找到145项技术成果数据。
找技术 >一种碳化硅/Cu复合材料的制备方法
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
该项目属于电子封装材料的制备领域,公开一种碳化硅/Cu复合材料的制备方法。将酚醛树脂粉溶解于无水乙醇中;将SiC粉加入所得溶液中,40~60℃搅拌均匀;将搅拌均匀的浆料烘干,造粒过筛,将所得颗粒粉压制成型,得到SiC坯体;将SiC坯体置于二氧化钛溶胶中浸渍处理;取出浸渍后的SiC坯体,干燥后煅烧,得到含TiC涂层的SiC坯体;用铜粉包埋SiC坯体,在真空或者惰性气氛保护下1100~1300℃无压熔渗铜0.5~2 h,随后自然降温冷却,即得到碳化硅/铜复合材料。该项目具有工艺简单、操作方便、产品性能良好等优点,使SiC/Cu复合材料拥有良好的导热性能、低的热膨胀系数并具有一定的机械强度。
一种碳化硅冶炼的废气回收工艺
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种碳化硅冶炼的废气回收工艺,包括如下步骤:对碳化硅废气进行收集,将其通过管道经过吸附网,吸附后的废气通过管道进入热交换器进行降温,并通过加压装置对碳化硅废气进行加压,碳化硅废气通入到洗气塔内底 部,再次将碳化硅废气引入至洗气塔内部,在洗气塔内将碳化硅废气的温度降低至常温,碳化硅废气通入到减压阀进行减压,处理后的碳化硅废气导入变频压缩机组内,经过压缩后,通入到冷凝回收泵内,从而移至冷凝回收罐内,最后将碳 化硅废气通入气柜中进行储存。本发明中在能使碳化硅废气在经过处理后,做到回收利用,避免了其排放至空气中从而污染环境,不仅保护了环境,且使得废气的从新利用,符合现在发展的需求。
碳化硅晶片
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:建筑业
技术简介
碳化硅晶片项目简介: 碳化硅晶片是一种微细的片状单晶体,直径一般为3-300μm,厚度0。5-15μm。与晶须相比,晶片的优点是价格较低、纯度高、热稳定性好和缺陷少,具有很好的分散性和流动性,更易均匀分散于基体中,复合材料中可以有很高的加入量(10-70%),且与基体复合的效果优于球状粒子,因而晶片被认为是晶须最具吸引力的替代物。 生产条件: 资金100万元左右,厂房150m2,人员20人,可年产碳化硅晶片1吨,产值300万元,利税200万元左右,投产一年内可收回投资。 市场预测: 碳化硅晶片是制备陶瓷基、金属基复合材料的原料。国际市场很大,国内市场有待开发,潜力很大。利润高、市场及后续产品市场大,推广应用前景非常广阔。
(内热式)高质隔焰节能回转窑
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
技术投资分析:传统直筒直焰回转窑在实际生产过程中存在能耗高、产品质量不稳定的普遍现象,致使该窑炉的使用受到了限制,不能充分发挥其产量大、无易耗窑具、劳动强度小的优势。为此,隔焰回转窑经过多年的研究终于去得成功,一并解决了上述问题,特别是在陶瓷原料行业其优势很明显:一是比传统窑节能15%以上;二是不限燃 料,使得象煤焦油这类低质量的油料都可以放心使用,使用电力更是十分方便;三是大大地提高了产品质量;四是使原来不能用回转窑生产的许多产品现在都可以应用。隔焰回转窑使陶瓷原料的生产完全实现无钵化生产,且产量大质量稳定。旧式窑只需加装隔焰结构即可使用。隔焰结构经多次优化设计,现在结构简单却很实用,可以根据需要设计成全隔焰或半隔 的。 本实用新型提供了一种高质隔焰节能回转窑,包括炉体,炉体内壁设有保温耐火层,炉体在螺旋进料机一侧设有烟囱,另一侧设有出料口,炉体内从螺旋进料机侧起依次分为相通的干燥区、预烧分流区和混合烧成区,所述干燥区设有阻流板,内衬壳体上设有进料内螺旋;所述预烧分流区包括碳化硅管,碳化硅管内设有阻流通道和与阻流通道相通的副燃烧室;所述混合烧成区包括与副燃烧室相通的主燃烧室,主燃烧室的内壁上设有碳化硅隔焰内衬,碳化硅隔焰内衬延伸到副燃烧室的内壁上。本实用新型可以有效节约能源、煅烧充分、实验成本低、质量牢固、成本较低、体积较小、安装方便。技术的应用领域前景分析:技术日前成熟行业是陶瓷原料业,该行业急需该技术入行,入行后可能带来一场窑炉的革命,象梭式窑、推板窑都有可能被淘汰,并使原料生产品种专业化、规模化,使销售市场更加规范合理。还会带动耐火材料的更多的进步。随着技术的延伸,相关的煅烧和烘干行业都能为该技术设备增添无数的领地。效益分析:接产方接产后即可以生产实验室用窑和小产量生产窑:实验窑每台成本8000元左右,售价18000--20000元,每台的纯利在10000元左右;通常是实验窑与生产窑配套使用,日产量一吨的其成本价在20000左右,售价50000左右,可获纯利20000元左右;更大的窑获利更多些。估计第一年的销售量是30--50台。小型窑不需安装,运到现场就位后就可以生产。厂房条件建议:无备注:无
一种太阳能微型碳化硅生产装置
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:电力、热力、燃气及水生产和供应业
技术简介
一种太阳能微型碳化硅生产装置,包括太阳能接收器和碳化硅炉,碳化硅炉的外缘设有气孔,其内为高温空腔;所述太阳能接收器的聚焦点设在碳化硅炉的高温空腔内;高温空腔内中填充有煤和石英砂;煤和石英砂的混合比例为1:1.5。本实用新型通过利用太阳能来冶炼碳化硅,具有降低成本,减少污染的优点。
新型功能性连续SiC自由薄膜的制备工艺及其产业化
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
该项目通过开发了熔融纺膜与先驱体转化法相结合的独创技术,突破了具有光电特性的连续SiC自由薄膜的关键技术,并制备出多种组分PCS先驱体,掌握了连续SiC自由薄膜不熔化交联预处理与高温裂解烧结的关键工艺,形成了连续SiC自由薄膜材料中小批量生产能力。该技术已申报并公开了“一种碳化硅薄膜成型装置与碳化硅薄膜的制备方法”(CN101219788)、“一种发光碳化硅薄膜的制备方法”(CN101275075)等6项国家发明专利,在国内外重要学术刊物上发表论文7篇。连续SiC自由薄膜由于具有禁带宽度大、致密度高、缺陷密度小、自支撑与无束缚、电子迁移率高、热导率高、抗辐射能力强、化学稳定性好以及与硅集成电路工艺兼容等特性而成为理想的新型宽带隙半导体材料,在微机电系统(MEMS)、光电集成器件、蓝光发光器件、光伏器件、高温紫外光敏器件及高温压力传感器等高技术领域上都显示了很大的优越性,其应用前景十分广阔。
高功率碳化硅电力电子器件关键技术研发和产业化
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
核心技术:碳化硅功率二极管和功率晶体管的器件设计技术、工艺制造技术、功率模块设计技术、封装技术和可靠性技术。主要技术经济指标600V、1200V,20A的碳化硅功率二极管,通态压降1.5V~3V;600V、1200V,5A以上的碳化硅晶体管,通态压降低于3V。与国内比:碳化硅材料特性优越,碳化硅功率器件(600V)拥有比目前通用的硅基器件好几百倍的特性。本项目将填补国内碳化硅功率二极管和功率晶体管的研发空白。与国际比:国际上碳化硅的600V和1200V肖特基二极管成功地产业化,碳化硅功率MOS管的产业化也3年内将实现。本项目的技术指标达到国际前沿水平。技术产业化的市场前景技术产品用途及领域:主要用于替代现有的硅基功率器件,用于大功率电力电子装置中。目前硅基功率器件的市值约在1千亿元。碳化硅被公认为是下一代高压大功率电力电子器件,具有巨大的市场前景。国际市场:在未来3~5年内,国际碳化硅功率器件的市场将由目前的3~4亿元人民币增长到20亿元人民币,年增长率达到70%~80%,具有巨大的市场潜力。国内市场:国内电力电子器件市场约占国际市场的一半份额。产业化条件:本项目拟推荐为产学研重点培育项目,为技术产业化进行技术的研发和知识产权的积累,为3~5年后实现产业化进行提前布局和重点培育。已有设备或生产线条件:国内由多家硅基功率器件和模块的生产企业,经过升级改造,可以用于碳化硅功率器件的研发、制造和产业化。新上设备或生产线投入:无生产技术队伍要求:具有电力电子器件和模块研发、生产和产业化的经验基础,并具备碳化硅功率器件开发和产业化的能力。
SiC高温压力传感器
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
一、项目简介SiC高温压力传感器由于碳化硅材料具有的带宽度宽的特点,在其耐高温、抗辐射性能上都有良好的特性。得益于碳化硅材料的微电子工艺的发展,以碳化硅为材料的高温压力传感器越来越多的出现在高温测量领域。在压力测量方面,相比于压阻式和光学式压力传感器,电容式压力传感器更是具有灵敏度高、温度稳定性好、动态响应快等优点。项目组采用SiC材料为基础的电容式压力传感器,在加工工艺上已突破了绝大部分关键工艺,实现了样机的批量化集成化制作。二、技术成熟度SiC材料在微电子工艺的技术发展,使得其在MEMS传感器或执行器领域出现越来越多的典型耐高温器件,尤其在于压力测量方面,压阻式、电容式、LC谐振式等器件都可以在基于现有的微加工设备上进行制作生产。本课题组开发的SiC电容式高温压力传感器精度已经达到0.5%FS,各项工艺技术成熟可靠。现有样机已通过某型火箭的测试,实现了样机的批量化生产。三、应用范围能够适应高温恶劣环境的气体和液体压力测量的高温压力传感器,有着广阔的应用。民用方面,可用于测量锅炉、管道、高温反应容器内的压力,军用方面,可用于核电、载人航天、深空探测等国家重大工程中。如先进的发动机内部进排气管压力监测需要在 200~300℃环境下进行,而涡喷发动机在不同的尾喷位置需要在 300~1000℃环境下进行压力监测。四、投产条件和预期经济效益SiC高温压力传感器的投产需要超净实验室和先进齐全的硅微加工设备,包括ICP刻蚀、Lift-off剥离工艺、金属沉积、电镀电感及阳极键合等各种工艺设备。还需配备各种薄膜质量检测设备,可以完成从薄膜制备到测试分析的一系列研究,同时需要具有SEM、TEM、XRD等大型设备,为相关项目研究的顺利开展提供充分的设备保障。高温压力传感器应用广泛,从航空航天领域的空气动力学实验、飞行器表面摩阻测量、发动机试车内部压力监测,到民用领域的锅炉、管道、高温反应容器等都有较大的需求,因此具有较为广泛的市场。五、合作方式技术转让,具体合作方式可商议
低温碳化硅薄膜制备和微加工技术转让
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
碳化硅,又称人造金刚石,具有很好的力学、化学、电学性能,可应用于极端电子学器件。单晶、多晶碳化硅的加工需要极高的温度,用物理气相转移、低压化学气相淀积的方法制备。由于工艺温度高,对前向和后向工艺影响大,所以该方法不具有工艺兼容性。我们研制的低温碳化硅借由等离子体,在低温环境(300度)下制备而成,辅以400度左右的炉退火,可实现对薄膜应力的良好控制(从压应力到张应力,控制精度约正负30MPa)。整个工艺温度不超过500度,与传统集成电路加工具有很好的兼容性;制备出的碳化硅材料为非晶,具有良好的机械性能和化学稳定性。因此,此技术制备的碳化硅薄膜,可广泛应用于薄膜涂层,作磨损保护和腐蚀保护;也可用做机械结构,作传感部件,并使用于恶劣的腐蚀性环境。
一种碳化硅增强高铝锌基复合材料的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明提供了一种碳化硅增强高铝锌基复合材料的制备方法,主要步骤为:首先对碳化硅粉体进行预处理,再对碳化硅化学镀铜形成SiCp‑Cu粉体,然后熔炼浇注形成碳化硅增强高铝锌基复合材料的初品,再次对初品进行重熔除气、精炼除杂浇注成型。最终得到的碳化硅增强高铝锌基复合材料,增强相SiCp‑Cu在基体中均匀分布,降低了氧化夹杂含量,显著提高了拉伸和耐磨性能,该工艺方法非常适合工业大规模生产,无需二次加工、节约成本、环保绿色。
找到145项技术成果数据。
找技术 >一种碳化硅/Cu复合材料的制备方法
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
该项目属于电子封装材料的制备领域,公开一种碳化硅/Cu复合材料的制备方法。将酚醛树脂粉溶解于无水乙醇中;将SiC粉加入所得溶液中,40~60℃搅拌均匀;将搅拌均匀的浆料烘干,造粒过筛,将所得颗粒粉压制成型,得到SiC坯体;将SiC坯体置于二氧化钛溶胶中浸渍处理;取出浸渍后的SiC坯体,干燥后煅烧,得到含TiC涂层的SiC坯体;用铜粉包埋SiC坯体,在真空或者惰性气氛保护下1100~1300℃无压熔渗铜0.5~2 h,随后自然降温冷却,即得到碳化硅/铜复合材料。该项目具有工艺简单、操作方便、产品性能良好等优点,使SiC/Cu复合材料拥有良好的导热性能、低的热膨胀系数并具有一定的机械强度。
一种碳化硅冶炼的废气回收工艺
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种碳化硅冶炼的废气回收工艺,包括如下步骤:对碳化硅废气进行收集,将其通过管道经过吸附网,吸附后的废气通过管道进入热交换器进行降温,并通过加压装置对碳化硅废气进行加压,碳化硅废气通入到洗气塔内底 部,再次将碳化硅废气引入至洗气塔内部,在洗气塔内将碳化硅废气的温度降低至常温,碳化硅废气通入到减压阀进行减压,处理后的碳化硅废气导入变频压缩机组内,经过压缩后,通入到冷凝回收泵内,从而移至冷凝回收罐内,最后将碳 化硅废气通入气柜中进行储存。本发明中在能使碳化硅废气在经过处理后,做到回收利用,避免了其排放至空气中从而污染环境,不仅保护了环境,且使得废气的从新利用,符合现在发展的需求。
碳化硅晶片
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:建筑业
技术简介
碳化硅晶片项目简介: 碳化硅晶片是一种微细的片状单晶体,直径一般为3-300μm,厚度0。5-15μm。与晶须相比,晶片的优点是价格较低、纯度高、热稳定性好和缺陷少,具有很好的分散性和流动性,更易均匀分散于基体中,复合材料中可以有很高的加入量(10-70%),且与基体复合的效果优于球状粒子,因而晶片被认为是晶须最具吸引力的替代物。 生产条件: 资金100万元左右,厂房150m2,人员20人,可年产碳化硅晶片1吨,产值300万元,利税200万元左右,投产一年内可收回投资。 市场预测: 碳化硅晶片是制备陶瓷基、金属基复合材料的原料。国际市场很大,国内市场有待开发,潜力很大。利润高、市场及后续产品市场大,推广应用前景非常广阔。
(内热式)高质隔焰节能回转窑
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
技术投资分析:传统直筒直焰回转窑在实际生产过程中存在能耗高、产品质量不稳定的普遍现象,致使该窑炉的使用受到了限制,不能充分发挥其产量大、无易耗窑具、劳动强度小的优势。为此,隔焰回转窑经过多年的研究终于去得成功,一并解决了上述问题,特别是在陶瓷原料行业其优势很明显:一是比传统窑节能15%以上;二是不限燃 料,使得象煤焦油这类低质量的油料都可以放心使用,使用电力更是十分方便;三是大大地提高了产品质量;四是使原来不能用回转窑生产的许多产品现在都可以应用。隔焰回转窑使陶瓷原料的生产完全实现无钵化生产,且产量大质量稳定。旧式窑只需加装隔焰结构即可使用。隔焰结构经多次优化设计,现在结构简单却很实用,可以根据需要设计成全隔焰或半隔 的。 本实用新型提供了一种高质隔焰节能回转窑,包括炉体,炉体内壁设有保温耐火层,炉体在螺旋进料机一侧设有烟囱,另一侧设有出料口,炉体内从螺旋进料机侧起依次分为相通的干燥区、预烧分流区和混合烧成区,所述干燥区设有阻流板,内衬壳体上设有进料内螺旋;所述预烧分流区包括碳化硅管,碳化硅管内设有阻流通道和与阻流通道相通的副燃烧室;所述混合烧成区包括与副燃烧室相通的主燃烧室,主燃烧室的内壁上设有碳化硅隔焰内衬,碳化硅隔焰内衬延伸到副燃烧室的内壁上。本实用新型可以有效节约能源、煅烧充分、实验成本低、质量牢固、成本较低、体积较小、安装方便。技术的应用领域前景分析:技术日前成熟行业是陶瓷原料业,该行业急需该技术入行,入行后可能带来一场窑炉的革命,象梭式窑、推板窑都有可能被淘汰,并使原料生产品种专业化、规模化,使销售市场更加规范合理。还会带动耐火材料的更多的进步。随着技术的延伸,相关的煅烧和烘干行业都能为该技术设备增添无数的领地。效益分析:接产方接产后即可以生产实验室用窑和小产量生产窑:实验窑每台成本8000元左右,售价18000--20000元,每台的纯利在10000元左右;通常是实验窑与生产窑配套使用,日产量一吨的其成本价在20000左右,售价50000左右,可获纯利20000元左右;更大的窑获利更多些。估计第一年的销售量是30--50台。小型窑不需安装,运到现场就位后就可以生产。厂房条件建议:无备注:无
一种太阳能微型碳化硅生产装置
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:电力、热力、燃气及水生产和供应业
技术简介
一种太阳能微型碳化硅生产装置,包括太阳能接收器和碳化硅炉,碳化硅炉的外缘设有气孔,其内为高温空腔;所述太阳能接收器的聚焦点设在碳化硅炉的高温空腔内;高温空腔内中填充有煤和石英砂;煤和石英砂的混合比例为1:1.5。本实用新型通过利用太阳能来冶炼碳化硅,具有降低成本,减少污染的优点。
新型功能性连续SiC自由薄膜的制备工艺及其产业化
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
该项目通过开发了熔融纺膜与先驱体转化法相结合的独创技术,突破了具有光电特性的连续SiC自由薄膜的关键技术,并制备出多种组分PCS先驱体,掌握了连续SiC自由薄膜不熔化交联预处理与高温裂解烧结的关键工艺,形成了连续SiC自由薄膜材料中小批量生产能力。该技术已申报并公开了“一种碳化硅薄膜成型装置与碳化硅薄膜的制备方法”(CN101219788)、“一种发光碳化硅薄膜的制备方法”(CN101275075)等6项国家发明专利,在国内外重要学术刊物上发表论文7篇。连续SiC自由薄膜由于具有禁带宽度大、致密度高、缺陷密度小、自支撑与无束缚、电子迁移率高、热导率高、抗辐射能力强、化学稳定性好以及与硅集成电路工艺兼容等特性而成为理想的新型宽带隙半导体材料,在微机电系统(MEMS)、光电集成器件、蓝光发光器件、光伏器件、高温紫外光敏器件及高温压力传感器等高技术领域上都显示了很大的优越性,其应用前景十分广阔。
高功率碳化硅电力电子器件关键技术研发和产业化
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
核心技术:碳化硅功率二极管和功率晶体管的器件设计技术、工艺制造技术、功率模块设计技术、封装技术和可靠性技术。主要技术经济指标600V、1200V,20A的碳化硅功率二极管,通态压降1.5V~3V;600V、1200V,5A以上的碳化硅晶体管,通态压降低于3V。与国内比:碳化硅材料特性优越,碳化硅功率器件(600V)拥有比目前通用的硅基器件好几百倍的特性。本项目将填补国内碳化硅功率二极管和功率晶体管的研发空白。与国际比:国际上碳化硅的600V和1200V肖特基二极管成功地产业化,碳化硅功率MOS管的产业化也3年内将实现。本项目的技术指标达到国际前沿水平。技术产业化的市场前景技术产品用途及领域:主要用于替代现有的硅基功率器件,用于大功率电力电子装置中。目前硅基功率器件的市值约在1千亿元。碳化硅被公认为是下一代高压大功率电力电子器件,具有巨大的市场前景。国际市场:在未来3~5年内,国际碳化硅功率器件的市场将由目前的3~4亿元人民币增长到20亿元人民币,年增长率达到70%~80%,具有巨大的市场潜力。国内市场:国内电力电子器件市场约占国际市场的一半份额。产业化条件:本项目拟推荐为产学研重点培育项目,为技术产业化进行技术的研发和知识产权的积累,为3~5年后实现产业化进行提前布局和重点培育。已有设备或生产线条件:国内由多家硅基功率器件和模块的生产企业,经过升级改造,可以用于碳化硅功率器件的研发、制造和产业化。新上设备或生产线投入:无生产技术队伍要求:具有电力电子器件和模块研发、生产和产业化的经验基础,并具备碳化硅功率器件开发和产业化的能力。
SiC高温压力传感器
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
一、项目简介SiC高温压力传感器由于碳化硅材料具有的带宽度宽的特点,在其耐高温、抗辐射性能上都有良好的特性。得益于碳化硅材料的微电子工艺的发展,以碳化硅为材料的高温压力传感器越来越多的出现在高温测量领域。在压力测量方面,相比于压阻式和光学式压力传感器,电容式压力传感器更是具有灵敏度高、温度稳定性好、动态响应快等优点。项目组采用SiC材料为基础的电容式压力传感器,在加工工艺上已突破了绝大部分关键工艺,实现了样机的批量化集成化制作。二、技术成熟度SiC材料在微电子工艺的技术发展,使得其在MEMS传感器或执行器领域出现越来越多的典型耐高温器件,尤其在于压力测量方面,压阻式、电容式、LC谐振式等器件都可以在基于现有的微加工设备上进行制作生产。本课题组开发的SiC电容式高温压力传感器精度已经达到0.5%FS,各项工艺技术成熟可靠。现有样机已通过某型火箭的测试,实现了样机的批量化生产。三、应用范围能够适应高温恶劣环境的气体和液体压力测量的高温压力传感器,有着广阔的应用。民用方面,可用于测量锅炉、管道、高温反应容器内的压力,军用方面,可用于核电、载人航天、深空探测等国家重大工程中。如先进的发动机内部进排气管压力监测需要在 200~300℃环境下进行,而涡喷发动机在不同的尾喷位置需要在 300~1000℃环境下进行压力监测。四、投产条件和预期经济效益SiC高温压力传感器的投产需要超净实验室和先进齐全的硅微加工设备,包括ICP刻蚀、Lift-off剥离工艺、金属沉积、电镀电感及阳极键合等各种工艺设备。还需配备各种薄膜质量检测设备,可以完成从薄膜制备到测试分析的一系列研究,同时需要具有SEM、TEM、XRD等大型设备,为相关项目研究的顺利开展提供充分的设备保障。高温压力传感器应用广泛,从航空航天领域的空气动力学实验、飞行器表面摩阻测量、发动机试车内部压力监测,到民用领域的锅炉、管道、高温反应容器等都有较大的需求,因此具有较为广泛的市场。五、合作方式技术转让,具体合作方式可商议
低温碳化硅薄膜制备和微加工技术转让
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
碳化硅,又称人造金刚石,具有很好的力学、化学、电学性能,可应用于极端电子学器件。单晶、多晶碳化硅的加工需要极高的温度,用物理气相转移、低压化学气相淀积的方法制备。由于工艺温度高,对前向和后向工艺影响大,所以该方法不具有工艺兼容性。我们研制的低温碳化硅借由等离子体,在低温环境(300度)下制备而成,辅以400度左右的炉退火,可实现对薄膜应力的良好控制(从压应力到张应力,控制精度约正负30MPa)。整个工艺温度不超过500度,与传统集成电路加工具有很好的兼容性;制备出的碳化硅材料为非晶,具有良好的机械性能和化学稳定性。因此,此技术制备的碳化硅薄膜,可广泛应用于薄膜涂层,作磨损保护和腐蚀保护;也可用做机械结构,作传感部件,并使用于恶劣的腐蚀性环境。
一种碳化硅增强高铝锌基复合材料的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明提供了一种碳化硅增强高铝锌基复合材料的制备方法,主要步骤为:首先对碳化硅粉体进行预处理,再对碳化硅化学镀铜形成SiCp‑Cu粉体,然后熔炼浇注形成碳化硅增强高铝锌基复合材料的初品,再次对初品进行重熔除气、精炼除杂浇注成型。最终得到的碳化硅增强高铝锌基复合材料,增强相SiCp‑Cu在基体中均匀分布,降低了氧化夹杂含量,显著提高了拉伸和耐磨性能,该工艺方法非常适合工业大规模生产,无需二次加工、节约成本、环保绿色。
找到145项技术成果数据。
找技术 >一种碳化硅/Cu复合材料的制备方法
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
该项目属于电子封装材料的制备领域,公开一种碳化硅/Cu复合材料的制备方法。将酚醛树脂粉溶解于无水乙醇中;将SiC粉加入所得溶液中,40~60℃搅拌均匀;将搅拌均匀的浆料烘干,造粒过筛,将所得颗粒粉压制成型,得到SiC坯体;将SiC坯体置于二氧化钛溶胶中浸渍处理;取出浸渍后的SiC坯体,干燥后煅烧,得到含TiC涂层的SiC坯体;用铜粉包埋SiC坯体,在真空或者惰性气氛保护下1100~1300℃无压熔渗铜0.5~2 h,随后自然降温冷却,即得到碳化硅/铜复合材料。该项目具有工艺简单、操作方便、产品性能良好等优点,使SiC/Cu复合材料拥有良好的导热性能、低的热膨胀系数并具有一定的机械强度。
一种碳化硅冶炼的废气回收工艺
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种碳化硅冶炼的废气回收工艺,包括如下步骤:对碳化硅废气进行收集,将其通过管道经过吸附网,吸附后的废气通过管道进入热交换器进行降温,并通过加压装置对碳化硅废气进行加压,碳化硅废气通入到洗气塔内底 部,再次将碳化硅废气引入至洗气塔内部,在洗气塔内将碳化硅废气的温度降低至常温,碳化硅废气通入到减压阀进行减压,处理后的碳化硅废气导入变频压缩机组内,经过压缩后,通入到冷凝回收泵内,从而移至冷凝回收罐内,最后将碳 化硅废气通入气柜中进行储存。本发明中在能使碳化硅废气在经过处理后,做到回收利用,避免了其排放至空气中从而污染环境,不仅保护了环境,且使得废气的从新利用,符合现在发展的需求。
碳化硅晶片
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:建筑业
技术简介
碳化硅晶片项目简介: 碳化硅晶片是一种微细的片状单晶体,直径一般为3-300μm,厚度0。5-15μm。与晶须相比,晶片的优点是价格较低、纯度高、热稳定性好和缺陷少,具有很好的分散性和流动性,更易均匀分散于基体中,复合材料中可以有很高的加入量(10-70%),且与基体复合的效果优于球状粒子,因而晶片被认为是晶须最具吸引力的替代物。 生产条件: 资金100万元左右,厂房150m2,人员20人,可年产碳化硅晶片1吨,产值300万元,利税200万元左右,投产一年内可收回投资。 市场预测: 碳化硅晶片是制备陶瓷基、金属基复合材料的原料。国际市场很大,国内市场有待开发,潜力很大。利润高、市场及后续产品市场大,推广应用前景非常广阔。
(内热式)高质隔焰节能回转窑
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
技术投资分析:传统直筒直焰回转窑在实际生产过程中存在能耗高、产品质量不稳定的普遍现象,致使该窑炉的使用受到了限制,不能充分发挥其产量大、无易耗窑具、劳动强度小的优势。为此,隔焰回转窑经过多年的研究终于去得成功,一并解决了上述问题,特别是在陶瓷原料行业其优势很明显:一是比传统窑节能15%以上;二是不限燃 料,使得象煤焦油这类低质量的油料都可以放心使用,使用电力更是十分方便;三是大大地提高了产品质量;四是使原来不能用回转窑生产的许多产品现在都可以应用。隔焰回转窑使陶瓷原料的生产完全实现无钵化生产,且产量大质量稳定。旧式窑只需加装隔焰结构即可使用。隔焰结构经多次优化设计,现在结构简单却很实用,可以根据需要设计成全隔焰或半隔 的。 本实用新型提供了一种高质隔焰节能回转窑,包括炉体,炉体内壁设有保温耐火层,炉体在螺旋进料机一侧设有烟囱,另一侧设有出料口,炉体内从螺旋进料机侧起依次分为相通的干燥区、预烧分流区和混合烧成区,所述干燥区设有阻流板,内衬壳体上设有进料内螺旋;所述预烧分流区包括碳化硅管,碳化硅管内设有阻流通道和与阻流通道相通的副燃烧室;所述混合烧成区包括与副燃烧室相通的主燃烧室,主燃烧室的内壁上设有碳化硅隔焰内衬,碳化硅隔焰内衬延伸到副燃烧室的内壁上。本实用新型可以有效节约能源、煅烧充分、实验成本低、质量牢固、成本较低、体积较小、安装方便。技术的应用领域前景分析:技术日前成熟行业是陶瓷原料业,该行业急需该技术入行,入行后可能带来一场窑炉的革命,象梭式窑、推板窑都有可能被淘汰,并使原料生产品种专业化、规模化,使销售市场更加规范合理。还会带动耐火材料的更多的进步。随着技术的延伸,相关的煅烧和烘干行业都能为该技术设备增添无数的领地。效益分析:接产方接产后即可以生产实验室用窑和小产量生产窑:实验窑每台成本8000元左右,售价18000--20000元,每台的纯利在10000元左右;通常是实验窑与生产窑配套使用,日产量一吨的其成本价在20000左右,售价50000左右,可获纯利20000元左右;更大的窑获利更多些。估计第一年的销售量是30--50台。小型窑不需安装,运到现场就位后就可以生产。厂房条件建议:无备注:无
一种太阳能微型碳化硅生产装置
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:电力、热力、燃气及水生产和供应业
技术简介
一种太阳能微型碳化硅生产装置,包括太阳能接收器和碳化硅炉,碳化硅炉的外缘设有气孔,其内为高温空腔;所述太阳能接收器的聚焦点设在碳化硅炉的高温空腔内;高温空腔内中填充有煤和石英砂;煤和石英砂的混合比例为1:1.5。本实用新型通过利用太阳能来冶炼碳化硅,具有降低成本,减少污染的优点。
新型功能性连续SiC自由薄膜的制备工艺及其产业化
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
该项目通过开发了熔融纺膜与先驱体转化法相结合的独创技术,突破了具有光电特性的连续SiC自由薄膜的关键技术,并制备出多种组分PCS先驱体,掌握了连续SiC自由薄膜不熔化交联预处理与高温裂解烧结的关键工艺,形成了连续SiC自由薄膜材料中小批量生产能力。该技术已申报并公开了“一种碳化硅薄膜成型装置与碳化硅薄膜的制备方法”(CN101219788)、“一种发光碳化硅薄膜的制备方法”(CN101275075)等6项国家发明专利,在国内外重要学术刊物上发表论文7篇。连续SiC自由薄膜由于具有禁带宽度大、致密度高、缺陷密度小、自支撑与无束缚、电子迁移率高、热导率高、抗辐射能力强、化学稳定性好以及与硅集成电路工艺兼容等特性而成为理想的新型宽带隙半导体材料,在微机电系统(MEMS)、光电集成器件、蓝光发光器件、光伏器件、高温紫外光敏器件及高温压力传感器等高技术领域上都显示了很大的优越性,其应用前景十分广阔。
高功率碳化硅电力电子器件关键技术研发和产业化
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
核心技术:碳化硅功率二极管和功率晶体管的器件设计技术、工艺制造技术、功率模块设计技术、封装技术和可靠性技术。主要技术经济指标600V、1200V,20A的碳化硅功率二极管,通态压降1.5V~3V;600V、1200V,5A以上的碳化硅晶体管,通态压降低于3V。与国内比:碳化硅材料特性优越,碳化硅功率器件(600V)拥有比目前通用的硅基器件好几百倍的特性。本项目将填补国内碳化硅功率二极管和功率晶体管的研发空白。与国际比:国际上碳化硅的600V和1200V肖特基二极管成功地产业化,碳化硅功率MOS管的产业化也3年内将实现。本项目的技术指标达到国际前沿水平。技术产业化的市场前景技术产品用途及领域:主要用于替代现有的硅基功率器件,用于大功率电力电子装置中。目前硅基功率器件的市值约在1千亿元。碳化硅被公认为是下一代高压大功率电力电子器件,具有巨大的市场前景。国际市场:在未来3~5年内,国际碳化硅功率器件的市场将由目前的3~4亿元人民币增长到20亿元人民币,年增长率达到70%~80%,具有巨大的市场潜力。国内市场:国内电力电子器件市场约占国际市场的一半份额。产业化条件:本项目拟推荐为产学研重点培育项目,为技术产业化进行技术的研发和知识产权的积累,为3~5年后实现产业化进行提前布局和重点培育。已有设备或生产线条件:国内由多家硅基功率器件和模块的生产企业,经过升级改造,可以用于碳化硅功率器件的研发、制造和产业化。新上设备或生产线投入:无生产技术队伍要求:具有电力电子器件和模块研发、生产和产业化的经验基础,并具备碳化硅功率器件开发和产业化的能力。
SiC高温压力传感器
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
一、项目简介SiC高温压力传感器由于碳化硅材料具有的带宽度宽的特点,在其耐高温、抗辐射性能上都有良好的特性。得益于碳化硅材料的微电子工艺的发展,以碳化硅为材料的高温压力传感器越来越多的出现在高温测量领域。在压力测量方面,相比于压阻式和光学式压力传感器,电容式压力传感器更是具有灵敏度高、温度稳定性好、动态响应快等优点。项目组采用SiC材料为基础的电容式压力传感器,在加工工艺上已突破了绝大部分关键工艺,实现了样机的批量化集成化制作。二、技术成熟度SiC材料在微电子工艺的技术发展,使得其在MEMS传感器或执行器领域出现越来越多的典型耐高温器件,尤其在于压力测量方面,压阻式、电容式、LC谐振式等器件都可以在基于现有的微加工设备上进行制作生产。本课题组开发的SiC电容式高温压力传感器精度已经达到0.5%FS,各项工艺技术成熟可靠。现有样机已通过某型火箭的测试,实现了样机的批量化生产。三、应用范围能够适应高温恶劣环境的气体和液体压力测量的高温压力传感器,有着广阔的应用。民用方面,可用于测量锅炉、管道、高温反应容器内的压力,军用方面,可用于核电、载人航天、深空探测等国家重大工程中。如先进的发动机内部进排气管压力监测需要在 200~300℃环境下进行,而涡喷发动机在不同的尾喷位置需要在 300~1000℃环境下进行压力监测。四、投产条件和预期经济效益SiC高温压力传感器的投产需要超净实验室和先进齐全的硅微加工设备,包括ICP刻蚀、Lift-off剥离工艺、金属沉积、电镀电感及阳极键合等各种工艺设备。还需配备各种薄膜质量检测设备,可以完成从薄膜制备到测试分析的一系列研究,同时需要具有SEM、TEM、XRD等大型设备,为相关项目研究的顺利开展提供充分的设备保障。高温压力传感器应用广泛,从航空航天领域的空气动力学实验、飞行器表面摩阻测量、发动机试车内部压力监测,到民用领域的锅炉、管道、高温反应容器等都有较大的需求,因此具有较为广泛的市场。五、合作方式技术转让,具体合作方式可商议
低温碳化硅薄膜制备和微加工技术转让
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
碳化硅,又称人造金刚石,具有很好的力学、化学、电学性能,可应用于极端电子学器件。单晶、多晶碳化硅的加工需要极高的温度,用物理气相转移、低压化学气相淀积的方法制备。由于工艺温度高,对前向和后向工艺影响大,所以该方法不具有工艺兼容性。我们研制的低温碳化硅借由等离子体,在低温环境(300度)下制备而成,辅以400度左右的炉退火,可实现对薄膜应力的良好控制(从压应力到张应力,控制精度约正负30MPa)。整个工艺温度不超过500度,与传统集成电路加工具有很好的兼容性;制备出的碳化硅材料为非晶,具有良好的机械性能和化学稳定性。因此,此技术制备的碳化硅薄膜,可广泛应用于薄膜涂层,作磨损保护和腐蚀保护;也可用做机械结构,作传感部件,并使用于恶劣的腐蚀性环境。
一种碳化硅增强高铝锌基复合材料的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明提供了一种碳化硅增强高铝锌基复合材料的制备方法,主要步骤为:首先对碳化硅粉体进行预处理,再对碳化硅化学镀铜形成SiCp‑Cu粉体,然后熔炼浇注形成碳化硅增强高铝锌基复合材料的初品,再次对初品进行重熔除气、精炼除杂浇注成型。最终得到的碳化硅增强高铝锌基复合材料,增强相SiCp‑Cu在基体中均匀分布,降低了氧化夹杂含量,显著提高了拉伸和耐磨性能,该工艺方法非常适合工业大规模生产,无需二次加工、节约成本、环保绿色。
找到145项技术成果数据。
找技术 >一种碳化硅/Cu复合材料的制备方法
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
该项目属于电子封装材料的制备领域,公开一种碳化硅/Cu复合材料的制备方法。将酚醛树脂粉溶解于无水乙醇中;将SiC粉加入所得溶液中,40~60℃搅拌均匀;将搅拌均匀的浆料烘干,造粒过筛,将所得颗粒粉压制成型,得到SiC坯体;将SiC坯体置于二氧化钛溶胶中浸渍处理;取出浸渍后的SiC坯体,干燥后煅烧,得到含TiC涂层的SiC坯体;用铜粉包埋SiC坯体,在真空或者惰性气氛保护下1100~1300℃无压熔渗铜0.5~2 h,随后自然降温冷却,即得到碳化硅/铜复合材料。该项目具有工艺简单、操作方便、产品性能良好等优点,使SiC/Cu复合材料拥有良好的导热性能、低的热膨胀系数并具有一定的机械强度。
一种碳化硅冶炼的废气回收工艺
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种碳化硅冶炼的废气回收工艺,包括如下步骤:对碳化硅废气进行收集,将其通过管道经过吸附网,吸附后的废气通过管道进入热交换器进行降温,并通过加压装置对碳化硅废气进行加压,碳化硅废气通入到洗气塔内底 部,再次将碳化硅废气引入至洗气塔内部,在洗气塔内将碳化硅废气的温度降低至常温,碳化硅废气通入到减压阀进行减压,处理后的碳化硅废气导入变频压缩机组内,经过压缩后,通入到冷凝回收泵内,从而移至冷凝回收罐内,最后将碳 化硅废气通入气柜中进行储存。本发明中在能使碳化硅废气在经过处理后,做到回收利用,避免了其排放至空气中从而污染环境,不仅保护了环境,且使得废气的从新利用,符合现在发展的需求。
碳化硅晶片
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:建筑业
技术简介
碳化硅晶片项目简介: 碳化硅晶片是一种微细的片状单晶体,直径一般为3-300μm,厚度0。5-15μm。与晶须相比,晶片的优点是价格较低、纯度高、热稳定性好和缺陷少,具有很好的分散性和流动性,更易均匀分散于基体中,复合材料中可以有很高的加入量(10-70%),且与基体复合的效果优于球状粒子,因而晶片被认为是晶须最具吸引力的替代物。 生产条件: 资金100万元左右,厂房150m2,人员20人,可年产碳化硅晶片1吨,产值300万元,利税200万元左右,投产一年内可收回投资。 市场预测: 碳化硅晶片是制备陶瓷基、金属基复合材料的原料。国际市场很大,国内市场有待开发,潜力很大。利润高、市场及后续产品市场大,推广应用前景非常广阔。
(内热式)高质隔焰节能回转窑
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
技术投资分析:传统直筒直焰回转窑在实际生产过程中存在能耗高、产品质量不稳定的普遍现象,致使该窑炉的使用受到了限制,不能充分发挥其产量大、无易耗窑具、劳动强度小的优势。为此,隔焰回转窑经过多年的研究终于去得成功,一并解决了上述问题,特别是在陶瓷原料行业其优势很明显:一是比传统窑节能15%以上;二是不限燃 料,使得象煤焦油这类低质量的油料都可以放心使用,使用电力更是十分方便;三是大大地提高了产品质量;四是使原来不能用回转窑生产的许多产品现在都可以应用。隔焰回转窑使陶瓷原料的生产完全实现无钵化生产,且产量大质量稳定。旧式窑只需加装隔焰结构即可使用。隔焰结构经多次优化设计,现在结构简单却很实用,可以根据需要设计成全隔焰或半隔 的。 本实用新型提供了一种高质隔焰节能回转窑,包括炉体,炉体内壁设有保温耐火层,炉体在螺旋进料机一侧设有烟囱,另一侧设有出料口,炉体内从螺旋进料机侧起依次分为相通的干燥区、预烧分流区和混合烧成区,所述干燥区设有阻流板,内衬壳体上设有进料内螺旋;所述预烧分流区包括碳化硅管,碳化硅管内设有阻流通道和与阻流通道相通的副燃烧室;所述混合烧成区包括与副燃烧室相通的主燃烧室,主燃烧室的内壁上设有碳化硅隔焰内衬,碳化硅隔焰内衬延伸到副燃烧室的内壁上。本实用新型可以有效节约能源、煅烧充分、实验成本低、质量牢固、成本较低、体积较小、安装方便。技术的应用领域前景分析:技术日前成熟行业是陶瓷原料业,该行业急需该技术入行,入行后可能带来一场窑炉的革命,象梭式窑、推板窑都有可能被淘汰,并使原料生产品种专业化、规模化,使销售市场更加规范合理。还会带动耐火材料的更多的进步。随着技术的延伸,相关的煅烧和烘干行业都能为该技术设备增添无数的领地。效益分析:接产方接产后即可以生产实验室用窑和小产量生产窑:实验窑每台成本8000元左右,售价18000--20000元,每台的纯利在10000元左右;通常是实验窑与生产窑配套使用,日产量一吨的其成本价在20000左右,售价50000左右,可获纯利20000元左右;更大的窑获利更多些。估计第一年的销售量是30--50台。小型窑不需安装,运到现场就位后就可以生产。厂房条件建议:无备注:无
一种太阳能微型碳化硅生产装置
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:电力、热力、燃气及水生产和供应业
技术简介
一种太阳能微型碳化硅生产装置,包括太阳能接收器和碳化硅炉,碳化硅炉的外缘设有气孔,其内为高温空腔;所述太阳能接收器的聚焦点设在碳化硅炉的高温空腔内;高温空腔内中填充有煤和石英砂;煤和石英砂的混合比例为1:1.5。本实用新型通过利用太阳能来冶炼碳化硅,具有降低成本,减少污染的优点。
新型功能性连续SiC自由薄膜的制备工艺及其产业化
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
该项目通过开发了熔融纺膜与先驱体转化法相结合的独创技术,突破了具有光电特性的连续SiC自由薄膜的关键技术,并制备出多种组分PCS先驱体,掌握了连续SiC自由薄膜不熔化交联预处理与高温裂解烧结的关键工艺,形成了连续SiC自由薄膜材料中小批量生产能力。该技术已申报并公开了“一种碳化硅薄膜成型装置与碳化硅薄膜的制备方法”(CN101219788)、“一种发光碳化硅薄膜的制备方法”(CN101275075)等6项国家发明专利,在国内外重要学术刊物上发表论文7篇。连续SiC自由薄膜由于具有禁带宽度大、致密度高、缺陷密度小、自支撑与无束缚、电子迁移率高、热导率高、抗辐射能力强、化学稳定性好以及与硅集成电路工艺兼容等特性而成为理想的新型宽带隙半导体材料,在微机电系统(MEMS)、光电集成器件、蓝光发光器件、光伏器件、高温紫外光敏器件及高温压力传感器等高技术领域上都显示了很大的优越性,其应用前景十分广阔。
高功率碳化硅电力电子器件关键技术研发和产业化
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
核心技术:碳化硅功率二极管和功率晶体管的器件设计技术、工艺制造技术、功率模块设计技术、封装技术和可靠性技术。主要技术经济指标600V、1200V,20A的碳化硅功率二极管,通态压降1.5V~3V;600V、1200V,5A以上的碳化硅晶体管,通态压降低于3V。与国内比:碳化硅材料特性优越,碳化硅功率器件(600V)拥有比目前通用的硅基器件好几百倍的特性。本项目将填补国内碳化硅功率二极管和功率晶体管的研发空白。与国际比:国际上碳化硅的600V和1200V肖特基二极管成功地产业化,碳化硅功率MOS管的产业化也3年内将实现。本项目的技术指标达到国际前沿水平。技术产业化的市场前景技术产品用途及领域:主要用于替代现有的硅基功率器件,用于大功率电力电子装置中。目前硅基功率器件的市值约在1千亿元。碳化硅被公认为是下一代高压大功率电力电子器件,具有巨大的市场前景。国际市场:在未来3~5年内,国际碳化硅功率器件的市场将由目前的3~4亿元人民币增长到20亿元人民币,年增长率达到70%~80%,具有巨大的市场潜力。国内市场:国内电力电子器件市场约占国际市场的一半份额。产业化条件:本项目拟推荐为产学研重点培育项目,为技术产业化进行技术的研发和知识产权的积累,为3~5年后实现产业化进行提前布局和重点培育。已有设备或生产线条件:国内由多家硅基功率器件和模块的生产企业,经过升级改造,可以用于碳化硅功率器件的研发、制造和产业化。新上设备或生产线投入:无生产技术队伍要求:具有电力电子器件和模块研发、生产和产业化的经验基础,并具备碳化硅功率器件开发和产业化的能力。
SiC高温压力传感器
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
一、项目简介SiC高温压力传感器由于碳化硅材料具有的带宽度宽的特点,在其耐高温、抗辐射性能上都有良好的特性。得益于碳化硅材料的微电子工艺的发展,以碳化硅为材料的高温压力传感器越来越多的出现在高温测量领域。在压力测量方面,相比于压阻式和光学式压力传感器,电容式压力传感器更是具有灵敏度高、温度稳定性好、动态响应快等优点。项目组采用SiC材料为基础的电容式压力传感器,在加工工艺上已突破了绝大部分关键工艺,实现了样机的批量化集成化制作。二、技术成熟度SiC材料在微电子工艺的技术发展,使得其在MEMS传感器或执行器领域出现越来越多的典型耐高温器件,尤其在于压力测量方面,压阻式、电容式、LC谐振式等器件都可以在基于现有的微加工设备上进行制作生产。本课题组开发的SiC电容式高温压力传感器精度已经达到0.5%FS,各项工艺技术成熟可靠。现有样机已通过某型火箭的测试,实现了样机的批量化生产。三、应用范围能够适应高温恶劣环境的气体和液体压力测量的高温压力传感器,有着广阔的应用。民用方面,可用于测量锅炉、管道、高温反应容器内的压力,军用方面,可用于核电、载人航天、深空探测等国家重大工程中。如先进的发动机内部进排气管压力监测需要在 200~300℃环境下进行,而涡喷发动机在不同的尾喷位置需要在 300~1000℃环境下进行压力监测。四、投产条件和预期经济效益SiC高温压力传感器的投产需要超净实验室和先进齐全的硅微加工设备,包括ICP刻蚀、Lift-off剥离工艺、金属沉积、电镀电感及阳极键合等各种工艺设备。还需配备各种薄膜质量检测设备,可以完成从薄膜制备到测试分析的一系列研究,同时需要具有SEM、TEM、XRD等大型设备,为相关项目研究的顺利开展提供充分的设备保障。高温压力传感器应用广泛,从航空航天领域的空气动力学实验、飞行器表面摩阻测量、发动机试车内部压力监测,到民用领域的锅炉、管道、高温反应容器等都有较大的需求,因此具有较为广泛的市场。五、合作方式技术转让,具体合作方式可商议
低温碳化硅薄膜制备和微加工技术转让
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
碳化硅,又称人造金刚石,具有很好的力学、化学、电学性能,可应用于极端电子学器件。单晶、多晶碳化硅的加工需要极高的温度,用物理气相转移、低压化学气相淀积的方法制备。由于工艺温度高,对前向和后向工艺影响大,所以该方法不具有工艺兼容性。我们研制的低温碳化硅借由等离子体,在低温环境(300度)下制备而成,辅以400度左右的炉退火,可实现对薄膜应力的良好控制(从压应力到张应力,控制精度约正负30MPa)。整个工艺温度不超过500度,与传统集成电路加工具有很好的兼容性;制备出的碳化硅材料为非晶,具有良好的机械性能和化学稳定性。因此,此技术制备的碳化硅薄膜,可广泛应用于薄膜涂层,作磨损保护和腐蚀保护;也可用做机械结构,作传感部件,并使用于恶劣的腐蚀性环境。
一种碳化硅增强高铝锌基复合材料的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明提供了一种碳化硅增强高铝锌基复合材料的制备方法,主要步骤为:首先对碳化硅粉体进行预处理,再对碳化硅化学镀铜形成SiCp‑Cu粉体,然后熔炼浇注形成碳化硅增强高铝锌基复合材料的初品,再次对初品进行重熔除气、精炼除杂浇注成型。最终得到的碳化硅增强高铝锌基复合材料,增强相SiCp‑Cu在基体中均匀分布,降低了氧化夹杂含量,显著提高了拉伸和耐磨性能,该工艺方法非常适合工业大规模生产,无需二次加工、节约成本、环保绿色。
找到145项技术成果数据。
找技术 >一种碳化硅/Cu复合材料的制备方法
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
该项目属于电子封装材料的制备领域,公开一种碳化硅/Cu复合材料的制备方法。将酚醛树脂粉溶解于无水乙醇中;将SiC粉加入所得溶液中,40~60℃搅拌均匀;将搅拌均匀的浆料烘干,造粒过筛,将所得颗粒粉压制成型,得到SiC坯体;将SiC坯体置于二氧化钛溶胶中浸渍处理;取出浸渍后的SiC坯体,干燥后煅烧,得到含TiC涂层的SiC坯体;用铜粉包埋SiC坯体,在真空或者惰性气氛保护下1100~1300℃无压熔渗铜0.5~2 h,随后自然降温冷却,即得到碳化硅/铜复合材料。该项目具有工艺简单、操作方便、产品性能良好等优点,使SiC/Cu复合材料拥有良好的导热性能、低的热膨胀系数并具有一定的机械强度。
一种碳化硅冶炼的废气回收工艺
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种碳化硅冶炼的废气回收工艺,包括如下步骤:对碳化硅废气进行收集,将其通过管道经过吸附网,吸附后的废气通过管道进入热交换器进行降温,并通过加压装置对碳化硅废气进行加压,碳化硅废气通入到洗气塔内底 部,再次将碳化硅废气引入至洗气塔内部,在洗气塔内将碳化硅废气的温度降低至常温,碳化硅废气通入到减压阀进行减压,处理后的碳化硅废气导入变频压缩机组内,经过压缩后,通入到冷凝回收泵内,从而移至冷凝回收罐内,最后将碳 化硅废气通入气柜中进行储存。本发明中在能使碳化硅废气在经过处理后,做到回收利用,避免了其排放至空气中从而污染环境,不仅保护了环境,且使得废气的从新利用,符合现在发展的需求。
碳化硅晶片
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:建筑业
技术简介
碳化硅晶片项目简介: 碳化硅晶片是一种微细的片状单晶体,直径一般为3-300μm,厚度0。5-15μm。与晶须相比,晶片的优点是价格较低、纯度高、热稳定性好和缺陷少,具有很好的分散性和流动性,更易均匀分散于基体中,复合材料中可以有很高的加入量(10-70%),且与基体复合的效果优于球状粒子,因而晶片被认为是晶须最具吸引力的替代物。 生产条件: 资金100万元左右,厂房150m2,人员20人,可年产碳化硅晶片1吨,产值300万元,利税200万元左右,投产一年内可收回投资。 市场预测: 碳化硅晶片是制备陶瓷基、金属基复合材料的原料。国际市场很大,国内市场有待开发,潜力很大。利润高、市场及后续产品市场大,推广应用前景非常广阔。
(内热式)高质隔焰节能回转窑
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
技术投资分析:传统直筒直焰回转窑在实际生产过程中存在能耗高、产品质量不稳定的普遍现象,致使该窑炉的使用受到了限制,不能充分发挥其产量大、无易耗窑具、劳动强度小的优势。为此,隔焰回转窑经过多年的研究终于去得成功,一并解决了上述问题,特别是在陶瓷原料行业其优势很明显:一是比传统窑节能15%以上;二是不限燃 料,使得象煤焦油这类低质量的油料都可以放心使用,使用电力更是十分方便;三是大大地提高了产品质量;四是使原来不能用回转窑生产的许多产品现在都可以应用。隔焰回转窑使陶瓷原料的生产完全实现无钵化生产,且产量大质量稳定。旧式窑只需加装隔焰结构即可使用。隔焰结构经多次优化设计,现在结构简单却很实用,可以根据需要设计成全隔焰或半隔 的。 本实用新型提供了一种高质隔焰节能回转窑,包括炉体,炉体内壁设有保温耐火层,炉体在螺旋进料机一侧设有烟囱,另一侧设有出料口,炉体内从螺旋进料机侧起依次分为相通的干燥区、预烧分流区和混合烧成区,所述干燥区设有阻流板,内衬壳体上设有进料内螺旋;所述预烧分流区包括碳化硅管,碳化硅管内设有阻流通道和与阻流通道相通的副燃烧室;所述混合烧成区包括与副燃烧室相通的主燃烧室,主燃烧室的内壁上设有碳化硅隔焰内衬,碳化硅隔焰内衬延伸到副燃烧室的内壁上。本实用新型可以有效节约能源、煅烧充分、实验成本低、质量牢固、成本较低、体积较小、安装方便。技术的应用领域前景分析:技术日前成熟行业是陶瓷原料业,该行业急需该技术入行,入行后可能带来一场窑炉的革命,象梭式窑、推板窑都有可能被淘汰,并使原料生产品种专业化、规模化,使销售市场更加规范合理。还会带动耐火材料的更多的进步。随着技术的延伸,相关的煅烧和烘干行业都能为该技术设备增添无数的领地。效益分析:接产方接产后即可以生产实验室用窑和小产量生产窑:实验窑每台成本8000元左右,售价18000--20000元,每台的纯利在10000元左右;通常是实验窑与生产窑配套使用,日产量一吨的其成本价在20000左右,售价50000左右,可获纯利20000元左右;更大的窑获利更多些。估计第一年的销售量是30--50台。小型窑不需安装,运到现场就位后就可以生产。厂房条件建议:无备注:无
一种太阳能微型碳化硅生产装置
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:电力、热力、燃气及水生产和供应业
技术简介
一种太阳能微型碳化硅生产装置,包括太阳能接收器和碳化硅炉,碳化硅炉的外缘设有气孔,其内为高温空腔;所述太阳能接收器的聚焦点设在碳化硅炉的高温空腔内;高温空腔内中填充有煤和石英砂;煤和石英砂的混合比例为1:1.5。本实用新型通过利用太阳能来冶炼碳化硅,具有降低成本,减少污染的优点。
新型功能性连续SiC自由薄膜的制备工艺及其产业化
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
该项目通过开发了熔融纺膜与先驱体转化法相结合的独创技术,突破了具有光电特性的连续SiC自由薄膜的关键技术,并制备出多种组分PCS先驱体,掌握了连续SiC自由薄膜不熔化交联预处理与高温裂解烧结的关键工艺,形成了连续SiC自由薄膜材料中小批量生产能力。该技术已申报并公开了“一种碳化硅薄膜成型装置与碳化硅薄膜的制备方法”(CN101219788)、“一种发光碳化硅薄膜的制备方法”(CN101275075)等6项国家发明专利,在国内外重要学术刊物上发表论文7篇。连续SiC自由薄膜由于具有禁带宽度大、致密度高、缺陷密度小、自支撑与无束缚、电子迁移率高、热导率高、抗辐射能力强、化学稳定性好以及与硅集成电路工艺兼容等特性而成为理想的新型宽带隙半导体材料,在微机电系统(MEMS)、光电集成器件、蓝光发光器件、光伏器件、高温紫外光敏器件及高温压力传感器等高技术领域上都显示了很大的优越性,其应用前景十分广阔。
高功率碳化硅电力电子器件关键技术研发和产业化
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
核心技术:碳化硅功率二极管和功率晶体管的器件设计技术、工艺制造技术、功率模块设计技术、封装技术和可靠性技术。主要技术经济指标600V、1200V,20A的碳化硅功率二极管,通态压降1.5V~3V;600V、1200V,5A以上的碳化硅晶体管,通态压降低于3V。与国内比:碳化硅材料特性优越,碳化硅功率器件(600V)拥有比目前通用的硅基器件好几百倍的特性。本项目将填补国内碳化硅功率二极管和功率晶体管的研发空白。与国际比:国际上碳化硅的600V和1200V肖特基二极管成功地产业化,碳化硅功率MOS管的产业化也3年内将实现。本项目的技术指标达到国际前沿水平。技术产业化的市场前景技术产品用途及领域:主要用于替代现有的硅基功率器件,用于大功率电力电子装置中。目前硅基功率器件的市值约在1千亿元。碳化硅被公认为是下一代高压大功率电力电子器件,具有巨大的市场前景。国际市场:在未来3~5年内,国际碳化硅功率器件的市场将由目前的3~4亿元人民币增长到20亿元人民币,年增长率达到70%~80%,具有巨大的市场潜力。国内市场:国内电力电子器件市场约占国际市场的一半份额。产业化条件:本项目拟推荐为产学研重点培育项目,为技术产业化进行技术的研发和知识产权的积累,为3~5年后实现产业化进行提前布局和重点培育。已有设备或生产线条件:国内由多家硅基功率器件和模块的生产企业,经过升级改造,可以用于碳化硅功率器件的研发、制造和产业化。新上设备或生产线投入:无生产技术队伍要求:具有电力电子器件和模块研发、生产和产业化的经验基础,并具备碳化硅功率器件开发和产业化的能力。
SiC高温压力传感器
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
一、项目简介SiC高温压力传感器由于碳化硅材料具有的带宽度宽的特点,在其耐高温、抗辐射性能上都有良好的特性。得益于碳化硅材料的微电子工艺的发展,以碳化硅为材料的高温压力传感器越来越多的出现在高温测量领域。在压力测量方面,相比于压阻式和光学式压力传感器,电容式压力传感器更是具有灵敏度高、温度稳定性好、动态响应快等优点。项目组采用SiC材料为基础的电容式压力传感器,在加工工艺上已突破了绝大部分关键工艺,实现了样机的批量化集成化制作。二、技术成熟度SiC材料在微电子工艺的技术发展,使得其在MEMS传感器或执行器领域出现越来越多的典型耐高温器件,尤其在于压力测量方面,压阻式、电容式、LC谐振式等器件都可以在基于现有的微加工设备上进行制作生产。本课题组开发的SiC电容式高温压力传感器精度已经达到0.5%FS,各项工艺技术成熟可靠。现有样机已通过某型火箭的测试,实现了样机的批量化生产。三、应用范围能够适应高温恶劣环境的气体和液体压力测量的高温压力传感器,有着广阔的应用。民用方面,可用于测量锅炉、管道、高温反应容器内的压力,军用方面,可用于核电、载人航天、深空探测等国家重大工程中。如先进的发动机内部进排气管压力监测需要在 200~300℃环境下进行,而涡喷发动机在不同的尾喷位置需要在 300~1000℃环境下进行压力监测。四、投产条件和预期经济效益SiC高温压力传感器的投产需要超净实验室和先进齐全的硅微加工设备,包括ICP刻蚀、Lift-off剥离工艺、金属沉积、电镀电感及阳极键合等各种工艺设备。还需配备各种薄膜质量检测设备,可以完成从薄膜制备到测试分析的一系列研究,同时需要具有SEM、TEM、XRD等大型设备,为相关项目研究的顺利开展提供充分的设备保障。高温压力传感器应用广泛,从航空航天领域的空气动力学实验、飞行器表面摩阻测量、发动机试车内部压力监测,到民用领域的锅炉、管道、高温反应容器等都有较大的需求,因此具有较为广泛的市场。五、合作方式技术转让,具体合作方式可商议
低温碳化硅薄膜制备和微加工技术转让
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
碳化硅,又称人造金刚石,具有很好的力学、化学、电学性能,可应用于极端电子学器件。单晶、多晶碳化硅的加工需要极高的温度,用物理气相转移、低压化学气相淀积的方法制备。由于工艺温度高,对前向和后向工艺影响大,所以该方法不具有工艺兼容性。我们研制的低温碳化硅借由等离子体,在低温环境(300度)下制备而成,辅以400度左右的炉退火,可实现对薄膜应力的良好控制(从压应力到张应力,控制精度约正负30MPa)。整个工艺温度不超过500度,与传统集成电路加工具有很好的兼容性;制备出的碳化硅材料为非晶,具有良好的机械性能和化学稳定性。因此,此技术制备的碳化硅薄膜,可广泛应用于薄膜涂层,作磨损保护和腐蚀保护;也可用做机械结构,作传感部件,并使用于恶劣的腐蚀性环境。
一种碳化硅增强高铝锌基复合材料的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明提供了一种碳化硅增强高铝锌基复合材料的制备方法,主要步骤为:首先对碳化硅粉体进行预处理,再对碳化硅化学镀铜形成SiCp‑Cu粉体,然后熔炼浇注形成碳化硅增强高铝锌基复合材料的初品,再次对初品进行重熔除气、精炼除杂浇注成型。最终得到的碳化硅增强高铝锌基复合材料,增强相SiCp‑Cu在基体中均匀分布,降低了氧化夹杂含量,显著提高了拉伸和耐磨性能,该工艺方法非常适合工业大规模生产,无需二次加工、节约成本、环保绿色。
找到145项技术成果数据。
找技术 >一种碳化硅/Cu复合材料的制备方法
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
该项目属于电子封装材料的制备领域,公开一种碳化硅/Cu复合材料的制备方法。将酚醛树脂粉溶解于无水乙醇中;将SiC粉加入所得溶液中,40~60℃搅拌均匀;将搅拌均匀的浆料烘干,造粒过筛,将所得颗粒粉压制成型,得到SiC坯体;将SiC坯体置于二氧化钛溶胶中浸渍处理;取出浸渍后的SiC坯体,干燥后煅烧,得到含TiC涂层的SiC坯体;用铜粉包埋SiC坯体,在真空或者惰性气氛保护下1100~1300℃无压熔渗铜0.5~2 h,随后自然降温冷却,即得到碳化硅/铜复合材料。该项目具有工艺简单、操作方便、产品性能良好等优点,使SiC/Cu复合材料拥有良好的导热性能、低的热膨胀系数并具有一定的机械强度。
一种碳化硅冶炼的废气回收工艺
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种碳化硅冶炼的废气回收工艺,包括如下步骤:对碳化硅废气进行收集,将其通过管道经过吸附网,吸附后的废气通过管道进入热交换器进行降温,并通过加压装置对碳化硅废气进行加压,碳化硅废气通入到洗气塔内底 部,再次将碳化硅废气引入至洗气塔内部,在洗气塔内将碳化硅废气的温度降低至常温,碳化硅废气通入到减压阀进行减压,处理后的碳化硅废气导入变频压缩机组内,经过压缩后,通入到冷凝回收泵内,从而移至冷凝回收罐内,最后将碳 化硅废气通入气柜中进行储存。本发明中在能使碳化硅废气在经过处理后,做到回收利用,避免了其排放至空气中从而污染环境,不仅保护了环境,且使得废气的从新利用,符合现在发展的需求。
碳化硅晶片
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:建筑业
技术简介
碳化硅晶片项目简介: 碳化硅晶片是一种微细的片状单晶体,直径一般为3-300μm,厚度0。5-15μm。与晶须相比,晶片的优点是价格较低、纯度高、热稳定性好和缺陷少,具有很好的分散性和流动性,更易均匀分散于基体中,复合材料中可以有很高的加入量(10-70%),且与基体复合的效果优于球状粒子,因而晶片被认为是晶须最具吸引力的替代物。 生产条件: 资金100万元左右,厂房150m2,人员20人,可年产碳化硅晶片1吨,产值300万元,利税200万元左右,投产一年内可收回投资。 市场预测: 碳化硅晶片是制备陶瓷基、金属基复合材料的原料。国际市场很大,国内市场有待开发,潜力很大。利润高、市场及后续产品市场大,推广应用前景非常广阔。
(内热式)高质隔焰节能回转窑
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
技术投资分析:传统直筒直焰回转窑在实际生产过程中存在能耗高、产品质量不稳定的普遍现象,致使该窑炉的使用受到了限制,不能充分发挥其产量大、无易耗窑具、劳动强度小的优势。为此,隔焰回转窑经过多年的研究终于去得成功,一并解决了上述问题,特别是在陶瓷原料行业其优势很明显:一是比传统窑节能15%以上;二是不限燃 料,使得象煤焦油这类低质量的油料都可以放心使用,使用电力更是十分方便;三是大大地提高了产品质量;四是使原来不能用回转窑生产的许多产品现在都可以应用。隔焰回转窑使陶瓷原料的生产完全实现无钵化生产,且产量大质量稳定。旧式窑只需加装隔焰结构即可使用。隔焰结构经多次优化设计,现在结构简单却很实用,可以根据需要设计成全隔焰或半隔 的。 本实用新型提供了一种高质隔焰节能回转窑,包括炉体,炉体内壁设有保温耐火层,炉体在螺旋进料机一侧设有烟囱,另一侧设有出料口,炉体内从螺旋进料机侧起依次分为相通的干燥区、预烧分流区和混合烧成区,所述干燥区设有阻流板,内衬壳体上设有进料内螺旋;所述预烧分流区包括碳化硅管,碳化硅管内设有阻流通道和与阻流通道相通的副燃烧室;所述混合烧成区包括与副燃烧室相通的主燃烧室,主燃烧室的内壁上设有碳化硅隔焰内衬,碳化硅隔焰内衬延伸到副燃烧室的内壁上。本实用新型可以有效节约能源、煅烧充分、实验成本低、质量牢固、成本较低、体积较小、安装方便。技术的应用领域前景分析:技术日前成熟行业是陶瓷原料业,该行业急需该技术入行,入行后可能带来一场窑炉的革命,象梭式窑、推板窑都有可能被淘汰,并使原料生产品种专业化、规模化,使销售市场更加规范合理。还会带动耐火材料的更多的进步。随着技术的延伸,相关的煅烧和烘干行业都能为该技术设备增添无数的领地。效益分析:接产方接产后即可以生产实验室用窑和小产量生产窑:实验窑每台成本8000元左右,售价18000--20000元,每台的纯利在10000元左右;通常是实验窑与生产窑配套使用,日产量一吨的其成本价在20000左右,售价50000左右,可获纯利20000元左右;更大的窑获利更多些。估计第一年的销售量是30--50台。小型窑不需安装,运到现场就位后就可以生产。厂房条件建议:无备注:无
一种太阳能微型碳化硅生产装置
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:电力、热力、燃气及水生产和供应业
技术简介
一种太阳能微型碳化硅生产装置,包括太阳能接收器和碳化硅炉,碳化硅炉的外缘设有气孔,其内为高温空腔;所述太阳能接收器的聚焦点设在碳化硅炉的高温空腔内;高温空腔内中填充有煤和石英砂;煤和石英砂的混合比例为1:1.5。本实用新型通过利用太阳能来冶炼碳化硅,具有降低成本,减少污染的优点。
新型功能性连续SiC自由薄膜的制备工艺及其产业化
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
该项目通过开发了熔融纺膜与先驱体转化法相结合的独创技术,突破了具有光电特性的连续SiC自由薄膜的关键技术,并制备出多种组分PCS先驱体,掌握了连续SiC自由薄膜不熔化交联预处理与高温裂解烧结的关键工艺,形成了连续SiC自由薄膜材料中小批量生产能力。该技术已申报并公开了“一种碳化硅薄膜成型装置与碳化硅薄膜的制备方法”(CN101219788)、“一种发光碳化硅薄膜的制备方法”(CN101275075)等6项国家发明专利,在国内外重要学术刊物上发表论文7篇。连续SiC自由薄膜由于具有禁带宽度大、致密度高、缺陷密度小、自支撑与无束缚、电子迁移率高、热导率高、抗辐射能力强、化学稳定性好以及与硅集成电路工艺兼容等特性而成为理想的新型宽带隙半导体材料,在微机电系统(MEMS)、光电集成器件、蓝光发光器件、光伏器件、高温紫外光敏器件及高温压力传感器等高技术领域上都显示了很大的优越性,其应用前景十分广阔。
高功率碳化硅电力电子器件关键技术研发和产业化
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
核心技术:碳化硅功率二极管和功率晶体管的器件设计技术、工艺制造技术、功率模块设计技术、封装技术和可靠性技术。主要技术经济指标600V、1200V,20A的碳化硅功率二极管,通态压降1.5V~3V;600V、1200V,5A以上的碳化硅晶体管,通态压降低于3V。与国内比:碳化硅材料特性优越,碳化硅功率器件(600V)拥有比目前通用的硅基器件好几百倍的特性。本项目将填补国内碳化硅功率二极管和功率晶体管的研发空白。与国际比:国际上碳化硅的600V和1200V肖特基二极管成功地产业化,碳化硅功率MOS管的产业化也3年内将实现。本项目的技术指标达到国际前沿水平。技术产业化的市场前景技术产品用途及领域:主要用于替代现有的硅基功率器件,用于大功率电力电子装置中。目前硅基功率器件的市值约在1千亿元。碳化硅被公认为是下一代高压大功率电力电子器件,具有巨大的市场前景。国际市场:在未来3~5年内,国际碳化硅功率器件的市场将由目前的3~4亿元人民币增长到20亿元人民币,年增长率达到70%~80%,具有巨大的市场潜力。国内市场:国内电力电子器件市场约占国际市场的一半份额。产业化条件:本项目拟推荐为产学研重点培育项目,为技术产业化进行技术的研发和知识产权的积累,为3~5年后实现产业化进行提前布局和重点培育。已有设备或生产线条件:国内由多家硅基功率器件和模块的生产企业,经过升级改造,可以用于碳化硅功率器件的研发、制造和产业化。新上设备或生产线投入:无生产技术队伍要求:具有电力电子器件和模块研发、生产和产业化的经验基础,并具备碳化硅功率器件开发和产业化的能力。
SiC高温压力传感器
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
一、项目简介SiC高温压力传感器由于碳化硅材料具有的带宽度宽的特点,在其耐高温、抗辐射性能上都有良好的特性。得益于碳化硅材料的微电子工艺的发展,以碳化硅为材料的高温压力传感器越来越多的出现在高温测量领域。在压力测量方面,相比于压阻式和光学式压力传感器,电容式压力传感器更是具有灵敏度高、温度稳定性好、动态响应快等优点。项目组采用SiC材料为基础的电容式压力传感器,在加工工艺上已突破了绝大部分关键工艺,实现了样机的批量化集成化制作。二、技术成熟度SiC材料在微电子工艺的技术发展,使得其在MEMS传感器或执行器领域出现越来越多的典型耐高温器件,尤其在于压力测量方面,压阻式、电容式、LC谐振式等器件都可以在基于现有的微加工设备上进行制作生产。本课题组开发的SiC电容式高温压力传感器精度已经达到0.5%FS,各项工艺技术成熟可靠。现有样机已通过某型火箭的测试,实现了样机的批量化生产。三、应用范围能够适应高温恶劣环境的气体和液体压力测量的高温压力传感器,有着广阔的应用。民用方面,可用于测量锅炉、管道、高温反应容器内的压力,军用方面,可用于核电、载人航天、深空探测等国家重大工程中。如先进的发动机内部进排气管压力监测需要在 200~300℃环境下进行,而涡喷发动机在不同的尾喷位置需要在 300~1000℃环境下进行压力监测。四、投产条件和预期经济效益SiC高温压力传感器的投产需要超净实验室和先进齐全的硅微加工设备,包括ICP刻蚀、Lift-off剥离工艺、金属沉积、电镀电感及阳极键合等各种工艺设备。还需配备各种薄膜质量检测设备,可以完成从薄膜制备到测试分析的一系列研究,同时需要具有SEM、TEM、XRD等大型设备,为相关项目研究的顺利开展提供充分的设备保障。高温压力传感器应用广泛,从航空航天领域的空气动力学实验、飞行器表面摩阻测量、发动机试车内部压力监测,到民用领域的锅炉、管道、高温反应容器等都有较大的需求,因此具有较为广泛的市场。五、合作方式技术转让,具体合作方式可商议
低温碳化硅薄膜制备和微加工技术转让
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
碳化硅,又称人造金刚石,具有很好的力学、化学、电学性能,可应用于极端电子学器件。单晶、多晶碳化硅的加工需要极高的温度,用物理气相转移、低压化学气相淀积的方法制备。由于工艺温度高,对前向和后向工艺影响大,所以该方法不具有工艺兼容性。我们研制的低温碳化硅借由等离子体,在低温环境(300度)下制备而成,辅以400度左右的炉退火,可实现对薄膜应力的良好控制(从压应力到张应力,控制精度约正负30MPa)。整个工艺温度不超过500度,与传统集成电路加工具有很好的兼容性;制备出的碳化硅材料为非晶,具有良好的机械性能和化学稳定性。因此,此技术制备的碳化硅薄膜,可广泛应用于薄膜涂层,作磨损保护和腐蚀保护;也可用做机械结构,作传感部件,并使用于恶劣的腐蚀性环境。
一种碳化硅增强高铝锌基复合材料的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明提供了一种碳化硅增强高铝锌基复合材料的制备方法,主要步骤为:首先对碳化硅粉体进行预处理,再对碳化硅化学镀铜形成SiCp‑Cu粉体,然后熔炼浇注形成碳化硅增强高铝锌基复合材料的初品,再次对初品进行重熔除气、精炼除杂浇注成型。最终得到的碳化硅增强高铝锌基复合材料,增强相SiCp‑Cu在基体中均匀分布,降低了氧化夹杂含量,显著提高了拉伸和耐磨性能,该工艺方法非常适合工业大规模生产,无需二次加工、节约成本、环保绿色。
找到145项技术成果数据。
找技术 >一种碳化硅/Cu复合材料的制备方法
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
该项目属于电子封装材料的制备领域,公开一种碳化硅/Cu复合材料的制备方法。将酚醛树脂粉溶解于无水乙醇中;将SiC粉加入所得溶液中,40~60℃搅拌均匀;将搅拌均匀的浆料烘干,造粒过筛,将所得颗粒粉压制成型,得到SiC坯体;将SiC坯体置于二氧化钛溶胶中浸渍处理;取出浸渍后的SiC坯体,干燥后煅烧,得到含TiC涂层的SiC坯体;用铜粉包埋SiC坯体,在真空或者惰性气氛保护下1100~1300℃无压熔渗铜0.5~2 h,随后自然降温冷却,即得到碳化硅/铜复合材料。该项目具有工艺简单、操作方便、产品性能良好等优点,使SiC/Cu复合材料拥有良好的导热性能、低的热膨胀系数并具有一定的机械强度。
一种碳化硅冶炼的废气回收工艺
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种碳化硅冶炼的废气回收工艺,包括如下步骤:对碳化硅废气进行收集,将其通过管道经过吸附网,吸附后的废气通过管道进入热交换器进行降温,并通过加压装置对碳化硅废气进行加压,碳化硅废气通入到洗气塔内底 部,再次将碳化硅废气引入至洗气塔内部,在洗气塔内将碳化硅废气的温度降低至常温,碳化硅废气通入到减压阀进行减压,处理后的碳化硅废气导入变频压缩机组内,经过压缩后,通入到冷凝回收泵内,从而移至冷凝回收罐内,最后将碳 化硅废气通入气柜中进行储存。本发明中在能使碳化硅废气在经过处理后,做到回收利用,避免了其排放至空气中从而污染环境,不仅保护了环境,且使得废气的从新利用,符合现在发展的需求。
碳化硅晶片
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:建筑业
技术简介
碳化硅晶片项目简介: 碳化硅晶片是一种微细的片状单晶体,直径一般为3-300μm,厚度0。5-15μm。与晶须相比,晶片的优点是价格较低、纯度高、热稳定性好和缺陷少,具有很好的分散性和流动性,更易均匀分散于基体中,复合材料中可以有很高的加入量(10-70%),且与基体复合的效果优于球状粒子,因而晶片被认为是晶须最具吸引力的替代物。 生产条件: 资金100万元左右,厂房150m2,人员20人,可年产碳化硅晶片1吨,产值300万元,利税200万元左右,投产一年内可收回投资。 市场预测: 碳化硅晶片是制备陶瓷基、金属基复合材料的原料。国际市场很大,国内市场有待开发,潜力很大。利润高、市场及后续产品市场大,推广应用前景非常广阔。
(内热式)高质隔焰节能回转窑
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
技术投资分析:传统直筒直焰回转窑在实际生产过程中存在能耗高、产品质量不稳定的普遍现象,致使该窑炉的使用受到了限制,不能充分发挥其产量大、无易耗窑具、劳动强度小的优势。为此,隔焰回转窑经过多年的研究终于去得成功,一并解决了上述问题,特别是在陶瓷原料行业其优势很明显:一是比传统窑节能15%以上;二是不限燃 料,使得象煤焦油这类低质量的油料都可以放心使用,使用电力更是十分方便;三是大大地提高了产品质量;四是使原来不能用回转窑生产的许多产品现在都可以应用。隔焰回转窑使陶瓷原料的生产完全实现无钵化生产,且产量大质量稳定。旧式窑只需加装隔焰结构即可使用。隔焰结构经多次优化设计,现在结构简单却很实用,可以根据需要设计成全隔焰或半隔 的。 本实用新型提供了一种高质隔焰节能回转窑,包括炉体,炉体内壁设有保温耐火层,炉体在螺旋进料机一侧设有烟囱,另一侧设有出料口,炉体内从螺旋进料机侧起依次分为相通的干燥区、预烧分流区和混合烧成区,所述干燥区设有阻流板,内衬壳体上设有进料内螺旋;所述预烧分流区包括碳化硅管,碳化硅管内设有阻流通道和与阻流通道相通的副燃烧室;所述混合烧成区包括与副燃烧室相通的主燃烧室,主燃烧室的内壁上设有碳化硅隔焰内衬,碳化硅隔焰内衬延伸到副燃烧室的内壁上。本实用新型可以有效节约能源、煅烧充分、实验成本低、质量牢固、成本较低、体积较小、安装方便。技术的应用领域前景分析:技术日前成熟行业是陶瓷原料业,该行业急需该技术入行,入行后可能带来一场窑炉的革命,象梭式窑、推板窑都有可能被淘汰,并使原料生产品种专业化、规模化,使销售市场更加规范合理。还会带动耐火材料的更多的进步。随着技术的延伸,相关的煅烧和烘干行业都能为该技术设备增添无数的领地。效益分析:接产方接产后即可以生产实验室用窑和小产量生产窑:实验窑每台成本8000元左右,售价18000--20000元,每台的纯利在10000元左右;通常是实验窑与生产窑配套使用,日产量一吨的其成本价在20000左右,售价50000左右,可获纯利20000元左右;更大的窑获利更多些。估计第一年的销售量是30--50台。小型窑不需安装,运到现场就位后就可以生产。厂房条件建议:无备注:无
一种太阳能微型碳化硅生产装置
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:电力、热力、燃气及水生产和供应业
技术简介
一种太阳能微型碳化硅生产装置,包括太阳能接收器和碳化硅炉,碳化硅炉的外缘设有气孔,其内为高温空腔;所述太阳能接收器的聚焦点设在碳化硅炉的高温空腔内;高温空腔内中填充有煤和石英砂;煤和石英砂的混合比例为1:1.5。本实用新型通过利用太阳能来冶炼碳化硅,具有降低成本,减少污染的优点。
新型功能性连续SiC自由薄膜的制备工艺及其产业化
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
该项目通过开发了熔融纺膜与先驱体转化法相结合的独创技术,突破了具有光电特性的连续SiC自由薄膜的关键技术,并制备出多种组分PCS先驱体,掌握了连续SiC自由薄膜不熔化交联预处理与高温裂解烧结的关键工艺,形成了连续SiC自由薄膜材料中小批量生产能力。该技术已申报并公开了“一种碳化硅薄膜成型装置与碳化硅薄膜的制备方法”(CN101219788)、“一种发光碳化硅薄膜的制备方法”(CN101275075)等6项国家发明专利,在国内外重要学术刊物上发表论文7篇。连续SiC自由薄膜由于具有禁带宽度大、致密度高、缺陷密度小、自支撑与无束缚、电子迁移率高、热导率高、抗辐射能力强、化学稳定性好以及与硅集成电路工艺兼容等特性而成为理想的新型宽带隙半导体材料,在微机电系统(MEMS)、光电集成器件、蓝光发光器件、光伏器件、高温紫外光敏器件及高温压力传感器等高技术领域上都显示了很大的优越性,其应用前景十分广阔。
高功率碳化硅电力电子器件关键技术研发和产业化
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
核心技术:碳化硅功率二极管和功率晶体管的器件设计技术、工艺制造技术、功率模块设计技术、封装技术和可靠性技术。主要技术经济指标600V、1200V,20A的碳化硅功率二极管,通态压降1.5V~3V;600V、1200V,5A以上的碳化硅晶体管,通态压降低于3V。与国内比:碳化硅材料特性优越,碳化硅功率器件(600V)拥有比目前通用的硅基器件好几百倍的特性。本项目将填补国内碳化硅功率二极管和功率晶体管的研发空白。与国际比:国际上碳化硅的600V和1200V肖特基二极管成功地产业化,碳化硅功率MOS管的产业化也3年内将实现。本项目的技术指标达到国际前沿水平。技术产业化的市场前景技术产品用途及领域:主要用于替代现有的硅基功率器件,用于大功率电力电子装置中。目前硅基功率器件的市值约在1千亿元。碳化硅被公认为是下一代高压大功率电力电子器件,具有巨大的市场前景。国际市场:在未来3~5年内,国际碳化硅功率器件的市场将由目前的3~4亿元人民币增长到20亿元人民币,年增长率达到70%~80%,具有巨大的市场潜力。国内市场:国内电力电子器件市场约占国际市场的一半份额。产业化条件:本项目拟推荐为产学研重点培育项目,为技术产业化进行技术的研发和知识产权的积累,为3~5年后实现产业化进行提前布局和重点培育。已有设备或生产线条件:国内由多家硅基功率器件和模块的生产企业,经过升级改造,可以用于碳化硅功率器件的研发、制造和产业化。新上设备或生产线投入:无生产技术队伍要求:具有电力电子器件和模块研发、生产和产业化的经验基础,并具备碳化硅功率器件开发和产业化的能力。
SiC高温压力传感器
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
一、项目简介SiC高温压力传感器由于碳化硅材料具有的带宽度宽的特点,在其耐高温、抗辐射性能上都有良好的特性。得益于碳化硅材料的微电子工艺的发展,以碳化硅为材料的高温压力传感器越来越多的出现在高温测量领域。在压力测量方面,相比于压阻式和光学式压力传感器,电容式压力传感器更是具有灵敏度高、温度稳定性好、动态响应快等优点。项目组采用SiC材料为基础的电容式压力传感器,在加工工艺上已突破了绝大部分关键工艺,实现了样机的批量化集成化制作。二、技术成熟度SiC材料在微电子工艺的技术发展,使得其在MEMS传感器或执行器领域出现越来越多的典型耐高温器件,尤其在于压力测量方面,压阻式、电容式、LC谐振式等器件都可以在基于现有的微加工设备上进行制作生产。本课题组开发的SiC电容式高温压力传感器精度已经达到0.5%FS,各项工艺技术成熟可靠。现有样机已通过某型火箭的测试,实现了样机的批量化生产。三、应用范围能够适应高温恶劣环境的气体和液体压力测量的高温压力传感器,有着广阔的应用。民用方面,可用于测量锅炉、管道、高温反应容器内的压力,军用方面,可用于核电、载人航天、深空探测等国家重大工程中。如先进的发动机内部进排气管压力监测需要在 200~300℃环境下进行,而涡喷发动机在不同的尾喷位置需要在 300~1000℃环境下进行压力监测。四、投产条件和预期经济效益SiC高温压力传感器的投产需要超净实验室和先进齐全的硅微加工设备,包括ICP刻蚀、Lift-off剥离工艺、金属沉积、电镀电感及阳极键合等各种工艺设备。还需配备各种薄膜质量检测设备,可以完成从薄膜制备到测试分析的一系列研究,同时需要具有SEM、TEM、XRD等大型设备,为相关项目研究的顺利开展提供充分的设备保障。高温压力传感器应用广泛,从航空航天领域的空气动力学实验、飞行器表面摩阻测量、发动机试车内部压力监测,到民用领域的锅炉、管道、高温反应容器等都有较大的需求,因此具有较为广泛的市场。五、合作方式技术转让,具体合作方式可商议
低温碳化硅薄膜制备和微加工技术转让
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
碳化硅,又称人造金刚石,具有很好的力学、化学、电学性能,可应用于极端电子学器件。单晶、多晶碳化硅的加工需要极高的温度,用物理气相转移、低压化学气相淀积的方法制备。由于工艺温度高,对前向和后向工艺影响大,所以该方法不具有工艺兼容性。我们研制的低温碳化硅借由等离子体,在低温环境(300度)下制备而成,辅以400度左右的炉退火,可实现对薄膜应力的良好控制(从压应力到张应力,控制精度约正负30MPa)。整个工艺温度不超过500度,与传统集成电路加工具有很好的兼容性;制备出的碳化硅材料为非晶,具有良好的机械性能和化学稳定性。因此,此技术制备的碳化硅薄膜,可广泛应用于薄膜涂层,作磨损保护和腐蚀保护;也可用做机械结构,作传感部件,并使用于恶劣的腐蚀性环境。
一种碳化硅增强高铝锌基复合材料的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明提供了一种碳化硅增强高铝锌基复合材料的制备方法,主要步骤为:首先对碳化硅粉体进行预处理,再对碳化硅化学镀铜形成SiCp‑Cu粉体,然后熔炼浇注形成碳化硅增强高铝锌基复合材料的初品,再次对初品进行重熔除气、精炼除杂浇注成型。最终得到的碳化硅增强高铝锌基复合材料,增强相SiCp‑Cu在基体中均匀分布,降低了氧化夹杂含量,显著提高了拉伸和耐磨性能,该工艺方法非常适合工业大规模生产,无需二次加工、节约成本、环保绿色。
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找技术 >一种碳化硅/Cu复合材料的制备方法
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
该项目属于电子封装材料的制备领域,公开一种碳化硅/Cu复合材料的制备方法。将酚醛树脂粉溶解于无水乙醇中;将SiC粉加入所得溶液中,40~60℃搅拌均匀;将搅拌均匀的浆料烘干,造粒过筛,将所得颗粒粉压制成型,得到SiC坯体;将SiC坯体置于二氧化钛溶胶中浸渍处理;取出浸渍后的SiC坯体,干燥后煅烧,得到含TiC涂层的SiC坯体;用铜粉包埋SiC坯体,在真空或者惰性气氛保护下1100~1300℃无压熔渗铜0.5~2 h,随后自然降温冷却,即得到碳化硅/铜复合材料。该项目具有工艺简单、操作方便、产品性能良好等优点,使SiC/Cu复合材料拥有良好的导热性能、低的热膨胀系数并具有一定的机械强度。
一种碳化硅冶炼的废气回收工艺
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种碳化硅冶炼的废气回收工艺,包括如下步骤:对碳化硅废气进行收集,将其通过管道经过吸附网,吸附后的废气通过管道进入热交换器进行降温,并通过加压装置对碳化硅废气进行加压,碳化硅废气通入到洗气塔内底 部,再次将碳化硅废气引入至洗气塔内部,在洗气塔内将碳化硅废气的温度降低至常温,碳化硅废气通入到减压阀进行减压,处理后的碳化硅废气导入变频压缩机组内,经过压缩后,通入到冷凝回收泵内,从而移至冷凝回收罐内,最后将碳 化硅废气通入气柜中进行储存。本发明中在能使碳化硅废气在经过处理后,做到回收利用,避免了其排放至空气中从而污染环境,不仅保护了环境,且使得废气的从新利用,符合现在发展的需求。
碳化硅晶片
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:建筑业
技术简介
碳化硅晶片项目简介: 碳化硅晶片是一种微细的片状单晶体,直径一般为3-300μm,厚度0。5-15μm。与晶须相比,晶片的优点是价格较低、纯度高、热稳定性好和缺陷少,具有很好的分散性和流动性,更易均匀分散于基体中,复合材料中可以有很高的加入量(10-70%),且与基体复合的效果优于球状粒子,因而晶片被认为是晶须最具吸引力的替代物。 生产条件: 资金100万元左右,厂房150m2,人员20人,可年产碳化硅晶片1吨,产值300万元,利税200万元左右,投产一年内可收回投资。 市场预测: 碳化硅晶片是制备陶瓷基、金属基复合材料的原料。国际市场很大,国内市场有待开发,潜力很大。利润高、市场及后续产品市场大,推广应用前景非常广阔。
(内热式)高质隔焰节能回转窑
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
技术投资分析:传统直筒直焰回转窑在实际生产过程中存在能耗高、产品质量不稳定的普遍现象,致使该窑炉的使用受到了限制,不能充分发挥其产量大、无易耗窑具、劳动强度小的优势。为此,隔焰回转窑经过多年的研究终于去得成功,一并解决了上述问题,特别是在陶瓷原料行业其优势很明显:一是比传统窑节能15%以上;二是不限燃 料,使得象煤焦油这类低质量的油料都可以放心使用,使用电力更是十分方便;三是大大地提高了产品质量;四是使原来不能用回转窑生产的许多产品现在都可以应用。隔焰回转窑使陶瓷原料的生产完全实现无钵化生产,且产量大质量稳定。旧式窑只需加装隔焰结构即可使用。隔焰结构经多次优化设计,现在结构简单却很实用,可以根据需要设计成全隔焰或半隔 的。 本实用新型提供了一种高质隔焰节能回转窑,包括炉体,炉体内壁设有保温耐火层,炉体在螺旋进料机一侧设有烟囱,另一侧设有出料口,炉体内从螺旋进料机侧起依次分为相通的干燥区、预烧分流区和混合烧成区,所述干燥区设有阻流板,内衬壳体上设有进料内螺旋;所述预烧分流区包括碳化硅管,碳化硅管内设有阻流通道和与阻流通道相通的副燃烧室;所述混合烧成区包括与副燃烧室相通的主燃烧室,主燃烧室的内壁上设有碳化硅隔焰内衬,碳化硅隔焰内衬延伸到副燃烧室的内壁上。本实用新型可以有效节约能源、煅烧充分、实验成本低、质量牢固、成本较低、体积较小、安装方便。技术的应用领域前景分析:技术日前成熟行业是陶瓷原料业,该行业急需该技术入行,入行后可能带来一场窑炉的革命,象梭式窑、推板窑都有可能被淘汰,并使原料生产品种专业化、规模化,使销售市场更加规范合理。还会带动耐火材料的更多的进步。随着技术的延伸,相关的煅烧和烘干行业都能为该技术设备增添无数的领地。效益分析:接产方接产后即可以生产实验室用窑和小产量生产窑:实验窑每台成本8000元左右,售价18000--20000元,每台的纯利在10000元左右;通常是实验窑与生产窑配套使用,日产量一吨的其成本价在20000左右,售价50000左右,可获纯利20000元左右;更大的窑获利更多些。估计第一年的销售量是30--50台。小型窑不需安装,运到现场就位后就可以生产。厂房条件建议:无备注:无
一种太阳能微型碳化硅生产装置
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:电力、热力、燃气及水生产和供应业
技术简介
一种太阳能微型碳化硅生产装置,包括太阳能接收器和碳化硅炉,碳化硅炉的外缘设有气孔,其内为高温空腔;所述太阳能接收器的聚焦点设在碳化硅炉的高温空腔内;高温空腔内中填充有煤和石英砂;煤和石英砂的混合比例为1:1.5。本实用新型通过利用太阳能来冶炼碳化硅,具有降低成本,减少污染的优点。
新型功能性连续SiC自由薄膜的制备工艺及其产业化
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
该项目通过开发了熔融纺膜与先驱体转化法相结合的独创技术,突破了具有光电特性的连续SiC自由薄膜的关键技术,并制备出多种组分PCS先驱体,掌握了连续SiC自由薄膜不熔化交联预处理与高温裂解烧结的关键工艺,形成了连续SiC自由薄膜材料中小批量生产能力。该技术已申报并公开了“一种碳化硅薄膜成型装置与碳化硅薄膜的制备方法”(CN101219788)、“一种发光碳化硅薄膜的制备方法”(CN101275075)等6项国家发明专利,在国内外重要学术刊物上发表论文7篇。连续SiC自由薄膜由于具有禁带宽度大、致密度高、缺陷密度小、自支撑与无束缚、电子迁移率高、热导率高、抗辐射能力强、化学稳定性好以及与硅集成电路工艺兼容等特性而成为理想的新型宽带隙半导体材料,在微机电系统(MEMS)、光电集成器件、蓝光发光器件、光伏器件、高温紫外光敏器件及高温压力传感器等高技术领域上都显示了很大的优越性,其应用前景十分广阔。
高功率碳化硅电力电子器件关键技术研发和产业化
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
核心技术:碳化硅功率二极管和功率晶体管的器件设计技术、工艺制造技术、功率模块设计技术、封装技术和可靠性技术。主要技术经济指标600V、1200V,20A的碳化硅功率二极管,通态压降1.5V~3V;600V、1200V,5A以上的碳化硅晶体管,通态压降低于3V。与国内比:碳化硅材料特性优越,碳化硅功率器件(600V)拥有比目前通用的硅基器件好几百倍的特性。本项目将填补国内碳化硅功率二极管和功率晶体管的研发空白。与国际比:国际上碳化硅的600V和1200V肖特基二极管成功地产业化,碳化硅功率MOS管的产业化也3年内将实现。本项目的技术指标达到国际前沿水平。技术产业化的市场前景技术产品用途及领域:主要用于替代现有的硅基功率器件,用于大功率电力电子装置中。目前硅基功率器件的市值约在1千亿元。碳化硅被公认为是下一代高压大功率电力电子器件,具有巨大的市场前景。国际市场:在未来3~5年内,国际碳化硅功率器件的市场将由目前的3~4亿元人民币增长到20亿元人民币,年增长率达到70%~80%,具有巨大的市场潜力。国内市场:国内电力电子器件市场约占国际市场的一半份额。产业化条件:本项目拟推荐为产学研重点培育项目,为技术产业化进行技术的研发和知识产权的积累,为3~5年后实现产业化进行提前布局和重点培育。已有设备或生产线条件:国内由多家硅基功率器件和模块的生产企业,经过升级改造,可以用于碳化硅功率器件的研发、制造和产业化。新上设备或生产线投入:无生产技术队伍要求:具有电力电子器件和模块研发、生产和产业化的经验基础,并具备碳化硅功率器件开发和产业化的能力。
SiC高温压力传感器
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
一、项目简介SiC高温压力传感器由于碳化硅材料具有的带宽度宽的特点,在其耐高温、抗辐射性能上都有良好的特性。得益于碳化硅材料的微电子工艺的发展,以碳化硅为材料的高温压力传感器越来越多的出现在高温测量领域。在压力测量方面,相比于压阻式和光学式压力传感器,电容式压力传感器更是具有灵敏度高、温度稳定性好、动态响应快等优点。项目组采用SiC材料为基础的电容式压力传感器,在加工工艺上已突破了绝大部分关键工艺,实现了样机的批量化集成化制作。二、技术成熟度SiC材料在微电子工艺的技术发展,使得其在MEMS传感器或执行器领域出现越来越多的典型耐高温器件,尤其在于压力测量方面,压阻式、电容式、LC谐振式等器件都可以在基于现有的微加工设备上进行制作生产。本课题组开发的SiC电容式高温压力传感器精度已经达到0.5%FS,各项工艺技术成熟可靠。现有样机已通过某型火箭的测试,实现了样机的批量化生产。三、应用范围能够适应高温恶劣环境的气体和液体压力测量的高温压力传感器,有着广阔的应用。民用方面,可用于测量锅炉、管道、高温反应容器内的压力,军用方面,可用于核电、载人航天、深空探测等国家重大工程中。如先进的发动机内部进排气管压力监测需要在 200~300℃环境下进行,而涡喷发动机在不同的尾喷位置需要在 300~1000℃环境下进行压力监测。四、投产条件和预期经济效益SiC高温压力传感器的投产需要超净实验室和先进齐全的硅微加工设备,包括ICP刻蚀、Lift-off剥离工艺、金属沉积、电镀电感及阳极键合等各种工艺设备。还需配备各种薄膜质量检测设备,可以完成从薄膜制备到测试分析的一系列研究,同时需要具有SEM、TEM、XRD等大型设备,为相关项目研究的顺利开展提供充分的设备保障。高温压力传感器应用广泛,从航空航天领域的空气动力学实验、飞行器表面摩阻测量、发动机试车内部压力监测,到民用领域的锅炉、管道、高温反应容器等都有较大的需求,因此具有较为广泛的市场。五、合作方式技术转让,具体合作方式可商议
低温碳化硅薄膜制备和微加工技术转让
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
碳化硅,又称人造金刚石,具有很好的力学、化学、电学性能,可应用于极端电子学器件。单晶、多晶碳化硅的加工需要极高的温度,用物理气相转移、低压化学气相淀积的方法制备。由于工艺温度高,对前向和后向工艺影响大,所以该方法不具有工艺兼容性。我们研制的低温碳化硅借由等离子体,在低温环境(300度)下制备而成,辅以400度左右的炉退火,可实现对薄膜应力的良好控制(从压应力到张应力,控制精度约正负30MPa)。整个工艺温度不超过500度,与传统集成电路加工具有很好的兼容性;制备出的碳化硅材料为非晶,具有良好的机械性能和化学稳定性。因此,此技术制备的碳化硅薄膜,可广泛应用于薄膜涂层,作磨损保护和腐蚀保护;也可用做机械结构,作传感部件,并使用于恶劣的腐蚀性环境。
一种碳化硅增强高铝锌基复合材料的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明提供了一种碳化硅增强高铝锌基复合材料的制备方法,主要步骤为:首先对碳化硅粉体进行预处理,再对碳化硅化学镀铜形成SiCp‑Cu粉体,然后熔炼浇注形成碳化硅增强高铝锌基复合材料的初品,再次对初品进行重熔除气、精炼除杂浇注成型。最终得到的碳化硅增强高铝锌基复合材料,增强相SiCp‑Cu在基体中均匀分布,降低了氧化夹杂含量,显著提高了拉伸和耐磨性能,该工艺方法非常适合工业大规模生产,无需二次加工、节约成本、环保绿色。