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找技术 >高品质大尺寸微波单晶石榴石薄膜材料
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本项目共包括10项授权专利,其中高品质微波单晶薄膜的制备工艺获得3项专利技术,同时将这种单晶薄膜应用在微波器件/结构、太赫兹结构/器件和自旋逻辑器件中等,共获得7项专利技术。本项目突破了我国在3英寸石榴石系列单晶体材料以及相关器件研究上的瓶颈技术,获得了高法拉第效应和低铁磁共振线宽的大尺寸高质量石榴石单晶薄膜材料。满足了国内在磁光、微波及毫米波集成器件方面对石榴石系晶体材料的需求,摆脱了完全依赖进口、受制于人的不利局面。(1)建成了我国第一条大尺寸磁光单晶薄膜液相外延的生产线,最大尺寸达到3英寸,单面薄膜厚度达到1μm-20μm。(2)单晶薄膜具体微波和磁光参数:4πMs=1500-1750Gs,△H=0.6-2.0Oe,Θf≥1.6-2.1度/μm@633nm。(3) 掌握了进行单晶薄膜材料在磁光和微波器件中的设计、制备和测试工作。
无铅镥铋石榴石薄膜制备方法
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
无铅镥铋石榴石薄膜制备方法,属于电子材料领域,特别涉及石榴石薄膜材料的液相外延制备技术。本发明包括以下步骤:步骤一熔体制备:称量高纯氧化物原料Lu↓[2]O↓[3]和Bi↓[2]O↓[3],研磨,混和后熔化并放置,然后降低温度至生长温度;步骤二清洗GGG基片;步骤三将清洗好的基片与熔体液面保持3-15°,缓慢放入熔体中,准备外延生长;步骤四在生长过程中,基片以60-100转/分的速率转动,达到预设的生长时间后,将基片缓慢提离熔体液面;步骤五生长结束后,将基片高速旋转,以甩掉基片上的残留液滴,然后从外延炉中缓慢提起基片避免由于热膨胀引起薄膜开裂;步骤六将薄膜在热硝酸中清洗以去除残余的Bi↓[2]O↓[3]助熔剂。
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无铅镥铋石榴石薄膜制备方法
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无铅镥铋石榴石薄膜制备方法,属于电子材料领域,特别涉及石榴石薄膜材料的液相外延制备技术。本发明包括以下步骤:步骤一熔体制备:称量高纯氧化物原料Lu↓[2]O↓[3]和Bi↓[2]O↓[3],研磨,混和后熔化并放置,然后降低温度至生长温度;步骤二清洗GGG基片;步骤三将清洗好的基片与熔体液面保持3-15°,缓慢放入熔体中,准备外延生长;步骤四在生长过程中,基片以60-100转/分的速率转动,达到预设的生长时间后,将基片缓慢提离熔体液面;步骤五生长结束后,将基片高速旋转,以甩掉基片上的残留液滴,然后从外延炉中缓慢提起基片避免由于热膨胀引起薄膜开裂;步骤六将薄膜在热硝酸中清洗以去除残余的Bi↓[2]O↓[3]助熔剂。
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无铅镥铋石榴石薄膜制备方法
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无铅镥铋石榴石薄膜制备方法,属于电子材料领域,特别涉及石榴石薄膜材料的液相外延制备技术。本发明包括以下步骤:步骤一熔体制备:称量高纯氧化物原料Lu↓[2]O↓[3]和Bi↓[2]O↓[3],研磨,混和后熔化并放置,然后降低温度至生长温度;步骤二清洗GGG基片;步骤三将清洗好的基片与熔体液面保持3-15°,缓慢放入熔体中,准备外延生长;步骤四在生长过程中,基片以60-100转/分的速率转动,达到预设的生长时间后,将基片缓慢提离熔体液面;步骤五生长结束后,将基片高速旋转,以甩掉基片上的残留液滴,然后从外延炉中缓慢提起基片避免由于热膨胀引起薄膜开裂;步骤六将薄膜在热硝酸中清洗以去除残余的Bi↓[2]O↓[3]助熔剂。
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无铅镥铋石榴石薄膜制备方法
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无铅镥铋石榴石薄膜制备方法,属于电子材料领域,特别涉及石榴石薄膜材料的液相外延制备技术。本发明包括以下步骤:步骤一熔体制备:称量高纯氧化物原料Lu↓[2]O↓[3]和Bi↓[2]O↓[3],研磨,混和后熔化并放置,然后降低温度至生长温度;步骤二清洗GGG基片;步骤三将清洗好的基片与熔体液面保持3-15°,缓慢放入熔体中,准备外延生长;步骤四在生长过程中,基片以60-100转/分的速率转动,达到预设的生长时间后,将基片缓慢提离熔体液面;步骤五生长结束后,将基片高速旋转,以甩掉基片上的残留液滴,然后从外延炉中缓慢提起基片避免由于热膨胀引起薄膜开裂;步骤六将薄膜在热硝酸中清洗以去除残余的Bi↓[2]O↓[3]助熔剂。
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本项目共包括10项授权专利,其中高品质微波单晶薄膜的制备工艺获得3项专利技术,同时将这种单晶薄膜应用在微波器件/结构、太赫兹结构/器件和自旋逻辑器件中等,共获得7项专利技术。本项目突破了我国在3英寸石榴石系列单晶体材料以及相关器件研究上的瓶颈技术,获得了高法拉第效应和低铁磁共振线宽的大尺寸高质量石榴石单晶薄膜材料。满足了国内在磁光、微波及毫米波集成器件方面对石榴石系晶体材料的需求,摆脱了完全依赖进口、受制于人的不利局面。(1)建成了我国第一条大尺寸磁光单晶薄膜液相外延的生产线,最大尺寸达到3英寸,单面薄膜厚度达到1μm-20μm。(2)单晶薄膜具体微波和磁光参数:4πMs=1500-1750Gs,△H=0.6-2.0Oe,Θf≥1.6-2.1度/μm@633nm。(3) 掌握了进行单晶薄膜材料在磁光和微波器件中的设计、制备和测试工作。
无铅镥铋石榴石薄膜制备方法
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
无铅镥铋石榴石薄膜制备方法,属于电子材料领域,特别涉及石榴石薄膜材料的液相外延制备技术。本发明包括以下步骤:步骤一熔体制备:称量高纯氧化物原料Lu↓[2]O↓[3]和Bi↓[2]O↓[3],研磨,混和后熔化并放置,然后降低温度至生长温度;步骤二清洗GGG基片;步骤三将清洗好的基片与熔体液面保持3-15°,缓慢放入熔体中,准备外延生长;步骤四在生长过程中,基片以60-100转/分的速率转动,达到预设的生长时间后,将基片缓慢提离熔体液面;步骤五生长结束后,将基片高速旋转,以甩掉基片上的残留液滴,然后从外延炉中缓慢提起基片避免由于热膨胀引起薄膜开裂;步骤六将薄膜在热硝酸中清洗以去除残余的Bi↓[2]O↓[3]助熔剂。
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本项目共包括10项授权专利,其中高品质微波单晶薄膜的制备工艺获得3项专利技术,同时将这种单晶薄膜应用在微波器件/结构、太赫兹结构/器件和自旋逻辑器件中等,共获得7项专利技术。本项目突破了我国在3英寸石榴石系列单晶体材料以及相关器件研究上的瓶颈技术,获得了高法拉第效应和低铁磁共振线宽的大尺寸高质量石榴石单晶薄膜材料。满足了国内在磁光、微波及毫米波集成器件方面对石榴石系晶体材料的需求,摆脱了完全依赖进口、受制于人的不利局面。(1)建成了我国第一条大尺寸磁光单晶薄膜液相外延的生产线,最大尺寸达到3英寸,单面薄膜厚度达到1μm-20μm。(2)单晶薄膜具体微波和磁光参数:4πMs=1500-1750Gs,△H=0.6-2.0Oe,Θf≥1.6-2.1度/μm@633nm。(3) 掌握了进行单晶薄膜材料在磁光和微波器件中的设计、制备和测试工作。
无铅镥铋石榴石薄膜制备方法
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无铅镥铋石榴石薄膜制备方法,属于电子材料领域,特别涉及石榴石薄膜材料的液相外延制备技术。本发明包括以下步骤:步骤一熔体制备:称量高纯氧化物原料Lu↓[2]O↓[3]和Bi↓[2]O↓[3],研磨,混和后熔化并放置,然后降低温度至生长温度;步骤二清洗GGG基片;步骤三将清洗好的基片与熔体液面保持3-15°,缓慢放入熔体中,准备外延生长;步骤四在生长过程中,基片以60-100转/分的速率转动,达到预设的生长时间后,将基片缓慢提离熔体液面;步骤五生长结束后,将基片高速旋转,以甩掉基片上的残留液滴,然后从外延炉中缓慢提起基片避免由于热膨胀引起薄膜开裂;步骤六将薄膜在热硝酸中清洗以去除残余的Bi↓[2]O↓[3]助熔剂。
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本项目共包括10项授权专利,其中高品质微波单晶薄膜的制备工艺获得3项专利技术,同时将这种单晶薄膜应用在微波器件/结构、太赫兹结构/器件和自旋逻辑器件中等,共获得7项专利技术。本项目突破了我国在3英寸石榴石系列单晶体材料以及相关器件研究上的瓶颈技术,获得了高法拉第效应和低铁磁共振线宽的大尺寸高质量石榴石单晶薄膜材料。满足了国内在磁光、微波及毫米波集成器件方面对石榴石系晶体材料的需求,摆脱了完全依赖进口、受制于人的不利局面。(1)建成了我国第一条大尺寸磁光单晶薄膜液相外延的生产线,最大尺寸达到3英寸,单面薄膜厚度达到1μm-20μm。(2)单晶薄膜具体微波和磁光参数:4πMs=1500-1750Gs,△H=0.6-2.0Oe,Θf≥1.6-2.1度/μm@633nm。(3) 掌握了进行单晶薄膜材料在磁光和微波器件中的设计、制备和测试工作。
无铅镥铋石榴石薄膜制备方法
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无铅镥铋石榴石薄膜制备方法,属于电子材料领域,特别涉及石榴石薄膜材料的液相外延制备技术。本发明包括以下步骤:步骤一熔体制备:称量高纯氧化物原料Lu↓[2]O↓[3]和Bi↓[2]O↓[3],研磨,混和后熔化并放置,然后降低温度至生长温度;步骤二清洗GGG基片;步骤三将清洗好的基片与熔体液面保持3-15°,缓慢放入熔体中,准备外延生长;步骤四在生长过程中,基片以60-100转/分的速率转动,达到预设的生长时间后,将基片缓慢提离熔体液面;步骤五生长结束后,将基片高速旋转,以甩掉基片上的残留液滴,然后从外延炉中缓慢提起基片避免由于热膨胀引起薄膜开裂;步骤六将薄膜在热硝酸中清洗以去除残余的Bi↓[2]O↓[3]助熔剂。
找到2项技术成果数据。
找技术 >高品质大尺寸微波单晶石榴石薄膜材料
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本项目共包括10项授权专利,其中高品质微波单晶薄膜的制备工艺获得3项专利技术,同时将这种单晶薄膜应用在微波器件/结构、太赫兹结构/器件和自旋逻辑器件中等,共获得7项专利技术。本项目突破了我国在3英寸石榴石系列单晶体材料以及相关器件研究上的瓶颈技术,获得了高法拉第效应和低铁磁共振线宽的大尺寸高质量石榴石单晶薄膜材料。满足了国内在磁光、微波及毫米波集成器件方面对石榴石系晶体材料的需求,摆脱了完全依赖进口、受制于人的不利局面。(1)建成了我国第一条大尺寸磁光单晶薄膜液相外延的生产线,最大尺寸达到3英寸,单面薄膜厚度达到1μm-20μm。(2)单晶薄膜具体微波和磁光参数:4πMs=1500-1750Gs,△H=0.6-2.0Oe,Θf≥1.6-2.1度/μm@633nm。(3) 掌握了进行单晶薄膜材料在磁光和微波器件中的设计、制备和测试工作。
无铅镥铋石榴石薄膜制备方法
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技术简介
无铅镥铋石榴石薄膜制备方法,属于电子材料领域,特别涉及石榴石薄膜材料的液相外延制备技术。本发明包括以下步骤:步骤一熔体制备:称量高纯氧化物原料Lu↓[2]O↓[3]和Bi↓[2]O↓[3],研磨,混和后熔化并放置,然后降低温度至生长温度;步骤二清洗GGG基片;步骤三将清洗好的基片与熔体液面保持3-15°,缓慢放入熔体中,准备外延生长;步骤四在生长过程中,基片以60-100转/分的速率转动,达到预设的生长时间后,将基片缓慢提离熔体液面;步骤五生长结束后,将基片高速旋转,以甩掉基片上的残留液滴,然后从外延炉中缓慢提起基片避免由于热膨胀引起薄膜开裂;步骤六将薄膜在热硝酸中清洗以去除残余的Bi↓[2]O↓[3]助熔剂。