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找技术 >一种干法刻蚀坚硬无机材料基板ICP刻蚀机的刻蚀腔
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
一种干法刻蚀坚硬无机材料基板ICP刻蚀机的刻蚀腔,包括腔体,所述腔体上开有进出片口、机械泵接口、下电极接口、分子泵接口,所述腔体的上端安装有顶盖和石英盖,所述腔体内安装有匀气盘、穿过腔体底部和匀气盘的工艺气体管道,所述工艺气体管道的气体出口设置在匀气盘上方并正对匀气盘中心;所述匀气盘的中间开有大于下电极直径的下电极通口,所述匀气盘上开有多个通气孔,横向上相邻所述通气孔的间距是等差数列递增,纵向上相邻所述通气孔的间距从中心到边缘是等差数列递减。本实用新型的有益效果:等离子体密度最大、均匀性最好、能量最高;成本低、可靠性高。
一种干法刻蚀坚硬无机材料基板ICP刻蚀机的预真空腔
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
一种干法刻蚀坚硬无机材料基板ICP刻蚀机的预真空腔,包括腔体,所述腔体上安装有腔盖,所述腔盖上开有片盘取放口,所述片盘取放口处设置有盖子,所述腔体的一侧面上开有片盘进出口,所述片盘进出口处设有阀门,所述腔体上设有用于与机械泵连接的机械泵接口、用于与进气管道连接的进气管道接口,所述腔体内底面上开有导轨槽,所述导轨槽内安装有沿其运动的导轨器,所述导轨器上连接有输送片盘的机械手;所述导轨器与带动其运动的丝杆连接,所述丝杆可转动的安装在腔体内,其一端穿出腔体与伺服电机连接,所述伺服电机固定在腔体的底部。本实用新型的有益效果:机械手的运输机制更简单可靠、成本低。
一种紧凑型感应耦合低温等离子体干法刻蚀系统
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明的目的就是为了克服现有湿法刻蚀化合物半导体特别是Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体时所产生的精度差、刻蚀速率低、选择性差、对被刻蚀损伤大等的缺点而发明的一种能高速率、低损伤、高精度及具有良好选择性的亚微米级精细图形的刻蚀系统及方法,本发明是一种能刻蚀精细图形、不影响半导体性能、器件特性及使用寿命,并且精度高、刻蚀速率高、选择性好、损伤小的紧凑型感应耦合低温等离子体(ICP)干法刻蚀系统及刻蚀方法。主要对半导体化合物尤其是Ⅲ-Ⅴ族化合物的干法刻蚀。本发明是一种紧凑型感应耦合低温等离子体(ICP)干法刻蚀系统及刻蚀方法,主要应用于Ⅲ-Ⅴ族化合物的刻蚀。属于半导体设备及技术,特别涉及刻蚀Ⅲ-Ⅴ族化合物的气体成分,配气及工艺过程。其主要由射频RF偏置功率源、基片台、ICP耦合天线、磁控线圈、反应室、配气装置等共同连接而成。其工作原理是射频RF通过感应天气耦合将反应室中气体离解成具有高活性的基因,这些高活性基团在偏置电源和磁场的约束下轰击待刻蚀基片表面,与基片上的待刻蚀物质发生表面物理化学反应,反应的合成物被真空装置抽走,达到干法刻蚀的目的。技术及性能指标:待刻蚀Ⅲ-Ⅴ族化合物为InSb;刻蚀气体Cl2、H2、Ch4、BCl3、CCl4、PCl3、氟利昂24-CHClF2中的一种或几种混合气体;RF功率200~400W,RF偏置功率100~900W,磁场1×10-4~1T,反应室气压10-2~10-3Torr,气体流量2~6毫升/分钟,配气比0.1~0.9;刻蚀速率约100nm/min。
一种干法刻蚀无机材料基板等离子体刻蚀机的传片系统
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
一种干法刻蚀无机材料基板等离子体刻蚀机的传片系统,其安装在预真空腔内,包括运送片盘的机械手,所述机械手固定连接在带动其运动的丝杆螺母上,所述丝杆螺母安装在丝杆上,所述丝杆通过齿轮副与伺服电机连接,所述齿轮副包括与伺服电机转子连接的主齿轮、与丝杆转子连接的副齿轮,所述主齿轮与副齿轮啮合连接。本实用新型的有益效果:传片效率高、可靠性好,且结构简单合理。
蓝宝石衬底纳米孔制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明提供一种蓝宝石衬底纳米孔制备方法,包括以下步骤在蓝宝石衬底表面形成一层单晶薄膜;在所述单晶薄膜上旋涂一层光刻胶;通过光刻机对光刻胶进行曝光;对曝光后的光刻胶进行显影形成纳米孔图形;以形成有纳米孔图形的光刻胶为掩膜干法刻蚀所述单晶薄膜,将所述纳米孔图形转移到单晶薄膜上;去除光刻胶,以形成有所述纳米孔图形的单晶薄膜为掩膜,对所述蓝宝石衬底进行干法刻蚀,将所述纳米孔图形转移到所述蓝宝石衬底上;去除所述单晶薄膜。本发明提出的蓝宝石衬底纳米孔制备方法,通过激光干涉光刻配以干法刻蚀技术快速实现结构均匀、周期可控、占空比可控、低成本的纳米孔拼接块图形化蓝宝石衬底。
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成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
一种干法刻蚀坚硬无机材料基板ICP刻蚀机的刻蚀腔,包括腔体,所述腔体上开有进出片口、机械泵接口、下电极接口、分子泵接口,所述腔体的上端安装有顶盖和石英盖,所述腔体内安装有匀气盘、穿过腔体底部和匀气盘的工艺气体管道,所述工艺气体管道的气体出口设置在匀气盘上方并正对匀气盘中心;所述匀气盘的中间开有大于下电极直径的下电极通口,所述匀气盘上开有多个通气孔,横向上相邻所述通气孔的间距是等差数列递增,纵向上相邻所述通气孔的间距从中心到边缘是等差数列递减。本实用新型的有益效果:等离子体密度最大、均匀性最好、能量最高;成本低、可靠性高。
一种干法刻蚀坚硬无机材料基板ICP刻蚀机的预真空腔
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
一种干法刻蚀坚硬无机材料基板ICP刻蚀机的预真空腔,包括腔体,所述腔体上安装有腔盖,所述腔盖上开有片盘取放口,所述片盘取放口处设置有盖子,所述腔体的一侧面上开有片盘进出口,所述片盘进出口处设有阀门,所述腔体上设有用于与机械泵连接的机械泵接口、用于与进气管道连接的进气管道接口,所述腔体内底面上开有导轨槽,所述导轨槽内安装有沿其运动的导轨器,所述导轨器上连接有输送片盘的机械手;所述导轨器与带动其运动的丝杆连接,所述丝杆可转动的安装在腔体内,其一端穿出腔体与伺服电机连接,所述伺服电机固定在腔体的底部。本实用新型的有益效果:机械手的运输机制更简单可靠、成本低。
一种紧凑型感应耦合低温等离子体干法刻蚀系统
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明的目的就是为了克服现有湿法刻蚀化合物半导体特别是Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体时所产生的精度差、刻蚀速率低、选择性差、对被刻蚀损伤大等的缺点而发明的一种能高速率、低损伤、高精度及具有良好选择性的亚微米级精细图形的刻蚀系统及方法,本发明是一种能刻蚀精细图形、不影响半导体性能、器件特性及使用寿命,并且精度高、刻蚀速率高、选择性好、损伤小的紧凑型感应耦合低温等离子体(ICP)干法刻蚀系统及刻蚀方法。主要对半导体化合物尤其是Ⅲ-Ⅴ族化合物的干法刻蚀。本发明是一种紧凑型感应耦合低温等离子体(ICP)干法刻蚀系统及刻蚀方法,主要应用于Ⅲ-Ⅴ族化合物的刻蚀。属于半导体设备及技术,特别涉及刻蚀Ⅲ-Ⅴ族化合物的气体成分,配气及工艺过程。其主要由射频RF偏置功率源、基片台、ICP耦合天线、磁控线圈、反应室、配气装置等共同连接而成。其工作原理是射频RF通过感应天气耦合将反应室中气体离解成具有高活性的基因,这些高活性基团在偏置电源和磁场的约束下轰击待刻蚀基片表面,与基片上的待刻蚀物质发生表面物理化学反应,反应的合成物被真空装置抽走,达到干法刻蚀的目的。技术及性能指标:待刻蚀Ⅲ-Ⅴ族化合物为InSb;刻蚀气体Cl2、H2、Ch4、BCl3、CCl4、PCl3、氟利昂24-CHClF2中的一种或几种混合气体;RF功率200~400W,RF偏置功率100~900W,磁场1×10-4~1T,反应室气压10-2~10-3Torr,气体流量2~6毫升/分钟,配气比0.1~0.9;刻蚀速率约100nm/min。
一种干法刻蚀无机材料基板等离子体刻蚀机的传片系统
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
一种干法刻蚀无机材料基板等离子体刻蚀机的传片系统,其安装在预真空腔内,包括运送片盘的机械手,所述机械手固定连接在带动其运动的丝杆螺母上,所述丝杆螺母安装在丝杆上,所述丝杆通过齿轮副与伺服电机连接,所述齿轮副包括与伺服电机转子连接的主齿轮、与丝杆转子连接的副齿轮,所述主齿轮与副齿轮啮合连接。本实用新型的有益效果:传片效率高、可靠性好,且结构简单合理。
蓝宝石衬底纳米孔制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明提供一种蓝宝石衬底纳米孔制备方法,包括以下步骤在蓝宝石衬底表面形成一层单晶薄膜;在所述单晶薄膜上旋涂一层光刻胶;通过光刻机对光刻胶进行曝光;对曝光后的光刻胶进行显影形成纳米孔图形;以形成有纳米孔图形的光刻胶为掩膜干法刻蚀所述单晶薄膜,将所述纳米孔图形转移到单晶薄膜上;去除光刻胶,以形成有所述纳米孔图形的单晶薄膜为掩膜,对所述蓝宝石衬底进行干法刻蚀,将所述纳米孔图形转移到所述蓝宝石衬底上;去除所述单晶薄膜。本发明提出的蓝宝石衬底纳米孔制备方法,通过激光干涉光刻配以干法刻蚀技术快速实现结构均匀、周期可控、占空比可控、低成本的纳米孔拼接块图形化蓝宝石衬底。
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成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
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一种干法刻蚀坚硬无机材料基板ICP刻蚀机的刻蚀腔,包括腔体,所述腔体上开有进出片口、机械泵接口、下电极接口、分子泵接口,所述腔体的上端安装有顶盖和石英盖,所述腔体内安装有匀气盘、穿过腔体底部和匀气盘的工艺气体管道,所述工艺气体管道的气体出口设置在匀气盘上方并正对匀气盘中心;所述匀气盘的中间开有大于下电极直径的下电极通口,所述匀气盘上开有多个通气孔,横向上相邻所述通气孔的间距是等差数列递增,纵向上相邻所述通气孔的间距从中心到边缘是等差数列递减。本实用新型的有益效果:等离子体密度最大、均匀性最好、能量最高;成本低、可靠性高。
一种干法刻蚀坚硬无机材料基板ICP刻蚀机的预真空腔
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
一种干法刻蚀坚硬无机材料基板ICP刻蚀机的预真空腔,包括腔体,所述腔体上安装有腔盖,所述腔盖上开有片盘取放口,所述片盘取放口处设置有盖子,所述腔体的一侧面上开有片盘进出口,所述片盘进出口处设有阀门,所述腔体上设有用于与机械泵连接的机械泵接口、用于与进气管道连接的进气管道接口,所述腔体内底面上开有导轨槽,所述导轨槽内安装有沿其运动的导轨器,所述导轨器上连接有输送片盘的机械手;所述导轨器与带动其运动的丝杆连接,所述丝杆可转动的安装在腔体内,其一端穿出腔体与伺服电机连接,所述伺服电机固定在腔体的底部。本实用新型的有益效果:机械手的运输机制更简单可靠、成本低。
一种紧凑型感应耦合低温等离子体干法刻蚀系统
成熟度:正在研发
技术类型:-
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技术简介
本发明的目的就是为了克服现有湿法刻蚀化合物半导体特别是Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体时所产生的精度差、刻蚀速率低、选择性差、对被刻蚀损伤大等的缺点而发明的一种能高速率、低损伤、高精度及具有良好选择性的亚微米级精细图形的刻蚀系统及方法,本发明是一种能刻蚀精细图形、不影响半导体性能、器件特性及使用寿命,并且精度高、刻蚀速率高、选择性好、损伤小的紧凑型感应耦合低温等离子体(ICP)干法刻蚀系统及刻蚀方法。主要对半导体化合物尤其是Ⅲ-Ⅴ族化合物的干法刻蚀。本发明是一种紧凑型感应耦合低温等离子体(ICP)干法刻蚀系统及刻蚀方法,主要应用于Ⅲ-Ⅴ族化合物的刻蚀。属于半导体设备及技术,特别涉及刻蚀Ⅲ-Ⅴ族化合物的气体成分,配气及工艺过程。其主要由射频RF偏置功率源、基片台、ICP耦合天线、磁控线圈、反应室、配气装置等共同连接而成。其工作原理是射频RF通过感应天气耦合将反应室中气体离解成具有高活性的基因,这些高活性基团在偏置电源和磁场的约束下轰击待刻蚀基片表面,与基片上的待刻蚀物质发生表面物理化学反应,反应的合成物被真空装置抽走,达到干法刻蚀的目的。技术及性能指标:待刻蚀Ⅲ-Ⅴ族化合物为InSb;刻蚀气体Cl2、H2、Ch4、BCl3、CCl4、PCl3、氟利昂24-CHClF2中的一种或几种混合气体;RF功率200~400W,RF偏置功率100~900W,磁场1×10-4~1T,反应室气压10-2~10-3Torr,气体流量2~6毫升/分钟,配气比0.1~0.9;刻蚀速率约100nm/min。
一种干法刻蚀无机材料基板等离子体刻蚀机的传片系统
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
一种干法刻蚀无机材料基板等离子体刻蚀机的传片系统,其安装在预真空腔内,包括运送片盘的机械手,所述机械手固定连接在带动其运动的丝杆螺母上,所述丝杆螺母安装在丝杆上,所述丝杆通过齿轮副与伺服电机连接,所述齿轮副包括与伺服电机转子连接的主齿轮、与丝杆转子连接的副齿轮,所述主齿轮与副齿轮啮合连接。本实用新型的有益效果:传片效率高、可靠性好,且结构简单合理。
蓝宝石衬底纳米孔制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明提供一种蓝宝石衬底纳米孔制备方法,包括以下步骤在蓝宝石衬底表面形成一层单晶薄膜;在所述单晶薄膜上旋涂一层光刻胶;通过光刻机对光刻胶进行曝光;对曝光后的光刻胶进行显影形成纳米孔图形;以形成有纳米孔图形的光刻胶为掩膜干法刻蚀所述单晶薄膜,将所述纳米孔图形转移到单晶薄膜上;去除光刻胶,以形成有所述纳米孔图形的单晶薄膜为掩膜,对所述蓝宝石衬底进行干法刻蚀,将所述纳米孔图形转移到所述蓝宝石衬底上;去除所述单晶薄膜。本发明提出的蓝宝石衬底纳米孔制备方法,通过激光干涉光刻配以干法刻蚀技术快速实现结构均匀、周期可控、占空比可控、低成本的纳米孔拼接块图形化蓝宝石衬底。
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一种干法刻蚀坚硬无机材料基板ICP刻蚀机的刻蚀腔,包括腔体,所述腔体上开有进出片口、机械泵接口、下电极接口、分子泵接口,所述腔体的上端安装有顶盖和石英盖,所述腔体内安装有匀气盘、穿过腔体底部和匀气盘的工艺气体管道,所述工艺气体管道的气体出口设置在匀气盘上方并正对匀气盘中心;所述匀气盘的中间开有大于下电极直径的下电极通口,所述匀气盘上开有多个通气孔,横向上相邻所述通气孔的间距是等差数列递增,纵向上相邻所述通气孔的间距从中心到边缘是等差数列递减。本实用新型的有益效果:等离子体密度最大、均匀性最好、能量最高;成本低、可靠性高。
一种干法刻蚀坚硬无机材料基板ICP刻蚀机的预真空腔
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
一种干法刻蚀坚硬无机材料基板ICP刻蚀机的预真空腔,包括腔体,所述腔体上安装有腔盖,所述腔盖上开有片盘取放口,所述片盘取放口处设置有盖子,所述腔体的一侧面上开有片盘进出口,所述片盘进出口处设有阀门,所述腔体上设有用于与机械泵连接的机械泵接口、用于与进气管道连接的进气管道接口,所述腔体内底面上开有导轨槽,所述导轨槽内安装有沿其运动的导轨器,所述导轨器上连接有输送片盘的机械手;所述导轨器与带动其运动的丝杆连接,所述丝杆可转动的安装在腔体内,其一端穿出腔体与伺服电机连接,所述伺服电机固定在腔体的底部。本实用新型的有益效果:机械手的运输机制更简单可靠、成本低。
一种紧凑型感应耦合低温等离子体干法刻蚀系统
成熟度:正在研发
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本发明的目的就是为了克服现有湿法刻蚀化合物半导体特别是Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体时所产生的精度差、刻蚀速率低、选择性差、对被刻蚀损伤大等的缺点而发明的一种能高速率、低损伤、高精度及具有良好选择性的亚微米级精细图形的刻蚀系统及方法,本发明是一种能刻蚀精细图形、不影响半导体性能、器件特性及使用寿命,并且精度高、刻蚀速率高、选择性好、损伤小的紧凑型感应耦合低温等离子体(ICP)干法刻蚀系统及刻蚀方法。主要对半导体化合物尤其是Ⅲ-Ⅴ族化合物的干法刻蚀。本发明是一种紧凑型感应耦合低温等离子体(ICP)干法刻蚀系统及刻蚀方法,主要应用于Ⅲ-Ⅴ族化合物的刻蚀。属于半导体设备及技术,特别涉及刻蚀Ⅲ-Ⅴ族化合物的气体成分,配气及工艺过程。其主要由射频RF偏置功率源、基片台、ICP耦合天线、磁控线圈、反应室、配气装置等共同连接而成。其工作原理是射频RF通过感应天气耦合将反应室中气体离解成具有高活性的基因,这些高活性基团在偏置电源和磁场的约束下轰击待刻蚀基片表面,与基片上的待刻蚀物质发生表面物理化学反应,反应的合成物被真空装置抽走,达到干法刻蚀的目的。技术及性能指标:待刻蚀Ⅲ-Ⅴ族化合物为InSb;刻蚀气体Cl2、H2、Ch4、BCl3、CCl4、PCl3、氟利昂24-CHClF2中的一种或几种混合气体;RF功率200~400W,RF偏置功率100~900W,磁场1×10-4~1T,反应室气压10-2~10-3Torr,气体流量2~6毫升/分钟,配气比0.1~0.9;刻蚀速率约100nm/min。
一种干法刻蚀无机材料基板等离子体刻蚀机的传片系统
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
一种干法刻蚀无机材料基板等离子体刻蚀机的传片系统,其安装在预真空腔内,包括运送片盘的机械手,所述机械手固定连接在带动其运动的丝杆螺母上,所述丝杆螺母安装在丝杆上,所述丝杆通过齿轮副与伺服电机连接,所述齿轮副包括与伺服电机转子连接的主齿轮、与丝杆转子连接的副齿轮,所述主齿轮与副齿轮啮合连接。本实用新型的有益效果:传片效率高、可靠性好,且结构简单合理。
蓝宝石衬底纳米孔制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明提供一种蓝宝石衬底纳米孔制备方法,包括以下步骤在蓝宝石衬底表面形成一层单晶薄膜;在所述单晶薄膜上旋涂一层光刻胶;通过光刻机对光刻胶进行曝光;对曝光后的光刻胶进行显影形成纳米孔图形;以形成有纳米孔图形的光刻胶为掩膜干法刻蚀所述单晶薄膜,将所述纳米孔图形转移到单晶薄膜上;去除光刻胶,以形成有所述纳米孔图形的单晶薄膜为掩膜,对所述蓝宝石衬底进行干法刻蚀,将所述纳米孔图形转移到所述蓝宝石衬底上;去除所述单晶薄膜。本发明提出的蓝宝石衬底纳米孔制备方法,通过激光干涉光刻配以干法刻蚀技术快速实现结构均匀、周期可控、占空比可控、低成本的纳米孔拼接块图形化蓝宝石衬底。
找到5项技术成果数据。
找技术 >一种干法刻蚀坚硬无机材料基板ICP刻蚀机的刻蚀腔
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
一种干法刻蚀坚硬无机材料基板ICP刻蚀机的刻蚀腔,包括腔体,所述腔体上开有进出片口、机械泵接口、下电极接口、分子泵接口,所述腔体的上端安装有顶盖和石英盖,所述腔体内安装有匀气盘、穿过腔体底部和匀气盘的工艺气体管道,所述工艺气体管道的气体出口设置在匀气盘上方并正对匀气盘中心;所述匀气盘的中间开有大于下电极直径的下电极通口,所述匀气盘上开有多个通气孔,横向上相邻所述通气孔的间距是等差数列递增,纵向上相邻所述通气孔的间距从中心到边缘是等差数列递减。本实用新型的有益效果:等离子体密度最大、均匀性最好、能量最高;成本低、可靠性高。
一种干法刻蚀坚硬无机材料基板ICP刻蚀机的预真空腔
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
一种干法刻蚀坚硬无机材料基板ICP刻蚀机的预真空腔,包括腔体,所述腔体上安装有腔盖,所述腔盖上开有片盘取放口,所述片盘取放口处设置有盖子,所述腔体的一侧面上开有片盘进出口,所述片盘进出口处设有阀门,所述腔体上设有用于与机械泵连接的机械泵接口、用于与进气管道连接的进气管道接口,所述腔体内底面上开有导轨槽,所述导轨槽内安装有沿其运动的导轨器,所述导轨器上连接有输送片盘的机械手;所述导轨器与带动其运动的丝杆连接,所述丝杆可转动的安装在腔体内,其一端穿出腔体与伺服电机连接,所述伺服电机固定在腔体的底部。本实用新型的有益效果:机械手的运输机制更简单可靠、成本低。
一种紧凑型感应耦合低温等离子体干法刻蚀系统
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明的目的就是为了克服现有湿法刻蚀化合物半导体特别是Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体时所产生的精度差、刻蚀速率低、选择性差、对被刻蚀损伤大等的缺点而发明的一种能高速率、低损伤、高精度及具有良好选择性的亚微米级精细图形的刻蚀系统及方法,本发明是一种能刻蚀精细图形、不影响半导体性能、器件特性及使用寿命,并且精度高、刻蚀速率高、选择性好、损伤小的紧凑型感应耦合低温等离子体(ICP)干法刻蚀系统及刻蚀方法。主要对半导体化合物尤其是Ⅲ-Ⅴ族化合物的干法刻蚀。本发明是一种紧凑型感应耦合低温等离子体(ICP)干法刻蚀系统及刻蚀方法,主要应用于Ⅲ-Ⅴ族化合物的刻蚀。属于半导体设备及技术,特别涉及刻蚀Ⅲ-Ⅴ族化合物的气体成分,配气及工艺过程。其主要由射频RF偏置功率源、基片台、ICP耦合天线、磁控线圈、反应室、配气装置等共同连接而成。其工作原理是射频RF通过感应天气耦合将反应室中气体离解成具有高活性的基因,这些高活性基团在偏置电源和磁场的约束下轰击待刻蚀基片表面,与基片上的待刻蚀物质发生表面物理化学反应,反应的合成物被真空装置抽走,达到干法刻蚀的目的。技术及性能指标:待刻蚀Ⅲ-Ⅴ族化合物为InSb;刻蚀气体Cl2、H2、Ch4、BCl3、CCl4、PCl3、氟利昂24-CHClF2中的一种或几种混合气体;RF功率200~400W,RF偏置功率100~900W,磁场1×10-4~1T,反应室气压10-2~10-3Torr,气体流量2~6毫升/分钟,配气比0.1~0.9;刻蚀速率约100nm/min。
一种干法刻蚀无机材料基板等离子体刻蚀机的传片系统
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
一种干法刻蚀无机材料基板等离子体刻蚀机的传片系统,其安装在预真空腔内,包括运送片盘的机械手,所述机械手固定连接在带动其运动的丝杆螺母上,所述丝杆螺母安装在丝杆上,所述丝杆通过齿轮副与伺服电机连接,所述齿轮副包括与伺服电机转子连接的主齿轮、与丝杆转子连接的副齿轮,所述主齿轮与副齿轮啮合连接。本实用新型的有益效果:传片效率高、可靠性好,且结构简单合理。
蓝宝石衬底纳米孔制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明提供一种蓝宝石衬底纳米孔制备方法,包括以下步骤在蓝宝石衬底表面形成一层单晶薄膜;在所述单晶薄膜上旋涂一层光刻胶;通过光刻机对光刻胶进行曝光;对曝光后的光刻胶进行显影形成纳米孔图形;以形成有纳米孔图形的光刻胶为掩膜干法刻蚀所述单晶薄膜,将所述纳米孔图形转移到单晶薄膜上;去除光刻胶,以形成有所述纳米孔图形的单晶薄膜为掩膜,对所述蓝宝石衬底进行干法刻蚀,将所述纳米孔图形转移到所述蓝宝石衬底上;去除所述单晶薄膜。本发明提出的蓝宝石衬底纳米孔制备方法,通过激光干涉光刻配以干法刻蚀技术快速实现结构均匀、周期可控、占空比可控、低成本的纳米孔拼接块图形化蓝宝石衬底。
找到5项技术成果数据。
找技术 >一种干法刻蚀坚硬无机材料基板ICP刻蚀机的刻蚀腔
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
一种干法刻蚀坚硬无机材料基板ICP刻蚀机的刻蚀腔,包括腔体,所述腔体上开有进出片口、机械泵接口、下电极接口、分子泵接口,所述腔体的上端安装有顶盖和石英盖,所述腔体内安装有匀气盘、穿过腔体底部和匀气盘的工艺气体管道,所述工艺气体管道的气体出口设置在匀气盘上方并正对匀气盘中心;所述匀气盘的中间开有大于下电极直径的下电极通口,所述匀气盘上开有多个通气孔,横向上相邻所述通气孔的间距是等差数列递增,纵向上相邻所述通气孔的间距从中心到边缘是等差数列递减。本实用新型的有益效果:等离子体密度最大、均匀性最好、能量最高;成本低、可靠性高。
一种干法刻蚀坚硬无机材料基板ICP刻蚀机的预真空腔
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
一种干法刻蚀坚硬无机材料基板ICP刻蚀机的预真空腔,包括腔体,所述腔体上安装有腔盖,所述腔盖上开有片盘取放口,所述片盘取放口处设置有盖子,所述腔体的一侧面上开有片盘进出口,所述片盘进出口处设有阀门,所述腔体上设有用于与机械泵连接的机械泵接口、用于与进气管道连接的进气管道接口,所述腔体内底面上开有导轨槽,所述导轨槽内安装有沿其运动的导轨器,所述导轨器上连接有输送片盘的机械手;所述导轨器与带动其运动的丝杆连接,所述丝杆可转动的安装在腔体内,其一端穿出腔体与伺服电机连接,所述伺服电机固定在腔体的底部。本实用新型的有益效果:机械手的运输机制更简单可靠、成本低。
一种紧凑型感应耦合低温等离子体干法刻蚀系统
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明的目的就是为了克服现有湿法刻蚀化合物半导体特别是Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体时所产生的精度差、刻蚀速率低、选择性差、对被刻蚀损伤大等的缺点而发明的一种能高速率、低损伤、高精度及具有良好选择性的亚微米级精细图形的刻蚀系统及方法,本发明是一种能刻蚀精细图形、不影响半导体性能、器件特性及使用寿命,并且精度高、刻蚀速率高、选择性好、损伤小的紧凑型感应耦合低温等离子体(ICP)干法刻蚀系统及刻蚀方法。主要对半导体化合物尤其是Ⅲ-Ⅴ族化合物的干法刻蚀。本发明是一种紧凑型感应耦合低温等离子体(ICP)干法刻蚀系统及刻蚀方法,主要应用于Ⅲ-Ⅴ族化合物的刻蚀。属于半导体设备及技术,特别涉及刻蚀Ⅲ-Ⅴ族化合物的气体成分,配气及工艺过程。其主要由射频RF偏置功率源、基片台、ICP耦合天线、磁控线圈、反应室、配气装置等共同连接而成。其工作原理是射频RF通过感应天气耦合将反应室中气体离解成具有高活性的基因,这些高活性基团在偏置电源和磁场的约束下轰击待刻蚀基片表面,与基片上的待刻蚀物质发生表面物理化学反应,反应的合成物被真空装置抽走,达到干法刻蚀的目的。技术及性能指标:待刻蚀Ⅲ-Ⅴ族化合物为InSb;刻蚀气体Cl2、H2、Ch4、BCl3、CCl4、PCl3、氟利昂24-CHClF2中的一种或几种混合气体;RF功率200~400W,RF偏置功率100~900W,磁场1×10-4~1T,反应室气压10-2~10-3Torr,气体流量2~6毫升/分钟,配气比0.1~0.9;刻蚀速率约100nm/min。
一种干法刻蚀无机材料基板等离子体刻蚀机的传片系统
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
一种干法刻蚀无机材料基板等离子体刻蚀机的传片系统,其安装在预真空腔内,包括运送片盘的机械手,所述机械手固定连接在带动其运动的丝杆螺母上,所述丝杆螺母安装在丝杆上,所述丝杆通过齿轮副与伺服电机连接,所述齿轮副包括与伺服电机转子连接的主齿轮、与丝杆转子连接的副齿轮,所述主齿轮与副齿轮啮合连接。本实用新型的有益效果:传片效率高、可靠性好,且结构简单合理。
蓝宝石衬底纳米孔制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明提供一种蓝宝石衬底纳米孔制备方法,包括以下步骤在蓝宝石衬底表面形成一层单晶薄膜;在所述单晶薄膜上旋涂一层光刻胶;通过光刻机对光刻胶进行曝光;对曝光后的光刻胶进行显影形成纳米孔图形;以形成有纳米孔图形的光刻胶为掩膜干法刻蚀所述单晶薄膜,将所述纳米孔图形转移到单晶薄膜上;去除光刻胶,以形成有所述纳米孔图形的单晶薄膜为掩膜,对所述蓝宝石衬底进行干法刻蚀,将所述纳米孔图形转移到所述蓝宝石衬底上;去除所述单晶薄膜。本发明提出的蓝宝石衬底纳米孔制备方法,通过激光干涉光刻配以干法刻蚀技术快速实现结构均匀、周期可控、占空比可控、低成本的纳米孔拼接块图形化蓝宝石衬底。
找到5项技术成果数据。
找技术 >一种干法刻蚀坚硬无机材料基板ICP刻蚀机的刻蚀腔
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
一种干法刻蚀坚硬无机材料基板ICP刻蚀机的刻蚀腔,包括腔体,所述腔体上开有进出片口、机械泵接口、下电极接口、分子泵接口,所述腔体的上端安装有顶盖和石英盖,所述腔体内安装有匀气盘、穿过腔体底部和匀气盘的工艺气体管道,所述工艺气体管道的气体出口设置在匀气盘上方并正对匀气盘中心;所述匀气盘的中间开有大于下电极直径的下电极通口,所述匀气盘上开有多个通气孔,横向上相邻所述通气孔的间距是等差数列递增,纵向上相邻所述通气孔的间距从中心到边缘是等差数列递减。本实用新型的有益效果:等离子体密度最大、均匀性最好、能量最高;成本低、可靠性高。
一种干法刻蚀坚硬无机材料基板ICP刻蚀机的预真空腔
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
一种干法刻蚀坚硬无机材料基板ICP刻蚀机的预真空腔,包括腔体,所述腔体上安装有腔盖,所述腔盖上开有片盘取放口,所述片盘取放口处设置有盖子,所述腔体的一侧面上开有片盘进出口,所述片盘进出口处设有阀门,所述腔体上设有用于与机械泵连接的机械泵接口、用于与进气管道连接的进气管道接口,所述腔体内底面上开有导轨槽,所述导轨槽内安装有沿其运动的导轨器,所述导轨器上连接有输送片盘的机械手;所述导轨器与带动其运动的丝杆连接,所述丝杆可转动的安装在腔体内,其一端穿出腔体与伺服电机连接,所述伺服电机固定在腔体的底部。本实用新型的有益效果:机械手的运输机制更简单可靠、成本低。
一种紧凑型感应耦合低温等离子体干法刻蚀系统
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明的目的就是为了克服现有湿法刻蚀化合物半导体特别是Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体时所产生的精度差、刻蚀速率低、选择性差、对被刻蚀损伤大等的缺点而发明的一种能高速率、低损伤、高精度及具有良好选择性的亚微米级精细图形的刻蚀系统及方法,本发明是一种能刻蚀精细图形、不影响半导体性能、器件特性及使用寿命,并且精度高、刻蚀速率高、选择性好、损伤小的紧凑型感应耦合低温等离子体(ICP)干法刻蚀系统及刻蚀方法。主要对半导体化合物尤其是Ⅲ-Ⅴ族化合物的干法刻蚀。本发明是一种紧凑型感应耦合低温等离子体(ICP)干法刻蚀系统及刻蚀方法,主要应用于Ⅲ-Ⅴ族化合物的刻蚀。属于半导体设备及技术,特别涉及刻蚀Ⅲ-Ⅴ族化合物的气体成分,配气及工艺过程。其主要由射频RF偏置功率源、基片台、ICP耦合天线、磁控线圈、反应室、配气装置等共同连接而成。其工作原理是射频RF通过感应天气耦合将反应室中气体离解成具有高活性的基因,这些高活性基团在偏置电源和磁场的约束下轰击待刻蚀基片表面,与基片上的待刻蚀物质发生表面物理化学反应,反应的合成物被真空装置抽走,达到干法刻蚀的目的。技术及性能指标:待刻蚀Ⅲ-Ⅴ族化合物为InSb;刻蚀气体Cl2、H2、Ch4、BCl3、CCl4、PCl3、氟利昂24-CHClF2中的一种或几种混合气体;RF功率200~400W,RF偏置功率100~900W,磁场1×10-4~1T,反应室气压10-2~10-3Torr,气体流量2~6毫升/分钟,配气比0.1~0.9;刻蚀速率约100nm/min。
一种干法刻蚀无机材料基板等离子体刻蚀机的传片系统
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
一种干法刻蚀无机材料基板等离子体刻蚀机的传片系统,其安装在预真空腔内,包括运送片盘的机械手,所述机械手固定连接在带动其运动的丝杆螺母上,所述丝杆螺母安装在丝杆上,所述丝杆通过齿轮副与伺服电机连接,所述齿轮副包括与伺服电机转子连接的主齿轮、与丝杆转子连接的副齿轮,所述主齿轮与副齿轮啮合连接。本实用新型的有益效果:传片效率高、可靠性好,且结构简单合理。
蓝宝石衬底纳米孔制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明提供一种蓝宝石衬底纳米孔制备方法,包括以下步骤在蓝宝石衬底表面形成一层单晶薄膜;在所述单晶薄膜上旋涂一层光刻胶;通过光刻机对光刻胶进行曝光;对曝光后的光刻胶进行显影形成纳米孔图形;以形成有纳米孔图形的光刻胶为掩膜干法刻蚀所述单晶薄膜,将所述纳米孔图形转移到单晶薄膜上;去除光刻胶,以形成有所述纳米孔图形的单晶薄膜为掩膜,对所述蓝宝石衬底进行干法刻蚀,将所述纳米孔图形转移到所述蓝宝石衬底上;去除所述单晶薄膜。本发明提出的蓝宝石衬底纳米孔制备方法,通过激光干涉光刻配以干法刻蚀技术快速实现结构均匀、周期可控、占空比可控、低成本的纳米孔拼接块图形化蓝宝石衬底。
找到5项技术成果数据。
找技术 >一种干法刻蚀坚硬无机材料基板ICP刻蚀机的刻蚀腔
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
一种干法刻蚀坚硬无机材料基板ICP刻蚀机的刻蚀腔,包括腔体,所述腔体上开有进出片口、机械泵接口、下电极接口、分子泵接口,所述腔体的上端安装有顶盖和石英盖,所述腔体内安装有匀气盘、穿过腔体底部和匀气盘的工艺气体管道,所述工艺气体管道的气体出口设置在匀气盘上方并正对匀气盘中心;所述匀气盘的中间开有大于下电极直径的下电极通口,所述匀气盘上开有多个通气孔,横向上相邻所述通气孔的间距是等差数列递增,纵向上相邻所述通气孔的间距从中心到边缘是等差数列递减。本实用新型的有益效果:等离子体密度最大、均匀性最好、能量最高;成本低、可靠性高。
一种干法刻蚀坚硬无机材料基板ICP刻蚀机的预真空腔
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
一种干法刻蚀坚硬无机材料基板ICP刻蚀机的预真空腔,包括腔体,所述腔体上安装有腔盖,所述腔盖上开有片盘取放口,所述片盘取放口处设置有盖子,所述腔体的一侧面上开有片盘进出口,所述片盘进出口处设有阀门,所述腔体上设有用于与机械泵连接的机械泵接口、用于与进气管道连接的进气管道接口,所述腔体内底面上开有导轨槽,所述导轨槽内安装有沿其运动的导轨器,所述导轨器上连接有输送片盘的机械手;所述导轨器与带动其运动的丝杆连接,所述丝杆可转动的安装在腔体内,其一端穿出腔体与伺服电机连接,所述伺服电机固定在腔体的底部。本实用新型的有益效果:机械手的运输机制更简单可靠、成本低。
一种紧凑型感应耦合低温等离子体干法刻蚀系统
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明的目的就是为了克服现有湿法刻蚀化合物半导体特别是Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体时所产生的精度差、刻蚀速率低、选择性差、对被刻蚀损伤大等的缺点而发明的一种能高速率、低损伤、高精度及具有良好选择性的亚微米级精细图形的刻蚀系统及方法,本发明是一种能刻蚀精细图形、不影响半导体性能、器件特性及使用寿命,并且精度高、刻蚀速率高、选择性好、损伤小的紧凑型感应耦合低温等离子体(ICP)干法刻蚀系统及刻蚀方法。主要对半导体化合物尤其是Ⅲ-Ⅴ族化合物的干法刻蚀。本发明是一种紧凑型感应耦合低温等离子体(ICP)干法刻蚀系统及刻蚀方法,主要应用于Ⅲ-Ⅴ族化合物的刻蚀。属于半导体设备及技术,特别涉及刻蚀Ⅲ-Ⅴ族化合物的气体成分,配气及工艺过程。其主要由射频RF偏置功率源、基片台、ICP耦合天线、磁控线圈、反应室、配气装置等共同连接而成。其工作原理是射频RF通过感应天气耦合将反应室中气体离解成具有高活性的基因,这些高活性基团在偏置电源和磁场的约束下轰击待刻蚀基片表面,与基片上的待刻蚀物质发生表面物理化学反应,反应的合成物被真空装置抽走,达到干法刻蚀的目的。技术及性能指标:待刻蚀Ⅲ-Ⅴ族化合物为InSb;刻蚀气体Cl2、H2、Ch4、BCl3、CCl4、PCl3、氟利昂24-CHClF2中的一种或几种混合气体;RF功率200~400W,RF偏置功率100~900W,磁场1×10-4~1T,反应室气压10-2~10-3Torr,气体流量2~6毫升/分钟,配气比0.1~0.9;刻蚀速率约100nm/min。
一种干法刻蚀无机材料基板等离子体刻蚀机的传片系统
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
一种干法刻蚀无机材料基板等离子体刻蚀机的传片系统,其安装在预真空腔内,包括运送片盘的机械手,所述机械手固定连接在带动其运动的丝杆螺母上,所述丝杆螺母安装在丝杆上,所述丝杆通过齿轮副与伺服电机连接,所述齿轮副包括与伺服电机转子连接的主齿轮、与丝杆转子连接的副齿轮,所述主齿轮与副齿轮啮合连接。本实用新型的有益效果:传片效率高、可靠性好,且结构简单合理。
蓝宝石衬底纳米孔制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明提供一种蓝宝石衬底纳米孔制备方法,包括以下步骤在蓝宝石衬底表面形成一层单晶薄膜;在所述单晶薄膜上旋涂一层光刻胶;通过光刻机对光刻胶进行曝光;对曝光后的光刻胶进行显影形成纳米孔图形;以形成有纳米孔图形的光刻胶为掩膜干法刻蚀所述单晶薄膜,将所述纳米孔图形转移到单晶薄膜上;去除光刻胶,以形成有所述纳米孔图形的单晶薄膜为掩膜,对所述蓝宝石衬底进行干法刻蚀,将所述纳米孔图形转移到所述蓝宝石衬底上;去除所述单晶薄膜。本发明提出的蓝宝石衬底纳米孔制备方法,通过激光干涉光刻配以干法刻蚀技术快速实现结构均匀、周期可控、占空比可控、低成本的纳米孔拼接块图形化蓝宝石衬底。