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找技术 >一种铁电氧化钒复合薄膜及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及光电传感器技术领域,特别涉及一种用于红外热成像传感器以及THz图像传感器的铁电氧化钒复合薄膜F_VOx及其制备方法,该铁电氧化钒复合薄膜是由氧化钒薄膜和金属铌或者铌基铁电材料薄膜复合而成的铌基铁电‑氧化钒双层复合薄膜。本发明首次利用金属铌和铌基铁电薄膜材料优异的热传导、热吸收性能,提升氧化钒薄膜的热量吸收率,使铁电氧化钒复合薄膜F_VOx的温度电阻系数提高到3.8~4.2%/K,有效解决了小面阵高TCR的问题且避免了传统掺杂工艺对氧化钒薄膜产生的负面影响,将其应用于传感器可全面提升红外热成像、太赫兹图像传感器的性能。
一种Ni-Mn基铁磁形状记忆合金/压电体复合材料及电场调控自旋翻转的应用
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
一种Ni-Mn基铁磁形状记忆合金/压电体复合材料,Ni-Mn基铁磁形状记忆合金与压电材料构成复合材料;压电材料为PMN-PT单晶;Ni-Mn基铁磁形状记忆合金的分子式是Ni-Mn-Sn,二种材料均是片状材料贴合成复合材料,铁磁形状记忆合金的厚度为20-50μm的快淬薄带叠合成1-2mm或为1-2mm的块材,压电体厚度为0.5mm。本发明利用压电体产生的应力调节Ni-Mn基记忆合金反铁磁和铁磁的界面耦合,通过电场调控的交换偏置效应在零偏置场实现了电场调控的自旋翻转。
一种铜渣基铁系草酸盐化学键合材料及其用途
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种铜渣基铁系草酸盐化学键合材料及其用途,该材料的原料组成及重量份为铜渣300~700份、草酸或酸式草酸盐100~200份、调凝材料6~14份;该材料具有凝固速度快、粘结力强、耐久性好等优越性能;在作为固化含砷废渣的基体材料中能有效的固化/稳定化含砷废渣,解决含砷废渣引起的环境污染问题。
两步法退火制备钽钪酸铅基铁电薄膜的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
一种两步法退火制备钽钪酸铅基铁电薄膜的方法,工艺步骤包括制备过渡层、制备钽钪酸铅基铁电薄膜、钽钪酸铅基铁电薄膜的退火处理;钽钪酸铅基铁电薄膜的退火处理是将钽钪酸铅基铁电薄膜放入退火炉内,在氧气流中以40℃/秒的升温速率升温至800℃~850℃后即刻停止加热,使其随炉冷却至500℃~600℃保温3分钟~5分钟,然后随炉冷却至室温。采用上述方法制备的钽钪酸铅基铁电薄膜钙钛矿相纯度可达100%,结晶性能好,表面均方根粗糙度较低,而且还具有剩余极化强度高和高度择优取向的特点。
一种K0.5Na0.5NbO3基铁电压电单晶及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明的目的是提供一种K0.5Na0.5NbO3基铁电压电单晶,所述K0.5Na0.5NbO3基铁电压电单晶以Li2CO3、Bi2O3和MnO2作为掺杂原料,以K0.5Na0.5NbO3为主体材料组成,化学式为:xMnO2‑(1–x)(99.6K0.5Na0.5NbO3‑0.4LiBiO3),其中0≤x≤0.005。 将所用原料Na2CO3。
一种磁卡效应的Ni‑Mn基铁磁形状记忆合金与压电体复合材料及应用
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
一种具备电场调控磁卡效应的Ni‑Mn基铁磁形状记忆合金/压电体复合材料,由Ni‑Mn基铁磁形状记忆合金与压电体组成;压电材料为Pb(Zr,Ti)O3(PZT)或0.7Pb(Mn1/3Nb2/3)O3‑0.3PbTiO3(PMN‑PT);Ni‑Mn基铁磁形状记忆合金的分子式是Ni‑Co‑Mn‑In,Ni‑Mn‑In,Ni‑Mn‑Sn,Ni‑Mn‑Co‑Sn;二种材料均是片状材料贴合成复合材料,铁磁形状记忆合金的厚度为20‑50um的快淬薄带叠合成1‑2mm或为1‑2mm的块材,压电体厚度为0.4‑0.8mm。
一种新型铁电氧化钒复合薄膜及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及光电传感器技术领域,特别涉及一种用于红外热成像传感器以及THz图像传感器的铁电氧化钒复合薄膜F_VOx及其制备方法,该铁电氧化钒复合薄膜是由氧化钒薄膜和金属铌或者铌基铁电材料薄膜复合而成的铌基铁电-氧化钒双层复合薄膜。本发明首次利用金属铌和铌基铁电薄膜材料优异的热传导、热吸收性能,提升氧化钒薄膜的热量吸收率,使铁电氧化钒复合薄膜F_VOx的温度电阻系数提高到3.8~4.2%/K,有效解决了小面阵高TCR的问题且避免了传统掺杂工艺对氧化钒薄膜产生的负面影响,将其应用于传感器可全面提升红外热成像、太赫兹图像传感器的性能。
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找技术 >一种铁电氧化钒复合薄膜及其制备方法
成熟度:正在研发
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技术简介
本发明涉及光电传感器技术领域,特别涉及一种用于红外热成像传感器以及THz图像传感器的铁电氧化钒复合薄膜F_VOx及其制备方法,该铁电氧化钒复合薄膜是由氧化钒薄膜和金属铌或者铌基铁电材料薄膜复合而成的铌基铁电‑氧化钒双层复合薄膜。本发明首次利用金属铌和铌基铁电薄膜材料优异的热传导、热吸收性能,提升氧化钒薄膜的热量吸收率,使铁电氧化钒复合薄膜F_VOx的温度电阻系数提高到3.8~4.2%/K,有效解决了小面阵高TCR的问题且避免了传统掺杂工艺对氧化钒薄膜产生的负面影响,将其应用于传感器可全面提升红外热成像、太赫兹图像传感器的性能。
一种Ni-Mn基铁磁形状记忆合金/压电体复合材料及电场调控自旋翻转的应用
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
一种Ni-Mn基铁磁形状记忆合金/压电体复合材料,Ni-Mn基铁磁形状记忆合金与压电材料构成复合材料;压电材料为PMN-PT单晶;Ni-Mn基铁磁形状记忆合金的分子式是Ni-Mn-Sn,二种材料均是片状材料贴合成复合材料,铁磁形状记忆合金的厚度为20-50μm的快淬薄带叠合成1-2mm或为1-2mm的块材,压电体厚度为0.5mm。本发明利用压电体产生的应力调节Ni-Mn基记忆合金反铁磁和铁磁的界面耦合,通过电场调控的交换偏置效应在零偏置场实现了电场调控的自旋翻转。
一种铜渣基铁系草酸盐化学键合材料及其用途
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种铜渣基铁系草酸盐化学键合材料及其用途,该材料的原料组成及重量份为铜渣300~700份、草酸或酸式草酸盐100~200份、调凝材料6~14份;该材料具有凝固速度快、粘结力强、耐久性好等优越性能;在作为固化含砷废渣的基体材料中能有效的固化/稳定化含砷废渣,解决含砷废渣引起的环境污染问题。
两步法退火制备钽钪酸铅基铁电薄膜的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
一种两步法退火制备钽钪酸铅基铁电薄膜的方法,工艺步骤包括制备过渡层、制备钽钪酸铅基铁电薄膜、钽钪酸铅基铁电薄膜的退火处理;钽钪酸铅基铁电薄膜的退火处理是将钽钪酸铅基铁电薄膜放入退火炉内,在氧气流中以40℃/秒的升温速率升温至800℃~850℃后即刻停止加热,使其随炉冷却至500℃~600℃保温3分钟~5分钟,然后随炉冷却至室温。采用上述方法制备的钽钪酸铅基铁电薄膜钙钛矿相纯度可达100%,结晶性能好,表面均方根粗糙度较低,而且还具有剩余极化强度高和高度择优取向的特点。
一种K0.5Na0.5NbO3基铁电压电单晶及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明的目的是提供一种K0.5Na0.5NbO3基铁电压电单晶,所述K0.5Na0.5NbO3基铁电压电单晶以Li2CO3、Bi2O3和MnO2作为掺杂原料,以K0.5Na0.5NbO3为主体材料组成,化学式为:xMnO2‑(1–x)(99.6K0.5Na0.5NbO3‑0.4LiBiO3),其中0≤x≤0.005。 将所用原料Na2CO3。
一种磁卡效应的Ni‑Mn基铁磁形状记忆合金与压电体复合材料及应用
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
一种具备电场调控磁卡效应的Ni‑Mn基铁磁形状记忆合金/压电体复合材料,由Ni‑Mn基铁磁形状记忆合金与压电体组成;压电材料为Pb(Zr,Ti)O3(PZT)或0.7Pb(Mn1/3Nb2/3)O3‑0.3PbTiO3(PMN‑PT);Ni‑Mn基铁磁形状记忆合金的分子式是Ni‑Co‑Mn‑In,Ni‑Mn‑In,Ni‑Mn‑Sn,Ni‑Mn‑Co‑Sn;二种材料均是片状材料贴合成复合材料,铁磁形状记忆合金的厚度为20‑50um的快淬薄带叠合成1‑2mm或为1‑2mm的块材,压电体厚度为0.4‑0.8mm。
一种新型铁电氧化钒复合薄膜及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及光电传感器技术领域,特别涉及一种用于红外热成像传感器以及THz图像传感器的铁电氧化钒复合薄膜F_VOx及其制备方法,该铁电氧化钒复合薄膜是由氧化钒薄膜和金属铌或者铌基铁电材料薄膜复合而成的铌基铁电-氧化钒双层复合薄膜。本发明首次利用金属铌和铌基铁电薄膜材料优异的热传导、热吸收性能,提升氧化钒薄膜的热量吸收率,使铁电氧化钒复合薄膜F_VOx的温度电阻系数提高到3.8~4.2%/K,有效解决了小面阵高TCR的问题且避免了传统掺杂工艺对氧化钒薄膜产生的负面影响,将其应用于传感器可全面提升红外热成像、太赫兹图像传感器的性能。
找到7项技术成果数据。
找技术 >一种铁电氧化钒复合薄膜及其制备方法
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本发明涉及光电传感器技术领域,特别涉及一种用于红外热成像传感器以及THz图像传感器的铁电氧化钒复合薄膜F_VOx及其制备方法,该铁电氧化钒复合薄膜是由氧化钒薄膜和金属铌或者铌基铁电材料薄膜复合而成的铌基铁电‑氧化钒双层复合薄膜。本发明首次利用金属铌和铌基铁电薄膜材料优异的热传导、热吸收性能,提升氧化钒薄膜的热量吸收率,使铁电氧化钒复合薄膜F_VOx的温度电阻系数提高到3.8~4.2%/K,有效解决了小面阵高TCR的问题且避免了传统掺杂工艺对氧化钒薄膜产生的负面影响,将其应用于传感器可全面提升红外热成像、太赫兹图像传感器的性能。
一种Ni-Mn基铁磁形状记忆合金/压电体复合材料及电场调控自旋翻转的应用
成熟度:正在研发
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应用行业:制造业
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一种Ni-Mn基铁磁形状记忆合金/压电体复合材料,Ni-Mn基铁磁形状记忆合金与压电材料构成复合材料;压电材料为PMN-PT单晶;Ni-Mn基铁磁形状记忆合金的分子式是Ni-Mn-Sn,二种材料均是片状材料贴合成复合材料,铁磁形状记忆合金的厚度为20-50μm的快淬薄带叠合成1-2mm或为1-2mm的块材,压电体厚度为0.5mm。本发明利用压电体产生的应力调节Ni-Mn基记忆合金反铁磁和铁磁的界面耦合,通过电场调控的交换偏置效应在零偏置场实现了电场调控的自旋翻转。
一种铜渣基铁系草酸盐化学键合材料及其用途
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本发明公开了一种铜渣基铁系草酸盐化学键合材料及其用途,该材料的原料组成及重量份为铜渣300~700份、草酸或酸式草酸盐100~200份、调凝材料6~14份;该材料具有凝固速度快、粘结力强、耐久性好等优越性能;在作为固化含砷废渣的基体材料中能有效的固化/稳定化含砷废渣,解决含砷废渣引起的环境污染问题。
两步法退火制备钽钪酸铅基铁电薄膜的方法
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一种两步法退火制备钽钪酸铅基铁电薄膜的方法,工艺步骤包括制备过渡层、制备钽钪酸铅基铁电薄膜、钽钪酸铅基铁电薄膜的退火处理;钽钪酸铅基铁电薄膜的退火处理是将钽钪酸铅基铁电薄膜放入退火炉内,在氧气流中以40℃/秒的升温速率升温至800℃~850℃后即刻停止加热,使其随炉冷却至500℃~600℃保温3分钟~5分钟,然后随炉冷却至室温。采用上述方法制备的钽钪酸铅基铁电薄膜钙钛矿相纯度可达100%,结晶性能好,表面均方根粗糙度较低,而且还具有剩余极化强度高和高度择优取向的特点。
一种K0.5Na0.5NbO3基铁电压电单晶及其制备方法
成熟度:正在研发
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应用行业:制造业
技术简介
本发明的目的是提供一种K0.5Na0.5NbO3基铁电压电单晶,所述K0.5Na0.5NbO3基铁电压电单晶以Li2CO3、Bi2O3和MnO2作为掺杂原料,以K0.5Na0.5NbO3为主体材料组成,化学式为:xMnO2‑(1–x)(99.6K0.5Na0.5NbO3‑0.4LiBiO3),其中0≤x≤0.005。 将所用原料Na2CO3。
一种磁卡效应的Ni‑Mn基铁磁形状记忆合金与压电体复合材料及应用
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一种具备电场调控磁卡效应的Ni‑Mn基铁磁形状记忆合金/压电体复合材料,由Ni‑Mn基铁磁形状记忆合金与压电体组成;压电材料为Pb(Zr,Ti)O3(PZT)或0.7Pb(Mn1/3Nb2/3)O3‑0.3PbTiO3(PMN‑PT);Ni‑Mn基铁磁形状记忆合金的分子式是Ni‑Co‑Mn‑In,Ni‑Mn‑In,Ni‑Mn‑Sn,Ni‑Mn‑Co‑Sn;二种材料均是片状材料贴合成复合材料,铁磁形状记忆合金的厚度为20‑50um的快淬薄带叠合成1‑2mm或为1‑2mm的块材,压电体厚度为0.4‑0.8mm。
一种新型铁电氧化钒复合薄膜及其制备方法
成熟度:正在研发
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本发明涉及光电传感器技术领域,特别涉及一种用于红外热成像传感器以及THz图像传感器的铁电氧化钒复合薄膜F_VOx及其制备方法,该铁电氧化钒复合薄膜是由氧化钒薄膜和金属铌或者铌基铁电材料薄膜复合而成的铌基铁电-氧化钒双层复合薄膜。本发明首次利用金属铌和铌基铁电薄膜材料优异的热传导、热吸收性能,提升氧化钒薄膜的热量吸收率,使铁电氧化钒复合薄膜F_VOx的温度电阻系数提高到3.8~4.2%/K,有效解决了小面阵高TCR的问题且避免了传统掺杂工艺对氧化钒薄膜产生的负面影响,将其应用于传感器可全面提升红外热成像、太赫兹图像传感器的性能。
找到7项技术成果数据。
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本发明涉及光电传感器技术领域,特别涉及一种用于红外热成像传感器以及THz图像传感器的铁电氧化钒复合薄膜F_VOx及其制备方法,该铁电氧化钒复合薄膜是由氧化钒薄膜和金属铌或者铌基铁电材料薄膜复合而成的铌基铁电‑氧化钒双层复合薄膜。本发明首次利用金属铌和铌基铁电薄膜材料优异的热传导、热吸收性能,提升氧化钒薄膜的热量吸收率,使铁电氧化钒复合薄膜F_VOx的温度电阻系数提高到3.8~4.2%/K,有效解决了小面阵高TCR的问题且避免了传统掺杂工艺对氧化钒薄膜产生的负面影响,将其应用于传感器可全面提升红外热成像、太赫兹图像传感器的性能。
一种Ni-Mn基铁磁形状记忆合金/压电体复合材料及电场调控自旋翻转的应用
成熟度:正在研发
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一种Ni-Mn基铁磁形状记忆合金/压电体复合材料,Ni-Mn基铁磁形状记忆合金与压电材料构成复合材料;压电材料为PMN-PT单晶;Ni-Mn基铁磁形状记忆合金的分子式是Ni-Mn-Sn,二种材料均是片状材料贴合成复合材料,铁磁形状记忆合金的厚度为20-50μm的快淬薄带叠合成1-2mm或为1-2mm的块材,压电体厚度为0.5mm。本发明利用压电体产生的应力调节Ni-Mn基记忆合金反铁磁和铁磁的界面耦合,通过电场调控的交换偏置效应在零偏置场实现了电场调控的自旋翻转。
一种铜渣基铁系草酸盐化学键合材料及其用途
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本发明公开了一种铜渣基铁系草酸盐化学键合材料及其用途,该材料的原料组成及重量份为铜渣300~700份、草酸或酸式草酸盐100~200份、调凝材料6~14份;该材料具有凝固速度快、粘结力强、耐久性好等优越性能;在作为固化含砷废渣的基体材料中能有效的固化/稳定化含砷废渣,解决含砷废渣引起的环境污染问题。
两步法退火制备钽钪酸铅基铁电薄膜的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
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一种两步法退火制备钽钪酸铅基铁电薄膜的方法,工艺步骤包括制备过渡层、制备钽钪酸铅基铁电薄膜、钽钪酸铅基铁电薄膜的退火处理;钽钪酸铅基铁电薄膜的退火处理是将钽钪酸铅基铁电薄膜放入退火炉内,在氧气流中以40℃/秒的升温速率升温至800℃~850℃后即刻停止加热,使其随炉冷却至500℃~600℃保温3分钟~5分钟,然后随炉冷却至室温。采用上述方法制备的钽钪酸铅基铁电薄膜钙钛矿相纯度可达100%,结晶性能好,表面均方根粗糙度较低,而且还具有剩余极化强度高和高度择优取向的特点。
一种K0.5Na0.5NbO3基铁电压电单晶及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明的目的是提供一种K0.5Na0.5NbO3基铁电压电单晶,所述K0.5Na0.5NbO3基铁电压电单晶以Li2CO3、Bi2O3和MnO2作为掺杂原料,以K0.5Na0.5NbO3为主体材料组成,化学式为:xMnO2‑(1–x)(99.6K0.5Na0.5NbO3‑0.4LiBiO3),其中0≤x≤0.005。 将所用原料Na2CO3。
一种磁卡效应的Ni‑Mn基铁磁形状记忆合金与压电体复合材料及应用
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一种具备电场调控磁卡效应的Ni‑Mn基铁磁形状记忆合金/压电体复合材料,由Ni‑Mn基铁磁形状记忆合金与压电体组成;压电材料为Pb(Zr,Ti)O3(PZT)或0.7Pb(Mn1/3Nb2/3)O3‑0.3PbTiO3(PMN‑PT);Ni‑Mn基铁磁形状记忆合金的分子式是Ni‑Co‑Mn‑In,Ni‑Mn‑In,Ni‑Mn‑Sn,Ni‑Mn‑Co‑Sn;二种材料均是片状材料贴合成复合材料,铁磁形状记忆合金的厚度为20‑50um的快淬薄带叠合成1‑2mm或为1‑2mm的块材,压电体厚度为0.4‑0.8mm。
一种新型铁电氧化钒复合薄膜及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及光电传感器技术领域,特别涉及一种用于红外热成像传感器以及THz图像传感器的铁电氧化钒复合薄膜F_VOx及其制备方法,该铁电氧化钒复合薄膜是由氧化钒薄膜和金属铌或者铌基铁电材料薄膜复合而成的铌基铁电-氧化钒双层复合薄膜。本发明首次利用金属铌和铌基铁电薄膜材料优异的热传导、热吸收性能,提升氧化钒薄膜的热量吸收率,使铁电氧化钒复合薄膜F_VOx的温度电阻系数提高到3.8~4.2%/K,有效解决了小面阵高TCR的问题且避免了传统掺杂工艺对氧化钒薄膜产生的负面影响,将其应用于传感器可全面提升红外热成像、太赫兹图像传感器的性能。
找到7项技术成果数据。
找技术 >一种铁电氧化钒复合薄膜及其制备方法
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本发明涉及光电传感器技术领域,特别涉及一种用于红外热成像传感器以及THz图像传感器的铁电氧化钒复合薄膜F_VOx及其制备方法,该铁电氧化钒复合薄膜是由氧化钒薄膜和金属铌或者铌基铁电材料薄膜复合而成的铌基铁电‑氧化钒双层复合薄膜。本发明首次利用金属铌和铌基铁电薄膜材料优异的热传导、热吸收性能,提升氧化钒薄膜的热量吸收率,使铁电氧化钒复合薄膜F_VOx的温度电阻系数提高到3.8~4.2%/K,有效解决了小面阵高TCR的问题且避免了传统掺杂工艺对氧化钒薄膜产生的负面影响,将其应用于传感器可全面提升红外热成像、太赫兹图像传感器的性能。
一种Ni-Mn基铁磁形状记忆合金/压电体复合材料及电场调控自旋翻转的应用
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一种Ni-Mn基铁磁形状记忆合金/压电体复合材料,Ni-Mn基铁磁形状记忆合金与压电材料构成复合材料;压电材料为PMN-PT单晶;Ni-Mn基铁磁形状记忆合金的分子式是Ni-Mn-Sn,二种材料均是片状材料贴合成复合材料,铁磁形状记忆合金的厚度为20-50μm的快淬薄带叠合成1-2mm或为1-2mm的块材,压电体厚度为0.5mm。本发明利用压电体产生的应力调节Ni-Mn基记忆合金反铁磁和铁磁的界面耦合,通过电场调控的交换偏置效应在零偏置场实现了电场调控的自旋翻转。
一种铜渣基铁系草酸盐化学键合材料及其用途
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种铜渣基铁系草酸盐化学键合材料及其用途,该材料的原料组成及重量份为铜渣300~700份、草酸或酸式草酸盐100~200份、调凝材料6~14份;该材料具有凝固速度快、粘结力强、耐久性好等优越性能;在作为固化含砷废渣的基体材料中能有效的固化/稳定化含砷废渣,解决含砷废渣引起的环境污染问题。
两步法退火制备钽钪酸铅基铁电薄膜的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
一种两步法退火制备钽钪酸铅基铁电薄膜的方法,工艺步骤包括制备过渡层、制备钽钪酸铅基铁电薄膜、钽钪酸铅基铁电薄膜的退火处理;钽钪酸铅基铁电薄膜的退火处理是将钽钪酸铅基铁电薄膜放入退火炉内,在氧气流中以40℃/秒的升温速率升温至800℃~850℃后即刻停止加热,使其随炉冷却至500℃~600℃保温3分钟~5分钟,然后随炉冷却至室温。采用上述方法制备的钽钪酸铅基铁电薄膜钙钛矿相纯度可达100%,结晶性能好,表面均方根粗糙度较低,而且还具有剩余极化强度高和高度择优取向的特点。
一种K0.5Na0.5NbO3基铁电压电单晶及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明的目的是提供一种K0.5Na0.5NbO3基铁电压电单晶,所述K0.5Na0.5NbO3基铁电压电单晶以Li2CO3、Bi2O3和MnO2作为掺杂原料,以K0.5Na0.5NbO3为主体材料组成,化学式为:xMnO2‑(1–x)(99.6K0.5Na0.5NbO3‑0.4LiBiO3),其中0≤x≤0.005。 将所用原料Na2CO3。
一种磁卡效应的Ni‑Mn基铁磁形状记忆合金与压电体复合材料及应用
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一种具备电场调控磁卡效应的Ni‑Mn基铁磁形状记忆合金/压电体复合材料,由Ni‑Mn基铁磁形状记忆合金与压电体组成;压电材料为Pb(Zr,Ti)O3(PZT)或0.7Pb(Mn1/3Nb2/3)O3‑0.3PbTiO3(PMN‑PT);Ni‑Mn基铁磁形状记忆合金的分子式是Ni‑Co‑Mn‑In,Ni‑Mn‑In,Ni‑Mn‑Sn,Ni‑Mn‑Co‑Sn;二种材料均是片状材料贴合成复合材料,铁磁形状记忆合金的厚度为20‑50um的快淬薄带叠合成1‑2mm或为1‑2mm的块材,压电体厚度为0.4‑0.8mm。
一种新型铁电氧化钒复合薄膜及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及光电传感器技术领域,特别涉及一种用于红外热成像传感器以及THz图像传感器的铁电氧化钒复合薄膜F_VOx及其制备方法,该铁电氧化钒复合薄膜是由氧化钒薄膜和金属铌或者铌基铁电材料薄膜复合而成的铌基铁电-氧化钒双层复合薄膜。本发明首次利用金属铌和铌基铁电薄膜材料优异的热传导、热吸收性能,提升氧化钒薄膜的热量吸收率,使铁电氧化钒复合薄膜F_VOx的温度电阻系数提高到3.8~4.2%/K,有效解决了小面阵高TCR的问题且避免了传统掺杂工艺对氧化钒薄膜产生的负面影响,将其应用于传感器可全面提升红外热成像、太赫兹图像传感器的性能。
找到7项技术成果数据。
找技术 >一种铁电氧化钒复合薄膜及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及光电传感器技术领域,特别涉及一种用于红外热成像传感器以及THz图像传感器的铁电氧化钒复合薄膜F_VOx及其制备方法,该铁电氧化钒复合薄膜是由氧化钒薄膜和金属铌或者铌基铁电材料薄膜复合而成的铌基铁电‑氧化钒双层复合薄膜。本发明首次利用金属铌和铌基铁电薄膜材料优异的热传导、热吸收性能,提升氧化钒薄膜的热量吸收率,使铁电氧化钒复合薄膜F_VOx的温度电阻系数提高到3.8~4.2%/K,有效解决了小面阵高TCR的问题且避免了传统掺杂工艺对氧化钒薄膜产生的负面影响,将其应用于传感器可全面提升红外热成像、太赫兹图像传感器的性能。
一种Ni-Mn基铁磁形状记忆合金/压电体复合材料及电场调控自旋翻转的应用
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
一种Ni-Mn基铁磁形状记忆合金/压电体复合材料,Ni-Mn基铁磁形状记忆合金与压电材料构成复合材料;压电材料为PMN-PT单晶;Ni-Mn基铁磁形状记忆合金的分子式是Ni-Mn-Sn,二种材料均是片状材料贴合成复合材料,铁磁形状记忆合金的厚度为20-50μm的快淬薄带叠合成1-2mm或为1-2mm的块材,压电体厚度为0.5mm。本发明利用压电体产生的应力调节Ni-Mn基记忆合金反铁磁和铁磁的界面耦合,通过电场调控的交换偏置效应在零偏置场实现了电场调控的自旋翻转。
一种铜渣基铁系草酸盐化学键合材料及其用途
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种铜渣基铁系草酸盐化学键合材料及其用途,该材料的原料组成及重量份为铜渣300~700份、草酸或酸式草酸盐100~200份、调凝材料6~14份;该材料具有凝固速度快、粘结力强、耐久性好等优越性能;在作为固化含砷废渣的基体材料中能有效的固化/稳定化含砷废渣,解决含砷废渣引起的环境污染问题。
两步法退火制备钽钪酸铅基铁电薄膜的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
一种两步法退火制备钽钪酸铅基铁电薄膜的方法,工艺步骤包括制备过渡层、制备钽钪酸铅基铁电薄膜、钽钪酸铅基铁电薄膜的退火处理;钽钪酸铅基铁电薄膜的退火处理是将钽钪酸铅基铁电薄膜放入退火炉内,在氧气流中以40℃/秒的升温速率升温至800℃~850℃后即刻停止加热,使其随炉冷却至500℃~600℃保温3分钟~5分钟,然后随炉冷却至室温。采用上述方法制备的钽钪酸铅基铁电薄膜钙钛矿相纯度可达100%,结晶性能好,表面均方根粗糙度较低,而且还具有剩余极化强度高和高度择优取向的特点。
一种K0.5Na0.5NbO3基铁电压电单晶及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明的目的是提供一种K0.5Na0.5NbO3基铁电压电单晶,所述K0.5Na0.5NbO3基铁电压电单晶以Li2CO3、Bi2O3和MnO2作为掺杂原料,以K0.5Na0.5NbO3为主体材料组成,化学式为:xMnO2‑(1–x)(99.6K0.5Na0.5NbO3‑0.4LiBiO3),其中0≤x≤0.005。 将所用原料Na2CO3。
一种磁卡效应的Ni‑Mn基铁磁形状记忆合金与压电体复合材料及应用
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
一种具备电场调控磁卡效应的Ni‑Mn基铁磁形状记忆合金/压电体复合材料,由Ni‑Mn基铁磁形状记忆合金与压电体组成;压电材料为Pb(Zr,Ti)O3(PZT)或0.7Pb(Mn1/3Nb2/3)O3‑0.3PbTiO3(PMN‑PT);Ni‑Mn基铁磁形状记忆合金的分子式是Ni‑Co‑Mn‑In,Ni‑Mn‑In,Ni‑Mn‑Sn,Ni‑Mn‑Co‑Sn;二种材料均是片状材料贴合成复合材料,铁磁形状记忆合金的厚度为20‑50um的快淬薄带叠合成1‑2mm或为1‑2mm的块材,压电体厚度为0.4‑0.8mm。
一种新型铁电氧化钒复合薄膜及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及光电传感器技术领域,特别涉及一种用于红外热成像传感器以及THz图像传感器的铁电氧化钒复合薄膜F_VOx及其制备方法,该铁电氧化钒复合薄膜是由氧化钒薄膜和金属铌或者铌基铁电材料薄膜复合而成的铌基铁电-氧化钒双层复合薄膜。本发明首次利用金属铌和铌基铁电薄膜材料优异的热传导、热吸收性能,提升氧化钒薄膜的热量吸收率,使铁电氧化钒复合薄膜F_VOx的温度电阻系数提高到3.8~4.2%/K,有效解决了小面阵高TCR的问题且避免了传统掺杂工艺对氧化钒薄膜产生的负面影响,将其应用于传感器可全面提升红外热成像、太赫兹图像传感器的性能。
找到7项技术成果数据。
找技术 >一种铁电氧化钒复合薄膜及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及光电传感器技术领域,特别涉及一种用于红外热成像传感器以及THz图像传感器的铁电氧化钒复合薄膜F_VOx及其制备方法,该铁电氧化钒复合薄膜是由氧化钒薄膜和金属铌或者铌基铁电材料薄膜复合而成的铌基铁电‑氧化钒双层复合薄膜。本发明首次利用金属铌和铌基铁电薄膜材料优异的热传导、热吸收性能,提升氧化钒薄膜的热量吸收率,使铁电氧化钒复合薄膜F_VOx的温度电阻系数提高到3.8~4.2%/K,有效解决了小面阵高TCR的问题且避免了传统掺杂工艺对氧化钒薄膜产生的负面影响,将其应用于传感器可全面提升红外热成像、太赫兹图像传感器的性能。
一种Ni-Mn基铁磁形状记忆合金/压电体复合材料及电场调控自旋翻转的应用
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
一种Ni-Mn基铁磁形状记忆合金/压电体复合材料,Ni-Mn基铁磁形状记忆合金与压电材料构成复合材料;压电材料为PMN-PT单晶;Ni-Mn基铁磁形状记忆合金的分子式是Ni-Mn-Sn,二种材料均是片状材料贴合成复合材料,铁磁形状记忆合金的厚度为20-50μm的快淬薄带叠合成1-2mm或为1-2mm的块材,压电体厚度为0.5mm。本发明利用压电体产生的应力调节Ni-Mn基记忆合金反铁磁和铁磁的界面耦合,通过电场调控的交换偏置效应在零偏置场实现了电场调控的自旋翻转。
一种铜渣基铁系草酸盐化学键合材料及其用途
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种铜渣基铁系草酸盐化学键合材料及其用途,该材料的原料组成及重量份为铜渣300~700份、草酸或酸式草酸盐100~200份、调凝材料6~14份;该材料具有凝固速度快、粘结力强、耐久性好等优越性能;在作为固化含砷废渣的基体材料中能有效的固化/稳定化含砷废渣,解决含砷废渣引起的环境污染问题。
两步法退火制备钽钪酸铅基铁电薄膜的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
一种两步法退火制备钽钪酸铅基铁电薄膜的方法,工艺步骤包括制备过渡层、制备钽钪酸铅基铁电薄膜、钽钪酸铅基铁电薄膜的退火处理;钽钪酸铅基铁电薄膜的退火处理是将钽钪酸铅基铁电薄膜放入退火炉内,在氧气流中以40℃/秒的升温速率升温至800℃~850℃后即刻停止加热,使其随炉冷却至500℃~600℃保温3分钟~5分钟,然后随炉冷却至室温。采用上述方法制备的钽钪酸铅基铁电薄膜钙钛矿相纯度可达100%,结晶性能好,表面均方根粗糙度较低,而且还具有剩余极化强度高和高度择优取向的特点。
一种K0.5Na0.5NbO3基铁电压电单晶及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明的目的是提供一种K0.5Na0.5NbO3基铁电压电单晶,所述K0.5Na0.5NbO3基铁电压电单晶以Li2CO3、Bi2O3和MnO2作为掺杂原料,以K0.5Na0.5NbO3为主体材料组成,化学式为:xMnO2‑(1–x)(99.6K0.5Na0.5NbO3‑0.4LiBiO3),其中0≤x≤0.005。 将所用原料Na2CO3。
一种磁卡效应的Ni‑Mn基铁磁形状记忆合金与压电体复合材料及应用
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
一种具备电场调控磁卡效应的Ni‑Mn基铁磁形状记忆合金/压电体复合材料,由Ni‑Mn基铁磁形状记忆合金与压电体组成;压电材料为Pb(Zr,Ti)O3(PZT)或0.7Pb(Mn1/3Nb2/3)O3‑0.3PbTiO3(PMN‑PT);Ni‑Mn基铁磁形状记忆合金的分子式是Ni‑Co‑Mn‑In,Ni‑Mn‑In,Ni‑Mn‑Sn,Ni‑Mn‑Co‑Sn;二种材料均是片状材料贴合成复合材料,铁磁形状记忆合金的厚度为20‑50um的快淬薄带叠合成1‑2mm或为1‑2mm的块材,压电体厚度为0.4‑0.8mm。
一种新型铁电氧化钒复合薄膜及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及光电传感器技术领域,特别涉及一种用于红外热成像传感器以及THz图像传感器的铁电氧化钒复合薄膜F_VOx及其制备方法,该铁电氧化钒复合薄膜是由氧化钒薄膜和金属铌或者铌基铁电材料薄膜复合而成的铌基铁电-氧化钒双层复合薄膜。本发明首次利用金属铌和铌基铁电薄膜材料优异的热传导、热吸收性能,提升氧化钒薄膜的热量吸收率,使铁电氧化钒复合薄膜F_VOx的温度电阻系数提高到3.8~4.2%/K,有效解决了小面阵高TCR的问题且避免了传统掺杂工艺对氧化钒薄膜产生的负面影响,将其应用于传感器可全面提升红外热成像、太赫兹图像传感器的性能。
找到7项技术成果数据。
找技术 >一种铁电氧化钒复合薄膜及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及光电传感器技术领域,特别涉及一种用于红外热成像传感器以及THz图像传感器的铁电氧化钒复合薄膜F_VOx及其制备方法,该铁电氧化钒复合薄膜是由氧化钒薄膜和金属铌或者铌基铁电材料薄膜复合而成的铌基铁电‑氧化钒双层复合薄膜。本发明首次利用金属铌和铌基铁电薄膜材料优异的热传导、热吸收性能,提升氧化钒薄膜的热量吸收率,使铁电氧化钒复合薄膜F_VOx的温度电阻系数提高到3.8~4.2%/K,有效解决了小面阵高TCR的问题且避免了传统掺杂工艺对氧化钒薄膜产生的负面影响,将其应用于传感器可全面提升红外热成像、太赫兹图像传感器的性能。
一种Ni-Mn基铁磁形状记忆合金/压电体复合材料及电场调控自旋翻转的应用
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
一种Ni-Mn基铁磁形状记忆合金/压电体复合材料,Ni-Mn基铁磁形状记忆合金与压电材料构成复合材料;压电材料为PMN-PT单晶;Ni-Mn基铁磁形状记忆合金的分子式是Ni-Mn-Sn,二种材料均是片状材料贴合成复合材料,铁磁形状记忆合金的厚度为20-50μm的快淬薄带叠合成1-2mm或为1-2mm的块材,压电体厚度为0.5mm。本发明利用压电体产生的应力调节Ni-Mn基记忆合金反铁磁和铁磁的界面耦合,通过电场调控的交换偏置效应在零偏置场实现了电场调控的自旋翻转。
一种铜渣基铁系草酸盐化学键合材料及其用途
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种铜渣基铁系草酸盐化学键合材料及其用途,该材料的原料组成及重量份为铜渣300~700份、草酸或酸式草酸盐100~200份、调凝材料6~14份;该材料具有凝固速度快、粘结力强、耐久性好等优越性能;在作为固化含砷废渣的基体材料中能有效的固化/稳定化含砷废渣,解决含砷废渣引起的环境污染问题。
两步法退火制备钽钪酸铅基铁电薄膜的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
一种两步法退火制备钽钪酸铅基铁电薄膜的方法,工艺步骤包括制备过渡层、制备钽钪酸铅基铁电薄膜、钽钪酸铅基铁电薄膜的退火处理;钽钪酸铅基铁电薄膜的退火处理是将钽钪酸铅基铁电薄膜放入退火炉内,在氧气流中以40℃/秒的升温速率升温至800℃~850℃后即刻停止加热,使其随炉冷却至500℃~600℃保温3分钟~5分钟,然后随炉冷却至室温。采用上述方法制备的钽钪酸铅基铁电薄膜钙钛矿相纯度可达100%,结晶性能好,表面均方根粗糙度较低,而且还具有剩余极化强度高和高度择优取向的特点。
一种K0.5Na0.5NbO3基铁电压电单晶及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明的目的是提供一种K0.5Na0.5NbO3基铁电压电单晶,所述K0.5Na0.5NbO3基铁电压电单晶以Li2CO3、Bi2O3和MnO2作为掺杂原料,以K0.5Na0.5NbO3为主体材料组成,化学式为:xMnO2‑(1–x)(99.6K0.5Na0.5NbO3‑0.4LiBiO3),其中0≤x≤0.005。 将所用原料Na2CO3。
一种磁卡效应的Ni‑Mn基铁磁形状记忆合金与压电体复合材料及应用
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
一种具备电场调控磁卡效应的Ni‑Mn基铁磁形状记忆合金/压电体复合材料,由Ni‑Mn基铁磁形状记忆合金与压电体组成;压电材料为Pb(Zr,Ti)O3(PZT)或0.7Pb(Mn1/3Nb2/3)O3‑0.3PbTiO3(PMN‑PT);Ni‑Mn基铁磁形状记忆合金的分子式是Ni‑Co‑Mn‑In,Ni‑Mn‑In,Ni‑Mn‑Sn,Ni‑Mn‑Co‑Sn;二种材料均是片状材料贴合成复合材料,铁磁形状记忆合金的厚度为20‑50um的快淬薄带叠合成1‑2mm或为1‑2mm的块材,压电体厚度为0.4‑0.8mm。
一种新型铁电氧化钒复合薄膜及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及光电传感器技术领域,特别涉及一种用于红外热成像传感器以及THz图像传感器的铁电氧化钒复合薄膜F_VOx及其制备方法,该铁电氧化钒复合薄膜是由氧化钒薄膜和金属铌或者铌基铁电材料薄膜复合而成的铌基铁电-氧化钒双层复合薄膜。本发明首次利用金属铌和铌基铁电薄膜材料优异的热传导、热吸收性能,提升氧化钒薄膜的热量吸收率,使铁电氧化钒复合薄膜F_VOx的温度电阻系数提高到3.8~4.2%/K,有效解决了小面阵高TCR的问题且避免了传统掺杂工艺对氧化钒薄膜产生的负面影响,将其应用于传感器可全面提升红外热成像、太赫兹图像传感器的性能。