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找技术 >脉冲技术-强电流半导体电流断路器-SOS-二极管
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
脉冲技术-强电流半导体电流断路器-SOS-二极管 项目简介 实验室简介:脉冲技术实验室是新科技方向 -- 超功率纳秒半导体电子仪器的奠基者。1992年发现半导体超密电流纳秒中断-SOS-效应,是研究的起点。(来自英语Semiconductor Opening Switch)。基础工作包括研究在电流超高密度时在半导体中电子空穴等离子体动态过程,并且确定电流在纳秒和亚纳秒时间波段中断过程规律性。 基础研究结果是在实验室研制的独有的超功率半导体仪器和强电流纳秒脉冲发电机的物理-技术原理。借助此成果,发电机最重要的性能,诸如脉冲功率,输出电压,电流,负荷电压、电流、功率增长速度,同早先已知的半导体设备相比,提高到几十和几百倍。其中,在纳秒半导体技术设备上,首次开发与脉冲功率大瓦特电平结合的兆伏级电压波段。 该实验室研制强电流半导体电流断路器-SOS-二极管。基本技术参数:工作电压 - 100到400千瓦,所中断电流 - 4到20千安,电流中断时间 - 15到0。5纳秒。
低压电器强电流试验工程
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
低压电器强电流试验工程的低压回路设计采用全低感布线,尽可能缩短低压侧母线长度,降低感抗和降低接触电阻,把低压母线及电压转换装置的阻抗降到0.227毫伏。该工程研制了一套低压100kA电抗器,电流调节范围由47KA到100kA,调节细度不大于10%,COSφ<0.2。另外,还研制了一套多磁路低压强电流发生装置,扩充了三台多磁路变压器(容量为40KVA,380/24-96V)的功能,接试品短时(5秒)电流单相达到100kA,三相达到60kA,创造了低压强电流装置出力的新记录。该工程大搞设备综合利用,充分挖潜,节省电源设备投资50万元。整个技改工程具有国内先进水平,其经验可在全国同行业中推广应用。
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低压电器强电流试验工程的低压回路设计采用全低感布线,尽可能缩短低压侧母线长度,降低感抗和降低接触电阻,把低压母线及电压转换装置的阻抗降到0.227毫伏。该工程研制了一套低压100kA电抗器,电流调节范围由47KA到100kA,调节细度不大于10%,COSφ<0.2。另外,还研制了一套多磁路低压强电流发生装置,扩充了三台多磁路变压器(容量为40KVA,380/24-96V)的功能,接试品短时(5秒)电流单相达到100kA,三相达到60kA,创造了低压强电流装置出力的新记录。该工程大搞设备综合利用,充分挖潜,节省电源设备投资50万元。整个技改工程具有国内先进水平,其经验可在全国同行业中推广应用。
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低压电器强电流试验工程的低压回路设计采用全低感布线,尽可能缩短低压侧母线长度,降低感抗和降低接触电阻,把低压母线及电压转换装置的阻抗降到0.227毫伏。该工程研制了一套低压100kA电抗器,电流调节范围由47KA到100kA,调节细度不大于10%,COSφ<0.2。另外,还研制了一套多磁路低压强电流发生装置,扩充了三台多磁路变压器(容量为40KVA,380/24-96V)的功能,接试品短时(5秒)电流单相达到100kA,三相达到60kA,创造了低压强电流装置出力的新记录。该工程大搞设备综合利用,充分挖潜,节省电源设备投资50万元。整个技改工程具有国内先进水平,其经验可在全国同行业中推广应用。
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低压电器强电流试验工程的低压回路设计采用全低感布线,尽可能缩短低压侧母线长度,降低感抗和降低接触电阻,把低压母线及电压转换装置的阻抗降到0.227毫伏。该工程研制了一套低压100kA电抗器,电流调节范围由47KA到100kA,调节细度不大于10%,COSφ<0.2。另外,还研制了一套多磁路低压强电流发生装置,扩充了三台多磁路变压器(容量为40KVA,380/24-96V)的功能,接试品短时(5秒)电流单相达到100kA,三相达到60kA,创造了低压强电流装置出力的新记录。该工程大搞设备综合利用,充分挖潜,节省电源设备投资50万元。整个技改工程具有国内先进水平,其经验可在全国同行业中推广应用。
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低压电器强电流试验工程的低压回路设计采用全低感布线,尽可能缩短低压侧母线长度,降低感抗和降低接触电阻,把低压母线及电压转换装置的阻抗降到0.227毫伏。该工程研制了一套低压100kA电抗器,电流调节范围由47KA到100kA,调节细度不大于10%,COSφ<0.2。另外,还研制了一套多磁路低压强电流发生装置,扩充了三台多磁路变压器(容量为40KVA,380/24-96V)的功能,接试品短时(5秒)电流单相达到100kA,三相达到60kA,创造了低压强电流装置出力的新记录。该工程大搞设备综合利用,充分挖潜,节省电源设备投资50万元。整个技改工程具有国内先进水平,其经验可在全国同行业中推广应用。