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找技术 >电子薄膜集成器件技术-铁电存储器
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
利用铁电薄膜材料与Si基半导体相结合的一种新型存储器件,具有存储信息非易失性、抗辐射、与半导体存储器完全兼容的优点,广泛应用于计算机信息存储、空间飞行器件、个人移动存储技术等领域。目前已完成铁电薄膜材料制备,可以制备直径130mm的铁电薄膜基片,产品性能具国内领先水平。已完成铁电存储器原型器件的开发研究。
一种铁电存储器用外延应变铁电薄膜级调控其应变的方法
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种铁电存储器用外延应变铁电薄膜及调控应变的方法,主要应用于铁电存储器技术领域。即首先准备硅衬底或覆有绝缘层的硅衬底;然后在衬底上覆盖一层具有合理晶格常数的钛酸锶钡(BST)合金层(晶格常数范围在3.905~4.0ANGSTORM);其次在合金层上外延生长铁电(FE)薄膜(AB03钙钛矿铁电、铋层状铁电或多重铁电氧化物);最后形成BST/FE(10~30nm)/SET(10~30nm)/FE(10~30nm)…/BST多层膜结构。该结构实现了对外延铁电薄膜的应变调控作用;底层钛酸锶钡合金层生长在硅衬底或者覆有一层约5~20nm绝缘层(如HF02)的硅衬底上;最终完成铁电薄膜存储器件。
铁电存储器用铁电薄膜电容
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
铁电存储器用铁电薄膜电容公开了一种铁电存储器用铁电薄膜电容,该铁电存储器用铁电薄膜电容依次由硅基底、二氧化硅阻挡层、二氧化钛粘结层、下电极金属层、下缓冲层、铁电薄膜层、上缓冲层、上电极金属层组成;二氧化钛粘结层的厚度为10~30NM;下电极金属层的厚度为100NM~200NM;下缓冲层的厚度为5~20NM;铁电薄膜层的厚度为200NM~500NM;上缓冲层的厚度为100NM~200NM;上电极金属层的厚度为80NM~150NM;下缓冲层、上缓冲层的材料为LSMO超大磁电阻材料,铁电薄膜层的材料为掺TA的PZT。铁电存储器用铁电薄膜电容疲劳速率小,漏电流较小。
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利用铁电薄膜材料与Si基半导体相结合的一种新型存储器件,具有存储信息非易失性、抗辐射、与半导体存储器完全兼容的优点,广泛应用于计算机信息存储、空间飞行器件、个人移动存储技术等领域。目前已完成铁电薄膜材料制备,可以制备直径130mm的铁电薄膜基片,产品性能具国内领先水平。已完成铁电存储器原型器件的开发研究。
一种铁电存储器用外延应变铁电薄膜级调控其应变的方法
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本发明公开了一种铁电存储器用外延应变铁电薄膜及调控应变的方法,主要应用于铁电存储器技术领域。即首先准备硅衬底或覆有绝缘层的硅衬底;然后在衬底上覆盖一层具有合理晶格常数的钛酸锶钡(BST)合金层(晶格常数范围在3.905~4.0ANGSTORM);其次在合金层上外延生长铁电(FE)薄膜(AB03钙钛矿铁电、铋层状铁电或多重铁电氧化物);最后形成BST/FE(10~30nm)/SET(10~30nm)/FE(10~30nm)…/BST多层膜结构。该结构实现了对外延铁电薄膜的应变调控作用;底层钛酸锶钡合金层生长在硅衬底或者覆有一层约5~20nm绝缘层(如HF02)的硅衬底上;最终完成铁电薄膜存储器件。
铁电存储器用铁电薄膜电容
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铁电存储器用铁电薄膜电容公开了一种铁电存储器用铁电薄膜电容,该铁电存储器用铁电薄膜电容依次由硅基底、二氧化硅阻挡层、二氧化钛粘结层、下电极金属层、下缓冲层、铁电薄膜层、上缓冲层、上电极金属层组成;二氧化钛粘结层的厚度为10~30NM;下电极金属层的厚度为100NM~200NM;下缓冲层的厚度为5~20NM;铁电薄膜层的厚度为200NM~500NM;上缓冲层的厚度为100NM~200NM;上电极金属层的厚度为80NM~150NM;下缓冲层、上缓冲层的材料为LSMO超大磁电阻材料,铁电薄膜层的材料为掺TA的PZT。铁电存储器用铁电薄膜电容疲劳速率小,漏电流较小。
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利用铁电薄膜材料与Si基半导体相结合的一种新型存储器件,具有存储信息非易失性、抗辐射、与半导体存储器完全兼容的优点,广泛应用于计算机信息存储、空间飞行器件、个人移动存储技术等领域。目前已完成铁电薄膜材料制备,可以制备直径130mm的铁电薄膜基片,产品性能具国内领先水平。已完成铁电存储器原型器件的开发研究。
一种铁电存储器用外延应变铁电薄膜级调控其应变的方法
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本发明公开了一种铁电存储器用外延应变铁电薄膜及调控应变的方法,主要应用于铁电存储器技术领域。即首先准备硅衬底或覆有绝缘层的硅衬底;然后在衬底上覆盖一层具有合理晶格常数的钛酸锶钡(BST)合金层(晶格常数范围在3.905~4.0ANGSTORM);其次在合金层上外延生长铁电(FE)薄膜(AB03钙钛矿铁电、铋层状铁电或多重铁电氧化物);最后形成BST/FE(10~30nm)/SET(10~30nm)/FE(10~30nm)…/BST多层膜结构。该结构实现了对外延铁电薄膜的应变调控作用;底层钛酸锶钡合金层生长在硅衬底或者覆有一层约5~20nm绝缘层(如HF02)的硅衬底上;最终完成铁电薄膜存储器件。
铁电存储器用铁电薄膜电容
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铁电存储器用铁电薄膜电容公开了一种铁电存储器用铁电薄膜电容,该铁电存储器用铁电薄膜电容依次由硅基底、二氧化硅阻挡层、二氧化钛粘结层、下电极金属层、下缓冲层、铁电薄膜层、上缓冲层、上电极金属层组成;二氧化钛粘结层的厚度为10~30NM;下电极金属层的厚度为100NM~200NM;下缓冲层的厚度为5~20NM;铁电薄膜层的厚度为200NM~500NM;上缓冲层的厚度为100NM~200NM;上电极金属层的厚度为80NM~150NM;下缓冲层、上缓冲层的材料为LSMO超大磁电阻材料,铁电薄膜层的材料为掺TA的PZT。铁电存储器用铁电薄膜电容疲劳速率小,漏电流较小。
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利用铁电薄膜材料与Si基半导体相结合的一种新型存储器件,具有存储信息非易失性、抗辐射、与半导体存储器完全兼容的优点,广泛应用于计算机信息存储、空间飞行器件、个人移动存储技术等领域。目前已完成铁电薄膜材料制备,可以制备直径130mm的铁电薄膜基片,产品性能具国内领先水平。已完成铁电存储器原型器件的开发研究。
一种铁电存储器用外延应变铁电薄膜级调控其应变的方法
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本发明公开了一种铁电存储器用外延应变铁电薄膜及调控应变的方法,主要应用于铁电存储器技术领域。即首先准备硅衬底或覆有绝缘层的硅衬底;然后在衬底上覆盖一层具有合理晶格常数的钛酸锶钡(BST)合金层(晶格常数范围在3.905~4.0ANGSTORM);其次在合金层上外延生长铁电(FE)薄膜(AB03钙钛矿铁电、铋层状铁电或多重铁电氧化物);最后形成BST/FE(10~30nm)/SET(10~30nm)/FE(10~30nm)…/BST多层膜结构。该结构实现了对外延铁电薄膜的应变调控作用;底层钛酸锶钡合金层生长在硅衬底或者覆有一层约5~20nm绝缘层(如HF02)的硅衬底上;最终完成铁电薄膜存储器件。
铁电存储器用铁电薄膜电容
成熟度:正在研发
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铁电存储器用铁电薄膜电容公开了一种铁电存储器用铁电薄膜电容,该铁电存储器用铁电薄膜电容依次由硅基底、二氧化硅阻挡层、二氧化钛粘结层、下电极金属层、下缓冲层、铁电薄膜层、上缓冲层、上电极金属层组成;二氧化钛粘结层的厚度为10~30NM;下电极金属层的厚度为100NM~200NM;下缓冲层的厚度为5~20NM;铁电薄膜层的厚度为200NM~500NM;上缓冲层的厚度为100NM~200NM;上电极金属层的厚度为80NM~150NM;下缓冲层、上缓冲层的材料为LSMO超大磁电阻材料,铁电薄膜层的材料为掺TA的PZT。铁电存储器用铁电薄膜电容疲劳速率小,漏电流较小。
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利用铁电薄膜材料与Si基半导体相结合的一种新型存储器件,具有存储信息非易失性、抗辐射、与半导体存储器完全兼容的优点,广泛应用于计算机信息存储、空间飞行器件、个人移动存储技术等领域。目前已完成铁电薄膜材料制备,可以制备直径130mm的铁电薄膜基片,产品性能具国内领先水平。已完成铁电存储器原型器件的开发研究。
一种铁电存储器用外延应变铁电薄膜级调控其应变的方法
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本发明公开了一种铁电存储器用外延应变铁电薄膜及调控应变的方法,主要应用于铁电存储器技术领域。即首先准备硅衬底或覆有绝缘层的硅衬底;然后在衬底上覆盖一层具有合理晶格常数的钛酸锶钡(BST)合金层(晶格常数范围在3.905~4.0ANGSTORM);其次在合金层上外延生长铁电(FE)薄膜(AB03钙钛矿铁电、铋层状铁电或多重铁电氧化物);最后形成BST/FE(10~30nm)/SET(10~30nm)/FE(10~30nm)…/BST多层膜结构。该结构实现了对外延铁电薄膜的应变调控作用;底层钛酸锶钡合金层生长在硅衬底或者覆有一层约5~20nm绝缘层(如HF02)的硅衬底上;最终完成铁电薄膜存储器件。
铁电存储器用铁电薄膜电容
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铁电存储器用铁电薄膜电容公开了一种铁电存储器用铁电薄膜电容,该铁电存储器用铁电薄膜电容依次由硅基底、二氧化硅阻挡层、二氧化钛粘结层、下电极金属层、下缓冲层、铁电薄膜层、上缓冲层、上电极金属层组成;二氧化钛粘结层的厚度为10~30NM;下电极金属层的厚度为100NM~200NM;下缓冲层的厚度为5~20NM;铁电薄膜层的厚度为200NM~500NM;上缓冲层的厚度为100NM~200NM;上电极金属层的厚度为80NM~150NM;下缓冲层、上缓冲层的材料为LSMO超大磁电阻材料,铁电薄膜层的材料为掺TA的PZT。铁电存储器用铁电薄膜电容疲劳速率小,漏电流较小。
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利用铁电薄膜材料与Si基半导体相结合的一种新型存储器件,具有存储信息非易失性、抗辐射、与半导体存储器完全兼容的优点,广泛应用于计算机信息存储、空间飞行器件、个人移动存储技术等领域。目前已完成铁电薄膜材料制备,可以制备直径130mm的铁电薄膜基片,产品性能具国内领先水平。已完成铁电存储器原型器件的开发研究。
一种铁电存储器用外延应变铁电薄膜级调控其应变的方法
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本发明公开了一种铁电存储器用外延应变铁电薄膜及调控应变的方法,主要应用于铁电存储器技术领域。即首先准备硅衬底或覆有绝缘层的硅衬底;然后在衬底上覆盖一层具有合理晶格常数的钛酸锶钡(BST)合金层(晶格常数范围在3.905~4.0ANGSTORM);其次在合金层上外延生长铁电(FE)薄膜(AB03钙钛矿铁电、铋层状铁电或多重铁电氧化物);最后形成BST/FE(10~30nm)/SET(10~30nm)/FE(10~30nm)…/BST多层膜结构。该结构实现了对外延铁电薄膜的应变调控作用;底层钛酸锶钡合金层生长在硅衬底或者覆有一层约5~20nm绝缘层(如HF02)的硅衬底上;最终完成铁电薄膜存储器件。
铁电存储器用铁电薄膜电容
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铁电存储器用铁电薄膜电容公开了一种铁电存储器用铁电薄膜电容,该铁电存储器用铁电薄膜电容依次由硅基底、二氧化硅阻挡层、二氧化钛粘结层、下电极金属层、下缓冲层、铁电薄膜层、上缓冲层、上电极金属层组成;二氧化钛粘结层的厚度为10~30NM;下电极金属层的厚度为100NM~200NM;下缓冲层的厚度为5~20NM;铁电薄膜层的厚度为200NM~500NM;上缓冲层的厚度为100NM~200NM;上电极金属层的厚度为80NM~150NM;下缓冲层、上缓冲层的材料为LSMO超大磁电阻材料,铁电薄膜层的材料为掺TA的PZT。铁电存储器用铁电薄膜电容疲劳速率小,漏电流较小。
找到3项技术成果数据。
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利用铁电薄膜材料与Si基半导体相结合的一种新型存储器件,具有存储信息非易失性、抗辐射、与半导体存储器完全兼容的优点,广泛应用于计算机信息存储、空间飞行器件、个人移动存储技术等领域。目前已完成铁电薄膜材料制备,可以制备直径130mm的铁电薄膜基片,产品性能具国内领先水平。已完成铁电存储器原型器件的开发研究。
一种铁电存储器用外延应变铁电薄膜级调控其应变的方法
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本发明公开了一种铁电存储器用外延应变铁电薄膜及调控应变的方法,主要应用于铁电存储器技术领域。即首先准备硅衬底或覆有绝缘层的硅衬底;然后在衬底上覆盖一层具有合理晶格常数的钛酸锶钡(BST)合金层(晶格常数范围在3.905~4.0ANGSTORM);其次在合金层上外延生长铁电(FE)薄膜(AB03钙钛矿铁电、铋层状铁电或多重铁电氧化物);最后形成BST/FE(10~30nm)/SET(10~30nm)/FE(10~30nm)…/BST多层膜结构。该结构实现了对外延铁电薄膜的应变调控作用;底层钛酸锶钡合金层生长在硅衬底或者覆有一层约5~20nm绝缘层(如HF02)的硅衬底上;最终完成铁电薄膜存储器件。
铁电存储器用铁电薄膜电容
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铁电存储器用铁电薄膜电容公开了一种铁电存储器用铁电薄膜电容,该铁电存储器用铁电薄膜电容依次由硅基底、二氧化硅阻挡层、二氧化钛粘结层、下电极金属层、下缓冲层、铁电薄膜层、上缓冲层、上电极金属层组成;二氧化钛粘结层的厚度为10~30NM;下电极金属层的厚度为100NM~200NM;下缓冲层的厚度为5~20NM;铁电薄膜层的厚度为200NM~500NM;上缓冲层的厚度为100NM~200NM;上电极金属层的厚度为80NM~150NM;下缓冲层、上缓冲层的材料为LSMO超大磁电阻材料,铁电薄膜层的材料为掺TA的PZT。铁电存储器用铁电薄膜电容疲劳速率小,漏电流较小。
找到3项技术成果数据。
找技术 >电子薄膜集成器件技术-铁电存储器
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利用铁电薄膜材料与Si基半导体相结合的一种新型存储器件,具有存储信息非易失性、抗辐射、与半导体存储器完全兼容的优点,广泛应用于计算机信息存储、空间飞行器件、个人移动存储技术等领域。目前已完成铁电薄膜材料制备,可以制备直径130mm的铁电薄膜基片,产品性能具国内领先水平。已完成铁电存储器原型器件的开发研究。
一种铁电存储器用外延应变铁电薄膜级调控其应变的方法
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本发明公开了一种铁电存储器用外延应变铁电薄膜及调控应变的方法,主要应用于铁电存储器技术领域。即首先准备硅衬底或覆有绝缘层的硅衬底;然后在衬底上覆盖一层具有合理晶格常数的钛酸锶钡(BST)合金层(晶格常数范围在3.905~4.0ANGSTORM);其次在合金层上外延生长铁电(FE)薄膜(AB03钙钛矿铁电、铋层状铁电或多重铁电氧化物);最后形成BST/FE(10~30nm)/SET(10~30nm)/FE(10~30nm)…/BST多层膜结构。该结构实现了对外延铁电薄膜的应变调控作用;底层钛酸锶钡合金层生长在硅衬底或者覆有一层约5~20nm绝缘层(如HF02)的硅衬底上;最终完成铁电薄膜存储器件。
铁电存储器用铁电薄膜电容
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铁电存储器用铁电薄膜电容公开了一种铁电存储器用铁电薄膜电容,该铁电存储器用铁电薄膜电容依次由硅基底、二氧化硅阻挡层、二氧化钛粘结层、下电极金属层、下缓冲层、铁电薄膜层、上缓冲层、上电极金属层组成;二氧化钛粘结层的厚度为10~30NM;下电极金属层的厚度为100NM~200NM;下缓冲层的厚度为5~20NM;铁电薄膜层的厚度为200NM~500NM;上缓冲层的厚度为100NM~200NM;上电极金属层的厚度为80NM~150NM;下缓冲层、上缓冲层的材料为LSMO超大磁电阻材料,铁电薄膜层的材料为掺TA的PZT。铁电存储器用铁电薄膜电容疲劳速率小,漏电流较小。