找到3项技术成果数据。
找技术 >脑电信号检测专用集成电路
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
技术投资分析:该芯片采用兼容MEMS和CMOS工艺的单片集成技术,将脑电检测电极和后端的信号处理电路集成于一体,可应用于脑电信息检测和脑界面控制的电子产品中。采用CMOS 0.6um工艺和单片集成技术,将脑电检测电极和后端的信号处理电路集成于一体,实现脑电信号的放大、滤波、A/D转化及串行输出等功能。芯片相关设计参数如下:1、前置放大器:共模抑制比大于100dB。2、50Hz工频陷波电路设计:要求在50Hz处衰减大于40dB。3、模数转换器:转换精度达到12位即信噪比达到75dB以上。4、脑电信号检测频率范围:0.5Hz~40Hz。主要技术应用:1、仪器放大器采用CHSDDA(Chopper-stabilized differential difference amplifier) 技术2、模数转换器采用Σ△结构,3、制造工艺采用上华0.6um,5V标准CMOS工艺实现,面积为2mm*2mm。项目进展情况:项目已完成差分差值放大电路,工频陷波电路,带隙基准电路,后级增益调整及各级输出缓冲等模块电路设计仿真,模块电路版图绘制,版图设计规则验证,版图和电路图一致性检查。过采样AD转换器电路及版图设计,整体电路版图的验证,后仿真及电路性能的提高改进是接下来要做的主要工作。技术的应用领域前景分析:随着计算机科学的发展,脑-机交互已成为新的研究热点。基于脑机接口技术开发的医疗仪器和产品可以为运动障碍的残疾人提供一种全新的手段来实现对外界环境的控制。效益分析:本技术市场应用范围广,成本低,利润高,效益可观。厂房条件建议:无备注:无
一种横向功率器件版图结构
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
一种横向功率器件版图结构,属于半导体功率器件技术领域。所述横向功率器件在横向截面上形成元胞化排列结构;每个元胞具有相同的结构,由内向外依次是漏电极、轻掺杂漂移区、栅电极和源电极,且漏电极被轻掺杂漂移区所包围,轻掺杂漂移区被栅电极所包围,栅电极被源电极所包围;每个元胞的源电极、栅电极、轻掺杂漂移区和漏电极以及整个元胞的横截面形状相同,为圆形或正n边形,其中n≥3。本发明布局紧凑,无需额外的曲率终端设计,具有比导通电阻低、寄生电容小、开关速度快和电流能力强等优点,可应用于LDMOS、LIGBT等横向功率器件版图结构中。
一种分布式功率放大器优化设计方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开一种分布式功率放大器优化设计方法,属于集成电路设计自动化领域。与传统的设计方法不同之处在于,在电路版图上先留出片上电感的位置,再采用人工智能优化算法,对片上电感进行优化后建模,然后代入电路进行仿真验证,满足设计要求后将片上电感的版图放至电路版图的预留位置。本发明减少了反复尝试的循环设计过程,因此提高了优化效率,同时可以确保得出的参数是最优的。
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技术投资分析:该芯片采用兼容MEMS和CMOS工艺的单片集成技术,将脑电检测电极和后端的信号处理电路集成于一体,可应用于脑电信息检测和脑界面控制的电子产品中。采用CMOS 0.6um工艺和单片集成技术,将脑电检测电极和后端的信号处理电路集成于一体,实现脑电信号的放大、滤波、A/D转化及串行输出等功能。芯片相关设计参数如下:1、前置放大器:共模抑制比大于100dB。2、50Hz工频陷波电路设计:要求在50Hz处衰减大于40dB。3、模数转换器:转换精度达到12位即信噪比达到75dB以上。4、脑电信号检测频率范围:0.5Hz~40Hz。主要技术应用:1、仪器放大器采用CHSDDA(Chopper-stabilized differential difference amplifier) 技术2、模数转换器采用Σ△结构,3、制造工艺采用上华0.6um,5V标准CMOS工艺实现,面积为2mm*2mm。项目进展情况:项目已完成差分差值放大电路,工频陷波电路,带隙基准电路,后级增益调整及各级输出缓冲等模块电路设计仿真,模块电路版图绘制,版图设计规则验证,版图和电路图一致性检查。过采样AD转换器电路及版图设计,整体电路版图的验证,后仿真及电路性能的提高改进是接下来要做的主要工作。技术的应用领域前景分析:随着计算机科学的发展,脑-机交互已成为新的研究热点。基于脑机接口技术开发的医疗仪器和产品可以为运动障碍的残疾人提供一种全新的手段来实现对外界环境的控制。效益分析:本技术市场应用范围广,成本低,利润高,效益可观。厂房条件建议:无备注:无
一种横向功率器件版图结构
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
一种横向功率器件版图结构,属于半导体功率器件技术领域。所述横向功率器件在横向截面上形成元胞化排列结构;每个元胞具有相同的结构,由内向外依次是漏电极、轻掺杂漂移区、栅电极和源电极,且漏电极被轻掺杂漂移区所包围,轻掺杂漂移区被栅电极所包围,栅电极被源电极所包围;每个元胞的源电极、栅电极、轻掺杂漂移区和漏电极以及整个元胞的横截面形状相同,为圆形或正n边形,其中n≥3。本发明布局紧凑,无需额外的曲率终端设计,具有比导通电阻低、寄生电容小、开关速度快和电流能力强等优点,可应用于LDMOS、LIGBT等横向功率器件版图结构中。
一种分布式功率放大器优化设计方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开一种分布式功率放大器优化设计方法,属于集成电路设计自动化领域。与传统的设计方法不同之处在于,在电路版图上先留出片上电感的位置,再采用人工智能优化算法,对片上电感进行优化后建模,然后代入电路进行仿真验证,满足设计要求后将片上电感的版图放至电路版图的预留位置。本发明减少了反复尝试的循环设计过程,因此提高了优化效率,同时可以确保得出的参数是最优的。
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技术投资分析:该芯片采用兼容MEMS和CMOS工艺的单片集成技术,将脑电检测电极和后端的信号处理电路集成于一体,可应用于脑电信息检测和脑界面控制的电子产品中。采用CMOS 0.6um工艺和单片集成技术,将脑电检测电极和后端的信号处理电路集成于一体,实现脑电信号的放大、滤波、A/D转化及串行输出等功能。芯片相关设计参数如下:1、前置放大器:共模抑制比大于100dB。2、50Hz工频陷波电路设计:要求在50Hz处衰减大于40dB。3、模数转换器:转换精度达到12位即信噪比达到75dB以上。4、脑电信号检测频率范围:0.5Hz~40Hz。主要技术应用:1、仪器放大器采用CHSDDA(Chopper-stabilized differential difference amplifier) 技术2、模数转换器采用Σ△结构,3、制造工艺采用上华0.6um,5V标准CMOS工艺实现,面积为2mm*2mm。项目进展情况:项目已完成差分差值放大电路,工频陷波电路,带隙基准电路,后级增益调整及各级输出缓冲等模块电路设计仿真,模块电路版图绘制,版图设计规则验证,版图和电路图一致性检查。过采样AD转换器电路及版图设计,整体电路版图的验证,后仿真及电路性能的提高改进是接下来要做的主要工作。技术的应用领域前景分析:随着计算机科学的发展,脑-机交互已成为新的研究热点。基于脑机接口技术开发的医疗仪器和产品可以为运动障碍的残疾人提供一种全新的手段来实现对外界环境的控制。效益分析:本技术市场应用范围广,成本低,利润高,效益可观。厂房条件建议:无备注:无
一种横向功率器件版图结构
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一种横向功率器件版图结构,属于半导体功率器件技术领域。所述横向功率器件在横向截面上形成元胞化排列结构;每个元胞具有相同的结构,由内向外依次是漏电极、轻掺杂漂移区、栅电极和源电极,且漏电极被轻掺杂漂移区所包围,轻掺杂漂移区被栅电极所包围,栅电极被源电极所包围;每个元胞的源电极、栅电极、轻掺杂漂移区和漏电极以及整个元胞的横截面形状相同,为圆形或正n边形,其中n≥3。本发明布局紧凑,无需额外的曲率终端设计,具有比导通电阻低、寄生电容小、开关速度快和电流能力强等优点,可应用于LDMOS、LIGBT等横向功率器件版图结构中。
一种分布式功率放大器优化设计方法
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本发明公开一种分布式功率放大器优化设计方法,属于集成电路设计自动化领域。与传统的设计方法不同之处在于,在电路版图上先留出片上电感的位置,再采用人工智能优化算法,对片上电感进行优化后建模,然后代入电路进行仿真验证,满足设计要求后将片上电感的版图放至电路版图的预留位置。本发明减少了反复尝试的循环设计过程,因此提高了优化效率,同时可以确保得出的参数是最优的。
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一种横向功率器件版图结构
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一种横向功率器件版图结构,属于半导体功率器件技术领域。所述横向功率器件在横向截面上形成元胞化排列结构;每个元胞具有相同的结构,由内向外依次是漏电极、轻掺杂漂移区、栅电极和源电极,且漏电极被轻掺杂漂移区所包围,轻掺杂漂移区被栅电极所包围,栅电极被源电极所包围;每个元胞的源电极、栅电极、轻掺杂漂移区和漏电极以及整个元胞的横截面形状相同,为圆形或正n边形,其中n≥3。本发明布局紧凑,无需额外的曲率终端设计,具有比导通电阻低、寄生电容小、开关速度快和电流能力强等优点,可应用于LDMOS、LIGBT等横向功率器件版图结构中。
一种分布式功率放大器优化设计方法
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本发明公开一种分布式功率放大器优化设计方法,属于集成电路设计自动化领域。与传统的设计方法不同之处在于,在电路版图上先留出片上电感的位置,再采用人工智能优化算法,对片上电感进行优化后建模,然后代入电路进行仿真验证,满足设计要求后将片上电感的版图放至电路版图的预留位置。本发明减少了反复尝试的循环设计过程,因此提高了优化效率,同时可以确保得出的参数是最优的。
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技术投资分析:该芯片采用兼容MEMS和CMOS工艺的单片集成技术,将脑电检测电极和后端的信号处理电路集成于一体,可应用于脑电信息检测和脑界面控制的电子产品中。采用CMOS 0.6um工艺和单片集成技术,将脑电检测电极和后端的信号处理电路集成于一体,实现脑电信号的放大、滤波、A/D转化及串行输出等功能。芯片相关设计参数如下:1、前置放大器:共模抑制比大于100dB。2、50Hz工频陷波电路设计:要求在50Hz处衰减大于40dB。3、模数转换器:转换精度达到12位即信噪比达到75dB以上。4、脑电信号检测频率范围:0.5Hz~40Hz。主要技术应用:1、仪器放大器采用CHSDDA(Chopper-stabilized differential difference amplifier) 技术2、模数转换器采用Σ△结构,3、制造工艺采用上华0.6um,5V标准CMOS工艺实现,面积为2mm*2mm。项目进展情况:项目已完成差分差值放大电路,工频陷波电路,带隙基准电路,后级增益调整及各级输出缓冲等模块电路设计仿真,模块电路版图绘制,版图设计规则验证,版图和电路图一致性检查。过采样AD转换器电路及版图设计,整体电路版图的验证,后仿真及电路性能的提高改进是接下来要做的主要工作。技术的应用领域前景分析:随着计算机科学的发展,脑-机交互已成为新的研究热点。基于脑机接口技术开发的医疗仪器和产品可以为运动障碍的残疾人提供一种全新的手段来实现对外界环境的控制。效益分析:本技术市场应用范围广,成本低,利润高,效益可观。厂房条件建议:无备注:无
一种横向功率器件版图结构
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一种横向功率器件版图结构,属于半导体功率器件技术领域。所述横向功率器件在横向截面上形成元胞化排列结构;每个元胞具有相同的结构,由内向外依次是漏电极、轻掺杂漂移区、栅电极和源电极,且漏电极被轻掺杂漂移区所包围,轻掺杂漂移区被栅电极所包围,栅电极被源电极所包围;每个元胞的源电极、栅电极、轻掺杂漂移区和漏电极以及整个元胞的横截面形状相同,为圆形或正n边形,其中n≥3。本发明布局紧凑,无需额外的曲率终端设计,具有比导通电阻低、寄生电容小、开关速度快和电流能力强等优点,可应用于LDMOS、LIGBT等横向功率器件版图结构中。
一种分布式功率放大器优化设计方法
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本发明公开一种分布式功率放大器优化设计方法,属于集成电路设计自动化领域。与传统的设计方法不同之处在于,在电路版图上先留出片上电感的位置,再采用人工智能优化算法,对片上电感进行优化后建模,然后代入电路进行仿真验证,满足设计要求后将片上电感的版图放至电路版图的预留位置。本发明减少了反复尝试的循环设计过程,因此提高了优化效率,同时可以确保得出的参数是最优的。
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技术投资分析:该芯片采用兼容MEMS和CMOS工艺的单片集成技术,将脑电检测电极和后端的信号处理电路集成于一体,可应用于脑电信息检测和脑界面控制的电子产品中。采用CMOS 0.6um工艺和单片集成技术,将脑电检测电极和后端的信号处理电路集成于一体,实现脑电信号的放大、滤波、A/D转化及串行输出等功能。芯片相关设计参数如下:1、前置放大器:共模抑制比大于100dB。2、50Hz工频陷波电路设计:要求在50Hz处衰减大于40dB。3、模数转换器:转换精度达到12位即信噪比达到75dB以上。4、脑电信号检测频率范围:0.5Hz~40Hz。主要技术应用:1、仪器放大器采用CHSDDA(Chopper-stabilized differential difference amplifier) 技术2、模数转换器采用Σ△结构,3、制造工艺采用上华0.6um,5V标准CMOS工艺实现,面积为2mm*2mm。项目进展情况:项目已完成差分差值放大电路,工频陷波电路,带隙基准电路,后级增益调整及各级输出缓冲等模块电路设计仿真,模块电路版图绘制,版图设计规则验证,版图和电路图一致性检查。过采样AD转换器电路及版图设计,整体电路版图的验证,后仿真及电路性能的提高改进是接下来要做的主要工作。技术的应用领域前景分析:随着计算机科学的发展,脑-机交互已成为新的研究热点。基于脑机接口技术开发的医疗仪器和产品可以为运动障碍的残疾人提供一种全新的手段来实现对外界环境的控制。效益分析:本技术市场应用范围广,成本低,利润高,效益可观。厂房条件建议:无备注:无
一种横向功率器件版图结构
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一种横向功率器件版图结构,属于半导体功率器件技术领域。所述横向功率器件在横向截面上形成元胞化排列结构;每个元胞具有相同的结构,由内向外依次是漏电极、轻掺杂漂移区、栅电极和源电极,且漏电极被轻掺杂漂移区所包围,轻掺杂漂移区被栅电极所包围,栅电极被源电极所包围;每个元胞的源电极、栅电极、轻掺杂漂移区和漏电极以及整个元胞的横截面形状相同,为圆形或正n边形,其中n≥3。本发明布局紧凑,无需额外的曲率终端设计,具有比导通电阻低、寄生电容小、开关速度快和电流能力强等优点,可应用于LDMOS、LIGBT等横向功率器件版图结构中。
一种分布式功率放大器优化设计方法
成熟度:正在研发
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应用行业:制造业
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本发明公开一种分布式功率放大器优化设计方法,属于集成电路设计自动化领域。与传统的设计方法不同之处在于,在电路版图上先留出片上电感的位置,再采用人工智能优化算法,对片上电感进行优化后建模,然后代入电路进行仿真验证,满足设计要求后将片上电感的版图放至电路版图的预留位置。本发明减少了反复尝试的循环设计过程,因此提高了优化效率,同时可以确保得出的参数是最优的。
找到3项技术成果数据。
找技术 >脑电信号检测专用集成电路
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技术投资分析:该芯片采用兼容MEMS和CMOS工艺的单片集成技术,将脑电检测电极和后端的信号处理电路集成于一体,可应用于脑电信息检测和脑界面控制的电子产品中。采用CMOS 0.6um工艺和单片集成技术,将脑电检测电极和后端的信号处理电路集成于一体,实现脑电信号的放大、滤波、A/D转化及串行输出等功能。芯片相关设计参数如下:1、前置放大器:共模抑制比大于100dB。2、50Hz工频陷波电路设计:要求在50Hz处衰减大于40dB。3、模数转换器:转换精度达到12位即信噪比达到75dB以上。4、脑电信号检测频率范围:0.5Hz~40Hz。主要技术应用:1、仪器放大器采用CHSDDA(Chopper-stabilized differential difference amplifier) 技术2、模数转换器采用Σ△结构,3、制造工艺采用上华0.6um,5V标准CMOS工艺实现,面积为2mm*2mm。项目进展情况:项目已完成差分差值放大电路,工频陷波电路,带隙基准电路,后级增益调整及各级输出缓冲等模块电路设计仿真,模块电路版图绘制,版图设计规则验证,版图和电路图一致性检查。过采样AD转换器电路及版图设计,整体电路版图的验证,后仿真及电路性能的提高改进是接下来要做的主要工作。技术的应用领域前景分析:随着计算机科学的发展,脑-机交互已成为新的研究热点。基于脑机接口技术开发的医疗仪器和产品可以为运动障碍的残疾人提供一种全新的手段来实现对外界环境的控制。效益分析:本技术市场应用范围广,成本低,利润高,效益可观。厂房条件建议:无备注:无
一种横向功率器件版图结构
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一种横向功率器件版图结构,属于半导体功率器件技术领域。所述横向功率器件在横向截面上形成元胞化排列结构;每个元胞具有相同的结构,由内向外依次是漏电极、轻掺杂漂移区、栅电极和源电极,且漏电极被轻掺杂漂移区所包围,轻掺杂漂移区被栅电极所包围,栅电极被源电极所包围;每个元胞的源电极、栅电极、轻掺杂漂移区和漏电极以及整个元胞的横截面形状相同,为圆形或正n边形,其中n≥3。本发明布局紧凑,无需额外的曲率终端设计,具有比导通电阻低、寄生电容小、开关速度快和电流能力强等优点,可应用于LDMOS、LIGBT等横向功率器件版图结构中。
一种分布式功率放大器优化设计方法
成熟度:正在研发
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应用行业:制造业
技术简介
本发明公开一种分布式功率放大器优化设计方法,属于集成电路设计自动化领域。与传统的设计方法不同之处在于,在电路版图上先留出片上电感的位置,再采用人工智能优化算法,对片上电感进行优化后建模,然后代入电路进行仿真验证,满足设计要求后将片上电感的版图放至电路版图的预留位置。本发明减少了反复尝试的循环设计过程,因此提高了优化效率,同时可以确保得出的参数是最优的。
找到3项技术成果数据。
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技术投资分析:该芯片采用兼容MEMS和CMOS工艺的单片集成技术,将脑电检测电极和后端的信号处理电路集成于一体,可应用于脑电信息检测和脑界面控制的电子产品中。采用CMOS 0.6um工艺和单片集成技术,将脑电检测电极和后端的信号处理电路集成于一体,实现脑电信号的放大、滤波、A/D转化及串行输出等功能。芯片相关设计参数如下:1、前置放大器:共模抑制比大于100dB。2、50Hz工频陷波电路设计:要求在50Hz处衰减大于40dB。3、模数转换器:转换精度达到12位即信噪比达到75dB以上。4、脑电信号检测频率范围:0.5Hz~40Hz。主要技术应用:1、仪器放大器采用CHSDDA(Chopper-stabilized differential difference amplifier) 技术2、模数转换器采用Σ△结构,3、制造工艺采用上华0.6um,5V标准CMOS工艺实现,面积为2mm*2mm。项目进展情况:项目已完成差分差值放大电路,工频陷波电路,带隙基准电路,后级增益调整及各级输出缓冲等模块电路设计仿真,模块电路版图绘制,版图设计规则验证,版图和电路图一致性检查。过采样AD转换器电路及版图设计,整体电路版图的验证,后仿真及电路性能的提高改进是接下来要做的主要工作。技术的应用领域前景分析:随着计算机科学的发展,脑-机交互已成为新的研究热点。基于脑机接口技术开发的医疗仪器和产品可以为运动障碍的残疾人提供一种全新的手段来实现对外界环境的控制。效益分析:本技术市场应用范围广,成本低,利润高,效益可观。厂房条件建议:无备注:无
一种横向功率器件版图结构
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一种横向功率器件版图结构,属于半导体功率器件技术领域。所述横向功率器件在横向截面上形成元胞化排列结构;每个元胞具有相同的结构,由内向外依次是漏电极、轻掺杂漂移区、栅电极和源电极,且漏电极被轻掺杂漂移区所包围,轻掺杂漂移区被栅电极所包围,栅电极被源电极所包围;每个元胞的源电极、栅电极、轻掺杂漂移区和漏电极以及整个元胞的横截面形状相同,为圆形或正n边形,其中n≥3。本发明布局紧凑,无需额外的曲率终端设计,具有比导通电阻低、寄生电容小、开关速度快和电流能力强等优点,可应用于LDMOS、LIGBT等横向功率器件版图结构中。
一种分布式功率放大器优化设计方法
成熟度:正在研发
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本发明公开一种分布式功率放大器优化设计方法,属于集成电路设计自动化领域。与传统的设计方法不同之处在于,在电路版图上先留出片上电感的位置,再采用人工智能优化算法,对片上电感进行优化后建模,然后代入电路进行仿真验证,满足设计要求后将片上电感的版图放至电路版图的预留位置。本发明减少了反复尝试的循环设计过程,因此提高了优化效率,同时可以确保得出的参数是最优的。