一种高浓度剥离型层状双氢氧化物的制备方法

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技术项目简介
  本发明公开了一种高浓度剥离型层状双氢氧化物的制备方法。共沉淀阶段,纳米SiO2和十二烷基苯磺酸钠作为层状双氢氧化物晶体成核模板;水热阶段,层状双氢氧化物晶体快速生长,纳米SiO2快速转变成为SiO3-2-,被十二烷基苯磺酸根阴离子夹带进入层状双氢氧化物层间,获得了SiO3-2-/十二烷基苯磺酸根层状双氢氧化物。将该层状双氢氧化物在无水乙醇中超声分散获得高浓度纳米级剥离型层状双氢氧化物。本发明方法制得的高浓度剥离型层状双氢氧化物在无水乙醇中经超声剥离浓度高达2g/L。且本发明具有对环境污染小、成本低廉、产量较高的特点,易于推广应用。
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关键词:芯片组,显存,动态调整,集成显卡
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