找到16项技术成果数据。
找技术 >半导体薄膜磁头及磁性电子验钞器
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
我校承担的广东省“八五”攻关项目“半导体薄膜磁阻元件及传感器”,于1995年通过省级鉴定,达到国际先进水平。该磁阻元件的灵敏度比霍尔元件高10倍以上,具有许多用途。最典型的例子是用薄膜磁阻芯片制成的磁头可以检测弱磁迹信号,这是辨真防伪技术上的重要应用。目前我校是国内唯一的一家可以生产并已销售这种薄膜型高灵敏度磁头的单位,“半导体薄膜磁阻元件及半导体磁头”已被评为一九九六年国家级新产品。半导体磁头已获国家实用新型专利授权。已有产品投放市场,质量达到日本村田公司同类产品水平。已制成磁性电子验钞器上市销售。投资情况与经济社会效益分析:需投入600万元(厂房和流动资金除外)购置设备及配套设施。年产半导体磁头100万只,电子验钞器50万只。半年内有产品出售,两年内收回投资。向我单位直接购买磁头用于制造自动点钞机或电子验钞器。推广应用范围和前景:薄模型磁阻元件除可以制成半导体磁头外,还可以制造无接触电位器、磁敏电流传感器、无触点开关、转速表、微位移传感器、编码器、以及检测支票、发票上磁性标志的专用传感器等二十多种产品。可用于防伪、自动控制和电子仪器设备等许多方面,市场广阔。
一种用于光伏电池的Ⅱ-Ⅵ族半导体薄膜的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
一种用于光伏电池的II-VI族半导体薄膜制备技术,利用水热晶化的方法在导电玻璃衬底上制备出ZnS、Cu2S薄膜;CdS-ZnS、CdS-CdTe复合薄膜;CuInS2薄膜和Au/n-In2S3/p-CuInS2/SnO2/glass光伏电池。本发明通过采用水热晶化的方法,制备出各种可以应用于光伏电池的II-VI族半导体薄膜,和Au/n-In2S3/p-CuInS2/SnO2/glass光伏电池,较大幅度的降低了光伏电池的制备成本,为其大规模工业化生产提供了一种新型廉价的制备路线。
一种二硫化亚铁半导体薄膜的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:水利、环境和公共设施管理业
技术简介
一种二硫化亚铁半导体薄膜的制备方法 本发明公开了一种二硫化亚铁半导体薄膜的制备方法,涉及用于太阳电池等的化合物半导体薄膜制备领域。本发明采用水溶液沉积方法,以硫酸亚铁或氯化亚铁水溶液为阳离子前驱体溶液,以多硫化钠水溶液为阴离子前驱体溶液。通过控制基底在前驱体溶液中浸泡的时间以及循环的次数在基底上沉积二硫化亚铁薄膜预制层。预制层在高温下进行硫化热处理以得到二硫化亚铁薄膜。本发明工艺流程短、成本低、重现性好、易于大规模连续生产、薄膜成分可控并适于大面积生长。沉积基底可以选择普通钠钙玻璃、导电玻璃和柔性不锈钢片、钛片、钼片或塑料片。所制备的薄膜厚度和成分可控、形貌致密均匀、结晶性能和光电性质良好,适用于薄膜太阳电池。
铌酸锂/Ⅲ族氮化物异质结铁电半导体薄膜制备方法及应用
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
LiNbO3/III族氮化物异质结铁电半导体薄膜制备方法,采用金属有机物化学气相淀积方法在(0001)面蓝宝石衬底上先生长AlN/AlGaN等异质结构材料作为缓冲层或复合衬底;然后在此缓冲层采用高纯5N的铁电材料作为靶材,用脉冲激光沉积方法在所述异质结构缓冲层或复合衬底上获得高质量铁电材料薄膜;控制生长腔的真空在10-3Torr以上;将衬底温度升至300-900度,然后向腔内通入高纯氧,氧压控制在5-90帕;调整激光器频率设置为5HZ,能量为300mJ,并预先将激光预溅射靶材3-5分钟,清洁衬底表面的污染;最后,将脉冲激光聚焦于靶材上,打开靶源在异质结构复合衬底生长LiNbO3/III族氮化物异质结构铁电半导体薄膜。
一种制备铜基硫硒化物半导体薄膜方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种高效光电性能铜基硫硒化物半导体薄膜,为多元铜基硫硒化物材料,化学通式为Cux1M1x2M2x3(SSe)x4,M1和M2为不同的金属元素,且分别为Zn、Sn、Ge、Si、In、Ga、Al中的一种;多元铜基硫硒化物为铜锌锡硫或CuGaS2薄膜;制备方法采用溶液‑旋涂法,简单的湿度调控方法制备高效光电性能的多元铜基硫硒化物半导体薄膜。通过调控前驱体溶液所处的环境湿度使多元铜基硫硒化物的光电性能得到显著提升。此湿度调控方法操作简单,且具有通用性。
类金刚石薄膜半导体光电性能和应用的研究
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
一、项目特点和技术指标类金刚石半导体薄膜特点:1.宽带隙并且可在2ev~5ev范围内调节。2.高临界击穿电压、高热导率、高载流子饱和漂移速度。3.可在高温、辐射、腐蚀等恶劣环境下工作。4.可能在大功率、光电子、抗辐射、显示、紫外探测等半导体器件获得应用。5.具有很高的电子亲和势,可用于制备各种微真空器件的冷阴极。6.制造成本低。以甲烷、乙炔等气体为原料采用PECVD等方法生长。二、技术成熟程度本项目处于探索阶段,先测量和分析人工生长的类金刚石薄膜各种半导体光电性能,如禁带宽度、导电类型、迁移率、掺杂浓度、介电常数、折射率、厚度等基本参数和特性,改进材料生长条件,探索类金刚石薄膜材料在半导体光电器件的可能应用。三、应用范围类金刚石半导体薄膜作为最有应用前景的宽带材料之一,可制备大功率、光电子、抗辐射、显示、紫外探测等新型半导体器件,可在高温、辐射、腐蚀等恶劣环境下工作,并有可能用于制备各种功能的微真空器件。四、投产条件和预期经济效益投产条件:1、合作伙伴最好是类金刚石半导体薄膜材料的生产或研发单位,已具有类金刚石半导体薄膜生长设备,能提供研发所需要的类金刚石半导体薄膜。2、投产资金:10万元人民币从事类金刚石薄膜半导体光电基本性能的材料和分析。若需要新建立类金刚石半导体薄膜材料生长设备,另需约30万元人民币。预期经济效益:本项目是源头创新的研发工作。先投入少量经费开展类金刚石薄膜半导体基本性质的研究,改进现有薄膜材料生长工艺,使所生长的薄膜材料能适应半导体器件的要求;再探索用类金刚石薄膜材料研发各种新型半导体器件的可能性并尽快研发出适合市场需要的新型半导体器件。五、合作方式合作开发
一种 CuInS2 纳米晶半导体薄膜的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本技术属于能源材料领域。本技术分别以氯化铜、氯化铟、硫代硫酸钠和氯化锂作为铜、铟、硫源和支持电解质,以邻苯二甲酸氢钾兼作络合剂和 pH 缓冲剂配制电沉积液,并调节 pH=1.5-3.5 后,在搅拌条件下进行电沉积,而后将所得前躯体薄膜在惰性气氛保护条件下于 250-500℃下恒温 30-180min,得到 CuInS2 纳米晶半导体薄膜。本技术所提供的方法可控性强,重复好,所制备的 CuInS2 纳米晶半导体薄膜无杂质,适用于薄膜太阳能电池光吸收层材料。
一种半导体外延用的柔性复合衬底及制造方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明属于半导体领域,公开了一种半导体外延用的柔性复合衬底及制造方法,取两片厚度为100微米‑1000微米抛光的硅片,每片的抛光面蒸发或溅射上0.1微米‑5微米的金属铝,然后通过两片硅片上的铝贴合在一起进行高温键合,将两片硅片键合在一起;在键合的过程中部分铝和硅形成合金,硅片之间也会残留铝层,铝层厚度小于或等于0.5微米;将键合在一起两片硅片的一片进行减薄抛光到1微米‑10微米的厚度制成柔性衬底;柔性衬底的薄硅片一面向上,外延生长半导体薄膜材料。本发明通过将硅衬底制作成柔性衬底从而减少硅与半导体薄膜之间的热适配,这样就减少了硅与半导体薄膜之间的膨胀系数差异引起的应力。
一种氟掺杂的n型氧化亚铜半导体薄膜的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明涉及一种氟掺杂的n型氧化亚铜半导体薄膜的制备方法,其特征在于配制二价铜离子盐的酸溶液,调节溶液的pH值为弱酸性,作电解液,在电解液中加入氟的前驱物溶液,然后利用三电极系统,以清洗干净的导电玻璃为工作电极,Pt片为对电极,饱和KCl的Ag/AgCl电极为参比电极,恒电压沉积,制备氟掺杂的n型氧化亚铜半导体薄膜。这种氟掺杂的氧化亚铜薄膜是n型半导体,拥有独特的多孔网状结构,并且表现出很好的光电性能。本发明提供的制备方法步骤简单,操作简易,反应条件温和,环境友好。通过简单的电化学沉积制备方法得到的高性能的氟掺杂的n型氧化亚铜薄膜将在同质结半导体太阳能电池上有广泛的应用。
铁电隧道结器件
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明公开了一种铁电隧道结器件,包括依次堆叠的一层N型半导体薄膜、一层铁电薄膜和一层P型半导体薄膜;其中N型半导体薄膜上连接有第一电极,而在P型半导体薄膜上连接有第二电极,并且第一电极和第二电极为同样的半导体材料基于不同的掺杂而形成,其中,第一电极为P型半导体电极,第二电极为N型半导体电极。依据本发明克服现有FTJ器件由于金属电极中屏蔽长度短的限制,实现大的开关比和长久的保持性。
找到16项技术成果数据。
找技术 >半导体薄膜磁头及磁性电子验钞器
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
我校承担的广东省“八五”攻关项目“半导体薄膜磁阻元件及传感器”,于1995年通过省级鉴定,达到国际先进水平。该磁阻元件的灵敏度比霍尔元件高10倍以上,具有许多用途。最典型的例子是用薄膜磁阻芯片制成的磁头可以检测弱磁迹信号,这是辨真防伪技术上的重要应用。目前我校是国内唯一的一家可以生产并已销售这种薄膜型高灵敏度磁头的单位,“半导体薄膜磁阻元件及半导体磁头”已被评为一九九六年国家级新产品。半导体磁头已获国家实用新型专利授权。已有产品投放市场,质量达到日本村田公司同类产品水平。已制成磁性电子验钞器上市销售。投资情况与经济社会效益分析:需投入600万元(厂房和流动资金除外)购置设备及配套设施。年产半导体磁头100万只,电子验钞器50万只。半年内有产品出售,两年内收回投资。向我单位直接购买磁头用于制造自动点钞机或电子验钞器。推广应用范围和前景:薄模型磁阻元件除可以制成半导体磁头外,还可以制造无接触电位器、磁敏电流传感器、无触点开关、转速表、微位移传感器、编码器、以及检测支票、发票上磁性标志的专用传感器等二十多种产品。可用于防伪、自动控制和电子仪器设备等许多方面,市场广阔。
一种用于光伏电池的Ⅱ-Ⅵ族半导体薄膜的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
一种用于光伏电池的II-VI族半导体薄膜制备技术,利用水热晶化的方法在导电玻璃衬底上制备出ZnS、Cu2S薄膜;CdS-ZnS、CdS-CdTe复合薄膜;CuInS2薄膜和Au/n-In2S3/p-CuInS2/SnO2/glass光伏电池。本发明通过采用水热晶化的方法,制备出各种可以应用于光伏电池的II-VI族半导体薄膜,和Au/n-In2S3/p-CuInS2/SnO2/glass光伏电池,较大幅度的降低了光伏电池的制备成本,为其大规模工业化生产提供了一种新型廉价的制备路线。
一种二硫化亚铁半导体薄膜的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:水利、环境和公共设施管理业
技术简介
一种二硫化亚铁半导体薄膜的制备方法 本发明公开了一种二硫化亚铁半导体薄膜的制备方法,涉及用于太阳电池等的化合物半导体薄膜制备领域。本发明采用水溶液沉积方法,以硫酸亚铁或氯化亚铁水溶液为阳离子前驱体溶液,以多硫化钠水溶液为阴离子前驱体溶液。通过控制基底在前驱体溶液中浸泡的时间以及循环的次数在基底上沉积二硫化亚铁薄膜预制层。预制层在高温下进行硫化热处理以得到二硫化亚铁薄膜。本发明工艺流程短、成本低、重现性好、易于大规模连续生产、薄膜成分可控并适于大面积生长。沉积基底可以选择普通钠钙玻璃、导电玻璃和柔性不锈钢片、钛片、钼片或塑料片。所制备的薄膜厚度和成分可控、形貌致密均匀、结晶性能和光电性质良好,适用于薄膜太阳电池。
铌酸锂/Ⅲ族氮化物异质结铁电半导体薄膜制备方法及应用
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
LiNbO3/III族氮化物异质结铁电半导体薄膜制备方法,采用金属有机物化学气相淀积方法在(0001)面蓝宝石衬底上先生长AlN/AlGaN等异质结构材料作为缓冲层或复合衬底;然后在此缓冲层采用高纯5N的铁电材料作为靶材,用脉冲激光沉积方法在所述异质结构缓冲层或复合衬底上获得高质量铁电材料薄膜;控制生长腔的真空在10-3Torr以上;将衬底温度升至300-900度,然后向腔内通入高纯氧,氧压控制在5-90帕;调整激光器频率设置为5HZ,能量为300mJ,并预先将激光预溅射靶材3-5分钟,清洁衬底表面的污染;最后,将脉冲激光聚焦于靶材上,打开靶源在异质结构复合衬底生长LiNbO3/III族氮化物异质结构铁电半导体薄膜。
一种制备铜基硫硒化物半导体薄膜方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种高效光电性能铜基硫硒化物半导体薄膜,为多元铜基硫硒化物材料,化学通式为Cux1M1x2M2x3(SSe)x4,M1和M2为不同的金属元素,且分别为Zn、Sn、Ge、Si、In、Ga、Al中的一种;多元铜基硫硒化物为铜锌锡硫或CuGaS2薄膜;制备方法采用溶液‑旋涂法,简单的湿度调控方法制备高效光电性能的多元铜基硫硒化物半导体薄膜。通过调控前驱体溶液所处的环境湿度使多元铜基硫硒化物的光电性能得到显著提升。此湿度调控方法操作简单,且具有通用性。
类金刚石薄膜半导体光电性能和应用的研究
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
一、项目特点和技术指标类金刚石半导体薄膜特点:1.宽带隙并且可在2ev~5ev范围内调节。2.高临界击穿电压、高热导率、高载流子饱和漂移速度。3.可在高温、辐射、腐蚀等恶劣环境下工作。4.可能在大功率、光电子、抗辐射、显示、紫外探测等半导体器件获得应用。5.具有很高的电子亲和势,可用于制备各种微真空器件的冷阴极。6.制造成本低。以甲烷、乙炔等气体为原料采用PECVD等方法生长。二、技术成熟程度本项目处于探索阶段,先测量和分析人工生长的类金刚石薄膜各种半导体光电性能,如禁带宽度、导电类型、迁移率、掺杂浓度、介电常数、折射率、厚度等基本参数和特性,改进材料生长条件,探索类金刚石薄膜材料在半导体光电器件的可能应用。三、应用范围类金刚石半导体薄膜作为最有应用前景的宽带材料之一,可制备大功率、光电子、抗辐射、显示、紫外探测等新型半导体器件,可在高温、辐射、腐蚀等恶劣环境下工作,并有可能用于制备各种功能的微真空器件。四、投产条件和预期经济效益投产条件:1、合作伙伴最好是类金刚石半导体薄膜材料的生产或研发单位,已具有类金刚石半导体薄膜生长设备,能提供研发所需要的类金刚石半导体薄膜。2、投产资金:10万元人民币从事类金刚石薄膜半导体光电基本性能的材料和分析。若需要新建立类金刚石半导体薄膜材料生长设备,另需约30万元人民币。预期经济效益:本项目是源头创新的研发工作。先投入少量经费开展类金刚石薄膜半导体基本性质的研究,改进现有薄膜材料生长工艺,使所生长的薄膜材料能适应半导体器件的要求;再探索用类金刚石薄膜材料研发各种新型半导体器件的可能性并尽快研发出适合市场需要的新型半导体器件。五、合作方式合作开发
一种 CuInS2 纳米晶半导体薄膜的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本技术属于能源材料领域。本技术分别以氯化铜、氯化铟、硫代硫酸钠和氯化锂作为铜、铟、硫源和支持电解质,以邻苯二甲酸氢钾兼作络合剂和 pH 缓冲剂配制电沉积液,并调节 pH=1.5-3.5 后,在搅拌条件下进行电沉积,而后将所得前躯体薄膜在惰性气氛保护条件下于 250-500℃下恒温 30-180min,得到 CuInS2 纳米晶半导体薄膜。本技术所提供的方法可控性强,重复好,所制备的 CuInS2 纳米晶半导体薄膜无杂质,适用于薄膜太阳能电池光吸收层材料。
一种半导体外延用的柔性复合衬底及制造方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明属于半导体领域,公开了一种半导体外延用的柔性复合衬底及制造方法,取两片厚度为100微米‑1000微米抛光的硅片,每片的抛光面蒸发或溅射上0.1微米‑5微米的金属铝,然后通过两片硅片上的铝贴合在一起进行高温键合,将两片硅片键合在一起;在键合的过程中部分铝和硅形成合金,硅片之间也会残留铝层,铝层厚度小于或等于0.5微米;将键合在一起两片硅片的一片进行减薄抛光到1微米‑10微米的厚度制成柔性衬底;柔性衬底的薄硅片一面向上,外延生长半导体薄膜材料。本发明通过将硅衬底制作成柔性衬底从而减少硅与半导体薄膜之间的热适配,这样就减少了硅与半导体薄膜之间的膨胀系数差异引起的应力。
一种氟掺杂的n型氧化亚铜半导体薄膜的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明涉及一种氟掺杂的n型氧化亚铜半导体薄膜的制备方法,其特征在于配制二价铜离子盐的酸溶液,调节溶液的pH值为弱酸性,作电解液,在电解液中加入氟的前驱物溶液,然后利用三电极系统,以清洗干净的导电玻璃为工作电极,Pt片为对电极,饱和KCl的Ag/AgCl电极为参比电极,恒电压沉积,制备氟掺杂的n型氧化亚铜半导体薄膜。这种氟掺杂的氧化亚铜薄膜是n型半导体,拥有独特的多孔网状结构,并且表现出很好的光电性能。本发明提供的制备方法步骤简单,操作简易,反应条件温和,环境友好。通过简单的电化学沉积制备方法得到的高性能的氟掺杂的n型氧化亚铜薄膜将在同质结半导体太阳能电池上有广泛的应用。
铁电隧道结器件
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明公开了一种铁电隧道结器件,包括依次堆叠的一层N型半导体薄膜、一层铁电薄膜和一层P型半导体薄膜;其中N型半导体薄膜上连接有第一电极,而在P型半导体薄膜上连接有第二电极,并且第一电极和第二电极为同样的半导体材料基于不同的掺杂而形成,其中,第一电极为P型半导体电极,第二电极为N型半导体电极。依据本发明克服现有FTJ器件由于金属电极中屏蔽长度短的限制,实现大的开关比和长久的保持性。
找到16项技术成果数据。
找技术 >半导体薄膜磁头及磁性电子验钞器
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
我校承担的广东省“八五”攻关项目“半导体薄膜磁阻元件及传感器”,于1995年通过省级鉴定,达到国际先进水平。该磁阻元件的灵敏度比霍尔元件高10倍以上,具有许多用途。最典型的例子是用薄膜磁阻芯片制成的磁头可以检测弱磁迹信号,这是辨真防伪技术上的重要应用。目前我校是国内唯一的一家可以生产并已销售这种薄膜型高灵敏度磁头的单位,“半导体薄膜磁阻元件及半导体磁头”已被评为一九九六年国家级新产品。半导体磁头已获国家实用新型专利授权。已有产品投放市场,质量达到日本村田公司同类产品水平。已制成磁性电子验钞器上市销售。投资情况与经济社会效益分析:需投入600万元(厂房和流动资金除外)购置设备及配套设施。年产半导体磁头100万只,电子验钞器50万只。半年内有产品出售,两年内收回投资。向我单位直接购买磁头用于制造自动点钞机或电子验钞器。推广应用范围和前景:薄模型磁阻元件除可以制成半导体磁头外,还可以制造无接触电位器、磁敏电流传感器、无触点开关、转速表、微位移传感器、编码器、以及检测支票、发票上磁性标志的专用传感器等二十多种产品。可用于防伪、自动控制和电子仪器设备等许多方面,市场广阔。
一种用于光伏电池的Ⅱ-Ⅵ族半导体薄膜的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
一种用于光伏电池的II-VI族半导体薄膜制备技术,利用水热晶化的方法在导电玻璃衬底上制备出ZnS、Cu2S薄膜;CdS-ZnS、CdS-CdTe复合薄膜;CuInS2薄膜和Au/n-In2S3/p-CuInS2/SnO2/glass光伏电池。本发明通过采用水热晶化的方法,制备出各种可以应用于光伏电池的II-VI族半导体薄膜,和Au/n-In2S3/p-CuInS2/SnO2/glass光伏电池,较大幅度的降低了光伏电池的制备成本,为其大规模工业化生产提供了一种新型廉价的制备路线。
一种二硫化亚铁半导体薄膜的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:水利、环境和公共设施管理业
技术简介
一种二硫化亚铁半导体薄膜的制备方法 本发明公开了一种二硫化亚铁半导体薄膜的制备方法,涉及用于太阳电池等的化合物半导体薄膜制备领域。本发明采用水溶液沉积方法,以硫酸亚铁或氯化亚铁水溶液为阳离子前驱体溶液,以多硫化钠水溶液为阴离子前驱体溶液。通过控制基底在前驱体溶液中浸泡的时间以及循环的次数在基底上沉积二硫化亚铁薄膜预制层。预制层在高温下进行硫化热处理以得到二硫化亚铁薄膜。本发明工艺流程短、成本低、重现性好、易于大规模连续生产、薄膜成分可控并适于大面积生长。沉积基底可以选择普通钠钙玻璃、导电玻璃和柔性不锈钢片、钛片、钼片或塑料片。所制备的薄膜厚度和成分可控、形貌致密均匀、结晶性能和光电性质良好,适用于薄膜太阳电池。
铌酸锂/Ⅲ族氮化物异质结铁电半导体薄膜制备方法及应用
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
LiNbO3/III族氮化物异质结铁电半导体薄膜制备方法,采用金属有机物化学气相淀积方法在(0001)面蓝宝石衬底上先生长AlN/AlGaN等异质结构材料作为缓冲层或复合衬底;然后在此缓冲层采用高纯5N的铁电材料作为靶材,用脉冲激光沉积方法在所述异质结构缓冲层或复合衬底上获得高质量铁电材料薄膜;控制生长腔的真空在10-3Torr以上;将衬底温度升至300-900度,然后向腔内通入高纯氧,氧压控制在5-90帕;调整激光器频率设置为5HZ,能量为300mJ,并预先将激光预溅射靶材3-5分钟,清洁衬底表面的污染;最后,将脉冲激光聚焦于靶材上,打开靶源在异质结构复合衬底生长LiNbO3/III族氮化物异质结构铁电半导体薄膜。
一种制备铜基硫硒化物半导体薄膜方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种高效光电性能铜基硫硒化物半导体薄膜,为多元铜基硫硒化物材料,化学通式为Cux1M1x2M2x3(SSe)x4,M1和M2为不同的金属元素,且分别为Zn、Sn、Ge、Si、In、Ga、Al中的一种;多元铜基硫硒化物为铜锌锡硫或CuGaS2薄膜;制备方法采用溶液‑旋涂法,简单的湿度调控方法制备高效光电性能的多元铜基硫硒化物半导体薄膜。通过调控前驱体溶液所处的环境湿度使多元铜基硫硒化物的光电性能得到显著提升。此湿度调控方法操作简单,且具有通用性。
类金刚石薄膜半导体光电性能和应用的研究
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
一、项目特点和技术指标类金刚石半导体薄膜特点:1.宽带隙并且可在2ev~5ev范围内调节。2.高临界击穿电压、高热导率、高载流子饱和漂移速度。3.可在高温、辐射、腐蚀等恶劣环境下工作。4.可能在大功率、光电子、抗辐射、显示、紫外探测等半导体器件获得应用。5.具有很高的电子亲和势,可用于制备各种微真空器件的冷阴极。6.制造成本低。以甲烷、乙炔等气体为原料采用PECVD等方法生长。二、技术成熟程度本项目处于探索阶段,先测量和分析人工生长的类金刚石薄膜各种半导体光电性能,如禁带宽度、导电类型、迁移率、掺杂浓度、介电常数、折射率、厚度等基本参数和特性,改进材料生长条件,探索类金刚石薄膜材料在半导体光电器件的可能应用。三、应用范围类金刚石半导体薄膜作为最有应用前景的宽带材料之一,可制备大功率、光电子、抗辐射、显示、紫外探测等新型半导体器件,可在高温、辐射、腐蚀等恶劣环境下工作,并有可能用于制备各种功能的微真空器件。四、投产条件和预期经济效益投产条件:1、合作伙伴最好是类金刚石半导体薄膜材料的生产或研发单位,已具有类金刚石半导体薄膜生长设备,能提供研发所需要的类金刚石半导体薄膜。2、投产资金:10万元人民币从事类金刚石薄膜半导体光电基本性能的材料和分析。若需要新建立类金刚石半导体薄膜材料生长设备,另需约30万元人民币。预期经济效益:本项目是源头创新的研发工作。先投入少量经费开展类金刚石薄膜半导体基本性质的研究,改进现有薄膜材料生长工艺,使所生长的薄膜材料能适应半导体器件的要求;再探索用类金刚石薄膜材料研发各种新型半导体器件的可能性并尽快研发出适合市场需要的新型半导体器件。五、合作方式合作开发
一种 CuInS2 纳米晶半导体薄膜的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本技术属于能源材料领域。本技术分别以氯化铜、氯化铟、硫代硫酸钠和氯化锂作为铜、铟、硫源和支持电解质,以邻苯二甲酸氢钾兼作络合剂和 pH 缓冲剂配制电沉积液,并调节 pH=1.5-3.5 后,在搅拌条件下进行电沉积,而后将所得前躯体薄膜在惰性气氛保护条件下于 250-500℃下恒温 30-180min,得到 CuInS2 纳米晶半导体薄膜。本技术所提供的方法可控性强,重复好,所制备的 CuInS2 纳米晶半导体薄膜无杂质,适用于薄膜太阳能电池光吸收层材料。
一种半导体外延用的柔性复合衬底及制造方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明属于半导体领域,公开了一种半导体外延用的柔性复合衬底及制造方法,取两片厚度为100微米‑1000微米抛光的硅片,每片的抛光面蒸发或溅射上0.1微米‑5微米的金属铝,然后通过两片硅片上的铝贴合在一起进行高温键合,将两片硅片键合在一起;在键合的过程中部分铝和硅形成合金,硅片之间也会残留铝层,铝层厚度小于或等于0.5微米;将键合在一起两片硅片的一片进行减薄抛光到1微米‑10微米的厚度制成柔性衬底;柔性衬底的薄硅片一面向上,外延生长半导体薄膜材料。本发明通过将硅衬底制作成柔性衬底从而减少硅与半导体薄膜之间的热适配,这样就减少了硅与半导体薄膜之间的膨胀系数差异引起的应力。
一种氟掺杂的n型氧化亚铜半导体薄膜的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明涉及一种氟掺杂的n型氧化亚铜半导体薄膜的制备方法,其特征在于配制二价铜离子盐的酸溶液,调节溶液的pH值为弱酸性,作电解液,在电解液中加入氟的前驱物溶液,然后利用三电极系统,以清洗干净的导电玻璃为工作电极,Pt片为对电极,饱和KCl的Ag/AgCl电极为参比电极,恒电压沉积,制备氟掺杂的n型氧化亚铜半导体薄膜。这种氟掺杂的氧化亚铜薄膜是n型半导体,拥有独特的多孔网状结构,并且表现出很好的光电性能。本发明提供的制备方法步骤简单,操作简易,反应条件温和,环境友好。通过简单的电化学沉积制备方法得到的高性能的氟掺杂的n型氧化亚铜薄膜将在同质结半导体太阳能电池上有广泛的应用。
铁电隧道结器件
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明公开了一种铁电隧道结器件,包括依次堆叠的一层N型半导体薄膜、一层铁电薄膜和一层P型半导体薄膜;其中N型半导体薄膜上连接有第一电极,而在P型半导体薄膜上连接有第二电极,并且第一电极和第二电极为同样的半导体材料基于不同的掺杂而形成,其中,第一电极为P型半导体电极,第二电极为N型半导体电极。依据本发明克服现有FTJ器件由于金属电极中屏蔽长度短的限制,实现大的开关比和长久的保持性。
找到16项技术成果数据。
找技术 >半导体薄膜磁头及磁性电子验钞器
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
我校承担的广东省“八五”攻关项目“半导体薄膜磁阻元件及传感器”,于1995年通过省级鉴定,达到国际先进水平。该磁阻元件的灵敏度比霍尔元件高10倍以上,具有许多用途。最典型的例子是用薄膜磁阻芯片制成的磁头可以检测弱磁迹信号,这是辨真防伪技术上的重要应用。目前我校是国内唯一的一家可以生产并已销售这种薄膜型高灵敏度磁头的单位,“半导体薄膜磁阻元件及半导体磁头”已被评为一九九六年国家级新产品。半导体磁头已获国家实用新型专利授权。已有产品投放市场,质量达到日本村田公司同类产品水平。已制成磁性电子验钞器上市销售。投资情况与经济社会效益分析:需投入600万元(厂房和流动资金除外)购置设备及配套设施。年产半导体磁头100万只,电子验钞器50万只。半年内有产品出售,两年内收回投资。向我单位直接购买磁头用于制造自动点钞机或电子验钞器。推广应用范围和前景:薄模型磁阻元件除可以制成半导体磁头外,还可以制造无接触电位器、磁敏电流传感器、无触点开关、转速表、微位移传感器、编码器、以及检测支票、发票上磁性标志的专用传感器等二十多种产品。可用于防伪、自动控制和电子仪器设备等许多方面,市场广阔。
一种用于光伏电池的Ⅱ-Ⅵ族半导体薄膜的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
一种用于光伏电池的II-VI族半导体薄膜制备技术,利用水热晶化的方法在导电玻璃衬底上制备出ZnS、Cu2S薄膜;CdS-ZnS、CdS-CdTe复合薄膜;CuInS2薄膜和Au/n-In2S3/p-CuInS2/SnO2/glass光伏电池。本发明通过采用水热晶化的方法,制备出各种可以应用于光伏电池的II-VI族半导体薄膜,和Au/n-In2S3/p-CuInS2/SnO2/glass光伏电池,较大幅度的降低了光伏电池的制备成本,为其大规模工业化生产提供了一种新型廉价的制备路线。
一种二硫化亚铁半导体薄膜的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:水利、环境和公共设施管理业
技术简介
一种二硫化亚铁半导体薄膜的制备方法 本发明公开了一种二硫化亚铁半导体薄膜的制备方法,涉及用于太阳电池等的化合物半导体薄膜制备领域。本发明采用水溶液沉积方法,以硫酸亚铁或氯化亚铁水溶液为阳离子前驱体溶液,以多硫化钠水溶液为阴离子前驱体溶液。通过控制基底在前驱体溶液中浸泡的时间以及循环的次数在基底上沉积二硫化亚铁薄膜预制层。预制层在高温下进行硫化热处理以得到二硫化亚铁薄膜。本发明工艺流程短、成本低、重现性好、易于大规模连续生产、薄膜成分可控并适于大面积生长。沉积基底可以选择普通钠钙玻璃、导电玻璃和柔性不锈钢片、钛片、钼片或塑料片。所制备的薄膜厚度和成分可控、形貌致密均匀、结晶性能和光电性质良好,适用于薄膜太阳电池。
铌酸锂/Ⅲ族氮化物异质结铁电半导体薄膜制备方法及应用
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
LiNbO3/III族氮化物异质结铁电半导体薄膜制备方法,采用金属有机物化学气相淀积方法在(0001)面蓝宝石衬底上先生长AlN/AlGaN等异质结构材料作为缓冲层或复合衬底;然后在此缓冲层采用高纯5N的铁电材料作为靶材,用脉冲激光沉积方法在所述异质结构缓冲层或复合衬底上获得高质量铁电材料薄膜;控制生长腔的真空在10-3Torr以上;将衬底温度升至300-900度,然后向腔内通入高纯氧,氧压控制在5-90帕;调整激光器频率设置为5HZ,能量为300mJ,并预先将激光预溅射靶材3-5分钟,清洁衬底表面的污染;最后,将脉冲激光聚焦于靶材上,打开靶源在异质结构复合衬底生长LiNbO3/III族氮化物异质结构铁电半导体薄膜。
一种制备铜基硫硒化物半导体薄膜方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种高效光电性能铜基硫硒化物半导体薄膜,为多元铜基硫硒化物材料,化学通式为Cux1M1x2M2x3(SSe)x4,M1和M2为不同的金属元素,且分别为Zn、Sn、Ge、Si、In、Ga、Al中的一种;多元铜基硫硒化物为铜锌锡硫或CuGaS2薄膜;制备方法采用溶液‑旋涂法,简单的湿度调控方法制备高效光电性能的多元铜基硫硒化物半导体薄膜。通过调控前驱体溶液所处的环境湿度使多元铜基硫硒化物的光电性能得到显著提升。此湿度调控方法操作简单,且具有通用性。
类金刚石薄膜半导体光电性能和应用的研究
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
一、项目特点和技术指标类金刚石半导体薄膜特点:1.宽带隙并且可在2ev~5ev范围内调节。2.高临界击穿电压、高热导率、高载流子饱和漂移速度。3.可在高温、辐射、腐蚀等恶劣环境下工作。4.可能在大功率、光电子、抗辐射、显示、紫外探测等半导体器件获得应用。5.具有很高的电子亲和势,可用于制备各种微真空器件的冷阴极。6.制造成本低。以甲烷、乙炔等气体为原料采用PECVD等方法生长。二、技术成熟程度本项目处于探索阶段,先测量和分析人工生长的类金刚石薄膜各种半导体光电性能,如禁带宽度、导电类型、迁移率、掺杂浓度、介电常数、折射率、厚度等基本参数和特性,改进材料生长条件,探索类金刚石薄膜材料在半导体光电器件的可能应用。三、应用范围类金刚石半导体薄膜作为最有应用前景的宽带材料之一,可制备大功率、光电子、抗辐射、显示、紫外探测等新型半导体器件,可在高温、辐射、腐蚀等恶劣环境下工作,并有可能用于制备各种功能的微真空器件。四、投产条件和预期经济效益投产条件:1、合作伙伴最好是类金刚石半导体薄膜材料的生产或研发单位,已具有类金刚石半导体薄膜生长设备,能提供研发所需要的类金刚石半导体薄膜。2、投产资金:10万元人民币从事类金刚石薄膜半导体光电基本性能的材料和分析。若需要新建立类金刚石半导体薄膜材料生长设备,另需约30万元人民币。预期经济效益:本项目是源头创新的研发工作。先投入少量经费开展类金刚石薄膜半导体基本性质的研究,改进现有薄膜材料生长工艺,使所生长的薄膜材料能适应半导体器件的要求;再探索用类金刚石薄膜材料研发各种新型半导体器件的可能性并尽快研发出适合市场需要的新型半导体器件。五、合作方式合作开发
一种 CuInS2 纳米晶半导体薄膜的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本技术属于能源材料领域。本技术分别以氯化铜、氯化铟、硫代硫酸钠和氯化锂作为铜、铟、硫源和支持电解质,以邻苯二甲酸氢钾兼作络合剂和 pH 缓冲剂配制电沉积液,并调节 pH=1.5-3.5 后,在搅拌条件下进行电沉积,而后将所得前躯体薄膜在惰性气氛保护条件下于 250-500℃下恒温 30-180min,得到 CuInS2 纳米晶半导体薄膜。本技术所提供的方法可控性强,重复好,所制备的 CuInS2 纳米晶半导体薄膜无杂质,适用于薄膜太阳能电池光吸收层材料。
一种半导体外延用的柔性复合衬底及制造方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明属于半导体领域,公开了一种半导体外延用的柔性复合衬底及制造方法,取两片厚度为100微米‑1000微米抛光的硅片,每片的抛光面蒸发或溅射上0.1微米‑5微米的金属铝,然后通过两片硅片上的铝贴合在一起进行高温键合,将两片硅片键合在一起;在键合的过程中部分铝和硅形成合金,硅片之间也会残留铝层,铝层厚度小于或等于0.5微米;将键合在一起两片硅片的一片进行减薄抛光到1微米‑10微米的厚度制成柔性衬底;柔性衬底的薄硅片一面向上,外延生长半导体薄膜材料。本发明通过将硅衬底制作成柔性衬底从而减少硅与半导体薄膜之间的热适配,这样就减少了硅与半导体薄膜之间的膨胀系数差异引起的应力。
一种氟掺杂的n型氧化亚铜半导体薄膜的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明涉及一种氟掺杂的n型氧化亚铜半导体薄膜的制备方法,其特征在于配制二价铜离子盐的酸溶液,调节溶液的pH值为弱酸性,作电解液,在电解液中加入氟的前驱物溶液,然后利用三电极系统,以清洗干净的导电玻璃为工作电极,Pt片为对电极,饱和KCl的Ag/AgCl电极为参比电极,恒电压沉积,制备氟掺杂的n型氧化亚铜半导体薄膜。这种氟掺杂的氧化亚铜薄膜是n型半导体,拥有独特的多孔网状结构,并且表现出很好的光电性能。本发明提供的制备方法步骤简单,操作简易,反应条件温和,环境友好。通过简单的电化学沉积制备方法得到的高性能的氟掺杂的n型氧化亚铜薄膜将在同质结半导体太阳能电池上有广泛的应用。
铁电隧道结器件
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明公开了一种铁电隧道结器件,包括依次堆叠的一层N型半导体薄膜、一层铁电薄膜和一层P型半导体薄膜;其中N型半导体薄膜上连接有第一电极,而在P型半导体薄膜上连接有第二电极,并且第一电极和第二电极为同样的半导体材料基于不同的掺杂而形成,其中,第一电极为P型半导体电极,第二电极为N型半导体电极。依据本发明克服现有FTJ器件由于金属电极中屏蔽长度短的限制,实现大的开关比和长久的保持性。
找到16项技术成果数据。
找技术 >半导体薄膜磁头及磁性电子验钞器
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
我校承担的广东省“八五”攻关项目“半导体薄膜磁阻元件及传感器”,于1995年通过省级鉴定,达到国际先进水平。该磁阻元件的灵敏度比霍尔元件高10倍以上,具有许多用途。最典型的例子是用薄膜磁阻芯片制成的磁头可以检测弱磁迹信号,这是辨真防伪技术上的重要应用。目前我校是国内唯一的一家可以生产并已销售这种薄膜型高灵敏度磁头的单位,“半导体薄膜磁阻元件及半导体磁头”已被评为一九九六年国家级新产品。半导体磁头已获国家实用新型专利授权。已有产品投放市场,质量达到日本村田公司同类产品水平。已制成磁性电子验钞器上市销售。投资情况与经济社会效益分析:需投入600万元(厂房和流动资金除外)购置设备及配套设施。年产半导体磁头100万只,电子验钞器50万只。半年内有产品出售,两年内收回投资。向我单位直接购买磁头用于制造自动点钞机或电子验钞器。推广应用范围和前景:薄模型磁阻元件除可以制成半导体磁头外,还可以制造无接触电位器、磁敏电流传感器、无触点开关、转速表、微位移传感器、编码器、以及检测支票、发票上磁性标志的专用传感器等二十多种产品。可用于防伪、自动控制和电子仪器设备等许多方面,市场广阔。
一种用于光伏电池的Ⅱ-Ⅵ族半导体薄膜的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
一种用于光伏电池的II-VI族半导体薄膜制备技术,利用水热晶化的方法在导电玻璃衬底上制备出ZnS、Cu2S薄膜;CdS-ZnS、CdS-CdTe复合薄膜;CuInS2薄膜和Au/n-In2S3/p-CuInS2/SnO2/glass光伏电池。本发明通过采用水热晶化的方法,制备出各种可以应用于光伏电池的II-VI族半导体薄膜,和Au/n-In2S3/p-CuInS2/SnO2/glass光伏电池,较大幅度的降低了光伏电池的制备成本,为其大规模工业化生产提供了一种新型廉价的制备路线。
一种二硫化亚铁半导体薄膜的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:水利、环境和公共设施管理业
技术简介
一种二硫化亚铁半导体薄膜的制备方法 本发明公开了一种二硫化亚铁半导体薄膜的制备方法,涉及用于太阳电池等的化合物半导体薄膜制备领域。本发明采用水溶液沉积方法,以硫酸亚铁或氯化亚铁水溶液为阳离子前驱体溶液,以多硫化钠水溶液为阴离子前驱体溶液。通过控制基底在前驱体溶液中浸泡的时间以及循环的次数在基底上沉积二硫化亚铁薄膜预制层。预制层在高温下进行硫化热处理以得到二硫化亚铁薄膜。本发明工艺流程短、成本低、重现性好、易于大规模连续生产、薄膜成分可控并适于大面积生长。沉积基底可以选择普通钠钙玻璃、导电玻璃和柔性不锈钢片、钛片、钼片或塑料片。所制备的薄膜厚度和成分可控、形貌致密均匀、结晶性能和光电性质良好,适用于薄膜太阳电池。
铌酸锂/Ⅲ族氮化物异质结铁电半导体薄膜制备方法及应用
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
LiNbO3/III族氮化物异质结铁电半导体薄膜制备方法,采用金属有机物化学气相淀积方法在(0001)面蓝宝石衬底上先生长AlN/AlGaN等异质结构材料作为缓冲层或复合衬底;然后在此缓冲层采用高纯5N的铁电材料作为靶材,用脉冲激光沉积方法在所述异质结构缓冲层或复合衬底上获得高质量铁电材料薄膜;控制生长腔的真空在10-3Torr以上;将衬底温度升至300-900度,然后向腔内通入高纯氧,氧压控制在5-90帕;调整激光器频率设置为5HZ,能量为300mJ,并预先将激光预溅射靶材3-5分钟,清洁衬底表面的污染;最后,将脉冲激光聚焦于靶材上,打开靶源在异质结构复合衬底生长LiNbO3/III族氮化物异质结构铁电半导体薄膜。
一种制备铜基硫硒化物半导体薄膜方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种高效光电性能铜基硫硒化物半导体薄膜,为多元铜基硫硒化物材料,化学通式为Cux1M1x2M2x3(SSe)x4,M1和M2为不同的金属元素,且分别为Zn、Sn、Ge、Si、In、Ga、Al中的一种;多元铜基硫硒化物为铜锌锡硫或CuGaS2薄膜;制备方法采用溶液‑旋涂法,简单的湿度调控方法制备高效光电性能的多元铜基硫硒化物半导体薄膜。通过调控前驱体溶液所处的环境湿度使多元铜基硫硒化物的光电性能得到显著提升。此湿度调控方法操作简单,且具有通用性。
类金刚石薄膜半导体光电性能和应用的研究
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
一、项目特点和技术指标类金刚石半导体薄膜特点:1.宽带隙并且可在2ev~5ev范围内调节。2.高临界击穿电压、高热导率、高载流子饱和漂移速度。3.可在高温、辐射、腐蚀等恶劣环境下工作。4.可能在大功率、光电子、抗辐射、显示、紫外探测等半导体器件获得应用。5.具有很高的电子亲和势,可用于制备各种微真空器件的冷阴极。6.制造成本低。以甲烷、乙炔等气体为原料采用PECVD等方法生长。二、技术成熟程度本项目处于探索阶段,先测量和分析人工生长的类金刚石薄膜各种半导体光电性能,如禁带宽度、导电类型、迁移率、掺杂浓度、介电常数、折射率、厚度等基本参数和特性,改进材料生长条件,探索类金刚石薄膜材料在半导体光电器件的可能应用。三、应用范围类金刚石半导体薄膜作为最有应用前景的宽带材料之一,可制备大功率、光电子、抗辐射、显示、紫外探测等新型半导体器件,可在高温、辐射、腐蚀等恶劣环境下工作,并有可能用于制备各种功能的微真空器件。四、投产条件和预期经济效益投产条件:1、合作伙伴最好是类金刚石半导体薄膜材料的生产或研发单位,已具有类金刚石半导体薄膜生长设备,能提供研发所需要的类金刚石半导体薄膜。2、投产资金:10万元人民币从事类金刚石薄膜半导体光电基本性能的材料和分析。若需要新建立类金刚石半导体薄膜材料生长设备,另需约30万元人民币。预期经济效益:本项目是源头创新的研发工作。先投入少量经费开展类金刚石薄膜半导体基本性质的研究,改进现有薄膜材料生长工艺,使所生长的薄膜材料能适应半导体器件的要求;再探索用类金刚石薄膜材料研发各种新型半导体器件的可能性并尽快研发出适合市场需要的新型半导体器件。五、合作方式合作开发
一种 CuInS2 纳米晶半导体薄膜的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本技术属于能源材料领域。本技术分别以氯化铜、氯化铟、硫代硫酸钠和氯化锂作为铜、铟、硫源和支持电解质,以邻苯二甲酸氢钾兼作络合剂和 pH 缓冲剂配制电沉积液,并调节 pH=1.5-3.5 后,在搅拌条件下进行电沉积,而后将所得前躯体薄膜在惰性气氛保护条件下于 250-500℃下恒温 30-180min,得到 CuInS2 纳米晶半导体薄膜。本技术所提供的方法可控性强,重复好,所制备的 CuInS2 纳米晶半导体薄膜无杂质,适用于薄膜太阳能电池光吸收层材料。
一种半导体外延用的柔性复合衬底及制造方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明属于半导体领域,公开了一种半导体外延用的柔性复合衬底及制造方法,取两片厚度为100微米‑1000微米抛光的硅片,每片的抛光面蒸发或溅射上0.1微米‑5微米的金属铝,然后通过两片硅片上的铝贴合在一起进行高温键合,将两片硅片键合在一起;在键合的过程中部分铝和硅形成合金,硅片之间也会残留铝层,铝层厚度小于或等于0.5微米;将键合在一起两片硅片的一片进行减薄抛光到1微米‑10微米的厚度制成柔性衬底;柔性衬底的薄硅片一面向上,外延生长半导体薄膜材料。本发明通过将硅衬底制作成柔性衬底从而减少硅与半导体薄膜之间的热适配,这样就减少了硅与半导体薄膜之间的膨胀系数差异引起的应力。
一种氟掺杂的n型氧化亚铜半导体薄膜的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明涉及一种氟掺杂的n型氧化亚铜半导体薄膜的制备方法,其特征在于配制二价铜离子盐的酸溶液,调节溶液的pH值为弱酸性,作电解液,在电解液中加入氟的前驱物溶液,然后利用三电极系统,以清洗干净的导电玻璃为工作电极,Pt片为对电极,饱和KCl的Ag/AgCl电极为参比电极,恒电压沉积,制备氟掺杂的n型氧化亚铜半导体薄膜。这种氟掺杂的氧化亚铜薄膜是n型半导体,拥有独特的多孔网状结构,并且表现出很好的光电性能。本发明提供的制备方法步骤简单,操作简易,反应条件温和,环境友好。通过简单的电化学沉积制备方法得到的高性能的氟掺杂的n型氧化亚铜薄膜将在同质结半导体太阳能电池上有广泛的应用。
铁电隧道结器件
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明公开了一种铁电隧道结器件,包括依次堆叠的一层N型半导体薄膜、一层铁电薄膜和一层P型半导体薄膜;其中N型半导体薄膜上连接有第一电极,而在P型半导体薄膜上连接有第二电极,并且第一电极和第二电极为同样的半导体材料基于不同的掺杂而形成,其中,第一电极为P型半导体电极,第二电极为N型半导体电极。依据本发明克服现有FTJ器件由于金属电极中屏蔽长度短的限制,实现大的开关比和长久的保持性。
找到16项技术成果数据。
找技术 >半导体薄膜磁头及磁性电子验钞器
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
我校承担的广东省“八五”攻关项目“半导体薄膜磁阻元件及传感器”,于1995年通过省级鉴定,达到国际先进水平。该磁阻元件的灵敏度比霍尔元件高10倍以上,具有许多用途。最典型的例子是用薄膜磁阻芯片制成的磁头可以检测弱磁迹信号,这是辨真防伪技术上的重要应用。目前我校是国内唯一的一家可以生产并已销售这种薄膜型高灵敏度磁头的单位,“半导体薄膜磁阻元件及半导体磁头”已被评为一九九六年国家级新产品。半导体磁头已获国家实用新型专利授权。已有产品投放市场,质量达到日本村田公司同类产品水平。已制成磁性电子验钞器上市销售。投资情况与经济社会效益分析:需投入600万元(厂房和流动资金除外)购置设备及配套设施。年产半导体磁头100万只,电子验钞器50万只。半年内有产品出售,两年内收回投资。向我单位直接购买磁头用于制造自动点钞机或电子验钞器。推广应用范围和前景:薄模型磁阻元件除可以制成半导体磁头外,还可以制造无接触电位器、磁敏电流传感器、无触点开关、转速表、微位移传感器、编码器、以及检测支票、发票上磁性标志的专用传感器等二十多种产品。可用于防伪、自动控制和电子仪器设备等许多方面,市场广阔。
一种用于光伏电池的Ⅱ-Ⅵ族半导体薄膜的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
一种用于光伏电池的II-VI族半导体薄膜制备技术,利用水热晶化的方法在导电玻璃衬底上制备出ZnS、Cu2S薄膜;CdS-ZnS、CdS-CdTe复合薄膜;CuInS2薄膜和Au/n-In2S3/p-CuInS2/SnO2/glass光伏电池。本发明通过采用水热晶化的方法,制备出各种可以应用于光伏电池的II-VI族半导体薄膜,和Au/n-In2S3/p-CuInS2/SnO2/glass光伏电池,较大幅度的降低了光伏电池的制备成本,为其大规模工业化生产提供了一种新型廉价的制备路线。
一种二硫化亚铁半导体薄膜的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:水利、环境和公共设施管理业
技术简介
一种二硫化亚铁半导体薄膜的制备方法 本发明公开了一种二硫化亚铁半导体薄膜的制备方法,涉及用于太阳电池等的化合物半导体薄膜制备领域。本发明采用水溶液沉积方法,以硫酸亚铁或氯化亚铁水溶液为阳离子前驱体溶液,以多硫化钠水溶液为阴离子前驱体溶液。通过控制基底在前驱体溶液中浸泡的时间以及循环的次数在基底上沉积二硫化亚铁薄膜预制层。预制层在高温下进行硫化热处理以得到二硫化亚铁薄膜。本发明工艺流程短、成本低、重现性好、易于大规模连续生产、薄膜成分可控并适于大面积生长。沉积基底可以选择普通钠钙玻璃、导电玻璃和柔性不锈钢片、钛片、钼片或塑料片。所制备的薄膜厚度和成分可控、形貌致密均匀、结晶性能和光电性质良好,适用于薄膜太阳电池。
铌酸锂/Ⅲ族氮化物异质结铁电半导体薄膜制备方法及应用
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
LiNbO3/III族氮化物异质结铁电半导体薄膜制备方法,采用金属有机物化学气相淀积方法在(0001)面蓝宝石衬底上先生长AlN/AlGaN等异质结构材料作为缓冲层或复合衬底;然后在此缓冲层采用高纯5N的铁电材料作为靶材,用脉冲激光沉积方法在所述异质结构缓冲层或复合衬底上获得高质量铁电材料薄膜;控制生长腔的真空在10-3Torr以上;将衬底温度升至300-900度,然后向腔内通入高纯氧,氧压控制在5-90帕;调整激光器频率设置为5HZ,能量为300mJ,并预先将激光预溅射靶材3-5分钟,清洁衬底表面的污染;最后,将脉冲激光聚焦于靶材上,打开靶源在异质结构复合衬底生长LiNbO3/III族氮化物异质结构铁电半导体薄膜。
一种制备铜基硫硒化物半导体薄膜方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种高效光电性能铜基硫硒化物半导体薄膜,为多元铜基硫硒化物材料,化学通式为Cux1M1x2M2x3(SSe)x4,M1和M2为不同的金属元素,且分别为Zn、Sn、Ge、Si、In、Ga、Al中的一种;多元铜基硫硒化物为铜锌锡硫或CuGaS2薄膜;制备方法采用溶液‑旋涂法,简单的湿度调控方法制备高效光电性能的多元铜基硫硒化物半导体薄膜。通过调控前驱体溶液所处的环境湿度使多元铜基硫硒化物的光电性能得到显著提升。此湿度调控方法操作简单,且具有通用性。
类金刚石薄膜半导体光电性能和应用的研究
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
一、项目特点和技术指标类金刚石半导体薄膜特点:1.宽带隙并且可在2ev~5ev范围内调节。2.高临界击穿电压、高热导率、高载流子饱和漂移速度。3.可在高温、辐射、腐蚀等恶劣环境下工作。4.可能在大功率、光电子、抗辐射、显示、紫外探测等半导体器件获得应用。5.具有很高的电子亲和势,可用于制备各种微真空器件的冷阴极。6.制造成本低。以甲烷、乙炔等气体为原料采用PECVD等方法生长。二、技术成熟程度本项目处于探索阶段,先测量和分析人工生长的类金刚石薄膜各种半导体光电性能,如禁带宽度、导电类型、迁移率、掺杂浓度、介电常数、折射率、厚度等基本参数和特性,改进材料生长条件,探索类金刚石薄膜材料在半导体光电器件的可能应用。三、应用范围类金刚石半导体薄膜作为最有应用前景的宽带材料之一,可制备大功率、光电子、抗辐射、显示、紫外探测等新型半导体器件,可在高温、辐射、腐蚀等恶劣环境下工作,并有可能用于制备各种功能的微真空器件。四、投产条件和预期经济效益投产条件:1、合作伙伴最好是类金刚石半导体薄膜材料的生产或研发单位,已具有类金刚石半导体薄膜生长设备,能提供研发所需要的类金刚石半导体薄膜。2、投产资金:10万元人民币从事类金刚石薄膜半导体光电基本性能的材料和分析。若需要新建立类金刚石半导体薄膜材料生长设备,另需约30万元人民币。预期经济效益:本项目是源头创新的研发工作。先投入少量经费开展类金刚石薄膜半导体基本性质的研究,改进现有薄膜材料生长工艺,使所生长的薄膜材料能适应半导体器件的要求;再探索用类金刚石薄膜材料研发各种新型半导体器件的可能性并尽快研发出适合市场需要的新型半导体器件。五、合作方式合作开发
一种 CuInS2 纳米晶半导体薄膜的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本技术属于能源材料领域。本技术分别以氯化铜、氯化铟、硫代硫酸钠和氯化锂作为铜、铟、硫源和支持电解质,以邻苯二甲酸氢钾兼作络合剂和 pH 缓冲剂配制电沉积液,并调节 pH=1.5-3.5 后,在搅拌条件下进行电沉积,而后将所得前躯体薄膜在惰性气氛保护条件下于 250-500℃下恒温 30-180min,得到 CuInS2 纳米晶半导体薄膜。本技术所提供的方法可控性强,重复好,所制备的 CuInS2 纳米晶半导体薄膜无杂质,适用于薄膜太阳能电池光吸收层材料。
一种半导体外延用的柔性复合衬底及制造方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明属于半导体领域,公开了一种半导体外延用的柔性复合衬底及制造方法,取两片厚度为100微米‑1000微米抛光的硅片,每片的抛光面蒸发或溅射上0.1微米‑5微米的金属铝,然后通过两片硅片上的铝贴合在一起进行高温键合,将两片硅片键合在一起;在键合的过程中部分铝和硅形成合金,硅片之间也会残留铝层,铝层厚度小于或等于0.5微米;将键合在一起两片硅片的一片进行减薄抛光到1微米‑10微米的厚度制成柔性衬底;柔性衬底的薄硅片一面向上,外延生长半导体薄膜材料。本发明通过将硅衬底制作成柔性衬底从而减少硅与半导体薄膜之间的热适配,这样就减少了硅与半导体薄膜之间的膨胀系数差异引起的应力。
一种氟掺杂的n型氧化亚铜半导体薄膜的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明涉及一种氟掺杂的n型氧化亚铜半导体薄膜的制备方法,其特征在于配制二价铜离子盐的酸溶液,调节溶液的pH值为弱酸性,作电解液,在电解液中加入氟的前驱物溶液,然后利用三电极系统,以清洗干净的导电玻璃为工作电极,Pt片为对电极,饱和KCl的Ag/AgCl电极为参比电极,恒电压沉积,制备氟掺杂的n型氧化亚铜半导体薄膜。这种氟掺杂的氧化亚铜薄膜是n型半导体,拥有独特的多孔网状结构,并且表现出很好的光电性能。本发明提供的制备方法步骤简单,操作简易,反应条件温和,环境友好。通过简单的电化学沉积制备方法得到的高性能的氟掺杂的n型氧化亚铜薄膜将在同质结半导体太阳能电池上有广泛的应用。
铁电隧道结器件
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明公开了一种铁电隧道结器件,包括依次堆叠的一层N型半导体薄膜、一层铁电薄膜和一层P型半导体薄膜;其中N型半导体薄膜上连接有第一电极,而在P型半导体薄膜上连接有第二电极,并且第一电极和第二电极为同样的半导体材料基于不同的掺杂而形成,其中,第一电极为P型半导体电极,第二电极为N型半导体电极。依据本发明克服现有FTJ器件由于金属电极中屏蔽长度短的限制,实现大的开关比和长久的保持性。
找到16项技术成果数据。
找技术 >半导体薄膜磁头及磁性电子验钞器
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
我校承担的广东省“八五”攻关项目“半导体薄膜磁阻元件及传感器”,于1995年通过省级鉴定,达到国际先进水平。该磁阻元件的灵敏度比霍尔元件高10倍以上,具有许多用途。最典型的例子是用薄膜磁阻芯片制成的磁头可以检测弱磁迹信号,这是辨真防伪技术上的重要应用。目前我校是国内唯一的一家可以生产并已销售这种薄膜型高灵敏度磁头的单位,“半导体薄膜磁阻元件及半导体磁头”已被评为一九九六年国家级新产品。半导体磁头已获国家实用新型专利授权。已有产品投放市场,质量达到日本村田公司同类产品水平。已制成磁性电子验钞器上市销售。投资情况与经济社会效益分析:需投入600万元(厂房和流动资金除外)购置设备及配套设施。年产半导体磁头100万只,电子验钞器50万只。半年内有产品出售,两年内收回投资。向我单位直接购买磁头用于制造自动点钞机或电子验钞器。推广应用范围和前景:薄模型磁阻元件除可以制成半导体磁头外,还可以制造无接触电位器、磁敏电流传感器、无触点开关、转速表、微位移传感器、编码器、以及检测支票、发票上磁性标志的专用传感器等二十多种产品。可用于防伪、自动控制和电子仪器设备等许多方面,市场广阔。
一种用于光伏电池的Ⅱ-Ⅵ族半导体薄膜的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
一种用于光伏电池的II-VI族半导体薄膜制备技术,利用水热晶化的方法在导电玻璃衬底上制备出ZnS、Cu2S薄膜;CdS-ZnS、CdS-CdTe复合薄膜;CuInS2薄膜和Au/n-In2S3/p-CuInS2/SnO2/glass光伏电池。本发明通过采用水热晶化的方法,制备出各种可以应用于光伏电池的II-VI族半导体薄膜,和Au/n-In2S3/p-CuInS2/SnO2/glass光伏电池,较大幅度的降低了光伏电池的制备成本,为其大规模工业化生产提供了一种新型廉价的制备路线。
一种二硫化亚铁半导体薄膜的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:水利、环境和公共设施管理业
技术简介
一种二硫化亚铁半导体薄膜的制备方法 本发明公开了一种二硫化亚铁半导体薄膜的制备方法,涉及用于太阳电池等的化合物半导体薄膜制备领域。本发明采用水溶液沉积方法,以硫酸亚铁或氯化亚铁水溶液为阳离子前驱体溶液,以多硫化钠水溶液为阴离子前驱体溶液。通过控制基底在前驱体溶液中浸泡的时间以及循环的次数在基底上沉积二硫化亚铁薄膜预制层。预制层在高温下进行硫化热处理以得到二硫化亚铁薄膜。本发明工艺流程短、成本低、重现性好、易于大规模连续生产、薄膜成分可控并适于大面积生长。沉积基底可以选择普通钠钙玻璃、导电玻璃和柔性不锈钢片、钛片、钼片或塑料片。所制备的薄膜厚度和成分可控、形貌致密均匀、结晶性能和光电性质良好,适用于薄膜太阳电池。
铌酸锂/Ⅲ族氮化物异质结铁电半导体薄膜制备方法及应用
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
LiNbO3/III族氮化物异质结铁电半导体薄膜制备方法,采用金属有机物化学气相淀积方法在(0001)面蓝宝石衬底上先生长AlN/AlGaN等异质结构材料作为缓冲层或复合衬底;然后在此缓冲层采用高纯5N的铁电材料作为靶材,用脉冲激光沉积方法在所述异质结构缓冲层或复合衬底上获得高质量铁电材料薄膜;控制生长腔的真空在10-3Torr以上;将衬底温度升至300-900度,然后向腔内通入高纯氧,氧压控制在5-90帕;调整激光器频率设置为5HZ,能量为300mJ,并预先将激光预溅射靶材3-5分钟,清洁衬底表面的污染;最后,将脉冲激光聚焦于靶材上,打开靶源在异质结构复合衬底生长LiNbO3/III族氮化物异质结构铁电半导体薄膜。
一种制备铜基硫硒化物半导体薄膜方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种高效光电性能铜基硫硒化物半导体薄膜,为多元铜基硫硒化物材料,化学通式为Cux1M1x2M2x3(SSe)x4,M1和M2为不同的金属元素,且分别为Zn、Sn、Ge、Si、In、Ga、Al中的一种;多元铜基硫硒化物为铜锌锡硫或CuGaS2薄膜;制备方法采用溶液‑旋涂法,简单的湿度调控方法制备高效光电性能的多元铜基硫硒化物半导体薄膜。通过调控前驱体溶液所处的环境湿度使多元铜基硫硒化物的光电性能得到显著提升。此湿度调控方法操作简单,且具有通用性。
类金刚石薄膜半导体光电性能和应用的研究
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
一、项目特点和技术指标类金刚石半导体薄膜特点:1.宽带隙并且可在2ev~5ev范围内调节。2.高临界击穿电压、高热导率、高载流子饱和漂移速度。3.可在高温、辐射、腐蚀等恶劣环境下工作。4.可能在大功率、光电子、抗辐射、显示、紫外探测等半导体器件获得应用。5.具有很高的电子亲和势,可用于制备各种微真空器件的冷阴极。6.制造成本低。以甲烷、乙炔等气体为原料采用PECVD等方法生长。二、技术成熟程度本项目处于探索阶段,先测量和分析人工生长的类金刚石薄膜各种半导体光电性能,如禁带宽度、导电类型、迁移率、掺杂浓度、介电常数、折射率、厚度等基本参数和特性,改进材料生长条件,探索类金刚石薄膜材料在半导体光电器件的可能应用。三、应用范围类金刚石半导体薄膜作为最有应用前景的宽带材料之一,可制备大功率、光电子、抗辐射、显示、紫外探测等新型半导体器件,可在高温、辐射、腐蚀等恶劣环境下工作,并有可能用于制备各种功能的微真空器件。四、投产条件和预期经济效益投产条件:1、合作伙伴最好是类金刚石半导体薄膜材料的生产或研发单位,已具有类金刚石半导体薄膜生长设备,能提供研发所需要的类金刚石半导体薄膜。2、投产资金:10万元人民币从事类金刚石薄膜半导体光电基本性能的材料和分析。若需要新建立类金刚石半导体薄膜材料生长设备,另需约30万元人民币。预期经济效益:本项目是源头创新的研发工作。先投入少量经费开展类金刚石薄膜半导体基本性质的研究,改进现有薄膜材料生长工艺,使所生长的薄膜材料能适应半导体器件的要求;再探索用类金刚石薄膜材料研发各种新型半导体器件的可能性并尽快研发出适合市场需要的新型半导体器件。五、合作方式合作开发
一种 CuInS2 纳米晶半导体薄膜的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本技术属于能源材料领域。本技术分别以氯化铜、氯化铟、硫代硫酸钠和氯化锂作为铜、铟、硫源和支持电解质,以邻苯二甲酸氢钾兼作络合剂和 pH 缓冲剂配制电沉积液,并调节 pH=1.5-3.5 后,在搅拌条件下进行电沉积,而后将所得前躯体薄膜在惰性气氛保护条件下于 250-500℃下恒温 30-180min,得到 CuInS2 纳米晶半导体薄膜。本技术所提供的方法可控性强,重复好,所制备的 CuInS2 纳米晶半导体薄膜无杂质,适用于薄膜太阳能电池光吸收层材料。
一种半导体外延用的柔性复合衬底及制造方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明属于半导体领域,公开了一种半导体外延用的柔性复合衬底及制造方法,取两片厚度为100微米‑1000微米抛光的硅片,每片的抛光面蒸发或溅射上0.1微米‑5微米的金属铝,然后通过两片硅片上的铝贴合在一起进行高温键合,将两片硅片键合在一起;在键合的过程中部分铝和硅形成合金,硅片之间也会残留铝层,铝层厚度小于或等于0.5微米;将键合在一起两片硅片的一片进行减薄抛光到1微米‑10微米的厚度制成柔性衬底;柔性衬底的薄硅片一面向上,外延生长半导体薄膜材料。本发明通过将硅衬底制作成柔性衬底从而减少硅与半导体薄膜之间的热适配,这样就减少了硅与半导体薄膜之间的膨胀系数差异引起的应力。
一种氟掺杂的n型氧化亚铜半导体薄膜的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明涉及一种氟掺杂的n型氧化亚铜半导体薄膜的制备方法,其特征在于配制二价铜离子盐的酸溶液,调节溶液的pH值为弱酸性,作电解液,在电解液中加入氟的前驱物溶液,然后利用三电极系统,以清洗干净的导电玻璃为工作电极,Pt片为对电极,饱和KCl的Ag/AgCl电极为参比电极,恒电压沉积,制备氟掺杂的n型氧化亚铜半导体薄膜。这种氟掺杂的氧化亚铜薄膜是n型半导体,拥有独特的多孔网状结构,并且表现出很好的光电性能。本发明提供的制备方法步骤简单,操作简易,反应条件温和,环境友好。通过简单的电化学沉积制备方法得到的高性能的氟掺杂的n型氧化亚铜薄膜将在同质结半导体太阳能电池上有广泛的应用。
铁电隧道结器件
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明公开了一种铁电隧道结器件,包括依次堆叠的一层N型半导体薄膜、一层铁电薄膜和一层P型半导体薄膜;其中N型半导体薄膜上连接有第一电极,而在P型半导体薄膜上连接有第二电极,并且第一电极和第二电极为同样的半导体材料基于不同的掺杂而形成,其中,第一电极为P型半导体电极,第二电极为N型半导体电极。依据本发明克服现有FTJ器件由于金属电极中屏蔽长度短的限制,实现大的开关比和长久的保持性。
找到16项技术成果数据。
找技术 >半导体薄膜磁头及磁性电子验钞器
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
我校承担的广东省“八五”攻关项目“半导体薄膜磁阻元件及传感器”,于1995年通过省级鉴定,达到国际先进水平。该磁阻元件的灵敏度比霍尔元件高10倍以上,具有许多用途。最典型的例子是用薄膜磁阻芯片制成的磁头可以检测弱磁迹信号,这是辨真防伪技术上的重要应用。目前我校是国内唯一的一家可以生产并已销售这种薄膜型高灵敏度磁头的单位,“半导体薄膜磁阻元件及半导体磁头”已被评为一九九六年国家级新产品。半导体磁头已获国家实用新型专利授权。已有产品投放市场,质量达到日本村田公司同类产品水平。已制成磁性电子验钞器上市销售。投资情况与经济社会效益分析:需投入600万元(厂房和流动资金除外)购置设备及配套设施。年产半导体磁头100万只,电子验钞器50万只。半年内有产品出售,两年内收回投资。向我单位直接购买磁头用于制造自动点钞机或电子验钞器。推广应用范围和前景:薄模型磁阻元件除可以制成半导体磁头外,还可以制造无接触电位器、磁敏电流传感器、无触点开关、转速表、微位移传感器、编码器、以及检测支票、发票上磁性标志的专用传感器等二十多种产品。可用于防伪、自动控制和电子仪器设备等许多方面,市场广阔。
一种用于光伏电池的Ⅱ-Ⅵ族半导体薄膜的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
一种用于光伏电池的II-VI族半导体薄膜制备技术,利用水热晶化的方法在导电玻璃衬底上制备出ZnS、Cu2S薄膜;CdS-ZnS、CdS-CdTe复合薄膜;CuInS2薄膜和Au/n-In2S3/p-CuInS2/SnO2/glass光伏电池。本发明通过采用水热晶化的方法,制备出各种可以应用于光伏电池的II-VI族半导体薄膜,和Au/n-In2S3/p-CuInS2/SnO2/glass光伏电池,较大幅度的降低了光伏电池的制备成本,为其大规模工业化生产提供了一种新型廉价的制备路线。
一种二硫化亚铁半导体薄膜的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:水利、环境和公共设施管理业
技术简介
一种二硫化亚铁半导体薄膜的制备方法 本发明公开了一种二硫化亚铁半导体薄膜的制备方法,涉及用于太阳电池等的化合物半导体薄膜制备领域。本发明采用水溶液沉积方法,以硫酸亚铁或氯化亚铁水溶液为阳离子前驱体溶液,以多硫化钠水溶液为阴离子前驱体溶液。通过控制基底在前驱体溶液中浸泡的时间以及循环的次数在基底上沉积二硫化亚铁薄膜预制层。预制层在高温下进行硫化热处理以得到二硫化亚铁薄膜。本发明工艺流程短、成本低、重现性好、易于大规模连续生产、薄膜成分可控并适于大面积生长。沉积基底可以选择普通钠钙玻璃、导电玻璃和柔性不锈钢片、钛片、钼片或塑料片。所制备的薄膜厚度和成分可控、形貌致密均匀、结晶性能和光电性质良好,适用于薄膜太阳电池。
铌酸锂/Ⅲ族氮化物异质结铁电半导体薄膜制备方法及应用
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
LiNbO3/III族氮化物异质结铁电半导体薄膜制备方法,采用金属有机物化学气相淀积方法在(0001)面蓝宝石衬底上先生长AlN/AlGaN等异质结构材料作为缓冲层或复合衬底;然后在此缓冲层采用高纯5N的铁电材料作为靶材,用脉冲激光沉积方法在所述异质结构缓冲层或复合衬底上获得高质量铁电材料薄膜;控制生长腔的真空在10-3Torr以上;将衬底温度升至300-900度,然后向腔内通入高纯氧,氧压控制在5-90帕;调整激光器频率设置为5HZ,能量为300mJ,并预先将激光预溅射靶材3-5分钟,清洁衬底表面的污染;最后,将脉冲激光聚焦于靶材上,打开靶源在异质结构复合衬底生长LiNbO3/III族氮化物异质结构铁电半导体薄膜。
一种制备铜基硫硒化物半导体薄膜方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种高效光电性能铜基硫硒化物半导体薄膜,为多元铜基硫硒化物材料,化学通式为Cux1M1x2M2x3(SSe)x4,M1和M2为不同的金属元素,且分别为Zn、Sn、Ge、Si、In、Ga、Al中的一种;多元铜基硫硒化物为铜锌锡硫或CuGaS2薄膜;制备方法采用溶液‑旋涂法,简单的湿度调控方法制备高效光电性能的多元铜基硫硒化物半导体薄膜。通过调控前驱体溶液所处的环境湿度使多元铜基硫硒化物的光电性能得到显著提升。此湿度调控方法操作简单,且具有通用性。
类金刚石薄膜半导体光电性能和应用的研究
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
一、项目特点和技术指标类金刚石半导体薄膜特点:1.宽带隙并且可在2ev~5ev范围内调节。2.高临界击穿电压、高热导率、高载流子饱和漂移速度。3.可在高温、辐射、腐蚀等恶劣环境下工作。4.可能在大功率、光电子、抗辐射、显示、紫外探测等半导体器件获得应用。5.具有很高的电子亲和势,可用于制备各种微真空器件的冷阴极。6.制造成本低。以甲烷、乙炔等气体为原料采用PECVD等方法生长。二、技术成熟程度本项目处于探索阶段,先测量和分析人工生长的类金刚石薄膜各种半导体光电性能,如禁带宽度、导电类型、迁移率、掺杂浓度、介电常数、折射率、厚度等基本参数和特性,改进材料生长条件,探索类金刚石薄膜材料在半导体光电器件的可能应用。三、应用范围类金刚石半导体薄膜作为最有应用前景的宽带材料之一,可制备大功率、光电子、抗辐射、显示、紫外探测等新型半导体器件,可在高温、辐射、腐蚀等恶劣环境下工作,并有可能用于制备各种功能的微真空器件。四、投产条件和预期经济效益投产条件:1、合作伙伴最好是类金刚石半导体薄膜材料的生产或研发单位,已具有类金刚石半导体薄膜生长设备,能提供研发所需要的类金刚石半导体薄膜。2、投产资金:10万元人民币从事类金刚石薄膜半导体光电基本性能的材料和分析。若需要新建立类金刚石半导体薄膜材料生长设备,另需约30万元人民币。预期经济效益:本项目是源头创新的研发工作。先投入少量经费开展类金刚石薄膜半导体基本性质的研究,改进现有薄膜材料生长工艺,使所生长的薄膜材料能适应半导体器件的要求;再探索用类金刚石薄膜材料研发各种新型半导体器件的可能性并尽快研发出适合市场需要的新型半导体器件。五、合作方式合作开发
一种 CuInS2 纳米晶半导体薄膜的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本技术属于能源材料领域。本技术分别以氯化铜、氯化铟、硫代硫酸钠和氯化锂作为铜、铟、硫源和支持电解质,以邻苯二甲酸氢钾兼作络合剂和 pH 缓冲剂配制电沉积液,并调节 pH=1.5-3.5 后,在搅拌条件下进行电沉积,而后将所得前躯体薄膜在惰性气氛保护条件下于 250-500℃下恒温 30-180min,得到 CuInS2 纳米晶半导体薄膜。本技术所提供的方法可控性强,重复好,所制备的 CuInS2 纳米晶半导体薄膜无杂质,适用于薄膜太阳能电池光吸收层材料。
一种半导体外延用的柔性复合衬底及制造方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明属于半导体领域,公开了一种半导体外延用的柔性复合衬底及制造方法,取两片厚度为100微米‑1000微米抛光的硅片,每片的抛光面蒸发或溅射上0.1微米‑5微米的金属铝,然后通过两片硅片上的铝贴合在一起进行高温键合,将两片硅片键合在一起;在键合的过程中部分铝和硅形成合金,硅片之间也会残留铝层,铝层厚度小于或等于0.5微米;将键合在一起两片硅片的一片进行减薄抛光到1微米‑10微米的厚度制成柔性衬底;柔性衬底的薄硅片一面向上,外延生长半导体薄膜材料。本发明通过将硅衬底制作成柔性衬底从而减少硅与半导体薄膜之间的热适配,这样就减少了硅与半导体薄膜之间的膨胀系数差异引起的应力。
一种氟掺杂的n型氧化亚铜半导体薄膜的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明涉及一种氟掺杂的n型氧化亚铜半导体薄膜的制备方法,其特征在于配制二价铜离子盐的酸溶液,调节溶液的pH值为弱酸性,作电解液,在电解液中加入氟的前驱物溶液,然后利用三电极系统,以清洗干净的导电玻璃为工作电极,Pt片为对电极,饱和KCl的Ag/AgCl电极为参比电极,恒电压沉积,制备氟掺杂的n型氧化亚铜半导体薄膜。这种氟掺杂的氧化亚铜薄膜是n型半导体,拥有独特的多孔网状结构,并且表现出很好的光电性能。本发明提供的制备方法步骤简单,操作简易,反应条件温和,环境友好。通过简单的电化学沉积制备方法得到的高性能的氟掺杂的n型氧化亚铜薄膜将在同质结半导体太阳能电池上有广泛的应用。
铁电隧道结器件
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明公开了一种铁电隧道结器件,包括依次堆叠的一层N型半导体薄膜、一层铁电薄膜和一层P型半导体薄膜;其中N型半导体薄膜上连接有第一电极,而在P型半导体薄膜上连接有第二电极,并且第一电极和第二电极为同样的半导体材料基于不同的掺杂而形成,其中,第一电极为P型半导体电极,第二电极为N型半导体电极。依据本发明克服现有FTJ器件由于金属电极中屏蔽长度短的限制,实现大的开关比和长久的保持性。