找到13项技术成果数据。
找技术 >N型高效电池PN结设计和制备技术研究
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
N型高效电池PN结设计和制备技术研究。 通过对N型硅片主要性能参数的模拟计算、对比不同的硅片主要性能电阻率和少子寿命测试方法,对比不同硅片样品表面处理及钝化方法,确定了合适N型硅片性能评估方法:建立了不同方法制备B掺杂PN结的技术储备,建立高质量B掺杂PN结制备的工艺参数方案;形成了高质量的硼发射极, Implied Voc可以达到691mV, Joe则处于43fA/cm2的较好水平,并在此基础上制备了平均效率20.88%、最高效率21.11%的N型双面电池;确定了N型电池的温度系数变化曲线,N型电池电流温度系数0.038%/℃,电压温度系数-0.311%/℃,不同样品之间测试值相同,非常稳定,功率温度系数在不同样品中在-0.393~-0.385%/℃之间波动,相对比较稳定,对应与常规P型单晶的功率温度系数参数-0.44~-0.43%/℃,制备出的N型双面电池温度系数更小。成果达到国内先进水平。
高性能微波介质陶瓷材料
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
技术投资分析:简介:微波介质陶瓷是近30年来迅速发展起来的新型功能电子陶瓷,它具有损耗低、频率温度系数小、介电常数高等特点。用微波陶瓷材料可以制成介质谐振器(Dielectric Resonator,简称DR)、介质滤波器、双工器、微波介质天线、介质稳频振荡器(称DRO)、介质波导传输线等。微波介质陶瓷在现代通信、军事技术领域等倍受世人瞩目。目前微波器件向高集成化,小型化,高可靠性及低成本化方向发展,作为微波介质材料,它具有高介电常数,低介电子损耗,低温度系数。目前微波陶瓷材料和器件的生产水平以日Murata公司、德EPCOS公司、美Trans-Tech公司、Narda MICROWAVE-WEST公司、英Morgan ElectroCeramics、Filtronic等公司为最高。其产品的应用范围已在300MHz~40GHz系列化,年产值均达十亿美元以上。国内微波介质陶瓷材料及器件的生产,在技术水平、产品品种和生产规模上与国外相比有较大差距。上海大学是国内最早开展微波介质材料研究的单位之一,先后获得过国家科技发明三等奖、上海科技进步二、三等奖等奖项。先后承担了国家“863” 、国家自然科学基金,并取得了一系列成果。主要特点技术性能:可与Cu电极共烧,形成多层独石结构,从而达到集成化,高性能,低成本的要求。上海大学研发的微波介质陶瓷性能列表:产品类别 烧结温度ST(oC) 介电常数er 品质因素Q?f (GHz) 温度系数tf(ppm/0C)D7 850-900 6-8 30000-40000 -20D10 1250-1300 10-11 60000 ~0D20 1550 20 85000 1.2D25 1600 25 100000 2D34 1450 34 60000 -1.2D36 1250 36 50000 adjustableD45 1450 45-47 40000 5000 1500 10技术的应用领域前景分析:用途:可用作多层微波介质滤波器,谐振器等介质材料。广泛应用于移动通信、卫星电视广播通信、雷达、卫星定位导航系统等等众多领域。效益分析:市场利润高,效益很好。厂房条件建议:无备注:无
一种高电阻温度系数二氧化钒薄膜及其低温沉积方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种高电阻温度系数二氧化钒薄膜及其低温沉积方法,所述薄膜由通过磁控溅射依次形成在衬底上的三氧化二钒籽晶层以及掺杂二氧化钒薄膜层构成,所述掺杂二氧化钒薄膜层的化学组成为WxTiyV1‑x‑yO2,其中0<x<0.1,0<y<0.2,x:y=(0.1~0.5):1。本发明制备的二氧化钒薄膜结晶质量高,完全无杂相,且具有较高的电阻温度系数。
高性能微波介质陶瓷材料
成熟度:可规模生产
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
是否验收 □ √ 是 □否 成果获奖情况 先后获得过国家科技发明、三等奖、 上海科技进步二、三等奖等奖项有否样品或样机□ √ 有 □无 科研项目资助情况 国家“863”、 国家自然科学基金项目资助相关评价和证明□项目可行性报告 □查新报告 □鉴定证书 □ √ 检测报告 □高新技术或新产品认定证书 □用户意见 □其他:技术成熟程度□已实现规模产业化 □已在工业领域或具体企业实际应用 □ √ 已实现小批量生产 □已通过中试验证 □处在中试阶段 □小试阶段 □处在实验室研发阶段 □其他:知识产权情况专利申请号 详见资料是否己经授权 □ √ 是 □ 否技术成果简介微波介质陶瓷是近30年来迅速发展起来的新型功能电子陶瓷, 它具有损耗低、 频率温度系数小、 介电常数高等特点。 用微波陶瓷材料可以制成介质谐振器 (Dielectric Resonator,简称DR)、 介质滤波器、 双工器、 微波介质天线、 介质稳频振荡器 (称DRO)、 介质波导传输线等。 微波介质陶瓷在现代通信、 军事技术领域等倍受世人瞩目。 目前微波器件向高集成化、 小型化、 高可靠性及低成本化方向发展, 作为微波介质材料, 它具有高介电常数、低介电子损耗、 低温度系数。大学,开发的微波介质陶瓷材料为与Cu电极共烧, 形成多层独石结构, 从而达到集成化、 高性能、低成本的要求。 先后获得过国家科技发明三等奖、 上海科技进步二、 三等奖等奖项。 先后承担了国家“863”、 国家自然科学基金项目, 并取得了一系列成果。 可用作多层微波介质滤波器, 谐振器等介质材料。 广泛应用于移动通信、 卫星电视广播通信、 雷达、 卫星定位导航系统等等众多领域。技术创新点或优势采用属先进的特种电子陶瓷材料制备工艺, 制备高 Q 值, 低谢振频率温度系数的微波介质陶瓷材料。技术经济指标开发的微波介质陶瓷材料为与 Cu 电极共烧, 形成多层独石结构, 从而达到集成化、 高性能、 低成本的要求。工业领域实际应用情况概述采用微波介质陶瓷材料器件广泛应用于移动通信、 卫星电视广播通信、 雷达、 卫星定位导航系统等等众多领域。 微波介质陶瓷在现代通信、 军事技术领域等倍受世人瞩目, 具有重大的经济和社会效益。 现与国内多家大型钢铁企业进行联合研发和产业化实施、 还有多项技术成果在国内外金属材料产业部门投入应用。服务方式□技术转让 □技术开发 □ 技术服务 □ 技术咨询 □ √ 可协商
一种高电阻温度系数氧化钒薄膜制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种高电阻温度系数的氧化钒薄膜制备方法,包括以下步骤:(1)将基片在富氧气氛下进行离子轰击活化处理;(2)氧化钒薄膜沉积在常温下分两步进行:在处理后的基片上沉积一层1-5nm的低价态超薄氧化钒种子层,然后以反应溅射沉积氧化钒那薄膜;(3)以反应溅射相同气氛,对薄膜进行高温快速退火。利用本发明所提供的制备方法可实现电阻温度系数-3~5%/K的氧化钒薄膜沉积。同时,本发明所提供的制备方法与MEMS工艺和集成电路制造工艺兼容性好,适于大批量基于氧化钒热敏薄膜的器件制造。
一种高电阻温度系数二氧化钒薄膜的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种高电阻温度系数二氧化钒薄膜的制备方法,可用于非致冷红外探测。该方法在沉积有Si 3 N 4 或者SiO 2 薄膜的硅衬底上,采用反应离子束溅射法沉积厚度为50-200nm的氧化钒薄膜;待自然冷却后,取出样片,再进行退火。本发明方法所制备薄膜具有平均晶粒5~20nm的纳米结构,在半导体区具有-5%/K~-7%/K电阻温度系数(TCR),合适的方块电阻,与常用微米结构二氧化钒相当的噪声电平的优点。是一种很有潜力的非致冷红外探测材料。
室温电阻温度系数高于10%/K的多晶二氧化钒薄膜制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及功能薄膜材料制备技术,其采用改进了的离子束增强沉积方法成膜,结合后续的结晶、退火,实现杂质的均匀掺入和对钒的有效替位,使薄膜的相变起始温度降低到12-16℃附近。调节氩/氢比等成膜工艺和结晶热处理条件,使多晶VO 2 薄膜从半导体相向金属相转变时,其电阻率的变化超过2个数量级。选择掺杂或引入应力等制备方法、掺杂剂量、杂质种类等制备条件,使薄膜相变向低温适当延展,相变滞豫足够小,实现室温附近的TCR大大提高,达10%/K以上,可满足红外探测和红外成像的使用要求。获得的沉积薄膜与衬底界面结合牢固,结构致密,与CMOS工艺兼容。本发明原料低廉,具有成本优势,且在成膜过程中没有废液、废气等危害环境的物质排放。
室温电阻温度系数高于10%K的多晶二氧化钒薄膜制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及功能薄膜材料制备技术,其采用改进了的离子束增强沉积方法成膜,结合后续的结晶、退火,实现杂质的均匀掺入和对钒的有效替位,使薄膜的相变起始温度降低到12-16℃附近。调节氩/氢比等成膜工艺和结晶热处理条件,使多晶VO 2 薄膜从半导体相向金属相转变时,其电阻率的变化超过2个数量级。选择掺杂或引入应力等制备方法、掺杂剂量、杂质种类等制备条件,使薄膜相变向低温适当延展,相变滞豫足够小,实现室温附近的TCR大大提高,达10%/K以上,可满足红外探测和红外成像的使用要求。获得的沉积薄膜与衬底界面结合牢固,结构致密,与CMOS工艺兼容。本发明原料低廉,具有成本优势,且在成膜过程中没有废液、废气等危害环境的物质排放。
一种无相变高电阻温度系数的掺钛氧化钒薄膜的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种无相变高电阻温度系数的掺钛氧化钒薄膜的制备方法,属于薄膜技术领域,具体包括以下步骤:首先清洗基片,吹干后备用;然后,将清洗后的基片放入真空腔室内,以V-Ti合金靶或镶嵌有钛的钒靶作为溅射靶材,在氧气和氩气混合气体气氛下、小于200℃温度下,在基片上溅射厚度为100~120nm的薄膜;最后,将上述带薄膜的基片置于真空环境中,在氧气和氩气的混合气体气氛下、300~450℃温度下退火处理,退火处理完后,自然冷却至室温,得到所述掺钛的氧化钒薄膜。本发明方法能制备出电阻温度系数高、室温附近无相变的掺钛氧化钒薄膜,且工艺简单,工艺可控性好,并与MEMS工艺和集成电路兼容性良好。
永磁材料温度系数和稳定性的测试研究
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
该技术成果系“六五”期间国家科技攻关项目。其主要内容是通过开发计算机软件,充分发挥计算机对磁性材料测试过程的控制及数据处理功能,在测量永磁材料温度系数过程中,通过自编程序,实现了对退磁场和自动修正,提高了测量结果的准确度,解决了测量永磁材料温度系数的关键技术问题。用振动样品磁强计测量永磁材料的温度系数,对永磁材料的稳定性进行测试研究,国内外均有报道,但是用计算机,采用自编程序,对退磁场进行自动修正,这一关键技术在国内处于领先水平。该成果对于在开磁路下测量磁性材料的其他参数,对研究统一我国永磁温度系数的测量方法,对合理应用及开发新材料等具有重要的社会、经济效益。
找到13项技术成果数据。
找技术 >N型高效电池PN结设计和制备技术研究
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
N型高效电池PN结设计和制备技术研究。 通过对N型硅片主要性能参数的模拟计算、对比不同的硅片主要性能电阻率和少子寿命测试方法,对比不同硅片样品表面处理及钝化方法,确定了合适N型硅片性能评估方法:建立了不同方法制备B掺杂PN结的技术储备,建立高质量B掺杂PN结制备的工艺参数方案;形成了高质量的硼发射极, Implied Voc可以达到691mV, Joe则处于43fA/cm2的较好水平,并在此基础上制备了平均效率20.88%、最高效率21.11%的N型双面电池;确定了N型电池的温度系数变化曲线,N型电池电流温度系数0.038%/℃,电压温度系数-0.311%/℃,不同样品之间测试值相同,非常稳定,功率温度系数在不同样品中在-0.393~-0.385%/℃之间波动,相对比较稳定,对应与常规P型单晶的功率温度系数参数-0.44~-0.43%/℃,制备出的N型双面电池温度系数更小。成果达到国内先进水平。
高性能微波介质陶瓷材料
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
技术投资分析:简介:微波介质陶瓷是近30年来迅速发展起来的新型功能电子陶瓷,它具有损耗低、频率温度系数小、介电常数高等特点。用微波陶瓷材料可以制成介质谐振器(Dielectric Resonator,简称DR)、介质滤波器、双工器、微波介质天线、介质稳频振荡器(称DRO)、介质波导传输线等。微波介质陶瓷在现代通信、军事技术领域等倍受世人瞩目。目前微波器件向高集成化,小型化,高可靠性及低成本化方向发展,作为微波介质材料,它具有高介电常数,低介电子损耗,低温度系数。目前微波陶瓷材料和器件的生产水平以日Murata公司、德EPCOS公司、美Trans-Tech公司、Narda MICROWAVE-WEST公司、英Morgan ElectroCeramics、Filtronic等公司为最高。其产品的应用范围已在300MHz~40GHz系列化,年产值均达十亿美元以上。国内微波介质陶瓷材料及器件的生产,在技术水平、产品品种和生产规模上与国外相比有较大差距。上海大学是国内最早开展微波介质材料研究的单位之一,先后获得过国家科技发明三等奖、上海科技进步二、三等奖等奖项。先后承担了国家“863” 、国家自然科学基金,并取得了一系列成果。主要特点技术性能:可与Cu电极共烧,形成多层独石结构,从而达到集成化,高性能,低成本的要求。上海大学研发的微波介质陶瓷性能列表:产品类别 烧结温度ST(oC) 介电常数er 品质因素Q?f (GHz) 温度系数tf(ppm/0C)D7 850-900 6-8 30000-40000 -20D10 1250-1300 10-11 60000 ~0D20 1550 20 85000 1.2D25 1600 25 100000 2D34 1450 34 60000 -1.2D36 1250 36 50000 adjustableD45 1450 45-47 40000 5000 1500 10技术的应用领域前景分析:用途:可用作多层微波介质滤波器,谐振器等介质材料。广泛应用于移动通信、卫星电视广播通信、雷达、卫星定位导航系统等等众多领域。效益分析:市场利润高,效益很好。厂房条件建议:无备注:无
一种高电阻温度系数二氧化钒薄膜及其低温沉积方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种高电阻温度系数二氧化钒薄膜及其低温沉积方法,所述薄膜由通过磁控溅射依次形成在衬底上的三氧化二钒籽晶层以及掺杂二氧化钒薄膜层构成,所述掺杂二氧化钒薄膜层的化学组成为WxTiyV1‑x‑yO2,其中0<x<0.1,0<y<0.2,x:y=(0.1~0.5):1。本发明制备的二氧化钒薄膜结晶质量高,完全无杂相,且具有较高的电阻温度系数。
高性能微波介质陶瓷材料
成熟度:可规模生产
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
是否验收 □ √ 是 □否 成果获奖情况 先后获得过国家科技发明、三等奖、 上海科技进步二、三等奖等奖项有否样品或样机□ √ 有 □无 科研项目资助情况 国家“863”、 国家自然科学基金项目资助相关评价和证明□项目可行性报告 □查新报告 □鉴定证书 □ √ 检测报告 □高新技术或新产品认定证书 □用户意见 □其他:技术成熟程度□已实现规模产业化 □已在工业领域或具体企业实际应用 □ √ 已实现小批量生产 □已通过中试验证 □处在中试阶段 □小试阶段 □处在实验室研发阶段 □其他:知识产权情况专利申请号 详见资料是否己经授权 □ √ 是 □ 否技术成果简介微波介质陶瓷是近30年来迅速发展起来的新型功能电子陶瓷, 它具有损耗低、 频率温度系数小、 介电常数高等特点。 用微波陶瓷材料可以制成介质谐振器 (Dielectric Resonator,简称DR)、 介质滤波器、 双工器、 微波介质天线、 介质稳频振荡器 (称DRO)、 介质波导传输线等。 微波介质陶瓷在现代通信、 军事技术领域等倍受世人瞩目。 目前微波器件向高集成化、 小型化、 高可靠性及低成本化方向发展, 作为微波介质材料, 它具有高介电常数、低介电子损耗、 低温度系数。大学,开发的微波介质陶瓷材料为与Cu电极共烧, 形成多层独石结构, 从而达到集成化、 高性能、低成本的要求。 先后获得过国家科技发明三等奖、 上海科技进步二、 三等奖等奖项。 先后承担了国家“863”、 国家自然科学基金项目, 并取得了一系列成果。 可用作多层微波介质滤波器, 谐振器等介质材料。 广泛应用于移动通信、 卫星电视广播通信、 雷达、 卫星定位导航系统等等众多领域。技术创新点或优势采用属先进的特种电子陶瓷材料制备工艺, 制备高 Q 值, 低谢振频率温度系数的微波介质陶瓷材料。技术经济指标开发的微波介质陶瓷材料为与 Cu 电极共烧, 形成多层独石结构, 从而达到集成化、 高性能、 低成本的要求。工业领域实际应用情况概述采用微波介质陶瓷材料器件广泛应用于移动通信、 卫星电视广播通信、 雷达、 卫星定位导航系统等等众多领域。 微波介质陶瓷在现代通信、 军事技术领域等倍受世人瞩目, 具有重大的经济和社会效益。 现与国内多家大型钢铁企业进行联合研发和产业化实施、 还有多项技术成果在国内外金属材料产业部门投入应用。服务方式□技术转让 □技术开发 □ 技术服务 □ 技术咨询 □ √ 可协商
一种高电阻温度系数氧化钒薄膜制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种高电阻温度系数的氧化钒薄膜制备方法,包括以下步骤:(1)将基片在富氧气氛下进行离子轰击活化处理;(2)氧化钒薄膜沉积在常温下分两步进行:在处理后的基片上沉积一层1-5nm的低价态超薄氧化钒种子层,然后以反应溅射沉积氧化钒那薄膜;(3)以反应溅射相同气氛,对薄膜进行高温快速退火。利用本发明所提供的制备方法可实现电阻温度系数-3~5%/K的氧化钒薄膜沉积。同时,本发明所提供的制备方法与MEMS工艺和集成电路制造工艺兼容性好,适于大批量基于氧化钒热敏薄膜的器件制造。
一种高电阻温度系数二氧化钒薄膜的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种高电阻温度系数二氧化钒薄膜的制备方法,可用于非致冷红外探测。该方法在沉积有Si 3 N 4 或者SiO 2 薄膜的硅衬底上,采用反应离子束溅射法沉积厚度为50-200nm的氧化钒薄膜;待自然冷却后,取出样片,再进行退火。本发明方法所制备薄膜具有平均晶粒5~20nm的纳米结构,在半导体区具有-5%/K~-7%/K电阻温度系数(TCR),合适的方块电阻,与常用微米结构二氧化钒相当的噪声电平的优点。是一种很有潜力的非致冷红外探测材料。
室温电阻温度系数高于10%/K的多晶二氧化钒薄膜制备方法
成熟度:正在研发
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技术简介
本发明涉及功能薄膜材料制备技术,其采用改进了的离子束增强沉积方法成膜,结合后续的结晶、退火,实现杂质的均匀掺入和对钒的有效替位,使薄膜的相变起始温度降低到12-16℃附近。调节氩/氢比等成膜工艺和结晶热处理条件,使多晶VO 2 薄膜从半导体相向金属相转变时,其电阻率的变化超过2个数量级。选择掺杂或引入应力等制备方法、掺杂剂量、杂质种类等制备条件,使薄膜相变向低温适当延展,相变滞豫足够小,实现室温附近的TCR大大提高,达10%/K以上,可满足红外探测和红外成像的使用要求。获得的沉积薄膜与衬底界面结合牢固,结构致密,与CMOS工艺兼容。本发明原料低廉,具有成本优势,且在成膜过程中没有废液、废气等危害环境的物质排放。
室温电阻温度系数高于10%K的多晶二氧化钒薄膜制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及功能薄膜材料制备技术,其采用改进了的离子束增强沉积方法成膜,结合后续的结晶、退火,实现杂质的均匀掺入和对钒的有效替位,使薄膜的相变起始温度降低到12-16℃附近。调节氩/氢比等成膜工艺和结晶热处理条件,使多晶VO 2 薄膜从半导体相向金属相转变时,其电阻率的变化超过2个数量级。选择掺杂或引入应力等制备方法、掺杂剂量、杂质种类等制备条件,使薄膜相变向低温适当延展,相变滞豫足够小,实现室温附近的TCR大大提高,达10%/K以上,可满足红外探测和红外成像的使用要求。获得的沉积薄膜与衬底界面结合牢固,结构致密,与CMOS工艺兼容。本发明原料低廉,具有成本优势,且在成膜过程中没有废液、废气等危害环境的物质排放。
一种无相变高电阻温度系数的掺钛氧化钒薄膜的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种无相变高电阻温度系数的掺钛氧化钒薄膜的制备方法,属于薄膜技术领域,具体包括以下步骤:首先清洗基片,吹干后备用;然后,将清洗后的基片放入真空腔室内,以V-Ti合金靶或镶嵌有钛的钒靶作为溅射靶材,在氧气和氩气混合气体气氛下、小于200℃温度下,在基片上溅射厚度为100~120nm的薄膜;最后,将上述带薄膜的基片置于真空环境中,在氧气和氩气的混合气体气氛下、300~450℃温度下退火处理,退火处理完后,自然冷却至室温,得到所述掺钛的氧化钒薄膜。本发明方法能制备出电阻温度系数高、室温附近无相变的掺钛氧化钒薄膜,且工艺简单,工艺可控性好,并与MEMS工艺和集成电路兼容性良好。
永磁材料温度系数和稳定性的测试研究
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
该技术成果系“六五”期间国家科技攻关项目。其主要内容是通过开发计算机软件,充分发挥计算机对磁性材料测试过程的控制及数据处理功能,在测量永磁材料温度系数过程中,通过自编程序,实现了对退磁场和自动修正,提高了测量结果的准确度,解决了测量永磁材料温度系数的关键技术问题。用振动样品磁强计测量永磁材料的温度系数,对永磁材料的稳定性进行测试研究,国内外均有报道,但是用计算机,采用自编程序,对退磁场进行自动修正,这一关键技术在国内处于领先水平。该成果对于在开磁路下测量磁性材料的其他参数,对研究统一我国永磁温度系数的测量方法,对合理应用及开发新材料等具有重要的社会、经济效益。
找到13项技术成果数据。
找技术 >N型高效电池PN结设计和制备技术研究
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
N型高效电池PN结设计和制备技术研究。 通过对N型硅片主要性能参数的模拟计算、对比不同的硅片主要性能电阻率和少子寿命测试方法,对比不同硅片样品表面处理及钝化方法,确定了合适N型硅片性能评估方法:建立了不同方法制备B掺杂PN结的技术储备,建立高质量B掺杂PN结制备的工艺参数方案;形成了高质量的硼发射极, Implied Voc可以达到691mV, Joe则处于43fA/cm2的较好水平,并在此基础上制备了平均效率20.88%、最高效率21.11%的N型双面电池;确定了N型电池的温度系数变化曲线,N型电池电流温度系数0.038%/℃,电压温度系数-0.311%/℃,不同样品之间测试值相同,非常稳定,功率温度系数在不同样品中在-0.393~-0.385%/℃之间波动,相对比较稳定,对应与常规P型单晶的功率温度系数参数-0.44~-0.43%/℃,制备出的N型双面电池温度系数更小。成果达到国内先进水平。
高性能微波介质陶瓷材料
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
技术投资分析:简介:微波介质陶瓷是近30年来迅速发展起来的新型功能电子陶瓷,它具有损耗低、频率温度系数小、介电常数高等特点。用微波陶瓷材料可以制成介质谐振器(Dielectric Resonator,简称DR)、介质滤波器、双工器、微波介质天线、介质稳频振荡器(称DRO)、介质波导传输线等。微波介质陶瓷在现代通信、军事技术领域等倍受世人瞩目。目前微波器件向高集成化,小型化,高可靠性及低成本化方向发展,作为微波介质材料,它具有高介电常数,低介电子损耗,低温度系数。目前微波陶瓷材料和器件的生产水平以日Murata公司、德EPCOS公司、美Trans-Tech公司、Narda MICROWAVE-WEST公司、英Morgan ElectroCeramics、Filtronic等公司为最高。其产品的应用范围已在300MHz~40GHz系列化,年产值均达十亿美元以上。国内微波介质陶瓷材料及器件的生产,在技术水平、产品品种和生产规模上与国外相比有较大差距。上海大学是国内最早开展微波介质材料研究的单位之一,先后获得过国家科技发明三等奖、上海科技进步二、三等奖等奖项。先后承担了国家“863” 、国家自然科学基金,并取得了一系列成果。主要特点技术性能:可与Cu电极共烧,形成多层独石结构,从而达到集成化,高性能,低成本的要求。上海大学研发的微波介质陶瓷性能列表:产品类别 烧结温度ST(oC) 介电常数er 品质因素Q?f (GHz) 温度系数tf(ppm/0C)D7 850-900 6-8 30000-40000 -20D10 1250-1300 10-11 60000 ~0D20 1550 20 85000 1.2D25 1600 25 100000 2D34 1450 34 60000 -1.2D36 1250 36 50000 adjustableD45 1450 45-47 40000 5000 1500 10技术的应用领域前景分析:用途:可用作多层微波介质滤波器,谐振器等介质材料。广泛应用于移动通信、卫星电视广播通信、雷达、卫星定位导航系统等等众多领域。效益分析:市场利润高,效益很好。厂房条件建议:无备注:无
一种高电阻温度系数二氧化钒薄膜及其低温沉积方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种高电阻温度系数二氧化钒薄膜及其低温沉积方法,所述薄膜由通过磁控溅射依次形成在衬底上的三氧化二钒籽晶层以及掺杂二氧化钒薄膜层构成,所述掺杂二氧化钒薄膜层的化学组成为WxTiyV1‑x‑yO2,其中0<x<0.1,0<y<0.2,x:y=(0.1~0.5):1。本发明制备的二氧化钒薄膜结晶质量高,完全无杂相,且具有较高的电阻温度系数。
高性能微波介质陶瓷材料
成熟度:可规模生产
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
是否验收 □ √ 是 □否 成果获奖情况 先后获得过国家科技发明、三等奖、 上海科技进步二、三等奖等奖项有否样品或样机□ √ 有 □无 科研项目资助情况 国家“863”、 国家自然科学基金项目资助相关评价和证明□项目可行性报告 □查新报告 □鉴定证书 □ √ 检测报告 □高新技术或新产品认定证书 □用户意见 □其他:技术成熟程度□已实现规模产业化 □已在工业领域或具体企业实际应用 □ √ 已实现小批量生产 □已通过中试验证 □处在中试阶段 □小试阶段 □处在实验室研发阶段 □其他:知识产权情况专利申请号 详见资料是否己经授权 □ √ 是 □ 否技术成果简介微波介质陶瓷是近30年来迅速发展起来的新型功能电子陶瓷, 它具有损耗低、 频率温度系数小、 介电常数高等特点。 用微波陶瓷材料可以制成介质谐振器 (Dielectric Resonator,简称DR)、 介质滤波器、 双工器、 微波介质天线、 介质稳频振荡器 (称DRO)、 介质波导传输线等。 微波介质陶瓷在现代通信、 军事技术领域等倍受世人瞩目。 目前微波器件向高集成化、 小型化、 高可靠性及低成本化方向发展, 作为微波介质材料, 它具有高介电常数、低介电子损耗、 低温度系数。大学,开发的微波介质陶瓷材料为与Cu电极共烧, 形成多层独石结构, 从而达到集成化、 高性能、低成本的要求。 先后获得过国家科技发明三等奖、 上海科技进步二、 三等奖等奖项。 先后承担了国家“863”、 国家自然科学基金项目, 并取得了一系列成果。 可用作多层微波介质滤波器, 谐振器等介质材料。 广泛应用于移动通信、 卫星电视广播通信、 雷达、 卫星定位导航系统等等众多领域。技术创新点或优势采用属先进的特种电子陶瓷材料制备工艺, 制备高 Q 值, 低谢振频率温度系数的微波介质陶瓷材料。技术经济指标开发的微波介质陶瓷材料为与 Cu 电极共烧, 形成多层独石结构, 从而达到集成化、 高性能、 低成本的要求。工业领域实际应用情况概述采用微波介质陶瓷材料器件广泛应用于移动通信、 卫星电视广播通信、 雷达、 卫星定位导航系统等等众多领域。 微波介质陶瓷在现代通信、 军事技术领域等倍受世人瞩目, 具有重大的经济和社会效益。 现与国内多家大型钢铁企业进行联合研发和产业化实施、 还有多项技术成果在国内外金属材料产业部门投入应用。服务方式□技术转让 □技术开发 □ 技术服务 □ 技术咨询 □ √ 可协商
一种高电阻温度系数氧化钒薄膜制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种高电阻温度系数的氧化钒薄膜制备方法,包括以下步骤:(1)将基片在富氧气氛下进行离子轰击活化处理;(2)氧化钒薄膜沉积在常温下分两步进行:在处理后的基片上沉积一层1-5nm的低价态超薄氧化钒种子层,然后以反应溅射沉积氧化钒那薄膜;(3)以反应溅射相同气氛,对薄膜进行高温快速退火。利用本发明所提供的制备方法可实现电阻温度系数-3~5%/K的氧化钒薄膜沉积。同时,本发明所提供的制备方法与MEMS工艺和集成电路制造工艺兼容性好,适于大批量基于氧化钒热敏薄膜的器件制造。
一种高电阻温度系数二氧化钒薄膜的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种高电阻温度系数二氧化钒薄膜的制备方法,可用于非致冷红外探测。该方法在沉积有Si 3 N 4 或者SiO 2 薄膜的硅衬底上,采用反应离子束溅射法沉积厚度为50-200nm的氧化钒薄膜;待自然冷却后,取出样片,再进行退火。本发明方法所制备薄膜具有平均晶粒5~20nm的纳米结构,在半导体区具有-5%/K~-7%/K电阻温度系数(TCR),合适的方块电阻,与常用微米结构二氧化钒相当的噪声电平的优点。是一种很有潜力的非致冷红外探测材料。
室温电阻温度系数高于10%/K的多晶二氧化钒薄膜制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及功能薄膜材料制备技术,其采用改进了的离子束增强沉积方法成膜,结合后续的结晶、退火,实现杂质的均匀掺入和对钒的有效替位,使薄膜的相变起始温度降低到12-16℃附近。调节氩/氢比等成膜工艺和结晶热处理条件,使多晶VO 2 薄膜从半导体相向金属相转变时,其电阻率的变化超过2个数量级。选择掺杂或引入应力等制备方法、掺杂剂量、杂质种类等制备条件,使薄膜相变向低温适当延展,相变滞豫足够小,实现室温附近的TCR大大提高,达10%/K以上,可满足红外探测和红外成像的使用要求。获得的沉积薄膜与衬底界面结合牢固,结构致密,与CMOS工艺兼容。本发明原料低廉,具有成本优势,且在成膜过程中没有废液、废气等危害环境的物质排放。
室温电阻温度系数高于10%K的多晶二氧化钒薄膜制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及功能薄膜材料制备技术,其采用改进了的离子束增强沉积方法成膜,结合后续的结晶、退火,实现杂质的均匀掺入和对钒的有效替位,使薄膜的相变起始温度降低到12-16℃附近。调节氩/氢比等成膜工艺和结晶热处理条件,使多晶VO 2 薄膜从半导体相向金属相转变时,其电阻率的变化超过2个数量级。选择掺杂或引入应力等制备方法、掺杂剂量、杂质种类等制备条件,使薄膜相变向低温适当延展,相变滞豫足够小,实现室温附近的TCR大大提高,达10%/K以上,可满足红外探测和红外成像的使用要求。获得的沉积薄膜与衬底界面结合牢固,结构致密,与CMOS工艺兼容。本发明原料低廉,具有成本优势,且在成膜过程中没有废液、废气等危害环境的物质排放。
一种无相变高电阻温度系数的掺钛氧化钒薄膜的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种无相变高电阻温度系数的掺钛氧化钒薄膜的制备方法,属于薄膜技术领域,具体包括以下步骤:首先清洗基片,吹干后备用;然后,将清洗后的基片放入真空腔室内,以V-Ti合金靶或镶嵌有钛的钒靶作为溅射靶材,在氧气和氩气混合气体气氛下、小于200℃温度下,在基片上溅射厚度为100~120nm的薄膜;最后,将上述带薄膜的基片置于真空环境中,在氧气和氩气的混合气体气氛下、300~450℃温度下退火处理,退火处理完后,自然冷却至室温,得到所述掺钛的氧化钒薄膜。本发明方法能制备出电阻温度系数高、室温附近无相变的掺钛氧化钒薄膜,且工艺简单,工艺可控性好,并与MEMS工艺和集成电路兼容性良好。
永磁材料温度系数和稳定性的测试研究
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
该技术成果系“六五”期间国家科技攻关项目。其主要内容是通过开发计算机软件,充分发挥计算机对磁性材料测试过程的控制及数据处理功能,在测量永磁材料温度系数过程中,通过自编程序,实现了对退磁场和自动修正,提高了测量结果的准确度,解决了测量永磁材料温度系数的关键技术问题。用振动样品磁强计测量永磁材料的温度系数,对永磁材料的稳定性进行测试研究,国内外均有报道,但是用计算机,采用自编程序,对退磁场进行自动修正,这一关键技术在国内处于领先水平。该成果对于在开磁路下测量磁性材料的其他参数,对研究统一我国永磁温度系数的测量方法,对合理应用及开发新材料等具有重要的社会、经济效益。
找到13项技术成果数据。
找技术 >N型高效电池PN结设计和制备技术研究
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
N型高效电池PN结设计和制备技术研究。 通过对N型硅片主要性能参数的模拟计算、对比不同的硅片主要性能电阻率和少子寿命测试方法,对比不同硅片样品表面处理及钝化方法,确定了合适N型硅片性能评估方法:建立了不同方法制备B掺杂PN结的技术储备,建立高质量B掺杂PN结制备的工艺参数方案;形成了高质量的硼发射极, Implied Voc可以达到691mV, Joe则处于43fA/cm2的较好水平,并在此基础上制备了平均效率20.88%、最高效率21.11%的N型双面电池;确定了N型电池的温度系数变化曲线,N型电池电流温度系数0.038%/℃,电压温度系数-0.311%/℃,不同样品之间测试值相同,非常稳定,功率温度系数在不同样品中在-0.393~-0.385%/℃之间波动,相对比较稳定,对应与常规P型单晶的功率温度系数参数-0.44~-0.43%/℃,制备出的N型双面电池温度系数更小。成果达到国内先进水平。
高性能微波介质陶瓷材料
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
技术投资分析:简介:微波介质陶瓷是近30年来迅速发展起来的新型功能电子陶瓷,它具有损耗低、频率温度系数小、介电常数高等特点。用微波陶瓷材料可以制成介质谐振器(Dielectric Resonator,简称DR)、介质滤波器、双工器、微波介质天线、介质稳频振荡器(称DRO)、介质波导传输线等。微波介质陶瓷在现代通信、军事技术领域等倍受世人瞩目。目前微波器件向高集成化,小型化,高可靠性及低成本化方向发展,作为微波介质材料,它具有高介电常数,低介电子损耗,低温度系数。目前微波陶瓷材料和器件的生产水平以日Murata公司、德EPCOS公司、美Trans-Tech公司、Narda MICROWAVE-WEST公司、英Morgan ElectroCeramics、Filtronic等公司为最高。其产品的应用范围已在300MHz~40GHz系列化,年产值均达十亿美元以上。国内微波介质陶瓷材料及器件的生产,在技术水平、产品品种和生产规模上与国外相比有较大差距。上海大学是国内最早开展微波介质材料研究的单位之一,先后获得过国家科技发明三等奖、上海科技进步二、三等奖等奖项。先后承担了国家“863” 、国家自然科学基金,并取得了一系列成果。主要特点技术性能:可与Cu电极共烧,形成多层独石结构,从而达到集成化,高性能,低成本的要求。上海大学研发的微波介质陶瓷性能列表:产品类别 烧结温度ST(oC) 介电常数er 品质因素Q?f (GHz) 温度系数tf(ppm/0C)D7 850-900 6-8 30000-40000 -20D10 1250-1300 10-11 60000 ~0D20 1550 20 85000 1.2D25 1600 25 100000 2D34 1450 34 60000 -1.2D36 1250 36 50000 adjustableD45 1450 45-47 40000 5000 1500 10技术的应用领域前景分析:用途:可用作多层微波介质滤波器,谐振器等介质材料。广泛应用于移动通信、卫星电视广播通信、雷达、卫星定位导航系统等等众多领域。效益分析:市场利润高,效益很好。厂房条件建议:无备注:无
一种高电阻温度系数二氧化钒薄膜及其低温沉积方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种高电阻温度系数二氧化钒薄膜及其低温沉积方法,所述薄膜由通过磁控溅射依次形成在衬底上的三氧化二钒籽晶层以及掺杂二氧化钒薄膜层构成,所述掺杂二氧化钒薄膜层的化学组成为WxTiyV1‑x‑yO2,其中0<x<0.1,0<y<0.2,x:y=(0.1~0.5):1。本发明制备的二氧化钒薄膜结晶质量高,完全无杂相,且具有较高的电阻温度系数。
高性能微波介质陶瓷材料
成熟度:可规模生产
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
是否验收 □ √ 是 □否 成果获奖情况 先后获得过国家科技发明、三等奖、 上海科技进步二、三等奖等奖项有否样品或样机□ √ 有 □无 科研项目资助情况 国家“863”、 国家自然科学基金项目资助相关评价和证明□项目可行性报告 □查新报告 □鉴定证书 □ √ 检测报告 □高新技术或新产品认定证书 □用户意见 □其他:技术成熟程度□已实现规模产业化 □已在工业领域或具体企业实际应用 □ √ 已实现小批量生产 □已通过中试验证 □处在中试阶段 □小试阶段 □处在实验室研发阶段 □其他:知识产权情况专利申请号 详见资料是否己经授权 □ √ 是 □ 否技术成果简介微波介质陶瓷是近30年来迅速发展起来的新型功能电子陶瓷, 它具有损耗低、 频率温度系数小、 介电常数高等特点。 用微波陶瓷材料可以制成介质谐振器 (Dielectric Resonator,简称DR)、 介质滤波器、 双工器、 微波介质天线、 介质稳频振荡器 (称DRO)、 介质波导传输线等。 微波介质陶瓷在现代通信、 军事技术领域等倍受世人瞩目。 目前微波器件向高集成化、 小型化、 高可靠性及低成本化方向发展, 作为微波介质材料, 它具有高介电常数、低介电子损耗、 低温度系数。大学,开发的微波介质陶瓷材料为与Cu电极共烧, 形成多层独石结构, 从而达到集成化、 高性能、低成本的要求。 先后获得过国家科技发明三等奖、 上海科技进步二、 三等奖等奖项。 先后承担了国家“863”、 国家自然科学基金项目, 并取得了一系列成果。 可用作多层微波介质滤波器, 谐振器等介质材料。 广泛应用于移动通信、 卫星电视广播通信、 雷达、 卫星定位导航系统等等众多领域。技术创新点或优势采用属先进的特种电子陶瓷材料制备工艺, 制备高 Q 值, 低谢振频率温度系数的微波介质陶瓷材料。技术经济指标开发的微波介质陶瓷材料为与 Cu 电极共烧, 形成多层独石结构, 从而达到集成化、 高性能、 低成本的要求。工业领域实际应用情况概述采用微波介质陶瓷材料器件广泛应用于移动通信、 卫星电视广播通信、 雷达、 卫星定位导航系统等等众多领域。 微波介质陶瓷在现代通信、 军事技术领域等倍受世人瞩目, 具有重大的经济和社会效益。 现与国内多家大型钢铁企业进行联合研发和产业化实施、 还有多项技术成果在国内外金属材料产业部门投入应用。服务方式□技术转让 □技术开发 □ 技术服务 □ 技术咨询 □ √ 可协商
一种高电阻温度系数氧化钒薄膜制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种高电阻温度系数的氧化钒薄膜制备方法,包括以下步骤:(1)将基片在富氧气氛下进行离子轰击活化处理;(2)氧化钒薄膜沉积在常温下分两步进行:在处理后的基片上沉积一层1-5nm的低价态超薄氧化钒种子层,然后以反应溅射沉积氧化钒那薄膜;(3)以反应溅射相同气氛,对薄膜进行高温快速退火。利用本发明所提供的制备方法可实现电阻温度系数-3~5%/K的氧化钒薄膜沉积。同时,本发明所提供的制备方法与MEMS工艺和集成电路制造工艺兼容性好,适于大批量基于氧化钒热敏薄膜的器件制造。
一种高电阻温度系数二氧化钒薄膜的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种高电阻温度系数二氧化钒薄膜的制备方法,可用于非致冷红外探测。该方法在沉积有Si 3 N 4 或者SiO 2 薄膜的硅衬底上,采用反应离子束溅射法沉积厚度为50-200nm的氧化钒薄膜;待自然冷却后,取出样片,再进行退火。本发明方法所制备薄膜具有平均晶粒5~20nm的纳米结构,在半导体区具有-5%/K~-7%/K电阻温度系数(TCR),合适的方块电阻,与常用微米结构二氧化钒相当的噪声电平的优点。是一种很有潜力的非致冷红外探测材料。
室温电阻温度系数高于10%/K的多晶二氧化钒薄膜制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及功能薄膜材料制备技术,其采用改进了的离子束增强沉积方法成膜,结合后续的结晶、退火,实现杂质的均匀掺入和对钒的有效替位,使薄膜的相变起始温度降低到12-16℃附近。调节氩/氢比等成膜工艺和结晶热处理条件,使多晶VO 2 薄膜从半导体相向金属相转变时,其电阻率的变化超过2个数量级。选择掺杂或引入应力等制备方法、掺杂剂量、杂质种类等制备条件,使薄膜相变向低温适当延展,相变滞豫足够小,实现室温附近的TCR大大提高,达10%/K以上,可满足红外探测和红外成像的使用要求。获得的沉积薄膜与衬底界面结合牢固,结构致密,与CMOS工艺兼容。本发明原料低廉,具有成本优势,且在成膜过程中没有废液、废气等危害环境的物质排放。
室温电阻温度系数高于10%K的多晶二氧化钒薄膜制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及功能薄膜材料制备技术,其采用改进了的离子束增强沉积方法成膜,结合后续的结晶、退火,实现杂质的均匀掺入和对钒的有效替位,使薄膜的相变起始温度降低到12-16℃附近。调节氩/氢比等成膜工艺和结晶热处理条件,使多晶VO 2 薄膜从半导体相向金属相转变时,其电阻率的变化超过2个数量级。选择掺杂或引入应力等制备方法、掺杂剂量、杂质种类等制备条件,使薄膜相变向低温适当延展,相变滞豫足够小,实现室温附近的TCR大大提高,达10%/K以上,可满足红外探测和红外成像的使用要求。获得的沉积薄膜与衬底界面结合牢固,结构致密,与CMOS工艺兼容。本发明原料低廉,具有成本优势,且在成膜过程中没有废液、废气等危害环境的物质排放。
一种无相变高电阻温度系数的掺钛氧化钒薄膜的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种无相变高电阻温度系数的掺钛氧化钒薄膜的制备方法,属于薄膜技术领域,具体包括以下步骤:首先清洗基片,吹干后备用;然后,将清洗后的基片放入真空腔室内,以V-Ti合金靶或镶嵌有钛的钒靶作为溅射靶材,在氧气和氩气混合气体气氛下、小于200℃温度下,在基片上溅射厚度为100~120nm的薄膜;最后,将上述带薄膜的基片置于真空环境中,在氧气和氩气的混合气体气氛下、300~450℃温度下退火处理,退火处理完后,自然冷却至室温,得到所述掺钛的氧化钒薄膜。本发明方法能制备出电阻温度系数高、室温附近无相变的掺钛氧化钒薄膜,且工艺简单,工艺可控性好,并与MEMS工艺和集成电路兼容性良好。
永磁材料温度系数和稳定性的测试研究
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
该技术成果系“六五”期间国家科技攻关项目。其主要内容是通过开发计算机软件,充分发挥计算机对磁性材料测试过程的控制及数据处理功能,在测量永磁材料温度系数过程中,通过自编程序,实现了对退磁场和自动修正,提高了测量结果的准确度,解决了测量永磁材料温度系数的关键技术问题。用振动样品磁强计测量永磁材料的温度系数,对永磁材料的稳定性进行测试研究,国内外均有报道,但是用计算机,采用自编程序,对退磁场进行自动修正,这一关键技术在国内处于领先水平。该成果对于在开磁路下测量磁性材料的其他参数,对研究统一我国永磁温度系数的测量方法,对合理应用及开发新材料等具有重要的社会、经济效益。
找到13项技术成果数据。
找技术 >N型高效电池PN结设计和制备技术研究
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
N型高效电池PN结设计和制备技术研究。 通过对N型硅片主要性能参数的模拟计算、对比不同的硅片主要性能电阻率和少子寿命测试方法,对比不同硅片样品表面处理及钝化方法,确定了合适N型硅片性能评估方法:建立了不同方法制备B掺杂PN结的技术储备,建立高质量B掺杂PN结制备的工艺参数方案;形成了高质量的硼发射极, Implied Voc可以达到691mV, Joe则处于43fA/cm2的较好水平,并在此基础上制备了平均效率20.88%、最高效率21.11%的N型双面电池;确定了N型电池的温度系数变化曲线,N型电池电流温度系数0.038%/℃,电压温度系数-0.311%/℃,不同样品之间测试值相同,非常稳定,功率温度系数在不同样品中在-0.393~-0.385%/℃之间波动,相对比较稳定,对应与常规P型单晶的功率温度系数参数-0.44~-0.43%/℃,制备出的N型双面电池温度系数更小。成果达到国内先进水平。
高性能微波介质陶瓷材料
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
技术投资分析:简介:微波介质陶瓷是近30年来迅速发展起来的新型功能电子陶瓷,它具有损耗低、频率温度系数小、介电常数高等特点。用微波陶瓷材料可以制成介质谐振器(Dielectric Resonator,简称DR)、介质滤波器、双工器、微波介质天线、介质稳频振荡器(称DRO)、介质波导传输线等。微波介质陶瓷在现代通信、军事技术领域等倍受世人瞩目。目前微波器件向高集成化,小型化,高可靠性及低成本化方向发展,作为微波介质材料,它具有高介电常数,低介电子损耗,低温度系数。目前微波陶瓷材料和器件的生产水平以日Murata公司、德EPCOS公司、美Trans-Tech公司、Narda MICROWAVE-WEST公司、英Morgan ElectroCeramics、Filtronic等公司为最高。其产品的应用范围已在300MHz~40GHz系列化,年产值均达十亿美元以上。国内微波介质陶瓷材料及器件的生产,在技术水平、产品品种和生产规模上与国外相比有较大差距。上海大学是国内最早开展微波介质材料研究的单位之一,先后获得过国家科技发明三等奖、上海科技进步二、三等奖等奖项。先后承担了国家“863” 、国家自然科学基金,并取得了一系列成果。主要特点技术性能:可与Cu电极共烧,形成多层独石结构,从而达到集成化,高性能,低成本的要求。上海大学研发的微波介质陶瓷性能列表:产品类别 烧结温度ST(oC) 介电常数er 品质因素Q?f (GHz) 温度系数tf(ppm/0C)D7 850-900 6-8 30000-40000 -20D10 1250-1300 10-11 60000 ~0D20 1550 20 85000 1.2D25 1600 25 100000 2D34 1450 34 60000 -1.2D36 1250 36 50000 adjustableD45 1450 45-47 40000 5000 1500 10技术的应用领域前景分析:用途:可用作多层微波介质滤波器,谐振器等介质材料。广泛应用于移动通信、卫星电视广播通信、雷达、卫星定位导航系统等等众多领域。效益分析:市场利润高,效益很好。厂房条件建议:无备注:无
一种高电阻温度系数二氧化钒薄膜及其低温沉积方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种高电阻温度系数二氧化钒薄膜及其低温沉积方法,所述薄膜由通过磁控溅射依次形成在衬底上的三氧化二钒籽晶层以及掺杂二氧化钒薄膜层构成,所述掺杂二氧化钒薄膜层的化学组成为WxTiyV1‑x‑yO2,其中0<x<0.1,0<y<0.2,x:y=(0.1~0.5):1。本发明制备的二氧化钒薄膜结晶质量高,完全无杂相,且具有较高的电阻温度系数。
高性能微波介质陶瓷材料
成熟度:可规模生产
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
是否验收 □ √ 是 □否 成果获奖情况 先后获得过国家科技发明、三等奖、 上海科技进步二、三等奖等奖项有否样品或样机□ √ 有 □无 科研项目资助情况 国家“863”、 国家自然科学基金项目资助相关评价和证明□项目可行性报告 □查新报告 □鉴定证书 □ √ 检测报告 □高新技术或新产品认定证书 □用户意见 □其他:技术成熟程度□已实现规模产业化 □已在工业领域或具体企业实际应用 □ √ 已实现小批量生产 □已通过中试验证 □处在中试阶段 □小试阶段 □处在实验室研发阶段 □其他:知识产权情况专利申请号 详见资料是否己经授权 □ √ 是 □ 否技术成果简介微波介质陶瓷是近30年来迅速发展起来的新型功能电子陶瓷, 它具有损耗低、 频率温度系数小、 介电常数高等特点。 用微波陶瓷材料可以制成介质谐振器 (Dielectric Resonator,简称DR)、 介质滤波器、 双工器、 微波介质天线、 介质稳频振荡器 (称DRO)、 介质波导传输线等。 微波介质陶瓷在现代通信、 军事技术领域等倍受世人瞩目。 目前微波器件向高集成化、 小型化、 高可靠性及低成本化方向发展, 作为微波介质材料, 它具有高介电常数、低介电子损耗、 低温度系数。大学,开发的微波介质陶瓷材料为与Cu电极共烧, 形成多层独石结构, 从而达到集成化、 高性能、低成本的要求。 先后获得过国家科技发明三等奖、 上海科技进步二、 三等奖等奖项。 先后承担了国家“863”、 国家自然科学基金项目, 并取得了一系列成果。 可用作多层微波介质滤波器, 谐振器等介质材料。 广泛应用于移动通信、 卫星电视广播通信、 雷达、 卫星定位导航系统等等众多领域。技术创新点或优势采用属先进的特种电子陶瓷材料制备工艺, 制备高 Q 值, 低谢振频率温度系数的微波介质陶瓷材料。技术经济指标开发的微波介质陶瓷材料为与 Cu 电极共烧, 形成多层独石结构, 从而达到集成化、 高性能、 低成本的要求。工业领域实际应用情况概述采用微波介质陶瓷材料器件广泛应用于移动通信、 卫星电视广播通信、 雷达、 卫星定位导航系统等等众多领域。 微波介质陶瓷在现代通信、 军事技术领域等倍受世人瞩目, 具有重大的经济和社会效益。 现与国内多家大型钢铁企业进行联合研发和产业化实施、 还有多项技术成果在国内外金属材料产业部门投入应用。服务方式□技术转让 □技术开发 □ 技术服务 □ 技术咨询 □ √ 可协商
一种高电阻温度系数氧化钒薄膜制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种高电阻温度系数的氧化钒薄膜制备方法,包括以下步骤:(1)将基片在富氧气氛下进行离子轰击活化处理;(2)氧化钒薄膜沉积在常温下分两步进行:在处理后的基片上沉积一层1-5nm的低价态超薄氧化钒种子层,然后以反应溅射沉积氧化钒那薄膜;(3)以反应溅射相同气氛,对薄膜进行高温快速退火。利用本发明所提供的制备方法可实现电阻温度系数-3~5%/K的氧化钒薄膜沉积。同时,本发明所提供的制备方法与MEMS工艺和集成电路制造工艺兼容性好,适于大批量基于氧化钒热敏薄膜的器件制造。
一种高电阻温度系数二氧化钒薄膜的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种高电阻温度系数二氧化钒薄膜的制备方法,可用于非致冷红外探测。该方法在沉积有Si 3 N 4 或者SiO 2 薄膜的硅衬底上,采用反应离子束溅射法沉积厚度为50-200nm的氧化钒薄膜;待自然冷却后,取出样片,再进行退火。本发明方法所制备薄膜具有平均晶粒5~20nm的纳米结构,在半导体区具有-5%/K~-7%/K电阻温度系数(TCR),合适的方块电阻,与常用微米结构二氧化钒相当的噪声电平的优点。是一种很有潜力的非致冷红外探测材料。
室温电阻温度系数高于10%/K的多晶二氧化钒薄膜制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及功能薄膜材料制备技术,其采用改进了的离子束增强沉积方法成膜,结合后续的结晶、退火,实现杂质的均匀掺入和对钒的有效替位,使薄膜的相变起始温度降低到12-16℃附近。调节氩/氢比等成膜工艺和结晶热处理条件,使多晶VO 2 薄膜从半导体相向金属相转变时,其电阻率的变化超过2个数量级。选择掺杂或引入应力等制备方法、掺杂剂量、杂质种类等制备条件,使薄膜相变向低温适当延展,相变滞豫足够小,实现室温附近的TCR大大提高,达10%/K以上,可满足红外探测和红外成像的使用要求。获得的沉积薄膜与衬底界面结合牢固,结构致密,与CMOS工艺兼容。本发明原料低廉,具有成本优势,且在成膜过程中没有废液、废气等危害环境的物质排放。
室温电阻温度系数高于10%K的多晶二氧化钒薄膜制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及功能薄膜材料制备技术,其采用改进了的离子束增强沉积方法成膜,结合后续的结晶、退火,实现杂质的均匀掺入和对钒的有效替位,使薄膜的相变起始温度降低到12-16℃附近。调节氩/氢比等成膜工艺和结晶热处理条件,使多晶VO 2 薄膜从半导体相向金属相转变时,其电阻率的变化超过2个数量级。选择掺杂或引入应力等制备方法、掺杂剂量、杂质种类等制备条件,使薄膜相变向低温适当延展,相变滞豫足够小,实现室温附近的TCR大大提高,达10%/K以上,可满足红外探测和红外成像的使用要求。获得的沉积薄膜与衬底界面结合牢固,结构致密,与CMOS工艺兼容。本发明原料低廉,具有成本优势,且在成膜过程中没有废液、废气等危害环境的物质排放。
一种无相变高电阻温度系数的掺钛氧化钒薄膜的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种无相变高电阻温度系数的掺钛氧化钒薄膜的制备方法,属于薄膜技术领域,具体包括以下步骤:首先清洗基片,吹干后备用;然后,将清洗后的基片放入真空腔室内,以V-Ti合金靶或镶嵌有钛的钒靶作为溅射靶材,在氧气和氩气混合气体气氛下、小于200℃温度下,在基片上溅射厚度为100~120nm的薄膜;最后,将上述带薄膜的基片置于真空环境中,在氧气和氩气的混合气体气氛下、300~450℃温度下退火处理,退火处理完后,自然冷却至室温,得到所述掺钛的氧化钒薄膜。本发明方法能制备出电阻温度系数高、室温附近无相变的掺钛氧化钒薄膜,且工艺简单,工艺可控性好,并与MEMS工艺和集成电路兼容性良好。
永磁材料温度系数和稳定性的测试研究
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
该技术成果系“六五”期间国家科技攻关项目。其主要内容是通过开发计算机软件,充分发挥计算机对磁性材料测试过程的控制及数据处理功能,在测量永磁材料温度系数过程中,通过自编程序,实现了对退磁场和自动修正,提高了测量结果的准确度,解决了测量永磁材料温度系数的关键技术问题。用振动样品磁强计测量永磁材料的温度系数,对永磁材料的稳定性进行测试研究,国内外均有报道,但是用计算机,采用自编程序,对退磁场进行自动修正,这一关键技术在国内处于领先水平。该成果对于在开磁路下测量磁性材料的其他参数,对研究统一我国永磁温度系数的测量方法,对合理应用及开发新材料等具有重要的社会、经济效益。
找到13项技术成果数据。
找技术 >N型高效电池PN结设计和制备技术研究
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
N型高效电池PN结设计和制备技术研究。 通过对N型硅片主要性能参数的模拟计算、对比不同的硅片主要性能电阻率和少子寿命测试方法,对比不同硅片样品表面处理及钝化方法,确定了合适N型硅片性能评估方法:建立了不同方法制备B掺杂PN结的技术储备,建立高质量B掺杂PN结制备的工艺参数方案;形成了高质量的硼发射极, Implied Voc可以达到691mV, Joe则处于43fA/cm2的较好水平,并在此基础上制备了平均效率20.88%、最高效率21.11%的N型双面电池;确定了N型电池的温度系数变化曲线,N型电池电流温度系数0.038%/℃,电压温度系数-0.311%/℃,不同样品之间测试值相同,非常稳定,功率温度系数在不同样品中在-0.393~-0.385%/℃之间波动,相对比较稳定,对应与常规P型单晶的功率温度系数参数-0.44~-0.43%/℃,制备出的N型双面电池温度系数更小。成果达到国内先进水平。
高性能微波介质陶瓷材料
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
技术投资分析:简介:微波介质陶瓷是近30年来迅速发展起来的新型功能电子陶瓷,它具有损耗低、频率温度系数小、介电常数高等特点。用微波陶瓷材料可以制成介质谐振器(Dielectric Resonator,简称DR)、介质滤波器、双工器、微波介质天线、介质稳频振荡器(称DRO)、介质波导传输线等。微波介质陶瓷在现代通信、军事技术领域等倍受世人瞩目。目前微波器件向高集成化,小型化,高可靠性及低成本化方向发展,作为微波介质材料,它具有高介电常数,低介电子损耗,低温度系数。目前微波陶瓷材料和器件的生产水平以日Murata公司、德EPCOS公司、美Trans-Tech公司、Narda MICROWAVE-WEST公司、英Morgan ElectroCeramics、Filtronic等公司为最高。其产品的应用范围已在300MHz~40GHz系列化,年产值均达十亿美元以上。国内微波介质陶瓷材料及器件的生产,在技术水平、产品品种和生产规模上与国外相比有较大差距。上海大学是国内最早开展微波介质材料研究的单位之一,先后获得过国家科技发明三等奖、上海科技进步二、三等奖等奖项。先后承担了国家“863” 、国家自然科学基金,并取得了一系列成果。主要特点技术性能:可与Cu电极共烧,形成多层独石结构,从而达到集成化,高性能,低成本的要求。上海大学研发的微波介质陶瓷性能列表:产品类别 烧结温度ST(oC) 介电常数er 品质因素Q?f (GHz) 温度系数tf(ppm/0C)D7 850-900 6-8 30000-40000 -20D10 1250-1300 10-11 60000 ~0D20 1550 20 85000 1.2D25 1600 25 100000 2D34 1450 34 60000 -1.2D36 1250 36 50000 adjustableD45 1450 45-47 40000 5000 1500 10技术的应用领域前景分析:用途:可用作多层微波介质滤波器,谐振器等介质材料。广泛应用于移动通信、卫星电视广播通信、雷达、卫星定位导航系统等等众多领域。效益分析:市场利润高,效益很好。厂房条件建议:无备注:无
一种高电阻温度系数二氧化钒薄膜及其低温沉积方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种高电阻温度系数二氧化钒薄膜及其低温沉积方法,所述薄膜由通过磁控溅射依次形成在衬底上的三氧化二钒籽晶层以及掺杂二氧化钒薄膜层构成,所述掺杂二氧化钒薄膜层的化学组成为WxTiyV1‑x‑yO2,其中0<x<0.1,0<y<0.2,x:y=(0.1~0.5):1。本发明制备的二氧化钒薄膜结晶质量高,完全无杂相,且具有较高的电阻温度系数。
高性能微波介质陶瓷材料
成熟度:可规模生产
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
是否验收 □ √ 是 □否 成果获奖情况 先后获得过国家科技发明、三等奖、 上海科技进步二、三等奖等奖项有否样品或样机□ √ 有 □无 科研项目资助情况 国家“863”、 国家自然科学基金项目资助相关评价和证明□项目可行性报告 □查新报告 □鉴定证书 □ √ 检测报告 □高新技术或新产品认定证书 □用户意见 □其他:技术成熟程度□已实现规模产业化 □已在工业领域或具体企业实际应用 □ √ 已实现小批量生产 □已通过中试验证 □处在中试阶段 □小试阶段 □处在实验室研发阶段 □其他:知识产权情况专利申请号 详见资料是否己经授权 □ √ 是 □ 否技术成果简介微波介质陶瓷是近30年来迅速发展起来的新型功能电子陶瓷, 它具有损耗低、 频率温度系数小、 介电常数高等特点。 用微波陶瓷材料可以制成介质谐振器 (Dielectric Resonator,简称DR)、 介质滤波器、 双工器、 微波介质天线、 介质稳频振荡器 (称DRO)、 介质波导传输线等。 微波介质陶瓷在现代通信、 军事技术领域等倍受世人瞩目。 目前微波器件向高集成化、 小型化、 高可靠性及低成本化方向发展, 作为微波介质材料, 它具有高介电常数、低介电子损耗、 低温度系数。大学,开发的微波介质陶瓷材料为与Cu电极共烧, 形成多层独石结构, 从而达到集成化、 高性能、低成本的要求。 先后获得过国家科技发明三等奖、 上海科技进步二、 三等奖等奖项。 先后承担了国家“863”、 国家自然科学基金项目, 并取得了一系列成果。 可用作多层微波介质滤波器, 谐振器等介质材料。 广泛应用于移动通信、 卫星电视广播通信、 雷达、 卫星定位导航系统等等众多领域。技术创新点或优势采用属先进的特种电子陶瓷材料制备工艺, 制备高 Q 值, 低谢振频率温度系数的微波介质陶瓷材料。技术经济指标开发的微波介质陶瓷材料为与 Cu 电极共烧, 形成多层独石结构, 从而达到集成化、 高性能、 低成本的要求。工业领域实际应用情况概述采用微波介质陶瓷材料器件广泛应用于移动通信、 卫星电视广播通信、 雷达、 卫星定位导航系统等等众多领域。 微波介质陶瓷在现代通信、 军事技术领域等倍受世人瞩目, 具有重大的经济和社会效益。 现与国内多家大型钢铁企业进行联合研发和产业化实施、 还有多项技术成果在国内外金属材料产业部门投入应用。服务方式□技术转让 □技术开发 □ 技术服务 □ 技术咨询 □ √ 可协商
一种高电阻温度系数氧化钒薄膜制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种高电阻温度系数的氧化钒薄膜制备方法,包括以下步骤:(1)将基片在富氧气氛下进行离子轰击活化处理;(2)氧化钒薄膜沉积在常温下分两步进行:在处理后的基片上沉积一层1-5nm的低价态超薄氧化钒种子层,然后以反应溅射沉积氧化钒那薄膜;(3)以反应溅射相同气氛,对薄膜进行高温快速退火。利用本发明所提供的制备方法可实现电阻温度系数-3~5%/K的氧化钒薄膜沉积。同时,本发明所提供的制备方法与MEMS工艺和集成电路制造工艺兼容性好,适于大批量基于氧化钒热敏薄膜的器件制造。
一种高电阻温度系数二氧化钒薄膜的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种高电阻温度系数二氧化钒薄膜的制备方法,可用于非致冷红外探测。该方法在沉积有Si 3 N 4 或者SiO 2 薄膜的硅衬底上,采用反应离子束溅射法沉积厚度为50-200nm的氧化钒薄膜;待自然冷却后,取出样片,再进行退火。本发明方法所制备薄膜具有平均晶粒5~20nm的纳米结构,在半导体区具有-5%/K~-7%/K电阻温度系数(TCR),合适的方块电阻,与常用微米结构二氧化钒相当的噪声电平的优点。是一种很有潜力的非致冷红外探测材料。
室温电阻温度系数高于10%/K的多晶二氧化钒薄膜制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及功能薄膜材料制备技术,其采用改进了的离子束增强沉积方法成膜,结合后续的结晶、退火,实现杂质的均匀掺入和对钒的有效替位,使薄膜的相变起始温度降低到12-16℃附近。调节氩/氢比等成膜工艺和结晶热处理条件,使多晶VO 2 薄膜从半导体相向金属相转变时,其电阻率的变化超过2个数量级。选择掺杂或引入应力等制备方法、掺杂剂量、杂质种类等制备条件,使薄膜相变向低温适当延展,相变滞豫足够小,实现室温附近的TCR大大提高,达10%/K以上,可满足红外探测和红外成像的使用要求。获得的沉积薄膜与衬底界面结合牢固,结构致密,与CMOS工艺兼容。本发明原料低廉,具有成本优势,且在成膜过程中没有废液、废气等危害环境的物质排放。
室温电阻温度系数高于10%K的多晶二氧化钒薄膜制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及功能薄膜材料制备技术,其采用改进了的离子束增强沉积方法成膜,结合后续的结晶、退火,实现杂质的均匀掺入和对钒的有效替位,使薄膜的相变起始温度降低到12-16℃附近。调节氩/氢比等成膜工艺和结晶热处理条件,使多晶VO 2 薄膜从半导体相向金属相转变时,其电阻率的变化超过2个数量级。选择掺杂或引入应力等制备方法、掺杂剂量、杂质种类等制备条件,使薄膜相变向低温适当延展,相变滞豫足够小,实现室温附近的TCR大大提高,达10%/K以上,可满足红外探测和红外成像的使用要求。获得的沉积薄膜与衬底界面结合牢固,结构致密,与CMOS工艺兼容。本发明原料低廉,具有成本优势,且在成膜过程中没有废液、废气等危害环境的物质排放。
一种无相变高电阻温度系数的掺钛氧化钒薄膜的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种无相变高电阻温度系数的掺钛氧化钒薄膜的制备方法,属于薄膜技术领域,具体包括以下步骤:首先清洗基片,吹干后备用;然后,将清洗后的基片放入真空腔室内,以V-Ti合金靶或镶嵌有钛的钒靶作为溅射靶材,在氧气和氩气混合气体气氛下、小于200℃温度下,在基片上溅射厚度为100~120nm的薄膜;最后,将上述带薄膜的基片置于真空环境中,在氧气和氩气的混合气体气氛下、300~450℃温度下退火处理,退火处理完后,自然冷却至室温,得到所述掺钛的氧化钒薄膜。本发明方法能制备出电阻温度系数高、室温附近无相变的掺钛氧化钒薄膜,且工艺简单,工艺可控性好,并与MEMS工艺和集成电路兼容性良好。
永磁材料温度系数和稳定性的测试研究
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
该技术成果系“六五”期间国家科技攻关项目。其主要内容是通过开发计算机软件,充分发挥计算机对磁性材料测试过程的控制及数据处理功能,在测量永磁材料温度系数过程中,通过自编程序,实现了对退磁场和自动修正,提高了测量结果的准确度,解决了测量永磁材料温度系数的关键技术问题。用振动样品磁强计测量永磁材料的温度系数,对永磁材料的稳定性进行测试研究,国内外均有报道,但是用计算机,采用自编程序,对退磁场进行自动修正,这一关键技术在国内处于领先水平。该成果对于在开磁路下测量磁性材料的其他参数,对研究统一我国永磁温度系数的测量方法,对合理应用及开发新材料等具有重要的社会、经济效益。
找到13项技术成果数据。
找技术 >N型高效电池PN结设计和制备技术研究
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
N型高效电池PN结设计和制备技术研究。 通过对N型硅片主要性能参数的模拟计算、对比不同的硅片主要性能电阻率和少子寿命测试方法,对比不同硅片样品表面处理及钝化方法,确定了合适N型硅片性能评估方法:建立了不同方法制备B掺杂PN结的技术储备,建立高质量B掺杂PN结制备的工艺参数方案;形成了高质量的硼发射极, Implied Voc可以达到691mV, Joe则处于43fA/cm2的较好水平,并在此基础上制备了平均效率20.88%、最高效率21.11%的N型双面电池;确定了N型电池的温度系数变化曲线,N型电池电流温度系数0.038%/℃,电压温度系数-0.311%/℃,不同样品之间测试值相同,非常稳定,功率温度系数在不同样品中在-0.393~-0.385%/℃之间波动,相对比较稳定,对应与常规P型单晶的功率温度系数参数-0.44~-0.43%/℃,制备出的N型双面电池温度系数更小。成果达到国内先进水平。
高性能微波介质陶瓷材料
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
技术投资分析:简介:微波介质陶瓷是近30年来迅速发展起来的新型功能电子陶瓷,它具有损耗低、频率温度系数小、介电常数高等特点。用微波陶瓷材料可以制成介质谐振器(Dielectric Resonator,简称DR)、介质滤波器、双工器、微波介质天线、介质稳频振荡器(称DRO)、介质波导传输线等。微波介质陶瓷在现代通信、军事技术领域等倍受世人瞩目。目前微波器件向高集成化,小型化,高可靠性及低成本化方向发展,作为微波介质材料,它具有高介电常数,低介电子损耗,低温度系数。目前微波陶瓷材料和器件的生产水平以日Murata公司、德EPCOS公司、美Trans-Tech公司、Narda MICROWAVE-WEST公司、英Morgan ElectroCeramics、Filtronic等公司为最高。其产品的应用范围已在300MHz~40GHz系列化,年产值均达十亿美元以上。国内微波介质陶瓷材料及器件的生产,在技术水平、产品品种和生产规模上与国外相比有较大差距。上海大学是国内最早开展微波介质材料研究的单位之一,先后获得过国家科技发明三等奖、上海科技进步二、三等奖等奖项。先后承担了国家“863” 、国家自然科学基金,并取得了一系列成果。主要特点技术性能:可与Cu电极共烧,形成多层独石结构,从而达到集成化,高性能,低成本的要求。上海大学研发的微波介质陶瓷性能列表:产品类别 烧结温度ST(oC) 介电常数er 品质因素Q?f (GHz) 温度系数tf(ppm/0C)D7 850-900 6-8 30000-40000 -20D10 1250-1300 10-11 60000 ~0D20 1550 20 85000 1.2D25 1600 25 100000 2D34 1450 34 60000 -1.2D36 1250 36 50000 adjustableD45 1450 45-47 40000 5000 1500 10技术的应用领域前景分析:用途:可用作多层微波介质滤波器,谐振器等介质材料。广泛应用于移动通信、卫星电视广播通信、雷达、卫星定位导航系统等等众多领域。效益分析:市场利润高,效益很好。厂房条件建议:无备注:无
一种高电阻温度系数二氧化钒薄膜及其低温沉积方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种高电阻温度系数二氧化钒薄膜及其低温沉积方法,所述薄膜由通过磁控溅射依次形成在衬底上的三氧化二钒籽晶层以及掺杂二氧化钒薄膜层构成,所述掺杂二氧化钒薄膜层的化学组成为WxTiyV1‑x‑yO2,其中0<x<0.1,0<y<0.2,x:y=(0.1~0.5):1。本发明制备的二氧化钒薄膜结晶质量高,完全无杂相,且具有较高的电阻温度系数。
高性能微波介质陶瓷材料
成熟度:可规模生产
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
是否验收 □ √ 是 □否 成果获奖情况 先后获得过国家科技发明、三等奖、 上海科技进步二、三等奖等奖项有否样品或样机□ √ 有 □无 科研项目资助情况 国家“863”、 国家自然科学基金项目资助相关评价和证明□项目可行性报告 □查新报告 □鉴定证书 □ √ 检测报告 □高新技术或新产品认定证书 □用户意见 □其他:技术成熟程度□已实现规模产业化 □已在工业领域或具体企业实际应用 □ √ 已实现小批量生产 □已通过中试验证 □处在中试阶段 □小试阶段 □处在实验室研发阶段 □其他:知识产权情况专利申请号 详见资料是否己经授权 □ √ 是 □ 否技术成果简介微波介质陶瓷是近30年来迅速发展起来的新型功能电子陶瓷, 它具有损耗低、 频率温度系数小、 介电常数高等特点。 用微波陶瓷材料可以制成介质谐振器 (Dielectric Resonator,简称DR)、 介质滤波器、 双工器、 微波介质天线、 介质稳频振荡器 (称DRO)、 介质波导传输线等。 微波介质陶瓷在现代通信、 军事技术领域等倍受世人瞩目。 目前微波器件向高集成化、 小型化、 高可靠性及低成本化方向发展, 作为微波介质材料, 它具有高介电常数、低介电子损耗、 低温度系数。大学,开发的微波介质陶瓷材料为与Cu电极共烧, 形成多层独石结构, 从而达到集成化、 高性能、低成本的要求。 先后获得过国家科技发明三等奖、 上海科技进步二、 三等奖等奖项。 先后承担了国家“863”、 国家自然科学基金项目, 并取得了一系列成果。 可用作多层微波介质滤波器, 谐振器等介质材料。 广泛应用于移动通信、 卫星电视广播通信、 雷达、 卫星定位导航系统等等众多领域。技术创新点或优势采用属先进的特种电子陶瓷材料制备工艺, 制备高 Q 值, 低谢振频率温度系数的微波介质陶瓷材料。技术经济指标开发的微波介质陶瓷材料为与 Cu 电极共烧, 形成多层独石结构, 从而达到集成化、 高性能、 低成本的要求。工业领域实际应用情况概述采用微波介质陶瓷材料器件广泛应用于移动通信、 卫星电视广播通信、 雷达、 卫星定位导航系统等等众多领域。 微波介质陶瓷在现代通信、 军事技术领域等倍受世人瞩目, 具有重大的经济和社会效益。 现与国内多家大型钢铁企业进行联合研发和产业化实施、 还有多项技术成果在国内外金属材料产业部门投入应用。服务方式□技术转让 □技术开发 □ 技术服务 □ 技术咨询 □ √ 可协商
一种高电阻温度系数氧化钒薄膜制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种高电阻温度系数的氧化钒薄膜制备方法,包括以下步骤:(1)将基片在富氧气氛下进行离子轰击活化处理;(2)氧化钒薄膜沉积在常温下分两步进行:在处理后的基片上沉积一层1-5nm的低价态超薄氧化钒种子层,然后以反应溅射沉积氧化钒那薄膜;(3)以反应溅射相同气氛,对薄膜进行高温快速退火。利用本发明所提供的制备方法可实现电阻温度系数-3~5%/K的氧化钒薄膜沉积。同时,本发明所提供的制备方法与MEMS工艺和集成电路制造工艺兼容性好,适于大批量基于氧化钒热敏薄膜的器件制造。
一种高电阻温度系数二氧化钒薄膜的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种高电阻温度系数二氧化钒薄膜的制备方法,可用于非致冷红外探测。该方法在沉积有Si 3 N 4 或者SiO 2 薄膜的硅衬底上,采用反应离子束溅射法沉积厚度为50-200nm的氧化钒薄膜;待自然冷却后,取出样片,再进行退火。本发明方法所制备薄膜具有平均晶粒5~20nm的纳米结构,在半导体区具有-5%/K~-7%/K电阻温度系数(TCR),合适的方块电阻,与常用微米结构二氧化钒相当的噪声电平的优点。是一种很有潜力的非致冷红外探测材料。
室温电阻温度系数高于10%/K的多晶二氧化钒薄膜制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及功能薄膜材料制备技术,其采用改进了的离子束增强沉积方法成膜,结合后续的结晶、退火,实现杂质的均匀掺入和对钒的有效替位,使薄膜的相变起始温度降低到12-16℃附近。调节氩/氢比等成膜工艺和结晶热处理条件,使多晶VO 2 薄膜从半导体相向金属相转变时,其电阻率的变化超过2个数量级。选择掺杂或引入应力等制备方法、掺杂剂量、杂质种类等制备条件,使薄膜相变向低温适当延展,相变滞豫足够小,实现室温附近的TCR大大提高,达10%/K以上,可满足红外探测和红外成像的使用要求。获得的沉积薄膜与衬底界面结合牢固,结构致密,与CMOS工艺兼容。本发明原料低廉,具有成本优势,且在成膜过程中没有废液、废气等危害环境的物质排放。
室温电阻温度系数高于10%K的多晶二氧化钒薄膜制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及功能薄膜材料制备技术,其采用改进了的离子束增强沉积方法成膜,结合后续的结晶、退火,实现杂质的均匀掺入和对钒的有效替位,使薄膜的相变起始温度降低到12-16℃附近。调节氩/氢比等成膜工艺和结晶热处理条件,使多晶VO 2 薄膜从半导体相向金属相转变时,其电阻率的变化超过2个数量级。选择掺杂或引入应力等制备方法、掺杂剂量、杂质种类等制备条件,使薄膜相变向低温适当延展,相变滞豫足够小,实现室温附近的TCR大大提高,达10%/K以上,可满足红外探测和红外成像的使用要求。获得的沉积薄膜与衬底界面结合牢固,结构致密,与CMOS工艺兼容。本发明原料低廉,具有成本优势,且在成膜过程中没有废液、废气等危害环境的物质排放。
一种无相变高电阻温度系数的掺钛氧化钒薄膜的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种无相变高电阻温度系数的掺钛氧化钒薄膜的制备方法,属于薄膜技术领域,具体包括以下步骤:首先清洗基片,吹干后备用;然后,将清洗后的基片放入真空腔室内,以V-Ti合金靶或镶嵌有钛的钒靶作为溅射靶材,在氧气和氩气混合气体气氛下、小于200℃温度下,在基片上溅射厚度为100~120nm的薄膜;最后,将上述带薄膜的基片置于真空环境中,在氧气和氩气的混合气体气氛下、300~450℃温度下退火处理,退火处理完后,自然冷却至室温,得到所述掺钛的氧化钒薄膜。本发明方法能制备出电阻温度系数高、室温附近无相变的掺钛氧化钒薄膜,且工艺简单,工艺可控性好,并与MEMS工艺和集成电路兼容性良好。
永磁材料温度系数和稳定性的测试研究
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
该技术成果系“六五”期间国家科技攻关项目。其主要内容是通过开发计算机软件,充分发挥计算机对磁性材料测试过程的控制及数据处理功能,在测量永磁材料温度系数过程中,通过自编程序,实现了对退磁场和自动修正,提高了测量结果的准确度,解决了测量永磁材料温度系数的关键技术问题。用振动样品磁强计测量永磁材料的温度系数,对永磁材料的稳定性进行测试研究,国内外均有报道,但是用计算机,采用自编程序,对退磁场进行自动修正,这一关键技术在国内处于领先水平。该成果对于在开磁路下测量磁性材料的其他参数,对研究统一我国永磁温度系数的测量方法,对合理应用及开发新材料等具有重要的社会、经济效益。
找到13项技术成果数据。
找技术 >N型高效电池PN结设计和制备技术研究
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
N型高效电池PN结设计和制备技术研究。 通过对N型硅片主要性能参数的模拟计算、对比不同的硅片主要性能电阻率和少子寿命测试方法,对比不同硅片样品表面处理及钝化方法,确定了合适N型硅片性能评估方法:建立了不同方法制备B掺杂PN结的技术储备,建立高质量B掺杂PN结制备的工艺参数方案;形成了高质量的硼发射极, Implied Voc可以达到691mV, Joe则处于43fA/cm2的较好水平,并在此基础上制备了平均效率20.88%、最高效率21.11%的N型双面电池;确定了N型电池的温度系数变化曲线,N型电池电流温度系数0.038%/℃,电压温度系数-0.311%/℃,不同样品之间测试值相同,非常稳定,功率温度系数在不同样品中在-0.393~-0.385%/℃之间波动,相对比较稳定,对应与常规P型单晶的功率温度系数参数-0.44~-0.43%/℃,制备出的N型双面电池温度系数更小。成果达到国内先进水平。
高性能微波介质陶瓷材料
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
技术投资分析:简介:微波介质陶瓷是近30年来迅速发展起来的新型功能电子陶瓷,它具有损耗低、频率温度系数小、介电常数高等特点。用微波陶瓷材料可以制成介质谐振器(Dielectric Resonator,简称DR)、介质滤波器、双工器、微波介质天线、介质稳频振荡器(称DRO)、介质波导传输线等。微波介质陶瓷在现代通信、军事技术领域等倍受世人瞩目。目前微波器件向高集成化,小型化,高可靠性及低成本化方向发展,作为微波介质材料,它具有高介电常数,低介电子损耗,低温度系数。目前微波陶瓷材料和器件的生产水平以日Murata公司、德EPCOS公司、美Trans-Tech公司、Narda MICROWAVE-WEST公司、英Morgan ElectroCeramics、Filtronic等公司为最高。其产品的应用范围已在300MHz~40GHz系列化,年产值均达十亿美元以上。国内微波介质陶瓷材料及器件的生产,在技术水平、产品品种和生产规模上与国外相比有较大差距。上海大学是国内最早开展微波介质材料研究的单位之一,先后获得过国家科技发明三等奖、上海科技进步二、三等奖等奖项。先后承担了国家“863” 、国家自然科学基金,并取得了一系列成果。主要特点技术性能:可与Cu电极共烧,形成多层独石结构,从而达到集成化,高性能,低成本的要求。上海大学研发的微波介质陶瓷性能列表:产品类别 烧结温度ST(oC) 介电常数er 品质因素Q?f (GHz) 温度系数tf(ppm/0C)D7 850-900 6-8 30000-40000 -20D10 1250-1300 10-11 60000 ~0D20 1550 20 85000 1.2D25 1600 25 100000 2D34 1450 34 60000 -1.2D36 1250 36 50000 adjustableD45 1450 45-47 40000 5000 1500 10技术的应用领域前景分析:用途:可用作多层微波介质滤波器,谐振器等介质材料。广泛应用于移动通信、卫星电视广播通信、雷达、卫星定位导航系统等等众多领域。效益分析:市场利润高,效益很好。厂房条件建议:无备注:无
一种高电阻温度系数二氧化钒薄膜及其低温沉积方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种高电阻温度系数二氧化钒薄膜及其低温沉积方法,所述薄膜由通过磁控溅射依次形成在衬底上的三氧化二钒籽晶层以及掺杂二氧化钒薄膜层构成,所述掺杂二氧化钒薄膜层的化学组成为WxTiyV1‑x‑yO2,其中0<x<0.1,0<y<0.2,x:y=(0.1~0.5):1。本发明制备的二氧化钒薄膜结晶质量高,完全无杂相,且具有较高的电阻温度系数。
高性能微波介质陶瓷材料
成熟度:可规模生产
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
是否验收 □ √ 是 □否 成果获奖情况 先后获得过国家科技发明、三等奖、 上海科技进步二、三等奖等奖项有否样品或样机□ √ 有 □无 科研项目资助情况 国家“863”、 国家自然科学基金项目资助相关评价和证明□项目可行性报告 □查新报告 □鉴定证书 □ √ 检测报告 □高新技术或新产品认定证书 □用户意见 □其他:技术成熟程度□已实现规模产业化 □已在工业领域或具体企业实际应用 □ √ 已实现小批量生产 □已通过中试验证 □处在中试阶段 □小试阶段 □处在实验室研发阶段 □其他:知识产权情况专利申请号 详见资料是否己经授权 □ √ 是 □ 否技术成果简介微波介质陶瓷是近30年来迅速发展起来的新型功能电子陶瓷, 它具有损耗低、 频率温度系数小、 介电常数高等特点。 用微波陶瓷材料可以制成介质谐振器 (Dielectric Resonator,简称DR)、 介质滤波器、 双工器、 微波介质天线、 介质稳频振荡器 (称DRO)、 介质波导传输线等。 微波介质陶瓷在现代通信、 军事技术领域等倍受世人瞩目。 目前微波器件向高集成化、 小型化、 高可靠性及低成本化方向发展, 作为微波介质材料, 它具有高介电常数、低介电子损耗、 低温度系数。大学,开发的微波介质陶瓷材料为与Cu电极共烧, 形成多层独石结构, 从而达到集成化、 高性能、低成本的要求。 先后获得过国家科技发明三等奖、 上海科技进步二、 三等奖等奖项。 先后承担了国家“863”、 国家自然科学基金项目, 并取得了一系列成果。 可用作多层微波介质滤波器, 谐振器等介质材料。 广泛应用于移动通信、 卫星电视广播通信、 雷达、 卫星定位导航系统等等众多领域。技术创新点或优势采用属先进的特种电子陶瓷材料制备工艺, 制备高 Q 值, 低谢振频率温度系数的微波介质陶瓷材料。技术经济指标开发的微波介质陶瓷材料为与 Cu 电极共烧, 形成多层独石结构, 从而达到集成化、 高性能、 低成本的要求。工业领域实际应用情况概述采用微波介质陶瓷材料器件广泛应用于移动通信、 卫星电视广播通信、 雷达、 卫星定位导航系统等等众多领域。 微波介质陶瓷在现代通信、 军事技术领域等倍受世人瞩目, 具有重大的经济和社会效益。 现与国内多家大型钢铁企业进行联合研发和产业化实施、 还有多项技术成果在国内外金属材料产业部门投入应用。服务方式□技术转让 □技术开发 □ 技术服务 □ 技术咨询 □ √ 可协商
一种高电阻温度系数氧化钒薄膜制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种高电阻温度系数的氧化钒薄膜制备方法,包括以下步骤:(1)将基片在富氧气氛下进行离子轰击活化处理;(2)氧化钒薄膜沉积在常温下分两步进行:在处理后的基片上沉积一层1-5nm的低价态超薄氧化钒种子层,然后以反应溅射沉积氧化钒那薄膜;(3)以反应溅射相同气氛,对薄膜进行高温快速退火。利用本发明所提供的制备方法可实现电阻温度系数-3~5%/K的氧化钒薄膜沉积。同时,本发明所提供的制备方法与MEMS工艺和集成电路制造工艺兼容性好,适于大批量基于氧化钒热敏薄膜的器件制造。
一种高电阻温度系数二氧化钒薄膜的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种高电阻温度系数二氧化钒薄膜的制备方法,可用于非致冷红外探测。该方法在沉积有Si 3 N 4 或者SiO 2 薄膜的硅衬底上,采用反应离子束溅射法沉积厚度为50-200nm的氧化钒薄膜;待自然冷却后,取出样片,再进行退火。本发明方法所制备薄膜具有平均晶粒5~20nm的纳米结构,在半导体区具有-5%/K~-7%/K电阻温度系数(TCR),合适的方块电阻,与常用微米结构二氧化钒相当的噪声电平的优点。是一种很有潜力的非致冷红外探测材料。
室温电阻温度系数高于10%/K的多晶二氧化钒薄膜制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及功能薄膜材料制备技术,其采用改进了的离子束增强沉积方法成膜,结合后续的结晶、退火,实现杂质的均匀掺入和对钒的有效替位,使薄膜的相变起始温度降低到12-16℃附近。调节氩/氢比等成膜工艺和结晶热处理条件,使多晶VO 2 薄膜从半导体相向金属相转变时,其电阻率的变化超过2个数量级。选择掺杂或引入应力等制备方法、掺杂剂量、杂质种类等制备条件,使薄膜相变向低温适当延展,相变滞豫足够小,实现室温附近的TCR大大提高,达10%/K以上,可满足红外探测和红外成像的使用要求。获得的沉积薄膜与衬底界面结合牢固,结构致密,与CMOS工艺兼容。本发明原料低廉,具有成本优势,且在成膜过程中没有废液、废气等危害环境的物质排放。
室温电阻温度系数高于10%K的多晶二氧化钒薄膜制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及功能薄膜材料制备技术,其采用改进了的离子束增强沉积方法成膜,结合后续的结晶、退火,实现杂质的均匀掺入和对钒的有效替位,使薄膜的相变起始温度降低到12-16℃附近。调节氩/氢比等成膜工艺和结晶热处理条件,使多晶VO 2 薄膜从半导体相向金属相转变时,其电阻率的变化超过2个数量级。选择掺杂或引入应力等制备方法、掺杂剂量、杂质种类等制备条件,使薄膜相变向低温适当延展,相变滞豫足够小,实现室温附近的TCR大大提高,达10%/K以上,可满足红外探测和红外成像的使用要求。获得的沉积薄膜与衬底界面结合牢固,结构致密,与CMOS工艺兼容。本发明原料低廉,具有成本优势,且在成膜过程中没有废液、废气等危害环境的物质排放。
一种无相变高电阻温度系数的掺钛氧化钒薄膜的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种无相变高电阻温度系数的掺钛氧化钒薄膜的制备方法,属于薄膜技术领域,具体包括以下步骤:首先清洗基片,吹干后备用;然后,将清洗后的基片放入真空腔室内,以V-Ti合金靶或镶嵌有钛的钒靶作为溅射靶材,在氧气和氩气混合气体气氛下、小于200℃温度下,在基片上溅射厚度为100~120nm的薄膜;最后,将上述带薄膜的基片置于真空环境中,在氧气和氩气的混合气体气氛下、300~450℃温度下退火处理,退火处理完后,自然冷却至室温,得到所述掺钛的氧化钒薄膜。本发明方法能制备出电阻温度系数高、室温附近无相变的掺钛氧化钒薄膜,且工艺简单,工艺可控性好,并与MEMS工艺和集成电路兼容性良好。
永磁材料温度系数和稳定性的测试研究
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
该技术成果系“六五”期间国家科技攻关项目。其主要内容是通过开发计算机软件,充分发挥计算机对磁性材料测试过程的控制及数据处理功能,在测量永磁材料温度系数过程中,通过自编程序,实现了对退磁场和自动修正,提高了测量结果的准确度,解决了测量永磁材料温度系数的关键技术问题。用振动样品磁强计测量永磁材料的温度系数,对永磁材料的稳定性进行测试研究,国内外均有报道,但是用计算机,采用自编程序,对退磁场进行自动修正,这一关键技术在国内处于领先水平。该成果对于在开磁路下测量磁性材料的其他参数,对研究统一我国永磁温度系数的测量方法,对合理应用及开发新材料等具有重要的社会、经济效益。