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找技术 >一种适用于混合式高压直流断路器双向串联负载换流开关的缓冲电路
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明提出了一种适用于混合式高压直流断路器双向串联负载换流开关的缓冲电路结构及控制策略。所述其中一个单向缓冲电路结构包括电容C1,绝缘栅双极型晶体管T1、T2,二极管D1、D2、D3,电阻R1、R2。T1的集电极、发射极分别与D1的阴极、阳极相连;R1的一端与T1的发射极相连,另一端与S2相连;T2的集电极、发射极分别与D2的阴极、阳极相连;R2的一端与T2的发射极相连,另一端与T1的集电极相连;D3的阴极、阳极分别与T1的集电极、T2的集电极相连;C1的一端与T1的集电极相连,另一端与节点S2相连。所述电路控制策略包括在混合式高压直流断路器分、合闸时,对T1、T2的控制。本发明结构、控制简单,提高了混合式高压直流断路器的速动性和可靠性。
一种记忆增强及认知识别神经元的类脑器件及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种记忆增强及认知识别神经元的类脑器件及其制备方法,该器件以Si衬底GaN基晶圆为载体,包括硅衬底层、设置在硅衬底层上的外延缓冲层、设置在外延缓冲层上的n‑GaN层,设置在n‑GaN层上的发射极和集电极,发射极和集电极结构相同,均包括一个上台面和从下至上依次连接设置在上台面上的n‑GaN层、InGaN/GaN量子阱、p‑GaN层和p‑电极,所述发射极分别通过波导与集电极连接,n‑GaN层下方设置有空腔,使所述光致突触晶体管和波导悬空。本发明首次实现了以光子取代电子或者质子作为信息载体来模拟神经递质的传输,模拟出人脑的时间累积、空间累积和时空混合累积及识别效应,为复杂的大脑记忆特性研究奠定基础。
一种电流检测电路及电流检测设备
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明提出一种电流检测电路及电流检测设备,第一电阻的一端连接第二电阻的一端以及外接电源;第一电阻的另一端连接第三电阻的一端以及外接负载;第二电阻的另一端连接第一三极管的发射极以及第三三极管的发射极;第三电阻的另一端连接第二三极管的发射极;第一三极管的基极连接第二三极管的基极;第一三极管的集电极连接第一三极管的基极以及第四电阻的一端;第四电阻的另一端接地;第二三极管的集电极连接第三三极管的基极以及第五电阻的一端;第五电阻的另一端接地;第三三极管的集电极连接第六电阻的一端;第六电阻的一端接地。以此相对于现有技术,降低了成本,且能适应各种不同的电压,有更大的适应范围。
场发射器件及其制作方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明公开一种场发射器件,包括衬底、设置在所述衬底上的缓冲层、分别设置在所述缓冲层两端的发射极层和金属集电极层、分别设置在所述发射极层和所述金属集电极层上的电极层,其中,所述发射极层与所述金属集电极层之间具有沟道。本发明的场发射器件中的集电极采用金属材质,可以根据场发射器件的性能将发射极的尖凸部角度设计为任意角度,而且,由于所述集电极采用的是金属材质,在湿法腐蚀介质膜层形成纳米间距时不需要添加掩膜,简化了工艺、降低了成本、提高了性能。
一种有源音频放大电路
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型公开了一种有源音频放大电路,主要解决了现有技术中存在的音频放大电路无电源电路,且结构复杂,成本较高的问题。该一种有源音频放大电路,包括三极管Q1,集电极与三极管Q1的基极相连的三极管Q2,连接于三极管Q1的发射极和三极管Q2的发射极之间的电阻R2,与三极管Q1的发射极相连的拾音器U1,同相输入端通过电感L1与拾音器U1相连的运算放大器T1,与运算放大器T1的输出端相连的喇叭U2。通过上述方案,本实用新型达到了能够进行有源音频放大的目的,且成本低廉、体积小巧,具有很高的实用价值和推广价值。
一种表面热离子化检测器
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种表面热离子化检测器,包括发射极、加热棒、收集极、下端为喇叭形变径的连接管和外壳等组件。发射极用钼或铂或合金材料制成,为圆筒状或螺旋状绕丝。加热棒对金属发射极加热并且承担支撑发射极。当发射极表面加热到300~500℃时,有机胺类化合物与发射极表面碰撞,发生表面电离产生正离子而被检测。所发明的检测器对叔胺的最小检出量小于10-12g/s。该检测器可选择性的检测胺和肼及其衍生物等,可作为毛细管和填充柱气相色谱等系统的检测器,也可以作为传感器单独使用。
串联反馈式稳压数控电源器
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型揭示了一种串联反馈式稳压数控电源器,包括变压电路、稳压电路、交流输入控制电路、整流滤波电路、反馈调节电路、单片机控制电路、电压采样电路、电流保护电路、以及模数转换器;其中,反馈调节电路包括第一运放器、激励推动管、以及调整管,第一运放器的同相端耦合单片机控制电路、以及第五电阻,单片机控制电路向其输出PWM脉冲调节占空比,第五电阻用于形成电流信号回路,激励推动管用于受控触发导通调整管,其基极耦合第一运放器、发射极耦合调整管的基极,调整管的发射极耦合两个分压电阻,该两个分压电阻将发射极输出电压分压取样,并送到第一运放器反相端。
一种挥发性胺类传感器
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种采用表面热离子化原理测量挥发性胺和肼及其衍生物的选择性传感器,包括置于外壳内部的发射极和收集极等组件。发射极用钼或铂或合金材料制成,为线绕结构或筒状结构,加热棒对发射极金属电极加热并且承担支撑发射极;或者发射极和收集极为平行放置的两平板。当发射极在空气中被加热到350~480℃时,空气、胺或肼及其他化合物扩散进入传感器内,与发射极的表面碰撞,只有胺或肼发生表面电离产生正离子而被检测。该传感器对叔胺的最小检出量小于2μg/M3,可以用于现场检测有毒的挥发性胺类和剧毒肼类化合物。
一种载流子存储增强的绝缘栅双极型晶体管
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明提供了一种绝缘栅双极型晶体管器件,发射区采用了具有比其它半导体区更高禁带宽度的半导体材料,基区与发射区形成正向导通电压较高的异质PN结,基区与发射极之间通过一个二极管或两个同向串联的二极管或两个以上同向串联的二极管相连,基区与发射极之间的二极管通路的正向导通电压小于基区与发射区形成的异质PN结的正向导通电压。在正向导通时,基区与发射极之间的二极管导通,基区的电位抬高,从而使漂移区的少数载流子在靠近基区附近的存储效果得到增强。与传统绝缘栅双极型晶体管器件相比,本发明的绝缘栅双极型晶体管器件可以获得更低的导通压降。
金属基极有机晶体管及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明属于一种用有机半导体材料做有源介质的金属基极有机晶体管及其制备方法。采用垂直结构,把金属基极、有机发射极和发射极接触金属直接蒸镀在n型或p型高掺杂硅衬底上,制备成金属接触电极/高掺杂硅衬底/金属基极/有机发射极/发射机接触金属电极/金属基极有机晶体管。制备的器件直接用直流电流驱动,得到的器件的共基极增益接近于1,共发射极增益最大可达8500。器件的制备工艺简单,成本低。
找到10项技术成果数据。
找技术 >一种适用于混合式高压直流断路器双向串联负载换流开关的缓冲电路
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明提出了一种适用于混合式高压直流断路器双向串联负载换流开关的缓冲电路结构及控制策略。所述其中一个单向缓冲电路结构包括电容C1,绝缘栅双极型晶体管T1、T2,二极管D1、D2、D3,电阻R1、R2。T1的集电极、发射极分别与D1的阴极、阳极相连;R1的一端与T1的发射极相连,另一端与S2相连;T2的集电极、发射极分别与D2的阴极、阳极相连;R2的一端与T2的发射极相连,另一端与T1的集电极相连;D3的阴极、阳极分别与T1的集电极、T2的集电极相连;C1的一端与T1的集电极相连,另一端与节点S2相连。所述电路控制策略包括在混合式高压直流断路器分、合闸时,对T1、T2的控制。本发明结构、控制简单,提高了混合式高压直流断路器的速动性和可靠性。
一种记忆增强及认知识别神经元的类脑器件及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种记忆增强及认知识别神经元的类脑器件及其制备方法,该器件以Si衬底GaN基晶圆为载体,包括硅衬底层、设置在硅衬底层上的外延缓冲层、设置在外延缓冲层上的n‑GaN层,设置在n‑GaN层上的发射极和集电极,发射极和集电极结构相同,均包括一个上台面和从下至上依次连接设置在上台面上的n‑GaN层、InGaN/GaN量子阱、p‑GaN层和p‑电极,所述发射极分别通过波导与集电极连接,n‑GaN层下方设置有空腔,使所述光致突触晶体管和波导悬空。本发明首次实现了以光子取代电子或者质子作为信息载体来模拟神经递质的传输,模拟出人脑的时间累积、空间累积和时空混合累积及识别效应,为复杂的大脑记忆特性研究奠定基础。
一种电流检测电路及电流检测设备
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明提出一种电流检测电路及电流检测设备,第一电阻的一端连接第二电阻的一端以及外接电源;第一电阻的另一端连接第三电阻的一端以及外接负载;第二电阻的另一端连接第一三极管的发射极以及第三三极管的发射极;第三电阻的另一端连接第二三极管的发射极;第一三极管的基极连接第二三极管的基极;第一三极管的集电极连接第一三极管的基极以及第四电阻的一端;第四电阻的另一端接地;第二三极管的集电极连接第三三极管的基极以及第五电阻的一端;第五电阻的另一端接地;第三三极管的集电极连接第六电阻的一端;第六电阻的一端接地。以此相对于现有技术,降低了成本,且能适应各种不同的电压,有更大的适应范围。
场发射器件及其制作方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明公开一种场发射器件,包括衬底、设置在所述衬底上的缓冲层、分别设置在所述缓冲层两端的发射极层和金属集电极层、分别设置在所述发射极层和所述金属集电极层上的电极层,其中,所述发射极层与所述金属集电极层之间具有沟道。本发明的场发射器件中的集电极采用金属材质,可以根据场发射器件的性能将发射极的尖凸部角度设计为任意角度,而且,由于所述集电极采用的是金属材质,在湿法腐蚀介质膜层形成纳米间距时不需要添加掩膜,简化了工艺、降低了成本、提高了性能。
一种有源音频放大电路
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型公开了一种有源音频放大电路,主要解决了现有技术中存在的音频放大电路无电源电路,且结构复杂,成本较高的问题。该一种有源音频放大电路,包括三极管Q1,集电极与三极管Q1的基极相连的三极管Q2,连接于三极管Q1的发射极和三极管Q2的发射极之间的电阻R2,与三极管Q1的发射极相连的拾音器U1,同相输入端通过电感L1与拾音器U1相连的运算放大器T1,与运算放大器T1的输出端相连的喇叭U2。通过上述方案,本实用新型达到了能够进行有源音频放大的目的,且成本低廉、体积小巧,具有很高的实用价值和推广价值。
一种表面热离子化检测器
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种表面热离子化检测器,包括发射极、加热棒、收集极、下端为喇叭形变径的连接管和外壳等组件。发射极用钼或铂或合金材料制成,为圆筒状或螺旋状绕丝。加热棒对金属发射极加热并且承担支撑发射极。当发射极表面加热到300~500℃时,有机胺类化合物与发射极表面碰撞,发生表面电离产生正离子而被检测。所发明的检测器对叔胺的最小检出量小于10-12g/s。该检测器可选择性的检测胺和肼及其衍生物等,可作为毛细管和填充柱气相色谱等系统的检测器,也可以作为传感器单独使用。
串联反馈式稳压数控电源器
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型揭示了一种串联反馈式稳压数控电源器,包括变压电路、稳压电路、交流输入控制电路、整流滤波电路、反馈调节电路、单片机控制电路、电压采样电路、电流保护电路、以及模数转换器;其中,反馈调节电路包括第一运放器、激励推动管、以及调整管,第一运放器的同相端耦合单片机控制电路、以及第五电阻,单片机控制电路向其输出PWM脉冲调节占空比,第五电阻用于形成电流信号回路,激励推动管用于受控触发导通调整管,其基极耦合第一运放器、发射极耦合调整管的基极,调整管的发射极耦合两个分压电阻,该两个分压电阻将发射极输出电压分压取样,并送到第一运放器反相端。
一种挥发性胺类传感器
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种采用表面热离子化原理测量挥发性胺和肼及其衍生物的选择性传感器,包括置于外壳内部的发射极和收集极等组件。发射极用钼或铂或合金材料制成,为线绕结构或筒状结构,加热棒对发射极金属电极加热并且承担支撑发射极;或者发射极和收集极为平行放置的两平板。当发射极在空气中被加热到350~480℃时,空气、胺或肼及其他化合物扩散进入传感器内,与发射极的表面碰撞,只有胺或肼发生表面电离产生正离子而被检测。该传感器对叔胺的最小检出量小于2μg/M3,可以用于现场检测有毒的挥发性胺类和剧毒肼类化合物。
一种载流子存储增强的绝缘栅双极型晶体管
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明提供了一种绝缘栅双极型晶体管器件,发射区采用了具有比其它半导体区更高禁带宽度的半导体材料,基区与发射区形成正向导通电压较高的异质PN结,基区与发射极之间通过一个二极管或两个同向串联的二极管或两个以上同向串联的二极管相连,基区与发射极之间的二极管通路的正向导通电压小于基区与发射区形成的异质PN结的正向导通电压。在正向导通时,基区与发射极之间的二极管导通,基区的电位抬高,从而使漂移区的少数载流子在靠近基区附近的存储效果得到增强。与传统绝缘栅双极型晶体管器件相比,本发明的绝缘栅双极型晶体管器件可以获得更低的导通压降。
金属基极有机晶体管及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明属于一种用有机半导体材料做有源介质的金属基极有机晶体管及其制备方法。采用垂直结构,把金属基极、有机发射极和发射极接触金属直接蒸镀在n型或p型高掺杂硅衬底上,制备成金属接触电极/高掺杂硅衬底/金属基极/有机发射极/发射机接触金属电极/金属基极有机晶体管。制备的器件直接用直流电流驱动,得到的器件的共基极增益接近于1,共发射极增益最大可达8500。器件的制备工艺简单,成本低。
找到10项技术成果数据。
找技术 >一种适用于混合式高压直流断路器双向串联负载换流开关的缓冲电路
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明提出了一种适用于混合式高压直流断路器双向串联负载换流开关的缓冲电路结构及控制策略。所述其中一个单向缓冲电路结构包括电容C1,绝缘栅双极型晶体管T1、T2,二极管D1、D2、D3,电阻R1、R2。T1的集电极、发射极分别与D1的阴极、阳极相连;R1的一端与T1的发射极相连,另一端与S2相连;T2的集电极、发射极分别与D2的阴极、阳极相连;R2的一端与T2的发射极相连,另一端与T1的集电极相连;D3的阴极、阳极分别与T1的集电极、T2的集电极相连;C1的一端与T1的集电极相连,另一端与节点S2相连。所述电路控制策略包括在混合式高压直流断路器分、合闸时,对T1、T2的控制。本发明结构、控制简单,提高了混合式高压直流断路器的速动性和可靠性。
一种记忆增强及认知识别神经元的类脑器件及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种记忆增强及认知识别神经元的类脑器件及其制备方法,该器件以Si衬底GaN基晶圆为载体,包括硅衬底层、设置在硅衬底层上的外延缓冲层、设置在外延缓冲层上的n‑GaN层,设置在n‑GaN层上的发射极和集电极,发射极和集电极结构相同,均包括一个上台面和从下至上依次连接设置在上台面上的n‑GaN层、InGaN/GaN量子阱、p‑GaN层和p‑电极,所述发射极分别通过波导与集电极连接,n‑GaN层下方设置有空腔,使所述光致突触晶体管和波导悬空。本发明首次实现了以光子取代电子或者质子作为信息载体来模拟神经递质的传输,模拟出人脑的时间累积、空间累积和时空混合累积及识别效应,为复杂的大脑记忆特性研究奠定基础。
一种电流检测电路及电流检测设备
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明提出一种电流检测电路及电流检测设备,第一电阻的一端连接第二电阻的一端以及外接电源;第一电阻的另一端连接第三电阻的一端以及外接负载;第二电阻的另一端连接第一三极管的发射极以及第三三极管的发射极;第三电阻的另一端连接第二三极管的发射极;第一三极管的基极连接第二三极管的基极;第一三极管的集电极连接第一三极管的基极以及第四电阻的一端;第四电阻的另一端接地;第二三极管的集电极连接第三三极管的基极以及第五电阻的一端;第五电阻的另一端接地;第三三极管的集电极连接第六电阻的一端;第六电阻的一端接地。以此相对于现有技术,降低了成本,且能适应各种不同的电压,有更大的适应范围。
场发射器件及其制作方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明公开一种场发射器件,包括衬底、设置在所述衬底上的缓冲层、分别设置在所述缓冲层两端的发射极层和金属集电极层、分别设置在所述发射极层和所述金属集电极层上的电极层,其中,所述发射极层与所述金属集电极层之间具有沟道。本发明的场发射器件中的集电极采用金属材质,可以根据场发射器件的性能将发射极的尖凸部角度设计为任意角度,而且,由于所述集电极采用的是金属材质,在湿法腐蚀介质膜层形成纳米间距时不需要添加掩膜,简化了工艺、降低了成本、提高了性能。
一种有源音频放大电路
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型公开了一种有源音频放大电路,主要解决了现有技术中存在的音频放大电路无电源电路,且结构复杂,成本较高的问题。该一种有源音频放大电路,包括三极管Q1,集电极与三极管Q1的基极相连的三极管Q2,连接于三极管Q1的发射极和三极管Q2的发射极之间的电阻R2,与三极管Q1的发射极相连的拾音器U1,同相输入端通过电感L1与拾音器U1相连的运算放大器T1,与运算放大器T1的输出端相连的喇叭U2。通过上述方案,本实用新型达到了能够进行有源音频放大的目的,且成本低廉、体积小巧,具有很高的实用价值和推广价值。
一种表面热离子化检测器
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种表面热离子化检测器,包括发射极、加热棒、收集极、下端为喇叭形变径的连接管和外壳等组件。发射极用钼或铂或合金材料制成,为圆筒状或螺旋状绕丝。加热棒对金属发射极加热并且承担支撑发射极。当发射极表面加热到300~500℃时,有机胺类化合物与发射极表面碰撞,发生表面电离产生正离子而被检测。所发明的检测器对叔胺的最小检出量小于10-12g/s。该检测器可选择性的检测胺和肼及其衍生物等,可作为毛细管和填充柱气相色谱等系统的检测器,也可以作为传感器单独使用。
串联反馈式稳压数控电源器
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型揭示了一种串联反馈式稳压数控电源器,包括变压电路、稳压电路、交流输入控制电路、整流滤波电路、反馈调节电路、单片机控制电路、电压采样电路、电流保护电路、以及模数转换器;其中,反馈调节电路包括第一运放器、激励推动管、以及调整管,第一运放器的同相端耦合单片机控制电路、以及第五电阻,单片机控制电路向其输出PWM脉冲调节占空比,第五电阻用于形成电流信号回路,激励推动管用于受控触发导通调整管,其基极耦合第一运放器、发射极耦合调整管的基极,调整管的发射极耦合两个分压电阻,该两个分压电阻将发射极输出电压分压取样,并送到第一运放器反相端。
一种挥发性胺类传感器
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种采用表面热离子化原理测量挥发性胺和肼及其衍生物的选择性传感器,包括置于外壳内部的发射极和收集极等组件。发射极用钼或铂或合金材料制成,为线绕结构或筒状结构,加热棒对发射极金属电极加热并且承担支撑发射极;或者发射极和收集极为平行放置的两平板。当发射极在空气中被加热到350~480℃时,空气、胺或肼及其他化合物扩散进入传感器内,与发射极的表面碰撞,只有胺或肼发生表面电离产生正离子而被检测。该传感器对叔胺的最小检出量小于2μg/M3,可以用于现场检测有毒的挥发性胺类和剧毒肼类化合物。
一种载流子存储增强的绝缘栅双极型晶体管
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明提供了一种绝缘栅双极型晶体管器件,发射区采用了具有比其它半导体区更高禁带宽度的半导体材料,基区与发射区形成正向导通电压较高的异质PN结,基区与发射极之间通过一个二极管或两个同向串联的二极管或两个以上同向串联的二极管相连,基区与发射极之间的二极管通路的正向导通电压小于基区与发射区形成的异质PN结的正向导通电压。在正向导通时,基区与发射极之间的二极管导通,基区的电位抬高,从而使漂移区的少数载流子在靠近基区附近的存储效果得到增强。与传统绝缘栅双极型晶体管器件相比,本发明的绝缘栅双极型晶体管器件可以获得更低的导通压降。
金属基极有机晶体管及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明属于一种用有机半导体材料做有源介质的金属基极有机晶体管及其制备方法。采用垂直结构,把金属基极、有机发射极和发射极接触金属直接蒸镀在n型或p型高掺杂硅衬底上,制备成金属接触电极/高掺杂硅衬底/金属基极/有机发射极/发射机接触金属电极/金属基极有机晶体管。制备的器件直接用直流电流驱动,得到的器件的共基极增益接近于1,共发射极增益最大可达8500。器件的制备工艺简单,成本低。
找到10项技术成果数据。
找技术 >一种适用于混合式高压直流断路器双向串联负载换流开关的缓冲电路
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明提出了一种适用于混合式高压直流断路器双向串联负载换流开关的缓冲电路结构及控制策略。所述其中一个单向缓冲电路结构包括电容C1,绝缘栅双极型晶体管T1、T2,二极管D1、D2、D3,电阻R1、R2。T1的集电极、发射极分别与D1的阴极、阳极相连;R1的一端与T1的发射极相连,另一端与S2相连;T2的集电极、发射极分别与D2的阴极、阳极相连;R2的一端与T2的发射极相连,另一端与T1的集电极相连;D3的阴极、阳极分别与T1的集电极、T2的集电极相连;C1的一端与T1的集电极相连,另一端与节点S2相连。所述电路控制策略包括在混合式高压直流断路器分、合闸时,对T1、T2的控制。本发明结构、控制简单,提高了混合式高压直流断路器的速动性和可靠性。
一种记忆增强及认知识别神经元的类脑器件及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种记忆增强及认知识别神经元的类脑器件及其制备方法,该器件以Si衬底GaN基晶圆为载体,包括硅衬底层、设置在硅衬底层上的外延缓冲层、设置在外延缓冲层上的n‑GaN层,设置在n‑GaN层上的发射极和集电极,发射极和集电极结构相同,均包括一个上台面和从下至上依次连接设置在上台面上的n‑GaN层、InGaN/GaN量子阱、p‑GaN层和p‑电极,所述发射极分别通过波导与集电极连接,n‑GaN层下方设置有空腔,使所述光致突触晶体管和波导悬空。本发明首次实现了以光子取代电子或者质子作为信息载体来模拟神经递质的传输,模拟出人脑的时间累积、空间累积和时空混合累积及识别效应,为复杂的大脑记忆特性研究奠定基础。
一种电流检测电路及电流检测设备
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明提出一种电流检测电路及电流检测设备,第一电阻的一端连接第二电阻的一端以及外接电源;第一电阻的另一端连接第三电阻的一端以及外接负载;第二电阻的另一端连接第一三极管的发射极以及第三三极管的发射极;第三电阻的另一端连接第二三极管的发射极;第一三极管的基极连接第二三极管的基极;第一三极管的集电极连接第一三极管的基极以及第四电阻的一端;第四电阻的另一端接地;第二三极管的集电极连接第三三极管的基极以及第五电阻的一端;第五电阻的另一端接地;第三三极管的集电极连接第六电阻的一端;第六电阻的一端接地。以此相对于现有技术,降低了成本,且能适应各种不同的电压,有更大的适应范围。
场发射器件及其制作方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明公开一种场发射器件,包括衬底、设置在所述衬底上的缓冲层、分别设置在所述缓冲层两端的发射极层和金属集电极层、分别设置在所述发射极层和所述金属集电极层上的电极层,其中,所述发射极层与所述金属集电极层之间具有沟道。本发明的场发射器件中的集电极采用金属材质,可以根据场发射器件的性能将发射极的尖凸部角度设计为任意角度,而且,由于所述集电极采用的是金属材质,在湿法腐蚀介质膜层形成纳米间距时不需要添加掩膜,简化了工艺、降低了成本、提高了性能。
一种有源音频放大电路
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型公开了一种有源音频放大电路,主要解决了现有技术中存在的音频放大电路无电源电路,且结构复杂,成本较高的问题。该一种有源音频放大电路,包括三极管Q1,集电极与三极管Q1的基极相连的三极管Q2,连接于三极管Q1的发射极和三极管Q2的发射极之间的电阻R2,与三极管Q1的发射极相连的拾音器U1,同相输入端通过电感L1与拾音器U1相连的运算放大器T1,与运算放大器T1的输出端相连的喇叭U2。通过上述方案,本实用新型达到了能够进行有源音频放大的目的,且成本低廉、体积小巧,具有很高的实用价值和推广价值。
一种表面热离子化检测器
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种表面热离子化检测器,包括发射极、加热棒、收集极、下端为喇叭形变径的连接管和外壳等组件。发射极用钼或铂或合金材料制成,为圆筒状或螺旋状绕丝。加热棒对金属发射极加热并且承担支撑发射极。当发射极表面加热到300~500℃时,有机胺类化合物与发射极表面碰撞,发生表面电离产生正离子而被检测。所发明的检测器对叔胺的最小检出量小于10-12g/s。该检测器可选择性的检测胺和肼及其衍生物等,可作为毛细管和填充柱气相色谱等系统的检测器,也可以作为传感器单独使用。
串联反馈式稳压数控电源器
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型揭示了一种串联反馈式稳压数控电源器,包括变压电路、稳压电路、交流输入控制电路、整流滤波电路、反馈调节电路、单片机控制电路、电压采样电路、电流保护电路、以及模数转换器;其中,反馈调节电路包括第一运放器、激励推动管、以及调整管,第一运放器的同相端耦合单片机控制电路、以及第五电阻,单片机控制电路向其输出PWM脉冲调节占空比,第五电阻用于形成电流信号回路,激励推动管用于受控触发导通调整管,其基极耦合第一运放器、发射极耦合调整管的基极,调整管的发射极耦合两个分压电阻,该两个分压电阻将发射极输出电压分压取样,并送到第一运放器反相端。
一种挥发性胺类传感器
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种采用表面热离子化原理测量挥发性胺和肼及其衍生物的选择性传感器,包括置于外壳内部的发射极和收集极等组件。发射极用钼或铂或合金材料制成,为线绕结构或筒状结构,加热棒对发射极金属电极加热并且承担支撑发射极;或者发射极和收集极为平行放置的两平板。当发射极在空气中被加热到350~480℃时,空气、胺或肼及其他化合物扩散进入传感器内,与发射极的表面碰撞,只有胺或肼发生表面电离产生正离子而被检测。该传感器对叔胺的最小检出量小于2μg/M3,可以用于现场检测有毒的挥发性胺类和剧毒肼类化合物。
一种载流子存储增强的绝缘栅双极型晶体管
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明提供了一种绝缘栅双极型晶体管器件,发射区采用了具有比其它半导体区更高禁带宽度的半导体材料,基区与发射区形成正向导通电压较高的异质PN结,基区与发射极之间通过一个二极管或两个同向串联的二极管或两个以上同向串联的二极管相连,基区与发射极之间的二极管通路的正向导通电压小于基区与发射区形成的异质PN结的正向导通电压。在正向导通时,基区与发射极之间的二极管导通,基区的电位抬高,从而使漂移区的少数载流子在靠近基区附近的存储效果得到增强。与传统绝缘栅双极型晶体管器件相比,本发明的绝缘栅双极型晶体管器件可以获得更低的导通压降。
金属基极有机晶体管及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明属于一种用有机半导体材料做有源介质的金属基极有机晶体管及其制备方法。采用垂直结构,把金属基极、有机发射极和发射极接触金属直接蒸镀在n型或p型高掺杂硅衬底上,制备成金属接触电极/高掺杂硅衬底/金属基极/有机发射极/发射机接触金属电极/金属基极有机晶体管。制备的器件直接用直流电流驱动,得到的器件的共基极增益接近于1,共发射极增益最大可达8500。器件的制备工艺简单,成本低。
找到10项技术成果数据。
找技术 >一种适用于混合式高压直流断路器双向串联负载换流开关的缓冲电路
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明提出了一种适用于混合式高压直流断路器双向串联负载换流开关的缓冲电路结构及控制策略。所述其中一个单向缓冲电路结构包括电容C1,绝缘栅双极型晶体管T1、T2,二极管D1、D2、D3,电阻R1、R2。T1的集电极、发射极分别与D1的阴极、阳极相连;R1的一端与T1的发射极相连,另一端与S2相连;T2的集电极、发射极分别与D2的阴极、阳极相连;R2的一端与T2的发射极相连,另一端与T1的集电极相连;D3的阴极、阳极分别与T1的集电极、T2的集电极相连;C1的一端与T1的集电极相连,另一端与节点S2相连。所述电路控制策略包括在混合式高压直流断路器分、合闸时,对T1、T2的控制。本发明结构、控制简单,提高了混合式高压直流断路器的速动性和可靠性。
一种记忆增强及认知识别神经元的类脑器件及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种记忆增强及认知识别神经元的类脑器件及其制备方法,该器件以Si衬底GaN基晶圆为载体,包括硅衬底层、设置在硅衬底层上的外延缓冲层、设置在外延缓冲层上的n‑GaN层,设置在n‑GaN层上的发射极和集电极,发射极和集电极结构相同,均包括一个上台面和从下至上依次连接设置在上台面上的n‑GaN层、InGaN/GaN量子阱、p‑GaN层和p‑电极,所述发射极分别通过波导与集电极连接,n‑GaN层下方设置有空腔,使所述光致突触晶体管和波导悬空。本发明首次实现了以光子取代电子或者质子作为信息载体来模拟神经递质的传输,模拟出人脑的时间累积、空间累积和时空混合累积及识别效应,为复杂的大脑记忆特性研究奠定基础。
一种电流检测电路及电流检测设备
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明提出一种电流检测电路及电流检测设备,第一电阻的一端连接第二电阻的一端以及外接电源;第一电阻的另一端连接第三电阻的一端以及外接负载;第二电阻的另一端连接第一三极管的发射极以及第三三极管的发射极;第三电阻的另一端连接第二三极管的发射极;第一三极管的基极连接第二三极管的基极;第一三极管的集电极连接第一三极管的基极以及第四电阻的一端;第四电阻的另一端接地;第二三极管的集电极连接第三三极管的基极以及第五电阻的一端;第五电阻的另一端接地;第三三极管的集电极连接第六电阻的一端;第六电阻的一端接地。以此相对于现有技术,降低了成本,且能适应各种不同的电压,有更大的适应范围。
场发射器件及其制作方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明公开一种场发射器件,包括衬底、设置在所述衬底上的缓冲层、分别设置在所述缓冲层两端的发射极层和金属集电极层、分别设置在所述发射极层和所述金属集电极层上的电极层,其中,所述发射极层与所述金属集电极层之间具有沟道。本发明的场发射器件中的集电极采用金属材质,可以根据场发射器件的性能将发射极的尖凸部角度设计为任意角度,而且,由于所述集电极采用的是金属材质,在湿法腐蚀介质膜层形成纳米间距时不需要添加掩膜,简化了工艺、降低了成本、提高了性能。
一种有源音频放大电路
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型公开了一种有源音频放大电路,主要解决了现有技术中存在的音频放大电路无电源电路,且结构复杂,成本较高的问题。该一种有源音频放大电路,包括三极管Q1,集电极与三极管Q1的基极相连的三极管Q2,连接于三极管Q1的发射极和三极管Q2的发射极之间的电阻R2,与三极管Q1的发射极相连的拾音器U1,同相输入端通过电感L1与拾音器U1相连的运算放大器T1,与运算放大器T1的输出端相连的喇叭U2。通过上述方案,本实用新型达到了能够进行有源音频放大的目的,且成本低廉、体积小巧,具有很高的实用价值和推广价值。
一种表面热离子化检测器
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种表面热离子化检测器,包括发射极、加热棒、收集极、下端为喇叭形变径的连接管和外壳等组件。发射极用钼或铂或合金材料制成,为圆筒状或螺旋状绕丝。加热棒对金属发射极加热并且承担支撑发射极。当发射极表面加热到300~500℃时,有机胺类化合物与发射极表面碰撞,发生表面电离产生正离子而被检测。所发明的检测器对叔胺的最小检出量小于10-12g/s。该检测器可选择性的检测胺和肼及其衍生物等,可作为毛细管和填充柱气相色谱等系统的检测器,也可以作为传感器单独使用。
串联反馈式稳压数控电源器
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型揭示了一种串联反馈式稳压数控电源器,包括变压电路、稳压电路、交流输入控制电路、整流滤波电路、反馈调节电路、单片机控制电路、电压采样电路、电流保护电路、以及模数转换器;其中,反馈调节电路包括第一运放器、激励推动管、以及调整管,第一运放器的同相端耦合单片机控制电路、以及第五电阻,单片机控制电路向其输出PWM脉冲调节占空比,第五电阻用于形成电流信号回路,激励推动管用于受控触发导通调整管,其基极耦合第一运放器、发射极耦合调整管的基极,调整管的发射极耦合两个分压电阻,该两个分压电阻将发射极输出电压分压取样,并送到第一运放器反相端。
一种挥发性胺类传感器
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种采用表面热离子化原理测量挥发性胺和肼及其衍生物的选择性传感器,包括置于外壳内部的发射极和收集极等组件。发射极用钼或铂或合金材料制成,为线绕结构或筒状结构,加热棒对发射极金属电极加热并且承担支撑发射极;或者发射极和收集极为平行放置的两平板。当发射极在空气中被加热到350~480℃时,空气、胺或肼及其他化合物扩散进入传感器内,与发射极的表面碰撞,只有胺或肼发生表面电离产生正离子而被检测。该传感器对叔胺的最小检出量小于2μg/M3,可以用于现场检测有毒的挥发性胺类和剧毒肼类化合物。
一种载流子存储增强的绝缘栅双极型晶体管
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明提供了一种绝缘栅双极型晶体管器件,发射区采用了具有比其它半导体区更高禁带宽度的半导体材料,基区与发射区形成正向导通电压较高的异质PN结,基区与发射极之间通过一个二极管或两个同向串联的二极管或两个以上同向串联的二极管相连,基区与发射极之间的二极管通路的正向导通电压小于基区与发射区形成的异质PN结的正向导通电压。在正向导通时,基区与发射极之间的二极管导通,基区的电位抬高,从而使漂移区的少数载流子在靠近基区附近的存储效果得到增强。与传统绝缘栅双极型晶体管器件相比,本发明的绝缘栅双极型晶体管器件可以获得更低的导通压降。
金属基极有机晶体管及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明属于一种用有机半导体材料做有源介质的金属基极有机晶体管及其制备方法。采用垂直结构,把金属基极、有机发射极和发射极接触金属直接蒸镀在n型或p型高掺杂硅衬底上,制备成金属接触电极/高掺杂硅衬底/金属基极/有机发射极/发射机接触金属电极/金属基极有机晶体管。制备的器件直接用直流电流驱动,得到的器件的共基极增益接近于1,共发射极增益最大可达8500。器件的制备工艺简单,成本低。
找到10项技术成果数据。
找技术 >一种适用于混合式高压直流断路器双向串联负载换流开关的缓冲电路
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明提出了一种适用于混合式高压直流断路器双向串联负载换流开关的缓冲电路结构及控制策略。所述其中一个单向缓冲电路结构包括电容C1,绝缘栅双极型晶体管T1、T2,二极管D1、D2、D3,电阻R1、R2。T1的集电极、发射极分别与D1的阴极、阳极相连;R1的一端与T1的发射极相连,另一端与S2相连;T2的集电极、发射极分别与D2的阴极、阳极相连;R2的一端与T2的发射极相连,另一端与T1的集电极相连;D3的阴极、阳极分别与T1的集电极、T2的集电极相连;C1的一端与T1的集电极相连,另一端与节点S2相连。所述电路控制策略包括在混合式高压直流断路器分、合闸时,对T1、T2的控制。本发明结构、控制简单,提高了混合式高压直流断路器的速动性和可靠性。
一种记忆增强及认知识别神经元的类脑器件及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种记忆增强及认知识别神经元的类脑器件及其制备方法,该器件以Si衬底GaN基晶圆为载体,包括硅衬底层、设置在硅衬底层上的外延缓冲层、设置在外延缓冲层上的n‑GaN层,设置在n‑GaN层上的发射极和集电极,发射极和集电极结构相同,均包括一个上台面和从下至上依次连接设置在上台面上的n‑GaN层、InGaN/GaN量子阱、p‑GaN层和p‑电极,所述发射极分别通过波导与集电极连接,n‑GaN层下方设置有空腔,使所述光致突触晶体管和波导悬空。本发明首次实现了以光子取代电子或者质子作为信息载体来模拟神经递质的传输,模拟出人脑的时间累积、空间累积和时空混合累积及识别效应,为复杂的大脑记忆特性研究奠定基础。
一种电流检测电路及电流检测设备
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明提出一种电流检测电路及电流检测设备,第一电阻的一端连接第二电阻的一端以及外接电源;第一电阻的另一端连接第三电阻的一端以及外接负载;第二电阻的另一端连接第一三极管的发射极以及第三三极管的发射极;第三电阻的另一端连接第二三极管的发射极;第一三极管的基极连接第二三极管的基极;第一三极管的集电极连接第一三极管的基极以及第四电阻的一端;第四电阻的另一端接地;第二三极管的集电极连接第三三极管的基极以及第五电阻的一端;第五电阻的另一端接地;第三三极管的集电极连接第六电阻的一端;第六电阻的一端接地。以此相对于现有技术,降低了成本,且能适应各种不同的电压,有更大的适应范围。
场发射器件及其制作方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明公开一种场发射器件,包括衬底、设置在所述衬底上的缓冲层、分别设置在所述缓冲层两端的发射极层和金属集电极层、分别设置在所述发射极层和所述金属集电极层上的电极层,其中,所述发射极层与所述金属集电极层之间具有沟道。本发明的场发射器件中的集电极采用金属材质,可以根据场发射器件的性能将发射极的尖凸部角度设计为任意角度,而且,由于所述集电极采用的是金属材质,在湿法腐蚀介质膜层形成纳米间距时不需要添加掩膜,简化了工艺、降低了成本、提高了性能。
一种有源音频放大电路
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型公开了一种有源音频放大电路,主要解决了现有技术中存在的音频放大电路无电源电路,且结构复杂,成本较高的问题。该一种有源音频放大电路,包括三极管Q1,集电极与三极管Q1的基极相连的三极管Q2,连接于三极管Q1的发射极和三极管Q2的发射极之间的电阻R2,与三极管Q1的发射极相连的拾音器U1,同相输入端通过电感L1与拾音器U1相连的运算放大器T1,与运算放大器T1的输出端相连的喇叭U2。通过上述方案,本实用新型达到了能够进行有源音频放大的目的,且成本低廉、体积小巧,具有很高的实用价值和推广价值。
一种表面热离子化检测器
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种表面热离子化检测器,包括发射极、加热棒、收集极、下端为喇叭形变径的连接管和外壳等组件。发射极用钼或铂或合金材料制成,为圆筒状或螺旋状绕丝。加热棒对金属发射极加热并且承担支撑发射极。当发射极表面加热到300~500℃时,有机胺类化合物与发射极表面碰撞,发生表面电离产生正离子而被检测。所发明的检测器对叔胺的最小检出量小于10-12g/s。该检测器可选择性的检测胺和肼及其衍生物等,可作为毛细管和填充柱气相色谱等系统的检测器,也可以作为传感器单独使用。
串联反馈式稳压数控电源器
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型揭示了一种串联反馈式稳压数控电源器,包括变压电路、稳压电路、交流输入控制电路、整流滤波电路、反馈调节电路、单片机控制电路、电压采样电路、电流保护电路、以及模数转换器;其中,反馈调节电路包括第一运放器、激励推动管、以及调整管,第一运放器的同相端耦合单片机控制电路、以及第五电阻,单片机控制电路向其输出PWM脉冲调节占空比,第五电阻用于形成电流信号回路,激励推动管用于受控触发导通调整管,其基极耦合第一运放器、发射极耦合调整管的基极,调整管的发射极耦合两个分压电阻,该两个分压电阻将发射极输出电压分压取样,并送到第一运放器反相端。
一种挥发性胺类传感器
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种采用表面热离子化原理测量挥发性胺和肼及其衍生物的选择性传感器,包括置于外壳内部的发射极和收集极等组件。发射极用钼或铂或合金材料制成,为线绕结构或筒状结构,加热棒对发射极金属电极加热并且承担支撑发射极;或者发射极和收集极为平行放置的两平板。当发射极在空气中被加热到350~480℃时,空气、胺或肼及其他化合物扩散进入传感器内,与发射极的表面碰撞,只有胺或肼发生表面电离产生正离子而被检测。该传感器对叔胺的最小检出量小于2μg/M3,可以用于现场检测有毒的挥发性胺类和剧毒肼类化合物。
一种载流子存储增强的绝缘栅双极型晶体管
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明提供了一种绝缘栅双极型晶体管器件,发射区采用了具有比其它半导体区更高禁带宽度的半导体材料,基区与发射区形成正向导通电压较高的异质PN结,基区与发射极之间通过一个二极管或两个同向串联的二极管或两个以上同向串联的二极管相连,基区与发射极之间的二极管通路的正向导通电压小于基区与发射区形成的异质PN结的正向导通电压。在正向导通时,基区与发射极之间的二极管导通,基区的电位抬高,从而使漂移区的少数载流子在靠近基区附近的存储效果得到增强。与传统绝缘栅双极型晶体管器件相比,本发明的绝缘栅双极型晶体管器件可以获得更低的导通压降。
金属基极有机晶体管及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明属于一种用有机半导体材料做有源介质的金属基极有机晶体管及其制备方法。采用垂直结构,把金属基极、有机发射极和发射极接触金属直接蒸镀在n型或p型高掺杂硅衬底上,制备成金属接触电极/高掺杂硅衬底/金属基极/有机发射极/发射机接触金属电极/金属基极有机晶体管。制备的器件直接用直流电流驱动,得到的器件的共基极增益接近于1,共发射极增益最大可达8500。器件的制备工艺简单,成本低。
找到10项技术成果数据。
找技术 >一种适用于混合式高压直流断路器双向串联负载换流开关的缓冲电路
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明提出了一种适用于混合式高压直流断路器双向串联负载换流开关的缓冲电路结构及控制策略。所述其中一个单向缓冲电路结构包括电容C1,绝缘栅双极型晶体管T1、T2,二极管D1、D2、D3,电阻R1、R2。T1的集电极、发射极分别与D1的阴极、阳极相连;R1的一端与T1的发射极相连,另一端与S2相连;T2的集电极、发射极分别与D2的阴极、阳极相连;R2的一端与T2的发射极相连,另一端与T1的集电极相连;D3的阴极、阳极分别与T1的集电极、T2的集电极相连;C1的一端与T1的集电极相连,另一端与节点S2相连。所述电路控制策略包括在混合式高压直流断路器分、合闸时,对T1、T2的控制。本发明结构、控制简单,提高了混合式高压直流断路器的速动性和可靠性。
一种记忆增强及认知识别神经元的类脑器件及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种记忆增强及认知识别神经元的类脑器件及其制备方法,该器件以Si衬底GaN基晶圆为载体,包括硅衬底层、设置在硅衬底层上的外延缓冲层、设置在外延缓冲层上的n‑GaN层,设置在n‑GaN层上的发射极和集电极,发射极和集电极结构相同,均包括一个上台面和从下至上依次连接设置在上台面上的n‑GaN层、InGaN/GaN量子阱、p‑GaN层和p‑电极,所述发射极分别通过波导与集电极连接,n‑GaN层下方设置有空腔,使所述光致突触晶体管和波导悬空。本发明首次实现了以光子取代电子或者质子作为信息载体来模拟神经递质的传输,模拟出人脑的时间累积、空间累积和时空混合累积及识别效应,为复杂的大脑记忆特性研究奠定基础。
一种电流检测电路及电流检测设备
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明提出一种电流检测电路及电流检测设备,第一电阻的一端连接第二电阻的一端以及外接电源;第一电阻的另一端连接第三电阻的一端以及外接负载;第二电阻的另一端连接第一三极管的发射极以及第三三极管的发射极;第三电阻的另一端连接第二三极管的发射极;第一三极管的基极连接第二三极管的基极;第一三极管的集电极连接第一三极管的基极以及第四电阻的一端;第四电阻的另一端接地;第二三极管的集电极连接第三三极管的基极以及第五电阻的一端;第五电阻的另一端接地;第三三极管的集电极连接第六电阻的一端;第六电阻的一端接地。以此相对于现有技术,降低了成本,且能适应各种不同的电压,有更大的适应范围。
场发射器件及其制作方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明公开一种场发射器件,包括衬底、设置在所述衬底上的缓冲层、分别设置在所述缓冲层两端的发射极层和金属集电极层、分别设置在所述发射极层和所述金属集电极层上的电极层,其中,所述发射极层与所述金属集电极层之间具有沟道。本发明的场发射器件中的集电极采用金属材质,可以根据场发射器件的性能将发射极的尖凸部角度设计为任意角度,而且,由于所述集电极采用的是金属材质,在湿法腐蚀介质膜层形成纳米间距时不需要添加掩膜,简化了工艺、降低了成本、提高了性能。
一种有源音频放大电路
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型公开了一种有源音频放大电路,主要解决了现有技术中存在的音频放大电路无电源电路,且结构复杂,成本较高的问题。该一种有源音频放大电路,包括三极管Q1,集电极与三极管Q1的基极相连的三极管Q2,连接于三极管Q1的发射极和三极管Q2的发射极之间的电阻R2,与三极管Q1的发射极相连的拾音器U1,同相输入端通过电感L1与拾音器U1相连的运算放大器T1,与运算放大器T1的输出端相连的喇叭U2。通过上述方案,本实用新型达到了能够进行有源音频放大的目的,且成本低廉、体积小巧,具有很高的实用价值和推广价值。
一种表面热离子化检测器
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种表面热离子化检测器,包括发射极、加热棒、收集极、下端为喇叭形变径的连接管和外壳等组件。发射极用钼或铂或合金材料制成,为圆筒状或螺旋状绕丝。加热棒对金属发射极加热并且承担支撑发射极。当发射极表面加热到300~500℃时,有机胺类化合物与发射极表面碰撞,发生表面电离产生正离子而被检测。所发明的检测器对叔胺的最小检出量小于10-12g/s。该检测器可选择性的检测胺和肼及其衍生物等,可作为毛细管和填充柱气相色谱等系统的检测器,也可以作为传感器单独使用。
串联反馈式稳压数控电源器
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型揭示了一种串联反馈式稳压数控电源器,包括变压电路、稳压电路、交流输入控制电路、整流滤波电路、反馈调节电路、单片机控制电路、电压采样电路、电流保护电路、以及模数转换器;其中,反馈调节电路包括第一运放器、激励推动管、以及调整管,第一运放器的同相端耦合单片机控制电路、以及第五电阻,单片机控制电路向其输出PWM脉冲调节占空比,第五电阻用于形成电流信号回路,激励推动管用于受控触发导通调整管,其基极耦合第一运放器、发射极耦合调整管的基极,调整管的发射极耦合两个分压电阻,该两个分压电阻将发射极输出电压分压取样,并送到第一运放器反相端。
一种挥发性胺类传感器
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种采用表面热离子化原理测量挥发性胺和肼及其衍生物的选择性传感器,包括置于外壳内部的发射极和收集极等组件。发射极用钼或铂或合金材料制成,为线绕结构或筒状结构,加热棒对发射极金属电极加热并且承担支撑发射极;或者发射极和收集极为平行放置的两平板。当发射极在空气中被加热到350~480℃时,空气、胺或肼及其他化合物扩散进入传感器内,与发射极的表面碰撞,只有胺或肼发生表面电离产生正离子而被检测。该传感器对叔胺的最小检出量小于2μg/M3,可以用于现场检测有毒的挥发性胺类和剧毒肼类化合物。
一种载流子存储增强的绝缘栅双极型晶体管
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明提供了一种绝缘栅双极型晶体管器件,发射区采用了具有比其它半导体区更高禁带宽度的半导体材料,基区与发射区形成正向导通电压较高的异质PN结,基区与发射极之间通过一个二极管或两个同向串联的二极管或两个以上同向串联的二极管相连,基区与发射极之间的二极管通路的正向导通电压小于基区与发射区形成的异质PN结的正向导通电压。在正向导通时,基区与发射极之间的二极管导通,基区的电位抬高,从而使漂移区的少数载流子在靠近基区附近的存储效果得到增强。与传统绝缘栅双极型晶体管器件相比,本发明的绝缘栅双极型晶体管器件可以获得更低的导通压降。
金属基极有机晶体管及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明属于一种用有机半导体材料做有源介质的金属基极有机晶体管及其制备方法。采用垂直结构,把金属基极、有机发射极和发射极接触金属直接蒸镀在n型或p型高掺杂硅衬底上,制备成金属接触电极/高掺杂硅衬底/金属基极/有机发射极/发射机接触金属电极/金属基极有机晶体管。制备的器件直接用直流电流驱动,得到的器件的共基极增益接近于1,共发射极增益最大可达8500。器件的制备工艺简单,成本低。
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找技术 >一种适用于混合式高压直流断路器双向串联负载换流开关的缓冲电路
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明提出了一种适用于混合式高压直流断路器双向串联负载换流开关的缓冲电路结构及控制策略。所述其中一个单向缓冲电路结构包括电容C1,绝缘栅双极型晶体管T1、T2,二极管D1、D2、D3,电阻R1、R2。T1的集电极、发射极分别与D1的阴极、阳极相连;R1的一端与T1的发射极相连,另一端与S2相连;T2的集电极、发射极分别与D2的阴极、阳极相连;R2的一端与T2的发射极相连,另一端与T1的集电极相连;D3的阴极、阳极分别与T1的集电极、T2的集电极相连;C1的一端与T1的集电极相连,另一端与节点S2相连。所述电路控制策略包括在混合式高压直流断路器分、合闸时,对T1、T2的控制。本发明结构、控制简单,提高了混合式高压直流断路器的速动性和可靠性。
一种记忆增强及认知识别神经元的类脑器件及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种记忆增强及认知识别神经元的类脑器件及其制备方法,该器件以Si衬底GaN基晶圆为载体,包括硅衬底层、设置在硅衬底层上的外延缓冲层、设置在外延缓冲层上的n‑GaN层,设置在n‑GaN层上的发射极和集电极,发射极和集电极结构相同,均包括一个上台面和从下至上依次连接设置在上台面上的n‑GaN层、InGaN/GaN量子阱、p‑GaN层和p‑电极,所述发射极分别通过波导与集电极连接,n‑GaN层下方设置有空腔,使所述光致突触晶体管和波导悬空。本发明首次实现了以光子取代电子或者质子作为信息载体来模拟神经递质的传输,模拟出人脑的时间累积、空间累积和时空混合累积及识别效应,为复杂的大脑记忆特性研究奠定基础。
一种电流检测电路及电流检测设备
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明提出一种电流检测电路及电流检测设备,第一电阻的一端连接第二电阻的一端以及外接电源;第一电阻的另一端连接第三电阻的一端以及外接负载;第二电阻的另一端连接第一三极管的发射极以及第三三极管的发射极;第三电阻的另一端连接第二三极管的发射极;第一三极管的基极连接第二三极管的基极;第一三极管的集电极连接第一三极管的基极以及第四电阻的一端;第四电阻的另一端接地;第二三极管的集电极连接第三三极管的基极以及第五电阻的一端;第五电阻的另一端接地;第三三极管的集电极连接第六电阻的一端;第六电阻的一端接地。以此相对于现有技术,降低了成本,且能适应各种不同的电压,有更大的适应范围。
场发射器件及其制作方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明公开一种场发射器件,包括衬底、设置在所述衬底上的缓冲层、分别设置在所述缓冲层两端的发射极层和金属集电极层、分别设置在所述发射极层和所述金属集电极层上的电极层,其中,所述发射极层与所述金属集电极层之间具有沟道。本发明的场发射器件中的集电极采用金属材质,可以根据场发射器件的性能将发射极的尖凸部角度设计为任意角度,而且,由于所述集电极采用的是金属材质,在湿法腐蚀介质膜层形成纳米间距时不需要添加掩膜,简化了工艺、降低了成本、提高了性能。
一种有源音频放大电路
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型公开了一种有源音频放大电路,主要解决了现有技术中存在的音频放大电路无电源电路,且结构复杂,成本较高的问题。该一种有源音频放大电路,包括三极管Q1,集电极与三极管Q1的基极相连的三极管Q2,连接于三极管Q1的发射极和三极管Q2的发射极之间的电阻R2,与三极管Q1的发射极相连的拾音器U1,同相输入端通过电感L1与拾音器U1相连的运算放大器T1,与运算放大器T1的输出端相连的喇叭U2。通过上述方案,本实用新型达到了能够进行有源音频放大的目的,且成本低廉、体积小巧,具有很高的实用价值和推广价值。
一种表面热离子化检测器
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种表面热离子化检测器,包括发射极、加热棒、收集极、下端为喇叭形变径的连接管和外壳等组件。发射极用钼或铂或合金材料制成,为圆筒状或螺旋状绕丝。加热棒对金属发射极加热并且承担支撑发射极。当发射极表面加热到300~500℃时,有机胺类化合物与发射极表面碰撞,发生表面电离产生正离子而被检测。所发明的检测器对叔胺的最小检出量小于10-12g/s。该检测器可选择性的检测胺和肼及其衍生物等,可作为毛细管和填充柱气相色谱等系统的检测器,也可以作为传感器单独使用。
串联反馈式稳压数控电源器
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型揭示了一种串联反馈式稳压数控电源器,包括变压电路、稳压电路、交流输入控制电路、整流滤波电路、反馈调节电路、单片机控制电路、电压采样电路、电流保护电路、以及模数转换器;其中,反馈调节电路包括第一运放器、激励推动管、以及调整管,第一运放器的同相端耦合单片机控制电路、以及第五电阻,单片机控制电路向其输出PWM脉冲调节占空比,第五电阻用于形成电流信号回路,激励推动管用于受控触发导通调整管,其基极耦合第一运放器、发射极耦合调整管的基极,调整管的发射极耦合两个分压电阻,该两个分压电阻将发射极输出电压分压取样,并送到第一运放器反相端。
一种挥发性胺类传感器
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种采用表面热离子化原理测量挥发性胺和肼及其衍生物的选择性传感器,包括置于外壳内部的发射极和收集极等组件。发射极用钼或铂或合金材料制成,为线绕结构或筒状结构,加热棒对发射极金属电极加热并且承担支撑发射极;或者发射极和收集极为平行放置的两平板。当发射极在空气中被加热到350~480℃时,空气、胺或肼及其他化合物扩散进入传感器内,与发射极的表面碰撞,只有胺或肼发生表面电离产生正离子而被检测。该传感器对叔胺的最小检出量小于2μg/M3,可以用于现场检测有毒的挥发性胺类和剧毒肼类化合物。
一种载流子存储增强的绝缘栅双极型晶体管
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明提供了一种绝缘栅双极型晶体管器件,发射区采用了具有比其它半导体区更高禁带宽度的半导体材料,基区与发射区形成正向导通电压较高的异质PN结,基区与发射极之间通过一个二极管或两个同向串联的二极管或两个以上同向串联的二极管相连,基区与发射极之间的二极管通路的正向导通电压小于基区与发射区形成的异质PN结的正向导通电压。在正向导通时,基区与发射极之间的二极管导通,基区的电位抬高,从而使漂移区的少数载流子在靠近基区附近的存储效果得到增强。与传统绝缘栅双极型晶体管器件相比,本发明的绝缘栅双极型晶体管器件可以获得更低的导通压降。
金属基极有机晶体管及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明属于一种用有机半导体材料做有源介质的金属基极有机晶体管及其制备方法。采用垂直结构,把金属基极、有机发射极和发射极接触金属直接蒸镀在n型或p型高掺杂硅衬底上,制备成金属接触电极/高掺杂硅衬底/金属基极/有机发射极/发射机接触金属电极/金属基极有机晶体管。制备的器件直接用直流电流驱动,得到的器件的共基极增益接近于1,共发射极增益最大可达8500。器件的制备工艺简单,成本低。