找到23项技术成果数据。
找技术 >基于铁电‑铁磁异质结的电控磁型存储器及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明涉及一种基于铁电‑铁磁异质结的电控磁型存储器及其制备方法。所述基于铁电‑铁磁异质结的电控磁型存储器包括从下往上依次设置的铁电层和铁磁层,所述铁电层为BiFeO3薄膜,所述铁磁层为Co纳米点阵。所述制备方法包括先采用脉冲激光沉积法在衬底上沉积BiFeO3薄膜,再将所得BiFeO3薄膜贴上掩模板,采用蒸镀法在贴有掩模板的BiFeO3薄膜表面镀上Co纳米点阵。本发明通过制备Co纳米点和BiFeO3薄膜的异质结,加强铁电与铁磁界面的耦合效应,以应变作为电写磁读的调控机制,提高电写磁读的可控性。
关于高Tc薄膜铁电材料机制的研究
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
基于过去发展的基于第一性原理电子结构计算的有限温度下铁电-顺电相变模拟手段,指出Fisher等人提出的有限尺寸标度理论存在缺陷,并针对铁电-顺电相比提出修正方法。此理论缺陷存在的本质原因是理论推导过程中对体材到薄膜演变过程中哈密顿量变化的忽视,是由当时实验技术与针对具体材料物性理论模拟手段的局限造成的。新发展出来的修正方法可广泛适用于类似铁电材料的物性模拟。研究中,以SnTe作为一个例子,来研究标度律不成立的体系;以BaTiO3为一个例子,来描述标度律成立的体系。通过对比两类材料在从体材到薄膜变化过程中电子结构与相变温度变化的规律,作者发现相变序参量的变化可以作为一个描述子,来区分此两类系统。在标度律成立的体系,体材与薄膜的相变序参量并不发生变化,这个也是70年代Fisher等人提出标度律的一个基本假设。而对SnTe这类材料,在从体材到薄膜的演化过程中,相变序参量已经发生了变化。这一机制也为寻找、预测和设计低维高Tc铁电材料提供了新思路。不同于之前研究常采用的施加应变等外部调制手段,新机制预测的低维铁电材料具备本征高Tc,更易于脱离实验室条件走向工业生产。课题组期待这一工作能激发更多高Tc铁电材料的发现。
1‑3型压电陶瓷/单晶铁电复合材料制备治具及制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种1‑3型压电陶瓷/单晶铁电复合材料制备治具。包括夹具底座、引导柱及对齐引导板;所述夹具底座上开设有用于固定压电陶瓷/单晶铁电片的第一固定槽;所述引导柱垂直设置于所述夹具底座上;所述对齐引导板可拆卸地设置于所述引导柱上,且所述对齐引导板在所述引导柱上可滑动,所述对齐引导板下表面上开设有用于固定压电陶瓷/单晶铁电片的第二固定槽,所述第二固定槽与所述第一固定槽相对齐。同时还提供了使用上述治具的1‑3型压电陶瓷/单晶铁电复合材料制备方法。上述1‑3型压电陶瓷/单晶铁电复合材料制备方法可使最终产品阵元间的间距,即切口的宽度小于10微米,满足了制备高频阵列探头的需求。
一步模板法制备有序铁电纳米点阵列的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明涉及一种一步模板法制备有序铁电纳米点阵列的方法,其包括以下步骤S1采用脉冲激光沉积法在衬底上沉积高性能外延铁电薄膜;S2转移单层PS小球至铁电薄膜表面作为掩模板;S3将附有掩模板的衬底用氧等离子体刻蚀处理,得到待刻蚀样品;S4将所述待刻蚀样品置于离子束刻蚀机中进行刻蚀;S5去除残留的单层PS小球掩模板,得到有序的铁电纳米点阵列。该制备方法简单、模板清除方便,且制得的铁电纳米点保存了铁电薄膜优异的外延性和铁电性,适合大面积制备。
一种铁电氧化钒复合薄膜及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及光电传感器技术领域,特别涉及一种用于红外热成像传感器以及THz图像传感器的铁电氧化钒复合薄膜F_VOx及其制备方法,该铁电氧化钒复合薄膜是由氧化钒薄膜和金属铌或者铌基铁电材料薄膜复合而成的铌基铁电‑氧化钒双层复合薄膜。本发明首次利用金属铌和铌基铁电薄膜材料优异的热传导、热吸收性能,提升氧化钒薄膜的热量吸收率,使铁电氧化钒复合薄膜F_VOx的温度电阻系数提高到3.8~4.2%/K,有效解决了小面阵高TCR的问题且避免了传统掺杂工艺对氧化钒薄膜产生的负面影响,将其应用于传感器可全面提升红外热成像、太赫兹图像传感器的性能。
基于热开关的全固态室温铁电制冷机
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种室温铁电制冷机,具体涉及一种基于热开关的使用铁电材料回热的全固态室温铁电制冷机。本发明的基于热开关的全固态铁电制冷机,包括N个铁电制冷片,所述N个铁电制冷片交替插在N+1个大小相当的热开关中,其中最外侧的热开关分别与高温热源和低温热源相连,所述N个铁电制冷片按规定的加场和减场次序进行控制并相应控制所述N+1个热开关的通断以实现制冷。本发明的基于热开关的全固态铁电制冷机具有结构非常紧凑、效率高、噪音低的优点。
一种磁随机存储器及其写入方法、读取方法和制备方法
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种磁随机存储器及其写入方法、读取方法和制备方法,该磁随机存储器包括依次堆叠设置的衬底层、铁电层、复合反铁磁结构、第一隔离层和第一铁磁层,复合反铁磁结构为磁随机存储器的自由层,第一铁磁层为磁随机存储器的固定层;铁电层在外加电压作用下发生极化或晶格形变,用于改变复合反铁磁结构的耦合状态;第一铁磁层具备恒定的第一磁矩方向;第一隔离层用于控制第一磁矩方向不受复合反铁磁结构耦合状态的影响。此磁随机存储器,利用电场作用下复合反铁磁结构铁磁耦合和反铁磁耦合的相互转变,实现MRAM的写入,解决了用导线的感应磁场或极化电流实现MRAM写入时,线宽较宽导致的MRAM尺寸较大,MRAM存储密度较低的问题,实现高密度存储。
一种基于三临界效应提高铁电陶瓷电容率的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种基于三临界效应提高铁电陶瓷电容率的方法,首先采用传统固相合成的方法,配制出不同组分的陶瓷样品;其次通过介电温谱测试系统测得各陶瓷样品电容率εr随温度T的变化关系;然后根据介电温谱测试系统所测得的各陶瓷样品对应的铁电‑顺电相变点、铁电‑铁电相变点的温度点绘制陶瓷体系的温度‑组分相图;最后在陶瓷体系的温度‑组分相图中通过观察各相交点确认体系的三相临界点,介电温谱的测试结果表明在三相临界点处陶瓷样品的电容率εr最高,因而可将三相临界点所对应的组分作为铁电陶瓷最佳配比。本发明方法在一定程度上实现电容率的成倍增加,对电容器电荷存储能力的提高提供一定的参考和指导。
一种表征电介质极化、铁电相弛豫和漏导的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
一种表征电介质极化、铁电相弛豫和漏导的方法,对铁电体施加恒定的电压,采集一定范围的点数、采用铁电分析系统对其进行测量;对采集所得数据进行分析与处理,得到不同的电压下样品的极化强度随时间变化的曲线图;根据公式,对测量所得数据曲线进行模拟,并将曲线图分离出瞬时极化、弛豫极化和漏导极化三部分,对所得数据ι、T进行分析,最终得出材料极化和弛豫的时间依赖性和电场依赖性,本发明测样操作方便易控,安全性高,且能够直接得到铁电体材料的准确铁电参数。
一种钛钪锑酸铅铋锂系弛豫铁电陶瓷及其用途
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种钛钪锑酸铅铋锂系弛豫铁电陶瓷及其用途,其特点是该弛豫铁电陶瓷的通式为:(1-x)(Bi1-yLiy)(Sc1-ySby)O3-xPbTiO3,其中x、y表示复合离子中相应元素材料在各元素中所占的原子数,所有元素的原子数总和为1,式中0.60≤x≤0.65,0.01≤y≤0.15。该弛豫铁电陶瓷由以下原料组分组成,按重量计为:三氧化二铋23.37~34.37份,三氧化二钪6.92~10.17份,二氧化钛14.55~17.52份,氧化铅40.64~48.96份,三氧化二锑0.17~3.34份和碳酸锂0.04~0.85份。钛钪锑酸铅铋锂系弛豫铁电陶瓷铁电-顺电相变温度为300~341℃,压电常数d33可达545pC/N,平面机电耦合系数kp可达58%;该弛豫铁电陶瓷用于大功率超声器件,高温物体超声波,以及高温物体的振动、加速度和压力测试领域。
找到23项技术成果数据。
找技术 >基于铁电‑铁磁异质结的电控磁型存储器及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明涉及一种基于铁电‑铁磁异质结的电控磁型存储器及其制备方法。所述基于铁电‑铁磁异质结的电控磁型存储器包括从下往上依次设置的铁电层和铁磁层,所述铁电层为BiFeO3薄膜,所述铁磁层为Co纳米点阵。所述制备方法包括先采用脉冲激光沉积法在衬底上沉积BiFeO3薄膜,再将所得BiFeO3薄膜贴上掩模板,采用蒸镀法在贴有掩模板的BiFeO3薄膜表面镀上Co纳米点阵。本发明通过制备Co纳米点和BiFeO3薄膜的异质结,加强铁电与铁磁界面的耦合效应,以应变作为电写磁读的调控机制,提高电写磁读的可控性。
关于高Tc薄膜铁电材料机制的研究
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
基于过去发展的基于第一性原理电子结构计算的有限温度下铁电-顺电相变模拟手段,指出Fisher等人提出的有限尺寸标度理论存在缺陷,并针对铁电-顺电相比提出修正方法。此理论缺陷存在的本质原因是理论推导过程中对体材到薄膜演变过程中哈密顿量变化的忽视,是由当时实验技术与针对具体材料物性理论模拟手段的局限造成的。新发展出来的修正方法可广泛适用于类似铁电材料的物性模拟。研究中,以SnTe作为一个例子,来研究标度律不成立的体系;以BaTiO3为一个例子,来描述标度律成立的体系。通过对比两类材料在从体材到薄膜变化过程中电子结构与相变温度变化的规律,作者发现相变序参量的变化可以作为一个描述子,来区分此两类系统。在标度律成立的体系,体材与薄膜的相变序参量并不发生变化,这个也是70年代Fisher等人提出标度律的一个基本假设。而对SnTe这类材料,在从体材到薄膜的演化过程中,相变序参量已经发生了变化。这一机制也为寻找、预测和设计低维高Tc铁电材料提供了新思路。不同于之前研究常采用的施加应变等外部调制手段,新机制预测的低维铁电材料具备本征高Tc,更易于脱离实验室条件走向工业生产。课题组期待这一工作能激发更多高Tc铁电材料的发现。
1‑3型压电陶瓷/单晶铁电复合材料制备治具及制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种1‑3型压电陶瓷/单晶铁电复合材料制备治具。包括夹具底座、引导柱及对齐引导板;所述夹具底座上开设有用于固定压电陶瓷/单晶铁电片的第一固定槽;所述引导柱垂直设置于所述夹具底座上;所述对齐引导板可拆卸地设置于所述引导柱上,且所述对齐引导板在所述引导柱上可滑动,所述对齐引导板下表面上开设有用于固定压电陶瓷/单晶铁电片的第二固定槽,所述第二固定槽与所述第一固定槽相对齐。同时还提供了使用上述治具的1‑3型压电陶瓷/单晶铁电复合材料制备方法。上述1‑3型压电陶瓷/单晶铁电复合材料制备方法可使最终产品阵元间的间距,即切口的宽度小于10微米,满足了制备高频阵列探头的需求。
一步模板法制备有序铁电纳米点阵列的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
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技术简介
摘要:本发明涉及一种一步模板法制备有序铁电纳米点阵列的方法,其包括以下步骤S1采用脉冲激光沉积法在衬底上沉积高性能外延铁电薄膜;S2转移单层PS小球至铁电薄膜表面作为掩模板;S3将附有掩模板的衬底用氧等离子体刻蚀处理,得到待刻蚀样品;S4将所述待刻蚀样品置于离子束刻蚀机中进行刻蚀;S5去除残留的单层PS小球掩模板,得到有序的铁电纳米点阵列。该制备方法简单、模板清除方便,且制得的铁电纳米点保存了铁电薄膜优异的外延性和铁电性,适合大面积制备。
一种铁电氧化钒复合薄膜及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及光电传感器技术领域,特别涉及一种用于红外热成像传感器以及THz图像传感器的铁电氧化钒复合薄膜F_VOx及其制备方法,该铁电氧化钒复合薄膜是由氧化钒薄膜和金属铌或者铌基铁电材料薄膜复合而成的铌基铁电‑氧化钒双层复合薄膜。本发明首次利用金属铌和铌基铁电薄膜材料优异的热传导、热吸收性能,提升氧化钒薄膜的热量吸收率,使铁电氧化钒复合薄膜F_VOx的温度电阻系数提高到3.8~4.2%/K,有效解决了小面阵高TCR的问题且避免了传统掺杂工艺对氧化钒薄膜产生的负面影响,将其应用于传感器可全面提升红外热成像、太赫兹图像传感器的性能。
基于热开关的全固态室温铁电制冷机
成熟度:正在研发
技术类型:发明
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技术简介
本发明涉及一种室温铁电制冷机,具体涉及一种基于热开关的使用铁电材料回热的全固态室温铁电制冷机。本发明的基于热开关的全固态铁电制冷机,包括N个铁电制冷片,所述N个铁电制冷片交替插在N+1个大小相当的热开关中,其中最外侧的热开关分别与高温热源和低温热源相连,所述N个铁电制冷片按规定的加场和减场次序进行控制并相应控制所述N+1个热开关的通断以实现制冷。本发明的基于热开关的全固态铁电制冷机具有结构非常紧凑、效率高、噪音低的优点。
一种磁随机存储器及其写入方法、读取方法和制备方法
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种磁随机存储器及其写入方法、读取方法和制备方法,该磁随机存储器包括依次堆叠设置的衬底层、铁电层、复合反铁磁结构、第一隔离层和第一铁磁层,复合反铁磁结构为磁随机存储器的自由层,第一铁磁层为磁随机存储器的固定层;铁电层在外加电压作用下发生极化或晶格形变,用于改变复合反铁磁结构的耦合状态;第一铁磁层具备恒定的第一磁矩方向;第一隔离层用于控制第一磁矩方向不受复合反铁磁结构耦合状态的影响。此磁随机存储器,利用电场作用下复合反铁磁结构铁磁耦合和反铁磁耦合的相互转变,实现MRAM的写入,解决了用导线的感应磁场或极化电流实现MRAM写入时,线宽较宽导致的MRAM尺寸较大,MRAM存储密度较低的问题,实现高密度存储。
一种基于三临界效应提高铁电陶瓷电容率的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
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技术简介
本发明公开了一种基于三临界效应提高铁电陶瓷电容率的方法,首先采用传统固相合成的方法,配制出不同组分的陶瓷样品;其次通过介电温谱测试系统测得各陶瓷样品电容率εr随温度T的变化关系;然后根据介电温谱测试系统所测得的各陶瓷样品对应的铁电‑顺电相变点、铁电‑铁电相变点的温度点绘制陶瓷体系的温度‑组分相图;最后在陶瓷体系的温度‑组分相图中通过观察各相交点确认体系的三相临界点,介电温谱的测试结果表明在三相临界点处陶瓷样品的电容率εr最高,因而可将三相临界点所对应的组分作为铁电陶瓷最佳配比。本发明方法在一定程度上实现电容率的成倍增加,对电容器电荷存储能力的提高提供一定的参考和指导。
一种表征电介质极化、铁电相弛豫和漏导的方法
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技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
一种表征电介质极化、铁电相弛豫和漏导的方法,对铁电体施加恒定的电压,采集一定范围的点数、采用铁电分析系统对其进行测量;对采集所得数据进行分析与处理,得到不同的电压下样品的极化强度随时间变化的曲线图;根据公式,对测量所得数据曲线进行模拟,并将曲线图分离出瞬时极化、弛豫极化和漏导极化三部分,对所得数据ι、T进行分析,最终得出材料极化和弛豫的时间依赖性和电场依赖性,本发明测样操作方便易控,安全性高,且能够直接得到铁电体材料的准确铁电参数。
一种钛钪锑酸铅铋锂系弛豫铁电陶瓷及其用途
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种钛钪锑酸铅铋锂系弛豫铁电陶瓷及其用途,其特点是该弛豫铁电陶瓷的通式为:(1-x)(Bi1-yLiy)(Sc1-ySby)O3-xPbTiO3,其中x、y表示复合离子中相应元素材料在各元素中所占的原子数,所有元素的原子数总和为1,式中0.60≤x≤0.65,0.01≤y≤0.15。该弛豫铁电陶瓷由以下原料组分组成,按重量计为:三氧化二铋23.37~34.37份,三氧化二钪6.92~10.17份,二氧化钛14.55~17.52份,氧化铅40.64~48.96份,三氧化二锑0.17~3.34份和碳酸锂0.04~0.85份。钛钪锑酸铅铋锂系弛豫铁电陶瓷铁电-顺电相变温度为300~341℃,压电常数d33可达545pC/N,平面机电耦合系数kp可达58%;该弛豫铁电陶瓷用于大功率超声器件,高温物体超声波,以及高温物体的振动、加速度和压力测试领域。
找到23项技术成果数据。
找技术 >基于铁电‑铁磁异质结的电控磁型存储器及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明涉及一种基于铁电‑铁磁异质结的电控磁型存储器及其制备方法。所述基于铁电‑铁磁异质结的电控磁型存储器包括从下往上依次设置的铁电层和铁磁层,所述铁电层为BiFeO3薄膜,所述铁磁层为Co纳米点阵。所述制备方法包括先采用脉冲激光沉积法在衬底上沉积BiFeO3薄膜,再将所得BiFeO3薄膜贴上掩模板,采用蒸镀法在贴有掩模板的BiFeO3薄膜表面镀上Co纳米点阵。本发明通过制备Co纳米点和BiFeO3薄膜的异质结,加强铁电与铁磁界面的耦合效应,以应变作为电写磁读的调控机制,提高电写磁读的可控性。
关于高Tc薄膜铁电材料机制的研究
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
基于过去发展的基于第一性原理电子结构计算的有限温度下铁电-顺电相变模拟手段,指出Fisher等人提出的有限尺寸标度理论存在缺陷,并针对铁电-顺电相比提出修正方法。此理论缺陷存在的本质原因是理论推导过程中对体材到薄膜演变过程中哈密顿量变化的忽视,是由当时实验技术与针对具体材料物性理论模拟手段的局限造成的。新发展出来的修正方法可广泛适用于类似铁电材料的物性模拟。研究中,以SnTe作为一个例子,来研究标度律不成立的体系;以BaTiO3为一个例子,来描述标度律成立的体系。通过对比两类材料在从体材到薄膜变化过程中电子结构与相变温度变化的规律,作者发现相变序参量的变化可以作为一个描述子,来区分此两类系统。在标度律成立的体系,体材与薄膜的相变序参量并不发生变化,这个也是70年代Fisher等人提出标度律的一个基本假设。而对SnTe这类材料,在从体材到薄膜的演化过程中,相变序参量已经发生了变化。这一机制也为寻找、预测和设计低维高Tc铁电材料提供了新思路。不同于之前研究常采用的施加应变等外部调制手段,新机制预测的低维铁电材料具备本征高Tc,更易于脱离实验室条件走向工业生产。课题组期待这一工作能激发更多高Tc铁电材料的发现。
1‑3型压电陶瓷/单晶铁电复合材料制备治具及制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种1‑3型压电陶瓷/单晶铁电复合材料制备治具。包括夹具底座、引导柱及对齐引导板;所述夹具底座上开设有用于固定压电陶瓷/单晶铁电片的第一固定槽;所述引导柱垂直设置于所述夹具底座上;所述对齐引导板可拆卸地设置于所述引导柱上,且所述对齐引导板在所述引导柱上可滑动,所述对齐引导板下表面上开设有用于固定压电陶瓷/单晶铁电片的第二固定槽,所述第二固定槽与所述第一固定槽相对齐。同时还提供了使用上述治具的1‑3型压电陶瓷/单晶铁电复合材料制备方法。上述1‑3型压电陶瓷/单晶铁电复合材料制备方法可使最终产品阵元间的间距,即切口的宽度小于10微米,满足了制备高频阵列探头的需求。
一步模板法制备有序铁电纳米点阵列的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明涉及一种一步模板法制备有序铁电纳米点阵列的方法,其包括以下步骤S1采用脉冲激光沉积法在衬底上沉积高性能外延铁电薄膜;S2转移单层PS小球至铁电薄膜表面作为掩模板;S3将附有掩模板的衬底用氧等离子体刻蚀处理,得到待刻蚀样品;S4将所述待刻蚀样品置于离子束刻蚀机中进行刻蚀;S5去除残留的单层PS小球掩模板,得到有序的铁电纳米点阵列。该制备方法简单、模板清除方便,且制得的铁电纳米点保存了铁电薄膜优异的外延性和铁电性,适合大面积制备。
一种铁电氧化钒复合薄膜及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及光电传感器技术领域,特别涉及一种用于红外热成像传感器以及THz图像传感器的铁电氧化钒复合薄膜F_VOx及其制备方法,该铁电氧化钒复合薄膜是由氧化钒薄膜和金属铌或者铌基铁电材料薄膜复合而成的铌基铁电‑氧化钒双层复合薄膜。本发明首次利用金属铌和铌基铁电薄膜材料优异的热传导、热吸收性能,提升氧化钒薄膜的热量吸收率,使铁电氧化钒复合薄膜F_VOx的温度电阻系数提高到3.8~4.2%/K,有效解决了小面阵高TCR的问题且避免了传统掺杂工艺对氧化钒薄膜产生的负面影响,将其应用于传感器可全面提升红外热成像、太赫兹图像传感器的性能。
基于热开关的全固态室温铁电制冷机
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种室温铁电制冷机,具体涉及一种基于热开关的使用铁电材料回热的全固态室温铁电制冷机。本发明的基于热开关的全固态铁电制冷机,包括N个铁电制冷片,所述N个铁电制冷片交替插在N+1个大小相当的热开关中,其中最外侧的热开关分别与高温热源和低温热源相连,所述N个铁电制冷片按规定的加场和减场次序进行控制并相应控制所述N+1个热开关的通断以实现制冷。本发明的基于热开关的全固态铁电制冷机具有结构非常紧凑、效率高、噪音低的优点。
一种磁随机存储器及其写入方法、读取方法和制备方法
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种磁随机存储器及其写入方法、读取方法和制备方法,该磁随机存储器包括依次堆叠设置的衬底层、铁电层、复合反铁磁结构、第一隔离层和第一铁磁层,复合反铁磁结构为磁随机存储器的自由层,第一铁磁层为磁随机存储器的固定层;铁电层在外加电压作用下发生极化或晶格形变,用于改变复合反铁磁结构的耦合状态;第一铁磁层具备恒定的第一磁矩方向;第一隔离层用于控制第一磁矩方向不受复合反铁磁结构耦合状态的影响。此磁随机存储器,利用电场作用下复合反铁磁结构铁磁耦合和反铁磁耦合的相互转变,实现MRAM的写入,解决了用导线的感应磁场或极化电流实现MRAM写入时,线宽较宽导致的MRAM尺寸较大,MRAM存储密度较低的问题,实现高密度存储。
一种基于三临界效应提高铁电陶瓷电容率的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种基于三临界效应提高铁电陶瓷电容率的方法,首先采用传统固相合成的方法,配制出不同组分的陶瓷样品;其次通过介电温谱测试系统测得各陶瓷样品电容率εr随温度T的变化关系;然后根据介电温谱测试系统所测得的各陶瓷样品对应的铁电‑顺电相变点、铁电‑铁电相变点的温度点绘制陶瓷体系的温度‑组分相图;最后在陶瓷体系的温度‑组分相图中通过观察各相交点确认体系的三相临界点,介电温谱的测试结果表明在三相临界点处陶瓷样品的电容率εr最高,因而可将三相临界点所对应的组分作为铁电陶瓷最佳配比。本发明方法在一定程度上实现电容率的成倍增加,对电容器电荷存储能力的提高提供一定的参考和指导。
一种表征电介质极化、铁电相弛豫和漏导的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
一种表征电介质极化、铁电相弛豫和漏导的方法,对铁电体施加恒定的电压,采集一定范围的点数、采用铁电分析系统对其进行测量;对采集所得数据进行分析与处理,得到不同的电压下样品的极化强度随时间变化的曲线图;根据公式,对测量所得数据曲线进行模拟,并将曲线图分离出瞬时极化、弛豫极化和漏导极化三部分,对所得数据ι、T进行分析,最终得出材料极化和弛豫的时间依赖性和电场依赖性,本发明测样操作方便易控,安全性高,且能够直接得到铁电体材料的准确铁电参数。
一种钛钪锑酸铅铋锂系弛豫铁电陶瓷及其用途
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种钛钪锑酸铅铋锂系弛豫铁电陶瓷及其用途,其特点是该弛豫铁电陶瓷的通式为:(1-x)(Bi1-yLiy)(Sc1-ySby)O3-xPbTiO3,其中x、y表示复合离子中相应元素材料在各元素中所占的原子数,所有元素的原子数总和为1,式中0.60≤x≤0.65,0.01≤y≤0.15。该弛豫铁电陶瓷由以下原料组分组成,按重量计为:三氧化二铋23.37~34.37份,三氧化二钪6.92~10.17份,二氧化钛14.55~17.52份,氧化铅40.64~48.96份,三氧化二锑0.17~3.34份和碳酸锂0.04~0.85份。钛钪锑酸铅铋锂系弛豫铁电陶瓷铁电-顺电相变温度为300~341℃,压电常数d33可达545pC/N,平面机电耦合系数kp可达58%;该弛豫铁电陶瓷用于大功率超声器件,高温物体超声波,以及高温物体的振动、加速度和压力测试领域。
找到23项技术成果数据。
找技术 >基于铁电‑铁磁异质结的电控磁型存储器及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明涉及一种基于铁电‑铁磁异质结的电控磁型存储器及其制备方法。所述基于铁电‑铁磁异质结的电控磁型存储器包括从下往上依次设置的铁电层和铁磁层,所述铁电层为BiFeO3薄膜,所述铁磁层为Co纳米点阵。所述制备方法包括先采用脉冲激光沉积法在衬底上沉积BiFeO3薄膜,再将所得BiFeO3薄膜贴上掩模板,采用蒸镀法在贴有掩模板的BiFeO3薄膜表面镀上Co纳米点阵。本发明通过制备Co纳米点和BiFeO3薄膜的异质结,加强铁电与铁磁界面的耦合效应,以应变作为电写磁读的调控机制,提高电写磁读的可控性。
关于高Tc薄膜铁电材料机制的研究
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
基于过去发展的基于第一性原理电子结构计算的有限温度下铁电-顺电相变模拟手段,指出Fisher等人提出的有限尺寸标度理论存在缺陷,并针对铁电-顺电相比提出修正方法。此理论缺陷存在的本质原因是理论推导过程中对体材到薄膜演变过程中哈密顿量变化的忽视,是由当时实验技术与针对具体材料物性理论模拟手段的局限造成的。新发展出来的修正方法可广泛适用于类似铁电材料的物性模拟。研究中,以SnTe作为一个例子,来研究标度律不成立的体系;以BaTiO3为一个例子,来描述标度律成立的体系。通过对比两类材料在从体材到薄膜变化过程中电子结构与相变温度变化的规律,作者发现相变序参量的变化可以作为一个描述子,来区分此两类系统。在标度律成立的体系,体材与薄膜的相变序参量并不发生变化,这个也是70年代Fisher等人提出标度律的一个基本假设。而对SnTe这类材料,在从体材到薄膜的演化过程中,相变序参量已经发生了变化。这一机制也为寻找、预测和设计低维高Tc铁电材料提供了新思路。不同于之前研究常采用的施加应变等外部调制手段,新机制预测的低维铁电材料具备本征高Tc,更易于脱离实验室条件走向工业生产。课题组期待这一工作能激发更多高Tc铁电材料的发现。
1‑3型压电陶瓷/单晶铁电复合材料制备治具及制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种1‑3型压电陶瓷/单晶铁电复合材料制备治具。包括夹具底座、引导柱及对齐引导板;所述夹具底座上开设有用于固定压电陶瓷/单晶铁电片的第一固定槽;所述引导柱垂直设置于所述夹具底座上;所述对齐引导板可拆卸地设置于所述引导柱上,且所述对齐引导板在所述引导柱上可滑动,所述对齐引导板下表面上开设有用于固定压电陶瓷/单晶铁电片的第二固定槽,所述第二固定槽与所述第一固定槽相对齐。同时还提供了使用上述治具的1‑3型压电陶瓷/单晶铁电复合材料制备方法。上述1‑3型压电陶瓷/单晶铁电复合材料制备方法可使最终产品阵元间的间距,即切口的宽度小于10微米,满足了制备高频阵列探头的需求。
一步模板法制备有序铁电纳米点阵列的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明涉及一种一步模板法制备有序铁电纳米点阵列的方法,其包括以下步骤S1采用脉冲激光沉积法在衬底上沉积高性能外延铁电薄膜;S2转移单层PS小球至铁电薄膜表面作为掩模板;S3将附有掩模板的衬底用氧等离子体刻蚀处理,得到待刻蚀样品;S4将所述待刻蚀样品置于离子束刻蚀机中进行刻蚀;S5去除残留的单层PS小球掩模板,得到有序的铁电纳米点阵列。该制备方法简单、模板清除方便,且制得的铁电纳米点保存了铁电薄膜优异的外延性和铁电性,适合大面积制备。
一种铁电氧化钒复合薄膜及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及光电传感器技术领域,特别涉及一种用于红外热成像传感器以及THz图像传感器的铁电氧化钒复合薄膜F_VOx及其制备方法,该铁电氧化钒复合薄膜是由氧化钒薄膜和金属铌或者铌基铁电材料薄膜复合而成的铌基铁电‑氧化钒双层复合薄膜。本发明首次利用金属铌和铌基铁电薄膜材料优异的热传导、热吸收性能,提升氧化钒薄膜的热量吸收率,使铁电氧化钒复合薄膜F_VOx的温度电阻系数提高到3.8~4.2%/K,有效解决了小面阵高TCR的问题且避免了传统掺杂工艺对氧化钒薄膜产生的负面影响,将其应用于传感器可全面提升红外热成像、太赫兹图像传感器的性能。
基于热开关的全固态室温铁电制冷机
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种室温铁电制冷机,具体涉及一种基于热开关的使用铁电材料回热的全固态室温铁电制冷机。本发明的基于热开关的全固态铁电制冷机,包括N个铁电制冷片,所述N个铁电制冷片交替插在N+1个大小相当的热开关中,其中最外侧的热开关分别与高温热源和低温热源相连,所述N个铁电制冷片按规定的加场和减场次序进行控制并相应控制所述N+1个热开关的通断以实现制冷。本发明的基于热开关的全固态铁电制冷机具有结构非常紧凑、效率高、噪音低的优点。
一种磁随机存储器及其写入方法、读取方法和制备方法
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种磁随机存储器及其写入方法、读取方法和制备方法,该磁随机存储器包括依次堆叠设置的衬底层、铁电层、复合反铁磁结构、第一隔离层和第一铁磁层,复合反铁磁结构为磁随机存储器的自由层,第一铁磁层为磁随机存储器的固定层;铁电层在外加电压作用下发生极化或晶格形变,用于改变复合反铁磁结构的耦合状态;第一铁磁层具备恒定的第一磁矩方向;第一隔离层用于控制第一磁矩方向不受复合反铁磁结构耦合状态的影响。此磁随机存储器,利用电场作用下复合反铁磁结构铁磁耦合和反铁磁耦合的相互转变,实现MRAM的写入,解决了用导线的感应磁场或极化电流实现MRAM写入时,线宽较宽导致的MRAM尺寸较大,MRAM存储密度较低的问题,实现高密度存储。
一种基于三临界效应提高铁电陶瓷电容率的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种基于三临界效应提高铁电陶瓷电容率的方法,首先采用传统固相合成的方法,配制出不同组分的陶瓷样品;其次通过介电温谱测试系统测得各陶瓷样品电容率εr随温度T的变化关系;然后根据介电温谱测试系统所测得的各陶瓷样品对应的铁电‑顺电相变点、铁电‑铁电相变点的温度点绘制陶瓷体系的温度‑组分相图;最后在陶瓷体系的温度‑组分相图中通过观察各相交点确认体系的三相临界点,介电温谱的测试结果表明在三相临界点处陶瓷样品的电容率εr最高,因而可将三相临界点所对应的组分作为铁电陶瓷最佳配比。本发明方法在一定程度上实现电容率的成倍增加,对电容器电荷存储能力的提高提供一定的参考和指导。
一种表征电介质极化、铁电相弛豫和漏导的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
一种表征电介质极化、铁电相弛豫和漏导的方法,对铁电体施加恒定的电压,采集一定范围的点数、采用铁电分析系统对其进行测量;对采集所得数据进行分析与处理,得到不同的电压下样品的极化强度随时间变化的曲线图;根据公式,对测量所得数据曲线进行模拟,并将曲线图分离出瞬时极化、弛豫极化和漏导极化三部分,对所得数据ι、T进行分析,最终得出材料极化和弛豫的时间依赖性和电场依赖性,本发明测样操作方便易控,安全性高,且能够直接得到铁电体材料的准确铁电参数。
一种钛钪锑酸铅铋锂系弛豫铁电陶瓷及其用途
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种钛钪锑酸铅铋锂系弛豫铁电陶瓷及其用途,其特点是该弛豫铁电陶瓷的通式为:(1-x)(Bi1-yLiy)(Sc1-ySby)O3-xPbTiO3,其中x、y表示复合离子中相应元素材料在各元素中所占的原子数,所有元素的原子数总和为1,式中0.60≤x≤0.65,0.01≤y≤0.15。该弛豫铁电陶瓷由以下原料组分组成,按重量计为:三氧化二铋23.37~34.37份,三氧化二钪6.92~10.17份,二氧化钛14.55~17.52份,氧化铅40.64~48.96份,三氧化二锑0.17~3.34份和碳酸锂0.04~0.85份。钛钪锑酸铅铋锂系弛豫铁电陶瓷铁电-顺电相变温度为300~341℃,压电常数d33可达545pC/N,平面机电耦合系数kp可达58%;该弛豫铁电陶瓷用于大功率超声器件,高温物体超声波,以及高温物体的振动、加速度和压力测试领域。
找到23项技术成果数据。
找技术 >基于铁电‑铁磁异质结的电控磁型存储器及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明涉及一种基于铁电‑铁磁异质结的电控磁型存储器及其制备方法。所述基于铁电‑铁磁异质结的电控磁型存储器包括从下往上依次设置的铁电层和铁磁层,所述铁电层为BiFeO3薄膜,所述铁磁层为Co纳米点阵。所述制备方法包括先采用脉冲激光沉积法在衬底上沉积BiFeO3薄膜,再将所得BiFeO3薄膜贴上掩模板,采用蒸镀法在贴有掩模板的BiFeO3薄膜表面镀上Co纳米点阵。本发明通过制备Co纳米点和BiFeO3薄膜的异质结,加强铁电与铁磁界面的耦合效应,以应变作为电写磁读的调控机制,提高电写磁读的可控性。
关于高Tc薄膜铁电材料机制的研究
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
基于过去发展的基于第一性原理电子结构计算的有限温度下铁电-顺电相变模拟手段,指出Fisher等人提出的有限尺寸标度理论存在缺陷,并针对铁电-顺电相比提出修正方法。此理论缺陷存在的本质原因是理论推导过程中对体材到薄膜演变过程中哈密顿量变化的忽视,是由当时实验技术与针对具体材料物性理论模拟手段的局限造成的。新发展出来的修正方法可广泛适用于类似铁电材料的物性模拟。研究中,以SnTe作为一个例子,来研究标度律不成立的体系;以BaTiO3为一个例子,来描述标度律成立的体系。通过对比两类材料在从体材到薄膜变化过程中电子结构与相变温度变化的规律,作者发现相变序参量的变化可以作为一个描述子,来区分此两类系统。在标度律成立的体系,体材与薄膜的相变序参量并不发生变化,这个也是70年代Fisher等人提出标度律的一个基本假设。而对SnTe这类材料,在从体材到薄膜的演化过程中,相变序参量已经发生了变化。这一机制也为寻找、预测和设计低维高Tc铁电材料提供了新思路。不同于之前研究常采用的施加应变等外部调制手段,新机制预测的低维铁电材料具备本征高Tc,更易于脱离实验室条件走向工业生产。课题组期待这一工作能激发更多高Tc铁电材料的发现。
1‑3型压电陶瓷/单晶铁电复合材料制备治具及制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种1‑3型压电陶瓷/单晶铁电复合材料制备治具。包括夹具底座、引导柱及对齐引导板;所述夹具底座上开设有用于固定压电陶瓷/单晶铁电片的第一固定槽;所述引导柱垂直设置于所述夹具底座上;所述对齐引导板可拆卸地设置于所述引导柱上,且所述对齐引导板在所述引导柱上可滑动,所述对齐引导板下表面上开设有用于固定压电陶瓷/单晶铁电片的第二固定槽,所述第二固定槽与所述第一固定槽相对齐。同时还提供了使用上述治具的1‑3型压电陶瓷/单晶铁电复合材料制备方法。上述1‑3型压电陶瓷/单晶铁电复合材料制备方法可使最终产品阵元间的间距,即切口的宽度小于10微米,满足了制备高频阵列探头的需求。
一步模板法制备有序铁电纳米点阵列的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明涉及一种一步模板法制备有序铁电纳米点阵列的方法,其包括以下步骤S1采用脉冲激光沉积法在衬底上沉积高性能外延铁电薄膜;S2转移单层PS小球至铁电薄膜表面作为掩模板;S3将附有掩模板的衬底用氧等离子体刻蚀处理,得到待刻蚀样品;S4将所述待刻蚀样品置于离子束刻蚀机中进行刻蚀;S5去除残留的单层PS小球掩模板,得到有序的铁电纳米点阵列。该制备方法简单、模板清除方便,且制得的铁电纳米点保存了铁电薄膜优异的外延性和铁电性,适合大面积制备。
一种铁电氧化钒复合薄膜及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及光电传感器技术领域,特别涉及一种用于红外热成像传感器以及THz图像传感器的铁电氧化钒复合薄膜F_VOx及其制备方法,该铁电氧化钒复合薄膜是由氧化钒薄膜和金属铌或者铌基铁电材料薄膜复合而成的铌基铁电‑氧化钒双层复合薄膜。本发明首次利用金属铌和铌基铁电薄膜材料优异的热传导、热吸收性能,提升氧化钒薄膜的热量吸收率,使铁电氧化钒复合薄膜F_VOx的温度电阻系数提高到3.8~4.2%/K,有效解决了小面阵高TCR的问题且避免了传统掺杂工艺对氧化钒薄膜产生的负面影响,将其应用于传感器可全面提升红外热成像、太赫兹图像传感器的性能。
基于热开关的全固态室温铁电制冷机
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种室温铁电制冷机,具体涉及一种基于热开关的使用铁电材料回热的全固态室温铁电制冷机。本发明的基于热开关的全固态铁电制冷机,包括N个铁电制冷片,所述N个铁电制冷片交替插在N+1个大小相当的热开关中,其中最外侧的热开关分别与高温热源和低温热源相连,所述N个铁电制冷片按规定的加场和减场次序进行控制并相应控制所述N+1个热开关的通断以实现制冷。本发明的基于热开关的全固态铁电制冷机具有结构非常紧凑、效率高、噪音低的优点。
一种磁随机存储器及其写入方法、读取方法和制备方法
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种磁随机存储器及其写入方法、读取方法和制备方法,该磁随机存储器包括依次堆叠设置的衬底层、铁电层、复合反铁磁结构、第一隔离层和第一铁磁层,复合反铁磁结构为磁随机存储器的自由层,第一铁磁层为磁随机存储器的固定层;铁电层在外加电压作用下发生极化或晶格形变,用于改变复合反铁磁结构的耦合状态;第一铁磁层具备恒定的第一磁矩方向;第一隔离层用于控制第一磁矩方向不受复合反铁磁结构耦合状态的影响。此磁随机存储器,利用电场作用下复合反铁磁结构铁磁耦合和反铁磁耦合的相互转变,实现MRAM的写入,解决了用导线的感应磁场或极化电流实现MRAM写入时,线宽较宽导致的MRAM尺寸较大,MRAM存储密度较低的问题,实现高密度存储。
一种基于三临界效应提高铁电陶瓷电容率的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种基于三临界效应提高铁电陶瓷电容率的方法,首先采用传统固相合成的方法,配制出不同组分的陶瓷样品;其次通过介电温谱测试系统测得各陶瓷样品电容率εr随温度T的变化关系;然后根据介电温谱测试系统所测得的各陶瓷样品对应的铁电‑顺电相变点、铁电‑铁电相变点的温度点绘制陶瓷体系的温度‑组分相图;最后在陶瓷体系的温度‑组分相图中通过观察各相交点确认体系的三相临界点,介电温谱的测试结果表明在三相临界点处陶瓷样品的电容率εr最高,因而可将三相临界点所对应的组分作为铁电陶瓷最佳配比。本发明方法在一定程度上实现电容率的成倍增加,对电容器电荷存储能力的提高提供一定的参考和指导。
一种表征电介质极化、铁电相弛豫和漏导的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
一种表征电介质极化、铁电相弛豫和漏导的方法,对铁电体施加恒定的电压,采集一定范围的点数、采用铁电分析系统对其进行测量;对采集所得数据进行分析与处理,得到不同的电压下样品的极化强度随时间变化的曲线图;根据公式,对测量所得数据曲线进行模拟,并将曲线图分离出瞬时极化、弛豫极化和漏导极化三部分,对所得数据ι、T进行分析,最终得出材料极化和弛豫的时间依赖性和电场依赖性,本发明测样操作方便易控,安全性高,且能够直接得到铁电体材料的准确铁电参数。
一种钛钪锑酸铅铋锂系弛豫铁电陶瓷及其用途
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种钛钪锑酸铅铋锂系弛豫铁电陶瓷及其用途,其特点是该弛豫铁电陶瓷的通式为:(1-x)(Bi1-yLiy)(Sc1-ySby)O3-xPbTiO3,其中x、y表示复合离子中相应元素材料在各元素中所占的原子数,所有元素的原子数总和为1,式中0.60≤x≤0.65,0.01≤y≤0.15。该弛豫铁电陶瓷由以下原料组分组成,按重量计为:三氧化二铋23.37~34.37份,三氧化二钪6.92~10.17份,二氧化钛14.55~17.52份,氧化铅40.64~48.96份,三氧化二锑0.17~3.34份和碳酸锂0.04~0.85份。钛钪锑酸铅铋锂系弛豫铁电陶瓷铁电-顺电相变温度为300~341℃,压电常数d33可达545pC/N,平面机电耦合系数kp可达58%;该弛豫铁电陶瓷用于大功率超声器件,高温物体超声波,以及高温物体的振动、加速度和压力测试领域。
找到23项技术成果数据。
找技术 >基于铁电‑铁磁异质结的电控磁型存储器及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明涉及一种基于铁电‑铁磁异质结的电控磁型存储器及其制备方法。所述基于铁电‑铁磁异质结的电控磁型存储器包括从下往上依次设置的铁电层和铁磁层,所述铁电层为BiFeO3薄膜,所述铁磁层为Co纳米点阵。所述制备方法包括先采用脉冲激光沉积法在衬底上沉积BiFeO3薄膜,再将所得BiFeO3薄膜贴上掩模板,采用蒸镀法在贴有掩模板的BiFeO3薄膜表面镀上Co纳米点阵。本发明通过制备Co纳米点和BiFeO3薄膜的异质结,加强铁电与铁磁界面的耦合效应,以应变作为电写磁读的调控机制,提高电写磁读的可控性。
关于高Tc薄膜铁电材料机制的研究
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
基于过去发展的基于第一性原理电子结构计算的有限温度下铁电-顺电相变模拟手段,指出Fisher等人提出的有限尺寸标度理论存在缺陷,并针对铁电-顺电相比提出修正方法。此理论缺陷存在的本质原因是理论推导过程中对体材到薄膜演变过程中哈密顿量变化的忽视,是由当时实验技术与针对具体材料物性理论模拟手段的局限造成的。新发展出来的修正方法可广泛适用于类似铁电材料的物性模拟。研究中,以SnTe作为一个例子,来研究标度律不成立的体系;以BaTiO3为一个例子,来描述标度律成立的体系。通过对比两类材料在从体材到薄膜变化过程中电子结构与相变温度变化的规律,作者发现相变序参量的变化可以作为一个描述子,来区分此两类系统。在标度律成立的体系,体材与薄膜的相变序参量并不发生变化,这个也是70年代Fisher等人提出标度律的一个基本假设。而对SnTe这类材料,在从体材到薄膜的演化过程中,相变序参量已经发生了变化。这一机制也为寻找、预测和设计低维高Tc铁电材料提供了新思路。不同于之前研究常采用的施加应变等外部调制手段,新机制预测的低维铁电材料具备本征高Tc,更易于脱离实验室条件走向工业生产。课题组期待这一工作能激发更多高Tc铁电材料的发现。
1‑3型压电陶瓷/单晶铁电复合材料制备治具及制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种1‑3型压电陶瓷/单晶铁电复合材料制备治具。包括夹具底座、引导柱及对齐引导板;所述夹具底座上开设有用于固定压电陶瓷/单晶铁电片的第一固定槽;所述引导柱垂直设置于所述夹具底座上;所述对齐引导板可拆卸地设置于所述引导柱上,且所述对齐引导板在所述引导柱上可滑动,所述对齐引导板下表面上开设有用于固定压电陶瓷/单晶铁电片的第二固定槽,所述第二固定槽与所述第一固定槽相对齐。同时还提供了使用上述治具的1‑3型压电陶瓷/单晶铁电复合材料制备方法。上述1‑3型压电陶瓷/单晶铁电复合材料制备方法可使最终产品阵元间的间距,即切口的宽度小于10微米,满足了制备高频阵列探头的需求。
一步模板法制备有序铁电纳米点阵列的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明涉及一种一步模板法制备有序铁电纳米点阵列的方法,其包括以下步骤S1采用脉冲激光沉积法在衬底上沉积高性能外延铁电薄膜;S2转移单层PS小球至铁电薄膜表面作为掩模板;S3将附有掩模板的衬底用氧等离子体刻蚀处理,得到待刻蚀样品;S4将所述待刻蚀样品置于离子束刻蚀机中进行刻蚀;S5去除残留的单层PS小球掩模板,得到有序的铁电纳米点阵列。该制备方法简单、模板清除方便,且制得的铁电纳米点保存了铁电薄膜优异的外延性和铁电性,适合大面积制备。
一种铁电氧化钒复合薄膜及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及光电传感器技术领域,特别涉及一种用于红外热成像传感器以及THz图像传感器的铁电氧化钒复合薄膜F_VOx及其制备方法,该铁电氧化钒复合薄膜是由氧化钒薄膜和金属铌或者铌基铁电材料薄膜复合而成的铌基铁电‑氧化钒双层复合薄膜。本发明首次利用金属铌和铌基铁电薄膜材料优异的热传导、热吸收性能,提升氧化钒薄膜的热量吸收率,使铁电氧化钒复合薄膜F_VOx的温度电阻系数提高到3.8~4.2%/K,有效解决了小面阵高TCR的问题且避免了传统掺杂工艺对氧化钒薄膜产生的负面影响,将其应用于传感器可全面提升红外热成像、太赫兹图像传感器的性能。
基于热开关的全固态室温铁电制冷机
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种室温铁电制冷机,具体涉及一种基于热开关的使用铁电材料回热的全固态室温铁电制冷机。本发明的基于热开关的全固态铁电制冷机,包括N个铁电制冷片,所述N个铁电制冷片交替插在N+1个大小相当的热开关中,其中最外侧的热开关分别与高温热源和低温热源相连,所述N个铁电制冷片按规定的加场和减场次序进行控制并相应控制所述N+1个热开关的通断以实现制冷。本发明的基于热开关的全固态铁电制冷机具有结构非常紧凑、效率高、噪音低的优点。
一种磁随机存储器及其写入方法、读取方法和制备方法
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种磁随机存储器及其写入方法、读取方法和制备方法,该磁随机存储器包括依次堆叠设置的衬底层、铁电层、复合反铁磁结构、第一隔离层和第一铁磁层,复合反铁磁结构为磁随机存储器的自由层,第一铁磁层为磁随机存储器的固定层;铁电层在外加电压作用下发生极化或晶格形变,用于改变复合反铁磁结构的耦合状态;第一铁磁层具备恒定的第一磁矩方向;第一隔离层用于控制第一磁矩方向不受复合反铁磁结构耦合状态的影响。此磁随机存储器,利用电场作用下复合反铁磁结构铁磁耦合和反铁磁耦合的相互转变,实现MRAM的写入,解决了用导线的感应磁场或极化电流实现MRAM写入时,线宽较宽导致的MRAM尺寸较大,MRAM存储密度较低的问题,实现高密度存储。
一种基于三临界效应提高铁电陶瓷电容率的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种基于三临界效应提高铁电陶瓷电容率的方法,首先采用传统固相合成的方法,配制出不同组分的陶瓷样品;其次通过介电温谱测试系统测得各陶瓷样品电容率εr随温度T的变化关系;然后根据介电温谱测试系统所测得的各陶瓷样品对应的铁电‑顺电相变点、铁电‑铁电相变点的温度点绘制陶瓷体系的温度‑组分相图;最后在陶瓷体系的温度‑组分相图中通过观察各相交点确认体系的三相临界点,介电温谱的测试结果表明在三相临界点处陶瓷样品的电容率εr最高,因而可将三相临界点所对应的组分作为铁电陶瓷最佳配比。本发明方法在一定程度上实现电容率的成倍增加,对电容器电荷存储能力的提高提供一定的参考和指导。
一种表征电介质极化、铁电相弛豫和漏导的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
一种表征电介质极化、铁电相弛豫和漏导的方法,对铁电体施加恒定的电压,采集一定范围的点数、采用铁电分析系统对其进行测量;对采集所得数据进行分析与处理,得到不同的电压下样品的极化强度随时间变化的曲线图;根据公式,对测量所得数据曲线进行模拟,并将曲线图分离出瞬时极化、弛豫极化和漏导极化三部分,对所得数据ι、T进行分析,最终得出材料极化和弛豫的时间依赖性和电场依赖性,本发明测样操作方便易控,安全性高,且能够直接得到铁电体材料的准确铁电参数。
一种钛钪锑酸铅铋锂系弛豫铁电陶瓷及其用途
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种钛钪锑酸铅铋锂系弛豫铁电陶瓷及其用途,其特点是该弛豫铁电陶瓷的通式为:(1-x)(Bi1-yLiy)(Sc1-ySby)O3-xPbTiO3,其中x、y表示复合离子中相应元素材料在各元素中所占的原子数,所有元素的原子数总和为1,式中0.60≤x≤0.65,0.01≤y≤0.15。该弛豫铁电陶瓷由以下原料组分组成,按重量计为:三氧化二铋23.37~34.37份,三氧化二钪6.92~10.17份,二氧化钛14.55~17.52份,氧化铅40.64~48.96份,三氧化二锑0.17~3.34份和碳酸锂0.04~0.85份。钛钪锑酸铅铋锂系弛豫铁电陶瓷铁电-顺电相变温度为300~341℃,压电常数d33可达545pC/N,平面机电耦合系数kp可达58%;该弛豫铁电陶瓷用于大功率超声器件,高温物体超声波,以及高温物体的振动、加速度和压力测试领域。
找到23项技术成果数据。
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成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明涉及一种基于铁电‑铁磁异质结的电控磁型存储器及其制备方法。所述基于铁电‑铁磁异质结的电控磁型存储器包括从下往上依次设置的铁电层和铁磁层,所述铁电层为BiFeO3薄膜,所述铁磁层为Co纳米点阵。所述制备方法包括先采用脉冲激光沉积法在衬底上沉积BiFeO3薄膜,再将所得BiFeO3薄膜贴上掩模板,采用蒸镀法在贴有掩模板的BiFeO3薄膜表面镀上Co纳米点阵。本发明通过制备Co纳米点和BiFeO3薄膜的异质结,加强铁电与铁磁界面的耦合效应,以应变作为电写磁读的调控机制,提高电写磁读的可控性。
关于高Tc薄膜铁电材料机制的研究
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
基于过去发展的基于第一性原理电子结构计算的有限温度下铁电-顺电相变模拟手段,指出Fisher等人提出的有限尺寸标度理论存在缺陷,并针对铁电-顺电相比提出修正方法。此理论缺陷存在的本质原因是理论推导过程中对体材到薄膜演变过程中哈密顿量变化的忽视,是由当时实验技术与针对具体材料物性理论模拟手段的局限造成的。新发展出来的修正方法可广泛适用于类似铁电材料的物性模拟。研究中,以SnTe作为一个例子,来研究标度律不成立的体系;以BaTiO3为一个例子,来描述标度律成立的体系。通过对比两类材料在从体材到薄膜变化过程中电子结构与相变温度变化的规律,作者发现相变序参量的变化可以作为一个描述子,来区分此两类系统。在标度律成立的体系,体材与薄膜的相变序参量并不发生变化,这个也是70年代Fisher等人提出标度律的一个基本假设。而对SnTe这类材料,在从体材到薄膜的演化过程中,相变序参量已经发生了变化。这一机制也为寻找、预测和设计低维高Tc铁电材料提供了新思路。不同于之前研究常采用的施加应变等外部调制手段,新机制预测的低维铁电材料具备本征高Tc,更易于脱离实验室条件走向工业生产。课题组期待这一工作能激发更多高Tc铁电材料的发现。
1‑3型压电陶瓷/单晶铁电复合材料制备治具及制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种1‑3型压电陶瓷/单晶铁电复合材料制备治具。包括夹具底座、引导柱及对齐引导板;所述夹具底座上开设有用于固定压电陶瓷/单晶铁电片的第一固定槽;所述引导柱垂直设置于所述夹具底座上;所述对齐引导板可拆卸地设置于所述引导柱上,且所述对齐引导板在所述引导柱上可滑动,所述对齐引导板下表面上开设有用于固定压电陶瓷/单晶铁电片的第二固定槽,所述第二固定槽与所述第一固定槽相对齐。同时还提供了使用上述治具的1‑3型压电陶瓷/单晶铁电复合材料制备方法。上述1‑3型压电陶瓷/单晶铁电复合材料制备方法可使最终产品阵元间的间距,即切口的宽度小于10微米,满足了制备高频阵列探头的需求。
一步模板法制备有序铁电纳米点阵列的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明涉及一种一步模板法制备有序铁电纳米点阵列的方法,其包括以下步骤S1采用脉冲激光沉积法在衬底上沉积高性能外延铁电薄膜;S2转移单层PS小球至铁电薄膜表面作为掩模板;S3将附有掩模板的衬底用氧等离子体刻蚀处理,得到待刻蚀样品;S4将所述待刻蚀样品置于离子束刻蚀机中进行刻蚀;S5去除残留的单层PS小球掩模板,得到有序的铁电纳米点阵列。该制备方法简单、模板清除方便,且制得的铁电纳米点保存了铁电薄膜优异的外延性和铁电性,适合大面积制备。
一种铁电氧化钒复合薄膜及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及光电传感器技术领域,特别涉及一种用于红外热成像传感器以及THz图像传感器的铁电氧化钒复合薄膜F_VOx及其制备方法,该铁电氧化钒复合薄膜是由氧化钒薄膜和金属铌或者铌基铁电材料薄膜复合而成的铌基铁电‑氧化钒双层复合薄膜。本发明首次利用金属铌和铌基铁电薄膜材料优异的热传导、热吸收性能,提升氧化钒薄膜的热量吸收率,使铁电氧化钒复合薄膜F_VOx的温度电阻系数提高到3.8~4.2%/K,有效解决了小面阵高TCR的问题且避免了传统掺杂工艺对氧化钒薄膜产生的负面影响,将其应用于传感器可全面提升红外热成像、太赫兹图像传感器的性能。
基于热开关的全固态室温铁电制冷机
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种室温铁电制冷机,具体涉及一种基于热开关的使用铁电材料回热的全固态室温铁电制冷机。本发明的基于热开关的全固态铁电制冷机,包括N个铁电制冷片,所述N个铁电制冷片交替插在N+1个大小相当的热开关中,其中最外侧的热开关分别与高温热源和低温热源相连,所述N个铁电制冷片按规定的加场和减场次序进行控制并相应控制所述N+1个热开关的通断以实现制冷。本发明的基于热开关的全固态铁电制冷机具有结构非常紧凑、效率高、噪音低的优点。
一种磁随机存储器及其写入方法、读取方法和制备方法
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种磁随机存储器及其写入方法、读取方法和制备方法,该磁随机存储器包括依次堆叠设置的衬底层、铁电层、复合反铁磁结构、第一隔离层和第一铁磁层,复合反铁磁结构为磁随机存储器的自由层,第一铁磁层为磁随机存储器的固定层;铁电层在外加电压作用下发生极化或晶格形变,用于改变复合反铁磁结构的耦合状态;第一铁磁层具备恒定的第一磁矩方向;第一隔离层用于控制第一磁矩方向不受复合反铁磁结构耦合状态的影响。此磁随机存储器,利用电场作用下复合反铁磁结构铁磁耦合和反铁磁耦合的相互转变,实现MRAM的写入,解决了用导线的感应磁场或极化电流实现MRAM写入时,线宽较宽导致的MRAM尺寸较大,MRAM存储密度较低的问题,实现高密度存储。
一种基于三临界效应提高铁电陶瓷电容率的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种基于三临界效应提高铁电陶瓷电容率的方法,首先采用传统固相合成的方法,配制出不同组分的陶瓷样品;其次通过介电温谱测试系统测得各陶瓷样品电容率εr随温度T的变化关系;然后根据介电温谱测试系统所测得的各陶瓷样品对应的铁电‑顺电相变点、铁电‑铁电相变点的温度点绘制陶瓷体系的温度‑组分相图;最后在陶瓷体系的温度‑组分相图中通过观察各相交点确认体系的三相临界点,介电温谱的测试结果表明在三相临界点处陶瓷样品的电容率εr最高,因而可将三相临界点所对应的组分作为铁电陶瓷最佳配比。本发明方法在一定程度上实现电容率的成倍增加,对电容器电荷存储能力的提高提供一定的参考和指导。
一种表征电介质极化、铁电相弛豫和漏导的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
一种表征电介质极化、铁电相弛豫和漏导的方法,对铁电体施加恒定的电压,采集一定范围的点数、采用铁电分析系统对其进行测量;对采集所得数据进行分析与处理,得到不同的电压下样品的极化强度随时间变化的曲线图;根据公式,对测量所得数据曲线进行模拟,并将曲线图分离出瞬时极化、弛豫极化和漏导极化三部分,对所得数据ι、T进行分析,最终得出材料极化和弛豫的时间依赖性和电场依赖性,本发明测样操作方便易控,安全性高,且能够直接得到铁电体材料的准确铁电参数。
一种钛钪锑酸铅铋锂系弛豫铁电陶瓷及其用途
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种钛钪锑酸铅铋锂系弛豫铁电陶瓷及其用途,其特点是该弛豫铁电陶瓷的通式为:(1-x)(Bi1-yLiy)(Sc1-ySby)O3-xPbTiO3,其中x、y表示复合离子中相应元素材料在各元素中所占的原子数,所有元素的原子数总和为1,式中0.60≤x≤0.65,0.01≤y≤0.15。该弛豫铁电陶瓷由以下原料组分组成,按重量计为:三氧化二铋23.37~34.37份,三氧化二钪6.92~10.17份,二氧化钛14.55~17.52份,氧化铅40.64~48.96份,三氧化二锑0.17~3.34份和碳酸锂0.04~0.85份。钛钪锑酸铅铋锂系弛豫铁电陶瓷铁电-顺电相变温度为300~341℃,压电常数d33可达545pC/N,平面机电耦合系数kp可达58%;该弛豫铁电陶瓷用于大功率超声器件,高温物体超声波,以及高温物体的振动、加速度和压力测试领域。
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找技术 >基于铁电‑铁磁异质结的电控磁型存储器及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明涉及一种基于铁电‑铁磁异质结的电控磁型存储器及其制备方法。所述基于铁电‑铁磁异质结的电控磁型存储器包括从下往上依次设置的铁电层和铁磁层,所述铁电层为BiFeO3薄膜,所述铁磁层为Co纳米点阵。所述制备方法包括先采用脉冲激光沉积法在衬底上沉积BiFeO3薄膜,再将所得BiFeO3薄膜贴上掩模板,采用蒸镀法在贴有掩模板的BiFeO3薄膜表面镀上Co纳米点阵。本发明通过制备Co纳米点和BiFeO3薄膜的异质结,加强铁电与铁磁界面的耦合效应,以应变作为电写磁读的调控机制,提高电写磁读的可控性。
关于高Tc薄膜铁电材料机制的研究
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
基于过去发展的基于第一性原理电子结构计算的有限温度下铁电-顺电相变模拟手段,指出Fisher等人提出的有限尺寸标度理论存在缺陷,并针对铁电-顺电相比提出修正方法。此理论缺陷存在的本质原因是理论推导过程中对体材到薄膜演变过程中哈密顿量变化的忽视,是由当时实验技术与针对具体材料物性理论模拟手段的局限造成的。新发展出来的修正方法可广泛适用于类似铁电材料的物性模拟。研究中,以SnTe作为一个例子,来研究标度律不成立的体系;以BaTiO3为一个例子,来描述标度律成立的体系。通过对比两类材料在从体材到薄膜变化过程中电子结构与相变温度变化的规律,作者发现相变序参量的变化可以作为一个描述子,来区分此两类系统。在标度律成立的体系,体材与薄膜的相变序参量并不发生变化,这个也是70年代Fisher等人提出标度律的一个基本假设。而对SnTe这类材料,在从体材到薄膜的演化过程中,相变序参量已经发生了变化。这一机制也为寻找、预测和设计低维高Tc铁电材料提供了新思路。不同于之前研究常采用的施加应变等外部调制手段,新机制预测的低维铁电材料具备本征高Tc,更易于脱离实验室条件走向工业生产。课题组期待这一工作能激发更多高Tc铁电材料的发现。
1‑3型压电陶瓷/单晶铁电复合材料制备治具及制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种1‑3型压电陶瓷/单晶铁电复合材料制备治具。包括夹具底座、引导柱及对齐引导板;所述夹具底座上开设有用于固定压电陶瓷/单晶铁电片的第一固定槽;所述引导柱垂直设置于所述夹具底座上;所述对齐引导板可拆卸地设置于所述引导柱上,且所述对齐引导板在所述引导柱上可滑动,所述对齐引导板下表面上开设有用于固定压电陶瓷/单晶铁电片的第二固定槽,所述第二固定槽与所述第一固定槽相对齐。同时还提供了使用上述治具的1‑3型压电陶瓷/单晶铁电复合材料制备方法。上述1‑3型压电陶瓷/单晶铁电复合材料制备方法可使最终产品阵元间的间距,即切口的宽度小于10微米,满足了制备高频阵列探头的需求。
一步模板法制备有序铁电纳米点阵列的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明涉及一种一步模板法制备有序铁电纳米点阵列的方法,其包括以下步骤S1采用脉冲激光沉积法在衬底上沉积高性能外延铁电薄膜;S2转移单层PS小球至铁电薄膜表面作为掩模板;S3将附有掩模板的衬底用氧等离子体刻蚀处理,得到待刻蚀样品;S4将所述待刻蚀样品置于离子束刻蚀机中进行刻蚀;S5去除残留的单层PS小球掩模板,得到有序的铁电纳米点阵列。该制备方法简单、模板清除方便,且制得的铁电纳米点保存了铁电薄膜优异的外延性和铁电性,适合大面积制备。
一种铁电氧化钒复合薄膜及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及光电传感器技术领域,特别涉及一种用于红外热成像传感器以及THz图像传感器的铁电氧化钒复合薄膜F_VOx及其制备方法,该铁电氧化钒复合薄膜是由氧化钒薄膜和金属铌或者铌基铁电材料薄膜复合而成的铌基铁电‑氧化钒双层复合薄膜。本发明首次利用金属铌和铌基铁电薄膜材料优异的热传导、热吸收性能,提升氧化钒薄膜的热量吸收率,使铁电氧化钒复合薄膜F_VOx的温度电阻系数提高到3.8~4.2%/K,有效解决了小面阵高TCR的问题且避免了传统掺杂工艺对氧化钒薄膜产生的负面影响,将其应用于传感器可全面提升红外热成像、太赫兹图像传感器的性能。
基于热开关的全固态室温铁电制冷机
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种室温铁电制冷机,具体涉及一种基于热开关的使用铁电材料回热的全固态室温铁电制冷机。本发明的基于热开关的全固态铁电制冷机,包括N个铁电制冷片,所述N个铁电制冷片交替插在N+1个大小相当的热开关中,其中最外侧的热开关分别与高温热源和低温热源相连,所述N个铁电制冷片按规定的加场和减场次序进行控制并相应控制所述N+1个热开关的通断以实现制冷。本发明的基于热开关的全固态铁电制冷机具有结构非常紧凑、效率高、噪音低的优点。
一种磁随机存储器及其写入方法、读取方法和制备方法
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种磁随机存储器及其写入方法、读取方法和制备方法,该磁随机存储器包括依次堆叠设置的衬底层、铁电层、复合反铁磁结构、第一隔离层和第一铁磁层,复合反铁磁结构为磁随机存储器的自由层,第一铁磁层为磁随机存储器的固定层;铁电层在外加电压作用下发生极化或晶格形变,用于改变复合反铁磁结构的耦合状态;第一铁磁层具备恒定的第一磁矩方向;第一隔离层用于控制第一磁矩方向不受复合反铁磁结构耦合状态的影响。此磁随机存储器,利用电场作用下复合反铁磁结构铁磁耦合和反铁磁耦合的相互转变,实现MRAM的写入,解决了用导线的感应磁场或极化电流实现MRAM写入时,线宽较宽导致的MRAM尺寸较大,MRAM存储密度较低的问题,实现高密度存储。
一种基于三临界效应提高铁电陶瓷电容率的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种基于三临界效应提高铁电陶瓷电容率的方法,首先采用传统固相合成的方法,配制出不同组分的陶瓷样品;其次通过介电温谱测试系统测得各陶瓷样品电容率εr随温度T的变化关系;然后根据介电温谱测试系统所测得的各陶瓷样品对应的铁电‑顺电相变点、铁电‑铁电相变点的温度点绘制陶瓷体系的温度‑组分相图;最后在陶瓷体系的温度‑组分相图中通过观察各相交点确认体系的三相临界点,介电温谱的测试结果表明在三相临界点处陶瓷样品的电容率εr最高,因而可将三相临界点所对应的组分作为铁电陶瓷最佳配比。本发明方法在一定程度上实现电容率的成倍增加,对电容器电荷存储能力的提高提供一定的参考和指导。
一种表征电介质极化、铁电相弛豫和漏导的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
一种表征电介质极化、铁电相弛豫和漏导的方法,对铁电体施加恒定的电压,采集一定范围的点数、采用铁电分析系统对其进行测量;对采集所得数据进行分析与处理,得到不同的电压下样品的极化强度随时间变化的曲线图;根据公式,对测量所得数据曲线进行模拟,并将曲线图分离出瞬时极化、弛豫极化和漏导极化三部分,对所得数据ι、T进行分析,最终得出材料极化和弛豫的时间依赖性和电场依赖性,本发明测样操作方便易控,安全性高,且能够直接得到铁电体材料的准确铁电参数。
一种钛钪锑酸铅铋锂系弛豫铁电陶瓷及其用途
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种钛钪锑酸铅铋锂系弛豫铁电陶瓷及其用途,其特点是该弛豫铁电陶瓷的通式为:(1-x)(Bi1-yLiy)(Sc1-ySby)O3-xPbTiO3,其中x、y表示复合离子中相应元素材料在各元素中所占的原子数,所有元素的原子数总和为1,式中0.60≤x≤0.65,0.01≤y≤0.15。该弛豫铁电陶瓷由以下原料组分组成,按重量计为:三氧化二铋23.37~34.37份,三氧化二钪6.92~10.17份,二氧化钛14.55~17.52份,氧化铅40.64~48.96份,三氧化二锑0.17~3.34份和碳酸锂0.04~0.85份。钛钪锑酸铅铋锂系弛豫铁电陶瓷铁电-顺电相变温度为300~341℃,压电常数d33可达545pC/N,平面机电耦合系数kp可达58%;该弛豫铁电陶瓷用于大功率超声器件,高温物体超声波,以及高温物体的振动、加速度和压力测试领域。