找到227项技术成果数据。
找技术 >开发半导体照明产业
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
一、项目简介半导体技术诞生以来,世界经历了一场轰轰烈烈的微电子技术革命,它改变了人们千百年来形成的工作、生活方式,推动了人类的文明与进步。当前,半导体技术第二次革命的钟声已经响起,它将像春雷一声巨响,告诉人們,半导体技术的第二朵鲜花就要怒放。它就是——半导体照明技术。早在多年前,科学家便发现了半导体在加电后产生光电子而发光的现象。经过不懈的努力,半导体发光材料和技术取得了重大突破,发光性能更好的半导体材料如:磷化铟镓铝、氮化镓等不断被发现。它具有白炽灯一样的光亮,同时具有一系列白炽灯所无法比拟的优点。半导体照明灯的诞生,无论从节省能源的角度,还是从使用性能方面都给人以耳目一新的感觉。从现在开始,一场抢占半导体照明产业制高点的争夺战,已经在全球打响。半导体照明将以惊人的步伐取代白炽灯,广泛用于各领域的照明,界时将结束“爱迪生照明时代”。白炽灯是利用热发光技术,它的发光功能,必须把灯丝烧到白热状态。其中有90%的电力以热的形式被浪费掉。而半导体照明灯是冷光源,它的电——光的转换效率非常高。白光半导体照明的耗电仅为白炽灯的10%——20%。这就意味着,用白光半导体照明替代白炽灯将节能80%——90%,可见,其节能效果之显著。普通白炽灯的寿命只是1000小时,而白光半导体照明灯的寿命可以达到10万小时。有人做过估算,单是我国台湾省,如果用半导体照明取代传统光源,每年就可以省下约一座核电站的电力。除此之外,半导体照明还有体积小、重量轻、方向性好、可耐各种恶劣条件等优点。例如:半导体照明灯放在水中,不用过多防护依然发光。若将用到矿灯上,则由于它的低功耗特点,可以大大地减小电池的体积和重量,减小井下矿工的负荷,提高劳动效率。野外作业或者无电力供应的地区使用半导体照明灯,可以方便地使用太阳能给半导体照明灯提供有效的电力。目前,我国每年的用电量是2200亿千瓦时,到2010年可达到3100亿千瓦时,如果有1/2的照明使用半导体照明,每年可节省出一个三峡电站,并可降低污染。当前,美国、日本、欧盟都由官方成立专案,编列计划与预算推行白光半导体照明。日本的21世纪计划,从1998年——2002年用50亿日元推行半导体照明。并到2006年完成用白光半导体照明替代50%传统的白炽灯照明。美国的半导体照明计划,从2000年到2010年,计划耗资将达到5亿美元。美国能源部预测,到2010年后,美国将有55%的白炽灯和荧光灯被半导体灯替代,每年可节省电费350亿美元。欧盟的彩虹计划在2000年7月启动,计划通过欧洲共同体的补助金来推广半导体照明技术的应用。目前,我国在半导体照明技术领域不算落后。大连陆明科技公司、山东澳柯玛公司等都有自己的相应成果。国家科技部副秘书长、国家半导体照明工程领导小组组长李健认为,中国发展半导体照明产业有三大优势:第一,中国有巨大的照明工业和照明市场。我国现在是世界照明电器生产大国和出口大国之一,根据中国照明协会提供的数字,去年销售收入445亿元,出口创汇43亿美元。第二,我国在这个领域具备一定的技术和产业基础。与微电子相比,我国半导体发光器件领域与国外差距较小。第三,发展半导体照明产业能发挥我国的优势。半导体照明产业,既是一个技术密集型产业,又是一个劳动密集型产业,其难度和风险都大大小于微电子产业,发展半导体照明产业能发挥我国的优势。半导体照明技术的日臻成熟,意味着一场新的产业革命——半导体照明产业的来临。半导体照明既然是一场革命,在时间上,至少也有10-20年的历程。在空间上,也会涉及许多行业,矿山、汽车、交通、机器制造等。至于民用,就更不必说了。据检索,美国现在每年照明用电6000亿度,约占总用电量的20%。我国现在每年照明用电2000亿度,约占总用电量的12%,这意味着照明产业在我国有巨大的发展空间。因此在时间和空间上都为我们提供了一个广阔的战场。发展半导体照明产业大有可为。二、应用范围及市场分析半导体照明可应用在各种需要照明的领域,灯具品种达数千种,我们先投入半导体射灯照明,用半导体射灯取代当前的白炽灯和节能灯。主要用于舞台、宾馆、商场、会议室等堂馆的照明,以及家庭装修与照明。三、主要技术指标工作电压:交流220V; 直流6V、12V、30V功率:5W、10W、15W、28W、45W。四、经济效益分析经济效益以年产10万盏计,年利润可达110万元。五、生产规模半导体照明的市场是无可置疑的,建立制造半导体照明灯产业,规模可大可小,视领导部门的决心和资金大小来确定。六、项目完成情况技术条件已经成熟,产品实验已经完成。七、项目投资5——10万元。主要用于购买原材料、外协件加工和必要的检测仪表。八、所需条件厂房60——100平米,产品检测仪表若干台。九、合作方式技术服务或成果转让。十、技术价格技术服务10万元,成果转让6万元。
半导体照明用LED产业化
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
半导体发光二极管(LightEmittingDiode,缩写成LED),是由P型半导体和N型半导体组成的晶片,它们之间形成的过渡层叫P-N结,当P-N结加正向电压时有电流注入,电子和空穴复合而发光。LED晶片的体积很小,通常只有几十到几百微米见方,属于固态光源,选择适当匹配的材料和制造工艺,电能大部分可转变成光能,理论上发光效率可达400lm/w,工作状态稳定,可靠性高,寿命超过10万小时。与此同时,由于太阳能技术在过去十年来的大幅度提高,太阳能作为低功耗直流电源已实现了实用化,成本大幅度降低。LED技术和太阳能技术可以说相得益彰。二者的结合可以在很大程度上摆脱对传统电源和人工维护等方面的依赖和由此带来的成本。使用太阳能半导体LED灯具有极高的社会效益和经济效益。它可以免维护、节省能源和利于环保,同时具有高度的可靠性。该项目有广阔的产业化前景,可广泛应用于建筑物外观照明、景观及道路照明、标识与指示性照明等。
电荷保持特性良好的非易失性半导体存储元件技术
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明提供使浮栅周围的绝缘体的绝缘性的提高和浮栅中的已氧化的金属超微粒子的比例的降低成为可能的非易失性半导体存储元件及其制造方法。具有由作为吉布斯氧化物生成自由能在0℃~1200℃的范围内比SI高的元素的难氧化性物质形成的浮栅 以及包裹该浮栅周围的由该自由能与SI相同或更低的易氧化性物质的氧化物形成的绝缘体的非易失性半导体存储元件的制造方法中,难氧化性物质的浮栅使用物理 形成法形成,易氧化性物质的氧化物使用物理形成法或化学形成法形成,形成栅极绝缘膜后,在氧化用气体和还原用气体的混合气体中,在0℃~1200℃的范围 内,控制混合气体的混合比以及温度进行热处理,使得仅还原难氧化性物质,且仅氧化易氧化性物质的氧化物。
半导体薄膜磁头及磁性电子验钞器
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
我校承担的广东省“八五”攻关项目“半导体薄膜磁阻元件及传感器”,于1995年通过省级鉴定,达到国际先进水平。该磁阻元件的灵敏度比霍尔元件高10倍以上,具有许多用途。最典型的例子是用薄膜磁阻芯片制成的磁头可以检测弱磁迹信号,这是辨真防伪技术上的重要应用。目前我校是国内唯一的一家可以生产并已销售这种薄膜型高灵敏度磁头的单位,“半导体薄膜磁阻元件及半导体磁头”已被评为一九九六年国家级新产品。半导体磁头已获国家实用新型专利授权。已有产品投放市场,质量达到日本村田公司同类产品水平。已制成磁性电子验钞器上市销售。投资情况与经济社会效益分析:需投入600万元(厂房和流动资金除外)购置设备及配套设施。年产半导体磁头100万只,电子验钞器50万只。半年内有产品出售,两年内收回投资。向我单位直接购买磁头用于制造自动点钞机或电子验钞器。推广应用范围和前景:薄模型磁阻元件除可以制成半导体磁头外,还可以制造无接触电位器、磁敏电流传感器、无触点开关、转速表、微位移传感器、编码器、以及检测支票、发票上磁性标志的专用传感器等二十多种产品。可用于防伪、自动控制和电子仪器设备等许多方面,市场广阔。
高纯硅
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
项目简介:以二氧化硅为基础分离出的单质硅,纯度可达99.99999%以上。 项目核心创新点: 提纯成本低、环保,可进行量产。 项目详细用途:半导体企业对硅需求量大,纯度99.999999999%,为纳米级结晶体。该提纯法下一步可以做到结晶融合。 预期效益说明: 根据中国海关统计,2015年中国大陆进口半导体3,139亿颗,总额2,307亿美元,出口的半导体693亿美元,逆差1,613亿美元。反映中国半硅片市场需求量。
半导体激光器泵浦的低重复频率全固态皮秒蓝光激光器
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
半导体激光器泵浦的低重复频率全固态皮秒蓝光激光器。 成果简介: 本发明公开了一种半导体激光器泵浦的低重复频率全固态皮秒蓝光激光器,包括半导体激光器、单模光纤、光学聚焦耦合器、复合激光介质、第一平面反射镜M1、第二平面反射镜M2、第一凹面反射镜M3、第三平面反射镜M4、第四平面反射镜M5、第二凹面反射镜M6、半导体可饱和吸收反射镜、耦合输出镜、格兰泰勒棱镜、法拉第旋光器、45°λ/4 旋光片、凸透镜以及I 类非临界匹配LBO 晶体。 该激光器是基于半导体激光器泵浦复合激光介质光学谐振腔腔内锁模技术以及非线性晶体光学谐振腔外倍频技术上研制出的全固态激光系统,使得低重复频率的皮秒激光器无需受机械制造工艺的限制便可获得稳定的连续锁模脉冲激光输出,而I 类非临界匹配LBO 晶体的使用极大地提高了超短脉冲激光的倍频转换效率。全固态皮秒蓝光激光器不仅有重复频率低,蓝光转换效率高,光束质量好等特点,而且具有结构紧凑、性能稳定的特点。 应用范围:该激光器整机使用操作简便,在生物医疗、超大规模集成电路元件封装、芯片光刻、高密度光盘存储、超快过程研究以及军事等领域有着重要的应用。
一种含氟有机半导体材料及其制备方法与应用
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明提供一种含氟有机半导体材料及其制备方法与应用,所述含氟有机半导体材料具有如式I所示结构,通过本发明制备方法制备得到的含氟有机半导体材料,具有优异的光电性能,高度的可溶性,良好的分子间堆砌能力及热稳定性,克服基于分子内硫氧弱相互作用“头碰头型”联噻吩构筑的有机半导体的HOMO能级不匹配的不足,既可以作为有机太阳电池的活性层材料,又可以应用于有机场效应晶体管中作为载流子传输材料,在有机半导体材料领域具有巨大的应用潜力与价值。
可预成型的热电器件及制备方法
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明提供了可预成型的热电器件及其制备方法,是在热端柔性基板和冷端柔性基板上分别设置图形化电极,然后将由多个交错且呈间隔排列组合的N型和P型半导体热电单元构成的热电元件之一端面与热端柔性基板上电极连接,再将热端柔性基板的另一表面与热源外表面贴合固定而使热端柔性基板预成型为与热源外表面适配的形状,然后将冷端柔性基板上电极与N型和P型半导体热电单元另一端面连接,而使N型和P型半导体热电单元构成电串联、热并联结构,同时冷端柔性基板形成与热端柔性基板一致的形状。本发明提供的可预成型的热电器件,由温度变化而产生的热应力小,与热源的结合较好,便于各种不同形式的热源的利用,且结构简单,成本低廉。
一种有机光电晶体管及其制备方法
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明提供了一种有机光电晶体管,属半导体材料技术领域,依次包括硅基底层、金电极和金属锌钛菁纳米晶活性层;所述金属锌钛菁纳米晶活性层覆盖在所述金电极及所述金电极之间的区域之上。本发明提供的晶体管中的金属锌钛菁纳米晶活性层具有优异的近红外光谱吸收特性,从而提高了光敏晶体管对近红外光谱的响应性能;本发明采用超声技术制备了金属酞菁纳米晶,其晶体缺陷密度低,有效降低了空气中的O2、H2O、CO2等分子在光敏晶体管活性层中的吸附,有利于提高器件在大气环境中的稳定性;同时具有优异的场效应载流子迁移率,从而有效提高了光敏晶体管的光响应度。
一种等离子减薄装置与方法
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及半导体晶片加工领域,公开了一种等离子减薄装置与方法,其中等离子减薄装置包括第一电极、第二电极、惰性气体供给装置与刻蚀气体供给装置,其中,第一电极与第二电极平行设置,二者之间具有间隙,惰性气体供给装置用于向间隙内通入惰性气体,以在间隙内形成等离子体,等离子体向间隙外喷出形成等离子体火焰,刻蚀气体供给装置用于向等离子体火焰中通入刻蚀气体。本发明可以增加待加工工件与电极之间的距离,保证大尺寸晶片加工时的均匀性;同时,本发明的刻蚀气体在电极外的等离子体火焰中通入,不会产生电弧放电,故可以保证等离子体的稳定性,进而能够适应大尺寸晶片的加工。
找到227项技术成果数据。
找技术 >开发半导体照明产业
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
一、项目简介半导体技术诞生以来,世界经历了一场轰轰烈烈的微电子技术革命,它改变了人们千百年来形成的工作、生活方式,推动了人类的文明与进步。当前,半导体技术第二次革命的钟声已经响起,它将像春雷一声巨响,告诉人們,半导体技术的第二朵鲜花就要怒放。它就是——半导体照明技术。早在多年前,科学家便发现了半导体在加电后产生光电子而发光的现象。经过不懈的努力,半导体发光材料和技术取得了重大突破,发光性能更好的半导体材料如:磷化铟镓铝、氮化镓等不断被发现。它具有白炽灯一样的光亮,同时具有一系列白炽灯所无法比拟的优点。半导体照明灯的诞生,无论从节省能源的角度,还是从使用性能方面都给人以耳目一新的感觉。从现在开始,一场抢占半导体照明产业制高点的争夺战,已经在全球打响。半导体照明将以惊人的步伐取代白炽灯,广泛用于各领域的照明,界时将结束“爱迪生照明时代”。白炽灯是利用热发光技术,它的发光功能,必须把灯丝烧到白热状态。其中有90%的电力以热的形式被浪费掉。而半导体照明灯是冷光源,它的电——光的转换效率非常高。白光半导体照明的耗电仅为白炽灯的10%——20%。这就意味着,用白光半导体照明替代白炽灯将节能80%——90%,可见,其节能效果之显著。普通白炽灯的寿命只是1000小时,而白光半导体照明灯的寿命可以达到10万小时。有人做过估算,单是我国台湾省,如果用半导体照明取代传统光源,每年就可以省下约一座核电站的电力。除此之外,半导体照明还有体积小、重量轻、方向性好、可耐各种恶劣条件等优点。例如:半导体照明灯放在水中,不用过多防护依然发光。若将用到矿灯上,则由于它的低功耗特点,可以大大地减小电池的体积和重量,减小井下矿工的负荷,提高劳动效率。野外作业或者无电力供应的地区使用半导体照明灯,可以方便地使用太阳能给半导体照明灯提供有效的电力。目前,我国每年的用电量是2200亿千瓦时,到2010年可达到3100亿千瓦时,如果有1/2的照明使用半导体照明,每年可节省出一个三峡电站,并可降低污染。当前,美国、日本、欧盟都由官方成立专案,编列计划与预算推行白光半导体照明。日本的21世纪计划,从1998年——2002年用50亿日元推行半导体照明。并到2006年完成用白光半导体照明替代50%传统的白炽灯照明。美国的半导体照明计划,从2000年到2010年,计划耗资将达到5亿美元。美国能源部预测,到2010年后,美国将有55%的白炽灯和荧光灯被半导体灯替代,每年可节省电费350亿美元。欧盟的彩虹计划在2000年7月启动,计划通过欧洲共同体的补助金来推广半导体照明技术的应用。目前,我国在半导体照明技术领域不算落后。大连陆明科技公司、山东澳柯玛公司等都有自己的相应成果。国家科技部副秘书长、国家半导体照明工程领导小组组长李健认为,中国发展半导体照明产业有三大优势:第一,中国有巨大的照明工业和照明市场。我国现在是世界照明电器生产大国和出口大国之一,根据中国照明协会提供的数字,去年销售收入445亿元,出口创汇43亿美元。第二,我国在这个领域具备一定的技术和产业基础。与微电子相比,我国半导体发光器件领域与国外差距较小。第三,发展半导体照明产业能发挥我国的优势。半导体照明产业,既是一个技术密集型产业,又是一个劳动密集型产业,其难度和风险都大大小于微电子产业,发展半导体照明产业能发挥我国的优势。半导体照明技术的日臻成熟,意味着一场新的产业革命——半导体照明产业的来临。半导体照明既然是一场革命,在时间上,至少也有10-20年的历程。在空间上,也会涉及许多行业,矿山、汽车、交通、机器制造等。至于民用,就更不必说了。据检索,美国现在每年照明用电6000亿度,约占总用电量的20%。我国现在每年照明用电2000亿度,约占总用电量的12%,这意味着照明产业在我国有巨大的发展空间。因此在时间和空间上都为我们提供了一个广阔的战场。发展半导体照明产业大有可为。二、应用范围及市场分析半导体照明可应用在各种需要照明的领域,灯具品种达数千种,我们先投入半导体射灯照明,用半导体射灯取代当前的白炽灯和节能灯。主要用于舞台、宾馆、商场、会议室等堂馆的照明,以及家庭装修与照明。三、主要技术指标工作电压:交流220V; 直流6V、12V、30V功率:5W、10W、15W、28W、45W。四、经济效益分析经济效益以年产10万盏计,年利润可达110万元。五、生产规模半导体照明的市场是无可置疑的,建立制造半导体照明灯产业,规模可大可小,视领导部门的决心和资金大小来确定。六、项目完成情况技术条件已经成熟,产品实验已经完成。七、项目投资5——10万元。主要用于购买原材料、外协件加工和必要的检测仪表。八、所需条件厂房60——100平米,产品检测仪表若干台。九、合作方式技术服务或成果转让。十、技术价格技术服务10万元,成果转让6万元。
半导体照明用LED产业化
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
半导体发光二极管(LightEmittingDiode,缩写成LED),是由P型半导体和N型半导体组成的晶片,它们之间形成的过渡层叫P-N结,当P-N结加正向电压时有电流注入,电子和空穴复合而发光。LED晶片的体积很小,通常只有几十到几百微米见方,属于固态光源,选择适当匹配的材料和制造工艺,电能大部分可转变成光能,理论上发光效率可达400lm/w,工作状态稳定,可靠性高,寿命超过10万小时。与此同时,由于太阳能技术在过去十年来的大幅度提高,太阳能作为低功耗直流电源已实现了实用化,成本大幅度降低。LED技术和太阳能技术可以说相得益彰。二者的结合可以在很大程度上摆脱对传统电源和人工维护等方面的依赖和由此带来的成本。使用太阳能半导体LED灯具有极高的社会效益和经济效益。它可以免维护、节省能源和利于环保,同时具有高度的可靠性。该项目有广阔的产业化前景,可广泛应用于建筑物外观照明、景观及道路照明、标识与指示性照明等。
电荷保持特性良好的非易失性半导体存储元件技术
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明提供使浮栅周围的绝缘体的绝缘性的提高和浮栅中的已氧化的金属超微粒子的比例的降低成为可能的非易失性半导体存储元件及其制造方法。具有由作为吉布斯氧化物生成自由能在0℃~1200℃的范围内比SI高的元素的难氧化性物质形成的浮栅 以及包裹该浮栅周围的由该自由能与SI相同或更低的易氧化性物质的氧化物形成的绝缘体的非易失性半导体存储元件的制造方法中,难氧化性物质的浮栅使用物理 形成法形成,易氧化性物质的氧化物使用物理形成法或化学形成法形成,形成栅极绝缘膜后,在氧化用气体和还原用气体的混合气体中,在0℃~1200℃的范围 内,控制混合气体的混合比以及温度进行热处理,使得仅还原难氧化性物质,且仅氧化易氧化性物质的氧化物。
半导体薄膜磁头及磁性电子验钞器
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
我校承担的广东省“八五”攻关项目“半导体薄膜磁阻元件及传感器”,于1995年通过省级鉴定,达到国际先进水平。该磁阻元件的灵敏度比霍尔元件高10倍以上,具有许多用途。最典型的例子是用薄膜磁阻芯片制成的磁头可以检测弱磁迹信号,这是辨真防伪技术上的重要应用。目前我校是国内唯一的一家可以生产并已销售这种薄膜型高灵敏度磁头的单位,“半导体薄膜磁阻元件及半导体磁头”已被评为一九九六年国家级新产品。半导体磁头已获国家实用新型专利授权。已有产品投放市场,质量达到日本村田公司同类产品水平。已制成磁性电子验钞器上市销售。投资情况与经济社会效益分析:需投入600万元(厂房和流动资金除外)购置设备及配套设施。年产半导体磁头100万只,电子验钞器50万只。半年内有产品出售,两年内收回投资。向我单位直接购买磁头用于制造自动点钞机或电子验钞器。推广应用范围和前景:薄模型磁阻元件除可以制成半导体磁头外,还可以制造无接触电位器、磁敏电流传感器、无触点开关、转速表、微位移传感器、编码器、以及检测支票、发票上磁性标志的专用传感器等二十多种产品。可用于防伪、自动控制和电子仪器设备等许多方面,市场广阔。
高纯硅
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
项目简介:以二氧化硅为基础分离出的单质硅,纯度可达99.99999%以上。 项目核心创新点: 提纯成本低、环保,可进行量产。 项目详细用途:半导体企业对硅需求量大,纯度99.999999999%,为纳米级结晶体。该提纯法下一步可以做到结晶融合。 预期效益说明: 根据中国海关统计,2015年中国大陆进口半导体3,139亿颗,总额2,307亿美元,出口的半导体693亿美元,逆差1,613亿美元。反映中国半硅片市场需求量。
半导体激光器泵浦的低重复频率全固态皮秒蓝光激光器
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
半导体激光器泵浦的低重复频率全固态皮秒蓝光激光器。 成果简介: 本发明公开了一种半导体激光器泵浦的低重复频率全固态皮秒蓝光激光器,包括半导体激光器、单模光纤、光学聚焦耦合器、复合激光介质、第一平面反射镜M1、第二平面反射镜M2、第一凹面反射镜M3、第三平面反射镜M4、第四平面反射镜M5、第二凹面反射镜M6、半导体可饱和吸收反射镜、耦合输出镜、格兰泰勒棱镜、法拉第旋光器、45°λ/4 旋光片、凸透镜以及I 类非临界匹配LBO 晶体。 该激光器是基于半导体激光器泵浦复合激光介质光学谐振腔腔内锁模技术以及非线性晶体光学谐振腔外倍频技术上研制出的全固态激光系统,使得低重复频率的皮秒激光器无需受机械制造工艺的限制便可获得稳定的连续锁模脉冲激光输出,而I 类非临界匹配LBO 晶体的使用极大地提高了超短脉冲激光的倍频转换效率。全固态皮秒蓝光激光器不仅有重复频率低,蓝光转换效率高,光束质量好等特点,而且具有结构紧凑、性能稳定的特点。 应用范围:该激光器整机使用操作简便,在生物医疗、超大规模集成电路元件封装、芯片光刻、高密度光盘存储、超快过程研究以及军事等领域有着重要的应用。
一种含氟有机半导体材料及其制备方法与应用
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明提供一种含氟有机半导体材料及其制备方法与应用,所述含氟有机半导体材料具有如式I所示结构,通过本发明制备方法制备得到的含氟有机半导体材料,具有优异的光电性能,高度的可溶性,良好的分子间堆砌能力及热稳定性,克服基于分子内硫氧弱相互作用“头碰头型”联噻吩构筑的有机半导体的HOMO能级不匹配的不足,既可以作为有机太阳电池的活性层材料,又可以应用于有机场效应晶体管中作为载流子传输材料,在有机半导体材料领域具有巨大的应用潜力与价值。
可预成型的热电器件及制备方法
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明提供了可预成型的热电器件及其制备方法,是在热端柔性基板和冷端柔性基板上分别设置图形化电极,然后将由多个交错且呈间隔排列组合的N型和P型半导体热电单元构成的热电元件之一端面与热端柔性基板上电极连接,再将热端柔性基板的另一表面与热源外表面贴合固定而使热端柔性基板预成型为与热源外表面适配的形状,然后将冷端柔性基板上电极与N型和P型半导体热电单元另一端面连接,而使N型和P型半导体热电单元构成电串联、热并联结构,同时冷端柔性基板形成与热端柔性基板一致的形状。本发明提供的可预成型的热电器件,由温度变化而产生的热应力小,与热源的结合较好,便于各种不同形式的热源的利用,且结构简单,成本低廉。
一种有机光电晶体管及其制备方法
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明提供了一种有机光电晶体管,属半导体材料技术领域,依次包括硅基底层、金电极和金属锌钛菁纳米晶活性层;所述金属锌钛菁纳米晶活性层覆盖在所述金电极及所述金电极之间的区域之上。本发明提供的晶体管中的金属锌钛菁纳米晶活性层具有优异的近红外光谱吸收特性,从而提高了光敏晶体管对近红外光谱的响应性能;本发明采用超声技术制备了金属酞菁纳米晶,其晶体缺陷密度低,有效降低了空气中的O2、H2O、CO2等分子在光敏晶体管活性层中的吸附,有利于提高器件在大气环境中的稳定性;同时具有优异的场效应载流子迁移率,从而有效提高了光敏晶体管的光响应度。
一种等离子减薄装置与方法
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及半导体晶片加工领域,公开了一种等离子减薄装置与方法,其中等离子减薄装置包括第一电极、第二电极、惰性气体供给装置与刻蚀气体供给装置,其中,第一电极与第二电极平行设置,二者之间具有间隙,惰性气体供给装置用于向间隙内通入惰性气体,以在间隙内形成等离子体,等离子体向间隙外喷出形成等离子体火焰,刻蚀气体供给装置用于向等离子体火焰中通入刻蚀气体。本发明可以增加待加工工件与电极之间的距离,保证大尺寸晶片加工时的均匀性;同时,本发明的刻蚀气体在电极外的等离子体火焰中通入,不会产生电弧放电,故可以保证等离子体的稳定性,进而能够适应大尺寸晶片的加工。
找到227项技术成果数据。
找技术 >开发半导体照明产业
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
一、项目简介半导体技术诞生以来,世界经历了一场轰轰烈烈的微电子技术革命,它改变了人们千百年来形成的工作、生活方式,推动了人类的文明与进步。当前,半导体技术第二次革命的钟声已经响起,它将像春雷一声巨响,告诉人們,半导体技术的第二朵鲜花就要怒放。它就是——半导体照明技术。早在多年前,科学家便发现了半导体在加电后产生光电子而发光的现象。经过不懈的努力,半导体发光材料和技术取得了重大突破,发光性能更好的半导体材料如:磷化铟镓铝、氮化镓等不断被发现。它具有白炽灯一样的光亮,同时具有一系列白炽灯所无法比拟的优点。半导体照明灯的诞生,无论从节省能源的角度,还是从使用性能方面都给人以耳目一新的感觉。从现在开始,一场抢占半导体照明产业制高点的争夺战,已经在全球打响。半导体照明将以惊人的步伐取代白炽灯,广泛用于各领域的照明,界时将结束“爱迪生照明时代”。白炽灯是利用热发光技术,它的发光功能,必须把灯丝烧到白热状态。其中有90%的电力以热的形式被浪费掉。而半导体照明灯是冷光源,它的电——光的转换效率非常高。白光半导体照明的耗电仅为白炽灯的10%——20%。这就意味着,用白光半导体照明替代白炽灯将节能80%——90%,可见,其节能效果之显著。普通白炽灯的寿命只是1000小时,而白光半导体照明灯的寿命可以达到10万小时。有人做过估算,单是我国台湾省,如果用半导体照明取代传统光源,每年就可以省下约一座核电站的电力。除此之外,半导体照明还有体积小、重量轻、方向性好、可耐各种恶劣条件等优点。例如:半导体照明灯放在水中,不用过多防护依然发光。若将用到矿灯上,则由于它的低功耗特点,可以大大地减小电池的体积和重量,减小井下矿工的负荷,提高劳动效率。野外作业或者无电力供应的地区使用半导体照明灯,可以方便地使用太阳能给半导体照明灯提供有效的电力。目前,我国每年的用电量是2200亿千瓦时,到2010年可达到3100亿千瓦时,如果有1/2的照明使用半导体照明,每年可节省出一个三峡电站,并可降低污染。当前,美国、日本、欧盟都由官方成立专案,编列计划与预算推行白光半导体照明。日本的21世纪计划,从1998年——2002年用50亿日元推行半导体照明。并到2006年完成用白光半导体照明替代50%传统的白炽灯照明。美国的半导体照明计划,从2000年到2010年,计划耗资将达到5亿美元。美国能源部预测,到2010年后,美国将有55%的白炽灯和荧光灯被半导体灯替代,每年可节省电费350亿美元。欧盟的彩虹计划在2000年7月启动,计划通过欧洲共同体的补助金来推广半导体照明技术的应用。目前,我国在半导体照明技术领域不算落后。大连陆明科技公司、山东澳柯玛公司等都有自己的相应成果。国家科技部副秘书长、国家半导体照明工程领导小组组长李健认为,中国发展半导体照明产业有三大优势:第一,中国有巨大的照明工业和照明市场。我国现在是世界照明电器生产大国和出口大国之一,根据中国照明协会提供的数字,去年销售收入445亿元,出口创汇43亿美元。第二,我国在这个领域具备一定的技术和产业基础。与微电子相比,我国半导体发光器件领域与国外差距较小。第三,发展半导体照明产业能发挥我国的优势。半导体照明产业,既是一个技术密集型产业,又是一个劳动密集型产业,其难度和风险都大大小于微电子产业,发展半导体照明产业能发挥我国的优势。半导体照明技术的日臻成熟,意味着一场新的产业革命——半导体照明产业的来临。半导体照明既然是一场革命,在时间上,至少也有10-20年的历程。在空间上,也会涉及许多行业,矿山、汽车、交通、机器制造等。至于民用,就更不必说了。据检索,美国现在每年照明用电6000亿度,约占总用电量的20%。我国现在每年照明用电2000亿度,约占总用电量的12%,这意味着照明产业在我国有巨大的发展空间。因此在时间和空间上都为我们提供了一个广阔的战场。发展半导体照明产业大有可为。二、应用范围及市场分析半导体照明可应用在各种需要照明的领域,灯具品种达数千种,我们先投入半导体射灯照明,用半导体射灯取代当前的白炽灯和节能灯。主要用于舞台、宾馆、商场、会议室等堂馆的照明,以及家庭装修与照明。三、主要技术指标工作电压:交流220V; 直流6V、12V、30V功率:5W、10W、15W、28W、45W。四、经济效益分析经济效益以年产10万盏计,年利润可达110万元。五、生产规模半导体照明的市场是无可置疑的,建立制造半导体照明灯产业,规模可大可小,视领导部门的决心和资金大小来确定。六、项目完成情况技术条件已经成熟,产品实验已经完成。七、项目投资5——10万元。主要用于购买原材料、外协件加工和必要的检测仪表。八、所需条件厂房60——100平米,产品检测仪表若干台。九、合作方式技术服务或成果转让。十、技术价格技术服务10万元,成果转让6万元。
半导体照明用LED产业化
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
半导体发光二极管(LightEmittingDiode,缩写成LED),是由P型半导体和N型半导体组成的晶片,它们之间形成的过渡层叫P-N结,当P-N结加正向电压时有电流注入,电子和空穴复合而发光。LED晶片的体积很小,通常只有几十到几百微米见方,属于固态光源,选择适当匹配的材料和制造工艺,电能大部分可转变成光能,理论上发光效率可达400lm/w,工作状态稳定,可靠性高,寿命超过10万小时。与此同时,由于太阳能技术在过去十年来的大幅度提高,太阳能作为低功耗直流电源已实现了实用化,成本大幅度降低。LED技术和太阳能技术可以说相得益彰。二者的结合可以在很大程度上摆脱对传统电源和人工维护等方面的依赖和由此带来的成本。使用太阳能半导体LED灯具有极高的社会效益和经济效益。它可以免维护、节省能源和利于环保,同时具有高度的可靠性。该项目有广阔的产业化前景,可广泛应用于建筑物外观照明、景观及道路照明、标识与指示性照明等。
电荷保持特性良好的非易失性半导体存储元件技术
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明提供使浮栅周围的绝缘体的绝缘性的提高和浮栅中的已氧化的金属超微粒子的比例的降低成为可能的非易失性半导体存储元件及其制造方法。具有由作为吉布斯氧化物生成自由能在0℃~1200℃的范围内比SI高的元素的难氧化性物质形成的浮栅 以及包裹该浮栅周围的由该自由能与SI相同或更低的易氧化性物质的氧化物形成的绝缘体的非易失性半导体存储元件的制造方法中,难氧化性物质的浮栅使用物理 形成法形成,易氧化性物质的氧化物使用物理形成法或化学形成法形成,形成栅极绝缘膜后,在氧化用气体和还原用气体的混合气体中,在0℃~1200℃的范围 内,控制混合气体的混合比以及温度进行热处理,使得仅还原难氧化性物质,且仅氧化易氧化性物质的氧化物。
半导体薄膜磁头及磁性电子验钞器
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
我校承担的广东省“八五”攻关项目“半导体薄膜磁阻元件及传感器”,于1995年通过省级鉴定,达到国际先进水平。该磁阻元件的灵敏度比霍尔元件高10倍以上,具有许多用途。最典型的例子是用薄膜磁阻芯片制成的磁头可以检测弱磁迹信号,这是辨真防伪技术上的重要应用。目前我校是国内唯一的一家可以生产并已销售这种薄膜型高灵敏度磁头的单位,“半导体薄膜磁阻元件及半导体磁头”已被评为一九九六年国家级新产品。半导体磁头已获国家实用新型专利授权。已有产品投放市场,质量达到日本村田公司同类产品水平。已制成磁性电子验钞器上市销售。投资情况与经济社会效益分析:需投入600万元(厂房和流动资金除外)购置设备及配套设施。年产半导体磁头100万只,电子验钞器50万只。半年内有产品出售,两年内收回投资。向我单位直接购买磁头用于制造自动点钞机或电子验钞器。推广应用范围和前景:薄模型磁阻元件除可以制成半导体磁头外,还可以制造无接触电位器、磁敏电流传感器、无触点开关、转速表、微位移传感器、编码器、以及检测支票、发票上磁性标志的专用传感器等二十多种产品。可用于防伪、自动控制和电子仪器设备等许多方面,市场广阔。
高纯硅
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
项目简介:以二氧化硅为基础分离出的单质硅,纯度可达99.99999%以上。 项目核心创新点: 提纯成本低、环保,可进行量产。 项目详细用途:半导体企业对硅需求量大,纯度99.999999999%,为纳米级结晶体。该提纯法下一步可以做到结晶融合。 预期效益说明: 根据中国海关统计,2015年中国大陆进口半导体3,139亿颗,总额2,307亿美元,出口的半导体693亿美元,逆差1,613亿美元。反映中国半硅片市场需求量。
半导体激光器泵浦的低重复频率全固态皮秒蓝光激光器
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
半导体激光器泵浦的低重复频率全固态皮秒蓝光激光器。 成果简介: 本发明公开了一种半导体激光器泵浦的低重复频率全固态皮秒蓝光激光器,包括半导体激光器、单模光纤、光学聚焦耦合器、复合激光介质、第一平面反射镜M1、第二平面反射镜M2、第一凹面反射镜M3、第三平面反射镜M4、第四平面反射镜M5、第二凹面反射镜M6、半导体可饱和吸收反射镜、耦合输出镜、格兰泰勒棱镜、法拉第旋光器、45°λ/4 旋光片、凸透镜以及I 类非临界匹配LBO 晶体。 该激光器是基于半导体激光器泵浦复合激光介质光学谐振腔腔内锁模技术以及非线性晶体光学谐振腔外倍频技术上研制出的全固态激光系统,使得低重复频率的皮秒激光器无需受机械制造工艺的限制便可获得稳定的连续锁模脉冲激光输出,而I 类非临界匹配LBO 晶体的使用极大地提高了超短脉冲激光的倍频转换效率。全固态皮秒蓝光激光器不仅有重复频率低,蓝光转换效率高,光束质量好等特点,而且具有结构紧凑、性能稳定的特点。 应用范围:该激光器整机使用操作简便,在生物医疗、超大规模集成电路元件封装、芯片光刻、高密度光盘存储、超快过程研究以及军事等领域有着重要的应用。
一种含氟有机半导体材料及其制备方法与应用
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明提供一种含氟有机半导体材料及其制备方法与应用,所述含氟有机半导体材料具有如式I所示结构,通过本发明制备方法制备得到的含氟有机半导体材料,具有优异的光电性能,高度的可溶性,良好的分子间堆砌能力及热稳定性,克服基于分子内硫氧弱相互作用“头碰头型”联噻吩构筑的有机半导体的HOMO能级不匹配的不足,既可以作为有机太阳电池的活性层材料,又可以应用于有机场效应晶体管中作为载流子传输材料,在有机半导体材料领域具有巨大的应用潜力与价值。
可预成型的热电器件及制备方法
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明提供了可预成型的热电器件及其制备方法,是在热端柔性基板和冷端柔性基板上分别设置图形化电极,然后将由多个交错且呈间隔排列组合的N型和P型半导体热电单元构成的热电元件之一端面与热端柔性基板上电极连接,再将热端柔性基板的另一表面与热源外表面贴合固定而使热端柔性基板预成型为与热源外表面适配的形状,然后将冷端柔性基板上电极与N型和P型半导体热电单元另一端面连接,而使N型和P型半导体热电单元构成电串联、热并联结构,同时冷端柔性基板形成与热端柔性基板一致的形状。本发明提供的可预成型的热电器件,由温度变化而产生的热应力小,与热源的结合较好,便于各种不同形式的热源的利用,且结构简单,成本低廉。
一种有机光电晶体管及其制备方法
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明提供了一种有机光电晶体管,属半导体材料技术领域,依次包括硅基底层、金电极和金属锌钛菁纳米晶活性层;所述金属锌钛菁纳米晶活性层覆盖在所述金电极及所述金电极之间的区域之上。本发明提供的晶体管中的金属锌钛菁纳米晶活性层具有优异的近红外光谱吸收特性,从而提高了光敏晶体管对近红外光谱的响应性能;本发明采用超声技术制备了金属酞菁纳米晶,其晶体缺陷密度低,有效降低了空气中的O2、H2O、CO2等分子在光敏晶体管活性层中的吸附,有利于提高器件在大气环境中的稳定性;同时具有优异的场效应载流子迁移率,从而有效提高了光敏晶体管的光响应度。
一种等离子减薄装置与方法
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及半导体晶片加工领域,公开了一种等离子减薄装置与方法,其中等离子减薄装置包括第一电极、第二电极、惰性气体供给装置与刻蚀气体供给装置,其中,第一电极与第二电极平行设置,二者之间具有间隙,惰性气体供给装置用于向间隙内通入惰性气体,以在间隙内形成等离子体,等离子体向间隙外喷出形成等离子体火焰,刻蚀气体供给装置用于向等离子体火焰中通入刻蚀气体。本发明可以增加待加工工件与电极之间的距离,保证大尺寸晶片加工时的均匀性;同时,本发明的刻蚀气体在电极外的等离子体火焰中通入,不会产生电弧放电,故可以保证等离子体的稳定性,进而能够适应大尺寸晶片的加工。
找到227项技术成果数据。
找技术 >开发半导体照明产业
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
一、项目简介半导体技术诞生以来,世界经历了一场轰轰烈烈的微电子技术革命,它改变了人们千百年来形成的工作、生活方式,推动了人类的文明与进步。当前,半导体技术第二次革命的钟声已经响起,它将像春雷一声巨响,告诉人們,半导体技术的第二朵鲜花就要怒放。它就是——半导体照明技术。早在多年前,科学家便发现了半导体在加电后产生光电子而发光的现象。经过不懈的努力,半导体发光材料和技术取得了重大突破,发光性能更好的半导体材料如:磷化铟镓铝、氮化镓等不断被发现。它具有白炽灯一样的光亮,同时具有一系列白炽灯所无法比拟的优点。半导体照明灯的诞生,无论从节省能源的角度,还是从使用性能方面都给人以耳目一新的感觉。从现在开始,一场抢占半导体照明产业制高点的争夺战,已经在全球打响。半导体照明将以惊人的步伐取代白炽灯,广泛用于各领域的照明,界时将结束“爱迪生照明时代”。白炽灯是利用热发光技术,它的发光功能,必须把灯丝烧到白热状态。其中有90%的电力以热的形式被浪费掉。而半导体照明灯是冷光源,它的电——光的转换效率非常高。白光半导体照明的耗电仅为白炽灯的10%——20%。这就意味着,用白光半导体照明替代白炽灯将节能80%——90%,可见,其节能效果之显著。普通白炽灯的寿命只是1000小时,而白光半导体照明灯的寿命可以达到10万小时。有人做过估算,单是我国台湾省,如果用半导体照明取代传统光源,每年就可以省下约一座核电站的电力。除此之外,半导体照明还有体积小、重量轻、方向性好、可耐各种恶劣条件等优点。例如:半导体照明灯放在水中,不用过多防护依然发光。若将用到矿灯上,则由于它的低功耗特点,可以大大地减小电池的体积和重量,减小井下矿工的负荷,提高劳动效率。野外作业或者无电力供应的地区使用半导体照明灯,可以方便地使用太阳能给半导体照明灯提供有效的电力。目前,我国每年的用电量是2200亿千瓦时,到2010年可达到3100亿千瓦时,如果有1/2的照明使用半导体照明,每年可节省出一个三峡电站,并可降低污染。当前,美国、日本、欧盟都由官方成立专案,编列计划与预算推行白光半导体照明。日本的21世纪计划,从1998年——2002年用50亿日元推行半导体照明。并到2006年完成用白光半导体照明替代50%传统的白炽灯照明。美国的半导体照明计划,从2000年到2010年,计划耗资将达到5亿美元。美国能源部预测,到2010年后,美国将有55%的白炽灯和荧光灯被半导体灯替代,每年可节省电费350亿美元。欧盟的彩虹计划在2000年7月启动,计划通过欧洲共同体的补助金来推广半导体照明技术的应用。目前,我国在半导体照明技术领域不算落后。大连陆明科技公司、山东澳柯玛公司等都有自己的相应成果。国家科技部副秘书长、国家半导体照明工程领导小组组长李健认为,中国发展半导体照明产业有三大优势:第一,中国有巨大的照明工业和照明市场。我国现在是世界照明电器生产大国和出口大国之一,根据中国照明协会提供的数字,去年销售收入445亿元,出口创汇43亿美元。第二,我国在这个领域具备一定的技术和产业基础。与微电子相比,我国半导体发光器件领域与国外差距较小。第三,发展半导体照明产业能发挥我国的优势。半导体照明产业,既是一个技术密集型产业,又是一个劳动密集型产业,其难度和风险都大大小于微电子产业,发展半导体照明产业能发挥我国的优势。半导体照明技术的日臻成熟,意味着一场新的产业革命——半导体照明产业的来临。半导体照明既然是一场革命,在时间上,至少也有10-20年的历程。在空间上,也会涉及许多行业,矿山、汽车、交通、机器制造等。至于民用,就更不必说了。据检索,美国现在每年照明用电6000亿度,约占总用电量的20%。我国现在每年照明用电2000亿度,约占总用电量的12%,这意味着照明产业在我国有巨大的发展空间。因此在时间和空间上都为我们提供了一个广阔的战场。发展半导体照明产业大有可为。二、应用范围及市场分析半导体照明可应用在各种需要照明的领域,灯具品种达数千种,我们先投入半导体射灯照明,用半导体射灯取代当前的白炽灯和节能灯。主要用于舞台、宾馆、商场、会议室等堂馆的照明,以及家庭装修与照明。三、主要技术指标工作电压:交流220V; 直流6V、12V、30V功率:5W、10W、15W、28W、45W。四、经济效益分析经济效益以年产10万盏计,年利润可达110万元。五、生产规模半导体照明的市场是无可置疑的,建立制造半导体照明灯产业,规模可大可小,视领导部门的决心和资金大小来确定。六、项目完成情况技术条件已经成熟,产品实验已经完成。七、项目投资5——10万元。主要用于购买原材料、外协件加工和必要的检测仪表。八、所需条件厂房60——100平米,产品检测仪表若干台。九、合作方式技术服务或成果转让。十、技术价格技术服务10万元,成果转让6万元。
半导体照明用LED产业化
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
半导体发光二极管(LightEmittingDiode,缩写成LED),是由P型半导体和N型半导体组成的晶片,它们之间形成的过渡层叫P-N结,当P-N结加正向电压时有电流注入,电子和空穴复合而发光。LED晶片的体积很小,通常只有几十到几百微米见方,属于固态光源,选择适当匹配的材料和制造工艺,电能大部分可转变成光能,理论上发光效率可达400lm/w,工作状态稳定,可靠性高,寿命超过10万小时。与此同时,由于太阳能技术在过去十年来的大幅度提高,太阳能作为低功耗直流电源已实现了实用化,成本大幅度降低。LED技术和太阳能技术可以说相得益彰。二者的结合可以在很大程度上摆脱对传统电源和人工维护等方面的依赖和由此带来的成本。使用太阳能半导体LED灯具有极高的社会效益和经济效益。它可以免维护、节省能源和利于环保,同时具有高度的可靠性。该项目有广阔的产业化前景,可广泛应用于建筑物外观照明、景观及道路照明、标识与指示性照明等。
电荷保持特性良好的非易失性半导体存储元件技术
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明提供使浮栅周围的绝缘体的绝缘性的提高和浮栅中的已氧化的金属超微粒子的比例的降低成为可能的非易失性半导体存储元件及其制造方法。具有由作为吉布斯氧化物生成自由能在0℃~1200℃的范围内比SI高的元素的难氧化性物质形成的浮栅 以及包裹该浮栅周围的由该自由能与SI相同或更低的易氧化性物质的氧化物形成的绝缘体的非易失性半导体存储元件的制造方法中,难氧化性物质的浮栅使用物理 形成法形成,易氧化性物质的氧化物使用物理形成法或化学形成法形成,形成栅极绝缘膜后,在氧化用气体和还原用气体的混合气体中,在0℃~1200℃的范围 内,控制混合气体的混合比以及温度进行热处理,使得仅还原难氧化性物质,且仅氧化易氧化性物质的氧化物。
半导体薄膜磁头及磁性电子验钞器
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
我校承担的广东省“八五”攻关项目“半导体薄膜磁阻元件及传感器”,于1995年通过省级鉴定,达到国际先进水平。该磁阻元件的灵敏度比霍尔元件高10倍以上,具有许多用途。最典型的例子是用薄膜磁阻芯片制成的磁头可以检测弱磁迹信号,这是辨真防伪技术上的重要应用。目前我校是国内唯一的一家可以生产并已销售这种薄膜型高灵敏度磁头的单位,“半导体薄膜磁阻元件及半导体磁头”已被评为一九九六年国家级新产品。半导体磁头已获国家实用新型专利授权。已有产品投放市场,质量达到日本村田公司同类产品水平。已制成磁性电子验钞器上市销售。投资情况与经济社会效益分析:需投入600万元(厂房和流动资金除外)购置设备及配套设施。年产半导体磁头100万只,电子验钞器50万只。半年内有产品出售,两年内收回投资。向我单位直接购买磁头用于制造自动点钞机或电子验钞器。推广应用范围和前景:薄模型磁阻元件除可以制成半导体磁头外,还可以制造无接触电位器、磁敏电流传感器、无触点开关、转速表、微位移传感器、编码器、以及检测支票、发票上磁性标志的专用传感器等二十多种产品。可用于防伪、自动控制和电子仪器设备等许多方面,市场广阔。
高纯硅
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
项目简介:以二氧化硅为基础分离出的单质硅,纯度可达99.99999%以上。 项目核心创新点: 提纯成本低、环保,可进行量产。 项目详细用途:半导体企业对硅需求量大,纯度99.999999999%,为纳米级结晶体。该提纯法下一步可以做到结晶融合。 预期效益说明: 根据中国海关统计,2015年中国大陆进口半导体3,139亿颗,总额2,307亿美元,出口的半导体693亿美元,逆差1,613亿美元。反映中国半硅片市场需求量。
半导体激光器泵浦的低重复频率全固态皮秒蓝光激光器
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
半导体激光器泵浦的低重复频率全固态皮秒蓝光激光器。 成果简介: 本发明公开了一种半导体激光器泵浦的低重复频率全固态皮秒蓝光激光器,包括半导体激光器、单模光纤、光学聚焦耦合器、复合激光介质、第一平面反射镜M1、第二平面反射镜M2、第一凹面反射镜M3、第三平面反射镜M4、第四平面反射镜M5、第二凹面反射镜M6、半导体可饱和吸收反射镜、耦合输出镜、格兰泰勒棱镜、法拉第旋光器、45°λ/4 旋光片、凸透镜以及I 类非临界匹配LBO 晶体。 该激光器是基于半导体激光器泵浦复合激光介质光学谐振腔腔内锁模技术以及非线性晶体光学谐振腔外倍频技术上研制出的全固态激光系统,使得低重复频率的皮秒激光器无需受机械制造工艺的限制便可获得稳定的连续锁模脉冲激光输出,而I 类非临界匹配LBO 晶体的使用极大地提高了超短脉冲激光的倍频转换效率。全固态皮秒蓝光激光器不仅有重复频率低,蓝光转换效率高,光束质量好等特点,而且具有结构紧凑、性能稳定的特点。 应用范围:该激光器整机使用操作简便,在生物医疗、超大规模集成电路元件封装、芯片光刻、高密度光盘存储、超快过程研究以及军事等领域有着重要的应用。
一种含氟有机半导体材料及其制备方法与应用
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明提供一种含氟有机半导体材料及其制备方法与应用,所述含氟有机半导体材料具有如式I所示结构,通过本发明制备方法制备得到的含氟有机半导体材料,具有优异的光电性能,高度的可溶性,良好的分子间堆砌能力及热稳定性,克服基于分子内硫氧弱相互作用“头碰头型”联噻吩构筑的有机半导体的HOMO能级不匹配的不足,既可以作为有机太阳电池的活性层材料,又可以应用于有机场效应晶体管中作为载流子传输材料,在有机半导体材料领域具有巨大的应用潜力与价值。
可预成型的热电器件及制备方法
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明提供了可预成型的热电器件及其制备方法,是在热端柔性基板和冷端柔性基板上分别设置图形化电极,然后将由多个交错且呈间隔排列组合的N型和P型半导体热电单元构成的热电元件之一端面与热端柔性基板上电极连接,再将热端柔性基板的另一表面与热源外表面贴合固定而使热端柔性基板预成型为与热源外表面适配的形状,然后将冷端柔性基板上电极与N型和P型半导体热电单元另一端面连接,而使N型和P型半导体热电单元构成电串联、热并联结构,同时冷端柔性基板形成与热端柔性基板一致的形状。本发明提供的可预成型的热电器件,由温度变化而产生的热应力小,与热源的结合较好,便于各种不同形式的热源的利用,且结构简单,成本低廉。
一种有机光电晶体管及其制备方法
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明提供了一种有机光电晶体管,属半导体材料技术领域,依次包括硅基底层、金电极和金属锌钛菁纳米晶活性层;所述金属锌钛菁纳米晶活性层覆盖在所述金电极及所述金电极之间的区域之上。本发明提供的晶体管中的金属锌钛菁纳米晶活性层具有优异的近红外光谱吸收特性,从而提高了光敏晶体管对近红外光谱的响应性能;本发明采用超声技术制备了金属酞菁纳米晶,其晶体缺陷密度低,有效降低了空气中的O2、H2O、CO2等分子在光敏晶体管活性层中的吸附,有利于提高器件在大气环境中的稳定性;同时具有优异的场效应载流子迁移率,从而有效提高了光敏晶体管的光响应度。
一种等离子减薄装置与方法
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及半导体晶片加工领域,公开了一种等离子减薄装置与方法,其中等离子减薄装置包括第一电极、第二电极、惰性气体供给装置与刻蚀气体供给装置,其中,第一电极与第二电极平行设置,二者之间具有间隙,惰性气体供给装置用于向间隙内通入惰性气体,以在间隙内形成等离子体,等离子体向间隙外喷出形成等离子体火焰,刻蚀气体供给装置用于向等离子体火焰中通入刻蚀气体。本发明可以增加待加工工件与电极之间的距离,保证大尺寸晶片加工时的均匀性;同时,本发明的刻蚀气体在电极外的等离子体火焰中通入,不会产生电弧放电,故可以保证等离子体的稳定性,进而能够适应大尺寸晶片的加工。
找到227项技术成果数据。
找技术 >开发半导体照明产业
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
一、项目简介半导体技术诞生以来,世界经历了一场轰轰烈烈的微电子技术革命,它改变了人们千百年来形成的工作、生活方式,推动了人类的文明与进步。当前,半导体技术第二次革命的钟声已经响起,它将像春雷一声巨响,告诉人們,半导体技术的第二朵鲜花就要怒放。它就是——半导体照明技术。早在多年前,科学家便发现了半导体在加电后产生光电子而发光的现象。经过不懈的努力,半导体发光材料和技术取得了重大突破,发光性能更好的半导体材料如:磷化铟镓铝、氮化镓等不断被发现。它具有白炽灯一样的光亮,同时具有一系列白炽灯所无法比拟的优点。半导体照明灯的诞生,无论从节省能源的角度,还是从使用性能方面都给人以耳目一新的感觉。从现在开始,一场抢占半导体照明产业制高点的争夺战,已经在全球打响。半导体照明将以惊人的步伐取代白炽灯,广泛用于各领域的照明,界时将结束“爱迪生照明时代”。白炽灯是利用热发光技术,它的发光功能,必须把灯丝烧到白热状态。其中有90%的电力以热的形式被浪费掉。而半导体照明灯是冷光源,它的电——光的转换效率非常高。白光半导体照明的耗电仅为白炽灯的10%——20%。这就意味着,用白光半导体照明替代白炽灯将节能80%——90%,可见,其节能效果之显著。普通白炽灯的寿命只是1000小时,而白光半导体照明灯的寿命可以达到10万小时。有人做过估算,单是我国台湾省,如果用半导体照明取代传统光源,每年就可以省下约一座核电站的电力。除此之外,半导体照明还有体积小、重量轻、方向性好、可耐各种恶劣条件等优点。例如:半导体照明灯放在水中,不用过多防护依然发光。若将用到矿灯上,则由于它的低功耗特点,可以大大地减小电池的体积和重量,减小井下矿工的负荷,提高劳动效率。野外作业或者无电力供应的地区使用半导体照明灯,可以方便地使用太阳能给半导体照明灯提供有效的电力。目前,我国每年的用电量是2200亿千瓦时,到2010年可达到3100亿千瓦时,如果有1/2的照明使用半导体照明,每年可节省出一个三峡电站,并可降低污染。当前,美国、日本、欧盟都由官方成立专案,编列计划与预算推行白光半导体照明。日本的21世纪计划,从1998年——2002年用50亿日元推行半导体照明。并到2006年完成用白光半导体照明替代50%传统的白炽灯照明。美国的半导体照明计划,从2000年到2010年,计划耗资将达到5亿美元。美国能源部预测,到2010年后,美国将有55%的白炽灯和荧光灯被半导体灯替代,每年可节省电费350亿美元。欧盟的彩虹计划在2000年7月启动,计划通过欧洲共同体的补助金来推广半导体照明技术的应用。目前,我国在半导体照明技术领域不算落后。大连陆明科技公司、山东澳柯玛公司等都有自己的相应成果。国家科技部副秘书长、国家半导体照明工程领导小组组长李健认为,中国发展半导体照明产业有三大优势:第一,中国有巨大的照明工业和照明市场。我国现在是世界照明电器生产大国和出口大国之一,根据中国照明协会提供的数字,去年销售收入445亿元,出口创汇43亿美元。第二,我国在这个领域具备一定的技术和产业基础。与微电子相比,我国半导体发光器件领域与国外差距较小。第三,发展半导体照明产业能发挥我国的优势。半导体照明产业,既是一个技术密集型产业,又是一个劳动密集型产业,其难度和风险都大大小于微电子产业,发展半导体照明产业能发挥我国的优势。半导体照明技术的日臻成熟,意味着一场新的产业革命——半导体照明产业的来临。半导体照明既然是一场革命,在时间上,至少也有10-20年的历程。在空间上,也会涉及许多行业,矿山、汽车、交通、机器制造等。至于民用,就更不必说了。据检索,美国现在每年照明用电6000亿度,约占总用电量的20%。我国现在每年照明用电2000亿度,约占总用电量的12%,这意味着照明产业在我国有巨大的发展空间。因此在时间和空间上都为我们提供了一个广阔的战场。发展半导体照明产业大有可为。二、应用范围及市场分析半导体照明可应用在各种需要照明的领域,灯具品种达数千种,我们先投入半导体射灯照明,用半导体射灯取代当前的白炽灯和节能灯。主要用于舞台、宾馆、商场、会议室等堂馆的照明,以及家庭装修与照明。三、主要技术指标工作电压:交流220V; 直流6V、12V、30V功率:5W、10W、15W、28W、45W。四、经济效益分析经济效益以年产10万盏计,年利润可达110万元。五、生产规模半导体照明的市场是无可置疑的,建立制造半导体照明灯产业,规模可大可小,视领导部门的决心和资金大小来确定。六、项目完成情况技术条件已经成熟,产品实验已经完成。七、项目投资5——10万元。主要用于购买原材料、外协件加工和必要的检测仪表。八、所需条件厂房60——100平米,产品检测仪表若干台。九、合作方式技术服务或成果转让。十、技术价格技术服务10万元,成果转让6万元。
半导体照明用LED产业化
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
半导体发光二极管(LightEmittingDiode,缩写成LED),是由P型半导体和N型半导体组成的晶片,它们之间形成的过渡层叫P-N结,当P-N结加正向电压时有电流注入,电子和空穴复合而发光。LED晶片的体积很小,通常只有几十到几百微米见方,属于固态光源,选择适当匹配的材料和制造工艺,电能大部分可转变成光能,理论上发光效率可达400lm/w,工作状态稳定,可靠性高,寿命超过10万小时。与此同时,由于太阳能技术在过去十年来的大幅度提高,太阳能作为低功耗直流电源已实现了实用化,成本大幅度降低。LED技术和太阳能技术可以说相得益彰。二者的结合可以在很大程度上摆脱对传统电源和人工维护等方面的依赖和由此带来的成本。使用太阳能半导体LED灯具有极高的社会效益和经济效益。它可以免维护、节省能源和利于环保,同时具有高度的可靠性。该项目有广阔的产业化前景,可广泛应用于建筑物外观照明、景观及道路照明、标识与指示性照明等。
电荷保持特性良好的非易失性半导体存储元件技术
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明提供使浮栅周围的绝缘体的绝缘性的提高和浮栅中的已氧化的金属超微粒子的比例的降低成为可能的非易失性半导体存储元件及其制造方法。具有由作为吉布斯氧化物生成自由能在0℃~1200℃的范围内比SI高的元素的难氧化性物质形成的浮栅 以及包裹该浮栅周围的由该自由能与SI相同或更低的易氧化性物质的氧化物形成的绝缘体的非易失性半导体存储元件的制造方法中,难氧化性物质的浮栅使用物理 形成法形成,易氧化性物质的氧化物使用物理形成法或化学形成法形成,形成栅极绝缘膜后,在氧化用气体和还原用气体的混合气体中,在0℃~1200℃的范围 内,控制混合气体的混合比以及温度进行热处理,使得仅还原难氧化性物质,且仅氧化易氧化性物质的氧化物。
半导体薄膜磁头及磁性电子验钞器
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
我校承担的广东省“八五”攻关项目“半导体薄膜磁阻元件及传感器”,于1995年通过省级鉴定,达到国际先进水平。该磁阻元件的灵敏度比霍尔元件高10倍以上,具有许多用途。最典型的例子是用薄膜磁阻芯片制成的磁头可以检测弱磁迹信号,这是辨真防伪技术上的重要应用。目前我校是国内唯一的一家可以生产并已销售这种薄膜型高灵敏度磁头的单位,“半导体薄膜磁阻元件及半导体磁头”已被评为一九九六年国家级新产品。半导体磁头已获国家实用新型专利授权。已有产品投放市场,质量达到日本村田公司同类产品水平。已制成磁性电子验钞器上市销售。投资情况与经济社会效益分析:需投入600万元(厂房和流动资金除外)购置设备及配套设施。年产半导体磁头100万只,电子验钞器50万只。半年内有产品出售,两年内收回投资。向我单位直接购买磁头用于制造自动点钞机或电子验钞器。推广应用范围和前景:薄模型磁阻元件除可以制成半导体磁头外,还可以制造无接触电位器、磁敏电流传感器、无触点开关、转速表、微位移传感器、编码器、以及检测支票、发票上磁性标志的专用传感器等二十多种产品。可用于防伪、自动控制和电子仪器设备等许多方面,市场广阔。
高纯硅
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
项目简介:以二氧化硅为基础分离出的单质硅,纯度可达99.99999%以上。 项目核心创新点: 提纯成本低、环保,可进行量产。 项目详细用途:半导体企业对硅需求量大,纯度99.999999999%,为纳米级结晶体。该提纯法下一步可以做到结晶融合。 预期效益说明: 根据中国海关统计,2015年中国大陆进口半导体3,139亿颗,总额2,307亿美元,出口的半导体693亿美元,逆差1,613亿美元。反映中国半硅片市场需求量。
半导体激光器泵浦的低重复频率全固态皮秒蓝光激光器
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
半导体激光器泵浦的低重复频率全固态皮秒蓝光激光器。 成果简介: 本发明公开了一种半导体激光器泵浦的低重复频率全固态皮秒蓝光激光器,包括半导体激光器、单模光纤、光学聚焦耦合器、复合激光介质、第一平面反射镜M1、第二平面反射镜M2、第一凹面反射镜M3、第三平面反射镜M4、第四平面反射镜M5、第二凹面反射镜M6、半导体可饱和吸收反射镜、耦合输出镜、格兰泰勒棱镜、法拉第旋光器、45°λ/4 旋光片、凸透镜以及I 类非临界匹配LBO 晶体。 该激光器是基于半导体激光器泵浦复合激光介质光学谐振腔腔内锁模技术以及非线性晶体光学谐振腔外倍频技术上研制出的全固态激光系统,使得低重复频率的皮秒激光器无需受机械制造工艺的限制便可获得稳定的连续锁模脉冲激光输出,而I 类非临界匹配LBO 晶体的使用极大地提高了超短脉冲激光的倍频转换效率。全固态皮秒蓝光激光器不仅有重复频率低,蓝光转换效率高,光束质量好等特点,而且具有结构紧凑、性能稳定的特点。 应用范围:该激光器整机使用操作简便,在生物医疗、超大规模集成电路元件封装、芯片光刻、高密度光盘存储、超快过程研究以及军事等领域有着重要的应用。
一种含氟有机半导体材料及其制备方法与应用
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明提供一种含氟有机半导体材料及其制备方法与应用,所述含氟有机半导体材料具有如式I所示结构,通过本发明制备方法制备得到的含氟有机半导体材料,具有优异的光电性能,高度的可溶性,良好的分子间堆砌能力及热稳定性,克服基于分子内硫氧弱相互作用“头碰头型”联噻吩构筑的有机半导体的HOMO能级不匹配的不足,既可以作为有机太阳电池的活性层材料,又可以应用于有机场效应晶体管中作为载流子传输材料,在有机半导体材料领域具有巨大的应用潜力与价值。
可预成型的热电器件及制备方法
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明提供了可预成型的热电器件及其制备方法,是在热端柔性基板和冷端柔性基板上分别设置图形化电极,然后将由多个交错且呈间隔排列组合的N型和P型半导体热电单元构成的热电元件之一端面与热端柔性基板上电极连接,再将热端柔性基板的另一表面与热源外表面贴合固定而使热端柔性基板预成型为与热源外表面适配的形状,然后将冷端柔性基板上电极与N型和P型半导体热电单元另一端面连接,而使N型和P型半导体热电单元构成电串联、热并联结构,同时冷端柔性基板形成与热端柔性基板一致的形状。本发明提供的可预成型的热电器件,由温度变化而产生的热应力小,与热源的结合较好,便于各种不同形式的热源的利用,且结构简单,成本低廉。
一种有机光电晶体管及其制备方法
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明提供了一种有机光电晶体管,属半导体材料技术领域,依次包括硅基底层、金电极和金属锌钛菁纳米晶活性层;所述金属锌钛菁纳米晶活性层覆盖在所述金电极及所述金电极之间的区域之上。本发明提供的晶体管中的金属锌钛菁纳米晶活性层具有优异的近红外光谱吸收特性,从而提高了光敏晶体管对近红外光谱的响应性能;本发明采用超声技术制备了金属酞菁纳米晶,其晶体缺陷密度低,有效降低了空气中的O2、H2O、CO2等分子在光敏晶体管活性层中的吸附,有利于提高器件在大气环境中的稳定性;同时具有优异的场效应载流子迁移率,从而有效提高了光敏晶体管的光响应度。
一种等离子减薄装置与方法
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及半导体晶片加工领域,公开了一种等离子减薄装置与方法,其中等离子减薄装置包括第一电极、第二电极、惰性气体供给装置与刻蚀气体供给装置,其中,第一电极与第二电极平行设置,二者之间具有间隙,惰性气体供给装置用于向间隙内通入惰性气体,以在间隙内形成等离子体,等离子体向间隙外喷出形成等离子体火焰,刻蚀气体供给装置用于向等离子体火焰中通入刻蚀气体。本发明可以增加待加工工件与电极之间的距离,保证大尺寸晶片加工时的均匀性;同时,本发明的刻蚀气体在电极外的等离子体火焰中通入,不会产生电弧放电,故可以保证等离子体的稳定性,进而能够适应大尺寸晶片的加工。
找到227项技术成果数据。
找技术 >开发半导体照明产业
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
一、项目简介半导体技术诞生以来,世界经历了一场轰轰烈烈的微电子技术革命,它改变了人们千百年来形成的工作、生活方式,推动了人类的文明与进步。当前,半导体技术第二次革命的钟声已经响起,它将像春雷一声巨响,告诉人們,半导体技术的第二朵鲜花就要怒放。它就是——半导体照明技术。早在多年前,科学家便发现了半导体在加电后产生光电子而发光的现象。经过不懈的努力,半导体发光材料和技术取得了重大突破,发光性能更好的半导体材料如:磷化铟镓铝、氮化镓等不断被发现。它具有白炽灯一样的光亮,同时具有一系列白炽灯所无法比拟的优点。半导体照明灯的诞生,无论从节省能源的角度,还是从使用性能方面都给人以耳目一新的感觉。从现在开始,一场抢占半导体照明产业制高点的争夺战,已经在全球打响。半导体照明将以惊人的步伐取代白炽灯,广泛用于各领域的照明,界时将结束“爱迪生照明时代”。白炽灯是利用热发光技术,它的发光功能,必须把灯丝烧到白热状态。其中有90%的电力以热的形式被浪费掉。而半导体照明灯是冷光源,它的电——光的转换效率非常高。白光半导体照明的耗电仅为白炽灯的10%——20%。这就意味着,用白光半导体照明替代白炽灯将节能80%——90%,可见,其节能效果之显著。普通白炽灯的寿命只是1000小时,而白光半导体照明灯的寿命可以达到10万小时。有人做过估算,单是我国台湾省,如果用半导体照明取代传统光源,每年就可以省下约一座核电站的电力。除此之外,半导体照明还有体积小、重量轻、方向性好、可耐各种恶劣条件等优点。例如:半导体照明灯放在水中,不用过多防护依然发光。若将用到矿灯上,则由于它的低功耗特点,可以大大地减小电池的体积和重量,减小井下矿工的负荷,提高劳动效率。野外作业或者无电力供应的地区使用半导体照明灯,可以方便地使用太阳能给半导体照明灯提供有效的电力。目前,我国每年的用电量是2200亿千瓦时,到2010年可达到3100亿千瓦时,如果有1/2的照明使用半导体照明,每年可节省出一个三峡电站,并可降低污染。当前,美国、日本、欧盟都由官方成立专案,编列计划与预算推行白光半导体照明。日本的21世纪计划,从1998年——2002年用50亿日元推行半导体照明。并到2006年完成用白光半导体照明替代50%传统的白炽灯照明。美国的半导体照明计划,从2000年到2010年,计划耗资将达到5亿美元。美国能源部预测,到2010年后,美国将有55%的白炽灯和荧光灯被半导体灯替代,每年可节省电费350亿美元。欧盟的彩虹计划在2000年7月启动,计划通过欧洲共同体的补助金来推广半导体照明技术的应用。目前,我国在半导体照明技术领域不算落后。大连陆明科技公司、山东澳柯玛公司等都有自己的相应成果。国家科技部副秘书长、国家半导体照明工程领导小组组长李健认为,中国发展半导体照明产业有三大优势:第一,中国有巨大的照明工业和照明市场。我国现在是世界照明电器生产大国和出口大国之一,根据中国照明协会提供的数字,去年销售收入445亿元,出口创汇43亿美元。第二,我国在这个领域具备一定的技术和产业基础。与微电子相比,我国半导体发光器件领域与国外差距较小。第三,发展半导体照明产业能发挥我国的优势。半导体照明产业,既是一个技术密集型产业,又是一个劳动密集型产业,其难度和风险都大大小于微电子产业,发展半导体照明产业能发挥我国的优势。半导体照明技术的日臻成熟,意味着一场新的产业革命——半导体照明产业的来临。半导体照明既然是一场革命,在时间上,至少也有10-20年的历程。在空间上,也会涉及许多行业,矿山、汽车、交通、机器制造等。至于民用,就更不必说了。据检索,美国现在每年照明用电6000亿度,约占总用电量的20%。我国现在每年照明用电2000亿度,约占总用电量的12%,这意味着照明产业在我国有巨大的发展空间。因此在时间和空间上都为我们提供了一个广阔的战场。发展半导体照明产业大有可为。二、应用范围及市场分析半导体照明可应用在各种需要照明的领域,灯具品种达数千种,我们先投入半导体射灯照明,用半导体射灯取代当前的白炽灯和节能灯。主要用于舞台、宾馆、商场、会议室等堂馆的照明,以及家庭装修与照明。三、主要技术指标工作电压:交流220V; 直流6V、12V、30V功率:5W、10W、15W、28W、45W。四、经济效益分析经济效益以年产10万盏计,年利润可达110万元。五、生产规模半导体照明的市场是无可置疑的,建立制造半导体照明灯产业,规模可大可小,视领导部门的决心和资金大小来确定。六、项目完成情况技术条件已经成熟,产品实验已经完成。七、项目投资5——10万元。主要用于购买原材料、外协件加工和必要的检测仪表。八、所需条件厂房60——100平米,产品检测仪表若干台。九、合作方式技术服务或成果转让。十、技术价格技术服务10万元,成果转让6万元。
半导体照明用LED产业化
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
半导体发光二极管(LightEmittingDiode,缩写成LED),是由P型半导体和N型半导体组成的晶片,它们之间形成的过渡层叫P-N结,当P-N结加正向电压时有电流注入,电子和空穴复合而发光。LED晶片的体积很小,通常只有几十到几百微米见方,属于固态光源,选择适当匹配的材料和制造工艺,电能大部分可转变成光能,理论上发光效率可达400lm/w,工作状态稳定,可靠性高,寿命超过10万小时。与此同时,由于太阳能技术在过去十年来的大幅度提高,太阳能作为低功耗直流电源已实现了实用化,成本大幅度降低。LED技术和太阳能技术可以说相得益彰。二者的结合可以在很大程度上摆脱对传统电源和人工维护等方面的依赖和由此带来的成本。使用太阳能半导体LED灯具有极高的社会效益和经济效益。它可以免维护、节省能源和利于环保,同时具有高度的可靠性。该项目有广阔的产业化前景,可广泛应用于建筑物外观照明、景观及道路照明、标识与指示性照明等。
电荷保持特性良好的非易失性半导体存储元件技术
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明提供使浮栅周围的绝缘体的绝缘性的提高和浮栅中的已氧化的金属超微粒子的比例的降低成为可能的非易失性半导体存储元件及其制造方法。具有由作为吉布斯氧化物生成自由能在0℃~1200℃的范围内比SI高的元素的难氧化性物质形成的浮栅 以及包裹该浮栅周围的由该自由能与SI相同或更低的易氧化性物质的氧化物形成的绝缘体的非易失性半导体存储元件的制造方法中,难氧化性物质的浮栅使用物理 形成法形成,易氧化性物质的氧化物使用物理形成法或化学形成法形成,形成栅极绝缘膜后,在氧化用气体和还原用气体的混合气体中,在0℃~1200℃的范围 内,控制混合气体的混合比以及温度进行热处理,使得仅还原难氧化性物质,且仅氧化易氧化性物质的氧化物。
半导体薄膜磁头及磁性电子验钞器
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
我校承担的广东省“八五”攻关项目“半导体薄膜磁阻元件及传感器”,于1995年通过省级鉴定,达到国际先进水平。该磁阻元件的灵敏度比霍尔元件高10倍以上,具有许多用途。最典型的例子是用薄膜磁阻芯片制成的磁头可以检测弱磁迹信号,这是辨真防伪技术上的重要应用。目前我校是国内唯一的一家可以生产并已销售这种薄膜型高灵敏度磁头的单位,“半导体薄膜磁阻元件及半导体磁头”已被评为一九九六年国家级新产品。半导体磁头已获国家实用新型专利授权。已有产品投放市场,质量达到日本村田公司同类产品水平。已制成磁性电子验钞器上市销售。投资情况与经济社会效益分析:需投入600万元(厂房和流动资金除外)购置设备及配套设施。年产半导体磁头100万只,电子验钞器50万只。半年内有产品出售,两年内收回投资。向我单位直接购买磁头用于制造自动点钞机或电子验钞器。推广应用范围和前景:薄模型磁阻元件除可以制成半导体磁头外,还可以制造无接触电位器、磁敏电流传感器、无触点开关、转速表、微位移传感器、编码器、以及检测支票、发票上磁性标志的专用传感器等二十多种产品。可用于防伪、自动控制和电子仪器设备等许多方面,市场广阔。
高纯硅
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
项目简介:以二氧化硅为基础分离出的单质硅,纯度可达99.99999%以上。 项目核心创新点: 提纯成本低、环保,可进行量产。 项目详细用途:半导体企业对硅需求量大,纯度99.999999999%,为纳米级结晶体。该提纯法下一步可以做到结晶融合。 预期效益说明: 根据中国海关统计,2015年中国大陆进口半导体3,139亿颗,总额2,307亿美元,出口的半导体693亿美元,逆差1,613亿美元。反映中国半硅片市场需求量。
半导体激光器泵浦的低重复频率全固态皮秒蓝光激光器
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
半导体激光器泵浦的低重复频率全固态皮秒蓝光激光器。 成果简介: 本发明公开了一种半导体激光器泵浦的低重复频率全固态皮秒蓝光激光器,包括半导体激光器、单模光纤、光学聚焦耦合器、复合激光介质、第一平面反射镜M1、第二平面反射镜M2、第一凹面反射镜M3、第三平面反射镜M4、第四平面反射镜M5、第二凹面反射镜M6、半导体可饱和吸收反射镜、耦合输出镜、格兰泰勒棱镜、法拉第旋光器、45°λ/4 旋光片、凸透镜以及I 类非临界匹配LBO 晶体。 该激光器是基于半导体激光器泵浦复合激光介质光学谐振腔腔内锁模技术以及非线性晶体光学谐振腔外倍频技术上研制出的全固态激光系统,使得低重复频率的皮秒激光器无需受机械制造工艺的限制便可获得稳定的连续锁模脉冲激光输出,而I 类非临界匹配LBO 晶体的使用极大地提高了超短脉冲激光的倍频转换效率。全固态皮秒蓝光激光器不仅有重复频率低,蓝光转换效率高,光束质量好等特点,而且具有结构紧凑、性能稳定的特点。 应用范围:该激光器整机使用操作简便,在生物医疗、超大规模集成电路元件封装、芯片光刻、高密度光盘存储、超快过程研究以及军事等领域有着重要的应用。
一种含氟有机半导体材料及其制备方法与应用
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明提供一种含氟有机半导体材料及其制备方法与应用,所述含氟有机半导体材料具有如式I所示结构,通过本发明制备方法制备得到的含氟有机半导体材料,具有优异的光电性能,高度的可溶性,良好的分子间堆砌能力及热稳定性,克服基于分子内硫氧弱相互作用“头碰头型”联噻吩构筑的有机半导体的HOMO能级不匹配的不足,既可以作为有机太阳电池的活性层材料,又可以应用于有机场效应晶体管中作为载流子传输材料,在有机半导体材料领域具有巨大的应用潜力与价值。
可预成型的热电器件及制备方法
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明提供了可预成型的热电器件及其制备方法,是在热端柔性基板和冷端柔性基板上分别设置图形化电极,然后将由多个交错且呈间隔排列组合的N型和P型半导体热电单元构成的热电元件之一端面与热端柔性基板上电极连接,再将热端柔性基板的另一表面与热源外表面贴合固定而使热端柔性基板预成型为与热源外表面适配的形状,然后将冷端柔性基板上电极与N型和P型半导体热电单元另一端面连接,而使N型和P型半导体热电单元构成电串联、热并联结构,同时冷端柔性基板形成与热端柔性基板一致的形状。本发明提供的可预成型的热电器件,由温度变化而产生的热应力小,与热源的结合较好,便于各种不同形式的热源的利用,且结构简单,成本低廉。
一种有机光电晶体管及其制备方法
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明提供了一种有机光电晶体管,属半导体材料技术领域,依次包括硅基底层、金电极和金属锌钛菁纳米晶活性层;所述金属锌钛菁纳米晶活性层覆盖在所述金电极及所述金电极之间的区域之上。本发明提供的晶体管中的金属锌钛菁纳米晶活性层具有优异的近红外光谱吸收特性,从而提高了光敏晶体管对近红外光谱的响应性能;本发明采用超声技术制备了金属酞菁纳米晶,其晶体缺陷密度低,有效降低了空气中的O2、H2O、CO2等分子在光敏晶体管活性层中的吸附,有利于提高器件在大气环境中的稳定性;同时具有优异的场效应载流子迁移率,从而有效提高了光敏晶体管的光响应度。
一种等离子减薄装置与方法
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及半导体晶片加工领域,公开了一种等离子减薄装置与方法,其中等离子减薄装置包括第一电极、第二电极、惰性气体供给装置与刻蚀气体供给装置,其中,第一电极与第二电极平行设置,二者之间具有间隙,惰性气体供给装置用于向间隙内通入惰性气体,以在间隙内形成等离子体,等离子体向间隙外喷出形成等离子体火焰,刻蚀气体供给装置用于向等离子体火焰中通入刻蚀气体。本发明可以增加待加工工件与电极之间的距离,保证大尺寸晶片加工时的均匀性;同时,本发明的刻蚀气体在电极外的等离子体火焰中通入,不会产生电弧放电,故可以保证等离子体的稳定性,进而能够适应大尺寸晶片的加工。
找到227项技术成果数据。
找技术 >开发半导体照明产业
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
一、项目简介半导体技术诞生以来,世界经历了一场轰轰烈烈的微电子技术革命,它改变了人们千百年来形成的工作、生活方式,推动了人类的文明与进步。当前,半导体技术第二次革命的钟声已经响起,它将像春雷一声巨响,告诉人們,半导体技术的第二朵鲜花就要怒放。它就是——半导体照明技术。早在多年前,科学家便发现了半导体在加电后产生光电子而发光的现象。经过不懈的努力,半导体发光材料和技术取得了重大突破,发光性能更好的半导体材料如:磷化铟镓铝、氮化镓等不断被发现。它具有白炽灯一样的光亮,同时具有一系列白炽灯所无法比拟的优点。半导体照明灯的诞生,无论从节省能源的角度,还是从使用性能方面都给人以耳目一新的感觉。从现在开始,一场抢占半导体照明产业制高点的争夺战,已经在全球打响。半导体照明将以惊人的步伐取代白炽灯,广泛用于各领域的照明,界时将结束“爱迪生照明时代”。白炽灯是利用热发光技术,它的发光功能,必须把灯丝烧到白热状态。其中有90%的电力以热的形式被浪费掉。而半导体照明灯是冷光源,它的电——光的转换效率非常高。白光半导体照明的耗电仅为白炽灯的10%——20%。这就意味着,用白光半导体照明替代白炽灯将节能80%——90%,可见,其节能效果之显著。普通白炽灯的寿命只是1000小时,而白光半导体照明灯的寿命可以达到10万小时。有人做过估算,单是我国台湾省,如果用半导体照明取代传统光源,每年就可以省下约一座核电站的电力。除此之外,半导体照明还有体积小、重量轻、方向性好、可耐各种恶劣条件等优点。例如:半导体照明灯放在水中,不用过多防护依然发光。若将用到矿灯上,则由于它的低功耗特点,可以大大地减小电池的体积和重量,减小井下矿工的负荷,提高劳动效率。野外作业或者无电力供应的地区使用半导体照明灯,可以方便地使用太阳能给半导体照明灯提供有效的电力。目前,我国每年的用电量是2200亿千瓦时,到2010年可达到3100亿千瓦时,如果有1/2的照明使用半导体照明,每年可节省出一个三峡电站,并可降低污染。当前,美国、日本、欧盟都由官方成立专案,编列计划与预算推行白光半导体照明。日本的21世纪计划,从1998年——2002年用50亿日元推行半导体照明。并到2006年完成用白光半导体照明替代50%传统的白炽灯照明。美国的半导体照明计划,从2000年到2010年,计划耗资将达到5亿美元。美国能源部预测,到2010年后,美国将有55%的白炽灯和荧光灯被半导体灯替代,每年可节省电费350亿美元。欧盟的彩虹计划在2000年7月启动,计划通过欧洲共同体的补助金来推广半导体照明技术的应用。目前,我国在半导体照明技术领域不算落后。大连陆明科技公司、山东澳柯玛公司等都有自己的相应成果。国家科技部副秘书长、国家半导体照明工程领导小组组长李健认为,中国发展半导体照明产业有三大优势:第一,中国有巨大的照明工业和照明市场。我国现在是世界照明电器生产大国和出口大国之一,根据中国照明协会提供的数字,去年销售收入445亿元,出口创汇43亿美元。第二,我国在这个领域具备一定的技术和产业基础。与微电子相比,我国半导体发光器件领域与国外差距较小。第三,发展半导体照明产业能发挥我国的优势。半导体照明产业,既是一个技术密集型产业,又是一个劳动密集型产业,其难度和风险都大大小于微电子产业,发展半导体照明产业能发挥我国的优势。半导体照明技术的日臻成熟,意味着一场新的产业革命——半导体照明产业的来临。半导体照明既然是一场革命,在时间上,至少也有10-20年的历程。在空间上,也会涉及许多行业,矿山、汽车、交通、机器制造等。至于民用,就更不必说了。据检索,美国现在每年照明用电6000亿度,约占总用电量的20%。我国现在每年照明用电2000亿度,约占总用电量的12%,这意味着照明产业在我国有巨大的发展空间。因此在时间和空间上都为我们提供了一个广阔的战场。发展半导体照明产业大有可为。二、应用范围及市场分析半导体照明可应用在各种需要照明的领域,灯具品种达数千种,我们先投入半导体射灯照明,用半导体射灯取代当前的白炽灯和节能灯。主要用于舞台、宾馆、商场、会议室等堂馆的照明,以及家庭装修与照明。三、主要技术指标工作电压:交流220V; 直流6V、12V、30V功率:5W、10W、15W、28W、45W。四、经济效益分析经济效益以年产10万盏计,年利润可达110万元。五、生产规模半导体照明的市场是无可置疑的,建立制造半导体照明灯产业,规模可大可小,视领导部门的决心和资金大小来确定。六、项目完成情况技术条件已经成熟,产品实验已经完成。七、项目投资5——10万元。主要用于购买原材料、外协件加工和必要的检测仪表。八、所需条件厂房60——100平米,产品检测仪表若干台。九、合作方式技术服务或成果转让。十、技术价格技术服务10万元,成果转让6万元。
半导体照明用LED产业化
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
半导体发光二极管(LightEmittingDiode,缩写成LED),是由P型半导体和N型半导体组成的晶片,它们之间形成的过渡层叫P-N结,当P-N结加正向电压时有电流注入,电子和空穴复合而发光。LED晶片的体积很小,通常只有几十到几百微米见方,属于固态光源,选择适当匹配的材料和制造工艺,电能大部分可转变成光能,理论上发光效率可达400lm/w,工作状态稳定,可靠性高,寿命超过10万小时。与此同时,由于太阳能技术在过去十年来的大幅度提高,太阳能作为低功耗直流电源已实现了实用化,成本大幅度降低。LED技术和太阳能技术可以说相得益彰。二者的结合可以在很大程度上摆脱对传统电源和人工维护等方面的依赖和由此带来的成本。使用太阳能半导体LED灯具有极高的社会效益和经济效益。它可以免维护、节省能源和利于环保,同时具有高度的可靠性。该项目有广阔的产业化前景,可广泛应用于建筑物外观照明、景观及道路照明、标识与指示性照明等。
电荷保持特性良好的非易失性半导体存储元件技术
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明提供使浮栅周围的绝缘体的绝缘性的提高和浮栅中的已氧化的金属超微粒子的比例的降低成为可能的非易失性半导体存储元件及其制造方法。具有由作为吉布斯氧化物生成自由能在0℃~1200℃的范围内比SI高的元素的难氧化性物质形成的浮栅 以及包裹该浮栅周围的由该自由能与SI相同或更低的易氧化性物质的氧化物形成的绝缘体的非易失性半导体存储元件的制造方法中,难氧化性物质的浮栅使用物理 形成法形成,易氧化性物质的氧化物使用物理形成法或化学形成法形成,形成栅极绝缘膜后,在氧化用气体和还原用气体的混合气体中,在0℃~1200℃的范围 内,控制混合气体的混合比以及温度进行热处理,使得仅还原难氧化性物质,且仅氧化易氧化性物质的氧化物。
半导体薄膜磁头及磁性电子验钞器
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
我校承担的广东省“八五”攻关项目“半导体薄膜磁阻元件及传感器”,于1995年通过省级鉴定,达到国际先进水平。该磁阻元件的灵敏度比霍尔元件高10倍以上,具有许多用途。最典型的例子是用薄膜磁阻芯片制成的磁头可以检测弱磁迹信号,这是辨真防伪技术上的重要应用。目前我校是国内唯一的一家可以生产并已销售这种薄膜型高灵敏度磁头的单位,“半导体薄膜磁阻元件及半导体磁头”已被评为一九九六年国家级新产品。半导体磁头已获国家实用新型专利授权。已有产品投放市场,质量达到日本村田公司同类产品水平。已制成磁性电子验钞器上市销售。投资情况与经济社会效益分析:需投入600万元(厂房和流动资金除外)购置设备及配套设施。年产半导体磁头100万只,电子验钞器50万只。半年内有产品出售,两年内收回投资。向我单位直接购买磁头用于制造自动点钞机或电子验钞器。推广应用范围和前景:薄模型磁阻元件除可以制成半导体磁头外,还可以制造无接触电位器、磁敏电流传感器、无触点开关、转速表、微位移传感器、编码器、以及检测支票、发票上磁性标志的专用传感器等二十多种产品。可用于防伪、自动控制和电子仪器设备等许多方面,市场广阔。
高纯硅
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
项目简介:以二氧化硅为基础分离出的单质硅,纯度可达99.99999%以上。 项目核心创新点: 提纯成本低、环保,可进行量产。 项目详细用途:半导体企业对硅需求量大,纯度99.999999999%,为纳米级结晶体。该提纯法下一步可以做到结晶融合。 预期效益说明: 根据中国海关统计,2015年中国大陆进口半导体3,139亿颗,总额2,307亿美元,出口的半导体693亿美元,逆差1,613亿美元。反映中国半硅片市场需求量。
半导体激光器泵浦的低重复频率全固态皮秒蓝光激光器
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
半导体激光器泵浦的低重复频率全固态皮秒蓝光激光器。 成果简介: 本发明公开了一种半导体激光器泵浦的低重复频率全固态皮秒蓝光激光器,包括半导体激光器、单模光纤、光学聚焦耦合器、复合激光介质、第一平面反射镜M1、第二平面反射镜M2、第一凹面反射镜M3、第三平面反射镜M4、第四平面反射镜M5、第二凹面反射镜M6、半导体可饱和吸收反射镜、耦合输出镜、格兰泰勒棱镜、法拉第旋光器、45°λ/4 旋光片、凸透镜以及I 类非临界匹配LBO 晶体。 该激光器是基于半导体激光器泵浦复合激光介质光学谐振腔腔内锁模技术以及非线性晶体光学谐振腔外倍频技术上研制出的全固态激光系统,使得低重复频率的皮秒激光器无需受机械制造工艺的限制便可获得稳定的连续锁模脉冲激光输出,而I 类非临界匹配LBO 晶体的使用极大地提高了超短脉冲激光的倍频转换效率。全固态皮秒蓝光激光器不仅有重复频率低,蓝光转换效率高,光束质量好等特点,而且具有结构紧凑、性能稳定的特点。 应用范围:该激光器整机使用操作简便,在生物医疗、超大规模集成电路元件封装、芯片光刻、高密度光盘存储、超快过程研究以及军事等领域有着重要的应用。
一种含氟有机半导体材料及其制备方法与应用
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明提供一种含氟有机半导体材料及其制备方法与应用,所述含氟有机半导体材料具有如式I所示结构,通过本发明制备方法制备得到的含氟有机半导体材料,具有优异的光电性能,高度的可溶性,良好的分子间堆砌能力及热稳定性,克服基于分子内硫氧弱相互作用“头碰头型”联噻吩构筑的有机半导体的HOMO能级不匹配的不足,既可以作为有机太阳电池的活性层材料,又可以应用于有机场效应晶体管中作为载流子传输材料,在有机半导体材料领域具有巨大的应用潜力与价值。
可预成型的热电器件及制备方法
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明提供了可预成型的热电器件及其制备方法,是在热端柔性基板和冷端柔性基板上分别设置图形化电极,然后将由多个交错且呈间隔排列组合的N型和P型半导体热电单元构成的热电元件之一端面与热端柔性基板上电极连接,再将热端柔性基板的另一表面与热源外表面贴合固定而使热端柔性基板预成型为与热源外表面适配的形状,然后将冷端柔性基板上电极与N型和P型半导体热电单元另一端面连接,而使N型和P型半导体热电单元构成电串联、热并联结构,同时冷端柔性基板形成与热端柔性基板一致的形状。本发明提供的可预成型的热电器件,由温度变化而产生的热应力小,与热源的结合较好,便于各种不同形式的热源的利用,且结构简单,成本低廉。
一种有机光电晶体管及其制备方法
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明提供了一种有机光电晶体管,属半导体材料技术领域,依次包括硅基底层、金电极和金属锌钛菁纳米晶活性层;所述金属锌钛菁纳米晶活性层覆盖在所述金电极及所述金电极之间的区域之上。本发明提供的晶体管中的金属锌钛菁纳米晶活性层具有优异的近红外光谱吸收特性,从而提高了光敏晶体管对近红外光谱的响应性能;本发明采用超声技术制备了金属酞菁纳米晶,其晶体缺陷密度低,有效降低了空气中的O2、H2O、CO2等分子在光敏晶体管活性层中的吸附,有利于提高器件在大气环境中的稳定性;同时具有优异的场效应载流子迁移率,从而有效提高了光敏晶体管的光响应度。
一种等离子减薄装置与方法
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及半导体晶片加工领域,公开了一种等离子减薄装置与方法,其中等离子减薄装置包括第一电极、第二电极、惰性气体供给装置与刻蚀气体供给装置,其中,第一电极与第二电极平行设置,二者之间具有间隙,惰性气体供给装置用于向间隙内通入惰性气体,以在间隙内形成等离子体,等离子体向间隙外喷出形成等离子体火焰,刻蚀气体供给装置用于向等离子体火焰中通入刻蚀气体。本发明可以增加待加工工件与电极之间的距离,保证大尺寸晶片加工时的均匀性;同时,本发明的刻蚀气体在电极外的等离子体火焰中通入,不会产生电弧放电,故可以保证等离子体的稳定性,进而能够适应大尺寸晶片的加工。
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找技术 >开发半导体照明产业
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
一、项目简介半导体技术诞生以来,世界经历了一场轰轰烈烈的微电子技术革命,它改变了人们千百年来形成的工作、生活方式,推动了人类的文明与进步。当前,半导体技术第二次革命的钟声已经响起,它将像春雷一声巨响,告诉人們,半导体技术的第二朵鲜花就要怒放。它就是——半导体照明技术。早在多年前,科学家便发现了半导体在加电后产生光电子而发光的现象。经过不懈的努力,半导体发光材料和技术取得了重大突破,发光性能更好的半导体材料如:磷化铟镓铝、氮化镓等不断被发现。它具有白炽灯一样的光亮,同时具有一系列白炽灯所无法比拟的优点。半导体照明灯的诞生,无论从节省能源的角度,还是从使用性能方面都给人以耳目一新的感觉。从现在开始,一场抢占半导体照明产业制高点的争夺战,已经在全球打响。半导体照明将以惊人的步伐取代白炽灯,广泛用于各领域的照明,界时将结束“爱迪生照明时代”。白炽灯是利用热发光技术,它的发光功能,必须把灯丝烧到白热状态。其中有90%的电力以热的形式被浪费掉。而半导体照明灯是冷光源,它的电——光的转换效率非常高。白光半导体照明的耗电仅为白炽灯的10%——20%。这就意味着,用白光半导体照明替代白炽灯将节能80%——90%,可见,其节能效果之显著。普通白炽灯的寿命只是1000小时,而白光半导体照明灯的寿命可以达到10万小时。有人做过估算,单是我国台湾省,如果用半导体照明取代传统光源,每年就可以省下约一座核电站的电力。除此之外,半导体照明还有体积小、重量轻、方向性好、可耐各种恶劣条件等优点。例如:半导体照明灯放在水中,不用过多防护依然发光。若将用到矿灯上,则由于它的低功耗特点,可以大大地减小电池的体积和重量,减小井下矿工的负荷,提高劳动效率。野外作业或者无电力供应的地区使用半导体照明灯,可以方便地使用太阳能给半导体照明灯提供有效的电力。目前,我国每年的用电量是2200亿千瓦时,到2010年可达到3100亿千瓦时,如果有1/2的照明使用半导体照明,每年可节省出一个三峡电站,并可降低污染。当前,美国、日本、欧盟都由官方成立专案,编列计划与预算推行白光半导体照明。日本的21世纪计划,从1998年——2002年用50亿日元推行半导体照明。并到2006年完成用白光半导体照明替代50%传统的白炽灯照明。美国的半导体照明计划,从2000年到2010年,计划耗资将达到5亿美元。美国能源部预测,到2010年后,美国将有55%的白炽灯和荧光灯被半导体灯替代,每年可节省电费350亿美元。欧盟的彩虹计划在2000年7月启动,计划通过欧洲共同体的补助金来推广半导体照明技术的应用。目前,我国在半导体照明技术领域不算落后。大连陆明科技公司、山东澳柯玛公司等都有自己的相应成果。国家科技部副秘书长、国家半导体照明工程领导小组组长李健认为,中国发展半导体照明产业有三大优势:第一,中国有巨大的照明工业和照明市场。我国现在是世界照明电器生产大国和出口大国之一,根据中国照明协会提供的数字,去年销售收入445亿元,出口创汇43亿美元。第二,我国在这个领域具备一定的技术和产业基础。与微电子相比,我国半导体发光器件领域与国外差距较小。第三,发展半导体照明产业能发挥我国的优势。半导体照明产业,既是一个技术密集型产业,又是一个劳动密集型产业,其难度和风险都大大小于微电子产业,发展半导体照明产业能发挥我国的优势。半导体照明技术的日臻成熟,意味着一场新的产业革命——半导体照明产业的来临。半导体照明既然是一场革命,在时间上,至少也有10-20年的历程。在空间上,也会涉及许多行业,矿山、汽车、交通、机器制造等。至于民用,就更不必说了。据检索,美国现在每年照明用电6000亿度,约占总用电量的20%。我国现在每年照明用电2000亿度,约占总用电量的12%,这意味着照明产业在我国有巨大的发展空间。因此在时间和空间上都为我们提供了一个广阔的战场。发展半导体照明产业大有可为。二、应用范围及市场分析半导体照明可应用在各种需要照明的领域,灯具品种达数千种,我们先投入半导体射灯照明,用半导体射灯取代当前的白炽灯和节能灯。主要用于舞台、宾馆、商场、会议室等堂馆的照明,以及家庭装修与照明。三、主要技术指标工作电压:交流220V; 直流6V、12V、30V功率:5W、10W、15W、28W、45W。四、经济效益分析经济效益以年产10万盏计,年利润可达110万元。五、生产规模半导体照明的市场是无可置疑的,建立制造半导体照明灯产业,规模可大可小,视领导部门的决心和资金大小来确定。六、项目完成情况技术条件已经成熟,产品实验已经完成。七、项目投资5——10万元。主要用于购买原材料、外协件加工和必要的检测仪表。八、所需条件厂房60——100平米,产品检测仪表若干台。九、合作方式技术服务或成果转让。十、技术价格技术服务10万元,成果转让6万元。
半导体照明用LED产业化
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
半导体发光二极管(LightEmittingDiode,缩写成LED),是由P型半导体和N型半导体组成的晶片,它们之间形成的过渡层叫P-N结,当P-N结加正向电压时有电流注入,电子和空穴复合而发光。LED晶片的体积很小,通常只有几十到几百微米见方,属于固态光源,选择适当匹配的材料和制造工艺,电能大部分可转变成光能,理论上发光效率可达400lm/w,工作状态稳定,可靠性高,寿命超过10万小时。与此同时,由于太阳能技术在过去十年来的大幅度提高,太阳能作为低功耗直流电源已实现了实用化,成本大幅度降低。LED技术和太阳能技术可以说相得益彰。二者的结合可以在很大程度上摆脱对传统电源和人工维护等方面的依赖和由此带来的成本。使用太阳能半导体LED灯具有极高的社会效益和经济效益。它可以免维护、节省能源和利于环保,同时具有高度的可靠性。该项目有广阔的产业化前景,可广泛应用于建筑物外观照明、景观及道路照明、标识与指示性照明等。
电荷保持特性良好的非易失性半导体存储元件技术
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明提供使浮栅周围的绝缘体的绝缘性的提高和浮栅中的已氧化的金属超微粒子的比例的降低成为可能的非易失性半导体存储元件及其制造方法。具有由作为吉布斯氧化物生成自由能在0℃~1200℃的范围内比SI高的元素的难氧化性物质形成的浮栅 以及包裹该浮栅周围的由该自由能与SI相同或更低的易氧化性物质的氧化物形成的绝缘体的非易失性半导体存储元件的制造方法中,难氧化性物质的浮栅使用物理 形成法形成,易氧化性物质的氧化物使用物理形成法或化学形成法形成,形成栅极绝缘膜后,在氧化用气体和还原用气体的混合气体中,在0℃~1200℃的范围 内,控制混合气体的混合比以及温度进行热处理,使得仅还原难氧化性物质,且仅氧化易氧化性物质的氧化物。
半导体薄膜磁头及磁性电子验钞器
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
我校承担的广东省“八五”攻关项目“半导体薄膜磁阻元件及传感器”,于1995年通过省级鉴定,达到国际先进水平。该磁阻元件的灵敏度比霍尔元件高10倍以上,具有许多用途。最典型的例子是用薄膜磁阻芯片制成的磁头可以检测弱磁迹信号,这是辨真防伪技术上的重要应用。目前我校是国内唯一的一家可以生产并已销售这种薄膜型高灵敏度磁头的单位,“半导体薄膜磁阻元件及半导体磁头”已被评为一九九六年国家级新产品。半导体磁头已获国家实用新型专利授权。已有产品投放市场,质量达到日本村田公司同类产品水平。已制成磁性电子验钞器上市销售。投资情况与经济社会效益分析:需投入600万元(厂房和流动资金除外)购置设备及配套设施。年产半导体磁头100万只,电子验钞器50万只。半年内有产品出售,两年内收回投资。向我单位直接购买磁头用于制造自动点钞机或电子验钞器。推广应用范围和前景:薄模型磁阻元件除可以制成半导体磁头外,还可以制造无接触电位器、磁敏电流传感器、无触点开关、转速表、微位移传感器、编码器、以及检测支票、发票上磁性标志的专用传感器等二十多种产品。可用于防伪、自动控制和电子仪器设备等许多方面,市场广阔。
高纯硅
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
项目简介:以二氧化硅为基础分离出的单质硅,纯度可达99.99999%以上。 项目核心创新点: 提纯成本低、环保,可进行量产。 项目详细用途:半导体企业对硅需求量大,纯度99.999999999%,为纳米级结晶体。该提纯法下一步可以做到结晶融合。 预期效益说明: 根据中国海关统计,2015年中国大陆进口半导体3,139亿颗,总额2,307亿美元,出口的半导体693亿美元,逆差1,613亿美元。反映中国半硅片市场需求量。
半导体激光器泵浦的低重复频率全固态皮秒蓝光激光器
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
半导体激光器泵浦的低重复频率全固态皮秒蓝光激光器。 成果简介: 本发明公开了一种半导体激光器泵浦的低重复频率全固态皮秒蓝光激光器,包括半导体激光器、单模光纤、光学聚焦耦合器、复合激光介质、第一平面反射镜M1、第二平面反射镜M2、第一凹面反射镜M3、第三平面反射镜M4、第四平面反射镜M5、第二凹面反射镜M6、半导体可饱和吸收反射镜、耦合输出镜、格兰泰勒棱镜、法拉第旋光器、45°λ/4 旋光片、凸透镜以及I 类非临界匹配LBO 晶体。 该激光器是基于半导体激光器泵浦复合激光介质光学谐振腔腔内锁模技术以及非线性晶体光学谐振腔外倍频技术上研制出的全固态激光系统,使得低重复频率的皮秒激光器无需受机械制造工艺的限制便可获得稳定的连续锁模脉冲激光输出,而I 类非临界匹配LBO 晶体的使用极大地提高了超短脉冲激光的倍频转换效率。全固态皮秒蓝光激光器不仅有重复频率低,蓝光转换效率高,光束质量好等特点,而且具有结构紧凑、性能稳定的特点。 应用范围:该激光器整机使用操作简便,在生物医疗、超大规模集成电路元件封装、芯片光刻、高密度光盘存储、超快过程研究以及军事等领域有着重要的应用。
一种含氟有机半导体材料及其制备方法与应用
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明提供一种含氟有机半导体材料及其制备方法与应用,所述含氟有机半导体材料具有如式I所示结构,通过本发明制备方法制备得到的含氟有机半导体材料,具有优异的光电性能,高度的可溶性,良好的分子间堆砌能力及热稳定性,克服基于分子内硫氧弱相互作用“头碰头型”联噻吩构筑的有机半导体的HOMO能级不匹配的不足,既可以作为有机太阳电池的活性层材料,又可以应用于有机场效应晶体管中作为载流子传输材料,在有机半导体材料领域具有巨大的应用潜力与价值。
可预成型的热电器件及制备方法
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明提供了可预成型的热电器件及其制备方法,是在热端柔性基板和冷端柔性基板上分别设置图形化电极,然后将由多个交错且呈间隔排列组合的N型和P型半导体热电单元构成的热电元件之一端面与热端柔性基板上电极连接,再将热端柔性基板的另一表面与热源外表面贴合固定而使热端柔性基板预成型为与热源外表面适配的形状,然后将冷端柔性基板上电极与N型和P型半导体热电单元另一端面连接,而使N型和P型半导体热电单元构成电串联、热并联结构,同时冷端柔性基板形成与热端柔性基板一致的形状。本发明提供的可预成型的热电器件,由温度变化而产生的热应力小,与热源的结合较好,便于各种不同形式的热源的利用,且结构简单,成本低廉。
一种有机光电晶体管及其制备方法
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明提供了一种有机光电晶体管,属半导体材料技术领域,依次包括硅基底层、金电极和金属锌钛菁纳米晶活性层;所述金属锌钛菁纳米晶活性层覆盖在所述金电极及所述金电极之间的区域之上。本发明提供的晶体管中的金属锌钛菁纳米晶活性层具有优异的近红外光谱吸收特性,从而提高了光敏晶体管对近红外光谱的响应性能;本发明采用超声技术制备了金属酞菁纳米晶,其晶体缺陷密度低,有效降低了空气中的O2、H2O、CO2等分子在光敏晶体管活性层中的吸附,有利于提高器件在大气环境中的稳定性;同时具有优异的场效应载流子迁移率,从而有效提高了光敏晶体管的光响应度。
一种等离子减薄装置与方法
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及半导体晶片加工领域,公开了一种等离子减薄装置与方法,其中等离子减薄装置包括第一电极、第二电极、惰性气体供给装置与刻蚀气体供给装置,其中,第一电极与第二电极平行设置,二者之间具有间隙,惰性气体供给装置用于向间隙内通入惰性气体,以在间隙内形成等离子体,等离子体向间隙外喷出形成等离子体火焰,刻蚀气体供给装置用于向等离子体火焰中通入刻蚀气体。本发明可以增加待加工工件与电极之间的距离,保证大尺寸晶片加工时的均匀性;同时,本发明的刻蚀气体在电极外的等离子体火焰中通入,不会产生电弧放电,故可以保证等离子体的稳定性,进而能够适应大尺寸晶片的加工。