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找技术 >基于石墨烯的太赫兹波透射型调制器
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明涉及一种墓于石墨烯的太赫兹波透射型调制器,其结构包括将CVD方法产生的单层石墨烯转移到石英玻璃基板上,并将硅/二氧化硅薄膜覆盖在石墨烯上,其中硅/二氧化硅薄膜的表面积要略小于石英玻璃基板的表面积,且硅/二氧化硅薄膜是二氧化硅朝向石墨烯,而金属电极在未覆盖硅/二氧化硅薄膜的石墨烯上,并在硅基板和金属电极上连接调制信号源,最后载波源垂宜入射硅薄膜。本发明调制器为场调制器的一种,在调制信号电压从0V~50V变化,载波源为0.6THz时,调制深度可以得到81.3%,可以对施加的载波源得到很好的调制。本发明结构简单紧凑、体积小,易于集成,控制简单并且使用范围广。
基于磁控溅射技术沉积太阳能电池用硅薄膜的方法
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明一种基于磁控溅射技术沉积太阳能电池用硅薄膜的方法,所制备的硅薄膜厚度为0.01μm~5μm,使用的设备为磁控溅射设备,包括以下步骤: 选取基材,进行前清洗处理;放置于工装架上,送至磁控溅射设备的真空腔室中;工装架在硅薄膜制备过程中保持直线运动,对整个真空腔室进行抽真空;持续通入氩气和氢气的混合气体,并保证工作气压一定;将硅靶材的靶电流增大至0.3A~15A后,或者将硅靶材的靶功率增大至100W~2000W后,维持硅靶材的电参数以进行硅薄膜的沉积,沉积时间为1min~30min。 本发明方法制备过程无有毒且危险气体介入、工艺稳定、安全可靠、重复性好,且制得的硅薄膜沉积速率高、致密性好。
一种利用磁控共溅射法制备铌硅薄膜的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种利用磁控共溅射法制备铌硅薄膜的方法,包括以下步骤:(1)靶材选取,选取纯度均为99.999%均匀掺杂的块状Nb和Si作为磁控共溅射的靶材,将靶材放入磁控共溅射室;(2)衬底处理,对衬底依次用超声波、丙酮、酒精和氩离子清洗,放入磁控共溅射室;(3)制备铌硅薄膜,磁控共溅射室的真空度小于等于2×10-5
一种光吸收增强的开口型硅薄膜球壳阵列结构的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
一种光吸收增强的开口型硅薄膜球壳阵列结构的制备方法,在基材表面制备一层金属材料,在金属层表面制备紧密排列的单层二氧化硅纳米的粒子阵列,然后在粒子阵列上沉积硅薄膜,在硅薄膜表面制备聚合物层,再将金属层利用酸溶液溶解使得硅膜结构与基材脱离,然后以聚合物层为基底,选择性刻蚀二氧化硅纳米粒子表面的硅薄膜并部分暴露出二氧化硅粒子阵列,最后用氢氟酸去除二氧化硅粒子,形成以聚合物层为基底的开口型硅薄膜球壳阵列结构,开口型硅薄膜球壳阵列结构能够实现硅膜吸收效率大幅提高。
一种利用磁控共溅射法制备超薄钨硅薄膜的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了利用磁控共溅射法制备超薄钨硅薄膜的方法,其特征在于,包括以下步骤:靶材选取,选取高纯硅和钨作为靶材,将靶材放入磁控共溅射室;衬底处理,对衬底依次用超声波和氩离子清洗,将处理后的衬底送入磁控共溅射室,置于样品台上;制备钨硅薄膜,磁控共溅射室的真空度小于等于2×10-5Pa,工作气体是氩气,调节溅射气压、溅射功率、沉积速率和靶材到衬底的距离,经过一定时间溅射制备钨硅薄膜。本发明制备出了符合预期,较为稳定的WSi超导薄膜,并优化获得了最佳制备条件,为制备高灵敏的超导单光子探测器(SNSPD)奠定了基础。
InN材料作衬底或缓冲层制备InN/锗或InN/硅薄膜及制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
InN材料作衬底或缓冲层制备InN/锗或InN/硅薄膜,InN材料作衬底或缓冲层,并在上面制备InN/锗或InN/硅薄膜,InN材料缓冲层的厚度为100纳米以上,在其上制备单层或n层锗或硅薄膜,每层锗或硅薄膜的厚度为50纳米以上。本发明在200-1150℃生长温度范围内,采用MOCVD、CVD、HVPE或MBE生长技术生长InN/锗或InN/硅薄膜。利用Ge(111)和InN之间不太大的晶格失配比(9%)以及带隙的细微差别(40meV)得到异质结构。这种异质结构用于生产异质结双极型晶体管(HBTs)以及红外光探测器的优点很多。
一种高锗含量锗硅薄膜的低温外延制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种高锗含量锗硅薄膜的低温外延制备方法,具体步骤包括(1)提供(100)晶面的硅衬底;(2)在1350℃的高温下对硅衬底进行去氧化处理,去氧化时间为10分钟;(3)通过分子束外延的方法,在去氧化后的硅衬底之上生长一层20‑50nm厚的硅缓冲层,生长温度为700℃;(4)将硅缓冲层降温到生长温度,该生长温度在300℃以下,然后生长GexSi1‑x合金,通过改变Ge和Si的生长速率调节Ge的含量,也就是x值。本发明可以在硅片上直接低温生长晶格常数可调的高质量锗硅(GexSi1‑x)薄膜材料,锗含量最高可达83%。该方法无需采用逐步提高锗含量的逐层生长模式,其操作更简单,成本更低。
硅基薄膜太阳能电池制备技术
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
p 一、 成果简介太阳能是大自然赐予人类最清洁,最丰富的能源资源,目前商用的太阳能电池以晶体硅 电池为主,由于晶体硅消耗硅料较多,近年来人们一直致力于开发硅薄膜电池。非晶硅薄膜 电池已经实现了商业化生产并有了一定的市场份额,但它仍存在不足之处,包括光致衰减效 应和转换效率不高(约6%)等。本项目在国家863计划课题(2006AA03Z219)支持下,开展了 以多晶硅薄膜、微晶硅薄膜和纳米晶薄膜的制备和相关材料的单结与叠层硅基太阳能电池关 键技术研究。二、 创新点以及主要技术指标1.利用LPCVD方法和自扩散技术生长多晶硅p-n结,结合层转移技术制备多晶硅薄膜 太阳能电池;2.采用金属诱导晶化和快速热处理技术实现优质多晶硅薄膜的制备并在低温下制备太 阳能电池;3.在PECVD和HWCVD生长硅薄膜时,通过生长温度,气体流量,氢气稀释比,腔 室气压等参数实现微晶硅或者纳米晶薄膜的生长;4.采用双层膜技术减小表面处入射光的反射并实现表面钝化,提高入射光的收集率和 少数载流子寿命;5.采用高低结结构增加光生载流子的收集效率;6.采用隧道结技术实现叠层太阳能电池的制备,扩展电池的光谱收集范围,提高电池 的转换效率。 img title="e:\k8008\qiuchengcai\桌面\成果图片\南航成果图片\太阳能\图片15.png" alt="e:\k8008\qiuchengcai\桌面\成果图片\南航成果图片\太阳能\图片15.png" src="https://ue-upload.1633.com/2020/0429/1519412546934.png"/ img title="e:\k8008\qiuchengcai\桌面\成果图片\南航成果图片\太阳能\图片16.png" alt="e:\k8008\qiuchengcai\桌面\成果图片\南航成果图片\太阳能\图片16.png" src="https://ue-upload.1633.com/2020/0429/1520258447240.png"/ /p
一种硅薄膜表面减反射结构的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
一种硅薄膜表面减反射结构的制备方法(专利号201210192703.X)为;1、硅薄膜制备:首先将纯度99.9999%的硅靶、纯度99.999%的银靶和廉价硅片基体依次装入真空室中,然后将真空室抽真空,之后向真空室通入氩气,最后在所述基体上沉积厚度为0.3~5微米的多晶硅薄膜;2、银纳米粒子沉积:在步骤1中最终所获的多晶硅薄膜上继续沉积银纳米粒子,所沉积的银纳米粒子厚度为2~20纳米;3、贵金属银纳米粒子催化刻蚀;4、银纳米粒子去除:将步骤3中最终所获发黑硅薄膜用质量分数为20~40%硝酸溶液室温下浸泡10~30分钟,以去除残留在所述发黑硅薄膜上的银纳米粒子,再先后用蒸馏水和乙醇冲洗干净,冷风吹干。本发明具有多孔结构,具有成本低、减反射效果好和稳定性高的特性。
一种基于硅薄膜材料的静电式扬声器
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种基于硅薄膜材料的静电式扬声器,包括定型夹具、声辐射孔板、振膜、硅支撑环和绝缘垫。其中,振膜为硅薄膜,硅薄膜表面附有一层金属导电层;硅薄膜通过共价键与外围的硅支撑环相连;绝缘垫设置在声辐射孔板与硅支撑环之间;定型夹具将声辐射孔板、硅支撑环和绝缘垫三部分固定。本发明运用大面积自支撑硅薄膜制作静电式扬声器,具有较宽的频率响应范围(20Hz‑65kHz),改善了扬声器在音频段(20Hz‑20kHz),和高频段(20kHz)的频率响应特征,并且具有耐高温和防水的特性,改善了由于温度及湿度变化带来的振膜材料老化现象以及损坏现象,增强了扬声器的稳定性。
找到11项技术成果数据。
找技术 >基于石墨烯的太赫兹波透射型调制器
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明涉及一种墓于石墨烯的太赫兹波透射型调制器,其结构包括将CVD方法产生的单层石墨烯转移到石英玻璃基板上,并将硅/二氧化硅薄膜覆盖在石墨烯上,其中硅/二氧化硅薄膜的表面积要略小于石英玻璃基板的表面积,且硅/二氧化硅薄膜是二氧化硅朝向石墨烯,而金属电极在未覆盖硅/二氧化硅薄膜的石墨烯上,并在硅基板和金属电极上连接调制信号源,最后载波源垂宜入射硅薄膜。本发明调制器为场调制器的一种,在调制信号电压从0V~50V变化,载波源为0.6THz时,调制深度可以得到81.3%,可以对施加的载波源得到很好的调制。本发明结构简单紧凑、体积小,易于集成,控制简单并且使用范围广。
基于磁控溅射技术沉积太阳能电池用硅薄膜的方法
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明一种基于磁控溅射技术沉积太阳能电池用硅薄膜的方法,所制备的硅薄膜厚度为0.01μm~5μm,使用的设备为磁控溅射设备,包括以下步骤: 选取基材,进行前清洗处理;放置于工装架上,送至磁控溅射设备的真空腔室中;工装架在硅薄膜制备过程中保持直线运动,对整个真空腔室进行抽真空;持续通入氩气和氢气的混合气体,并保证工作气压一定;将硅靶材的靶电流增大至0.3A~15A后,或者将硅靶材的靶功率增大至100W~2000W后,维持硅靶材的电参数以进行硅薄膜的沉积,沉积时间为1min~30min。 本发明方法制备过程无有毒且危险气体介入、工艺稳定、安全可靠、重复性好,且制得的硅薄膜沉积速率高、致密性好。
一种利用磁控共溅射法制备铌硅薄膜的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种利用磁控共溅射法制备铌硅薄膜的方法,包括以下步骤:(1)靶材选取,选取纯度均为99.999%均匀掺杂的块状Nb和Si作为磁控共溅射的靶材,将靶材放入磁控共溅射室;(2)衬底处理,对衬底依次用超声波、丙酮、酒精和氩离子清洗,放入磁控共溅射室;(3)制备铌硅薄膜,磁控共溅射室的真空度小于等于2×10-5
一种光吸收增强的开口型硅薄膜球壳阵列结构的制备方法
成熟度:正在研发
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一种光吸收增强的开口型硅薄膜球壳阵列结构的制备方法,在基材表面制备一层金属材料,在金属层表面制备紧密排列的单层二氧化硅纳米的粒子阵列,然后在粒子阵列上沉积硅薄膜,在硅薄膜表面制备聚合物层,再将金属层利用酸溶液溶解使得硅膜结构与基材脱离,然后以聚合物层为基底,选择性刻蚀二氧化硅纳米粒子表面的硅薄膜并部分暴露出二氧化硅粒子阵列,最后用氢氟酸去除二氧化硅粒子,形成以聚合物层为基底的开口型硅薄膜球壳阵列结构,开口型硅薄膜球壳阵列结构能够实现硅膜吸收效率大幅提高。
一种利用磁控共溅射法制备超薄钨硅薄膜的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了利用磁控共溅射法制备超薄钨硅薄膜的方法,其特征在于,包括以下步骤:靶材选取,选取高纯硅和钨作为靶材,将靶材放入磁控共溅射室;衬底处理,对衬底依次用超声波和氩离子清洗,将处理后的衬底送入磁控共溅射室,置于样品台上;制备钨硅薄膜,磁控共溅射室的真空度小于等于2×10-5Pa,工作气体是氩气,调节溅射气压、溅射功率、沉积速率和靶材到衬底的距离,经过一定时间溅射制备钨硅薄膜。本发明制备出了符合预期,较为稳定的WSi超导薄膜,并优化获得了最佳制备条件,为制备高灵敏的超导单光子探测器(SNSPD)奠定了基础。
InN材料作衬底或缓冲层制备InN/锗或InN/硅薄膜及制备方法
成熟度:正在研发
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技术简介
InN材料作衬底或缓冲层制备InN/锗或InN/硅薄膜,InN材料作衬底或缓冲层,并在上面制备InN/锗或InN/硅薄膜,InN材料缓冲层的厚度为100纳米以上,在其上制备单层或n层锗或硅薄膜,每层锗或硅薄膜的厚度为50纳米以上。本发明在200-1150℃生长温度范围内,采用MOCVD、CVD、HVPE或MBE生长技术生长InN/锗或InN/硅薄膜。利用Ge(111)和InN之间不太大的晶格失配比(9%)以及带隙的细微差别(40meV)得到异质结构。这种异质结构用于生产异质结双极型晶体管(HBTs)以及红外光探测器的优点很多。
一种高锗含量锗硅薄膜的低温外延制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种高锗含量锗硅薄膜的低温外延制备方法,具体步骤包括(1)提供(100)晶面的硅衬底;(2)在1350℃的高温下对硅衬底进行去氧化处理,去氧化时间为10分钟;(3)通过分子束外延的方法,在去氧化后的硅衬底之上生长一层20‑50nm厚的硅缓冲层,生长温度为700℃;(4)将硅缓冲层降温到生长温度,该生长温度在300℃以下,然后生长GexSi1‑x合金,通过改变Ge和Si的生长速率调节Ge的含量,也就是x值。本发明可以在硅片上直接低温生长晶格常数可调的高质量锗硅(GexSi1‑x)薄膜材料,锗含量最高可达83%。该方法无需采用逐步提高锗含量的逐层生长模式,其操作更简单,成本更低。
硅基薄膜太阳能电池制备技术
成熟度:正在研发
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技术简介
p 一、 成果简介太阳能是大自然赐予人类最清洁,最丰富的能源资源,目前商用的太阳能电池以晶体硅 电池为主,由于晶体硅消耗硅料较多,近年来人们一直致力于开发硅薄膜电池。非晶硅薄膜 电池已经实现了商业化生产并有了一定的市场份额,但它仍存在不足之处,包括光致衰减效 应和转换效率不高(约6%)等。本项目在国家863计划课题(2006AA03Z219)支持下,开展了 以多晶硅薄膜、微晶硅薄膜和纳米晶薄膜的制备和相关材料的单结与叠层硅基太阳能电池关 键技术研究。二、 创新点以及主要技术指标1.利用LPCVD方法和自扩散技术生长多晶硅p-n结,结合层转移技术制备多晶硅薄膜 太阳能电池;2.采用金属诱导晶化和快速热处理技术实现优质多晶硅薄膜的制备并在低温下制备太 阳能电池;3.在PECVD和HWCVD生长硅薄膜时,通过生长温度,气体流量,氢气稀释比,腔 室气压等参数实现微晶硅或者纳米晶薄膜的生长;4.采用双层膜技术减小表面处入射光的反射并实现表面钝化,提高入射光的收集率和 少数载流子寿命;5.采用高低结结构增加光生载流子的收集效率;6.采用隧道结技术实现叠层太阳能电池的制备,扩展电池的光谱收集范围,提高电池 的转换效率。 img title="e:\k8008\qiuchengcai\桌面\成果图片\南航成果图片\太阳能\图片15.png" alt="e:\k8008\qiuchengcai\桌面\成果图片\南航成果图片\太阳能\图片15.png" src="https://ue-upload.1633.com/2020/0429/1519412546934.png"/ img title="e:\k8008\qiuchengcai\桌面\成果图片\南航成果图片\太阳能\图片16.png" alt="e:\k8008\qiuchengcai\桌面\成果图片\南航成果图片\太阳能\图片16.png" src="https://ue-upload.1633.com/2020/0429/1520258447240.png"/ /p
一种硅薄膜表面减反射结构的制备方法
成熟度:正在研发
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一种硅薄膜表面减反射结构的制备方法(专利号201210192703.X)为;1、硅薄膜制备:首先将纯度99.9999%的硅靶、纯度99.999%的银靶和廉价硅片基体依次装入真空室中,然后将真空室抽真空,之后向真空室通入氩气,最后在所述基体上沉积厚度为0.3~5微米的多晶硅薄膜;2、银纳米粒子沉积:在步骤1中最终所获的多晶硅薄膜上继续沉积银纳米粒子,所沉积的银纳米粒子厚度为2~20纳米;3、贵金属银纳米粒子催化刻蚀;4、银纳米粒子去除:将步骤3中最终所获发黑硅薄膜用质量分数为20~40%硝酸溶液室温下浸泡10~30分钟,以去除残留在所述发黑硅薄膜上的银纳米粒子,再先后用蒸馏水和乙醇冲洗干净,冷风吹干。本发明具有多孔结构,具有成本低、减反射效果好和稳定性高的特性。
一种基于硅薄膜材料的静电式扬声器
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种基于硅薄膜材料的静电式扬声器,包括定型夹具、声辐射孔板、振膜、硅支撑环和绝缘垫。其中,振膜为硅薄膜,硅薄膜表面附有一层金属导电层;硅薄膜通过共价键与外围的硅支撑环相连;绝缘垫设置在声辐射孔板与硅支撑环之间;定型夹具将声辐射孔板、硅支撑环和绝缘垫三部分固定。本发明运用大面积自支撑硅薄膜制作静电式扬声器,具有较宽的频率响应范围(20Hz‑65kHz),改善了扬声器在音频段(20Hz‑20kHz),和高频段(20kHz)的频率响应特征,并且具有耐高温和防水的特性,改善了由于温度及湿度变化带来的振膜材料老化现象以及损坏现象,增强了扬声器的稳定性。
找到11项技术成果数据。
找技术 >基于石墨烯的太赫兹波透射型调制器
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技术简介
摘要:本发明涉及一种墓于石墨烯的太赫兹波透射型调制器,其结构包括将CVD方法产生的单层石墨烯转移到石英玻璃基板上,并将硅/二氧化硅薄膜覆盖在石墨烯上,其中硅/二氧化硅薄膜的表面积要略小于石英玻璃基板的表面积,且硅/二氧化硅薄膜是二氧化硅朝向石墨烯,而金属电极在未覆盖硅/二氧化硅薄膜的石墨烯上,并在硅基板和金属电极上连接调制信号源,最后载波源垂宜入射硅薄膜。本发明调制器为场调制器的一种,在调制信号电压从0V~50V变化,载波源为0.6THz时,调制深度可以得到81.3%,可以对施加的载波源得到很好的调制。本发明结构简单紧凑、体积小,易于集成,控制简单并且使用范围广。
基于磁控溅射技术沉积太阳能电池用硅薄膜的方法
成熟度:-
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应用行业:制造业
技术简介
本发明一种基于磁控溅射技术沉积太阳能电池用硅薄膜的方法,所制备的硅薄膜厚度为0.01μm~5μm,使用的设备为磁控溅射设备,包括以下步骤: 选取基材,进行前清洗处理;放置于工装架上,送至磁控溅射设备的真空腔室中;工装架在硅薄膜制备过程中保持直线运动,对整个真空腔室进行抽真空;持续通入氩气和氢气的混合气体,并保证工作气压一定;将硅靶材的靶电流增大至0.3A~15A后,或者将硅靶材的靶功率增大至100W~2000W后,维持硅靶材的电参数以进行硅薄膜的沉积,沉积时间为1min~30min。 本发明方法制备过程无有毒且危险气体介入、工艺稳定、安全可靠、重复性好,且制得的硅薄膜沉积速率高、致密性好。
一种利用磁控共溅射法制备铌硅薄膜的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
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技术简介
本发明公开了一种利用磁控共溅射法制备铌硅薄膜的方法,包括以下步骤:(1)靶材选取,选取纯度均为99.999%均匀掺杂的块状Nb和Si作为磁控共溅射的靶材,将靶材放入磁控共溅射室;(2)衬底处理,对衬底依次用超声波、丙酮、酒精和氩离子清洗,放入磁控共溅射室;(3)制备铌硅薄膜,磁控共溅射室的真空度小于等于2×10-5
一种光吸收增强的开口型硅薄膜球壳阵列结构的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
一种光吸收增强的开口型硅薄膜球壳阵列结构的制备方法,在基材表面制备一层金属材料,在金属层表面制备紧密排列的单层二氧化硅纳米的粒子阵列,然后在粒子阵列上沉积硅薄膜,在硅薄膜表面制备聚合物层,再将金属层利用酸溶液溶解使得硅膜结构与基材脱离,然后以聚合物层为基底,选择性刻蚀二氧化硅纳米粒子表面的硅薄膜并部分暴露出二氧化硅粒子阵列,最后用氢氟酸去除二氧化硅粒子,形成以聚合物层为基底的开口型硅薄膜球壳阵列结构,开口型硅薄膜球壳阵列结构能够实现硅膜吸收效率大幅提高。
一种利用磁控共溅射法制备超薄钨硅薄膜的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了利用磁控共溅射法制备超薄钨硅薄膜的方法,其特征在于,包括以下步骤:靶材选取,选取高纯硅和钨作为靶材,将靶材放入磁控共溅射室;衬底处理,对衬底依次用超声波和氩离子清洗,将处理后的衬底送入磁控共溅射室,置于样品台上;制备钨硅薄膜,磁控共溅射室的真空度小于等于2×10-5Pa,工作气体是氩气,调节溅射气压、溅射功率、沉积速率和靶材到衬底的距离,经过一定时间溅射制备钨硅薄膜。本发明制备出了符合预期,较为稳定的WSi超导薄膜,并优化获得了最佳制备条件,为制备高灵敏的超导单光子探测器(SNSPD)奠定了基础。
InN材料作衬底或缓冲层制备InN/锗或InN/硅薄膜及制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
InN材料作衬底或缓冲层制备InN/锗或InN/硅薄膜,InN材料作衬底或缓冲层,并在上面制备InN/锗或InN/硅薄膜,InN材料缓冲层的厚度为100纳米以上,在其上制备单层或n层锗或硅薄膜,每层锗或硅薄膜的厚度为50纳米以上。本发明在200-1150℃生长温度范围内,采用MOCVD、CVD、HVPE或MBE生长技术生长InN/锗或InN/硅薄膜。利用Ge(111)和InN之间不太大的晶格失配比(9%)以及带隙的细微差别(40meV)得到异质结构。这种异质结构用于生产异质结双极型晶体管(HBTs)以及红外光探测器的优点很多。
一种高锗含量锗硅薄膜的低温外延制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种高锗含量锗硅薄膜的低温外延制备方法,具体步骤包括(1)提供(100)晶面的硅衬底;(2)在1350℃的高温下对硅衬底进行去氧化处理,去氧化时间为10分钟;(3)通过分子束外延的方法,在去氧化后的硅衬底之上生长一层20‑50nm厚的硅缓冲层,生长温度为700℃;(4)将硅缓冲层降温到生长温度,该生长温度在300℃以下,然后生长GexSi1‑x合金,通过改变Ge和Si的生长速率调节Ge的含量,也就是x值。本发明可以在硅片上直接低温生长晶格常数可调的高质量锗硅(GexSi1‑x)薄膜材料,锗含量最高可达83%。该方法无需采用逐步提高锗含量的逐层生长模式,其操作更简单,成本更低。
硅基薄膜太阳能电池制备技术
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
p 一、 成果简介太阳能是大自然赐予人类最清洁,最丰富的能源资源,目前商用的太阳能电池以晶体硅 电池为主,由于晶体硅消耗硅料较多,近年来人们一直致力于开发硅薄膜电池。非晶硅薄膜 电池已经实现了商业化生产并有了一定的市场份额,但它仍存在不足之处,包括光致衰减效 应和转换效率不高(约6%)等。本项目在国家863计划课题(2006AA03Z219)支持下,开展了 以多晶硅薄膜、微晶硅薄膜和纳米晶薄膜的制备和相关材料的单结与叠层硅基太阳能电池关 键技术研究。二、 创新点以及主要技术指标1.利用LPCVD方法和自扩散技术生长多晶硅p-n结,结合层转移技术制备多晶硅薄膜 太阳能电池;2.采用金属诱导晶化和快速热处理技术实现优质多晶硅薄膜的制备并在低温下制备太 阳能电池;3.在PECVD和HWCVD生长硅薄膜时,通过生长温度,气体流量,氢气稀释比,腔 室气压等参数实现微晶硅或者纳米晶薄膜的生长;4.采用双层膜技术减小表面处入射光的反射并实现表面钝化,提高入射光的收集率和 少数载流子寿命;5.采用高低结结构增加光生载流子的收集效率;6.采用隧道结技术实现叠层太阳能电池的制备,扩展电池的光谱收集范围,提高电池 的转换效率。 img title="e:\k8008\qiuchengcai\桌面\成果图片\南航成果图片\太阳能\图片15.png" alt="e:\k8008\qiuchengcai\桌面\成果图片\南航成果图片\太阳能\图片15.png" src="https://ue-upload.1633.com/2020/0429/1519412546934.png"/ img title="e:\k8008\qiuchengcai\桌面\成果图片\南航成果图片\太阳能\图片16.png" alt="e:\k8008\qiuchengcai\桌面\成果图片\南航成果图片\太阳能\图片16.png" src="https://ue-upload.1633.com/2020/0429/1520258447240.png"/ /p
一种硅薄膜表面减反射结构的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
一种硅薄膜表面减反射结构的制备方法(专利号201210192703.X)为;1、硅薄膜制备:首先将纯度99.9999%的硅靶、纯度99.999%的银靶和廉价硅片基体依次装入真空室中,然后将真空室抽真空,之后向真空室通入氩气,最后在所述基体上沉积厚度为0.3~5微米的多晶硅薄膜;2、银纳米粒子沉积:在步骤1中最终所获的多晶硅薄膜上继续沉积银纳米粒子,所沉积的银纳米粒子厚度为2~20纳米;3、贵金属银纳米粒子催化刻蚀;4、银纳米粒子去除:将步骤3中最终所获发黑硅薄膜用质量分数为20~40%硝酸溶液室温下浸泡10~30分钟,以去除残留在所述发黑硅薄膜上的银纳米粒子,再先后用蒸馏水和乙醇冲洗干净,冷风吹干。本发明具有多孔结构,具有成本低、减反射效果好和稳定性高的特性。
一种基于硅薄膜材料的静电式扬声器
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种基于硅薄膜材料的静电式扬声器,包括定型夹具、声辐射孔板、振膜、硅支撑环和绝缘垫。其中,振膜为硅薄膜,硅薄膜表面附有一层金属导电层;硅薄膜通过共价键与外围的硅支撑环相连;绝缘垫设置在声辐射孔板与硅支撑环之间;定型夹具将声辐射孔板、硅支撑环和绝缘垫三部分固定。本发明运用大面积自支撑硅薄膜制作静电式扬声器,具有较宽的频率响应范围(20Hz‑65kHz),改善了扬声器在音频段(20Hz‑20kHz),和高频段(20kHz)的频率响应特征,并且具有耐高温和防水的特性,改善了由于温度及湿度变化带来的振膜材料老化现象以及损坏现象,增强了扬声器的稳定性。
找到11项技术成果数据。
找技术 >基于石墨烯的太赫兹波透射型调制器
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明涉及一种墓于石墨烯的太赫兹波透射型调制器,其结构包括将CVD方法产生的单层石墨烯转移到石英玻璃基板上,并将硅/二氧化硅薄膜覆盖在石墨烯上,其中硅/二氧化硅薄膜的表面积要略小于石英玻璃基板的表面积,且硅/二氧化硅薄膜是二氧化硅朝向石墨烯,而金属电极在未覆盖硅/二氧化硅薄膜的石墨烯上,并在硅基板和金属电极上连接调制信号源,最后载波源垂宜入射硅薄膜。本发明调制器为场调制器的一种,在调制信号电压从0V~50V变化,载波源为0.6THz时,调制深度可以得到81.3%,可以对施加的载波源得到很好的调制。本发明结构简单紧凑、体积小,易于集成,控制简单并且使用范围广。
基于磁控溅射技术沉积太阳能电池用硅薄膜的方法
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明一种基于磁控溅射技术沉积太阳能电池用硅薄膜的方法,所制备的硅薄膜厚度为0.01μm~5μm,使用的设备为磁控溅射设备,包括以下步骤: 选取基材,进行前清洗处理;放置于工装架上,送至磁控溅射设备的真空腔室中;工装架在硅薄膜制备过程中保持直线运动,对整个真空腔室进行抽真空;持续通入氩气和氢气的混合气体,并保证工作气压一定;将硅靶材的靶电流增大至0.3A~15A后,或者将硅靶材的靶功率增大至100W~2000W后,维持硅靶材的电参数以进行硅薄膜的沉积,沉积时间为1min~30min。 本发明方法制备过程无有毒且危险气体介入、工艺稳定、安全可靠、重复性好,且制得的硅薄膜沉积速率高、致密性好。
一种利用磁控共溅射法制备铌硅薄膜的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种利用磁控共溅射法制备铌硅薄膜的方法,包括以下步骤:(1)靶材选取,选取纯度均为99.999%均匀掺杂的块状Nb和Si作为磁控共溅射的靶材,将靶材放入磁控共溅射室;(2)衬底处理,对衬底依次用超声波、丙酮、酒精和氩离子清洗,放入磁控共溅射室;(3)制备铌硅薄膜,磁控共溅射室的真空度小于等于2×10-5
一种光吸收增强的开口型硅薄膜球壳阵列结构的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
一种光吸收增强的开口型硅薄膜球壳阵列结构的制备方法,在基材表面制备一层金属材料,在金属层表面制备紧密排列的单层二氧化硅纳米的粒子阵列,然后在粒子阵列上沉积硅薄膜,在硅薄膜表面制备聚合物层,再将金属层利用酸溶液溶解使得硅膜结构与基材脱离,然后以聚合物层为基底,选择性刻蚀二氧化硅纳米粒子表面的硅薄膜并部分暴露出二氧化硅粒子阵列,最后用氢氟酸去除二氧化硅粒子,形成以聚合物层为基底的开口型硅薄膜球壳阵列结构,开口型硅薄膜球壳阵列结构能够实现硅膜吸收效率大幅提高。
一种利用磁控共溅射法制备超薄钨硅薄膜的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了利用磁控共溅射法制备超薄钨硅薄膜的方法,其特征在于,包括以下步骤:靶材选取,选取高纯硅和钨作为靶材,将靶材放入磁控共溅射室;衬底处理,对衬底依次用超声波和氩离子清洗,将处理后的衬底送入磁控共溅射室,置于样品台上;制备钨硅薄膜,磁控共溅射室的真空度小于等于2×10-5Pa,工作气体是氩气,调节溅射气压、溅射功率、沉积速率和靶材到衬底的距离,经过一定时间溅射制备钨硅薄膜。本发明制备出了符合预期,较为稳定的WSi超导薄膜,并优化获得了最佳制备条件,为制备高灵敏的超导单光子探测器(SNSPD)奠定了基础。
InN材料作衬底或缓冲层制备InN/锗或InN/硅薄膜及制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
InN材料作衬底或缓冲层制备InN/锗或InN/硅薄膜,InN材料作衬底或缓冲层,并在上面制备InN/锗或InN/硅薄膜,InN材料缓冲层的厚度为100纳米以上,在其上制备单层或n层锗或硅薄膜,每层锗或硅薄膜的厚度为50纳米以上。本发明在200-1150℃生长温度范围内,采用MOCVD、CVD、HVPE或MBE生长技术生长InN/锗或InN/硅薄膜。利用Ge(111)和InN之间不太大的晶格失配比(9%)以及带隙的细微差别(40meV)得到异质结构。这种异质结构用于生产异质结双极型晶体管(HBTs)以及红外光探测器的优点很多。
一种高锗含量锗硅薄膜的低温外延制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种高锗含量锗硅薄膜的低温外延制备方法,具体步骤包括(1)提供(100)晶面的硅衬底;(2)在1350℃的高温下对硅衬底进行去氧化处理,去氧化时间为10分钟;(3)通过分子束外延的方法,在去氧化后的硅衬底之上生长一层20‑50nm厚的硅缓冲层,生长温度为700℃;(4)将硅缓冲层降温到生长温度,该生长温度在300℃以下,然后生长GexSi1‑x合金,通过改变Ge和Si的生长速率调节Ge的含量,也就是x值。本发明可以在硅片上直接低温生长晶格常数可调的高质量锗硅(GexSi1‑x)薄膜材料,锗含量最高可达83%。该方法无需采用逐步提高锗含量的逐层生长模式,其操作更简单,成本更低。
硅基薄膜太阳能电池制备技术
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
p 一、 成果简介太阳能是大自然赐予人类最清洁,最丰富的能源资源,目前商用的太阳能电池以晶体硅 电池为主,由于晶体硅消耗硅料较多,近年来人们一直致力于开发硅薄膜电池。非晶硅薄膜 电池已经实现了商业化生产并有了一定的市场份额,但它仍存在不足之处,包括光致衰减效 应和转换效率不高(约6%)等。本项目在国家863计划课题(2006AA03Z219)支持下,开展了 以多晶硅薄膜、微晶硅薄膜和纳米晶薄膜的制备和相关材料的单结与叠层硅基太阳能电池关 键技术研究。二、 创新点以及主要技术指标1.利用LPCVD方法和自扩散技术生长多晶硅p-n结,结合层转移技术制备多晶硅薄膜 太阳能电池;2.采用金属诱导晶化和快速热处理技术实现优质多晶硅薄膜的制备并在低温下制备太 阳能电池;3.在PECVD和HWCVD生长硅薄膜时,通过生长温度,气体流量,氢气稀释比,腔 室气压等参数实现微晶硅或者纳米晶薄膜的生长;4.采用双层膜技术减小表面处入射光的反射并实现表面钝化,提高入射光的收集率和 少数载流子寿命;5.采用高低结结构增加光生载流子的收集效率;6.采用隧道结技术实现叠层太阳能电池的制备,扩展电池的光谱收集范围,提高电池 的转换效率。 img title="e:\k8008\qiuchengcai\桌面\成果图片\南航成果图片\太阳能\图片15.png" alt="e:\k8008\qiuchengcai\桌面\成果图片\南航成果图片\太阳能\图片15.png" src="https://ue-upload.1633.com/2020/0429/1519412546934.png"/ img title="e:\k8008\qiuchengcai\桌面\成果图片\南航成果图片\太阳能\图片16.png" alt="e:\k8008\qiuchengcai\桌面\成果图片\南航成果图片\太阳能\图片16.png" src="https://ue-upload.1633.com/2020/0429/1520258447240.png"/ /p
一种硅薄膜表面减反射结构的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
一种硅薄膜表面减反射结构的制备方法(专利号201210192703.X)为;1、硅薄膜制备:首先将纯度99.9999%的硅靶、纯度99.999%的银靶和廉价硅片基体依次装入真空室中,然后将真空室抽真空,之后向真空室通入氩气,最后在所述基体上沉积厚度为0.3~5微米的多晶硅薄膜;2、银纳米粒子沉积:在步骤1中最终所获的多晶硅薄膜上继续沉积银纳米粒子,所沉积的银纳米粒子厚度为2~20纳米;3、贵金属银纳米粒子催化刻蚀;4、银纳米粒子去除:将步骤3中最终所获发黑硅薄膜用质量分数为20~40%硝酸溶液室温下浸泡10~30分钟,以去除残留在所述发黑硅薄膜上的银纳米粒子,再先后用蒸馏水和乙醇冲洗干净,冷风吹干。本发明具有多孔结构,具有成本低、减反射效果好和稳定性高的特性。
一种基于硅薄膜材料的静电式扬声器
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种基于硅薄膜材料的静电式扬声器,包括定型夹具、声辐射孔板、振膜、硅支撑环和绝缘垫。其中,振膜为硅薄膜,硅薄膜表面附有一层金属导电层;硅薄膜通过共价键与外围的硅支撑环相连;绝缘垫设置在声辐射孔板与硅支撑环之间;定型夹具将声辐射孔板、硅支撑环和绝缘垫三部分固定。本发明运用大面积自支撑硅薄膜制作静电式扬声器,具有较宽的频率响应范围(20Hz‑65kHz),改善了扬声器在音频段(20Hz‑20kHz),和高频段(20kHz)的频率响应特征,并且具有耐高温和防水的特性,改善了由于温度及湿度变化带来的振膜材料老化现象以及损坏现象,增强了扬声器的稳定性。
找到11项技术成果数据。
找技术 >基于石墨烯的太赫兹波透射型调制器
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明涉及一种墓于石墨烯的太赫兹波透射型调制器,其结构包括将CVD方法产生的单层石墨烯转移到石英玻璃基板上,并将硅/二氧化硅薄膜覆盖在石墨烯上,其中硅/二氧化硅薄膜的表面积要略小于石英玻璃基板的表面积,且硅/二氧化硅薄膜是二氧化硅朝向石墨烯,而金属电极在未覆盖硅/二氧化硅薄膜的石墨烯上,并在硅基板和金属电极上连接调制信号源,最后载波源垂宜入射硅薄膜。本发明调制器为场调制器的一种,在调制信号电压从0V~50V变化,载波源为0.6THz时,调制深度可以得到81.3%,可以对施加的载波源得到很好的调制。本发明结构简单紧凑、体积小,易于集成,控制简单并且使用范围广。
基于磁控溅射技术沉积太阳能电池用硅薄膜的方法
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明一种基于磁控溅射技术沉积太阳能电池用硅薄膜的方法,所制备的硅薄膜厚度为0.01μm~5μm,使用的设备为磁控溅射设备,包括以下步骤: 选取基材,进行前清洗处理;放置于工装架上,送至磁控溅射设备的真空腔室中;工装架在硅薄膜制备过程中保持直线运动,对整个真空腔室进行抽真空;持续通入氩气和氢气的混合气体,并保证工作气压一定;将硅靶材的靶电流增大至0.3A~15A后,或者将硅靶材的靶功率增大至100W~2000W后,维持硅靶材的电参数以进行硅薄膜的沉积,沉积时间为1min~30min。 本发明方法制备过程无有毒且危险气体介入、工艺稳定、安全可靠、重复性好,且制得的硅薄膜沉积速率高、致密性好。
一种利用磁控共溅射法制备铌硅薄膜的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种利用磁控共溅射法制备铌硅薄膜的方法,包括以下步骤:(1)靶材选取,选取纯度均为99.999%均匀掺杂的块状Nb和Si作为磁控共溅射的靶材,将靶材放入磁控共溅射室;(2)衬底处理,对衬底依次用超声波、丙酮、酒精和氩离子清洗,放入磁控共溅射室;(3)制备铌硅薄膜,磁控共溅射室的真空度小于等于2×10-5
一种光吸收增强的开口型硅薄膜球壳阵列结构的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
一种光吸收增强的开口型硅薄膜球壳阵列结构的制备方法,在基材表面制备一层金属材料,在金属层表面制备紧密排列的单层二氧化硅纳米的粒子阵列,然后在粒子阵列上沉积硅薄膜,在硅薄膜表面制备聚合物层,再将金属层利用酸溶液溶解使得硅膜结构与基材脱离,然后以聚合物层为基底,选择性刻蚀二氧化硅纳米粒子表面的硅薄膜并部分暴露出二氧化硅粒子阵列,最后用氢氟酸去除二氧化硅粒子,形成以聚合物层为基底的开口型硅薄膜球壳阵列结构,开口型硅薄膜球壳阵列结构能够实现硅膜吸收效率大幅提高。
一种利用磁控共溅射法制备超薄钨硅薄膜的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了利用磁控共溅射法制备超薄钨硅薄膜的方法,其特征在于,包括以下步骤:靶材选取,选取高纯硅和钨作为靶材,将靶材放入磁控共溅射室;衬底处理,对衬底依次用超声波和氩离子清洗,将处理后的衬底送入磁控共溅射室,置于样品台上;制备钨硅薄膜,磁控共溅射室的真空度小于等于2×10-5Pa,工作气体是氩气,调节溅射气压、溅射功率、沉积速率和靶材到衬底的距离,经过一定时间溅射制备钨硅薄膜。本发明制备出了符合预期,较为稳定的WSi超导薄膜,并优化获得了最佳制备条件,为制备高灵敏的超导单光子探测器(SNSPD)奠定了基础。
InN材料作衬底或缓冲层制备InN/锗或InN/硅薄膜及制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
InN材料作衬底或缓冲层制备InN/锗或InN/硅薄膜,InN材料作衬底或缓冲层,并在上面制备InN/锗或InN/硅薄膜,InN材料缓冲层的厚度为100纳米以上,在其上制备单层或n层锗或硅薄膜,每层锗或硅薄膜的厚度为50纳米以上。本发明在200-1150℃生长温度范围内,采用MOCVD、CVD、HVPE或MBE生长技术生长InN/锗或InN/硅薄膜。利用Ge(111)和InN之间不太大的晶格失配比(9%)以及带隙的细微差别(40meV)得到异质结构。这种异质结构用于生产异质结双极型晶体管(HBTs)以及红外光探测器的优点很多。
一种高锗含量锗硅薄膜的低温外延制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种高锗含量锗硅薄膜的低温外延制备方法,具体步骤包括(1)提供(100)晶面的硅衬底;(2)在1350℃的高温下对硅衬底进行去氧化处理,去氧化时间为10分钟;(3)通过分子束外延的方法,在去氧化后的硅衬底之上生长一层20‑50nm厚的硅缓冲层,生长温度为700℃;(4)将硅缓冲层降温到生长温度,该生长温度在300℃以下,然后生长GexSi1‑x合金,通过改变Ge和Si的生长速率调节Ge的含量,也就是x值。本发明可以在硅片上直接低温生长晶格常数可调的高质量锗硅(GexSi1‑x)薄膜材料,锗含量最高可达83%。该方法无需采用逐步提高锗含量的逐层生长模式,其操作更简单,成本更低。
硅基薄膜太阳能电池制备技术
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
p 一、 成果简介太阳能是大自然赐予人类最清洁,最丰富的能源资源,目前商用的太阳能电池以晶体硅 电池为主,由于晶体硅消耗硅料较多,近年来人们一直致力于开发硅薄膜电池。非晶硅薄膜 电池已经实现了商业化生产并有了一定的市场份额,但它仍存在不足之处,包括光致衰减效 应和转换效率不高(约6%)等。本项目在国家863计划课题(2006AA03Z219)支持下,开展了 以多晶硅薄膜、微晶硅薄膜和纳米晶薄膜的制备和相关材料的单结与叠层硅基太阳能电池关 键技术研究。二、 创新点以及主要技术指标1.利用LPCVD方法和自扩散技术生长多晶硅p-n结,结合层转移技术制备多晶硅薄膜 太阳能电池;2.采用金属诱导晶化和快速热处理技术实现优质多晶硅薄膜的制备并在低温下制备太 阳能电池;3.在PECVD和HWCVD生长硅薄膜时,通过生长温度,气体流量,氢气稀释比,腔 室气压等参数实现微晶硅或者纳米晶薄膜的生长;4.采用双层膜技术减小表面处入射光的反射并实现表面钝化,提高入射光的收集率和 少数载流子寿命;5.采用高低结结构增加光生载流子的收集效率;6.采用隧道结技术实现叠层太阳能电池的制备,扩展电池的光谱收集范围,提高电池 的转换效率。 img title="e:\k8008\qiuchengcai\桌面\成果图片\南航成果图片\太阳能\图片15.png" alt="e:\k8008\qiuchengcai\桌面\成果图片\南航成果图片\太阳能\图片15.png" src="https://ue-upload.1633.com/2020/0429/1519412546934.png"/ img title="e:\k8008\qiuchengcai\桌面\成果图片\南航成果图片\太阳能\图片16.png" alt="e:\k8008\qiuchengcai\桌面\成果图片\南航成果图片\太阳能\图片16.png" src="https://ue-upload.1633.com/2020/0429/1520258447240.png"/ /p
一种硅薄膜表面减反射结构的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
一种硅薄膜表面减反射结构的制备方法(专利号201210192703.X)为;1、硅薄膜制备:首先将纯度99.9999%的硅靶、纯度99.999%的银靶和廉价硅片基体依次装入真空室中,然后将真空室抽真空,之后向真空室通入氩气,最后在所述基体上沉积厚度为0.3~5微米的多晶硅薄膜;2、银纳米粒子沉积:在步骤1中最终所获的多晶硅薄膜上继续沉积银纳米粒子,所沉积的银纳米粒子厚度为2~20纳米;3、贵金属银纳米粒子催化刻蚀;4、银纳米粒子去除:将步骤3中最终所获发黑硅薄膜用质量分数为20~40%硝酸溶液室温下浸泡10~30分钟,以去除残留在所述发黑硅薄膜上的银纳米粒子,再先后用蒸馏水和乙醇冲洗干净,冷风吹干。本发明具有多孔结构,具有成本低、减反射效果好和稳定性高的特性。
一种基于硅薄膜材料的静电式扬声器
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种基于硅薄膜材料的静电式扬声器,包括定型夹具、声辐射孔板、振膜、硅支撑环和绝缘垫。其中,振膜为硅薄膜,硅薄膜表面附有一层金属导电层;硅薄膜通过共价键与外围的硅支撑环相连;绝缘垫设置在声辐射孔板与硅支撑环之间;定型夹具将声辐射孔板、硅支撑环和绝缘垫三部分固定。本发明运用大面积自支撑硅薄膜制作静电式扬声器,具有较宽的频率响应范围(20Hz‑65kHz),改善了扬声器在音频段(20Hz‑20kHz),和高频段(20kHz)的频率响应特征,并且具有耐高温和防水的特性,改善了由于温度及湿度变化带来的振膜材料老化现象以及损坏现象,增强了扬声器的稳定性。
找到11项技术成果数据。
找技术 >基于石墨烯的太赫兹波透射型调制器
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明涉及一种墓于石墨烯的太赫兹波透射型调制器,其结构包括将CVD方法产生的单层石墨烯转移到石英玻璃基板上,并将硅/二氧化硅薄膜覆盖在石墨烯上,其中硅/二氧化硅薄膜的表面积要略小于石英玻璃基板的表面积,且硅/二氧化硅薄膜是二氧化硅朝向石墨烯,而金属电极在未覆盖硅/二氧化硅薄膜的石墨烯上,并在硅基板和金属电极上连接调制信号源,最后载波源垂宜入射硅薄膜。本发明调制器为场调制器的一种,在调制信号电压从0V~50V变化,载波源为0.6THz时,调制深度可以得到81.3%,可以对施加的载波源得到很好的调制。本发明结构简单紧凑、体积小,易于集成,控制简单并且使用范围广。
基于磁控溅射技术沉积太阳能电池用硅薄膜的方法
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明一种基于磁控溅射技术沉积太阳能电池用硅薄膜的方法,所制备的硅薄膜厚度为0.01μm~5μm,使用的设备为磁控溅射设备,包括以下步骤: 选取基材,进行前清洗处理;放置于工装架上,送至磁控溅射设备的真空腔室中;工装架在硅薄膜制备过程中保持直线运动,对整个真空腔室进行抽真空;持续通入氩气和氢气的混合气体,并保证工作气压一定;将硅靶材的靶电流增大至0.3A~15A后,或者将硅靶材的靶功率增大至100W~2000W后,维持硅靶材的电参数以进行硅薄膜的沉积,沉积时间为1min~30min。 本发明方法制备过程无有毒且危险气体介入、工艺稳定、安全可靠、重复性好,且制得的硅薄膜沉积速率高、致密性好。
一种利用磁控共溅射法制备铌硅薄膜的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种利用磁控共溅射法制备铌硅薄膜的方法,包括以下步骤:(1)靶材选取,选取纯度均为99.999%均匀掺杂的块状Nb和Si作为磁控共溅射的靶材,将靶材放入磁控共溅射室;(2)衬底处理,对衬底依次用超声波、丙酮、酒精和氩离子清洗,放入磁控共溅射室;(3)制备铌硅薄膜,磁控共溅射室的真空度小于等于2×10-5
一种光吸收增强的开口型硅薄膜球壳阵列结构的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
一种光吸收增强的开口型硅薄膜球壳阵列结构的制备方法,在基材表面制备一层金属材料,在金属层表面制备紧密排列的单层二氧化硅纳米的粒子阵列,然后在粒子阵列上沉积硅薄膜,在硅薄膜表面制备聚合物层,再将金属层利用酸溶液溶解使得硅膜结构与基材脱离,然后以聚合物层为基底,选择性刻蚀二氧化硅纳米粒子表面的硅薄膜并部分暴露出二氧化硅粒子阵列,最后用氢氟酸去除二氧化硅粒子,形成以聚合物层为基底的开口型硅薄膜球壳阵列结构,开口型硅薄膜球壳阵列结构能够实现硅膜吸收效率大幅提高。
一种利用磁控共溅射法制备超薄钨硅薄膜的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了利用磁控共溅射法制备超薄钨硅薄膜的方法,其特征在于,包括以下步骤:靶材选取,选取高纯硅和钨作为靶材,将靶材放入磁控共溅射室;衬底处理,对衬底依次用超声波和氩离子清洗,将处理后的衬底送入磁控共溅射室,置于样品台上;制备钨硅薄膜,磁控共溅射室的真空度小于等于2×10-5Pa,工作气体是氩气,调节溅射气压、溅射功率、沉积速率和靶材到衬底的距离,经过一定时间溅射制备钨硅薄膜。本发明制备出了符合预期,较为稳定的WSi超导薄膜,并优化获得了最佳制备条件,为制备高灵敏的超导单光子探测器(SNSPD)奠定了基础。
InN材料作衬底或缓冲层制备InN/锗或InN/硅薄膜及制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
InN材料作衬底或缓冲层制备InN/锗或InN/硅薄膜,InN材料作衬底或缓冲层,并在上面制备InN/锗或InN/硅薄膜,InN材料缓冲层的厚度为100纳米以上,在其上制备单层或n层锗或硅薄膜,每层锗或硅薄膜的厚度为50纳米以上。本发明在200-1150℃生长温度范围内,采用MOCVD、CVD、HVPE或MBE生长技术生长InN/锗或InN/硅薄膜。利用Ge(111)和InN之间不太大的晶格失配比(9%)以及带隙的细微差别(40meV)得到异质结构。这种异质结构用于生产异质结双极型晶体管(HBTs)以及红外光探测器的优点很多。
一种高锗含量锗硅薄膜的低温外延制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种高锗含量锗硅薄膜的低温外延制备方法,具体步骤包括(1)提供(100)晶面的硅衬底;(2)在1350℃的高温下对硅衬底进行去氧化处理,去氧化时间为10分钟;(3)通过分子束外延的方法,在去氧化后的硅衬底之上生长一层20‑50nm厚的硅缓冲层,生长温度为700℃;(4)将硅缓冲层降温到生长温度,该生长温度在300℃以下,然后生长GexSi1‑x合金,通过改变Ge和Si的生长速率调节Ge的含量,也就是x值。本发明可以在硅片上直接低温生长晶格常数可调的高质量锗硅(GexSi1‑x)薄膜材料,锗含量最高可达83%。该方法无需采用逐步提高锗含量的逐层生长模式,其操作更简单,成本更低。
硅基薄膜太阳能电池制备技术
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
p 一、 成果简介太阳能是大自然赐予人类最清洁,最丰富的能源资源,目前商用的太阳能电池以晶体硅 电池为主,由于晶体硅消耗硅料较多,近年来人们一直致力于开发硅薄膜电池。非晶硅薄膜 电池已经实现了商业化生产并有了一定的市场份额,但它仍存在不足之处,包括光致衰减效 应和转换效率不高(约6%)等。本项目在国家863计划课题(2006AA03Z219)支持下,开展了 以多晶硅薄膜、微晶硅薄膜和纳米晶薄膜的制备和相关材料的单结与叠层硅基太阳能电池关 键技术研究。二、 创新点以及主要技术指标1.利用LPCVD方法和自扩散技术生长多晶硅p-n结,结合层转移技术制备多晶硅薄膜 太阳能电池;2.采用金属诱导晶化和快速热处理技术实现优质多晶硅薄膜的制备并在低温下制备太 阳能电池;3.在PECVD和HWCVD生长硅薄膜时,通过生长温度,气体流量,氢气稀释比,腔 室气压等参数实现微晶硅或者纳米晶薄膜的生长;4.采用双层膜技术减小表面处入射光的反射并实现表面钝化,提高入射光的收集率和 少数载流子寿命;5.采用高低结结构增加光生载流子的收集效率;6.采用隧道结技术实现叠层太阳能电池的制备,扩展电池的光谱收集范围,提高电池 的转换效率。 img title="e:\k8008\qiuchengcai\桌面\成果图片\南航成果图片\太阳能\图片15.png" alt="e:\k8008\qiuchengcai\桌面\成果图片\南航成果图片\太阳能\图片15.png" src="https://ue-upload.1633.com/2020/0429/1519412546934.png"/ img title="e:\k8008\qiuchengcai\桌面\成果图片\南航成果图片\太阳能\图片16.png" alt="e:\k8008\qiuchengcai\桌面\成果图片\南航成果图片\太阳能\图片16.png" src="https://ue-upload.1633.com/2020/0429/1520258447240.png"/ /p
一种硅薄膜表面减反射结构的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
一种硅薄膜表面减反射结构的制备方法(专利号201210192703.X)为;1、硅薄膜制备:首先将纯度99.9999%的硅靶、纯度99.999%的银靶和廉价硅片基体依次装入真空室中,然后将真空室抽真空,之后向真空室通入氩气,最后在所述基体上沉积厚度为0.3~5微米的多晶硅薄膜;2、银纳米粒子沉积:在步骤1中最终所获的多晶硅薄膜上继续沉积银纳米粒子,所沉积的银纳米粒子厚度为2~20纳米;3、贵金属银纳米粒子催化刻蚀;4、银纳米粒子去除:将步骤3中最终所获发黑硅薄膜用质量分数为20~40%硝酸溶液室温下浸泡10~30分钟,以去除残留在所述发黑硅薄膜上的银纳米粒子,再先后用蒸馏水和乙醇冲洗干净,冷风吹干。本发明具有多孔结构,具有成本低、减反射效果好和稳定性高的特性。
一种基于硅薄膜材料的静电式扬声器
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种基于硅薄膜材料的静电式扬声器,包括定型夹具、声辐射孔板、振膜、硅支撑环和绝缘垫。其中,振膜为硅薄膜,硅薄膜表面附有一层金属导电层;硅薄膜通过共价键与外围的硅支撑环相连;绝缘垫设置在声辐射孔板与硅支撑环之间;定型夹具将声辐射孔板、硅支撑环和绝缘垫三部分固定。本发明运用大面积自支撑硅薄膜制作静电式扬声器,具有较宽的频率响应范围(20Hz‑65kHz),改善了扬声器在音频段(20Hz‑20kHz),和高频段(20kHz)的频率响应特征,并且具有耐高温和防水的特性,改善了由于温度及湿度变化带来的振膜材料老化现象以及损坏现象,增强了扬声器的稳定性。
找到11项技术成果数据。
找技术 >基于石墨烯的太赫兹波透射型调制器
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明涉及一种墓于石墨烯的太赫兹波透射型调制器,其结构包括将CVD方法产生的单层石墨烯转移到石英玻璃基板上,并将硅/二氧化硅薄膜覆盖在石墨烯上,其中硅/二氧化硅薄膜的表面积要略小于石英玻璃基板的表面积,且硅/二氧化硅薄膜是二氧化硅朝向石墨烯,而金属电极在未覆盖硅/二氧化硅薄膜的石墨烯上,并在硅基板和金属电极上连接调制信号源,最后载波源垂宜入射硅薄膜。本发明调制器为场调制器的一种,在调制信号电压从0V~50V变化,载波源为0.6THz时,调制深度可以得到81.3%,可以对施加的载波源得到很好的调制。本发明结构简单紧凑、体积小,易于集成,控制简单并且使用范围广。
基于磁控溅射技术沉积太阳能电池用硅薄膜的方法
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明一种基于磁控溅射技术沉积太阳能电池用硅薄膜的方法,所制备的硅薄膜厚度为0.01μm~5μm,使用的设备为磁控溅射设备,包括以下步骤: 选取基材,进行前清洗处理;放置于工装架上,送至磁控溅射设备的真空腔室中;工装架在硅薄膜制备过程中保持直线运动,对整个真空腔室进行抽真空;持续通入氩气和氢气的混合气体,并保证工作气压一定;将硅靶材的靶电流增大至0.3A~15A后,或者将硅靶材的靶功率增大至100W~2000W后,维持硅靶材的电参数以进行硅薄膜的沉积,沉积时间为1min~30min。 本发明方法制备过程无有毒且危险气体介入、工艺稳定、安全可靠、重复性好,且制得的硅薄膜沉积速率高、致密性好。
一种利用磁控共溅射法制备铌硅薄膜的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种利用磁控共溅射法制备铌硅薄膜的方法,包括以下步骤:(1)靶材选取,选取纯度均为99.999%均匀掺杂的块状Nb和Si作为磁控共溅射的靶材,将靶材放入磁控共溅射室;(2)衬底处理,对衬底依次用超声波、丙酮、酒精和氩离子清洗,放入磁控共溅射室;(3)制备铌硅薄膜,磁控共溅射室的真空度小于等于2×10-5
一种光吸收增强的开口型硅薄膜球壳阵列结构的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
一种光吸收增强的开口型硅薄膜球壳阵列结构的制备方法,在基材表面制备一层金属材料,在金属层表面制备紧密排列的单层二氧化硅纳米的粒子阵列,然后在粒子阵列上沉积硅薄膜,在硅薄膜表面制备聚合物层,再将金属层利用酸溶液溶解使得硅膜结构与基材脱离,然后以聚合物层为基底,选择性刻蚀二氧化硅纳米粒子表面的硅薄膜并部分暴露出二氧化硅粒子阵列,最后用氢氟酸去除二氧化硅粒子,形成以聚合物层为基底的开口型硅薄膜球壳阵列结构,开口型硅薄膜球壳阵列结构能够实现硅膜吸收效率大幅提高。
一种利用磁控共溅射法制备超薄钨硅薄膜的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了利用磁控共溅射法制备超薄钨硅薄膜的方法,其特征在于,包括以下步骤:靶材选取,选取高纯硅和钨作为靶材,将靶材放入磁控共溅射室;衬底处理,对衬底依次用超声波和氩离子清洗,将处理后的衬底送入磁控共溅射室,置于样品台上;制备钨硅薄膜,磁控共溅射室的真空度小于等于2×10-5Pa,工作气体是氩气,调节溅射气压、溅射功率、沉积速率和靶材到衬底的距离,经过一定时间溅射制备钨硅薄膜。本发明制备出了符合预期,较为稳定的WSi超导薄膜,并优化获得了最佳制备条件,为制备高灵敏的超导单光子探测器(SNSPD)奠定了基础。
InN材料作衬底或缓冲层制备InN/锗或InN/硅薄膜及制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
InN材料作衬底或缓冲层制备InN/锗或InN/硅薄膜,InN材料作衬底或缓冲层,并在上面制备InN/锗或InN/硅薄膜,InN材料缓冲层的厚度为100纳米以上,在其上制备单层或n层锗或硅薄膜,每层锗或硅薄膜的厚度为50纳米以上。本发明在200-1150℃生长温度范围内,采用MOCVD、CVD、HVPE或MBE生长技术生长InN/锗或InN/硅薄膜。利用Ge(111)和InN之间不太大的晶格失配比(9%)以及带隙的细微差别(40meV)得到异质结构。这种异质结构用于生产异质结双极型晶体管(HBTs)以及红外光探测器的优点很多。
一种高锗含量锗硅薄膜的低温外延制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种高锗含量锗硅薄膜的低温外延制备方法,具体步骤包括(1)提供(100)晶面的硅衬底;(2)在1350℃的高温下对硅衬底进行去氧化处理,去氧化时间为10分钟;(3)通过分子束外延的方法,在去氧化后的硅衬底之上生长一层20‑50nm厚的硅缓冲层,生长温度为700℃;(4)将硅缓冲层降温到生长温度,该生长温度在300℃以下,然后生长GexSi1‑x合金,通过改变Ge和Si的生长速率调节Ge的含量,也就是x值。本发明可以在硅片上直接低温生长晶格常数可调的高质量锗硅(GexSi1‑x)薄膜材料,锗含量最高可达83%。该方法无需采用逐步提高锗含量的逐层生长模式,其操作更简单,成本更低。
硅基薄膜太阳能电池制备技术
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
p 一、 成果简介太阳能是大自然赐予人类最清洁,最丰富的能源资源,目前商用的太阳能电池以晶体硅 电池为主,由于晶体硅消耗硅料较多,近年来人们一直致力于开发硅薄膜电池。非晶硅薄膜 电池已经实现了商业化生产并有了一定的市场份额,但它仍存在不足之处,包括光致衰减效 应和转换效率不高(约6%)等。本项目在国家863计划课题(2006AA03Z219)支持下,开展了 以多晶硅薄膜、微晶硅薄膜和纳米晶薄膜的制备和相关材料的单结与叠层硅基太阳能电池关 键技术研究。二、 创新点以及主要技术指标1.利用LPCVD方法和自扩散技术生长多晶硅p-n结,结合层转移技术制备多晶硅薄膜 太阳能电池;2.采用金属诱导晶化和快速热处理技术实现优质多晶硅薄膜的制备并在低温下制备太 阳能电池;3.在PECVD和HWCVD生长硅薄膜时,通过生长温度,气体流量,氢气稀释比,腔 室气压等参数实现微晶硅或者纳米晶薄膜的生长;4.采用双层膜技术减小表面处入射光的反射并实现表面钝化,提高入射光的收集率和 少数载流子寿命;5.采用高低结结构增加光生载流子的收集效率;6.采用隧道结技术实现叠层太阳能电池的制备,扩展电池的光谱收集范围,提高电池 的转换效率。 img title="e:\k8008\qiuchengcai\桌面\成果图片\南航成果图片\太阳能\图片15.png" alt="e:\k8008\qiuchengcai\桌面\成果图片\南航成果图片\太阳能\图片15.png" src="https://ue-upload.1633.com/2020/0429/1519412546934.png"/ img title="e:\k8008\qiuchengcai\桌面\成果图片\南航成果图片\太阳能\图片16.png" alt="e:\k8008\qiuchengcai\桌面\成果图片\南航成果图片\太阳能\图片16.png" src="https://ue-upload.1633.com/2020/0429/1520258447240.png"/ /p
一种硅薄膜表面减反射结构的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
一种硅薄膜表面减反射结构的制备方法(专利号201210192703.X)为;1、硅薄膜制备:首先将纯度99.9999%的硅靶、纯度99.999%的银靶和廉价硅片基体依次装入真空室中,然后将真空室抽真空,之后向真空室通入氩气,最后在所述基体上沉积厚度为0.3~5微米的多晶硅薄膜;2、银纳米粒子沉积:在步骤1中最终所获的多晶硅薄膜上继续沉积银纳米粒子,所沉积的银纳米粒子厚度为2~20纳米;3、贵金属银纳米粒子催化刻蚀;4、银纳米粒子去除:将步骤3中最终所获发黑硅薄膜用质量分数为20~40%硝酸溶液室温下浸泡10~30分钟,以去除残留在所述发黑硅薄膜上的银纳米粒子,再先后用蒸馏水和乙醇冲洗干净,冷风吹干。本发明具有多孔结构,具有成本低、减反射效果好和稳定性高的特性。
一种基于硅薄膜材料的静电式扬声器
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种基于硅薄膜材料的静电式扬声器,包括定型夹具、声辐射孔板、振膜、硅支撑环和绝缘垫。其中,振膜为硅薄膜,硅薄膜表面附有一层金属导电层;硅薄膜通过共价键与外围的硅支撑环相连;绝缘垫设置在声辐射孔板与硅支撑环之间;定型夹具将声辐射孔板、硅支撑环和绝缘垫三部分固定。本发明运用大面积自支撑硅薄膜制作静电式扬声器,具有较宽的频率响应范围(20Hz‑65kHz),改善了扬声器在音频段(20Hz‑20kHz),和高频段(20kHz)的频率响应特征,并且具有耐高温和防水的特性,改善了由于温度及湿度变化带来的振膜材料老化现象以及损坏现象,增强了扬声器的稳定性。
找到11项技术成果数据。
找技术 >基于石墨烯的太赫兹波透射型调制器
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明涉及一种墓于石墨烯的太赫兹波透射型调制器,其结构包括将CVD方法产生的单层石墨烯转移到石英玻璃基板上,并将硅/二氧化硅薄膜覆盖在石墨烯上,其中硅/二氧化硅薄膜的表面积要略小于石英玻璃基板的表面积,且硅/二氧化硅薄膜是二氧化硅朝向石墨烯,而金属电极在未覆盖硅/二氧化硅薄膜的石墨烯上,并在硅基板和金属电极上连接调制信号源,最后载波源垂宜入射硅薄膜。本发明调制器为场调制器的一种,在调制信号电压从0V~50V变化,载波源为0.6THz时,调制深度可以得到81.3%,可以对施加的载波源得到很好的调制。本发明结构简单紧凑、体积小,易于集成,控制简单并且使用范围广。
基于磁控溅射技术沉积太阳能电池用硅薄膜的方法
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明一种基于磁控溅射技术沉积太阳能电池用硅薄膜的方法,所制备的硅薄膜厚度为0.01μm~5μm,使用的设备为磁控溅射设备,包括以下步骤: 选取基材,进行前清洗处理;放置于工装架上,送至磁控溅射设备的真空腔室中;工装架在硅薄膜制备过程中保持直线运动,对整个真空腔室进行抽真空;持续通入氩气和氢气的混合气体,并保证工作气压一定;将硅靶材的靶电流增大至0.3A~15A后,或者将硅靶材的靶功率增大至100W~2000W后,维持硅靶材的电参数以进行硅薄膜的沉积,沉积时间为1min~30min。 本发明方法制备过程无有毒且危险气体介入、工艺稳定、安全可靠、重复性好,且制得的硅薄膜沉积速率高、致密性好。
一种利用磁控共溅射法制备铌硅薄膜的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种利用磁控共溅射法制备铌硅薄膜的方法,包括以下步骤:(1)靶材选取,选取纯度均为99.999%均匀掺杂的块状Nb和Si作为磁控共溅射的靶材,将靶材放入磁控共溅射室;(2)衬底处理,对衬底依次用超声波、丙酮、酒精和氩离子清洗,放入磁控共溅射室;(3)制备铌硅薄膜,磁控共溅射室的真空度小于等于2×10-5
一种光吸收增强的开口型硅薄膜球壳阵列结构的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
一种光吸收增强的开口型硅薄膜球壳阵列结构的制备方法,在基材表面制备一层金属材料,在金属层表面制备紧密排列的单层二氧化硅纳米的粒子阵列,然后在粒子阵列上沉积硅薄膜,在硅薄膜表面制备聚合物层,再将金属层利用酸溶液溶解使得硅膜结构与基材脱离,然后以聚合物层为基底,选择性刻蚀二氧化硅纳米粒子表面的硅薄膜并部分暴露出二氧化硅粒子阵列,最后用氢氟酸去除二氧化硅粒子,形成以聚合物层为基底的开口型硅薄膜球壳阵列结构,开口型硅薄膜球壳阵列结构能够实现硅膜吸收效率大幅提高。
一种利用磁控共溅射法制备超薄钨硅薄膜的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了利用磁控共溅射法制备超薄钨硅薄膜的方法,其特征在于,包括以下步骤:靶材选取,选取高纯硅和钨作为靶材,将靶材放入磁控共溅射室;衬底处理,对衬底依次用超声波和氩离子清洗,将处理后的衬底送入磁控共溅射室,置于样品台上;制备钨硅薄膜,磁控共溅射室的真空度小于等于2×10-5Pa,工作气体是氩气,调节溅射气压、溅射功率、沉积速率和靶材到衬底的距离,经过一定时间溅射制备钨硅薄膜。本发明制备出了符合预期,较为稳定的WSi超导薄膜,并优化获得了最佳制备条件,为制备高灵敏的超导单光子探测器(SNSPD)奠定了基础。
InN材料作衬底或缓冲层制备InN/锗或InN/硅薄膜及制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
InN材料作衬底或缓冲层制备InN/锗或InN/硅薄膜,InN材料作衬底或缓冲层,并在上面制备InN/锗或InN/硅薄膜,InN材料缓冲层的厚度为100纳米以上,在其上制备单层或n层锗或硅薄膜,每层锗或硅薄膜的厚度为50纳米以上。本发明在200-1150℃生长温度范围内,采用MOCVD、CVD、HVPE或MBE生长技术生长InN/锗或InN/硅薄膜。利用Ge(111)和InN之间不太大的晶格失配比(9%)以及带隙的细微差别(40meV)得到异质结构。这种异质结构用于生产异质结双极型晶体管(HBTs)以及红外光探测器的优点很多。
一种高锗含量锗硅薄膜的低温外延制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种高锗含量锗硅薄膜的低温外延制备方法,具体步骤包括(1)提供(100)晶面的硅衬底;(2)在1350℃的高温下对硅衬底进行去氧化处理,去氧化时间为10分钟;(3)通过分子束外延的方法,在去氧化后的硅衬底之上生长一层20‑50nm厚的硅缓冲层,生长温度为700℃;(4)将硅缓冲层降温到生长温度,该生长温度在300℃以下,然后生长GexSi1‑x合金,通过改变Ge和Si的生长速率调节Ge的含量,也就是x值。本发明可以在硅片上直接低温生长晶格常数可调的高质量锗硅(GexSi1‑x)薄膜材料,锗含量最高可达83%。该方法无需采用逐步提高锗含量的逐层生长模式,其操作更简单,成本更低。
硅基薄膜太阳能电池制备技术
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
p 一、 成果简介太阳能是大自然赐予人类最清洁,最丰富的能源资源,目前商用的太阳能电池以晶体硅 电池为主,由于晶体硅消耗硅料较多,近年来人们一直致力于开发硅薄膜电池。非晶硅薄膜 电池已经实现了商业化生产并有了一定的市场份额,但它仍存在不足之处,包括光致衰减效 应和转换效率不高(约6%)等。本项目在国家863计划课题(2006AA03Z219)支持下,开展了 以多晶硅薄膜、微晶硅薄膜和纳米晶薄膜的制备和相关材料的单结与叠层硅基太阳能电池关 键技术研究。二、 创新点以及主要技术指标1.利用LPCVD方法和自扩散技术生长多晶硅p-n结,结合层转移技术制备多晶硅薄膜 太阳能电池;2.采用金属诱导晶化和快速热处理技术实现优质多晶硅薄膜的制备并在低温下制备太 阳能电池;3.在PECVD和HWCVD生长硅薄膜时,通过生长温度,气体流量,氢气稀释比,腔 室气压等参数实现微晶硅或者纳米晶薄膜的生长;4.采用双层膜技术减小表面处入射光的反射并实现表面钝化,提高入射光的收集率和 少数载流子寿命;5.采用高低结结构增加光生载流子的收集效率;6.采用隧道结技术实现叠层太阳能电池的制备,扩展电池的光谱收集范围,提高电池 的转换效率。 img title="e:\k8008\qiuchengcai\桌面\成果图片\南航成果图片\太阳能\图片15.png" alt="e:\k8008\qiuchengcai\桌面\成果图片\南航成果图片\太阳能\图片15.png" src="https://ue-upload.1633.com/2020/0429/1519412546934.png"/ img title="e:\k8008\qiuchengcai\桌面\成果图片\南航成果图片\太阳能\图片16.png" alt="e:\k8008\qiuchengcai\桌面\成果图片\南航成果图片\太阳能\图片16.png" src="https://ue-upload.1633.com/2020/0429/1520258447240.png"/ /p
一种硅薄膜表面减反射结构的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
一种硅薄膜表面减反射结构的制备方法(专利号201210192703.X)为;1、硅薄膜制备:首先将纯度99.9999%的硅靶、纯度99.999%的银靶和廉价硅片基体依次装入真空室中,然后将真空室抽真空,之后向真空室通入氩气,最后在所述基体上沉积厚度为0.3~5微米的多晶硅薄膜;2、银纳米粒子沉积:在步骤1中最终所获的多晶硅薄膜上继续沉积银纳米粒子,所沉积的银纳米粒子厚度为2~20纳米;3、贵金属银纳米粒子催化刻蚀;4、银纳米粒子去除:将步骤3中最终所获发黑硅薄膜用质量分数为20~40%硝酸溶液室温下浸泡10~30分钟,以去除残留在所述发黑硅薄膜上的银纳米粒子,再先后用蒸馏水和乙醇冲洗干净,冷风吹干。本发明具有多孔结构,具有成本低、减反射效果好和稳定性高的特性。
一种基于硅薄膜材料的静电式扬声器
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种基于硅薄膜材料的静电式扬声器,包括定型夹具、声辐射孔板、振膜、硅支撑环和绝缘垫。其中,振膜为硅薄膜,硅薄膜表面附有一层金属导电层;硅薄膜通过共价键与外围的硅支撑环相连;绝缘垫设置在声辐射孔板与硅支撑环之间;定型夹具将声辐射孔板、硅支撑环和绝缘垫三部分固定。本发明运用大面积自支撑硅薄膜制作静电式扬声器,具有较宽的频率响应范围(20Hz‑65kHz),改善了扬声器在音频段(20Hz‑20kHz),和高频段(20kHz)的频率响应特征,并且具有耐高温和防水的特性,改善了由于温度及湿度变化带来的振膜材料老化现象以及损坏现象,增强了扬声器的稳定性。