一种电子封装用碳化硅增强铝基复合材料的制备方法

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项目简介
摘要:一种电子封装用碳化硅增强铝基复合材料的制备方法,先对碳化硅颗粒(SiCp)表面进行粗化、敏化、活性、解胶及烘干五步预处理,再用5~12.5 g/l的硫酸铜、10~20g/l的EDTA、5~15g/l的酒石酸钾钠、体积分数1.2~1.5%的甲醛及体积分数0.7~0.9%的甲醇的镀液,在pH值11~12.5、35~47℃的条件下,对SiCp表面镀铜,再采用无压渗透法制备SiCp体积分数为50~55%的铝基复合材料。本发明工艺简便可靠、环保,制得的SiCp/Al复合材料的比强度和比刚度高、耐磨性好、热膨胀系数低,且导热率有极大提高,能很好解决电子封装材料存在的温度过高导致电子元件失效的问题。