接键合技术
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
技术投资分析:硅片直接键合(Silicon Wafer Direct Bonding, 缩写为SDB)是指二片镜面抛光硅片经过适当表面清洗与处理,可以在室温下直接键合,再经加热增加其键合强度而成为一个整体。键合前,硅片表面不需任何粘结剂,键合过程中,也不需在硅片表面施加外力。SDB技术的特征在于它与半导体及集成电路加工技术的兼容性和自身的灵活性。VLSI的发展使硅片表面更为光滑、平整与洁净,这种发展与SDB对硅片本身的要求完全一致;SDB的灵活性表现在可以实现不同晶向、不同掺杂类型、不同杂质浓度、不同硅片厚度和带有SiO2的键合。SDB技术使硅材料和VLSI技术的潜力得到了充分地发挥。本项目发明了等离子体表面处理技术和化学表面处理技术,实现了硅/硅、硅/二氧化硅、二氧化硅/二氧化硅的硅片直接键合;提出了键合界面气体横向扩散的空洞消除机制;提出并优化了两步键合技术。键合结果表明:键合面积?95%,键合强度大于体硅强度。针对电力电子器件的衬底材料、绝缘体上硅(SOI)材料、微传感器等制备需要,提出并实现了快速热键合技术,结果使键合界面杂质互扩散很少;提出并实现了掺TCE二氧化硅作为埋层的SOI键合技术,结果使键合界面电荷与一般MOS器件接近。发明了耗尽层边缘作为腐蚀停止界面的减薄技术,实现了小尺寸键合SOI硅片的减薄。针对硅片直接键合技术的批量工业应用,广泛开展了界面杂质扩散、界面电荷、界面空洞、界面应力的表征和测试技术研究技术的应用领域前景分析:SDB技术的特征在于它与半导体及集成电路加工技术的兼容性和自身的灵活性. VLSI的发展使硅片表面更为光滑、平整与洁净,这种发展与SDB对硅片本身的要求完全一致;SDB的灵活性表现在可以实现不同晶向、不同掺杂类型、不同杂质浓度、不同硅片厚度和带有SiO2的键合。SDB技术使硅材料和VLSI技术的潜力得到了充分地发挥。针对硅片直接键合技术的批量工业应用,广泛开展了界面杂质扩散、界面电荷、界面空洞、界面应力的表征和测试技术研究。效益分析:经济效益巨大。厂房条件建议:无备注:无
硅片直接键合技术
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:采矿业
技术简介
技术投资分析:硅片直接键合(Silicon Wafer Direct Bonding, 缩写为SDB)是指二片镜面抛光硅片经过适当表面清洗与处理,可以在室温下直接键合,再经加热增加其键合强度而成为一个整体。键合前,硅片表面不需任何粘结剂,键合过程中,也不需在硅片表面施加外力。SDB技术的特征在于它与半导体及集成电路加工技术的兼容性和自身的灵活性。VLSI的发展使硅片表面更为光滑、平整与洁净,这种发展与SDB对硅片本身的要求完全一致;SDB的灵活性表现在可以实现不同晶向、不同掺杂类型、不同杂质浓度、不同硅片厚度和带有SiO2的键合。SDB技术使硅材料和VLSI技术的潜力得到了充分地发挥。项目发明了等离子体表面处理技术和化学表面处理技术,实现了硅/硅、硅/二氧化硅、二氧化硅/二氧化硅的硅片直接键合;提出了键合界面气体横向扩散的空洞消除机制;提出并优化了两步键合技术。键合结果表明:键合面积?95%,键合强度大于体硅强度。针对电力电子器件的衬底材料、绝缘体上硅(SOI)材料、微传感器等制备需要,提出并实现了快速热键合技术,结果使键合界面杂质互扩散很少;提出并实现了掺TCE二氧化硅作为埋层的SOI键合技术,结果使键合界面电荷与一般MOS器件接近。发明了耗尽层边缘作为腐蚀停止界面的减薄技术,实现了小尺寸键合SOI硅片的减薄。针对硅片直接键合技术的批量工业应用,广泛开展了界面杂质扩散、界面电荷、界面空洞、界面应力的表征和测试技术研究技术的应用领域前景分析:SDB技术的特征在于它与半导体及集成电路加工技术的兼容性和自身的灵活性. VLSI的发展使硅片表面更为光滑、平整与洁净,这种发展与SDB对硅片本身的要求完全一致;SDB的灵活性表现在可以实现不同晶向、不同掺杂类型、不同杂质浓度、不同硅片厚度和带有SiO2的键合。SDB技术使硅材料和VLSI技术的潜力得到了充分地发挥。针对硅片直接键合技术的批量工业应用,广泛开展了界面杂质扩散、界面电荷、界面空洞、界面应力的表征和测试技术研究。效益分析:市场需求大,投资回收快,经济效益巨大。厂房条件建议:无备注:无
硼泥、菱镁矿和滑石矿制备氧化镁、二氧化硅的方法
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
两种综合利用硼泥、菱镁矿和滑石矿制备氧化镁、二氧化硅的绿色冶金方法,该方法包括:(一),(1)磨细,(2)磁选除铁,(3)酸处理,(4)碱处理,(5)制备氧化镁,(6)碳酸化分解制备二氧化硅;(二),(1)磨细,(2)磁选除铁,(3)碱处理,(4)水浸处理,(5)过滤分离,(6)制备氧化镁,(7)碳酸化分解制备二氧化硅。本发明的优点:本发明方法使反应介质全部循环利用,工艺流程简单、设备简便,没有固、液、气废弃物的排放,不造成二次污染,能够以较低的成本实现对硼泥、菱镁矿和滑石矿中的镁、硅的高附加值综合利用。
一种纳米活性二氧化硅的制备与应用技术
成熟度:通过小试
技术类型:发明,发明
应用行业:制造业
技术简介
纳米二氧化硅是纳米材料中的重要成员之一,由于其分散性好,比表面积高,光学性能和化学稳定性优良,使其具有许多奇异的性能,从而成为材料科学领域中的研究热点,并被誉为21世纪最有发展前景的新材料。 本项目以工业水玻璃为原料,在沉淀工序下加入添加剂,通过原位湿法改性,并结合工艺参数条件的优化,来调控二氧化硅颗粒尺寸分布及形貌,所制备出的二氧化硅具有粒径分布窄、分散性好、比表面积高等诸多特性。另外本项目通过设计合成新型的添加剂,生产出种类繁多新颖的具有特殊功能的新材料,将二氧化硅功能化,使其具有更加广阔的应用空间,广泛应用于橡胶、涂料、塑料、油墨、油漆、颜料等领域,在造纸、耐高温材料等方面也极具应用前景。
一种以竹叶为原料制备纳米二氧化硅的方法及所制备得到的纳米二氧化硅
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明提供一种以竹叶为原料制备纳米二氧化硅的方法,该方法包括以下步骤:将竹子脱落竹叶清洗和干燥;称取清洗和干燥后的竹叶置于盐酸溶液中煮沸;将盐酸煮沸处理后的竹叶清洗和干燥,在空气气氛下以0.5~30℃/min的升温速度升至200-1000℃退火处理0.5-10h,然后随炉冷却后得到白色纳米二氧化硅颗粒粉末。本发明以竹叶为原料,大量的使用了废弃的竹叶,有效减少了化学原料的使用量,具有成本低、工艺简单、环境友好等优势。本发明所制备的二氧化硅综合性能优异,纯度高达99%以上,比表面积为150-250m2/g,粒径均匀,径约为10-30nm,因此本发明在可在工业上大规模生产和应用。
一种低CO2选择性CO加氢制烯烃的核壳催化剂及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种具有核壳结构和疏水功能的金属氧化物催化剂,用于CO加氢制乙烯、丙烯、丁烯的高选择性生成,同时有效降低CO2选择性。本发明以水热合成的方法将二氧化硅包覆在金属氧化物活性组分中,形成核壳结构,金属氧化物为核,二氧化硅为壳层。选用二氧化硅作为有机基团改性的桥梁,借助于二氧化硅表面Si‑OH与有机硅烷试剂发生的硅烷化反应,实现了疏水基团的嫁接。制备的铁基催化剂保留了其高活性优势,还增添了有机基团的疏水性能、削弱了空间位阻,对制备烯烃作用显著。有机基团的疏水性对抑制WGS反应起到了很好的效果,CO2生成量明显降低。本发明制备方法简单,重复性好,对环境友好,反应寿命长,具有潜在的经济价值。
找到198项技术成果数据。
找技术 >硅片直接键合技术
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:采矿业
技术简介
硅片直接键合(Silicon Wafer Direct Bonding, 缩写为SDB)是指二片镜面抛光硅片经过适当表面清洗与处理,可以在室温下直接键合,再经加热增加其键合强度而成为一个整体。键合前,硅片表面不需任何粘结剂,键合过程中,也不需在硅片表面施加外力。SDB 技术的特征在于它与半导体及集成电路加工技术的兼容性和自身的灵活性。VLSI的发展使硅片表面更为光滑、平整与洁净,这种发展与SDB 对硅片本身的要求完全一致;SDB 的灵活性表现在可以实现不同晶向、不同掺杂类型、不同杂质浓度、不同硅片厚度和带有SiO2 的键合。SDB 技术使硅材料和VLSI 技术的潜力得到了充分地发挥。项目发明了等离子体表面处理技术和化学表面处理技术,实现了硅/硅、硅/二氧化硅、二氧化硅/二氧化硅的硅片直接键合;提出了键合界面气体横向扩散的空洞消除机制;提出并优化了两步键合技术。键合结果表明:键合面积95%,键合强度大于体硅强度。针对电力电子器件的衬底材料、绝缘体上硅(SOI)材料、微传感器等制备需要,提出并实现了快速热键合技术,结果使键合界面杂质互扩散很少;提出并实现了掺TCE二氧化硅作为埋层的SOI 键合技术,结果使键合界面电荷与一般MOS 器件接近。发明了耗尽层边缘作为腐蚀停止界面的减薄技术,实现了小尺寸键合SOI 硅片的减薄。针对硅片直接键合技术的批量工业应用,广泛开展了界面杂质扩散、界面电荷、界面空洞、界面应力的表征和测试技术研究。
建设年产6000吨纳米级白炭黑
成熟度:通过中试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
技术简介:我所研制的纳米级白碳黑是一种人工合成的无定性二氧化硅超微粒子填料,化学名称为水合二氧化硅,是微细粉末状或超细粒子状的二氧化硅,分散性能好,比表面积大,密度2.319-2.653克/平方厘米,熔点1750℃.硅石与碱加温合成反应,经过滤,滤液与盐、盐酸反应后,再经过滤、洗涤、干燥、表面改性、超细粉碎、计量包装得纳米级白碳黑产品。即:硅石、碱→加温合成反映→过滤→盐、盐酸反应→过滤→洗涤→干燥→表面改性→超细粉碎→计量包装→成品纳米级白碳黑。技术的应用领域前景分析:纳米级白碳黑由于耐酸、耐碱、耐高温及良好的电绝缘性能和分散性,因而广泛用于橡胶、塑料的耐磨填充剂、油墨的增稠剂、油漆涂料的添加剂、合成润滑脂和硅脂稠化剂、制革业的平光剂、农药的分散剂、造纸的填充剂、合成树脂的添加剂、电子电器工业绝缘热填料及日用化工原料等行业,同时还用于聚丙稀无毒聚氯乙烯塑料薄膜的开口剂,农药、医药的防结块剂和载体。纳米级白碳黑是一种超细微粒、轻质白色填充剂,产品应用广泛,需求的行业多,市场销售形势好,国内需求量70%依赖于进口货源,销售前景十分广阔,不存在市场销售不畅的问题。经济收益分析:按年产6000吨纳米级白碳黑计算,年产值2.1亿元,年利润8972.42万元,年纳税1680万元,一年时间可收回总投资.并可解决400个待业人员.厂房条件建议:1)土地面积150亩 1500万元2)库房厂房及生活用房20000平方米 1000万元3)600千伏安变压器及设施一套 500万元4)供水设施一套 100万元合 计: 3100万元
纳米活性二氧化硅的制备与应用
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
纳米活性二氧化硅的制备与应用 纳米二氧化硅是纳米材料中的重要成员之一,由于其分散性好,比表面积高,光学性能和化学稳定性优良,使其具有许多奇异的性能,从而成为材料科学领域中的研究热点,并被誉为21世纪最有发展前景的新材料。 本项目以工业水玻璃为原料,在沉淀工序下加入添加剂,通过原位湿法改性,并结合工艺参数条件的优化,来调控二氧化硅颗粒尺寸分布及形貌,所制备出的二氧化硅具有粒径分布窄、分散性好、比表面积高等诸多特性。另外本项目通过设计合成新型的添加剂,生产出种类繁多新颖的具有特殊功能的新材料,将二氧化硅功能化,使其具有更加广阔的应用空间,广泛应用于橡胶、涂料、塑料、油墨、油漆、颜料等领域,在造纸、耐高温材料等方面也极具应用前景。所依托的相关的发明专利有:201010127620。3和201010127618。6
低温烧结二氧化硅基复合陶瓷及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:采矿业
技术简介
一、发明创造简介: 一种低温烧结二氧化硅基复合陶瓷,用通式(1-x)Sio2-xLi2Yio3表示的材料组成,式中x的取值为0.055~1300℃,与二氧化硅陶瓷的烧结温度1550℃,相比明显降低,克服了陶瓷材料谐振频率温度系数偏大的缺点,保证了材料的温度稳定性。本发明制备方法所用原料丰富、成本低廉,有利于工业化生产,可广泛应用于微波基板、导弹天线罩等微波器件的制造。 二、创新点: 本发明通过在二氧化硅中添加烧结助剂Li2TiO3,使陶瓷的烧结温度由1550℃降至1050~1300℃,且克服了陶瓷材料谐振频率温度系数偏大的缺点,保证了材料的温度稳定性。 三、发明的应用价值和市场前景: 本发明制备方法所用原料丰富、成本低廉,有利于工业化生产,可广泛应用于微波基板、导弹天线罩等微波器件的制造。
硅片直接键合技术
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
技术投资分析:硅片直接键合(Silicon Wafer Direct Bonding, 缩写为SDB)是指二片镜面抛光硅片经过适当表面清洗与处理,可以在室温下直接键合,再经加热增加其键合强度而成为一个整体。键合前,硅片表面不需任何粘结剂,键合过程中,也不需在硅片表面施加外力。SDB技术的特征在于它与半导体及集成电路加工技术的兼容性和自身的灵活性。VLSI的发展使硅片表面更为光滑、平整与洁净,这种发展与SDB对硅片本身的要求完全一致;SDB的灵活性表现在可以实现不同晶向、不同掺杂类型、不同杂质浓度、不同硅片厚度和带有SiO2的键合。SDB技术使硅材料和VLSI技术的潜力得到了充分地发挥。本项目发明了等离子体表面处理技术和化学表面处理技术,实现了硅/硅、硅/二氧化硅、二氧化硅/二氧化硅的硅片直接键合;提出了键合界面气体横向扩散的空洞消除机制;提出并优化了两步键合技术。键合结果表明:键合面积?95%,键合强度大于体硅强度。针对电力电子器件的衬底材料、绝缘体上硅(SOI)材料、微传感器等制备需要,提出并实现了快速热键合技术,结果使键合界面杂质互扩散很少;提出并实现了掺TCE二氧化硅作为埋层的SOI键合技术,结果使键合界面电荷与一般MOS器件接近。发明了耗尽层边缘作为腐蚀停止界面的减薄技术,实现了小尺寸键合SOI硅片的减薄。针对硅片直接键合技术的批量工业应用,广泛开展了界面杂质扩散、界面电荷、界面空洞、界面应力的表征和测试技术研究技术的应用领域前景分析:SDB技术的特征在于它与半导体及集成电路加工技术的兼容性和自身的灵活性. VLSI的发展使硅片表面更为光滑、平整与洁净,这种发展与SDB对硅片本身的要求完全一致;SDB的灵活性表现在可以实现不同晶向、不同掺杂类型、不同杂质浓度、不同硅片厚度和带有SiO2的键合。SDB技术使硅材料和VLSI技术的潜力得到了充分地发挥。针对硅片直接键合技术的批量工业应用,广泛开展了界面杂质扩散、界面电荷、界面空洞、界面应力的表征和测试技术研究。效益分析:经济效益巨大。厂房条件建议:无备注:无
硅片直接键合技术
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:采矿业
技术简介
技术投资分析:硅片直接键合(Silicon Wafer Direct Bonding, 缩写为SDB)是指二片镜面抛光硅片经过适当表面清洗与处理,可以在室温下直接键合,再经加热增加其键合强度而成为一个整体。键合前,硅片表面不需任何粘结剂,键合过程中,也不需在硅片表面施加外力。SDB技术的特征在于它与半导体及集成电路加工技术的兼容性和自身的灵活性。VLSI的发展使硅片表面更为光滑、平整与洁净,这种发展与SDB对硅片本身的要求完全一致;SDB的灵活性表现在可以实现不同晶向、不同掺杂类型、不同杂质浓度、不同硅片厚度和带有SiO2的键合。SDB技术使硅材料和VLSI技术的潜力得到了充分地发挥。项目发明了等离子体表面处理技术和化学表面处理技术,实现了硅/硅、硅/二氧化硅、二氧化硅/二氧化硅的硅片直接键合;提出了键合界面气体横向扩散的空洞消除机制;提出并优化了两步键合技术。键合结果表明:键合面积?95%,键合强度大于体硅强度。针对电力电子器件的衬底材料、绝缘体上硅(SOI)材料、微传感器等制备需要,提出并实现了快速热键合技术,结果使键合界面杂质互扩散很少;提出并实现了掺TCE二氧化硅作为埋层的SOI键合技术,结果使键合界面电荷与一般MOS器件接近。发明了耗尽层边缘作为腐蚀停止界面的减薄技术,实现了小尺寸键合SOI硅片的减薄。针对硅片直接键合技术的批量工业应用,广泛开展了界面杂质扩散、界面电荷、界面空洞、界面应力的表征和测试技术研究技术的应用领域前景分析:SDB技术的特征在于它与半导体及集成电路加工技术的兼容性和自身的灵活性. VLSI的发展使硅片表面更为光滑、平整与洁净,这种发展与SDB对硅片本身的要求完全一致;SDB的灵活性表现在可以实现不同晶向、不同掺杂类型、不同杂质浓度、不同硅片厚度和带有SiO2的键合。SDB技术使硅材料和VLSI技术的潜力得到了充分地发挥。针对硅片直接键合技术的批量工业应用,广泛开展了界面杂质扩散、界面电荷、界面空洞、界面应力的表征和测试技术研究。效益分析:市场需求大,投资回收快,经济效益巨大。厂房条件建议:无备注:无
硼泥、菱镁矿和滑石矿制备氧化镁、二氧化硅的方法
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
两种综合利用硼泥、菱镁矿和滑石矿制备氧化镁、二氧化硅的绿色冶金方法,该方法包括:(一),(1)磨细,(2)磁选除铁,(3)酸处理,(4)碱处理,(5)制备氧化镁,(6)碳酸化分解制备二氧化硅;(二),(1)磨细,(2)磁选除铁,(3)碱处理,(4)水浸处理,(5)过滤分离,(6)制备氧化镁,(7)碳酸化分解制备二氧化硅。本发明的优点:本发明方法使反应介质全部循环利用,工艺流程简单、设备简便,没有固、液、气废弃物的排放,不造成二次污染,能够以较低的成本实现对硼泥、菱镁矿和滑石矿中的镁、硅的高附加值综合利用。
一种纳米活性二氧化硅的制备与应用技术
成熟度:通过小试
技术类型:发明,发明
应用行业:制造业
技术简介
纳米二氧化硅是纳米材料中的重要成员之一,由于其分散性好,比表面积高,光学性能和化学稳定性优良,使其具有许多奇异的性能,从而成为材料科学领域中的研究热点,并被誉为21世纪最有发展前景的新材料。 本项目以工业水玻璃为原料,在沉淀工序下加入添加剂,通过原位湿法改性,并结合工艺参数条件的优化,来调控二氧化硅颗粒尺寸分布及形貌,所制备出的二氧化硅具有粒径分布窄、分散性好、比表面积高等诸多特性。另外本项目通过设计合成新型的添加剂,生产出种类繁多新颖的具有特殊功能的新材料,将二氧化硅功能化,使其具有更加广阔的应用空间,广泛应用于橡胶、涂料、塑料、油墨、油漆、颜料等领域,在造纸、耐高温材料等方面也极具应用前景。
一种以竹叶为原料制备纳米二氧化硅的方法及所制备得到的纳米二氧化硅
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明提供一种以竹叶为原料制备纳米二氧化硅的方法,该方法包括以下步骤:将竹子脱落竹叶清洗和干燥;称取清洗和干燥后的竹叶置于盐酸溶液中煮沸;将盐酸煮沸处理后的竹叶清洗和干燥,在空气气氛下以0.5~30℃/min的升温速度升至200-1000℃退火处理0.5-10h,然后随炉冷却后得到白色纳米二氧化硅颗粒粉末。本发明以竹叶为原料,大量的使用了废弃的竹叶,有效减少了化学原料的使用量,具有成本低、工艺简单、环境友好等优势。本发明所制备的二氧化硅综合性能优异,纯度高达99%以上,比表面积为150-250m2/g,粒径均匀,径约为10-30nm,因此本发明在可在工业上大规模生产和应用。
一种低CO2选择性CO加氢制烯烃的核壳催化剂及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种具有核壳结构和疏水功能的金属氧化物催化剂,用于CO加氢制乙烯、丙烯、丁烯的高选择性生成,同时有效降低CO2选择性。本发明以水热合成的方法将二氧化硅包覆在金属氧化物活性组分中,形成核壳结构,金属氧化物为核,二氧化硅为壳层。选用二氧化硅作为有机基团改性的桥梁,借助于二氧化硅表面Si‑OH与有机硅烷试剂发生的硅烷化反应,实现了疏水基团的嫁接。制备的铁基催化剂保留了其高活性优势,还增添了有机基团的疏水性能、削弱了空间位阻,对制备烯烃作用显著。有机基团的疏水性对抑制WGS反应起到了很好的效果,CO2生成量明显降低。本发明制备方法简单,重复性好,对环境友好,反应寿命长,具有潜在的经济价值。
找到198项技术成果数据。
找技术 >硅片直接键合技术
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:采矿业
技术简介
硅片直接键合(Silicon Wafer Direct Bonding, 缩写为SDB)是指二片镜面抛光硅片经过适当表面清洗与处理,可以在室温下直接键合,再经加热增加其键合强度而成为一个整体。键合前,硅片表面不需任何粘结剂,键合过程中,也不需在硅片表面施加外力。SDB 技术的特征在于它与半导体及集成电路加工技术的兼容性和自身的灵活性。VLSI的发展使硅片表面更为光滑、平整与洁净,这种发展与SDB 对硅片本身的要求完全一致;SDB 的灵活性表现在可以实现不同晶向、不同掺杂类型、不同杂质浓度、不同硅片厚度和带有SiO2 的键合。SDB 技术使硅材料和VLSI 技术的潜力得到了充分地发挥。项目发明了等离子体表面处理技术和化学表面处理技术,实现了硅/硅、硅/二氧化硅、二氧化硅/二氧化硅的硅片直接键合;提出了键合界面气体横向扩散的空洞消除机制;提出并优化了两步键合技术。键合结果表明:键合面积95%,键合强度大于体硅强度。针对电力电子器件的衬底材料、绝缘体上硅(SOI)材料、微传感器等制备需要,提出并实现了快速热键合技术,结果使键合界面杂质互扩散很少;提出并实现了掺TCE二氧化硅作为埋层的SOI 键合技术,结果使键合界面电荷与一般MOS 器件接近。发明了耗尽层边缘作为腐蚀停止界面的减薄技术,实现了小尺寸键合SOI 硅片的减薄。针对硅片直接键合技术的批量工业应用,广泛开展了界面杂质扩散、界面电荷、界面空洞、界面应力的表征和测试技术研究。
建设年产6000吨纳米级白炭黑
成熟度:通过中试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
技术简介:我所研制的纳米级白碳黑是一种人工合成的无定性二氧化硅超微粒子填料,化学名称为水合二氧化硅,是微细粉末状或超细粒子状的二氧化硅,分散性能好,比表面积大,密度2.319-2.653克/平方厘米,熔点1750℃.硅石与碱加温合成反应,经过滤,滤液与盐、盐酸反应后,再经过滤、洗涤、干燥、表面改性、超细粉碎、计量包装得纳米级白碳黑产品。即:硅石、碱→加温合成反映→过滤→盐、盐酸反应→过滤→洗涤→干燥→表面改性→超细粉碎→计量包装→成品纳米级白碳黑。技术的应用领域前景分析:纳米级白碳黑由于耐酸、耐碱、耐高温及良好的电绝缘性能和分散性,因而广泛用于橡胶、塑料的耐磨填充剂、油墨的增稠剂、油漆涂料的添加剂、合成润滑脂和硅脂稠化剂、制革业的平光剂、农药的分散剂、造纸的填充剂、合成树脂的添加剂、电子电器工业绝缘热填料及日用化工原料等行业,同时还用于聚丙稀无毒聚氯乙烯塑料薄膜的开口剂,农药、医药的防结块剂和载体。纳米级白碳黑是一种超细微粒、轻质白色填充剂,产品应用广泛,需求的行业多,市场销售形势好,国内需求量70%依赖于进口货源,销售前景十分广阔,不存在市场销售不畅的问题。经济收益分析:按年产6000吨纳米级白碳黑计算,年产值2.1亿元,年利润8972.42万元,年纳税1680万元,一年时间可收回总投资.并可解决400个待业人员.厂房条件建议:1)土地面积150亩 1500万元2)库房厂房及生活用房20000平方米 1000万元3)600千伏安变压器及设施一套 500万元4)供水设施一套 100万元合 计: 3100万元
纳米活性二氧化硅的制备与应用
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
纳米活性二氧化硅的制备与应用 纳米二氧化硅是纳米材料中的重要成员之一,由于其分散性好,比表面积高,光学性能和化学稳定性优良,使其具有许多奇异的性能,从而成为材料科学领域中的研究热点,并被誉为21世纪最有发展前景的新材料。 本项目以工业水玻璃为原料,在沉淀工序下加入添加剂,通过原位湿法改性,并结合工艺参数条件的优化,来调控二氧化硅颗粒尺寸分布及形貌,所制备出的二氧化硅具有粒径分布窄、分散性好、比表面积高等诸多特性。另外本项目通过设计合成新型的添加剂,生产出种类繁多新颖的具有特殊功能的新材料,将二氧化硅功能化,使其具有更加广阔的应用空间,广泛应用于橡胶、涂料、塑料、油墨、油漆、颜料等领域,在造纸、耐高温材料等方面也极具应用前景。所依托的相关的发明专利有:201010127620。3和201010127618。6
低温烧结二氧化硅基复合陶瓷及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:采矿业
技术简介
一、发明创造简介: 一种低温烧结二氧化硅基复合陶瓷,用通式(1-x)Sio2-xLi2Yio3表示的材料组成,式中x的取值为0.055~1300℃,与二氧化硅陶瓷的烧结温度1550℃,相比明显降低,克服了陶瓷材料谐振频率温度系数偏大的缺点,保证了材料的温度稳定性。本发明制备方法所用原料丰富、成本低廉,有利于工业化生产,可广泛应用于微波基板、导弹天线罩等微波器件的制造。 二、创新点: 本发明通过在二氧化硅中添加烧结助剂Li2TiO3,使陶瓷的烧结温度由1550℃降至1050~1300℃,且克服了陶瓷材料谐振频率温度系数偏大的缺点,保证了材料的温度稳定性。 三、发明的应用价值和市场前景: 本发明制备方法所用原料丰富、成本低廉,有利于工业化生产,可广泛应用于微波基板、导弹天线罩等微波器件的制造。
硅片直接键合技术
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
技术投资分析:硅片直接键合(Silicon Wafer Direct Bonding, 缩写为SDB)是指二片镜面抛光硅片经过适当表面清洗与处理,可以在室温下直接键合,再经加热增加其键合强度而成为一个整体。键合前,硅片表面不需任何粘结剂,键合过程中,也不需在硅片表面施加外力。SDB技术的特征在于它与半导体及集成电路加工技术的兼容性和自身的灵活性。VLSI的发展使硅片表面更为光滑、平整与洁净,这种发展与SDB对硅片本身的要求完全一致;SDB的灵活性表现在可以实现不同晶向、不同掺杂类型、不同杂质浓度、不同硅片厚度和带有SiO2的键合。SDB技术使硅材料和VLSI技术的潜力得到了充分地发挥。本项目发明了等离子体表面处理技术和化学表面处理技术,实现了硅/硅、硅/二氧化硅、二氧化硅/二氧化硅的硅片直接键合;提出了键合界面气体横向扩散的空洞消除机制;提出并优化了两步键合技术。键合结果表明:键合面积?95%,键合强度大于体硅强度。针对电力电子器件的衬底材料、绝缘体上硅(SOI)材料、微传感器等制备需要,提出并实现了快速热键合技术,结果使键合界面杂质互扩散很少;提出并实现了掺TCE二氧化硅作为埋层的SOI键合技术,结果使键合界面电荷与一般MOS器件接近。发明了耗尽层边缘作为腐蚀停止界面的减薄技术,实现了小尺寸键合SOI硅片的减薄。针对硅片直接键合技术的批量工业应用,广泛开展了界面杂质扩散、界面电荷、界面空洞、界面应力的表征和测试技术研究技术的应用领域前景分析:SDB技术的特征在于它与半导体及集成电路加工技术的兼容性和自身的灵活性. VLSI的发展使硅片表面更为光滑、平整与洁净,这种发展与SDB对硅片本身的要求完全一致;SDB的灵活性表现在可以实现不同晶向、不同掺杂类型、不同杂质浓度、不同硅片厚度和带有SiO2的键合。SDB技术使硅材料和VLSI技术的潜力得到了充分地发挥。针对硅片直接键合技术的批量工业应用,广泛开展了界面杂质扩散、界面电荷、界面空洞、界面应力的表征和测试技术研究。效益分析:经济效益巨大。厂房条件建议:无备注:无
硅片直接键合技术
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:采矿业
技术简介
技术投资分析:硅片直接键合(Silicon Wafer Direct Bonding, 缩写为SDB)是指二片镜面抛光硅片经过适当表面清洗与处理,可以在室温下直接键合,再经加热增加其键合强度而成为一个整体。键合前,硅片表面不需任何粘结剂,键合过程中,也不需在硅片表面施加外力。SDB技术的特征在于它与半导体及集成电路加工技术的兼容性和自身的灵活性。VLSI的发展使硅片表面更为光滑、平整与洁净,这种发展与SDB对硅片本身的要求完全一致;SDB的灵活性表现在可以实现不同晶向、不同掺杂类型、不同杂质浓度、不同硅片厚度和带有SiO2的键合。SDB技术使硅材料和VLSI技术的潜力得到了充分地发挥。项目发明了等离子体表面处理技术和化学表面处理技术,实现了硅/硅、硅/二氧化硅、二氧化硅/二氧化硅的硅片直接键合;提出了键合界面气体横向扩散的空洞消除机制;提出并优化了两步键合技术。键合结果表明:键合面积?95%,键合强度大于体硅强度。针对电力电子器件的衬底材料、绝缘体上硅(SOI)材料、微传感器等制备需要,提出并实现了快速热键合技术,结果使键合界面杂质互扩散很少;提出并实现了掺TCE二氧化硅作为埋层的SOI键合技术,结果使键合界面电荷与一般MOS器件接近。发明了耗尽层边缘作为腐蚀停止界面的减薄技术,实现了小尺寸键合SOI硅片的减薄。针对硅片直接键合技术的批量工业应用,广泛开展了界面杂质扩散、界面电荷、界面空洞、界面应力的表征和测试技术研究技术的应用领域前景分析:SDB技术的特征在于它与半导体及集成电路加工技术的兼容性和自身的灵活性. VLSI的发展使硅片表面更为光滑、平整与洁净,这种发展与SDB对硅片本身的要求完全一致;SDB的灵活性表现在可以实现不同晶向、不同掺杂类型、不同杂质浓度、不同硅片厚度和带有SiO2的键合。SDB技术使硅材料和VLSI技术的潜力得到了充分地发挥。针对硅片直接键合技术的批量工业应用,广泛开展了界面杂质扩散、界面电荷、界面空洞、界面应力的表征和测试技术研究。效益分析:市场需求大,投资回收快,经济效益巨大。厂房条件建议:无备注:无
硼泥、菱镁矿和滑石矿制备氧化镁、二氧化硅的方法
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
两种综合利用硼泥、菱镁矿和滑石矿制备氧化镁、二氧化硅的绿色冶金方法,该方法包括:(一),(1)磨细,(2)磁选除铁,(3)酸处理,(4)碱处理,(5)制备氧化镁,(6)碳酸化分解制备二氧化硅;(二),(1)磨细,(2)磁选除铁,(3)碱处理,(4)水浸处理,(5)过滤分离,(6)制备氧化镁,(7)碳酸化分解制备二氧化硅。本发明的优点:本发明方法使反应介质全部循环利用,工艺流程简单、设备简便,没有固、液、气废弃物的排放,不造成二次污染,能够以较低的成本实现对硼泥、菱镁矿和滑石矿中的镁、硅的高附加值综合利用。
一种纳米活性二氧化硅的制备与应用技术
成熟度:通过小试
技术类型:发明,发明
应用行业:制造业
技术简介
纳米二氧化硅是纳米材料中的重要成员之一,由于其分散性好,比表面积高,光学性能和化学稳定性优良,使其具有许多奇异的性能,从而成为材料科学领域中的研究热点,并被誉为21世纪最有发展前景的新材料。 本项目以工业水玻璃为原料,在沉淀工序下加入添加剂,通过原位湿法改性,并结合工艺参数条件的优化,来调控二氧化硅颗粒尺寸分布及形貌,所制备出的二氧化硅具有粒径分布窄、分散性好、比表面积高等诸多特性。另外本项目通过设计合成新型的添加剂,生产出种类繁多新颖的具有特殊功能的新材料,将二氧化硅功能化,使其具有更加广阔的应用空间,广泛应用于橡胶、涂料、塑料、油墨、油漆、颜料等领域,在造纸、耐高温材料等方面也极具应用前景。
一种以竹叶为原料制备纳米二氧化硅的方法及所制备得到的纳米二氧化硅
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明提供一种以竹叶为原料制备纳米二氧化硅的方法,该方法包括以下步骤:将竹子脱落竹叶清洗和干燥;称取清洗和干燥后的竹叶置于盐酸溶液中煮沸;将盐酸煮沸处理后的竹叶清洗和干燥,在空气气氛下以0.5~30℃/min的升温速度升至200-1000℃退火处理0.5-10h,然后随炉冷却后得到白色纳米二氧化硅颗粒粉末。本发明以竹叶为原料,大量的使用了废弃的竹叶,有效减少了化学原料的使用量,具有成本低、工艺简单、环境友好等优势。本发明所制备的二氧化硅综合性能优异,纯度高达99%以上,比表面积为150-250m2/g,粒径均匀,径约为10-30nm,因此本发明在可在工业上大规模生产和应用。
一种低CO2选择性CO加氢制烯烃的核壳催化剂及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种具有核壳结构和疏水功能的金属氧化物催化剂,用于CO加氢制乙烯、丙烯、丁烯的高选择性生成,同时有效降低CO2选择性。本发明以水热合成的方法将二氧化硅包覆在金属氧化物活性组分中,形成核壳结构,金属氧化物为核,二氧化硅为壳层。选用二氧化硅作为有机基团改性的桥梁,借助于二氧化硅表面Si‑OH与有机硅烷试剂发生的硅烷化反应,实现了疏水基团的嫁接。制备的铁基催化剂保留了其高活性优势,还增添了有机基团的疏水性能、削弱了空间位阻,对制备烯烃作用显著。有机基团的疏水性对抑制WGS反应起到了很好的效果,CO2生成量明显降低。本发明制备方法简单,重复性好,对环境友好,反应寿命长,具有潜在的经济价值。
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找技术 >硅片直接键合技术
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:采矿业
技术简介
硅片直接键合(Silicon Wafer Direct Bonding, 缩写为SDB)是指二片镜面抛光硅片经过适当表面清洗与处理,可以在室温下直接键合,再经加热增加其键合强度而成为一个整体。键合前,硅片表面不需任何粘结剂,键合过程中,也不需在硅片表面施加外力。SDB 技术的特征在于它与半导体及集成电路加工技术的兼容性和自身的灵活性。VLSI的发展使硅片表面更为光滑、平整与洁净,这种发展与SDB 对硅片本身的要求完全一致;SDB 的灵活性表现在可以实现不同晶向、不同掺杂类型、不同杂质浓度、不同硅片厚度和带有SiO2 的键合。SDB 技术使硅材料和VLSI 技术的潜力得到了充分地发挥。项目发明了等离子体表面处理技术和化学表面处理技术,实现了硅/硅、硅/二氧化硅、二氧化硅/二氧化硅的硅片直接键合;提出了键合界面气体横向扩散的空洞消除机制;提出并优化了两步键合技术。键合结果表明:键合面积95%,键合强度大于体硅强度。针对电力电子器件的衬底材料、绝缘体上硅(SOI)材料、微传感器等制备需要,提出并实现了快速热键合技术,结果使键合界面杂质互扩散很少;提出并实现了掺TCE二氧化硅作为埋层的SOI 键合技术,结果使键合界面电荷与一般MOS 器件接近。发明了耗尽层边缘作为腐蚀停止界面的减薄技术,实现了小尺寸键合SOI 硅片的减薄。针对硅片直接键合技术的批量工业应用,广泛开展了界面杂质扩散、界面电荷、界面空洞、界面应力的表征和测试技术研究。
建设年产6000吨纳米级白炭黑
成熟度:通过中试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
技术简介:我所研制的纳米级白碳黑是一种人工合成的无定性二氧化硅超微粒子填料,化学名称为水合二氧化硅,是微细粉末状或超细粒子状的二氧化硅,分散性能好,比表面积大,密度2.319-2.653克/平方厘米,熔点1750℃.硅石与碱加温合成反应,经过滤,滤液与盐、盐酸反应后,再经过滤、洗涤、干燥、表面改性、超细粉碎、计量包装得纳米级白碳黑产品。即:硅石、碱→加温合成反映→过滤→盐、盐酸反应→过滤→洗涤→干燥→表面改性→超细粉碎→计量包装→成品纳米级白碳黑。技术的应用领域前景分析:纳米级白碳黑由于耐酸、耐碱、耐高温及良好的电绝缘性能和分散性,因而广泛用于橡胶、塑料的耐磨填充剂、油墨的增稠剂、油漆涂料的添加剂、合成润滑脂和硅脂稠化剂、制革业的平光剂、农药的分散剂、造纸的填充剂、合成树脂的添加剂、电子电器工业绝缘热填料及日用化工原料等行业,同时还用于聚丙稀无毒聚氯乙烯塑料薄膜的开口剂,农药、医药的防结块剂和载体。纳米级白碳黑是一种超细微粒、轻质白色填充剂,产品应用广泛,需求的行业多,市场销售形势好,国内需求量70%依赖于进口货源,销售前景十分广阔,不存在市场销售不畅的问题。经济收益分析:按年产6000吨纳米级白碳黑计算,年产值2.1亿元,年利润8972.42万元,年纳税1680万元,一年时间可收回总投资.并可解决400个待业人员.厂房条件建议:1)土地面积150亩 1500万元2)库房厂房及生活用房20000平方米 1000万元3)600千伏安变压器及设施一套 500万元4)供水设施一套 100万元合 计: 3100万元
纳米活性二氧化硅的制备与应用
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
纳米活性二氧化硅的制备与应用 纳米二氧化硅是纳米材料中的重要成员之一,由于其分散性好,比表面积高,光学性能和化学稳定性优良,使其具有许多奇异的性能,从而成为材料科学领域中的研究热点,并被誉为21世纪最有发展前景的新材料。 本项目以工业水玻璃为原料,在沉淀工序下加入添加剂,通过原位湿法改性,并结合工艺参数条件的优化,来调控二氧化硅颗粒尺寸分布及形貌,所制备出的二氧化硅具有粒径分布窄、分散性好、比表面积高等诸多特性。另外本项目通过设计合成新型的添加剂,生产出种类繁多新颖的具有特殊功能的新材料,将二氧化硅功能化,使其具有更加广阔的应用空间,广泛应用于橡胶、涂料、塑料、油墨、油漆、颜料等领域,在造纸、耐高温材料等方面也极具应用前景。所依托的相关的发明专利有:201010127620。3和201010127618。6
低温烧结二氧化硅基复合陶瓷及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:采矿业
技术简介
一、发明创造简介: 一种低温烧结二氧化硅基复合陶瓷,用通式(1-x)Sio2-xLi2Yio3表示的材料组成,式中x的取值为0.055~1300℃,与二氧化硅陶瓷的烧结温度1550℃,相比明显降低,克服了陶瓷材料谐振频率温度系数偏大的缺点,保证了材料的温度稳定性。本发明制备方法所用原料丰富、成本低廉,有利于工业化生产,可广泛应用于微波基板、导弹天线罩等微波器件的制造。 二、创新点: 本发明通过在二氧化硅中添加烧结助剂Li2TiO3,使陶瓷的烧结温度由1550℃降至1050~1300℃,且克服了陶瓷材料谐振频率温度系数偏大的缺点,保证了材料的温度稳定性。 三、发明的应用价值和市场前景: 本发明制备方法所用原料丰富、成本低廉,有利于工业化生产,可广泛应用于微波基板、导弹天线罩等微波器件的制造。
硅片直接键合技术
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
技术投资分析:硅片直接键合(Silicon Wafer Direct Bonding, 缩写为SDB)是指二片镜面抛光硅片经过适当表面清洗与处理,可以在室温下直接键合,再经加热增加其键合强度而成为一个整体。键合前,硅片表面不需任何粘结剂,键合过程中,也不需在硅片表面施加外力。SDB技术的特征在于它与半导体及集成电路加工技术的兼容性和自身的灵活性。VLSI的发展使硅片表面更为光滑、平整与洁净,这种发展与SDB对硅片本身的要求完全一致;SDB的灵活性表现在可以实现不同晶向、不同掺杂类型、不同杂质浓度、不同硅片厚度和带有SiO2的键合。SDB技术使硅材料和VLSI技术的潜力得到了充分地发挥。本项目发明了等离子体表面处理技术和化学表面处理技术,实现了硅/硅、硅/二氧化硅、二氧化硅/二氧化硅的硅片直接键合;提出了键合界面气体横向扩散的空洞消除机制;提出并优化了两步键合技术。键合结果表明:键合面积?95%,键合强度大于体硅强度。针对电力电子器件的衬底材料、绝缘体上硅(SOI)材料、微传感器等制备需要,提出并实现了快速热键合技术,结果使键合界面杂质互扩散很少;提出并实现了掺TCE二氧化硅作为埋层的SOI键合技术,结果使键合界面电荷与一般MOS器件接近。发明了耗尽层边缘作为腐蚀停止界面的减薄技术,实现了小尺寸键合SOI硅片的减薄。针对硅片直接键合技术的批量工业应用,广泛开展了界面杂质扩散、界面电荷、界面空洞、界面应力的表征和测试技术研究技术的应用领域前景分析:SDB技术的特征在于它与半导体及集成电路加工技术的兼容性和自身的灵活性. VLSI的发展使硅片表面更为光滑、平整与洁净,这种发展与SDB对硅片本身的要求完全一致;SDB的灵活性表现在可以实现不同晶向、不同掺杂类型、不同杂质浓度、不同硅片厚度和带有SiO2的键合。SDB技术使硅材料和VLSI技术的潜力得到了充分地发挥。针对硅片直接键合技术的批量工业应用,广泛开展了界面杂质扩散、界面电荷、界面空洞、界面应力的表征和测试技术研究。效益分析:经济效益巨大。厂房条件建议:无备注:无
硅片直接键合技术
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:采矿业
技术简介
技术投资分析:硅片直接键合(Silicon Wafer Direct Bonding, 缩写为SDB)是指二片镜面抛光硅片经过适当表面清洗与处理,可以在室温下直接键合,再经加热增加其键合强度而成为一个整体。键合前,硅片表面不需任何粘结剂,键合过程中,也不需在硅片表面施加外力。SDB技术的特征在于它与半导体及集成电路加工技术的兼容性和自身的灵活性。VLSI的发展使硅片表面更为光滑、平整与洁净,这种发展与SDB对硅片本身的要求完全一致;SDB的灵活性表现在可以实现不同晶向、不同掺杂类型、不同杂质浓度、不同硅片厚度和带有SiO2的键合。SDB技术使硅材料和VLSI技术的潜力得到了充分地发挥。项目发明了等离子体表面处理技术和化学表面处理技术,实现了硅/硅、硅/二氧化硅、二氧化硅/二氧化硅的硅片直接键合;提出了键合界面气体横向扩散的空洞消除机制;提出并优化了两步键合技术。键合结果表明:键合面积?95%,键合强度大于体硅强度。针对电力电子器件的衬底材料、绝缘体上硅(SOI)材料、微传感器等制备需要,提出并实现了快速热键合技术,结果使键合界面杂质互扩散很少;提出并实现了掺TCE二氧化硅作为埋层的SOI键合技术,结果使键合界面电荷与一般MOS器件接近。发明了耗尽层边缘作为腐蚀停止界面的减薄技术,实现了小尺寸键合SOI硅片的减薄。针对硅片直接键合技术的批量工业应用,广泛开展了界面杂质扩散、界面电荷、界面空洞、界面应力的表征和测试技术研究技术的应用领域前景分析:SDB技术的特征在于它与半导体及集成电路加工技术的兼容性和自身的灵活性. VLSI的发展使硅片表面更为光滑、平整与洁净,这种发展与SDB对硅片本身的要求完全一致;SDB的灵活性表现在可以实现不同晶向、不同掺杂类型、不同杂质浓度、不同硅片厚度和带有SiO2的键合。SDB技术使硅材料和VLSI技术的潜力得到了充分地发挥。针对硅片直接键合技术的批量工业应用,广泛开展了界面杂质扩散、界面电荷、界面空洞、界面应力的表征和测试技术研究。效益分析:市场需求大,投资回收快,经济效益巨大。厂房条件建议:无备注:无
硼泥、菱镁矿和滑石矿制备氧化镁、二氧化硅的方法
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
两种综合利用硼泥、菱镁矿和滑石矿制备氧化镁、二氧化硅的绿色冶金方法,该方法包括:(一),(1)磨细,(2)磁选除铁,(3)酸处理,(4)碱处理,(5)制备氧化镁,(6)碳酸化分解制备二氧化硅;(二),(1)磨细,(2)磁选除铁,(3)碱处理,(4)水浸处理,(5)过滤分离,(6)制备氧化镁,(7)碳酸化分解制备二氧化硅。本发明的优点:本发明方法使反应介质全部循环利用,工艺流程简单、设备简便,没有固、液、气废弃物的排放,不造成二次污染,能够以较低的成本实现对硼泥、菱镁矿和滑石矿中的镁、硅的高附加值综合利用。
一种纳米活性二氧化硅的制备与应用技术
成熟度:通过小试
技术类型:发明,发明
应用行业:制造业
技术简介
纳米二氧化硅是纳米材料中的重要成员之一,由于其分散性好,比表面积高,光学性能和化学稳定性优良,使其具有许多奇异的性能,从而成为材料科学领域中的研究热点,并被誉为21世纪最有发展前景的新材料。 本项目以工业水玻璃为原料,在沉淀工序下加入添加剂,通过原位湿法改性,并结合工艺参数条件的优化,来调控二氧化硅颗粒尺寸分布及形貌,所制备出的二氧化硅具有粒径分布窄、分散性好、比表面积高等诸多特性。另外本项目通过设计合成新型的添加剂,生产出种类繁多新颖的具有特殊功能的新材料,将二氧化硅功能化,使其具有更加广阔的应用空间,广泛应用于橡胶、涂料、塑料、油墨、油漆、颜料等领域,在造纸、耐高温材料等方面也极具应用前景。
一种以竹叶为原料制备纳米二氧化硅的方法及所制备得到的纳米二氧化硅
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明提供一种以竹叶为原料制备纳米二氧化硅的方法,该方法包括以下步骤:将竹子脱落竹叶清洗和干燥;称取清洗和干燥后的竹叶置于盐酸溶液中煮沸;将盐酸煮沸处理后的竹叶清洗和干燥,在空气气氛下以0.5~30℃/min的升温速度升至200-1000℃退火处理0.5-10h,然后随炉冷却后得到白色纳米二氧化硅颗粒粉末。本发明以竹叶为原料,大量的使用了废弃的竹叶,有效减少了化学原料的使用量,具有成本低、工艺简单、环境友好等优势。本发明所制备的二氧化硅综合性能优异,纯度高达99%以上,比表面积为150-250m2/g,粒径均匀,径约为10-30nm,因此本发明在可在工业上大规模生产和应用。
一种低CO2选择性CO加氢制烯烃的核壳催化剂及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种具有核壳结构和疏水功能的金属氧化物催化剂,用于CO加氢制乙烯、丙烯、丁烯的高选择性生成,同时有效降低CO2选择性。本发明以水热合成的方法将二氧化硅包覆在金属氧化物活性组分中,形成核壳结构,金属氧化物为核,二氧化硅为壳层。选用二氧化硅作为有机基团改性的桥梁,借助于二氧化硅表面Si‑OH与有机硅烷试剂发生的硅烷化反应,实现了疏水基团的嫁接。制备的铁基催化剂保留了其高活性优势,还增添了有机基团的疏水性能、削弱了空间位阻,对制备烯烃作用显著。有机基团的疏水性对抑制WGS反应起到了很好的效果,CO2生成量明显降低。本发明制备方法简单,重复性好,对环境友好,反应寿命长,具有潜在的经济价值。