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一种基于垂直磁隧道的自旋力矩存储器件

专利类型:非专利类型

技术成熟度:已有样品

所 在 地:广西壮族自治区南宁

最近更新:2019-12-03 10:06:43

行    业:电气自动化-自动化元件,电子信息-微电子

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一种基于垂直磁隧道的自旋力矩存储器件0
    项目简介
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      项目简介:2009年,自旋力矩存储器件被提出,它可以为大密度非易失性存储器和神经形态计算提供快速,低功耗和无限大的存储行为。

      项目核心创新点:一种基于垂直各向异性磁隧道的纳米级自旋-转矩存储器件具有CoFeB/W/CoFeB复合自由层结构的L结。 它的隧穿磁电阻大于200%,并且可以通过自旋转移转矩开关实现记忆行为。 通过围绕W原子团簇的鲁棒畴壁钉扎来维持记忆态,其中通过相反的Dzyaloshinskii-Moriya相互作用之间的竞争和由Ruderman-Kittel-Kasuya-Yo引起的起伏的层间耦合可以形成纳米尺度的垂直手征自旋织构。

      项目详细用途:用于制造功能先进强大的计算存储器。

      预期效益说明:预计可以产生经济效益20亿元。

    交易保障

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