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找技术 >大尺寸均匀单层MoS2可控制备
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
p 单层半导体性过渡族金属硫属化合物(MX2: MoS2, WS2等)是继石墨烯之后备受关注的二维层 状材料。该类材料具有优异的电学性质、强的光物相 互作用、高效的催化特性等优点,在光电子学器件、 传感器件、电催化产氢等领域具有非常广阔的应用前 景。单层MX2材料的批量制备和高品质转移是关键 的科学问题。现有方法仍面临着诸多重大挑战,例如, 难以实现晶圆尺寸的层数均匀性、单晶畴区小、生长 速度缓慢、生长衬底价格昂贵、转移过程复杂、容易 引入污染物等。北京大学研发课题组是国内较早开展相关研究的 课题组之一,在单层MX2材料的可控制备、精密表征 和电催化产氢应用方面取得了一系列重要进展:基于 范德华外延的机理,他们在晶格匹配的云母基底上首 次获得了厘米尺度均匀的单层MoS2 (Nano Lett. 13, 3870 (2013)):在蓝宝石上获得了大畴区单层WS2 (ACS Nano 7, 8963 (2013));发展了一种新型的 金属性箔材(Au箔)基底,实现了畴区尺寸可调单层 M0S2的制备,借助STM/STS表征技术建立起了材 料原子尺度的形貌/缺陷态、电子结构和电催化析氢 之间的构效关系。最近课题组在大尺寸均匀M0S2的批量制备以及“绿色”转移方面取得重要进展。他们选 用廉价易得的普通玻璃作为基底,创新性地采用Mo箔 作为金属源(与S粉共同作为前驱体),采用“ face-to- face "的金属前驱体供给方式,实现了前驱体在样品上 下游的均匀供应,使得样品尺寸可以得到最大限度的放 大(仅受限于炉体尺寸),获得了对角线长度可达6英寸 的均匀单层MoS2;结合DFT理论计算和系统的实验结 果发现,玻璃基底上微量的Na对材料生长起到明显的 促进作用,Na倾向于吸附在MoS2畴区的边缘,起到显 著降低MoS2拼接生长能垒的作用,从而促进其快速生 长。获取满覆盖单层样品的生长时间仅为8min,单晶 畴区边缘尺寸可达0.5mmo此外,课题组利用玻璃基底 的亲水特性,发展了一种无刻蚀的、仅利用超纯水辅助 的“绿色”转移方法。该方法适用于晶圆尺寸样品的快 速转移,且具有操作简单,转移样品质量高等明显优势。 该工作提出了利用廉价的普通玻璃基底来制备大面积、 晶圆尺寸均匀、大畴区单层M0S2的新方法/新途径, 并深入分析了其生长机制,为相关二维材料的批量制备 和高效转移提供了重要的实验依据,对于推动该类材料 的实际应用具有非常重要的意义。 /p
一种大尺寸过共晶高硅铝合金坯料及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:采矿业
技术简介
一种大尺寸过共晶高硅铝合金坯料,其特征在于所述合金坯料的横截面积在600~150000mm2;合金中Si的含量在13.5~30%重量;具有均匀细小的微观组织结构,Si颗粒弥散分布且平均尺寸5μm。在不添加任何变质剂的前提下,采用半连续铸造方法制备锭坯,经过后续热处理进行Si颗粒离散化,Si颗粒尺寸可通过热处理工艺调控。本发明方法可以低成本地获取大尺寸并且具有优良的精细微观结构和良好性能的过共晶高硅铝合金。
大尺寸氟硼铍酸钾晶体及其水热法生长与变频器件
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
大尺寸氟硼铍酸钾晶体及其水热法生长与变频器件,涉及人工晶体领域。用水热法生长氟硼铍酸钾晶体,该方法选用的矿化剂为氢氧化物或碳酸盐或卤化物或硼酸盐或硼酸或它们任意组合的混合物。本发明采用水热法生长KBBF晶体,完全克服了晶体层状生长习性,晶体实现有晶面的块状生长,晶体厚度尺寸超过5毫米。
一种大尺寸石英玻璃精密气氛调节退火炉
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本实用新型提供一种大尺寸石英玻璃精密气氛调节退火炉,包括:支架、炉体、底座、驱动装置、气氛调节系统和温度控制系统。炉体安置在支架上且其内部中空形成炉膛,炉膛内壁设有加热层,加热层之外设有保温层;底座置于炉体的正下方,底座上依次设有保温层、加热层以及主轴,主轴的上端连接有托盘;驱动装置连接底座和主轴,驱动主轴旋转以及驱动底座沿支架垂向滑动;气氛调节系统包括设置于炉体上的进气通道和出气通道,进气通道上设有压力、流量调节器;温度控制系统包括多个分散设置于炉膛内壁的热电偶以及控制器。本实用新型可对直径600-700mm的石英玻璃进行精密退火,并制备结构浓度不同的石英玻璃,同时退火后应力双折射值达Ⅰ-Ⅱ类的要求。
一种大尺寸储能介质陶瓷的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:一种大尺寸储能介质陶瓷的制备方法。该陶瓷由陶瓷原料和硼硅酸盐玻璃粉制成,制备步骤依次为:干法搅拌配制用于制备硼硅酸盐玻璃粉的混合粉料;混合粉料高温熔炼及水淬制备硼硅酸盐玻璃粉;湿法球磨获得由陶瓷原料和硼硅酸盐玻璃粉混合组成的水基料浆,其中陶瓷原料为CaTiO3、BaTiO3、SrTiO3、SrZrO3、PZT、PbTiO3、TiO2粉体中的一种或几种,水基料浆中硼硅酸盐玻璃粉量为固体料质量的0.5%-10%;将水基料浆喷雾造粒,制备球形颗粒;冷等静压成型为大尺寸陶瓷素坯;将陶瓷素坯进行机械加工后在1150-1400℃下烧结,即得到大尺寸储能介质陶瓷。本法制得的大尺寸储能介质陶瓷致密度高,变形小,其介电常数为80-2000,耐压大于30千伏/厘米,可用作脉冲形成线及其它高压系统的储能介质。
晶体材料大尺寸、定晶向放电切割技术
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
近年来,在国家自然基金、江苏省自然基金、航空基金以及国防预研、国家新能源产业化专项、江苏省科技成果转化等项目资助下,本课题组进行了在半导体晶体材料加工上实现了大尺寸(600mm)、高尺寸精度(5μm)、定晶向(0.3分)、低损耗、低成本的集成技术优势,成为国内外首个在半导体晶体放电切割上实现重大突破和技术应用的研究团队,多项研究成果已经获得或即将获得重要应用。 本课题组在特种加工、微细加工、激光加工、再制造等方面开展了多年的研究工作,其中在电火花线切割加工工艺、电火花加工工艺、半导体放电加工机理、半导体硅片电火花线切割等方面取得了一系列的成果。 晶体材料大尺寸、定晶向放电切割技术基于特种加工领域先进放电切割技术,在以下三个方面实现了突破,具有高精度、大尺寸、低成本等特点。具体包括:(1)大尺寸半导体晶体放电切割技术;(2)大尺寸晶体定晶向放电切割技术;(3)大尺寸硅基复合材料放电切割技术。
大尺寸多频段应用BiLuIG单晶薄膜材料
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本项目共包括8项授权专利,另有20余项专利正处于公开阶段。项目主要创新点为:(1)提出了一种Bi+Lu共掺杂新配方,实现了在传统GGG衬底上外延出具有大法拉第效应的BiLuIG石榴石单晶薄膜材料。(2)提出了"缓冲法"技术,克服了无铅液相外延工艺中熔体粘度偏高,薄膜均匀性差的难题,成功制备出3英寸的高质量单晶BiLuIG薄膜材料,厚度可达20微米以上,其法拉第效应是含铅工艺制备材料的10倍。项目总体达到国际先进水平,其中在Bi+Lu共掺杂材料设计和无铅液相外延技术方面达到国际领先水平
大尺寸硼酸钠钒非线性光学晶体及制备方法和用途
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种大尺寸硼酸钠钒非线性光学晶体及制备方法和用途,该晶体分子式为:Na 3 B 6 VO 13 ,属于正交晶系,分子量为392.77,晶体尺寸为10-60mm×10-60mm×10-60mm,莫氏硬度为5.5;采用将硼酸钠钒化合物与助熔剂混匀,加热,恒温,在冷却到饱和温度得到混合溶液,将籽晶放入混合溶液中,降温至饱和温度,得到所需晶体,将晶体提离液面,降至室温,即可得到大尺寸硼酸钠钒非线性光学晶体。该晶体非线性光学效应为KDP晶体的1/2倍,透光波段375nm至3000nm。该晶体具有操作简单,成本低,所制晶体尺寸大,生长周期短,包裹体少,激光损伤阈值高,机械性能好,不易碎裂,物化性质稳定,不潮解,易加工、保存等优点。本发明的非线性光学晶体在倍频转换、光参量振荡器等非线性光学器件中可以得到广泛应用。
一种大尺寸高强耐热镁合金厚板的锻造成形工艺
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种大尺寸高强耐热镁合金厚板的锻造成形工艺(专利号201410022000.1),为制备厚度≥150mm镁合金厚板提供一种锻造成形工艺。具体步骤为:大炉熔炼、半连续铸造、均匀化退火、变温多向锻造、快锻成形和成形后热处理,其中变温多向锻造在油压机上进行,锻造前500-530℃保温锭坯4-6h、压下速度200-400mm/min、镦粗道次压下量30-50%、拔长道次压下量5-10%,快锻成形在空气锤上进行,快锻前480-500℃保温锭坯2-4h。该工艺充分发挥镁合金高温塑性,显著提高其使用性能。厚板200℃时长向、宽向、高向抗拉强度≥330MPa、伸长率≥8%。
一种稀土镁合金大尺寸高强锻件的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
p 摘要:一种稀土镁合金大尺寸高强锻件的制备方法,包括熔炼铸造获得稀土镁合金铸锭的步骤,对稀土镁合金铸锭进行均匀化退火处理的步骤;对均匀化退火后的稀土镁合金铸锭进行热挤压制备锻坯的步骤;以及对热挤压制备的锻坯进行锻造,获得稀土镁合金锻件的步骤,本发明中的制备方法使合金的铸造态组织得到显著细化,改善了稀土镁合金的热加工工艺塑性,降低了锻坯在锻造过程中开裂的几率,提高了大尺寸稀土镁合金锻件的成品率。 /p
找到45项技术成果数据。
找技术 >大尺寸均匀单层MoS2可控制备
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
p 单层半导体性过渡族金属硫属化合物(MX2: MoS2, WS2等)是继石墨烯之后备受关注的二维层 状材料。该类材料具有优异的电学性质、强的光物相 互作用、高效的催化特性等优点,在光电子学器件、 传感器件、电催化产氢等领域具有非常广阔的应用前 景。单层MX2材料的批量制备和高品质转移是关键 的科学问题。现有方法仍面临着诸多重大挑战,例如, 难以实现晶圆尺寸的层数均匀性、单晶畴区小、生长 速度缓慢、生长衬底价格昂贵、转移过程复杂、容易 引入污染物等。北京大学研发课题组是国内较早开展相关研究的 课题组之一,在单层MX2材料的可控制备、精密表征 和电催化产氢应用方面取得了一系列重要进展:基于 范德华外延的机理,他们在晶格匹配的云母基底上首 次获得了厘米尺度均匀的单层MoS2 (Nano Lett. 13, 3870 (2013)):在蓝宝石上获得了大畴区单层WS2 (ACS Nano 7, 8963 (2013));发展了一种新型的 金属性箔材(Au箔)基底,实现了畴区尺寸可调单层 M0S2的制备,借助STM/STS表征技术建立起了材 料原子尺度的形貌/缺陷态、电子结构和电催化析氢 之间的构效关系。最近课题组在大尺寸均匀M0S2的批量制备以及“绿色”转移方面取得重要进展。他们选 用廉价易得的普通玻璃作为基底,创新性地采用Mo箔 作为金属源(与S粉共同作为前驱体),采用“ face-to- face "的金属前驱体供给方式,实现了前驱体在样品上 下游的均匀供应,使得样品尺寸可以得到最大限度的放 大(仅受限于炉体尺寸),获得了对角线长度可达6英寸 的均匀单层MoS2;结合DFT理论计算和系统的实验结 果发现,玻璃基底上微量的Na对材料生长起到明显的 促进作用,Na倾向于吸附在MoS2畴区的边缘,起到显 著降低MoS2拼接生长能垒的作用,从而促进其快速生 长。获取满覆盖单层样品的生长时间仅为8min,单晶 畴区边缘尺寸可达0.5mmo此外,课题组利用玻璃基底 的亲水特性,发展了一种无刻蚀的、仅利用超纯水辅助 的“绿色”转移方法。该方法适用于晶圆尺寸样品的快 速转移,且具有操作简单,转移样品质量高等明显优势。 该工作提出了利用廉价的普通玻璃基底来制备大面积、 晶圆尺寸均匀、大畴区单层M0S2的新方法/新途径, 并深入分析了其生长机制,为相关二维材料的批量制备 和高效转移提供了重要的实验依据,对于推动该类材料 的实际应用具有非常重要的意义。 /p
一种大尺寸过共晶高硅铝合金坯料及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:采矿业
技术简介
一种大尺寸过共晶高硅铝合金坯料,其特征在于所述合金坯料的横截面积在600~150000mm2;合金中Si的含量在13.5~30%重量;具有均匀细小的微观组织结构,Si颗粒弥散分布且平均尺寸5μm。在不添加任何变质剂的前提下,采用半连续铸造方法制备锭坯,经过后续热处理进行Si颗粒离散化,Si颗粒尺寸可通过热处理工艺调控。本发明方法可以低成本地获取大尺寸并且具有优良的精细微观结构和良好性能的过共晶高硅铝合金。
大尺寸氟硼铍酸钾晶体及其水热法生长与变频器件
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
大尺寸氟硼铍酸钾晶体及其水热法生长与变频器件,涉及人工晶体领域。用水热法生长氟硼铍酸钾晶体,该方法选用的矿化剂为氢氧化物或碳酸盐或卤化物或硼酸盐或硼酸或它们任意组合的混合物。本发明采用水热法生长KBBF晶体,完全克服了晶体层状生长习性,晶体实现有晶面的块状生长,晶体厚度尺寸超过5毫米。
一种大尺寸石英玻璃精密气氛调节退火炉
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本实用新型提供一种大尺寸石英玻璃精密气氛调节退火炉,包括:支架、炉体、底座、驱动装置、气氛调节系统和温度控制系统。炉体安置在支架上且其内部中空形成炉膛,炉膛内壁设有加热层,加热层之外设有保温层;底座置于炉体的正下方,底座上依次设有保温层、加热层以及主轴,主轴的上端连接有托盘;驱动装置连接底座和主轴,驱动主轴旋转以及驱动底座沿支架垂向滑动;气氛调节系统包括设置于炉体上的进气通道和出气通道,进气通道上设有压力、流量调节器;温度控制系统包括多个分散设置于炉膛内壁的热电偶以及控制器。本实用新型可对直径600-700mm的石英玻璃进行精密退火,并制备结构浓度不同的石英玻璃,同时退火后应力双折射值达Ⅰ-Ⅱ类的要求。
一种大尺寸储能介质陶瓷的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:一种大尺寸储能介质陶瓷的制备方法。该陶瓷由陶瓷原料和硼硅酸盐玻璃粉制成,制备步骤依次为:干法搅拌配制用于制备硼硅酸盐玻璃粉的混合粉料;混合粉料高温熔炼及水淬制备硼硅酸盐玻璃粉;湿法球磨获得由陶瓷原料和硼硅酸盐玻璃粉混合组成的水基料浆,其中陶瓷原料为CaTiO3、BaTiO3、SrTiO3、SrZrO3、PZT、PbTiO3、TiO2粉体中的一种或几种,水基料浆中硼硅酸盐玻璃粉量为固体料质量的0.5%-10%;将水基料浆喷雾造粒,制备球形颗粒;冷等静压成型为大尺寸陶瓷素坯;将陶瓷素坯进行机械加工后在1150-1400℃下烧结,即得到大尺寸储能介质陶瓷。本法制得的大尺寸储能介质陶瓷致密度高,变形小,其介电常数为80-2000,耐压大于30千伏/厘米,可用作脉冲形成线及其它高压系统的储能介质。
晶体材料大尺寸、定晶向放电切割技术
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
近年来,在国家自然基金、江苏省自然基金、航空基金以及国防预研、国家新能源产业化专项、江苏省科技成果转化等项目资助下,本课题组进行了在半导体晶体材料加工上实现了大尺寸(600mm)、高尺寸精度(5μm)、定晶向(0.3分)、低损耗、低成本的集成技术优势,成为国内外首个在半导体晶体放电切割上实现重大突破和技术应用的研究团队,多项研究成果已经获得或即将获得重要应用。 本课题组在特种加工、微细加工、激光加工、再制造等方面开展了多年的研究工作,其中在电火花线切割加工工艺、电火花加工工艺、半导体放电加工机理、半导体硅片电火花线切割等方面取得了一系列的成果。 晶体材料大尺寸、定晶向放电切割技术基于特种加工领域先进放电切割技术,在以下三个方面实现了突破,具有高精度、大尺寸、低成本等特点。具体包括:(1)大尺寸半导体晶体放电切割技术;(2)大尺寸晶体定晶向放电切割技术;(3)大尺寸硅基复合材料放电切割技术。
大尺寸多频段应用BiLuIG单晶薄膜材料
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本项目共包括8项授权专利,另有20余项专利正处于公开阶段。项目主要创新点为:(1)提出了一种Bi+Lu共掺杂新配方,实现了在传统GGG衬底上外延出具有大法拉第效应的BiLuIG石榴石单晶薄膜材料。(2)提出了"缓冲法"技术,克服了无铅液相外延工艺中熔体粘度偏高,薄膜均匀性差的难题,成功制备出3英寸的高质量单晶BiLuIG薄膜材料,厚度可达20微米以上,其法拉第效应是含铅工艺制备材料的10倍。项目总体达到国际先进水平,其中在Bi+Lu共掺杂材料设计和无铅液相外延技术方面达到国际领先水平
大尺寸硼酸钠钒非线性光学晶体及制备方法和用途
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种大尺寸硼酸钠钒非线性光学晶体及制备方法和用途,该晶体分子式为:Na 3 B 6 VO 13 ,属于正交晶系,分子量为392.77,晶体尺寸为10-60mm×10-60mm×10-60mm,莫氏硬度为5.5;采用将硼酸钠钒化合物与助熔剂混匀,加热,恒温,在冷却到饱和温度得到混合溶液,将籽晶放入混合溶液中,降温至饱和温度,得到所需晶体,将晶体提离液面,降至室温,即可得到大尺寸硼酸钠钒非线性光学晶体。该晶体非线性光学效应为KDP晶体的1/2倍,透光波段375nm至3000nm。该晶体具有操作简单,成本低,所制晶体尺寸大,生长周期短,包裹体少,激光损伤阈值高,机械性能好,不易碎裂,物化性质稳定,不潮解,易加工、保存等优点。本发明的非线性光学晶体在倍频转换、光参量振荡器等非线性光学器件中可以得到广泛应用。
一种大尺寸高强耐热镁合金厚板的锻造成形工艺
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种大尺寸高强耐热镁合金厚板的锻造成形工艺(专利号201410022000.1),为制备厚度≥150mm镁合金厚板提供一种锻造成形工艺。具体步骤为:大炉熔炼、半连续铸造、均匀化退火、变温多向锻造、快锻成形和成形后热处理,其中变温多向锻造在油压机上进行,锻造前500-530℃保温锭坯4-6h、压下速度200-400mm/min、镦粗道次压下量30-50%、拔长道次压下量5-10%,快锻成形在空气锤上进行,快锻前480-500℃保温锭坯2-4h。该工艺充分发挥镁合金高温塑性,显著提高其使用性能。厚板200℃时长向、宽向、高向抗拉强度≥330MPa、伸长率≥8%。
一种稀土镁合金大尺寸高强锻件的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
p 摘要:一种稀土镁合金大尺寸高强锻件的制备方法,包括熔炼铸造获得稀土镁合金铸锭的步骤,对稀土镁合金铸锭进行均匀化退火处理的步骤;对均匀化退火后的稀土镁合金铸锭进行热挤压制备锻坯的步骤;以及对热挤压制备的锻坯进行锻造,获得稀土镁合金锻件的步骤,本发明中的制备方法使合金的铸造态组织得到显著细化,改善了稀土镁合金的热加工工艺塑性,降低了锻坯在锻造过程中开裂的几率,提高了大尺寸稀土镁合金锻件的成品率。 /p
找到45项技术成果数据。
找技术 >大尺寸均匀单层MoS2可控制备
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
p 单层半导体性过渡族金属硫属化合物(MX2: MoS2, WS2等)是继石墨烯之后备受关注的二维层 状材料。该类材料具有优异的电学性质、强的光物相 互作用、高效的催化特性等优点,在光电子学器件、 传感器件、电催化产氢等领域具有非常广阔的应用前 景。单层MX2材料的批量制备和高品质转移是关键 的科学问题。现有方法仍面临着诸多重大挑战,例如, 难以实现晶圆尺寸的层数均匀性、单晶畴区小、生长 速度缓慢、生长衬底价格昂贵、转移过程复杂、容易 引入污染物等。北京大学研发课题组是国内较早开展相关研究的 课题组之一,在单层MX2材料的可控制备、精密表征 和电催化产氢应用方面取得了一系列重要进展:基于 范德华外延的机理,他们在晶格匹配的云母基底上首 次获得了厘米尺度均匀的单层MoS2 (Nano Lett. 13, 3870 (2013)):在蓝宝石上获得了大畴区单层WS2 (ACS Nano 7, 8963 (2013));发展了一种新型的 金属性箔材(Au箔)基底,实现了畴区尺寸可调单层 M0S2的制备,借助STM/STS表征技术建立起了材 料原子尺度的形貌/缺陷态、电子结构和电催化析氢 之间的构效关系。最近课题组在大尺寸均匀M0S2的批量制备以及“绿色”转移方面取得重要进展。他们选 用廉价易得的普通玻璃作为基底,创新性地采用Mo箔 作为金属源(与S粉共同作为前驱体),采用“ face-to- face "的金属前驱体供给方式,实现了前驱体在样品上 下游的均匀供应,使得样品尺寸可以得到最大限度的放 大(仅受限于炉体尺寸),获得了对角线长度可达6英寸 的均匀单层MoS2;结合DFT理论计算和系统的实验结 果发现,玻璃基底上微量的Na对材料生长起到明显的 促进作用,Na倾向于吸附在MoS2畴区的边缘,起到显 著降低MoS2拼接生长能垒的作用,从而促进其快速生 长。获取满覆盖单层样品的生长时间仅为8min,单晶 畴区边缘尺寸可达0.5mmo此外,课题组利用玻璃基底 的亲水特性,发展了一种无刻蚀的、仅利用超纯水辅助 的“绿色”转移方法。该方法适用于晶圆尺寸样品的快 速转移,且具有操作简单,转移样品质量高等明显优势。 该工作提出了利用廉价的普通玻璃基底来制备大面积、 晶圆尺寸均匀、大畴区单层M0S2的新方法/新途径, 并深入分析了其生长机制,为相关二维材料的批量制备 和高效转移提供了重要的实验依据,对于推动该类材料 的实际应用具有非常重要的意义。 /p
一种大尺寸过共晶高硅铝合金坯料及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:采矿业
技术简介
一种大尺寸过共晶高硅铝合金坯料,其特征在于所述合金坯料的横截面积在600~150000mm2;合金中Si的含量在13.5~30%重量;具有均匀细小的微观组织结构,Si颗粒弥散分布且平均尺寸5μm。在不添加任何变质剂的前提下,采用半连续铸造方法制备锭坯,经过后续热处理进行Si颗粒离散化,Si颗粒尺寸可通过热处理工艺调控。本发明方法可以低成本地获取大尺寸并且具有优良的精细微观结构和良好性能的过共晶高硅铝合金。
大尺寸氟硼铍酸钾晶体及其水热法生长与变频器件
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
大尺寸氟硼铍酸钾晶体及其水热法生长与变频器件,涉及人工晶体领域。用水热法生长氟硼铍酸钾晶体,该方法选用的矿化剂为氢氧化物或碳酸盐或卤化物或硼酸盐或硼酸或它们任意组合的混合物。本发明采用水热法生长KBBF晶体,完全克服了晶体层状生长习性,晶体实现有晶面的块状生长,晶体厚度尺寸超过5毫米。
一种大尺寸石英玻璃精密气氛调节退火炉
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本实用新型提供一种大尺寸石英玻璃精密气氛调节退火炉,包括:支架、炉体、底座、驱动装置、气氛调节系统和温度控制系统。炉体安置在支架上且其内部中空形成炉膛,炉膛内壁设有加热层,加热层之外设有保温层;底座置于炉体的正下方,底座上依次设有保温层、加热层以及主轴,主轴的上端连接有托盘;驱动装置连接底座和主轴,驱动主轴旋转以及驱动底座沿支架垂向滑动;气氛调节系统包括设置于炉体上的进气通道和出气通道,进气通道上设有压力、流量调节器;温度控制系统包括多个分散设置于炉膛内壁的热电偶以及控制器。本实用新型可对直径600-700mm的石英玻璃进行精密退火,并制备结构浓度不同的石英玻璃,同时退火后应力双折射值达Ⅰ-Ⅱ类的要求。
一种大尺寸储能介质陶瓷的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:一种大尺寸储能介质陶瓷的制备方法。该陶瓷由陶瓷原料和硼硅酸盐玻璃粉制成,制备步骤依次为:干法搅拌配制用于制备硼硅酸盐玻璃粉的混合粉料;混合粉料高温熔炼及水淬制备硼硅酸盐玻璃粉;湿法球磨获得由陶瓷原料和硼硅酸盐玻璃粉混合组成的水基料浆,其中陶瓷原料为CaTiO3、BaTiO3、SrTiO3、SrZrO3、PZT、PbTiO3、TiO2粉体中的一种或几种,水基料浆中硼硅酸盐玻璃粉量为固体料质量的0.5%-10%;将水基料浆喷雾造粒,制备球形颗粒;冷等静压成型为大尺寸陶瓷素坯;将陶瓷素坯进行机械加工后在1150-1400℃下烧结,即得到大尺寸储能介质陶瓷。本法制得的大尺寸储能介质陶瓷致密度高,变形小,其介电常数为80-2000,耐压大于30千伏/厘米,可用作脉冲形成线及其它高压系统的储能介质。
晶体材料大尺寸、定晶向放电切割技术
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
近年来,在国家自然基金、江苏省自然基金、航空基金以及国防预研、国家新能源产业化专项、江苏省科技成果转化等项目资助下,本课题组进行了在半导体晶体材料加工上实现了大尺寸(600mm)、高尺寸精度(5μm)、定晶向(0.3分)、低损耗、低成本的集成技术优势,成为国内外首个在半导体晶体放电切割上实现重大突破和技术应用的研究团队,多项研究成果已经获得或即将获得重要应用。 本课题组在特种加工、微细加工、激光加工、再制造等方面开展了多年的研究工作,其中在电火花线切割加工工艺、电火花加工工艺、半导体放电加工机理、半导体硅片电火花线切割等方面取得了一系列的成果。 晶体材料大尺寸、定晶向放电切割技术基于特种加工领域先进放电切割技术,在以下三个方面实现了突破,具有高精度、大尺寸、低成本等特点。具体包括:(1)大尺寸半导体晶体放电切割技术;(2)大尺寸晶体定晶向放电切割技术;(3)大尺寸硅基复合材料放电切割技术。
大尺寸多频段应用BiLuIG单晶薄膜材料
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本项目共包括8项授权专利,另有20余项专利正处于公开阶段。项目主要创新点为:(1)提出了一种Bi+Lu共掺杂新配方,实现了在传统GGG衬底上外延出具有大法拉第效应的BiLuIG石榴石单晶薄膜材料。(2)提出了"缓冲法"技术,克服了无铅液相外延工艺中熔体粘度偏高,薄膜均匀性差的难题,成功制备出3英寸的高质量单晶BiLuIG薄膜材料,厚度可达20微米以上,其法拉第效应是含铅工艺制备材料的10倍。项目总体达到国际先进水平,其中在Bi+Lu共掺杂材料设计和无铅液相外延技术方面达到国际领先水平
大尺寸硼酸钠钒非线性光学晶体及制备方法和用途
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种大尺寸硼酸钠钒非线性光学晶体及制备方法和用途,该晶体分子式为:Na 3 B 6 VO 13 ,属于正交晶系,分子量为392.77,晶体尺寸为10-60mm×10-60mm×10-60mm,莫氏硬度为5.5;采用将硼酸钠钒化合物与助熔剂混匀,加热,恒温,在冷却到饱和温度得到混合溶液,将籽晶放入混合溶液中,降温至饱和温度,得到所需晶体,将晶体提离液面,降至室温,即可得到大尺寸硼酸钠钒非线性光学晶体。该晶体非线性光学效应为KDP晶体的1/2倍,透光波段375nm至3000nm。该晶体具有操作简单,成本低,所制晶体尺寸大,生长周期短,包裹体少,激光损伤阈值高,机械性能好,不易碎裂,物化性质稳定,不潮解,易加工、保存等优点。本发明的非线性光学晶体在倍频转换、光参量振荡器等非线性光学器件中可以得到广泛应用。
一种大尺寸高强耐热镁合金厚板的锻造成形工艺
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种大尺寸高强耐热镁合金厚板的锻造成形工艺(专利号201410022000.1),为制备厚度≥150mm镁合金厚板提供一种锻造成形工艺。具体步骤为:大炉熔炼、半连续铸造、均匀化退火、变温多向锻造、快锻成形和成形后热处理,其中变温多向锻造在油压机上进行,锻造前500-530℃保温锭坯4-6h、压下速度200-400mm/min、镦粗道次压下量30-50%、拔长道次压下量5-10%,快锻成形在空气锤上进行,快锻前480-500℃保温锭坯2-4h。该工艺充分发挥镁合金高温塑性,显著提高其使用性能。厚板200℃时长向、宽向、高向抗拉强度≥330MPa、伸长率≥8%。
一种稀土镁合金大尺寸高强锻件的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
p 摘要:一种稀土镁合金大尺寸高强锻件的制备方法,包括熔炼铸造获得稀土镁合金铸锭的步骤,对稀土镁合金铸锭进行均匀化退火处理的步骤;对均匀化退火后的稀土镁合金铸锭进行热挤压制备锻坯的步骤;以及对热挤压制备的锻坯进行锻造,获得稀土镁合金锻件的步骤,本发明中的制备方法使合金的铸造态组织得到显著细化,改善了稀土镁合金的热加工工艺塑性,降低了锻坯在锻造过程中开裂的几率,提高了大尺寸稀土镁合金锻件的成品率。 /p
找到45项技术成果数据。
找技术 >大尺寸均匀单层MoS2可控制备
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
p 单层半导体性过渡族金属硫属化合物(MX2: MoS2, WS2等)是继石墨烯之后备受关注的二维层 状材料。该类材料具有优异的电学性质、强的光物相 互作用、高效的催化特性等优点,在光电子学器件、 传感器件、电催化产氢等领域具有非常广阔的应用前 景。单层MX2材料的批量制备和高品质转移是关键 的科学问题。现有方法仍面临着诸多重大挑战,例如, 难以实现晶圆尺寸的层数均匀性、单晶畴区小、生长 速度缓慢、生长衬底价格昂贵、转移过程复杂、容易 引入污染物等。北京大学研发课题组是国内较早开展相关研究的 课题组之一,在单层MX2材料的可控制备、精密表征 和电催化产氢应用方面取得了一系列重要进展:基于 范德华外延的机理,他们在晶格匹配的云母基底上首 次获得了厘米尺度均匀的单层MoS2 (Nano Lett. 13, 3870 (2013)):在蓝宝石上获得了大畴区单层WS2 (ACS Nano 7, 8963 (2013));发展了一种新型的 金属性箔材(Au箔)基底,实现了畴区尺寸可调单层 M0S2的制备,借助STM/STS表征技术建立起了材 料原子尺度的形貌/缺陷态、电子结构和电催化析氢 之间的构效关系。最近课题组在大尺寸均匀M0S2的批量制备以及“绿色”转移方面取得重要进展。他们选 用廉价易得的普通玻璃作为基底,创新性地采用Mo箔 作为金属源(与S粉共同作为前驱体),采用“ face-to- face "的金属前驱体供给方式,实现了前驱体在样品上 下游的均匀供应,使得样品尺寸可以得到最大限度的放 大(仅受限于炉体尺寸),获得了对角线长度可达6英寸 的均匀单层MoS2;结合DFT理论计算和系统的实验结 果发现,玻璃基底上微量的Na对材料生长起到明显的 促进作用,Na倾向于吸附在MoS2畴区的边缘,起到显 著降低MoS2拼接生长能垒的作用,从而促进其快速生 长。获取满覆盖单层样品的生长时间仅为8min,单晶 畴区边缘尺寸可达0.5mmo此外,课题组利用玻璃基底 的亲水特性,发展了一种无刻蚀的、仅利用超纯水辅助 的“绿色”转移方法。该方法适用于晶圆尺寸样品的快 速转移,且具有操作简单,转移样品质量高等明显优势。 该工作提出了利用廉价的普通玻璃基底来制备大面积、 晶圆尺寸均匀、大畴区单层M0S2的新方法/新途径, 并深入分析了其生长机制,为相关二维材料的批量制备 和高效转移提供了重要的实验依据,对于推动该类材料 的实际应用具有非常重要的意义。 /p
一种大尺寸过共晶高硅铝合金坯料及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:采矿业
技术简介
一种大尺寸过共晶高硅铝合金坯料,其特征在于所述合金坯料的横截面积在600~150000mm2;合金中Si的含量在13.5~30%重量;具有均匀细小的微观组织结构,Si颗粒弥散分布且平均尺寸5μm。在不添加任何变质剂的前提下,采用半连续铸造方法制备锭坯,经过后续热处理进行Si颗粒离散化,Si颗粒尺寸可通过热处理工艺调控。本发明方法可以低成本地获取大尺寸并且具有优良的精细微观结构和良好性能的过共晶高硅铝合金。
大尺寸氟硼铍酸钾晶体及其水热法生长与变频器件
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
大尺寸氟硼铍酸钾晶体及其水热法生长与变频器件,涉及人工晶体领域。用水热法生长氟硼铍酸钾晶体,该方法选用的矿化剂为氢氧化物或碳酸盐或卤化物或硼酸盐或硼酸或它们任意组合的混合物。本发明采用水热法生长KBBF晶体,完全克服了晶体层状生长习性,晶体实现有晶面的块状生长,晶体厚度尺寸超过5毫米。
一种大尺寸石英玻璃精密气氛调节退火炉
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本实用新型提供一种大尺寸石英玻璃精密气氛调节退火炉,包括:支架、炉体、底座、驱动装置、气氛调节系统和温度控制系统。炉体安置在支架上且其内部中空形成炉膛,炉膛内壁设有加热层,加热层之外设有保温层;底座置于炉体的正下方,底座上依次设有保温层、加热层以及主轴,主轴的上端连接有托盘;驱动装置连接底座和主轴,驱动主轴旋转以及驱动底座沿支架垂向滑动;气氛调节系统包括设置于炉体上的进气通道和出气通道,进气通道上设有压力、流量调节器;温度控制系统包括多个分散设置于炉膛内壁的热电偶以及控制器。本实用新型可对直径600-700mm的石英玻璃进行精密退火,并制备结构浓度不同的石英玻璃,同时退火后应力双折射值达Ⅰ-Ⅱ类的要求。
一种大尺寸储能介质陶瓷的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:一种大尺寸储能介质陶瓷的制备方法。该陶瓷由陶瓷原料和硼硅酸盐玻璃粉制成,制备步骤依次为:干法搅拌配制用于制备硼硅酸盐玻璃粉的混合粉料;混合粉料高温熔炼及水淬制备硼硅酸盐玻璃粉;湿法球磨获得由陶瓷原料和硼硅酸盐玻璃粉混合组成的水基料浆,其中陶瓷原料为CaTiO3、BaTiO3、SrTiO3、SrZrO3、PZT、PbTiO3、TiO2粉体中的一种或几种,水基料浆中硼硅酸盐玻璃粉量为固体料质量的0.5%-10%;将水基料浆喷雾造粒,制备球形颗粒;冷等静压成型为大尺寸陶瓷素坯;将陶瓷素坯进行机械加工后在1150-1400℃下烧结,即得到大尺寸储能介质陶瓷。本法制得的大尺寸储能介质陶瓷致密度高,变形小,其介电常数为80-2000,耐压大于30千伏/厘米,可用作脉冲形成线及其它高压系统的储能介质。
晶体材料大尺寸、定晶向放电切割技术
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
近年来,在国家自然基金、江苏省自然基金、航空基金以及国防预研、国家新能源产业化专项、江苏省科技成果转化等项目资助下,本课题组进行了在半导体晶体材料加工上实现了大尺寸(600mm)、高尺寸精度(5μm)、定晶向(0.3分)、低损耗、低成本的集成技术优势,成为国内外首个在半导体晶体放电切割上实现重大突破和技术应用的研究团队,多项研究成果已经获得或即将获得重要应用。 本课题组在特种加工、微细加工、激光加工、再制造等方面开展了多年的研究工作,其中在电火花线切割加工工艺、电火花加工工艺、半导体放电加工机理、半导体硅片电火花线切割等方面取得了一系列的成果。 晶体材料大尺寸、定晶向放电切割技术基于特种加工领域先进放电切割技术,在以下三个方面实现了突破,具有高精度、大尺寸、低成本等特点。具体包括:(1)大尺寸半导体晶体放电切割技术;(2)大尺寸晶体定晶向放电切割技术;(3)大尺寸硅基复合材料放电切割技术。
大尺寸多频段应用BiLuIG单晶薄膜材料
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本项目共包括8项授权专利,另有20余项专利正处于公开阶段。项目主要创新点为:(1)提出了一种Bi+Lu共掺杂新配方,实现了在传统GGG衬底上外延出具有大法拉第效应的BiLuIG石榴石单晶薄膜材料。(2)提出了"缓冲法"技术,克服了无铅液相外延工艺中熔体粘度偏高,薄膜均匀性差的难题,成功制备出3英寸的高质量单晶BiLuIG薄膜材料,厚度可达20微米以上,其法拉第效应是含铅工艺制备材料的10倍。项目总体达到国际先进水平,其中在Bi+Lu共掺杂材料设计和无铅液相外延技术方面达到国际领先水平
大尺寸硼酸钠钒非线性光学晶体及制备方法和用途
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种大尺寸硼酸钠钒非线性光学晶体及制备方法和用途,该晶体分子式为:Na 3 B 6 VO 13 ,属于正交晶系,分子量为392.77,晶体尺寸为10-60mm×10-60mm×10-60mm,莫氏硬度为5.5;采用将硼酸钠钒化合物与助熔剂混匀,加热,恒温,在冷却到饱和温度得到混合溶液,将籽晶放入混合溶液中,降温至饱和温度,得到所需晶体,将晶体提离液面,降至室温,即可得到大尺寸硼酸钠钒非线性光学晶体。该晶体非线性光学效应为KDP晶体的1/2倍,透光波段375nm至3000nm。该晶体具有操作简单,成本低,所制晶体尺寸大,生长周期短,包裹体少,激光损伤阈值高,机械性能好,不易碎裂,物化性质稳定,不潮解,易加工、保存等优点。本发明的非线性光学晶体在倍频转换、光参量振荡器等非线性光学器件中可以得到广泛应用。
一种大尺寸高强耐热镁合金厚板的锻造成形工艺
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种大尺寸高强耐热镁合金厚板的锻造成形工艺(专利号201410022000.1),为制备厚度≥150mm镁合金厚板提供一种锻造成形工艺。具体步骤为:大炉熔炼、半连续铸造、均匀化退火、变温多向锻造、快锻成形和成形后热处理,其中变温多向锻造在油压机上进行,锻造前500-530℃保温锭坯4-6h、压下速度200-400mm/min、镦粗道次压下量30-50%、拔长道次压下量5-10%,快锻成形在空气锤上进行,快锻前480-500℃保温锭坯2-4h。该工艺充分发挥镁合金高温塑性,显著提高其使用性能。厚板200℃时长向、宽向、高向抗拉强度≥330MPa、伸长率≥8%。
一种稀土镁合金大尺寸高强锻件的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
p 摘要:一种稀土镁合金大尺寸高强锻件的制备方法,包括熔炼铸造获得稀土镁合金铸锭的步骤,对稀土镁合金铸锭进行均匀化退火处理的步骤;对均匀化退火后的稀土镁合金铸锭进行热挤压制备锻坯的步骤;以及对热挤压制备的锻坯进行锻造,获得稀土镁合金锻件的步骤,本发明中的制备方法使合金的铸造态组织得到显著细化,改善了稀土镁合金的热加工工艺塑性,降低了锻坯在锻造过程中开裂的几率,提高了大尺寸稀土镁合金锻件的成品率。 /p
找到45项技术成果数据。
找技术 >大尺寸均匀单层MoS2可控制备
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
p 单层半导体性过渡族金属硫属化合物(MX2: MoS2, WS2等)是继石墨烯之后备受关注的二维层 状材料。该类材料具有优异的电学性质、强的光物相 互作用、高效的催化特性等优点,在光电子学器件、 传感器件、电催化产氢等领域具有非常广阔的应用前 景。单层MX2材料的批量制备和高品质转移是关键 的科学问题。现有方法仍面临着诸多重大挑战,例如, 难以实现晶圆尺寸的层数均匀性、单晶畴区小、生长 速度缓慢、生长衬底价格昂贵、转移过程复杂、容易 引入污染物等。北京大学研发课题组是国内较早开展相关研究的 课题组之一,在单层MX2材料的可控制备、精密表征 和电催化产氢应用方面取得了一系列重要进展:基于 范德华外延的机理,他们在晶格匹配的云母基底上首 次获得了厘米尺度均匀的单层MoS2 (Nano Lett. 13, 3870 (2013)):在蓝宝石上获得了大畴区单层WS2 (ACS Nano 7, 8963 (2013));发展了一种新型的 金属性箔材(Au箔)基底,实现了畴区尺寸可调单层 M0S2的制备,借助STM/STS表征技术建立起了材 料原子尺度的形貌/缺陷态、电子结构和电催化析氢 之间的构效关系。最近课题组在大尺寸均匀M0S2的批量制备以及“绿色”转移方面取得重要进展。他们选 用廉价易得的普通玻璃作为基底,创新性地采用Mo箔 作为金属源(与S粉共同作为前驱体),采用“ face-to- face "的金属前驱体供给方式,实现了前驱体在样品上 下游的均匀供应,使得样品尺寸可以得到最大限度的放 大(仅受限于炉体尺寸),获得了对角线长度可达6英寸 的均匀单层MoS2;结合DFT理论计算和系统的实验结 果发现,玻璃基底上微量的Na对材料生长起到明显的 促进作用,Na倾向于吸附在MoS2畴区的边缘,起到显 著降低MoS2拼接生长能垒的作用,从而促进其快速生 长。获取满覆盖单层样品的生长时间仅为8min,单晶 畴区边缘尺寸可达0.5mmo此外,课题组利用玻璃基底 的亲水特性,发展了一种无刻蚀的、仅利用超纯水辅助 的“绿色”转移方法。该方法适用于晶圆尺寸样品的快 速转移,且具有操作简单,转移样品质量高等明显优势。 该工作提出了利用廉价的普通玻璃基底来制备大面积、 晶圆尺寸均匀、大畴区单层M0S2的新方法/新途径, 并深入分析了其生长机制,为相关二维材料的批量制备 和高效转移提供了重要的实验依据,对于推动该类材料 的实际应用具有非常重要的意义。 /p
一种大尺寸过共晶高硅铝合金坯料及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:采矿业
技术简介
一种大尺寸过共晶高硅铝合金坯料,其特征在于所述合金坯料的横截面积在600~150000mm2;合金中Si的含量在13.5~30%重量;具有均匀细小的微观组织结构,Si颗粒弥散分布且平均尺寸5μm。在不添加任何变质剂的前提下,采用半连续铸造方法制备锭坯,经过后续热处理进行Si颗粒离散化,Si颗粒尺寸可通过热处理工艺调控。本发明方法可以低成本地获取大尺寸并且具有优良的精细微观结构和良好性能的过共晶高硅铝合金。
大尺寸氟硼铍酸钾晶体及其水热法生长与变频器件
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
大尺寸氟硼铍酸钾晶体及其水热法生长与变频器件,涉及人工晶体领域。用水热法生长氟硼铍酸钾晶体,该方法选用的矿化剂为氢氧化物或碳酸盐或卤化物或硼酸盐或硼酸或它们任意组合的混合物。本发明采用水热法生长KBBF晶体,完全克服了晶体层状生长习性,晶体实现有晶面的块状生长,晶体厚度尺寸超过5毫米。
一种大尺寸石英玻璃精密气氛调节退火炉
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本实用新型提供一种大尺寸石英玻璃精密气氛调节退火炉,包括:支架、炉体、底座、驱动装置、气氛调节系统和温度控制系统。炉体安置在支架上且其内部中空形成炉膛,炉膛内壁设有加热层,加热层之外设有保温层;底座置于炉体的正下方,底座上依次设有保温层、加热层以及主轴,主轴的上端连接有托盘;驱动装置连接底座和主轴,驱动主轴旋转以及驱动底座沿支架垂向滑动;气氛调节系统包括设置于炉体上的进气通道和出气通道,进气通道上设有压力、流量调节器;温度控制系统包括多个分散设置于炉膛内壁的热电偶以及控制器。本实用新型可对直径600-700mm的石英玻璃进行精密退火,并制备结构浓度不同的石英玻璃,同时退火后应力双折射值达Ⅰ-Ⅱ类的要求。
一种大尺寸储能介质陶瓷的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:一种大尺寸储能介质陶瓷的制备方法。该陶瓷由陶瓷原料和硼硅酸盐玻璃粉制成,制备步骤依次为:干法搅拌配制用于制备硼硅酸盐玻璃粉的混合粉料;混合粉料高温熔炼及水淬制备硼硅酸盐玻璃粉;湿法球磨获得由陶瓷原料和硼硅酸盐玻璃粉混合组成的水基料浆,其中陶瓷原料为CaTiO3、BaTiO3、SrTiO3、SrZrO3、PZT、PbTiO3、TiO2粉体中的一种或几种,水基料浆中硼硅酸盐玻璃粉量为固体料质量的0.5%-10%;将水基料浆喷雾造粒,制备球形颗粒;冷等静压成型为大尺寸陶瓷素坯;将陶瓷素坯进行机械加工后在1150-1400℃下烧结,即得到大尺寸储能介质陶瓷。本法制得的大尺寸储能介质陶瓷致密度高,变形小,其介电常数为80-2000,耐压大于30千伏/厘米,可用作脉冲形成线及其它高压系统的储能介质。
晶体材料大尺寸、定晶向放电切割技术
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
近年来,在国家自然基金、江苏省自然基金、航空基金以及国防预研、国家新能源产业化专项、江苏省科技成果转化等项目资助下,本课题组进行了在半导体晶体材料加工上实现了大尺寸(600mm)、高尺寸精度(5μm)、定晶向(0.3分)、低损耗、低成本的集成技术优势,成为国内外首个在半导体晶体放电切割上实现重大突破和技术应用的研究团队,多项研究成果已经获得或即将获得重要应用。 本课题组在特种加工、微细加工、激光加工、再制造等方面开展了多年的研究工作,其中在电火花线切割加工工艺、电火花加工工艺、半导体放电加工机理、半导体硅片电火花线切割等方面取得了一系列的成果。 晶体材料大尺寸、定晶向放电切割技术基于特种加工领域先进放电切割技术,在以下三个方面实现了突破,具有高精度、大尺寸、低成本等特点。具体包括:(1)大尺寸半导体晶体放电切割技术;(2)大尺寸晶体定晶向放电切割技术;(3)大尺寸硅基复合材料放电切割技术。
大尺寸多频段应用BiLuIG单晶薄膜材料
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本项目共包括8项授权专利,另有20余项专利正处于公开阶段。项目主要创新点为:(1)提出了一种Bi+Lu共掺杂新配方,实现了在传统GGG衬底上外延出具有大法拉第效应的BiLuIG石榴石单晶薄膜材料。(2)提出了"缓冲法"技术,克服了无铅液相外延工艺中熔体粘度偏高,薄膜均匀性差的难题,成功制备出3英寸的高质量单晶BiLuIG薄膜材料,厚度可达20微米以上,其法拉第效应是含铅工艺制备材料的10倍。项目总体达到国际先进水平,其中在Bi+Lu共掺杂材料设计和无铅液相外延技术方面达到国际领先水平
大尺寸硼酸钠钒非线性光学晶体及制备方法和用途
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种大尺寸硼酸钠钒非线性光学晶体及制备方法和用途,该晶体分子式为:Na 3 B 6 VO 13 ,属于正交晶系,分子量为392.77,晶体尺寸为10-60mm×10-60mm×10-60mm,莫氏硬度为5.5;采用将硼酸钠钒化合物与助熔剂混匀,加热,恒温,在冷却到饱和温度得到混合溶液,将籽晶放入混合溶液中,降温至饱和温度,得到所需晶体,将晶体提离液面,降至室温,即可得到大尺寸硼酸钠钒非线性光学晶体。该晶体非线性光学效应为KDP晶体的1/2倍,透光波段375nm至3000nm。该晶体具有操作简单,成本低,所制晶体尺寸大,生长周期短,包裹体少,激光损伤阈值高,机械性能好,不易碎裂,物化性质稳定,不潮解,易加工、保存等优点。本发明的非线性光学晶体在倍频转换、光参量振荡器等非线性光学器件中可以得到广泛应用。
一种大尺寸高强耐热镁合金厚板的锻造成形工艺
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种大尺寸高强耐热镁合金厚板的锻造成形工艺(专利号201410022000.1),为制备厚度≥150mm镁合金厚板提供一种锻造成形工艺。具体步骤为:大炉熔炼、半连续铸造、均匀化退火、变温多向锻造、快锻成形和成形后热处理,其中变温多向锻造在油压机上进行,锻造前500-530℃保温锭坯4-6h、压下速度200-400mm/min、镦粗道次压下量30-50%、拔长道次压下量5-10%,快锻成形在空气锤上进行,快锻前480-500℃保温锭坯2-4h。该工艺充分发挥镁合金高温塑性,显著提高其使用性能。厚板200℃时长向、宽向、高向抗拉强度≥330MPa、伸长率≥8%。
一种稀土镁合金大尺寸高强锻件的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
p 摘要:一种稀土镁合金大尺寸高强锻件的制备方法,包括熔炼铸造获得稀土镁合金铸锭的步骤,对稀土镁合金铸锭进行均匀化退火处理的步骤;对均匀化退火后的稀土镁合金铸锭进行热挤压制备锻坯的步骤;以及对热挤压制备的锻坯进行锻造,获得稀土镁合金锻件的步骤,本发明中的制备方法使合金的铸造态组织得到显著细化,改善了稀土镁合金的热加工工艺塑性,降低了锻坯在锻造过程中开裂的几率,提高了大尺寸稀土镁合金锻件的成品率。 /p
找到45项技术成果数据。
找技术 >大尺寸均匀单层MoS2可控制备
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
p 单层半导体性过渡族金属硫属化合物(MX2: MoS2, WS2等)是继石墨烯之后备受关注的二维层 状材料。该类材料具有优异的电学性质、强的光物相 互作用、高效的催化特性等优点,在光电子学器件、 传感器件、电催化产氢等领域具有非常广阔的应用前 景。单层MX2材料的批量制备和高品质转移是关键 的科学问题。现有方法仍面临着诸多重大挑战,例如, 难以实现晶圆尺寸的层数均匀性、单晶畴区小、生长 速度缓慢、生长衬底价格昂贵、转移过程复杂、容易 引入污染物等。北京大学研发课题组是国内较早开展相关研究的 课题组之一,在单层MX2材料的可控制备、精密表征 和电催化产氢应用方面取得了一系列重要进展:基于 范德华外延的机理,他们在晶格匹配的云母基底上首 次获得了厘米尺度均匀的单层MoS2 (Nano Lett. 13, 3870 (2013)):在蓝宝石上获得了大畴区单层WS2 (ACS Nano 7, 8963 (2013));发展了一种新型的 金属性箔材(Au箔)基底,实现了畴区尺寸可调单层 M0S2的制备,借助STM/STS表征技术建立起了材 料原子尺度的形貌/缺陷态、电子结构和电催化析氢 之间的构效关系。最近课题组在大尺寸均匀M0S2的批量制备以及“绿色”转移方面取得重要进展。他们选 用廉价易得的普通玻璃作为基底,创新性地采用Mo箔 作为金属源(与S粉共同作为前驱体),采用“ face-to- face "的金属前驱体供给方式,实现了前驱体在样品上 下游的均匀供应,使得样品尺寸可以得到最大限度的放 大(仅受限于炉体尺寸),获得了对角线长度可达6英寸 的均匀单层MoS2;结合DFT理论计算和系统的实验结 果发现,玻璃基底上微量的Na对材料生长起到明显的 促进作用,Na倾向于吸附在MoS2畴区的边缘,起到显 著降低MoS2拼接生长能垒的作用,从而促进其快速生 长。获取满覆盖单层样品的生长时间仅为8min,单晶 畴区边缘尺寸可达0.5mmo此外,课题组利用玻璃基底 的亲水特性,发展了一种无刻蚀的、仅利用超纯水辅助 的“绿色”转移方法。该方法适用于晶圆尺寸样品的快 速转移,且具有操作简单,转移样品质量高等明显优势。 该工作提出了利用廉价的普通玻璃基底来制备大面积、 晶圆尺寸均匀、大畴区单层M0S2的新方法/新途径, 并深入分析了其生长机制,为相关二维材料的批量制备 和高效转移提供了重要的实验依据,对于推动该类材料 的实际应用具有非常重要的意义。 /p
一种大尺寸过共晶高硅铝合金坯料及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:采矿业
技术简介
一种大尺寸过共晶高硅铝合金坯料,其特征在于所述合金坯料的横截面积在600~150000mm2;合金中Si的含量在13.5~30%重量;具有均匀细小的微观组织结构,Si颗粒弥散分布且平均尺寸5μm。在不添加任何变质剂的前提下,采用半连续铸造方法制备锭坯,经过后续热处理进行Si颗粒离散化,Si颗粒尺寸可通过热处理工艺调控。本发明方法可以低成本地获取大尺寸并且具有优良的精细微观结构和良好性能的过共晶高硅铝合金。
大尺寸氟硼铍酸钾晶体及其水热法生长与变频器件
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
大尺寸氟硼铍酸钾晶体及其水热法生长与变频器件,涉及人工晶体领域。用水热法生长氟硼铍酸钾晶体,该方法选用的矿化剂为氢氧化物或碳酸盐或卤化物或硼酸盐或硼酸或它们任意组合的混合物。本发明采用水热法生长KBBF晶体,完全克服了晶体层状生长习性,晶体实现有晶面的块状生长,晶体厚度尺寸超过5毫米。
一种大尺寸石英玻璃精密气氛调节退火炉
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本实用新型提供一种大尺寸石英玻璃精密气氛调节退火炉,包括:支架、炉体、底座、驱动装置、气氛调节系统和温度控制系统。炉体安置在支架上且其内部中空形成炉膛,炉膛内壁设有加热层,加热层之外设有保温层;底座置于炉体的正下方,底座上依次设有保温层、加热层以及主轴,主轴的上端连接有托盘;驱动装置连接底座和主轴,驱动主轴旋转以及驱动底座沿支架垂向滑动;气氛调节系统包括设置于炉体上的进气通道和出气通道,进气通道上设有压力、流量调节器;温度控制系统包括多个分散设置于炉膛内壁的热电偶以及控制器。本实用新型可对直径600-700mm的石英玻璃进行精密退火,并制备结构浓度不同的石英玻璃,同时退火后应力双折射值达Ⅰ-Ⅱ类的要求。
一种大尺寸储能介质陶瓷的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:一种大尺寸储能介质陶瓷的制备方法。该陶瓷由陶瓷原料和硼硅酸盐玻璃粉制成,制备步骤依次为:干法搅拌配制用于制备硼硅酸盐玻璃粉的混合粉料;混合粉料高温熔炼及水淬制备硼硅酸盐玻璃粉;湿法球磨获得由陶瓷原料和硼硅酸盐玻璃粉混合组成的水基料浆,其中陶瓷原料为CaTiO3、BaTiO3、SrTiO3、SrZrO3、PZT、PbTiO3、TiO2粉体中的一种或几种,水基料浆中硼硅酸盐玻璃粉量为固体料质量的0.5%-10%;将水基料浆喷雾造粒,制备球形颗粒;冷等静压成型为大尺寸陶瓷素坯;将陶瓷素坯进行机械加工后在1150-1400℃下烧结,即得到大尺寸储能介质陶瓷。本法制得的大尺寸储能介质陶瓷致密度高,变形小,其介电常数为80-2000,耐压大于30千伏/厘米,可用作脉冲形成线及其它高压系统的储能介质。
晶体材料大尺寸、定晶向放电切割技术
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
近年来,在国家自然基金、江苏省自然基金、航空基金以及国防预研、国家新能源产业化专项、江苏省科技成果转化等项目资助下,本课题组进行了在半导体晶体材料加工上实现了大尺寸(600mm)、高尺寸精度(5μm)、定晶向(0.3分)、低损耗、低成本的集成技术优势,成为国内外首个在半导体晶体放电切割上实现重大突破和技术应用的研究团队,多项研究成果已经获得或即将获得重要应用。 本课题组在特种加工、微细加工、激光加工、再制造等方面开展了多年的研究工作,其中在电火花线切割加工工艺、电火花加工工艺、半导体放电加工机理、半导体硅片电火花线切割等方面取得了一系列的成果。 晶体材料大尺寸、定晶向放电切割技术基于特种加工领域先进放电切割技术,在以下三个方面实现了突破,具有高精度、大尺寸、低成本等特点。具体包括:(1)大尺寸半导体晶体放电切割技术;(2)大尺寸晶体定晶向放电切割技术;(3)大尺寸硅基复合材料放电切割技术。
大尺寸多频段应用BiLuIG单晶薄膜材料
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本项目共包括8项授权专利,另有20余项专利正处于公开阶段。项目主要创新点为:(1)提出了一种Bi+Lu共掺杂新配方,实现了在传统GGG衬底上外延出具有大法拉第效应的BiLuIG石榴石单晶薄膜材料。(2)提出了"缓冲法"技术,克服了无铅液相外延工艺中熔体粘度偏高,薄膜均匀性差的难题,成功制备出3英寸的高质量单晶BiLuIG薄膜材料,厚度可达20微米以上,其法拉第效应是含铅工艺制备材料的10倍。项目总体达到国际先进水平,其中在Bi+Lu共掺杂材料设计和无铅液相外延技术方面达到国际领先水平
大尺寸硼酸钠钒非线性光学晶体及制备方法和用途
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种大尺寸硼酸钠钒非线性光学晶体及制备方法和用途,该晶体分子式为:Na 3 B 6 VO 13 ,属于正交晶系,分子量为392.77,晶体尺寸为10-60mm×10-60mm×10-60mm,莫氏硬度为5.5;采用将硼酸钠钒化合物与助熔剂混匀,加热,恒温,在冷却到饱和温度得到混合溶液,将籽晶放入混合溶液中,降温至饱和温度,得到所需晶体,将晶体提离液面,降至室温,即可得到大尺寸硼酸钠钒非线性光学晶体。该晶体非线性光学效应为KDP晶体的1/2倍,透光波段375nm至3000nm。该晶体具有操作简单,成本低,所制晶体尺寸大,生长周期短,包裹体少,激光损伤阈值高,机械性能好,不易碎裂,物化性质稳定,不潮解,易加工、保存等优点。本发明的非线性光学晶体在倍频转换、光参量振荡器等非线性光学器件中可以得到广泛应用。
一种大尺寸高强耐热镁合金厚板的锻造成形工艺
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种大尺寸高强耐热镁合金厚板的锻造成形工艺(专利号201410022000.1),为制备厚度≥150mm镁合金厚板提供一种锻造成形工艺。具体步骤为:大炉熔炼、半连续铸造、均匀化退火、变温多向锻造、快锻成形和成形后热处理,其中变温多向锻造在油压机上进行,锻造前500-530℃保温锭坯4-6h、压下速度200-400mm/min、镦粗道次压下量30-50%、拔长道次压下量5-10%,快锻成形在空气锤上进行,快锻前480-500℃保温锭坯2-4h。该工艺充分发挥镁合金高温塑性,显著提高其使用性能。厚板200℃时长向、宽向、高向抗拉强度≥330MPa、伸长率≥8%。
一种稀土镁合金大尺寸高强锻件的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
p 摘要:一种稀土镁合金大尺寸高强锻件的制备方法,包括熔炼铸造获得稀土镁合金铸锭的步骤,对稀土镁合金铸锭进行均匀化退火处理的步骤;对均匀化退火后的稀土镁合金铸锭进行热挤压制备锻坯的步骤;以及对热挤压制备的锻坯进行锻造,获得稀土镁合金锻件的步骤,本发明中的制备方法使合金的铸造态组织得到显著细化,改善了稀土镁合金的热加工工艺塑性,降低了锻坯在锻造过程中开裂的几率,提高了大尺寸稀土镁合金锻件的成品率。 /p
找到45项技术成果数据。
找技术 >大尺寸均匀单层MoS2可控制备
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
p 单层半导体性过渡族金属硫属化合物(MX2: MoS2, WS2等)是继石墨烯之后备受关注的二维层 状材料。该类材料具有优异的电学性质、强的光物相 互作用、高效的催化特性等优点,在光电子学器件、 传感器件、电催化产氢等领域具有非常广阔的应用前 景。单层MX2材料的批量制备和高品质转移是关键 的科学问题。现有方法仍面临着诸多重大挑战,例如, 难以实现晶圆尺寸的层数均匀性、单晶畴区小、生长 速度缓慢、生长衬底价格昂贵、转移过程复杂、容易 引入污染物等。北京大学研发课题组是国内较早开展相关研究的 课题组之一,在单层MX2材料的可控制备、精密表征 和电催化产氢应用方面取得了一系列重要进展:基于 范德华外延的机理,他们在晶格匹配的云母基底上首 次获得了厘米尺度均匀的单层MoS2 (Nano Lett. 13, 3870 (2013)):在蓝宝石上获得了大畴区单层WS2 (ACS Nano 7, 8963 (2013));发展了一种新型的 金属性箔材(Au箔)基底,实现了畴区尺寸可调单层 M0S2的制备,借助STM/STS表征技术建立起了材 料原子尺度的形貌/缺陷态、电子结构和电催化析氢 之间的构效关系。最近课题组在大尺寸均匀M0S2的批量制备以及“绿色”转移方面取得重要进展。他们选 用廉价易得的普通玻璃作为基底,创新性地采用Mo箔 作为金属源(与S粉共同作为前驱体),采用“ face-to- face "的金属前驱体供给方式,实现了前驱体在样品上 下游的均匀供应,使得样品尺寸可以得到最大限度的放 大(仅受限于炉体尺寸),获得了对角线长度可达6英寸 的均匀单层MoS2;结合DFT理论计算和系统的实验结 果发现,玻璃基底上微量的Na对材料生长起到明显的 促进作用,Na倾向于吸附在MoS2畴区的边缘,起到显 著降低MoS2拼接生长能垒的作用,从而促进其快速生 长。获取满覆盖单层样品的生长时间仅为8min,单晶 畴区边缘尺寸可达0.5mmo此外,课题组利用玻璃基底 的亲水特性,发展了一种无刻蚀的、仅利用超纯水辅助 的“绿色”转移方法。该方法适用于晶圆尺寸样品的快 速转移,且具有操作简单,转移样品质量高等明显优势。 该工作提出了利用廉价的普通玻璃基底来制备大面积、 晶圆尺寸均匀、大畴区单层M0S2的新方法/新途径, 并深入分析了其生长机制,为相关二维材料的批量制备 和高效转移提供了重要的实验依据,对于推动该类材料 的实际应用具有非常重要的意义。 /p
一种大尺寸过共晶高硅铝合金坯料及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:采矿业
技术简介
一种大尺寸过共晶高硅铝合金坯料,其特征在于所述合金坯料的横截面积在600~150000mm2;合金中Si的含量在13.5~30%重量;具有均匀细小的微观组织结构,Si颗粒弥散分布且平均尺寸5μm。在不添加任何变质剂的前提下,采用半连续铸造方法制备锭坯,经过后续热处理进行Si颗粒离散化,Si颗粒尺寸可通过热处理工艺调控。本发明方法可以低成本地获取大尺寸并且具有优良的精细微观结构和良好性能的过共晶高硅铝合金。
大尺寸氟硼铍酸钾晶体及其水热法生长与变频器件
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
大尺寸氟硼铍酸钾晶体及其水热法生长与变频器件,涉及人工晶体领域。用水热法生长氟硼铍酸钾晶体,该方法选用的矿化剂为氢氧化物或碳酸盐或卤化物或硼酸盐或硼酸或它们任意组合的混合物。本发明采用水热法生长KBBF晶体,完全克服了晶体层状生长习性,晶体实现有晶面的块状生长,晶体厚度尺寸超过5毫米。
一种大尺寸石英玻璃精密气氛调节退火炉
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本实用新型提供一种大尺寸石英玻璃精密气氛调节退火炉,包括:支架、炉体、底座、驱动装置、气氛调节系统和温度控制系统。炉体安置在支架上且其内部中空形成炉膛,炉膛内壁设有加热层,加热层之外设有保温层;底座置于炉体的正下方,底座上依次设有保温层、加热层以及主轴,主轴的上端连接有托盘;驱动装置连接底座和主轴,驱动主轴旋转以及驱动底座沿支架垂向滑动;气氛调节系统包括设置于炉体上的进气通道和出气通道,进气通道上设有压力、流量调节器;温度控制系统包括多个分散设置于炉膛内壁的热电偶以及控制器。本实用新型可对直径600-700mm的石英玻璃进行精密退火,并制备结构浓度不同的石英玻璃,同时退火后应力双折射值达Ⅰ-Ⅱ类的要求。
一种大尺寸储能介质陶瓷的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:一种大尺寸储能介质陶瓷的制备方法。该陶瓷由陶瓷原料和硼硅酸盐玻璃粉制成,制备步骤依次为:干法搅拌配制用于制备硼硅酸盐玻璃粉的混合粉料;混合粉料高温熔炼及水淬制备硼硅酸盐玻璃粉;湿法球磨获得由陶瓷原料和硼硅酸盐玻璃粉混合组成的水基料浆,其中陶瓷原料为CaTiO3、BaTiO3、SrTiO3、SrZrO3、PZT、PbTiO3、TiO2粉体中的一种或几种,水基料浆中硼硅酸盐玻璃粉量为固体料质量的0.5%-10%;将水基料浆喷雾造粒,制备球形颗粒;冷等静压成型为大尺寸陶瓷素坯;将陶瓷素坯进行机械加工后在1150-1400℃下烧结,即得到大尺寸储能介质陶瓷。本法制得的大尺寸储能介质陶瓷致密度高,变形小,其介电常数为80-2000,耐压大于30千伏/厘米,可用作脉冲形成线及其它高压系统的储能介质。
晶体材料大尺寸、定晶向放电切割技术
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
近年来,在国家自然基金、江苏省自然基金、航空基金以及国防预研、国家新能源产业化专项、江苏省科技成果转化等项目资助下,本课题组进行了在半导体晶体材料加工上实现了大尺寸(600mm)、高尺寸精度(5μm)、定晶向(0.3分)、低损耗、低成本的集成技术优势,成为国内外首个在半导体晶体放电切割上实现重大突破和技术应用的研究团队,多项研究成果已经获得或即将获得重要应用。 本课题组在特种加工、微细加工、激光加工、再制造等方面开展了多年的研究工作,其中在电火花线切割加工工艺、电火花加工工艺、半导体放电加工机理、半导体硅片电火花线切割等方面取得了一系列的成果。 晶体材料大尺寸、定晶向放电切割技术基于特种加工领域先进放电切割技术,在以下三个方面实现了突破,具有高精度、大尺寸、低成本等特点。具体包括:(1)大尺寸半导体晶体放电切割技术;(2)大尺寸晶体定晶向放电切割技术;(3)大尺寸硅基复合材料放电切割技术。
大尺寸多频段应用BiLuIG单晶薄膜材料
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本项目共包括8项授权专利,另有20余项专利正处于公开阶段。项目主要创新点为:(1)提出了一种Bi+Lu共掺杂新配方,实现了在传统GGG衬底上外延出具有大法拉第效应的BiLuIG石榴石单晶薄膜材料。(2)提出了"缓冲法"技术,克服了无铅液相外延工艺中熔体粘度偏高,薄膜均匀性差的难题,成功制备出3英寸的高质量单晶BiLuIG薄膜材料,厚度可达20微米以上,其法拉第效应是含铅工艺制备材料的10倍。项目总体达到国际先进水平,其中在Bi+Lu共掺杂材料设计和无铅液相外延技术方面达到国际领先水平
大尺寸硼酸钠钒非线性光学晶体及制备方法和用途
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种大尺寸硼酸钠钒非线性光学晶体及制备方法和用途,该晶体分子式为:Na 3 B 6 VO 13 ,属于正交晶系,分子量为392.77,晶体尺寸为10-60mm×10-60mm×10-60mm,莫氏硬度为5.5;采用将硼酸钠钒化合物与助熔剂混匀,加热,恒温,在冷却到饱和温度得到混合溶液,将籽晶放入混合溶液中,降温至饱和温度,得到所需晶体,将晶体提离液面,降至室温,即可得到大尺寸硼酸钠钒非线性光学晶体。该晶体非线性光学效应为KDP晶体的1/2倍,透光波段375nm至3000nm。该晶体具有操作简单,成本低,所制晶体尺寸大,生长周期短,包裹体少,激光损伤阈值高,机械性能好,不易碎裂,物化性质稳定,不潮解,易加工、保存等优点。本发明的非线性光学晶体在倍频转换、光参量振荡器等非线性光学器件中可以得到广泛应用。
一种大尺寸高强耐热镁合金厚板的锻造成形工艺
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种大尺寸高强耐热镁合金厚板的锻造成形工艺(专利号201410022000.1),为制备厚度≥150mm镁合金厚板提供一种锻造成形工艺。具体步骤为:大炉熔炼、半连续铸造、均匀化退火、变温多向锻造、快锻成形和成形后热处理,其中变温多向锻造在油压机上进行,锻造前500-530℃保温锭坯4-6h、压下速度200-400mm/min、镦粗道次压下量30-50%、拔长道次压下量5-10%,快锻成形在空气锤上进行,快锻前480-500℃保温锭坯2-4h。该工艺充分发挥镁合金高温塑性,显著提高其使用性能。厚板200℃时长向、宽向、高向抗拉强度≥330MPa、伸长率≥8%。
一种稀土镁合金大尺寸高强锻件的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
p 摘要:一种稀土镁合金大尺寸高强锻件的制备方法,包括熔炼铸造获得稀土镁合金铸锭的步骤,对稀土镁合金铸锭进行均匀化退火处理的步骤;对均匀化退火后的稀土镁合金铸锭进行热挤压制备锻坯的步骤;以及对热挤压制备的锻坯进行锻造,获得稀土镁合金锻件的步骤,本发明中的制备方法使合金的铸造态组织得到显著细化,改善了稀土镁合金的热加工工艺塑性,降低了锻坯在锻造过程中开裂的几率,提高了大尺寸稀土镁合金锻件的成品率。 /p
找到45项技术成果数据。
找技术 >大尺寸均匀单层MoS2可控制备
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
p 单层半导体性过渡族金属硫属化合物(MX2: MoS2, WS2等)是继石墨烯之后备受关注的二维层 状材料。该类材料具有优异的电学性质、强的光物相 互作用、高效的催化特性等优点,在光电子学器件、 传感器件、电催化产氢等领域具有非常广阔的应用前 景。单层MX2材料的批量制备和高品质转移是关键 的科学问题。现有方法仍面临着诸多重大挑战,例如, 难以实现晶圆尺寸的层数均匀性、单晶畴区小、生长 速度缓慢、生长衬底价格昂贵、转移过程复杂、容易 引入污染物等。北京大学研发课题组是国内较早开展相关研究的 课题组之一,在单层MX2材料的可控制备、精密表征 和电催化产氢应用方面取得了一系列重要进展:基于 范德华外延的机理,他们在晶格匹配的云母基底上首 次获得了厘米尺度均匀的单层MoS2 (Nano Lett. 13, 3870 (2013)):在蓝宝石上获得了大畴区单层WS2 (ACS Nano 7, 8963 (2013));发展了一种新型的 金属性箔材(Au箔)基底,实现了畴区尺寸可调单层 M0S2的制备,借助STM/STS表征技术建立起了材 料原子尺度的形貌/缺陷态、电子结构和电催化析氢 之间的构效关系。最近课题组在大尺寸均匀M0S2的批量制备以及“绿色”转移方面取得重要进展。他们选 用廉价易得的普通玻璃作为基底,创新性地采用Mo箔 作为金属源(与S粉共同作为前驱体),采用“ face-to- face "的金属前驱体供给方式,实现了前驱体在样品上 下游的均匀供应,使得样品尺寸可以得到最大限度的放 大(仅受限于炉体尺寸),获得了对角线长度可达6英寸 的均匀单层MoS2;结合DFT理论计算和系统的实验结 果发现,玻璃基底上微量的Na对材料生长起到明显的 促进作用,Na倾向于吸附在MoS2畴区的边缘,起到显 著降低MoS2拼接生长能垒的作用,从而促进其快速生 长。获取满覆盖单层样品的生长时间仅为8min,单晶 畴区边缘尺寸可达0.5mmo此外,课题组利用玻璃基底 的亲水特性,发展了一种无刻蚀的、仅利用超纯水辅助 的“绿色”转移方法。该方法适用于晶圆尺寸样品的快 速转移,且具有操作简单,转移样品质量高等明显优势。 该工作提出了利用廉价的普通玻璃基底来制备大面积、 晶圆尺寸均匀、大畴区单层M0S2的新方法/新途径, 并深入分析了其生长机制,为相关二维材料的批量制备 和高效转移提供了重要的实验依据,对于推动该类材料 的实际应用具有非常重要的意义。 /p
一种大尺寸过共晶高硅铝合金坯料及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:采矿业
技术简介
一种大尺寸过共晶高硅铝合金坯料,其特征在于所述合金坯料的横截面积在600~150000mm2;合金中Si的含量在13.5~30%重量;具有均匀细小的微观组织结构,Si颗粒弥散分布且平均尺寸5μm。在不添加任何变质剂的前提下,采用半连续铸造方法制备锭坯,经过后续热处理进行Si颗粒离散化,Si颗粒尺寸可通过热处理工艺调控。本发明方法可以低成本地获取大尺寸并且具有优良的精细微观结构和良好性能的过共晶高硅铝合金。
大尺寸氟硼铍酸钾晶体及其水热法生长与变频器件
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
大尺寸氟硼铍酸钾晶体及其水热法生长与变频器件,涉及人工晶体领域。用水热法生长氟硼铍酸钾晶体,该方法选用的矿化剂为氢氧化物或碳酸盐或卤化物或硼酸盐或硼酸或它们任意组合的混合物。本发明采用水热法生长KBBF晶体,完全克服了晶体层状生长习性,晶体实现有晶面的块状生长,晶体厚度尺寸超过5毫米。
一种大尺寸石英玻璃精密气氛调节退火炉
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本实用新型提供一种大尺寸石英玻璃精密气氛调节退火炉,包括:支架、炉体、底座、驱动装置、气氛调节系统和温度控制系统。炉体安置在支架上且其内部中空形成炉膛,炉膛内壁设有加热层,加热层之外设有保温层;底座置于炉体的正下方,底座上依次设有保温层、加热层以及主轴,主轴的上端连接有托盘;驱动装置连接底座和主轴,驱动主轴旋转以及驱动底座沿支架垂向滑动;气氛调节系统包括设置于炉体上的进气通道和出气通道,进气通道上设有压力、流量调节器;温度控制系统包括多个分散设置于炉膛内壁的热电偶以及控制器。本实用新型可对直径600-700mm的石英玻璃进行精密退火,并制备结构浓度不同的石英玻璃,同时退火后应力双折射值达Ⅰ-Ⅱ类的要求。
一种大尺寸储能介质陶瓷的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:一种大尺寸储能介质陶瓷的制备方法。该陶瓷由陶瓷原料和硼硅酸盐玻璃粉制成,制备步骤依次为:干法搅拌配制用于制备硼硅酸盐玻璃粉的混合粉料;混合粉料高温熔炼及水淬制备硼硅酸盐玻璃粉;湿法球磨获得由陶瓷原料和硼硅酸盐玻璃粉混合组成的水基料浆,其中陶瓷原料为CaTiO3、BaTiO3、SrTiO3、SrZrO3、PZT、PbTiO3、TiO2粉体中的一种或几种,水基料浆中硼硅酸盐玻璃粉量为固体料质量的0.5%-10%;将水基料浆喷雾造粒,制备球形颗粒;冷等静压成型为大尺寸陶瓷素坯;将陶瓷素坯进行机械加工后在1150-1400℃下烧结,即得到大尺寸储能介质陶瓷。本法制得的大尺寸储能介质陶瓷致密度高,变形小,其介电常数为80-2000,耐压大于30千伏/厘米,可用作脉冲形成线及其它高压系统的储能介质。
晶体材料大尺寸、定晶向放电切割技术
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
近年来,在国家自然基金、江苏省自然基金、航空基金以及国防预研、国家新能源产业化专项、江苏省科技成果转化等项目资助下,本课题组进行了在半导体晶体材料加工上实现了大尺寸(600mm)、高尺寸精度(5μm)、定晶向(0.3分)、低损耗、低成本的集成技术优势,成为国内外首个在半导体晶体放电切割上实现重大突破和技术应用的研究团队,多项研究成果已经获得或即将获得重要应用。 本课题组在特种加工、微细加工、激光加工、再制造等方面开展了多年的研究工作,其中在电火花线切割加工工艺、电火花加工工艺、半导体放电加工机理、半导体硅片电火花线切割等方面取得了一系列的成果。 晶体材料大尺寸、定晶向放电切割技术基于特种加工领域先进放电切割技术,在以下三个方面实现了突破,具有高精度、大尺寸、低成本等特点。具体包括:(1)大尺寸半导体晶体放电切割技术;(2)大尺寸晶体定晶向放电切割技术;(3)大尺寸硅基复合材料放电切割技术。
大尺寸多频段应用BiLuIG单晶薄膜材料
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本项目共包括8项授权专利,另有20余项专利正处于公开阶段。项目主要创新点为:(1)提出了一种Bi+Lu共掺杂新配方,实现了在传统GGG衬底上外延出具有大法拉第效应的BiLuIG石榴石单晶薄膜材料。(2)提出了"缓冲法"技术,克服了无铅液相外延工艺中熔体粘度偏高,薄膜均匀性差的难题,成功制备出3英寸的高质量单晶BiLuIG薄膜材料,厚度可达20微米以上,其法拉第效应是含铅工艺制备材料的10倍。项目总体达到国际先进水平,其中在Bi+Lu共掺杂材料设计和无铅液相外延技术方面达到国际领先水平
大尺寸硼酸钠钒非线性光学晶体及制备方法和用途
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种大尺寸硼酸钠钒非线性光学晶体及制备方法和用途,该晶体分子式为:Na 3 B 6 VO 13 ,属于正交晶系,分子量为392.77,晶体尺寸为10-60mm×10-60mm×10-60mm,莫氏硬度为5.5;采用将硼酸钠钒化合物与助熔剂混匀,加热,恒温,在冷却到饱和温度得到混合溶液,将籽晶放入混合溶液中,降温至饱和温度,得到所需晶体,将晶体提离液面,降至室温,即可得到大尺寸硼酸钠钒非线性光学晶体。该晶体非线性光学效应为KDP晶体的1/2倍,透光波段375nm至3000nm。该晶体具有操作简单,成本低,所制晶体尺寸大,生长周期短,包裹体少,激光损伤阈值高,机械性能好,不易碎裂,物化性质稳定,不潮解,易加工、保存等优点。本发明的非线性光学晶体在倍频转换、光参量振荡器等非线性光学器件中可以得到广泛应用。
一种大尺寸高强耐热镁合金厚板的锻造成形工艺
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种大尺寸高强耐热镁合金厚板的锻造成形工艺(专利号201410022000.1),为制备厚度≥150mm镁合金厚板提供一种锻造成形工艺。具体步骤为:大炉熔炼、半连续铸造、均匀化退火、变温多向锻造、快锻成形和成形后热处理,其中变温多向锻造在油压机上进行,锻造前500-530℃保温锭坯4-6h、压下速度200-400mm/min、镦粗道次压下量30-50%、拔长道次压下量5-10%,快锻成形在空气锤上进行,快锻前480-500℃保温锭坯2-4h。该工艺充分发挥镁合金高温塑性,显著提高其使用性能。厚板200℃时长向、宽向、高向抗拉强度≥330MPa、伸长率≥8%。
一种稀土镁合金大尺寸高强锻件的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
p 摘要:一种稀土镁合金大尺寸高强锻件的制备方法,包括熔炼铸造获得稀土镁合金铸锭的步骤,对稀土镁合金铸锭进行均匀化退火处理的步骤;对均匀化退火后的稀土镁合金铸锭进行热挤压制备锻坯的步骤;以及对热挤压制备的锻坯进行锻造,获得稀土镁合金锻件的步骤,本发明中的制备方法使合金的铸造态组织得到显著细化,改善了稀土镁合金的热加工工艺塑性,降低了锻坯在锻造过程中开裂的几率,提高了大尺寸稀土镁合金锻件的成品率。 /p