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找技术 >全钙钛矿结构铁电复合材料的结构与性能研究
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:科学研究和技术服务业
技术简介
该课题通过磁控和激光脉冲共溅射方法制备LAO-BST薄膜,并采用第一性原理分析得到全钙钛矿材料复合性能和工作机制,通过研究其硅集成过程中所需的导电阻档层材料Ti-Al的氧化机制得到,氧原子在其表面的分布特征。并制备了以Ti-Al为阻挡层的La0.5Sr0.5CoOsub3/sub(LSCO)/ Na0.5Bi0.5TiOsub3/sub(NBT)/LSCO (LSCO/NBT/LSCO)异质结铁电电容器。Ti-Al阻挡层为非晶结构,NBT薄膜结晶质量良好,铁电性能优良。在1500kV/cm驱动电场下,LSCO/NBT/LSCO电容器呈现饱和的电滞回线,具有较大的剩余极化强度(47.9μC/cmsup2/sup)和较小的脉宽依赖性,而且抗疲劳特性和保持特性良好。研究成果为复合薄膜制备提供了实验和理论基础。
压电/单晶铁电复合材料制备治具及制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种压电/单晶铁电复合材料制备治具。压电/单晶铁电复合材料制备治具包括夹具底座、升降导杆、微调座及微调移动块;所述夹具底座上开设有用于固定压电/单晶铁电片的固定槽;所述升降导杆垂直设置于所述夹具底座上;所述微调座可滑动地设置于所述升降导杆上,所述微调座下表面上开设有滑轨;所述微调移动块可滑动地设置于所述滑轨上。同时还提供了使用上述治具的压电/单晶铁电复合材料制备方法。在该压电/单晶铁电复合材料制备方法中,通过在两个压电/单晶铁电片上开设切口,并将两个压电/单晶铁电片相配合,以使最终产品阵元间的间距,即切口的宽度小于10微米,满足了制备高频阵列探头的需求。
2-2型压电陶瓷/单晶铁电复合材料的制备方法和制备冶具
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
2-2型压电陶瓷/单晶铁电复合材料的制备方法和制备冶具通过将压电陶瓷/单晶铁电材料进行精磨,使其达到预设厚度。然后沿压电陶瓷/单晶铁电材料的长度方向切割形成深度固定的沟槽。最后沿沟槽朝向将多个压电陶瓷/单晶铁电材料子块堆叠,再在堆叠后的沟槽内填充聚合物。因此,在沟槽深度固定时,聚合物的厚度就能固定为沟槽深度,从而能够避免聚合物厚度超过阈值而影响压电陶瓷/单晶铁电材料的总宽度。且上述方法中采用先切割后堆叠填充,使得压电陶瓷/单晶铁电材料的总宽度固定为预设的压电陶瓷/单晶铁电材料厚度,使其符合用户要求。
1‑3型压电陶瓷/单晶铁电复合材料制备治具及制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种1‑3型压电陶瓷/单晶铁电复合材料制备治具。包括夹具底座、引导柱及对齐引导板;所述夹具底座上开设有用于固定压电陶瓷/单晶铁电片的第一固定槽;所述引导柱垂直设置于所述夹具底座上;所述对齐引导板可拆卸地设置于所述引导柱上,且所述对齐引导板在所述引导柱上可滑动,所述对齐引导板下表面上开设有用于固定压电陶瓷/单晶铁电片的第二固定槽,所述第二固定槽与所述第一固定槽相对齐。同时还提供了使用上述治具的1‑3型压电陶瓷/单晶铁电复合材料制备方法。上述1‑3型压电陶瓷/单晶铁电复合材料制备方法可使最终产品阵元间的间距,即切口的宽度小于10微米,满足了制备高频阵列探头的需求。
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找技术 >全钙钛矿结构铁电复合材料的结构与性能研究
成熟度:-
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应用行业:科学研究和技术服务业
技术简介
该课题通过磁控和激光脉冲共溅射方法制备LAO-BST薄膜,并采用第一性原理分析得到全钙钛矿材料复合性能和工作机制,通过研究其硅集成过程中所需的导电阻档层材料Ti-Al的氧化机制得到,氧原子在其表面的分布特征。并制备了以Ti-Al为阻挡层的La0.5Sr0.5CoOsub3/sub(LSCO)/ Na0.5Bi0.5TiOsub3/sub(NBT)/LSCO (LSCO/NBT/LSCO)异质结铁电电容器。Ti-Al阻挡层为非晶结构,NBT薄膜结晶质量良好,铁电性能优良。在1500kV/cm驱动电场下,LSCO/NBT/LSCO电容器呈现饱和的电滞回线,具有较大的剩余极化强度(47.9μC/cmsup2/sup)和较小的脉宽依赖性,而且抗疲劳特性和保持特性良好。研究成果为复合薄膜制备提供了实验和理论基础。
压电/单晶铁电复合材料制备治具及制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种压电/单晶铁电复合材料制备治具。压电/单晶铁电复合材料制备治具包括夹具底座、升降导杆、微调座及微调移动块;所述夹具底座上开设有用于固定压电/单晶铁电片的固定槽;所述升降导杆垂直设置于所述夹具底座上;所述微调座可滑动地设置于所述升降导杆上,所述微调座下表面上开设有滑轨;所述微调移动块可滑动地设置于所述滑轨上。同时还提供了使用上述治具的压电/单晶铁电复合材料制备方法。在该压电/单晶铁电复合材料制备方法中,通过在两个压电/单晶铁电片上开设切口,并将两个压电/单晶铁电片相配合,以使最终产品阵元间的间距,即切口的宽度小于10微米,满足了制备高频阵列探头的需求。
2-2型压电陶瓷/单晶铁电复合材料的制备方法和制备冶具
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
2-2型压电陶瓷/单晶铁电复合材料的制备方法和制备冶具通过将压电陶瓷/单晶铁电材料进行精磨,使其达到预设厚度。然后沿压电陶瓷/单晶铁电材料的长度方向切割形成深度固定的沟槽。最后沿沟槽朝向将多个压电陶瓷/单晶铁电材料子块堆叠,再在堆叠后的沟槽内填充聚合物。因此,在沟槽深度固定时,聚合物的厚度就能固定为沟槽深度,从而能够避免聚合物厚度超过阈值而影响压电陶瓷/单晶铁电材料的总宽度。且上述方法中采用先切割后堆叠填充,使得压电陶瓷/单晶铁电材料的总宽度固定为预设的压电陶瓷/单晶铁电材料厚度,使其符合用户要求。
1‑3型压电陶瓷/单晶铁电复合材料制备治具及制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种1‑3型压电陶瓷/单晶铁电复合材料制备治具。包括夹具底座、引导柱及对齐引导板;所述夹具底座上开设有用于固定压电陶瓷/单晶铁电片的第一固定槽;所述引导柱垂直设置于所述夹具底座上;所述对齐引导板可拆卸地设置于所述引导柱上,且所述对齐引导板在所述引导柱上可滑动,所述对齐引导板下表面上开设有用于固定压电陶瓷/单晶铁电片的第二固定槽,所述第二固定槽与所述第一固定槽相对齐。同时还提供了使用上述治具的1‑3型压电陶瓷/单晶铁电复合材料制备方法。上述1‑3型压电陶瓷/单晶铁电复合材料制备方法可使最终产品阵元间的间距,即切口的宽度小于10微米,满足了制备高频阵列探头的需求。
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应用行业:科学研究和技术服务业
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该课题通过磁控和激光脉冲共溅射方法制备LAO-BST薄膜,并采用第一性原理分析得到全钙钛矿材料复合性能和工作机制,通过研究其硅集成过程中所需的导电阻档层材料Ti-Al的氧化机制得到,氧原子在其表面的分布特征。并制备了以Ti-Al为阻挡层的La0.5Sr0.5CoOsub3/sub(LSCO)/ Na0.5Bi0.5TiOsub3/sub(NBT)/LSCO (LSCO/NBT/LSCO)异质结铁电电容器。Ti-Al阻挡层为非晶结构,NBT薄膜结晶质量良好,铁电性能优良。在1500kV/cm驱动电场下,LSCO/NBT/LSCO电容器呈现饱和的电滞回线,具有较大的剩余极化强度(47.9μC/cmsup2/sup)和较小的脉宽依赖性,而且抗疲劳特性和保持特性良好。研究成果为复合薄膜制备提供了实验和理论基础。
压电/单晶铁电复合材料制备治具及制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种压电/单晶铁电复合材料制备治具。压电/单晶铁电复合材料制备治具包括夹具底座、升降导杆、微调座及微调移动块;所述夹具底座上开设有用于固定压电/单晶铁电片的固定槽;所述升降导杆垂直设置于所述夹具底座上;所述微调座可滑动地设置于所述升降导杆上,所述微调座下表面上开设有滑轨;所述微调移动块可滑动地设置于所述滑轨上。同时还提供了使用上述治具的压电/单晶铁电复合材料制备方法。在该压电/单晶铁电复合材料制备方法中,通过在两个压电/单晶铁电片上开设切口,并将两个压电/单晶铁电片相配合,以使最终产品阵元间的间距,即切口的宽度小于10微米,满足了制备高频阵列探头的需求。
2-2型压电陶瓷/单晶铁电复合材料的制备方法和制备冶具
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
2-2型压电陶瓷/单晶铁电复合材料的制备方法和制备冶具通过将压电陶瓷/单晶铁电材料进行精磨,使其达到预设厚度。然后沿压电陶瓷/单晶铁电材料的长度方向切割形成深度固定的沟槽。最后沿沟槽朝向将多个压电陶瓷/单晶铁电材料子块堆叠,再在堆叠后的沟槽内填充聚合物。因此,在沟槽深度固定时,聚合物的厚度就能固定为沟槽深度,从而能够避免聚合物厚度超过阈值而影响压电陶瓷/单晶铁电材料的总宽度。且上述方法中采用先切割后堆叠填充,使得压电陶瓷/单晶铁电材料的总宽度固定为预设的压电陶瓷/单晶铁电材料厚度,使其符合用户要求。
1‑3型压电陶瓷/单晶铁电复合材料制备治具及制备方法
成熟度:正在研发
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本发明涉及一种1‑3型压电陶瓷/单晶铁电复合材料制备治具。包括夹具底座、引导柱及对齐引导板;所述夹具底座上开设有用于固定压电陶瓷/单晶铁电片的第一固定槽;所述引导柱垂直设置于所述夹具底座上;所述对齐引导板可拆卸地设置于所述引导柱上,且所述对齐引导板在所述引导柱上可滑动,所述对齐引导板下表面上开设有用于固定压电陶瓷/单晶铁电片的第二固定槽,所述第二固定槽与所述第一固定槽相对齐。同时还提供了使用上述治具的1‑3型压电陶瓷/单晶铁电复合材料制备方法。上述1‑3型压电陶瓷/单晶铁电复合材料制备方法可使最终产品阵元间的间距,即切口的宽度小于10微米,满足了制备高频阵列探头的需求。
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该课题通过磁控和激光脉冲共溅射方法制备LAO-BST薄膜,并采用第一性原理分析得到全钙钛矿材料复合性能和工作机制,通过研究其硅集成过程中所需的导电阻档层材料Ti-Al的氧化机制得到,氧原子在其表面的分布特征。并制备了以Ti-Al为阻挡层的La0.5Sr0.5CoOsub3/sub(LSCO)/ Na0.5Bi0.5TiOsub3/sub(NBT)/LSCO (LSCO/NBT/LSCO)异质结铁电电容器。Ti-Al阻挡层为非晶结构,NBT薄膜结晶质量良好,铁电性能优良。在1500kV/cm驱动电场下,LSCO/NBT/LSCO电容器呈现饱和的电滞回线,具有较大的剩余极化强度(47.9μC/cmsup2/sup)和较小的脉宽依赖性,而且抗疲劳特性和保持特性良好。研究成果为复合薄膜制备提供了实验和理论基础。
压电/单晶铁电复合材料制备治具及制备方法
成熟度:正在研发
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本发明涉及一种压电/单晶铁电复合材料制备治具。压电/单晶铁电复合材料制备治具包括夹具底座、升降导杆、微调座及微调移动块;所述夹具底座上开设有用于固定压电/单晶铁电片的固定槽;所述升降导杆垂直设置于所述夹具底座上;所述微调座可滑动地设置于所述升降导杆上,所述微调座下表面上开设有滑轨;所述微调移动块可滑动地设置于所述滑轨上。同时还提供了使用上述治具的压电/单晶铁电复合材料制备方法。在该压电/单晶铁电复合材料制备方法中,通过在两个压电/单晶铁电片上开设切口,并将两个压电/单晶铁电片相配合,以使最终产品阵元间的间距,即切口的宽度小于10微米,满足了制备高频阵列探头的需求。
2-2型压电陶瓷/单晶铁电复合材料的制备方法和制备冶具
成熟度:正在研发
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2-2型压电陶瓷/单晶铁电复合材料的制备方法和制备冶具通过将压电陶瓷/单晶铁电材料进行精磨,使其达到预设厚度。然后沿压电陶瓷/单晶铁电材料的长度方向切割形成深度固定的沟槽。最后沿沟槽朝向将多个压电陶瓷/单晶铁电材料子块堆叠,再在堆叠后的沟槽内填充聚合物。因此,在沟槽深度固定时,聚合物的厚度就能固定为沟槽深度,从而能够避免聚合物厚度超过阈值而影响压电陶瓷/单晶铁电材料的总宽度。且上述方法中采用先切割后堆叠填充,使得压电陶瓷/单晶铁电材料的总宽度固定为预设的压电陶瓷/单晶铁电材料厚度,使其符合用户要求。
1‑3型压电陶瓷/单晶铁电复合材料制备治具及制备方法
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本发明涉及一种1‑3型压电陶瓷/单晶铁电复合材料制备治具。包括夹具底座、引导柱及对齐引导板;所述夹具底座上开设有用于固定压电陶瓷/单晶铁电片的第一固定槽;所述引导柱垂直设置于所述夹具底座上;所述对齐引导板可拆卸地设置于所述引导柱上,且所述对齐引导板在所述引导柱上可滑动,所述对齐引导板下表面上开设有用于固定压电陶瓷/单晶铁电片的第二固定槽,所述第二固定槽与所述第一固定槽相对齐。同时还提供了使用上述治具的1‑3型压电陶瓷/单晶铁电复合材料制备方法。上述1‑3型压电陶瓷/单晶铁电复合材料制备方法可使最终产品阵元间的间距,即切口的宽度小于10微米,满足了制备高频阵列探头的需求。
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该课题通过磁控和激光脉冲共溅射方法制备LAO-BST薄膜,并采用第一性原理分析得到全钙钛矿材料复合性能和工作机制,通过研究其硅集成过程中所需的导电阻档层材料Ti-Al的氧化机制得到,氧原子在其表面的分布特征。并制备了以Ti-Al为阻挡层的La0.5Sr0.5CoOsub3/sub(LSCO)/ Na0.5Bi0.5TiOsub3/sub(NBT)/LSCO (LSCO/NBT/LSCO)异质结铁电电容器。Ti-Al阻挡层为非晶结构,NBT薄膜结晶质量良好,铁电性能优良。在1500kV/cm驱动电场下,LSCO/NBT/LSCO电容器呈现饱和的电滞回线,具有较大的剩余极化强度(47.9μC/cmsup2/sup)和较小的脉宽依赖性,而且抗疲劳特性和保持特性良好。研究成果为复合薄膜制备提供了实验和理论基础。
压电/单晶铁电复合材料制备治具及制备方法
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本发明涉及一种压电/单晶铁电复合材料制备治具。压电/单晶铁电复合材料制备治具包括夹具底座、升降导杆、微调座及微调移动块;所述夹具底座上开设有用于固定压电/单晶铁电片的固定槽;所述升降导杆垂直设置于所述夹具底座上;所述微调座可滑动地设置于所述升降导杆上,所述微调座下表面上开设有滑轨;所述微调移动块可滑动地设置于所述滑轨上。同时还提供了使用上述治具的压电/单晶铁电复合材料制备方法。在该压电/单晶铁电复合材料制备方法中,通过在两个压电/单晶铁电片上开设切口,并将两个压电/单晶铁电片相配合,以使最终产品阵元间的间距,即切口的宽度小于10微米,满足了制备高频阵列探头的需求。
2-2型压电陶瓷/单晶铁电复合材料的制备方法和制备冶具
成熟度:正在研发
技术类型:发明
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2-2型压电陶瓷/单晶铁电复合材料的制备方法和制备冶具通过将压电陶瓷/单晶铁电材料进行精磨,使其达到预设厚度。然后沿压电陶瓷/单晶铁电材料的长度方向切割形成深度固定的沟槽。最后沿沟槽朝向将多个压电陶瓷/单晶铁电材料子块堆叠,再在堆叠后的沟槽内填充聚合物。因此,在沟槽深度固定时,聚合物的厚度就能固定为沟槽深度,从而能够避免聚合物厚度超过阈值而影响压电陶瓷/单晶铁电材料的总宽度。且上述方法中采用先切割后堆叠填充,使得压电陶瓷/单晶铁电材料的总宽度固定为预设的压电陶瓷/单晶铁电材料厚度,使其符合用户要求。
1‑3型压电陶瓷/单晶铁电复合材料制备治具及制备方法
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本发明涉及一种1‑3型压电陶瓷/单晶铁电复合材料制备治具。包括夹具底座、引导柱及对齐引导板;所述夹具底座上开设有用于固定压电陶瓷/单晶铁电片的第一固定槽;所述引导柱垂直设置于所述夹具底座上;所述对齐引导板可拆卸地设置于所述引导柱上,且所述对齐引导板在所述引导柱上可滑动,所述对齐引导板下表面上开设有用于固定压电陶瓷/单晶铁电片的第二固定槽,所述第二固定槽与所述第一固定槽相对齐。同时还提供了使用上述治具的1‑3型压电陶瓷/单晶铁电复合材料制备方法。上述1‑3型压电陶瓷/单晶铁电复合材料制备方法可使最终产品阵元间的间距,即切口的宽度小于10微米,满足了制备高频阵列探头的需求。
找到4项技术成果数据。
找技术 >全钙钛矿结构铁电复合材料的结构与性能研究
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该课题通过磁控和激光脉冲共溅射方法制备LAO-BST薄膜,并采用第一性原理分析得到全钙钛矿材料复合性能和工作机制,通过研究其硅集成过程中所需的导电阻档层材料Ti-Al的氧化机制得到,氧原子在其表面的分布特征。并制备了以Ti-Al为阻挡层的La0.5Sr0.5CoOsub3/sub(LSCO)/ Na0.5Bi0.5TiOsub3/sub(NBT)/LSCO (LSCO/NBT/LSCO)异质结铁电电容器。Ti-Al阻挡层为非晶结构,NBT薄膜结晶质量良好,铁电性能优良。在1500kV/cm驱动电场下,LSCO/NBT/LSCO电容器呈现饱和的电滞回线,具有较大的剩余极化强度(47.9μC/cmsup2/sup)和较小的脉宽依赖性,而且抗疲劳特性和保持特性良好。研究成果为复合薄膜制备提供了实验和理论基础。
压电/单晶铁电复合材料制备治具及制备方法
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本发明涉及一种压电/单晶铁电复合材料制备治具。压电/单晶铁电复合材料制备治具包括夹具底座、升降导杆、微调座及微调移动块;所述夹具底座上开设有用于固定压电/单晶铁电片的固定槽;所述升降导杆垂直设置于所述夹具底座上;所述微调座可滑动地设置于所述升降导杆上,所述微调座下表面上开设有滑轨;所述微调移动块可滑动地设置于所述滑轨上。同时还提供了使用上述治具的压电/单晶铁电复合材料制备方法。在该压电/单晶铁电复合材料制备方法中,通过在两个压电/单晶铁电片上开设切口,并将两个压电/单晶铁电片相配合,以使最终产品阵元间的间距,即切口的宽度小于10微米,满足了制备高频阵列探头的需求。
2-2型压电陶瓷/单晶铁电复合材料的制备方法和制备冶具
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2-2型压电陶瓷/单晶铁电复合材料的制备方法和制备冶具通过将压电陶瓷/单晶铁电材料进行精磨,使其达到预设厚度。然后沿压电陶瓷/单晶铁电材料的长度方向切割形成深度固定的沟槽。最后沿沟槽朝向将多个压电陶瓷/单晶铁电材料子块堆叠,再在堆叠后的沟槽内填充聚合物。因此,在沟槽深度固定时,聚合物的厚度就能固定为沟槽深度,从而能够避免聚合物厚度超过阈值而影响压电陶瓷/单晶铁电材料的总宽度。且上述方法中采用先切割后堆叠填充,使得压电陶瓷/单晶铁电材料的总宽度固定为预设的压电陶瓷/单晶铁电材料厚度,使其符合用户要求。
1‑3型压电陶瓷/单晶铁电复合材料制备治具及制备方法
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本发明涉及一种1‑3型压电陶瓷/单晶铁电复合材料制备治具。包括夹具底座、引导柱及对齐引导板;所述夹具底座上开设有用于固定压电陶瓷/单晶铁电片的第一固定槽;所述引导柱垂直设置于所述夹具底座上;所述对齐引导板可拆卸地设置于所述引导柱上,且所述对齐引导板在所述引导柱上可滑动,所述对齐引导板下表面上开设有用于固定压电陶瓷/单晶铁电片的第二固定槽,所述第二固定槽与所述第一固定槽相对齐。同时还提供了使用上述治具的1‑3型压电陶瓷/单晶铁电复合材料制备方法。上述1‑3型压电陶瓷/单晶铁电复合材料制备方法可使最终产品阵元间的间距,即切口的宽度小于10微米,满足了制备高频阵列探头的需求。
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找技术 >全钙钛矿结构铁电复合材料的结构与性能研究
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该课题通过磁控和激光脉冲共溅射方法制备LAO-BST薄膜,并采用第一性原理分析得到全钙钛矿材料复合性能和工作机制,通过研究其硅集成过程中所需的导电阻档层材料Ti-Al的氧化机制得到,氧原子在其表面的分布特征。并制备了以Ti-Al为阻挡层的La0.5Sr0.5CoOsub3/sub(LSCO)/ Na0.5Bi0.5TiOsub3/sub(NBT)/LSCO (LSCO/NBT/LSCO)异质结铁电电容器。Ti-Al阻挡层为非晶结构,NBT薄膜结晶质量良好,铁电性能优良。在1500kV/cm驱动电场下,LSCO/NBT/LSCO电容器呈现饱和的电滞回线,具有较大的剩余极化强度(47.9μC/cmsup2/sup)和较小的脉宽依赖性,而且抗疲劳特性和保持特性良好。研究成果为复合薄膜制备提供了实验和理论基础。
压电/单晶铁电复合材料制备治具及制备方法
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本发明涉及一种压电/单晶铁电复合材料制备治具。压电/单晶铁电复合材料制备治具包括夹具底座、升降导杆、微调座及微调移动块;所述夹具底座上开设有用于固定压电/单晶铁电片的固定槽;所述升降导杆垂直设置于所述夹具底座上;所述微调座可滑动地设置于所述升降导杆上,所述微调座下表面上开设有滑轨;所述微调移动块可滑动地设置于所述滑轨上。同时还提供了使用上述治具的压电/单晶铁电复合材料制备方法。在该压电/单晶铁电复合材料制备方法中,通过在两个压电/单晶铁电片上开设切口,并将两个压电/单晶铁电片相配合,以使最终产品阵元间的间距,即切口的宽度小于10微米,满足了制备高频阵列探头的需求。
2-2型压电陶瓷/单晶铁电复合材料的制备方法和制备冶具
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2-2型压电陶瓷/单晶铁电复合材料的制备方法和制备冶具通过将压电陶瓷/单晶铁电材料进行精磨,使其达到预设厚度。然后沿压电陶瓷/单晶铁电材料的长度方向切割形成深度固定的沟槽。最后沿沟槽朝向将多个压电陶瓷/单晶铁电材料子块堆叠,再在堆叠后的沟槽内填充聚合物。因此,在沟槽深度固定时,聚合物的厚度就能固定为沟槽深度,从而能够避免聚合物厚度超过阈值而影响压电陶瓷/单晶铁电材料的总宽度。且上述方法中采用先切割后堆叠填充,使得压电陶瓷/单晶铁电材料的总宽度固定为预设的压电陶瓷/单晶铁电材料厚度,使其符合用户要求。
1‑3型压电陶瓷/单晶铁电复合材料制备治具及制备方法
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本发明涉及一种1‑3型压电陶瓷/单晶铁电复合材料制备治具。包括夹具底座、引导柱及对齐引导板;所述夹具底座上开设有用于固定压电陶瓷/单晶铁电片的第一固定槽;所述引导柱垂直设置于所述夹具底座上;所述对齐引导板可拆卸地设置于所述引导柱上,且所述对齐引导板在所述引导柱上可滑动,所述对齐引导板下表面上开设有用于固定压电陶瓷/单晶铁电片的第二固定槽,所述第二固定槽与所述第一固定槽相对齐。同时还提供了使用上述治具的1‑3型压电陶瓷/单晶铁电复合材料制备方法。上述1‑3型压电陶瓷/单晶铁电复合材料制备方法可使最终产品阵元间的间距,即切口的宽度小于10微米,满足了制备高频阵列探头的需求。
找到4项技术成果数据。
找技术 >全钙钛矿结构铁电复合材料的结构与性能研究
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该课题通过磁控和激光脉冲共溅射方法制备LAO-BST薄膜,并采用第一性原理分析得到全钙钛矿材料复合性能和工作机制,通过研究其硅集成过程中所需的导电阻档层材料Ti-Al的氧化机制得到,氧原子在其表面的分布特征。并制备了以Ti-Al为阻挡层的La0.5Sr0.5CoOsub3/sub(LSCO)/ Na0.5Bi0.5TiOsub3/sub(NBT)/LSCO (LSCO/NBT/LSCO)异质结铁电电容器。Ti-Al阻挡层为非晶结构,NBT薄膜结晶质量良好,铁电性能优良。在1500kV/cm驱动电场下,LSCO/NBT/LSCO电容器呈现饱和的电滞回线,具有较大的剩余极化强度(47.9μC/cmsup2/sup)和较小的脉宽依赖性,而且抗疲劳特性和保持特性良好。研究成果为复合薄膜制备提供了实验和理论基础。
压电/单晶铁电复合材料制备治具及制备方法
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应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种压电/单晶铁电复合材料制备治具。压电/单晶铁电复合材料制备治具包括夹具底座、升降导杆、微调座及微调移动块;所述夹具底座上开设有用于固定压电/单晶铁电片的固定槽;所述升降导杆垂直设置于所述夹具底座上;所述微调座可滑动地设置于所述升降导杆上,所述微调座下表面上开设有滑轨;所述微调移动块可滑动地设置于所述滑轨上。同时还提供了使用上述治具的压电/单晶铁电复合材料制备方法。在该压电/单晶铁电复合材料制备方法中,通过在两个压电/单晶铁电片上开设切口,并将两个压电/单晶铁电片相配合,以使最终产品阵元间的间距,即切口的宽度小于10微米,满足了制备高频阵列探头的需求。
2-2型压电陶瓷/单晶铁电复合材料的制备方法和制备冶具
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
2-2型压电陶瓷/单晶铁电复合材料的制备方法和制备冶具通过将压电陶瓷/单晶铁电材料进行精磨,使其达到预设厚度。然后沿压电陶瓷/单晶铁电材料的长度方向切割形成深度固定的沟槽。最后沿沟槽朝向将多个压电陶瓷/单晶铁电材料子块堆叠,再在堆叠后的沟槽内填充聚合物。因此,在沟槽深度固定时,聚合物的厚度就能固定为沟槽深度,从而能够避免聚合物厚度超过阈值而影响压电陶瓷/单晶铁电材料的总宽度。且上述方法中采用先切割后堆叠填充,使得压电陶瓷/单晶铁电材料的总宽度固定为预设的压电陶瓷/单晶铁电材料厚度,使其符合用户要求。
1‑3型压电陶瓷/单晶铁电复合材料制备治具及制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种1‑3型压电陶瓷/单晶铁电复合材料制备治具。包括夹具底座、引导柱及对齐引导板;所述夹具底座上开设有用于固定压电陶瓷/单晶铁电片的第一固定槽;所述引导柱垂直设置于所述夹具底座上;所述对齐引导板可拆卸地设置于所述引导柱上,且所述对齐引导板在所述引导柱上可滑动,所述对齐引导板下表面上开设有用于固定压电陶瓷/单晶铁电片的第二固定槽,所述第二固定槽与所述第一固定槽相对齐。同时还提供了使用上述治具的1‑3型压电陶瓷/单晶铁电复合材料制备方法。上述1‑3型压电陶瓷/单晶铁电复合材料制备方法可使最终产品阵元间的间距,即切口的宽度小于10微米,满足了制备高频阵列探头的需求。