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找技术 >TDR-GY652型高压单晶炉
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
技术投资分析:主要内容:TDR—GY652型高压单晶炉室在惰性保护气体--氩气高压条件下,采用石墨电阻加热方式,将GaAs、InP等材料合成熔化,已LEC法从熔体中拉制大直径(4"~6") GaAs、InP单晶的专用设备。技术水平:TDR-GY652型高压单晶炉是目前国际上最大的GaAs、InP单晶制备设备,具有先进的上称重计算机自动控制直径功能、加热温度自动控制功能、各种安全自动保护功能,具备三段加热能力,可满足生长6" GaAs单晶的能力。综合性能达到了国际先进国内领先水平,具有自主的知识产权。主要技术参数:1.熔料量: 40kg2.晶体直径: 6"3.加热功率 120×55×35kW4.最高加热温度 1600℃5.主炉室尺寸 φ652×1000mm6.冷炉极限真空度 1Pa7.充气压力 10MPa技术的应用领域前景分析:市场前景:目前,国内市场上还没有具备生长6" GaAs单晶能力的高压单晶生长设备,TDR—GY652型高压单晶炉的开发成功填补了国内空白,满足了市场的需求。预计近几年市场需求量在200台左右。效益分析:本技术市场应用范围广,利润丰厚,效益十分可观。厂房条件建议:无备注:服务方式:出售产品、其它形式的合作面议。
TDR-70A(B)型单晶炉
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
技术投资分析:主要内容:TDR-70A型单晶炉是软轴提拉型人工晶体生长设备,是在惰性气体环境中以石墨电阻加热器将硅半导体材料熔化,用直拉法生长无位错硅单晶的设备,它可生产太阳能电池用的6″硅单晶和大规模集成电路所需要的高质量硅单晶。技术水平:该技术产品采用了磁流体密封技术、浮动式翻版隔离阀、拱形封头式炉盖结构、浮动式提升结构等先进技术,采用计算机自动控制直径系统 ,综合性能达到了国际先进国内领先水平,具有自主的知识产权。主要技术参数:熔料量: 60kg (18 "热系统);晶体直径: 6 " ---6.5 ";TDR—70A 圆筒副室(TDR—70B 开门副室);加热功率 120kW;最高加热温度 1600℃;冷炉极限真空度 1Pa;主炉室尺寸 Ф700×1000;翻版阀通径 Ф200mm。技术的应用领域前景分析:市场前景:目前,国内市场上在运行的TDR—70A型单晶炉已超过130台份,国内的市场占有率在85%以上,在硅单晶太阳能电池领域和大规模集成电路材料领域内发挥着重要作用。随着国际社会对太阳能光伏工业的日益重视,国际国内对太阳能硅单晶材料的需求量急剧扩大,已到了供不应求的地步。预计近几年市场需求量在100台左右。效益分析:本技术市场应用范围广,成本低,利润高,效益可观。厂房条件建议:无备注:服务方式:出售产品、其它形式的合作面议。
TDR-80A(B)型单晶炉
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
技术投资分析:主要内容:TDR—80A型单晶炉是软轴提拉型人工晶体生长设备,是在惰性气体环境中以石墨电阻加热器将硅半导体材料熔化,用直拉法生长无位错硅单晶的设备,它可生产太阳能电池用的6″硅单晶和大规模集成电路所需要的高质量硅单晶。技术水平:该技术产品采用了磁流体密封技术、浮动式翻版隔离阀(或旋盖式隔离阀)、拱形封头式炉盖结构、浮动式提升结构等先进技术,采用计算机自动控制直径系统 ,综合性能达到了国际先进国内领先水平,具有自主的知识产权。主要技术参数:??熔料量: 60kg (18 "热系统)??晶体直径: 8 "??TDR—80A 圆筒副室(TDR—80B 开门副室)??1.加热功率 160kW??2.最高加热温度 1600℃??11.冷炉极限真空度 1Pa??12.主炉室尺寸 Ф800×1000??14.翻版阀通径 Ф260mm技术的应用领域前景分析:市场前景:目前,国内市场上在运行的TDR—80A型单晶炉已超过60台份,国内的市场占有率在55%以上,在硅单晶太阳能电池领域和大规模集成电路材料领域内发挥着重要作用。随着国际社会对太阳能光伏工业的日益重视,国际国内对太阳能硅单晶材料的需求量急剧扩大,并向大直径方向发展,目前,市场对8 "硅单晶的需求量大增,已到了供不应求的地步。预计近几年市场需求量在200台左右。效益分析:本技术市场广泛,成本低,利润丰厚,效益可观。厂房条件建议:无备注:服务方式:出售产品、其它形式的合作面议。
12英寸单晶炉MCZ综合系统
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
国家“863”计划项目“超大规模集成电路配套材料重大专项”中的“TDR-150型单晶炉(12英寸MCZ综合系统)”课题在北京通过验收,这标志着拥有自主知识产权和核心技术的大尺寸集成电路与太阳能用单晶硅生长设备在我国首次研制成功。单晶炉是直拉法制备硅单晶的关键技术装备,所制备的硅单晶主要用于集成电路元件和太阳能电池。在我国,以单晶炉为代表的晶体生长设备一直存在核心技术不足的问题,高端产品均为国外公司所垄断,在很大程度上制约了我国超大规模集成电路和太阳能产业的发展。西安理工大学与北京有色金属研究院从2003年起承担“TDR-150型单晶炉(12英寸MCZ综合系统)”课题的研究和攻关任务。 课题组组织多学科技术骨干,形成稳定的攻关团队,坚持走自主创新、集成创新的道路,经过三年多的攻关,取得了一系列创新性成果和关键技术。所研制的样机由课题组自主攻关、设计和加工,关键部件和样机达到了较高的技术水平,已成功拉制出12英寸无位错合格单晶。通过项目的实施,课题组还建立了高端晶体生长设备的研发平台,达到了积累经验、获取成果,培养队伍的目的。 验收会上,专家们认为该成果的取得填补了国内空白,标志着我国超大规模集成电路和太阳能产业的关键技术装备的生产上了一个新的台阶,对我国超大规模集成电路及相关产业的发展具有重要的意义。
TDR-80A(B)型单晶炉
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
主要内容:TDR-80A型单晶炉是软轴提拉型人工晶体生长设备,是在惰性气体环境中以石墨电阻加热器将硅半导体材料熔化,用直拉法生长无位错硅单晶的设备,它可生产太阳能电池用的6″硅单晶和大规模集成电路所需要的高质量硅单晶。技术水平:该产品采用了磁流体密封技术、浮动式翻版隔离阀(或旋盖式隔离阀)、拱形封头式炉盖结构、浮动式提升结构等先进技术,采用计算机自动控制直径系统,综合性能达到了国际先进国内领先水平,具有自主的知识产权。主要技术参数:熔料量:60kg(18"热系统)晶体直径:8"TDR-80A圆筒副室(TDR-80B开门副室)1.加热功率160kW2.最高加热温度1600℃3.冷炉极限真空度1Pa4.主炉室尺寸Ф800×10005.翻版阀通径Ф260mm市场前景:目前,国内市场上在运行的TDR-80A型单晶炉已超过60台份,国内的市场占有率在55%以上,在硅单晶太阳能电池领域和大规模集成电路材料领域内发挥着重要作用。随着国际社会对太阳能光伏工业的日益重视,国际国内对太阳能硅单晶材料的需求量急剧扩大,并向大直径方向发展,目前,市场对8"硅单晶的需求量大增,已到了供不应求的地步。预计近几年市场需求量在200台左右。服务方式:出售产品、其它形式的合作面议
TDR-62CP型单晶炉
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
内容简介:TDR-62CP型单晶炉,是在惰性气体环境中,以石墨电阻加热器将硅材料熔化,用软轴直拉法生长无位错单晶的设备。它可以生长大规模集成电路所需要的高质量单晶。这种单晶炉能够使用12″的石英坩埚,投料20kg,拉制4″或5″的单晶,其最大裕度可允许使用14″的石英坩埚,投料30kg拉制6″的单晶。采用计算机控制等径生长晶体。该设备的主要性能指标如下:投料量:30kg晶体规格:5″籽晶炉内行程:2200mm最大功率:130kw使用范围及市场预测:该设备系发展大规模集成电路,生长半导体材料的关键设备。现主要依靠进口硅单片,若大部分或全部采用国产设备以年需15台是可行的。投产条件及效益分析:该设备系集机械、电器、仪表、涉及真空密封、高温等领域,故要求有较强的机加工能力和技术水平较高的机、电人员进行生产。现售价65万元/台,利润率10~15%左右。服务方式:生产定型产品并外售。
应用于直拉法生长高纯锗单晶的单晶炉
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
直拉法(CZ)又称丘克拉斯基法,是J.丘克拉斯基在1916年首创。优点是晶体被拉出液面不与器壁接触,不受容器限制,因此晶体中应力较小,同时又能防止器壁沾污或接触所可能引起的杂乱晶核而形成多晶体。 目前直拉法(CZ)锗单晶生长的工艺可分为以下几个阶段:1、熔料,将坩埚内的锗多晶料全部熔化;2、引晶,将籽晶经预热后放下,使之与锗熔体充分接触后,将籽晶向上提拉,控制炉内温度使锗熔体在籽晶上面结晶;3、缩颈,目的在于消除锗单晶生长过程中的热应力,减小晶体的位错密度;4、放肩:通过控制拉速与温度使锗晶体生长到所需直径的尺寸;5、等径:使锗单晶按所需直径保持圆柱形生长;6、收尾:将锗单晶直径逐渐缩小,最后呈圆锥形,以避免位错反向延伸。 直拉法是以定向的籽晶为生长晶核,因而可以得到有一定晶向生长的单晶体。直拉法制成的单晶体完整性较好,直径和长度都可以很大,生长速率也较高,要求所用坩埚必须由不污染熔体的材料制成。 由于13N超高纯锗单晶对于生产过程中环境条件要求严苛,器件污染,密封性差等问题,会导致生成的锗单晶质量降低,从而无法到达性质和纯度的要求。本项目开发的新型的直拉法13N超高纯锗单晶生长炉,将锗单晶炉石英管内封装的石墨加热器改装到石英管的外面,再配置相应的高频感应线圈,从而可避免原系统内的石墨加热器的污染。调整单晶炉内的密封装置,减少在单晶生长过程中因空气进入炉内而造成的锗单晶原料的氧化,以及空气中杂质的污染。 在探测器用13N超高纯锗单晶的生长过程中,很微小的颗粒污染都会对生长出的高纯锗单晶电学性能参数造成极大的影响,因此在单晶生长过程中必须尽可能的避免单晶生长环境中带来的污染源。原有的单晶炉设备中3石墨件和4石英保温圈均处于单晶生长的热场氛围中,在高温下生长锗单晶时,不可避免的会释放出细微颗粒对锗单晶生长环境产生污染从而影响到锗单晶的质量。本实用新型的优点在于通过改变2石英支撑件和7石英炉管的外形结构,把3石墨件和4石英保温圈移到7石英炉管的外部,从而隔离消除这两个部件所产生的污染源,进而提升超高纯锗单晶的质量水平。
氧化物晶体生长过程自动控制系统
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
技术投资分析:内容简介:该系统是氧化物晶体生长过程的自控设备,适合于用下称和上称法拉晶的单晶炉。该控制系统采用以单片微机为核心的数字控制技术,采用电子称测量晶体重量、热电偶测量加热温度,构成晶体生长量和温度双闭环控制系统,实现拉晶过程全自动控制。系统中设置有和晶体实际生长相适应的放肩、收肩及拉身理论模型。使用该系统生长出的晶体质量好、形状佳。该系统具有参数自动打印、通讯、运行参数实时显示和温度传感、称重传感故障报警等多种功能,是理想的晶体生长控制设备。该系统已通过工业实际运行,性能良好。技术的应用领域前景分析:使用范围及市场预测:用本系统可对传统的氧化物单晶炉进行技术改造,也可和新型氧化物单晶炉进行配套。随着氧化物晶体的需求量不断增加,该系统具有广阔的市场前景。效益分析:投产条件及效益分析:具有电控设备生产条件的厂家均可生产,效益十分可观。厂房条件建议:无备注:无
TDR一150型单晶炉项目
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
1.主要研究内容:研制出适应我国满足12″线宽0.13-0.09μm超大规模集成电路(vLsl)抛光片前工序提供生长硅单晶的电子专用设备。2.项目意义:直拉法单晶生长炉是单晶硅生产的重要装备,对于集成电路产业发展具有重大的意义。目前对于8英寸炉国内已经能够生产,但是自动化程度低,生产效率低,对于工艺过程的控制能力有限,且只能生产用于太阳能发电的单晶硅,无法生产用于集成电路的高质量单晶硅。美国KAYEX公司、德国的CGS公司已经开发出了技术比较成熟的12英寸单晶炉。但国外进口设备价格昂贵,关键技术对中国封锁。3.该项目的主要技术经济指标:晶体规格:12″(IC)熔硅量:150-250kg/产能:20t/年成品率:≥70%产业化目标:50台套/年,同时满足8″(Pv)产能2Mw/台年产值:1.95亿元年利润:3500万元节汇:2560万美元形成具有自主知识产权的大直径单晶生长设备,达到国际先进水平4.关键技术与创新点:a。采用新型传动元件,高精密度传动系统;b.CCD图像测控晶体直径,全自动等径控制系统;c.高密封性磁流体密封技术,炉室压升率高(压升率<1pa/h,极限真空度<1pa);d.大量程晶体称重及激光液面测距系统:e.高精度光纤液面测温系统;f..高精密度大功率加热控制系统;g.高精密度氩气质量流量控制和炉膛压力控制系统;h.拉晶全过程自动控制功能。
蓝宝石单晶炉
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
蓝宝石晶体是现代工业重要基础材料,为微电子、光电子、半导体、光通信、信息显示、精密机械、国防军事及国内外重大科学工程等众多热点领域技术发展提供支撑,尤其是为蓝(白)光LED照明产业提供了窗口材料。 单晶拉制技术是LED生产线三大技术之一,单晶炉是生产用于制备LED衬底材料的蓝宝石晶体的最理想设备。 项目属先进制造技术领域。中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司(以下简称沈阳科仪公司)攻克了晶体生长区温度控制技术、载气流量和气压稳定性控制技术、提拉旋转机构稳定性控制技术等三项关键技术难题,研制出了具有完全自主知识产权的蓝宝石单晶炉,并最终实现产品批量化生产和产业化应用。 项目的实施,形成了较强的LED关键核心设备成套能力和系统集成能力,大大提高了我国LED产业的核心竞争力,促进了我国大功率LED芯片制造业的飞速发展;满足了国内市场对大尺寸蓝宝石衬底材料的需求;同时加快了国家节能环保工程的推进,推动我国信息技术、材料制造技术及相关产业的发展,促进区域内加工、材料、工艺、自动控制、工业配套等相关配套产业发展。
找到24项技术成果数据。
找技术 >TDR-GY652型高压单晶炉
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
技术投资分析:主要内容:TDR—GY652型高压单晶炉室在惰性保护气体--氩气高压条件下,采用石墨电阻加热方式,将GaAs、InP等材料合成熔化,已LEC法从熔体中拉制大直径(4"~6") GaAs、InP单晶的专用设备。技术水平:TDR-GY652型高压单晶炉是目前国际上最大的GaAs、InP单晶制备设备,具有先进的上称重计算机自动控制直径功能、加热温度自动控制功能、各种安全自动保护功能,具备三段加热能力,可满足生长6" GaAs单晶的能力。综合性能达到了国际先进国内领先水平,具有自主的知识产权。主要技术参数:1.熔料量: 40kg2.晶体直径: 6"3.加热功率 120×55×35kW4.最高加热温度 1600℃5.主炉室尺寸 φ652×1000mm6.冷炉极限真空度 1Pa7.充气压力 10MPa技术的应用领域前景分析:市场前景:目前,国内市场上还没有具备生长6" GaAs单晶能力的高压单晶生长设备,TDR—GY652型高压单晶炉的开发成功填补了国内空白,满足了市场的需求。预计近几年市场需求量在200台左右。效益分析:本技术市场应用范围广,利润丰厚,效益十分可观。厂房条件建议:无备注:服务方式:出售产品、其它形式的合作面议。
TDR-70A(B)型单晶炉
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
技术投资分析:主要内容:TDR-70A型单晶炉是软轴提拉型人工晶体生长设备,是在惰性气体环境中以石墨电阻加热器将硅半导体材料熔化,用直拉法生长无位错硅单晶的设备,它可生产太阳能电池用的6″硅单晶和大规模集成电路所需要的高质量硅单晶。技术水平:该技术产品采用了磁流体密封技术、浮动式翻版隔离阀、拱形封头式炉盖结构、浮动式提升结构等先进技术,采用计算机自动控制直径系统 ,综合性能达到了国际先进国内领先水平,具有自主的知识产权。主要技术参数:熔料量: 60kg (18 "热系统);晶体直径: 6 " ---6.5 ";TDR—70A 圆筒副室(TDR—70B 开门副室);加热功率 120kW;最高加热温度 1600℃;冷炉极限真空度 1Pa;主炉室尺寸 Ф700×1000;翻版阀通径 Ф200mm。技术的应用领域前景分析:市场前景:目前,国内市场上在运行的TDR—70A型单晶炉已超过130台份,国内的市场占有率在85%以上,在硅单晶太阳能电池领域和大规模集成电路材料领域内发挥着重要作用。随着国际社会对太阳能光伏工业的日益重视,国际国内对太阳能硅单晶材料的需求量急剧扩大,已到了供不应求的地步。预计近几年市场需求量在100台左右。效益分析:本技术市场应用范围广,成本低,利润高,效益可观。厂房条件建议:无备注:服务方式:出售产品、其它形式的合作面议。
TDR-80A(B)型单晶炉
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
技术投资分析:主要内容:TDR—80A型单晶炉是软轴提拉型人工晶体生长设备,是在惰性气体环境中以石墨电阻加热器将硅半导体材料熔化,用直拉法生长无位错硅单晶的设备,它可生产太阳能电池用的6″硅单晶和大规模集成电路所需要的高质量硅单晶。技术水平:该技术产品采用了磁流体密封技术、浮动式翻版隔离阀(或旋盖式隔离阀)、拱形封头式炉盖结构、浮动式提升结构等先进技术,采用计算机自动控制直径系统 ,综合性能达到了国际先进国内领先水平,具有自主的知识产权。主要技术参数:??熔料量: 60kg (18 "热系统)??晶体直径: 8 "??TDR—80A 圆筒副室(TDR—80B 开门副室)??1.加热功率 160kW??2.最高加热温度 1600℃??11.冷炉极限真空度 1Pa??12.主炉室尺寸 Ф800×1000??14.翻版阀通径 Ф260mm技术的应用领域前景分析:市场前景:目前,国内市场上在运行的TDR—80A型单晶炉已超过60台份,国内的市场占有率在55%以上,在硅单晶太阳能电池领域和大规模集成电路材料领域内发挥着重要作用。随着国际社会对太阳能光伏工业的日益重视,国际国内对太阳能硅单晶材料的需求量急剧扩大,并向大直径方向发展,目前,市场对8 "硅单晶的需求量大增,已到了供不应求的地步。预计近几年市场需求量在200台左右。效益分析:本技术市场广泛,成本低,利润丰厚,效益可观。厂房条件建议:无备注:服务方式:出售产品、其它形式的合作面议。
12英寸单晶炉MCZ综合系统
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
国家“863”计划项目“超大规模集成电路配套材料重大专项”中的“TDR-150型单晶炉(12英寸MCZ综合系统)”课题在北京通过验收,这标志着拥有自主知识产权和核心技术的大尺寸集成电路与太阳能用单晶硅生长设备在我国首次研制成功。单晶炉是直拉法制备硅单晶的关键技术装备,所制备的硅单晶主要用于集成电路元件和太阳能电池。在我国,以单晶炉为代表的晶体生长设备一直存在核心技术不足的问题,高端产品均为国外公司所垄断,在很大程度上制约了我国超大规模集成电路和太阳能产业的发展。西安理工大学与北京有色金属研究院从2003年起承担“TDR-150型单晶炉(12英寸MCZ综合系统)”课题的研究和攻关任务。 课题组组织多学科技术骨干,形成稳定的攻关团队,坚持走自主创新、集成创新的道路,经过三年多的攻关,取得了一系列创新性成果和关键技术。所研制的样机由课题组自主攻关、设计和加工,关键部件和样机达到了较高的技术水平,已成功拉制出12英寸无位错合格单晶。通过项目的实施,课题组还建立了高端晶体生长设备的研发平台,达到了积累经验、获取成果,培养队伍的目的。 验收会上,专家们认为该成果的取得填补了国内空白,标志着我国超大规模集成电路和太阳能产业的关键技术装备的生产上了一个新的台阶,对我国超大规模集成电路及相关产业的发展具有重要的意义。
TDR-80A(B)型单晶炉
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
主要内容:TDR-80A型单晶炉是软轴提拉型人工晶体生长设备,是在惰性气体环境中以石墨电阻加热器将硅半导体材料熔化,用直拉法生长无位错硅单晶的设备,它可生产太阳能电池用的6″硅单晶和大规模集成电路所需要的高质量硅单晶。技术水平:该产品采用了磁流体密封技术、浮动式翻版隔离阀(或旋盖式隔离阀)、拱形封头式炉盖结构、浮动式提升结构等先进技术,采用计算机自动控制直径系统,综合性能达到了国际先进国内领先水平,具有自主的知识产权。主要技术参数:熔料量:60kg(18"热系统)晶体直径:8"TDR-80A圆筒副室(TDR-80B开门副室)1.加热功率160kW2.最高加热温度1600℃3.冷炉极限真空度1Pa4.主炉室尺寸Ф800×10005.翻版阀通径Ф260mm市场前景:目前,国内市场上在运行的TDR-80A型单晶炉已超过60台份,国内的市场占有率在55%以上,在硅单晶太阳能电池领域和大规模集成电路材料领域内发挥着重要作用。随着国际社会对太阳能光伏工业的日益重视,国际国内对太阳能硅单晶材料的需求量急剧扩大,并向大直径方向发展,目前,市场对8"硅单晶的需求量大增,已到了供不应求的地步。预计近几年市场需求量在200台左右。服务方式:出售产品、其它形式的合作面议
TDR-62CP型单晶炉
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
内容简介:TDR-62CP型单晶炉,是在惰性气体环境中,以石墨电阻加热器将硅材料熔化,用软轴直拉法生长无位错单晶的设备。它可以生长大规模集成电路所需要的高质量单晶。这种单晶炉能够使用12″的石英坩埚,投料20kg,拉制4″或5″的单晶,其最大裕度可允许使用14″的石英坩埚,投料30kg拉制6″的单晶。采用计算机控制等径生长晶体。该设备的主要性能指标如下:投料量:30kg晶体规格:5″籽晶炉内行程:2200mm最大功率:130kw使用范围及市场预测:该设备系发展大规模集成电路,生长半导体材料的关键设备。现主要依靠进口硅单片,若大部分或全部采用国产设备以年需15台是可行的。投产条件及效益分析:该设备系集机械、电器、仪表、涉及真空密封、高温等领域,故要求有较强的机加工能力和技术水平较高的机、电人员进行生产。现售价65万元/台,利润率10~15%左右。服务方式:生产定型产品并外售。
应用于直拉法生长高纯锗单晶的单晶炉
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
直拉法(CZ)又称丘克拉斯基法,是J.丘克拉斯基在1916年首创。优点是晶体被拉出液面不与器壁接触,不受容器限制,因此晶体中应力较小,同时又能防止器壁沾污或接触所可能引起的杂乱晶核而形成多晶体。 目前直拉法(CZ)锗单晶生长的工艺可分为以下几个阶段:1、熔料,将坩埚内的锗多晶料全部熔化;2、引晶,将籽晶经预热后放下,使之与锗熔体充分接触后,将籽晶向上提拉,控制炉内温度使锗熔体在籽晶上面结晶;3、缩颈,目的在于消除锗单晶生长过程中的热应力,减小晶体的位错密度;4、放肩:通过控制拉速与温度使锗晶体生长到所需直径的尺寸;5、等径:使锗单晶按所需直径保持圆柱形生长;6、收尾:将锗单晶直径逐渐缩小,最后呈圆锥形,以避免位错反向延伸。 直拉法是以定向的籽晶为生长晶核,因而可以得到有一定晶向生长的单晶体。直拉法制成的单晶体完整性较好,直径和长度都可以很大,生长速率也较高,要求所用坩埚必须由不污染熔体的材料制成。 由于13N超高纯锗单晶对于生产过程中环境条件要求严苛,器件污染,密封性差等问题,会导致生成的锗单晶质量降低,从而无法到达性质和纯度的要求。本项目开发的新型的直拉法13N超高纯锗单晶生长炉,将锗单晶炉石英管内封装的石墨加热器改装到石英管的外面,再配置相应的高频感应线圈,从而可避免原系统内的石墨加热器的污染。调整单晶炉内的密封装置,减少在单晶生长过程中因空气进入炉内而造成的锗单晶原料的氧化,以及空气中杂质的污染。 在探测器用13N超高纯锗单晶的生长过程中,很微小的颗粒污染都会对生长出的高纯锗单晶电学性能参数造成极大的影响,因此在单晶生长过程中必须尽可能的避免单晶生长环境中带来的污染源。原有的单晶炉设备中3石墨件和4石英保温圈均处于单晶生长的热场氛围中,在高温下生长锗单晶时,不可避免的会释放出细微颗粒对锗单晶生长环境产生污染从而影响到锗单晶的质量。本实用新型的优点在于通过改变2石英支撑件和7石英炉管的外形结构,把3石墨件和4石英保温圈移到7石英炉管的外部,从而隔离消除这两个部件所产生的污染源,进而提升超高纯锗单晶的质量水平。
氧化物晶体生长过程自动控制系统
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
技术投资分析:内容简介:该系统是氧化物晶体生长过程的自控设备,适合于用下称和上称法拉晶的单晶炉。该控制系统采用以单片微机为核心的数字控制技术,采用电子称测量晶体重量、热电偶测量加热温度,构成晶体生长量和温度双闭环控制系统,实现拉晶过程全自动控制。系统中设置有和晶体实际生长相适应的放肩、收肩及拉身理论模型。使用该系统生长出的晶体质量好、形状佳。该系统具有参数自动打印、通讯、运行参数实时显示和温度传感、称重传感故障报警等多种功能,是理想的晶体生长控制设备。该系统已通过工业实际运行,性能良好。技术的应用领域前景分析:使用范围及市场预测:用本系统可对传统的氧化物单晶炉进行技术改造,也可和新型氧化物单晶炉进行配套。随着氧化物晶体的需求量不断增加,该系统具有广阔的市场前景。效益分析:投产条件及效益分析:具有电控设备生产条件的厂家均可生产,效益十分可观。厂房条件建议:无备注:无
TDR一150型单晶炉项目
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
1.主要研究内容:研制出适应我国满足12″线宽0.13-0.09μm超大规模集成电路(vLsl)抛光片前工序提供生长硅单晶的电子专用设备。2.项目意义:直拉法单晶生长炉是单晶硅生产的重要装备,对于集成电路产业发展具有重大的意义。目前对于8英寸炉国内已经能够生产,但是自动化程度低,生产效率低,对于工艺过程的控制能力有限,且只能生产用于太阳能发电的单晶硅,无法生产用于集成电路的高质量单晶硅。美国KAYEX公司、德国的CGS公司已经开发出了技术比较成熟的12英寸单晶炉。但国外进口设备价格昂贵,关键技术对中国封锁。3.该项目的主要技术经济指标:晶体规格:12″(IC)熔硅量:150-250kg/产能:20t/年成品率:≥70%产业化目标:50台套/年,同时满足8″(Pv)产能2Mw/台年产值:1.95亿元年利润:3500万元节汇:2560万美元形成具有自主知识产权的大直径单晶生长设备,达到国际先进水平4.关键技术与创新点:a。采用新型传动元件,高精密度传动系统;b.CCD图像测控晶体直径,全自动等径控制系统;c.高密封性磁流体密封技术,炉室压升率高(压升率<1pa/h,极限真空度<1pa);d.大量程晶体称重及激光液面测距系统:e.高精度光纤液面测温系统;f..高精密度大功率加热控制系统;g.高精密度氩气质量流量控制和炉膛压力控制系统;h.拉晶全过程自动控制功能。
蓝宝石单晶炉
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
蓝宝石晶体是现代工业重要基础材料,为微电子、光电子、半导体、光通信、信息显示、精密机械、国防军事及国内外重大科学工程等众多热点领域技术发展提供支撑,尤其是为蓝(白)光LED照明产业提供了窗口材料。 单晶拉制技术是LED生产线三大技术之一,单晶炉是生产用于制备LED衬底材料的蓝宝石晶体的最理想设备。 项目属先进制造技术领域。中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司(以下简称沈阳科仪公司)攻克了晶体生长区温度控制技术、载气流量和气压稳定性控制技术、提拉旋转机构稳定性控制技术等三项关键技术难题,研制出了具有完全自主知识产权的蓝宝石单晶炉,并最终实现产品批量化生产和产业化应用。 项目的实施,形成了较强的LED关键核心设备成套能力和系统集成能力,大大提高了我国LED产业的核心竞争力,促进了我国大功率LED芯片制造业的飞速发展;满足了国内市场对大尺寸蓝宝石衬底材料的需求;同时加快了国家节能环保工程的推进,推动我国信息技术、材料制造技术及相关产业的发展,促进区域内加工、材料、工艺、自动控制、工业配套等相关配套产业发展。
找到24项技术成果数据。
找技术 >TDR-GY652型高压单晶炉
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
技术投资分析:主要内容:TDR—GY652型高压单晶炉室在惰性保护气体--氩气高压条件下,采用石墨电阻加热方式,将GaAs、InP等材料合成熔化,已LEC法从熔体中拉制大直径(4"~6") GaAs、InP单晶的专用设备。技术水平:TDR-GY652型高压单晶炉是目前国际上最大的GaAs、InP单晶制备设备,具有先进的上称重计算机自动控制直径功能、加热温度自动控制功能、各种安全自动保护功能,具备三段加热能力,可满足生长6" GaAs单晶的能力。综合性能达到了国际先进国内领先水平,具有自主的知识产权。主要技术参数:1.熔料量: 40kg2.晶体直径: 6"3.加热功率 120×55×35kW4.最高加热温度 1600℃5.主炉室尺寸 φ652×1000mm6.冷炉极限真空度 1Pa7.充气压力 10MPa技术的应用领域前景分析:市场前景:目前,国内市场上还没有具备生长6" GaAs单晶能力的高压单晶生长设备,TDR—GY652型高压单晶炉的开发成功填补了国内空白,满足了市场的需求。预计近几年市场需求量在200台左右。效益分析:本技术市场应用范围广,利润丰厚,效益十分可观。厂房条件建议:无备注:服务方式:出售产品、其它形式的合作面议。
TDR-70A(B)型单晶炉
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
技术投资分析:主要内容:TDR-70A型单晶炉是软轴提拉型人工晶体生长设备,是在惰性气体环境中以石墨电阻加热器将硅半导体材料熔化,用直拉法生长无位错硅单晶的设备,它可生产太阳能电池用的6″硅单晶和大规模集成电路所需要的高质量硅单晶。技术水平:该技术产品采用了磁流体密封技术、浮动式翻版隔离阀、拱形封头式炉盖结构、浮动式提升结构等先进技术,采用计算机自动控制直径系统 ,综合性能达到了国际先进国内领先水平,具有自主的知识产权。主要技术参数:熔料量: 60kg (18 "热系统);晶体直径: 6 " ---6.5 ";TDR—70A 圆筒副室(TDR—70B 开门副室);加热功率 120kW;最高加热温度 1600℃;冷炉极限真空度 1Pa;主炉室尺寸 Ф700×1000;翻版阀通径 Ф200mm。技术的应用领域前景分析:市场前景:目前,国内市场上在运行的TDR—70A型单晶炉已超过130台份,国内的市场占有率在85%以上,在硅单晶太阳能电池领域和大规模集成电路材料领域内发挥着重要作用。随着国际社会对太阳能光伏工业的日益重视,国际国内对太阳能硅单晶材料的需求量急剧扩大,已到了供不应求的地步。预计近几年市场需求量在100台左右。效益分析:本技术市场应用范围广,成本低,利润高,效益可观。厂房条件建议:无备注:服务方式:出售产品、其它形式的合作面议。
TDR-80A(B)型单晶炉
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
技术投资分析:主要内容:TDR—80A型单晶炉是软轴提拉型人工晶体生长设备,是在惰性气体环境中以石墨电阻加热器将硅半导体材料熔化,用直拉法生长无位错硅单晶的设备,它可生产太阳能电池用的6″硅单晶和大规模集成电路所需要的高质量硅单晶。技术水平:该技术产品采用了磁流体密封技术、浮动式翻版隔离阀(或旋盖式隔离阀)、拱形封头式炉盖结构、浮动式提升结构等先进技术,采用计算机自动控制直径系统 ,综合性能达到了国际先进国内领先水平,具有自主的知识产权。主要技术参数:??熔料量: 60kg (18 "热系统)??晶体直径: 8 "??TDR—80A 圆筒副室(TDR—80B 开门副室)??1.加热功率 160kW??2.最高加热温度 1600℃??11.冷炉极限真空度 1Pa??12.主炉室尺寸 Ф800×1000??14.翻版阀通径 Ф260mm技术的应用领域前景分析:市场前景:目前,国内市场上在运行的TDR—80A型单晶炉已超过60台份,国内的市场占有率在55%以上,在硅单晶太阳能电池领域和大规模集成电路材料领域内发挥着重要作用。随着国际社会对太阳能光伏工业的日益重视,国际国内对太阳能硅单晶材料的需求量急剧扩大,并向大直径方向发展,目前,市场对8 "硅单晶的需求量大增,已到了供不应求的地步。预计近几年市场需求量在200台左右。效益分析:本技术市场广泛,成本低,利润丰厚,效益可观。厂房条件建议:无备注:服务方式:出售产品、其它形式的合作面议。
12英寸单晶炉MCZ综合系统
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
国家“863”计划项目“超大规模集成电路配套材料重大专项”中的“TDR-150型单晶炉(12英寸MCZ综合系统)”课题在北京通过验收,这标志着拥有自主知识产权和核心技术的大尺寸集成电路与太阳能用单晶硅生长设备在我国首次研制成功。单晶炉是直拉法制备硅单晶的关键技术装备,所制备的硅单晶主要用于集成电路元件和太阳能电池。在我国,以单晶炉为代表的晶体生长设备一直存在核心技术不足的问题,高端产品均为国外公司所垄断,在很大程度上制约了我国超大规模集成电路和太阳能产业的发展。西安理工大学与北京有色金属研究院从2003年起承担“TDR-150型单晶炉(12英寸MCZ综合系统)”课题的研究和攻关任务。 课题组组织多学科技术骨干,形成稳定的攻关团队,坚持走自主创新、集成创新的道路,经过三年多的攻关,取得了一系列创新性成果和关键技术。所研制的样机由课题组自主攻关、设计和加工,关键部件和样机达到了较高的技术水平,已成功拉制出12英寸无位错合格单晶。通过项目的实施,课题组还建立了高端晶体生长设备的研发平台,达到了积累经验、获取成果,培养队伍的目的。 验收会上,专家们认为该成果的取得填补了国内空白,标志着我国超大规模集成电路和太阳能产业的关键技术装备的生产上了一个新的台阶,对我国超大规模集成电路及相关产业的发展具有重要的意义。
TDR-80A(B)型单晶炉
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
主要内容:TDR-80A型单晶炉是软轴提拉型人工晶体生长设备,是在惰性气体环境中以石墨电阻加热器将硅半导体材料熔化,用直拉法生长无位错硅单晶的设备,它可生产太阳能电池用的6″硅单晶和大规模集成电路所需要的高质量硅单晶。技术水平:该产品采用了磁流体密封技术、浮动式翻版隔离阀(或旋盖式隔离阀)、拱形封头式炉盖结构、浮动式提升结构等先进技术,采用计算机自动控制直径系统,综合性能达到了国际先进国内领先水平,具有自主的知识产权。主要技术参数:熔料量:60kg(18"热系统)晶体直径:8"TDR-80A圆筒副室(TDR-80B开门副室)1.加热功率160kW2.最高加热温度1600℃3.冷炉极限真空度1Pa4.主炉室尺寸Ф800×10005.翻版阀通径Ф260mm市场前景:目前,国内市场上在运行的TDR-80A型单晶炉已超过60台份,国内的市场占有率在55%以上,在硅单晶太阳能电池领域和大规模集成电路材料领域内发挥着重要作用。随着国际社会对太阳能光伏工业的日益重视,国际国内对太阳能硅单晶材料的需求量急剧扩大,并向大直径方向发展,目前,市场对8"硅单晶的需求量大增,已到了供不应求的地步。预计近几年市场需求量在200台左右。服务方式:出售产品、其它形式的合作面议
TDR-62CP型单晶炉
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
内容简介:TDR-62CP型单晶炉,是在惰性气体环境中,以石墨电阻加热器将硅材料熔化,用软轴直拉法生长无位错单晶的设备。它可以生长大规模集成电路所需要的高质量单晶。这种单晶炉能够使用12″的石英坩埚,投料20kg,拉制4″或5″的单晶,其最大裕度可允许使用14″的石英坩埚,投料30kg拉制6″的单晶。采用计算机控制等径生长晶体。该设备的主要性能指标如下:投料量:30kg晶体规格:5″籽晶炉内行程:2200mm最大功率:130kw使用范围及市场预测:该设备系发展大规模集成电路,生长半导体材料的关键设备。现主要依靠进口硅单片,若大部分或全部采用国产设备以年需15台是可行的。投产条件及效益分析:该设备系集机械、电器、仪表、涉及真空密封、高温等领域,故要求有较强的机加工能力和技术水平较高的机、电人员进行生产。现售价65万元/台,利润率10~15%左右。服务方式:生产定型产品并外售。
应用于直拉法生长高纯锗单晶的单晶炉
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
直拉法(CZ)又称丘克拉斯基法,是J.丘克拉斯基在1916年首创。优点是晶体被拉出液面不与器壁接触,不受容器限制,因此晶体中应力较小,同时又能防止器壁沾污或接触所可能引起的杂乱晶核而形成多晶体。 目前直拉法(CZ)锗单晶生长的工艺可分为以下几个阶段:1、熔料,将坩埚内的锗多晶料全部熔化;2、引晶,将籽晶经预热后放下,使之与锗熔体充分接触后,将籽晶向上提拉,控制炉内温度使锗熔体在籽晶上面结晶;3、缩颈,目的在于消除锗单晶生长过程中的热应力,减小晶体的位错密度;4、放肩:通过控制拉速与温度使锗晶体生长到所需直径的尺寸;5、等径:使锗单晶按所需直径保持圆柱形生长;6、收尾:将锗单晶直径逐渐缩小,最后呈圆锥形,以避免位错反向延伸。 直拉法是以定向的籽晶为生长晶核,因而可以得到有一定晶向生长的单晶体。直拉法制成的单晶体完整性较好,直径和长度都可以很大,生长速率也较高,要求所用坩埚必须由不污染熔体的材料制成。 由于13N超高纯锗单晶对于生产过程中环境条件要求严苛,器件污染,密封性差等问题,会导致生成的锗单晶质量降低,从而无法到达性质和纯度的要求。本项目开发的新型的直拉法13N超高纯锗单晶生长炉,将锗单晶炉石英管内封装的石墨加热器改装到石英管的外面,再配置相应的高频感应线圈,从而可避免原系统内的石墨加热器的污染。调整单晶炉内的密封装置,减少在单晶生长过程中因空气进入炉内而造成的锗单晶原料的氧化,以及空气中杂质的污染。 在探测器用13N超高纯锗单晶的生长过程中,很微小的颗粒污染都会对生长出的高纯锗单晶电学性能参数造成极大的影响,因此在单晶生长过程中必须尽可能的避免单晶生长环境中带来的污染源。原有的单晶炉设备中3石墨件和4石英保温圈均处于单晶生长的热场氛围中,在高温下生长锗单晶时,不可避免的会释放出细微颗粒对锗单晶生长环境产生污染从而影响到锗单晶的质量。本实用新型的优点在于通过改变2石英支撑件和7石英炉管的外形结构,把3石墨件和4石英保温圈移到7石英炉管的外部,从而隔离消除这两个部件所产生的污染源,进而提升超高纯锗单晶的质量水平。
氧化物晶体生长过程自动控制系统
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
技术投资分析:内容简介:该系统是氧化物晶体生长过程的自控设备,适合于用下称和上称法拉晶的单晶炉。该控制系统采用以单片微机为核心的数字控制技术,采用电子称测量晶体重量、热电偶测量加热温度,构成晶体生长量和温度双闭环控制系统,实现拉晶过程全自动控制。系统中设置有和晶体实际生长相适应的放肩、收肩及拉身理论模型。使用该系统生长出的晶体质量好、形状佳。该系统具有参数自动打印、通讯、运行参数实时显示和温度传感、称重传感故障报警等多种功能,是理想的晶体生长控制设备。该系统已通过工业实际运行,性能良好。技术的应用领域前景分析:使用范围及市场预测:用本系统可对传统的氧化物单晶炉进行技术改造,也可和新型氧化物单晶炉进行配套。随着氧化物晶体的需求量不断增加,该系统具有广阔的市场前景。效益分析:投产条件及效益分析:具有电控设备生产条件的厂家均可生产,效益十分可观。厂房条件建议:无备注:无
TDR一150型单晶炉项目
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
1.主要研究内容:研制出适应我国满足12″线宽0.13-0.09μm超大规模集成电路(vLsl)抛光片前工序提供生长硅单晶的电子专用设备。2.项目意义:直拉法单晶生长炉是单晶硅生产的重要装备,对于集成电路产业发展具有重大的意义。目前对于8英寸炉国内已经能够生产,但是自动化程度低,生产效率低,对于工艺过程的控制能力有限,且只能生产用于太阳能发电的单晶硅,无法生产用于集成电路的高质量单晶硅。美国KAYEX公司、德国的CGS公司已经开发出了技术比较成熟的12英寸单晶炉。但国外进口设备价格昂贵,关键技术对中国封锁。3.该项目的主要技术经济指标:晶体规格:12″(IC)熔硅量:150-250kg/产能:20t/年成品率:≥70%产业化目标:50台套/年,同时满足8″(Pv)产能2Mw/台年产值:1.95亿元年利润:3500万元节汇:2560万美元形成具有自主知识产权的大直径单晶生长设备,达到国际先进水平4.关键技术与创新点:a。采用新型传动元件,高精密度传动系统;b.CCD图像测控晶体直径,全自动等径控制系统;c.高密封性磁流体密封技术,炉室压升率高(压升率<1pa/h,极限真空度<1pa);d.大量程晶体称重及激光液面测距系统:e.高精度光纤液面测温系统;f..高精密度大功率加热控制系统;g.高精密度氩气质量流量控制和炉膛压力控制系统;h.拉晶全过程自动控制功能。
蓝宝石单晶炉
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
蓝宝石晶体是现代工业重要基础材料,为微电子、光电子、半导体、光通信、信息显示、精密机械、国防军事及国内外重大科学工程等众多热点领域技术发展提供支撑,尤其是为蓝(白)光LED照明产业提供了窗口材料。 单晶拉制技术是LED生产线三大技术之一,单晶炉是生产用于制备LED衬底材料的蓝宝石晶体的最理想设备。 项目属先进制造技术领域。中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司(以下简称沈阳科仪公司)攻克了晶体生长区温度控制技术、载气流量和气压稳定性控制技术、提拉旋转机构稳定性控制技术等三项关键技术难题,研制出了具有完全自主知识产权的蓝宝石单晶炉,并最终实现产品批量化生产和产业化应用。 项目的实施,形成了较强的LED关键核心设备成套能力和系统集成能力,大大提高了我国LED产业的核心竞争力,促进了我国大功率LED芯片制造业的飞速发展;满足了国内市场对大尺寸蓝宝石衬底材料的需求;同时加快了国家节能环保工程的推进,推动我国信息技术、材料制造技术及相关产业的发展,促进区域内加工、材料、工艺、自动控制、工业配套等相关配套产业发展。
找到24项技术成果数据。
找技术 >TDR-GY652型高压单晶炉
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
技术投资分析:主要内容:TDR—GY652型高压单晶炉室在惰性保护气体--氩气高压条件下,采用石墨电阻加热方式,将GaAs、InP等材料合成熔化,已LEC法从熔体中拉制大直径(4"~6") GaAs、InP单晶的专用设备。技术水平:TDR-GY652型高压单晶炉是目前国际上最大的GaAs、InP单晶制备设备,具有先进的上称重计算机自动控制直径功能、加热温度自动控制功能、各种安全自动保护功能,具备三段加热能力,可满足生长6" GaAs单晶的能力。综合性能达到了国际先进国内领先水平,具有自主的知识产权。主要技术参数:1.熔料量: 40kg2.晶体直径: 6"3.加热功率 120×55×35kW4.最高加热温度 1600℃5.主炉室尺寸 φ652×1000mm6.冷炉极限真空度 1Pa7.充气压力 10MPa技术的应用领域前景分析:市场前景:目前,国内市场上还没有具备生长6" GaAs单晶能力的高压单晶生长设备,TDR—GY652型高压单晶炉的开发成功填补了国内空白,满足了市场的需求。预计近几年市场需求量在200台左右。效益分析:本技术市场应用范围广,利润丰厚,效益十分可观。厂房条件建议:无备注:服务方式:出售产品、其它形式的合作面议。
TDR-70A(B)型单晶炉
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
技术投资分析:主要内容:TDR-70A型单晶炉是软轴提拉型人工晶体生长设备,是在惰性气体环境中以石墨电阻加热器将硅半导体材料熔化,用直拉法生长无位错硅单晶的设备,它可生产太阳能电池用的6″硅单晶和大规模集成电路所需要的高质量硅单晶。技术水平:该技术产品采用了磁流体密封技术、浮动式翻版隔离阀、拱形封头式炉盖结构、浮动式提升结构等先进技术,采用计算机自动控制直径系统 ,综合性能达到了国际先进国内领先水平,具有自主的知识产权。主要技术参数:熔料量: 60kg (18 "热系统);晶体直径: 6 " ---6.5 ";TDR—70A 圆筒副室(TDR—70B 开门副室);加热功率 120kW;最高加热温度 1600℃;冷炉极限真空度 1Pa;主炉室尺寸 Ф700×1000;翻版阀通径 Ф200mm。技术的应用领域前景分析:市场前景:目前,国内市场上在运行的TDR—70A型单晶炉已超过130台份,国内的市场占有率在85%以上,在硅单晶太阳能电池领域和大规模集成电路材料领域内发挥着重要作用。随着国际社会对太阳能光伏工业的日益重视,国际国内对太阳能硅单晶材料的需求量急剧扩大,已到了供不应求的地步。预计近几年市场需求量在100台左右。效益分析:本技术市场应用范围广,成本低,利润高,效益可观。厂房条件建议:无备注:服务方式:出售产品、其它形式的合作面议。
TDR-80A(B)型单晶炉
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
技术投资分析:主要内容:TDR—80A型单晶炉是软轴提拉型人工晶体生长设备,是在惰性气体环境中以石墨电阻加热器将硅半导体材料熔化,用直拉法生长无位错硅单晶的设备,它可生产太阳能电池用的6″硅单晶和大规模集成电路所需要的高质量硅单晶。技术水平:该技术产品采用了磁流体密封技术、浮动式翻版隔离阀(或旋盖式隔离阀)、拱形封头式炉盖结构、浮动式提升结构等先进技术,采用计算机自动控制直径系统 ,综合性能达到了国际先进国内领先水平,具有自主的知识产权。主要技术参数:??熔料量: 60kg (18 "热系统)??晶体直径: 8 "??TDR—80A 圆筒副室(TDR—80B 开门副室)??1.加热功率 160kW??2.最高加热温度 1600℃??11.冷炉极限真空度 1Pa??12.主炉室尺寸 Ф800×1000??14.翻版阀通径 Ф260mm技术的应用领域前景分析:市场前景:目前,国内市场上在运行的TDR—80A型单晶炉已超过60台份,国内的市场占有率在55%以上,在硅单晶太阳能电池领域和大规模集成电路材料领域内发挥着重要作用。随着国际社会对太阳能光伏工业的日益重视,国际国内对太阳能硅单晶材料的需求量急剧扩大,并向大直径方向发展,目前,市场对8 "硅单晶的需求量大增,已到了供不应求的地步。预计近几年市场需求量在200台左右。效益分析:本技术市场广泛,成本低,利润丰厚,效益可观。厂房条件建议:无备注:服务方式:出售产品、其它形式的合作面议。
12英寸单晶炉MCZ综合系统
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
国家“863”计划项目“超大规模集成电路配套材料重大专项”中的“TDR-150型单晶炉(12英寸MCZ综合系统)”课题在北京通过验收,这标志着拥有自主知识产权和核心技术的大尺寸集成电路与太阳能用单晶硅生长设备在我国首次研制成功。单晶炉是直拉法制备硅单晶的关键技术装备,所制备的硅单晶主要用于集成电路元件和太阳能电池。在我国,以单晶炉为代表的晶体生长设备一直存在核心技术不足的问题,高端产品均为国外公司所垄断,在很大程度上制约了我国超大规模集成电路和太阳能产业的发展。西安理工大学与北京有色金属研究院从2003年起承担“TDR-150型单晶炉(12英寸MCZ综合系统)”课题的研究和攻关任务。 课题组组织多学科技术骨干,形成稳定的攻关团队,坚持走自主创新、集成创新的道路,经过三年多的攻关,取得了一系列创新性成果和关键技术。所研制的样机由课题组自主攻关、设计和加工,关键部件和样机达到了较高的技术水平,已成功拉制出12英寸无位错合格单晶。通过项目的实施,课题组还建立了高端晶体生长设备的研发平台,达到了积累经验、获取成果,培养队伍的目的。 验收会上,专家们认为该成果的取得填补了国内空白,标志着我国超大规模集成电路和太阳能产业的关键技术装备的生产上了一个新的台阶,对我国超大规模集成电路及相关产业的发展具有重要的意义。
TDR-80A(B)型单晶炉
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
主要内容:TDR-80A型单晶炉是软轴提拉型人工晶体生长设备,是在惰性气体环境中以石墨电阻加热器将硅半导体材料熔化,用直拉法生长无位错硅单晶的设备,它可生产太阳能电池用的6″硅单晶和大规模集成电路所需要的高质量硅单晶。技术水平:该产品采用了磁流体密封技术、浮动式翻版隔离阀(或旋盖式隔离阀)、拱形封头式炉盖结构、浮动式提升结构等先进技术,采用计算机自动控制直径系统,综合性能达到了国际先进国内领先水平,具有自主的知识产权。主要技术参数:熔料量:60kg(18"热系统)晶体直径:8"TDR-80A圆筒副室(TDR-80B开门副室)1.加热功率160kW2.最高加热温度1600℃3.冷炉极限真空度1Pa4.主炉室尺寸Ф800×10005.翻版阀通径Ф260mm市场前景:目前,国内市场上在运行的TDR-80A型单晶炉已超过60台份,国内的市场占有率在55%以上,在硅单晶太阳能电池领域和大规模集成电路材料领域内发挥着重要作用。随着国际社会对太阳能光伏工业的日益重视,国际国内对太阳能硅单晶材料的需求量急剧扩大,并向大直径方向发展,目前,市场对8"硅单晶的需求量大增,已到了供不应求的地步。预计近几年市场需求量在200台左右。服务方式:出售产品、其它形式的合作面议
TDR-62CP型单晶炉
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
内容简介:TDR-62CP型单晶炉,是在惰性气体环境中,以石墨电阻加热器将硅材料熔化,用软轴直拉法生长无位错单晶的设备。它可以生长大规模集成电路所需要的高质量单晶。这种单晶炉能够使用12″的石英坩埚,投料20kg,拉制4″或5″的单晶,其最大裕度可允许使用14″的石英坩埚,投料30kg拉制6″的单晶。采用计算机控制等径生长晶体。该设备的主要性能指标如下:投料量:30kg晶体规格:5″籽晶炉内行程:2200mm最大功率:130kw使用范围及市场预测:该设备系发展大规模集成电路,生长半导体材料的关键设备。现主要依靠进口硅单片,若大部分或全部采用国产设备以年需15台是可行的。投产条件及效益分析:该设备系集机械、电器、仪表、涉及真空密封、高温等领域,故要求有较强的机加工能力和技术水平较高的机、电人员进行生产。现售价65万元/台,利润率10~15%左右。服务方式:生产定型产品并外售。
应用于直拉法生长高纯锗单晶的单晶炉
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
直拉法(CZ)又称丘克拉斯基法,是J.丘克拉斯基在1916年首创。优点是晶体被拉出液面不与器壁接触,不受容器限制,因此晶体中应力较小,同时又能防止器壁沾污或接触所可能引起的杂乱晶核而形成多晶体。 目前直拉法(CZ)锗单晶生长的工艺可分为以下几个阶段:1、熔料,将坩埚内的锗多晶料全部熔化;2、引晶,将籽晶经预热后放下,使之与锗熔体充分接触后,将籽晶向上提拉,控制炉内温度使锗熔体在籽晶上面结晶;3、缩颈,目的在于消除锗单晶生长过程中的热应力,减小晶体的位错密度;4、放肩:通过控制拉速与温度使锗晶体生长到所需直径的尺寸;5、等径:使锗单晶按所需直径保持圆柱形生长;6、收尾:将锗单晶直径逐渐缩小,最后呈圆锥形,以避免位错反向延伸。 直拉法是以定向的籽晶为生长晶核,因而可以得到有一定晶向生长的单晶体。直拉法制成的单晶体完整性较好,直径和长度都可以很大,生长速率也较高,要求所用坩埚必须由不污染熔体的材料制成。 由于13N超高纯锗单晶对于生产过程中环境条件要求严苛,器件污染,密封性差等问题,会导致生成的锗单晶质量降低,从而无法到达性质和纯度的要求。本项目开发的新型的直拉法13N超高纯锗单晶生长炉,将锗单晶炉石英管内封装的石墨加热器改装到石英管的外面,再配置相应的高频感应线圈,从而可避免原系统内的石墨加热器的污染。调整单晶炉内的密封装置,减少在单晶生长过程中因空气进入炉内而造成的锗单晶原料的氧化,以及空气中杂质的污染。 在探测器用13N超高纯锗单晶的生长过程中,很微小的颗粒污染都会对生长出的高纯锗单晶电学性能参数造成极大的影响,因此在单晶生长过程中必须尽可能的避免单晶生长环境中带来的污染源。原有的单晶炉设备中3石墨件和4石英保温圈均处于单晶生长的热场氛围中,在高温下生长锗单晶时,不可避免的会释放出细微颗粒对锗单晶生长环境产生污染从而影响到锗单晶的质量。本实用新型的优点在于通过改变2石英支撑件和7石英炉管的外形结构,把3石墨件和4石英保温圈移到7石英炉管的外部,从而隔离消除这两个部件所产生的污染源,进而提升超高纯锗单晶的质量水平。
氧化物晶体生长过程自动控制系统
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
技术投资分析:内容简介:该系统是氧化物晶体生长过程的自控设备,适合于用下称和上称法拉晶的单晶炉。该控制系统采用以单片微机为核心的数字控制技术,采用电子称测量晶体重量、热电偶测量加热温度,构成晶体生长量和温度双闭环控制系统,实现拉晶过程全自动控制。系统中设置有和晶体实际生长相适应的放肩、收肩及拉身理论模型。使用该系统生长出的晶体质量好、形状佳。该系统具有参数自动打印、通讯、运行参数实时显示和温度传感、称重传感故障报警等多种功能,是理想的晶体生长控制设备。该系统已通过工业实际运行,性能良好。技术的应用领域前景分析:使用范围及市场预测:用本系统可对传统的氧化物单晶炉进行技术改造,也可和新型氧化物单晶炉进行配套。随着氧化物晶体的需求量不断增加,该系统具有广阔的市场前景。效益分析:投产条件及效益分析:具有电控设备生产条件的厂家均可生产,效益十分可观。厂房条件建议:无备注:无
TDR一150型单晶炉项目
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
1.主要研究内容:研制出适应我国满足12″线宽0.13-0.09μm超大规模集成电路(vLsl)抛光片前工序提供生长硅单晶的电子专用设备。2.项目意义:直拉法单晶生长炉是单晶硅生产的重要装备,对于集成电路产业发展具有重大的意义。目前对于8英寸炉国内已经能够生产,但是自动化程度低,生产效率低,对于工艺过程的控制能力有限,且只能生产用于太阳能发电的单晶硅,无法生产用于集成电路的高质量单晶硅。美国KAYEX公司、德国的CGS公司已经开发出了技术比较成熟的12英寸单晶炉。但国外进口设备价格昂贵,关键技术对中国封锁。3.该项目的主要技术经济指标:晶体规格:12″(IC)熔硅量:150-250kg/产能:20t/年成品率:≥70%产业化目标:50台套/年,同时满足8″(Pv)产能2Mw/台年产值:1.95亿元年利润:3500万元节汇:2560万美元形成具有自主知识产权的大直径单晶生长设备,达到国际先进水平4.关键技术与创新点:a。采用新型传动元件,高精密度传动系统;b.CCD图像测控晶体直径,全自动等径控制系统;c.高密封性磁流体密封技术,炉室压升率高(压升率<1pa/h,极限真空度<1pa);d.大量程晶体称重及激光液面测距系统:e.高精度光纤液面测温系统;f..高精密度大功率加热控制系统;g.高精密度氩气质量流量控制和炉膛压力控制系统;h.拉晶全过程自动控制功能。
蓝宝石单晶炉
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
蓝宝石晶体是现代工业重要基础材料,为微电子、光电子、半导体、光通信、信息显示、精密机械、国防军事及国内外重大科学工程等众多热点领域技术发展提供支撑,尤其是为蓝(白)光LED照明产业提供了窗口材料。 单晶拉制技术是LED生产线三大技术之一,单晶炉是生产用于制备LED衬底材料的蓝宝石晶体的最理想设备。 项目属先进制造技术领域。中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司(以下简称沈阳科仪公司)攻克了晶体生长区温度控制技术、载气流量和气压稳定性控制技术、提拉旋转机构稳定性控制技术等三项关键技术难题,研制出了具有完全自主知识产权的蓝宝石单晶炉,并最终实现产品批量化生产和产业化应用。 项目的实施,形成了较强的LED关键核心设备成套能力和系统集成能力,大大提高了我国LED产业的核心竞争力,促进了我国大功率LED芯片制造业的飞速发展;满足了国内市场对大尺寸蓝宝石衬底材料的需求;同时加快了国家节能环保工程的推进,推动我国信息技术、材料制造技术及相关产业的发展,促进区域内加工、材料、工艺、自动控制、工业配套等相关配套产业发展。
找到24项技术成果数据。
找技术 >TDR-GY652型高压单晶炉
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
技术投资分析:主要内容:TDR—GY652型高压单晶炉室在惰性保护气体--氩气高压条件下,采用石墨电阻加热方式,将GaAs、InP等材料合成熔化,已LEC法从熔体中拉制大直径(4"~6") GaAs、InP单晶的专用设备。技术水平:TDR-GY652型高压单晶炉是目前国际上最大的GaAs、InP单晶制备设备,具有先进的上称重计算机自动控制直径功能、加热温度自动控制功能、各种安全自动保护功能,具备三段加热能力,可满足生长6" GaAs单晶的能力。综合性能达到了国际先进国内领先水平,具有自主的知识产权。主要技术参数:1.熔料量: 40kg2.晶体直径: 6"3.加热功率 120×55×35kW4.最高加热温度 1600℃5.主炉室尺寸 φ652×1000mm6.冷炉极限真空度 1Pa7.充气压力 10MPa技术的应用领域前景分析:市场前景:目前,国内市场上还没有具备生长6" GaAs单晶能力的高压单晶生长设备,TDR—GY652型高压单晶炉的开发成功填补了国内空白,满足了市场的需求。预计近几年市场需求量在200台左右。效益分析:本技术市场应用范围广,利润丰厚,效益十分可观。厂房条件建议:无备注:服务方式:出售产品、其它形式的合作面议。
TDR-70A(B)型单晶炉
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
技术投资分析:主要内容:TDR-70A型单晶炉是软轴提拉型人工晶体生长设备,是在惰性气体环境中以石墨电阻加热器将硅半导体材料熔化,用直拉法生长无位错硅单晶的设备,它可生产太阳能电池用的6″硅单晶和大规模集成电路所需要的高质量硅单晶。技术水平:该技术产品采用了磁流体密封技术、浮动式翻版隔离阀、拱形封头式炉盖结构、浮动式提升结构等先进技术,采用计算机自动控制直径系统 ,综合性能达到了国际先进国内领先水平,具有自主的知识产权。主要技术参数:熔料量: 60kg (18 "热系统);晶体直径: 6 " ---6.5 ";TDR—70A 圆筒副室(TDR—70B 开门副室);加热功率 120kW;最高加热温度 1600℃;冷炉极限真空度 1Pa;主炉室尺寸 Ф700×1000;翻版阀通径 Ф200mm。技术的应用领域前景分析:市场前景:目前,国内市场上在运行的TDR—70A型单晶炉已超过130台份,国内的市场占有率在85%以上,在硅单晶太阳能电池领域和大规模集成电路材料领域内发挥着重要作用。随着国际社会对太阳能光伏工业的日益重视,国际国内对太阳能硅单晶材料的需求量急剧扩大,已到了供不应求的地步。预计近几年市场需求量在100台左右。效益分析:本技术市场应用范围广,成本低,利润高,效益可观。厂房条件建议:无备注:服务方式:出售产品、其它形式的合作面议。
TDR-80A(B)型单晶炉
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
技术投资分析:主要内容:TDR—80A型单晶炉是软轴提拉型人工晶体生长设备,是在惰性气体环境中以石墨电阻加热器将硅半导体材料熔化,用直拉法生长无位错硅单晶的设备,它可生产太阳能电池用的6″硅单晶和大规模集成电路所需要的高质量硅单晶。技术水平:该技术产品采用了磁流体密封技术、浮动式翻版隔离阀(或旋盖式隔离阀)、拱形封头式炉盖结构、浮动式提升结构等先进技术,采用计算机自动控制直径系统 ,综合性能达到了国际先进国内领先水平,具有自主的知识产权。主要技术参数:??熔料量: 60kg (18 "热系统)??晶体直径: 8 "??TDR—80A 圆筒副室(TDR—80B 开门副室)??1.加热功率 160kW??2.最高加热温度 1600℃??11.冷炉极限真空度 1Pa??12.主炉室尺寸 Ф800×1000??14.翻版阀通径 Ф260mm技术的应用领域前景分析:市场前景:目前,国内市场上在运行的TDR—80A型单晶炉已超过60台份,国内的市场占有率在55%以上,在硅单晶太阳能电池领域和大规模集成电路材料领域内发挥着重要作用。随着国际社会对太阳能光伏工业的日益重视,国际国内对太阳能硅单晶材料的需求量急剧扩大,并向大直径方向发展,目前,市场对8 "硅单晶的需求量大增,已到了供不应求的地步。预计近几年市场需求量在200台左右。效益分析:本技术市场广泛,成本低,利润丰厚,效益可观。厂房条件建议:无备注:服务方式:出售产品、其它形式的合作面议。
12英寸单晶炉MCZ综合系统
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
国家“863”计划项目“超大规模集成电路配套材料重大专项”中的“TDR-150型单晶炉(12英寸MCZ综合系统)”课题在北京通过验收,这标志着拥有自主知识产权和核心技术的大尺寸集成电路与太阳能用单晶硅生长设备在我国首次研制成功。单晶炉是直拉法制备硅单晶的关键技术装备,所制备的硅单晶主要用于集成电路元件和太阳能电池。在我国,以单晶炉为代表的晶体生长设备一直存在核心技术不足的问题,高端产品均为国外公司所垄断,在很大程度上制约了我国超大规模集成电路和太阳能产业的发展。西安理工大学与北京有色金属研究院从2003年起承担“TDR-150型单晶炉(12英寸MCZ综合系统)”课题的研究和攻关任务。 课题组组织多学科技术骨干,形成稳定的攻关团队,坚持走自主创新、集成创新的道路,经过三年多的攻关,取得了一系列创新性成果和关键技术。所研制的样机由课题组自主攻关、设计和加工,关键部件和样机达到了较高的技术水平,已成功拉制出12英寸无位错合格单晶。通过项目的实施,课题组还建立了高端晶体生长设备的研发平台,达到了积累经验、获取成果,培养队伍的目的。 验收会上,专家们认为该成果的取得填补了国内空白,标志着我国超大规模集成电路和太阳能产业的关键技术装备的生产上了一个新的台阶,对我国超大规模集成电路及相关产业的发展具有重要的意义。
TDR-80A(B)型单晶炉
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
主要内容:TDR-80A型单晶炉是软轴提拉型人工晶体生长设备,是在惰性气体环境中以石墨电阻加热器将硅半导体材料熔化,用直拉法生长无位错硅单晶的设备,它可生产太阳能电池用的6″硅单晶和大规模集成电路所需要的高质量硅单晶。技术水平:该产品采用了磁流体密封技术、浮动式翻版隔离阀(或旋盖式隔离阀)、拱形封头式炉盖结构、浮动式提升结构等先进技术,采用计算机自动控制直径系统,综合性能达到了国际先进国内领先水平,具有自主的知识产权。主要技术参数:熔料量:60kg(18"热系统)晶体直径:8"TDR-80A圆筒副室(TDR-80B开门副室)1.加热功率160kW2.最高加热温度1600℃3.冷炉极限真空度1Pa4.主炉室尺寸Ф800×10005.翻版阀通径Ф260mm市场前景:目前,国内市场上在运行的TDR-80A型单晶炉已超过60台份,国内的市场占有率在55%以上,在硅单晶太阳能电池领域和大规模集成电路材料领域内发挥着重要作用。随着国际社会对太阳能光伏工业的日益重视,国际国内对太阳能硅单晶材料的需求量急剧扩大,并向大直径方向发展,目前,市场对8"硅单晶的需求量大增,已到了供不应求的地步。预计近几年市场需求量在200台左右。服务方式:出售产品、其它形式的合作面议
TDR-62CP型单晶炉
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
内容简介:TDR-62CP型单晶炉,是在惰性气体环境中,以石墨电阻加热器将硅材料熔化,用软轴直拉法生长无位错单晶的设备。它可以生长大规模集成电路所需要的高质量单晶。这种单晶炉能够使用12″的石英坩埚,投料20kg,拉制4″或5″的单晶,其最大裕度可允许使用14″的石英坩埚,投料30kg拉制6″的单晶。采用计算机控制等径生长晶体。该设备的主要性能指标如下:投料量:30kg晶体规格:5″籽晶炉内行程:2200mm最大功率:130kw使用范围及市场预测:该设备系发展大规模集成电路,生长半导体材料的关键设备。现主要依靠进口硅单片,若大部分或全部采用国产设备以年需15台是可行的。投产条件及效益分析:该设备系集机械、电器、仪表、涉及真空密封、高温等领域,故要求有较强的机加工能力和技术水平较高的机、电人员进行生产。现售价65万元/台,利润率10~15%左右。服务方式:生产定型产品并外售。
应用于直拉法生长高纯锗单晶的单晶炉
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
直拉法(CZ)又称丘克拉斯基法,是J.丘克拉斯基在1916年首创。优点是晶体被拉出液面不与器壁接触,不受容器限制,因此晶体中应力较小,同时又能防止器壁沾污或接触所可能引起的杂乱晶核而形成多晶体。 目前直拉法(CZ)锗单晶生长的工艺可分为以下几个阶段:1、熔料,将坩埚内的锗多晶料全部熔化;2、引晶,将籽晶经预热后放下,使之与锗熔体充分接触后,将籽晶向上提拉,控制炉内温度使锗熔体在籽晶上面结晶;3、缩颈,目的在于消除锗单晶生长过程中的热应力,减小晶体的位错密度;4、放肩:通过控制拉速与温度使锗晶体生长到所需直径的尺寸;5、等径:使锗单晶按所需直径保持圆柱形生长;6、收尾:将锗单晶直径逐渐缩小,最后呈圆锥形,以避免位错反向延伸。 直拉法是以定向的籽晶为生长晶核,因而可以得到有一定晶向生长的单晶体。直拉法制成的单晶体完整性较好,直径和长度都可以很大,生长速率也较高,要求所用坩埚必须由不污染熔体的材料制成。 由于13N超高纯锗单晶对于生产过程中环境条件要求严苛,器件污染,密封性差等问题,会导致生成的锗单晶质量降低,从而无法到达性质和纯度的要求。本项目开发的新型的直拉法13N超高纯锗单晶生长炉,将锗单晶炉石英管内封装的石墨加热器改装到石英管的外面,再配置相应的高频感应线圈,从而可避免原系统内的石墨加热器的污染。调整单晶炉内的密封装置,减少在单晶生长过程中因空气进入炉内而造成的锗单晶原料的氧化,以及空气中杂质的污染。 在探测器用13N超高纯锗单晶的生长过程中,很微小的颗粒污染都会对生长出的高纯锗单晶电学性能参数造成极大的影响,因此在单晶生长过程中必须尽可能的避免单晶生长环境中带来的污染源。原有的单晶炉设备中3石墨件和4石英保温圈均处于单晶生长的热场氛围中,在高温下生长锗单晶时,不可避免的会释放出细微颗粒对锗单晶生长环境产生污染从而影响到锗单晶的质量。本实用新型的优点在于通过改变2石英支撑件和7石英炉管的外形结构,把3石墨件和4石英保温圈移到7石英炉管的外部,从而隔离消除这两个部件所产生的污染源,进而提升超高纯锗单晶的质量水平。
氧化物晶体生长过程自动控制系统
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
技术投资分析:内容简介:该系统是氧化物晶体生长过程的自控设备,适合于用下称和上称法拉晶的单晶炉。该控制系统采用以单片微机为核心的数字控制技术,采用电子称测量晶体重量、热电偶测量加热温度,构成晶体生长量和温度双闭环控制系统,实现拉晶过程全自动控制。系统中设置有和晶体实际生长相适应的放肩、收肩及拉身理论模型。使用该系统生长出的晶体质量好、形状佳。该系统具有参数自动打印、通讯、运行参数实时显示和温度传感、称重传感故障报警等多种功能,是理想的晶体生长控制设备。该系统已通过工业实际运行,性能良好。技术的应用领域前景分析:使用范围及市场预测:用本系统可对传统的氧化物单晶炉进行技术改造,也可和新型氧化物单晶炉进行配套。随着氧化物晶体的需求量不断增加,该系统具有广阔的市场前景。效益分析:投产条件及效益分析:具有电控设备生产条件的厂家均可生产,效益十分可观。厂房条件建议:无备注:无
TDR一150型单晶炉项目
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
1.主要研究内容:研制出适应我国满足12″线宽0.13-0.09μm超大规模集成电路(vLsl)抛光片前工序提供生长硅单晶的电子专用设备。2.项目意义:直拉法单晶生长炉是单晶硅生产的重要装备,对于集成电路产业发展具有重大的意义。目前对于8英寸炉国内已经能够生产,但是自动化程度低,生产效率低,对于工艺过程的控制能力有限,且只能生产用于太阳能发电的单晶硅,无法生产用于集成电路的高质量单晶硅。美国KAYEX公司、德国的CGS公司已经开发出了技术比较成熟的12英寸单晶炉。但国外进口设备价格昂贵,关键技术对中国封锁。3.该项目的主要技术经济指标:晶体规格:12″(IC)熔硅量:150-250kg/产能:20t/年成品率:≥70%产业化目标:50台套/年,同时满足8″(Pv)产能2Mw/台年产值:1.95亿元年利润:3500万元节汇:2560万美元形成具有自主知识产权的大直径单晶生长设备,达到国际先进水平4.关键技术与创新点:a。采用新型传动元件,高精密度传动系统;b.CCD图像测控晶体直径,全自动等径控制系统;c.高密封性磁流体密封技术,炉室压升率高(压升率<1pa/h,极限真空度<1pa);d.大量程晶体称重及激光液面测距系统:e.高精度光纤液面测温系统;f..高精密度大功率加热控制系统;g.高精密度氩气质量流量控制和炉膛压力控制系统;h.拉晶全过程自动控制功能。
蓝宝石单晶炉
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
蓝宝石晶体是现代工业重要基础材料,为微电子、光电子、半导体、光通信、信息显示、精密机械、国防军事及国内外重大科学工程等众多热点领域技术发展提供支撑,尤其是为蓝(白)光LED照明产业提供了窗口材料。 单晶拉制技术是LED生产线三大技术之一,单晶炉是生产用于制备LED衬底材料的蓝宝石晶体的最理想设备。 项目属先进制造技术领域。中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司(以下简称沈阳科仪公司)攻克了晶体生长区温度控制技术、载气流量和气压稳定性控制技术、提拉旋转机构稳定性控制技术等三项关键技术难题,研制出了具有完全自主知识产权的蓝宝石单晶炉,并最终实现产品批量化生产和产业化应用。 项目的实施,形成了较强的LED关键核心设备成套能力和系统集成能力,大大提高了我国LED产业的核心竞争力,促进了我国大功率LED芯片制造业的飞速发展;满足了国内市场对大尺寸蓝宝石衬底材料的需求;同时加快了国家节能环保工程的推进,推动我国信息技术、材料制造技术及相关产业的发展,促进区域内加工、材料、工艺、自动控制、工业配套等相关配套产业发展。
找到24项技术成果数据。
找技术 >TDR-GY652型高压单晶炉
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
技术投资分析:主要内容:TDR—GY652型高压单晶炉室在惰性保护气体--氩气高压条件下,采用石墨电阻加热方式,将GaAs、InP等材料合成熔化,已LEC法从熔体中拉制大直径(4"~6") GaAs、InP单晶的专用设备。技术水平:TDR-GY652型高压单晶炉是目前国际上最大的GaAs、InP单晶制备设备,具有先进的上称重计算机自动控制直径功能、加热温度自动控制功能、各种安全自动保护功能,具备三段加热能力,可满足生长6" GaAs单晶的能力。综合性能达到了国际先进国内领先水平,具有自主的知识产权。主要技术参数:1.熔料量: 40kg2.晶体直径: 6"3.加热功率 120×55×35kW4.最高加热温度 1600℃5.主炉室尺寸 φ652×1000mm6.冷炉极限真空度 1Pa7.充气压力 10MPa技术的应用领域前景分析:市场前景:目前,国内市场上还没有具备生长6" GaAs单晶能力的高压单晶生长设备,TDR—GY652型高压单晶炉的开发成功填补了国内空白,满足了市场的需求。预计近几年市场需求量在200台左右。效益分析:本技术市场应用范围广,利润丰厚,效益十分可观。厂房条件建议:无备注:服务方式:出售产品、其它形式的合作面议。
TDR-70A(B)型单晶炉
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
技术投资分析:主要内容:TDR-70A型单晶炉是软轴提拉型人工晶体生长设备,是在惰性气体环境中以石墨电阻加热器将硅半导体材料熔化,用直拉法生长无位错硅单晶的设备,它可生产太阳能电池用的6″硅单晶和大规模集成电路所需要的高质量硅单晶。技术水平:该技术产品采用了磁流体密封技术、浮动式翻版隔离阀、拱形封头式炉盖结构、浮动式提升结构等先进技术,采用计算机自动控制直径系统 ,综合性能达到了国际先进国内领先水平,具有自主的知识产权。主要技术参数:熔料量: 60kg (18 "热系统);晶体直径: 6 " ---6.5 ";TDR—70A 圆筒副室(TDR—70B 开门副室);加热功率 120kW;最高加热温度 1600℃;冷炉极限真空度 1Pa;主炉室尺寸 Ф700×1000;翻版阀通径 Ф200mm。技术的应用领域前景分析:市场前景:目前,国内市场上在运行的TDR—70A型单晶炉已超过130台份,国内的市场占有率在85%以上,在硅单晶太阳能电池领域和大规模集成电路材料领域内发挥着重要作用。随着国际社会对太阳能光伏工业的日益重视,国际国内对太阳能硅单晶材料的需求量急剧扩大,已到了供不应求的地步。预计近几年市场需求量在100台左右。效益分析:本技术市场应用范围广,成本低,利润高,效益可观。厂房条件建议:无备注:服务方式:出售产品、其它形式的合作面议。
TDR-80A(B)型单晶炉
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
技术投资分析:主要内容:TDR—80A型单晶炉是软轴提拉型人工晶体生长设备,是在惰性气体环境中以石墨电阻加热器将硅半导体材料熔化,用直拉法生长无位错硅单晶的设备,它可生产太阳能电池用的6″硅单晶和大规模集成电路所需要的高质量硅单晶。技术水平:该技术产品采用了磁流体密封技术、浮动式翻版隔离阀(或旋盖式隔离阀)、拱形封头式炉盖结构、浮动式提升结构等先进技术,采用计算机自动控制直径系统 ,综合性能达到了国际先进国内领先水平,具有自主的知识产权。主要技术参数:??熔料量: 60kg (18 "热系统)??晶体直径: 8 "??TDR—80A 圆筒副室(TDR—80B 开门副室)??1.加热功率 160kW??2.最高加热温度 1600℃??11.冷炉极限真空度 1Pa??12.主炉室尺寸 Ф800×1000??14.翻版阀通径 Ф260mm技术的应用领域前景分析:市场前景:目前,国内市场上在运行的TDR—80A型单晶炉已超过60台份,国内的市场占有率在55%以上,在硅单晶太阳能电池领域和大规模集成电路材料领域内发挥着重要作用。随着国际社会对太阳能光伏工业的日益重视,国际国内对太阳能硅单晶材料的需求量急剧扩大,并向大直径方向发展,目前,市场对8 "硅单晶的需求量大增,已到了供不应求的地步。预计近几年市场需求量在200台左右。效益分析:本技术市场广泛,成本低,利润丰厚,效益可观。厂房条件建议:无备注:服务方式:出售产品、其它形式的合作面议。
12英寸单晶炉MCZ综合系统
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
国家“863”计划项目“超大规模集成电路配套材料重大专项”中的“TDR-150型单晶炉(12英寸MCZ综合系统)”课题在北京通过验收,这标志着拥有自主知识产权和核心技术的大尺寸集成电路与太阳能用单晶硅生长设备在我国首次研制成功。单晶炉是直拉法制备硅单晶的关键技术装备,所制备的硅单晶主要用于集成电路元件和太阳能电池。在我国,以单晶炉为代表的晶体生长设备一直存在核心技术不足的问题,高端产品均为国外公司所垄断,在很大程度上制约了我国超大规模集成电路和太阳能产业的发展。西安理工大学与北京有色金属研究院从2003年起承担“TDR-150型单晶炉(12英寸MCZ综合系统)”课题的研究和攻关任务。 课题组组织多学科技术骨干,形成稳定的攻关团队,坚持走自主创新、集成创新的道路,经过三年多的攻关,取得了一系列创新性成果和关键技术。所研制的样机由课题组自主攻关、设计和加工,关键部件和样机达到了较高的技术水平,已成功拉制出12英寸无位错合格单晶。通过项目的实施,课题组还建立了高端晶体生长设备的研发平台,达到了积累经验、获取成果,培养队伍的目的。 验收会上,专家们认为该成果的取得填补了国内空白,标志着我国超大规模集成电路和太阳能产业的关键技术装备的生产上了一个新的台阶,对我国超大规模集成电路及相关产业的发展具有重要的意义。
TDR-80A(B)型单晶炉
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
主要内容:TDR-80A型单晶炉是软轴提拉型人工晶体生长设备,是在惰性气体环境中以石墨电阻加热器将硅半导体材料熔化,用直拉法生长无位错硅单晶的设备,它可生产太阳能电池用的6″硅单晶和大规模集成电路所需要的高质量硅单晶。技术水平:该产品采用了磁流体密封技术、浮动式翻版隔离阀(或旋盖式隔离阀)、拱形封头式炉盖结构、浮动式提升结构等先进技术,采用计算机自动控制直径系统,综合性能达到了国际先进国内领先水平,具有自主的知识产权。主要技术参数:熔料量:60kg(18"热系统)晶体直径:8"TDR-80A圆筒副室(TDR-80B开门副室)1.加热功率160kW2.最高加热温度1600℃3.冷炉极限真空度1Pa4.主炉室尺寸Ф800×10005.翻版阀通径Ф260mm市场前景:目前,国内市场上在运行的TDR-80A型单晶炉已超过60台份,国内的市场占有率在55%以上,在硅单晶太阳能电池领域和大规模集成电路材料领域内发挥着重要作用。随着国际社会对太阳能光伏工业的日益重视,国际国内对太阳能硅单晶材料的需求量急剧扩大,并向大直径方向发展,目前,市场对8"硅单晶的需求量大增,已到了供不应求的地步。预计近几年市场需求量在200台左右。服务方式:出售产品、其它形式的合作面议
TDR-62CP型单晶炉
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
内容简介:TDR-62CP型单晶炉,是在惰性气体环境中,以石墨电阻加热器将硅材料熔化,用软轴直拉法生长无位错单晶的设备。它可以生长大规模集成电路所需要的高质量单晶。这种单晶炉能够使用12″的石英坩埚,投料20kg,拉制4″或5″的单晶,其最大裕度可允许使用14″的石英坩埚,投料30kg拉制6″的单晶。采用计算机控制等径生长晶体。该设备的主要性能指标如下:投料量:30kg晶体规格:5″籽晶炉内行程:2200mm最大功率:130kw使用范围及市场预测:该设备系发展大规模集成电路,生长半导体材料的关键设备。现主要依靠进口硅单片,若大部分或全部采用国产设备以年需15台是可行的。投产条件及效益分析:该设备系集机械、电器、仪表、涉及真空密封、高温等领域,故要求有较强的机加工能力和技术水平较高的机、电人员进行生产。现售价65万元/台,利润率10~15%左右。服务方式:生产定型产品并外售。
应用于直拉法生长高纯锗单晶的单晶炉
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
直拉法(CZ)又称丘克拉斯基法,是J.丘克拉斯基在1916年首创。优点是晶体被拉出液面不与器壁接触,不受容器限制,因此晶体中应力较小,同时又能防止器壁沾污或接触所可能引起的杂乱晶核而形成多晶体。 目前直拉法(CZ)锗单晶生长的工艺可分为以下几个阶段:1、熔料,将坩埚内的锗多晶料全部熔化;2、引晶,将籽晶经预热后放下,使之与锗熔体充分接触后,将籽晶向上提拉,控制炉内温度使锗熔体在籽晶上面结晶;3、缩颈,目的在于消除锗单晶生长过程中的热应力,减小晶体的位错密度;4、放肩:通过控制拉速与温度使锗晶体生长到所需直径的尺寸;5、等径:使锗单晶按所需直径保持圆柱形生长;6、收尾:将锗单晶直径逐渐缩小,最后呈圆锥形,以避免位错反向延伸。 直拉法是以定向的籽晶为生长晶核,因而可以得到有一定晶向生长的单晶体。直拉法制成的单晶体完整性较好,直径和长度都可以很大,生长速率也较高,要求所用坩埚必须由不污染熔体的材料制成。 由于13N超高纯锗单晶对于生产过程中环境条件要求严苛,器件污染,密封性差等问题,会导致生成的锗单晶质量降低,从而无法到达性质和纯度的要求。本项目开发的新型的直拉法13N超高纯锗单晶生长炉,将锗单晶炉石英管内封装的石墨加热器改装到石英管的外面,再配置相应的高频感应线圈,从而可避免原系统内的石墨加热器的污染。调整单晶炉内的密封装置,减少在单晶生长过程中因空气进入炉内而造成的锗单晶原料的氧化,以及空气中杂质的污染。 在探测器用13N超高纯锗单晶的生长过程中,很微小的颗粒污染都会对生长出的高纯锗单晶电学性能参数造成极大的影响,因此在单晶生长过程中必须尽可能的避免单晶生长环境中带来的污染源。原有的单晶炉设备中3石墨件和4石英保温圈均处于单晶生长的热场氛围中,在高温下生长锗单晶时,不可避免的会释放出细微颗粒对锗单晶生长环境产生污染从而影响到锗单晶的质量。本实用新型的优点在于通过改变2石英支撑件和7石英炉管的外形结构,把3石墨件和4石英保温圈移到7石英炉管的外部,从而隔离消除这两个部件所产生的污染源,进而提升超高纯锗单晶的质量水平。
氧化物晶体生长过程自动控制系统
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
技术投资分析:内容简介:该系统是氧化物晶体生长过程的自控设备,适合于用下称和上称法拉晶的单晶炉。该控制系统采用以单片微机为核心的数字控制技术,采用电子称测量晶体重量、热电偶测量加热温度,构成晶体生长量和温度双闭环控制系统,实现拉晶过程全自动控制。系统中设置有和晶体实际生长相适应的放肩、收肩及拉身理论模型。使用该系统生长出的晶体质量好、形状佳。该系统具有参数自动打印、通讯、运行参数实时显示和温度传感、称重传感故障报警等多种功能,是理想的晶体生长控制设备。该系统已通过工业实际运行,性能良好。技术的应用领域前景分析:使用范围及市场预测:用本系统可对传统的氧化物单晶炉进行技术改造,也可和新型氧化物单晶炉进行配套。随着氧化物晶体的需求量不断增加,该系统具有广阔的市场前景。效益分析:投产条件及效益分析:具有电控设备生产条件的厂家均可生产,效益十分可观。厂房条件建议:无备注:无
TDR一150型单晶炉项目
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
1.主要研究内容:研制出适应我国满足12″线宽0.13-0.09μm超大规模集成电路(vLsl)抛光片前工序提供生长硅单晶的电子专用设备。2.项目意义:直拉法单晶生长炉是单晶硅生产的重要装备,对于集成电路产业发展具有重大的意义。目前对于8英寸炉国内已经能够生产,但是自动化程度低,生产效率低,对于工艺过程的控制能力有限,且只能生产用于太阳能发电的单晶硅,无法生产用于集成电路的高质量单晶硅。美国KAYEX公司、德国的CGS公司已经开发出了技术比较成熟的12英寸单晶炉。但国外进口设备价格昂贵,关键技术对中国封锁。3.该项目的主要技术经济指标:晶体规格:12″(IC)熔硅量:150-250kg/产能:20t/年成品率:≥70%产业化目标:50台套/年,同时满足8″(Pv)产能2Mw/台年产值:1.95亿元年利润:3500万元节汇:2560万美元形成具有自主知识产权的大直径单晶生长设备,达到国际先进水平4.关键技术与创新点:a。采用新型传动元件,高精密度传动系统;b.CCD图像测控晶体直径,全自动等径控制系统;c.高密封性磁流体密封技术,炉室压升率高(压升率<1pa/h,极限真空度<1pa);d.大量程晶体称重及激光液面测距系统:e.高精度光纤液面测温系统;f..高精密度大功率加热控制系统;g.高精密度氩气质量流量控制和炉膛压力控制系统;h.拉晶全过程自动控制功能。
蓝宝石单晶炉
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
蓝宝石晶体是现代工业重要基础材料,为微电子、光电子、半导体、光通信、信息显示、精密机械、国防军事及国内外重大科学工程等众多热点领域技术发展提供支撑,尤其是为蓝(白)光LED照明产业提供了窗口材料。 单晶拉制技术是LED生产线三大技术之一,单晶炉是生产用于制备LED衬底材料的蓝宝石晶体的最理想设备。 项目属先进制造技术领域。中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司(以下简称沈阳科仪公司)攻克了晶体生长区温度控制技术、载气流量和气压稳定性控制技术、提拉旋转机构稳定性控制技术等三项关键技术难题,研制出了具有完全自主知识产权的蓝宝石单晶炉,并最终实现产品批量化生产和产业化应用。 项目的实施,形成了较强的LED关键核心设备成套能力和系统集成能力,大大提高了我国LED产业的核心竞争力,促进了我国大功率LED芯片制造业的飞速发展;满足了国内市场对大尺寸蓝宝石衬底材料的需求;同时加快了国家节能环保工程的推进,推动我国信息技术、材料制造技术及相关产业的发展,促进区域内加工、材料、工艺、自动控制、工业配套等相关配套产业发展。
找到24项技术成果数据。
找技术 >TDR-GY652型高压单晶炉
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
技术投资分析:主要内容:TDR—GY652型高压单晶炉室在惰性保护气体--氩气高压条件下,采用石墨电阻加热方式,将GaAs、InP等材料合成熔化,已LEC法从熔体中拉制大直径(4"~6") GaAs、InP单晶的专用设备。技术水平:TDR-GY652型高压单晶炉是目前国际上最大的GaAs、InP单晶制备设备,具有先进的上称重计算机自动控制直径功能、加热温度自动控制功能、各种安全自动保护功能,具备三段加热能力,可满足生长6" GaAs单晶的能力。综合性能达到了国际先进国内领先水平,具有自主的知识产权。主要技术参数:1.熔料量: 40kg2.晶体直径: 6"3.加热功率 120×55×35kW4.最高加热温度 1600℃5.主炉室尺寸 φ652×1000mm6.冷炉极限真空度 1Pa7.充气压力 10MPa技术的应用领域前景分析:市场前景:目前,国内市场上还没有具备生长6" GaAs单晶能力的高压单晶生长设备,TDR—GY652型高压单晶炉的开发成功填补了国内空白,满足了市场的需求。预计近几年市场需求量在200台左右。效益分析:本技术市场应用范围广,利润丰厚,效益十分可观。厂房条件建议:无备注:服务方式:出售产品、其它形式的合作面议。
TDR-70A(B)型单晶炉
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
技术投资分析:主要内容:TDR-70A型单晶炉是软轴提拉型人工晶体生长设备,是在惰性气体环境中以石墨电阻加热器将硅半导体材料熔化,用直拉法生长无位错硅单晶的设备,它可生产太阳能电池用的6″硅单晶和大规模集成电路所需要的高质量硅单晶。技术水平:该技术产品采用了磁流体密封技术、浮动式翻版隔离阀、拱形封头式炉盖结构、浮动式提升结构等先进技术,采用计算机自动控制直径系统 ,综合性能达到了国际先进国内领先水平,具有自主的知识产权。主要技术参数:熔料量: 60kg (18 "热系统);晶体直径: 6 " ---6.5 ";TDR—70A 圆筒副室(TDR—70B 开门副室);加热功率 120kW;最高加热温度 1600℃;冷炉极限真空度 1Pa;主炉室尺寸 Ф700×1000;翻版阀通径 Ф200mm。技术的应用领域前景分析:市场前景:目前,国内市场上在运行的TDR—70A型单晶炉已超过130台份,国内的市场占有率在85%以上,在硅单晶太阳能电池领域和大规模集成电路材料领域内发挥着重要作用。随着国际社会对太阳能光伏工业的日益重视,国际国内对太阳能硅单晶材料的需求量急剧扩大,已到了供不应求的地步。预计近几年市场需求量在100台左右。效益分析:本技术市场应用范围广,成本低,利润高,效益可观。厂房条件建议:无备注:服务方式:出售产品、其它形式的合作面议。
TDR-80A(B)型单晶炉
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
技术投资分析:主要内容:TDR—80A型单晶炉是软轴提拉型人工晶体生长设备,是在惰性气体环境中以石墨电阻加热器将硅半导体材料熔化,用直拉法生长无位错硅单晶的设备,它可生产太阳能电池用的6″硅单晶和大规模集成电路所需要的高质量硅单晶。技术水平:该技术产品采用了磁流体密封技术、浮动式翻版隔离阀(或旋盖式隔离阀)、拱形封头式炉盖结构、浮动式提升结构等先进技术,采用计算机自动控制直径系统 ,综合性能达到了国际先进国内领先水平,具有自主的知识产权。主要技术参数:??熔料量: 60kg (18 "热系统)??晶体直径: 8 "??TDR—80A 圆筒副室(TDR—80B 开门副室)??1.加热功率 160kW??2.最高加热温度 1600℃??11.冷炉极限真空度 1Pa??12.主炉室尺寸 Ф800×1000??14.翻版阀通径 Ф260mm技术的应用领域前景分析:市场前景:目前,国内市场上在运行的TDR—80A型单晶炉已超过60台份,国内的市场占有率在55%以上,在硅单晶太阳能电池领域和大规模集成电路材料领域内发挥着重要作用。随着国际社会对太阳能光伏工业的日益重视,国际国内对太阳能硅单晶材料的需求量急剧扩大,并向大直径方向发展,目前,市场对8 "硅单晶的需求量大增,已到了供不应求的地步。预计近几年市场需求量在200台左右。效益分析:本技术市场广泛,成本低,利润丰厚,效益可观。厂房条件建议:无备注:服务方式:出售产品、其它形式的合作面议。
12英寸单晶炉MCZ综合系统
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
国家“863”计划项目“超大规模集成电路配套材料重大专项”中的“TDR-150型单晶炉(12英寸MCZ综合系统)”课题在北京通过验收,这标志着拥有自主知识产权和核心技术的大尺寸集成电路与太阳能用单晶硅生长设备在我国首次研制成功。单晶炉是直拉法制备硅单晶的关键技术装备,所制备的硅单晶主要用于集成电路元件和太阳能电池。在我国,以单晶炉为代表的晶体生长设备一直存在核心技术不足的问题,高端产品均为国外公司所垄断,在很大程度上制约了我国超大规模集成电路和太阳能产业的发展。西安理工大学与北京有色金属研究院从2003年起承担“TDR-150型单晶炉(12英寸MCZ综合系统)”课题的研究和攻关任务。 课题组组织多学科技术骨干,形成稳定的攻关团队,坚持走自主创新、集成创新的道路,经过三年多的攻关,取得了一系列创新性成果和关键技术。所研制的样机由课题组自主攻关、设计和加工,关键部件和样机达到了较高的技术水平,已成功拉制出12英寸无位错合格单晶。通过项目的实施,课题组还建立了高端晶体生长设备的研发平台,达到了积累经验、获取成果,培养队伍的目的。 验收会上,专家们认为该成果的取得填补了国内空白,标志着我国超大规模集成电路和太阳能产业的关键技术装备的生产上了一个新的台阶,对我国超大规模集成电路及相关产业的发展具有重要的意义。
TDR-80A(B)型单晶炉
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
主要内容:TDR-80A型单晶炉是软轴提拉型人工晶体生长设备,是在惰性气体环境中以石墨电阻加热器将硅半导体材料熔化,用直拉法生长无位错硅单晶的设备,它可生产太阳能电池用的6″硅单晶和大规模集成电路所需要的高质量硅单晶。技术水平:该产品采用了磁流体密封技术、浮动式翻版隔离阀(或旋盖式隔离阀)、拱形封头式炉盖结构、浮动式提升结构等先进技术,采用计算机自动控制直径系统,综合性能达到了国际先进国内领先水平,具有自主的知识产权。主要技术参数:熔料量:60kg(18"热系统)晶体直径:8"TDR-80A圆筒副室(TDR-80B开门副室)1.加热功率160kW2.最高加热温度1600℃3.冷炉极限真空度1Pa4.主炉室尺寸Ф800×10005.翻版阀通径Ф260mm市场前景:目前,国内市场上在运行的TDR-80A型单晶炉已超过60台份,国内的市场占有率在55%以上,在硅单晶太阳能电池领域和大规模集成电路材料领域内发挥着重要作用。随着国际社会对太阳能光伏工业的日益重视,国际国内对太阳能硅单晶材料的需求量急剧扩大,并向大直径方向发展,目前,市场对8"硅单晶的需求量大增,已到了供不应求的地步。预计近几年市场需求量在200台左右。服务方式:出售产品、其它形式的合作面议
TDR-62CP型单晶炉
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
内容简介:TDR-62CP型单晶炉,是在惰性气体环境中,以石墨电阻加热器将硅材料熔化,用软轴直拉法生长无位错单晶的设备。它可以生长大规模集成电路所需要的高质量单晶。这种单晶炉能够使用12″的石英坩埚,投料20kg,拉制4″或5″的单晶,其最大裕度可允许使用14″的石英坩埚,投料30kg拉制6″的单晶。采用计算机控制等径生长晶体。该设备的主要性能指标如下:投料量:30kg晶体规格:5″籽晶炉内行程:2200mm最大功率:130kw使用范围及市场预测:该设备系发展大规模集成电路,生长半导体材料的关键设备。现主要依靠进口硅单片,若大部分或全部采用国产设备以年需15台是可行的。投产条件及效益分析:该设备系集机械、电器、仪表、涉及真空密封、高温等领域,故要求有较强的机加工能力和技术水平较高的机、电人员进行生产。现售价65万元/台,利润率10~15%左右。服务方式:生产定型产品并外售。
应用于直拉法生长高纯锗单晶的单晶炉
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
直拉法(CZ)又称丘克拉斯基法,是J.丘克拉斯基在1916年首创。优点是晶体被拉出液面不与器壁接触,不受容器限制,因此晶体中应力较小,同时又能防止器壁沾污或接触所可能引起的杂乱晶核而形成多晶体。 目前直拉法(CZ)锗单晶生长的工艺可分为以下几个阶段:1、熔料,将坩埚内的锗多晶料全部熔化;2、引晶,将籽晶经预热后放下,使之与锗熔体充分接触后,将籽晶向上提拉,控制炉内温度使锗熔体在籽晶上面结晶;3、缩颈,目的在于消除锗单晶生长过程中的热应力,减小晶体的位错密度;4、放肩:通过控制拉速与温度使锗晶体生长到所需直径的尺寸;5、等径:使锗单晶按所需直径保持圆柱形生长;6、收尾:将锗单晶直径逐渐缩小,最后呈圆锥形,以避免位错反向延伸。 直拉法是以定向的籽晶为生长晶核,因而可以得到有一定晶向生长的单晶体。直拉法制成的单晶体完整性较好,直径和长度都可以很大,生长速率也较高,要求所用坩埚必须由不污染熔体的材料制成。 由于13N超高纯锗单晶对于生产过程中环境条件要求严苛,器件污染,密封性差等问题,会导致生成的锗单晶质量降低,从而无法到达性质和纯度的要求。本项目开发的新型的直拉法13N超高纯锗单晶生长炉,将锗单晶炉石英管内封装的石墨加热器改装到石英管的外面,再配置相应的高频感应线圈,从而可避免原系统内的石墨加热器的污染。调整单晶炉内的密封装置,减少在单晶生长过程中因空气进入炉内而造成的锗单晶原料的氧化,以及空气中杂质的污染。 在探测器用13N超高纯锗单晶的生长过程中,很微小的颗粒污染都会对生长出的高纯锗单晶电学性能参数造成极大的影响,因此在单晶生长过程中必须尽可能的避免单晶生长环境中带来的污染源。原有的单晶炉设备中3石墨件和4石英保温圈均处于单晶生长的热场氛围中,在高温下生长锗单晶时,不可避免的会释放出细微颗粒对锗单晶生长环境产生污染从而影响到锗单晶的质量。本实用新型的优点在于通过改变2石英支撑件和7石英炉管的外形结构,把3石墨件和4石英保温圈移到7石英炉管的外部,从而隔离消除这两个部件所产生的污染源,进而提升超高纯锗单晶的质量水平。
氧化物晶体生长过程自动控制系统
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
技术投资分析:内容简介:该系统是氧化物晶体生长过程的自控设备,适合于用下称和上称法拉晶的单晶炉。该控制系统采用以单片微机为核心的数字控制技术,采用电子称测量晶体重量、热电偶测量加热温度,构成晶体生长量和温度双闭环控制系统,实现拉晶过程全自动控制。系统中设置有和晶体实际生长相适应的放肩、收肩及拉身理论模型。使用该系统生长出的晶体质量好、形状佳。该系统具有参数自动打印、通讯、运行参数实时显示和温度传感、称重传感故障报警等多种功能,是理想的晶体生长控制设备。该系统已通过工业实际运行,性能良好。技术的应用领域前景分析:使用范围及市场预测:用本系统可对传统的氧化物单晶炉进行技术改造,也可和新型氧化物单晶炉进行配套。随着氧化物晶体的需求量不断增加,该系统具有广阔的市场前景。效益分析:投产条件及效益分析:具有电控设备生产条件的厂家均可生产,效益十分可观。厂房条件建议:无备注:无
TDR一150型单晶炉项目
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
1.主要研究内容:研制出适应我国满足12″线宽0.13-0.09μm超大规模集成电路(vLsl)抛光片前工序提供生长硅单晶的电子专用设备。2.项目意义:直拉法单晶生长炉是单晶硅生产的重要装备,对于集成电路产业发展具有重大的意义。目前对于8英寸炉国内已经能够生产,但是自动化程度低,生产效率低,对于工艺过程的控制能力有限,且只能生产用于太阳能发电的单晶硅,无法生产用于集成电路的高质量单晶硅。美国KAYEX公司、德国的CGS公司已经开发出了技术比较成熟的12英寸单晶炉。但国外进口设备价格昂贵,关键技术对中国封锁。3.该项目的主要技术经济指标:晶体规格:12″(IC)熔硅量:150-250kg/产能:20t/年成品率:≥70%产业化目标:50台套/年,同时满足8″(Pv)产能2Mw/台年产值:1.95亿元年利润:3500万元节汇:2560万美元形成具有自主知识产权的大直径单晶生长设备,达到国际先进水平4.关键技术与创新点:a。采用新型传动元件,高精密度传动系统;b.CCD图像测控晶体直径,全自动等径控制系统;c.高密封性磁流体密封技术,炉室压升率高(压升率<1pa/h,极限真空度<1pa);d.大量程晶体称重及激光液面测距系统:e.高精度光纤液面测温系统;f..高精密度大功率加热控制系统;g.高精密度氩气质量流量控制和炉膛压力控制系统;h.拉晶全过程自动控制功能。
蓝宝石单晶炉
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
蓝宝石晶体是现代工业重要基础材料,为微电子、光电子、半导体、光通信、信息显示、精密机械、国防军事及国内外重大科学工程等众多热点领域技术发展提供支撑,尤其是为蓝(白)光LED照明产业提供了窗口材料。 单晶拉制技术是LED生产线三大技术之一,单晶炉是生产用于制备LED衬底材料的蓝宝石晶体的最理想设备。 项目属先进制造技术领域。中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司(以下简称沈阳科仪公司)攻克了晶体生长区温度控制技术、载气流量和气压稳定性控制技术、提拉旋转机构稳定性控制技术等三项关键技术难题,研制出了具有完全自主知识产权的蓝宝石单晶炉,并最终实现产品批量化生产和产业化应用。 项目的实施,形成了较强的LED关键核心设备成套能力和系统集成能力,大大提高了我国LED产业的核心竞争力,促进了我国大功率LED芯片制造业的飞速发展;满足了国内市场对大尺寸蓝宝石衬底材料的需求;同时加快了国家节能环保工程的推进,推动我国信息技术、材料制造技术及相关产业的发展,促进区域内加工、材料、工艺、自动控制、工业配套等相关配套产业发展。
找到24项技术成果数据。
找技术 >TDR-GY652型高压单晶炉
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
技术投资分析:主要内容:TDR—GY652型高压单晶炉室在惰性保护气体--氩气高压条件下,采用石墨电阻加热方式,将GaAs、InP等材料合成熔化,已LEC法从熔体中拉制大直径(4"~6") GaAs、InP单晶的专用设备。技术水平:TDR-GY652型高压单晶炉是目前国际上最大的GaAs、InP单晶制备设备,具有先进的上称重计算机自动控制直径功能、加热温度自动控制功能、各种安全自动保护功能,具备三段加热能力,可满足生长6" GaAs单晶的能力。综合性能达到了国际先进国内领先水平,具有自主的知识产权。主要技术参数:1.熔料量: 40kg2.晶体直径: 6"3.加热功率 120×55×35kW4.最高加热温度 1600℃5.主炉室尺寸 φ652×1000mm6.冷炉极限真空度 1Pa7.充气压力 10MPa技术的应用领域前景分析:市场前景:目前,国内市场上还没有具备生长6" GaAs单晶能力的高压单晶生长设备,TDR—GY652型高压单晶炉的开发成功填补了国内空白,满足了市场的需求。预计近几年市场需求量在200台左右。效益分析:本技术市场应用范围广,利润丰厚,效益十分可观。厂房条件建议:无备注:服务方式:出售产品、其它形式的合作面议。
TDR-70A(B)型单晶炉
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
技术投资分析:主要内容:TDR-70A型单晶炉是软轴提拉型人工晶体生长设备,是在惰性气体环境中以石墨电阻加热器将硅半导体材料熔化,用直拉法生长无位错硅单晶的设备,它可生产太阳能电池用的6″硅单晶和大规模集成电路所需要的高质量硅单晶。技术水平:该技术产品采用了磁流体密封技术、浮动式翻版隔离阀、拱形封头式炉盖结构、浮动式提升结构等先进技术,采用计算机自动控制直径系统 ,综合性能达到了国际先进国内领先水平,具有自主的知识产权。主要技术参数:熔料量: 60kg (18 "热系统);晶体直径: 6 " ---6.5 ";TDR—70A 圆筒副室(TDR—70B 开门副室);加热功率 120kW;最高加热温度 1600℃;冷炉极限真空度 1Pa;主炉室尺寸 Ф700×1000;翻版阀通径 Ф200mm。技术的应用领域前景分析:市场前景:目前,国内市场上在运行的TDR—70A型单晶炉已超过130台份,国内的市场占有率在85%以上,在硅单晶太阳能电池领域和大规模集成电路材料领域内发挥着重要作用。随着国际社会对太阳能光伏工业的日益重视,国际国内对太阳能硅单晶材料的需求量急剧扩大,已到了供不应求的地步。预计近几年市场需求量在100台左右。效益分析:本技术市场应用范围广,成本低,利润高,效益可观。厂房条件建议:无备注:服务方式:出售产品、其它形式的合作面议。
TDR-80A(B)型单晶炉
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
技术投资分析:主要内容:TDR—80A型单晶炉是软轴提拉型人工晶体生长设备,是在惰性气体环境中以石墨电阻加热器将硅半导体材料熔化,用直拉法生长无位错硅单晶的设备,它可生产太阳能电池用的6″硅单晶和大规模集成电路所需要的高质量硅单晶。技术水平:该技术产品采用了磁流体密封技术、浮动式翻版隔离阀(或旋盖式隔离阀)、拱形封头式炉盖结构、浮动式提升结构等先进技术,采用计算机自动控制直径系统 ,综合性能达到了国际先进国内领先水平,具有自主的知识产权。主要技术参数:??熔料量: 60kg (18 "热系统)??晶体直径: 8 "??TDR—80A 圆筒副室(TDR—80B 开门副室)??1.加热功率 160kW??2.最高加热温度 1600℃??11.冷炉极限真空度 1Pa??12.主炉室尺寸 Ф800×1000??14.翻版阀通径 Ф260mm技术的应用领域前景分析:市场前景:目前,国内市场上在运行的TDR—80A型单晶炉已超过60台份,国内的市场占有率在55%以上,在硅单晶太阳能电池领域和大规模集成电路材料领域内发挥着重要作用。随着国际社会对太阳能光伏工业的日益重视,国际国内对太阳能硅单晶材料的需求量急剧扩大,并向大直径方向发展,目前,市场对8 "硅单晶的需求量大增,已到了供不应求的地步。预计近几年市场需求量在200台左右。效益分析:本技术市场广泛,成本低,利润丰厚,效益可观。厂房条件建议:无备注:服务方式:出售产品、其它形式的合作面议。
12英寸单晶炉MCZ综合系统
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
国家“863”计划项目“超大规模集成电路配套材料重大专项”中的“TDR-150型单晶炉(12英寸MCZ综合系统)”课题在北京通过验收,这标志着拥有自主知识产权和核心技术的大尺寸集成电路与太阳能用单晶硅生长设备在我国首次研制成功。单晶炉是直拉法制备硅单晶的关键技术装备,所制备的硅单晶主要用于集成电路元件和太阳能电池。在我国,以单晶炉为代表的晶体生长设备一直存在核心技术不足的问题,高端产品均为国外公司所垄断,在很大程度上制约了我国超大规模集成电路和太阳能产业的发展。西安理工大学与北京有色金属研究院从2003年起承担“TDR-150型单晶炉(12英寸MCZ综合系统)”课题的研究和攻关任务。 课题组组织多学科技术骨干,形成稳定的攻关团队,坚持走自主创新、集成创新的道路,经过三年多的攻关,取得了一系列创新性成果和关键技术。所研制的样机由课题组自主攻关、设计和加工,关键部件和样机达到了较高的技术水平,已成功拉制出12英寸无位错合格单晶。通过项目的实施,课题组还建立了高端晶体生长设备的研发平台,达到了积累经验、获取成果,培养队伍的目的。 验收会上,专家们认为该成果的取得填补了国内空白,标志着我国超大规模集成电路和太阳能产业的关键技术装备的生产上了一个新的台阶,对我国超大规模集成电路及相关产业的发展具有重要的意义。
TDR-80A(B)型单晶炉
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
主要内容:TDR-80A型单晶炉是软轴提拉型人工晶体生长设备,是在惰性气体环境中以石墨电阻加热器将硅半导体材料熔化,用直拉法生长无位错硅单晶的设备,它可生产太阳能电池用的6″硅单晶和大规模集成电路所需要的高质量硅单晶。技术水平:该产品采用了磁流体密封技术、浮动式翻版隔离阀(或旋盖式隔离阀)、拱形封头式炉盖结构、浮动式提升结构等先进技术,采用计算机自动控制直径系统,综合性能达到了国际先进国内领先水平,具有自主的知识产权。主要技术参数:熔料量:60kg(18"热系统)晶体直径:8"TDR-80A圆筒副室(TDR-80B开门副室)1.加热功率160kW2.最高加热温度1600℃3.冷炉极限真空度1Pa4.主炉室尺寸Ф800×10005.翻版阀通径Ф260mm市场前景:目前,国内市场上在运行的TDR-80A型单晶炉已超过60台份,国内的市场占有率在55%以上,在硅单晶太阳能电池领域和大规模集成电路材料领域内发挥着重要作用。随着国际社会对太阳能光伏工业的日益重视,国际国内对太阳能硅单晶材料的需求量急剧扩大,并向大直径方向发展,目前,市场对8"硅单晶的需求量大增,已到了供不应求的地步。预计近几年市场需求量在200台左右。服务方式:出售产品、其它形式的合作面议
TDR-62CP型单晶炉
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
内容简介:TDR-62CP型单晶炉,是在惰性气体环境中,以石墨电阻加热器将硅材料熔化,用软轴直拉法生长无位错单晶的设备。它可以生长大规模集成电路所需要的高质量单晶。这种单晶炉能够使用12″的石英坩埚,投料20kg,拉制4″或5″的单晶,其最大裕度可允许使用14″的石英坩埚,投料30kg拉制6″的单晶。采用计算机控制等径生长晶体。该设备的主要性能指标如下:投料量:30kg晶体规格:5″籽晶炉内行程:2200mm最大功率:130kw使用范围及市场预测:该设备系发展大规模集成电路,生长半导体材料的关键设备。现主要依靠进口硅单片,若大部分或全部采用国产设备以年需15台是可行的。投产条件及效益分析:该设备系集机械、电器、仪表、涉及真空密封、高温等领域,故要求有较强的机加工能力和技术水平较高的机、电人员进行生产。现售价65万元/台,利润率10~15%左右。服务方式:生产定型产品并外售。
应用于直拉法生长高纯锗单晶的单晶炉
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
直拉法(CZ)又称丘克拉斯基法,是J.丘克拉斯基在1916年首创。优点是晶体被拉出液面不与器壁接触,不受容器限制,因此晶体中应力较小,同时又能防止器壁沾污或接触所可能引起的杂乱晶核而形成多晶体。 目前直拉法(CZ)锗单晶生长的工艺可分为以下几个阶段:1、熔料,将坩埚内的锗多晶料全部熔化;2、引晶,将籽晶经预热后放下,使之与锗熔体充分接触后,将籽晶向上提拉,控制炉内温度使锗熔体在籽晶上面结晶;3、缩颈,目的在于消除锗单晶生长过程中的热应力,减小晶体的位错密度;4、放肩:通过控制拉速与温度使锗晶体生长到所需直径的尺寸;5、等径:使锗单晶按所需直径保持圆柱形生长;6、收尾:将锗单晶直径逐渐缩小,最后呈圆锥形,以避免位错反向延伸。 直拉法是以定向的籽晶为生长晶核,因而可以得到有一定晶向生长的单晶体。直拉法制成的单晶体完整性较好,直径和长度都可以很大,生长速率也较高,要求所用坩埚必须由不污染熔体的材料制成。 由于13N超高纯锗单晶对于生产过程中环境条件要求严苛,器件污染,密封性差等问题,会导致生成的锗单晶质量降低,从而无法到达性质和纯度的要求。本项目开发的新型的直拉法13N超高纯锗单晶生长炉,将锗单晶炉石英管内封装的石墨加热器改装到石英管的外面,再配置相应的高频感应线圈,从而可避免原系统内的石墨加热器的污染。调整单晶炉内的密封装置,减少在单晶生长过程中因空气进入炉内而造成的锗单晶原料的氧化,以及空气中杂质的污染。 在探测器用13N超高纯锗单晶的生长过程中,很微小的颗粒污染都会对生长出的高纯锗单晶电学性能参数造成极大的影响,因此在单晶生长过程中必须尽可能的避免单晶生长环境中带来的污染源。原有的单晶炉设备中3石墨件和4石英保温圈均处于单晶生长的热场氛围中,在高温下生长锗单晶时,不可避免的会释放出细微颗粒对锗单晶生长环境产生污染从而影响到锗单晶的质量。本实用新型的优点在于通过改变2石英支撑件和7石英炉管的外形结构,把3石墨件和4石英保温圈移到7石英炉管的外部,从而隔离消除这两个部件所产生的污染源,进而提升超高纯锗单晶的质量水平。
氧化物晶体生长过程自动控制系统
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
技术投资分析:内容简介:该系统是氧化物晶体生长过程的自控设备,适合于用下称和上称法拉晶的单晶炉。该控制系统采用以单片微机为核心的数字控制技术,采用电子称测量晶体重量、热电偶测量加热温度,构成晶体生长量和温度双闭环控制系统,实现拉晶过程全自动控制。系统中设置有和晶体实际生长相适应的放肩、收肩及拉身理论模型。使用该系统生长出的晶体质量好、形状佳。该系统具有参数自动打印、通讯、运行参数实时显示和温度传感、称重传感故障报警等多种功能,是理想的晶体生长控制设备。该系统已通过工业实际运行,性能良好。技术的应用领域前景分析:使用范围及市场预测:用本系统可对传统的氧化物单晶炉进行技术改造,也可和新型氧化物单晶炉进行配套。随着氧化物晶体的需求量不断增加,该系统具有广阔的市场前景。效益分析:投产条件及效益分析:具有电控设备生产条件的厂家均可生产,效益十分可观。厂房条件建议:无备注:无
TDR一150型单晶炉项目
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
1.主要研究内容:研制出适应我国满足12″线宽0.13-0.09μm超大规模集成电路(vLsl)抛光片前工序提供生长硅单晶的电子专用设备。2.项目意义:直拉法单晶生长炉是单晶硅生产的重要装备,对于集成电路产业发展具有重大的意义。目前对于8英寸炉国内已经能够生产,但是自动化程度低,生产效率低,对于工艺过程的控制能力有限,且只能生产用于太阳能发电的单晶硅,无法生产用于集成电路的高质量单晶硅。美国KAYEX公司、德国的CGS公司已经开发出了技术比较成熟的12英寸单晶炉。但国外进口设备价格昂贵,关键技术对中国封锁。3.该项目的主要技术经济指标:晶体规格:12″(IC)熔硅量:150-250kg/产能:20t/年成品率:≥70%产业化目标:50台套/年,同时满足8″(Pv)产能2Mw/台年产值:1.95亿元年利润:3500万元节汇:2560万美元形成具有自主知识产权的大直径单晶生长设备,达到国际先进水平4.关键技术与创新点:a。采用新型传动元件,高精密度传动系统;b.CCD图像测控晶体直径,全自动等径控制系统;c.高密封性磁流体密封技术,炉室压升率高(压升率<1pa/h,极限真空度<1pa);d.大量程晶体称重及激光液面测距系统:e.高精度光纤液面测温系统;f..高精密度大功率加热控制系统;g.高精密度氩气质量流量控制和炉膛压力控制系统;h.拉晶全过程自动控制功能。
蓝宝石单晶炉
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
蓝宝石晶体是现代工业重要基础材料,为微电子、光电子、半导体、光通信、信息显示、精密机械、国防军事及国内外重大科学工程等众多热点领域技术发展提供支撑,尤其是为蓝(白)光LED照明产业提供了窗口材料。 单晶拉制技术是LED生产线三大技术之一,单晶炉是生产用于制备LED衬底材料的蓝宝石晶体的最理想设备。 项目属先进制造技术领域。中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司(以下简称沈阳科仪公司)攻克了晶体生长区温度控制技术、载气流量和气压稳定性控制技术、提拉旋转机构稳定性控制技术等三项关键技术难题,研制出了具有完全自主知识产权的蓝宝石单晶炉,并最终实现产品批量化生产和产业化应用。 项目的实施,形成了较强的LED关键核心设备成套能力和系统集成能力,大大提高了我国LED产业的核心竞争力,促进了我国大功率LED芯片制造业的飞速发展;满足了国内市场对大尺寸蓝宝石衬底材料的需求;同时加快了国家节能环保工程的推进,推动我国信息技术、材料制造技术及相关产业的发展,促进区域内加工、材料、工艺、自动控制、工业配套等相关配套产业发展。