找成果 找技术供应商 找活动
您所在的位置:首页 > 科技成果> 技术成果> 一种基于垂直磁隧道的自旋力矩存储器件

一种基于垂直磁隧道的自旋力矩存储器件

  • 专利类型:非专利类型
  • 来 源:个人
  • 所 在 地:广西壮族自治区南宁
  • 行 业:电气自动化-自动化元件,电子信息-微电子
  • 价格:           
  • 技术成熟度:已有样品
  • 最近更新:1296-91-24 92:20:74
  • 应用领域:电子信息
  • 进入我的专区>>

项目简介

  项目简介:2009年,自旋力矩存储器件被提出,它可以为大密度非易失性存储器和神经形态计算提供快速,低功耗和无限大的存储行为。

  项目核心创新点:一种基于垂直各向异性磁隧道的纳米级自旋-转矩存储器件具有CoFeB/W/CoFeB复合自由层结构的L结。 它的隧穿磁电阻大于200%,并且可以通过自旋转移转矩开关实现记忆行为。 通过围绕W原子团簇的鲁棒畴壁钉扎来维持记忆态,其中通过相反的Dzyaloshinskii-Moriya相互作用之间的竞争和由Ruderman-Kittel-Kasuya-Yo引起的起伏的层间耦合可以形成纳米尺度的垂直手征自旋织构。

  项目详细用途:用于制造功能先进强大的计算存储器。

  预期效益说明:预计可以产生经济效益20亿元。

交易安全保障
1、确保每个项目方信息真实有效;
2、提供全程贴身服务,专业客服人员全程跟进对接环节;
3、提供专业的技术交易咨询服务,协助完成在线签约交易;
4、提供资金担保服务,确保买方资金安全;
5、提供交易订单存证数据,协助处理技术交易纠纷。

问答

我要提问