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找技术 >一种低电压纳瓦量级全CMOS电流模式基准电压源
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开一种低电压纳瓦量级全CMOS电流模式基准电压源,其特征是,包括启动电路、IPTATa基准电流源电路、IPTATb基准电流源电路和温度补偿电路; 启动电路连接到IPTATa基准电流源电路和IPTATb基准电流源电路,并在基准电压源开启时提供电流,使得基准电压源摆脱简并偏置点; IPTATa基准电流源电路和IPTATb基准电流源电路分别产生一个偏置电流为温度补偿电路提供电流偏置; 温度补偿电路将2个偏置电流分别以不同的倍数作差,得到一个与温度无关的基准电流,并驱动温度补偿电路中MOS管得到一个不受电源电压和温度变化影响的输出电压。 本发明具有功耗低、版图面积小、器件与标准CMOS工艺匹配、温度系数低和电源电压抑制比高的特点。
一种低电压纳瓦量级全 CMOS电流模式基准电压源
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型公开一种低电压纳瓦量级全CMOS电流模式基准电压源,其特征是,包括启动电路、IPTATa基准电流源电路、IPTATb基准电流源电路和温度补偿电路; 启动电路连接到IPTATa基准电流源电路和IPTATb基准电流源电路,并在基准电压源开启时提供电流,使得基准电压源摆脱简并偏置点; IPTATa基准电流源电路和IPTATb基准电流源电路分别产生一个偏置电流为温度补偿电路提供电流偏置; 温度补偿电路将2个偏置电流分别以不同的倍数作差,得到一个与温度无关的基准电流,并驱动温度补偿电路中MOS管得到一个不受电源电压和温度变化影响的输出电压。 本实用新型具有功耗低、版图面积小、器件与标准CMOS工艺匹配、温度系数低和电源电压抑制比高的特点。
一种低温度系数基准电压源电路
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本[发明专利]公开了一种低温度系数基准电压源电路,包括:电流产生电路、电压产生电路、电源抑制比电路,所述电流产生电路给所述电压产生电路提供电流,所述电源抑制比电路给所述电流产生电路和电压产生电路提供工作电压,所述电压产生电路输出基准电压。本[发明专利]创造得到的基准电压源低于1V,且具有更低的温度系数,能够抑制电源噪声,可以提供更加稳定的基准电压,符合当今电子设备低电源电压和低功耗的发展趋势。
一种全CMOS基准电压源
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型提供一种全CMOS基准电压源,属于电压源技术领域,包括启动电路、基准电流产生电路和基准电压产生电路;启动电路的输出端分别与基准电流产生电路和基准电压产生电路连接;基准电流产生电路的输出端与基准电压产生电路连接;基准电压产生电路的输出端为该基准电压源的输出端;启动电路和基准电流产生电路同时接电源VDD,启动电路、基准电流产生电路和基准电压产生电路同时接地GND。 本实用新型仅为纳瓦量级、且未使用电阻、BJT和二极管,不仅能消除温度变化的影响,还能与标准CMOS工艺完全兼容,同时具有功耗极低、高电源抑制比高、性能好的特点,有效降低了系统成本。
一种基于不同材质电阻的高精度基准电压源
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开一种基于不同材质电阻的高精度基准电压源,由并联于电源VDD与地之间的启动电路、PTAT电流产生电路、CTAT电流产生电路和基准电压产生电路组成。 启动电路用于在电源上电时提供启动电流,使基准电压源摆脱简并偏置点。 PTAT电流产生电路和CTAT电流产生电路,利用共源共栅电流镜提高电源电压抑制比和电压调整率,分别用于产生具有正温度系数电流和具有负温度系数电流。 基准电压产生电路用于产生低温漂的基准电压,采用共源共栅电流镜,从PTAT电流产生电路和CTAT电流产生电路中复制电流并进行叠加求和,产生零温漂基准电流,基准电压产生电路输出电压即为整个基准电压源输出电压Vref。 本发明能够大大提高基准电压源的精度。
一种隔离式刷式直流电机电流测量系统
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型公开了一种隔离式刷式直流电机电流测量系统,包括采样电阻、隔离放大器、基于STM32的微控制器、ADC基准电压源。本实用新型中一方面经采样电阻采集到的电压信号经过隔离放大器放大后传输到基于STM32的微控制器中,另一方面经ADC基准电压源提供2.500V的基准电压源传输到基于STM32的微控制器中,基于STM32的微控制器将对刷式直流电机进行电流测量,从而对电流控制环进行控制。本实用新型的电路安全可靠,电流采样精度高,采样频率较高;具有强电、弱电之间的隔离,模拟、数字之间的隔离,电路板上系统具有完整性较好、信噪比较低的信号传递,防瞬态冲击保护的功能;适用电机范围广、适用环境宽;集成度高、成本低。
一种带隙基准电压源
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明公一种带隙基准电压源,利用互补温度系数电压产生电路和仅包含负反馈支路的输出主环路代替传统带隙基准电压源中同时包含正、负反馈支路的主环路,从而在对输出主环路中BJT晶体管射极进行互补温度系数电流注入以获取一阶正温度补偿项和高阶正TlnT温度补偿项时,不会产生负反馈环路失效的问题,进而使基准电压源对电源电压没有特殊的要求。本发明在获得极低温度系数的同时,能够工作在更低的电源电压工况下,具有补偿效果好、负反馈环路稳定性高、适合低电源电压等优点。
带隙基准电路
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种带隙基准电路,其包括,一基准电压源VREF,所述基准电压源VREF拉伸门电压V_REG实现内部预稳压,并形成内部预稳压电路;一带隙核心电路,所述带隙核心电路设有提高电源抑制比的自偏置共源共栅放大电路;一负反馈电路,所述负反馈电路为所述带隙核心电路提供一个经过稳压后的电源电压VDD;一启动电路,所述启动电路在工作开始时拉伸所述基准电压源VREF使得所述自偏置共源共栅放大电路正常工作。本发明的带隙基准电路通过负反馈电路为带隙核心电路提供一个经过稳压后的电源电压,同时在内部采用自偏置共源共栅放大电路来提高电源抑制比,节省了面积和功耗。
一种高电源抑制比全CMOS基准电压源
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型公开一种高电源抑制比全CMOS基准电压源,包括基准电压源,该基准电压源包括启动电路、电流源电路和温度补偿电路;启动电路的输出端连接电流源电路的输入端,电流源电路的输出端连接温度补偿电路的输入端,温度补偿电路的输出端形成整个基准电压源的输出端。 本实用新型利用工作在亚阈值区MOS管的工作特性,产生纳安量级的基准电流,采用共源共栅电流镜,来抑制电源噪声。 此外,本实用新型不仅具有芯片面积小、功耗低,仅为纳瓦量级;而且具有高电源抑制比,低温漂系数和低电源电压调整率的优点,且没有使用电阻、二极管以及三极管,与标准CMOS工艺兼容,有效的缩小了版图面积,并降低生产成本。
一种亚阈值全CMOS基准电压源
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型公开一种亚阈值全CMOS基准电压源,启动电路帮助基准电压源摆脱简并偏置点,进入正常工作状态。 亚阈值运算放大器保证低功耗的同时,提供更大的增益,提高电源电压抑制比。 纳安基准电流产生电路产生纳安量级的基准电流,抑制电源噪声,为基准电压产生电路提供电流偏置。 基准电压产生电路采用2种具有不同标准电压的MOS管栅源电压差,通过相互调节,得到一个与温度无关的参考电压。 本实用新型未使用无源电阻、二极管或者三极管,与标准CMOS工艺兼容,大大减小了版图面积,降低了生产成本,功耗低,同时具有高电源抑制比、低温漂系数和低电源电压调整率。
找到10项技术成果数据。
找技术 >一种低电压纳瓦量级全CMOS电流模式基准电压源
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开一种低电压纳瓦量级全CMOS电流模式基准电压源,其特征是,包括启动电路、IPTATa基准电流源电路、IPTATb基准电流源电路和温度补偿电路; 启动电路连接到IPTATa基准电流源电路和IPTATb基准电流源电路,并在基准电压源开启时提供电流,使得基准电压源摆脱简并偏置点; IPTATa基准电流源电路和IPTATb基准电流源电路分别产生一个偏置电流为温度补偿电路提供电流偏置; 温度补偿电路将2个偏置电流分别以不同的倍数作差,得到一个与温度无关的基准电流,并驱动温度补偿电路中MOS管得到一个不受电源电压和温度变化影响的输出电压。 本发明具有功耗低、版图面积小、器件与标准CMOS工艺匹配、温度系数低和电源电压抑制比高的特点。
一种低电压纳瓦量级全 CMOS电流模式基准电压源
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型公开一种低电压纳瓦量级全CMOS电流模式基准电压源,其特征是,包括启动电路、IPTATa基准电流源电路、IPTATb基准电流源电路和温度补偿电路; 启动电路连接到IPTATa基准电流源电路和IPTATb基准电流源电路,并在基准电压源开启时提供电流,使得基准电压源摆脱简并偏置点; IPTATa基准电流源电路和IPTATb基准电流源电路分别产生一个偏置电流为温度补偿电路提供电流偏置; 温度补偿电路将2个偏置电流分别以不同的倍数作差,得到一个与温度无关的基准电流,并驱动温度补偿电路中MOS管得到一个不受电源电压和温度变化影响的输出电压。 本实用新型具有功耗低、版图面积小、器件与标准CMOS工艺匹配、温度系数低和电源电压抑制比高的特点。
一种低温度系数基准电压源电路
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本[发明专利]公开了一种低温度系数基准电压源电路,包括:电流产生电路、电压产生电路、电源抑制比电路,所述电流产生电路给所述电压产生电路提供电流,所述电源抑制比电路给所述电流产生电路和电压产生电路提供工作电压,所述电压产生电路输出基准电压。本[发明专利]创造得到的基准电压源低于1V,且具有更低的温度系数,能够抑制电源噪声,可以提供更加稳定的基准电压,符合当今电子设备低电源电压和低功耗的发展趋势。
一种全CMOS基准电压源
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型提供一种全CMOS基准电压源,属于电压源技术领域,包括启动电路、基准电流产生电路和基准电压产生电路;启动电路的输出端分别与基准电流产生电路和基准电压产生电路连接;基准电流产生电路的输出端与基准电压产生电路连接;基准电压产生电路的输出端为该基准电压源的输出端;启动电路和基准电流产生电路同时接电源VDD,启动电路、基准电流产生电路和基准电压产生电路同时接地GND。 本实用新型仅为纳瓦量级、且未使用电阻、BJT和二极管,不仅能消除温度变化的影响,还能与标准CMOS工艺完全兼容,同时具有功耗极低、高电源抑制比高、性能好的特点,有效降低了系统成本。
一种基于不同材质电阻的高精度基准电压源
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开一种基于不同材质电阻的高精度基准电压源,由并联于电源VDD与地之间的启动电路、PTAT电流产生电路、CTAT电流产生电路和基准电压产生电路组成。 启动电路用于在电源上电时提供启动电流,使基准电压源摆脱简并偏置点。 PTAT电流产生电路和CTAT电流产生电路,利用共源共栅电流镜提高电源电压抑制比和电压调整率,分别用于产生具有正温度系数电流和具有负温度系数电流。 基准电压产生电路用于产生低温漂的基准电压,采用共源共栅电流镜,从PTAT电流产生电路和CTAT电流产生电路中复制电流并进行叠加求和,产生零温漂基准电流,基准电压产生电路输出电压即为整个基准电压源输出电压Vref。 本发明能够大大提高基准电压源的精度。
一种隔离式刷式直流电机电流测量系统
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型公开了一种隔离式刷式直流电机电流测量系统,包括采样电阻、隔离放大器、基于STM32的微控制器、ADC基准电压源。本实用新型中一方面经采样电阻采集到的电压信号经过隔离放大器放大后传输到基于STM32的微控制器中,另一方面经ADC基准电压源提供2.500V的基准电压源传输到基于STM32的微控制器中,基于STM32的微控制器将对刷式直流电机进行电流测量,从而对电流控制环进行控制。本实用新型的电路安全可靠,电流采样精度高,采样频率较高;具有强电、弱电之间的隔离,模拟、数字之间的隔离,电路板上系统具有完整性较好、信噪比较低的信号传递,防瞬态冲击保护的功能;适用电机范围广、适用环境宽;集成度高、成本低。
一种带隙基准电压源
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明公一种带隙基准电压源,利用互补温度系数电压产生电路和仅包含负反馈支路的输出主环路代替传统带隙基准电压源中同时包含正、负反馈支路的主环路,从而在对输出主环路中BJT晶体管射极进行互补温度系数电流注入以获取一阶正温度补偿项和高阶正TlnT温度补偿项时,不会产生负反馈环路失效的问题,进而使基准电压源对电源电压没有特殊的要求。本发明在获得极低温度系数的同时,能够工作在更低的电源电压工况下,具有补偿效果好、负反馈环路稳定性高、适合低电源电压等优点。
带隙基准电路
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种带隙基准电路,其包括,一基准电压源VREF,所述基准电压源VREF拉伸门电压V_REG实现内部预稳压,并形成内部预稳压电路;一带隙核心电路,所述带隙核心电路设有提高电源抑制比的自偏置共源共栅放大电路;一负反馈电路,所述负反馈电路为所述带隙核心电路提供一个经过稳压后的电源电压VDD;一启动电路,所述启动电路在工作开始时拉伸所述基准电压源VREF使得所述自偏置共源共栅放大电路正常工作。本发明的带隙基准电路通过负反馈电路为带隙核心电路提供一个经过稳压后的电源电压,同时在内部采用自偏置共源共栅放大电路来提高电源抑制比,节省了面积和功耗。
一种高电源抑制比全CMOS基准电压源
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型公开一种高电源抑制比全CMOS基准电压源,包括基准电压源,该基准电压源包括启动电路、电流源电路和温度补偿电路;启动电路的输出端连接电流源电路的输入端,电流源电路的输出端连接温度补偿电路的输入端,温度补偿电路的输出端形成整个基准电压源的输出端。 本实用新型利用工作在亚阈值区MOS管的工作特性,产生纳安量级的基准电流,采用共源共栅电流镜,来抑制电源噪声。 此外,本实用新型不仅具有芯片面积小、功耗低,仅为纳瓦量级;而且具有高电源抑制比,低温漂系数和低电源电压调整率的优点,且没有使用电阻、二极管以及三极管,与标准CMOS工艺兼容,有效的缩小了版图面积,并降低生产成本。
一种亚阈值全CMOS基准电压源
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型公开一种亚阈值全CMOS基准电压源,启动电路帮助基准电压源摆脱简并偏置点,进入正常工作状态。 亚阈值运算放大器保证低功耗的同时,提供更大的增益,提高电源电压抑制比。 纳安基准电流产生电路产生纳安量级的基准电流,抑制电源噪声,为基准电压产生电路提供电流偏置。 基准电压产生电路采用2种具有不同标准电压的MOS管栅源电压差,通过相互调节,得到一个与温度无关的参考电压。 本实用新型未使用无源电阻、二极管或者三极管,与标准CMOS工艺兼容,大大减小了版图面积,降低了生产成本,功耗低,同时具有高电源抑制比、低温漂系数和低电源电压调整率。
找到10项技术成果数据。
找技术 >一种低电压纳瓦量级全CMOS电流模式基准电压源
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开一种低电压纳瓦量级全CMOS电流模式基准电压源,其特征是,包括启动电路、IPTATa基准电流源电路、IPTATb基准电流源电路和温度补偿电路; 启动电路连接到IPTATa基准电流源电路和IPTATb基准电流源电路,并在基准电压源开启时提供电流,使得基准电压源摆脱简并偏置点; IPTATa基准电流源电路和IPTATb基准电流源电路分别产生一个偏置电流为温度补偿电路提供电流偏置; 温度补偿电路将2个偏置电流分别以不同的倍数作差,得到一个与温度无关的基准电流,并驱动温度补偿电路中MOS管得到一个不受电源电压和温度变化影响的输出电压。 本发明具有功耗低、版图面积小、器件与标准CMOS工艺匹配、温度系数低和电源电压抑制比高的特点。
一种低电压纳瓦量级全 CMOS电流模式基准电压源
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型公开一种低电压纳瓦量级全CMOS电流模式基准电压源,其特征是,包括启动电路、IPTATa基准电流源电路、IPTATb基准电流源电路和温度补偿电路; 启动电路连接到IPTATa基准电流源电路和IPTATb基准电流源电路,并在基准电压源开启时提供电流,使得基准电压源摆脱简并偏置点; IPTATa基准电流源电路和IPTATb基准电流源电路分别产生一个偏置电流为温度补偿电路提供电流偏置; 温度补偿电路将2个偏置电流分别以不同的倍数作差,得到一个与温度无关的基准电流,并驱动温度补偿电路中MOS管得到一个不受电源电压和温度变化影响的输出电压。 本实用新型具有功耗低、版图面积小、器件与标准CMOS工艺匹配、温度系数低和电源电压抑制比高的特点。
一种低温度系数基准电压源电路
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本[发明专利]公开了一种低温度系数基准电压源电路,包括:电流产生电路、电压产生电路、电源抑制比电路,所述电流产生电路给所述电压产生电路提供电流,所述电源抑制比电路给所述电流产生电路和电压产生电路提供工作电压,所述电压产生电路输出基准电压。本[发明专利]创造得到的基准电压源低于1V,且具有更低的温度系数,能够抑制电源噪声,可以提供更加稳定的基准电压,符合当今电子设备低电源电压和低功耗的发展趋势。
一种全CMOS基准电压源
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型提供一种全CMOS基准电压源,属于电压源技术领域,包括启动电路、基准电流产生电路和基准电压产生电路;启动电路的输出端分别与基准电流产生电路和基准电压产生电路连接;基准电流产生电路的输出端与基准电压产生电路连接;基准电压产生电路的输出端为该基准电压源的输出端;启动电路和基准电流产生电路同时接电源VDD,启动电路、基准电流产生电路和基准电压产生电路同时接地GND。 本实用新型仅为纳瓦量级、且未使用电阻、BJT和二极管,不仅能消除温度变化的影响,还能与标准CMOS工艺完全兼容,同时具有功耗极低、高电源抑制比高、性能好的特点,有效降低了系统成本。
一种基于不同材质电阻的高精度基准电压源
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开一种基于不同材质电阻的高精度基准电压源,由并联于电源VDD与地之间的启动电路、PTAT电流产生电路、CTAT电流产生电路和基准电压产生电路组成。 启动电路用于在电源上电时提供启动电流,使基准电压源摆脱简并偏置点。 PTAT电流产生电路和CTAT电流产生电路,利用共源共栅电流镜提高电源电压抑制比和电压调整率,分别用于产生具有正温度系数电流和具有负温度系数电流。 基准电压产生电路用于产生低温漂的基准电压,采用共源共栅电流镜,从PTAT电流产生电路和CTAT电流产生电路中复制电流并进行叠加求和,产生零温漂基准电流,基准电压产生电路输出电压即为整个基准电压源输出电压Vref。 本发明能够大大提高基准电压源的精度。
一种隔离式刷式直流电机电流测量系统
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型公开了一种隔离式刷式直流电机电流测量系统,包括采样电阻、隔离放大器、基于STM32的微控制器、ADC基准电压源。本实用新型中一方面经采样电阻采集到的电压信号经过隔离放大器放大后传输到基于STM32的微控制器中,另一方面经ADC基准电压源提供2.500V的基准电压源传输到基于STM32的微控制器中,基于STM32的微控制器将对刷式直流电机进行电流测量,从而对电流控制环进行控制。本实用新型的电路安全可靠,电流采样精度高,采样频率较高;具有强电、弱电之间的隔离,模拟、数字之间的隔离,电路板上系统具有完整性较好、信噪比较低的信号传递,防瞬态冲击保护的功能;适用电机范围广、适用环境宽;集成度高、成本低。
一种带隙基准电压源
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明公一种带隙基准电压源,利用互补温度系数电压产生电路和仅包含负反馈支路的输出主环路代替传统带隙基准电压源中同时包含正、负反馈支路的主环路,从而在对输出主环路中BJT晶体管射极进行互补温度系数电流注入以获取一阶正温度补偿项和高阶正TlnT温度补偿项时,不会产生负反馈环路失效的问题,进而使基准电压源对电源电压没有特殊的要求。本发明在获得极低温度系数的同时,能够工作在更低的电源电压工况下,具有补偿效果好、负反馈环路稳定性高、适合低电源电压等优点。
带隙基准电路
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种带隙基准电路,其包括,一基准电压源VREF,所述基准电压源VREF拉伸门电压V_REG实现内部预稳压,并形成内部预稳压电路;一带隙核心电路,所述带隙核心电路设有提高电源抑制比的自偏置共源共栅放大电路;一负反馈电路,所述负反馈电路为所述带隙核心电路提供一个经过稳压后的电源电压VDD;一启动电路,所述启动电路在工作开始时拉伸所述基准电压源VREF使得所述自偏置共源共栅放大电路正常工作。本发明的带隙基准电路通过负反馈电路为带隙核心电路提供一个经过稳压后的电源电压,同时在内部采用自偏置共源共栅放大电路来提高电源抑制比,节省了面积和功耗。
一种高电源抑制比全CMOS基准电压源
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型公开一种高电源抑制比全CMOS基准电压源,包括基准电压源,该基准电压源包括启动电路、电流源电路和温度补偿电路;启动电路的输出端连接电流源电路的输入端,电流源电路的输出端连接温度补偿电路的输入端,温度补偿电路的输出端形成整个基准电压源的输出端。 本实用新型利用工作在亚阈值区MOS管的工作特性,产生纳安量级的基准电流,采用共源共栅电流镜,来抑制电源噪声。 此外,本实用新型不仅具有芯片面积小、功耗低,仅为纳瓦量级;而且具有高电源抑制比,低温漂系数和低电源电压调整率的优点,且没有使用电阻、二极管以及三极管,与标准CMOS工艺兼容,有效的缩小了版图面积,并降低生产成本。
一种亚阈值全CMOS基准电压源
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型公开一种亚阈值全CMOS基准电压源,启动电路帮助基准电压源摆脱简并偏置点,进入正常工作状态。 亚阈值运算放大器保证低功耗的同时,提供更大的增益,提高电源电压抑制比。 纳安基准电流产生电路产生纳安量级的基准电流,抑制电源噪声,为基准电压产生电路提供电流偏置。 基准电压产生电路采用2种具有不同标准电压的MOS管栅源电压差,通过相互调节,得到一个与温度无关的参考电压。 本实用新型未使用无源电阻、二极管或者三极管,与标准CMOS工艺兼容,大大减小了版图面积,降低了生产成本,功耗低,同时具有高电源抑制比、低温漂系数和低电源电压调整率。
找到10项技术成果数据。
找技术 >一种低电压纳瓦量级全CMOS电流模式基准电压源
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开一种低电压纳瓦量级全CMOS电流模式基准电压源,其特征是,包括启动电路、IPTATa基准电流源电路、IPTATb基准电流源电路和温度补偿电路; 启动电路连接到IPTATa基准电流源电路和IPTATb基准电流源电路,并在基准电压源开启时提供电流,使得基准电压源摆脱简并偏置点; IPTATa基准电流源电路和IPTATb基准电流源电路分别产生一个偏置电流为温度补偿电路提供电流偏置; 温度补偿电路将2个偏置电流分别以不同的倍数作差,得到一个与温度无关的基准电流,并驱动温度补偿电路中MOS管得到一个不受电源电压和温度变化影响的输出电压。 本发明具有功耗低、版图面积小、器件与标准CMOS工艺匹配、温度系数低和电源电压抑制比高的特点。
一种低电压纳瓦量级全 CMOS电流模式基准电压源
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型公开一种低电压纳瓦量级全CMOS电流模式基准电压源,其特征是,包括启动电路、IPTATa基准电流源电路、IPTATb基准电流源电路和温度补偿电路; 启动电路连接到IPTATa基准电流源电路和IPTATb基准电流源电路,并在基准电压源开启时提供电流,使得基准电压源摆脱简并偏置点; IPTATa基准电流源电路和IPTATb基准电流源电路分别产生一个偏置电流为温度补偿电路提供电流偏置; 温度补偿电路将2个偏置电流分别以不同的倍数作差,得到一个与温度无关的基准电流,并驱动温度补偿电路中MOS管得到一个不受电源电压和温度变化影响的输出电压。 本实用新型具有功耗低、版图面积小、器件与标准CMOS工艺匹配、温度系数低和电源电压抑制比高的特点。
一种低温度系数基准电压源电路
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本[发明专利]公开了一种低温度系数基准电压源电路,包括:电流产生电路、电压产生电路、电源抑制比电路,所述电流产生电路给所述电压产生电路提供电流,所述电源抑制比电路给所述电流产生电路和电压产生电路提供工作电压,所述电压产生电路输出基准电压。本[发明专利]创造得到的基准电压源低于1V,且具有更低的温度系数,能够抑制电源噪声,可以提供更加稳定的基准电压,符合当今电子设备低电源电压和低功耗的发展趋势。
一种全CMOS基准电压源
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型提供一种全CMOS基准电压源,属于电压源技术领域,包括启动电路、基准电流产生电路和基准电压产生电路;启动电路的输出端分别与基准电流产生电路和基准电压产生电路连接;基准电流产生电路的输出端与基准电压产生电路连接;基准电压产生电路的输出端为该基准电压源的输出端;启动电路和基准电流产生电路同时接电源VDD,启动电路、基准电流产生电路和基准电压产生电路同时接地GND。 本实用新型仅为纳瓦量级、且未使用电阻、BJT和二极管,不仅能消除温度变化的影响,还能与标准CMOS工艺完全兼容,同时具有功耗极低、高电源抑制比高、性能好的特点,有效降低了系统成本。
一种基于不同材质电阻的高精度基准电压源
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开一种基于不同材质电阻的高精度基准电压源,由并联于电源VDD与地之间的启动电路、PTAT电流产生电路、CTAT电流产生电路和基准电压产生电路组成。 启动电路用于在电源上电时提供启动电流,使基准电压源摆脱简并偏置点。 PTAT电流产生电路和CTAT电流产生电路,利用共源共栅电流镜提高电源电压抑制比和电压调整率,分别用于产生具有正温度系数电流和具有负温度系数电流。 基准电压产生电路用于产生低温漂的基准电压,采用共源共栅电流镜,从PTAT电流产生电路和CTAT电流产生电路中复制电流并进行叠加求和,产生零温漂基准电流,基准电压产生电路输出电压即为整个基准电压源输出电压Vref。 本发明能够大大提高基准电压源的精度。
一种隔离式刷式直流电机电流测量系统
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型公开了一种隔离式刷式直流电机电流测量系统,包括采样电阻、隔离放大器、基于STM32的微控制器、ADC基准电压源。本实用新型中一方面经采样电阻采集到的电压信号经过隔离放大器放大后传输到基于STM32的微控制器中,另一方面经ADC基准电压源提供2.500V的基准电压源传输到基于STM32的微控制器中,基于STM32的微控制器将对刷式直流电机进行电流测量,从而对电流控制环进行控制。本实用新型的电路安全可靠,电流采样精度高,采样频率较高;具有强电、弱电之间的隔离,模拟、数字之间的隔离,电路板上系统具有完整性较好、信噪比较低的信号传递,防瞬态冲击保护的功能;适用电机范围广、适用环境宽;集成度高、成本低。
一种带隙基准电压源
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明公一种带隙基准电压源,利用互补温度系数电压产生电路和仅包含负反馈支路的输出主环路代替传统带隙基准电压源中同时包含正、负反馈支路的主环路,从而在对输出主环路中BJT晶体管射极进行互补温度系数电流注入以获取一阶正温度补偿项和高阶正TlnT温度补偿项时,不会产生负反馈环路失效的问题,进而使基准电压源对电源电压没有特殊的要求。本发明在获得极低温度系数的同时,能够工作在更低的电源电压工况下,具有补偿效果好、负反馈环路稳定性高、适合低电源电压等优点。
带隙基准电路
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种带隙基准电路,其包括,一基准电压源VREF,所述基准电压源VREF拉伸门电压V_REG实现内部预稳压,并形成内部预稳压电路;一带隙核心电路,所述带隙核心电路设有提高电源抑制比的自偏置共源共栅放大电路;一负反馈电路,所述负反馈电路为所述带隙核心电路提供一个经过稳压后的电源电压VDD;一启动电路,所述启动电路在工作开始时拉伸所述基准电压源VREF使得所述自偏置共源共栅放大电路正常工作。本发明的带隙基准电路通过负反馈电路为带隙核心电路提供一个经过稳压后的电源电压,同时在内部采用自偏置共源共栅放大电路来提高电源抑制比,节省了面积和功耗。
一种高电源抑制比全CMOS基准电压源
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型公开一种高电源抑制比全CMOS基准电压源,包括基准电压源,该基准电压源包括启动电路、电流源电路和温度补偿电路;启动电路的输出端连接电流源电路的输入端,电流源电路的输出端连接温度补偿电路的输入端,温度补偿电路的输出端形成整个基准电压源的输出端。 本实用新型利用工作在亚阈值区MOS管的工作特性,产生纳安量级的基准电流,采用共源共栅电流镜,来抑制电源噪声。 此外,本实用新型不仅具有芯片面积小、功耗低,仅为纳瓦量级;而且具有高电源抑制比,低温漂系数和低电源电压调整率的优点,且没有使用电阻、二极管以及三极管,与标准CMOS工艺兼容,有效的缩小了版图面积,并降低生产成本。
一种亚阈值全CMOS基准电压源
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型公开一种亚阈值全CMOS基准电压源,启动电路帮助基准电压源摆脱简并偏置点,进入正常工作状态。 亚阈值运算放大器保证低功耗的同时,提供更大的增益,提高电源电压抑制比。 纳安基准电流产生电路产生纳安量级的基准电流,抑制电源噪声,为基准电压产生电路提供电流偏置。 基准电压产生电路采用2种具有不同标准电压的MOS管栅源电压差,通过相互调节,得到一个与温度无关的参考电压。 本实用新型未使用无源电阻、二极管或者三极管,与标准CMOS工艺兼容,大大减小了版图面积,降低了生产成本,功耗低,同时具有高电源抑制比、低温漂系数和低电源电压调整率。
找到10项技术成果数据。
找技术 >一种低电压纳瓦量级全CMOS电流模式基准电压源
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开一种低电压纳瓦量级全CMOS电流模式基准电压源,其特征是,包括启动电路、IPTATa基准电流源电路、IPTATb基准电流源电路和温度补偿电路; 启动电路连接到IPTATa基准电流源电路和IPTATb基准电流源电路,并在基准电压源开启时提供电流,使得基准电压源摆脱简并偏置点; IPTATa基准电流源电路和IPTATb基准电流源电路分别产生一个偏置电流为温度补偿电路提供电流偏置; 温度补偿电路将2个偏置电流分别以不同的倍数作差,得到一个与温度无关的基准电流,并驱动温度补偿电路中MOS管得到一个不受电源电压和温度变化影响的输出电压。 本发明具有功耗低、版图面积小、器件与标准CMOS工艺匹配、温度系数低和电源电压抑制比高的特点。
一种低电压纳瓦量级全 CMOS电流模式基准电压源
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型公开一种低电压纳瓦量级全CMOS电流模式基准电压源,其特征是,包括启动电路、IPTATa基准电流源电路、IPTATb基准电流源电路和温度补偿电路; 启动电路连接到IPTATa基准电流源电路和IPTATb基准电流源电路,并在基准电压源开启时提供电流,使得基准电压源摆脱简并偏置点; IPTATa基准电流源电路和IPTATb基准电流源电路分别产生一个偏置电流为温度补偿电路提供电流偏置; 温度补偿电路将2个偏置电流分别以不同的倍数作差,得到一个与温度无关的基准电流,并驱动温度补偿电路中MOS管得到一个不受电源电压和温度变化影响的输出电压。 本实用新型具有功耗低、版图面积小、器件与标准CMOS工艺匹配、温度系数低和电源电压抑制比高的特点。
一种低温度系数基准电压源电路
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本[发明专利]公开了一种低温度系数基准电压源电路,包括:电流产生电路、电压产生电路、电源抑制比电路,所述电流产生电路给所述电压产生电路提供电流,所述电源抑制比电路给所述电流产生电路和电压产生电路提供工作电压,所述电压产生电路输出基准电压。本[发明专利]创造得到的基准电压源低于1V,且具有更低的温度系数,能够抑制电源噪声,可以提供更加稳定的基准电压,符合当今电子设备低电源电压和低功耗的发展趋势。
一种全CMOS基准电压源
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型提供一种全CMOS基准电压源,属于电压源技术领域,包括启动电路、基准电流产生电路和基准电压产生电路;启动电路的输出端分别与基准电流产生电路和基准电压产生电路连接;基准电流产生电路的输出端与基准电压产生电路连接;基准电压产生电路的输出端为该基准电压源的输出端;启动电路和基准电流产生电路同时接电源VDD,启动电路、基准电流产生电路和基准电压产生电路同时接地GND。 本实用新型仅为纳瓦量级、且未使用电阻、BJT和二极管,不仅能消除温度变化的影响,还能与标准CMOS工艺完全兼容,同时具有功耗极低、高电源抑制比高、性能好的特点,有效降低了系统成本。
一种基于不同材质电阻的高精度基准电压源
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开一种基于不同材质电阻的高精度基准电压源,由并联于电源VDD与地之间的启动电路、PTAT电流产生电路、CTAT电流产生电路和基准电压产生电路组成。 启动电路用于在电源上电时提供启动电流,使基准电压源摆脱简并偏置点。 PTAT电流产生电路和CTAT电流产生电路,利用共源共栅电流镜提高电源电压抑制比和电压调整率,分别用于产生具有正温度系数电流和具有负温度系数电流。 基准电压产生电路用于产生低温漂的基准电压,采用共源共栅电流镜,从PTAT电流产生电路和CTAT电流产生电路中复制电流并进行叠加求和,产生零温漂基准电流,基准电压产生电路输出电压即为整个基准电压源输出电压Vref。 本发明能够大大提高基准电压源的精度。
一种隔离式刷式直流电机电流测量系统
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型公开了一种隔离式刷式直流电机电流测量系统,包括采样电阻、隔离放大器、基于STM32的微控制器、ADC基准电压源。本实用新型中一方面经采样电阻采集到的电压信号经过隔离放大器放大后传输到基于STM32的微控制器中,另一方面经ADC基准电压源提供2.500V的基准电压源传输到基于STM32的微控制器中,基于STM32的微控制器将对刷式直流电机进行电流测量,从而对电流控制环进行控制。本实用新型的电路安全可靠,电流采样精度高,采样频率较高;具有强电、弱电之间的隔离,模拟、数字之间的隔离,电路板上系统具有完整性较好、信噪比较低的信号传递,防瞬态冲击保护的功能;适用电机范围广、适用环境宽;集成度高、成本低。
一种带隙基准电压源
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明公一种带隙基准电压源,利用互补温度系数电压产生电路和仅包含负反馈支路的输出主环路代替传统带隙基准电压源中同时包含正、负反馈支路的主环路,从而在对输出主环路中BJT晶体管射极进行互补温度系数电流注入以获取一阶正温度补偿项和高阶正TlnT温度补偿项时,不会产生负反馈环路失效的问题,进而使基准电压源对电源电压没有特殊的要求。本发明在获得极低温度系数的同时,能够工作在更低的电源电压工况下,具有补偿效果好、负反馈环路稳定性高、适合低电源电压等优点。
带隙基准电路
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种带隙基准电路,其包括,一基准电压源VREF,所述基准电压源VREF拉伸门电压V_REG实现内部预稳压,并形成内部预稳压电路;一带隙核心电路,所述带隙核心电路设有提高电源抑制比的自偏置共源共栅放大电路;一负反馈电路,所述负反馈电路为所述带隙核心电路提供一个经过稳压后的电源电压VDD;一启动电路,所述启动电路在工作开始时拉伸所述基准电压源VREF使得所述自偏置共源共栅放大电路正常工作。本发明的带隙基准电路通过负反馈电路为带隙核心电路提供一个经过稳压后的电源电压,同时在内部采用自偏置共源共栅放大电路来提高电源抑制比,节省了面积和功耗。
一种高电源抑制比全CMOS基准电压源
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型公开一种高电源抑制比全CMOS基准电压源,包括基准电压源,该基准电压源包括启动电路、电流源电路和温度补偿电路;启动电路的输出端连接电流源电路的输入端,电流源电路的输出端连接温度补偿电路的输入端,温度补偿电路的输出端形成整个基准电压源的输出端。 本实用新型利用工作在亚阈值区MOS管的工作特性,产生纳安量级的基准电流,采用共源共栅电流镜,来抑制电源噪声。 此外,本实用新型不仅具有芯片面积小、功耗低,仅为纳瓦量级;而且具有高电源抑制比,低温漂系数和低电源电压调整率的优点,且没有使用电阻、二极管以及三极管,与标准CMOS工艺兼容,有效的缩小了版图面积,并降低生产成本。
一种亚阈值全CMOS基准电压源
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型公开一种亚阈值全CMOS基准电压源,启动电路帮助基准电压源摆脱简并偏置点,进入正常工作状态。 亚阈值运算放大器保证低功耗的同时,提供更大的增益,提高电源电压抑制比。 纳安基准电流产生电路产生纳安量级的基准电流,抑制电源噪声,为基准电压产生电路提供电流偏置。 基准电压产生电路采用2种具有不同标准电压的MOS管栅源电压差,通过相互调节,得到一个与温度无关的参考电压。 本实用新型未使用无源电阻、二极管或者三极管,与标准CMOS工艺兼容,大大减小了版图面积,降低了生产成本,功耗低,同时具有高电源抑制比、低温漂系数和低电源电压调整率。
找到10项技术成果数据。
找技术 >一种低电压纳瓦量级全CMOS电流模式基准电压源
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开一种低电压纳瓦量级全CMOS电流模式基准电压源,其特征是,包括启动电路、IPTATa基准电流源电路、IPTATb基准电流源电路和温度补偿电路; 启动电路连接到IPTATa基准电流源电路和IPTATb基准电流源电路,并在基准电压源开启时提供电流,使得基准电压源摆脱简并偏置点; IPTATa基准电流源电路和IPTATb基准电流源电路分别产生一个偏置电流为温度补偿电路提供电流偏置; 温度补偿电路将2个偏置电流分别以不同的倍数作差,得到一个与温度无关的基准电流,并驱动温度补偿电路中MOS管得到一个不受电源电压和温度变化影响的输出电压。 本发明具有功耗低、版图面积小、器件与标准CMOS工艺匹配、温度系数低和电源电压抑制比高的特点。
一种低电压纳瓦量级全 CMOS电流模式基准电压源
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型公开一种低电压纳瓦量级全CMOS电流模式基准电压源,其特征是,包括启动电路、IPTATa基准电流源电路、IPTATb基准电流源电路和温度补偿电路; 启动电路连接到IPTATa基准电流源电路和IPTATb基准电流源电路,并在基准电压源开启时提供电流,使得基准电压源摆脱简并偏置点; IPTATa基准电流源电路和IPTATb基准电流源电路分别产生一个偏置电流为温度补偿电路提供电流偏置; 温度补偿电路将2个偏置电流分别以不同的倍数作差,得到一个与温度无关的基准电流,并驱动温度补偿电路中MOS管得到一个不受电源电压和温度变化影响的输出电压。 本实用新型具有功耗低、版图面积小、器件与标准CMOS工艺匹配、温度系数低和电源电压抑制比高的特点。
一种低温度系数基准电压源电路
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本[发明专利]公开了一种低温度系数基准电压源电路,包括:电流产生电路、电压产生电路、电源抑制比电路,所述电流产生电路给所述电压产生电路提供电流,所述电源抑制比电路给所述电流产生电路和电压产生电路提供工作电压,所述电压产生电路输出基准电压。本[发明专利]创造得到的基准电压源低于1V,且具有更低的温度系数,能够抑制电源噪声,可以提供更加稳定的基准电压,符合当今电子设备低电源电压和低功耗的发展趋势。
一种全CMOS基准电压源
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型提供一种全CMOS基准电压源,属于电压源技术领域,包括启动电路、基准电流产生电路和基准电压产生电路;启动电路的输出端分别与基准电流产生电路和基准电压产生电路连接;基准电流产生电路的输出端与基准电压产生电路连接;基准电压产生电路的输出端为该基准电压源的输出端;启动电路和基准电流产生电路同时接电源VDD,启动电路、基准电流产生电路和基准电压产生电路同时接地GND。 本实用新型仅为纳瓦量级、且未使用电阻、BJT和二极管,不仅能消除温度变化的影响,还能与标准CMOS工艺完全兼容,同时具有功耗极低、高电源抑制比高、性能好的特点,有效降低了系统成本。
一种基于不同材质电阻的高精度基准电压源
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开一种基于不同材质电阻的高精度基准电压源,由并联于电源VDD与地之间的启动电路、PTAT电流产生电路、CTAT电流产生电路和基准电压产生电路组成。 启动电路用于在电源上电时提供启动电流,使基准电压源摆脱简并偏置点。 PTAT电流产生电路和CTAT电流产生电路,利用共源共栅电流镜提高电源电压抑制比和电压调整率,分别用于产生具有正温度系数电流和具有负温度系数电流。 基准电压产生电路用于产生低温漂的基准电压,采用共源共栅电流镜,从PTAT电流产生电路和CTAT电流产生电路中复制电流并进行叠加求和,产生零温漂基准电流,基准电压产生电路输出电压即为整个基准电压源输出电压Vref。 本发明能够大大提高基准电压源的精度。
一种隔离式刷式直流电机电流测量系统
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型公开了一种隔离式刷式直流电机电流测量系统,包括采样电阻、隔离放大器、基于STM32的微控制器、ADC基准电压源。本实用新型中一方面经采样电阻采集到的电压信号经过隔离放大器放大后传输到基于STM32的微控制器中,另一方面经ADC基准电压源提供2.500V的基准电压源传输到基于STM32的微控制器中,基于STM32的微控制器将对刷式直流电机进行电流测量,从而对电流控制环进行控制。本实用新型的电路安全可靠,电流采样精度高,采样频率较高;具有强电、弱电之间的隔离,模拟、数字之间的隔离,电路板上系统具有完整性较好、信噪比较低的信号传递,防瞬态冲击保护的功能;适用电机范围广、适用环境宽;集成度高、成本低。
一种带隙基准电压源
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明公一种带隙基准电压源,利用互补温度系数电压产生电路和仅包含负反馈支路的输出主环路代替传统带隙基准电压源中同时包含正、负反馈支路的主环路,从而在对输出主环路中BJT晶体管射极进行互补温度系数电流注入以获取一阶正温度补偿项和高阶正TlnT温度补偿项时,不会产生负反馈环路失效的问题,进而使基准电压源对电源电压没有特殊的要求。本发明在获得极低温度系数的同时,能够工作在更低的电源电压工况下,具有补偿效果好、负反馈环路稳定性高、适合低电源电压等优点。
带隙基准电路
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种带隙基准电路,其包括,一基准电压源VREF,所述基准电压源VREF拉伸门电压V_REG实现内部预稳压,并形成内部预稳压电路;一带隙核心电路,所述带隙核心电路设有提高电源抑制比的自偏置共源共栅放大电路;一负反馈电路,所述负反馈电路为所述带隙核心电路提供一个经过稳压后的电源电压VDD;一启动电路,所述启动电路在工作开始时拉伸所述基准电压源VREF使得所述自偏置共源共栅放大电路正常工作。本发明的带隙基准电路通过负反馈电路为带隙核心电路提供一个经过稳压后的电源电压,同时在内部采用自偏置共源共栅放大电路来提高电源抑制比,节省了面积和功耗。
一种高电源抑制比全CMOS基准电压源
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型公开一种高电源抑制比全CMOS基准电压源,包括基准电压源,该基准电压源包括启动电路、电流源电路和温度补偿电路;启动电路的输出端连接电流源电路的输入端,电流源电路的输出端连接温度补偿电路的输入端,温度补偿电路的输出端形成整个基准电压源的输出端。 本实用新型利用工作在亚阈值区MOS管的工作特性,产生纳安量级的基准电流,采用共源共栅电流镜,来抑制电源噪声。 此外,本实用新型不仅具有芯片面积小、功耗低,仅为纳瓦量级;而且具有高电源抑制比,低温漂系数和低电源电压调整率的优点,且没有使用电阻、二极管以及三极管,与标准CMOS工艺兼容,有效的缩小了版图面积,并降低生产成本。
一种亚阈值全CMOS基准电压源
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型公开一种亚阈值全CMOS基准电压源,启动电路帮助基准电压源摆脱简并偏置点,进入正常工作状态。 亚阈值运算放大器保证低功耗的同时,提供更大的增益,提高电源电压抑制比。 纳安基准电流产生电路产生纳安量级的基准电流,抑制电源噪声,为基准电压产生电路提供电流偏置。 基准电压产生电路采用2种具有不同标准电压的MOS管栅源电压差,通过相互调节,得到一个与温度无关的参考电压。 本实用新型未使用无源电阻、二极管或者三极管,与标准CMOS工艺兼容,大大减小了版图面积,降低了生产成本,功耗低,同时具有高电源抑制比、低温漂系数和低电源电压调整率。
找到10项技术成果数据。
找技术 >一种低电压纳瓦量级全CMOS电流模式基准电压源
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开一种低电压纳瓦量级全CMOS电流模式基准电压源,其特征是,包括启动电路、IPTATa基准电流源电路、IPTATb基准电流源电路和温度补偿电路; 启动电路连接到IPTATa基准电流源电路和IPTATb基准电流源电路,并在基准电压源开启时提供电流,使得基准电压源摆脱简并偏置点; IPTATa基准电流源电路和IPTATb基准电流源电路分别产生一个偏置电流为温度补偿电路提供电流偏置; 温度补偿电路将2个偏置电流分别以不同的倍数作差,得到一个与温度无关的基准电流,并驱动温度补偿电路中MOS管得到一个不受电源电压和温度变化影响的输出电压。 本发明具有功耗低、版图面积小、器件与标准CMOS工艺匹配、温度系数低和电源电压抑制比高的特点。
一种低电压纳瓦量级全 CMOS电流模式基准电压源
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型公开一种低电压纳瓦量级全CMOS电流模式基准电压源,其特征是,包括启动电路、IPTATa基准电流源电路、IPTATb基准电流源电路和温度补偿电路; 启动电路连接到IPTATa基准电流源电路和IPTATb基准电流源电路,并在基准电压源开启时提供电流,使得基准电压源摆脱简并偏置点; IPTATa基准电流源电路和IPTATb基准电流源电路分别产生一个偏置电流为温度补偿电路提供电流偏置; 温度补偿电路将2个偏置电流分别以不同的倍数作差,得到一个与温度无关的基准电流,并驱动温度补偿电路中MOS管得到一个不受电源电压和温度变化影响的输出电压。 本实用新型具有功耗低、版图面积小、器件与标准CMOS工艺匹配、温度系数低和电源电压抑制比高的特点。
一种低温度系数基准电压源电路
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本[发明专利]公开了一种低温度系数基准电压源电路,包括:电流产生电路、电压产生电路、电源抑制比电路,所述电流产生电路给所述电压产生电路提供电流,所述电源抑制比电路给所述电流产生电路和电压产生电路提供工作电压,所述电压产生电路输出基准电压。本[发明专利]创造得到的基准电压源低于1V,且具有更低的温度系数,能够抑制电源噪声,可以提供更加稳定的基准电压,符合当今电子设备低电源电压和低功耗的发展趋势。
一种全CMOS基准电压源
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型提供一种全CMOS基准电压源,属于电压源技术领域,包括启动电路、基准电流产生电路和基准电压产生电路;启动电路的输出端分别与基准电流产生电路和基准电压产生电路连接;基准电流产生电路的输出端与基准电压产生电路连接;基准电压产生电路的输出端为该基准电压源的输出端;启动电路和基准电流产生电路同时接电源VDD,启动电路、基准电流产生电路和基准电压产生电路同时接地GND。 本实用新型仅为纳瓦量级、且未使用电阻、BJT和二极管,不仅能消除温度变化的影响,还能与标准CMOS工艺完全兼容,同时具有功耗极低、高电源抑制比高、性能好的特点,有效降低了系统成本。
一种基于不同材质电阻的高精度基准电压源
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开一种基于不同材质电阻的高精度基准电压源,由并联于电源VDD与地之间的启动电路、PTAT电流产生电路、CTAT电流产生电路和基准电压产生电路组成。 启动电路用于在电源上电时提供启动电流,使基准电压源摆脱简并偏置点。 PTAT电流产生电路和CTAT电流产生电路,利用共源共栅电流镜提高电源电压抑制比和电压调整率,分别用于产生具有正温度系数电流和具有负温度系数电流。 基准电压产生电路用于产生低温漂的基准电压,采用共源共栅电流镜,从PTAT电流产生电路和CTAT电流产生电路中复制电流并进行叠加求和,产生零温漂基准电流,基准电压产生电路输出电压即为整个基准电压源输出电压Vref。 本发明能够大大提高基准电压源的精度。
一种隔离式刷式直流电机电流测量系统
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型公开了一种隔离式刷式直流电机电流测量系统,包括采样电阻、隔离放大器、基于STM32的微控制器、ADC基准电压源。本实用新型中一方面经采样电阻采集到的电压信号经过隔离放大器放大后传输到基于STM32的微控制器中,另一方面经ADC基准电压源提供2.500V的基准电压源传输到基于STM32的微控制器中,基于STM32的微控制器将对刷式直流电机进行电流测量,从而对电流控制环进行控制。本实用新型的电路安全可靠,电流采样精度高,采样频率较高;具有强电、弱电之间的隔离,模拟、数字之间的隔离,电路板上系统具有完整性较好、信噪比较低的信号传递,防瞬态冲击保护的功能;适用电机范围广、适用环境宽;集成度高、成本低。
一种带隙基准电压源
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明公一种带隙基准电压源,利用互补温度系数电压产生电路和仅包含负反馈支路的输出主环路代替传统带隙基准电压源中同时包含正、负反馈支路的主环路,从而在对输出主环路中BJT晶体管射极进行互补温度系数电流注入以获取一阶正温度补偿项和高阶正TlnT温度补偿项时,不会产生负反馈环路失效的问题,进而使基准电压源对电源电压没有特殊的要求。本发明在获得极低温度系数的同时,能够工作在更低的电源电压工况下,具有补偿效果好、负反馈环路稳定性高、适合低电源电压等优点。
带隙基准电路
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种带隙基准电路,其包括,一基准电压源VREF,所述基准电压源VREF拉伸门电压V_REG实现内部预稳压,并形成内部预稳压电路;一带隙核心电路,所述带隙核心电路设有提高电源抑制比的自偏置共源共栅放大电路;一负反馈电路,所述负反馈电路为所述带隙核心电路提供一个经过稳压后的电源电压VDD;一启动电路,所述启动电路在工作开始时拉伸所述基准电压源VREF使得所述自偏置共源共栅放大电路正常工作。本发明的带隙基准电路通过负反馈电路为带隙核心电路提供一个经过稳压后的电源电压,同时在内部采用自偏置共源共栅放大电路来提高电源抑制比,节省了面积和功耗。
一种高电源抑制比全CMOS基准电压源
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型公开一种高电源抑制比全CMOS基准电压源,包括基准电压源,该基准电压源包括启动电路、电流源电路和温度补偿电路;启动电路的输出端连接电流源电路的输入端,电流源电路的输出端连接温度补偿电路的输入端,温度补偿电路的输出端形成整个基准电压源的输出端。 本实用新型利用工作在亚阈值区MOS管的工作特性,产生纳安量级的基准电流,采用共源共栅电流镜,来抑制电源噪声。 此外,本实用新型不仅具有芯片面积小、功耗低,仅为纳瓦量级;而且具有高电源抑制比,低温漂系数和低电源电压调整率的优点,且没有使用电阻、二极管以及三极管,与标准CMOS工艺兼容,有效的缩小了版图面积,并降低生产成本。
一种亚阈值全CMOS基准电压源
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型公开一种亚阈值全CMOS基准电压源,启动电路帮助基准电压源摆脱简并偏置点,进入正常工作状态。 亚阈值运算放大器保证低功耗的同时,提供更大的增益,提高电源电压抑制比。 纳安基准电流产生电路产生纳安量级的基准电流,抑制电源噪声,为基准电压产生电路提供电流偏置。 基准电压产生电路采用2种具有不同标准电压的MOS管栅源电压差,通过相互调节,得到一个与温度无关的参考电压。 本实用新型未使用无源电阻、二极管或者三极管,与标准CMOS工艺兼容,大大减小了版图面积,降低了生产成本,功耗低,同时具有高电源抑制比、低温漂系数和低电源电压调整率。
找到10项技术成果数据。
找技术 >一种低电压纳瓦量级全CMOS电流模式基准电压源
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开一种低电压纳瓦量级全CMOS电流模式基准电压源,其特征是,包括启动电路、IPTATa基准电流源电路、IPTATb基准电流源电路和温度补偿电路; 启动电路连接到IPTATa基准电流源电路和IPTATb基准电流源电路,并在基准电压源开启时提供电流,使得基准电压源摆脱简并偏置点; IPTATa基准电流源电路和IPTATb基准电流源电路分别产生一个偏置电流为温度补偿电路提供电流偏置; 温度补偿电路将2个偏置电流分别以不同的倍数作差,得到一个与温度无关的基准电流,并驱动温度补偿电路中MOS管得到一个不受电源电压和温度变化影响的输出电压。 本发明具有功耗低、版图面积小、器件与标准CMOS工艺匹配、温度系数低和电源电压抑制比高的特点。
一种低电压纳瓦量级全 CMOS电流模式基准电压源
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型公开一种低电压纳瓦量级全CMOS电流模式基准电压源,其特征是,包括启动电路、IPTATa基准电流源电路、IPTATb基准电流源电路和温度补偿电路; 启动电路连接到IPTATa基准电流源电路和IPTATb基准电流源电路,并在基准电压源开启时提供电流,使得基准电压源摆脱简并偏置点; IPTATa基准电流源电路和IPTATb基准电流源电路分别产生一个偏置电流为温度补偿电路提供电流偏置; 温度补偿电路将2个偏置电流分别以不同的倍数作差,得到一个与温度无关的基准电流,并驱动温度补偿电路中MOS管得到一个不受电源电压和温度变化影响的输出电压。 本实用新型具有功耗低、版图面积小、器件与标准CMOS工艺匹配、温度系数低和电源电压抑制比高的特点。
一种低温度系数基准电压源电路
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本[发明专利]公开了一种低温度系数基准电压源电路,包括:电流产生电路、电压产生电路、电源抑制比电路,所述电流产生电路给所述电压产生电路提供电流,所述电源抑制比电路给所述电流产生电路和电压产生电路提供工作电压,所述电压产生电路输出基准电压。本[发明专利]创造得到的基准电压源低于1V,且具有更低的温度系数,能够抑制电源噪声,可以提供更加稳定的基准电压,符合当今电子设备低电源电压和低功耗的发展趋势。
一种全CMOS基准电压源
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型提供一种全CMOS基准电压源,属于电压源技术领域,包括启动电路、基准电流产生电路和基准电压产生电路;启动电路的输出端分别与基准电流产生电路和基准电压产生电路连接;基准电流产生电路的输出端与基准电压产生电路连接;基准电压产生电路的输出端为该基准电压源的输出端;启动电路和基准电流产生电路同时接电源VDD,启动电路、基准电流产生电路和基准电压产生电路同时接地GND。 本实用新型仅为纳瓦量级、且未使用电阻、BJT和二极管,不仅能消除温度变化的影响,还能与标准CMOS工艺完全兼容,同时具有功耗极低、高电源抑制比高、性能好的特点,有效降低了系统成本。
一种基于不同材质电阻的高精度基准电压源
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开一种基于不同材质电阻的高精度基准电压源,由并联于电源VDD与地之间的启动电路、PTAT电流产生电路、CTAT电流产生电路和基准电压产生电路组成。 启动电路用于在电源上电时提供启动电流,使基准电压源摆脱简并偏置点。 PTAT电流产生电路和CTAT电流产生电路,利用共源共栅电流镜提高电源电压抑制比和电压调整率,分别用于产生具有正温度系数电流和具有负温度系数电流。 基准电压产生电路用于产生低温漂的基准电压,采用共源共栅电流镜,从PTAT电流产生电路和CTAT电流产生电路中复制电流并进行叠加求和,产生零温漂基准电流,基准电压产生电路输出电压即为整个基准电压源输出电压Vref。 本发明能够大大提高基准电压源的精度。
一种隔离式刷式直流电机电流测量系统
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型公开了一种隔离式刷式直流电机电流测量系统,包括采样电阻、隔离放大器、基于STM32的微控制器、ADC基准电压源。本实用新型中一方面经采样电阻采集到的电压信号经过隔离放大器放大后传输到基于STM32的微控制器中,另一方面经ADC基准电压源提供2.500V的基准电压源传输到基于STM32的微控制器中,基于STM32的微控制器将对刷式直流电机进行电流测量,从而对电流控制环进行控制。本实用新型的电路安全可靠,电流采样精度高,采样频率较高;具有强电、弱电之间的隔离,模拟、数字之间的隔离,电路板上系统具有完整性较好、信噪比较低的信号传递,防瞬态冲击保护的功能;适用电机范围广、适用环境宽;集成度高、成本低。
一种带隙基准电压源
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明公一种带隙基准电压源,利用互补温度系数电压产生电路和仅包含负反馈支路的输出主环路代替传统带隙基准电压源中同时包含正、负反馈支路的主环路,从而在对输出主环路中BJT晶体管射极进行互补温度系数电流注入以获取一阶正温度补偿项和高阶正TlnT温度补偿项时,不会产生负反馈环路失效的问题,进而使基准电压源对电源电压没有特殊的要求。本发明在获得极低温度系数的同时,能够工作在更低的电源电压工况下,具有补偿效果好、负反馈环路稳定性高、适合低电源电压等优点。
带隙基准电路
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种带隙基准电路,其包括,一基准电压源VREF,所述基准电压源VREF拉伸门电压V_REG实现内部预稳压,并形成内部预稳压电路;一带隙核心电路,所述带隙核心电路设有提高电源抑制比的自偏置共源共栅放大电路;一负反馈电路,所述负反馈电路为所述带隙核心电路提供一个经过稳压后的电源电压VDD;一启动电路,所述启动电路在工作开始时拉伸所述基准电压源VREF使得所述自偏置共源共栅放大电路正常工作。本发明的带隙基准电路通过负反馈电路为带隙核心电路提供一个经过稳压后的电源电压,同时在内部采用自偏置共源共栅放大电路来提高电源抑制比,节省了面积和功耗。
一种高电源抑制比全CMOS基准电压源
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型公开一种高电源抑制比全CMOS基准电压源,包括基准电压源,该基准电压源包括启动电路、电流源电路和温度补偿电路;启动电路的输出端连接电流源电路的输入端,电流源电路的输出端连接温度补偿电路的输入端,温度补偿电路的输出端形成整个基准电压源的输出端。 本实用新型利用工作在亚阈值区MOS管的工作特性,产生纳安量级的基准电流,采用共源共栅电流镜,来抑制电源噪声。 此外,本实用新型不仅具有芯片面积小、功耗低,仅为纳瓦量级;而且具有高电源抑制比,低温漂系数和低电源电压调整率的优点,且没有使用电阻、二极管以及三极管,与标准CMOS工艺兼容,有效的缩小了版图面积,并降低生产成本。
一种亚阈值全CMOS基准电压源
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型公开一种亚阈值全CMOS基准电压源,启动电路帮助基准电压源摆脱简并偏置点,进入正常工作状态。 亚阈值运算放大器保证低功耗的同时,提供更大的增益,提高电源电压抑制比。 纳安基准电流产生电路产生纳安量级的基准电流,抑制电源噪声,为基准电压产生电路提供电流偏置。 基准电压产生电路采用2种具有不同标准电压的MOS管栅源电压差,通过相互调节,得到一个与温度无关的参考电压。 本实用新型未使用无源电阻、二极管或者三极管,与标准CMOS工艺兼容,大大减小了版图面积,降低了生产成本,功耗低,同时具有高电源抑制比、低温漂系数和低电源电压调整率。