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找技术 >生长在玻璃衬底上的LED外延片及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明公开了生长在玻璃衬底上的LED外延片,包括生长在玻璃衬底上的铝金属层,生长在铝金属层上的银金属层,生长在银金属层上的AlN缓冲层,生长在AlN缓冲层上的GaN缓冲层,生长在GaN缓冲层上的非掺杂GaN层,生长在非掺杂GaN层上的n型掺杂GaN薄膜,生长在n型掺杂GaN薄膜上的InGaN/GaN多量子阱,生长在InGaN/GaN多量子阱上的p型掺杂GaN薄膜。本发明还公开了上述生长在玻璃衬底上的LED外延片的制备方法。本发明的生长在玻璃衬底上的LED外延片具有缺陷密度低、结晶质量好,发光性能优良的优点。
一种锗衬底上制备单晶氧化物薄膜的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
一种Ge衬底上制备单晶氧化物薄膜的方法(专利号:CN201310106758.9)是将Ge片依次置于丙酮和甲醇中分别超声,再在去离子水中超声,后在HF酸溶液中刻蚀,再在去离子水中超声,完成Ge片的表面预处理;将预处理后的Ge(001)片置入生长室,升温,去除Ge衬底表面的氧化物,得到清洁的Ge(001)表面;然后调节Ge片温度,通入氧源,打开金属源进行生长,生长一定时间后,获得一种Ge衬底上生长的单晶氧化物薄膜。本发明在Ge衬底上外延生长单晶薄膜,得到理想的界面,从而大大降低界面态密度,解决Ge基MOS器件的界面问题。
用于细胞培养的石墨烯衬底及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明公开了一种用于细胞培养的石墨烯衬底及其制备方法。作为细胞培养的载体,该石墨烯衬底为透明基片表面经清洗、液池固定及亲和工艺处理的单层石墨烯或十层以下的少层石墨烯。其制法为:取石墨烯迁移至玻璃表面,经有机溶剂清洗、高温退火处理后固定液池;或取石墨烯迁移至透明聚合物材料表面,经有机溶剂清洗后直接固定液池。之后通过去离子水清洗、亲和工艺处理,制呈可用于细胞培养的石墨烯衬底。本发明工艺简单、重复性强,可以制备适于肿瘤细胞、原代神经细胞、神经干细胞生长的石墨烯衬底,可广泛应用于基于石墨烯材料的生物芯片、植入器械制备。
柔性卷曲导电衬底上制备单原子层厚度金属薄膜的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:一种柔性卷曲导电衬底上制备单原子层厚度金属薄膜的方法,由下述步骤组成:将柔性卷曲导电衬底放入制备器皿1中并连接到第一电极2,以惰性金属片作第二电极3,两电极间的距离为0.2~10cm,在制备器皿1中加入含待镀金属盐的沉积溶液,沉积液的加入量至浸没柔性卷曲导电衬底,调节pH值至2.0~7.5,加热不超过90℃,接通电源,调节两电极之间电压为-10~10V,在导电衬底上沉积一层金属薄膜或重复上述步骤在导电衬底上至少沉积一层金属薄膜或在导电衬底上交替沉积至少两种金属至少两层金属薄膜。本发明具有方法简单、所用的衬底可柔性卷曲、镀层为原子层等优点,可用于柔性卷曲导电衬底上沉积单原子层厚度金属薄膜。
一种利用可重复使用的衬底制备多晶硅薄膜的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明公开了属于多晶硅薄膜技术领域的一种利用可重复使用的衬底制备多晶硅薄膜的方法。在涂覆石墨薄膜的陶瓷板上,沉积多晶硅薄膜,采用退火方法分离多晶硅薄膜与衬底,制备出多晶硅薄膜。陶瓷板经涂覆石墨薄膜后可重复沉积多晶硅薄膜。本发明方法选用高质量的陶瓷板作为衬底,将多晶体硅薄膜从衬底上分离,可重复利用优质衬底;大大降低了太阳电池制备成本,优化了生产工艺。同时克服了由于廉价衬底带来的杂质扩散,衬底与薄膜的不匹配,薄膜中高缺陷密度等缺点,可以减小沉积或结晶时多晶硅薄膜的应力,多晶硅薄膜的质量也将提高。
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摘要:本发明公开了生长在玻璃衬底上的LED外延片,包括生长在玻璃衬底上的铝金属层,生长在铝金属层上的银金属层,生长在银金属层上的AlN缓冲层,生长在AlN缓冲层上的GaN缓冲层,生长在GaN缓冲层上的非掺杂GaN层,生长在非掺杂GaN层上的n型掺杂GaN薄膜,生长在n型掺杂GaN薄膜上的InGaN/GaN多量子阱,生长在InGaN/GaN多量子阱上的p型掺杂GaN薄膜。本发明还公开了上述生长在玻璃衬底上的LED外延片的制备方法。本发明的生长在玻璃衬底上的LED外延片具有缺陷密度低、结晶质量好,发光性能优良的优点。
一种锗衬底上制备单晶氧化物薄膜的方法
成熟度:正在研发
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技术简介
一种Ge衬底上制备单晶氧化物薄膜的方法(专利号:CN201310106758.9)是将Ge片依次置于丙酮和甲醇中分别超声,再在去离子水中超声,后在HF酸溶液中刻蚀,再在去离子水中超声,完成Ge片的表面预处理;将预处理后的Ge(001)片置入生长室,升温,去除Ge衬底表面的氧化物,得到清洁的Ge(001)表面;然后调节Ge片温度,通入氧源,打开金属源进行生长,生长一定时间后,获得一种Ge衬底上生长的单晶氧化物薄膜。本发明在Ge衬底上外延生长单晶薄膜,得到理想的界面,从而大大降低界面态密度,解决Ge基MOS器件的界面问题。
用于细胞培养的石墨烯衬底及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
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技术简介
摘要:本发明公开了一种用于细胞培养的石墨烯衬底及其制备方法。作为细胞培养的载体,该石墨烯衬底为透明基片表面经清洗、液池固定及亲和工艺处理的单层石墨烯或十层以下的少层石墨烯。其制法为:取石墨烯迁移至玻璃表面,经有机溶剂清洗、高温退火处理后固定液池;或取石墨烯迁移至透明聚合物材料表面,经有机溶剂清洗后直接固定液池。之后通过去离子水清洗、亲和工艺处理,制呈可用于细胞培养的石墨烯衬底。本发明工艺简单、重复性强,可以制备适于肿瘤细胞、原代神经细胞、神经干细胞生长的石墨烯衬底,可广泛应用于基于石墨烯材料的生物芯片、植入器械制备。
柔性卷曲导电衬底上制备单原子层厚度金属薄膜的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
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摘要:一种柔性卷曲导电衬底上制备单原子层厚度金属薄膜的方法,由下述步骤组成:将柔性卷曲导电衬底放入制备器皿1中并连接到第一电极2,以惰性金属片作第二电极3,两电极间的距离为0.2~10cm,在制备器皿1中加入含待镀金属盐的沉积溶液,沉积液的加入量至浸没柔性卷曲导电衬底,调节pH值至2.0~7.5,加热不超过90℃,接通电源,调节两电极之间电压为-10~10V,在导电衬底上沉积一层金属薄膜或重复上述步骤在导电衬底上至少沉积一层金属薄膜或在导电衬底上交替沉积至少两种金属至少两层金属薄膜。本发明具有方法简单、所用的衬底可柔性卷曲、镀层为原子层等优点,可用于柔性卷曲导电衬底上沉积单原子层厚度金属薄膜。
一种利用可重复使用的衬底制备多晶硅薄膜的方法
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摘要:本发明公开了属于多晶硅薄膜技术领域的一种利用可重复使用的衬底制备多晶硅薄膜的方法。在涂覆石墨薄膜的陶瓷板上,沉积多晶硅薄膜,采用退火方法分离多晶硅薄膜与衬底,制备出多晶硅薄膜。陶瓷板经涂覆石墨薄膜后可重复沉积多晶硅薄膜。本发明方法选用高质量的陶瓷板作为衬底,将多晶体硅薄膜从衬底上分离,可重复利用优质衬底;大大降低了太阳电池制备成本,优化了生产工艺。同时克服了由于廉价衬底带来的杂质扩散,衬底与薄膜的不匹配,薄膜中高缺陷密度等缺点,可以减小沉积或结晶时多晶硅薄膜的应力,多晶硅薄膜的质量也将提高。
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摘要:本发明公开了生长在玻璃衬底上的LED外延片,包括生长在玻璃衬底上的铝金属层,生长在铝金属层上的银金属层,生长在银金属层上的AlN缓冲层,生长在AlN缓冲层上的GaN缓冲层,生长在GaN缓冲层上的非掺杂GaN层,生长在非掺杂GaN层上的n型掺杂GaN薄膜,生长在n型掺杂GaN薄膜上的InGaN/GaN多量子阱,生长在InGaN/GaN多量子阱上的p型掺杂GaN薄膜。本发明还公开了上述生长在玻璃衬底上的LED外延片的制备方法。本发明的生长在玻璃衬底上的LED外延片具有缺陷密度低、结晶质量好,发光性能优良的优点。
一种锗衬底上制备单晶氧化物薄膜的方法
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一种Ge衬底上制备单晶氧化物薄膜的方法(专利号:CN201310106758.9)是将Ge片依次置于丙酮和甲醇中分别超声,再在去离子水中超声,后在HF酸溶液中刻蚀,再在去离子水中超声,完成Ge片的表面预处理;将预处理后的Ge(001)片置入生长室,升温,去除Ge衬底表面的氧化物,得到清洁的Ge(001)表面;然后调节Ge片温度,通入氧源,打开金属源进行生长,生长一定时间后,获得一种Ge衬底上生长的单晶氧化物薄膜。本发明在Ge衬底上外延生长单晶薄膜,得到理想的界面,从而大大降低界面态密度,解决Ge基MOS器件的界面问题。
用于细胞培养的石墨烯衬底及其制备方法
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摘要:本发明公开了一种用于细胞培养的石墨烯衬底及其制备方法。作为细胞培养的载体,该石墨烯衬底为透明基片表面经清洗、液池固定及亲和工艺处理的单层石墨烯或十层以下的少层石墨烯。其制法为:取石墨烯迁移至玻璃表面,经有机溶剂清洗、高温退火处理后固定液池;或取石墨烯迁移至透明聚合物材料表面,经有机溶剂清洗后直接固定液池。之后通过去离子水清洗、亲和工艺处理,制呈可用于细胞培养的石墨烯衬底。本发明工艺简单、重复性强,可以制备适于肿瘤细胞、原代神经细胞、神经干细胞生长的石墨烯衬底,可广泛应用于基于石墨烯材料的生物芯片、植入器械制备。
柔性卷曲导电衬底上制备单原子层厚度金属薄膜的方法
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摘要:一种柔性卷曲导电衬底上制备单原子层厚度金属薄膜的方法,由下述步骤组成:将柔性卷曲导电衬底放入制备器皿1中并连接到第一电极2,以惰性金属片作第二电极3,两电极间的距离为0.2~10cm,在制备器皿1中加入含待镀金属盐的沉积溶液,沉积液的加入量至浸没柔性卷曲导电衬底,调节pH值至2.0~7.5,加热不超过90℃,接通电源,调节两电极之间电压为-10~10V,在导电衬底上沉积一层金属薄膜或重复上述步骤在导电衬底上至少沉积一层金属薄膜或在导电衬底上交替沉积至少两种金属至少两层金属薄膜。本发明具有方法简单、所用的衬底可柔性卷曲、镀层为原子层等优点,可用于柔性卷曲导电衬底上沉积单原子层厚度金属薄膜。
一种利用可重复使用的衬底制备多晶硅薄膜的方法
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摘要:本发明公开了属于多晶硅薄膜技术领域的一种利用可重复使用的衬底制备多晶硅薄膜的方法。在涂覆石墨薄膜的陶瓷板上,沉积多晶硅薄膜,采用退火方法分离多晶硅薄膜与衬底,制备出多晶硅薄膜。陶瓷板经涂覆石墨薄膜后可重复沉积多晶硅薄膜。本发明方法选用高质量的陶瓷板作为衬底,将多晶体硅薄膜从衬底上分离,可重复利用优质衬底;大大降低了太阳电池制备成本,优化了生产工艺。同时克服了由于廉价衬底带来的杂质扩散,衬底与薄膜的不匹配,薄膜中高缺陷密度等缺点,可以减小沉积或结晶时多晶硅薄膜的应力,多晶硅薄膜的质量也将提高。
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摘要:本发明公开了生长在玻璃衬底上的LED外延片,包括生长在玻璃衬底上的铝金属层,生长在铝金属层上的银金属层,生长在银金属层上的AlN缓冲层,生长在AlN缓冲层上的GaN缓冲层,生长在GaN缓冲层上的非掺杂GaN层,生长在非掺杂GaN层上的n型掺杂GaN薄膜,生长在n型掺杂GaN薄膜上的InGaN/GaN多量子阱,生长在InGaN/GaN多量子阱上的p型掺杂GaN薄膜。本发明还公开了上述生长在玻璃衬底上的LED外延片的制备方法。本发明的生长在玻璃衬底上的LED外延片具有缺陷密度低、结晶质量好,发光性能优良的优点。
一种锗衬底上制备单晶氧化物薄膜的方法
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一种Ge衬底上制备单晶氧化物薄膜的方法(专利号:CN201310106758.9)是将Ge片依次置于丙酮和甲醇中分别超声,再在去离子水中超声,后在HF酸溶液中刻蚀,再在去离子水中超声,完成Ge片的表面预处理;将预处理后的Ge(001)片置入生长室,升温,去除Ge衬底表面的氧化物,得到清洁的Ge(001)表面;然后调节Ge片温度,通入氧源,打开金属源进行生长,生长一定时间后,获得一种Ge衬底上生长的单晶氧化物薄膜。本发明在Ge衬底上外延生长单晶薄膜,得到理想的界面,从而大大降低界面态密度,解决Ge基MOS器件的界面问题。
用于细胞培养的石墨烯衬底及其制备方法
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摘要:本发明公开了一种用于细胞培养的石墨烯衬底及其制备方法。作为细胞培养的载体,该石墨烯衬底为透明基片表面经清洗、液池固定及亲和工艺处理的单层石墨烯或十层以下的少层石墨烯。其制法为:取石墨烯迁移至玻璃表面,经有机溶剂清洗、高温退火处理后固定液池;或取石墨烯迁移至透明聚合物材料表面,经有机溶剂清洗后直接固定液池。之后通过去离子水清洗、亲和工艺处理,制呈可用于细胞培养的石墨烯衬底。本发明工艺简单、重复性强,可以制备适于肿瘤细胞、原代神经细胞、神经干细胞生长的石墨烯衬底,可广泛应用于基于石墨烯材料的生物芯片、植入器械制备。
柔性卷曲导电衬底上制备单原子层厚度金属薄膜的方法
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摘要:一种柔性卷曲导电衬底上制备单原子层厚度金属薄膜的方法,由下述步骤组成:将柔性卷曲导电衬底放入制备器皿1中并连接到第一电极2,以惰性金属片作第二电极3,两电极间的距离为0.2~10cm,在制备器皿1中加入含待镀金属盐的沉积溶液,沉积液的加入量至浸没柔性卷曲导电衬底,调节pH值至2.0~7.5,加热不超过90℃,接通电源,调节两电极之间电压为-10~10V,在导电衬底上沉积一层金属薄膜或重复上述步骤在导电衬底上至少沉积一层金属薄膜或在导电衬底上交替沉积至少两种金属至少两层金属薄膜。本发明具有方法简单、所用的衬底可柔性卷曲、镀层为原子层等优点,可用于柔性卷曲导电衬底上沉积单原子层厚度金属薄膜。
一种利用可重复使用的衬底制备多晶硅薄膜的方法
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摘要:本发明公开了属于多晶硅薄膜技术领域的一种利用可重复使用的衬底制备多晶硅薄膜的方法。在涂覆石墨薄膜的陶瓷板上,沉积多晶硅薄膜,采用退火方法分离多晶硅薄膜与衬底,制备出多晶硅薄膜。陶瓷板经涂覆石墨薄膜后可重复沉积多晶硅薄膜。本发明方法选用高质量的陶瓷板作为衬底,将多晶体硅薄膜从衬底上分离,可重复利用优质衬底;大大降低了太阳电池制备成本,优化了生产工艺。同时克服了由于廉价衬底带来的杂质扩散,衬底与薄膜的不匹配,薄膜中高缺陷密度等缺点,可以减小沉积或结晶时多晶硅薄膜的应力,多晶硅薄膜的质量也将提高。
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摘要:本发明公开了生长在玻璃衬底上的LED外延片,包括生长在玻璃衬底上的铝金属层,生长在铝金属层上的银金属层,生长在银金属层上的AlN缓冲层,生长在AlN缓冲层上的GaN缓冲层,生长在GaN缓冲层上的非掺杂GaN层,生长在非掺杂GaN层上的n型掺杂GaN薄膜,生长在n型掺杂GaN薄膜上的InGaN/GaN多量子阱,生长在InGaN/GaN多量子阱上的p型掺杂GaN薄膜。本发明还公开了上述生长在玻璃衬底上的LED外延片的制备方法。本发明的生长在玻璃衬底上的LED外延片具有缺陷密度低、结晶质量好,发光性能优良的优点。
一种锗衬底上制备单晶氧化物薄膜的方法
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一种Ge衬底上制备单晶氧化物薄膜的方法(专利号:CN201310106758.9)是将Ge片依次置于丙酮和甲醇中分别超声,再在去离子水中超声,后在HF酸溶液中刻蚀,再在去离子水中超声,完成Ge片的表面预处理;将预处理后的Ge(001)片置入生长室,升温,去除Ge衬底表面的氧化物,得到清洁的Ge(001)表面;然后调节Ge片温度,通入氧源,打开金属源进行生长,生长一定时间后,获得一种Ge衬底上生长的单晶氧化物薄膜。本发明在Ge衬底上外延生长单晶薄膜,得到理想的界面,从而大大降低界面态密度,解决Ge基MOS器件的界面问题。
用于细胞培养的石墨烯衬底及其制备方法
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摘要:本发明公开了一种用于细胞培养的石墨烯衬底及其制备方法。作为细胞培养的载体,该石墨烯衬底为透明基片表面经清洗、液池固定及亲和工艺处理的单层石墨烯或十层以下的少层石墨烯。其制法为:取石墨烯迁移至玻璃表面,经有机溶剂清洗、高温退火处理后固定液池;或取石墨烯迁移至透明聚合物材料表面,经有机溶剂清洗后直接固定液池。之后通过去离子水清洗、亲和工艺处理,制呈可用于细胞培养的石墨烯衬底。本发明工艺简单、重复性强,可以制备适于肿瘤细胞、原代神经细胞、神经干细胞生长的石墨烯衬底,可广泛应用于基于石墨烯材料的生物芯片、植入器械制备。
柔性卷曲导电衬底上制备单原子层厚度金属薄膜的方法
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摘要:一种柔性卷曲导电衬底上制备单原子层厚度金属薄膜的方法,由下述步骤组成:将柔性卷曲导电衬底放入制备器皿1中并连接到第一电极2,以惰性金属片作第二电极3,两电极间的距离为0.2~10cm,在制备器皿1中加入含待镀金属盐的沉积溶液,沉积液的加入量至浸没柔性卷曲导电衬底,调节pH值至2.0~7.5,加热不超过90℃,接通电源,调节两电极之间电压为-10~10V,在导电衬底上沉积一层金属薄膜或重复上述步骤在导电衬底上至少沉积一层金属薄膜或在导电衬底上交替沉积至少两种金属至少两层金属薄膜。本发明具有方法简单、所用的衬底可柔性卷曲、镀层为原子层等优点,可用于柔性卷曲导电衬底上沉积单原子层厚度金属薄膜。
一种利用可重复使用的衬底制备多晶硅薄膜的方法
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摘要:本发明公开了属于多晶硅薄膜技术领域的一种利用可重复使用的衬底制备多晶硅薄膜的方法。在涂覆石墨薄膜的陶瓷板上,沉积多晶硅薄膜,采用退火方法分离多晶硅薄膜与衬底,制备出多晶硅薄膜。陶瓷板经涂覆石墨薄膜后可重复沉积多晶硅薄膜。本发明方法选用高质量的陶瓷板作为衬底,将多晶体硅薄膜从衬底上分离,可重复利用优质衬底;大大降低了太阳电池制备成本,优化了生产工艺。同时克服了由于廉价衬底带来的杂质扩散,衬底与薄膜的不匹配,薄膜中高缺陷密度等缺点,可以减小沉积或结晶时多晶硅薄膜的应力,多晶硅薄膜的质量也将提高。
找到5项技术成果数据。
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摘要:本发明公开了生长在玻璃衬底上的LED外延片,包括生长在玻璃衬底上的铝金属层,生长在铝金属层上的银金属层,生长在银金属层上的AlN缓冲层,生长在AlN缓冲层上的GaN缓冲层,生长在GaN缓冲层上的非掺杂GaN层,生长在非掺杂GaN层上的n型掺杂GaN薄膜,生长在n型掺杂GaN薄膜上的InGaN/GaN多量子阱,生长在InGaN/GaN多量子阱上的p型掺杂GaN薄膜。本发明还公开了上述生长在玻璃衬底上的LED外延片的制备方法。本发明的生长在玻璃衬底上的LED外延片具有缺陷密度低、结晶质量好,发光性能优良的优点。
一种锗衬底上制备单晶氧化物薄膜的方法
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一种Ge衬底上制备单晶氧化物薄膜的方法(专利号:CN201310106758.9)是将Ge片依次置于丙酮和甲醇中分别超声,再在去离子水中超声,后在HF酸溶液中刻蚀,再在去离子水中超声,完成Ge片的表面预处理;将预处理后的Ge(001)片置入生长室,升温,去除Ge衬底表面的氧化物,得到清洁的Ge(001)表面;然后调节Ge片温度,通入氧源,打开金属源进行生长,生长一定时间后,获得一种Ge衬底上生长的单晶氧化物薄膜。本发明在Ge衬底上外延生长单晶薄膜,得到理想的界面,从而大大降低界面态密度,解决Ge基MOS器件的界面问题。
用于细胞培养的石墨烯衬底及其制备方法
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摘要:本发明公开了一种用于细胞培养的石墨烯衬底及其制备方法。作为细胞培养的载体,该石墨烯衬底为透明基片表面经清洗、液池固定及亲和工艺处理的单层石墨烯或十层以下的少层石墨烯。其制法为:取石墨烯迁移至玻璃表面,经有机溶剂清洗、高温退火处理后固定液池;或取石墨烯迁移至透明聚合物材料表面,经有机溶剂清洗后直接固定液池。之后通过去离子水清洗、亲和工艺处理,制呈可用于细胞培养的石墨烯衬底。本发明工艺简单、重复性强,可以制备适于肿瘤细胞、原代神经细胞、神经干细胞生长的石墨烯衬底,可广泛应用于基于石墨烯材料的生物芯片、植入器械制备。
柔性卷曲导电衬底上制备单原子层厚度金属薄膜的方法
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摘要:一种柔性卷曲导电衬底上制备单原子层厚度金属薄膜的方法,由下述步骤组成:将柔性卷曲导电衬底放入制备器皿1中并连接到第一电极2,以惰性金属片作第二电极3,两电极间的距离为0.2~10cm,在制备器皿1中加入含待镀金属盐的沉积溶液,沉积液的加入量至浸没柔性卷曲导电衬底,调节pH值至2.0~7.5,加热不超过90℃,接通电源,调节两电极之间电压为-10~10V,在导电衬底上沉积一层金属薄膜或重复上述步骤在导电衬底上至少沉积一层金属薄膜或在导电衬底上交替沉积至少两种金属至少两层金属薄膜。本发明具有方法简单、所用的衬底可柔性卷曲、镀层为原子层等优点,可用于柔性卷曲导电衬底上沉积单原子层厚度金属薄膜。
一种利用可重复使用的衬底制备多晶硅薄膜的方法
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技术简介
摘要:本发明公开了属于多晶硅薄膜技术领域的一种利用可重复使用的衬底制备多晶硅薄膜的方法。在涂覆石墨薄膜的陶瓷板上,沉积多晶硅薄膜,采用退火方法分离多晶硅薄膜与衬底,制备出多晶硅薄膜。陶瓷板经涂覆石墨薄膜后可重复沉积多晶硅薄膜。本发明方法选用高质量的陶瓷板作为衬底,将多晶体硅薄膜从衬底上分离,可重复利用优质衬底;大大降低了太阳电池制备成本,优化了生产工艺。同时克服了由于廉价衬底带来的杂质扩散,衬底与薄膜的不匹配,薄膜中高缺陷密度等缺点,可以减小沉积或结晶时多晶硅薄膜的应力,多晶硅薄膜的质量也将提高。
找到5项技术成果数据。
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摘要:本发明公开了生长在玻璃衬底上的LED外延片,包括生长在玻璃衬底上的铝金属层,生长在铝金属层上的银金属层,生长在银金属层上的AlN缓冲层,生长在AlN缓冲层上的GaN缓冲层,生长在GaN缓冲层上的非掺杂GaN层,生长在非掺杂GaN层上的n型掺杂GaN薄膜,生长在n型掺杂GaN薄膜上的InGaN/GaN多量子阱,生长在InGaN/GaN多量子阱上的p型掺杂GaN薄膜。本发明还公开了上述生长在玻璃衬底上的LED外延片的制备方法。本发明的生长在玻璃衬底上的LED外延片具有缺陷密度低、结晶质量好,发光性能优良的优点。
一种锗衬底上制备单晶氧化物薄膜的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
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技术简介
一种Ge衬底上制备单晶氧化物薄膜的方法(专利号:CN201310106758.9)是将Ge片依次置于丙酮和甲醇中分别超声,再在去离子水中超声,后在HF酸溶液中刻蚀,再在去离子水中超声,完成Ge片的表面预处理;将预处理后的Ge(001)片置入生长室,升温,去除Ge衬底表面的氧化物,得到清洁的Ge(001)表面;然后调节Ge片温度,通入氧源,打开金属源进行生长,生长一定时间后,获得一种Ge衬底上生长的单晶氧化物薄膜。本发明在Ge衬底上外延生长单晶薄膜,得到理想的界面,从而大大降低界面态密度,解决Ge基MOS器件的界面问题。
用于细胞培养的石墨烯衬底及其制备方法
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应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明公开了一种用于细胞培养的石墨烯衬底及其制备方法。作为细胞培养的载体,该石墨烯衬底为透明基片表面经清洗、液池固定及亲和工艺处理的单层石墨烯或十层以下的少层石墨烯。其制法为:取石墨烯迁移至玻璃表面,经有机溶剂清洗、高温退火处理后固定液池;或取石墨烯迁移至透明聚合物材料表面,经有机溶剂清洗后直接固定液池。之后通过去离子水清洗、亲和工艺处理,制呈可用于细胞培养的石墨烯衬底。本发明工艺简单、重复性强,可以制备适于肿瘤细胞、原代神经细胞、神经干细胞生长的石墨烯衬底,可广泛应用于基于石墨烯材料的生物芯片、植入器械制备。
柔性卷曲导电衬底上制备单原子层厚度金属薄膜的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:一种柔性卷曲导电衬底上制备单原子层厚度金属薄膜的方法,由下述步骤组成:将柔性卷曲导电衬底放入制备器皿1中并连接到第一电极2,以惰性金属片作第二电极3,两电极间的距离为0.2~10cm,在制备器皿1中加入含待镀金属盐的沉积溶液,沉积液的加入量至浸没柔性卷曲导电衬底,调节pH值至2.0~7.5,加热不超过90℃,接通电源,调节两电极之间电压为-10~10V,在导电衬底上沉积一层金属薄膜或重复上述步骤在导电衬底上至少沉积一层金属薄膜或在导电衬底上交替沉积至少两种金属至少两层金属薄膜。本发明具有方法简单、所用的衬底可柔性卷曲、镀层为原子层等优点,可用于柔性卷曲导电衬底上沉积单原子层厚度金属薄膜。
一种利用可重复使用的衬底制备多晶硅薄膜的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明公开了属于多晶硅薄膜技术领域的一种利用可重复使用的衬底制备多晶硅薄膜的方法。在涂覆石墨薄膜的陶瓷板上,沉积多晶硅薄膜,采用退火方法分离多晶硅薄膜与衬底,制备出多晶硅薄膜。陶瓷板经涂覆石墨薄膜后可重复沉积多晶硅薄膜。本发明方法选用高质量的陶瓷板作为衬底,将多晶体硅薄膜从衬底上分离,可重复利用优质衬底;大大降低了太阳电池制备成本,优化了生产工艺。同时克服了由于廉价衬底带来的杂质扩散,衬底与薄膜的不匹配,薄膜中高缺陷密度等缺点,可以减小沉积或结晶时多晶硅薄膜的应力,多晶硅薄膜的质量也将提高。
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找技术 >生长在玻璃衬底上的LED外延片及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明公开了生长在玻璃衬底上的LED外延片,包括生长在玻璃衬底上的铝金属层,生长在铝金属层上的银金属层,生长在银金属层上的AlN缓冲层,生长在AlN缓冲层上的GaN缓冲层,生长在GaN缓冲层上的非掺杂GaN层,生长在非掺杂GaN层上的n型掺杂GaN薄膜,生长在n型掺杂GaN薄膜上的InGaN/GaN多量子阱,生长在InGaN/GaN多量子阱上的p型掺杂GaN薄膜。本发明还公开了上述生长在玻璃衬底上的LED外延片的制备方法。本发明的生长在玻璃衬底上的LED外延片具有缺陷密度低、结晶质量好,发光性能优良的优点。
一种锗衬底上制备单晶氧化物薄膜的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
一种Ge衬底上制备单晶氧化物薄膜的方法(专利号:CN201310106758.9)是将Ge片依次置于丙酮和甲醇中分别超声,再在去离子水中超声,后在HF酸溶液中刻蚀,再在去离子水中超声,完成Ge片的表面预处理;将预处理后的Ge(001)片置入生长室,升温,去除Ge衬底表面的氧化物,得到清洁的Ge(001)表面;然后调节Ge片温度,通入氧源,打开金属源进行生长,生长一定时间后,获得一种Ge衬底上生长的单晶氧化物薄膜。本发明在Ge衬底上外延生长单晶薄膜,得到理想的界面,从而大大降低界面态密度,解决Ge基MOS器件的界面问题。
用于细胞培养的石墨烯衬底及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明公开了一种用于细胞培养的石墨烯衬底及其制备方法。作为细胞培养的载体,该石墨烯衬底为透明基片表面经清洗、液池固定及亲和工艺处理的单层石墨烯或十层以下的少层石墨烯。其制法为:取石墨烯迁移至玻璃表面,经有机溶剂清洗、高温退火处理后固定液池;或取石墨烯迁移至透明聚合物材料表面,经有机溶剂清洗后直接固定液池。之后通过去离子水清洗、亲和工艺处理,制呈可用于细胞培养的石墨烯衬底。本发明工艺简单、重复性强,可以制备适于肿瘤细胞、原代神经细胞、神经干细胞生长的石墨烯衬底,可广泛应用于基于石墨烯材料的生物芯片、植入器械制备。
柔性卷曲导电衬底上制备单原子层厚度金属薄膜的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:一种柔性卷曲导电衬底上制备单原子层厚度金属薄膜的方法,由下述步骤组成:将柔性卷曲导电衬底放入制备器皿1中并连接到第一电极2,以惰性金属片作第二电极3,两电极间的距离为0.2~10cm,在制备器皿1中加入含待镀金属盐的沉积溶液,沉积液的加入量至浸没柔性卷曲导电衬底,调节pH值至2.0~7.5,加热不超过90℃,接通电源,调节两电极之间电压为-10~10V,在导电衬底上沉积一层金属薄膜或重复上述步骤在导电衬底上至少沉积一层金属薄膜或在导电衬底上交替沉积至少两种金属至少两层金属薄膜。本发明具有方法简单、所用的衬底可柔性卷曲、镀层为原子层等优点,可用于柔性卷曲导电衬底上沉积单原子层厚度金属薄膜。
一种利用可重复使用的衬底制备多晶硅薄膜的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明公开了属于多晶硅薄膜技术领域的一种利用可重复使用的衬底制备多晶硅薄膜的方法。在涂覆石墨薄膜的陶瓷板上,沉积多晶硅薄膜,采用退火方法分离多晶硅薄膜与衬底,制备出多晶硅薄膜。陶瓷板经涂覆石墨薄膜后可重复沉积多晶硅薄膜。本发明方法选用高质量的陶瓷板作为衬底,将多晶体硅薄膜从衬底上分离,可重复利用优质衬底;大大降低了太阳电池制备成本,优化了生产工艺。同时克服了由于廉价衬底带来的杂质扩散,衬底与薄膜的不匹配,薄膜中高缺陷密度等缺点,可以减小沉积或结晶时多晶硅薄膜的应力,多晶硅薄膜的质量也将提高。