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找技术 >消除体效应的带隙基准源
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型公开一种消除体效应的带隙基准源,包括启动电路,纳安量级基准电流产生电路,温度补偿电路和电流镜。 利用工作在亚阈值区MOS工作特性,产生纳安量级的基准电流,采用共源共栅电流镜,抑制电源噪声,采用源极耦合差分对代替传统带隙电压源中所采用的电阻和Bipolar晶体管,消除体效应的影响,采用MOS的栅源电压具有负温度系数与MOS管的栅源电压差具有正温度系数相互调节的方法,得到一个零温漂的参考电压。
光子带隙可调的柔性光子纳米链及其制备方法和应用
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明涉及一种光子带隙可调的柔性光子纳米链及其制备方法,其可作为传感器感知外界的物理化学刺激,由单分散的超顺磁纳米粒子在响应性聚合物基体中等粒子间距排列成的单链一维纳米结构。所述的光子带隙可调的柔性光子纳米链的制备方法,包括将单分散的超顺磁纳米粒子充分分散在含有响应性聚合物单体的溶液中,在外加磁场作用下经紫外或热引发聚合反应制备得到。本发明与现有技术相比具有以下的主要优点其一柔性光子链固定在响应性聚合物内;其二本发明所制备的柔性光子纳米链光子带隙可调,能够通过反射峰位的移动对外部物理化学刺激作出响应,可以作为一种传感器;其三大大缩短被检测物在凝胶层中的扩散距离,提高响应速度。
反射式周期性微纳结构的带隙特性测量装置
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
反射式周期性微纳结构的带隙特性测量装置由激光器(1)、反射镜(2)、聚焦准直系统(3)、偏振器(4)、反射镜(5)、反射镜(13)、探测光纤(10)、光功率计(9)、计算机(8)及样品台(7)组成。 激光器(1)发出的激光依次经过第一反射镜(2)反射、聚焦准直系统(3)聚焦准直,并经偏振器(4)检偏后形成一束均匀的平面波,再被第二反射镜(5)和第三反射镜(13)反射后,该平面波(12)倾斜入射到被测样品(6)表面上。 探测光纤(10)直接靠近样品表面探测,探测的反射光谱信号(11)进入光功率计(9)测试后转换成电信号,输入计算机(8)进行处理得到带隙结构。 本发明通过探测反射光谱而不是透射光谱来获得周期性微结构的带隙特性,具有技术简单、容易实现、操作方便、精度高的特点。
二维Bi2O2Se超快高敏红外芯片材料
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
具有超高电子迁移率、合适带隙、环境稳定和可批量制备特点的全新二维半导体芯片材料(硒氧化铋,Bi 2 O 2 Se),在场效应晶体管器件、量子输运和可见光探测方面展现出优异性能。由Bi 2 O 2 Se制备成的原型光电探测器件具有很宽的光谱响应(从可见光到1700 nm短波红外区),并同时具有很高的灵敏度(在近红外二区1200nm处灵敏度高达~65A/W)。 而利用飞秒激光器组建的超快光电流动态扫描显示Bi 2 O 2 Se光电探测器具有约1皮秒(10 -12 秒)的本征超快光电流响应时间。化合物由交替堆叠的Bi 2 O 2 和Se层组成,晶体中氧的存在,使其在空气中具有极佳的稳定性,完全可暴露于空气中存放数月且保持稳定。
超高迁移率二维半导体BOX
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
首次发现一类同时具有超高电子迁移率、合适带隙、环境稳定和可批量制备特点的全新二维半导体(硒氧化铋,Bi2O2Se),在场效应晶体管器件和量子输运方面展现出优异性能。彭海琳课题组基于前期对拓扑绝缘体(Bi2Se3,Bi2Te3)等二维量子材料的系统研究,提出用轻元素部分取代拓扑绝缘体中的重元素,以降低重元素的自旋-轨道耦合等相对论效应,进而调控其能带结构,消除金属性拓扑表面态,获得高迁移率二维半导体。经过材料的理性设计和数年的实验探索,发现了一类全新的超高迁移率半导体型层状氧化物材料Bi2O2Se,并利用化学气相沉积(CVD)法制备了高稳定性的二维Bi2O2Se晶体。基于理论计算和电学输运实验测量,证明Bi2O2Se材料具有合适带隙(~0.8eV)、极小的电子有效质量(~0.14 m0)和超高的电子迁移率。系统的输运测量表明:CVD制备的Bi2O2Se二维晶体在未封装时的低温霍尔迁移率可高于20000 cm2/V·s,展示了显著的SdH量子振荡行为;标准的Bi2O2Se顶栅场效应晶体管展现了很高的室温表观场效应迁移率(~2000 cm2/V·s)和霍尔迁移率(~450 cm2/V·s)、很大的电流开关比(106)以及理想的器件亚阈值摆幅(~65 mV/dec)。二维Bi2O2Se这些优异性能和综合指标已经超过了已有的一维和二维材料体系。Bi2O2Se这种高迁移率半导体特性还可能拓展到其他铋氧硫族材料(BOX:Bi2O2S、Bi2O2Se、Bi2O2Te)。
带隙基准电路
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种带隙基准电路,其包括,一基准电压源VREF,所述基准电压源VREF拉伸门电压V_REG实现内部预稳压,并形成内部预稳压电路;一带隙核心电路,所述带隙核心电路设有提高电源抑制比的自偏置共源共栅放大电路;一负反馈电路,所述负反馈电路为所述带隙核心电路提供一个经过稳压后的电源电压VDD;一启动电路,所述启动电路在工作开始时拉伸所述基准电压源VREF使得所述自偏置共源共栅放大电路正常工作。本发明的带隙基准电路通过负反馈电路为带隙核心电路提供一个经过稳压后的电源电压,同时在内部采用自偏置共源共栅放大电路来提高电源抑制比,节省了面积和功耗。
脉冲激光沉积制备低带隙铁电光伏薄膜的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明提供一种脉冲激光沉积制备低带隙铁电光伏薄膜的方法,具体步骤为:以Pt/Ti/SiO2/Si(100)作为衬底,依次用丙酮、无水乙醇、去离子水经超声波清洗器清洗10分钟,超声波工作频率40kHz,然后用氮气吹干后立即装入真空腔内,设定衬底温度为600~800℃、真空室氧压为0~5Pa、激光脉冲能量为100~500mJ、脉冲激光频率为1~20Hz,烧蚀陶瓷靶材得到低带隙薄膜产物。本发明为物理气相沉积法,其所选用的原料较少、经济、无污染,制备工艺简单、操作方便,易于生产,为开发基于铁电半导体的太阳能电池开辟了一种全新的途径。
关于富溴籽晶诱导法助力提升高效钙钛矿太阳能电池长期稳定性的研究
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
有机无机杂化钙钛矿以其光吸收系数高、载流子扩散距离长、制备方法简单、带隙连续可调等特性,被广泛认为是发展下一代光伏器件的理想材料。自2009年以来,仅仅历经10年的发展时间,钙钛矿太阳能电池的能量转化效率已经达到25.2%,发展速度为各类太阳能电池之最。但是,由于钙钛矿太阳能电池当前面临的热稳定性、长时间工作稳定性等问题,严重阻碍了其商业化应用发展。针对此问题,北京大学物理学院赵清教授课题组利用材料工程方法,设计提出了富溴钙钛矿籽晶诱导生长两步法,实现了钙钛矿薄膜中溴离子的高效掺杂,有效提高了钙钛矿太阳能电池的长时间工作稳定性。通过在碘化铅薄膜中引入微米级富溴钙钛矿籽晶,一方面提供后续钙钛矿生长所需的成核位点、诱导薄膜生长、提高薄膜生长质量,另一方面为钙钛矿生长提供充足的溴元素,解决两步法中溴离子难以有效掺杂的问题。通过改变钙钛矿籽晶的添加量,可以实现对钙钛矿成核、晶粒大小、缺陷态密度等的精确调控,实现对最终钙钛矿成分与带隙的精准控制。测试表明,利用富溴钙钛矿籽晶诱导生长两步旋涂法制备得到的钙钛矿太阳能电池器件,其能量转化效率可以达到21.5%;更为重要的是,其长时间工作稳定性得到了显著提高,在AM1.5G太阳光下持续工作500小时后,仍然能保持超过80%的初始效率。这一成果远远超过传统两步法仅有的数小时稳定性。该研究表明,溴元素对钙钛矿材料长时间工作稳定性具有至关重要的作用,同时,提供了一条简单、高效、稳定的基于钙钛矿两步法的溴掺杂方法。此研究将为钙钛矿领域内卤素离子的均匀高效掺入、器件长时间工作稳定性的提高等问题提供了新的思路。相关研究结果发表于AdvancedEnergy Materials 9, 1902239 (2019),并被选为当期封底图片。北京大学博士生李琪为该研究论文的第一作者,赵清教授为通讯作者。以上研究得到了国家自然科学基金委、北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室、北京大学纳光电子前沿科学中心、量子物质科学协同创新中心等单位的支持。
一维声子晶体的带隙特性研究
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:科学研究和技术服务业
技术简介
针对布拉格散射声子晶体难以在几个厘米周期尺寸条件下获得 200-300赫兹以下带隙这一难点。对布拉格散射和局域共振声子晶体的减振机理进行深入研究,研究从带隙两端的共振峰的特性入手。从控制带隙两端共振峰的频率位置来控制带隙的宽度及频率位置。丰富目前声子晶体的理论研究。并且在小周期尺寸条件下获得200以下减振带隙。课题的完成使得开发用在精密仪器等小质量而要求减振频率低的场合的声子晶体成为可能。在抑制振源强度方面,通过引入声子晶体的周期结构思想改进振动源的设计,可以得到一种本身具有振动带隙的振源。在隔振方面,利用声子晶体的振动带隙特性,可将其用作隔振器,这种隔振器不仅可以用于主动隔振,也可以用于被动隔振。在声子晶体带隙范围内的振动将被有效隔离或大大抑制对于大型机械及设备的减振提供了思路,同时丰富了声子晶体的理论及研究方法。
一种基于带隙可调空穴传输层的有机光伏电池及方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明涉及一种有机无机复合薄膜太阳能电池及方法。该有机无机复合薄膜太阳能电池的特殊之处在于用低温化学浴方法制备铜铝硫薄膜以替代传统的PEDOTPSS作为空穴传输层,在保证能量转换效率和填充因子的前提下,降低了电池制备成本、易于大面积生产,器件稳定性较好,具有潜在的应用价值。该电池制备方法为先用低温化学浴方法制备铜铝硫薄膜,接着甩上一层P3HTPCBM有机薄膜,最后在P3HTPCBM表面蒸发金属铝,通过惰性气体保护下,在150℃下退火10min。从而制成有机无机薄膜复合太阳能电池。所述铜铝硫薄膜通过调节CuAl的比例,可以调节薄膜的带隙宽度。其中,通过低温水热硫化可以提升其迁移率。
找到11项技术成果数据。
找技术 >消除体效应的带隙基准源
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型公开一种消除体效应的带隙基准源,包括启动电路,纳安量级基准电流产生电路,温度补偿电路和电流镜。 利用工作在亚阈值区MOS工作特性,产生纳安量级的基准电流,采用共源共栅电流镜,抑制电源噪声,采用源极耦合差分对代替传统带隙电压源中所采用的电阻和Bipolar晶体管,消除体效应的影响,采用MOS的栅源电压具有负温度系数与MOS管的栅源电压差具有正温度系数相互调节的方法,得到一个零温漂的参考电压。
光子带隙可调的柔性光子纳米链及其制备方法和应用
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明涉及一种光子带隙可调的柔性光子纳米链及其制备方法,其可作为传感器感知外界的物理化学刺激,由单分散的超顺磁纳米粒子在响应性聚合物基体中等粒子间距排列成的单链一维纳米结构。所述的光子带隙可调的柔性光子纳米链的制备方法,包括将单分散的超顺磁纳米粒子充分分散在含有响应性聚合物单体的溶液中,在外加磁场作用下经紫外或热引发聚合反应制备得到。本发明与现有技术相比具有以下的主要优点其一柔性光子链固定在响应性聚合物内;其二本发明所制备的柔性光子纳米链光子带隙可调,能够通过反射峰位的移动对外部物理化学刺激作出响应,可以作为一种传感器;其三大大缩短被检测物在凝胶层中的扩散距离,提高响应速度。
反射式周期性微纳结构的带隙特性测量装置
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
反射式周期性微纳结构的带隙特性测量装置由激光器(1)、反射镜(2)、聚焦准直系统(3)、偏振器(4)、反射镜(5)、反射镜(13)、探测光纤(10)、光功率计(9)、计算机(8)及样品台(7)组成。 激光器(1)发出的激光依次经过第一反射镜(2)反射、聚焦准直系统(3)聚焦准直,并经偏振器(4)检偏后形成一束均匀的平面波,再被第二反射镜(5)和第三反射镜(13)反射后,该平面波(12)倾斜入射到被测样品(6)表面上。 探测光纤(10)直接靠近样品表面探测,探测的反射光谱信号(11)进入光功率计(9)测试后转换成电信号,输入计算机(8)进行处理得到带隙结构。 本发明通过探测反射光谱而不是透射光谱来获得周期性微结构的带隙特性,具有技术简单、容易实现、操作方便、精度高的特点。
二维Bi2O2Se超快高敏红外芯片材料
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
具有超高电子迁移率、合适带隙、环境稳定和可批量制备特点的全新二维半导体芯片材料(硒氧化铋,Bi 2 O 2 Se),在场效应晶体管器件、量子输运和可见光探测方面展现出优异性能。由Bi 2 O 2 Se制备成的原型光电探测器件具有很宽的光谱响应(从可见光到1700 nm短波红外区),并同时具有很高的灵敏度(在近红外二区1200nm处灵敏度高达~65A/W)。 而利用飞秒激光器组建的超快光电流动态扫描显示Bi 2 O 2 Se光电探测器具有约1皮秒(10 -12 秒)的本征超快光电流响应时间。化合物由交替堆叠的Bi 2 O 2 和Se层组成,晶体中氧的存在,使其在空气中具有极佳的稳定性,完全可暴露于空气中存放数月且保持稳定。
超高迁移率二维半导体BOX
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
首次发现一类同时具有超高电子迁移率、合适带隙、环境稳定和可批量制备特点的全新二维半导体(硒氧化铋,Bi2O2Se),在场效应晶体管器件和量子输运方面展现出优异性能。彭海琳课题组基于前期对拓扑绝缘体(Bi2Se3,Bi2Te3)等二维量子材料的系统研究,提出用轻元素部分取代拓扑绝缘体中的重元素,以降低重元素的自旋-轨道耦合等相对论效应,进而调控其能带结构,消除金属性拓扑表面态,获得高迁移率二维半导体。经过材料的理性设计和数年的实验探索,发现了一类全新的超高迁移率半导体型层状氧化物材料Bi2O2Se,并利用化学气相沉积(CVD)法制备了高稳定性的二维Bi2O2Se晶体。基于理论计算和电学输运实验测量,证明Bi2O2Se材料具有合适带隙(~0.8eV)、极小的电子有效质量(~0.14 m0)和超高的电子迁移率。系统的输运测量表明:CVD制备的Bi2O2Se二维晶体在未封装时的低温霍尔迁移率可高于20000 cm2/V·s,展示了显著的SdH量子振荡行为;标准的Bi2O2Se顶栅场效应晶体管展现了很高的室温表观场效应迁移率(~2000 cm2/V·s)和霍尔迁移率(~450 cm2/V·s)、很大的电流开关比(106)以及理想的器件亚阈值摆幅(~65 mV/dec)。二维Bi2O2Se这些优异性能和综合指标已经超过了已有的一维和二维材料体系。Bi2O2Se这种高迁移率半导体特性还可能拓展到其他铋氧硫族材料(BOX:Bi2O2S、Bi2O2Se、Bi2O2Te)。
带隙基准电路
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种带隙基准电路,其包括,一基准电压源VREF,所述基准电压源VREF拉伸门电压V_REG实现内部预稳压,并形成内部预稳压电路;一带隙核心电路,所述带隙核心电路设有提高电源抑制比的自偏置共源共栅放大电路;一负反馈电路,所述负反馈电路为所述带隙核心电路提供一个经过稳压后的电源电压VDD;一启动电路,所述启动电路在工作开始时拉伸所述基准电压源VREF使得所述自偏置共源共栅放大电路正常工作。本发明的带隙基准电路通过负反馈电路为带隙核心电路提供一个经过稳压后的电源电压,同时在内部采用自偏置共源共栅放大电路来提高电源抑制比,节省了面积和功耗。
脉冲激光沉积制备低带隙铁电光伏薄膜的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明提供一种脉冲激光沉积制备低带隙铁电光伏薄膜的方法,具体步骤为:以Pt/Ti/SiO2/Si(100)作为衬底,依次用丙酮、无水乙醇、去离子水经超声波清洗器清洗10分钟,超声波工作频率40kHz,然后用氮气吹干后立即装入真空腔内,设定衬底温度为600~800℃、真空室氧压为0~5Pa、激光脉冲能量为100~500mJ、脉冲激光频率为1~20Hz,烧蚀陶瓷靶材得到低带隙薄膜产物。本发明为物理气相沉积法,其所选用的原料较少、经济、无污染,制备工艺简单、操作方便,易于生产,为开发基于铁电半导体的太阳能电池开辟了一种全新的途径。
关于富溴籽晶诱导法助力提升高效钙钛矿太阳能电池长期稳定性的研究
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
有机无机杂化钙钛矿以其光吸收系数高、载流子扩散距离长、制备方法简单、带隙连续可调等特性,被广泛认为是发展下一代光伏器件的理想材料。自2009年以来,仅仅历经10年的发展时间,钙钛矿太阳能电池的能量转化效率已经达到25.2%,发展速度为各类太阳能电池之最。但是,由于钙钛矿太阳能电池当前面临的热稳定性、长时间工作稳定性等问题,严重阻碍了其商业化应用发展。针对此问题,北京大学物理学院赵清教授课题组利用材料工程方法,设计提出了富溴钙钛矿籽晶诱导生长两步法,实现了钙钛矿薄膜中溴离子的高效掺杂,有效提高了钙钛矿太阳能电池的长时间工作稳定性。通过在碘化铅薄膜中引入微米级富溴钙钛矿籽晶,一方面提供后续钙钛矿生长所需的成核位点、诱导薄膜生长、提高薄膜生长质量,另一方面为钙钛矿生长提供充足的溴元素,解决两步法中溴离子难以有效掺杂的问题。通过改变钙钛矿籽晶的添加量,可以实现对钙钛矿成核、晶粒大小、缺陷态密度等的精确调控,实现对最终钙钛矿成分与带隙的精准控制。测试表明,利用富溴钙钛矿籽晶诱导生长两步旋涂法制备得到的钙钛矿太阳能电池器件,其能量转化效率可以达到21.5%;更为重要的是,其长时间工作稳定性得到了显著提高,在AM1.5G太阳光下持续工作500小时后,仍然能保持超过80%的初始效率。这一成果远远超过传统两步法仅有的数小时稳定性。该研究表明,溴元素对钙钛矿材料长时间工作稳定性具有至关重要的作用,同时,提供了一条简单、高效、稳定的基于钙钛矿两步法的溴掺杂方法。此研究将为钙钛矿领域内卤素离子的均匀高效掺入、器件长时间工作稳定性的提高等问题提供了新的思路。相关研究结果发表于AdvancedEnergy Materials 9, 1902239 (2019),并被选为当期封底图片。北京大学博士生李琪为该研究论文的第一作者,赵清教授为通讯作者。以上研究得到了国家自然科学基金委、北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室、北京大学纳光电子前沿科学中心、量子物质科学协同创新中心等单位的支持。
一维声子晶体的带隙特性研究
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:科学研究和技术服务业
技术简介
针对布拉格散射声子晶体难以在几个厘米周期尺寸条件下获得 200-300赫兹以下带隙这一难点。对布拉格散射和局域共振声子晶体的减振机理进行深入研究,研究从带隙两端的共振峰的特性入手。从控制带隙两端共振峰的频率位置来控制带隙的宽度及频率位置。丰富目前声子晶体的理论研究。并且在小周期尺寸条件下获得200以下减振带隙。课题的完成使得开发用在精密仪器等小质量而要求减振频率低的场合的声子晶体成为可能。在抑制振源强度方面,通过引入声子晶体的周期结构思想改进振动源的设计,可以得到一种本身具有振动带隙的振源。在隔振方面,利用声子晶体的振动带隙特性,可将其用作隔振器,这种隔振器不仅可以用于主动隔振,也可以用于被动隔振。在声子晶体带隙范围内的振动将被有效隔离或大大抑制对于大型机械及设备的减振提供了思路,同时丰富了声子晶体的理论及研究方法。
一种基于带隙可调空穴传输层的有机光伏电池及方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明涉及一种有机无机复合薄膜太阳能电池及方法。该有机无机复合薄膜太阳能电池的特殊之处在于用低温化学浴方法制备铜铝硫薄膜以替代传统的PEDOTPSS作为空穴传输层,在保证能量转换效率和填充因子的前提下,降低了电池制备成本、易于大面积生产,器件稳定性较好,具有潜在的应用价值。该电池制备方法为先用低温化学浴方法制备铜铝硫薄膜,接着甩上一层P3HTPCBM有机薄膜,最后在P3HTPCBM表面蒸发金属铝,通过惰性气体保护下,在150℃下退火10min。从而制成有机无机薄膜复合太阳能电池。所述铜铝硫薄膜通过调节CuAl的比例,可以调节薄膜的带隙宽度。其中,通过低温水热硫化可以提升其迁移率。
找到11项技术成果数据。
找技术 >消除体效应的带隙基准源
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型公开一种消除体效应的带隙基准源,包括启动电路,纳安量级基准电流产生电路,温度补偿电路和电流镜。 利用工作在亚阈值区MOS工作特性,产生纳安量级的基准电流,采用共源共栅电流镜,抑制电源噪声,采用源极耦合差分对代替传统带隙电压源中所采用的电阻和Bipolar晶体管,消除体效应的影响,采用MOS的栅源电压具有负温度系数与MOS管的栅源电压差具有正温度系数相互调节的方法,得到一个零温漂的参考电压。
光子带隙可调的柔性光子纳米链及其制备方法和应用
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明涉及一种光子带隙可调的柔性光子纳米链及其制备方法,其可作为传感器感知外界的物理化学刺激,由单分散的超顺磁纳米粒子在响应性聚合物基体中等粒子间距排列成的单链一维纳米结构。所述的光子带隙可调的柔性光子纳米链的制备方法,包括将单分散的超顺磁纳米粒子充分分散在含有响应性聚合物单体的溶液中,在外加磁场作用下经紫外或热引发聚合反应制备得到。本发明与现有技术相比具有以下的主要优点其一柔性光子链固定在响应性聚合物内;其二本发明所制备的柔性光子纳米链光子带隙可调,能够通过反射峰位的移动对外部物理化学刺激作出响应,可以作为一种传感器;其三大大缩短被检测物在凝胶层中的扩散距离,提高响应速度。
反射式周期性微纳结构的带隙特性测量装置
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
反射式周期性微纳结构的带隙特性测量装置由激光器(1)、反射镜(2)、聚焦准直系统(3)、偏振器(4)、反射镜(5)、反射镜(13)、探测光纤(10)、光功率计(9)、计算机(8)及样品台(7)组成。 激光器(1)发出的激光依次经过第一反射镜(2)反射、聚焦准直系统(3)聚焦准直,并经偏振器(4)检偏后形成一束均匀的平面波,再被第二反射镜(5)和第三反射镜(13)反射后,该平面波(12)倾斜入射到被测样品(6)表面上。 探测光纤(10)直接靠近样品表面探测,探测的反射光谱信号(11)进入光功率计(9)测试后转换成电信号,输入计算机(8)进行处理得到带隙结构。 本发明通过探测反射光谱而不是透射光谱来获得周期性微结构的带隙特性,具有技术简单、容易实现、操作方便、精度高的特点。
二维Bi2O2Se超快高敏红外芯片材料
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
具有超高电子迁移率、合适带隙、环境稳定和可批量制备特点的全新二维半导体芯片材料(硒氧化铋,Bi 2 O 2 Se),在场效应晶体管器件、量子输运和可见光探测方面展现出优异性能。由Bi 2 O 2 Se制备成的原型光电探测器件具有很宽的光谱响应(从可见光到1700 nm短波红外区),并同时具有很高的灵敏度(在近红外二区1200nm处灵敏度高达~65A/W)。 而利用飞秒激光器组建的超快光电流动态扫描显示Bi 2 O 2 Se光电探测器具有约1皮秒(10 -12 秒)的本征超快光电流响应时间。化合物由交替堆叠的Bi 2 O 2 和Se层组成,晶体中氧的存在,使其在空气中具有极佳的稳定性,完全可暴露于空气中存放数月且保持稳定。
超高迁移率二维半导体BOX
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
首次发现一类同时具有超高电子迁移率、合适带隙、环境稳定和可批量制备特点的全新二维半导体(硒氧化铋,Bi2O2Se),在场效应晶体管器件和量子输运方面展现出优异性能。彭海琳课题组基于前期对拓扑绝缘体(Bi2Se3,Bi2Te3)等二维量子材料的系统研究,提出用轻元素部分取代拓扑绝缘体中的重元素,以降低重元素的自旋-轨道耦合等相对论效应,进而调控其能带结构,消除金属性拓扑表面态,获得高迁移率二维半导体。经过材料的理性设计和数年的实验探索,发现了一类全新的超高迁移率半导体型层状氧化物材料Bi2O2Se,并利用化学气相沉积(CVD)法制备了高稳定性的二维Bi2O2Se晶体。基于理论计算和电学输运实验测量,证明Bi2O2Se材料具有合适带隙(~0.8eV)、极小的电子有效质量(~0.14 m0)和超高的电子迁移率。系统的输运测量表明:CVD制备的Bi2O2Se二维晶体在未封装时的低温霍尔迁移率可高于20000 cm2/V·s,展示了显著的SdH量子振荡行为;标准的Bi2O2Se顶栅场效应晶体管展现了很高的室温表观场效应迁移率(~2000 cm2/V·s)和霍尔迁移率(~450 cm2/V·s)、很大的电流开关比(106)以及理想的器件亚阈值摆幅(~65 mV/dec)。二维Bi2O2Se这些优异性能和综合指标已经超过了已有的一维和二维材料体系。Bi2O2Se这种高迁移率半导体特性还可能拓展到其他铋氧硫族材料(BOX:Bi2O2S、Bi2O2Se、Bi2O2Te)。
带隙基准电路
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种带隙基准电路,其包括,一基准电压源VREF,所述基准电压源VREF拉伸门电压V_REG实现内部预稳压,并形成内部预稳压电路;一带隙核心电路,所述带隙核心电路设有提高电源抑制比的自偏置共源共栅放大电路;一负反馈电路,所述负反馈电路为所述带隙核心电路提供一个经过稳压后的电源电压VDD;一启动电路,所述启动电路在工作开始时拉伸所述基准电压源VREF使得所述自偏置共源共栅放大电路正常工作。本发明的带隙基准电路通过负反馈电路为带隙核心电路提供一个经过稳压后的电源电压,同时在内部采用自偏置共源共栅放大电路来提高电源抑制比,节省了面积和功耗。
脉冲激光沉积制备低带隙铁电光伏薄膜的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明提供一种脉冲激光沉积制备低带隙铁电光伏薄膜的方法,具体步骤为:以Pt/Ti/SiO2/Si(100)作为衬底,依次用丙酮、无水乙醇、去离子水经超声波清洗器清洗10分钟,超声波工作频率40kHz,然后用氮气吹干后立即装入真空腔内,设定衬底温度为600~800℃、真空室氧压为0~5Pa、激光脉冲能量为100~500mJ、脉冲激光频率为1~20Hz,烧蚀陶瓷靶材得到低带隙薄膜产物。本发明为物理气相沉积法,其所选用的原料较少、经济、无污染,制备工艺简单、操作方便,易于生产,为开发基于铁电半导体的太阳能电池开辟了一种全新的途径。
关于富溴籽晶诱导法助力提升高效钙钛矿太阳能电池长期稳定性的研究
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
有机无机杂化钙钛矿以其光吸收系数高、载流子扩散距离长、制备方法简单、带隙连续可调等特性,被广泛认为是发展下一代光伏器件的理想材料。自2009年以来,仅仅历经10年的发展时间,钙钛矿太阳能电池的能量转化效率已经达到25.2%,发展速度为各类太阳能电池之最。但是,由于钙钛矿太阳能电池当前面临的热稳定性、长时间工作稳定性等问题,严重阻碍了其商业化应用发展。针对此问题,北京大学物理学院赵清教授课题组利用材料工程方法,设计提出了富溴钙钛矿籽晶诱导生长两步法,实现了钙钛矿薄膜中溴离子的高效掺杂,有效提高了钙钛矿太阳能电池的长时间工作稳定性。通过在碘化铅薄膜中引入微米级富溴钙钛矿籽晶,一方面提供后续钙钛矿生长所需的成核位点、诱导薄膜生长、提高薄膜生长质量,另一方面为钙钛矿生长提供充足的溴元素,解决两步法中溴离子难以有效掺杂的问题。通过改变钙钛矿籽晶的添加量,可以实现对钙钛矿成核、晶粒大小、缺陷态密度等的精确调控,实现对最终钙钛矿成分与带隙的精准控制。测试表明,利用富溴钙钛矿籽晶诱导生长两步旋涂法制备得到的钙钛矿太阳能电池器件,其能量转化效率可以达到21.5%;更为重要的是,其长时间工作稳定性得到了显著提高,在AM1.5G太阳光下持续工作500小时后,仍然能保持超过80%的初始效率。这一成果远远超过传统两步法仅有的数小时稳定性。该研究表明,溴元素对钙钛矿材料长时间工作稳定性具有至关重要的作用,同时,提供了一条简单、高效、稳定的基于钙钛矿两步法的溴掺杂方法。此研究将为钙钛矿领域内卤素离子的均匀高效掺入、器件长时间工作稳定性的提高等问题提供了新的思路。相关研究结果发表于AdvancedEnergy Materials 9, 1902239 (2019),并被选为当期封底图片。北京大学博士生李琪为该研究论文的第一作者,赵清教授为通讯作者。以上研究得到了国家自然科学基金委、北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室、北京大学纳光电子前沿科学中心、量子物质科学协同创新中心等单位的支持。
一维声子晶体的带隙特性研究
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:科学研究和技术服务业
技术简介
针对布拉格散射声子晶体难以在几个厘米周期尺寸条件下获得 200-300赫兹以下带隙这一难点。对布拉格散射和局域共振声子晶体的减振机理进行深入研究,研究从带隙两端的共振峰的特性入手。从控制带隙两端共振峰的频率位置来控制带隙的宽度及频率位置。丰富目前声子晶体的理论研究。并且在小周期尺寸条件下获得200以下减振带隙。课题的完成使得开发用在精密仪器等小质量而要求减振频率低的场合的声子晶体成为可能。在抑制振源强度方面,通过引入声子晶体的周期结构思想改进振动源的设计,可以得到一种本身具有振动带隙的振源。在隔振方面,利用声子晶体的振动带隙特性,可将其用作隔振器,这种隔振器不仅可以用于主动隔振,也可以用于被动隔振。在声子晶体带隙范围内的振动将被有效隔离或大大抑制对于大型机械及设备的减振提供了思路,同时丰富了声子晶体的理论及研究方法。
一种基于带隙可调空穴传输层的有机光伏电池及方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明涉及一种有机无机复合薄膜太阳能电池及方法。该有机无机复合薄膜太阳能电池的特殊之处在于用低温化学浴方法制备铜铝硫薄膜以替代传统的PEDOTPSS作为空穴传输层,在保证能量转换效率和填充因子的前提下,降低了电池制备成本、易于大面积生产,器件稳定性较好,具有潜在的应用价值。该电池制备方法为先用低温化学浴方法制备铜铝硫薄膜,接着甩上一层P3HTPCBM有机薄膜,最后在P3HTPCBM表面蒸发金属铝,通过惰性气体保护下,在150℃下退火10min。从而制成有机无机薄膜复合太阳能电池。所述铜铝硫薄膜通过调节CuAl的比例,可以调节薄膜的带隙宽度。其中,通过低温水热硫化可以提升其迁移率。
找到11项技术成果数据。
找技术 >消除体效应的带隙基准源
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型公开一种消除体效应的带隙基准源,包括启动电路,纳安量级基准电流产生电路,温度补偿电路和电流镜。 利用工作在亚阈值区MOS工作特性,产生纳安量级的基准电流,采用共源共栅电流镜,抑制电源噪声,采用源极耦合差分对代替传统带隙电压源中所采用的电阻和Bipolar晶体管,消除体效应的影响,采用MOS的栅源电压具有负温度系数与MOS管的栅源电压差具有正温度系数相互调节的方法,得到一个零温漂的参考电压。
光子带隙可调的柔性光子纳米链及其制备方法和应用
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明涉及一种光子带隙可调的柔性光子纳米链及其制备方法,其可作为传感器感知外界的物理化学刺激,由单分散的超顺磁纳米粒子在响应性聚合物基体中等粒子间距排列成的单链一维纳米结构。所述的光子带隙可调的柔性光子纳米链的制备方法,包括将单分散的超顺磁纳米粒子充分分散在含有响应性聚合物单体的溶液中,在外加磁场作用下经紫外或热引发聚合反应制备得到。本发明与现有技术相比具有以下的主要优点其一柔性光子链固定在响应性聚合物内;其二本发明所制备的柔性光子纳米链光子带隙可调,能够通过反射峰位的移动对外部物理化学刺激作出响应,可以作为一种传感器;其三大大缩短被检测物在凝胶层中的扩散距离,提高响应速度。
反射式周期性微纳结构的带隙特性测量装置
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
反射式周期性微纳结构的带隙特性测量装置由激光器(1)、反射镜(2)、聚焦准直系统(3)、偏振器(4)、反射镜(5)、反射镜(13)、探测光纤(10)、光功率计(9)、计算机(8)及样品台(7)组成。 激光器(1)发出的激光依次经过第一反射镜(2)反射、聚焦准直系统(3)聚焦准直,并经偏振器(4)检偏后形成一束均匀的平面波,再被第二反射镜(5)和第三反射镜(13)反射后,该平面波(12)倾斜入射到被测样品(6)表面上。 探测光纤(10)直接靠近样品表面探测,探测的反射光谱信号(11)进入光功率计(9)测试后转换成电信号,输入计算机(8)进行处理得到带隙结构。 本发明通过探测反射光谱而不是透射光谱来获得周期性微结构的带隙特性,具有技术简单、容易实现、操作方便、精度高的特点。
二维Bi2O2Se超快高敏红外芯片材料
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
具有超高电子迁移率、合适带隙、环境稳定和可批量制备特点的全新二维半导体芯片材料(硒氧化铋,Bi 2 O 2 Se),在场效应晶体管器件、量子输运和可见光探测方面展现出优异性能。由Bi 2 O 2 Se制备成的原型光电探测器件具有很宽的光谱响应(从可见光到1700 nm短波红外区),并同时具有很高的灵敏度(在近红外二区1200nm处灵敏度高达~65A/W)。 而利用飞秒激光器组建的超快光电流动态扫描显示Bi 2 O 2 Se光电探测器具有约1皮秒(10 -12 秒)的本征超快光电流响应时间。化合物由交替堆叠的Bi 2 O 2 和Se层组成,晶体中氧的存在,使其在空气中具有极佳的稳定性,完全可暴露于空气中存放数月且保持稳定。
超高迁移率二维半导体BOX
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
首次发现一类同时具有超高电子迁移率、合适带隙、环境稳定和可批量制备特点的全新二维半导体(硒氧化铋,Bi2O2Se),在场效应晶体管器件和量子输运方面展现出优异性能。彭海琳课题组基于前期对拓扑绝缘体(Bi2Se3,Bi2Te3)等二维量子材料的系统研究,提出用轻元素部分取代拓扑绝缘体中的重元素,以降低重元素的自旋-轨道耦合等相对论效应,进而调控其能带结构,消除金属性拓扑表面态,获得高迁移率二维半导体。经过材料的理性设计和数年的实验探索,发现了一类全新的超高迁移率半导体型层状氧化物材料Bi2O2Se,并利用化学气相沉积(CVD)法制备了高稳定性的二维Bi2O2Se晶体。基于理论计算和电学输运实验测量,证明Bi2O2Se材料具有合适带隙(~0.8eV)、极小的电子有效质量(~0.14 m0)和超高的电子迁移率。系统的输运测量表明:CVD制备的Bi2O2Se二维晶体在未封装时的低温霍尔迁移率可高于20000 cm2/V·s,展示了显著的SdH量子振荡行为;标准的Bi2O2Se顶栅场效应晶体管展现了很高的室温表观场效应迁移率(~2000 cm2/V·s)和霍尔迁移率(~450 cm2/V·s)、很大的电流开关比(106)以及理想的器件亚阈值摆幅(~65 mV/dec)。二维Bi2O2Se这些优异性能和综合指标已经超过了已有的一维和二维材料体系。Bi2O2Se这种高迁移率半导体特性还可能拓展到其他铋氧硫族材料(BOX:Bi2O2S、Bi2O2Se、Bi2O2Te)。
带隙基准电路
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种带隙基准电路,其包括,一基准电压源VREF,所述基准电压源VREF拉伸门电压V_REG实现内部预稳压,并形成内部预稳压电路;一带隙核心电路,所述带隙核心电路设有提高电源抑制比的自偏置共源共栅放大电路;一负反馈电路,所述负反馈电路为所述带隙核心电路提供一个经过稳压后的电源电压VDD;一启动电路,所述启动电路在工作开始时拉伸所述基准电压源VREF使得所述自偏置共源共栅放大电路正常工作。本发明的带隙基准电路通过负反馈电路为带隙核心电路提供一个经过稳压后的电源电压,同时在内部采用自偏置共源共栅放大电路来提高电源抑制比,节省了面积和功耗。
脉冲激光沉积制备低带隙铁电光伏薄膜的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明提供一种脉冲激光沉积制备低带隙铁电光伏薄膜的方法,具体步骤为:以Pt/Ti/SiO2/Si(100)作为衬底,依次用丙酮、无水乙醇、去离子水经超声波清洗器清洗10分钟,超声波工作频率40kHz,然后用氮气吹干后立即装入真空腔内,设定衬底温度为600~800℃、真空室氧压为0~5Pa、激光脉冲能量为100~500mJ、脉冲激光频率为1~20Hz,烧蚀陶瓷靶材得到低带隙薄膜产物。本发明为物理气相沉积法,其所选用的原料较少、经济、无污染,制备工艺简单、操作方便,易于生产,为开发基于铁电半导体的太阳能电池开辟了一种全新的途径。
关于富溴籽晶诱导法助力提升高效钙钛矿太阳能电池长期稳定性的研究
成熟度:-
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应用行业:制造业
技术简介
有机无机杂化钙钛矿以其光吸收系数高、载流子扩散距离长、制备方法简单、带隙连续可调等特性,被广泛认为是发展下一代光伏器件的理想材料。自2009年以来,仅仅历经10年的发展时间,钙钛矿太阳能电池的能量转化效率已经达到25.2%,发展速度为各类太阳能电池之最。但是,由于钙钛矿太阳能电池当前面临的热稳定性、长时间工作稳定性等问题,严重阻碍了其商业化应用发展。针对此问题,北京大学物理学院赵清教授课题组利用材料工程方法,设计提出了富溴钙钛矿籽晶诱导生长两步法,实现了钙钛矿薄膜中溴离子的高效掺杂,有效提高了钙钛矿太阳能电池的长时间工作稳定性。通过在碘化铅薄膜中引入微米级富溴钙钛矿籽晶,一方面提供后续钙钛矿生长所需的成核位点、诱导薄膜生长、提高薄膜生长质量,另一方面为钙钛矿生长提供充足的溴元素,解决两步法中溴离子难以有效掺杂的问题。通过改变钙钛矿籽晶的添加量,可以实现对钙钛矿成核、晶粒大小、缺陷态密度等的精确调控,实现对最终钙钛矿成分与带隙的精准控制。测试表明,利用富溴钙钛矿籽晶诱导生长两步旋涂法制备得到的钙钛矿太阳能电池器件,其能量转化效率可以达到21.5%;更为重要的是,其长时间工作稳定性得到了显著提高,在AM1.5G太阳光下持续工作500小时后,仍然能保持超过80%的初始效率。这一成果远远超过传统两步法仅有的数小时稳定性。该研究表明,溴元素对钙钛矿材料长时间工作稳定性具有至关重要的作用,同时,提供了一条简单、高效、稳定的基于钙钛矿两步法的溴掺杂方法。此研究将为钙钛矿领域内卤素离子的均匀高效掺入、器件长时间工作稳定性的提高等问题提供了新的思路。相关研究结果发表于AdvancedEnergy Materials 9, 1902239 (2019),并被选为当期封底图片。北京大学博士生李琪为该研究论文的第一作者,赵清教授为通讯作者。以上研究得到了国家自然科学基金委、北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室、北京大学纳光电子前沿科学中心、量子物质科学协同创新中心等单位的支持。
一维声子晶体的带隙特性研究
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:科学研究和技术服务业
技术简介
针对布拉格散射声子晶体难以在几个厘米周期尺寸条件下获得 200-300赫兹以下带隙这一难点。对布拉格散射和局域共振声子晶体的减振机理进行深入研究,研究从带隙两端的共振峰的特性入手。从控制带隙两端共振峰的频率位置来控制带隙的宽度及频率位置。丰富目前声子晶体的理论研究。并且在小周期尺寸条件下获得200以下减振带隙。课题的完成使得开发用在精密仪器等小质量而要求减振频率低的场合的声子晶体成为可能。在抑制振源强度方面,通过引入声子晶体的周期结构思想改进振动源的设计,可以得到一种本身具有振动带隙的振源。在隔振方面,利用声子晶体的振动带隙特性,可将其用作隔振器,这种隔振器不仅可以用于主动隔振,也可以用于被动隔振。在声子晶体带隙范围内的振动将被有效隔离或大大抑制对于大型机械及设备的减振提供了思路,同时丰富了声子晶体的理论及研究方法。
一种基于带隙可调空穴传输层的有机光伏电池及方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明涉及一种有机无机复合薄膜太阳能电池及方法。该有机无机复合薄膜太阳能电池的特殊之处在于用低温化学浴方法制备铜铝硫薄膜以替代传统的PEDOTPSS作为空穴传输层,在保证能量转换效率和填充因子的前提下,降低了电池制备成本、易于大面积生产,器件稳定性较好,具有潜在的应用价值。该电池制备方法为先用低温化学浴方法制备铜铝硫薄膜,接着甩上一层P3HTPCBM有机薄膜,最后在P3HTPCBM表面蒸发金属铝,通过惰性气体保护下,在150℃下退火10min。从而制成有机无机薄膜复合太阳能电池。所述铜铝硫薄膜通过调节CuAl的比例,可以调节薄膜的带隙宽度。其中,通过低温水热硫化可以提升其迁移率。
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找技术 >消除体效应的带隙基准源
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
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技术简介
本实用新型公开一种消除体效应的带隙基准源,包括启动电路,纳安量级基准电流产生电路,温度补偿电路和电流镜。 利用工作在亚阈值区MOS工作特性,产生纳安量级的基准电流,采用共源共栅电流镜,抑制电源噪声,采用源极耦合差分对代替传统带隙电压源中所采用的电阻和Bipolar晶体管,消除体效应的影响,采用MOS的栅源电压具有负温度系数与MOS管的栅源电压差具有正温度系数相互调节的方法,得到一个零温漂的参考电压。
光子带隙可调的柔性光子纳米链及其制备方法和应用
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明涉及一种光子带隙可调的柔性光子纳米链及其制备方法,其可作为传感器感知外界的物理化学刺激,由单分散的超顺磁纳米粒子在响应性聚合物基体中等粒子间距排列成的单链一维纳米结构。所述的光子带隙可调的柔性光子纳米链的制备方法,包括将单分散的超顺磁纳米粒子充分分散在含有响应性聚合物单体的溶液中,在外加磁场作用下经紫外或热引发聚合反应制备得到。本发明与现有技术相比具有以下的主要优点其一柔性光子链固定在响应性聚合物内;其二本发明所制备的柔性光子纳米链光子带隙可调,能够通过反射峰位的移动对外部物理化学刺激作出响应,可以作为一种传感器;其三大大缩短被检测物在凝胶层中的扩散距离,提高响应速度。
反射式周期性微纳结构的带隙特性测量装置
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
反射式周期性微纳结构的带隙特性测量装置由激光器(1)、反射镜(2)、聚焦准直系统(3)、偏振器(4)、反射镜(5)、反射镜(13)、探测光纤(10)、光功率计(9)、计算机(8)及样品台(7)组成。 激光器(1)发出的激光依次经过第一反射镜(2)反射、聚焦准直系统(3)聚焦准直,并经偏振器(4)检偏后形成一束均匀的平面波,再被第二反射镜(5)和第三反射镜(13)反射后,该平面波(12)倾斜入射到被测样品(6)表面上。 探测光纤(10)直接靠近样品表面探测,探测的反射光谱信号(11)进入光功率计(9)测试后转换成电信号,输入计算机(8)进行处理得到带隙结构。 本发明通过探测反射光谱而不是透射光谱来获得周期性微结构的带隙特性,具有技术简单、容易实现、操作方便、精度高的特点。
二维Bi2O2Se超快高敏红外芯片材料
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应用行业:制造业
技术简介
具有超高电子迁移率、合适带隙、环境稳定和可批量制备特点的全新二维半导体芯片材料(硒氧化铋,Bi 2 O 2 Se),在场效应晶体管器件、量子输运和可见光探测方面展现出优异性能。由Bi 2 O 2 Se制备成的原型光电探测器件具有很宽的光谱响应(从可见光到1700 nm短波红外区),并同时具有很高的灵敏度(在近红外二区1200nm处灵敏度高达~65A/W)。 而利用飞秒激光器组建的超快光电流动态扫描显示Bi 2 O 2 Se光电探测器具有约1皮秒(10 -12 秒)的本征超快光电流响应时间。化合物由交替堆叠的Bi 2 O 2 和Se层组成,晶体中氧的存在,使其在空气中具有极佳的稳定性,完全可暴露于空气中存放数月且保持稳定。
超高迁移率二维半导体BOX
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
首次发现一类同时具有超高电子迁移率、合适带隙、环境稳定和可批量制备特点的全新二维半导体(硒氧化铋,Bi2O2Se),在场效应晶体管器件和量子输运方面展现出优异性能。彭海琳课题组基于前期对拓扑绝缘体(Bi2Se3,Bi2Te3)等二维量子材料的系统研究,提出用轻元素部分取代拓扑绝缘体中的重元素,以降低重元素的自旋-轨道耦合等相对论效应,进而调控其能带结构,消除金属性拓扑表面态,获得高迁移率二维半导体。经过材料的理性设计和数年的实验探索,发现了一类全新的超高迁移率半导体型层状氧化物材料Bi2O2Se,并利用化学气相沉积(CVD)法制备了高稳定性的二维Bi2O2Se晶体。基于理论计算和电学输运实验测量,证明Bi2O2Se材料具有合适带隙(~0.8eV)、极小的电子有效质量(~0.14 m0)和超高的电子迁移率。系统的输运测量表明:CVD制备的Bi2O2Se二维晶体在未封装时的低温霍尔迁移率可高于20000 cm2/V·s,展示了显著的SdH量子振荡行为;标准的Bi2O2Se顶栅场效应晶体管展现了很高的室温表观场效应迁移率(~2000 cm2/V·s)和霍尔迁移率(~450 cm2/V·s)、很大的电流开关比(106)以及理想的器件亚阈值摆幅(~65 mV/dec)。二维Bi2O2Se这些优异性能和综合指标已经超过了已有的一维和二维材料体系。Bi2O2Se这种高迁移率半导体特性还可能拓展到其他铋氧硫族材料(BOX:Bi2O2S、Bi2O2Se、Bi2O2Te)。
带隙基准电路
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种带隙基准电路,其包括,一基准电压源VREF,所述基准电压源VREF拉伸门电压V_REG实现内部预稳压,并形成内部预稳压电路;一带隙核心电路,所述带隙核心电路设有提高电源抑制比的自偏置共源共栅放大电路;一负反馈电路,所述负反馈电路为所述带隙核心电路提供一个经过稳压后的电源电压VDD;一启动电路,所述启动电路在工作开始时拉伸所述基准电压源VREF使得所述自偏置共源共栅放大电路正常工作。本发明的带隙基准电路通过负反馈电路为带隙核心电路提供一个经过稳压后的电源电压,同时在内部采用自偏置共源共栅放大电路来提高电源抑制比,节省了面积和功耗。
脉冲激光沉积制备低带隙铁电光伏薄膜的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明提供一种脉冲激光沉积制备低带隙铁电光伏薄膜的方法,具体步骤为:以Pt/Ti/SiO2/Si(100)作为衬底,依次用丙酮、无水乙醇、去离子水经超声波清洗器清洗10分钟,超声波工作频率40kHz,然后用氮气吹干后立即装入真空腔内,设定衬底温度为600~800℃、真空室氧压为0~5Pa、激光脉冲能量为100~500mJ、脉冲激光频率为1~20Hz,烧蚀陶瓷靶材得到低带隙薄膜产物。本发明为物理气相沉积法,其所选用的原料较少、经济、无污染,制备工艺简单、操作方便,易于生产,为开发基于铁电半导体的太阳能电池开辟了一种全新的途径。
关于富溴籽晶诱导法助力提升高效钙钛矿太阳能电池长期稳定性的研究
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
有机无机杂化钙钛矿以其光吸收系数高、载流子扩散距离长、制备方法简单、带隙连续可调等特性,被广泛认为是发展下一代光伏器件的理想材料。自2009年以来,仅仅历经10年的发展时间,钙钛矿太阳能电池的能量转化效率已经达到25.2%,发展速度为各类太阳能电池之最。但是,由于钙钛矿太阳能电池当前面临的热稳定性、长时间工作稳定性等问题,严重阻碍了其商业化应用发展。针对此问题,北京大学物理学院赵清教授课题组利用材料工程方法,设计提出了富溴钙钛矿籽晶诱导生长两步法,实现了钙钛矿薄膜中溴离子的高效掺杂,有效提高了钙钛矿太阳能电池的长时间工作稳定性。通过在碘化铅薄膜中引入微米级富溴钙钛矿籽晶,一方面提供后续钙钛矿生长所需的成核位点、诱导薄膜生长、提高薄膜生长质量,另一方面为钙钛矿生长提供充足的溴元素,解决两步法中溴离子难以有效掺杂的问题。通过改变钙钛矿籽晶的添加量,可以实现对钙钛矿成核、晶粒大小、缺陷态密度等的精确调控,实现对最终钙钛矿成分与带隙的精准控制。测试表明,利用富溴钙钛矿籽晶诱导生长两步旋涂法制备得到的钙钛矿太阳能电池器件,其能量转化效率可以达到21.5%;更为重要的是,其长时间工作稳定性得到了显著提高,在AM1.5G太阳光下持续工作500小时后,仍然能保持超过80%的初始效率。这一成果远远超过传统两步法仅有的数小时稳定性。该研究表明,溴元素对钙钛矿材料长时间工作稳定性具有至关重要的作用,同时,提供了一条简单、高效、稳定的基于钙钛矿两步法的溴掺杂方法。此研究将为钙钛矿领域内卤素离子的均匀高效掺入、器件长时间工作稳定性的提高等问题提供了新的思路。相关研究结果发表于AdvancedEnergy Materials 9, 1902239 (2019),并被选为当期封底图片。北京大学博士生李琪为该研究论文的第一作者,赵清教授为通讯作者。以上研究得到了国家自然科学基金委、北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室、北京大学纳光电子前沿科学中心、量子物质科学协同创新中心等单位的支持。
一维声子晶体的带隙特性研究
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:科学研究和技术服务业
技术简介
针对布拉格散射声子晶体难以在几个厘米周期尺寸条件下获得 200-300赫兹以下带隙这一难点。对布拉格散射和局域共振声子晶体的减振机理进行深入研究,研究从带隙两端的共振峰的特性入手。从控制带隙两端共振峰的频率位置来控制带隙的宽度及频率位置。丰富目前声子晶体的理论研究。并且在小周期尺寸条件下获得200以下减振带隙。课题的完成使得开发用在精密仪器等小质量而要求减振频率低的场合的声子晶体成为可能。在抑制振源强度方面,通过引入声子晶体的周期结构思想改进振动源的设计,可以得到一种本身具有振动带隙的振源。在隔振方面,利用声子晶体的振动带隙特性,可将其用作隔振器,这种隔振器不仅可以用于主动隔振,也可以用于被动隔振。在声子晶体带隙范围内的振动将被有效隔离或大大抑制对于大型机械及设备的减振提供了思路,同时丰富了声子晶体的理论及研究方法。
一种基于带隙可调空穴传输层的有机光伏电池及方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明涉及一种有机无机复合薄膜太阳能电池及方法。该有机无机复合薄膜太阳能电池的特殊之处在于用低温化学浴方法制备铜铝硫薄膜以替代传统的PEDOTPSS作为空穴传输层,在保证能量转换效率和填充因子的前提下,降低了电池制备成本、易于大面积生产,器件稳定性较好,具有潜在的应用价值。该电池制备方法为先用低温化学浴方法制备铜铝硫薄膜,接着甩上一层P3HTPCBM有机薄膜,最后在P3HTPCBM表面蒸发金属铝,通过惰性气体保护下,在150℃下退火10min。从而制成有机无机薄膜复合太阳能电池。所述铜铝硫薄膜通过调节CuAl的比例,可以调节薄膜的带隙宽度。其中,通过低温水热硫化可以提升其迁移率。
找到11项技术成果数据。
找技术 >消除体效应的带隙基准源
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型公开一种消除体效应的带隙基准源,包括启动电路,纳安量级基准电流产生电路,温度补偿电路和电流镜。 利用工作在亚阈值区MOS工作特性,产生纳安量级的基准电流,采用共源共栅电流镜,抑制电源噪声,采用源极耦合差分对代替传统带隙电压源中所采用的电阻和Bipolar晶体管,消除体效应的影响,采用MOS的栅源电压具有负温度系数与MOS管的栅源电压差具有正温度系数相互调节的方法,得到一个零温漂的参考电压。
光子带隙可调的柔性光子纳米链及其制备方法和应用
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明涉及一种光子带隙可调的柔性光子纳米链及其制备方法,其可作为传感器感知外界的物理化学刺激,由单分散的超顺磁纳米粒子在响应性聚合物基体中等粒子间距排列成的单链一维纳米结构。所述的光子带隙可调的柔性光子纳米链的制备方法,包括将单分散的超顺磁纳米粒子充分分散在含有响应性聚合物单体的溶液中,在外加磁场作用下经紫外或热引发聚合反应制备得到。本发明与现有技术相比具有以下的主要优点其一柔性光子链固定在响应性聚合物内;其二本发明所制备的柔性光子纳米链光子带隙可调,能够通过反射峰位的移动对外部物理化学刺激作出响应,可以作为一种传感器;其三大大缩短被检测物在凝胶层中的扩散距离,提高响应速度。
反射式周期性微纳结构的带隙特性测量装置
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
反射式周期性微纳结构的带隙特性测量装置由激光器(1)、反射镜(2)、聚焦准直系统(3)、偏振器(4)、反射镜(5)、反射镜(13)、探测光纤(10)、光功率计(9)、计算机(8)及样品台(7)组成。 激光器(1)发出的激光依次经过第一反射镜(2)反射、聚焦准直系统(3)聚焦准直,并经偏振器(4)检偏后形成一束均匀的平面波,再被第二反射镜(5)和第三反射镜(13)反射后,该平面波(12)倾斜入射到被测样品(6)表面上。 探测光纤(10)直接靠近样品表面探测,探测的反射光谱信号(11)进入光功率计(9)测试后转换成电信号,输入计算机(8)进行处理得到带隙结构。 本发明通过探测反射光谱而不是透射光谱来获得周期性微结构的带隙特性,具有技术简单、容易实现、操作方便、精度高的特点。
二维Bi2O2Se超快高敏红外芯片材料
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
具有超高电子迁移率、合适带隙、环境稳定和可批量制备特点的全新二维半导体芯片材料(硒氧化铋,Bi 2 O 2 Se),在场效应晶体管器件、量子输运和可见光探测方面展现出优异性能。由Bi 2 O 2 Se制备成的原型光电探测器件具有很宽的光谱响应(从可见光到1700 nm短波红外区),并同时具有很高的灵敏度(在近红外二区1200nm处灵敏度高达~65A/W)。 而利用飞秒激光器组建的超快光电流动态扫描显示Bi 2 O 2 Se光电探测器具有约1皮秒(10 -12 秒)的本征超快光电流响应时间。化合物由交替堆叠的Bi 2 O 2 和Se层组成,晶体中氧的存在,使其在空气中具有极佳的稳定性,完全可暴露于空气中存放数月且保持稳定。
超高迁移率二维半导体BOX
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
首次发现一类同时具有超高电子迁移率、合适带隙、环境稳定和可批量制备特点的全新二维半导体(硒氧化铋,Bi2O2Se),在场效应晶体管器件和量子输运方面展现出优异性能。彭海琳课题组基于前期对拓扑绝缘体(Bi2Se3,Bi2Te3)等二维量子材料的系统研究,提出用轻元素部分取代拓扑绝缘体中的重元素,以降低重元素的自旋-轨道耦合等相对论效应,进而调控其能带结构,消除金属性拓扑表面态,获得高迁移率二维半导体。经过材料的理性设计和数年的实验探索,发现了一类全新的超高迁移率半导体型层状氧化物材料Bi2O2Se,并利用化学气相沉积(CVD)法制备了高稳定性的二维Bi2O2Se晶体。基于理论计算和电学输运实验测量,证明Bi2O2Se材料具有合适带隙(~0.8eV)、极小的电子有效质量(~0.14 m0)和超高的电子迁移率。系统的输运测量表明:CVD制备的Bi2O2Se二维晶体在未封装时的低温霍尔迁移率可高于20000 cm2/V·s,展示了显著的SdH量子振荡行为;标准的Bi2O2Se顶栅场效应晶体管展现了很高的室温表观场效应迁移率(~2000 cm2/V·s)和霍尔迁移率(~450 cm2/V·s)、很大的电流开关比(106)以及理想的器件亚阈值摆幅(~65 mV/dec)。二维Bi2O2Se这些优异性能和综合指标已经超过了已有的一维和二维材料体系。Bi2O2Se这种高迁移率半导体特性还可能拓展到其他铋氧硫族材料(BOX:Bi2O2S、Bi2O2Se、Bi2O2Te)。
带隙基准电路
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种带隙基准电路,其包括,一基准电压源VREF,所述基准电压源VREF拉伸门电压V_REG实现内部预稳压,并形成内部预稳压电路;一带隙核心电路,所述带隙核心电路设有提高电源抑制比的自偏置共源共栅放大电路;一负反馈电路,所述负反馈电路为所述带隙核心电路提供一个经过稳压后的电源电压VDD;一启动电路,所述启动电路在工作开始时拉伸所述基准电压源VREF使得所述自偏置共源共栅放大电路正常工作。本发明的带隙基准电路通过负反馈电路为带隙核心电路提供一个经过稳压后的电源电压,同时在内部采用自偏置共源共栅放大电路来提高电源抑制比,节省了面积和功耗。
脉冲激光沉积制备低带隙铁电光伏薄膜的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明提供一种脉冲激光沉积制备低带隙铁电光伏薄膜的方法,具体步骤为:以Pt/Ti/SiO2/Si(100)作为衬底,依次用丙酮、无水乙醇、去离子水经超声波清洗器清洗10分钟,超声波工作频率40kHz,然后用氮气吹干后立即装入真空腔内,设定衬底温度为600~800℃、真空室氧压为0~5Pa、激光脉冲能量为100~500mJ、脉冲激光频率为1~20Hz,烧蚀陶瓷靶材得到低带隙薄膜产物。本发明为物理气相沉积法,其所选用的原料较少、经济、无污染,制备工艺简单、操作方便,易于生产,为开发基于铁电半导体的太阳能电池开辟了一种全新的途径。
关于富溴籽晶诱导法助力提升高效钙钛矿太阳能电池长期稳定性的研究
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
有机无机杂化钙钛矿以其光吸收系数高、载流子扩散距离长、制备方法简单、带隙连续可调等特性,被广泛认为是发展下一代光伏器件的理想材料。自2009年以来,仅仅历经10年的发展时间,钙钛矿太阳能电池的能量转化效率已经达到25.2%,发展速度为各类太阳能电池之最。但是,由于钙钛矿太阳能电池当前面临的热稳定性、长时间工作稳定性等问题,严重阻碍了其商业化应用发展。针对此问题,北京大学物理学院赵清教授课题组利用材料工程方法,设计提出了富溴钙钛矿籽晶诱导生长两步法,实现了钙钛矿薄膜中溴离子的高效掺杂,有效提高了钙钛矿太阳能电池的长时间工作稳定性。通过在碘化铅薄膜中引入微米级富溴钙钛矿籽晶,一方面提供后续钙钛矿生长所需的成核位点、诱导薄膜生长、提高薄膜生长质量,另一方面为钙钛矿生长提供充足的溴元素,解决两步法中溴离子难以有效掺杂的问题。通过改变钙钛矿籽晶的添加量,可以实现对钙钛矿成核、晶粒大小、缺陷态密度等的精确调控,实现对最终钙钛矿成分与带隙的精准控制。测试表明,利用富溴钙钛矿籽晶诱导生长两步旋涂法制备得到的钙钛矿太阳能电池器件,其能量转化效率可以达到21.5%;更为重要的是,其长时间工作稳定性得到了显著提高,在AM1.5G太阳光下持续工作500小时后,仍然能保持超过80%的初始效率。这一成果远远超过传统两步法仅有的数小时稳定性。该研究表明,溴元素对钙钛矿材料长时间工作稳定性具有至关重要的作用,同时,提供了一条简单、高效、稳定的基于钙钛矿两步法的溴掺杂方法。此研究将为钙钛矿领域内卤素离子的均匀高效掺入、器件长时间工作稳定性的提高等问题提供了新的思路。相关研究结果发表于AdvancedEnergy Materials 9, 1902239 (2019),并被选为当期封底图片。北京大学博士生李琪为该研究论文的第一作者,赵清教授为通讯作者。以上研究得到了国家自然科学基金委、北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室、北京大学纳光电子前沿科学中心、量子物质科学协同创新中心等单位的支持。
一维声子晶体的带隙特性研究
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:科学研究和技术服务业
技术简介
针对布拉格散射声子晶体难以在几个厘米周期尺寸条件下获得 200-300赫兹以下带隙这一难点。对布拉格散射和局域共振声子晶体的减振机理进行深入研究,研究从带隙两端的共振峰的特性入手。从控制带隙两端共振峰的频率位置来控制带隙的宽度及频率位置。丰富目前声子晶体的理论研究。并且在小周期尺寸条件下获得200以下减振带隙。课题的完成使得开发用在精密仪器等小质量而要求减振频率低的场合的声子晶体成为可能。在抑制振源强度方面,通过引入声子晶体的周期结构思想改进振动源的设计,可以得到一种本身具有振动带隙的振源。在隔振方面,利用声子晶体的振动带隙特性,可将其用作隔振器,这种隔振器不仅可以用于主动隔振,也可以用于被动隔振。在声子晶体带隙范围内的振动将被有效隔离或大大抑制对于大型机械及设备的减振提供了思路,同时丰富了声子晶体的理论及研究方法。
一种基于带隙可调空穴传输层的有机光伏电池及方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明涉及一种有机无机复合薄膜太阳能电池及方法。该有机无机复合薄膜太阳能电池的特殊之处在于用低温化学浴方法制备铜铝硫薄膜以替代传统的PEDOTPSS作为空穴传输层,在保证能量转换效率和填充因子的前提下,降低了电池制备成本、易于大面积生产,器件稳定性较好,具有潜在的应用价值。该电池制备方法为先用低温化学浴方法制备铜铝硫薄膜,接着甩上一层P3HTPCBM有机薄膜,最后在P3HTPCBM表面蒸发金属铝,通过惰性气体保护下,在150℃下退火10min。从而制成有机无机薄膜复合太阳能电池。所述铜铝硫薄膜通过调节CuAl的比例,可以调节薄膜的带隙宽度。其中,通过低温水热硫化可以提升其迁移率。
找到11项技术成果数据。
找技术 >消除体效应的带隙基准源
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型公开一种消除体效应的带隙基准源,包括启动电路,纳安量级基准电流产生电路,温度补偿电路和电流镜。 利用工作在亚阈值区MOS工作特性,产生纳安量级的基准电流,采用共源共栅电流镜,抑制电源噪声,采用源极耦合差分对代替传统带隙电压源中所采用的电阻和Bipolar晶体管,消除体效应的影响,采用MOS的栅源电压具有负温度系数与MOS管的栅源电压差具有正温度系数相互调节的方法,得到一个零温漂的参考电压。
光子带隙可调的柔性光子纳米链及其制备方法和应用
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明涉及一种光子带隙可调的柔性光子纳米链及其制备方法,其可作为传感器感知外界的物理化学刺激,由单分散的超顺磁纳米粒子在响应性聚合物基体中等粒子间距排列成的单链一维纳米结构。所述的光子带隙可调的柔性光子纳米链的制备方法,包括将单分散的超顺磁纳米粒子充分分散在含有响应性聚合物单体的溶液中,在外加磁场作用下经紫外或热引发聚合反应制备得到。本发明与现有技术相比具有以下的主要优点其一柔性光子链固定在响应性聚合物内;其二本发明所制备的柔性光子纳米链光子带隙可调,能够通过反射峰位的移动对外部物理化学刺激作出响应,可以作为一种传感器;其三大大缩短被检测物在凝胶层中的扩散距离,提高响应速度。
反射式周期性微纳结构的带隙特性测量装置
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
反射式周期性微纳结构的带隙特性测量装置由激光器(1)、反射镜(2)、聚焦准直系统(3)、偏振器(4)、反射镜(5)、反射镜(13)、探测光纤(10)、光功率计(9)、计算机(8)及样品台(7)组成。 激光器(1)发出的激光依次经过第一反射镜(2)反射、聚焦准直系统(3)聚焦准直,并经偏振器(4)检偏后形成一束均匀的平面波,再被第二反射镜(5)和第三反射镜(13)反射后,该平面波(12)倾斜入射到被测样品(6)表面上。 探测光纤(10)直接靠近样品表面探测,探测的反射光谱信号(11)进入光功率计(9)测试后转换成电信号,输入计算机(8)进行处理得到带隙结构。 本发明通过探测反射光谱而不是透射光谱来获得周期性微结构的带隙特性,具有技术简单、容易实现、操作方便、精度高的特点。
二维Bi2O2Se超快高敏红外芯片材料
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
具有超高电子迁移率、合适带隙、环境稳定和可批量制备特点的全新二维半导体芯片材料(硒氧化铋,Bi 2 O 2 Se),在场效应晶体管器件、量子输运和可见光探测方面展现出优异性能。由Bi 2 O 2 Se制备成的原型光电探测器件具有很宽的光谱响应(从可见光到1700 nm短波红外区),并同时具有很高的灵敏度(在近红外二区1200nm处灵敏度高达~65A/W)。 而利用飞秒激光器组建的超快光电流动态扫描显示Bi 2 O 2 Se光电探测器具有约1皮秒(10 -12 秒)的本征超快光电流响应时间。化合物由交替堆叠的Bi 2 O 2 和Se层组成,晶体中氧的存在,使其在空气中具有极佳的稳定性,完全可暴露于空气中存放数月且保持稳定。
超高迁移率二维半导体BOX
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
首次发现一类同时具有超高电子迁移率、合适带隙、环境稳定和可批量制备特点的全新二维半导体(硒氧化铋,Bi2O2Se),在场效应晶体管器件和量子输运方面展现出优异性能。彭海琳课题组基于前期对拓扑绝缘体(Bi2Se3,Bi2Te3)等二维量子材料的系统研究,提出用轻元素部分取代拓扑绝缘体中的重元素,以降低重元素的自旋-轨道耦合等相对论效应,进而调控其能带结构,消除金属性拓扑表面态,获得高迁移率二维半导体。经过材料的理性设计和数年的实验探索,发现了一类全新的超高迁移率半导体型层状氧化物材料Bi2O2Se,并利用化学气相沉积(CVD)法制备了高稳定性的二维Bi2O2Se晶体。基于理论计算和电学输运实验测量,证明Bi2O2Se材料具有合适带隙(~0.8eV)、极小的电子有效质量(~0.14 m0)和超高的电子迁移率。系统的输运测量表明:CVD制备的Bi2O2Se二维晶体在未封装时的低温霍尔迁移率可高于20000 cm2/V·s,展示了显著的SdH量子振荡行为;标准的Bi2O2Se顶栅场效应晶体管展现了很高的室温表观场效应迁移率(~2000 cm2/V·s)和霍尔迁移率(~450 cm2/V·s)、很大的电流开关比(106)以及理想的器件亚阈值摆幅(~65 mV/dec)。二维Bi2O2Se这些优异性能和综合指标已经超过了已有的一维和二维材料体系。Bi2O2Se这种高迁移率半导体特性还可能拓展到其他铋氧硫族材料(BOX:Bi2O2S、Bi2O2Se、Bi2O2Te)。
带隙基准电路
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种带隙基准电路,其包括,一基准电压源VREF,所述基准电压源VREF拉伸门电压V_REG实现内部预稳压,并形成内部预稳压电路;一带隙核心电路,所述带隙核心电路设有提高电源抑制比的自偏置共源共栅放大电路;一负反馈电路,所述负反馈电路为所述带隙核心电路提供一个经过稳压后的电源电压VDD;一启动电路,所述启动电路在工作开始时拉伸所述基准电压源VREF使得所述自偏置共源共栅放大电路正常工作。本发明的带隙基准电路通过负反馈电路为带隙核心电路提供一个经过稳压后的电源电压,同时在内部采用自偏置共源共栅放大电路来提高电源抑制比,节省了面积和功耗。
脉冲激光沉积制备低带隙铁电光伏薄膜的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明提供一种脉冲激光沉积制备低带隙铁电光伏薄膜的方法,具体步骤为:以Pt/Ti/SiO2/Si(100)作为衬底,依次用丙酮、无水乙醇、去离子水经超声波清洗器清洗10分钟,超声波工作频率40kHz,然后用氮气吹干后立即装入真空腔内,设定衬底温度为600~800℃、真空室氧压为0~5Pa、激光脉冲能量为100~500mJ、脉冲激光频率为1~20Hz,烧蚀陶瓷靶材得到低带隙薄膜产物。本发明为物理气相沉积法,其所选用的原料较少、经济、无污染,制备工艺简单、操作方便,易于生产,为开发基于铁电半导体的太阳能电池开辟了一种全新的途径。
关于富溴籽晶诱导法助力提升高效钙钛矿太阳能电池长期稳定性的研究
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
有机无机杂化钙钛矿以其光吸收系数高、载流子扩散距离长、制备方法简单、带隙连续可调等特性,被广泛认为是发展下一代光伏器件的理想材料。自2009年以来,仅仅历经10年的发展时间,钙钛矿太阳能电池的能量转化效率已经达到25.2%,发展速度为各类太阳能电池之最。但是,由于钙钛矿太阳能电池当前面临的热稳定性、长时间工作稳定性等问题,严重阻碍了其商业化应用发展。针对此问题,北京大学物理学院赵清教授课题组利用材料工程方法,设计提出了富溴钙钛矿籽晶诱导生长两步法,实现了钙钛矿薄膜中溴离子的高效掺杂,有效提高了钙钛矿太阳能电池的长时间工作稳定性。通过在碘化铅薄膜中引入微米级富溴钙钛矿籽晶,一方面提供后续钙钛矿生长所需的成核位点、诱导薄膜生长、提高薄膜生长质量,另一方面为钙钛矿生长提供充足的溴元素,解决两步法中溴离子难以有效掺杂的问题。通过改变钙钛矿籽晶的添加量,可以实现对钙钛矿成核、晶粒大小、缺陷态密度等的精确调控,实现对最终钙钛矿成分与带隙的精准控制。测试表明,利用富溴钙钛矿籽晶诱导生长两步旋涂法制备得到的钙钛矿太阳能电池器件,其能量转化效率可以达到21.5%;更为重要的是,其长时间工作稳定性得到了显著提高,在AM1.5G太阳光下持续工作500小时后,仍然能保持超过80%的初始效率。这一成果远远超过传统两步法仅有的数小时稳定性。该研究表明,溴元素对钙钛矿材料长时间工作稳定性具有至关重要的作用,同时,提供了一条简单、高效、稳定的基于钙钛矿两步法的溴掺杂方法。此研究将为钙钛矿领域内卤素离子的均匀高效掺入、器件长时间工作稳定性的提高等问题提供了新的思路。相关研究结果发表于AdvancedEnergy Materials 9, 1902239 (2019),并被选为当期封底图片。北京大学博士生李琪为该研究论文的第一作者,赵清教授为通讯作者。以上研究得到了国家自然科学基金委、北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室、北京大学纳光电子前沿科学中心、量子物质科学协同创新中心等单位的支持。
一维声子晶体的带隙特性研究
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:科学研究和技术服务业
技术简介
针对布拉格散射声子晶体难以在几个厘米周期尺寸条件下获得 200-300赫兹以下带隙这一难点。对布拉格散射和局域共振声子晶体的减振机理进行深入研究,研究从带隙两端的共振峰的特性入手。从控制带隙两端共振峰的频率位置来控制带隙的宽度及频率位置。丰富目前声子晶体的理论研究。并且在小周期尺寸条件下获得200以下减振带隙。课题的完成使得开发用在精密仪器等小质量而要求减振频率低的场合的声子晶体成为可能。在抑制振源强度方面,通过引入声子晶体的周期结构思想改进振动源的设计,可以得到一种本身具有振动带隙的振源。在隔振方面,利用声子晶体的振动带隙特性,可将其用作隔振器,这种隔振器不仅可以用于主动隔振,也可以用于被动隔振。在声子晶体带隙范围内的振动将被有效隔离或大大抑制对于大型机械及设备的减振提供了思路,同时丰富了声子晶体的理论及研究方法。
一种基于带隙可调空穴传输层的有机光伏电池及方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明涉及一种有机无机复合薄膜太阳能电池及方法。该有机无机复合薄膜太阳能电池的特殊之处在于用低温化学浴方法制备铜铝硫薄膜以替代传统的PEDOTPSS作为空穴传输层,在保证能量转换效率和填充因子的前提下,降低了电池制备成本、易于大面积生产,器件稳定性较好,具有潜在的应用价值。该电池制备方法为先用低温化学浴方法制备铜铝硫薄膜,接着甩上一层P3HTPCBM有机薄膜,最后在P3HTPCBM表面蒸发金属铝,通过惰性气体保护下,在150℃下退火10min。从而制成有机无机薄膜复合太阳能电池。所述铜铝硫薄膜通过调节CuAl的比例,可以调节薄膜的带隙宽度。其中,通过低温水热硫化可以提升其迁移率。
找到11项技术成果数据。
找技术 >消除体效应的带隙基准源
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型公开一种消除体效应的带隙基准源,包括启动电路,纳安量级基准电流产生电路,温度补偿电路和电流镜。 利用工作在亚阈值区MOS工作特性,产生纳安量级的基准电流,采用共源共栅电流镜,抑制电源噪声,采用源极耦合差分对代替传统带隙电压源中所采用的电阻和Bipolar晶体管,消除体效应的影响,采用MOS的栅源电压具有负温度系数与MOS管的栅源电压差具有正温度系数相互调节的方法,得到一个零温漂的参考电压。
光子带隙可调的柔性光子纳米链及其制备方法和应用
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明涉及一种光子带隙可调的柔性光子纳米链及其制备方法,其可作为传感器感知外界的物理化学刺激,由单分散的超顺磁纳米粒子在响应性聚合物基体中等粒子间距排列成的单链一维纳米结构。所述的光子带隙可调的柔性光子纳米链的制备方法,包括将单分散的超顺磁纳米粒子充分分散在含有响应性聚合物单体的溶液中,在外加磁场作用下经紫外或热引发聚合反应制备得到。本发明与现有技术相比具有以下的主要优点其一柔性光子链固定在响应性聚合物内;其二本发明所制备的柔性光子纳米链光子带隙可调,能够通过反射峰位的移动对外部物理化学刺激作出响应,可以作为一种传感器;其三大大缩短被检测物在凝胶层中的扩散距离,提高响应速度。
反射式周期性微纳结构的带隙特性测量装置
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
反射式周期性微纳结构的带隙特性测量装置由激光器(1)、反射镜(2)、聚焦准直系统(3)、偏振器(4)、反射镜(5)、反射镜(13)、探测光纤(10)、光功率计(9)、计算机(8)及样品台(7)组成。 激光器(1)发出的激光依次经过第一反射镜(2)反射、聚焦准直系统(3)聚焦准直,并经偏振器(4)检偏后形成一束均匀的平面波,再被第二反射镜(5)和第三反射镜(13)反射后,该平面波(12)倾斜入射到被测样品(6)表面上。 探测光纤(10)直接靠近样品表面探测,探测的反射光谱信号(11)进入光功率计(9)测试后转换成电信号,输入计算机(8)进行处理得到带隙结构。 本发明通过探测反射光谱而不是透射光谱来获得周期性微结构的带隙特性,具有技术简单、容易实现、操作方便、精度高的特点。
二维Bi2O2Se超快高敏红外芯片材料
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
具有超高电子迁移率、合适带隙、环境稳定和可批量制备特点的全新二维半导体芯片材料(硒氧化铋,Bi 2 O 2 Se),在场效应晶体管器件、量子输运和可见光探测方面展现出优异性能。由Bi 2 O 2 Se制备成的原型光电探测器件具有很宽的光谱响应(从可见光到1700 nm短波红外区),并同时具有很高的灵敏度(在近红外二区1200nm处灵敏度高达~65A/W)。 而利用飞秒激光器组建的超快光电流动态扫描显示Bi 2 O 2 Se光电探测器具有约1皮秒(10 -12 秒)的本征超快光电流响应时间。化合物由交替堆叠的Bi 2 O 2 和Se层组成,晶体中氧的存在,使其在空气中具有极佳的稳定性,完全可暴露于空气中存放数月且保持稳定。
超高迁移率二维半导体BOX
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
首次发现一类同时具有超高电子迁移率、合适带隙、环境稳定和可批量制备特点的全新二维半导体(硒氧化铋,Bi2O2Se),在场效应晶体管器件和量子输运方面展现出优异性能。彭海琳课题组基于前期对拓扑绝缘体(Bi2Se3,Bi2Te3)等二维量子材料的系统研究,提出用轻元素部分取代拓扑绝缘体中的重元素,以降低重元素的自旋-轨道耦合等相对论效应,进而调控其能带结构,消除金属性拓扑表面态,获得高迁移率二维半导体。经过材料的理性设计和数年的实验探索,发现了一类全新的超高迁移率半导体型层状氧化物材料Bi2O2Se,并利用化学气相沉积(CVD)法制备了高稳定性的二维Bi2O2Se晶体。基于理论计算和电学输运实验测量,证明Bi2O2Se材料具有合适带隙(~0.8eV)、极小的电子有效质量(~0.14 m0)和超高的电子迁移率。系统的输运测量表明:CVD制备的Bi2O2Se二维晶体在未封装时的低温霍尔迁移率可高于20000 cm2/V·s,展示了显著的SdH量子振荡行为;标准的Bi2O2Se顶栅场效应晶体管展现了很高的室温表观场效应迁移率(~2000 cm2/V·s)和霍尔迁移率(~450 cm2/V·s)、很大的电流开关比(106)以及理想的器件亚阈值摆幅(~65 mV/dec)。二维Bi2O2Se这些优异性能和综合指标已经超过了已有的一维和二维材料体系。Bi2O2Se这种高迁移率半导体特性还可能拓展到其他铋氧硫族材料(BOX:Bi2O2S、Bi2O2Se、Bi2O2Te)。
带隙基准电路
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种带隙基准电路,其包括,一基准电压源VREF,所述基准电压源VREF拉伸门电压V_REG实现内部预稳压,并形成内部预稳压电路;一带隙核心电路,所述带隙核心电路设有提高电源抑制比的自偏置共源共栅放大电路;一负反馈电路,所述负反馈电路为所述带隙核心电路提供一个经过稳压后的电源电压VDD;一启动电路,所述启动电路在工作开始时拉伸所述基准电压源VREF使得所述自偏置共源共栅放大电路正常工作。本发明的带隙基准电路通过负反馈电路为带隙核心电路提供一个经过稳压后的电源电压,同时在内部采用自偏置共源共栅放大电路来提高电源抑制比,节省了面积和功耗。
脉冲激光沉积制备低带隙铁电光伏薄膜的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明提供一种脉冲激光沉积制备低带隙铁电光伏薄膜的方法,具体步骤为:以Pt/Ti/SiO2/Si(100)作为衬底,依次用丙酮、无水乙醇、去离子水经超声波清洗器清洗10分钟,超声波工作频率40kHz,然后用氮气吹干后立即装入真空腔内,设定衬底温度为600~800℃、真空室氧压为0~5Pa、激光脉冲能量为100~500mJ、脉冲激光频率为1~20Hz,烧蚀陶瓷靶材得到低带隙薄膜产物。本发明为物理气相沉积法,其所选用的原料较少、经济、无污染,制备工艺简单、操作方便,易于生产,为开发基于铁电半导体的太阳能电池开辟了一种全新的途径。
关于富溴籽晶诱导法助力提升高效钙钛矿太阳能电池长期稳定性的研究
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
有机无机杂化钙钛矿以其光吸收系数高、载流子扩散距离长、制备方法简单、带隙连续可调等特性,被广泛认为是发展下一代光伏器件的理想材料。自2009年以来,仅仅历经10年的发展时间,钙钛矿太阳能电池的能量转化效率已经达到25.2%,发展速度为各类太阳能电池之最。但是,由于钙钛矿太阳能电池当前面临的热稳定性、长时间工作稳定性等问题,严重阻碍了其商业化应用发展。针对此问题,北京大学物理学院赵清教授课题组利用材料工程方法,设计提出了富溴钙钛矿籽晶诱导生长两步法,实现了钙钛矿薄膜中溴离子的高效掺杂,有效提高了钙钛矿太阳能电池的长时间工作稳定性。通过在碘化铅薄膜中引入微米级富溴钙钛矿籽晶,一方面提供后续钙钛矿生长所需的成核位点、诱导薄膜生长、提高薄膜生长质量,另一方面为钙钛矿生长提供充足的溴元素,解决两步法中溴离子难以有效掺杂的问题。通过改变钙钛矿籽晶的添加量,可以实现对钙钛矿成核、晶粒大小、缺陷态密度等的精确调控,实现对最终钙钛矿成分与带隙的精准控制。测试表明,利用富溴钙钛矿籽晶诱导生长两步旋涂法制备得到的钙钛矿太阳能电池器件,其能量转化效率可以达到21.5%;更为重要的是,其长时间工作稳定性得到了显著提高,在AM1.5G太阳光下持续工作500小时后,仍然能保持超过80%的初始效率。这一成果远远超过传统两步法仅有的数小时稳定性。该研究表明,溴元素对钙钛矿材料长时间工作稳定性具有至关重要的作用,同时,提供了一条简单、高效、稳定的基于钙钛矿两步法的溴掺杂方法。此研究将为钙钛矿领域内卤素离子的均匀高效掺入、器件长时间工作稳定性的提高等问题提供了新的思路。相关研究结果发表于AdvancedEnergy Materials 9, 1902239 (2019),并被选为当期封底图片。北京大学博士生李琪为该研究论文的第一作者,赵清教授为通讯作者。以上研究得到了国家自然科学基金委、北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室、北京大学纳光电子前沿科学中心、量子物质科学协同创新中心等单位的支持。
一维声子晶体的带隙特性研究
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:科学研究和技术服务业
技术简介
针对布拉格散射声子晶体难以在几个厘米周期尺寸条件下获得 200-300赫兹以下带隙这一难点。对布拉格散射和局域共振声子晶体的减振机理进行深入研究,研究从带隙两端的共振峰的特性入手。从控制带隙两端共振峰的频率位置来控制带隙的宽度及频率位置。丰富目前声子晶体的理论研究。并且在小周期尺寸条件下获得200以下减振带隙。课题的完成使得开发用在精密仪器等小质量而要求减振频率低的场合的声子晶体成为可能。在抑制振源强度方面,通过引入声子晶体的周期结构思想改进振动源的设计,可以得到一种本身具有振动带隙的振源。在隔振方面,利用声子晶体的振动带隙特性,可将其用作隔振器,这种隔振器不仅可以用于主动隔振,也可以用于被动隔振。在声子晶体带隙范围内的振动将被有效隔离或大大抑制对于大型机械及设备的减振提供了思路,同时丰富了声子晶体的理论及研究方法。
一种基于带隙可调空穴传输层的有机光伏电池及方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明涉及一种有机无机复合薄膜太阳能电池及方法。该有机无机复合薄膜太阳能电池的特殊之处在于用低温化学浴方法制备铜铝硫薄膜以替代传统的PEDOTPSS作为空穴传输层,在保证能量转换效率和填充因子的前提下,降低了电池制备成本、易于大面积生产,器件稳定性较好,具有潜在的应用价值。该电池制备方法为先用低温化学浴方法制备铜铝硫薄膜,接着甩上一层P3HTPCBM有机薄膜,最后在P3HTPCBM表面蒸发金属铝,通过惰性气体保护下,在150℃下退火10min。从而制成有机无机薄膜复合太阳能电池。所述铜铝硫薄膜通过调节CuAl的比例,可以调节薄膜的带隙宽度。其中,通过低温水热硫化可以提升其迁移率。