成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
本发明涉及一种单晶材料,所述单晶材料为铜掺杂硫化钽单晶,所述单晶材料为2H相。本发明单晶材料的制备方法,包括如下步骤:(1)将TaS2多晶、Cu粉和卤盐混合,得到前驱体;(2)将所述前驱体放入单晶炉中,熔融生长,制得单晶材料粗品。本发明采用在单晶炉中熔融生长的方式制备单晶材料,制得材料的成功率高,在单晶炉中熔融生长可有效的控制晶体的尺寸和形貌,生长周期缩短至十天以内,可工业化生产,且制得的单晶材料不易开裂。