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找技术 >集成电路中的静电保护电路
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:科学研究和技术服务业
技术简介
本发明公开了一种集成电路中的静电保护电路。本发明集成电路中的静电保护电路,包括多指并联的GGNMOS电路,GGNMOS的漏极接内部电路的前一级,还包括二极管,其中最中间的GGNMOS源端以及衬底与二极管的阴极相连接、栅极接地,该多指并联的GGNMOS电路中其他GGNMOS源端接地,衬底接地,栅极相互连接并与二极管的阴极相连接,二极管的阳极接地,当发生ESD时,所述最中间的GGNMOS最先导通,在所述二极管产生偏压,供给其他所有周边所有的GGNMOS栅极偏压,使保护电路中所有的GGNMOS开启均匀。本发明适用于集成电路制造。200510111177.X
一种适用于射频识别标签芯片的静电保护电路
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型公开了一种适用于射频识别标签芯片的静电保护电路,该电路包括电压比较器电路和电流泻放电路。电压比较器电路包括PMOS管P1,P3和电阻R2,R3,用于检测和比较电压值;电流泻放电路包括NMOS管N1、N2、二极管D1和电阻R1,用于泻放静电脉冲和射频高压。本实用新型减小了输入节点寄生电容,避免了出现高频信号的延时效应,并避免了出现主保护管还没有工作而次保护管就已烧毁的情况,提高了电路的稳定性。此外,本实用新型不仅能实现ESD保护功能还能起到射频限压的作用,仅用一个电路就实现了两种功能,特别适合应用于无源RFID标签芯片。一种适用于射频识别标签芯片的静电保护电路在减少面积降低功耗的同时,还提升了ESD保护电路的保护性能,进一步提高了整个标签芯片的使用寿命。
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本发明公开了一种集成电路中的静电保护电路。本发明集成电路中的静电保护电路,包括多指并联的GGNMOS电路,GGNMOS的漏极接内部电路的前一级,还包括二极管,其中最中间的GGNMOS源端以及衬底与二极管的阴极相连接、栅极接地,该多指并联的GGNMOS电路中其他GGNMOS源端接地,衬底接地,栅极相互连接并与二极管的阴极相连接,二极管的阳极接地,当发生ESD时,所述最中间的GGNMOS最先导通,在所述二极管产生偏压,供给其他所有周边所有的GGNMOS栅极偏压,使保护电路中所有的GGNMOS开启均匀。本发明适用于集成电路制造。200510111177.X
一种适用于射频识别标签芯片的静电保护电路
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
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本实用新型公开了一种适用于射频识别标签芯片的静电保护电路,该电路包括电压比较器电路和电流泻放电路。电压比较器电路包括PMOS管P1,P3和电阻R2,R3,用于检测和比较电压值;电流泻放电路包括NMOS管N1、N2、二极管D1和电阻R1,用于泻放静电脉冲和射频高压。本实用新型减小了输入节点寄生电容,避免了出现高频信号的延时效应,并避免了出现主保护管还没有工作而次保护管就已烧毁的情况,提高了电路的稳定性。此外,本实用新型不仅能实现ESD保护功能还能起到射频限压的作用,仅用一个电路就实现了两种功能,特别适合应用于无源RFID标签芯片。一种适用于射频识别标签芯片的静电保护电路在减少面积降低功耗的同时,还提升了ESD保护电路的保护性能,进一步提高了整个标签芯片的使用寿命。
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本发明公开了一种集成电路中的静电保护电路。本发明集成电路中的静电保护电路,包括多指并联的GGNMOS电路,GGNMOS的漏极接内部电路的前一级,还包括二极管,其中最中间的GGNMOS源端以及衬底与二极管的阴极相连接、栅极接地,该多指并联的GGNMOS电路中其他GGNMOS源端接地,衬底接地,栅极相互连接并与二极管的阴极相连接,二极管的阳极接地,当发生ESD时,所述最中间的GGNMOS最先导通,在所述二极管产生偏压,供给其他所有周边所有的GGNMOS栅极偏压,使保护电路中所有的GGNMOS开启均匀。本发明适用于集成电路制造。200510111177.X
一种适用于射频识别标签芯片的静电保护电路
成熟度:正在研发
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本实用新型公开了一种适用于射频识别标签芯片的静电保护电路,该电路包括电压比较器电路和电流泻放电路。电压比较器电路包括PMOS管P1,P3和电阻R2,R3,用于检测和比较电压值;电流泻放电路包括NMOS管N1、N2、二极管D1和电阻R1,用于泻放静电脉冲和射频高压。本实用新型减小了输入节点寄生电容,避免了出现高频信号的延时效应,并避免了出现主保护管还没有工作而次保护管就已烧毁的情况,提高了电路的稳定性。此外,本实用新型不仅能实现ESD保护功能还能起到射频限压的作用,仅用一个电路就实现了两种功能,特别适合应用于无源RFID标签芯片。一种适用于射频识别标签芯片的静电保护电路在减少面积降低功耗的同时,还提升了ESD保护电路的保护性能,进一步提高了整个标签芯片的使用寿命。
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本发明公开了一种集成电路中的静电保护电路。本发明集成电路中的静电保护电路,包括多指并联的GGNMOS电路,GGNMOS的漏极接内部电路的前一级,还包括二极管,其中最中间的GGNMOS源端以及衬底与二极管的阴极相连接、栅极接地,该多指并联的GGNMOS电路中其他GGNMOS源端接地,衬底接地,栅极相互连接并与二极管的阴极相连接,二极管的阳极接地,当发生ESD时,所述最中间的GGNMOS最先导通,在所述二极管产生偏压,供给其他所有周边所有的GGNMOS栅极偏压,使保护电路中所有的GGNMOS开启均匀。本发明适用于集成电路制造。200510111177.X
一种适用于射频识别标签芯片的静电保护电路
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本实用新型公开了一种适用于射频识别标签芯片的静电保护电路,该电路包括电压比较器电路和电流泻放电路。电压比较器电路包括PMOS管P1,P3和电阻R2,R3,用于检测和比较电压值;电流泻放电路包括NMOS管N1、N2、二极管D1和电阻R1,用于泻放静电脉冲和射频高压。本实用新型减小了输入节点寄生电容,避免了出现高频信号的延时效应,并避免了出现主保护管还没有工作而次保护管就已烧毁的情况,提高了电路的稳定性。此外,本实用新型不仅能实现ESD保护功能还能起到射频限压的作用,仅用一个电路就实现了两种功能,特别适合应用于无源RFID标签芯片。一种适用于射频识别标签芯片的静电保护电路在减少面积降低功耗的同时,还提升了ESD保护电路的保护性能,进一步提高了整个标签芯片的使用寿命。
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本发明公开了一种集成电路中的静电保护电路。本发明集成电路中的静电保护电路,包括多指并联的GGNMOS电路,GGNMOS的漏极接内部电路的前一级,还包括二极管,其中最中间的GGNMOS源端以及衬底与二极管的阴极相连接、栅极接地,该多指并联的GGNMOS电路中其他GGNMOS源端接地,衬底接地,栅极相互连接并与二极管的阴极相连接,二极管的阳极接地,当发生ESD时,所述最中间的GGNMOS最先导通,在所述二极管产生偏压,供给其他所有周边所有的GGNMOS栅极偏压,使保护电路中所有的GGNMOS开启均匀。本发明适用于集成电路制造。200510111177.X
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本实用新型公开了一种适用于射频识别标签芯片的静电保护电路,该电路包括电压比较器电路和电流泻放电路。电压比较器电路包括PMOS管P1,P3和电阻R2,R3,用于检测和比较电压值;电流泻放电路包括NMOS管N1、N2、二极管D1和电阻R1,用于泻放静电脉冲和射频高压。本实用新型减小了输入节点寄生电容,避免了出现高频信号的延时效应,并避免了出现主保护管还没有工作而次保护管就已烧毁的情况,提高了电路的稳定性。此外,本实用新型不仅能实现ESD保护功能还能起到射频限压的作用,仅用一个电路就实现了两种功能,特别适合应用于无源RFID标签芯片。一种适用于射频识别标签芯片的静电保护电路在减少面积降低功耗的同时,还提升了ESD保护电路的保护性能,进一步提高了整个标签芯片的使用寿命。
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本发明公开了一种集成电路中的静电保护电路。本发明集成电路中的静电保护电路,包括多指并联的GGNMOS电路,GGNMOS的漏极接内部电路的前一级,还包括二极管,其中最中间的GGNMOS源端以及衬底与二极管的阴极相连接、栅极接地,该多指并联的GGNMOS电路中其他GGNMOS源端接地,衬底接地,栅极相互连接并与二极管的阴极相连接,二极管的阳极接地,当发生ESD时,所述最中间的GGNMOS最先导通,在所述二极管产生偏压,供给其他所有周边所有的GGNMOS栅极偏压,使保护电路中所有的GGNMOS开启均匀。本发明适用于集成电路制造。200510111177.X
一种适用于射频识别标签芯片的静电保护电路
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
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本实用新型公开了一种适用于射频识别标签芯片的静电保护电路,该电路包括电压比较器电路和电流泻放电路。电压比较器电路包括PMOS管P1,P3和电阻R2,R3,用于检测和比较电压值;电流泻放电路包括NMOS管N1、N2、二极管D1和电阻R1,用于泻放静电脉冲和射频高压。本实用新型减小了输入节点寄生电容,避免了出现高频信号的延时效应,并避免了出现主保护管还没有工作而次保护管就已烧毁的情况,提高了电路的稳定性。此外,本实用新型不仅能实现ESD保护功能还能起到射频限压的作用,仅用一个电路就实现了两种功能,特别适合应用于无源RFID标签芯片。一种适用于射频识别标签芯片的静电保护电路在减少面积降低功耗的同时,还提升了ESD保护电路的保护性能,进一步提高了整个标签芯片的使用寿命。
找到2项技术成果数据。
找技术 >集成电路中的静电保护电路
成熟度:-
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应用行业:科学研究和技术服务业
技术简介
本发明公开了一种集成电路中的静电保护电路。本发明集成电路中的静电保护电路,包括多指并联的GGNMOS电路,GGNMOS的漏极接内部电路的前一级,还包括二极管,其中最中间的GGNMOS源端以及衬底与二极管的阴极相连接、栅极接地,该多指并联的GGNMOS电路中其他GGNMOS源端接地,衬底接地,栅极相互连接并与二极管的阴极相连接,二极管的阳极接地,当发生ESD时,所述最中间的GGNMOS最先导通,在所述二极管产生偏压,供给其他所有周边所有的GGNMOS栅极偏压,使保护电路中所有的GGNMOS开启均匀。本发明适用于集成电路制造。200510111177.X
一种适用于射频识别标签芯片的静电保护电路
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型公开了一种适用于射频识别标签芯片的静电保护电路,该电路包括电压比较器电路和电流泻放电路。电压比较器电路包括PMOS管P1,P3和电阻R2,R3,用于检测和比较电压值;电流泻放电路包括NMOS管N1、N2、二极管D1和电阻R1,用于泻放静电脉冲和射频高压。本实用新型减小了输入节点寄生电容,避免了出现高频信号的延时效应,并避免了出现主保护管还没有工作而次保护管就已烧毁的情况,提高了电路的稳定性。此外,本实用新型不仅能实现ESD保护功能还能起到射频限压的作用,仅用一个电路就实现了两种功能,特别适合应用于无源RFID标签芯片。一种适用于射频识别标签芯片的静电保护电路在减少面积降低功耗的同时,还提升了ESD保护电路的保护性能,进一步提高了整个标签芯片的使用寿命。
找到2项技术成果数据。
找技术 >集成电路中的静电保护电路
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本发明公开了一种集成电路中的静电保护电路。本发明集成电路中的静电保护电路,包括多指并联的GGNMOS电路,GGNMOS的漏极接内部电路的前一级,还包括二极管,其中最中间的GGNMOS源端以及衬底与二极管的阴极相连接、栅极接地,该多指并联的GGNMOS电路中其他GGNMOS源端接地,衬底接地,栅极相互连接并与二极管的阴极相连接,二极管的阳极接地,当发生ESD时,所述最中间的GGNMOS最先导通,在所述二极管产生偏压,供给其他所有周边所有的GGNMOS栅极偏压,使保护电路中所有的GGNMOS开启均匀。本发明适用于集成电路制造。200510111177.X
一种适用于射频识别标签芯片的静电保护电路
成熟度:正在研发
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技术简介
本实用新型公开了一种适用于射频识别标签芯片的静电保护电路,该电路包括电压比较器电路和电流泻放电路。电压比较器电路包括PMOS管P1,P3和电阻R2,R3,用于检测和比较电压值;电流泻放电路包括NMOS管N1、N2、二极管D1和电阻R1,用于泻放静电脉冲和射频高压。本实用新型减小了输入节点寄生电容,避免了出现高频信号的延时效应,并避免了出现主保护管还没有工作而次保护管就已烧毁的情况,提高了电路的稳定性。此外,本实用新型不仅能实现ESD保护功能还能起到射频限压的作用,仅用一个电路就实现了两种功能,特别适合应用于无源RFID标签芯片。一种适用于射频识别标签芯片的静电保护电路在减少面积降低功耗的同时,还提升了ESD保护电路的保护性能,进一步提高了整个标签芯片的使用寿命。