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找技术 >低损耗交流接触器、继电器、电磁开关
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
技术简介:授权专利《非晶铁芯交流接触器、继电器、电磁开关》(专利公开号:CN201345331),交流接触器等电磁开关铁芯采用非晶合金材料。交流接触器相当于二次绕组空载变压器,非晶铁芯接触器与硅钢片铁芯接触器相比具有以下优点:①损耗下降75-80%;②功率因数提高8倍以上;③非晶铁芯铁损不随电压变化而变化,硅钢片铁芯铁损随电压平方变化。技术的应用领域前景分析:国家最近公布《交流接触器能源效率标识实施规则》对交流接触器吸合功率有明确要求,非晶合金铁芯交流接触器吸合功率低,符合国家节能精神,替代传统交流接触器,会有宽广应用前景。经济收益分析:非晶合金接触器采用新材料,工艺较复杂,价格较传统接触器高30%左右;但由于其节能效果显著,运营成本较低,所以其综合使用成本较传统变压器低。传统CJ20-40型接触器工作电流90mA,年耗电量296.26KWh,铁芯换为非晶合金材料后以80%节电率计算,同功率接触器工作电流18mA,年耗电量59.26KWh,一年节电237度。以每度电0.8元计,一年节约电费189.6元,几个月就可回收非晶铁芯所增加费用。厂房条件建议:需有较大规模厂房,最好有交流接触器等电磁产品生产经验。
硅基太赫兹单片集成器件的设计与建模技术
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:信息传输、软件和信息技术服务业
技术简介
该项目主要研究内容如下: 1。研究了电感间的耦合效应,获得了高 Q 值电感,用于毫米波/太赫兹电路设计。 2。研究了毫米波/太赫兹频段的去嵌方法,通过毫米波/太赫兹频段的精准去嵌,获得了良好的毫米波/太赫兹测试结果。 3。结合加工工艺,设计了基于矩形微同轴工艺的低损耗传输线和基于 BiCMOS 工艺的sSPP 低损耗新型太赫兹传输线,并在此基础上实现了具有良好性能的电路和天线设计。 4。基于硅基 CMOS/BiCMOS 工艺研究实现了 UWB 发射机、接收机电路; 基于硅基CMOS/BiCMOS 工艺研究设计了毫米波/太赫兹振荡器、移相器、低噪放、可变增益放大器、锁相环路以及发射机、接收机等,通过搭建太赫兹检测系统,验证了芯片工作性能。 5。面向太赫兹系统应用,设计了多款太赫兹天线,仿真和测试结果吻合良好。 该项目在硅基毫米波/太赫兹电路设计、天线设计以及系统设计等方面积累了丰富经验, 为下一步实现硅基毫米波/太赫兹单片集成系统奠定了良好的基础。
一种基于介质谐振器的低损耗高隔离滤波开关
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本实用新型公开了一种基于介质谐振器的低损耗高隔离滤波开关,包括至少一个介质谐振器、金属腔、开关电路及馈电线结构,所述开关电路集成到PCB板后嵌入到金属腔内,介质谐振器位于金属腔内,馈电线结构包括结构相同的输入馈电线结构及输出馈电线结构,输入馈电线结构及输出馈电线结构均由主馈电线及两条支馈电线构成,两条支馈电线与主馈电线垂直,且连接在主馈电线的两侧,其中一条支馈电线的一端与金属腔连接并接地,另一条支馈电线的一端与金属腔内的开关电路连接。本实用新型在ON状态下具有较低插入损耗以及较高功率处理能力,能在通带两侧都产生传输零点,从而实现急剧的衰减率和较高的带外抑制;在OFF状态下具有高度隔离性。
一种低损耗铁酸铋-钛酸钡基压电陶瓷的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
标题一 这是第一段文字。 这是第二段文字。 标题二 这是第三段文字。 这是第四段文字。 标题三 这是第五段文字。 这是第六段文字。 标题四 这是第七段文字。 这是第八段文字。 标题五 这是第九段文字。 这是第十段文字。本发明公开了一种低损耗BiFeO3-BaTiO3基无铅压电陶瓷及其制备方法,其组成通式为:(1-x)(Bi1-tLat)FeO3-xBa(Ti1-uSnu)O3+0.5%BiMnO3+yBa(Cu1/3Nb2/3)O3+zLiBiO3+mBa(W1/2Cu1/2)O3,其中t、x、u、y、z、m表示摩尔分数,且0t≤0.02,0.15≤x≤0.30,0u0.05,0y0.05,0z0.05,0m0.05。其制备方法包括按组成通式配料,球磨,成型素片,排胶,烧结等工序,采用降低烧结温度、快速升降温,高压氧等技术,降低Bi元素挥发,抑制氧空位产生,防止降温过程中Fe3+离子变价,从而达到降低介电损耗的目的,制备出了介电损耗低于0.5%的高温无铅压电陶瓷,使该体系能实际应用于高温压电领域。
低损耗超高压电性能无铅压电陶瓷材料及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种低损耗超高压电性能无铅压电陶瓷材料及其制备方法,配方为0.95Ba(Ti0.89Sn0.11)O3‑0.05Bi2WO6+0.5%Mn+0.5%Cu。 通过加入Bi2WO6,促进烧结,获得致密,晶粒均匀的陶瓷材料,结合化学包覆法,在合成的0.95Ba(Ti0.89Sn0.11)O3颗粒表面,采用化学包覆法获得Mn/Cu表面包覆颗粒,合成时形成梯度分级结构,抑制Sn的变价,即克服了该体系漏电流大的问题,也同时提高压电性能,降低介电损耗,解决了该体系绝缘性差,难以极化等难题。 该陶瓷材料具有超高压电性能,同时具有超低介电损耗,环境友好型、稳定性好。
Nd: KGW波导激光器的制备及其应用研究
成熟度:通过中试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
目前波导激光器研究的主要问题是低损耗波导器件的制作以及激光输出的空间模式的控制。本项目将采用飞秒激光直写法和狭缝整形法在掺钕钨酸钆钾(Nd: KGW)激光晶体中制备波导芯可控的光波导,以激光与物质相互作用和光 通信等理论为基础,研究面向新一代集成光学的激光晶体波导谐振腔的制作技术,实现未来激光输出的空间模式可控的通讯系统,完成商业化进程中的关键技术。本项目可实现:(1)制备损耗<0.5dB/cm的波导芯形状可控的光波导结构,实现激光晶体中低损耗、高对称性模式分布的光波导结构。(2)将光波导配备反射镜,制备成激光器谐振腔,把波导激光器用于新型的有源器件中。
一种高非线性低损耗双钙钛矿复相陶瓷及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开一种高非线性低损耗双钙钛矿复相陶瓷及其制备方法,本发明方法包括首先根据化学表达式Y2x/3Ca1‑xCu3Ti4O12中各元素化学计量比计算并称取适量分析纯Y2O3,CaCO3,CuO,TiO2粉末原料;其次将混合后的原料使用行星式球磨机球磨,烘干、研磨、过筛后煅烧得到均匀的混合粉体,最后通过传统固相法制备陶瓷试样,得到钛酸铜钇与钛酸铜钙的复相陶瓷。本发明复相陶瓷的损耗因数tanδ最小值可降至0.02,是钛酸铜钙单相陶瓷试样的十分之一;同时非线性系数达到9.88,是钛酸铜钙单相陶瓷试样的两倍;击穿场强为11.24kV/cm,较钛酸铜钙陶瓷试样提高了一个数量级。本发明工艺简单,制备的复相陶瓷具有低介电损耗,高非线性系数的特点。
关于远红外表面声子极化激元探测的研究进展
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
声子极化激元是极性材料中晶格振动与光场之间的强耦合,有望应用在低损耗纳米光学元器件中。相关的理论研究由黄昆先生于上世纪五十年代提出,目前已经较为成熟。但是实验测量表面声子极化激元直到近年才有较大的进展,主要是因为表面声子极化激元的测量同时需要高的空间分辨率和能量分辨率。目前测量表面声子极化激元的主要方法为近场光学方法(s-SNOM),该方法可以在中红外和太赫兹区间对声子极化激元进行很好的探测。但在远红外区间,由于目前缺少合适的远红外激光光源和探测器,相关材料体系的表面声子极化激元的研究受到很大限制。近日,北京大学物理学院2016级本科生亓瑞时和王任飞利用扫描透射电子显微镜的电子能量损失谱,对ZnO纳米结构中的远红外表面声子极化激元进行了细致的探测。通过在纳米尺度上测量纳米线、纳米片不同空间位置的电子能量损失,探究了表面声子极化激元的性质,得到了表面声子极化激元的色散关系,并研究了其尺寸效应、几何效应等。图1. 左:利用电子束激发和探测纳米线表面声子极化激元。右:测量得到的色散关系。利用电子显微镜中的电子束来激发和探测声子极化激元具有很多的优点,包括(1)电子显微镜方法具有亚埃的空间分辨率;(2)电子激发具有更高的效率(电子与材料相互作用的散射截面更大);(3)电子能激发一些非光学活性的模式;(4)电子能量损失谱能得到高q(波矢)值下的信息;(5)电子能量损失谱具有很宽的激发、测量窗口,原则上可以测量从meV量级的振动谱信号至keV量级的芯电子激发谱信号。因此,电子能量损失谱有望极大地推动包括表面声子极化激元在内的相关实验研究。该工作于2019年7月19日在线发表于学术期刊Nano Letters(DOI:10.1021/acs.nanolett.9b01350),第一作者为北京大学物理学院2016级本科生亓瑞时、王任飞,指导老师为量子材料科学中心和电子显微镜实验室的高鹏研究员。该项研究得到国家自然科学基金、国家重点研发计划、量子物质科学协同创新中心等基金的支持。
高Q值低损耗超高频高温超导滤波器
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及超导滤波器技术领域,公开一种高Q值低损耗超高频高温超导滤波器。 该发明特征在于:该超导滤波器为宽线条十字型,中部宽于两端,超导滤波器的基底为MgO基片,所述基片厚度为0.5mm;该超导滤波器封装于金属屏蔽盒内。 导体电路结构简单,充分利用高温超导材料的低损耗特点,是一种具有低插损的超导滤波器。
一种紧凑型低损耗的圆柱形混合等离激元波导
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种圆柱形混合等离激元波导,是由三种材料由内向外逐层构成的三层同轴圆柱形结构,其横截面包括由内向外的高折射率介质、低折射率介质与贵金属。该波导结构可将光场限制在中间层的低折射率介质区域中,同时高折射率介质区域的存在,整个波导结构对传输光场具有强场限制能力,可进一步缩小光场分布的范围,并且能够保持较低的传输损耗,此外在整体结构依然紧凑微小的情况下,实现了长距离传输的特性。本发明的圆柱混合型波导结构克服了现有表面等离激元光波导在光场限制能力和传输损耗之间的矛盾,可应用于超高密度集成光路,为能够在集成光子器件领域实现超高集成度提供了可能。
找到11项技术成果数据。
找技术 >低损耗交流接触器、继电器、电磁开关
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
技术简介:授权专利《非晶铁芯交流接触器、继电器、电磁开关》(专利公开号:CN201345331),交流接触器等电磁开关铁芯采用非晶合金材料。交流接触器相当于二次绕组空载变压器,非晶铁芯接触器与硅钢片铁芯接触器相比具有以下优点:①损耗下降75-80%;②功率因数提高8倍以上;③非晶铁芯铁损不随电压变化而变化,硅钢片铁芯铁损随电压平方变化。技术的应用领域前景分析:国家最近公布《交流接触器能源效率标识实施规则》对交流接触器吸合功率有明确要求,非晶合金铁芯交流接触器吸合功率低,符合国家节能精神,替代传统交流接触器,会有宽广应用前景。经济收益分析:非晶合金接触器采用新材料,工艺较复杂,价格较传统接触器高30%左右;但由于其节能效果显著,运营成本较低,所以其综合使用成本较传统变压器低。传统CJ20-40型接触器工作电流90mA,年耗电量296.26KWh,铁芯换为非晶合金材料后以80%节电率计算,同功率接触器工作电流18mA,年耗电量59.26KWh,一年节电237度。以每度电0.8元计,一年节约电费189.6元,几个月就可回收非晶铁芯所增加费用。厂房条件建议:需有较大规模厂房,最好有交流接触器等电磁产品生产经验。
硅基太赫兹单片集成器件的设计与建模技术
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:信息传输、软件和信息技术服务业
技术简介
该项目主要研究内容如下: 1。研究了电感间的耦合效应,获得了高 Q 值电感,用于毫米波/太赫兹电路设计。 2。研究了毫米波/太赫兹频段的去嵌方法,通过毫米波/太赫兹频段的精准去嵌,获得了良好的毫米波/太赫兹测试结果。 3。结合加工工艺,设计了基于矩形微同轴工艺的低损耗传输线和基于 BiCMOS 工艺的sSPP 低损耗新型太赫兹传输线,并在此基础上实现了具有良好性能的电路和天线设计。 4。基于硅基 CMOS/BiCMOS 工艺研究实现了 UWB 发射机、接收机电路; 基于硅基CMOS/BiCMOS 工艺研究设计了毫米波/太赫兹振荡器、移相器、低噪放、可变增益放大器、锁相环路以及发射机、接收机等,通过搭建太赫兹检测系统,验证了芯片工作性能。 5。面向太赫兹系统应用,设计了多款太赫兹天线,仿真和测试结果吻合良好。 该项目在硅基毫米波/太赫兹电路设计、天线设计以及系统设计等方面积累了丰富经验, 为下一步实现硅基毫米波/太赫兹单片集成系统奠定了良好的基础。
一种基于介质谐振器的低损耗高隔离滤波开关
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本实用新型公开了一种基于介质谐振器的低损耗高隔离滤波开关,包括至少一个介质谐振器、金属腔、开关电路及馈电线结构,所述开关电路集成到PCB板后嵌入到金属腔内,介质谐振器位于金属腔内,馈电线结构包括结构相同的输入馈电线结构及输出馈电线结构,输入馈电线结构及输出馈电线结构均由主馈电线及两条支馈电线构成,两条支馈电线与主馈电线垂直,且连接在主馈电线的两侧,其中一条支馈电线的一端与金属腔连接并接地,另一条支馈电线的一端与金属腔内的开关电路连接。本实用新型在ON状态下具有较低插入损耗以及较高功率处理能力,能在通带两侧都产生传输零点,从而实现急剧的衰减率和较高的带外抑制;在OFF状态下具有高度隔离性。
一种低损耗铁酸铋-钛酸钡基压电陶瓷的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
标题一 这是第一段文字。 这是第二段文字。 标题二 这是第三段文字。 这是第四段文字。 标题三 这是第五段文字。 这是第六段文字。 标题四 这是第七段文字。 这是第八段文字。 标题五 这是第九段文字。 这是第十段文字。本发明公开了一种低损耗BiFeO3-BaTiO3基无铅压电陶瓷及其制备方法,其组成通式为:(1-x)(Bi1-tLat)FeO3-xBa(Ti1-uSnu)O3+0.5%BiMnO3+yBa(Cu1/3Nb2/3)O3+zLiBiO3+mBa(W1/2Cu1/2)O3,其中t、x、u、y、z、m表示摩尔分数,且0t≤0.02,0.15≤x≤0.30,0u0.05,0y0.05,0z0.05,0m0.05。其制备方法包括按组成通式配料,球磨,成型素片,排胶,烧结等工序,采用降低烧结温度、快速升降温,高压氧等技术,降低Bi元素挥发,抑制氧空位产生,防止降温过程中Fe3+离子变价,从而达到降低介电损耗的目的,制备出了介电损耗低于0.5%的高温无铅压电陶瓷,使该体系能实际应用于高温压电领域。
低损耗超高压电性能无铅压电陶瓷材料及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种低损耗超高压电性能无铅压电陶瓷材料及其制备方法,配方为0.95Ba(Ti0.89Sn0.11)O3‑0.05Bi2WO6+0.5%Mn+0.5%Cu。 通过加入Bi2WO6,促进烧结,获得致密,晶粒均匀的陶瓷材料,结合化学包覆法,在合成的0.95Ba(Ti0.89Sn0.11)O3颗粒表面,采用化学包覆法获得Mn/Cu表面包覆颗粒,合成时形成梯度分级结构,抑制Sn的变价,即克服了该体系漏电流大的问题,也同时提高压电性能,降低介电损耗,解决了该体系绝缘性差,难以极化等难题。 该陶瓷材料具有超高压电性能,同时具有超低介电损耗,环境友好型、稳定性好。
Nd: KGW波导激光器的制备及其应用研究
成熟度:通过中试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
目前波导激光器研究的主要问题是低损耗波导器件的制作以及激光输出的空间模式的控制。本项目将采用飞秒激光直写法和狭缝整形法在掺钕钨酸钆钾(Nd: KGW)激光晶体中制备波导芯可控的光波导,以激光与物质相互作用和光 通信等理论为基础,研究面向新一代集成光学的激光晶体波导谐振腔的制作技术,实现未来激光输出的空间模式可控的通讯系统,完成商业化进程中的关键技术。本项目可实现:(1)制备损耗<0.5dB/cm的波导芯形状可控的光波导结构,实现激光晶体中低损耗、高对称性模式分布的光波导结构。(2)将光波导配备反射镜,制备成激光器谐振腔,把波导激光器用于新型的有源器件中。
一种高非线性低损耗双钙钛矿复相陶瓷及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开一种高非线性低损耗双钙钛矿复相陶瓷及其制备方法,本发明方法包括首先根据化学表达式Y2x/3Ca1‑xCu3Ti4O12中各元素化学计量比计算并称取适量分析纯Y2O3,CaCO3,CuO,TiO2粉末原料;其次将混合后的原料使用行星式球磨机球磨,烘干、研磨、过筛后煅烧得到均匀的混合粉体,最后通过传统固相法制备陶瓷试样,得到钛酸铜钇与钛酸铜钙的复相陶瓷。本发明复相陶瓷的损耗因数tanδ最小值可降至0.02,是钛酸铜钙单相陶瓷试样的十分之一;同时非线性系数达到9.88,是钛酸铜钙单相陶瓷试样的两倍;击穿场强为11.24kV/cm,较钛酸铜钙陶瓷试样提高了一个数量级。本发明工艺简单,制备的复相陶瓷具有低介电损耗,高非线性系数的特点。
关于远红外表面声子极化激元探测的研究进展
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
声子极化激元是极性材料中晶格振动与光场之间的强耦合,有望应用在低损耗纳米光学元器件中。相关的理论研究由黄昆先生于上世纪五十年代提出,目前已经较为成熟。但是实验测量表面声子极化激元直到近年才有较大的进展,主要是因为表面声子极化激元的测量同时需要高的空间分辨率和能量分辨率。目前测量表面声子极化激元的主要方法为近场光学方法(s-SNOM),该方法可以在中红外和太赫兹区间对声子极化激元进行很好的探测。但在远红外区间,由于目前缺少合适的远红外激光光源和探测器,相关材料体系的表面声子极化激元的研究受到很大限制。近日,北京大学物理学院2016级本科生亓瑞时和王任飞利用扫描透射电子显微镜的电子能量损失谱,对ZnO纳米结构中的远红外表面声子极化激元进行了细致的探测。通过在纳米尺度上测量纳米线、纳米片不同空间位置的电子能量损失,探究了表面声子极化激元的性质,得到了表面声子极化激元的色散关系,并研究了其尺寸效应、几何效应等。图1. 左:利用电子束激发和探测纳米线表面声子极化激元。右:测量得到的色散关系。利用电子显微镜中的电子束来激发和探测声子极化激元具有很多的优点,包括(1)电子显微镜方法具有亚埃的空间分辨率;(2)电子激发具有更高的效率(电子与材料相互作用的散射截面更大);(3)电子能激发一些非光学活性的模式;(4)电子能量损失谱能得到高q(波矢)值下的信息;(5)电子能量损失谱具有很宽的激发、测量窗口,原则上可以测量从meV量级的振动谱信号至keV量级的芯电子激发谱信号。因此,电子能量损失谱有望极大地推动包括表面声子极化激元在内的相关实验研究。该工作于2019年7月19日在线发表于学术期刊Nano Letters(DOI:10.1021/acs.nanolett.9b01350),第一作者为北京大学物理学院2016级本科生亓瑞时、王任飞,指导老师为量子材料科学中心和电子显微镜实验室的高鹏研究员。该项研究得到国家自然科学基金、国家重点研发计划、量子物质科学协同创新中心等基金的支持。
高Q值低损耗超高频高温超导滤波器
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及超导滤波器技术领域,公开一种高Q值低损耗超高频高温超导滤波器。 该发明特征在于:该超导滤波器为宽线条十字型,中部宽于两端,超导滤波器的基底为MgO基片,所述基片厚度为0.5mm;该超导滤波器封装于金属屏蔽盒内。 导体电路结构简单,充分利用高温超导材料的低损耗特点,是一种具有低插损的超导滤波器。
一种紧凑型低损耗的圆柱形混合等离激元波导
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种圆柱形混合等离激元波导,是由三种材料由内向外逐层构成的三层同轴圆柱形结构,其横截面包括由内向外的高折射率介质、低折射率介质与贵金属。该波导结构可将光场限制在中间层的低折射率介质区域中,同时高折射率介质区域的存在,整个波导结构对传输光场具有强场限制能力,可进一步缩小光场分布的范围,并且能够保持较低的传输损耗,此外在整体结构依然紧凑微小的情况下,实现了长距离传输的特性。本发明的圆柱混合型波导结构克服了现有表面等离激元光波导在光场限制能力和传输损耗之间的矛盾,可应用于超高密度集成光路,为能够在集成光子器件领域实现超高集成度提供了可能。
找到11项技术成果数据。
找技术 >低损耗交流接触器、继电器、电磁开关
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
技术简介:授权专利《非晶铁芯交流接触器、继电器、电磁开关》(专利公开号:CN201345331),交流接触器等电磁开关铁芯采用非晶合金材料。交流接触器相当于二次绕组空载变压器,非晶铁芯接触器与硅钢片铁芯接触器相比具有以下优点:①损耗下降75-80%;②功率因数提高8倍以上;③非晶铁芯铁损不随电压变化而变化,硅钢片铁芯铁损随电压平方变化。技术的应用领域前景分析:国家最近公布《交流接触器能源效率标识实施规则》对交流接触器吸合功率有明确要求,非晶合金铁芯交流接触器吸合功率低,符合国家节能精神,替代传统交流接触器,会有宽广应用前景。经济收益分析:非晶合金接触器采用新材料,工艺较复杂,价格较传统接触器高30%左右;但由于其节能效果显著,运营成本较低,所以其综合使用成本较传统变压器低。传统CJ20-40型接触器工作电流90mA,年耗电量296.26KWh,铁芯换为非晶合金材料后以80%节电率计算,同功率接触器工作电流18mA,年耗电量59.26KWh,一年节电237度。以每度电0.8元计,一年节约电费189.6元,几个月就可回收非晶铁芯所增加费用。厂房条件建议:需有较大规模厂房,最好有交流接触器等电磁产品生产经验。
硅基太赫兹单片集成器件的设计与建模技术
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:信息传输、软件和信息技术服务业
技术简介
该项目主要研究内容如下: 1。研究了电感间的耦合效应,获得了高 Q 值电感,用于毫米波/太赫兹电路设计。 2。研究了毫米波/太赫兹频段的去嵌方法,通过毫米波/太赫兹频段的精准去嵌,获得了良好的毫米波/太赫兹测试结果。 3。结合加工工艺,设计了基于矩形微同轴工艺的低损耗传输线和基于 BiCMOS 工艺的sSPP 低损耗新型太赫兹传输线,并在此基础上实现了具有良好性能的电路和天线设计。 4。基于硅基 CMOS/BiCMOS 工艺研究实现了 UWB 发射机、接收机电路; 基于硅基CMOS/BiCMOS 工艺研究设计了毫米波/太赫兹振荡器、移相器、低噪放、可变增益放大器、锁相环路以及发射机、接收机等,通过搭建太赫兹检测系统,验证了芯片工作性能。 5。面向太赫兹系统应用,设计了多款太赫兹天线,仿真和测试结果吻合良好。 该项目在硅基毫米波/太赫兹电路设计、天线设计以及系统设计等方面积累了丰富经验, 为下一步实现硅基毫米波/太赫兹单片集成系统奠定了良好的基础。
一种基于介质谐振器的低损耗高隔离滤波开关
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本实用新型公开了一种基于介质谐振器的低损耗高隔离滤波开关,包括至少一个介质谐振器、金属腔、开关电路及馈电线结构,所述开关电路集成到PCB板后嵌入到金属腔内,介质谐振器位于金属腔内,馈电线结构包括结构相同的输入馈电线结构及输出馈电线结构,输入馈电线结构及输出馈电线结构均由主馈电线及两条支馈电线构成,两条支馈电线与主馈电线垂直,且连接在主馈电线的两侧,其中一条支馈电线的一端与金属腔连接并接地,另一条支馈电线的一端与金属腔内的开关电路连接。本实用新型在ON状态下具有较低插入损耗以及较高功率处理能力,能在通带两侧都产生传输零点,从而实现急剧的衰减率和较高的带外抑制;在OFF状态下具有高度隔离性。
一种低损耗铁酸铋-钛酸钡基压电陶瓷的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
标题一 这是第一段文字。 这是第二段文字。 标题二 这是第三段文字。 这是第四段文字。 标题三 这是第五段文字。 这是第六段文字。 标题四 这是第七段文字。 这是第八段文字。 标题五 这是第九段文字。 这是第十段文字。本发明公开了一种低损耗BiFeO3-BaTiO3基无铅压电陶瓷及其制备方法,其组成通式为:(1-x)(Bi1-tLat)FeO3-xBa(Ti1-uSnu)O3+0.5%BiMnO3+yBa(Cu1/3Nb2/3)O3+zLiBiO3+mBa(W1/2Cu1/2)O3,其中t、x、u、y、z、m表示摩尔分数,且0t≤0.02,0.15≤x≤0.30,0u0.05,0y0.05,0z0.05,0m0.05。其制备方法包括按组成通式配料,球磨,成型素片,排胶,烧结等工序,采用降低烧结温度、快速升降温,高压氧等技术,降低Bi元素挥发,抑制氧空位产生,防止降温过程中Fe3+离子变价,从而达到降低介电损耗的目的,制备出了介电损耗低于0.5%的高温无铅压电陶瓷,使该体系能实际应用于高温压电领域。
低损耗超高压电性能无铅压电陶瓷材料及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种低损耗超高压电性能无铅压电陶瓷材料及其制备方法,配方为0.95Ba(Ti0.89Sn0.11)O3‑0.05Bi2WO6+0.5%Mn+0.5%Cu。 通过加入Bi2WO6,促进烧结,获得致密,晶粒均匀的陶瓷材料,结合化学包覆法,在合成的0.95Ba(Ti0.89Sn0.11)O3颗粒表面,采用化学包覆法获得Mn/Cu表面包覆颗粒,合成时形成梯度分级结构,抑制Sn的变价,即克服了该体系漏电流大的问题,也同时提高压电性能,降低介电损耗,解决了该体系绝缘性差,难以极化等难题。 该陶瓷材料具有超高压电性能,同时具有超低介电损耗,环境友好型、稳定性好。
Nd: KGW波导激光器的制备及其应用研究
成熟度:通过中试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
目前波导激光器研究的主要问题是低损耗波导器件的制作以及激光输出的空间模式的控制。本项目将采用飞秒激光直写法和狭缝整形法在掺钕钨酸钆钾(Nd: KGW)激光晶体中制备波导芯可控的光波导,以激光与物质相互作用和光 通信等理论为基础,研究面向新一代集成光学的激光晶体波导谐振腔的制作技术,实现未来激光输出的空间模式可控的通讯系统,完成商业化进程中的关键技术。本项目可实现:(1)制备损耗<0.5dB/cm的波导芯形状可控的光波导结构,实现激光晶体中低损耗、高对称性模式分布的光波导结构。(2)将光波导配备反射镜,制备成激光器谐振腔,把波导激光器用于新型的有源器件中。
一种高非线性低损耗双钙钛矿复相陶瓷及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开一种高非线性低损耗双钙钛矿复相陶瓷及其制备方法,本发明方法包括首先根据化学表达式Y2x/3Ca1‑xCu3Ti4O12中各元素化学计量比计算并称取适量分析纯Y2O3,CaCO3,CuO,TiO2粉末原料;其次将混合后的原料使用行星式球磨机球磨,烘干、研磨、过筛后煅烧得到均匀的混合粉体,最后通过传统固相法制备陶瓷试样,得到钛酸铜钇与钛酸铜钙的复相陶瓷。本发明复相陶瓷的损耗因数tanδ最小值可降至0.02,是钛酸铜钙单相陶瓷试样的十分之一;同时非线性系数达到9.88,是钛酸铜钙单相陶瓷试样的两倍;击穿场强为11.24kV/cm,较钛酸铜钙陶瓷试样提高了一个数量级。本发明工艺简单,制备的复相陶瓷具有低介电损耗,高非线性系数的特点。
关于远红外表面声子极化激元探测的研究进展
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
声子极化激元是极性材料中晶格振动与光场之间的强耦合,有望应用在低损耗纳米光学元器件中。相关的理论研究由黄昆先生于上世纪五十年代提出,目前已经较为成熟。但是实验测量表面声子极化激元直到近年才有较大的进展,主要是因为表面声子极化激元的测量同时需要高的空间分辨率和能量分辨率。目前测量表面声子极化激元的主要方法为近场光学方法(s-SNOM),该方法可以在中红外和太赫兹区间对声子极化激元进行很好的探测。但在远红外区间,由于目前缺少合适的远红外激光光源和探测器,相关材料体系的表面声子极化激元的研究受到很大限制。近日,北京大学物理学院2016级本科生亓瑞时和王任飞利用扫描透射电子显微镜的电子能量损失谱,对ZnO纳米结构中的远红外表面声子极化激元进行了细致的探测。通过在纳米尺度上测量纳米线、纳米片不同空间位置的电子能量损失,探究了表面声子极化激元的性质,得到了表面声子极化激元的色散关系,并研究了其尺寸效应、几何效应等。图1. 左:利用电子束激发和探测纳米线表面声子极化激元。右:测量得到的色散关系。利用电子显微镜中的电子束来激发和探测声子极化激元具有很多的优点,包括(1)电子显微镜方法具有亚埃的空间分辨率;(2)电子激发具有更高的效率(电子与材料相互作用的散射截面更大);(3)电子能激发一些非光学活性的模式;(4)电子能量损失谱能得到高q(波矢)值下的信息;(5)电子能量损失谱具有很宽的激发、测量窗口,原则上可以测量从meV量级的振动谱信号至keV量级的芯电子激发谱信号。因此,电子能量损失谱有望极大地推动包括表面声子极化激元在内的相关实验研究。该工作于2019年7月19日在线发表于学术期刊Nano Letters(DOI:10.1021/acs.nanolett.9b01350),第一作者为北京大学物理学院2016级本科生亓瑞时、王任飞,指导老师为量子材料科学中心和电子显微镜实验室的高鹏研究员。该项研究得到国家自然科学基金、国家重点研发计划、量子物质科学协同创新中心等基金的支持。
高Q值低损耗超高频高温超导滤波器
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及超导滤波器技术领域,公开一种高Q值低损耗超高频高温超导滤波器。 该发明特征在于:该超导滤波器为宽线条十字型,中部宽于两端,超导滤波器的基底为MgO基片,所述基片厚度为0.5mm;该超导滤波器封装于金属屏蔽盒内。 导体电路结构简单,充分利用高温超导材料的低损耗特点,是一种具有低插损的超导滤波器。
一种紧凑型低损耗的圆柱形混合等离激元波导
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种圆柱形混合等离激元波导,是由三种材料由内向外逐层构成的三层同轴圆柱形结构,其横截面包括由内向外的高折射率介质、低折射率介质与贵金属。该波导结构可将光场限制在中间层的低折射率介质区域中,同时高折射率介质区域的存在,整个波导结构对传输光场具有强场限制能力,可进一步缩小光场分布的范围,并且能够保持较低的传输损耗,此外在整体结构依然紧凑微小的情况下,实现了长距离传输的特性。本发明的圆柱混合型波导结构克服了现有表面等离激元光波导在光场限制能力和传输损耗之间的矛盾,可应用于超高密度集成光路,为能够在集成光子器件领域实现超高集成度提供了可能。
找到11项技术成果数据。
找技术 >低损耗交流接触器、继电器、电磁开关
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
技术简介:授权专利《非晶铁芯交流接触器、继电器、电磁开关》(专利公开号:CN201345331),交流接触器等电磁开关铁芯采用非晶合金材料。交流接触器相当于二次绕组空载变压器,非晶铁芯接触器与硅钢片铁芯接触器相比具有以下优点:①损耗下降75-80%;②功率因数提高8倍以上;③非晶铁芯铁损不随电压变化而变化,硅钢片铁芯铁损随电压平方变化。技术的应用领域前景分析:国家最近公布《交流接触器能源效率标识实施规则》对交流接触器吸合功率有明确要求,非晶合金铁芯交流接触器吸合功率低,符合国家节能精神,替代传统交流接触器,会有宽广应用前景。经济收益分析:非晶合金接触器采用新材料,工艺较复杂,价格较传统接触器高30%左右;但由于其节能效果显著,运营成本较低,所以其综合使用成本较传统变压器低。传统CJ20-40型接触器工作电流90mA,年耗电量296.26KWh,铁芯换为非晶合金材料后以80%节电率计算,同功率接触器工作电流18mA,年耗电量59.26KWh,一年节电237度。以每度电0.8元计,一年节约电费189.6元,几个月就可回收非晶铁芯所增加费用。厂房条件建议:需有较大规模厂房,最好有交流接触器等电磁产品生产经验。
硅基太赫兹单片集成器件的设计与建模技术
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:信息传输、软件和信息技术服务业
技术简介
该项目主要研究内容如下: 1。研究了电感间的耦合效应,获得了高 Q 值电感,用于毫米波/太赫兹电路设计。 2。研究了毫米波/太赫兹频段的去嵌方法,通过毫米波/太赫兹频段的精准去嵌,获得了良好的毫米波/太赫兹测试结果。 3。结合加工工艺,设计了基于矩形微同轴工艺的低损耗传输线和基于 BiCMOS 工艺的sSPP 低损耗新型太赫兹传输线,并在此基础上实现了具有良好性能的电路和天线设计。 4。基于硅基 CMOS/BiCMOS 工艺研究实现了 UWB 发射机、接收机电路; 基于硅基CMOS/BiCMOS 工艺研究设计了毫米波/太赫兹振荡器、移相器、低噪放、可变增益放大器、锁相环路以及发射机、接收机等,通过搭建太赫兹检测系统,验证了芯片工作性能。 5。面向太赫兹系统应用,设计了多款太赫兹天线,仿真和测试结果吻合良好。 该项目在硅基毫米波/太赫兹电路设计、天线设计以及系统设计等方面积累了丰富经验, 为下一步实现硅基毫米波/太赫兹单片集成系统奠定了良好的基础。
一种基于介质谐振器的低损耗高隔离滤波开关
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本实用新型公开了一种基于介质谐振器的低损耗高隔离滤波开关,包括至少一个介质谐振器、金属腔、开关电路及馈电线结构,所述开关电路集成到PCB板后嵌入到金属腔内,介质谐振器位于金属腔内,馈电线结构包括结构相同的输入馈电线结构及输出馈电线结构,输入馈电线结构及输出馈电线结构均由主馈电线及两条支馈电线构成,两条支馈电线与主馈电线垂直,且连接在主馈电线的两侧,其中一条支馈电线的一端与金属腔连接并接地,另一条支馈电线的一端与金属腔内的开关电路连接。本实用新型在ON状态下具有较低插入损耗以及较高功率处理能力,能在通带两侧都产生传输零点,从而实现急剧的衰减率和较高的带外抑制;在OFF状态下具有高度隔离性。
一种低损耗铁酸铋-钛酸钡基压电陶瓷的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
标题一 这是第一段文字。 这是第二段文字。 标题二 这是第三段文字。 这是第四段文字。 标题三 这是第五段文字。 这是第六段文字。 标题四 这是第七段文字。 这是第八段文字。 标题五 这是第九段文字。 这是第十段文字。本发明公开了一种低损耗BiFeO3-BaTiO3基无铅压电陶瓷及其制备方法,其组成通式为:(1-x)(Bi1-tLat)FeO3-xBa(Ti1-uSnu)O3+0.5%BiMnO3+yBa(Cu1/3Nb2/3)O3+zLiBiO3+mBa(W1/2Cu1/2)O3,其中t、x、u、y、z、m表示摩尔分数,且0t≤0.02,0.15≤x≤0.30,0u0.05,0y0.05,0z0.05,0m0.05。其制备方法包括按组成通式配料,球磨,成型素片,排胶,烧结等工序,采用降低烧结温度、快速升降温,高压氧等技术,降低Bi元素挥发,抑制氧空位产生,防止降温过程中Fe3+离子变价,从而达到降低介电损耗的目的,制备出了介电损耗低于0.5%的高温无铅压电陶瓷,使该体系能实际应用于高温压电领域。
低损耗超高压电性能无铅压电陶瓷材料及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种低损耗超高压电性能无铅压电陶瓷材料及其制备方法,配方为0.95Ba(Ti0.89Sn0.11)O3‑0.05Bi2WO6+0.5%Mn+0.5%Cu。 通过加入Bi2WO6,促进烧结,获得致密,晶粒均匀的陶瓷材料,结合化学包覆法,在合成的0.95Ba(Ti0.89Sn0.11)O3颗粒表面,采用化学包覆法获得Mn/Cu表面包覆颗粒,合成时形成梯度分级结构,抑制Sn的变价,即克服了该体系漏电流大的问题,也同时提高压电性能,降低介电损耗,解决了该体系绝缘性差,难以极化等难题。 该陶瓷材料具有超高压电性能,同时具有超低介电损耗,环境友好型、稳定性好。
Nd: KGW波导激光器的制备及其应用研究
成熟度:通过中试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
目前波导激光器研究的主要问题是低损耗波导器件的制作以及激光输出的空间模式的控制。本项目将采用飞秒激光直写法和狭缝整形法在掺钕钨酸钆钾(Nd: KGW)激光晶体中制备波导芯可控的光波导,以激光与物质相互作用和光 通信等理论为基础,研究面向新一代集成光学的激光晶体波导谐振腔的制作技术,实现未来激光输出的空间模式可控的通讯系统,完成商业化进程中的关键技术。本项目可实现:(1)制备损耗<0.5dB/cm的波导芯形状可控的光波导结构,实现激光晶体中低损耗、高对称性模式分布的光波导结构。(2)将光波导配备反射镜,制备成激光器谐振腔,把波导激光器用于新型的有源器件中。
一种高非线性低损耗双钙钛矿复相陶瓷及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开一种高非线性低损耗双钙钛矿复相陶瓷及其制备方法,本发明方法包括首先根据化学表达式Y2x/3Ca1‑xCu3Ti4O12中各元素化学计量比计算并称取适量分析纯Y2O3,CaCO3,CuO,TiO2粉末原料;其次将混合后的原料使用行星式球磨机球磨,烘干、研磨、过筛后煅烧得到均匀的混合粉体,最后通过传统固相法制备陶瓷试样,得到钛酸铜钇与钛酸铜钙的复相陶瓷。本发明复相陶瓷的损耗因数tanδ最小值可降至0.02,是钛酸铜钙单相陶瓷试样的十分之一;同时非线性系数达到9.88,是钛酸铜钙单相陶瓷试样的两倍;击穿场强为11.24kV/cm,较钛酸铜钙陶瓷试样提高了一个数量级。本发明工艺简单,制备的复相陶瓷具有低介电损耗,高非线性系数的特点。
关于远红外表面声子极化激元探测的研究进展
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
声子极化激元是极性材料中晶格振动与光场之间的强耦合,有望应用在低损耗纳米光学元器件中。相关的理论研究由黄昆先生于上世纪五十年代提出,目前已经较为成熟。但是实验测量表面声子极化激元直到近年才有较大的进展,主要是因为表面声子极化激元的测量同时需要高的空间分辨率和能量分辨率。目前测量表面声子极化激元的主要方法为近场光学方法(s-SNOM),该方法可以在中红外和太赫兹区间对声子极化激元进行很好的探测。但在远红外区间,由于目前缺少合适的远红外激光光源和探测器,相关材料体系的表面声子极化激元的研究受到很大限制。近日,北京大学物理学院2016级本科生亓瑞时和王任飞利用扫描透射电子显微镜的电子能量损失谱,对ZnO纳米结构中的远红外表面声子极化激元进行了细致的探测。通过在纳米尺度上测量纳米线、纳米片不同空间位置的电子能量损失,探究了表面声子极化激元的性质,得到了表面声子极化激元的色散关系,并研究了其尺寸效应、几何效应等。图1. 左:利用电子束激发和探测纳米线表面声子极化激元。右:测量得到的色散关系。利用电子显微镜中的电子束来激发和探测声子极化激元具有很多的优点,包括(1)电子显微镜方法具有亚埃的空间分辨率;(2)电子激发具有更高的效率(电子与材料相互作用的散射截面更大);(3)电子能激发一些非光学活性的模式;(4)电子能量损失谱能得到高q(波矢)值下的信息;(5)电子能量损失谱具有很宽的激发、测量窗口,原则上可以测量从meV量级的振动谱信号至keV量级的芯电子激发谱信号。因此,电子能量损失谱有望极大地推动包括表面声子极化激元在内的相关实验研究。该工作于2019年7月19日在线发表于学术期刊Nano Letters(DOI:10.1021/acs.nanolett.9b01350),第一作者为北京大学物理学院2016级本科生亓瑞时、王任飞,指导老师为量子材料科学中心和电子显微镜实验室的高鹏研究员。该项研究得到国家自然科学基金、国家重点研发计划、量子物质科学协同创新中心等基金的支持。
高Q值低损耗超高频高温超导滤波器
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及超导滤波器技术领域,公开一种高Q值低损耗超高频高温超导滤波器。 该发明特征在于:该超导滤波器为宽线条十字型,中部宽于两端,超导滤波器的基底为MgO基片,所述基片厚度为0.5mm;该超导滤波器封装于金属屏蔽盒内。 导体电路结构简单,充分利用高温超导材料的低损耗特点,是一种具有低插损的超导滤波器。
一种紧凑型低损耗的圆柱形混合等离激元波导
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种圆柱形混合等离激元波导,是由三种材料由内向外逐层构成的三层同轴圆柱形结构,其横截面包括由内向外的高折射率介质、低折射率介质与贵金属。该波导结构可将光场限制在中间层的低折射率介质区域中,同时高折射率介质区域的存在,整个波导结构对传输光场具有强场限制能力,可进一步缩小光场分布的范围,并且能够保持较低的传输损耗,此外在整体结构依然紧凑微小的情况下,实现了长距离传输的特性。本发明的圆柱混合型波导结构克服了现有表面等离激元光波导在光场限制能力和传输损耗之间的矛盾,可应用于超高密度集成光路,为能够在集成光子器件领域实现超高集成度提供了可能。
找到11项技术成果数据。
找技术 >低损耗交流接触器、继电器、电磁开关
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
技术简介:授权专利《非晶铁芯交流接触器、继电器、电磁开关》(专利公开号:CN201345331),交流接触器等电磁开关铁芯采用非晶合金材料。交流接触器相当于二次绕组空载变压器,非晶铁芯接触器与硅钢片铁芯接触器相比具有以下优点:①损耗下降75-80%;②功率因数提高8倍以上;③非晶铁芯铁损不随电压变化而变化,硅钢片铁芯铁损随电压平方变化。技术的应用领域前景分析:国家最近公布《交流接触器能源效率标识实施规则》对交流接触器吸合功率有明确要求,非晶合金铁芯交流接触器吸合功率低,符合国家节能精神,替代传统交流接触器,会有宽广应用前景。经济收益分析:非晶合金接触器采用新材料,工艺较复杂,价格较传统接触器高30%左右;但由于其节能效果显著,运营成本较低,所以其综合使用成本较传统变压器低。传统CJ20-40型接触器工作电流90mA,年耗电量296.26KWh,铁芯换为非晶合金材料后以80%节电率计算,同功率接触器工作电流18mA,年耗电量59.26KWh,一年节电237度。以每度电0.8元计,一年节约电费189.6元,几个月就可回收非晶铁芯所增加费用。厂房条件建议:需有较大规模厂房,最好有交流接触器等电磁产品生产经验。
硅基太赫兹单片集成器件的设计与建模技术
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:信息传输、软件和信息技术服务业
技术简介
该项目主要研究内容如下: 1。研究了电感间的耦合效应,获得了高 Q 值电感,用于毫米波/太赫兹电路设计。 2。研究了毫米波/太赫兹频段的去嵌方法,通过毫米波/太赫兹频段的精准去嵌,获得了良好的毫米波/太赫兹测试结果。 3。结合加工工艺,设计了基于矩形微同轴工艺的低损耗传输线和基于 BiCMOS 工艺的sSPP 低损耗新型太赫兹传输线,并在此基础上实现了具有良好性能的电路和天线设计。 4。基于硅基 CMOS/BiCMOS 工艺研究实现了 UWB 发射机、接收机电路; 基于硅基CMOS/BiCMOS 工艺研究设计了毫米波/太赫兹振荡器、移相器、低噪放、可变增益放大器、锁相环路以及发射机、接收机等,通过搭建太赫兹检测系统,验证了芯片工作性能。 5。面向太赫兹系统应用,设计了多款太赫兹天线,仿真和测试结果吻合良好。 该项目在硅基毫米波/太赫兹电路设计、天线设计以及系统设计等方面积累了丰富经验, 为下一步实现硅基毫米波/太赫兹单片集成系统奠定了良好的基础。
一种基于介质谐振器的低损耗高隔离滤波开关
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本实用新型公开了一种基于介质谐振器的低损耗高隔离滤波开关,包括至少一个介质谐振器、金属腔、开关电路及馈电线结构,所述开关电路集成到PCB板后嵌入到金属腔内,介质谐振器位于金属腔内,馈电线结构包括结构相同的输入馈电线结构及输出馈电线结构,输入馈电线结构及输出馈电线结构均由主馈电线及两条支馈电线构成,两条支馈电线与主馈电线垂直,且连接在主馈电线的两侧,其中一条支馈电线的一端与金属腔连接并接地,另一条支馈电线的一端与金属腔内的开关电路连接。本实用新型在ON状态下具有较低插入损耗以及较高功率处理能力,能在通带两侧都产生传输零点,从而实现急剧的衰减率和较高的带外抑制;在OFF状态下具有高度隔离性。
一种低损耗铁酸铋-钛酸钡基压电陶瓷的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
标题一 这是第一段文字。 这是第二段文字。 标题二 这是第三段文字。 这是第四段文字。 标题三 这是第五段文字。 这是第六段文字。 标题四 这是第七段文字。 这是第八段文字。 标题五 这是第九段文字。 这是第十段文字。本发明公开了一种低损耗BiFeO3-BaTiO3基无铅压电陶瓷及其制备方法,其组成通式为:(1-x)(Bi1-tLat)FeO3-xBa(Ti1-uSnu)O3+0.5%BiMnO3+yBa(Cu1/3Nb2/3)O3+zLiBiO3+mBa(W1/2Cu1/2)O3,其中t、x、u、y、z、m表示摩尔分数,且0t≤0.02,0.15≤x≤0.30,0u0.05,0y0.05,0z0.05,0m0.05。其制备方法包括按组成通式配料,球磨,成型素片,排胶,烧结等工序,采用降低烧结温度、快速升降温,高压氧等技术,降低Bi元素挥发,抑制氧空位产生,防止降温过程中Fe3+离子变价,从而达到降低介电损耗的目的,制备出了介电损耗低于0.5%的高温无铅压电陶瓷,使该体系能实际应用于高温压电领域。
低损耗超高压电性能无铅压电陶瓷材料及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种低损耗超高压电性能无铅压电陶瓷材料及其制备方法,配方为0.95Ba(Ti0.89Sn0.11)O3‑0.05Bi2WO6+0.5%Mn+0.5%Cu。 通过加入Bi2WO6,促进烧结,获得致密,晶粒均匀的陶瓷材料,结合化学包覆法,在合成的0.95Ba(Ti0.89Sn0.11)O3颗粒表面,采用化学包覆法获得Mn/Cu表面包覆颗粒,合成时形成梯度分级结构,抑制Sn的变价,即克服了该体系漏电流大的问题,也同时提高压电性能,降低介电损耗,解决了该体系绝缘性差,难以极化等难题。 该陶瓷材料具有超高压电性能,同时具有超低介电损耗,环境友好型、稳定性好。
Nd: KGW波导激光器的制备及其应用研究
成熟度:通过中试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
目前波导激光器研究的主要问题是低损耗波导器件的制作以及激光输出的空间模式的控制。本项目将采用飞秒激光直写法和狭缝整形法在掺钕钨酸钆钾(Nd: KGW)激光晶体中制备波导芯可控的光波导,以激光与物质相互作用和光 通信等理论为基础,研究面向新一代集成光学的激光晶体波导谐振腔的制作技术,实现未来激光输出的空间模式可控的通讯系统,完成商业化进程中的关键技术。本项目可实现:(1)制备损耗<0.5dB/cm的波导芯形状可控的光波导结构,实现激光晶体中低损耗、高对称性模式分布的光波导结构。(2)将光波导配备反射镜,制备成激光器谐振腔,把波导激光器用于新型的有源器件中。
一种高非线性低损耗双钙钛矿复相陶瓷及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开一种高非线性低损耗双钙钛矿复相陶瓷及其制备方法,本发明方法包括首先根据化学表达式Y2x/3Ca1‑xCu3Ti4O12中各元素化学计量比计算并称取适量分析纯Y2O3,CaCO3,CuO,TiO2粉末原料;其次将混合后的原料使用行星式球磨机球磨,烘干、研磨、过筛后煅烧得到均匀的混合粉体,最后通过传统固相法制备陶瓷试样,得到钛酸铜钇与钛酸铜钙的复相陶瓷。本发明复相陶瓷的损耗因数tanδ最小值可降至0.02,是钛酸铜钙单相陶瓷试样的十分之一;同时非线性系数达到9.88,是钛酸铜钙单相陶瓷试样的两倍;击穿场强为11.24kV/cm,较钛酸铜钙陶瓷试样提高了一个数量级。本发明工艺简单,制备的复相陶瓷具有低介电损耗,高非线性系数的特点。
关于远红外表面声子极化激元探测的研究进展
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
声子极化激元是极性材料中晶格振动与光场之间的强耦合,有望应用在低损耗纳米光学元器件中。相关的理论研究由黄昆先生于上世纪五十年代提出,目前已经较为成熟。但是实验测量表面声子极化激元直到近年才有较大的进展,主要是因为表面声子极化激元的测量同时需要高的空间分辨率和能量分辨率。目前测量表面声子极化激元的主要方法为近场光学方法(s-SNOM),该方法可以在中红外和太赫兹区间对声子极化激元进行很好的探测。但在远红外区间,由于目前缺少合适的远红外激光光源和探测器,相关材料体系的表面声子极化激元的研究受到很大限制。近日,北京大学物理学院2016级本科生亓瑞时和王任飞利用扫描透射电子显微镜的电子能量损失谱,对ZnO纳米结构中的远红外表面声子极化激元进行了细致的探测。通过在纳米尺度上测量纳米线、纳米片不同空间位置的电子能量损失,探究了表面声子极化激元的性质,得到了表面声子极化激元的色散关系,并研究了其尺寸效应、几何效应等。图1. 左:利用电子束激发和探测纳米线表面声子极化激元。右:测量得到的色散关系。利用电子显微镜中的电子束来激发和探测声子极化激元具有很多的优点,包括(1)电子显微镜方法具有亚埃的空间分辨率;(2)电子激发具有更高的效率(电子与材料相互作用的散射截面更大);(3)电子能激发一些非光学活性的模式;(4)电子能量损失谱能得到高q(波矢)值下的信息;(5)电子能量损失谱具有很宽的激发、测量窗口,原则上可以测量从meV量级的振动谱信号至keV量级的芯电子激发谱信号。因此,电子能量损失谱有望极大地推动包括表面声子极化激元在内的相关实验研究。该工作于2019年7月19日在线发表于学术期刊Nano Letters(DOI:10.1021/acs.nanolett.9b01350),第一作者为北京大学物理学院2016级本科生亓瑞时、王任飞,指导老师为量子材料科学中心和电子显微镜实验室的高鹏研究员。该项研究得到国家自然科学基金、国家重点研发计划、量子物质科学协同创新中心等基金的支持。
高Q值低损耗超高频高温超导滤波器
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及超导滤波器技术领域,公开一种高Q值低损耗超高频高温超导滤波器。 该发明特征在于:该超导滤波器为宽线条十字型,中部宽于两端,超导滤波器的基底为MgO基片,所述基片厚度为0.5mm;该超导滤波器封装于金属屏蔽盒内。 导体电路结构简单,充分利用高温超导材料的低损耗特点,是一种具有低插损的超导滤波器。
一种紧凑型低损耗的圆柱形混合等离激元波导
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种圆柱形混合等离激元波导,是由三种材料由内向外逐层构成的三层同轴圆柱形结构,其横截面包括由内向外的高折射率介质、低折射率介质与贵金属。该波导结构可将光场限制在中间层的低折射率介质区域中,同时高折射率介质区域的存在,整个波导结构对传输光场具有强场限制能力,可进一步缩小光场分布的范围,并且能够保持较低的传输损耗,此外在整体结构依然紧凑微小的情况下,实现了长距离传输的特性。本发明的圆柱混合型波导结构克服了现有表面等离激元光波导在光场限制能力和传输损耗之间的矛盾,可应用于超高密度集成光路,为能够在集成光子器件领域实现超高集成度提供了可能。
找到11项技术成果数据。
找技术 >低损耗交流接触器、继电器、电磁开关
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
技术简介:授权专利《非晶铁芯交流接触器、继电器、电磁开关》(专利公开号:CN201345331),交流接触器等电磁开关铁芯采用非晶合金材料。交流接触器相当于二次绕组空载变压器,非晶铁芯接触器与硅钢片铁芯接触器相比具有以下优点:①损耗下降75-80%;②功率因数提高8倍以上;③非晶铁芯铁损不随电压变化而变化,硅钢片铁芯铁损随电压平方变化。技术的应用领域前景分析:国家最近公布《交流接触器能源效率标识实施规则》对交流接触器吸合功率有明确要求,非晶合金铁芯交流接触器吸合功率低,符合国家节能精神,替代传统交流接触器,会有宽广应用前景。经济收益分析:非晶合金接触器采用新材料,工艺较复杂,价格较传统接触器高30%左右;但由于其节能效果显著,运营成本较低,所以其综合使用成本较传统变压器低。传统CJ20-40型接触器工作电流90mA,年耗电量296.26KWh,铁芯换为非晶合金材料后以80%节电率计算,同功率接触器工作电流18mA,年耗电量59.26KWh,一年节电237度。以每度电0.8元计,一年节约电费189.6元,几个月就可回收非晶铁芯所增加费用。厂房条件建议:需有较大规模厂房,最好有交流接触器等电磁产品生产经验。
硅基太赫兹单片集成器件的设计与建模技术
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:信息传输、软件和信息技术服务业
技术简介
该项目主要研究内容如下: 1。研究了电感间的耦合效应,获得了高 Q 值电感,用于毫米波/太赫兹电路设计。 2。研究了毫米波/太赫兹频段的去嵌方法,通过毫米波/太赫兹频段的精准去嵌,获得了良好的毫米波/太赫兹测试结果。 3。结合加工工艺,设计了基于矩形微同轴工艺的低损耗传输线和基于 BiCMOS 工艺的sSPP 低损耗新型太赫兹传输线,并在此基础上实现了具有良好性能的电路和天线设计。 4。基于硅基 CMOS/BiCMOS 工艺研究实现了 UWB 发射机、接收机电路; 基于硅基CMOS/BiCMOS 工艺研究设计了毫米波/太赫兹振荡器、移相器、低噪放、可变增益放大器、锁相环路以及发射机、接收机等,通过搭建太赫兹检测系统,验证了芯片工作性能。 5。面向太赫兹系统应用,设计了多款太赫兹天线,仿真和测试结果吻合良好。 该项目在硅基毫米波/太赫兹电路设计、天线设计以及系统设计等方面积累了丰富经验, 为下一步实现硅基毫米波/太赫兹单片集成系统奠定了良好的基础。
一种基于介质谐振器的低损耗高隔离滤波开关
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本实用新型公开了一种基于介质谐振器的低损耗高隔离滤波开关,包括至少一个介质谐振器、金属腔、开关电路及馈电线结构,所述开关电路集成到PCB板后嵌入到金属腔内,介质谐振器位于金属腔内,馈电线结构包括结构相同的输入馈电线结构及输出馈电线结构,输入馈电线结构及输出馈电线结构均由主馈电线及两条支馈电线构成,两条支馈电线与主馈电线垂直,且连接在主馈电线的两侧,其中一条支馈电线的一端与金属腔连接并接地,另一条支馈电线的一端与金属腔内的开关电路连接。本实用新型在ON状态下具有较低插入损耗以及较高功率处理能力,能在通带两侧都产生传输零点,从而实现急剧的衰减率和较高的带外抑制;在OFF状态下具有高度隔离性。
一种低损耗铁酸铋-钛酸钡基压电陶瓷的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
标题一 这是第一段文字。 这是第二段文字。 标题二 这是第三段文字。 这是第四段文字。 标题三 这是第五段文字。 这是第六段文字。 标题四 这是第七段文字。 这是第八段文字。 标题五 这是第九段文字。 这是第十段文字。本发明公开了一种低损耗BiFeO3-BaTiO3基无铅压电陶瓷及其制备方法,其组成通式为:(1-x)(Bi1-tLat)FeO3-xBa(Ti1-uSnu)O3+0.5%BiMnO3+yBa(Cu1/3Nb2/3)O3+zLiBiO3+mBa(W1/2Cu1/2)O3,其中t、x、u、y、z、m表示摩尔分数,且0t≤0.02,0.15≤x≤0.30,0u0.05,0y0.05,0z0.05,0m0.05。其制备方法包括按组成通式配料,球磨,成型素片,排胶,烧结等工序,采用降低烧结温度、快速升降温,高压氧等技术,降低Bi元素挥发,抑制氧空位产生,防止降温过程中Fe3+离子变价,从而达到降低介电损耗的目的,制备出了介电损耗低于0.5%的高温无铅压电陶瓷,使该体系能实际应用于高温压电领域。
低损耗超高压电性能无铅压电陶瓷材料及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种低损耗超高压电性能无铅压电陶瓷材料及其制备方法,配方为0.95Ba(Ti0.89Sn0.11)O3‑0.05Bi2WO6+0.5%Mn+0.5%Cu。 通过加入Bi2WO6,促进烧结,获得致密,晶粒均匀的陶瓷材料,结合化学包覆法,在合成的0.95Ba(Ti0.89Sn0.11)O3颗粒表面,采用化学包覆法获得Mn/Cu表面包覆颗粒,合成时形成梯度分级结构,抑制Sn的变价,即克服了该体系漏电流大的问题,也同时提高压电性能,降低介电损耗,解决了该体系绝缘性差,难以极化等难题。 该陶瓷材料具有超高压电性能,同时具有超低介电损耗,环境友好型、稳定性好。
Nd: KGW波导激光器的制备及其应用研究
成熟度:通过中试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
目前波导激光器研究的主要问题是低损耗波导器件的制作以及激光输出的空间模式的控制。本项目将采用飞秒激光直写法和狭缝整形法在掺钕钨酸钆钾(Nd: KGW)激光晶体中制备波导芯可控的光波导,以激光与物质相互作用和光 通信等理论为基础,研究面向新一代集成光学的激光晶体波导谐振腔的制作技术,实现未来激光输出的空间模式可控的通讯系统,完成商业化进程中的关键技术。本项目可实现:(1)制备损耗<0.5dB/cm的波导芯形状可控的光波导结构,实现激光晶体中低损耗、高对称性模式分布的光波导结构。(2)将光波导配备反射镜,制备成激光器谐振腔,把波导激光器用于新型的有源器件中。
一种高非线性低损耗双钙钛矿复相陶瓷及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开一种高非线性低损耗双钙钛矿复相陶瓷及其制备方法,本发明方法包括首先根据化学表达式Y2x/3Ca1‑xCu3Ti4O12中各元素化学计量比计算并称取适量分析纯Y2O3,CaCO3,CuO,TiO2粉末原料;其次将混合后的原料使用行星式球磨机球磨,烘干、研磨、过筛后煅烧得到均匀的混合粉体,最后通过传统固相法制备陶瓷试样,得到钛酸铜钇与钛酸铜钙的复相陶瓷。本发明复相陶瓷的损耗因数tanδ最小值可降至0.02,是钛酸铜钙单相陶瓷试样的十分之一;同时非线性系数达到9.88,是钛酸铜钙单相陶瓷试样的两倍;击穿场强为11.24kV/cm,较钛酸铜钙陶瓷试样提高了一个数量级。本发明工艺简单,制备的复相陶瓷具有低介电损耗,高非线性系数的特点。
关于远红外表面声子极化激元探测的研究进展
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
声子极化激元是极性材料中晶格振动与光场之间的强耦合,有望应用在低损耗纳米光学元器件中。相关的理论研究由黄昆先生于上世纪五十年代提出,目前已经较为成熟。但是实验测量表面声子极化激元直到近年才有较大的进展,主要是因为表面声子极化激元的测量同时需要高的空间分辨率和能量分辨率。目前测量表面声子极化激元的主要方法为近场光学方法(s-SNOM),该方法可以在中红外和太赫兹区间对声子极化激元进行很好的探测。但在远红外区间,由于目前缺少合适的远红外激光光源和探测器,相关材料体系的表面声子极化激元的研究受到很大限制。近日,北京大学物理学院2016级本科生亓瑞时和王任飞利用扫描透射电子显微镜的电子能量损失谱,对ZnO纳米结构中的远红外表面声子极化激元进行了细致的探测。通过在纳米尺度上测量纳米线、纳米片不同空间位置的电子能量损失,探究了表面声子极化激元的性质,得到了表面声子极化激元的色散关系,并研究了其尺寸效应、几何效应等。图1. 左:利用电子束激发和探测纳米线表面声子极化激元。右:测量得到的色散关系。利用电子显微镜中的电子束来激发和探测声子极化激元具有很多的优点,包括(1)电子显微镜方法具有亚埃的空间分辨率;(2)电子激发具有更高的效率(电子与材料相互作用的散射截面更大);(3)电子能激发一些非光学活性的模式;(4)电子能量损失谱能得到高q(波矢)值下的信息;(5)电子能量损失谱具有很宽的激发、测量窗口,原则上可以测量从meV量级的振动谱信号至keV量级的芯电子激发谱信号。因此,电子能量损失谱有望极大地推动包括表面声子极化激元在内的相关实验研究。该工作于2019年7月19日在线发表于学术期刊Nano Letters(DOI:10.1021/acs.nanolett.9b01350),第一作者为北京大学物理学院2016级本科生亓瑞时、王任飞,指导老师为量子材料科学中心和电子显微镜实验室的高鹏研究员。该项研究得到国家自然科学基金、国家重点研发计划、量子物质科学协同创新中心等基金的支持。
高Q值低损耗超高频高温超导滤波器
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及超导滤波器技术领域,公开一种高Q值低损耗超高频高温超导滤波器。 该发明特征在于:该超导滤波器为宽线条十字型,中部宽于两端,超导滤波器的基底为MgO基片,所述基片厚度为0.5mm;该超导滤波器封装于金属屏蔽盒内。 导体电路结构简单,充分利用高温超导材料的低损耗特点,是一种具有低插损的超导滤波器。
一种紧凑型低损耗的圆柱形混合等离激元波导
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种圆柱形混合等离激元波导,是由三种材料由内向外逐层构成的三层同轴圆柱形结构,其横截面包括由内向外的高折射率介质、低折射率介质与贵金属。该波导结构可将光场限制在中间层的低折射率介质区域中,同时高折射率介质区域的存在,整个波导结构对传输光场具有强场限制能力,可进一步缩小光场分布的范围,并且能够保持较低的传输损耗,此外在整体结构依然紧凑微小的情况下,实现了长距离传输的特性。本发明的圆柱混合型波导结构克服了现有表面等离激元光波导在光场限制能力和传输损耗之间的矛盾,可应用于超高密度集成光路,为能够在集成光子器件领域实现超高集成度提供了可能。
找到11项技术成果数据。
找技术 >低损耗交流接触器、继电器、电磁开关
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
技术简介:授权专利《非晶铁芯交流接触器、继电器、电磁开关》(专利公开号:CN201345331),交流接触器等电磁开关铁芯采用非晶合金材料。交流接触器相当于二次绕组空载变压器,非晶铁芯接触器与硅钢片铁芯接触器相比具有以下优点:①损耗下降75-80%;②功率因数提高8倍以上;③非晶铁芯铁损不随电压变化而变化,硅钢片铁芯铁损随电压平方变化。技术的应用领域前景分析:国家最近公布《交流接触器能源效率标识实施规则》对交流接触器吸合功率有明确要求,非晶合金铁芯交流接触器吸合功率低,符合国家节能精神,替代传统交流接触器,会有宽广应用前景。经济收益分析:非晶合金接触器采用新材料,工艺较复杂,价格较传统接触器高30%左右;但由于其节能效果显著,运营成本较低,所以其综合使用成本较传统变压器低。传统CJ20-40型接触器工作电流90mA,年耗电量296.26KWh,铁芯换为非晶合金材料后以80%节电率计算,同功率接触器工作电流18mA,年耗电量59.26KWh,一年节电237度。以每度电0.8元计,一年节约电费189.6元,几个月就可回收非晶铁芯所增加费用。厂房条件建议:需有较大规模厂房,最好有交流接触器等电磁产品生产经验。
硅基太赫兹单片集成器件的设计与建模技术
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:信息传输、软件和信息技术服务业
技术简介
该项目主要研究内容如下: 1。研究了电感间的耦合效应,获得了高 Q 值电感,用于毫米波/太赫兹电路设计。 2。研究了毫米波/太赫兹频段的去嵌方法,通过毫米波/太赫兹频段的精准去嵌,获得了良好的毫米波/太赫兹测试结果。 3。结合加工工艺,设计了基于矩形微同轴工艺的低损耗传输线和基于 BiCMOS 工艺的sSPP 低损耗新型太赫兹传输线,并在此基础上实现了具有良好性能的电路和天线设计。 4。基于硅基 CMOS/BiCMOS 工艺研究实现了 UWB 发射机、接收机电路; 基于硅基CMOS/BiCMOS 工艺研究设计了毫米波/太赫兹振荡器、移相器、低噪放、可变增益放大器、锁相环路以及发射机、接收机等,通过搭建太赫兹检测系统,验证了芯片工作性能。 5。面向太赫兹系统应用,设计了多款太赫兹天线,仿真和测试结果吻合良好。 该项目在硅基毫米波/太赫兹电路设计、天线设计以及系统设计等方面积累了丰富经验, 为下一步实现硅基毫米波/太赫兹单片集成系统奠定了良好的基础。
一种基于介质谐振器的低损耗高隔离滤波开关
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本实用新型公开了一种基于介质谐振器的低损耗高隔离滤波开关,包括至少一个介质谐振器、金属腔、开关电路及馈电线结构,所述开关电路集成到PCB板后嵌入到金属腔内,介质谐振器位于金属腔内,馈电线结构包括结构相同的输入馈电线结构及输出馈电线结构,输入馈电线结构及输出馈电线结构均由主馈电线及两条支馈电线构成,两条支馈电线与主馈电线垂直,且连接在主馈电线的两侧,其中一条支馈电线的一端与金属腔连接并接地,另一条支馈电线的一端与金属腔内的开关电路连接。本实用新型在ON状态下具有较低插入损耗以及较高功率处理能力,能在通带两侧都产生传输零点,从而实现急剧的衰减率和较高的带外抑制;在OFF状态下具有高度隔离性。
一种低损耗铁酸铋-钛酸钡基压电陶瓷的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
标题一 这是第一段文字。 这是第二段文字。 标题二 这是第三段文字。 这是第四段文字。 标题三 这是第五段文字。 这是第六段文字。 标题四 这是第七段文字。 这是第八段文字。 标题五 这是第九段文字。 这是第十段文字。本发明公开了一种低损耗BiFeO3-BaTiO3基无铅压电陶瓷及其制备方法,其组成通式为:(1-x)(Bi1-tLat)FeO3-xBa(Ti1-uSnu)O3+0.5%BiMnO3+yBa(Cu1/3Nb2/3)O3+zLiBiO3+mBa(W1/2Cu1/2)O3,其中t、x、u、y、z、m表示摩尔分数,且0t≤0.02,0.15≤x≤0.30,0u0.05,0y0.05,0z0.05,0m0.05。其制备方法包括按组成通式配料,球磨,成型素片,排胶,烧结等工序,采用降低烧结温度、快速升降温,高压氧等技术,降低Bi元素挥发,抑制氧空位产生,防止降温过程中Fe3+离子变价,从而达到降低介电损耗的目的,制备出了介电损耗低于0.5%的高温无铅压电陶瓷,使该体系能实际应用于高温压电领域。
低损耗超高压电性能无铅压电陶瓷材料及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种低损耗超高压电性能无铅压电陶瓷材料及其制备方法,配方为0.95Ba(Ti0.89Sn0.11)O3‑0.05Bi2WO6+0.5%Mn+0.5%Cu。 通过加入Bi2WO6,促进烧结,获得致密,晶粒均匀的陶瓷材料,结合化学包覆法,在合成的0.95Ba(Ti0.89Sn0.11)O3颗粒表面,采用化学包覆法获得Mn/Cu表面包覆颗粒,合成时形成梯度分级结构,抑制Sn的变价,即克服了该体系漏电流大的问题,也同时提高压电性能,降低介电损耗,解决了该体系绝缘性差,难以极化等难题。 该陶瓷材料具有超高压电性能,同时具有超低介电损耗,环境友好型、稳定性好。
Nd: KGW波导激光器的制备及其应用研究
成熟度:通过中试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
目前波导激光器研究的主要问题是低损耗波导器件的制作以及激光输出的空间模式的控制。本项目将采用飞秒激光直写法和狭缝整形法在掺钕钨酸钆钾(Nd: KGW)激光晶体中制备波导芯可控的光波导,以激光与物质相互作用和光 通信等理论为基础,研究面向新一代集成光学的激光晶体波导谐振腔的制作技术,实现未来激光输出的空间模式可控的通讯系统,完成商业化进程中的关键技术。本项目可实现:(1)制备损耗<0.5dB/cm的波导芯形状可控的光波导结构,实现激光晶体中低损耗、高对称性模式分布的光波导结构。(2)将光波导配备反射镜,制备成激光器谐振腔,把波导激光器用于新型的有源器件中。
一种高非线性低损耗双钙钛矿复相陶瓷及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开一种高非线性低损耗双钙钛矿复相陶瓷及其制备方法,本发明方法包括首先根据化学表达式Y2x/3Ca1‑xCu3Ti4O12中各元素化学计量比计算并称取适量分析纯Y2O3,CaCO3,CuO,TiO2粉末原料;其次将混合后的原料使用行星式球磨机球磨,烘干、研磨、过筛后煅烧得到均匀的混合粉体,最后通过传统固相法制备陶瓷试样,得到钛酸铜钇与钛酸铜钙的复相陶瓷。本发明复相陶瓷的损耗因数tanδ最小值可降至0.02,是钛酸铜钙单相陶瓷试样的十分之一;同时非线性系数达到9.88,是钛酸铜钙单相陶瓷试样的两倍;击穿场强为11.24kV/cm,较钛酸铜钙陶瓷试样提高了一个数量级。本发明工艺简单,制备的复相陶瓷具有低介电损耗,高非线性系数的特点。
关于远红外表面声子极化激元探测的研究进展
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
声子极化激元是极性材料中晶格振动与光场之间的强耦合,有望应用在低损耗纳米光学元器件中。相关的理论研究由黄昆先生于上世纪五十年代提出,目前已经较为成熟。但是实验测量表面声子极化激元直到近年才有较大的进展,主要是因为表面声子极化激元的测量同时需要高的空间分辨率和能量分辨率。目前测量表面声子极化激元的主要方法为近场光学方法(s-SNOM),该方法可以在中红外和太赫兹区间对声子极化激元进行很好的探测。但在远红外区间,由于目前缺少合适的远红外激光光源和探测器,相关材料体系的表面声子极化激元的研究受到很大限制。近日,北京大学物理学院2016级本科生亓瑞时和王任飞利用扫描透射电子显微镜的电子能量损失谱,对ZnO纳米结构中的远红外表面声子极化激元进行了细致的探测。通过在纳米尺度上测量纳米线、纳米片不同空间位置的电子能量损失,探究了表面声子极化激元的性质,得到了表面声子极化激元的色散关系,并研究了其尺寸效应、几何效应等。图1. 左:利用电子束激发和探测纳米线表面声子极化激元。右:测量得到的色散关系。利用电子显微镜中的电子束来激发和探测声子极化激元具有很多的优点,包括(1)电子显微镜方法具有亚埃的空间分辨率;(2)电子激发具有更高的效率(电子与材料相互作用的散射截面更大);(3)电子能激发一些非光学活性的模式;(4)电子能量损失谱能得到高q(波矢)值下的信息;(5)电子能量损失谱具有很宽的激发、测量窗口,原则上可以测量从meV量级的振动谱信号至keV量级的芯电子激发谱信号。因此,电子能量损失谱有望极大地推动包括表面声子极化激元在内的相关实验研究。该工作于2019年7月19日在线发表于学术期刊Nano Letters(DOI:10.1021/acs.nanolett.9b01350),第一作者为北京大学物理学院2016级本科生亓瑞时、王任飞,指导老师为量子材料科学中心和电子显微镜实验室的高鹏研究员。该项研究得到国家自然科学基金、国家重点研发计划、量子物质科学协同创新中心等基金的支持。
高Q值低损耗超高频高温超导滤波器
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及超导滤波器技术领域,公开一种高Q值低损耗超高频高温超导滤波器。 该发明特征在于:该超导滤波器为宽线条十字型,中部宽于两端,超导滤波器的基底为MgO基片,所述基片厚度为0.5mm;该超导滤波器封装于金属屏蔽盒内。 导体电路结构简单,充分利用高温超导材料的低损耗特点,是一种具有低插损的超导滤波器。
一种紧凑型低损耗的圆柱形混合等离激元波导
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种圆柱形混合等离激元波导,是由三种材料由内向外逐层构成的三层同轴圆柱形结构,其横截面包括由内向外的高折射率介质、低折射率介质与贵金属。该波导结构可将光场限制在中间层的低折射率介质区域中,同时高折射率介质区域的存在,整个波导结构对传输光场具有强场限制能力,可进一步缩小光场分布的范围,并且能够保持较低的传输损耗,此外在整体结构依然紧凑微小的情况下,实现了长距离传输的特性。本发明的圆柱混合型波导结构克服了现有表面等离激元光波导在光场限制能力和传输损耗之间的矛盾,可应用于超高密度集成光路,为能够在集成光子器件领域实现超高集成度提供了可能。
找到11项技术成果数据。
找技术 >低损耗交流接触器、继电器、电磁开关
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
技术简介:授权专利《非晶铁芯交流接触器、继电器、电磁开关》(专利公开号:CN201345331),交流接触器等电磁开关铁芯采用非晶合金材料。交流接触器相当于二次绕组空载变压器,非晶铁芯接触器与硅钢片铁芯接触器相比具有以下优点:①损耗下降75-80%;②功率因数提高8倍以上;③非晶铁芯铁损不随电压变化而变化,硅钢片铁芯铁损随电压平方变化。技术的应用领域前景分析:国家最近公布《交流接触器能源效率标识实施规则》对交流接触器吸合功率有明确要求,非晶合金铁芯交流接触器吸合功率低,符合国家节能精神,替代传统交流接触器,会有宽广应用前景。经济收益分析:非晶合金接触器采用新材料,工艺较复杂,价格较传统接触器高30%左右;但由于其节能效果显著,运营成本较低,所以其综合使用成本较传统变压器低。传统CJ20-40型接触器工作电流90mA,年耗电量296.26KWh,铁芯换为非晶合金材料后以80%节电率计算,同功率接触器工作电流18mA,年耗电量59.26KWh,一年节电237度。以每度电0.8元计,一年节约电费189.6元,几个月就可回收非晶铁芯所增加费用。厂房条件建议:需有较大规模厂房,最好有交流接触器等电磁产品生产经验。
硅基太赫兹单片集成器件的设计与建模技术
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:信息传输、软件和信息技术服务业
技术简介
该项目主要研究内容如下: 1。研究了电感间的耦合效应,获得了高 Q 值电感,用于毫米波/太赫兹电路设计。 2。研究了毫米波/太赫兹频段的去嵌方法,通过毫米波/太赫兹频段的精准去嵌,获得了良好的毫米波/太赫兹测试结果。 3。结合加工工艺,设计了基于矩形微同轴工艺的低损耗传输线和基于 BiCMOS 工艺的sSPP 低损耗新型太赫兹传输线,并在此基础上实现了具有良好性能的电路和天线设计。 4。基于硅基 CMOS/BiCMOS 工艺研究实现了 UWB 发射机、接收机电路; 基于硅基CMOS/BiCMOS 工艺研究设计了毫米波/太赫兹振荡器、移相器、低噪放、可变增益放大器、锁相环路以及发射机、接收机等,通过搭建太赫兹检测系统,验证了芯片工作性能。 5。面向太赫兹系统应用,设计了多款太赫兹天线,仿真和测试结果吻合良好。 该项目在硅基毫米波/太赫兹电路设计、天线设计以及系统设计等方面积累了丰富经验, 为下一步实现硅基毫米波/太赫兹单片集成系统奠定了良好的基础。
一种基于介质谐振器的低损耗高隔离滤波开关
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本实用新型公开了一种基于介质谐振器的低损耗高隔离滤波开关,包括至少一个介质谐振器、金属腔、开关电路及馈电线结构,所述开关电路集成到PCB板后嵌入到金属腔内,介质谐振器位于金属腔内,馈电线结构包括结构相同的输入馈电线结构及输出馈电线结构,输入馈电线结构及输出馈电线结构均由主馈电线及两条支馈电线构成,两条支馈电线与主馈电线垂直,且连接在主馈电线的两侧,其中一条支馈电线的一端与金属腔连接并接地,另一条支馈电线的一端与金属腔内的开关电路连接。本实用新型在ON状态下具有较低插入损耗以及较高功率处理能力,能在通带两侧都产生传输零点,从而实现急剧的衰减率和较高的带外抑制;在OFF状态下具有高度隔离性。
一种低损耗铁酸铋-钛酸钡基压电陶瓷的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
标题一 这是第一段文字。 这是第二段文字。 标题二 这是第三段文字。 这是第四段文字。 标题三 这是第五段文字。 这是第六段文字。 标题四 这是第七段文字。 这是第八段文字。 标题五 这是第九段文字。 这是第十段文字。本发明公开了一种低损耗BiFeO3-BaTiO3基无铅压电陶瓷及其制备方法,其组成通式为:(1-x)(Bi1-tLat)FeO3-xBa(Ti1-uSnu)O3+0.5%BiMnO3+yBa(Cu1/3Nb2/3)O3+zLiBiO3+mBa(W1/2Cu1/2)O3,其中t、x、u、y、z、m表示摩尔分数,且0t≤0.02,0.15≤x≤0.30,0u0.05,0y0.05,0z0.05,0m0.05。其制备方法包括按组成通式配料,球磨,成型素片,排胶,烧结等工序,采用降低烧结温度、快速升降温,高压氧等技术,降低Bi元素挥发,抑制氧空位产生,防止降温过程中Fe3+离子变价,从而达到降低介电损耗的目的,制备出了介电损耗低于0.5%的高温无铅压电陶瓷,使该体系能实际应用于高温压电领域。
低损耗超高压电性能无铅压电陶瓷材料及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种低损耗超高压电性能无铅压电陶瓷材料及其制备方法,配方为0.95Ba(Ti0.89Sn0.11)O3‑0.05Bi2WO6+0.5%Mn+0.5%Cu。 通过加入Bi2WO6,促进烧结,获得致密,晶粒均匀的陶瓷材料,结合化学包覆法,在合成的0.95Ba(Ti0.89Sn0.11)O3颗粒表面,采用化学包覆法获得Mn/Cu表面包覆颗粒,合成时形成梯度分级结构,抑制Sn的变价,即克服了该体系漏电流大的问题,也同时提高压电性能,降低介电损耗,解决了该体系绝缘性差,难以极化等难题。 该陶瓷材料具有超高压电性能,同时具有超低介电损耗,环境友好型、稳定性好。
Nd: KGW波导激光器的制备及其应用研究
成熟度:通过中试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
目前波导激光器研究的主要问题是低损耗波导器件的制作以及激光输出的空间模式的控制。本项目将采用飞秒激光直写法和狭缝整形法在掺钕钨酸钆钾(Nd: KGW)激光晶体中制备波导芯可控的光波导,以激光与物质相互作用和光 通信等理论为基础,研究面向新一代集成光学的激光晶体波导谐振腔的制作技术,实现未来激光输出的空间模式可控的通讯系统,完成商业化进程中的关键技术。本项目可实现:(1)制备损耗<0.5dB/cm的波导芯形状可控的光波导结构,实现激光晶体中低损耗、高对称性模式分布的光波导结构。(2)将光波导配备反射镜,制备成激光器谐振腔,把波导激光器用于新型的有源器件中。
一种高非线性低损耗双钙钛矿复相陶瓷及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开一种高非线性低损耗双钙钛矿复相陶瓷及其制备方法,本发明方法包括首先根据化学表达式Y2x/3Ca1‑xCu3Ti4O12中各元素化学计量比计算并称取适量分析纯Y2O3,CaCO3,CuO,TiO2粉末原料;其次将混合后的原料使用行星式球磨机球磨,烘干、研磨、过筛后煅烧得到均匀的混合粉体,最后通过传统固相法制备陶瓷试样,得到钛酸铜钇与钛酸铜钙的复相陶瓷。本发明复相陶瓷的损耗因数tanδ最小值可降至0.02,是钛酸铜钙单相陶瓷试样的十分之一;同时非线性系数达到9.88,是钛酸铜钙单相陶瓷试样的两倍;击穿场强为11.24kV/cm,较钛酸铜钙陶瓷试样提高了一个数量级。本发明工艺简单,制备的复相陶瓷具有低介电损耗,高非线性系数的特点。
关于远红外表面声子极化激元探测的研究进展
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
声子极化激元是极性材料中晶格振动与光场之间的强耦合,有望应用在低损耗纳米光学元器件中。相关的理论研究由黄昆先生于上世纪五十年代提出,目前已经较为成熟。但是实验测量表面声子极化激元直到近年才有较大的进展,主要是因为表面声子极化激元的测量同时需要高的空间分辨率和能量分辨率。目前测量表面声子极化激元的主要方法为近场光学方法(s-SNOM),该方法可以在中红外和太赫兹区间对声子极化激元进行很好的探测。但在远红外区间,由于目前缺少合适的远红外激光光源和探测器,相关材料体系的表面声子极化激元的研究受到很大限制。近日,北京大学物理学院2016级本科生亓瑞时和王任飞利用扫描透射电子显微镜的电子能量损失谱,对ZnO纳米结构中的远红外表面声子极化激元进行了细致的探测。通过在纳米尺度上测量纳米线、纳米片不同空间位置的电子能量损失,探究了表面声子极化激元的性质,得到了表面声子极化激元的色散关系,并研究了其尺寸效应、几何效应等。图1. 左:利用电子束激发和探测纳米线表面声子极化激元。右:测量得到的色散关系。利用电子显微镜中的电子束来激发和探测声子极化激元具有很多的优点,包括(1)电子显微镜方法具有亚埃的空间分辨率;(2)电子激发具有更高的效率(电子与材料相互作用的散射截面更大);(3)电子能激发一些非光学活性的模式;(4)电子能量损失谱能得到高q(波矢)值下的信息;(5)电子能量损失谱具有很宽的激发、测量窗口,原则上可以测量从meV量级的振动谱信号至keV量级的芯电子激发谱信号。因此,电子能量损失谱有望极大地推动包括表面声子极化激元在内的相关实验研究。该工作于2019年7月19日在线发表于学术期刊Nano Letters(DOI:10.1021/acs.nanolett.9b01350),第一作者为北京大学物理学院2016级本科生亓瑞时、王任飞,指导老师为量子材料科学中心和电子显微镜实验室的高鹏研究员。该项研究得到国家自然科学基金、国家重点研发计划、量子物质科学协同创新中心等基金的支持。
高Q值低损耗超高频高温超导滤波器
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及超导滤波器技术领域,公开一种高Q值低损耗超高频高温超导滤波器。 该发明特征在于:该超导滤波器为宽线条十字型,中部宽于两端,超导滤波器的基底为MgO基片,所述基片厚度为0.5mm;该超导滤波器封装于金属屏蔽盒内。 导体电路结构简单,充分利用高温超导材料的低损耗特点,是一种具有低插损的超导滤波器。
一种紧凑型低损耗的圆柱形混合等离激元波导
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种圆柱形混合等离激元波导,是由三种材料由内向外逐层构成的三层同轴圆柱形结构,其横截面包括由内向外的高折射率介质、低折射率介质与贵金属。该波导结构可将光场限制在中间层的低折射率介质区域中,同时高折射率介质区域的存在,整个波导结构对传输光场具有强场限制能力,可进一步缩小光场分布的范围,并且能够保持较低的传输损耗,此外在整体结构依然紧凑微小的情况下,实现了长距离传输的特性。本发明的圆柱混合型波导结构克服了现有表面等离激元光波导在光场限制能力和传输损耗之间的矛盾,可应用于超高密度集成光路,为能够在集成光子器件领域实现超高集成度提供了可能。