找到105项技术成果数据。
找技术 >钙钛矿发光二极管
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
钙钛矿材料用于制备发光二极管,具有半峰宽窄、带隙可调、可用溶液法制 备等优势。 钙钛矿 LED 为平面自发光器件,具有质量 轻、厚度薄、视角广、响应速度 快、可用于柔性显示、使用温度范围广、构造和制备工艺简单等优点,在屏幕显 示(手机、电视、电脑、VR 和车载设备等)和绿色健康灯光(无蓝光伤害)等 方面具有广泛应用前景。 钙钛矿成分设计、表面和结构工程使钙钛矿发光 LED 的效率迅速提高,当 前报道的高外量子效率主要集中于近红外和绿光,而高效的蓝光钙钛矿 LED 仍 然是一个挑战。同时,钙钛矿 LED 的工作稳定性相对较低,如何构建高效稳定 性的 LED 器件是课题组今后的重要研究方向。
发光二极管
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型公开了一种发光二极管,包括:透明基底;透明电极位于所述透明基底上;电子传输层位于所述透明电极上;发光层位于所述电子传输层上,所述发光层包括铅基量子点层和钙钛矿层,所述铅基量子点层位于所述电子传输层上,所述钙钛矿层位于所述铅基量子点层上,并且填充所述铅基量子点层的因配体交换导致的龟裂缝隙;空穴传输层位于所述钙钛矿层上;阳极位于所述空穴传输层上。本实用新型应用了钙钛矿材料的低缺陷态和高载流子传输速率改善发光层的表面缺陷和载流子传输,并且通过在铅基量子点层因配体交换导致的龟裂间隙中填充钙钛矿,提高了发光层的成膜质量。
一种发光二极管引线框架结构
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型涉及半导体电子元器件的制造技术领域,具体涉及一种发光二极管引线框架结构,包括上横筋和下横筋,下横筋连接有多组阴极引脚和阳极引脚,每组阴极引脚的顶部设置有阴极焊接台,每组阳极引脚的顶部设有载片平台,所述载片平台横截面为梯形,所述梯形的上底边长于下底边,所述上横筋上位于相邻两组引脚之间设有限位卡沿,所述限位卡沿相对上横筋呈一倾斜角度设置,所述上横筋下设有一倒T字型加强筋。通过设计上底边长于下底边的梯形的载片平台,使得整个芯片的能够紧紧贴附在载片平台上,避免芯片电极悬空,有效防止芯片电极在键合中裂片。
半导体发光器件以及制备发光二极管的方法
成熟度:可规模生产
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种半导体发光器件以及制备发光二极管的方法。该方法包括在生长衬底上制备铟镓铝氮基LED多层结构。该方法还包括在所述LED多层结构上沉积欧姆接触层。该方法还包括对所述欧姆接触层的边缘进行修边,从而使所述欧姆接触层的中心表面充分高于边缘。另外,该方法包括在所述LED多层结构之上沉积第一金属邦定层。另外,该方法包括在另一导电衬底上沉积第二金属邦定层。该方法还包括对所述LED多层结构和所述导电衬底进行压焊。此外,该方法包括去除所述生长衬底。
安全开关和插座
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型公开了一种安全开关和插座,该开关和插座包括开关,开关指示电路。本实用新型公开的安全开关和插座是以一个器件做切换,外加发光二极管指示,开关开启后发光二极管会点亮,表示开关已经开启,开关关闭后发光二极管会灭,表示开关已经关闭,电器与电源完全隔离,只要电源开关是关的,电器就不会带电,切断电器与电源的所有连接,杜绝电器开关时产生打火拉弧等现象,极大提高用电的安全性和开关与插座的使用寿命。
光通信用快速、高辐射度发光二极管
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
发光管(LED)是中、短距离光通信的很好的光源器件。该快速发光二级管利用掺杂浓度比面发光管低和厚度较薄的有源区加上输出波导结构,降低了电容和垂直结平面方向的光束发散角,因此同时兼顾了带宽和功率。另外,该器件采用了p-n结反向隔离技术,改进了电流限制和散热性能,使器件单管输出可达1~2毫瓦,带宽50-100兆赫。这是国内首创的。该快速发光管的功率和带宽优值超过1980年美国RCA同类器件C30123和C30119的水平,其它性能与国外的器件相当。它可用于能通480个话路的三次群光通信系统和其它快速模拟系统。
高亮度长寿命柔性白色有机电致发光二极管研究
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
利用双层空穴注入方法实现低电压驱动白色OLED,在辉度为1000cd/m'2时驱动电压低于5.0V;同时,使用氟化物和硫化物叠层的封装方法,实现长时间驱动的柔性发光显示,在发光强度保持在150cd/m'2的情况下,封装后器件能够持续2000小时以上;并且在柔性基板上实现了具备图案化显示的柔性电子发光显示。
高效高亮度多有源区隧道再生白光发光二极管
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
该项目发明了一种高效高亮度多有源区隧道再生白光半导体发光二极管(LED),属于半导体光电子技术领域,涉及一种发光二极管。本发明包括有依次纵向层叠的p型电极、红色发光单元、隧道结、由绿色发光单元、蓝色发光单元、及绿色发光单元与蓝色发光单元之间的隧道结、或者由蓝绿色发光单元构成的下层芯片、n型电极,还包括有设在红色发光单元和与其相邻的隧道结之间的或者设在下层芯片和与其相邻的隧道结之间的芯片键合层。本发明的发光二极管是一次电光转换,发光效率高,由于材料为半导体材料,比基于荧光粉的器件的可靠性高,寿命长,色度逼真。
高效大功率白色发光二极管封装工艺
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
该项目是高效大功率白色发光二极管封装新工艺,采用蓝色芯片(24μm单芯片)涂覆YAG荧光粉,产生白色光源;底座采用铝基板底座,保证了良好的散热,降低了成本;芯片与底座采用硅胶粘结工艺,有效地改善了目前常用银胶粘结的热阻高、成本高等缺陷;首次采用圆筒状二次散热装置,功率可达1W以上,有效地提高了传热效率,大大延长了其使用寿命;率先采用背面出光的功率型LED芯片封装工艺,使发光效率提高50%以上。
大功率表面灌注贴片型发光二极管研制技术
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
LED产品具有寿命长、省电、较耐用、耐震、牢靠、适合量产、体积小、反应快等优点。该项目的研制主要应用于大功率表面灌注贴片型发光二极管的封装,对主要原材料进行有效的选择改善,并将封装方式与传统的封装方式做出相应的改变,使封装的LED的亮度、稳定性有明显的改善。和目前的表面灌注贴片型发光二极管相比较,使用该特殊封装的发光二极管亮度提高约40%,光衰减只有表面灌注贴片型的63%,为真正的半导体照明提供一个方向。
找到105项技术成果数据。
找技术 >钙钛矿发光二极管
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
钙钛矿材料用于制备发光二极管,具有半峰宽窄、带隙可调、可用溶液法制 备等优势。 钙钛矿 LED 为平面自发光器件,具有质量 轻、厚度薄、视角广、响应速度 快、可用于柔性显示、使用温度范围广、构造和制备工艺简单等优点,在屏幕显 示(手机、电视、电脑、VR 和车载设备等)和绿色健康灯光(无蓝光伤害)等 方面具有广泛应用前景。 钙钛矿成分设计、表面和结构工程使钙钛矿发光 LED 的效率迅速提高,当 前报道的高外量子效率主要集中于近红外和绿光,而高效的蓝光钙钛矿 LED 仍 然是一个挑战。同时,钙钛矿 LED 的工作稳定性相对较低,如何构建高效稳定 性的 LED 器件是课题组今后的重要研究方向。
发光二极管
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型公开了一种发光二极管,包括:透明基底;透明电极位于所述透明基底上;电子传输层位于所述透明电极上;发光层位于所述电子传输层上,所述发光层包括铅基量子点层和钙钛矿层,所述铅基量子点层位于所述电子传输层上,所述钙钛矿层位于所述铅基量子点层上,并且填充所述铅基量子点层的因配体交换导致的龟裂缝隙;空穴传输层位于所述钙钛矿层上;阳极位于所述空穴传输层上。本实用新型应用了钙钛矿材料的低缺陷态和高载流子传输速率改善发光层的表面缺陷和载流子传输,并且通过在铅基量子点层因配体交换导致的龟裂间隙中填充钙钛矿,提高了发光层的成膜质量。
一种发光二极管引线框架结构
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型涉及半导体电子元器件的制造技术领域,具体涉及一种发光二极管引线框架结构,包括上横筋和下横筋,下横筋连接有多组阴极引脚和阳极引脚,每组阴极引脚的顶部设置有阴极焊接台,每组阳极引脚的顶部设有载片平台,所述载片平台横截面为梯形,所述梯形的上底边长于下底边,所述上横筋上位于相邻两组引脚之间设有限位卡沿,所述限位卡沿相对上横筋呈一倾斜角度设置,所述上横筋下设有一倒T字型加强筋。通过设计上底边长于下底边的梯形的载片平台,使得整个芯片的能够紧紧贴附在载片平台上,避免芯片电极悬空,有效防止芯片电极在键合中裂片。
半导体发光器件以及制备发光二极管的方法
成熟度:可规模生产
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种半导体发光器件以及制备发光二极管的方法。该方法包括在生长衬底上制备铟镓铝氮基LED多层结构。该方法还包括在所述LED多层结构上沉积欧姆接触层。该方法还包括对所述欧姆接触层的边缘进行修边,从而使所述欧姆接触层的中心表面充分高于边缘。另外,该方法包括在所述LED多层结构之上沉积第一金属邦定层。另外,该方法包括在另一导电衬底上沉积第二金属邦定层。该方法还包括对所述LED多层结构和所述导电衬底进行压焊。此外,该方法包括去除所述生长衬底。
安全开关和插座
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型公开了一种安全开关和插座,该开关和插座包括开关,开关指示电路。本实用新型公开的安全开关和插座是以一个器件做切换,外加发光二极管指示,开关开启后发光二极管会点亮,表示开关已经开启,开关关闭后发光二极管会灭,表示开关已经关闭,电器与电源完全隔离,只要电源开关是关的,电器就不会带电,切断电器与电源的所有连接,杜绝电器开关时产生打火拉弧等现象,极大提高用电的安全性和开关与插座的使用寿命。
光通信用快速、高辐射度发光二极管
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
发光管(LED)是中、短距离光通信的很好的光源器件。该快速发光二级管利用掺杂浓度比面发光管低和厚度较薄的有源区加上输出波导结构,降低了电容和垂直结平面方向的光束发散角,因此同时兼顾了带宽和功率。另外,该器件采用了p-n结反向隔离技术,改进了电流限制和散热性能,使器件单管输出可达1~2毫瓦,带宽50-100兆赫。这是国内首创的。该快速发光管的功率和带宽优值超过1980年美国RCA同类器件C30123和C30119的水平,其它性能与国外的器件相当。它可用于能通480个话路的三次群光通信系统和其它快速模拟系统。
高亮度长寿命柔性白色有机电致发光二极管研究
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
利用双层空穴注入方法实现低电压驱动白色OLED,在辉度为1000cd/m'2时驱动电压低于5.0V;同时,使用氟化物和硫化物叠层的封装方法,实现长时间驱动的柔性发光显示,在发光强度保持在150cd/m'2的情况下,封装后器件能够持续2000小时以上;并且在柔性基板上实现了具备图案化显示的柔性电子发光显示。
高效高亮度多有源区隧道再生白光发光二极管
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
该项目发明了一种高效高亮度多有源区隧道再生白光半导体发光二极管(LED),属于半导体光电子技术领域,涉及一种发光二极管。本发明包括有依次纵向层叠的p型电极、红色发光单元、隧道结、由绿色发光单元、蓝色发光单元、及绿色发光单元与蓝色发光单元之间的隧道结、或者由蓝绿色发光单元构成的下层芯片、n型电极,还包括有设在红色发光单元和与其相邻的隧道结之间的或者设在下层芯片和与其相邻的隧道结之间的芯片键合层。本发明的发光二极管是一次电光转换,发光效率高,由于材料为半导体材料,比基于荧光粉的器件的可靠性高,寿命长,色度逼真。
高效大功率白色发光二极管封装工艺
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
该项目是高效大功率白色发光二极管封装新工艺,采用蓝色芯片(24μm单芯片)涂覆YAG荧光粉,产生白色光源;底座采用铝基板底座,保证了良好的散热,降低了成本;芯片与底座采用硅胶粘结工艺,有效地改善了目前常用银胶粘结的热阻高、成本高等缺陷;首次采用圆筒状二次散热装置,功率可达1W以上,有效地提高了传热效率,大大延长了其使用寿命;率先采用背面出光的功率型LED芯片封装工艺,使发光效率提高50%以上。
大功率表面灌注贴片型发光二极管研制技术
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
LED产品具有寿命长、省电、较耐用、耐震、牢靠、适合量产、体积小、反应快等优点。该项目的研制主要应用于大功率表面灌注贴片型发光二极管的封装,对主要原材料进行有效的选择改善,并将封装方式与传统的封装方式做出相应的改变,使封装的LED的亮度、稳定性有明显的改善。和目前的表面灌注贴片型发光二极管相比较,使用该特殊封装的发光二极管亮度提高约40%,光衰减只有表面灌注贴片型的63%,为真正的半导体照明提供一个方向。
找到105项技术成果数据。
找技术 >钙钛矿发光二极管
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
钙钛矿材料用于制备发光二极管,具有半峰宽窄、带隙可调、可用溶液法制 备等优势。 钙钛矿 LED 为平面自发光器件,具有质量 轻、厚度薄、视角广、响应速度 快、可用于柔性显示、使用温度范围广、构造和制备工艺简单等优点,在屏幕显 示(手机、电视、电脑、VR 和车载设备等)和绿色健康灯光(无蓝光伤害)等 方面具有广泛应用前景。 钙钛矿成分设计、表面和结构工程使钙钛矿发光 LED 的效率迅速提高,当 前报道的高外量子效率主要集中于近红外和绿光,而高效的蓝光钙钛矿 LED 仍 然是一个挑战。同时,钙钛矿 LED 的工作稳定性相对较低,如何构建高效稳定 性的 LED 器件是课题组今后的重要研究方向。
发光二极管
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型公开了一种发光二极管,包括:透明基底;透明电极位于所述透明基底上;电子传输层位于所述透明电极上;发光层位于所述电子传输层上,所述发光层包括铅基量子点层和钙钛矿层,所述铅基量子点层位于所述电子传输层上,所述钙钛矿层位于所述铅基量子点层上,并且填充所述铅基量子点层的因配体交换导致的龟裂缝隙;空穴传输层位于所述钙钛矿层上;阳极位于所述空穴传输层上。本实用新型应用了钙钛矿材料的低缺陷态和高载流子传输速率改善发光层的表面缺陷和载流子传输,并且通过在铅基量子点层因配体交换导致的龟裂间隙中填充钙钛矿,提高了发光层的成膜质量。
一种发光二极管引线框架结构
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型涉及半导体电子元器件的制造技术领域,具体涉及一种发光二极管引线框架结构,包括上横筋和下横筋,下横筋连接有多组阴极引脚和阳极引脚,每组阴极引脚的顶部设置有阴极焊接台,每组阳极引脚的顶部设有载片平台,所述载片平台横截面为梯形,所述梯形的上底边长于下底边,所述上横筋上位于相邻两组引脚之间设有限位卡沿,所述限位卡沿相对上横筋呈一倾斜角度设置,所述上横筋下设有一倒T字型加强筋。通过设计上底边长于下底边的梯形的载片平台,使得整个芯片的能够紧紧贴附在载片平台上,避免芯片电极悬空,有效防止芯片电极在键合中裂片。
半导体发光器件以及制备发光二极管的方法
成熟度:可规模生产
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种半导体发光器件以及制备发光二极管的方法。该方法包括在生长衬底上制备铟镓铝氮基LED多层结构。该方法还包括在所述LED多层结构上沉积欧姆接触层。该方法还包括对所述欧姆接触层的边缘进行修边,从而使所述欧姆接触层的中心表面充分高于边缘。另外,该方法包括在所述LED多层结构之上沉积第一金属邦定层。另外,该方法包括在另一导电衬底上沉积第二金属邦定层。该方法还包括对所述LED多层结构和所述导电衬底进行压焊。此外,该方法包括去除所述生长衬底。
安全开关和插座
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型公开了一种安全开关和插座,该开关和插座包括开关,开关指示电路。本实用新型公开的安全开关和插座是以一个器件做切换,外加发光二极管指示,开关开启后发光二极管会点亮,表示开关已经开启,开关关闭后发光二极管会灭,表示开关已经关闭,电器与电源完全隔离,只要电源开关是关的,电器就不会带电,切断电器与电源的所有连接,杜绝电器开关时产生打火拉弧等现象,极大提高用电的安全性和开关与插座的使用寿命。
光通信用快速、高辐射度发光二极管
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
发光管(LED)是中、短距离光通信的很好的光源器件。该快速发光二级管利用掺杂浓度比面发光管低和厚度较薄的有源区加上输出波导结构,降低了电容和垂直结平面方向的光束发散角,因此同时兼顾了带宽和功率。另外,该器件采用了p-n结反向隔离技术,改进了电流限制和散热性能,使器件单管输出可达1~2毫瓦,带宽50-100兆赫。这是国内首创的。该快速发光管的功率和带宽优值超过1980年美国RCA同类器件C30123和C30119的水平,其它性能与国外的器件相当。它可用于能通480个话路的三次群光通信系统和其它快速模拟系统。
高亮度长寿命柔性白色有机电致发光二极管研究
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
利用双层空穴注入方法实现低电压驱动白色OLED,在辉度为1000cd/m'2时驱动电压低于5.0V;同时,使用氟化物和硫化物叠层的封装方法,实现长时间驱动的柔性发光显示,在发光强度保持在150cd/m'2的情况下,封装后器件能够持续2000小时以上;并且在柔性基板上实现了具备图案化显示的柔性电子发光显示。
高效高亮度多有源区隧道再生白光发光二极管
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
该项目发明了一种高效高亮度多有源区隧道再生白光半导体发光二极管(LED),属于半导体光电子技术领域,涉及一种发光二极管。本发明包括有依次纵向层叠的p型电极、红色发光单元、隧道结、由绿色发光单元、蓝色发光单元、及绿色发光单元与蓝色发光单元之间的隧道结、或者由蓝绿色发光单元构成的下层芯片、n型电极,还包括有设在红色发光单元和与其相邻的隧道结之间的或者设在下层芯片和与其相邻的隧道结之间的芯片键合层。本发明的发光二极管是一次电光转换,发光效率高,由于材料为半导体材料,比基于荧光粉的器件的可靠性高,寿命长,色度逼真。
高效大功率白色发光二极管封装工艺
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
该项目是高效大功率白色发光二极管封装新工艺,采用蓝色芯片(24μm单芯片)涂覆YAG荧光粉,产生白色光源;底座采用铝基板底座,保证了良好的散热,降低了成本;芯片与底座采用硅胶粘结工艺,有效地改善了目前常用银胶粘结的热阻高、成本高等缺陷;首次采用圆筒状二次散热装置,功率可达1W以上,有效地提高了传热效率,大大延长了其使用寿命;率先采用背面出光的功率型LED芯片封装工艺,使发光效率提高50%以上。
大功率表面灌注贴片型发光二极管研制技术
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
LED产品具有寿命长、省电、较耐用、耐震、牢靠、适合量产、体积小、反应快等优点。该项目的研制主要应用于大功率表面灌注贴片型发光二极管的封装,对主要原材料进行有效的选择改善,并将封装方式与传统的封装方式做出相应的改变,使封装的LED的亮度、稳定性有明显的改善。和目前的表面灌注贴片型发光二极管相比较,使用该特殊封装的发光二极管亮度提高约40%,光衰减只有表面灌注贴片型的63%,为真正的半导体照明提供一个方向。
找到105项技术成果数据。
找技术 >钙钛矿发光二极管
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
钙钛矿材料用于制备发光二极管,具有半峰宽窄、带隙可调、可用溶液法制 备等优势。 钙钛矿 LED 为平面自发光器件,具有质量 轻、厚度薄、视角广、响应速度 快、可用于柔性显示、使用温度范围广、构造和制备工艺简单等优点,在屏幕显 示(手机、电视、电脑、VR 和车载设备等)和绿色健康灯光(无蓝光伤害)等 方面具有广泛应用前景。 钙钛矿成分设计、表面和结构工程使钙钛矿发光 LED 的效率迅速提高,当 前报道的高外量子效率主要集中于近红外和绿光,而高效的蓝光钙钛矿 LED 仍 然是一个挑战。同时,钙钛矿 LED 的工作稳定性相对较低,如何构建高效稳定 性的 LED 器件是课题组今后的重要研究方向。
发光二极管
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型公开了一种发光二极管,包括:透明基底;透明电极位于所述透明基底上;电子传输层位于所述透明电极上;发光层位于所述电子传输层上,所述发光层包括铅基量子点层和钙钛矿层,所述铅基量子点层位于所述电子传输层上,所述钙钛矿层位于所述铅基量子点层上,并且填充所述铅基量子点层的因配体交换导致的龟裂缝隙;空穴传输层位于所述钙钛矿层上;阳极位于所述空穴传输层上。本实用新型应用了钙钛矿材料的低缺陷态和高载流子传输速率改善发光层的表面缺陷和载流子传输,并且通过在铅基量子点层因配体交换导致的龟裂间隙中填充钙钛矿,提高了发光层的成膜质量。
一种发光二极管引线框架结构
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型涉及半导体电子元器件的制造技术领域,具体涉及一种发光二极管引线框架结构,包括上横筋和下横筋,下横筋连接有多组阴极引脚和阳极引脚,每组阴极引脚的顶部设置有阴极焊接台,每组阳极引脚的顶部设有载片平台,所述载片平台横截面为梯形,所述梯形的上底边长于下底边,所述上横筋上位于相邻两组引脚之间设有限位卡沿,所述限位卡沿相对上横筋呈一倾斜角度设置,所述上横筋下设有一倒T字型加强筋。通过设计上底边长于下底边的梯形的载片平台,使得整个芯片的能够紧紧贴附在载片平台上,避免芯片电极悬空,有效防止芯片电极在键合中裂片。
半导体发光器件以及制备发光二极管的方法
成熟度:可规模生产
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种半导体发光器件以及制备发光二极管的方法。该方法包括在生长衬底上制备铟镓铝氮基LED多层结构。该方法还包括在所述LED多层结构上沉积欧姆接触层。该方法还包括对所述欧姆接触层的边缘进行修边,从而使所述欧姆接触层的中心表面充分高于边缘。另外,该方法包括在所述LED多层结构之上沉积第一金属邦定层。另外,该方法包括在另一导电衬底上沉积第二金属邦定层。该方法还包括对所述LED多层结构和所述导电衬底进行压焊。此外,该方法包括去除所述生长衬底。
安全开关和插座
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型公开了一种安全开关和插座,该开关和插座包括开关,开关指示电路。本实用新型公开的安全开关和插座是以一个器件做切换,外加发光二极管指示,开关开启后发光二极管会点亮,表示开关已经开启,开关关闭后发光二极管会灭,表示开关已经关闭,电器与电源完全隔离,只要电源开关是关的,电器就不会带电,切断电器与电源的所有连接,杜绝电器开关时产生打火拉弧等现象,极大提高用电的安全性和开关与插座的使用寿命。
光通信用快速、高辐射度发光二极管
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
发光管(LED)是中、短距离光通信的很好的光源器件。该快速发光二级管利用掺杂浓度比面发光管低和厚度较薄的有源区加上输出波导结构,降低了电容和垂直结平面方向的光束发散角,因此同时兼顾了带宽和功率。另外,该器件采用了p-n结反向隔离技术,改进了电流限制和散热性能,使器件单管输出可达1~2毫瓦,带宽50-100兆赫。这是国内首创的。该快速发光管的功率和带宽优值超过1980年美国RCA同类器件C30123和C30119的水平,其它性能与国外的器件相当。它可用于能通480个话路的三次群光通信系统和其它快速模拟系统。
高亮度长寿命柔性白色有机电致发光二极管研究
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
利用双层空穴注入方法实现低电压驱动白色OLED,在辉度为1000cd/m'2时驱动电压低于5.0V;同时,使用氟化物和硫化物叠层的封装方法,实现长时间驱动的柔性发光显示,在发光强度保持在150cd/m'2的情况下,封装后器件能够持续2000小时以上;并且在柔性基板上实现了具备图案化显示的柔性电子发光显示。
高效高亮度多有源区隧道再生白光发光二极管
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
该项目发明了一种高效高亮度多有源区隧道再生白光半导体发光二极管(LED),属于半导体光电子技术领域,涉及一种发光二极管。本发明包括有依次纵向层叠的p型电极、红色发光单元、隧道结、由绿色发光单元、蓝色发光单元、及绿色发光单元与蓝色发光单元之间的隧道结、或者由蓝绿色发光单元构成的下层芯片、n型电极,还包括有设在红色发光单元和与其相邻的隧道结之间的或者设在下层芯片和与其相邻的隧道结之间的芯片键合层。本发明的发光二极管是一次电光转换,发光效率高,由于材料为半导体材料,比基于荧光粉的器件的可靠性高,寿命长,色度逼真。
高效大功率白色发光二极管封装工艺
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
该项目是高效大功率白色发光二极管封装新工艺,采用蓝色芯片(24μm单芯片)涂覆YAG荧光粉,产生白色光源;底座采用铝基板底座,保证了良好的散热,降低了成本;芯片与底座采用硅胶粘结工艺,有效地改善了目前常用银胶粘结的热阻高、成本高等缺陷;首次采用圆筒状二次散热装置,功率可达1W以上,有效地提高了传热效率,大大延长了其使用寿命;率先采用背面出光的功率型LED芯片封装工艺,使发光效率提高50%以上。
大功率表面灌注贴片型发光二极管研制技术
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
LED产品具有寿命长、省电、较耐用、耐震、牢靠、适合量产、体积小、反应快等优点。该项目的研制主要应用于大功率表面灌注贴片型发光二极管的封装,对主要原材料进行有效的选择改善,并将封装方式与传统的封装方式做出相应的改变,使封装的LED的亮度、稳定性有明显的改善。和目前的表面灌注贴片型发光二极管相比较,使用该特殊封装的发光二极管亮度提高约40%,光衰减只有表面灌注贴片型的63%,为真正的半导体照明提供一个方向。
找到105项技术成果数据。
找技术 >钙钛矿发光二极管
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
钙钛矿材料用于制备发光二极管,具有半峰宽窄、带隙可调、可用溶液法制 备等优势。 钙钛矿 LED 为平面自发光器件,具有质量 轻、厚度薄、视角广、响应速度 快、可用于柔性显示、使用温度范围广、构造和制备工艺简单等优点,在屏幕显 示(手机、电视、电脑、VR 和车载设备等)和绿色健康灯光(无蓝光伤害)等 方面具有广泛应用前景。 钙钛矿成分设计、表面和结构工程使钙钛矿发光 LED 的效率迅速提高,当 前报道的高外量子效率主要集中于近红外和绿光,而高效的蓝光钙钛矿 LED 仍 然是一个挑战。同时,钙钛矿 LED 的工作稳定性相对较低,如何构建高效稳定 性的 LED 器件是课题组今后的重要研究方向。
发光二极管
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型公开了一种发光二极管,包括:透明基底;透明电极位于所述透明基底上;电子传输层位于所述透明电极上;发光层位于所述电子传输层上,所述发光层包括铅基量子点层和钙钛矿层,所述铅基量子点层位于所述电子传输层上,所述钙钛矿层位于所述铅基量子点层上,并且填充所述铅基量子点层的因配体交换导致的龟裂缝隙;空穴传输层位于所述钙钛矿层上;阳极位于所述空穴传输层上。本实用新型应用了钙钛矿材料的低缺陷态和高载流子传输速率改善发光层的表面缺陷和载流子传输,并且通过在铅基量子点层因配体交换导致的龟裂间隙中填充钙钛矿,提高了发光层的成膜质量。
一种发光二极管引线框架结构
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型涉及半导体电子元器件的制造技术领域,具体涉及一种发光二极管引线框架结构,包括上横筋和下横筋,下横筋连接有多组阴极引脚和阳极引脚,每组阴极引脚的顶部设置有阴极焊接台,每组阳极引脚的顶部设有载片平台,所述载片平台横截面为梯形,所述梯形的上底边长于下底边,所述上横筋上位于相邻两组引脚之间设有限位卡沿,所述限位卡沿相对上横筋呈一倾斜角度设置,所述上横筋下设有一倒T字型加强筋。通过设计上底边长于下底边的梯形的载片平台,使得整个芯片的能够紧紧贴附在载片平台上,避免芯片电极悬空,有效防止芯片电极在键合中裂片。
半导体发光器件以及制备发光二极管的方法
成熟度:可规模生产
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种半导体发光器件以及制备发光二极管的方法。该方法包括在生长衬底上制备铟镓铝氮基LED多层结构。该方法还包括在所述LED多层结构上沉积欧姆接触层。该方法还包括对所述欧姆接触层的边缘进行修边,从而使所述欧姆接触层的中心表面充分高于边缘。另外,该方法包括在所述LED多层结构之上沉积第一金属邦定层。另外,该方法包括在另一导电衬底上沉积第二金属邦定层。该方法还包括对所述LED多层结构和所述导电衬底进行压焊。此外,该方法包括去除所述生长衬底。
安全开关和插座
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型公开了一种安全开关和插座,该开关和插座包括开关,开关指示电路。本实用新型公开的安全开关和插座是以一个器件做切换,外加发光二极管指示,开关开启后发光二极管会点亮,表示开关已经开启,开关关闭后发光二极管会灭,表示开关已经关闭,电器与电源完全隔离,只要电源开关是关的,电器就不会带电,切断电器与电源的所有连接,杜绝电器开关时产生打火拉弧等现象,极大提高用电的安全性和开关与插座的使用寿命。
光通信用快速、高辐射度发光二极管
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
发光管(LED)是中、短距离光通信的很好的光源器件。该快速发光二级管利用掺杂浓度比面发光管低和厚度较薄的有源区加上输出波导结构,降低了电容和垂直结平面方向的光束发散角,因此同时兼顾了带宽和功率。另外,该器件采用了p-n结反向隔离技术,改进了电流限制和散热性能,使器件单管输出可达1~2毫瓦,带宽50-100兆赫。这是国内首创的。该快速发光管的功率和带宽优值超过1980年美国RCA同类器件C30123和C30119的水平,其它性能与国外的器件相当。它可用于能通480个话路的三次群光通信系统和其它快速模拟系统。
高亮度长寿命柔性白色有机电致发光二极管研究
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
利用双层空穴注入方法实现低电压驱动白色OLED,在辉度为1000cd/m'2时驱动电压低于5.0V;同时,使用氟化物和硫化物叠层的封装方法,实现长时间驱动的柔性发光显示,在发光强度保持在150cd/m'2的情况下,封装后器件能够持续2000小时以上;并且在柔性基板上实现了具备图案化显示的柔性电子发光显示。
高效高亮度多有源区隧道再生白光发光二极管
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
该项目发明了一种高效高亮度多有源区隧道再生白光半导体发光二极管(LED),属于半导体光电子技术领域,涉及一种发光二极管。本发明包括有依次纵向层叠的p型电极、红色发光单元、隧道结、由绿色发光单元、蓝色发光单元、及绿色发光单元与蓝色发光单元之间的隧道结、或者由蓝绿色发光单元构成的下层芯片、n型电极,还包括有设在红色发光单元和与其相邻的隧道结之间的或者设在下层芯片和与其相邻的隧道结之间的芯片键合层。本发明的发光二极管是一次电光转换,发光效率高,由于材料为半导体材料,比基于荧光粉的器件的可靠性高,寿命长,色度逼真。
高效大功率白色发光二极管封装工艺
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
该项目是高效大功率白色发光二极管封装新工艺,采用蓝色芯片(24μm单芯片)涂覆YAG荧光粉,产生白色光源;底座采用铝基板底座,保证了良好的散热,降低了成本;芯片与底座采用硅胶粘结工艺,有效地改善了目前常用银胶粘结的热阻高、成本高等缺陷;首次采用圆筒状二次散热装置,功率可达1W以上,有效地提高了传热效率,大大延长了其使用寿命;率先采用背面出光的功率型LED芯片封装工艺,使发光效率提高50%以上。
大功率表面灌注贴片型发光二极管研制技术
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
LED产品具有寿命长、省电、较耐用、耐震、牢靠、适合量产、体积小、反应快等优点。该项目的研制主要应用于大功率表面灌注贴片型发光二极管的封装,对主要原材料进行有效的选择改善,并将封装方式与传统的封装方式做出相应的改变,使封装的LED的亮度、稳定性有明显的改善。和目前的表面灌注贴片型发光二极管相比较,使用该特殊封装的发光二极管亮度提高约40%,光衰减只有表面灌注贴片型的63%,为真正的半导体照明提供一个方向。
找到105项技术成果数据。
找技术 >钙钛矿发光二极管
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
钙钛矿材料用于制备发光二极管,具有半峰宽窄、带隙可调、可用溶液法制 备等优势。 钙钛矿 LED 为平面自发光器件,具有质量 轻、厚度薄、视角广、响应速度 快、可用于柔性显示、使用温度范围广、构造和制备工艺简单等优点,在屏幕显 示(手机、电视、电脑、VR 和车载设备等)和绿色健康灯光(无蓝光伤害)等 方面具有广泛应用前景。 钙钛矿成分设计、表面和结构工程使钙钛矿发光 LED 的效率迅速提高,当 前报道的高外量子效率主要集中于近红外和绿光,而高效的蓝光钙钛矿 LED 仍 然是一个挑战。同时,钙钛矿 LED 的工作稳定性相对较低,如何构建高效稳定 性的 LED 器件是课题组今后的重要研究方向。
发光二极管
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型公开了一种发光二极管,包括:透明基底;透明电极位于所述透明基底上;电子传输层位于所述透明电极上;发光层位于所述电子传输层上,所述发光层包括铅基量子点层和钙钛矿层,所述铅基量子点层位于所述电子传输层上,所述钙钛矿层位于所述铅基量子点层上,并且填充所述铅基量子点层的因配体交换导致的龟裂缝隙;空穴传输层位于所述钙钛矿层上;阳极位于所述空穴传输层上。本实用新型应用了钙钛矿材料的低缺陷态和高载流子传输速率改善发光层的表面缺陷和载流子传输,并且通过在铅基量子点层因配体交换导致的龟裂间隙中填充钙钛矿,提高了发光层的成膜质量。
一种发光二极管引线框架结构
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型涉及半导体电子元器件的制造技术领域,具体涉及一种发光二极管引线框架结构,包括上横筋和下横筋,下横筋连接有多组阴极引脚和阳极引脚,每组阴极引脚的顶部设置有阴极焊接台,每组阳极引脚的顶部设有载片平台,所述载片平台横截面为梯形,所述梯形的上底边长于下底边,所述上横筋上位于相邻两组引脚之间设有限位卡沿,所述限位卡沿相对上横筋呈一倾斜角度设置,所述上横筋下设有一倒T字型加强筋。通过设计上底边长于下底边的梯形的载片平台,使得整个芯片的能够紧紧贴附在载片平台上,避免芯片电极悬空,有效防止芯片电极在键合中裂片。
半导体发光器件以及制备发光二极管的方法
成熟度:可规模生产
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种半导体发光器件以及制备发光二极管的方法。该方法包括在生长衬底上制备铟镓铝氮基LED多层结构。该方法还包括在所述LED多层结构上沉积欧姆接触层。该方法还包括对所述欧姆接触层的边缘进行修边,从而使所述欧姆接触层的中心表面充分高于边缘。另外,该方法包括在所述LED多层结构之上沉积第一金属邦定层。另外,该方法包括在另一导电衬底上沉积第二金属邦定层。该方法还包括对所述LED多层结构和所述导电衬底进行压焊。此外,该方法包括去除所述生长衬底。
安全开关和插座
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型公开了一种安全开关和插座,该开关和插座包括开关,开关指示电路。本实用新型公开的安全开关和插座是以一个器件做切换,外加发光二极管指示,开关开启后发光二极管会点亮,表示开关已经开启,开关关闭后发光二极管会灭,表示开关已经关闭,电器与电源完全隔离,只要电源开关是关的,电器就不会带电,切断电器与电源的所有连接,杜绝电器开关时产生打火拉弧等现象,极大提高用电的安全性和开关与插座的使用寿命。
光通信用快速、高辐射度发光二极管
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
发光管(LED)是中、短距离光通信的很好的光源器件。该快速发光二级管利用掺杂浓度比面发光管低和厚度较薄的有源区加上输出波导结构,降低了电容和垂直结平面方向的光束发散角,因此同时兼顾了带宽和功率。另外,该器件采用了p-n结反向隔离技术,改进了电流限制和散热性能,使器件单管输出可达1~2毫瓦,带宽50-100兆赫。这是国内首创的。该快速发光管的功率和带宽优值超过1980年美国RCA同类器件C30123和C30119的水平,其它性能与国外的器件相当。它可用于能通480个话路的三次群光通信系统和其它快速模拟系统。
高亮度长寿命柔性白色有机电致发光二极管研究
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
利用双层空穴注入方法实现低电压驱动白色OLED,在辉度为1000cd/m'2时驱动电压低于5.0V;同时,使用氟化物和硫化物叠层的封装方法,实现长时间驱动的柔性发光显示,在发光强度保持在150cd/m'2的情况下,封装后器件能够持续2000小时以上;并且在柔性基板上实现了具备图案化显示的柔性电子发光显示。
高效高亮度多有源区隧道再生白光发光二极管
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
该项目发明了一种高效高亮度多有源区隧道再生白光半导体发光二极管(LED),属于半导体光电子技术领域,涉及一种发光二极管。本发明包括有依次纵向层叠的p型电极、红色发光单元、隧道结、由绿色发光单元、蓝色发光单元、及绿色发光单元与蓝色发光单元之间的隧道结、或者由蓝绿色发光单元构成的下层芯片、n型电极,还包括有设在红色发光单元和与其相邻的隧道结之间的或者设在下层芯片和与其相邻的隧道结之间的芯片键合层。本发明的发光二极管是一次电光转换,发光效率高,由于材料为半导体材料,比基于荧光粉的器件的可靠性高,寿命长,色度逼真。
高效大功率白色发光二极管封装工艺
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
该项目是高效大功率白色发光二极管封装新工艺,采用蓝色芯片(24μm单芯片)涂覆YAG荧光粉,产生白色光源;底座采用铝基板底座,保证了良好的散热,降低了成本;芯片与底座采用硅胶粘结工艺,有效地改善了目前常用银胶粘结的热阻高、成本高等缺陷;首次采用圆筒状二次散热装置,功率可达1W以上,有效地提高了传热效率,大大延长了其使用寿命;率先采用背面出光的功率型LED芯片封装工艺,使发光效率提高50%以上。
大功率表面灌注贴片型发光二极管研制技术
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
LED产品具有寿命长、省电、较耐用、耐震、牢靠、适合量产、体积小、反应快等优点。该项目的研制主要应用于大功率表面灌注贴片型发光二极管的封装,对主要原材料进行有效的选择改善,并将封装方式与传统的封装方式做出相应的改变,使封装的LED的亮度、稳定性有明显的改善。和目前的表面灌注贴片型发光二极管相比较,使用该特殊封装的发光二极管亮度提高约40%,光衰减只有表面灌注贴片型的63%,为真正的半导体照明提供一个方向。
找到105项技术成果数据。
找技术 >钙钛矿发光二极管
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
钙钛矿材料用于制备发光二极管,具有半峰宽窄、带隙可调、可用溶液法制 备等优势。 钙钛矿 LED 为平面自发光器件,具有质量 轻、厚度薄、视角广、响应速度 快、可用于柔性显示、使用温度范围广、构造和制备工艺简单等优点,在屏幕显 示(手机、电视、电脑、VR 和车载设备等)和绿色健康灯光(无蓝光伤害)等 方面具有广泛应用前景。 钙钛矿成分设计、表面和结构工程使钙钛矿发光 LED 的效率迅速提高,当 前报道的高外量子效率主要集中于近红外和绿光,而高效的蓝光钙钛矿 LED 仍 然是一个挑战。同时,钙钛矿 LED 的工作稳定性相对较低,如何构建高效稳定 性的 LED 器件是课题组今后的重要研究方向。
发光二极管
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型公开了一种发光二极管,包括:透明基底;透明电极位于所述透明基底上;电子传输层位于所述透明电极上;发光层位于所述电子传输层上,所述发光层包括铅基量子点层和钙钛矿层,所述铅基量子点层位于所述电子传输层上,所述钙钛矿层位于所述铅基量子点层上,并且填充所述铅基量子点层的因配体交换导致的龟裂缝隙;空穴传输层位于所述钙钛矿层上;阳极位于所述空穴传输层上。本实用新型应用了钙钛矿材料的低缺陷态和高载流子传输速率改善发光层的表面缺陷和载流子传输,并且通过在铅基量子点层因配体交换导致的龟裂间隙中填充钙钛矿,提高了发光层的成膜质量。
一种发光二极管引线框架结构
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型涉及半导体电子元器件的制造技术领域,具体涉及一种发光二极管引线框架结构,包括上横筋和下横筋,下横筋连接有多组阴极引脚和阳极引脚,每组阴极引脚的顶部设置有阴极焊接台,每组阳极引脚的顶部设有载片平台,所述载片平台横截面为梯形,所述梯形的上底边长于下底边,所述上横筋上位于相邻两组引脚之间设有限位卡沿,所述限位卡沿相对上横筋呈一倾斜角度设置,所述上横筋下设有一倒T字型加强筋。通过设计上底边长于下底边的梯形的载片平台,使得整个芯片的能够紧紧贴附在载片平台上,避免芯片电极悬空,有效防止芯片电极在键合中裂片。
半导体发光器件以及制备发光二极管的方法
成熟度:可规模生产
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种半导体发光器件以及制备发光二极管的方法。该方法包括在生长衬底上制备铟镓铝氮基LED多层结构。该方法还包括在所述LED多层结构上沉积欧姆接触层。该方法还包括对所述欧姆接触层的边缘进行修边,从而使所述欧姆接触层的中心表面充分高于边缘。另外,该方法包括在所述LED多层结构之上沉积第一金属邦定层。另外,该方法包括在另一导电衬底上沉积第二金属邦定层。该方法还包括对所述LED多层结构和所述导电衬底进行压焊。此外,该方法包括去除所述生长衬底。
安全开关和插座
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型公开了一种安全开关和插座,该开关和插座包括开关,开关指示电路。本实用新型公开的安全开关和插座是以一个器件做切换,外加发光二极管指示,开关开启后发光二极管会点亮,表示开关已经开启,开关关闭后发光二极管会灭,表示开关已经关闭,电器与电源完全隔离,只要电源开关是关的,电器就不会带电,切断电器与电源的所有连接,杜绝电器开关时产生打火拉弧等现象,极大提高用电的安全性和开关与插座的使用寿命。
光通信用快速、高辐射度发光二极管
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
发光管(LED)是中、短距离光通信的很好的光源器件。该快速发光二级管利用掺杂浓度比面发光管低和厚度较薄的有源区加上输出波导结构,降低了电容和垂直结平面方向的光束发散角,因此同时兼顾了带宽和功率。另外,该器件采用了p-n结反向隔离技术,改进了电流限制和散热性能,使器件单管输出可达1~2毫瓦,带宽50-100兆赫。这是国内首创的。该快速发光管的功率和带宽优值超过1980年美国RCA同类器件C30123和C30119的水平,其它性能与国外的器件相当。它可用于能通480个话路的三次群光通信系统和其它快速模拟系统。
高亮度长寿命柔性白色有机电致发光二极管研究
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
利用双层空穴注入方法实现低电压驱动白色OLED,在辉度为1000cd/m'2时驱动电压低于5.0V;同时,使用氟化物和硫化物叠层的封装方法,实现长时间驱动的柔性发光显示,在发光强度保持在150cd/m'2的情况下,封装后器件能够持续2000小时以上;并且在柔性基板上实现了具备图案化显示的柔性电子发光显示。
高效高亮度多有源区隧道再生白光发光二极管
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
该项目发明了一种高效高亮度多有源区隧道再生白光半导体发光二极管(LED),属于半导体光电子技术领域,涉及一种发光二极管。本发明包括有依次纵向层叠的p型电极、红色发光单元、隧道结、由绿色发光单元、蓝色发光单元、及绿色发光单元与蓝色发光单元之间的隧道结、或者由蓝绿色发光单元构成的下层芯片、n型电极,还包括有设在红色发光单元和与其相邻的隧道结之间的或者设在下层芯片和与其相邻的隧道结之间的芯片键合层。本发明的发光二极管是一次电光转换,发光效率高,由于材料为半导体材料,比基于荧光粉的器件的可靠性高,寿命长,色度逼真。
高效大功率白色发光二极管封装工艺
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
该项目是高效大功率白色发光二极管封装新工艺,采用蓝色芯片(24μm单芯片)涂覆YAG荧光粉,产生白色光源;底座采用铝基板底座,保证了良好的散热,降低了成本;芯片与底座采用硅胶粘结工艺,有效地改善了目前常用银胶粘结的热阻高、成本高等缺陷;首次采用圆筒状二次散热装置,功率可达1W以上,有效地提高了传热效率,大大延长了其使用寿命;率先采用背面出光的功率型LED芯片封装工艺,使发光效率提高50%以上。
大功率表面灌注贴片型发光二极管研制技术
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
LED产品具有寿命长、省电、较耐用、耐震、牢靠、适合量产、体积小、反应快等优点。该项目的研制主要应用于大功率表面灌注贴片型发光二极管的封装,对主要原材料进行有效的选择改善,并将封装方式与传统的封装方式做出相应的改变,使封装的LED的亮度、稳定性有明显的改善。和目前的表面灌注贴片型发光二极管相比较,使用该特殊封装的发光二极管亮度提高约40%,光衰减只有表面灌注贴片型的63%,为真正的半导体照明提供一个方向。
找到105项技术成果数据。
找技术 >钙钛矿发光二极管
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
钙钛矿材料用于制备发光二极管,具有半峰宽窄、带隙可调、可用溶液法制 备等优势。 钙钛矿 LED 为平面自发光器件,具有质量 轻、厚度薄、视角广、响应速度 快、可用于柔性显示、使用温度范围广、构造和制备工艺简单等优点,在屏幕显 示(手机、电视、电脑、VR 和车载设备等)和绿色健康灯光(无蓝光伤害)等 方面具有广泛应用前景。 钙钛矿成分设计、表面和结构工程使钙钛矿发光 LED 的效率迅速提高,当 前报道的高外量子效率主要集中于近红外和绿光,而高效的蓝光钙钛矿 LED 仍 然是一个挑战。同时,钙钛矿 LED 的工作稳定性相对较低,如何构建高效稳定 性的 LED 器件是课题组今后的重要研究方向。
发光二极管
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型公开了一种发光二极管,包括:透明基底;透明电极位于所述透明基底上;电子传输层位于所述透明电极上;发光层位于所述电子传输层上,所述发光层包括铅基量子点层和钙钛矿层,所述铅基量子点层位于所述电子传输层上,所述钙钛矿层位于所述铅基量子点层上,并且填充所述铅基量子点层的因配体交换导致的龟裂缝隙;空穴传输层位于所述钙钛矿层上;阳极位于所述空穴传输层上。本实用新型应用了钙钛矿材料的低缺陷态和高载流子传输速率改善发光层的表面缺陷和载流子传输,并且通过在铅基量子点层因配体交换导致的龟裂间隙中填充钙钛矿,提高了发光层的成膜质量。
一种发光二极管引线框架结构
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型涉及半导体电子元器件的制造技术领域,具体涉及一种发光二极管引线框架结构,包括上横筋和下横筋,下横筋连接有多组阴极引脚和阳极引脚,每组阴极引脚的顶部设置有阴极焊接台,每组阳极引脚的顶部设有载片平台,所述载片平台横截面为梯形,所述梯形的上底边长于下底边,所述上横筋上位于相邻两组引脚之间设有限位卡沿,所述限位卡沿相对上横筋呈一倾斜角度设置,所述上横筋下设有一倒T字型加强筋。通过设计上底边长于下底边的梯形的载片平台,使得整个芯片的能够紧紧贴附在载片平台上,避免芯片电极悬空,有效防止芯片电极在键合中裂片。
半导体发光器件以及制备发光二极管的方法
成熟度:可规模生产
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种半导体发光器件以及制备发光二极管的方法。该方法包括在生长衬底上制备铟镓铝氮基LED多层结构。该方法还包括在所述LED多层结构上沉积欧姆接触层。该方法还包括对所述欧姆接触层的边缘进行修边,从而使所述欧姆接触层的中心表面充分高于边缘。另外,该方法包括在所述LED多层结构之上沉积第一金属邦定层。另外,该方法包括在另一导电衬底上沉积第二金属邦定层。该方法还包括对所述LED多层结构和所述导电衬底进行压焊。此外,该方法包括去除所述生长衬底。
安全开关和插座
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型公开了一种安全开关和插座,该开关和插座包括开关,开关指示电路。本实用新型公开的安全开关和插座是以一个器件做切换,外加发光二极管指示,开关开启后发光二极管会点亮,表示开关已经开启,开关关闭后发光二极管会灭,表示开关已经关闭,电器与电源完全隔离,只要电源开关是关的,电器就不会带电,切断电器与电源的所有连接,杜绝电器开关时产生打火拉弧等现象,极大提高用电的安全性和开关与插座的使用寿命。
光通信用快速、高辐射度发光二极管
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
发光管(LED)是中、短距离光通信的很好的光源器件。该快速发光二级管利用掺杂浓度比面发光管低和厚度较薄的有源区加上输出波导结构,降低了电容和垂直结平面方向的光束发散角,因此同时兼顾了带宽和功率。另外,该器件采用了p-n结反向隔离技术,改进了电流限制和散热性能,使器件单管输出可达1~2毫瓦,带宽50-100兆赫。这是国内首创的。该快速发光管的功率和带宽优值超过1980年美国RCA同类器件C30123和C30119的水平,其它性能与国外的器件相当。它可用于能通480个话路的三次群光通信系统和其它快速模拟系统。
高亮度长寿命柔性白色有机电致发光二极管研究
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
利用双层空穴注入方法实现低电压驱动白色OLED,在辉度为1000cd/m'2时驱动电压低于5.0V;同时,使用氟化物和硫化物叠层的封装方法,实现长时间驱动的柔性发光显示,在发光强度保持在150cd/m'2的情况下,封装后器件能够持续2000小时以上;并且在柔性基板上实现了具备图案化显示的柔性电子发光显示。
高效高亮度多有源区隧道再生白光发光二极管
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
该项目发明了一种高效高亮度多有源区隧道再生白光半导体发光二极管(LED),属于半导体光电子技术领域,涉及一种发光二极管。本发明包括有依次纵向层叠的p型电极、红色发光单元、隧道结、由绿色发光单元、蓝色发光单元、及绿色发光单元与蓝色发光单元之间的隧道结、或者由蓝绿色发光单元构成的下层芯片、n型电极,还包括有设在红色发光单元和与其相邻的隧道结之间的或者设在下层芯片和与其相邻的隧道结之间的芯片键合层。本发明的发光二极管是一次电光转换,发光效率高,由于材料为半导体材料,比基于荧光粉的器件的可靠性高,寿命长,色度逼真。
高效大功率白色发光二极管封装工艺
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
该项目是高效大功率白色发光二极管封装新工艺,采用蓝色芯片(24μm单芯片)涂覆YAG荧光粉,产生白色光源;底座采用铝基板底座,保证了良好的散热,降低了成本;芯片与底座采用硅胶粘结工艺,有效地改善了目前常用银胶粘结的热阻高、成本高等缺陷;首次采用圆筒状二次散热装置,功率可达1W以上,有效地提高了传热效率,大大延长了其使用寿命;率先采用背面出光的功率型LED芯片封装工艺,使发光效率提高50%以上。
大功率表面灌注贴片型发光二极管研制技术
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
LED产品具有寿命长、省电、较耐用、耐震、牢靠、适合量产、体积小、反应快等优点。该项目的研制主要应用于大功率表面灌注贴片型发光二极管的封装,对主要原材料进行有效的选择改善,并将封装方式与传统的封装方式做出相应的改变,使封装的LED的亮度、稳定性有明显的改善。和目前的表面灌注贴片型发光二极管相比较,使用该特殊封装的发光二极管亮度提高约40%,光衰减只有表面灌注贴片型的63%,为真正的半导体照明提供一个方向。