找到3项技术成果数据。
找技术 >电缆局部放电同步测量中的信号智能采集与定向传播技术
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
【主要研究内容】以碳化硅单晶材料为研究对象,实现高效、超光滑加工为目标,提出超声波-电化学机械复合抛光的加工方法,探索碳化硅单晶超声波-电化学机械复合抛光机理,揭示超声波振动及高密度电流耦合作用下材料微观组织结构演化过程,优化抛光加工工艺,确定材料去除函数,初步形成适用于碳化硅单晶高效超光滑加工的工艺及理论方法。
3英寸半绝缘碳化硅单晶生长技术
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
课题“2~3英寸半绝缘碳化硅单晶”来源于自选项目 碳化硅器件可以用于新一代雷达、空调、光伏发电、风力发电、高效电动机、混合和纯电动汽车、高速列车、智能电网、超高压输变电等方面,为产业升级和节能减排提供了技术保障。 企业利用自行研制的4英寸碳化硅PVT晶体生长炉,采用无微管生长技术,在2300°以上高温,采用微小散热方法进行碳化硅单晶生长系统的轴向温度梯度及径向温度梯度的调控,从而减小晶体中温度梯度以及压力水平。采用99.999%高纯原料减小杂质含量。通过调控一些主要参数,分析其对实验系统以及SiC晶体的影响,进行了实验设计的改进优化,着重分析对籽晶附近的轴向温度梯度及径向温度梯度的影响效果,生长2~4英寸低成本高质量碳化硅单晶。 晶片为半绝缘型,可以用于外延生长。 晶片的Hall系数载流子数密度达到1.04E12/平方厘米,电阻率达到100492欧姆厘米。 晶片达到无微管的水平。 对于器件隔离及减小背栅(back-gating)效应,半绝缘(高阻)碳化硅的电阻率必须大于50000欧姆厘米(见Cree专利),我们制备的半绝缘碳化硅单晶的电阻值超过了Cree器件的技术要求。 目前国内外碳化硅晶体生长的成果 厂商 微管密度 螺旋位错等缺陷 密度 产品 美国Cree 无 5000个/cm2 4英寸 美国Dow Corning 1~5个/cm2 数千个/cm2 3英寸4H-SiC 德国SiCrystal 3个/cm2以下 2万个/cm2 3英寸 北京天科合达 30个/cm2以下 不详 2英寸6H/4H导电型 日本新日铁 1个/cm2以下 约数千 ~数万个/cm2 3-4英寸4H-SiC 本项目产品 无 5000个/cm2 2-3英寸6H半绝缘型 以上为目前国内外碳化硅晶体生长的成果展示表,首先看微管密度的比较。微管是一种肉眼都可以看见宏观缺陷,其密度直接决定着碳化硅器件有效面积大小。碳化硅晶体生长技术发展到能彻底消除微管缺陷之前,大圆片二极管和晶闸管之类大功率电力电子器件就难以用碳化硅来制造。本项目的微管密度几乎没有,因此 本项目的晶片可以作为基底制作GaN膜,从而制作大功率的电力电子器件。接着螺旋位错密度的比较,位错是晶体中局部滑移区域的边界线,即是晶体中的一种线缺陷;它是决定金属等晶体力学性质的基本因素,也对晶体的其他许多性质(包括晶体生长)有着严重的影响。典型的位错有刃位错(棱位错)和螺旋位错两种。刃位错的位错线方向与滑移方向垂直,而螺旋位错的位错线方向与滑移方向平行。本产品的位错缺陷密度少,可以达到国际先进水平,并且为半绝缘型晶体。
高品质大碳化硅单晶的制备方法及用其制备的碳化硅单晶
成熟度:-
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应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种高品质大碳化硅单晶的制备方法以及以此方法制备的碳化硅单晶。 制备方法包括如下步骤:把籽晶放置在涂覆富碳聚合物的籽晶架上,加热使富碳聚合物热固化;在惰性气氛中加热,使富碳聚合物热解碳化;采用籽晶引导气相输运技术(PVT),在碳化粘接好的籽晶上生长碳化硅晶体。 本发明通过富碳聚合物紧密粘接籽晶和籽晶架,固化后热解碳化,形成致密中间碳层,有效提高碳化硅籽晶的温场均匀性,避免由于温度分布不匀而引起的多晶、多核共生、多型夹杂等问题;生长出的碳化硅晶体晶型单一,且晶体尺寸大于2英寸,通过在籽晶生长过程中掺杂杂质,还可制备n型或p型掺杂的碳化硅晶体。
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【主要研究内容】以碳化硅单晶材料为研究对象,实现高效、超光滑加工为目标,提出超声波-电化学机械复合抛光的加工方法,探索碳化硅单晶超声波-电化学机械复合抛光机理,揭示超声波振动及高密度电流耦合作用下材料微观组织结构演化过程,优化抛光加工工艺,确定材料去除函数,初步形成适用于碳化硅单晶高效超光滑加工的工艺及理论方法。
3英寸半绝缘碳化硅单晶生长技术
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课题“2~3英寸半绝缘碳化硅单晶”来源于自选项目 碳化硅器件可以用于新一代雷达、空调、光伏发电、风力发电、高效电动机、混合和纯电动汽车、高速列车、智能电网、超高压输变电等方面,为产业升级和节能减排提供了技术保障。 企业利用自行研制的4英寸碳化硅PVT晶体生长炉,采用无微管生长技术,在2300°以上高温,采用微小散热方法进行碳化硅单晶生长系统的轴向温度梯度及径向温度梯度的调控,从而减小晶体中温度梯度以及压力水平。采用99.999%高纯原料减小杂质含量。通过调控一些主要参数,分析其对实验系统以及SiC晶体的影响,进行了实验设计的改进优化,着重分析对籽晶附近的轴向温度梯度及径向温度梯度的影响效果,生长2~4英寸低成本高质量碳化硅单晶。 晶片为半绝缘型,可以用于外延生长。 晶片的Hall系数载流子数密度达到1.04E12/平方厘米,电阻率达到100492欧姆厘米。 晶片达到无微管的水平。 对于器件隔离及减小背栅(back-gating)效应,半绝缘(高阻)碳化硅的电阻率必须大于50000欧姆厘米(见Cree专利),我们制备的半绝缘碳化硅单晶的电阻值超过了Cree器件的技术要求。 目前国内外碳化硅晶体生长的成果 厂商 微管密度 螺旋位错等缺陷 密度 产品 美国Cree 无 5000个/cm2 4英寸 美国Dow Corning 1~5个/cm2 数千个/cm2 3英寸4H-SiC 德国SiCrystal 3个/cm2以下 2万个/cm2 3英寸 北京天科合达 30个/cm2以下 不详 2英寸6H/4H导电型 日本新日铁 1个/cm2以下 约数千 ~数万个/cm2 3-4英寸4H-SiC 本项目产品 无 5000个/cm2 2-3英寸6H半绝缘型 以上为目前国内外碳化硅晶体生长的成果展示表,首先看微管密度的比较。微管是一种肉眼都可以看见宏观缺陷,其密度直接决定着碳化硅器件有效面积大小。碳化硅晶体生长技术发展到能彻底消除微管缺陷之前,大圆片二极管和晶闸管之类大功率电力电子器件就难以用碳化硅来制造。本项目的微管密度几乎没有,因此 本项目的晶片可以作为基底制作GaN膜,从而制作大功率的电力电子器件。接着螺旋位错密度的比较,位错是晶体中局部滑移区域的边界线,即是晶体中的一种线缺陷;它是决定金属等晶体力学性质的基本因素,也对晶体的其他许多性质(包括晶体生长)有着严重的影响。典型的位错有刃位错(棱位错)和螺旋位错两种。刃位错的位错线方向与滑移方向垂直,而螺旋位错的位错线方向与滑移方向平行。本产品的位错缺陷密度少,可以达到国际先进水平,并且为半绝缘型晶体。
高品质大碳化硅单晶的制备方法及用其制备的碳化硅单晶
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本发明涉及一种高品质大碳化硅单晶的制备方法以及以此方法制备的碳化硅单晶。 制备方法包括如下步骤:把籽晶放置在涂覆富碳聚合物的籽晶架上,加热使富碳聚合物热固化;在惰性气氛中加热,使富碳聚合物热解碳化;采用籽晶引导气相输运技术(PVT),在碳化粘接好的籽晶上生长碳化硅晶体。 本发明通过富碳聚合物紧密粘接籽晶和籽晶架,固化后热解碳化,形成致密中间碳层,有效提高碳化硅籽晶的温场均匀性,避免由于温度分布不匀而引起的多晶、多核共生、多型夹杂等问题;生长出的碳化硅晶体晶型单一,且晶体尺寸大于2英寸,通过在籽晶生长过程中掺杂杂质,还可制备n型或p型掺杂的碳化硅晶体。
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【主要研究内容】以碳化硅单晶材料为研究对象,实现高效、超光滑加工为目标,提出超声波-电化学机械复合抛光的加工方法,探索碳化硅单晶超声波-电化学机械复合抛光机理,揭示超声波振动及高密度电流耦合作用下材料微观组织结构演化过程,优化抛光加工工艺,确定材料去除函数,初步形成适用于碳化硅单晶高效超光滑加工的工艺及理论方法。
3英寸半绝缘碳化硅单晶生长技术
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课题“2~3英寸半绝缘碳化硅单晶”来源于自选项目 碳化硅器件可以用于新一代雷达、空调、光伏发电、风力发电、高效电动机、混合和纯电动汽车、高速列车、智能电网、超高压输变电等方面,为产业升级和节能减排提供了技术保障。 企业利用自行研制的4英寸碳化硅PVT晶体生长炉,采用无微管生长技术,在2300°以上高温,采用微小散热方法进行碳化硅单晶生长系统的轴向温度梯度及径向温度梯度的调控,从而减小晶体中温度梯度以及压力水平。采用99.999%高纯原料减小杂质含量。通过调控一些主要参数,分析其对实验系统以及SiC晶体的影响,进行了实验设计的改进优化,着重分析对籽晶附近的轴向温度梯度及径向温度梯度的影响效果,生长2~4英寸低成本高质量碳化硅单晶。 晶片为半绝缘型,可以用于外延生长。 晶片的Hall系数载流子数密度达到1.04E12/平方厘米,电阻率达到100492欧姆厘米。 晶片达到无微管的水平。 对于器件隔离及减小背栅(back-gating)效应,半绝缘(高阻)碳化硅的电阻率必须大于50000欧姆厘米(见Cree专利),我们制备的半绝缘碳化硅单晶的电阻值超过了Cree器件的技术要求。 目前国内外碳化硅晶体生长的成果 厂商 微管密度 螺旋位错等缺陷 密度 产品 美国Cree 无 5000个/cm2 4英寸 美国Dow Corning 1~5个/cm2 数千个/cm2 3英寸4H-SiC 德国SiCrystal 3个/cm2以下 2万个/cm2 3英寸 北京天科合达 30个/cm2以下 不详 2英寸6H/4H导电型 日本新日铁 1个/cm2以下 约数千 ~数万个/cm2 3-4英寸4H-SiC 本项目产品 无 5000个/cm2 2-3英寸6H半绝缘型 以上为目前国内外碳化硅晶体生长的成果展示表,首先看微管密度的比较。微管是一种肉眼都可以看见宏观缺陷,其密度直接决定着碳化硅器件有效面积大小。碳化硅晶体生长技术发展到能彻底消除微管缺陷之前,大圆片二极管和晶闸管之类大功率电力电子器件就难以用碳化硅来制造。本项目的微管密度几乎没有,因此 本项目的晶片可以作为基底制作GaN膜,从而制作大功率的电力电子器件。接着螺旋位错密度的比较,位错是晶体中局部滑移区域的边界线,即是晶体中的一种线缺陷;它是决定金属等晶体力学性质的基本因素,也对晶体的其他许多性质(包括晶体生长)有着严重的影响。典型的位错有刃位错(棱位错)和螺旋位错两种。刃位错的位错线方向与滑移方向垂直,而螺旋位错的位错线方向与滑移方向平行。本产品的位错缺陷密度少,可以达到国际先进水平,并且为半绝缘型晶体。
高品质大碳化硅单晶的制备方法及用其制备的碳化硅单晶
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本发明涉及一种高品质大碳化硅单晶的制备方法以及以此方法制备的碳化硅单晶。 制备方法包括如下步骤:把籽晶放置在涂覆富碳聚合物的籽晶架上,加热使富碳聚合物热固化;在惰性气氛中加热,使富碳聚合物热解碳化;采用籽晶引导气相输运技术(PVT),在碳化粘接好的籽晶上生长碳化硅晶体。 本发明通过富碳聚合物紧密粘接籽晶和籽晶架,固化后热解碳化,形成致密中间碳层,有效提高碳化硅籽晶的温场均匀性,避免由于温度分布不匀而引起的多晶、多核共生、多型夹杂等问题;生长出的碳化硅晶体晶型单一,且晶体尺寸大于2英寸,通过在籽晶生长过程中掺杂杂质,还可制备n型或p型掺杂的碳化硅晶体。
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【主要研究内容】以碳化硅单晶材料为研究对象,实现高效、超光滑加工为目标,提出超声波-电化学机械复合抛光的加工方法,探索碳化硅单晶超声波-电化学机械复合抛光机理,揭示超声波振动及高密度电流耦合作用下材料微观组织结构演化过程,优化抛光加工工艺,确定材料去除函数,初步形成适用于碳化硅单晶高效超光滑加工的工艺及理论方法。
3英寸半绝缘碳化硅单晶生长技术
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课题“2~3英寸半绝缘碳化硅单晶”来源于自选项目 碳化硅器件可以用于新一代雷达、空调、光伏发电、风力发电、高效电动机、混合和纯电动汽车、高速列车、智能电网、超高压输变电等方面,为产业升级和节能减排提供了技术保障。 企业利用自行研制的4英寸碳化硅PVT晶体生长炉,采用无微管生长技术,在2300°以上高温,采用微小散热方法进行碳化硅单晶生长系统的轴向温度梯度及径向温度梯度的调控,从而减小晶体中温度梯度以及压力水平。采用99.999%高纯原料减小杂质含量。通过调控一些主要参数,分析其对实验系统以及SiC晶体的影响,进行了实验设计的改进优化,着重分析对籽晶附近的轴向温度梯度及径向温度梯度的影响效果,生长2~4英寸低成本高质量碳化硅单晶。 晶片为半绝缘型,可以用于外延生长。 晶片的Hall系数载流子数密度达到1.04E12/平方厘米,电阻率达到100492欧姆厘米。 晶片达到无微管的水平。 对于器件隔离及减小背栅(back-gating)效应,半绝缘(高阻)碳化硅的电阻率必须大于50000欧姆厘米(见Cree专利),我们制备的半绝缘碳化硅单晶的电阻值超过了Cree器件的技术要求。 目前国内外碳化硅晶体生长的成果 厂商 微管密度 螺旋位错等缺陷 密度 产品 美国Cree 无 5000个/cm2 4英寸 美国Dow Corning 1~5个/cm2 数千个/cm2 3英寸4H-SiC 德国SiCrystal 3个/cm2以下 2万个/cm2 3英寸 北京天科合达 30个/cm2以下 不详 2英寸6H/4H导电型 日本新日铁 1个/cm2以下 约数千 ~数万个/cm2 3-4英寸4H-SiC 本项目产品 无 5000个/cm2 2-3英寸6H半绝缘型 以上为目前国内外碳化硅晶体生长的成果展示表,首先看微管密度的比较。微管是一种肉眼都可以看见宏观缺陷,其密度直接决定着碳化硅器件有效面积大小。碳化硅晶体生长技术发展到能彻底消除微管缺陷之前,大圆片二极管和晶闸管之类大功率电力电子器件就难以用碳化硅来制造。本项目的微管密度几乎没有,因此 本项目的晶片可以作为基底制作GaN膜,从而制作大功率的电力电子器件。接着螺旋位错密度的比较,位错是晶体中局部滑移区域的边界线,即是晶体中的一种线缺陷;它是决定金属等晶体力学性质的基本因素,也对晶体的其他许多性质(包括晶体生长)有着严重的影响。典型的位错有刃位错(棱位错)和螺旋位错两种。刃位错的位错线方向与滑移方向垂直,而螺旋位错的位错线方向与滑移方向平行。本产品的位错缺陷密度少,可以达到国际先进水平,并且为半绝缘型晶体。
高品质大碳化硅单晶的制备方法及用其制备的碳化硅单晶
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本发明涉及一种高品质大碳化硅单晶的制备方法以及以此方法制备的碳化硅单晶。 制备方法包括如下步骤:把籽晶放置在涂覆富碳聚合物的籽晶架上,加热使富碳聚合物热固化;在惰性气氛中加热,使富碳聚合物热解碳化;采用籽晶引导气相输运技术(PVT),在碳化粘接好的籽晶上生长碳化硅晶体。 本发明通过富碳聚合物紧密粘接籽晶和籽晶架,固化后热解碳化,形成致密中间碳层,有效提高碳化硅籽晶的温场均匀性,避免由于温度分布不匀而引起的多晶、多核共生、多型夹杂等问题;生长出的碳化硅晶体晶型单一,且晶体尺寸大于2英寸,通过在籽晶生长过程中掺杂杂质,还可制备n型或p型掺杂的碳化硅晶体。
找到3项技术成果数据。
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【主要研究内容】以碳化硅单晶材料为研究对象,实现高效、超光滑加工为目标,提出超声波-电化学机械复合抛光的加工方法,探索碳化硅单晶超声波-电化学机械复合抛光机理,揭示超声波振动及高密度电流耦合作用下材料微观组织结构演化过程,优化抛光加工工艺,确定材料去除函数,初步形成适用于碳化硅单晶高效超光滑加工的工艺及理论方法。
3英寸半绝缘碳化硅单晶生长技术
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课题“2~3英寸半绝缘碳化硅单晶”来源于自选项目 碳化硅器件可以用于新一代雷达、空调、光伏发电、风力发电、高效电动机、混合和纯电动汽车、高速列车、智能电网、超高压输变电等方面,为产业升级和节能减排提供了技术保障。 企业利用自行研制的4英寸碳化硅PVT晶体生长炉,采用无微管生长技术,在2300°以上高温,采用微小散热方法进行碳化硅单晶生长系统的轴向温度梯度及径向温度梯度的调控,从而减小晶体中温度梯度以及压力水平。采用99.999%高纯原料减小杂质含量。通过调控一些主要参数,分析其对实验系统以及SiC晶体的影响,进行了实验设计的改进优化,着重分析对籽晶附近的轴向温度梯度及径向温度梯度的影响效果,生长2~4英寸低成本高质量碳化硅单晶。 晶片为半绝缘型,可以用于外延生长。 晶片的Hall系数载流子数密度达到1.04E12/平方厘米,电阻率达到100492欧姆厘米。 晶片达到无微管的水平。 对于器件隔离及减小背栅(back-gating)效应,半绝缘(高阻)碳化硅的电阻率必须大于50000欧姆厘米(见Cree专利),我们制备的半绝缘碳化硅单晶的电阻值超过了Cree器件的技术要求。 目前国内外碳化硅晶体生长的成果 厂商 微管密度 螺旋位错等缺陷 密度 产品 美国Cree 无 5000个/cm2 4英寸 美国Dow Corning 1~5个/cm2 数千个/cm2 3英寸4H-SiC 德国SiCrystal 3个/cm2以下 2万个/cm2 3英寸 北京天科合达 30个/cm2以下 不详 2英寸6H/4H导电型 日本新日铁 1个/cm2以下 约数千 ~数万个/cm2 3-4英寸4H-SiC 本项目产品 无 5000个/cm2 2-3英寸6H半绝缘型 以上为目前国内外碳化硅晶体生长的成果展示表,首先看微管密度的比较。微管是一种肉眼都可以看见宏观缺陷,其密度直接决定着碳化硅器件有效面积大小。碳化硅晶体生长技术发展到能彻底消除微管缺陷之前,大圆片二极管和晶闸管之类大功率电力电子器件就难以用碳化硅来制造。本项目的微管密度几乎没有,因此 本项目的晶片可以作为基底制作GaN膜,从而制作大功率的电力电子器件。接着螺旋位错密度的比较,位错是晶体中局部滑移区域的边界线,即是晶体中的一种线缺陷;它是决定金属等晶体力学性质的基本因素,也对晶体的其他许多性质(包括晶体生长)有着严重的影响。典型的位错有刃位错(棱位错)和螺旋位错两种。刃位错的位错线方向与滑移方向垂直,而螺旋位错的位错线方向与滑移方向平行。本产品的位错缺陷密度少,可以达到国际先进水平,并且为半绝缘型晶体。
高品质大碳化硅单晶的制备方法及用其制备的碳化硅单晶
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本发明涉及一种高品质大碳化硅单晶的制备方法以及以此方法制备的碳化硅单晶。 制备方法包括如下步骤:把籽晶放置在涂覆富碳聚合物的籽晶架上,加热使富碳聚合物热固化;在惰性气氛中加热,使富碳聚合物热解碳化;采用籽晶引导气相输运技术(PVT),在碳化粘接好的籽晶上生长碳化硅晶体。 本发明通过富碳聚合物紧密粘接籽晶和籽晶架,固化后热解碳化,形成致密中间碳层,有效提高碳化硅籽晶的温场均匀性,避免由于温度分布不匀而引起的多晶、多核共生、多型夹杂等问题;生长出的碳化硅晶体晶型单一,且晶体尺寸大于2英寸,通过在籽晶生长过程中掺杂杂质,还可制备n型或p型掺杂的碳化硅晶体。
找到3项技术成果数据。
找技术 >电缆局部放电同步测量中的信号智能采集与定向传播技术
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【主要研究内容】以碳化硅单晶材料为研究对象,实现高效、超光滑加工为目标,提出超声波-电化学机械复合抛光的加工方法,探索碳化硅单晶超声波-电化学机械复合抛光机理,揭示超声波振动及高密度电流耦合作用下材料微观组织结构演化过程,优化抛光加工工艺,确定材料去除函数,初步形成适用于碳化硅单晶高效超光滑加工的工艺及理论方法。
3英寸半绝缘碳化硅单晶生长技术
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应用行业:制造业
技术简介
课题“2~3英寸半绝缘碳化硅单晶”来源于自选项目 碳化硅器件可以用于新一代雷达、空调、光伏发电、风力发电、高效电动机、混合和纯电动汽车、高速列车、智能电网、超高压输变电等方面,为产业升级和节能减排提供了技术保障。 企业利用自行研制的4英寸碳化硅PVT晶体生长炉,采用无微管生长技术,在2300°以上高温,采用微小散热方法进行碳化硅单晶生长系统的轴向温度梯度及径向温度梯度的调控,从而减小晶体中温度梯度以及压力水平。采用99.999%高纯原料减小杂质含量。通过调控一些主要参数,分析其对实验系统以及SiC晶体的影响,进行了实验设计的改进优化,着重分析对籽晶附近的轴向温度梯度及径向温度梯度的影响效果,生长2~4英寸低成本高质量碳化硅单晶。 晶片为半绝缘型,可以用于外延生长。 晶片的Hall系数载流子数密度达到1.04E12/平方厘米,电阻率达到100492欧姆厘米。 晶片达到无微管的水平。 对于器件隔离及减小背栅(back-gating)效应,半绝缘(高阻)碳化硅的电阻率必须大于50000欧姆厘米(见Cree专利),我们制备的半绝缘碳化硅单晶的电阻值超过了Cree器件的技术要求。 目前国内外碳化硅晶体生长的成果 厂商 微管密度 螺旋位错等缺陷 密度 产品 美国Cree 无 5000个/cm2 4英寸 美国Dow Corning 1~5个/cm2 数千个/cm2 3英寸4H-SiC 德国SiCrystal 3个/cm2以下 2万个/cm2 3英寸 北京天科合达 30个/cm2以下 不详 2英寸6H/4H导电型 日本新日铁 1个/cm2以下 约数千 ~数万个/cm2 3-4英寸4H-SiC 本项目产品 无 5000个/cm2 2-3英寸6H半绝缘型 以上为目前国内外碳化硅晶体生长的成果展示表,首先看微管密度的比较。微管是一种肉眼都可以看见宏观缺陷,其密度直接决定着碳化硅器件有效面积大小。碳化硅晶体生长技术发展到能彻底消除微管缺陷之前,大圆片二极管和晶闸管之类大功率电力电子器件就难以用碳化硅来制造。本项目的微管密度几乎没有,因此 本项目的晶片可以作为基底制作GaN膜,从而制作大功率的电力电子器件。接着螺旋位错密度的比较,位错是晶体中局部滑移区域的边界线,即是晶体中的一种线缺陷;它是决定金属等晶体力学性质的基本因素,也对晶体的其他许多性质(包括晶体生长)有着严重的影响。典型的位错有刃位错(棱位错)和螺旋位错两种。刃位错的位错线方向与滑移方向垂直,而螺旋位错的位错线方向与滑移方向平行。本产品的位错缺陷密度少,可以达到国际先进水平,并且为半绝缘型晶体。
高品质大碳化硅单晶的制备方法及用其制备的碳化硅单晶
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本发明涉及一种高品质大碳化硅单晶的制备方法以及以此方法制备的碳化硅单晶。 制备方法包括如下步骤:把籽晶放置在涂覆富碳聚合物的籽晶架上,加热使富碳聚合物热固化;在惰性气氛中加热,使富碳聚合物热解碳化;采用籽晶引导气相输运技术(PVT),在碳化粘接好的籽晶上生长碳化硅晶体。 本发明通过富碳聚合物紧密粘接籽晶和籽晶架,固化后热解碳化,形成致密中间碳层,有效提高碳化硅籽晶的温场均匀性,避免由于温度分布不匀而引起的多晶、多核共生、多型夹杂等问题;生长出的碳化硅晶体晶型单一,且晶体尺寸大于2英寸,通过在籽晶生长过程中掺杂杂质,还可制备n型或p型掺杂的碳化硅晶体。
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成熟度:正在研发
技术类型:-
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技术简介
【主要研究内容】以碳化硅单晶材料为研究对象,实现高效、超光滑加工为目标,提出超声波-电化学机械复合抛光的加工方法,探索碳化硅单晶超声波-电化学机械复合抛光机理,揭示超声波振动及高密度电流耦合作用下材料微观组织结构演化过程,优化抛光加工工艺,确定材料去除函数,初步形成适用于碳化硅单晶高效超光滑加工的工艺及理论方法。
3英寸半绝缘碳化硅单晶生长技术
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应用行业:制造业
技术简介
课题“2~3英寸半绝缘碳化硅单晶”来源于自选项目 碳化硅器件可以用于新一代雷达、空调、光伏发电、风力发电、高效电动机、混合和纯电动汽车、高速列车、智能电网、超高压输变电等方面,为产业升级和节能减排提供了技术保障。 企业利用自行研制的4英寸碳化硅PVT晶体生长炉,采用无微管生长技术,在2300°以上高温,采用微小散热方法进行碳化硅单晶生长系统的轴向温度梯度及径向温度梯度的调控,从而减小晶体中温度梯度以及压力水平。采用99.999%高纯原料减小杂质含量。通过调控一些主要参数,分析其对实验系统以及SiC晶体的影响,进行了实验设计的改进优化,着重分析对籽晶附近的轴向温度梯度及径向温度梯度的影响效果,生长2~4英寸低成本高质量碳化硅单晶。 晶片为半绝缘型,可以用于外延生长。 晶片的Hall系数载流子数密度达到1.04E12/平方厘米,电阻率达到100492欧姆厘米。 晶片达到无微管的水平。 对于器件隔离及减小背栅(back-gating)效应,半绝缘(高阻)碳化硅的电阻率必须大于50000欧姆厘米(见Cree专利),我们制备的半绝缘碳化硅单晶的电阻值超过了Cree器件的技术要求。 目前国内外碳化硅晶体生长的成果 厂商 微管密度 螺旋位错等缺陷 密度 产品 美国Cree 无 5000个/cm2 4英寸 美国Dow Corning 1~5个/cm2 数千个/cm2 3英寸4H-SiC 德国SiCrystal 3个/cm2以下 2万个/cm2 3英寸 北京天科合达 30个/cm2以下 不详 2英寸6H/4H导电型 日本新日铁 1个/cm2以下 约数千 ~数万个/cm2 3-4英寸4H-SiC 本项目产品 无 5000个/cm2 2-3英寸6H半绝缘型 以上为目前国内外碳化硅晶体生长的成果展示表,首先看微管密度的比较。微管是一种肉眼都可以看见宏观缺陷,其密度直接决定着碳化硅器件有效面积大小。碳化硅晶体生长技术发展到能彻底消除微管缺陷之前,大圆片二极管和晶闸管之类大功率电力电子器件就难以用碳化硅来制造。本项目的微管密度几乎没有,因此 本项目的晶片可以作为基底制作GaN膜,从而制作大功率的电力电子器件。接着螺旋位错密度的比较,位错是晶体中局部滑移区域的边界线,即是晶体中的一种线缺陷;它是决定金属等晶体力学性质的基本因素,也对晶体的其他许多性质(包括晶体生长)有着严重的影响。典型的位错有刃位错(棱位错)和螺旋位错两种。刃位错的位错线方向与滑移方向垂直,而螺旋位错的位错线方向与滑移方向平行。本产品的位错缺陷密度少,可以达到国际先进水平,并且为半绝缘型晶体。
高品质大碳化硅单晶的制备方法及用其制备的碳化硅单晶
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种高品质大碳化硅单晶的制备方法以及以此方法制备的碳化硅单晶。 制备方法包括如下步骤:把籽晶放置在涂覆富碳聚合物的籽晶架上,加热使富碳聚合物热固化;在惰性气氛中加热,使富碳聚合物热解碳化;采用籽晶引导气相输运技术(PVT),在碳化粘接好的籽晶上生长碳化硅晶体。 本发明通过富碳聚合物紧密粘接籽晶和籽晶架,固化后热解碳化,形成致密中间碳层,有效提高碳化硅籽晶的温场均匀性,避免由于温度分布不匀而引起的多晶、多核共生、多型夹杂等问题;生长出的碳化硅晶体晶型单一,且晶体尺寸大于2英寸,通过在籽晶生长过程中掺杂杂质,还可制备n型或p型掺杂的碳化硅晶体。
找到3项技术成果数据。
找技术 >电缆局部放电同步测量中的信号智能采集与定向传播技术
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
【主要研究内容】以碳化硅单晶材料为研究对象,实现高效、超光滑加工为目标,提出超声波-电化学机械复合抛光的加工方法,探索碳化硅单晶超声波-电化学机械复合抛光机理,揭示超声波振动及高密度电流耦合作用下材料微观组织结构演化过程,优化抛光加工工艺,确定材料去除函数,初步形成适用于碳化硅单晶高效超光滑加工的工艺及理论方法。
3英寸半绝缘碳化硅单晶生长技术
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
课题“2~3英寸半绝缘碳化硅单晶”来源于自选项目 碳化硅器件可以用于新一代雷达、空调、光伏发电、风力发电、高效电动机、混合和纯电动汽车、高速列车、智能电网、超高压输变电等方面,为产业升级和节能减排提供了技术保障。 企业利用自行研制的4英寸碳化硅PVT晶体生长炉,采用无微管生长技术,在2300°以上高温,采用微小散热方法进行碳化硅单晶生长系统的轴向温度梯度及径向温度梯度的调控,从而减小晶体中温度梯度以及压力水平。采用99.999%高纯原料减小杂质含量。通过调控一些主要参数,分析其对实验系统以及SiC晶体的影响,进行了实验设计的改进优化,着重分析对籽晶附近的轴向温度梯度及径向温度梯度的影响效果,生长2~4英寸低成本高质量碳化硅单晶。 晶片为半绝缘型,可以用于外延生长。 晶片的Hall系数载流子数密度达到1.04E12/平方厘米,电阻率达到100492欧姆厘米。 晶片达到无微管的水平。 对于器件隔离及减小背栅(back-gating)效应,半绝缘(高阻)碳化硅的电阻率必须大于50000欧姆厘米(见Cree专利),我们制备的半绝缘碳化硅单晶的电阻值超过了Cree器件的技术要求。 目前国内外碳化硅晶体生长的成果 厂商 微管密度 螺旋位错等缺陷 密度 产品 美国Cree 无 5000个/cm2 4英寸 美国Dow Corning 1~5个/cm2 数千个/cm2 3英寸4H-SiC 德国SiCrystal 3个/cm2以下 2万个/cm2 3英寸 北京天科合达 30个/cm2以下 不详 2英寸6H/4H导电型 日本新日铁 1个/cm2以下 约数千 ~数万个/cm2 3-4英寸4H-SiC 本项目产品 无 5000个/cm2 2-3英寸6H半绝缘型 以上为目前国内外碳化硅晶体生长的成果展示表,首先看微管密度的比较。微管是一种肉眼都可以看见宏观缺陷,其密度直接决定着碳化硅器件有效面积大小。碳化硅晶体生长技术发展到能彻底消除微管缺陷之前,大圆片二极管和晶闸管之类大功率电力电子器件就难以用碳化硅来制造。本项目的微管密度几乎没有,因此 本项目的晶片可以作为基底制作GaN膜,从而制作大功率的电力电子器件。接着螺旋位错密度的比较,位错是晶体中局部滑移区域的边界线,即是晶体中的一种线缺陷;它是决定金属等晶体力学性质的基本因素,也对晶体的其他许多性质(包括晶体生长)有着严重的影响。典型的位错有刃位错(棱位错)和螺旋位错两种。刃位错的位错线方向与滑移方向垂直,而螺旋位错的位错线方向与滑移方向平行。本产品的位错缺陷密度少,可以达到国际先进水平,并且为半绝缘型晶体。
高品质大碳化硅单晶的制备方法及用其制备的碳化硅单晶
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种高品质大碳化硅单晶的制备方法以及以此方法制备的碳化硅单晶。 制备方法包括如下步骤:把籽晶放置在涂覆富碳聚合物的籽晶架上,加热使富碳聚合物热固化;在惰性气氛中加热,使富碳聚合物热解碳化;采用籽晶引导气相输运技术(PVT),在碳化粘接好的籽晶上生长碳化硅晶体。 本发明通过富碳聚合物紧密粘接籽晶和籽晶架,固化后热解碳化,形成致密中间碳层,有效提高碳化硅籽晶的温场均匀性,避免由于温度分布不匀而引起的多晶、多核共生、多型夹杂等问题;生长出的碳化硅晶体晶型单一,且晶体尺寸大于2英寸,通过在籽晶生长过程中掺杂杂质,还可制备n型或p型掺杂的碳化硅晶体。