找到25项技术成果数据。
找技术 >一种用于处理电镀废水的BAF反应器
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明供了一种用于处理电镀废水的BAF反应器,属于环境工程技术领域。它解决了现有电镀废水反应器中污染物去除率较低等技术问题。一种用于处理电镀废水的BAF反应器,反应器包括一反应池,反应池由一隔板分割为反应室一和反应室二,反应室一内设有以硬质泡沫塑料为填料的滤层一,反应室二内设有以球形轻质生物陶粒作为填料的滤层二,反应器还包括分别与反应室一和反应室二相联通的进水池和出水池,反应室二与一个供氧曝气池相连,隔板上设有联通反应室一和反应室二的过水孔。本发明具有去除率高、操作简单有效等优点。
具有多层复合防护膜的基底材料的制备方法
成熟度:可规模生产
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种具有多层复合无机防护膜的基底材料的制备方法。该方法的具体步骤为:将基底材料放入反应室加热至100?C~500?C;将三甲基铝或Al(CH3)N(CH2)5CH3前驱体在0.1托~10托压力下通入反应室,时间为0.2秒~5秒;将氮气或惰性气体通入反应室,以清除未被基底化学吸附的三甲基铝或Al(CH3)N(CH2)5CH3残余气体;在0.1托~10托压力下,将臭氧或水蒸汽反应气体通入反应室,时间为0.2秒~5秒,在基底上形成一层氧化铝原子层的沉积,并使基底上覆盖的氧化铝层的厚度达到2nm~100nm;以氯硅烷、六氯乙硅烷或正硅酸四乙酯为硅源,取代三甲基铝或Al(CH3)N(CH2)5CH3前驱体,重复上述,在氧化铝层上覆盖二氧化硅层;二氧化硅层的厚度为2nm~100nm;最终得到一个厚度为5~120nm的具有Al2O3/SiO2双层结构复合无机防护膜的基底材料。该方法能够精确控制薄膜厚度,薄膜厚度可以在1~100nm直接精确可控,并且具有极好的抗氧化、防气体渗透性能。同时还能够控制Al2O3与SiO2的比例。
金属有机物化学气相淀积设备的多层流反应室结构
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及到半导体设备制造技术领域,特别是涉及金属有机物化学气相淀积(MOCVD)设备中的多层流反应室结构。该结构有多层气流,包括至少一层原材料气流层,一层隔离气流层,或/和反应室天棚的控温装置。原材料气流层紧贴着衬底,其中原材料通过扩散等机制迁移到衬底表面参与材料生长。隔离气流层夹在原材料气流层和反应室天棚之间,减少原材料与反应室天棚之间的接触和淀积。另外,反应室天棚的控温装置,控制反应室天棚的温度,提高了隔离气流层的隔离效果。本发明减少了原材料在反应室天棚上的淀积,提高原料的使用效率和衬底上生长晶体的质量。200410098995.6
一种使用射频加热的桶式CVD设备反应室
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种使用射频加热的桶式CVD设备反应室,包括:具有双层管状结构的水冷壁,该水冷壁的内管腔中设有反应室,而内、外管之间至少与该反应室相应的区域内分布有冷却介质容置腔;设于该反应室内的加热基座,且该加热基座上分布有若干凹槽;分布于该加热基座与水冷壁内管之间的整流罩;至少绕设在该水冷壁外壁上与该反应室相应区域内的感应线圈。本发明通过采用桶式结构的反应室,可以满足多片晶片同时生长,而通过采用射频感应加热,同时有直接热传导和辐射加热,提高了晶片温度分布的均匀性,尤其是对于大尺寸的晶片来说,加热不受反应室直径大小的限制,加热速度快、效率高、温度高、加热状态稳定,适合在大尺寸的高温CVD反应室中使用。
石墨表面掺硼金刚石薄膜材料及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明涉及一种石墨表面掺硼金刚石薄膜材料及其制备方法。石墨表面掺硼金刚石薄膜材料是在石墨基体表面先热丝化学气相沉积一层金属钨膜作为中间过渡层,再在其上热丝化学气相沉积掺硼金刚石膜。制备方法是将石墨基体放置于热丝等离子体化学气相沉积反应室内,将反应室抽真空后热丝通电达到1200°~1400°C,再通入羰基钨蒸汽,使羰基钨蒸汽分子在石墨基体表面分解沉积出金属钨膜作为中间层;然后调节灯丝电源升高灯丝温度达到2100-2300°C,向反应室内通入甲烷、硼烷和氢气,在已沉积的钨层表面生长金刚石膜。本发明石墨基体不需转移,可在同一套装置中原位连续生长,这种方法高效、简便、低成本、且能保证薄膜制备的高质量。
一种微流体反应器
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种微流体反应器(专利号201210159002.6),包括基座、反应池板、玻片、橡胶圈和旋盖。所述基座、反应池板和玻片一起构成了完整的反应室,并通过所述橡胶圈缓冲由所述旋盖水平压在玻片上将反应室密闭。本发明通过所述反应池板上梭形反应池的仿生学设计,实现了反应室中流体流动时流场分布均匀,排出时无残液,且不受反应器的放置方位影响,同时还可以用于需要温控和光照的反应。本发明可广泛用于生物、化学、医药等各领域的微流体反应实验。
净水厂高效低耗涡流澄清改造技术
成熟度:可规模生产
技术类型:发明
应用行业:水利、环境和公共设施管理业
技术简介
研发出具有自主知识产权的涡流澄清技术,对老水厂进行改造,提高产水量,改善出水水质,提高供水的安全可靠性,且节能降耗。专利技术摘要:本发明属于环境保护领域,涉及一种涡旋网格澄清池及其用于水处理中提高混凝反应及沉淀效果的澄清方法,它包括絮凝反应单元、澄清单元和污泥浓缩单元,其中:第一涡流反应室和第二涡流反应室共同组成絮凝反应单元,涡流澄清池底部的进水管依次经过喷嘴、喉管与第一涡流反应室底部的喇叭口连通;第一涡流反应室和第二涡流反应室连通,第二涡流反应室与缓冲区连通;在第一涡流反应室和第二涡流反应室内设置有涡旋网格絮凝反应器;设置在池顶的操作杆通过连接件控制喉管在纵向上的升降。本发明加大了第一反应室的容积利用率,降低能耗,能提高絮凝反应效率、减少水头损失、降低药耗、提高净水水质,具有较高的社会与经济效益。
具有多层复合防护膜的基底材料的制备方法
成熟度:可规模生产
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种具有多层复合无机防护膜的基底材料的制备方法。该方法的具体步骤为:将基底材料放入反应室加热至100?C~500?C;将三甲基铝或Al(CH3)N(CH2)5CH3前驱体在0.1托~10托压力下通入反应室,时间为0.2秒~5秒;将氮气或惰性气体通入反应室,以清除未被基底化学吸附的三甲基铝或Al(CH3)N(CH2)5CH3残余气体;在0.1托~10托压力下,将臭氧或水蒸汽反应气体通入反应室,时间为0.2秒~5秒,在基底上形成一层氧化铝原子层的沉积,并使基底上覆盖的氧化铝层的厚度达到2nm~100nm;以氯硅烷、六氯乙硅烷或正硅酸四乙酯为硅源,取代三甲基铝或Al(CH3)N(CH2)5CH3前驱体,重复上述,在氧化铝层上覆盖二氧化硅层;二氧化硅层的厚度为2nm~100nm;最终得到一个厚度为5~120nm的具有Al2O3/SiO2双层结构复合无机防护膜的基底材料。该方法能够精确控制薄膜厚度,薄膜厚度可以在1~100nm直接精确可控,并且具有极好的抗氧化、防气体渗透性能。同时还能够控制Al2O3与SiO2的比例。
一种用于燃料敏化太阳能电池的透明电极
成熟度:可规模生产
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
发明专利名称: 一种用于燃料敏化太阳能电池的透明电极发明专利简介: 本发明涉及一种用于燃料敏化太阳能电池的透明电极,其特征在于在常用导电透明电极表面沉积氧化锌纳米薄膜。本发明还涉及该电极的制备方法,其特征在于:将导电透明电极基板进行预处理并放入原子层沉积反应室,将反应室真空抽反应室温度加热至100℃~300℃;向沉积室中引入二乙基锌,持续时间为1秒,将氮气或惰性气体通入反应室,持续时间为3秒;向沉积室中引入水蒸汽,持续时间为1秒,沉积得到单层氧化锌,沉积结束后再用高纯氮气清洗沉积室,持续时间为3秒;循环反复沉积以获得一种用于燃料敏化太阳能电池的透明电极。可在基本不降低透明电极光学、电学性能情况下,提高染料敏化太阳能电池的使用性能。
低温等离子体协同ACF净化Vocs的 方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种低温等离子体协同ACF净化VOCs的方法,其步骤是:首先,将厚度小于8mm的ACF置于辉光放电低温等离子体发生装置的反应室内的两极板之间,调整两极板间距至20-60mm;将反应室内部气压抽至0-800Pa,通入氧气至反应室内部气压为一个标准大气压;再将反应室内部气压抽至0-800Pa;利用辉光放电产生低温等离子体,设定两极板间放电电压5-15kV,持续放电4min,放电结束后取出ACF;将依上述步骤处理过的ACF置于介质阻挡放电低温等离子体发生装置的反应室内的两极板之间,将两极板间距调节至大于ACF厚度1-2mm;将含有VOCs的待处理空气持续通入反应室中,同时开启低温等离子体放电电源并将输出电压调整至5-10kV,利用介质阻挡放电产生低温等离子体,8-10min后关闭电源。本发明方法对空气中VOCs的净化效率有明显提高。
找到25项技术成果数据。
找技术 >一种用于处理电镀废水的BAF反应器
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明供了一种用于处理电镀废水的BAF反应器,属于环境工程技术领域。它解决了现有电镀废水反应器中污染物去除率较低等技术问题。一种用于处理电镀废水的BAF反应器,反应器包括一反应池,反应池由一隔板分割为反应室一和反应室二,反应室一内设有以硬质泡沫塑料为填料的滤层一,反应室二内设有以球形轻质生物陶粒作为填料的滤层二,反应器还包括分别与反应室一和反应室二相联通的进水池和出水池,反应室二与一个供氧曝气池相连,隔板上设有联通反应室一和反应室二的过水孔。本发明具有去除率高、操作简单有效等优点。
具有多层复合防护膜的基底材料的制备方法
成熟度:可规模生产
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种具有多层复合无机防护膜的基底材料的制备方法。该方法的具体步骤为:将基底材料放入反应室加热至100?C~500?C;将三甲基铝或Al(CH3)N(CH2)5CH3前驱体在0.1托~10托压力下通入反应室,时间为0.2秒~5秒;将氮气或惰性气体通入反应室,以清除未被基底化学吸附的三甲基铝或Al(CH3)N(CH2)5CH3残余气体;在0.1托~10托压力下,将臭氧或水蒸汽反应气体通入反应室,时间为0.2秒~5秒,在基底上形成一层氧化铝原子层的沉积,并使基底上覆盖的氧化铝层的厚度达到2nm~100nm;以氯硅烷、六氯乙硅烷或正硅酸四乙酯为硅源,取代三甲基铝或Al(CH3)N(CH2)5CH3前驱体,重复上述,在氧化铝层上覆盖二氧化硅层;二氧化硅层的厚度为2nm~100nm;最终得到一个厚度为5~120nm的具有Al2O3/SiO2双层结构复合无机防护膜的基底材料。该方法能够精确控制薄膜厚度,薄膜厚度可以在1~100nm直接精确可控,并且具有极好的抗氧化、防气体渗透性能。同时还能够控制Al2O3与SiO2的比例。
金属有机物化学气相淀积设备的多层流反应室结构
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及到半导体设备制造技术领域,特别是涉及金属有机物化学气相淀积(MOCVD)设备中的多层流反应室结构。该结构有多层气流,包括至少一层原材料气流层,一层隔离气流层,或/和反应室天棚的控温装置。原材料气流层紧贴着衬底,其中原材料通过扩散等机制迁移到衬底表面参与材料生长。隔离气流层夹在原材料气流层和反应室天棚之间,减少原材料与反应室天棚之间的接触和淀积。另外,反应室天棚的控温装置,控制反应室天棚的温度,提高了隔离气流层的隔离效果。本发明减少了原材料在反应室天棚上的淀积,提高原料的使用效率和衬底上生长晶体的质量。200410098995.6
一种使用射频加热的桶式CVD设备反应室
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种使用射频加热的桶式CVD设备反应室,包括:具有双层管状结构的水冷壁,该水冷壁的内管腔中设有反应室,而内、外管之间至少与该反应室相应的区域内分布有冷却介质容置腔;设于该反应室内的加热基座,且该加热基座上分布有若干凹槽;分布于该加热基座与水冷壁内管之间的整流罩;至少绕设在该水冷壁外壁上与该反应室相应区域内的感应线圈。本发明通过采用桶式结构的反应室,可以满足多片晶片同时生长,而通过采用射频感应加热,同时有直接热传导和辐射加热,提高了晶片温度分布的均匀性,尤其是对于大尺寸的晶片来说,加热不受反应室直径大小的限制,加热速度快、效率高、温度高、加热状态稳定,适合在大尺寸的高温CVD反应室中使用。
石墨表面掺硼金刚石薄膜材料及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明涉及一种石墨表面掺硼金刚石薄膜材料及其制备方法。石墨表面掺硼金刚石薄膜材料是在石墨基体表面先热丝化学气相沉积一层金属钨膜作为中间过渡层,再在其上热丝化学气相沉积掺硼金刚石膜。制备方法是将石墨基体放置于热丝等离子体化学气相沉积反应室内,将反应室抽真空后热丝通电达到1200°~1400°C,再通入羰基钨蒸汽,使羰基钨蒸汽分子在石墨基体表面分解沉积出金属钨膜作为中间层;然后调节灯丝电源升高灯丝温度达到2100-2300°C,向反应室内通入甲烷、硼烷和氢气,在已沉积的钨层表面生长金刚石膜。本发明石墨基体不需转移,可在同一套装置中原位连续生长,这种方法高效、简便、低成本、且能保证薄膜制备的高质量。
一种微流体反应器
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种微流体反应器(专利号201210159002.6),包括基座、反应池板、玻片、橡胶圈和旋盖。所述基座、反应池板和玻片一起构成了完整的反应室,并通过所述橡胶圈缓冲由所述旋盖水平压在玻片上将反应室密闭。本发明通过所述反应池板上梭形反应池的仿生学设计,实现了反应室中流体流动时流场分布均匀,排出时无残液,且不受反应器的放置方位影响,同时还可以用于需要温控和光照的反应。本发明可广泛用于生物、化学、医药等各领域的微流体反应实验。
净水厂高效低耗涡流澄清改造技术
成熟度:可规模生产
技术类型:发明
应用行业:水利、环境和公共设施管理业
技术简介
研发出具有自主知识产权的涡流澄清技术,对老水厂进行改造,提高产水量,改善出水水质,提高供水的安全可靠性,且节能降耗。专利技术摘要:本发明属于环境保护领域,涉及一种涡旋网格澄清池及其用于水处理中提高混凝反应及沉淀效果的澄清方法,它包括絮凝反应单元、澄清单元和污泥浓缩单元,其中:第一涡流反应室和第二涡流反应室共同组成絮凝反应单元,涡流澄清池底部的进水管依次经过喷嘴、喉管与第一涡流反应室底部的喇叭口连通;第一涡流反应室和第二涡流反应室连通,第二涡流反应室与缓冲区连通;在第一涡流反应室和第二涡流反应室内设置有涡旋网格絮凝反应器;设置在池顶的操作杆通过连接件控制喉管在纵向上的升降。本发明加大了第一反应室的容积利用率,降低能耗,能提高絮凝反应效率、减少水头损失、降低药耗、提高净水水质,具有较高的社会与经济效益。
具有多层复合防护膜的基底材料的制备方法
成熟度:可规模生产
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种具有多层复合无机防护膜的基底材料的制备方法。该方法的具体步骤为:将基底材料放入反应室加热至100?C~500?C;将三甲基铝或Al(CH3)N(CH2)5CH3前驱体在0.1托~10托压力下通入反应室,时间为0.2秒~5秒;将氮气或惰性气体通入反应室,以清除未被基底化学吸附的三甲基铝或Al(CH3)N(CH2)5CH3残余气体;在0.1托~10托压力下,将臭氧或水蒸汽反应气体通入反应室,时间为0.2秒~5秒,在基底上形成一层氧化铝原子层的沉积,并使基底上覆盖的氧化铝层的厚度达到2nm~100nm;以氯硅烷、六氯乙硅烷或正硅酸四乙酯为硅源,取代三甲基铝或Al(CH3)N(CH2)5CH3前驱体,重复上述,在氧化铝层上覆盖二氧化硅层;二氧化硅层的厚度为2nm~100nm;最终得到一个厚度为5~120nm的具有Al2O3/SiO2双层结构复合无机防护膜的基底材料。该方法能够精确控制薄膜厚度,薄膜厚度可以在1~100nm直接精确可控,并且具有极好的抗氧化、防气体渗透性能。同时还能够控制Al2O3与SiO2的比例。
一种用于燃料敏化太阳能电池的透明电极
成熟度:可规模生产
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
发明专利名称: 一种用于燃料敏化太阳能电池的透明电极发明专利简介: 本发明涉及一种用于燃料敏化太阳能电池的透明电极,其特征在于在常用导电透明电极表面沉积氧化锌纳米薄膜。本发明还涉及该电极的制备方法,其特征在于:将导电透明电极基板进行预处理并放入原子层沉积反应室,将反应室真空抽反应室温度加热至100℃~300℃;向沉积室中引入二乙基锌,持续时间为1秒,将氮气或惰性气体通入反应室,持续时间为3秒;向沉积室中引入水蒸汽,持续时间为1秒,沉积得到单层氧化锌,沉积结束后再用高纯氮气清洗沉积室,持续时间为3秒;循环反复沉积以获得一种用于燃料敏化太阳能电池的透明电极。可在基本不降低透明电极光学、电学性能情况下,提高染料敏化太阳能电池的使用性能。
低温等离子体协同ACF净化Vocs的 方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种低温等离子体协同ACF净化VOCs的方法,其步骤是:首先,将厚度小于8mm的ACF置于辉光放电低温等离子体发生装置的反应室内的两极板之间,调整两极板间距至20-60mm;将反应室内部气压抽至0-800Pa,通入氧气至反应室内部气压为一个标准大气压;再将反应室内部气压抽至0-800Pa;利用辉光放电产生低温等离子体,设定两极板间放电电压5-15kV,持续放电4min,放电结束后取出ACF;将依上述步骤处理过的ACF置于介质阻挡放电低温等离子体发生装置的反应室内的两极板之间,将两极板间距调节至大于ACF厚度1-2mm;将含有VOCs的待处理空气持续通入反应室中,同时开启低温等离子体放电电源并将输出电压调整至5-10kV,利用介质阻挡放电产生低温等离子体,8-10min后关闭电源。本发明方法对空气中VOCs的净化效率有明显提高。
找到25项技术成果数据。
找技术 >一种用于处理电镀废水的BAF反应器
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明供了一种用于处理电镀废水的BAF反应器,属于环境工程技术领域。它解决了现有电镀废水反应器中污染物去除率较低等技术问题。一种用于处理电镀废水的BAF反应器,反应器包括一反应池,反应池由一隔板分割为反应室一和反应室二,反应室一内设有以硬质泡沫塑料为填料的滤层一,反应室二内设有以球形轻质生物陶粒作为填料的滤层二,反应器还包括分别与反应室一和反应室二相联通的进水池和出水池,反应室二与一个供氧曝气池相连,隔板上设有联通反应室一和反应室二的过水孔。本发明具有去除率高、操作简单有效等优点。
具有多层复合防护膜的基底材料的制备方法
成熟度:可规模生产
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种具有多层复合无机防护膜的基底材料的制备方法。该方法的具体步骤为:将基底材料放入反应室加热至100?C~500?C;将三甲基铝或Al(CH3)N(CH2)5CH3前驱体在0.1托~10托压力下通入反应室,时间为0.2秒~5秒;将氮气或惰性气体通入反应室,以清除未被基底化学吸附的三甲基铝或Al(CH3)N(CH2)5CH3残余气体;在0.1托~10托压力下,将臭氧或水蒸汽反应气体通入反应室,时间为0.2秒~5秒,在基底上形成一层氧化铝原子层的沉积,并使基底上覆盖的氧化铝层的厚度达到2nm~100nm;以氯硅烷、六氯乙硅烷或正硅酸四乙酯为硅源,取代三甲基铝或Al(CH3)N(CH2)5CH3前驱体,重复上述,在氧化铝层上覆盖二氧化硅层;二氧化硅层的厚度为2nm~100nm;最终得到一个厚度为5~120nm的具有Al2O3/SiO2双层结构复合无机防护膜的基底材料。该方法能够精确控制薄膜厚度,薄膜厚度可以在1~100nm直接精确可控,并且具有极好的抗氧化、防气体渗透性能。同时还能够控制Al2O3与SiO2的比例。
金属有机物化学气相淀积设备的多层流反应室结构
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及到半导体设备制造技术领域,特别是涉及金属有机物化学气相淀积(MOCVD)设备中的多层流反应室结构。该结构有多层气流,包括至少一层原材料气流层,一层隔离气流层,或/和反应室天棚的控温装置。原材料气流层紧贴着衬底,其中原材料通过扩散等机制迁移到衬底表面参与材料生长。隔离气流层夹在原材料气流层和反应室天棚之间,减少原材料与反应室天棚之间的接触和淀积。另外,反应室天棚的控温装置,控制反应室天棚的温度,提高了隔离气流层的隔离效果。本发明减少了原材料在反应室天棚上的淀积,提高原料的使用效率和衬底上生长晶体的质量。200410098995.6
一种使用射频加热的桶式CVD设备反应室
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种使用射频加热的桶式CVD设备反应室,包括:具有双层管状结构的水冷壁,该水冷壁的内管腔中设有反应室,而内、外管之间至少与该反应室相应的区域内分布有冷却介质容置腔;设于该反应室内的加热基座,且该加热基座上分布有若干凹槽;分布于该加热基座与水冷壁内管之间的整流罩;至少绕设在该水冷壁外壁上与该反应室相应区域内的感应线圈。本发明通过采用桶式结构的反应室,可以满足多片晶片同时生长,而通过采用射频感应加热,同时有直接热传导和辐射加热,提高了晶片温度分布的均匀性,尤其是对于大尺寸的晶片来说,加热不受反应室直径大小的限制,加热速度快、效率高、温度高、加热状态稳定,适合在大尺寸的高温CVD反应室中使用。
石墨表面掺硼金刚石薄膜材料及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明涉及一种石墨表面掺硼金刚石薄膜材料及其制备方法。石墨表面掺硼金刚石薄膜材料是在石墨基体表面先热丝化学气相沉积一层金属钨膜作为中间过渡层,再在其上热丝化学气相沉积掺硼金刚石膜。制备方法是将石墨基体放置于热丝等离子体化学气相沉积反应室内,将反应室抽真空后热丝通电达到1200°~1400°C,再通入羰基钨蒸汽,使羰基钨蒸汽分子在石墨基体表面分解沉积出金属钨膜作为中间层;然后调节灯丝电源升高灯丝温度达到2100-2300°C,向反应室内通入甲烷、硼烷和氢气,在已沉积的钨层表面生长金刚石膜。本发明石墨基体不需转移,可在同一套装置中原位连续生长,这种方法高效、简便、低成本、且能保证薄膜制备的高质量。
一种微流体反应器
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种微流体反应器(专利号201210159002.6),包括基座、反应池板、玻片、橡胶圈和旋盖。所述基座、反应池板和玻片一起构成了完整的反应室,并通过所述橡胶圈缓冲由所述旋盖水平压在玻片上将反应室密闭。本发明通过所述反应池板上梭形反应池的仿生学设计,实现了反应室中流体流动时流场分布均匀,排出时无残液,且不受反应器的放置方位影响,同时还可以用于需要温控和光照的反应。本发明可广泛用于生物、化学、医药等各领域的微流体反应实验。
净水厂高效低耗涡流澄清改造技术
成熟度:可规模生产
技术类型:发明
应用行业:水利、环境和公共设施管理业
技术简介
研发出具有自主知识产权的涡流澄清技术,对老水厂进行改造,提高产水量,改善出水水质,提高供水的安全可靠性,且节能降耗。专利技术摘要:本发明属于环境保护领域,涉及一种涡旋网格澄清池及其用于水处理中提高混凝反应及沉淀效果的澄清方法,它包括絮凝反应单元、澄清单元和污泥浓缩单元,其中:第一涡流反应室和第二涡流反应室共同组成絮凝反应单元,涡流澄清池底部的进水管依次经过喷嘴、喉管与第一涡流反应室底部的喇叭口连通;第一涡流反应室和第二涡流反应室连通,第二涡流反应室与缓冲区连通;在第一涡流反应室和第二涡流反应室内设置有涡旋网格絮凝反应器;设置在池顶的操作杆通过连接件控制喉管在纵向上的升降。本发明加大了第一反应室的容积利用率,降低能耗,能提高絮凝反应效率、减少水头损失、降低药耗、提高净水水质,具有较高的社会与经济效益。
具有多层复合防护膜的基底材料的制备方法
成熟度:可规模生产
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种具有多层复合无机防护膜的基底材料的制备方法。该方法的具体步骤为:将基底材料放入反应室加热至100?C~500?C;将三甲基铝或Al(CH3)N(CH2)5CH3前驱体在0.1托~10托压力下通入反应室,时间为0.2秒~5秒;将氮气或惰性气体通入反应室,以清除未被基底化学吸附的三甲基铝或Al(CH3)N(CH2)5CH3残余气体;在0.1托~10托压力下,将臭氧或水蒸汽反应气体通入反应室,时间为0.2秒~5秒,在基底上形成一层氧化铝原子层的沉积,并使基底上覆盖的氧化铝层的厚度达到2nm~100nm;以氯硅烷、六氯乙硅烷或正硅酸四乙酯为硅源,取代三甲基铝或Al(CH3)N(CH2)5CH3前驱体,重复上述,在氧化铝层上覆盖二氧化硅层;二氧化硅层的厚度为2nm~100nm;最终得到一个厚度为5~120nm的具有Al2O3/SiO2双层结构复合无机防护膜的基底材料。该方法能够精确控制薄膜厚度,薄膜厚度可以在1~100nm直接精确可控,并且具有极好的抗氧化、防气体渗透性能。同时还能够控制Al2O3与SiO2的比例。
一种用于燃料敏化太阳能电池的透明电极
成熟度:可规模生产
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
发明专利名称: 一种用于燃料敏化太阳能电池的透明电极发明专利简介: 本发明涉及一种用于燃料敏化太阳能电池的透明电极,其特征在于在常用导电透明电极表面沉积氧化锌纳米薄膜。本发明还涉及该电极的制备方法,其特征在于:将导电透明电极基板进行预处理并放入原子层沉积反应室,将反应室真空抽反应室温度加热至100℃~300℃;向沉积室中引入二乙基锌,持续时间为1秒,将氮气或惰性气体通入反应室,持续时间为3秒;向沉积室中引入水蒸汽,持续时间为1秒,沉积得到单层氧化锌,沉积结束后再用高纯氮气清洗沉积室,持续时间为3秒;循环反复沉积以获得一种用于燃料敏化太阳能电池的透明电极。可在基本不降低透明电极光学、电学性能情况下,提高染料敏化太阳能电池的使用性能。
低温等离子体协同ACF净化Vocs的 方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种低温等离子体协同ACF净化VOCs的方法,其步骤是:首先,将厚度小于8mm的ACF置于辉光放电低温等离子体发生装置的反应室内的两极板之间,调整两极板间距至20-60mm;将反应室内部气压抽至0-800Pa,通入氧气至反应室内部气压为一个标准大气压;再将反应室内部气压抽至0-800Pa;利用辉光放电产生低温等离子体,设定两极板间放电电压5-15kV,持续放电4min,放电结束后取出ACF;将依上述步骤处理过的ACF置于介质阻挡放电低温等离子体发生装置的反应室内的两极板之间,将两极板间距调节至大于ACF厚度1-2mm;将含有VOCs的待处理空气持续通入反应室中,同时开启低温等离子体放电电源并将输出电压调整至5-10kV,利用介质阻挡放电产生低温等离子体,8-10min后关闭电源。本发明方法对空气中VOCs的净化效率有明显提高。
找到25项技术成果数据。
找技术 >一种用于处理电镀废水的BAF反应器
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明供了一种用于处理电镀废水的BAF反应器,属于环境工程技术领域。它解决了现有电镀废水反应器中污染物去除率较低等技术问题。一种用于处理电镀废水的BAF反应器,反应器包括一反应池,反应池由一隔板分割为反应室一和反应室二,反应室一内设有以硬质泡沫塑料为填料的滤层一,反应室二内设有以球形轻质生物陶粒作为填料的滤层二,反应器还包括分别与反应室一和反应室二相联通的进水池和出水池,反应室二与一个供氧曝气池相连,隔板上设有联通反应室一和反应室二的过水孔。本发明具有去除率高、操作简单有效等优点。
具有多层复合防护膜的基底材料的制备方法
成熟度:可规模生产
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种具有多层复合无机防护膜的基底材料的制备方法。该方法的具体步骤为:将基底材料放入反应室加热至100?C~500?C;将三甲基铝或Al(CH3)N(CH2)5CH3前驱体在0.1托~10托压力下通入反应室,时间为0.2秒~5秒;将氮气或惰性气体通入反应室,以清除未被基底化学吸附的三甲基铝或Al(CH3)N(CH2)5CH3残余气体;在0.1托~10托压力下,将臭氧或水蒸汽反应气体通入反应室,时间为0.2秒~5秒,在基底上形成一层氧化铝原子层的沉积,并使基底上覆盖的氧化铝层的厚度达到2nm~100nm;以氯硅烷、六氯乙硅烷或正硅酸四乙酯为硅源,取代三甲基铝或Al(CH3)N(CH2)5CH3前驱体,重复上述,在氧化铝层上覆盖二氧化硅层;二氧化硅层的厚度为2nm~100nm;最终得到一个厚度为5~120nm的具有Al2O3/SiO2双层结构复合无机防护膜的基底材料。该方法能够精确控制薄膜厚度,薄膜厚度可以在1~100nm直接精确可控,并且具有极好的抗氧化、防气体渗透性能。同时还能够控制Al2O3与SiO2的比例。
金属有机物化学气相淀积设备的多层流反应室结构
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及到半导体设备制造技术领域,特别是涉及金属有机物化学气相淀积(MOCVD)设备中的多层流反应室结构。该结构有多层气流,包括至少一层原材料气流层,一层隔离气流层,或/和反应室天棚的控温装置。原材料气流层紧贴着衬底,其中原材料通过扩散等机制迁移到衬底表面参与材料生长。隔离气流层夹在原材料气流层和反应室天棚之间,减少原材料与反应室天棚之间的接触和淀积。另外,反应室天棚的控温装置,控制反应室天棚的温度,提高了隔离气流层的隔离效果。本发明减少了原材料在反应室天棚上的淀积,提高原料的使用效率和衬底上生长晶体的质量。200410098995.6
一种使用射频加热的桶式CVD设备反应室
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种使用射频加热的桶式CVD设备反应室,包括:具有双层管状结构的水冷壁,该水冷壁的内管腔中设有反应室,而内、外管之间至少与该反应室相应的区域内分布有冷却介质容置腔;设于该反应室内的加热基座,且该加热基座上分布有若干凹槽;分布于该加热基座与水冷壁内管之间的整流罩;至少绕设在该水冷壁外壁上与该反应室相应区域内的感应线圈。本发明通过采用桶式结构的反应室,可以满足多片晶片同时生长,而通过采用射频感应加热,同时有直接热传导和辐射加热,提高了晶片温度分布的均匀性,尤其是对于大尺寸的晶片来说,加热不受反应室直径大小的限制,加热速度快、效率高、温度高、加热状态稳定,适合在大尺寸的高温CVD反应室中使用。
石墨表面掺硼金刚石薄膜材料及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明涉及一种石墨表面掺硼金刚石薄膜材料及其制备方法。石墨表面掺硼金刚石薄膜材料是在石墨基体表面先热丝化学气相沉积一层金属钨膜作为中间过渡层,再在其上热丝化学气相沉积掺硼金刚石膜。制备方法是将石墨基体放置于热丝等离子体化学气相沉积反应室内,将反应室抽真空后热丝通电达到1200°~1400°C,再通入羰基钨蒸汽,使羰基钨蒸汽分子在石墨基体表面分解沉积出金属钨膜作为中间层;然后调节灯丝电源升高灯丝温度达到2100-2300°C,向反应室内通入甲烷、硼烷和氢气,在已沉积的钨层表面生长金刚石膜。本发明石墨基体不需转移,可在同一套装置中原位连续生长,这种方法高效、简便、低成本、且能保证薄膜制备的高质量。
一种微流体反应器
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种微流体反应器(专利号201210159002.6),包括基座、反应池板、玻片、橡胶圈和旋盖。所述基座、反应池板和玻片一起构成了完整的反应室,并通过所述橡胶圈缓冲由所述旋盖水平压在玻片上将反应室密闭。本发明通过所述反应池板上梭形反应池的仿生学设计,实现了反应室中流体流动时流场分布均匀,排出时无残液,且不受反应器的放置方位影响,同时还可以用于需要温控和光照的反应。本发明可广泛用于生物、化学、医药等各领域的微流体反应实验。
净水厂高效低耗涡流澄清改造技术
成熟度:可规模生产
技术类型:发明
应用行业:水利、环境和公共设施管理业
技术简介
研发出具有自主知识产权的涡流澄清技术,对老水厂进行改造,提高产水量,改善出水水质,提高供水的安全可靠性,且节能降耗。专利技术摘要:本发明属于环境保护领域,涉及一种涡旋网格澄清池及其用于水处理中提高混凝反应及沉淀效果的澄清方法,它包括絮凝反应单元、澄清单元和污泥浓缩单元,其中:第一涡流反应室和第二涡流反应室共同组成絮凝反应单元,涡流澄清池底部的进水管依次经过喷嘴、喉管与第一涡流反应室底部的喇叭口连通;第一涡流反应室和第二涡流反应室连通,第二涡流反应室与缓冲区连通;在第一涡流反应室和第二涡流反应室内设置有涡旋网格絮凝反应器;设置在池顶的操作杆通过连接件控制喉管在纵向上的升降。本发明加大了第一反应室的容积利用率,降低能耗,能提高絮凝反应效率、减少水头损失、降低药耗、提高净水水质,具有较高的社会与经济效益。
具有多层复合防护膜的基底材料的制备方法
成熟度:可规模生产
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种具有多层复合无机防护膜的基底材料的制备方法。该方法的具体步骤为:将基底材料放入反应室加热至100?C~500?C;将三甲基铝或Al(CH3)N(CH2)5CH3前驱体在0.1托~10托压力下通入反应室,时间为0.2秒~5秒;将氮气或惰性气体通入反应室,以清除未被基底化学吸附的三甲基铝或Al(CH3)N(CH2)5CH3残余气体;在0.1托~10托压力下,将臭氧或水蒸汽反应气体通入反应室,时间为0.2秒~5秒,在基底上形成一层氧化铝原子层的沉积,并使基底上覆盖的氧化铝层的厚度达到2nm~100nm;以氯硅烷、六氯乙硅烷或正硅酸四乙酯为硅源,取代三甲基铝或Al(CH3)N(CH2)5CH3前驱体,重复上述,在氧化铝层上覆盖二氧化硅层;二氧化硅层的厚度为2nm~100nm;最终得到一个厚度为5~120nm的具有Al2O3/SiO2双层结构复合无机防护膜的基底材料。该方法能够精确控制薄膜厚度,薄膜厚度可以在1~100nm直接精确可控,并且具有极好的抗氧化、防气体渗透性能。同时还能够控制Al2O3与SiO2的比例。
一种用于燃料敏化太阳能电池的透明电极
成熟度:可规模生产
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
发明专利名称: 一种用于燃料敏化太阳能电池的透明电极发明专利简介: 本发明涉及一种用于燃料敏化太阳能电池的透明电极,其特征在于在常用导电透明电极表面沉积氧化锌纳米薄膜。本发明还涉及该电极的制备方法,其特征在于:将导电透明电极基板进行预处理并放入原子层沉积反应室,将反应室真空抽反应室温度加热至100℃~300℃;向沉积室中引入二乙基锌,持续时间为1秒,将氮气或惰性气体通入反应室,持续时间为3秒;向沉积室中引入水蒸汽,持续时间为1秒,沉积得到单层氧化锌,沉积结束后再用高纯氮气清洗沉积室,持续时间为3秒;循环反复沉积以获得一种用于燃料敏化太阳能电池的透明电极。可在基本不降低透明电极光学、电学性能情况下,提高染料敏化太阳能电池的使用性能。
低温等离子体协同ACF净化Vocs的 方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种低温等离子体协同ACF净化VOCs的方法,其步骤是:首先,将厚度小于8mm的ACF置于辉光放电低温等离子体发生装置的反应室内的两极板之间,调整两极板间距至20-60mm;将反应室内部气压抽至0-800Pa,通入氧气至反应室内部气压为一个标准大气压;再将反应室内部气压抽至0-800Pa;利用辉光放电产生低温等离子体,设定两极板间放电电压5-15kV,持续放电4min,放电结束后取出ACF;将依上述步骤处理过的ACF置于介质阻挡放电低温等离子体发生装置的反应室内的两极板之间,将两极板间距调节至大于ACF厚度1-2mm;将含有VOCs的待处理空气持续通入反应室中,同时开启低温等离子体放电电源并将输出电压调整至5-10kV,利用介质阻挡放电产生低温等离子体,8-10min后关闭电源。本发明方法对空气中VOCs的净化效率有明显提高。
找到25项技术成果数据。
找技术 >一种用于处理电镀废水的BAF反应器
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明供了一种用于处理电镀废水的BAF反应器,属于环境工程技术领域。它解决了现有电镀废水反应器中污染物去除率较低等技术问题。一种用于处理电镀废水的BAF反应器,反应器包括一反应池,反应池由一隔板分割为反应室一和反应室二,反应室一内设有以硬质泡沫塑料为填料的滤层一,反应室二内设有以球形轻质生物陶粒作为填料的滤层二,反应器还包括分别与反应室一和反应室二相联通的进水池和出水池,反应室二与一个供氧曝气池相连,隔板上设有联通反应室一和反应室二的过水孔。本发明具有去除率高、操作简单有效等优点。
具有多层复合防护膜的基底材料的制备方法
成熟度:可规模生产
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种具有多层复合无机防护膜的基底材料的制备方法。该方法的具体步骤为:将基底材料放入反应室加热至100?C~500?C;将三甲基铝或Al(CH3)N(CH2)5CH3前驱体在0.1托~10托压力下通入反应室,时间为0.2秒~5秒;将氮气或惰性气体通入反应室,以清除未被基底化学吸附的三甲基铝或Al(CH3)N(CH2)5CH3残余气体;在0.1托~10托压力下,将臭氧或水蒸汽反应气体通入反应室,时间为0.2秒~5秒,在基底上形成一层氧化铝原子层的沉积,并使基底上覆盖的氧化铝层的厚度达到2nm~100nm;以氯硅烷、六氯乙硅烷或正硅酸四乙酯为硅源,取代三甲基铝或Al(CH3)N(CH2)5CH3前驱体,重复上述,在氧化铝层上覆盖二氧化硅层;二氧化硅层的厚度为2nm~100nm;最终得到一个厚度为5~120nm的具有Al2O3/SiO2双层结构复合无机防护膜的基底材料。该方法能够精确控制薄膜厚度,薄膜厚度可以在1~100nm直接精确可控,并且具有极好的抗氧化、防气体渗透性能。同时还能够控制Al2O3与SiO2的比例。
金属有机物化学气相淀积设备的多层流反应室结构
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及到半导体设备制造技术领域,特别是涉及金属有机物化学气相淀积(MOCVD)设备中的多层流反应室结构。该结构有多层气流,包括至少一层原材料气流层,一层隔离气流层,或/和反应室天棚的控温装置。原材料气流层紧贴着衬底,其中原材料通过扩散等机制迁移到衬底表面参与材料生长。隔离气流层夹在原材料气流层和反应室天棚之间,减少原材料与反应室天棚之间的接触和淀积。另外,反应室天棚的控温装置,控制反应室天棚的温度,提高了隔离气流层的隔离效果。本发明减少了原材料在反应室天棚上的淀积,提高原料的使用效率和衬底上生长晶体的质量。200410098995.6
一种使用射频加热的桶式CVD设备反应室
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种使用射频加热的桶式CVD设备反应室,包括:具有双层管状结构的水冷壁,该水冷壁的内管腔中设有反应室,而内、外管之间至少与该反应室相应的区域内分布有冷却介质容置腔;设于该反应室内的加热基座,且该加热基座上分布有若干凹槽;分布于该加热基座与水冷壁内管之间的整流罩;至少绕设在该水冷壁外壁上与该反应室相应区域内的感应线圈。本发明通过采用桶式结构的反应室,可以满足多片晶片同时生长,而通过采用射频感应加热,同时有直接热传导和辐射加热,提高了晶片温度分布的均匀性,尤其是对于大尺寸的晶片来说,加热不受反应室直径大小的限制,加热速度快、效率高、温度高、加热状态稳定,适合在大尺寸的高温CVD反应室中使用。
石墨表面掺硼金刚石薄膜材料及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明涉及一种石墨表面掺硼金刚石薄膜材料及其制备方法。石墨表面掺硼金刚石薄膜材料是在石墨基体表面先热丝化学气相沉积一层金属钨膜作为中间过渡层,再在其上热丝化学气相沉积掺硼金刚石膜。制备方法是将石墨基体放置于热丝等离子体化学气相沉积反应室内,将反应室抽真空后热丝通电达到1200°~1400°C,再通入羰基钨蒸汽,使羰基钨蒸汽分子在石墨基体表面分解沉积出金属钨膜作为中间层;然后调节灯丝电源升高灯丝温度达到2100-2300°C,向反应室内通入甲烷、硼烷和氢气,在已沉积的钨层表面生长金刚石膜。本发明石墨基体不需转移,可在同一套装置中原位连续生长,这种方法高效、简便、低成本、且能保证薄膜制备的高质量。
一种微流体反应器
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种微流体反应器(专利号201210159002.6),包括基座、反应池板、玻片、橡胶圈和旋盖。所述基座、反应池板和玻片一起构成了完整的反应室,并通过所述橡胶圈缓冲由所述旋盖水平压在玻片上将反应室密闭。本发明通过所述反应池板上梭形反应池的仿生学设计,实现了反应室中流体流动时流场分布均匀,排出时无残液,且不受反应器的放置方位影响,同时还可以用于需要温控和光照的反应。本发明可广泛用于生物、化学、医药等各领域的微流体反应实验。
净水厂高效低耗涡流澄清改造技术
成熟度:可规模生产
技术类型:发明
应用行业:水利、环境和公共设施管理业
技术简介
研发出具有自主知识产权的涡流澄清技术,对老水厂进行改造,提高产水量,改善出水水质,提高供水的安全可靠性,且节能降耗。专利技术摘要:本发明属于环境保护领域,涉及一种涡旋网格澄清池及其用于水处理中提高混凝反应及沉淀效果的澄清方法,它包括絮凝反应单元、澄清单元和污泥浓缩单元,其中:第一涡流反应室和第二涡流反应室共同组成絮凝反应单元,涡流澄清池底部的进水管依次经过喷嘴、喉管与第一涡流反应室底部的喇叭口连通;第一涡流反应室和第二涡流反应室连通,第二涡流反应室与缓冲区连通;在第一涡流反应室和第二涡流反应室内设置有涡旋网格絮凝反应器;设置在池顶的操作杆通过连接件控制喉管在纵向上的升降。本发明加大了第一反应室的容积利用率,降低能耗,能提高絮凝反应效率、减少水头损失、降低药耗、提高净水水质,具有较高的社会与经济效益。
具有多层复合防护膜的基底材料的制备方法
成熟度:可规模生产
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种具有多层复合无机防护膜的基底材料的制备方法。该方法的具体步骤为:将基底材料放入反应室加热至100?C~500?C;将三甲基铝或Al(CH3)N(CH2)5CH3前驱体在0.1托~10托压力下通入反应室,时间为0.2秒~5秒;将氮气或惰性气体通入反应室,以清除未被基底化学吸附的三甲基铝或Al(CH3)N(CH2)5CH3残余气体;在0.1托~10托压力下,将臭氧或水蒸汽反应气体通入反应室,时间为0.2秒~5秒,在基底上形成一层氧化铝原子层的沉积,并使基底上覆盖的氧化铝层的厚度达到2nm~100nm;以氯硅烷、六氯乙硅烷或正硅酸四乙酯为硅源,取代三甲基铝或Al(CH3)N(CH2)5CH3前驱体,重复上述,在氧化铝层上覆盖二氧化硅层;二氧化硅层的厚度为2nm~100nm;最终得到一个厚度为5~120nm的具有Al2O3/SiO2双层结构复合无机防护膜的基底材料。该方法能够精确控制薄膜厚度,薄膜厚度可以在1~100nm直接精确可控,并且具有极好的抗氧化、防气体渗透性能。同时还能够控制Al2O3与SiO2的比例。
一种用于燃料敏化太阳能电池的透明电极
成熟度:可规模生产
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
发明专利名称: 一种用于燃料敏化太阳能电池的透明电极发明专利简介: 本发明涉及一种用于燃料敏化太阳能电池的透明电极,其特征在于在常用导电透明电极表面沉积氧化锌纳米薄膜。本发明还涉及该电极的制备方法,其特征在于:将导电透明电极基板进行预处理并放入原子层沉积反应室,将反应室真空抽反应室温度加热至100℃~300℃;向沉积室中引入二乙基锌,持续时间为1秒,将氮气或惰性气体通入反应室,持续时间为3秒;向沉积室中引入水蒸汽,持续时间为1秒,沉积得到单层氧化锌,沉积结束后再用高纯氮气清洗沉积室,持续时间为3秒;循环反复沉积以获得一种用于燃料敏化太阳能电池的透明电极。可在基本不降低透明电极光学、电学性能情况下,提高染料敏化太阳能电池的使用性能。
低温等离子体协同ACF净化Vocs的 方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种低温等离子体协同ACF净化VOCs的方法,其步骤是:首先,将厚度小于8mm的ACF置于辉光放电低温等离子体发生装置的反应室内的两极板之间,调整两极板间距至20-60mm;将反应室内部气压抽至0-800Pa,通入氧气至反应室内部气压为一个标准大气压;再将反应室内部气压抽至0-800Pa;利用辉光放电产生低温等离子体,设定两极板间放电电压5-15kV,持续放电4min,放电结束后取出ACF;将依上述步骤处理过的ACF置于介质阻挡放电低温等离子体发生装置的反应室内的两极板之间,将两极板间距调节至大于ACF厚度1-2mm;将含有VOCs的待处理空气持续通入反应室中,同时开启低温等离子体放电电源并将输出电压调整至5-10kV,利用介质阻挡放电产生低温等离子体,8-10min后关闭电源。本发明方法对空气中VOCs的净化效率有明显提高。
找到25项技术成果数据。
找技术 >一种用于处理电镀废水的BAF反应器
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明供了一种用于处理电镀废水的BAF反应器,属于环境工程技术领域。它解决了现有电镀废水反应器中污染物去除率较低等技术问题。一种用于处理电镀废水的BAF反应器,反应器包括一反应池,反应池由一隔板分割为反应室一和反应室二,反应室一内设有以硬质泡沫塑料为填料的滤层一,反应室二内设有以球形轻质生物陶粒作为填料的滤层二,反应器还包括分别与反应室一和反应室二相联通的进水池和出水池,反应室二与一个供氧曝气池相连,隔板上设有联通反应室一和反应室二的过水孔。本发明具有去除率高、操作简单有效等优点。
具有多层复合防护膜的基底材料的制备方法
成熟度:可规模生产
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种具有多层复合无机防护膜的基底材料的制备方法。该方法的具体步骤为:将基底材料放入反应室加热至100?C~500?C;将三甲基铝或Al(CH3)N(CH2)5CH3前驱体在0.1托~10托压力下通入反应室,时间为0.2秒~5秒;将氮气或惰性气体通入反应室,以清除未被基底化学吸附的三甲基铝或Al(CH3)N(CH2)5CH3残余气体;在0.1托~10托压力下,将臭氧或水蒸汽反应气体通入反应室,时间为0.2秒~5秒,在基底上形成一层氧化铝原子层的沉积,并使基底上覆盖的氧化铝层的厚度达到2nm~100nm;以氯硅烷、六氯乙硅烷或正硅酸四乙酯为硅源,取代三甲基铝或Al(CH3)N(CH2)5CH3前驱体,重复上述,在氧化铝层上覆盖二氧化硅层;二氧化硅层的厚度为2nm~100nm;最终得到一个厚度为5~120nm的具有Al2O3/SiO2双层结构复合无机防护膜的基底材料。该方法能够精确控制薄膜厚度,薄膜厚度可以在1~100nm直接精确可控,并且具有极好的抗氧化、防气体渗透性能。同时还能够控制Al2O3与SiO2的比例。
金属有机物化学气相淀积设备的多层流反应室结构
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及到半导体设备制造技术领域,特别是涉及金属有机物化学气相淀积(MOCVD)设备中的多层流反应室结构。该结构有多层气流,包括至少一层原材料气流层,一层隔离气流层,或/和反应室天棚的控温装置。原材料气流层紧贴着衬底,其中原材料通过扩散等机制迁移到衬底表面参与材料生长。隔离气流层夹在原材料气流层和反应室天棚之间,减少原材料与反应室天棚之间的接触和淀积。另外,反应室天棚的控温装置,控制反应室天棚的温度,提高了隔离气流层的隔离效果。本发明减少了原材料在反应室天棚上的淀积,提高原料的使用效率和衬底上生长晶体的质量。200410098995.6
一种使用射频加热的桶式CVD设备反应室
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种使用射频加热的桶式CVD设备反应室,包括:具有双层管状结构的水冷壁,该水冷壁的内管腔中设有反应室,而内、外管之间至少与该反应室相应的区域内分布有冷却介质容置腔;设于该反应室内的加热基座,且该加热基座上分布有若干凹槽;分布于该加热基座与水冷壁内管之间的整流罩;至少绕设在该水冷壁外壁上与该反应室相应区域内的感应线圈。本发明通过采用桶式结构的反应室,可以满足多片晶片同时生长,而通过采用射频感应加热,同时有直接热传导和辐射加热,提高了晶片温度分布的均匀性,尤其是对于大尺寸的晶片来说,加热不受反应室直径大小的限制,加热速度快、效率高、温度高、加热状态稳定,适合在大尺寸的高温CVD反应室中使用。
石墨表面掺硼金刚石薄膜材料及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明涉及一种石墨表面掺硼金刚石薄膜材料及其制备方法。石墨表面掺硼金刚石薄膜材料是在石墨基体表面先热丝化学气相沉积一层金属钨膜作为中间过渡层,再在其上热丝化学气相沉积掺硼金刚石膜。制备方法是将石墨基体放置于热丝等离子体化学气相沉积反应室内,将反应室抽真空后热丝通电达到1200°~1400°C,再通入羰基钨蒸汽,使羰基钨蒸汽分子在石墨基体表面分解沉积出金属钨膜作为中间层;然后调节灯丝电源升高灯丝温度达到2100-2300°C,向反应室内通入甲烷、硼烷和氢气,在已沉积的钨层表面生长金刚石膜。本发明石墨基体不需转移,可在同一套装置中原位连续生长,这种方法高效、简便、低成本、且能保证薄膜制备的高质量。
一种微流体反应器
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种微流体反应器(专利号201210159002.6),包括基座、反应池板、玻片、橡胶圈和旋盖。所述基座、反应池板和玻片一起构成了完整的反应室,并通过所述橡胶圈缓冲由所述旋盖水平压在玻片上将反应室密闭。本发明通过所述反应池板上梭形反应池的仿生学设计,实现了反应室中流体流动时流场分布均匀,排出时无残液,且不受反应器的放置方位影响,同时还可以用于需要温控和光照的反应。本发明可广泛用于生物、化学、医药等各领域的微流体反应实验。
净水厂高效低耗涡流澄清改造技术
成熟度:可规模生产
技术类型:发明
应用行业:水利、环境和公共设施管理业
技术简介
研发出具有自主知识产权的涡流澄清技术,对老水厂进行改造,提高产水量,改善出水水质,提高供水的安全可靠性,且节能降耗。专利技术摘要:本发明属于环境保护领域,涉及一种涡旋网格澄清池及其用于水处理中提高混凝反应及沉淀效果的澄清方法,它包括絮凝反应单元、澄清单元和污泥浓缩单元,其中:第一涡流反应室和第二涡流反应室共同组成絮凝反应单元,涡流澄清池底部的进水管依次经过喷嘴、喉管与第一涡流反应室底部的喇叭口连通;第一涡流反应室和第二涡流反应室连通,第二涡流反应室与缓冲区连通;在第一涡流反应室和第二涡流反应室内设置有涡旋网格絮凝反应器;设置在池顶的操作杆通过连接件控制喉管在纵向上的升降。本发明加大了第一反应室的容积利用率,降低能耗,能提高絮凝反应效率、减少水头损失、降低药耗、提高净水水质,具有较高的社会与经济效益。
具有多层复合防护膜的基底材料的制备方法
成熟度:可规模生产
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种具有多层复合无机防护膜的基底材料的制备方法。该方法的具体步骤为:将基底材料放入反应室加热至100?C~500?C;将三甲基铝或Al(CH3)N(CH2)5CH3前驱体在0.1托~10托压力下通入反应室,时间为0.2秒~5秒;将氮气或惰性气体通入反应室,以清除未被基底化学吸附的三甲基铝或Al(CH3)N(CH2)5CH3残余气体;在0.1托~10托压力下,将臭氧或水蒸汽反应气体通入反应室,时间为0.2秒~5秒,在基底上形成一层氧化铝原子层的沉积,并使基底上覆盖的氧化铝层的厚度达到2nm~100nm;以氯硅烷、六氯乙硅烷或正硅酸四乙酯为硅源,取代三甲基铝或Al(CH3)N(CH2)5CH3前驱体,重复上述,在氧化铝层上覆盖二氧化硅层;二氧化硅层的厚度为2nm~100nm;最终得到一个厚度为5~120nm的具有Al2O3/SiO2双层结构复合无机防护膜的基底材料。该方法能够精确控制薄膜厚度,薄膜厚度可以在1~100nm直接精确可控,并且具有极好的抗氧化、防气体渗透性能。同时还能够控制Al2O3与SiO2的比例。
一种用于燃料敏化太阳能电池的透明电极
成熟度:可规模生产
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
发明专利名称: 一种用于燃料敏化太阳能电池的透明电极发明专利简介: 本发明涉及一种用于燃料敏化太阳能电池的透明电极,其特征在于在常用导电透明电极表面沉积氧化锌纳米薄膜。本发明还涉及该电极的制备方法,其特征在于:将导电透明电极基板进行预处理并放入原子层沉积反应室,将反应室真空抽反应室温度加热至100℃~300℃;向沉积室中引入二乙基锌,持续时间为1秒,将氮气或惰性气体通入反应室,持续时间为3秒;向沉积室中引入水蒸汽,持续时间为1秒,沉积得到单层氧化锌,沉积结束后再用高纯氮气清洗沉积室,持续时间为3秒;循环反复沉积以获得一种用于燃料敏化太阳能电池的透明电极。可在基本不降低透明电极光学、电学性能情况下,提高染料敏化太阳能电池的使用性能。
低温等离子体协同ACF净化Vocs的 方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种低温等离子体协同ACF净化VOCs的方法,其步骤是:首先,将厚度小于8mm的ACF置于辉光放电低温等离子体发生装置的反应室内的两极板之间,调整两极板间距至20-60mm;将反应室内部气压抽至0-800Pa,通入氧气至反应室内部气压为一个标准大气压;再将反应室内部气压抽至0-800Pa;利用辉光放电产生低温等离子体,设定两极板间放电电压5-15kV,持续放电4min,放电结束后取出ACF;将依上述步骤处理过的ACF置于介质阻挡放电低温等离子体发生装置的反应室内的两极板之间,将两极板间距调节至大于ACF厚度1-2mm;将含有VOCs的待处理空气持续通入反应室中,同时开启低温等离子体放电电源并将输出电压调整至5-10kV,利用介质阻挡放电产生低温等离子体,8-10min后关闭电源。本发明方法对空气中VOCs的净化效率有明显提高。
找到25项技术成果数据。
找技术 >一种用于处理电镀废水的BAF反应器
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明供了一种用于处理电镀废水的BAF反应器,属于环境工程技术领域。它解决了现有电镀废水反应器中污染物去除率较低等技术问题。一种用于处理电镀废水的BAF反应器,反应器包括一反应池,反应池由一隔板分割为反应室一和反应室二,反应室一内设有以硬质泡沫塑料为填料的滤层一,反应室二内设有以球形轻质生物陶粒作为填料的滤层二,反应器还包括分别与反应室一和反应室二相联通的进水池和出水池,反应室二与一个供氧曝气池相连,隔板上设有联通反应室一和反应室二的过水孔。本发明具有去除率高、操作简单有效等优点。
具有多层复合防护膜的基底材料的制备方法
成熟度:可规模生产
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种具有多层复合无机防护膜的基底材料的制备方法。该方法的具体步骤为:将基底材料放入反应室加热至100?C~500?C;将三甲基铝或Al(CH3)N(CH2)5CH3前驱体在0.1托~10托压力下通入反应室,时间为0.2秒~5秒;将氮气或惰性气体通入反应室,以清除未被基底化学吸附的三甲基铝或Al(CH3)N(CH2)5CH3残余气体;在0.1托~10托压力下,将臭氧或水蒸汽反应气体通入反应室,时间为0.2秒~5秒,在基底上形成一层氧化铝原子层的沉积,并使基底上覆盖的氧化铝层的厚度达到2nm~100nm;以氯硅烷、六氯乙硅烷或正硅酸四乙酯为硅源,取代三甲基铝或Al(CH3)N(CH2)5CH3前驱体,重复上述,在氧化铝层上覆盖二氧化硅层;二氧化硅层的厚度为2nm~100nm;最终得到一个厚度为5~120nm的具有Al2O3/SiO2双层结构复合无机防护膜的基底材料。该方法能够精确控制薄膜厚度,薄膜厚度可以在1~100nm直接精确可控,并且具有极好的抗氧化、防气体渗透性能。同时还能够控制Al2O3与SiO2的比例。
金属有机物化学气相淀积设备的多层流反应室结构
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及到半导体设备制造技术领域,特别是涉及金属有机物化学气相淀积(MOCVD)设备中的多层流反应室结构。该结构有多层气流,包括至少一层原材料气流层,一层隔离气流层,或/和反应室天棚的控温装置。原材料气流层紧贴着衬底,其中原材料通过扩散等机制迁移到衬底表面参与材料生长。隔离气流层夹在原材料气流层和反应室天棚之间,减少原材料与反应室天棚之间的接触和淀积。另外,反应室天棚的控温装置,控制反应室天棚的温度,提高了隔离气流层的隔离效果。本发明减少了原材料在反应室天棚上的淀积,提高原料的使用效率和衬底上生长晶体的质量。200410098995.6
一种使用射频加热的桶式CVD设备反应室
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种使用射频加热的桶式CVD设备反应室,包括:具有双层管状结构的水冷壁,该水冷壁的内管腔中设有反应室,而内、外管之间至少与该反应室相应的区域内分布有冷却介质容置腔;设于该反应室内的加热基座,且该加热基座上分布有若干凹槽;分布于该加热基座与水冷壁内管之间的整流罩;至少绕设在该水冷壁外壁上与该反应室相应区域内的感应线圈。本发明通过采用桶式结构的反应室,可以满足多片晶片同时生长,而通过采用射频感应加热,同时有直接热传导和辐射加热,提高了晶片温度分布的均匀性,尤其是对于大尺寸的晶片来说,加热不受反应室直径大小的限制,加热速度快、效率高、温度高、加热状态稳定,适合在大尺寸的高温CVD反应室中使用。
石墨表面掺硼金刚石薄膜材料及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明涉及一种石墨表面掺硼金刚石薄膜材料及其制备方法。石墨表面掺硼金刚石薄膜材料是在石墨基体表面先热丝化学气相沉积一层金属钨膜作为中间过渡层,再在其上热丝化学气相沉积掺硼金刚石膜。制备方法是将石墨基体放置于热丝等离子体化学气相沉积反应室内,将反应室抽真空后热丝通电达到1200°~1400°C,再通入羰基钨蒸汽,使羰基钨蒸汽分子在石墨基体表面分解沉积出金属钨膜作为中间层;然后调节灯丝电源升高灯丝温度达到2100-2300°C,向反应室内通入甲烷、硼烷和氢气,在已沉积的钨层表面生长金刚石膜。本发明石墨基体不需转移,可在同一套装置中原位连续生长,这种方法高效、简便、低成本、且能保证薄膜制备的高质量。
一种微流体反应器
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种微流体反应器(专利号201210159002.6),包括基座、反应池板、玻片、橡胶圈和旋盖。所述基座、反应池板和玻片一起构成了完整的反应室,并通过所述橡胶圈缓冲由所述旋盖水平压在玻片上将反应室密闭。本发明通过所述反应池板上梭形反应池的仿生学设计,实现了反应室中流体流动时流场分布均匀,排出时无残液,且不受反应器的放置方位影响,同时还可以用于需要温控和光照的反应。本发明可广泛用于生物、化学、医药等各领域的微流体反应实验。
净水厂高效低耗涡流澄清改造技术
成熟度:可规模生产
技术类型:发明
应用行业:水利、环境和公共设施管理业
技术简介
研发出具有自主知识产权的涡流澄清技术,对老水厂进行改造,提高产水量,改善出水水质,提高供水的安全可靠性,且节能降耗。专利技术摘要:本发明属于环境保护领域,涉及一种涡旋网格澄清池及其用于水处理中提高混凝反应及沉淀效果的澄清方法,它包括絮凝反应单元、澄清单元和污泥浓缩单元,其中:第一涡流反应室和第二涡流反应室共同组成絮凝反应单元,涡流澄清池底部的进水管依次经过喷嘴、喉管与第一涡流反应室底部的喇叭口连通;第一涡流反应室和第二涡流反应室连通,第二涡流反应室与缓冲区连通;在第一涡流反应室和第二涡流反应室内设置有涡旋网格絮凝反应器;设置在池顶的操作杆通过连接件控制喉管在纵向上的升降。本发明加大了第一反应室的容积利用率,降低能耗,能提高絮凝反应效率、减少水头损失、降低药耗、提高净水水质,具有较高的社会与经济效益。
具有多层复合防护膜的基底材料的制备方法
成熟度:可规模生产
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种具有多层复合无机防护膜的基底材料的制备方法。该方法的具体步骤为:将基底材料放入反应室加热至100?C~500?C;将三甲基铝或Al(CH3)N(CH2)5CH3前驱体在0.1托~10托压力下通入反应室,时间为0.2秒~5秒;将氮气或惰性气体通入反应室,以清除未被基底化学吸附的三甲基铝或Al(CH3)N(CH2)5CH3残余气体;在0.1托~10托压力下,将臭氧或水蒸汽反应气体通入反应室,时间为0.2秒~5秒,在基底上形成一层氧化铝原子层的沉积,并使基底上覆盖的氧化铝层的厚度达到2nm~100nm;以氯硅烷、六氯乙硅烷或正硅酸四乙酯为硅源,取代三甲基铝或Al(CH3)N(CH2)5CH3前驱体,重复上述,在氧化铝层上覆盖二氧化硅层;二氧化硅层的厚度为2nm~100nm;最终得到一个厚度为5~120nm的具有Al2O3/SiO2双层结构复合无机防护膜的基底材料。该方法能够精确控制薄膜厚度,薄膜厚度可以在1~100nm直接精确可控,并且具有极好的抗氧化、防气体渗透性能。同时还能够控制Al2O3与SiO2的比例。
一种用于燃料敏化太阳能电池的透明电极
成熟度:可规模生产
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
发明专利名称: 一种用于燃料敏化太阳能电池的透明电极发明专利简介: 本发明涉及一种用于燃料敏化太阳能电池的透明电极,其特征在于在常用导电透明电极表面沉积氧化锌纳米薄膜。本发明还涉及该电极的制备方法,其特征在于:将导电透明电极基板进行预处理并放入原子层沉积反应室,将反应室真空抽反应室温度加热至100℃~300℃;向沉积室中引入二乙基锌,持续时间为1秒,将氮气或惰性气体通入反应室,持续时间为3秒;向沉积室中引入水蒸汽,持续时间为1秒,沉积得到单层氧化锌,沉积结束后再用高纯氮气清洗沉积室,持续时间为3秒;循环反复沉积以获得一种用于燃料敏化太阳能电池的透明电极。可在基本不降低透明电极光学、电学性能情况下,提高染料敏化太阳能电池的使用性能。
低温等离子体协同ACF净化Vocs的 方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种低温等离子体协同ACF净化VOCs的方法,其步骤是:首先,将厚度小于8mm的ACF置于辉光放电低温等离子体发生装置的反应室内的两极板之间,调整两极板间距至20-60mm;将反应室内部气压抽至0-800Pa,通入氧气至反应室内部气压为一个标准大气压;再将反应室内部气压抽至0-800Pa;利用辉光放电产生低温等离子体,设定两极板间放电电压5-15kV,持续放电4min,放电结束后取出ACF;将依上述步骤处理过的ACF置于介质阻挡放电低温等离子体发生装置的反应室内的两极板之间,将两极板间距调节至大于ACF厚度1-2mm;将含有VOCs的待处理空气持续通入反应室中,同时开启低温等离子体放电电源并将输出电压调整至5-10kV,利用介质阻挡放电产生低温等离子体,8-10min后关闭电源。本发明方法对空气中VOCs的净化效率有明显提高。
找到25项技术成果数据。
找技术 >一种用于处理电镀废水的BAF反应器
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明供了一种用于处理电镀废水的BAF反应器,属于环境工程技术领域。它解决了现有电镀废水反应器中污染物去除率较低等技术问题。一种用于处理电镀废水的BAF反应器,反应器包括一反应池,反应池由一隔板分割为反应室一和反应室二,反应室一内设有以硬质泡沫塑料为填料的滤层一,反应室二内设有以球形轻质生物陶粒作为填料的滤层二,反应器还包括分别与反应室一和反应室二相联通的进水池和出水池,反应室二与一个供氧曝气池相连,隔板上设有联通反应室一和反应室二的过水孔。本发明具有去除率高、操作简单有效等优点。
具有多层复合防护膜的基底材料的制备方法
成熟度:可规模生产
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种具有多层复合无机防护膜的基底材料的制备方法。该方法的具体步骤为:将基底材料放入反应室加热至100?C~500?C;将三甲基铝或Al(CH3)N(CH2)5CH3前驱体在0.1托~10托压力下通入反应室,时间为0.2秒~5秒;将氮气或惰性气体通入反应室,以清除未被基底化学吸附的三甲基铝或Al(CH3)N(CH2)5CH3残余气体;在0.1托~10托压力下,将臭氧或水蒸汽反应气体通入反应室,时间为0.2秒~5秒,在基底上形成一层氧化铝原子层的沉积,并使基底上覆盖的氧化铝层的厚度达到2nm~100nm;以氯硅烷、六氯乙硅烷或正硅酸四乙酯为硅源,取代三甲基铝或Al(CH3)N(CH2)5CH3前驱体,重复上述,在氧化铝层上覆盖二氧化硅层;二氧化硅层的厚度为2nm~100nm;最终得到一个厚度为5~120nm的具有Al2O3/SiO2双层结构复合无机防护膜的基底材料。该方法能够精确控制薄膜厚度,薄膜厚度可以在1~100nm直接精确可控,并且具有极好的抗氧化、防气体渗透性能。同时还能够控制Al2O3与SiO2的比例。
金属有机物化学气相淀积设备的多层流反应室结构
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及到半导体设备制造技术领域,特别是涉及金属有机物化学气相淀积(MOCVD)设备中的多层流反应室结构。该结构有多层气流,包括至少一层原材料气流层,一层隔离气流层,或/和反应室天棚的控温装置。原材料气流层紧贴着衬底,其中原材料通过扩散等机制迁移到衬底表面参与材料生长。隔离气流层夹在原材料气流层和反应室天棚之间,减少原材料与反应室天棚之间的接触和淀积。另外,反应室天棚的控温装置,控制反应室天棚的温度,提高了隔离气流层的隔离效果。本发明减少了原材料在反应室天棚上的淀积,提高原料的使用效率和衬底上生长晶体的质量。200410098995.6
一种使用射频加热的桶式CVD设备反应室
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种使用射频加热的桶式CVD设备反应室,包括:具有双层管状结构的水冷壁,该水冷壁的内管腔中设有反应室,而内、外管之间至少与该反应室相应的区域内分布有冷却介质容置腔;设于该反应室内的加热基座,且该加热基座上分布有若干凹槽;分布于该加热基座与水冷壁内管之间的整流罩;至少绕设在该水冷壁外壁上与该反应室相应区域内的感应线圈。本发明通过采用桶式结构的反应室,可以满足多片晶片同时生长,而通过采用射频感应加热,同时有直接热传导和辐射加热,提高了晶片温度分布的均匀性,尤其是对于大尺寸的晶片来说,加热不受反应室直径大小的限制,加热速度快、效率高、温度高、加热状态稳定,适合在大尺寸的高温CVD反应室中使用。
石墨表面掺硼金刚石薄膜材料及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明涉及一种石墨表面掺硼金刚石薄膜材料及其制备方法。石墨表面掺硼金刚石薄膜材料是在石墨基体表面先热丝化学气相沉积一层金属钨膜作为中间过渡层,再在其上热丝化学气相沉积掺硼金刚石膜。制备方法是将石墨基体放置于热丝等离子体化学气相沉积反应室内,将反应室抽真空后热丝通电达到1200°~1400°C,再通入羰基钨蒸汽,使羰基钨蒸汽分子在石墨基体表面分解沉积出金属钨膜作为中间层;然后调节灯丝电源升高灯丝温度达到2100-2300°C,向反应室内通入甲烷、硼烷和氢气,在已沉积的钨层表面生长金刚石膜。本发明石墨基体不需转移,可在同一套装置中原位连续生长,这种方法高效、简便、低成本、且能保证薄膜制备的高质量。
一种微流体反应器
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种微流体反应器(专利号201210159002.6),包括基座、反应池板、玻片、橡胶圈和旋盖。所述基座、反应池板和玻片一起构成了完整的反应室,并通过所述橡胶圈缓冲由所述旋盖水平压在玻片上将反应室密闭。本发明通过所述反应池板上梭形反应池的仿生学设计,实现了反应室中流体流动时流场分布均匀,排出时无残液,且不受反应器的放置方位影响,同时还可以用于需要温控和光照的反应。本发明可广泛用于生物、化学、医药等各领域的微流体反应实验。
净水厂高效低耗涡流澄清改造技术
成熟度:可规模生产
技术类型:发明
应用行业:水利、环境和公共设施管理业
技术简介
研发出具有自主知识产权的涡流澄清技术,对老水厂进行改造,提高产水量,改善出水水质,提高供水的安全可靠性,且节能降耗。专利技术摘要:本发明属于环境保护领域,涉及一种涡旋网格澄清池及其用于水处理中提高混凝反应及沉淀效果的澄清方法,它包括絮凝反应单元、澄清单元和污泥浓缩单元,其中:第一涡流反应室和第二涡流反应室共同组成絮凝反应单元,涡流澄清池底部的进水管依次经过喷嘴、喉管与第一涡流反应室底部的喇叭口连通;第一涡流反应室和第二涡流反应室连通,第二涡流反应室与缓冲区连通;在第一涡流反应室和第二涡流反应室内设置有涡旋网格絮凝反应器;设置在池顶的操作杆通过连接件控制喉管在纵向上的升降。本发明加大了第一反应室的容积利用率,降低能耗,能提高絮凝反应效率、减少水头损失、降低药耗、提高净水水质,具有较高的社会与经济效益。
具有多层复合防护膜的基底材料的制备方法
成熟度:可规模生产
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种具有多层复合无机防护膜的基底材料的制备方法。该方法的具体步骤为:将基底材料放入反应室加热至100?C~500?C;将三甲基铝或Al(CH3)N(CH2)5CH3前驱体在0.1托~10托压力下通入反应室,时间为0.2秒~5秒;将氮气或惰性气体通入反应室,以清除未被基底化学吸附的三甲基铝或Al(CH3)N(CH2)5CH3残余气体;在0.1托~10托压力下,将臭氧或水蒸汽反应气体通入反应室,时间为0.2秒~5秒,在基底上形成一层氧化铝原子层的沉积,并使基底上覆盖的氧化铝层的厚度达到2nm~100nm;以氯硅烷、六氯乙硅烷或正硅酸四乙酯为硅源,取代三甲基铝或Al(CH3)N(CH2)5CH3前驱体,重复上述,在氧化铝层上覆盖二氧化硅层;二氧化硅层的厚度为2nm~100nm;最终得到一个厚度为5~120nm的具有Al2O3/SiO2双层结构复合无机防护膜的基底材料。该方法能够精确控制薄膜厚度,薄膜厚度可以在1~100nm直接精确可控,并且具有极好的抗氧化、防气体渗透性能。同时还能够控制Al2O3与SiO2的比例。
一种用于燃料敏化太阳能电池的透明电极
成熟度:可规模生产
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
发明专利名称: 一种用于燃料敏化太阳能电池的透明电极发明专利简介: 本发明涉及一种用于燃料敏化太阳能电池的透明电极,其特征在于在常用导电透明电极表面沉积氧化锌纳米薄膜。本发明还涉及该电极的制备方法,其特征在于:将导电透明电极基板进行预处理并放入原子层沉积反应室,将反应室真空抽反应室温度加热至100℃~300℃;向沉积室中引入二乙基锌,持续时间为1秒,将氮气或惰性气体通入反应室,持续时间为3秒;向沉积室中引入水蒸汽,持续时间为1秒,沉积得到单层氧化锌,沉积结束后再用高纯氮气清洗沉积室,持续时间为3秒;循环反复沉积以获得一种用于燃料敏化太阳能电池的透明电极。可在基本不降低透明电极光学、电学性能情况下,提高染料敏化太阳能电池的使用性能。
低温等离子体协同ACF净化Vocs的 方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种低温等离子体协同ACF净化VOCs的方法,其步骤是:首先,将厚度小于8mm的ACF置于辉光放电低温等离子体发生装置的反应室内的两极板之间,调整两极板间距至20-60mm;将反应室内部气压抽至0-800Pa,通入氧气至反应室内部气压为一个标准大气压;再将反应室内部气压抽至0-800Pa;利用辉光放电产生低温等离子体,设定两极板间放电电压5-15kV,持续放电4min,放电结束后取出ACF;将依上述步骤处理过的ACF置于介质阻挡放电低温等离子体发生装置的反应室内的两极板之间,将两极板间距调节至大于ACF厚度1-2mm;将含有VOCs的待处理空气持续通入反应室中,同时开启低温等离子体放电电源并将输出电压调整至5-10kV,利用介质阻挡放电产生低温等离子体,8-10min后关闭电源。本发明方法对空气中VOCs的净化效率有明显提高。