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找技术 >光电子单晶材料超光滑表面加工关键技术
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本项目采用化学机械超精密抛光方法,通过磨料微粒与工件加工面接触部分的化学反应以及抛光液的腐蚀作用在加工表面形成化学反应薄层,利用微粒的机械摩擦作用去除反应层,高效率获得钽酸锂单晶片超光滑抛光表面。本项目可根据被加工材料的特性,优选抛光液,获得提高抛光效率的化学反应层;并给出抛光盘转速、抛光压力、磨料粒度、抛光液PH值等主要抛光工艺参数的最优值,以实现高效率、高精度的晶片锯切和无损伤镜面抛光。
一种钙钛矿单晶材料与微晶硅复合材料结合的薄膜太阳电池及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明的钙钛矿单晶材料与微晶硅复合材料结合的薄膜太阳能电池涉及专门适用于将光能转换为电能的半导体器件。本发明由底部电极、N型氧化物半导体膜、钙钛矿单晶光吸收层、微晶硅空穴传输层以及顶部电极构成。所述的氧化物半导体薄膜是通过溅射获得的N型的氧化锌半导体薄膜,钙钛矿单晶光吸收层是钙钛矿结构的光吸收材料,空穴传输层是通过化学气相沉积获得的P型微晶硅复合材料,底部和顶部电极是通过热蒸镀获得的铝或银构成的膜,本发明将钙钛矿单晶作为光吸收材料,将P型微晶复合材料作为空穴传输层,获得了更稳定,更高效的太阳电池。
基于电感耦合等离子体的单晶材料抛光装置及抛光方法
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及单晶材料抛光技术领域,公开了一种基于电感耦合等离子体的单晶材料抛光装置及抛光方法。本发明的基于电感耦合等离子体的单晶材料抛光装置包括矩管,矩管包括第一发生管、设于第一发生管外的第二发生管以及设于第二发生管外的第三发生管;与第二发生管及第三发生管连通的惰性气体提供装置;与第一气体发生管连通的刻蚀气体提供装置;与矩管连通的电火花发生器;电感线圈,矩管的出口设于电感线圈内,其连接有射频电源。本发明的基于电感耦合等离子体的单晶材料抛光方法基于上述抛光装置。本发明的基于电感耦合等离子体体的单晶材料抛光装置及抛光方法具有去除速率快、不引入亚表面损伤、不需要磨浆、不需要后清洗的优点。
基于电感耦合等离子体的单晶材料抛光装置
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型涉及单晶材料抛光技术领域,公开了一种基于电感耦合等离子体的单晶材料抛光装置。本实用新型的基于电感耦合等离子体的单晶材料抛光装置包括矩管,矩管包括第一发生管、设于第一发生管外的第二发生管以及设于第二发生管外的第三发生管;与第二发生管及第三发生管连通的惰性气体提供装置;与第一发生管连通的刻蚀气体提供装置;与矩管连通的电火花发生器;电感线圈,矩管的出口设于电感线圈内,其连接有射频电源。本实用新型的基于电感耦合等离子体体的单晶材料抛光装置具有去除速率快、不引入亚表面损伤、不需要磨浆、不需要后清洗的优点。
一种碳化硅位错检测方法
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及单晶材料位错检测技术领域,公开了碳化硅位错检测方法。本发明提供一种碳化硅位错检测方法,包括如下步骤:S1,设置晶圆;S2,使用带有刻蚀气体的等离子体火炬扫描晶圆表面,对晶圆表面进行刻蚀;S3,对晶圆进行冷却处理;S4,观察晶圆表面刻蚀坑的数目,从而计算得到晶圆的位错密度。本发明的碳化硅位错检测方法,可以方便、快速地得到碳化硅表面刻蚀坑的数目信息,耗时短、危害性小、便于流水线工作。
高性能压电单晶及新型电声/电光产业链
成熟度:通过中试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本世纪初,高性能铁电压电单晶材料的发现是自上世纪五十年代发现压电陶瓷材料以来压电材料领域的激动人心的革命性突破,它将为新型的电声和电光器件及应用领域带来历史性的机遇。近 20 年来,本课题组在国防军工,国家自然科学基金,科技部及省科技厅的大力资助下,深入开展了这种单晶材料生长技术和相关器件研究,单晶材料现可以小批量生产和供应,开始试用,相关器件正在研制中,技术水平处于国际先进水平,部分学术成果获得国家自然科学二等奖和教育部自然科学一等奖,技术成熟度已达到 5-6 级。以这种单晶材料为基础。可研制出新型高性能声纳基阵,鱼雷声制导,超声治疗,超声探测(B 超,探伤),超声保健,红外探测,光电调制,光通信,量子保密通信和小型化机电系统(MEMS)等相关器件和电子信息系统。可以在我省形成新型电声/电光产业链,高新技术群和军民融合产业方向,填补我省在这类知识密集型产业结构的空白和缺失,这也是我省在这一领域难得的技术优势和机遇。
一种肖特基二极管
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
技术投资分析:本发明提供的肖特基二极管包括:衬底、银电极层和单根超长ZnO纳米杆单晶材料。其中,银电极层设置在衬底上,超长ZnO杆状单晶材料粘结在银电极层上,电极层相互之间隔离存有间隙。本发明的制备方法是可以在宏观条件下手工完成,简单易行,重复性好,原料容易得到,制备成本低廉。采用的单根超长ZnO纳米杆单晶材料是一种具有独特形貌特征的ZnO宏观化结构材料,它的直径在纳米量级,而长度在毫米量级。技术的应用领域前景分析:本发明涉及一种新型的肖特基二极管,属于半导体器件制造技术领域。效益分析:本发明具有明显的社会效应和很大的经济效益。厂房条件建议:无备注:无
一种基于宏观尺度ZnO单晶材料的气体传感器
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
技术投资分析:本发明涉及一种基于宏观尺度ZnO单晶材料的气体传感器,属于传感器制造的技术领域。包括:基底、金属电极层、传感导电体和外接电路,其中传感导电体为宏观尺度ZnO单晶材料,通过热蒸发法大规模生产的宏观尺度ZnO单晶材料,该材料由直径为60~800nm的ZnO纳米杆自然生长而成,将其用银浆粘在金属电极层上。技术的应用领域前景分析:本发明的制备方法简单易行,重复性好,原料容易得到,制备成本低廉,非常适于用来制备大量的ZnO气体传感器,有望在工业安全等领域获得重要应用。效益分析:本技术市场应用范围广,成本低,利润高,效益可观。厂房条件建议:无备注:无
光电子单晶材料超光滑表面加工关键技术
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:采矿业
技术简介
技术投资分析:成果简介本项目采用化学机械超精密抛光方法,通过磨料微粒与工件加工面接触部分的化学反应以及抛光液的腐蚀作用在加工表面形成化学反应薄层,利用微粒的机械摩擦作用去除反应层,高效率获得钽酸锂单晶片超光滑抛光表面。本项目可根据被加工材料的特性,优选抛光液,获得提高抛光效率的化学反应层;并给出抛光盘转速、抛光压力、磨料粒度、抛光液PH值等主要抛光工艺参数的最优值,以实现高效率、高精度的晶片锯切和无损伤镜面抛光。技术的应用领域前景分析:本技术投资少,见效快,市场前景广,特别适合于中小企业生产。效益分析:本项目市场应用范围广,成本低,利润高,效益可观。厂房条件建议:无备注:无
一种单晶材料、及其制备方法和用途
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种单晶材料,所述单晶材料为铜掺杂硫化钽单晶,所述单晶材料为2H相。本发明单晶材料的制备方法,包括如下步骤:(1)将TaS2多晶、Cu粉和卤盐混合,得到前驱体;(2)将所述前驱体放入单晶炉中,熔融生长,制得单晶材料粗品。本发明采用在单晶炉中熔融生长的方式制备单晶材料,制得材料的成功率高,在单晶炉中熔融生长可有效的控制晶体的尺寸和形貌,生长周期缩短至十天以内,可工业化生产,且制得的单晶材料不易开裂。
找到12项技术成果数据。
找技术 >光电子单晶材料超光滑表面加工关键技术
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本项目采用化学机械超精密抛光方法,通过磨料微粒与工件加工面接触部分的化学反应以及抛光液的腐蚀作用在加工表面形成化学反应薄层,利用微粒的机械摩擦作用去除反应层,高效率获得钽酸锂单晶片超光滑抛光表面。本项目可根据被加工材料的特性,优选抛光液,获得提高抛光效率的化学反应层;并给出抛光盘转速、抛光压力、磨料粒度、抛光液PH值等主要抛光工艺参数的最优值,以实现高效率、高精度的晶片锯切和无损伤镜面抛光。
一种钙钛矿单晶材料与微晶硅复合材料结合的薄膜太阳电池及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明的钙钛矿单晶材料与微晶硅复合材料结合的薄膜太阳能电池涉及专门适用于将光能转换为电能的半导体器件。本发明由底部电极、N型氧化物半导体膜、钙钛矿单晶光吸收层、微晶硅空穴传输层以及顶部电极构成。所述的氧化物半导体薄膜是通过溅射获得的N型的氧化锌半导体薄膜,钙钛矿单晶光吸收层是钙钛矿结构的光吸收材料,空穴传输层是通过化学气相沉积获得的P型微晶硅复合材料,底部和顶部电极是通过热蒸镀获得的铝或银构成的膜,本发明将钙钛矿单晶作为光吸收材料,将P型微晶复合材料作为空穴传输层,获得了更稳定,更高效的太阳电池。
基于电感耦合等离子体的单晶材料抛光装置及抛光方法
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及单晶材料抛光技术领域,公开了一种基于电感耦合等离子体的单晶材料抛光装置及抛光方法。本发明的基于电感耦合等离子体的单晶材料抛光装置包括矩管,矩管包括第一发生管、设于第一发生管外的第二发生管以及设于第二发生管外的第三发生管;与第二发生管及第三发生管连通的惰性气体提供装置;与第一气体发生管连通的刻蚀气体提供装置;与矩管连通的电火花发生器;电感线圈,矩管的出口设于电感线圈内,其连接有射频电源。本发明的基于电感耦合等离子体的单晶材料抛光方法基于上述抛光装置。本发明的基于电感耦合等离子体体的单晶材料抛光装置及抛光方法具有去除速率快、不引入亚表面损伤、不需要磨浆、不需要后清洗的优点。
基于电感耦合等离子体的单晶材料抛光装置
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型涉及单晶材料抛光技术领域,公开了一种基于电感耦合等离子体的单晶材料抛光装置。本实用新型的基于电感耦合等离子体的单晶材料抛光装置包括矩管,矩管包括第一发生管、设于第一发生管外的第二发生管以及设于第二发生管外的第三发生管;与第二发生管及第三发生管连通的惰性气体提供装置;与第一发生管连通的刻蚀气体提供装置;与矩管连通的电火花发生器;电感线圈,矩管的出口设于电感线圈内,其连接有射频电源。本实用新型的基于电感耦合等离子体体的单晶材料抛光装置具有去除速率快、不引入亚表面损伤、不需要磨浆、不需要后清洗的优点。
一种碳化硅位错检测方法
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及单晶材料位错检测技术领域,公开了碳化硅位错检测方法。本发明提供一种碳化硅位错检测方法,包括如下步骤:S1,设置晶圆;S2,使用带有刻蚀气体的等离子体火炬扫描晶圆表面,对晶圆表面进行刻蚀;S3,对晶圆进行冷却处理;S4,观察晶圆表面刻蚀坑的数目,从而计算得到晶圆的位错密度。本发明的碳化硅位错检测方法,可以方便、快速地得到碳化硅表面刻蚀坑的数目信息,耗时短、危害性小、便于流水线工作。
高性能压电单晶及新型电声/电光产业链
成熟度:通过中试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本世纪初,高性能铁电压电单晶材料的发现是自上世纪五十年代发现压电陶瓷材料以来压电材料领域的激动人心的革命性突破,它将为新型的电声和电光器件及应用领域带来历史性的机遇。近 20 年来,本课题组在国防军工,国家自然科学基金,科技部及省科技厅的大力资助下,深入开展了这种单晶材料生长技术和相关器件研究,单晶材料现可以小批量生产和供应,开始试用,相关器件正在研制中,技术水平处于国际先进水平,部分学术成果获得国家自然科学二等奖和教育部自然科学一等奖,技术成熟度已达到 5-6 级。以这种单晶材料为基础。可研制出新型高性能声纳基阵,鱼雷声制导,超声治疗,超声探测(B 超,探伤),超声保健,红外探测,光电调制,光通信,量子保密通信和小型化机电系统(MEMS)等相关器件和电子信息系统。可以在我省形成新型电声/电光产业链,高新技术群和军民融合产业方向,填补我省在这类知识密集型产业结构的空白和缺失,这也是我省在这一领域难得的技术优势和机遇。
一种肖特基二极管
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
技术投资分析:本发明提供的肖特基二极管包括:衬底、银电极层和单根超长ZnO纳米杆单晶材料。其中,银电极层设置在衬底上,超长ZnO杆状单晶材料粘结在银电极层上,电极层相互之间隔离存有间隙。本发明的制备方法是可以在宏观条件下手工完成,简单易行,重复性好,原料容易得到,制备成本低廉。采用的单根超长ZnO纳米杆单晶材料是一种具有独特形貌特征的ZnO宏观化结构材料,它的直径在纳米量级,而长度在毫米量级。技术的应用领域前景分析:本发明涉及一种新型的肖特基二极管,属于半导体器件制造技术领域。效益分析:本发明具有明显的社会效应和很大的经济效益。厂房条件建议:无备注:无
一种基于宏观尺度ZnO单晶材料的气体传感器
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
技术投资分析:本发明涉及一种基于宏观尺度ZnO单晶材料的气体传感器,属于传感器制造的技术领域。包括:基底、金属电极层、传感导电体和外接电路,其中传感导电体为宏观尺度ZnO单晶材料,通过热蒸发法大规模生产的宏观尺度ZnO单晶材料,该材料由直径为60~800nm的ZnO纳米杆自然生长而成,将其用银浆粘在金属电极层上。技术的应用领域前景分析:本发明的制备方法简单易行,重复性好,原料容易得到,制备成本低廉,非常适于用来制备大量的ZnO气体传感器,有望在工业安全等领域获得重要应用。效益分析:本技术市场应用范围广,成本低,利润高,效益可观。厂房条件建议:无备注:无
光电子单晶材料超光滑表面加工关键技术
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:采矿业
技术简介
技术投资分析:成果简介本项目采用化学机械超精密抛光方法,通过磨料微粒与工件加工面接触部分的化学反应以及抛光液的腐蚀作用在加工表面形成化学反应薄层,利用微粒的机械摩擦作用去除反应层,高效率获得钽酸锂单晶片超光滑抛光表面。本项目可根据被加工材料的特性,优选抛光液,获得提高抛光效率的化学反应层;并给出抛光盘转速、抛光压力、磨料粒度、抛光液PH值等主要抛光工艺参数的最优值,以实现高效率、高精度的晶片锯切和无损伤镜面抛光。技术的应用领域前景分析:本技术投资少,见效快,市场前景广,特别适合于中小企业生产。效益分析:本项目市场应用范围广,成本低,利润高,效益可观。厂房条件建议:无备注:无
一种单晶材料、及其制备方法和用途
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种单晶材料,所述单晶材料为铜掺杂硫化钽单晶,所述单晶材料为2H相。本发明单晶材料的制备方法,包括如下步骤:(1)将TaS2多晶、Cu粉和卤盐混合,得到前驱体;(2)将所述前驱体放入单晶炉中,熔融生长,制得单晶材料粗品。本发明采用在单晶炉中熔融生长的方式制备单晶材料,制得材料的成功率高,在单晶炉中熔融生长可有效的控制晶体的尺寸和形貌,生长周期缩短至十天以内,可工业化生产,且制得的单晶材料不易开裂。
找到12项技术成果数据。
找技术 >光电子单晶材料超光滑表面加工关键技术
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本项目采用化学机械超精密抛光方法,通过磨料微粒与工件加工面接触部分的化学反应以及抛光液的腐蚀作用在加工表面形成化学反应薄层,利用微粒的机械摩擦作用去除反应层,高效率获得钽酸锂单晶片超光滑抛光表面。本项目可根据被加工材料的特性,优选抛光液,获得提高抛光效率的化学反应层;并给出抛光盘转速、抛光压力、磨料粒度、抛光液PH值等主要抛光工艺参数的最优值,以实现高效率、高精度的晶片锯切和无损伤镜面抛光。
一种钙钛矿单晶材料与微晶硅复合材料结合的薄膜太阳电池及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明的钙钛矿单晶材料与微晶硅复合材料结合的薄膜太阳能电池涉及专门适用于将光能转换为电能的半导体器件。本发明由底部电极、N型氧化物半导体膜、钙钛矿单晶光吸收层、微晶硅空穴传输层以及顶部电极构成。所述的氧化物半导体薄膜是通过溅射获得的N型的氧化锌半导体薄膜,钙钛矿单晶光吸收层是钙钛矿结构的光吸收材料,空穴传输层是通过化学气相沉积获得的P型微晶硅复合材料,底部和顶部电极是通过热蒸镀获得的铝或银构成的膜,本发明将钙钛矿单晶作为光吸收材料,将P型微晶复合材料作为空穴传输层,获得了更稳定,更高效的太阳电池。
基于电感耦合等离子体的单晶材料抛光装置及抛光方法
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及单晶材料抛光技术领域,公开了一种基于电感耦合等离子体的单晶材料抛光装置及抛光方法。本发明的基于电感耦合等离子体的单晶材料抛光装置包括矩管,矩管包括第一发生管、设于第一发生管外的第二发生管以及设于第二发生管外的第三发生管;与第二发生管及第三发生管连通的惰性气体提供装置;与第一气体发生管连通的刻蚀气体提供装置;与矩管连通的电火花发生器;电感线圈,矩管的出口设于电感线圈内,其连接有射频电源。本发明的基于电感耦合等离子体的单晶材料抛光方法基于上述抛光装置。本发明的基于电感耦合等离子体体的单晶材料抛光装置及抛光方法具有去除速率快、不引入亚表面损伤、不需要磨浆、不需要后清洗的优点。
基于电感耦合等离子体的单晶材料抛光装置
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型涉及单晶材料抛光技术领域,公开了一种基于电感耦合等离子体的单晶材料抛光装置。本实用新型的基于电感耦合等离子体的单晶材料抛光装置包括矩管,矩管包括第一发生管、设于第一发生管外的第二发生管以及设于第二发生管外的第三发生管;与第二发生管及第三发生管连通的惰性气体提供装置;与第一发生管连通的刻蚀气体提供装置;与矩管连通的电火花发生器;电感线圈,矩管的出口设于电感线圈内,其连接有射频电源。本实用新型的基于电感耦合等离子体体的单晶材料抛光装置具有去除速率快、不引入亚表面损伤、不需要磨浆、不需要后清洗的优点。
一种碳化硅位错检测方法
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及单晶材料位错检测技术领域,公开了碳化硅位错检测方法。本发明提供一种碳化硅位错检测方法,包括如下步骤:S1,设置晶圆;S2,使用带有刻蚀气体的等离子体火炬扫描晶圆表面,对晶圆表面进行刻蚀;S3,对晶圆进行冷却处理;S4,观察晶圆表面刻蚀坑的数目,从而计算得到晶圆的位错密度。本发明的碳化硅位错检测方法,可以方便、快速地得到碳化硅表面刻蚀坑的数目信息,耗时短、危害性小、便于流水线工作。
高性能压电单晶及新型电声/电光产业链
成熟度:通过中试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本世纪初,高性能铁电压电单晶材料的发现是自上世纪五十年代发现压电陶瓷材料以来压电材料领域的激动人心的革命性突破,它将为新型的电声和电光器件及应用领域带来历史性的机遇。近 20 年来,本课题组在国防军工,国家自然科学基金,科技部及省科技厅的大力资助下,深入开展了这种单晶材料生长技术和相关器件研究,单晶材料现可以小批量生产和供应,开始试用,相关器件正在研制中,技术水平处于国际先进水平,部分学术成果获得国家自然科学二等奖和教育部自然科学一等奖,技术成熟度已达到 5-6 级。以这种单晶材料为基础。可研制出新型高性能声纳基阵,鱼雷声制导,超声治疗,超声探测(B 超,探伤),超声保健,红外探测,光电调制,光通信,量子保密通信和小型化机电系统(MEMS)等相关器件和电子信息系统。可以在我省形成新型电声/电光产业链,高新技术群和军民融合产业方向,填补我省在这类知识密集型产业结构的空白和缺失,这也是我省在这一领域难得的技术优势和机遇。
一种肖特基二极管
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
技术投资分析:本发明提供的肖特基二极管包括:衬底、银电极层和单根超长ZnO纳米杆单晶材料。其中,银电极层设置在衬底上,超长ZnO杆状单晶材料粘结在银电极层上,电极层相互之间隔离存有间隙。本发明的制备方法是可以在宏观条件下手工完成,简单易行,重复性好,原料容易得到,制备成本低廉。采用的单根超长ZnO纳米杆单晶材料是一种具有独特形貌特征的ZnO宏观化结构材料,它的直径在纳米量级,而长度在毫米量级。技术的应用领域前景分析:本发明涉及一种新型的肖特基二极管,属于半导体器件制造技术领域。效益分析:本发明具有明显的社会效应和很大的经济效益。厂房条件建议:无备注:无
一种基于宏观尺度ZnO单晶材料的气体传感器
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
技术投资分析:本发明涉及一种基于宏观尺度ZnO单晶材料的气体传感器,属于传感器制造的技术领域。包括:基底、金属电极层、传感导电体和外接电路,其中传感导电体为宏观尺度ZnO单晶材料,通过热蒸发法大规模生产的宏观尺度ZnO单晶材料,该材料由直径为60~800nm的ZnO纳米杆自然生长而成,将其用银浆粘在金属电极层上。技术的应用领域前景分析:本发明的制备方法简单易行,重复性好,原料容易得到,制备成本低廉,非常适于用来制备大量的ZnO气体传感器,有望在工业安全等领域获得重要应用。效益分析:本技术市场应用范围广,成本低,利润高,效益可观。厂房条件建议:无备注:无
光电子单晶材料超光滑表面加工关键技术
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:采矿业
技术简介
技术投资分析:成果简介本项目采用化学机械超精密抛光方法,通过磨料微粒与工件加工面接触部分的化学反应以及抛光液的腐蚀作用在加工表面形成化学反应薄层,利用微粒的机械摩擦作用去除反应层,高效率获得钽酸锂单晶片超光滑抛光表面。本项目可根据被加工材料的特性,优选抛光液,获得提高抛光效率的化学反应层;并给出抛光盘转速、抛光压力、磨料粒度、抛光液PH值等主要抛光工艺参数的最优值,以实现高效率、高精度的晶片锯切和无损伤镜面抛光。技术的应用领域前景分析:本技术投资少,见效快,市场前景广,特别适合于中小企业生产。效益分析:本项目市场应用范围广,成本低,利润高,效益可观。厂房条件建议:无备注:无
一种单晶材料、及其制备方法和用途
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种单晶材料,所述单晶材料为铜掺杂硫化钽单晶,所述单晶材料为2H相。本发明单晶材料的制备方法,包括如下步骤:(1)将TaS2多晶、Cu粉和卤盐混合,得到前驱体;(2)将所述前驱体放入单晶炉中,熔融生长,制得单晶材料粗品。本发明采用在单晶炉中熔融生长的方式制备单晶材料,制得材料的成功率高,在单晶炉中熔融生长可有效的控制晶体的尺寸和形貌,生长周期缩短至十天以内,可工业化生产,且制得的单晶材料不易开裂。
找到12项技术成果数据。
找技术 >光电子单晶材料超光滑表面加工关键技术
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本项目采用化学机械超精密抛光方法,通过磨料微粒与工件加工面接触部分的化学反应以及抛光液的腐蚀作用在加工表面形成化学反应薄层,利用微粒的机械摩擦作用去除反应层,高效率获得钽酸锂单晶片超光滑抛光表面。本项目可根据被加工材料的特性,优选抛光液,获得提高抛光效率的化学反应层;并给出抛光盘转速、抛光压力、磨料粒度、抛光液PH值等主要抛光工艺参数的最优值,以实现高效率、高精度的晶片锯切和无损伤镜面抛光。
一种钙钛矿单晶材料与微晶硅复合材料结合的薄膜太阳电池及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明的钙钛矿单晶材料与微晶硅复合材料结合的薄膜太阳能电池涉及专门适用于将光能转换为电能的半导体器件。本发明由底部电极、N型氧化物半导体膜、钙钛矿单晶光吸收层、微晶硅空穴传输层以及顶部电极构成。所述的氧化物半导体薄膜是通过溅射获得的N型的氧化锌半导体薄膜,钙钛矿单晶光吸收层是钙钛矿结构的光吸收材料,空穴传输层是通过化学气相沉积获得的P型微晶硅复合材料,底部和顶部电极是通过热蒸镀获得的铝或银构成的膜,本发明将钙钛矿单晶作为光吸收材料,将P型微晶复合材料作为空穴传输层,获得了更稳定,更高效的太阳电池。
基于电感耦合等离子体的单晶材料抛光装置及抛光方法
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及单晶材料抛光技术领域,公开了一种基于电感耦合等离子体的单晶材料抛光装置及抛光方法。本发明的基于电感耦合等离子体的单晶材料抛光装置包括矩管,矩管包括第一发生管、设于第一发生管外的第二发生管以及设于第二发生管外的第三发生管;与第二发生管及第三发生管连通的惰性气体提供装置;与第一气体发生管连通的刻蚀气体提供装置;与矩管连通的电火花发生器;电感线圈,矩管的出口设于电感线圈内,其连接有射频电源。本发明的基于电感耦合等离子体的单晶材料抛光方法基于上述抛光装置。本发明的基于电感耦合等离子体体的单晶材料抛光装置及抛光方法具有去除速率快、不引入亚表面损伤、不需要磨浆、不需要后清洗的优点。
基于电感耦合等离子体的单晶材料抛光装置
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型涉及单晶材料抛光技术领域,公开了一种基于电感耦合等离子体的单晶材料抛光装置。本实用新型的基于电感耦合等离子体的单晶材料抛光装置包括矩管,矩管包括第一发生管、设于第一发生管外的第二发生管以及设于第二发生管外的第三发生管;与第二发生管及第三发生管连通的惰性气体提供装置;与第一发生管连通的刻蚀气体提供装置;与矩管连通的电火花发生器;电感线圈,矩管的出口设于电感线圈内,其连接有射频电源。本实用新型的基于电感耦合等离子体体的单晶材料抛光装置具有去除速率快、不引入亚表面损伤、不需要磨浆、不需要后清洗的优点。
一种碳化硅位错检测方法
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及单晶材料位错检测技术领域,公开了碳化硅位错检测方法。本发明提供一种碳化硅位错检测方法,包括如下步骤:S1,设置晶圆;S2,使用带有刻蚀气体的等离子体火炬扫描晶圆表面,对晶圆表面进行刻蚀;S3,对晶圆进行冷却处理;S4,观察晶圆表面刻蚀坑的数目,从而计算得到晶圆的位错密度。本发明的碳化硅位错检测方法,可以方便、快速地得到碳化硅表面刻蚀坑的数目信息,耗时短、危害性小、便于流水线工作。
高性能压电单晶及新型电声/电光产业链
成熟度:通过中试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本世纪初,高性能铁电压电单晶材料的发现是自上世纪五十年代发现压电陶瓷材料以来压电材料领域的激动人心的革命性突破,它将为新型的电声和电光器件及应用领域带来历史性的机遇。近 20 年来,本课题组在国防军工,国家自然科学基金,科技部及省科技厅的大力资助下,深入开展了这种单晶材料生长技术和相关器件研究,单晶材料现可以小批量生产和供应,开始试用,相关器件正在研制中,技术水平处于国际先进水平,部分学术成果获得国家自然科学二等奖和教育部自然科学一等奖,技术成熟度已达到 5-6 级。以这种单晶材料为基础。可研制出新型高性能声纳基阵,鱼雷声制导,超声治疗,超声探测(B 超,探伤),超声保健,红外探测,光电调制,光通信,量子保密通信和小型化机电系统(MEMS)等相关器件和电子信息系统。可以在我省形成新型电声/电光产业链,高新技术群和军民融合产业方向,填补我省在这类知识密集型产业结构的空白和缺失,这也是我省在这一领域难得的技术优势和机遇。
一种肖特基二极管
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
技术投资分析:本发明提供的肖特基二极管包括:衬底、银电极层和单根超长ZnO纳米杆单晶材料。其中,银电极层设置在衬底上,超长ZnO杆状单晶材料粘结在银电极层上,电极层相互之间隔离存有间隙。本发明的制备方法是可以在宏观条件下手工完成,简单易行,重复性好,原料容易得到,制备成本低廉。采用的单根超长ZnO纳米杆单晶材料是一种具有独特形貌特征的ZnO宏观化结构材料,它的直径在纳米量级,而长度在毫米量级。技术的应用领域前景分析:本发明涉及一种新型的肖特基二极管,属于半导体器件制造技术领域。效益分析:本发明具有明显的社会效应和很大的经济效益。厂房条件建议:无备注:无
一种基于宏观尺度ZnO单晶材料的气体传感器
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
技术投资分析:本发明涉及一种基于宏观尺度ZnO单晶材料的气体传感器,属于传感器制造的技术领域。包括:基底、金属电极层、传感导电体和外接电路,其中传感导电体为宏观尺度ZnO单晶材料,通过热蒸发法大规模生产的宏观尺度ZnO单晶材料,该材料由直径为60~800nm的ZnO纳米杆自然生长而成,将其用银浆粘在金属电极层上。技术的应用领域前景分析:本发明的制备方法简单易行,重复性好,原料容易得到,制备成本低廉,非常适于用来制备大量的ZnO气体传感器,有望在工业安全等领域获得重要应用。效益分析:本技术市场应用范围广,成本低,利润高,效益可观。厂房条件建议:无备注:无
光电子单晶材料超光滑表面加工关键技术
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:采矿业
技术简介
技术投资分析:成果简介本项目采用化学机械超精密抛光方法,通过磨料微粒与工件加工面接触部分的化学反应以及抛光液的腐蚀作用在加工表面形成化学反应薄层,利用微粒的机械摩擦作用去除反应层,高效率获得钽酸锂单晶片超光滑抛光表面。本项目可根据被加工材料的特性,优选抛光液,获得提高抛光效率的化学反应层;并给出抛光盘转速、抛光压力、磨料粒度、抛光液PH值等主要抛光工艺参数的最优值,以实现高效率、高精度的晶片锯切和无损伤镜面抛光。技术的应用领域前景分析:本技术投资少,见效快,市场前景广,特别适合于中小企业生产。效益分析:本项目市场应用范围广,成本低,利润高,效益可观。厂房条件建议:无备注:无
一种单晶材料、及其制备方法和用途
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种单晶材料,所述单晶材料为铜掺杂硫化钽单晶,所述单晶材料为2H相。本发明单晶材料的制备方法,包括如下步骤:(1)将TaS2多晶、Cu粉和卤盐混合,得到前驱体;(2)将所述前驱体放入单晶炉中,熔融生长,制得单晶材料粗品。本发明采用在单晶炉中熔融生长的方式制备单晶材料,制得材料的成功率高,在单晶炉中熔融生长可有效的控制晶体的尺寸和形貌,生长周期缩短至十天以内,可工业化生产,且制得的单晶材料不易开裂。
找到12项技术成果数据。
找技术 >光电子单晶材料超光滑表面加工关键技术
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本项目采用化学机械超精密抛光方法,通过磨料微粒与工件加工面接触部分的化学反应以及抛光液的腐蚀作用在加工表面形成化学反应薄层,利用微粒的机械摩擦作用去除反应层,高效率获得钽酸锂单晶片超光滑抛光表面。本项目可根据被加工材料的特性,优选抛光液,获得提高抛光效率的化学反应层;并给出抛光盘转速、抛光压力、磨料粒度、抛光液PH值等主要抛光工艺参数的最优值,以实现高效率、高精度的晶片锯切和无损伤镜面抛光。
一种钙钛矿单晶材料与微晶硅复合材料结合的薄膜太阳电池及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明的钙钛矿单晶材料与微晶硅复合材料结合的薄膜太阳能电池涉及专门适用于将光能转换为电能的半导体器件。本发明由底部电极、N型氧化物半导体膜、钙钛矿单晶光吸收层、微晶硅空穴传输层以及顶部电极构成。所述的氧化物半导体薄膜是通过溅射获得的N型的氧化锌半导体薄膜,钙钛矿单晶光吸收层是钙钛矿结构的光吸收材料,空穴传输层是通过化学气相沉积获得的P型微晶硅复合材料,底部和顶部电极是通过热蒸镀获得的铝或银构成的膜,本发明将钙钛矿单晶作为光吸收材料,将P型微晶复合材料作为空穴传输层,获得了更稳定,更高效的太阳电池。
基于电感耦合等离子体的单晶材料抛光装置及抛光方法
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及单晶材料抛光技术领域,公开了一种基于电感耦合等离子体的单晶材料抛光装置及抛光方法。本发明的基于电感耦合等离子体的单晶材料抛光装置包括矩管,矩管包括第一发生管、设于第一发生管外的第二发生管以及设于第二发生管外的第三发生管;与第二发生管及第三发生管连通的惰性气体提供装置;与第一气体发生管连通的刻蚀气体提供装置;与矩管连通的电火花发生器;电感线圈,矩管的出口设于电感线圈内,其连接有射频电源。本发明的基于电感耦合等离子体的单晶材料抛光方法基于上述抛光装置。本发明的基于电感耦合等离子体体的单晶材料抛光装置及抛光方法具有去除速率快、不引入亚表面损伤、不需要磨浆、不需要后清洗的优点。
基于电感耦合等离子体的单晶材料抛光装置
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型涉及单晶材料抛光技术领域,公开了一种基于电感耦合等离子体的单晶材料抛光装置。本实用新型的基于电感耦合等离子体的单晶材料抛光装置包括矩管,矩管包括第一发生管、设于第一发生管外的第二发生管以及设于第二发生管外的第三发生管;与第二发生管及第三发生管连通的惰性气体提供装置;与第一发生管连通的刻蚀气体提供装置;与矩管连通的电火花发生器;电感线圈,矩管的出口设于电感线圈内,其连接有射频电源。本实用新型的基于电感耦合等离子体体的单晶材料抛光装置具有去除速率快、不引入亚表面损伤、不需要磨浆、不需要后清洗的优点。
一种碳化硅位错检测方法
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及单晶材料位错检测技术领域,公开了碳化硅位错检测方法。本发明提供一种碳化硅位错检测方法,包括如下步骤:S1,设置晶圆;S2,使用带有刻蚀气体的等离子体火炬扫描晶圆表面,对晶圆表面进行刻蚀;S3,对晶圆进行冷却处理;S4,观察晶圆表面刻蚀坑的数目,从而计算得到晶圆的位错密度。本发明的碳化硅位错检测方法,可以方便、快速地得到碳化硅表面刻蚀坑的数目信息,耗时短、危害性小、便于流水线工作。
高性能压电单晶及新型电声/电光产业链
成熟度:通过中试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本世纪初,高性能铁电压电单晶材料的发现是自上世纪五十年代发现压电陶瓷材料以来压电材料领域的激动人心的革命性突破,它将为新型的电声和电光器件及应用领域带来历史性的机遇。近 20 年来,本课题组在国防军工,国家自然科学基金,科技部及省科技厅的大力资助下,深入开展了这种单晶材料生长技术和相关器件研究,单晶材料现可以小批量生产和供应,开始试用,相关器件正在研制中,技术水平处于国际先进水平,部分学术成果获得国家自然科学二等奖和教育部自然科学一等奖,技术成熟度已达到 5-6 级。以这种单晶材料为基础。可研制出新型高性能声纳基阵,鱼雷声制导,超声治疗,超声探测(B 超,探伤),超声保健,红外探测,光电调制,光通信,量子保密通信和小型化机电系统(MEMS)等相关器件和电子信息系统。可以在我省形成新型电声/电光产业链,高新技术群和军民融合产业方向,填补我省在这类知识密集型产业结构的空白和缺失,这也是我省在这一领域难得的技术优势和机遇。
一种肖特基二极管
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
技术投资分析:本发明提供的肖特基二极管包括:衬底、银电极层和单根超长ZnO纳米杆单晶材料。其中,银电极层设置在衬底上,超长ZnO杆状单晶材料粘结在银电极层上,电极层相互之间隔离存有间隙。本发明的制备方法是可以在宏观条件下手工完成,简单易行,重复性好,原料容易得到,制备成本低廉。采用的单根超长ZnO纳米杆单晶材料是一种具有独特形貌特征的ZnO宏观化结构材料,它的直径在纳米量级,而长度在毫米量级。技术的应用领域前景分析:本发明涉及一种新型的肖特基二极管,属于半导体器件制造技术领域。效益分析:本发明具有明显的社会效应和很大的经济效益。厂房条件建议:无备注:无
一种基于宏观尺度ZnO单晶材料的气体传感器
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
技术投资分析:本发明涉及一种基于宏观尺度ZnO单晶材料的气体传感器,属于传感器制造的技术领域。包括:基底、金属电极层、传感导电体和外接电路,其中传感导电体为宏观尺度ZnO单晶材料,通过热蒸发法大规模生产的宏观尺度ZnO单晶材料,该材料由直径为60~800nm的ZnO纳米杆自然生长而成,将其用银浆粘在金属电极层上。技术的应用领域前景分析:本发明的制备方法简单易行,重复性好,原料容易得到,制备成本低廉,非常适于用来制备大量的ZnO气体传感器,有望在工业安全等领域获得重要应用。效益分析:本技术市场应用范围广,成本低,利润高,效益可观。厂房条件建议:无备注:无
光电子单晶材料超光滑表面加工关键技术
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:采矿业
技术简介
技术投资分析:成果简介本项目采用化学机械超精密抛光方法,通过磨料微粒与工件加工面接触部分的化学反应以及抛光液的腐蚀作用在加工表面形成化学反应薄层,利用微粒的机械摩擦作用去除反应层,高效率获得钽酸锂单晶片超光滑抛光表面。本项目可根据被加工材料的特性,优选抛光液,获得提高抛光效率的化学反应层;并给出抛光盘转速、抛光压力、磨料粒度、抛光液PH值等主要抛光工艺参数的最优值,以实现高效率、高精度的晶片锯切和无损伤镜面抛光。技术的应用领域前景分析:本技术投资少,见效快,市场前景广,特别适合于中小企业生产。效益分析:本项目市场应用范围广,成本低,利润高,效益可观。厂房条件建议:无备注:无
一种单晶材料、及其制备方法和用途
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种单晶材料,所述单晶材料为铜掺杂硫化钽单晶,所述单晶材料为2H相。本发明单晶材料的制备方法,包括如下步骤:(1)将TaS2多晶、Cu粉和卤盐混合,得到前驱体;(2)将所述前驱体放入单晶炉中,熔融生长,制得单晶材料粗品。本发明采用在单晶炉中熔融生长的方式制备单晶材料,制得材料的成功率高,在单晶炉中熔融生长可有效的控制晶体的尺寸和形貌,生长周期缩短至十天以内,可工业化生产,且制得的单晶材料不易开裂。
找到12项技术成果数据。
找技术 >光电子单晶材料超光滑表面加工关键技术
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本项目采用化学机械超精密抛光方法,通过磨料微粒与工件加工面接触部分的化学反应以及抛光液的腐蚀作用在加工表面形成化学反应薄层,利用微粒的机械摩擦作用去除反应层,高效率获得钽酸锂单晶片超光滑抛光表面。本项目可根据被加工材料的特性,优选抛光液,获得提高抛光效率的化学反应层;并给出抛光盘转速、抛光压力、磨料粒度、抛光液PH值等主要抛光工艺参数的最优值,以实现高效率、高精度的晶片锯切和无损伤镜面抛光。
一种钙钛矿单晶材料与微晶硅复合材料结合的薄膜太阳电池及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明的钙钛矿单晶材料与微晶硅复合材料结合的薄膜太阳能电池涉及专门适用于将光能转换为电能的半导体器件。本发明由底部电极、N型氧化物半导体膜、钙钛矿单晶光吸收层、微晶硅空穴传输层以及顶部电极构成。所述的氧化物半导体薄膜是通过溅射获得的N型的氧化锌半导体薄膜,钙钛矿单晶光吸收层是钙钛矿结构的光吸收材料,空穴传输层是通过化学气相沉积获得的P型微晶硅复合材料,底部和顶部电极是通过热蒸镀获得的铝或银构成的膜,本发明将钙钛矿单晶作为光吸收材料,将P型微晶复合材料作为空穴传输层,获得了更稳定,更高效的太阳电池。
基于电感耦合等离子体的单晶材料抛光装置及抛光方法
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及单晶材料抛光技术领域,公开了一种基于电感耦合等离子体的单晶材料抛光装置及抛光方法。本发明的基于电感耦合等离子体的单晶材料抛光装置包括矩管,矩管包括第一发生管、设于第一发生管外的第二发生管以及设于第二发生管外的第三发生管;与第二发生管及第三发生管连通的惰性气体提供装置;与第一气体发生管连通的刻蚀气体提供装置;与矩管连通的电火花发生器;电感线圈,矩管的出口设于电感线圈内,其连接有射频电源。本发明的基于电感耦合等离子体的单晶材料抛光方法基于上述抛光装置。本发明的基于电感耦合等离子体体的单晶材料抛光装置及抛光方法具有去除速率快、不引入亚表面损伤、不需要磨浆、不需要后清洗的优点。
基于电感耦合等离子体的单晶材料抛光装置
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型涉及单晶材料抛光技术领域,公开了一种基于电感耦合等离子体的单晶材料抛光装置。本实用新型的基于电感耦合等离子体的单晶材料抛光装置包括矩管,矩管包括第一发生管、设于第一发生管外的第二发生管以及设于第二发生管外的第三发生管;与第二发生管及第三发生管连通的惰性气体提供装置;与第一发生管连通的刻蚀气体提供装置;与矩管连通的电火花发生器;电感线圈,矩管的出口设于电感线圈内,其连接有射频电源。本实用新型的基于电感耦合等离子体体的单晶材料抛光装置具有去除速率快、不引入亚表面损伤、不需要磨浆、不需要后清洗的优点。
一种碳化硅位错检测方法
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及单晶材料位错检测技术领域,公开了碳化硅位错检测方法。本发明提供一种碳化硅位错检测方法,包括如下步骤:S1,设置晶圆;S2,使用带有刻蚀气体的等离子体火炬扫描晶圆表面,对晶圆表面进行刻蚀;S3,对晶圆进行冷却处理;S4,观察晶圆表面刻蚀坑的数目,从而计算得到晶圆的位错密度。本发明的碳化硅位错检测方法,可以方便、快速地得到碳化硅表面刻蚀坑的数目信息,耗时短、危害性小、便于流水线工作。
高性能压电单晶及新型电声/电光产业链
成熟度:通过中试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本世纪初,高性能铁电压电单晶材料的发现是自上世纪五十年代发现压电陶瓷材料以来压电材料领域的激动人心的革命性突破,它将为新型的电声和电光器件及应用领域带来历史性的机遇。近 20 年来,本课题组在国防军工,国家自然科学基金,科技部及省科技厅的大力资助下,深入开展了这种单晶材料生长技术和相关器件研究,单晶材料现可以小批量生产和供应,开始试用,相关器件正在研制中,技术水平处于国际先进水平,部分学术成果获得国家自然科学二等奖和教育部自然科学一等奖,技术成熟度已达到 5-6 级。以这种单晶材料为基础。可研制出新型高性能声纳基阵,鱼雷声制导,超声治疗,超声探测(B 超,探伤),超声保健,红外探测,光电调制,光通信,量子保密通信和小型化机电系统(MEMS)等相关器件和电子信息系统。可以在我省形成新型电声/电光产业链,高新技术群和军民融合产业方向,填补我省在这类知识密集型产业结构的空白和缺失,这也是我省在这一领域难得的技术优势和机遇。
一种肖特基二极管
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
技术投资分析:本发明提供的肖特基二极管包括:衬底、银电极层和单根超长ZnO纳米杆单晶材料。其中,银电极层设置在衬底上,超长ZnO杆状单晶材料粘结在银电极层上,电极层相互之间隔离存有间隙。本发明的制备方法是可以在宏观条件下手工完成,简单易行,重复性好,原料容易得到,制备成本低廉。采用的单根超长ZnO纳米杆单晶材料是一种具有独特形貌特征的ZnO宏观化结构材料,它的直径在纳米量级,而长度在毫米量级。技术的应用领域前景分析:本发明涉及一种新型的肖特基二极管,属于半导体器件制造技术领域。效益分析:本发明具有明显的社会效应和很大的经济效益。厂房条件建议:无备注:无
一种基于宏观尺度ZnO单晶材料的气体传感器
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
技术投资分析:本发明涉及一种基于宏观尺度ZnO单晶材料的气体传感器,属于传感器制造的技术领域。包括:基底、金属电极层、传感导电体和外接电路,其中传感导电体为宏观尺度ZnO单晶材料,通过热蒸发法大规模生产的宏观尺度ZnO单晶材料,该材料由直径为60~800nm的ZnO纳米杆自然生长而成,将其用银浆粘在金属电极层上。技术的应用领域前景分析:本发明的制备方法简单易行,重复性好,原料容易得到,制备成本低廉,非常适于用来制备大量的ZnO气体传感器,有望在工业安全等领域获得重要应用。效益分析:本技术市场应用范围广,成本低,利润高,效益可观。厂房条件建议:无备注:无
光电子单晶材料超光滑表面加工关键技术
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:采矿业
技术简介
技术投资分析:成果简介本项目采用化学机械超精密抛光方法,通过磨料微粒与工件加工面接触部分的化学反应以及抛光液的腐蚀作用在加工表面形成化学反应薄层,利用微粒的机械摩擦作用去除反应层,高效率获得钽酸锂单晶片超光滑抛光表面。本项目可根据被加工材料的特性,优选抛光液,获得提高抛光效率的化学反应层;并给出抛光盘转速、抛光压力、磨料粒度、抛光液PH值等主要抛光工艺参数的最优值,以实现高效率、高精度的晶片锯切和无损伤镜面抛光。技术的应用领域前景分析:本技术投资少,见效快,市场前景广,特别适合于中小企业生产。效益分析:本项目市场应用范围广,成本低,利润高,效益可观。厂房条件建议:无备注:无
一种单晶材料、及其制备方法和用途
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种单晶材料,所述单晶材料为铜掺杂硫化钽单晶,所述单晶材料为2H相。本发明单晶材料的制备方法,包括如下步骤:(1)将TaS2多晶、Cu粉和卤盐混合,得到前驱体;(2)将所述前驱体放入单晶炉中,熔融生长,制得单晶材料粗品。本发明采用在单晶炉中熔融生长的方式制备单晶材料,制得材料的成功率高,在单晶炉中熔融生长可有效的控制晶体的尺寸和形貌,生长周期缩短至十天以内,可工业化生产,且制得的单晶材料不易开裂。
找到12项技术成果数据。
找技术 >光电子单晶材料超光滑表面加工关键技术
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本项目采用化学机械超精密抛光方法,通过磨料微粒与工件加工面接触部分的化学反应以及抛光液的腐蚀作用在加工表面形成化学反应薄层,利用微粒的机械摩擦作用去除反应层,高效率获得钽酸锂单晶片超光滑抛光表面。本项目可根据被加工材料的特性,优选抛光液,获得提高抛光效率的化学反应层;并给出抛光盘转速、抛光压力、磨料粒度、抛光液PH值等主要抛光工艺参数的最优值,以实现高效率、高精度的晶片锯切和无损伤镜面抛光。
一种钙钛矿单晶材料与微晶硅复合材料结合的薄膜太阳电池及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明的钙钛矿单晶材料与微晶硅复合材料结合的薄膜太阳能电池涉及专门适用于将光能转换为电能的半导体器件。本发明由底部电极、N型氧化物半导体膜、钙钛矿单晶光吸收层、微晶硅空穴传输层以及顶部电极构成。所述的氧化物半导体薄膜是通过溅射获得的N型的氧化锌半导体薄膜,钙钛矿单晶光吸收层是钙钛矿结构的光吸收材料,空穴传输层是通过化学气相沉积获得的P型微晶硅复合材料,底部和顶部电极是通过热蒸镀获得的铝或银构成的膜,本发明将钙钛矿单晶作为光吸收材料,将P型微晶复合材料作为空穴传输层,获得了更稳定,更高效的太阳电池。
基于电感耦合等离子体的单晶材料抛光装置及抛光方法
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及单晶材料抛光技术领域,公开了一种基于电感耦合等离子体的单晶材料抛光装置及抛光方法。本发明的基于电感耦合等离子体的单晶材料抛光装置包括矩管,矩管包括第一发生管、设于第一发生管外的第二发生管以及设于第二发生管外的第三发生管;与第二发生管及第三发生管连通的惰性气体提供装置;与第一气体发生管连通的刻蚀气体提供装置;与矩管连通的电火花发生器;电感线圈,矩管的出口设于电感线圈内,其连接有射频电源。本发明的基于电感耦合等离子体的单晶材料抛光方法基于上述抛光装置。本发明的基于电感耦合等离子体体的单晶材料抛光装置及抛光方法具有去除速率快、不引入亚表面损伤、不需要磨浆、不需要后清洗的优点。
基于电感耦合等离子体的单晶材料抛光装置
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型涉及单晶材料抛光技术领域,公开了一种基于电感耦合等离子体的单晶材料抛光装置。本实用新型的基于电感耦合等离子体的单晶材料抛光装置包括矩管,矩管包括第一发生管、设于第一发生管外的第二发生管以及设于第二发生管外的第三发生管;与第二发生管及第三发生管连通的惰性气体提供装置;与第一发生管连通的刻蚀气体提供装置;与矩管连通的电火花发生器;电感线圈,矩管的出口设于电感线圈内,其连接有射频电源。本实用新型的基于电感耦合等离子体体的单晶材料抛光装置具有去除速率快、不引入亚表面损伤、不需要磨浆、不需要后清洗的优点。
一种碳化硅位错检测方法
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及单晶材料位错检测技术领域,公开了碳化硅位错检测方法。本发明提供一种碳化硅位错检测方法,包括如下步骤:S1,设置晶圆;S2,使用带有刻蚀气体的等离子体火炬扫描晶圆表面,对晶圆表面进行刻蚀;S3,对晶圆进行冷却处理;S4,观察晶圆表面刻蚀坑的数目,从而计算得到晶圆的位错密度。本发明的碳化硅位错检测方法,可以方便、快速地得到碳化硅表面刻蚀坑的数目信息,耗时短、危害性小、便于流水线工作。
高性能压电单晶及新型电声/电光产业链
成熟度:通过中试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本世纪初,高性能铁电压电单晶材料的发现是自上世纪五十年代发现压电陶瓷材料以来压电材料领域的激动人心的革命性突破,它将为新型的电声和电光器件及应用领域带来历史性的机遇。近 20 年来,本课题组在国防军工,国家自然科学基金,科技部及省科技厅的大力资助下,深入开展了这种单晶材料生长技术和相关器件研究,单晶材料现可以小批量生产和供应,开始试用,相关器件正在研制中,技术水平处于国际先进水平,部分学术成果获得国家自然科学二等奖和教育部自然科学一等奖,技术成熟度已达到 5-6 级。以这种单晶材料为基础。可研制出新型高性能声纳基阵,鱼雷声制导,超声治疗,超声探测(B 超,探伤),超声保健,红外探测,光电调制,光通信,量子保密通信和小型化机电系统(MEMS)等相关器件和电子信息系统。可以在我省形成新型电声/电光产业链,高新技术群和军民融合产业方向,填补我省在这类知识密集型产业结构的空白和缺失,这也是我省在这一领域难得的技术优势和机遇。
一种肖特基二极管
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
技术投资分析:本发明提供的肖特基二极管包括:衬底、银电极层和单根超长ZnO纳米杆单晶材料。其中,银电极层设置在衬底上,超长ZnO杆状单晶材料粘结在银电极层上,电极层相互之间隔离存有间隙。本发明的制备方法是可以在宏观条件下手工完成,简单易行,重复性好,原料容易得到,制备成本低廉。采用的单根超长ZnO纳米杆单晶材料是一种具有独特形貌特征的ZnO宏观化结构材料,它的直径在纳米量级,而长度在毫米量级。技术的应用领域前景分析:本发明涉及一种新型的肖特基二极管,属于半导体器件制造技术领域。效益分析:本发明具有明显的社会效应和很大的经济效益。厂房条件建议:无备注:无
一种基于宏观尺度ZnO单晶材料的气体传感器
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
技术投资分析:本发明涉及一种基于宏观尺度ZnO单晶材料的气体传感器,属于传感器制造的技术领域。包括:基底、金属电极层、传感导电体和外接电路,其中传感导电体为宏观尺度ZnO单晶材料,通过热蒸发法大规模生产的宏观尺度ZnO单晶材料,该材料由直径为60~800nm的ZnO纳米杆自然生长而成,将其用银浆粘在金属电极层上。技术的应用领域前景分析:本发明的制备方法简单易行,重复性好,原料容易得到,制备成本低廉,非常适于用来制备大量的ZnO气体传感器,有望在工业安全等领域获得重要应用。效益分析:本技术市场应用范围广,成本低,利润高,效益可观。厂房条件建议:无备注:无
光电子单晶材料超光滑表面加工关键技术
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:采矿业
技术简介
技术投资分析:成果简介本项目采用化学机械超精密抛光方法,通过磨料微粒与工件加工面接触部分的化学反应以及抛光液的腐蚀作用在加工表面形成化学反应薄层,利用微粒的机械摩擦作用去除反应层,高效率获得钽酸锂单晶片超光滑抛光表面。本项目可根据被加工材料的特性,优选抛光液,获得提高抛光效率的化学反应层;并给出抛光盘转速、抛光压力、磨料粒度、抛光液PH值等主要抛光工艺参数的最优值,以实现高效率、高精度的晶片锯切和无损伤镜面抛光。技术的应用领域前景分析:本技术投资少,见效快,市场前景广,特别适合于中小企业生产。效益分析:本项目市场应用范围广,成本低,利润高,效益可观。厂房条件建议:无备注:无
一种单晶材料、及其制备方法和用途
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种单晶材料,所述单晶材料为铜掺杂硫化钽单晶,所述单晶材料为2H相。本发明单晶材料的制备方法,包括如下步骤:(1)将TaS2多晶、Cu粉和卤盐混合,得到前驱体;(2)将所述前驱体放入单晶炉中,熔融生长,制得单晶材料粗品。本发明采用在单晶炉中熔融生长的方式制备单晶材料,制得材料的成功率高,在单晶炉中熔融生长可有效的控制晶体的尺寸和形貌,生长周期缩短至十天以内,可工业化生产,且制得的单晶材料不易开裂。
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找技术 >光电子单晶材料超光滑表面加工关键技术
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本项目采用化学机械超精密抛光方法,通过磨料微粒与工件加工面接触部分的化学反应以及抛光液的腐蚀作用在加工表面形成化学反应薄层,利用微粒的机械摩擦作用去除反应层,高效率获得钽酸锂单晶片超光滑抛光表面。本项目可根据被加工材料的特性,优选抛光液,获得提高抛光效率的化学反应层;并给出抛光盘转速、抛光压力、磨料粒度、抛光液PH值等主要抛光工艺参数的最优值,以实现高效率、高精度的晶片锯切和无损伤镜面抛光。
一种钙钛矿单晶材料与微晶硅复合材料结合的薄膜太阳电池及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明的钙钛矿单晶材料与微晶硅复合材料结合的薄膜太阳能电池涉及专门适用于将光能转换为电能的半导体器件。本发明由底部电极、N型氧化物半导体膜、钙钛矿单晶光吸收层、微晶硅空穴传输层以及顶部电极构成。所述的氧化物半导体薄膜是通过溅射获得的N型的氧化锌半导体薄膜,钙钛矿单晶光吸收层是钙钛矿结构的光吸收材料,空穴传输层是通过化学气相沉积获得的P型微晶硅复合材料,底部和顶部电极是通过热蒸镀获得的铝或银构成的膜,本发明将钙钛矿单晶作为光吸收材料,将P型微晶复合材料作为空穴传输层,获得了更稳定,更高效的太阳电池。
基于电感耦合等离子体的单晶材料抛光装置及抛光方法
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及单晶材料抛光技术领域,公开了一种基于电感耦合等离子体的单晶材料抛光装置及抛光方法。本发明的基于电感耦合等离子体的单晶材料抛光装置包括矩管,矩管包括第一发生管、设于第一发生管外的第二发生管以及设于第二发生管外的第三发生管;与第二发生管及第三发生管连通的惰性气体提供装置;与第一气体发生管连通的刻蚀气体提供装置;与矩管连通的电火花发生器;电感线圈,矩管的出口设于电感线圈内,其连接有射频电源。本发明的基于电感耦合等离子体的单晶材料抛光方法基于上述抛光装置。本发明的基于电感耦合等离子体体的单晶材料抛光装置及抛光方法具有去除速率快、不引入亚表面损伤、不需要磨浆、不需要后清洗的优点。
基于电感耦合等离子体的单晶材料抛光装置
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型涉及单晶材料抛光技术领域,公开了一种基于电感耦合等离子体的单晶材料抛光装置。本实用新型的基于电感耦合等离子体的单晶材料抛光装置包括矩管,矩管包括第一发生管、设于第一发生管外的第二发生管以及设于第二发生管外的第三发生管;与第二发生管及第三发生管连通的惰性气体提供装置;与第一发生管连通的刻蚀气体提供装置;与矩管连通的电火花发生器;电感线圈,矩管的出口设于电感线圈内,其连接有射频电源。本实用新型的基于电感耦合等离子体体的单晶材料抛光装置具有去除速率快、不引入亚表面损伤、不需要磨浆、不需要后清洗的优点。
一种碳化硅位错检测方法
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及单晶材料位错检测技术领域,公开了碳化硅位错检测方法。本发明提供一种碳化硅位错检测方法,包括如下步骤:S1,设置晶圆;S2,使用带有刻蚀气体的等离子体火炬扫描晶圆表面,对晶圆表面进行刻蚀;S3,对晶圆进行冷却处理;S4,观察晶圆表面刻蚀坑的数目,从而计算得到晶圆的位错密度。本发明的碳化硅位错检测方法,可以方便、快速地得到碳化硅表面刻蚀坑的数目信息,耗时短、危害性小、便于流水线工作。
高性能压电单晶及新型电声/电光产业链
成熟度:通过中试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本世纪初,高性能铁电压电单晶材料的发现是自上世纪五十年代发现压电陶瓷材料以来压电材料领域的激动人心的革命性突破,它将为新型的电声和电光器件及应用领域带来历史性的机遇。近 20 年来,本课题组在国防军工,国家自然科学基金,科技部及省科技厅的大力资助下,深入开展了这种单晶材料生长技术和相关器件研究,单晶材料现可以小批量生产和供应,开始试用,相关器件正在研制中,技术水平处于国际先进水平,部分学术成果获得国家自然科学二等奖和教育部自然科学一等奖,技术成熟度已达到 5-6 级。以这种单晶材料为基础。可研制出新型高性能声纳基阵,鱼雷声制导,超声治疗,超声探测(B 超,探伤),超声保健,红外探测,光电调制,光通信,量子保密通信和小型化机电系统(MEMS)等相关器件和电子信息系统。可以在我省形成新型电声/电光产业链,高新技术群和军民融合产业方向,填补我省在这类知识密集型产业结构的空白和缺失,这也是我省在这一领域难得的技术优势和机遇。
一种肖特基二极管
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
技术投资分析:本发明提供的肖特基二极管包括:衬底、银电极层和单根超长ZnO纳米杆单晶材料。其中,银电极层设置在衬底上,超长ZnO杆状单晶材料粘结在银电极层上,电极层相互之间隔离存有间隙。本发明的制备方法是可以在宏观条件下手工完成,简单易行,重复性好,原料容易得到,制备成本低廉。采用的单根超长ZnO纳米杆单晶材料是一种具有独特形貌特征的ZnO宏观化结构材料,它的直径在纳米量级,而长度在毫米量级。技术的应用领域前景分析:本发明涉及一种新型的肖特基二极管,属于半导体器件制造技术领域。效益分析:本发明具有明显的社会效应和很大的经济效益。厂房条件建议:无备注:无
一种基于宏观尺度ZnO单晶材料的气体传感器
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
技术投资分析:本发明涉及一种基于宏观尺度ZnO单晶材料的气体传感器,属于传感器制造的技术领域。包括:基底、金属电极层、传感导电体和外接电路,其中传感导电体为宏观尺度ZnO单晶材料,通过热蒸发法大规模生产的宏观尺度ZnO单晶材料,该材料由直径为60~800nm的ZnO纳米杆自然生长而成,将其用银浆粘在金属电极层上。技术的应用领域前景分析:本发明的制备方法简单易行,重复性好,原料容易得到,制备成本低廉,非常适于用来制备大量的ZnO气体传感器,有望在工业安全等领域获得重要应用。效益分析:本技术市场应用范围广,成本低,利润高,效益可观。厂房条件建议:无备注:无
光电子单晶材料超光滑表面加工关键技术
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:采矿业
技术简介
技术投资分析:成果简介本项目采用化学机械超精密抛光方法,通过磨料微粒与工件加工面接触部分的化学反应以及抛光液的腐蚀作用在加工表面形成化学反应薄层,利用微粒的机械摩擦作用去除反应层,高效率获得钽酸锂单晶片超光滑抛光表面。本项目可根据被加工材料的特性,优选抛光液,获得提高抛光效率的化学反应层;并给出抛光盘转速、抛光压力、磨料粒度、抛光液PH值等主要抛光工艺参数的最优值,以实现高效率、高精度的晶片锯切和无损伤镜面抛光。技术的应用领域前景分析:本技术投资少,见效快,市场前景广,特别适合于中小企业生产。效益分析:本项目市场应用范围广,成本低,利润高,效益可观。厂房条件建议:无备注:无
一种单晶材料、及其制备方法和用途
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种单晶材料,所述单晶材料为铜掺杂硫化钽单晶,所述单晶材料为2H相。本发明单晶材料的制备方法,包括如下步骤:(1)将TaS2多晶、Cu粉和卤盐混合,得到前驱体;(2)将所述前驱体放入单晶炉中,熔融生长,制得单晶材料粗品。本发明采用在单晶炉中熔融生长的方式制备单晶材料,制得材料的成功率高,在单晶炉中熔融生长可有效的控制晶体的尺寸和形貌,生长周期缩短至十天以内,可工业化生产,且制得的单晶材料不易开裂。