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找技术 >一种大压电各向异性无铅压电陶瓷材料及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种大压电各向异性无铅压电陶瓷材料,配方为0.94Bi1/2Na1/2Ti0.85(Cu1/3Ta2/3)0.15O3‑0.06LiBiO3。 通过LiBiO3的辅助烧结,结合Bi的变价,在A位与B位出现相同元素的不同价态Bi3+/Bi5+,诱导出现特殊的同素异价A/B位离子有序态(Bi3+与Bi5+分别进入A位与B位),结合交直流极化工艺,产生特殊的大压电各向异性。 该产品具有优良的大压电各向异性性能,稳定性好,绿色环保,可在超声换能器领域使用。
一种压电晶体原料及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种压电晶体原料及其制备方法,属于晶体生长技术领域。技术方案为采用分步法制备出InNbO4(IN)粉料和MgNb2O6(MN)粉料,再按照Pb(In1/2Nb1/2)O3‑Pb(Mg1/3Nb2/3)O3‑PbTiO3(PIMNT)的化学计量比,准确称取PbO、IN、MN和TiO2粉料,球磨后压制成块状,然后烧结得到PIMNT晶体原料。本发明所合成的晶体原料具有很好的单相性,合成过程简单,可明显改善晶体原料成分偏离及对Pt坩埚的腐蚀,大大提高晶体生长的成功率及改善晶体的性能。
一种高温无铅压电陶瓷及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
一种高温无铅压电陶瓷,其特征在于组成通式为(1‑x)Bi0.96La0.06FeO3‑xBa0.97(Na1/2Al1/2)0.03(Cu1/3Ta2/3)O3+0.05BiVO4;其中x表示摩尔分数,0.05x0.4。 这种陶瓷用分步合成、等静压、微波烧结、不同电压类型极化方法相结合制备而成,该系列产品环境友好型、稳定性好,具有优良的压电性能,高的温度稳定性,退极化温度超过500℃,适合在高温领域应用。
一种0.94Bi0.5Na0.5TiO3-0.06BaTiO3无铅压电陶瓷的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种0.94Bi0.5Na0.5TiO3-0.06BaTiO3无铅压电陶瓷的制备方法,将单相无铅压电材料0.94Bi0.5Na0.5TiO3-0.06BaTiO3粉末和ZnO粉末混合均匀,在1000°C烧结1.0小时,得到0.94Bi0.5Na0.5TiO3-0.06BaTiO3:xZnO(x=0,0.1,0.2,
一种高温无铅纳米压电陶瓷及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种高温无铅纳米压电陶瓷及其制备方法,成分以通式Bi1/2Na1/2TiO3+x(30Li2O-50SiO2-20Al2O3)或Bi1/2Na1/2TiO3+x(20Bi2O3-40SiO2-40Al2O3)或Bi1/2Na1/2TiO3+x(30B2O3-35SiO2-35Al2O3)来表示,其中x表示摩尔分数,0x0.3。 本发明采用非晶晶化法制备纳米陶瓷技术,即避免了晶粒长大,又获得很高的致密度。本发明制备工艺简单、稳定,适合工业推广应用。 本发明的陶瓷组成是一种绿色环保型压电陶瓷,高温稳定性好,退极化温度Td500°C,损耗低,在高温压电传感器具有很好的应用前景。
B位复合Bi基化合物组成的无铅压电陶瓷及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了B位复合Bi基化合物组成的无铅压电陶瓷及其制备方法,成分以通式(1-x)Bi(Li1/2Me1/2)O3-xBaTiO3+zMaOb、(1-x)Bi(Li1/2Me1/2)O3-x(Na1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb、(1-x-y)Bi(Li1/2Me1/2)O3-xBaTiO3-y(Na1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb、(1-x-y)Bi(Li1/2Me1/2)O3-xBaTiO3-y(K1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb或(1-x-y-v)Bi(Li1/2Me1/2)O3-xBaTiO3-y(Na1/2Bi1/2)TiO3-v(K1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb来表示,其中x、y、z和v表示摩尔分数,01.0,01,01,0≤z≤0.1,Me为一种或多种五价金属元素,MaOb为一种或多种氧化物,其中M为+1~+6价且能与氧形成固态氧化物的元素,以常规制备陶瓷方法制成。制备的无铅压电陶瓷具备很好的烧结特性,制备工艺简单、稳定,性能优良,可部分取代传统的铅基压电陶瓷使用。
钙锂镱共掺杂的PZT基压电陶瓷及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明提供一种钙、锂、镱共掺杂的PZT基压电陶瓷,该压电陶瓷的化学通式为xPb(Ni1/3Nb2/3)O3–yPb(Mg1/2W1/2)O3–(1–x–y)Pb(Zr0.5Ti0.5)O3+u
基于柔性铁电薄膜的流体驱动式压电传感器及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种基于柔性铁电薄膜的流体驱动式压电传感器及其制备方法,包括玻璃基片和微流控芯片基片;玻璃基片上集成有两相平行的 P(VDF-TrFE)电纺丝薄膜条;微流控芯片基片制作有微沟道和分布于微沟道两侧的电极凹槽;微流控芯片基片还设有进样口、出样口和银浆注入口,进样口、出样口与微沟道两端连通,银浆注入口与电极凹槽连通;玻璃基片和微流控芯片基片键合,?P(VDF-TrFE) 电纺丝薄膜条位于微沟道和电极凹槽底部。本发明制作简单,成本低廉,在低流速流体驱动下也有较大信号输出,不仅能测试驱动流体的流速,也能测试驱动流体的粘度系数。
一种具有自发压电性能的高温无铅压电陶瓷及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
标题一 这是第一段文字。 这是第二段文字。 标题二 这是第三段文字。 这是第四段文字。 标题三 这是第五段文字。 这是第六段文字。 标题四 这是第七段文字。 这是第八段文字。 标题五 这是第九段文字。 这是第十段文字。本发明公开了一种具有自发压电性能的高温无铅压电陶瓷及其制备方法,成分以化学式(1-x)K1/2Na1/2NbO3-xNd2Ti2O7或(1-x)K1/2Na1/2NbO3-xLa2Ti2O7或(1-x)K1/2Na1/2NbO3-xSm2Ti2O7或(1-x)K1/2Na1/2NbO3-xPr2Ti2O7来表示,其中x表示摩尔分数,0x0.8。本发明的无铅压电陶瓷采用常规陶瓷制备工艺制备而成,采用较厚承烧板,保温结束后快速取出,在表面罩上钢板快速冷却通过调控陶瓷样品上下表面冷却温差,产生自发压电性能。 本发明的陶瓷材料工艺简单、不需要高电场极化,压电性能不受铁电材料极化的温度限制,高温稳定性优良,退极化温度Td700oC,绿色环保。
一种具有近零温度系数的高温无铅压电陶瓷及其制备方法
成熟度:正在研发
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技术简介
标题一 这是第一段文字。 这是第二段文字。 标题二 这是第三段文字。 这是第四段文字。 标题三 这是第五段文字。 这是第六段文字。 标题四 这是第七段文字。 这是第八段文字。 标题五 这是第九段文字。 这是第十段文字。本发明公开了一种具有近零温度系数的高温无铅压电陶瓷及其制备方法。 成分以通式(1-x)Bi2FeMnO6-xBa0.7(Bi0.5Na0.5)0.3TiO3+0.005MnO+0.005Nb2O5或(1-x)Bi2FeNiO6-xBa0.7(Bi0.5Na0.5)0.3TiO3+0.005MnO+0.005Nb2O5或(1-x)Bi2FeCrO6-xBa0.7(Bi0.5Na0.5)0.3TiO3+0.005MnO+0.005Nb2O5或(1-x)Bi2FeCoO6-xBa0.7(Bi0.5Na0.5)0.3TiO3+0.005MnO+0.005Nb2O5来表示,其中x表示摩尔分数,0x0.6。本发明的无铅压电陶瓷采用常规陶瓷制备工艺制备而成,采用二次预烧降低组元间的烧结温差,采用热水雾化控制样品冷却速度获得优良的压电性能的温度稳定性。 本发明的陶瓷材料工艺简单、稳定,性能优良,绿色环保。
找到10项技术成果数据。
找技术 >一种大压电各向异性无铅压电陶瓷材料及其制备方法
成熟度:正在研发
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技术简介
本发明公开了一种大压电各向异性无铅压电陶瓷材料,配方为0.94Bi1/2Na1/2Ti0.85(Cu1/3Ta2/3)0.15O3‑0.06LiBiO3。 通过LiBiO3的辅助烧结,结合Bi的变价,在A位与B位出现相同元素的不同价态Bi3+/Bi5+,诱导出现特殊的同素异价A/B位离子有序态(Bi3+与Bi5+分别进入A位与B位),结合交直流极化工艺,产生特殊的大压电各向异性。 该产品具有优良的大压电各向异性性能,稳定性好,绿色环保,可在超声换能器领域使用。
一种压电晶体原料及其制备方法
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技术简介
本发明公开了一种压电晶体原料及其制备方法,属于晶体生长技术领域。技术方案为采用分步法制备出InNbO4(IN)粉料和MgNb2O6(MN)粉料,再按照Pb(In1/2Nb1/2)O3‑Pb(Mg1/3Nb2/3)O3‑PbTiO3(PIMNT)的化学计量比,准确称取PbO、IN、MN和TiO2粉料,球磨后压制成块状,然后烧结得到PIMNT晶体原料。本发明所合成的晶体原料具有很好的单相性,合成过程简单,可明显改善晶体原料成分偏离及对Pt坩埚的腐蚀,大大提高晶体生长的成功率及改善晶体的性能。
一种高温无铅压电陶瓷及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
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技术简介
一种高温无铅压电陶瓷,其特征在于组成通式为(1‑x)Bi0.96La0.06FeO3‑xBa0.97(Na1/2Al1/2)0.03(Cu1/3Ta2/3)O3+0.05BiVO4;其中x表示摩尔分数,0.05x0.4。 这种陶瓷用分步合成、等静压、微波烧结、不同电压类型极化方法相结合制备而成,该系列产品环境友好型、稳定性好,具有优良的压电性能,高的温度稳定性,退极化温度超过500℃,适合在高温领域应用。
一种0.94Bi0.5Na0.5TiO3-0.06BaTiO3无铅压电陶瓷的制备方法
成熟度:正在研发
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技术简介
本发明公开了一种0.94Bi0.5Na0.5TiO3-0.06BaTiO3无铅压电陶瓷的制备方法,将单相无铅压电材料0.94Bi0.5Na0.5TiO3-0.06BaTiO3粉末和ZnO粉末混合均匀,在1000°C烧结1.0小时,得到0.94Bi0.5Na0.5TiO3-0.06BaTiO3:xZnO(x=0,0.1,0.2,
一种高温无铅纳米压电陶瓷及其制备方法
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技术简介
本发明公开了一种高温无铅纳米压电陶瓷及其制备方法,成分以通式Bi1/2Na1/2TiO3+x(30Li2O-50SiO2-20Al2O3)或Bi1/2Na1/2TiO3+x(20Bi2O3-40SiO2-40Al2O3)或Bi1/2Na1/2TiO3+x(30B2O3-35SiO2-35Al2O3)来表示,其中x表示摩尔分数,0x0.3。 本发明采用非晶晶化法制备纳米陶瓷技术,即避免了晶粒长大,又获得很高的致密度。本发明制备工艺简单、稳定,适合工业推广应用。 本发明的陶瓷组成是一种绿色环保型压电陶瓷,高温稳定性好,退极化温度Td500°C,损耗低,在高温压电传感器具有很好的应用前景。
B位复合Bi基化合物组成的无铅压电陶瓷及其制备方法
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技术类型:-
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技术简介
本发明公开了B位复合Bi基化合物组成的无铅压电陶瓷及其制备方法,成分以通式(1-x)Bi(Li1/2Me1/2)O3-xBaTiO3+zMaOb、(1-x)Bi(Li1/2Me1/2)O3-x(Na1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb、(1-x-y)Bi(Li1/2Me1/2)O3-xBaTiO3-y(Na1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb、(1-x-y)Bi(Li1/2Me1/2)O3-xBaTiO3-y(K1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb或(1-x-y-v)Bi(Li1/2Me1/2)O3-xBaTiO3-y(Na1/2Bi1/2)TiO3-v(K1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb来表示,其中x、y、z和v表示摩尔分数,01.0,01,01,0≤z≤0.1,Me为一种或多种五价金属元素,MaOb为一种或多种氧化物,其中M为+1~+6价且能与氧形成固态氧化物的元素,以常规制备陶瓷方法制成。制备的无铅压电陶瓷具备很好的烧结特性,制备工艺简单、稳定,性能优良,可部分取代传统的铅基压电陶瓷使用。
钙锂镱共掺杂的PZT基压电陶瓷及其制备方法
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技术简介
本发明提供一种钙、锂、镱共掺杂的PZT基压电陶瓷,该压电陶瓷的化学通式为xPb(Ni1/3Nb2/3)O3–yPb(Mg1/2W1/2)O3–(1–x–y)Pb(Zr0.5Ti0.5)O3+u
基于柔性铁电薄膜的流体驱动式压电传感器及其制备方法
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本发明公开了一种基于柔性铁电薄膜的流体驱动式压电传感器及其制备方法,包括玻璃基片和微流控芯片基片;玻璃基片上集成有两相平行的 P(VDF-TrFE)电纺丝薄膜条;微流控芯片基片制作有微沟道和分布于微沟道两侧的电极凹槽;微流控芯片基片还设有进样口、出样口和银浆注入口,进样口、出样口与微沟道两端连通,银浆注入口与电极凹槽连通;玻璃基片和微流控芯片基片键合,?P(VDF-TrFE) 电纺丝薄膜条位于微沟道和电极凹槽底部。本发明制作简单,成本低廉,在低流速流体驱动下也有较大信号输出,不仅能测试驱动流体的流速,也能测试驱动流体的粘度系数。
一种具有自发压电性能的高温无铅压电陶瓷及其制备方法
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标题一 这是第一段文字。 这是第二段文字。 标题二 这是第三段文字。 这是第四段文字。 标题三 这是第五段文字。 这是第六段文字。 标题四 这是第七段文字。 这是第八段文字。 标题五 这是第九段文字。 这是第十段文字。本发明公开了一种具有自发压电性能的高温无铅压电陶瓷及其制备方法,成分以化学式(1-x)K1/2Na1/2NbO3-xNd2Ti2O7或(1-x)K1/2Na1/2NbO3-xLa2Ti2O7或(1-x)K1/2Na1/2NbO3-xSm2Ti2O7或(1-x)K1/2Na1/2NbO3-xPr2Ti2O7来表示,其中x表示摩尔分数,0x0.8。本发明的无铅压电陶瓷采用常规陶瓷制备工艺制备而成,采用较厚承烧板,保温结束后快速取出,在表面罩上钢板快速冷却通过调控陶瓷样品上下表面冷却温差,产生自发压电性能。 本发明的陶瓷材料工艺简单、不需要高电场极化,压电性能不受铁电材料极化的温度限制,高温稳定性优良,退极化温度Td700oC,绿色环保。
一种具有近零温度系数的高温无铅压电陶瓷及其制备方法
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标题一 这是第一段文字。 这是第二段文字。 标题二 这是第三段文字。 这是第四段文字。 标题三 这是第五段文字。 这是第六段文字。 标题四 这是第七段文字。 这是第八段文字。 标题五 这是第九段文字。 这是第十段文字。本发明公开了一种具有近零温度系数的高温无铅压电陶瓷及其制备方法。 成分以通式(1-x)Bi2FeMnO6-xBa0.7(Bi0.5Na0.5)0.3TiO3+0.005MnO+0.005Nb2O5或(1-x)Bi2FeNiO6-xBa0.7(Bi0.5Na0.5)0.3TiO3+0.005MnO+0.005Nb2O5或(1-x)Bi2FeCrO6-xBa0.7(Bi0.5Na0.5)0.3TiO3+0.005MnO+0.005Nb2O5或(1-x)Bi2FeCoO6-xBa0.7(Bi0.5Na0.5)0.3TiO3+0.005MnO+0.005Nb2O5来表示,其中x表示摩尔分数,0x0.6。本发明的无铅压电陶瓷采用常规陶瓷制备工艺制备而成,采用二次预烧降低组元间的烧结温差,采用热水雾化控制样品冷却速度获得优良的压电性能的温度稳定性。 本发明的陶瓷材料工艺简单、稳定,性能优良,绿色环保。
找到10项技术成果数据。
找技术 >一种大压电各向异性无铅压电陶瓷材料及其制备方法
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本发明公开了一种大压电各向异性无铅压电陶瓷材料,配方为0.94Bi1/2Na1/2Ti0.85(Cu1/3Ta2/3)0.15O3‑0.06LiBiO3。 通过LiBiO3的辅助烧结,结合Bi的变价,在A位与B位出现相同元素的不同价态Bi3+/Bi5+,诱导出现特殊的同素异价A/B位离子有序态(Bi3+与Bi5+分别进入A位与B位),结合交直流极化工艺,产生特殊的大压电各向异性。 该产品具有优良的大压电各向异性性能,稳定性好,绿色环保,可在超声换能器领域使用。
一种压电晶体原料及其制备方法
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技术简介
本发明公开了一种压电晶体原料及其制备方法,属于晶体生长技术领域。技术方案为采用分步法制备出InNbO4(IN)粉料和MgNb2O6(MN)粉料,再按照Pb(In1/2Nb1/2)O3‑Pb(Mg1/3Nb2/3)O3‑PbTiO3(PIMNT)的化学计量比,准确称取PbO、IN、MN和TiO2粉料,球磨后压制成块状,然后烧结得到PIMNT晶体原料。本发明所合成的晶体原料具有很好的单相性,合成过程简单,可明显改善晶体原料成分偏离及对Pt坩埚的腐蚀,大大提高晶体生长的成功率及改善晶体的性能。
一种高温无铅压电陶瓷及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
一种高温无铅压电陶瓷,其特征在于组成通式为(1‑x)Bi0.96La0.06FeO3‑xBa0.97(Na1/2Al1/2)0.03(Cu1/3Ta2/3)O3+0.05BiVO4;其中x表示摩尔分数,0.05x0.4。 这种陶瓷用分步合成、等静压、微波烧结、不同电压类型极化方法相结合制备而成,该系列产品环境友好型、稳定性好,具有优良的压电性能,高的温度稳定性,退极化温度超过500℃,适合在高温领域应用。
一种0.94Bi0.5Na0.5TiO3-0.06BaTiO3无铅压电陶瓷的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种0.94Bi0.5Na0.5TiO3-0.06BaTiO3无铅压电陶瓷的制备方法,将单相无铅压电材料0.94Bi0.5Na0.5TiO3-0.06BaTiO3粉末和ZnO粉末混合均匀,在1000°C烧结1.0小时,得到0.94Bi0.5Na0.5TiO3-0.06BaTiO3:xZnO(x=0,0.1,0.2,
一种高温无铅纳米压电陶瓷及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种高温无铅纳米压电陶瓷及其制备方法,成分以通式Bi1/2Na1/2TiO3+x(30Li2O-50SiO2-20Al2O3)或Bi1/2Na1/2TiO3+x(20Bi2O3-40SiO2-40Al2O3)或Bi1/2Na1/2TiO3+x(30B2O3-35SiO2-35Al2O3)来表示,其中x表示摩尔分数,0x0.3。 本发明采用非晶晶化法制备纳米陶瓷技术,即避免了晶粒长大,又获得很高的致密度。本发明制备工艺简单、稳定,适合工业推广应用。 本发明的陶瓷组成是一种绿色环保型压电陶瓷,高温稳定性好,退极化温度Td500°C,损耗低,在高温压电传感器具有很好的应用前景。
B位复合Bi基化合物组成的无铅压电陶瓷及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了B位复合Bi基化合物组成的无铅压电陶瓷及其制备方法,成分以通式(1-x)Bi(Li1/2Me1/2)O3-xBaTiO3+zMaOb、(1-x)Bi(Li1/2Me1/2)O3-x(Na1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb、(1-x-y)Bi(Li1/2Me1/2)O3-xBaTiO3-y(Na1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb、(1-x-y)Bi(Li1/2Me1/2)O3-xBaTiO3-y(K1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb或(1-x-y-v)Bi(Li1/2Me1/2)O3-xBaTiO3-y(Na1/2Bi1/2)TiO3-v(K1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb来表示,其中x、y、z和v表示摩尔分数,01.0,01,01,0≤z≤0.1,Me为一种或多种五价金属元素,MaOb为一种或多种氧化物,其中M为+1~+6价且能与氧形成固态氧化物的元素,以常规制备陶瓷方法制成。制备的无铅压电陶瓷具备很好的烧结特性,制备工艺简单、稳定,性能优良,可部分取代传统的铅基压电陶瓷使用。
钙锂镱共掺杂的PZT基压电陶瓷及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
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技术简介
本发明提供一种钙、锂、镱共掺杂的PZT基压电陶瓷,该压电陶瓷的化学通式为xPb(Ni1/3Nb2/3)O3–yPb(Mg1/2W1/2)O3–(1–x–y)Pb(Zr0.5Ti0.5)O3+u
基于柔性铁电薄膜的流体驱动式压电传感器及其制备方法
成熟度:正在研发
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应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种基于柔性铁电薄膜的流体驱动式压电传感器及其制备方法,包括玻璃基片和微流控芯片基片;玻璃基片上集成有两相平行的 P(VDF-TrFE)电纺丝薄膜条;微流控芯片基片制作有微沟道和分布于微沟道两侧的电极凹槽;微流控芯片基片还设有进样口、出样口和银浆注入口,进样口、出样口与微沟道两端连通,银浆注入口与电极凹槽连通;玻璃基片和微流控芯片基片键合,?P(VDF-TrFE) 电纺丝薄膜条位于微沟道和电极凹槽底部。本发明制作简单,成本低廉,在低流速流体驱动下也有较大信号输出,不仅能测试驱动流体的流速,也能测试驱动流体的粘度系数。
一种具有自发压电性能的高温无铅压电陶瓷及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
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标题一 这是第一段文字。 这是第二段文字。 标题二 这是第三段文字。 这是第四段文字。 标题三 这是第五段文字。 这是第六段文字。 标题四 这是第七段文字。 这是第八段文字。 标题五 这是第九段文字。 这是第十段文字。本发明公开了一种具有自发压电性能的高温无铅压电陶瓷及其制备方法,成分以化学式(1-x)K1/2Na1/2NbO3-xNd2Ti2O7或(1-x)K1/2Na1/2NbO3-xLa2Ti2O7或(1-x)K1/2Na1/2NbO3-xSm2Ti2O7或(1-x)K1/2Na1/2NbO3-xPr2Ti2O7来表示,其中x表示摩尔分数,0x0.8。本发明的无铅压电陶瓷采用常规陶瓷制备工艺制备而成,采用较厚承烧板,保温结束后快速取出,在表面罩上钢板快速冷却通过调控陶瓷样品上下表面冷却温差,产生自发压电性能。 本发明的陶瓷材料工艺简单、不需要高电场极化,压电性能不受铁电材料极化的温度限制,高温稳定性优良,退极化温度Td700oC,绿色环保。
一种具有近零温度系数的高温无铅压电陶瓷及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
标题一 这是第一段文字。 这是第二段文字。 标题二 这是第三段文字。 这是第四段文字。 标题三 这是第五段文字。 这是第六段文字。 标题四 这是第七段文字。 这是第八段文字。 标题五 这是第九段文字。 这是第十段文字。本发明公开了一种具有近零温度系数的高温无铅压电陶瓷及其制备方法。 成分以通式(1-x)Bi2FeMnO6-xBa0.7(Bi0.5Na0.5)0.3TiO3+0.005MnO+0.005Nb2O5或(1-x)Bi2FeNiO6-xBa0.7(Bi0.5Na0.5)0.3TiO3+0.005MnO+0.005Nb2O5或(1-x)Bi2FeCrO6-xBa0.7(Bi0.5Na0.5)0.3TiO3+0.005MnO+0.005Nb2O5或(1-x)Bi2FeCoO6-xBa0.7(Bi0.5Na0.5)0.3TiO3+0.005MnO+0.005Nb2O5来表示,其中x表示摩尔分数,0x0.6。本发明的无铅压电陶瓷采用常规陶瓷制备工艺制备而成,采用二次预烧降低组元间的烧结温差,采用热水雾化控制样品冷却速度获得优良的压电性能的温度稳定性。 本发明的陶瓷材料工艺简单、稳定,性能优良,绿色环保。
找到10项技术成果数据。
找技术 >一种大压电各向异性无铅压电陶瓷材料及其制备方法
成熟度:正在研发
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应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种大压电各向异性无铅压电陶瓷材料,配方为0.94Bi1/2Na1/2Ti0.85(Cu1/3Ta2/3)0.15O3‑0.06LiBiO3。 通过LiBiO3的辅助烧结,结合Bi的变价,在A位与B位出现相同元素的不同价态Bi3+/Bi5+,诱导出现特殊的同素异价A/B位离子有序态(Bi3+与Bi5+分别进入A位与B位),结合交直流极化工艺,产生特殊的大压电各向异性。 该产品具有优良的大压电各向异性性能,稳定性好,绿色环保,可在超声换能器领域使用。
一种压电晶体原料及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种压电晶体原料及其制备方法,属于晶体生长技术领域。技术方案为采用分步法制备出InNbO4(IN)粉料和MgNb2O6(MN)粉料,再按照Pb(In1/2Nb1/2)O3‑Pb(Mg1/3Nb2/3)O3‑PbTiO3(PIMNT)的化学计量比,准确称取PbO、IN、MN和TiO2粉料,球磨后压制成块状,然后烧结得到PIMNT晶体原料。本发明所合成的晶体原料具有很好的单相性,合成过程简单,可明显改善晶体原料成分偏离及对Pt坩埚的腐蚀,大大提高晶体生长的成功率及改善晶体的性能。
一种高温无铅压电陶瓷及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
一种高温无铅压电陶瓷,其特征在于组成通式为(1‑x)Bi0.96La0.06FeO3‑xBa0.97(Na1/2Al1/2)0.03(Cu1/3Ta2/3)O3+0.05BiVO4;其中x表示摩尔分数,0.05x0.4。 这种陶瓷用分步合成、等静压、微波烧结、不同电压类型极化方法相结合制备而成,该系列产品环境友好型、稳定性好,具有优良的压电性能,高的温度稳定性,退极化温度超过500℃,适合在高温领域应用。
一种0.94Bi0.5Na0.5TiO3-0.06BaTiO3无铅压电陶瓷的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种0.94Bi0.5Na0.5TiO3-0.06BaTiO3无铅压电陶瓷的制备方法,将单相无铅压电材料0.94Bi0.5Na0.5TiO3-0.06BaTiO3粉末和ZnO粉末混合均匀,在1000°C烧结1.0小时,得到0.94Bi0.5Na0.5TiO3-0.06BaTiO3:xZnO(x=0,0.1,0.2,
一种高温无铅纳米压电陶瓷及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种高温无铅纳米压电陶瓷及其制备方法,成分以通式Bi1/2Na1/2TiO3+x(30Li2O-50SiO2-20Al2O3)或Bi1/2Na1/2TiO3+x(20Bi2O3-40SiO2-40Al2O3)或Bi1/2Na1/2TiO3+x(30B2O3-35SiO2-35Al2O3)来表示,其中x表示摩尔分数,0x0.3。 本发明采用非晶晶化法制备纳米陶瓷技术,即避免了晶粒长大,又获得很高的致密度。本发明制备工艺简单、稳定,适合工业推广应用。 本发明的陶瓷组成是一种绿色环保型压电陶瓷,高温稳定性好,退极化温度Td500°C,损耗低,在高温压电传感器具有很好的应用前景。
B位复合Bi基化合物组成的无铅压电陶瓷及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了B位复合Bi基化合物组成的无铅压电陶瓷及其制备方法,成分以通式(1-x)Bi(Li1/2Me1/2)O3-xBaTiO3+zMaOb、(1-x)Bi(Li1/2Me1/2)O3-x(Na1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb、(1-x-y)Bi(Li1/2Me1/2)O3-xBaTiO3-y(Na1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb、(1-x-y)Bi(Li1/2Me1/2)O3-xBaTiO3-y(K1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb或(1-x-y-v)Bi(Li1/2Me1/2)O3-xBaTiO3-y(Na1/2Bi1/2)TiO3-v(K1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb来表示,其中x、y、z和v表示摩尔分数,01.0,01,01,0≤z≤0.1,Me为一种或多种五价金属元素,MaOb为一种或多种氧化物,其中M为+1~+6价且能与氧形成固态氧化物的元素,以常规制备陶瓷方法制成。制备的无铅压电陶瓷具备很好的烧结特性,制备工艺简单、稳定,性能优良,可部分取代传统的铅基压电陶瓷使用。
钙锂镱共掺杂的PZT基压电陶瓷及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明提供一种钙、锂、镱共掺杂的PZT基压电陶瓷,该压电陶瓷的化学通式为xPb(Ni1/3Nb2/3)O3–yPb(Mg1/2W1/2)O3–(1–x–y)Pb(Zr0.5Ti0.5)O3+u
基于柔性铁电薄膜的流体驱动式压电传感器及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种基于柔性铁电薄膜的流体驱动式压电传感器及其制备方法,包括玻璃基片和微流控芯片基片;玻璃基片上集成有两相平行的 P(VDF-TrFE)电纺丝薄膜条;微流控芯片基片制作有微沟道和分布于微沟道两侧的电极凹槽;微流控芯片基片还设有进样口、出样口和银浆注入口,进样口、出样口与微沟道两端连通,银浆注入口与电极凹槽连通;玻璃基片和微流控芯片基片键合,?P(VDF-TrFE) 电纺丝薄膜条位于微沟道和电极凹槽底部。本发明制作简单,成本低廉,在低流速流体驱动下也有较大信号输出,不仅能测试驱动流体的流速,也能测试驱动流体的粘度系数。
一种具有自发压电性能的高温无铅压电陶瓷及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
标题一 这是第一段文字。 这是第二段文字。 标题二 这是第三段文字。 这是第四段文字。 标题三 这是第五段文字。 这是第六段文字。 标题四 这是第七段文字。 这是第八段文字。 标题五 这是第九段文字。 这是第十段文字。本发明公开了一种具有自发压电性能的高温无铅压电陶瓷及其制备方法,成分以化学式(1-x)K1/2Na1/2NbO3-xNd2Ti2O7或(1-x)K1/2Na1/2NbO3-xLa2Ti2O7或(1-x)K1/2Na1/2NbO3-xSm2Ti2O7或(1-x)K1/2Na1/2NbO3-xPr2Ti2O7来表示,其中x表示摩尔分数,0x0.8。本发明的无铅压电陶瓷采用常规陶瓷制备工艺制备而成,采用较厚承烧板,保温结束后快速取出,在表面罩上钢板快速冷却通过调控陶瓷样品上下表面冷却温差,产生自发压电性能。 本发明的陶瓷材料工艺简单、不需要高电场极化,压电性能不受铁电材料极化的温度限制,高温稳定性优良,退极化温度Td700oC,绿色环保。
一种具有近零温度系数的高温无铅压电陶瓷及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
标题一 这是第一段文字。 这是第二段文字。 标题二 这是第三段文字。 这是第四段文字。 标题三 这是第五段文字。 这是第六段文字。 标题四 这是第七段文字。 这是第八段文字。 标题五 这是第九段文字。 这是第十段文字。本发明公开了一种具有近零温度系数的高温无铅压电陶瓷及其制备方法。 成分以通式(1-x)Bi2FeMnO6-xBa0.7(Bi0.5Na0.5)0.3TiO3+0.005MnO+0.005Nb2O5或(1-x)Bi2FeNiO6-xBa0.7(Bi0.5Na0.5)0.3TiO3+0.005MnO+0.005Nb2O5或(1-x)Bi2FeCrO6-xBa0.7(Bi0.5Na0.5)0.3TiO3+0.005MnO+0.005Nb2O5或(1-x)Bi2FeCoO6-xBa0.7(Bi0.5Na0.5)0.3TiO3+0.005MnO+0.005Nb2O5来表示,其中x表示摩尔分数,0x0.6。本发明的无铅压电陶瓷采用常规陶瓷制备工艺制备而成,采用二次预烧降低组元间的烧结温差,采用热水雾化控制样品冷却速度获得优良的压电性能的温度稳定性。 本发明的陶瓷材料工艺简单、稳定,性能优良,绿色环保。
找到10项技术成果数据。
找技术 >一种大压电各向异性无铅压电陶瓷材料及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
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技术简介
本发明公开了一种大压电各向异性无铅压电陶瓷材料,配方为0.94Bi1/2Na1/2Ti0.85(Cu1/3Ta2/3)0.15O3‑0.06LiBiO3。 通过LiBiO3的辅助烧结,结合Bi的变价,在A位与B位出现相同元素的不同价态Bi3+/Bi5+,诱导出现特殊的同素异价A/B位离子有序态(Bi3+与Bi5+分别进入A位与B位),结合交直流极化工艺,产生特殊的大压电各向异性。 该产品具有优良的大压电各向异性性能,稳定性好,绿色环保,可在超声换能器领域使用。
一种压电晶体原料及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
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技术简介
本发明公开了一种压电晶体原料及其制备方法,属于晶体生长技术领域。技术方案为采用分步法制备出InNbO4(IN)粉料和MgNb2O6(MN)粉料,再按照Pb(In1/2Nb1/2)O3‑Pb(Mg1/3Nb2/3)O3‑PbTiO3(PIMNT)的化学计量比,准确称取PbO、IN、MN和TiO2粉料,球磨后压制成块状,然后烧结得到PIMNT晶体原料。本发明所合成的晶体原料具有很好的单相性,合成过程简单,可明显改善晶体原料成分偏离及对Pt坩埚的腐蚀,大大提高晶体生长的成功率及改善晶体的性能。
一种高温无铅压电陶瓷及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
一种高温无铅压电陶瓷,其特征在于组成通式为(1‑x)Bi0.96La0.06FeO3‑xBa0.97(Na1/2Al1/2)0.03(Cu1/3Ta2/3)O3+0.05BiVO4;其中x表示摩尔分数,0.05x0.4。 这种陶瓷用分步合成、等静压、微波烧结、不同电压类型极化方法相结合制备而成,该系列产品环境友好型、稳定性好,具有优良的压电性能,高的温度稳定性,退极化温度超过500℃,适合在高温领域应用。
一种0.94Bi0.5Na0.5TiO3-0.06BaTiO3无铅压电陶瓷的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种0.94Bi0.5Na0.5TiO3-0.06BaTiO3无铅压电陶瓷的制备方法,将单相无铅压电材料0.94Bi0.5Na0.5TiO3-0.06BaTiO3粉末和ZnO粉末混合均匀,在1000°C烧结1.0小时,得到0.94Bi0.5Na0.5TiO3-0.06BaTiO3:xZnO(x=0,0.1,0.2,
一种高温无铅纳米压电陶瓷及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种高温无铅纳米压电陶瓷及其制备方法,成分以通式Bi1/2Na1/2TiO3+x(30Li2O-50SiO2-20Al2O3)或Bi1/2Na1/2TiO3+x(20Bi2O3-40SiO2-40Al2O3)或Bi1/2Na1/2TiO3+x(30B2O3-35SiO2-35Al2O3)来表示,其中x表示摩尔分数,0x0.3。 本发明采用非晶晶化法制备纳米陶瓷技术,即避免了晶粒长大,又获得很高的致密度。本发明制备工艺简单、稳定,适合工业推广应用。 本发明的陶瓷组成是一种绿色环保型压电陶瓷,高温稳定性好,退极化温度Td500°C,损耗低,在高温压电传感器具有很好的应用前景。
B位复合Bi基化合物组成的无铅压电陶瓷及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了B位复合Bi基化合物组成的无铅压电陶瓷及其制备方法,成分以通式(1-x)Bi(Li1/2Me1/2)O3-xBaTiO3+zMaOb、(1-x)Bi(Li1/2Me1/2)O3-x(Na1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb、(1-x-y)Bi(Li1/2Me1/2)O3-xBaTiO3-y(Na1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb、(1-x-y)Bi(Li1/2Me1/2)O3-xBaTiO3-y(K1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb或(1-x-y-v)Bi(Li1/2Me1/2)O3-xBaTiO3-y(Na1/2Bi1/2)TiO3-v(K1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb来表示,其中x、y、z和v表示摩尔分数,01.0,01,01,0≤z≤0.1,Me为一种或多种五价金属元素,MaOb为一种或多种氧化物,其中M为+1~+6价且能与氧形成固态氧化物的元素,以常规制备陶瓷方法制成。制备的无铅压电陶瓷具备很好的烧结特性,制备工艺简单、稳定,性能优良,可部分取代传统的铅基压电陶瓷使用。
钙锂镱共掺杂的PZT基压电陶瓷及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
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技术简介
本发明提供一种钙、锂、镱共掺杂的PZT基压电陶瓷,该压电陶瓷的化学通式为xPb(Ni1/3Nb2/3)O3–yPb(Mg1/2W1/2)O3–(1–x–y)Pb(Zr0.5Ti0.5)O3+u
基于柔性铁电薄膜的流体驱动式压电传感器及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种基于柔性铁电薄膜的流体驱动式压电传感器及其制备方法,包括玻璃基片和微流控芯片基片;玻璃基片上集成有两相平行的 P(VDF-TrFE)电纺丝薄膜条;微流控芯片基片制作有微沟道和分布于微沟道两侧的电极凹槽;微流控芯片基片还设有进样口、出样口和银浆注入口,进样口、出样口与微沟道两端连通,银浆注入口与电极凹槽连通;玻璃基片和微流控芯片基片键合,?P(VDF-TrFE) 电纺丝薄膜条位于微沟道和电极凹槽底部。本发明制作简单,成本低廉,在低流速流体驱动下也有较大信号输出,不仅能测试驱动流体的流速,也能测试驱动流体的粘度系数。
一种具有自发压电性能的高温无铅压电陶瓷及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
标题一 这是第一段文字。 这是第二段文字。 标题二 这是第三段文字。 这是第四段文字。 标题三 这是第五段文字。 这是第六段文字。 标题四 这是第七段文字。 这是第八段文字。 标题五 这是第九段文字。 这是第十段文字。本发明公开了一种具有自发压电性能的高温无铅压电陶瓷及其制备方法,成分以化学式(1-x)K1/2Na1/2NbO3-xNd2Ti2O7或(1-x)K1/2Na1/2NbO3-xLa2Ti2O7或(1-x)K1/2Na1/2NbO3-xSm2Ti2O7或(1-x)K1/2Na1/2NbO3-xPr2Ti2O7来表示,其中x表示摩尔分数,0x0.8。本发明的无铅压电陶瓷采用常规陶瓷制备工艺制备而成,采用较厚承烧板,保温结束后快速取出,在表面罩上钢板快速冷却通过调控陶瓷样品上下表面冷却温差,产生自发压电性能。 本发明的陶瓷材料工艺简单、不需要高电场极化,压电性能不受铁电材料极化的温度限制,高温稳定性优良,退极化温度Td700oC,绿色环保。
一种具有近零温度系数的高温无铅压电陶瓷及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
标题一 这是第一段文字。 这是第二段文字。 标题二 这是第三段文字。 这是第四段文字。 标题三 这是第五段文字。 这是第六段文字。 标题四 这是第七段文字。 这是第八段文字。 标题五 这是第九段文字。 这是第十段文字。本发明公开了一种具有近零温度系数的高温无铅压电陶瓷及其制备方法。 成分以通式(1-x)Bi2FeMnO6-xBa0.7(Bi0.5Na0.5)0.3TiO3+0.005MnO+0.005Nb2O5或(1-x)Bi2FeNiO6-xBa0.7(Bi0.5Na0.5)0.3TiO3+0.005MnO+0.005Nb2O5或(1-x)Bi2FeCrO6-xBa0.7(Bi0.5Na0.5)0.3TiO3+0.005MnO+0.005Nb2O5或(1-x)Bi2FeCoO6-xBa0.7(Bi0.5Na0.5)0.3TiO3+0.005MnO+0.005Nb2O5来表示,其中x表示摩尔分数,0x0.6。本发明的无铅压电陶瓷采用常规陶瓷制备工艺制备而成,采用二次预烧降低组元间的烧结温差,采用热水雾化控制样品冷却速度获得优良的压电性能的温度稳定性。 本发明的陶瓷材料工艺简单、稳定,性能优良,绿色环保。
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找技术 >一种大压电各向异性无铅压电陶瓷材料及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
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技术简介
本发明公开了一种大压电各向异性无铅压电陶瓷材料,配方为0.94Bi1/2Na1/2Ti0.85(Cu1/3Ta2/3)0.15O3‑0.06LiBiO3。 通过LiBiO3的辅助烧结,结合Bi的变价,在A位与B位出现相同元素的不同价态Bi3+/Bi5+,诱导出现特殊的同素异价A/B位离子有序态(Bi3+与Bi5+分别进入A位与B位),结合交直流极化工艺,产生特殊的大压电各向异性。 该产品具有优良的大压电各向异性性能,稳定性好,绿色环保,可在超声换能器领域使用。
一种压电晶体原料及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种压电晶体原料及其制备方法,属于晶体生长技术领域。技术方案为采用分步法制备出InNbO4(IN)粉料和MgNb2O6(MN)粉料,再按照Pb(In1/2Nb1/2)O3‑Pb(Mg1/3Nb2/3)O3‑PbTiO3(PIMNT)的化学计量比,准确称取PbO、IN、MN和TiO2粉料,球磨后压制成块状,然后烧结得到PIMNT晶体原料。本发明所合成的晶体原料具有很好的单相性,合成过程简单,可明显改善晶体原料成分偏离及对Pt坩埚的腐蚀,大大提高晶体生长的成功率及改善晶体的性能。
一种高温无铅压电陶瓷及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
一种高温无铅压电陶瓷,其特征在于组成通式为(1‑x)Bi0.96La0.06FeO3‑xBa0.97(Na1/2Al1/2)0.03(Cu1/3Ta2/3)O3+0.05BiVO4;其中x表示摩尔分数,0.05x0.4。 这种陶瓷用分步合成、等静压、微波烧结、不同电压类型极化方法相结合制备而成,该系列产品环境友好型、稳定性好,具有优良的压电性能,高的温度稳定性,退极化温度超过500℃,适合在高温领域应用。
一种0.94Bi0.5Na0.5TiO3-0.06BaTiO3无铅压电陶瓷的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种0.94Bi0.5Na0.5TiO3-0.06BaTiO3无铅压电陶瓷的制备方法,将单相无铅压电材料0.94Bi0.5Na0.5TiO3-0.06BaTiO3粉末和ZnO粉末混合均匀,在1000°C烧结1.0小时,得到0.94Bi0.5Na0.5TiO3-0.06BaTiO3:xZnO(x=0,0.1,0.2,
一种高温无铅纳米压电陶瓷及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种高温无铅纳米压电陶瓷及其制备方法,成分以通式Bi1/2Na1/2TiO3+x(30Li2O-50SiO2-20Al2O3)或Bi1/2Na1/2TiO3+x(20Bi2O3-40SiO2-40Al2O3)或Bi1/2Na1/2TiO3+x(30B2O3-35SiO2-35Al2O3)来表示,其中x表示摩尔分数,0x0.3。 本发明采用非晶晶化法制备纳米陶瓷技术,即避免了晶粒长大,又获得很高的致密度。本发明制备工艺简单、稳定,适合工业推广应用。 本发明的陶瓷组成是一种绿色环保型压电陶瓷,高温稳定性好,退极化温度Td500°C,损耗低,在高温压电传感器具有很好的应用前景。
B位复合Bi基化合物组成的无铅压电陶瓷及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了B位复合Bi基化合物组成的无铅压电陶瓷及其制备方法,成分以通式(1-x)Bi(Li1/2Me1/2)O3-xBaTiO3+zMaOb、(1-x)Bi(Li1/2Me1/2)O3-x(Na1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb、(1-x-y)Bi(Li1/2Me1/2)O3-xBaTiO3-y(Na1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb、(1-x-y)Bi(Li1/2Me1/2)O3-xBaTiO3-y(K1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb或(1-x-y-v)Bi(Li1/2Me1/2)O3-xBaTiO3-y(Na1/2Bi1/2)TiO3-v(K1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb来表示,其中x、y、z和v表示摩尔分数,01.0,01,01,0≤z≤0.1,Me为一种或多种五价金属元素,MaOb为一种或多种氧化物,其中M为+1~+6价且能与氧形成固态氧化物的元素,以常规制备陶瓷方法制成。制备的无铅压电陶瓷具备很好的烧结特性,制备工艺简单、稳定,性能优良,可部分取代传统的铅基压电陶瓷使用。
钙锂镱共掺杂的PZT基压电陶瓷及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明提供一种钙、锂、镱共掺杂的PZT基压电陶瓷,该压电陶瓷的化学通式为xPb(Ni1/3Nb2/3)O3–yPb(Mg1/2W1/2)O3–(1–x–y)Pb(Zr0.5Ti0.5)O3+u
基于柔性铁电薄膜的流体驱动式压电传感器及其制备方法
成熟度:正在研发
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应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种基于柔性铁电薄膜的流体驱动式压电传感器及其制备方法,包括玻璃基片和微流控芯片基片;玻璃基片上集成有两相平行的 P(VDF-TrFE)电纺丝薄膜条;微流控芯片基片制作有微沟道和分布于微沟道两侧的电极凹槽;微流控芯片基片还设有进样口、出样口和银浆注入口,进样口、出样口与微沟道两端连通,银浆注入口与电极凹槽连通;玻璃基片和微流控芯片基片键合,?P(VDF-TrFE) 电纺丝薄膜条位于微沟道和电极凹槽底部。本发明制作简单,成本低廉,在低流速流体驱动下也有较大信号输出,不仅能测试驱动流体的流速,也能测试驱动流体的粘度系数。
一种具有自发压电性能的高温无铅压电陶瓷及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
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标题一 这是第一段文字。 这是第二段文字。 标题二 这是第三段文字。 这是第四段文字。 标题三 这是第五段文字。 这是第六段文字。 标题四 这是第七段文字。 这是第八段文字。 标题五 这是第九段文字。 这是第十段文字。本发明公开了一种具有自发压电性能的高温无铅压电陶瓷及其制备方法,成分以化学式(1-x)K1/2Na1/2NbO3-xNd2Ti2O7或(1-x)K1/2Na1/2NbO3-xLa2Ti2O7或(1-x)K1/2Na1/2NbO3-xSm2Ti2O7或(1-x)K1/2Na1/2NbO3-xPr2Ti2O7来表示,其中x表示摩尔分数,0x0.8。本发明的无铅压电陶瓷采用常规陶瓷制备工艺制备而成,采用较厚承烧板,保温结束后快速取出,在表面罩上钢板快速冷却通过调控陶瓷样品上下表面冷却温差,产生自发压电性能。 本发明的陶瓷材料工艺简单、不需要高电场极化,压电性能不受铁电材料极化的温度限制,高温稳定性优良,退极化温度Td700oC,绿色环保。
一种具有近零温度系数的高温无铅压电陶瓷及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
标题一 这是第一段文字。 这是第二段文字。 标题二 这是第三段文字。 这是第四段文字。 标题三 这是第五段文字。 这是第六段文字。 标题四 这是第七段文字。 这是第八段文字。 标题五 这是第九段文字。 这是第十段文字。本发明公开了一种具有近零温度系数的高温无铅压电陶瓷及其制备方法。 成分以通式(1-x)Bi2FeMnO6-xBa0.7(Bi0.5Na0.5)0.3TiO3+0.005MnO+0.005Nb2O5或(1-x)Bi2FeNiO6-xBa0.7(Bi0.5Na0.5)0.3TiO3+0.005MnO+0.005Nb2O5或(1-x)Bi2FeCrO6-xBa0.7(Bi0.5Na0.5)0.3TiO3+0.005MnO+0.005Nb2O5或(1-x)Bi2FeCoO6-xBa0.7(Bi0.5Na0.5)0.3TiO3+0.005MnO+0.005Nb2O5来表示,其中x表示摩尔分数,0x0.6。本发明的无铅压电陶瓷采用常规陶瓷制备工艺制备而成,采用二次预烧降低组元间的烧结温差,采用热水雾化控制样品冷却速度获得优良的压电性能的温度稳定性。 本发明的陶瓷材料工艺简单、稳定,性能优良,绿色环保。
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应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种大压电各向异性无铅压电陶瓷材料,配方为0.94Bi1/2Na1/2Ti0.85(Cu1/3Ta2/3)0.15O3‑0.06LiBiO3。 通过LiBiO3的辅助烧结,结合Bi的变价,在A位与B位出现相同元素的不同价态Bi3+/Bi5+,诱导出现特殊的同素异价A/B位离子有序态(Bi3+与Bi5+分别进入A位与B位),结合交直流极化工艺,产生特殊的大压电各向异性。 该产品具有优良的大压电各向异性性能,稳定性好,绿色环保,可在超声换能器领域使用。
一种压电晶体原料及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种压电晶体原料及其制备方法,属于晶体生长技术领域。技术方案为采用分步法制备出InNbO4(IN)粉料和MgNb2O6(MN)粉料,再按照Pb(In1/2Nb1/2)O3‑Pb(Mg1/3Nb2/3)O3‑PbTiO3(PIMNT)的化学计量比,准确称取PbO、IN、MN和TiO2粉料,球磨后压制成块状,然后烧结得到PIMNT晶体原料。本发明所合成的晶体原料具有很好的单相性,合成过程简单,可明显改善晶体原料成分偏离及对Pt坩埚的腐蚀,大大提高晶体生长的成功率及改善晶体的性能。
一种高温无铅压电陶瓷及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
一种高温无铅压电陶瓷,其特征在于组成通式为(1‑x)Bi0.96La0.06FeO3‑xBa0.97(Na1/2Al1/2)0.03(Cu1/3Ta2/3)O3+0.05BiVO4;其中x表示摩尔分数,0.05x0.4。 这种陶瓷用分步合成、等静压、微波烧结、不同电压类型极化方法相结合制备而成,该系列产品环境友好型、稳定性好,具有优良的压电性能,高的温度稳定性,退极化温度超过500℃,适合在高温领域应用。
一种0.94Bi0.5Na0.5TiO3-0.06BaTiO3无铅压电陶瓷的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种0.94Bi0.5Na0.5TiO3-0.06BaTiO3无铅压电陶瓷的制备方法,将单相无铅压电材料0.94Bi0.5Na0.5TiO3-0.06BaTiO3粉末和ZnO粉末混合均匀,在1000°C烧结1.0小时,得到0.94Bi0.5Na0.5TiO3-0.06BaTiO3:xZnO(x=0,0.1,0.2,
一种高温无铅纳米压电陶瓷及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种高温无铅纳米压电陶瓷及其制备方法,成分以通式Bi1/2Na1/2TiO3+x(30Li2O-50SiO2-20Al2O3)或Bi1/2Na1/2TiO3+x(20Bi2O3-40SiO2-40Al2O3)或Bi1/2Na1/2TiO3+x(30B2O3-35SiO2-35Al2O3)来表示,其中x表示摩尔分数,0x0.3。 本发明采用非晶晶化法制备纳米陶瓷技术,即避免了晶粒长大,又获得很高的致密度。本发明制备工艺简单、稳定,适合工业推广应用。 本发明的陶瓷组成是一种绿色环保型压电陶瓷,高温稳定性好,退极化温度Td500°C,损耗低,在高温压电传感器具有很好的应用前景。
B位复合Bi基化合物组成的无铅压电陶瓷及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了B位复合Bi基化合物组成的无铅压电陶瓷及其制备方法,成分以通式(1-x)Bi(Li1/2Me1/2)O3-xBaTiO3+zMaOb、(1-x)Bi(Li1/2Me1/2)O3-x(Na1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb、(1-x-y)Bi(Li1/2Me1/2)O3-xBaTiO3-y(Na1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb、(1-x-y)Bi(Li1/2Me1/2)O3-xBaTiO3-y(K1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb或(1-x-y-v)Bi(Li1/2Me1/2)O3-xBaTiO3-y(Na1/2Bi1/2)TiO3-v(K1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb来表示,其中x、y、z和v表示摩尔分数,01.0,01,01,0≤z≤0.1,Me为一种或多种五价金属元素,MaOb为一种或多种氧化物,其中M为+1~+6价且能与氧形成固态氧化物的元素,以常规制备陶瓷方法制成。制备的无铅压电陶瓷具备很好的烧结特性,制备工艺简单、稳定,性能优良,可部分取代传统的铅基压电陶瓷使用。
钙锂镱共掺杂的PZT基压电陶瓷及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明提供一种钙、锂、镱共掺杂的PZT基压电陶瓷,该压电陶瓷的化学通式为xPb(Ni1/3Nb2/3)O3–yPb(Mg1/2W1/2)O3–(1–x–y)Pb(Zr0.5Ti0.5)O3+u
基于柔性铁电薄膜的流体驱动式压电传感器及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种基于柔性铁电薄膜的流体驱动式压电传感器及其制备方法,包括玻璃基片和微流控芯片基片;玻璃基片上集成有两相平行的 P(VDF-TrFE)电纺丝薄膜条;微流控芯片基片制作有微沟道和分布于微沟道两侧的电极凹槽;微流控芯片基片还设有进样口、出样口和银浆注入口,进样口、出样口与微沟道两端连通,银浆注入口与电极凹槽连通;玻璃基片和微流控芯片基片键合,?P(VDF-TrFE) 电纺丝薄膜条位于微沟道和电极凹槽底部。本发明制作简单,成本低廉,在低流速流体驱动下也有较大信号输出,不仅能测试驱动流体的流速,也能测试驱动流体的粘度系数。
一种具有自发压电性能的高温无铅压电陶瓷及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
标题一 这是第一段文字。 这是第二段文字。 标题二 这是第三段文字。 这是第四段文字。 标题三 这是第五段文字。 这是第六段文字。 标题四 这是第七段文字。 这是第八段文字。 标题五 这是第九段文字。 这是第十段文字。本发明公开了一种具有自发压电性能的高温无铅压电陶瓷及其制备方法,成分以化学式(1-x)K1/2Na1/2NbO3-xNd2Ti2O7或(1-x)K1/2Na1/2NbO3-xLa2Ti2O7或(1-x)K1/2Na1/2NbO3-xSm2Ti2O7或(1-x)K1/2Na1/2NbO3-xPr2Ti2O7来表示,其中x表示摩尔分数,0x0.8。本发明的无铅压电陶瓷采用常规陶瓷制备工艺制备而成,采用较厚承烧板,保温结束后快速取出,在表面罩上钢板快速冷却通过调控陶瓷样品上下表面冷却温差,产生自发压电性能。 本发明的陶瓷材料工艺简单、不需要高电场极化,压电性能不受铁电材料极化的温度限制,高温稳定性优良,退极化温度Td700oC,绿色环保。
一种具有近零温度系数的高温无铅压电陶瓷及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
标题一 这是第一段文字。 这是第二段文字。 标题二 这是第三段文字。 这是第四段文字。 标题三 这是第五段文字。 这是第六段文字。 标题四 这是第七段文字。 这是第八段文字。 标题五 这是第九段文字。 这是第十段文字。本发明公开了一种具有近零温度系数的高温无铅压电陶瓷及其制备方法。 成分以通式(1-x)Bi2FeMnO6-xBa0.7(Bi0.5Na0.5)0.3TiO3+0.005MnO+0.005Nb2O5或(1-x)Bi2FeNiO6-xBa0.7(Bi0.5Na0.5)0.3TiO3+0.005MnO+0.005Nb2O5或(1-x)Bi2FeCrO6-xBa0.7(Bi0.5Na0.5)0.3TiO3+0.005MnO+0.005Nb2O5或(1-x)Bi2FeCoO6-xBa0.7(Bi0.5Na0.5)0.3TiO3+0.005MnO+0.005Nb2O5来表示,其中x表示摩尔分数,0x0.6。本发明的无铅压电陶瓷采用常规陶瓷制备工艺制备而成,采用二次预烧降低组元间的烧结温差,采用热水雾化控制样品冷却速度获得优良的压电性能的温度稳定性。 本发明的陶瓷材料工艺简单、稳定,性能优良,绿色环保。
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成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种大压电各向异性无铅压电陶瓷材料,配方为0.94Bi1/2Na1/2Ti0.85(Cu1/3Ta2/3)0.15O3‑0.06LiBiO3。 通过LiBiO3的辅助烧结,结合Bi的变价,在A位与B位出现相同元素的不同价态Bi3+/Bi5+,诱导出现特殊的同素异价A/B位离子有序态(Bi3+与Bi5+分别进入A位与B位),结合交直流极化工艺,产生特殊的大压电各向异性。 该产品具有优良的大压电各向异性性能,稳定性好,绿色环保,可在超声换能器领域使用。
一种压电晶体原料及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种压电晶体原料及其制备方法,属于晶体生长技术领域。技术方案为采用分步法制备出InNbO4(IN)粉料和MgNb2O6(MN)粉料,再按照Pb(In1/2Nb1/2)O3‑Pb(Mg1/3Nb2/3)O3‑PbTiO3(PIMNT)的化学计量比,准确称取PbO、IN、MN和TiO2粉料,球磨后压制成块状,然后烧结得到PIMNT晶体原料。本发明所合成的晶体原料具有很好的单相性,合成过程简单,可明显改善晶体原料成分偏离及对Pt坩埚的腐蚀,大大提高晶体生长的成功率及改善晶体的性能。
一种高温无铅压电陶瓷及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
一种高温无铅压电陶瓷,其特征在于组成通式为(1‑x)Bi0.96La0.06FeO3‑xBa0.97(Na1/2Al1/2)0.03(Cu1/3Ta2/3)O3+0.05BiVO4;其中x表示摩尔分数,0.05x0.4。 这种陶瓷用分步合成、等静压、微波烧结、不同电压类型极化方法相结合制备而成,该系列产品环境友好型、稳定性好,具有优良的压电性能,高的温度稳定性,退极化温度超过500℃,适合在高温领域应用。
一种0.94Bi0.5Na0.5TiO3-0.06BaTiO3无铅压电陶瓷的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种0.94Bi0.5Na0.5TiO3-0.06BaTiO3无铅压电陶瓷的制备方法,将单相无铅压电材料0.94Bi0.5Na0.5TiO3-0.06BaTiO3粉末和ZnO粉末混合均匀,在1000°C烧结1.0小时,得到0.94Bi0.5Na0.5TiO3-0.06BaTiO3:xZnO(x=0,0.1,0.2,
一种高温无铅纳米压电陶瓷及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种高温无铅纳米压电陶瓷及其制备方法,成分以通式Bi1/2Na1/2TiO3+x(30Li2O-50SiO2-20Al2O3)或Bi1/2Na1/2TiO3+x(20Bi2O3-40SiO2-40Al2O3)或Bi1/2Na1/2TiO3+x(30B2O3-35SiO2-35Al2O3)来表示,其中x表示摩尔分数,0x0.3。 本发明采用非晶晶化法制备纳米陶瓷技术,即避免了晶粒长大,又获得很高的致密度。本发明制备工艺简单、稳定,适合工业推广应用。 本发明的陶瓷组成是一种绿色环保型压电陶瓷,高温稳定性好,退极化温度Td500°C,损耗低,在高温压电传感器具有很好的应用前景。
B位复合Bi基化合物组成的无铅压电陶瓷及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了B位复合Bi基化合物组成的无铅压电陶瓷及其制备方法,成分以通式(1-x)Bi(Li1/2Me1/2)O3-xBaTiO3+zMaOb、(1-x)Bi(Li1/2Me1/2)O3-x(Na1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb、(1-x-y)Bi(Li1/2Me1/2)O3-xBaTiO3-y(Na1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb、(1-x-y)Bi(Li1/2Me1/2)O3-xBaTiO3-y(K1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb或(1-x-y-v)Bi(Li1/2Me1/2)O3-xBaTiO3-y(Na1/2Bi1/2)TiO3-v(K1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb来表示,其中x、y、z和v表示摩尔分数,01.0,01,01,0≤z≤0.1,Me为一种或多种五价金属元素,MaOb为一种或多种氧化物,其中M为+1~+6价且能与氧形成固态氧化物的元素,以常规制备陶瓷方法制成。制备的无铅压电陶瓷具备很好的烧结特性,制备工艺简单、稳定,性能优良,可部分取代传统的铅基压电陶瓷使用。
钙锂镱共掺杂的PZT基压电陶瓷及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明提供一种钙、锂、镱共掺杂的PZT基压电陶瓷,该压电陶瓷的化学通式为xPb(Ni1/3Nb2/3)O3–yPb(Mg1/2W1/2)O3–(1–x–y)Pb(Zr0.5Ti0.5)O3+u
基于柔性铁电薄膜的流体驱动式压电传感器及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种基于柔性铁电薄膜的流体驱动式压电传感器及其制备方法,包括玻璃基片和微流控芯片基片;玻璃基片上集成有两相平行的 P(VDF-TrFE)电纺丝薄膜条;微流控芯片基片制作有微沟道和分布于微沟道两侧的电极凹槽;微流控芯片基片还设有进样口、出样口和银浆注入口,进样口、出样口与微沟道两端连通,银浆注入口与电极凹槽连通;玻璃基片和微流控芯片基片键合,?P(VDF-TrFE) 电纺丝薄膜条位于微沟道和电极凹槽底部。本发明制作简单,成本低廉,在低流速流体驱动下也有较大信号输出,不仅能测试驱动流体的流速,也能测试驱动流体的粘度系数。
一种具有自发压电性能的高温无铅压电陶瓷及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
标题一 这是第一段文字。 这是第二段文字。 标题二 这是第三段文字。 这是第四段文字。 标题三 这是第五段文字。 这是第六段文字。 标题四 这是第七段文字。 这是第八段文字。 标题五 这是第九段文字。 这是第十段文字。本发明公开了一种具有自发压电性能的高温无铅压电陶瓷及其制备方法,成分以化学式(1-x)K1/2Na1/2NbO3-xNd2Ti2O7或(1-x)K1/2Na1/2NbO3-xLa2Ti2O7或(1-x)K1/2Na1/2NbO3-xSm2Ti2O7或(1-x)K1/2Na1/2NbO3-xPr2Ti2O7来表示,其中x表示摩尔分数,0x0.8。本发明的无铅压电陶瓷采用常规陶瓷制备工艺制备而成,采用较厚承烧板,保温结束后快速取出,在表面罩上钢板快速冷却通过调控陶瓷样品上下表面冷却温差,产生自发压电性能。 本发明的陶瓷材料工艺简单、不需要高电场极化,压电性能不受铁电材料极化的温度限制,高温稳定性优良,退极化温度Td700oC,绿色环保。
一种具有近零温度系数的高温无铅压电陶瓷及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
标题一 这是第一段文字。 这是第二段文字。 标题二 这是第三段文字。 这是第四段文字。 标题三 这是第五段文字。 这是第六段文字。 标题四 这是第七段文字。 这是第八段文字。 标题五 这是第九段文字。 这是第十段文字。本发明公开了一种具有近零温度系数的高温无铅压电陶瓷及其制备方法。 成分以通式(1-x)Bi2FeMnO6-xBa0.7(Bi0.5Na0.5)0.3TiO3+0.005MnO+0.005Nb2O5或(1-x)Bi2FeNiO6-xBa0.7(Bi0.5Na0.5)0.3TiO3+0.005MnO+0.005Nb2O5或(1-x)Bi2FeCrO6-xBa0.7(Bi0.5Na0.5)0.3TiO3+0.005MnO+0.005Nb2O5或(1-x)Bi2FeCoO6-xBa0.7(Bi0.5Na0.5)0.3TiO3+0.005MnO+0.005Nb2O5来表示,其中x表示摩尔分数,0x0.6。本发明的无铅压电陶瓷采用常规陶瓷制备工艺制备而成,采用二次预烧降低组元间的烧结温差,采用热水雾化控制样品冷却速度获得优良的压电性能的温度稳定性。 本发明的陶瓷材料工艺简单、稳定,性能优良,绿色环保。