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找技术 >microLED衬底激光剥离技术
成熟度:可规模生产
技术类型:-
应用行业:文化、体育和娱乐业
技术简介
一、项目简介 microLED技术,即LED微缩化和矩阵化技术。指的是在一个芯片上集成的高密度微小尺寸的LED阵列,可看成是户外LED显示屏的微缩版,继液晶显示之后,microLED是新一代迭代技术的有力竞争者,而microLED芯片尺寸只有原来主流LED芯片的百分之一,达到几十微米量级。由于芯片尺寸小,传统的植球打线方式将严重降低芯片的发光比例,剥离掉蓝宝石衬底的垂直结构必定是microLED的主流芯片结构。microLED衬底激光剥离技术的基本原理是通过高能量激光束辐照,在蓝宝石/GaN界面形成局部高温,分解气化GaN材料。温度场分布决定了激光剥离技术中脉冲激光能量密度等关键参数的选取,是实现高效、低损伤激光剥离的重要参数。microLED衬底激光剥离技术利用紫外激光辐照衬底,熔化缓冲层,实现宝石衬底的剥离。通过选择合适的激光器类型和发射波长,激光剥离技术不仅仅可以实现GaN/Sapphire体系的衬底剥离,还可以实现ITO、ZnO等材料与蓝宝石衬底的剥离。 二、技术特点 通过选择合适的激光器类型和发射波长,激光剥离技术不仅仅可以实现GaN/Sapphire体系的衬底剥离,还可以实现ITO、ZnO等材料与蓝宝石衬底的剥离。此外,其剥离下来的蓝宝石衬底可以回收后重复利用多次。microLED衬底激光剥离技术由于减少刻蚀、磨片、划片等工艺,而且剥离出来的蓝宝石衬底可以重复运用,有效地节约工艺成本。microLED衬底激光剥离技术同时也可以用于薄膜结构LED以及HEMT等电力电子器件等衬底剥离。半导体所半导体照明研发中心采用microLED衬底激光剥离技术,成功的实现了GaN外延片与蓝宝石衬底的剥离,成品率高于90%。 三、专利情况 已申请国内发明专利8项,授权3项。 四、应用领域及市场前景 一旦microLED技术成为新一代显示技术,microLED衬底激光剥离技术将推动microLED开拓巨大的显示市场,具有广阔的市场前景。对于芯片制造企业来说需要新建半导体工艺厂房,购置半导体工艺设备,预计需5000万元的产业化经费。 五、合作方式 知识产权许可;技术转让、技术服务。
一种激光剥离的巨量转移系统
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型公开了一种激光剥离的巨量转移系统,其系统包括转移装置和接收装置;所述转移装置上设置有等待转移的LED芯片,所述LED芯片沿第一方向和第二方向形成LED芯片矩阵;所述接收装置包括目标基板;在所述目标基板上设置有光刻胶层,并在光刻胶层的对应LED芯片装配位置预先设置对应的凹槽,所述凹槽与所述LED芯片对应匹配,并在底部露出键合电极设置。本实用新型激光剥离的巨量转移系统由于采用了在接收装置上设置的具有对应凹槽的光刻胶层,从而对落下的LED芯片进行卡位,因此可以大大提升LED芯片在安装过程中的对位准确性,能够实现微操作的精准性。
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一、项目简介 microLED技术,即LED微缩化和矩阵化技术。指的是在一个芯片上集成的高密度微小尺寸的LED阵列,可看成是户外LED显示屏的微缩版,继液晶显示之后,microLED是新一代迭代技术的有力竞争者,而microLED芯片尺寸只有原来主流LED芯片的百分之一,达到几十微米量级。由于芯片尺寸小,传统的植球打线方式将严重降低芯片的发光比例,剥离掉蓝宝石衬底的垂直结构必定是microLED的主流芯片结构。microLED衬底激光剥离技术的基本原理是通过高能量激光束辐照,在蓝宝石/GaN界面形成局部高温,分解气化GaN材料。温度场分布决定了激光剥离技术中脉冲激光能量密度等关键参数的选取,是实现高效、低损伤激光剥离的重要参数。microLED衬底激光剥离技术利用紫外激光辐照衬底,熔化缓冲层,实现宝石衬底的剥离。通过选择合适的激光器类型和发射波长,激光剥离技术不仅仅可以实现GaN/Sapphire体系的衬底剥离,还可以实现ITO、ZnO等材料与蓝宝石衬底的剥离。 二、技术特点 通过选择合适的激光器类型和发射波长,激光剥离技术不仅仅可以实现GaN/Sapphire体系的衬底剥离,还可以实现ITO、ZnO等材料与蓝宝石衬底的剥离。此外,其剥离下来的蓝宝石衬底可以回收后重复利用多次。microLED衬底激光剥离技术由于减少刻蚀、磨片、划片等工艺,而且剥离出来的蓝宝石衬底可以重复运用,有效地节约工艺成本。microLED衬底激光剥离技术同时也可以用于薄膜结构LED以及HEMT等电力电子器件等衬底剥离。半导体所半导体照明研发中心采用microLED衬底激光剥离技术,成功的实现了GaN外延片与蓝宝石衬底的剥离,成品率高于90%。 三、专利情况 已申请国内发明专利8项,授权3项。 四、应用领域及市场前景 一旦microLED技术成为新一代显示技术,microLED衬底激光剥离技术将推动microLED开拓巨大的显示市场,具有广阔的市场前景。对于芯片制造企业来说需要新建半导体工艺厂房,购置半导体工艺设备,预计需5000万元的产业化经费。 五、合作方式 知识产权许可;技术转让、技术服务。
一种激光剥离的巨量转移系统
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本实用新型公开了一种激光剥离的巨量转移系统,其系统包括转移装置和接收装置;所述转移装置上设置有等待转移的LED芯片,所述LED芯片沿第一方向和第二方向形成LED芯片矩阵;所述接收装置包括目标基板;在所述目标基板上设置有光刻胶层,并在光刻胶层的对应LED芯片装配位置预先设置对应的凹槽,所述凹槽与所述LED芯片对应匹配,并在底部露出键合电极设置。本实用新型激光剥离的巨量转移系统由于采用了在接收装置上设置的具有对应凹槽的光刻胶层,从而对落下的LED芯片进行卡位,因此可以大大提升LED芯片在安装过程中的对位准确性,能够实现微操作的精准性。
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一、项目简介 microLED技术,即LED微缩化和矩阵化技术。指的是在一个芯片上集成的高密度微小尺寸的LED阵列,可看成是户外LED显示屏的微缩版,继液晶显示之后,microLED是新一代迭代技术的有力竞争者,而microLED芯片尺寸只有原来主流LED芯片的百分之一,达到几十微米量级。由于芯片尺寸小,传统的植球打线方式将严重降低芯片的发光比例,剥离掉蓝宝石衬底的垂直结构必定是microLED的主流芯片结构。microLED衬底激光剥离技术的基本原理是通过高能量激光束辐照,在蓝宝石/GaN界面形成局部高温,分解气化GaN材料。温度场分布决定了激光剥离技术中脉冲激光能量密度等关键参数的选取,是实现高效、低损伤激光剥离的重要参数。microLED衬底激光剥离技术利用紫外激光辐照衬底,熔化缓冲层,实现宝石衬底的剥离。通过选择合适的激光器类型和发射波长,激光剥离技术不仅仅可以实现GaN/Sapphire体系的衬底剥离,还可以实现ITO、ZnO等材料与蓝宝石衬底的剥离。 二、技术特点 通过选择合适的激光器类型和发射波长,激光剥离技术不仅仅可以实现GaN/Sapphire体系的衬底剥离,还可以实现ITO、ZnO等材料与蓝宝石衬底的剥离。此外,其剥离下来的蓝宝石衬底可以回收后重复利用多次。microLED衬底激光剥离技术由于减少刻蚀、磨片、划片等工艺,而且剥离出来的蓝宝石衬底可以重复运用,有效地节约工艺成本。microLED衬底激光剥离技术同时也可以用于薄膜结构LED以及HEMT等电力电子器件等衬底剥离。半导体所半导体照明研发中心采用microLED衬底激光剥离技术,成功的实现了GaN外延片与蓝宝石衬底的剥离,成品率高于90%。 三、专利情况 已申请国内发明专利8项,授权3项。 四、应用领域及市场前景 一旦microLED技术成为新一代显示技术,microLED衬底激光剥离技术将推动microLED开拓巨大的显示市场,具有广阔的市场前景。对于芯片制造企业来说需要新建半导体工艺厂房,购置半导体工艺设备,预计需5000万元的产业化经费。 五、合作方式 知识产权许可;技术转让、技术服务。
一种激光剥离的巨量转移系统
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本实用新型公开了一种激光剥离的巨量转移系统,其系统包括转移装置和接收装置;所述转移装置上设置有等待转移的LED芯片,所述LED芯片沿第一方向和第二方向形成LED芯片矩阵;所述接收装置包括目标基板;在所述目标基板上设置有光刻胶层,并在光刻胶层的对应LED芯片装配位置预先设置对应的凹槽,所述凹槽与所述LED芯片对应匹配,并在底部露出键合电极设置。本实用新型激光剥离的巨量转移系统由于采用了在接收装置上设置的具有对应凹槽的光刻胶层,从而对落下的LED芯片进行卡位,因此可以大大提升LED芯片在安装过程中的对位准确性,能够实现微操作的精准性。
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一、项目简介 microLED技术,即LED微缩化和矩阵化技术。指的是在一个芯片上集成的高密度微小尺寸的LED阵列,可看成是户外LED显示屏的微缩版,继液晶显示之后,microLED是新一代迭代技术的有力竞争者,而microLED芯片尺寸只有原来主流LED芯片的百分之一,达到几十微米量级。由于芯片尺寸小,传统的植球打线方式将严重降低芯片的发光比例,剥离掉蓝宝石衬底的垂直结构必定是microLED的主流芯片结构。microLED衬底激光剥离技术的基本原理是通过高能量激光束辐照,在蓝宝石/GaN界面形成局部高温,分解气化GaN材料。温度场分布决定了激光剥离技术中脉冲激光能量密度等关键参数的选取,是实现高效、低损伤激光剥离的重要参数。microLED衬底激光剥离技术利用紫外激光辐照衬底,熔化缓冲层,实现宝石衬底的剥离。通过选择合适的激光器类型和发射波长,激光剥离技术不仅仅可以实现GaN/Sapphire体系的衬底剥离,还可以实现ITO、ZnO等材料与蓝宝石衬底的剥离。 二、技术特点 通过选择合适的激光器类型和发射波长,激光剥离技术不仅仅可以实现GaN/Sapphire体系的衬底剥离,还可以实现ITO、ZnO等材料与蓝宝石衬底的剥离。此外,其剥离下来的蓝宝石衬底可以回收后重复利用多次。microLED衬底激光剥离技术由于减少刻蚀、磨片、划片等工艺,而且剥离出来的蓝宝石衬底可以重复运用,有效地节约工艺成本。microLED衬底激光剥离技术同时也可以用于薄膜结构LED以及HEMT等电力电子器件等衬底剥离。半导体所半导体照明研发中心采用microLED衬底激光剥离技术,成功的实现了GaN外延片与蓝宝石衬底的剥离,成品率高于90%。 三、专利情况 已申请国内发明专利8项,授权3项。 四、应用领域及市场前景 一旦microLED技术成为新一代显示技术,microLED衬底激光剥离技术将推动microLED开拓巨大的显示市场,具有广阔的市场前景。对于芯片制造企业来说需要新建半导体工艺厂房,购置半导体工艺设备,预计需5000万元的产业化经费。 五、合作方式 知识产权许可;技术转让、技术服务。
一种激光剥离的巨量转移系统
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本实用新型公开了一种激光剥离的巨量转移系统,其系统包括转移装置和接收装置;所述转移装置上设置有等待转移的LED芯片,所述LED芯片沿第一方向和第二方向形成LED芯片矩阵;所述接收装置包括目标基板;在所述目标基板上设置有光刻胶层,并在光刻胶层的对应LED芯片装配位置预先设置对应的凹槽,所述凹槽与所述LED芯片对应匹配,并在底部露出键合电极设置。本实用新型激光剥离的巨量转移系统由于采用了在接收装置上设置的具有对应凹槽的光刻胶层,从而对落下的LED芯片进行卡位,因此可以大大提升LED芯片在安装过程中的对位准确性,能够实现微操作的精准性。
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一、项目简介 microLED技术,即LED微缩化和矩阵化技术。指的是在一个芯片上集成的高密度微小尺寸的LED阵列,可看成是户外LED显示屏的微缩版,继液晶显示之后,microLED是新一代迭代技术的有力竞争者,而microLED芯片尺寸只有原来主流LED芯片的百分之一,达到几十微米量级。由于芯片尺寸小,传统的植球打线方式将严重降低芯片的发光比例,剥离掉蓝宝石衬底的垂直结构必定是microLED的主流芯片结构。microLED衬底激光剥离技术的基本原理是通过高能量激光束辐照,在蓝宝石/GaN界面形成局部高温,分解气化GaN材料。温度场分布决定了激光剥离技术中脉冲激光能量密度等关键参数的选取,是实现高效、低损伤激光剥离的重要参数。microLED衬底激光剥离技术利用紫外激光辐照衬底,熔化缓冲层,实现宝石衬底的剥离。通过选择合适的激光器类型和发射波长,激光剥离技术不仅仅可以实现GaN/Sapphire体系的衬底剥离,还可以实现ITO、ZnO等材料与蓝宝石衬底的剥离。 二、技术特点 通过选择合适的激光器类型和发射波长,激光剥离技术不仅仅可以实现GaN/Sapphire体系的衬底剥离,还可以实现ITO、ZnO等材料与蓝宝石衬底的剥离。此外,其剥离下来的蓝宝石衬底可以回收后重复利用多次。microLED衬底激光剥离技术由于减少刻蚀、磨片、划片等工艺,而且剥离出来的蓝宝石衬底可以重复运用,有效地节约工艺成本。microLED衬底激光剥离技术同时也可以用于薄膜结构LED以及HEMT等电力电子器件等衬底剥离。半导体所半导体照明研发中心采用microLED衬底激光剥离技术,成功的实现了GaN外延片与蓝宝石衬底的剥离,成品率高于90%。 三、专利情况 已申请国内发明专利8项,授权3项。 四、应用领域及市场前景 一旦microLED技术成为新一代显示技术,microLED衬底激光剥离技术将推动microLED开拓巨大的显示市场,具有广阔的市场前景。对于芯片制造企业来说需要新建半导体工艺厂房,购置半导体工艺设备,预计需5000万元的产业化经费。 五、合作方式 知识产权许可;技术转让、技术服务。
一种激光剥离的巨量转移系统
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本实用新型公开了一种激光剥离的巨量转移系统,其系统包括转移装置和接收装置;所述转移装置上设置有等待转移的LED芯片,所述LED芯片沿第一方向和第二方向形成LED芯片矩阵;所述接收装置包括目标基板;在所述目标基板上设置有光刻胶层,并在光刻胶层的对应LED芯片装配位置预先设置对应的凹槽,所述凹槽与所述LED芯片对应匹配,并在底部露出键合电极设置。本实用新型激光剥离的巨量转移系统由于采用了在接收装置上设置的具有对应凹槽的光刻胶层,从而对落下的LED芯片进行卡位,因此可以大大提升LED芯片在安装过程中的对位准确性,能够实现微操作的精准性。
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一、项目简介 microLED技术,即LED微缩化和矩阵化技术。指的是在一个芯片上集成的高密度微小尺寸的LED阵列,可看成是户外LED显示屏的微缩版,继液晶显示之后,microLED是新一代迭代技术的有力竞争者,而microLED芯片尺寸只有原来主流LED芯片的百分之一,达到几十微米量级。由于芯片尺寸小,传统的植球打线方式将严重降低芯片的发光比例,剥离掉蓝宝石衬底的垂直结构必定是microLED的主流芯片结构。microLED衬底激光剥离技术的基本原理是通过高能量激光束辐照,在蓝宝石/GaN界面形成局部高温,分解气化GaN材料。温度场分布决定了激光剥离技术中脉冲激光能量密度等关键参数的选取,是实现高效、低损伤激光剥离的重要参数。microLED衬底激光剥离技术利用紫外激光辐照衬底,熔化缓冲层,实现宝石衬底的剥离。通过选择合适的激光器类型和发射波长,激光剥离技术不仅仅可以实现GaN/Sapphire体系的衬底剥离,还可以实现ITO、ZnO等材料与蓝宝石衬底的剥离。 二、技术特点 通过选择合适的激光器类型和发射波长,激光剥离技术不仅仅可以实现GaN/Sapphire体系的衬底剥离,还可以实现ITO、ZnO等材料与蓝宝石衬底的剥离。此外,其剥离下来的蓝宝石衬底可以回收后重复利用多次。microLED衬底激光剥离技术由于减少刻蚀、磨片、划片等工艺,而且剥离出来的蓝宝石衬底可以重复运用,有效地节约工艺成本。microLED衬底激光剥离技术同时也可以用于薄膜结构LED以及HEMT等电力电子器件等衬底剥离。半导体所半导体照明研发中心采用microLED衬底激光剥离技术,成功的实现了GaN外延片与蓝宝石衬底的剥离,成品率高于90%。 三、专利情况 已申请国内发明专利8项,授权3项。 四、应用领域及市场前景 一旦microLED技术成为新一代显示技术,microLED衬底激光剥离技术将推动microLED开拓巨大的显示市场,具有广阔的市场前景。对于芯片制造企业来说需要新建半导体工艺厂房,购置半导体工艺设备,预计需5000万元的产业化经费。 五、合作方式 知识产权许可;技术转让、技术服务。
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本实用新型公开了一种激光剥离的巨量转移系统,其系统包括转移装置和接收装置;所述转移装置上设置有等待转移的LED芯片,所述LED芯片沿第一方向和第二方向形成LED芯片矩阵;所述接收装置包括目标基板;在所述目标基板上设置有光刻胶层,并在光刻胶层的对应LED芯片装配位置预先设置对应的凹槽,所述凹槽与所述LED芯片对应匹配,并在底部露出键合电极设置。本实用新型激光剥离的巨量转移系统由于采用了在接收装置上设置的具有对应凹槽的光刻胶层,从而对落下的LED芯片进行卡位,因此可以大大提升LED芯片在安装过程中的对位准确性,能够实现微操作的精准性。
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一、项目简介 microLED技术,即LED微缩化和矩阵化技术。指的是在一个芯片上集成的高密度微小尺寸的LED阵列,可看成是户外LED显示屏的微缩版,继液晶显示之后,microLED是新一代迭代技术的有力竞争者,而microLED芯片尺寸只有原来主流LED芯片的百分之一,达到几十微米量级。由于芯片尺寸小,传统的植球打线方式将严重降低芯片的发光比例,剥离掉蓝宝石衬底的垂直结构必定是microLED的主流芯片结构。microLED衬底激光剥离技术的基本原理是通过高能量激光束辐照,在蓝宝石/GaN界面形成局部高温,分解气化GaN材料。温度场分布决定了激光剥离技术中脉冲激光能量密度等关键参数的选取,是实现高效、低损伤激光剥离的重要参数。microLED衬底激光剥离技术利用紫外激光辐照衬底,熔化缓冲层,实现宝石衬底的剥离。通过选择合适的激光器类型和发射波长,激光剥离技术不仅仅可以实现GaN/Sapphire体系的衬底剥离,还可以实现ITO、ZnO等材料与蓝宝石衬底的剥离。 二、技术特点 通过选择合适的激光器类型和发射波长,激光剥离技术不仅仅可以实现GaN/Sapphire体系的衬底剥离,还可以实现ITO、ZnO等材料与蓝宝石衬底的剥离。此外,其剥离下来的蓝宝石衬底可以回收后重复利用多次。microLED衬底激光剥离技术由于减少刻蚀、磨片、划片等工艺,而且剥离出来的蓝宝石衬底可以重复运用,有效地节约工艺成本。microLED衬底激光剥离技术同时也可以用于薄膜结构LED以及HEMT等电力电子器件等衬底剥离。半导体所半导体照明研发中心采用microLED衬底激光剥离技术,成功的实现了GaN外延片与蓝宝石衬底的剥离,成品率高于90%。 三、专利情况 已申请国内发明专利8项,授权3项。 四、应用领域及市场前景 一旦microLED技术成为新一代显示技术,microLED衬底激光剥离技术将推动microLED开拓巨大的显示市场,具有广阔的市场前景。对于芯片制造企业来说需要新建半导体工艺厂房,购置半导体工艺设备,预计需5000万元的产业化经费。 五、合作方式 知识产权许可;技术转让、技术服务。
一种激光剥离的巨量转移系统
成熟度:-
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本实用新型公开了一种激光剥离的巨量转移系统,其系统包括转移装置和接收装置;所述转移装置上设置有等待转移的LED芯片,所述LED芯片沿第一方向和第二方向形成LED芯片矩阵;所述接收装置包括目标基板;在所述目标基板上设置有光刻胶层,并在光刻胶层的对应LED芯片装配位置预先设置对应的凹槽,所述凹槽与所述LED芯片对应匹配,并在底部露出键合电极设置。本实用新型激光剥离的巨量转移系统由于采用了在接收装置上设置的具有对应凹槽的光刻胶层,从而对落下的LED芯片进行卡位,因此可以大大提升LED芯片在安装过程中的对位准确性,能够实现微操作的精准性。
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成熟度:可规模生产
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技术简介
一、项目简介 microLED技术,即LED微缩化和矩阵化技术。指的是在一个芯片上集成的高密度微小尺寸的LED阵列,可看成是户外LED显示屏的微缩版,继液晶显示之后,microLED是新一代迭代技术的有力竞争者,而microLED芯片尺寸只有原来主流LED芯片的百分之一,达到几十微米量级。由于芯片尺寸小,传统的植球打线方式将严重降低芯片的发光比例,剥离掉蓝宝石衬底的垂直结构必定是microLED的主流芯片结构。microLED衬底激光剥离技术的基本原理是通过高能量激光束辐照,在蓝宝石/GaN界面形成局部高温,分解气化GaN材料。温度场分布决定了激光剥离技术中脉冲激光能量密度等关键参数的选取,是实现高效、低损伤激光剥离的重要参数。microLED衬底激光剥离技术利用紫外激光辐照衬底,熔化缓冲层,实现宝石衬底的剥离。通过选择合适的激光器类型和发射波长,激光剥离技术不仅仅可以实现GaN/Sapphire体系的衬底剥离,还可以实现ITO、ZnO等材料与蓝宝石衬底的剥离。 二、技术特点 通过选择合适的激光器类型和发射波长,激光剥离技术不仅仅可以实现GaN/Sapphire体系的衬底剥离,还可以实现ITO、ZnO等材料与蓝宝石衬底的剥离。此外,其剥离下来的蓝宝石衬底可以回收后重复利用多次。microLED衬底激光剥离技术由于减少刻蚀、磨片、划片等工艺,而且剥离出来的蓝宝石衬底可以重复运用,有效地节约工艺成本。microLED衬底激光剥离技术同时也可以用于薄膜结构LED以及HEMT等电力电子器件等衬底剥离。半导体所半导体照明研发中心采用microLED衬底激光剥离技术,成功的实现了GaN外延片与蓝宝石衬底的剥离,成品率高于90%。 三、专利情况 已申请国内发明专利8项,授权3项。 四、应用领域及市场前景 一旦microLED技术成为新一代显示技术,microLED衬底激光剥离技术将推动microLED开拓巨大的显示市场,具有广阔的市场前景。对于芯片制造企业来说需要新建半导体工艺厂房,购置半导体工艺设备,预计需5000万元的产业化经费。 五、合作方式 知识产权许可;技术转让、技术服务。
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本实用新型公开了一种激光剥离的巨量转移系统,其系统包括转移装置和接收装置;所述转移装置上设置有等待转移的LED芯片,所述LED芯片沿第一方向和第二方向形成LED芯片矩阵;所述接收装置包括目标基板;在所述目标基板上设置有光刻胶层,并在光刻胶层的对应LED芯片装配位置预先设置对应的凹槽,所述凹槽与所述LED芯片对应匹配,并在底部露出键合电极设置。本实用新型激光剥离的巨量转移系统由于采用了在接收装置上设置的具有对应凹槽的光刻胶层,从而对落下的LED芯片进行卡位,因此可以大大提升LED芯片在安装过程中的对位准确性,能够实现微操作的精准性。