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一种采用低泄漏和高成品率聚合物电介质的低压印刷全聚合物集成电路方法

专利类型:非专利类型

技术成熟度:已有样品

所 在 地:广西壮族自治区南宁

最近更新:2019-12-03 10:08:31

行    业:电子信息-微电子

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一种采用低泄漏和高成品率聚合物电介质的低压印刷全聚合物集成电路方法0
    项目简介
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      项目简介:在将有机场效应晶体管(OFET)和逻辑电路集成到低成本和大规模生产的消费品中的道路上,基于印刷半导体的全有机器件是满足苛刻成本要求的最佳选择之一。 在这一框架内,如薄膜电池和能量收集器的使用所要求的,实现低电压操作仍然具有挑战性,因为薄膜电池和能量收集器需要高电容和可靠的有机电介质。 介绍了一种适用于低压OFET和逻辑电路的,与顶栅结构兼容的基于对二甲苯-C的介质双层膜的研制。 聚合物双层电介质允许在2V以下操作的全聚合物,可弯曲,透明p型和n型OFET的高产率制造,

      项目核心创新点:性能均匀,成品率高。

      项目详细用途:用于制造先进集成电路。

      预期效益说明:预计可以产生经济效益20亿元。

    交易保障

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