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一种用于干式化学检测的积分球装置
成熟度： 正在研发
应用行业： 新材料
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一种红外量子阱光电探测器的吸收结构
成熟度： 正在研发
应用行业： 电子信息
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金属/半导体/金属结构TiO2紫外光探测器的制备方法
成熟度： 通过中试
应用行业： 新材料
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碳化硅紫外光电探测器
成熟度： 可规模生产
应用行业： 新材料
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背入射式TiO2紫外光探测器及其制备方法
成熟度： 中试阶段
应用行业： 科学分析仪器/检测仪器
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基于α-Ga2O3外延薄膜的日盲紫外光电器件研究
成熟度： -
应用行业： 通信网络技术
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大容量光纤通讯用金属--半导体--金属光电探测器
成熟度： -
应用行业： 半导体新材料制备与应用技术
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低晶格失配衬底上ZnMgO薄膜制备及其紫外光电探测的应用基础研究
成熟度： -
应用行业： 半导体新材料制备与应用技术
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一种用于干式化学分析的多通道光电检测装置
成熟度： 正在研发
应用行业： 新材料
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GaN基材料及紫外探测器
成熟度： 正在研发
应用行业： 新材料
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基于宽光谱响应CuPc/F4‑TCNQ结构的光电探测器及其制备方法
成熟度： 正在研发
应用行业： 电子信息
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一种交替增量式测量微位移传感器
成熟度： 正在研发
应用行业： 其他
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氧化锌光电功能薄膜材料
成熟度： -
应用行业： 纳米及粉末冶金新材料制备与应用技术
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大容量光纤通讯用金属-半导体-金属光电探测器
成熟度： -
应用行业： 半导体新材料制备与应用技术
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一种金属探测器
成熟度： 正在研发
应用行业： 电子信息
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一种交替增量式测量微位移传感器及测量方法
成熟度： 正在研发
应用行业： 其他
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碘化汞单晶体
成熟度： -
应用行业： 新型纤维及复合材料制备技术
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氮化镓基紫外—红外双色集成探测器
成熟度： -
应用行业： 半导体新材料制备与应用技术
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偏振同步相移干涉仪
成熟度： -
应用行业： 光传输系统技术
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高灵敏III族氮化物半导体紫外探测技术
成熟度： -
应用行业： 半导体新材料制备与应用技术
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金刚石膜紫外光电探测器
成熟度： 正在研发
应用行业： 新材料
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一种新型交替增量式测量微位移传感器
成熟度： 正在研发
应用行业： 先进制造与自动化
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碳化硅紫外光电探测器
成熟度： 可规模生产
应用行业： 敏感元器件与传感器
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基于四象限探测器的脉冲气体激光器腔内流场测量装置
成熟度： 正在研发
应用行业： 其他
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一种基于手性金属吸收的热电子的光电探测器
专利号： 2019105830798
专利类型： 发明
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一种基于二维晶格的紫外单波长MSM光电探测器
专利号： 2013104617472
专利类型： 发明
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一种高外量子效率的深紫外MSM光电探测器
专利号： 2018107084699
专利类型： 发明
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基于(AlxGa1-x)2O3材料MSM结构的紫外光电探测器及其制备方法
专利号： CN109285910B
专利类型： 发明
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一种凹槽型电极结构的InGaN基MSM可见光光电探测器
专利号： CN107482070A
专利类型： 发明
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基于级联DE-MZM大范围可重构UWB的产生方法
专利号： CN107395285A
专利类型： 发明
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基于纳米孔阵式超短周期超晶格的深紫外MSM光电探测器
专利号： CN108878547B
专利类型： 发明
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基于(AlxGa1-x)2O3材料MSM结构的紫外光电探测器及其制备方法
专利号： CN109301002B
专利类型： 发明
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一种交替增量式测量微位移传感器
专利号： CN205619887U
专利类型： 实用新型
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基于m面BeMgZnO薄膜的自发极化增强型光电探测器及其制备方法
专利号： CN109616535B
专利类型： 发明
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一种Zn:Ga2O3薄膜基MSM结构日盲紫外光电探测器及其制备方法
专利号： CN106409963B
专利类型： 发明
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一种探测功率范围可调的光电探测器
专利号： CN1219327C
专利类型： 发明
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基于光纤传感的自控燃气表
专利号： 201520851123.6
专利类型： 实用新型
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全光纤光功率监测器
专利号： CN101325453B
专利类型： 发明
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抗逆杨树的分子标记、筛选方法、试剂盒及应用
专利号： CN104293775A
专利类型： 发明
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一种光电探测器的非线性校准系统及方法
专利号： CN107504997B
专利类型： 发明
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一种长寿命的宽带倍增型有机光电探测器及制备方法
专利号： CN108807688A
专利类型： 发明
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一种与硅双极工艺兼容的光电探测传感器
专利号： 2015105195814
专利类型： 发明
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一种MSM光电探测器的制备方法及MSM光电探测器
专利号： CN103268903A
专利类型： 发明
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一种应力调控紫外多波长MSM光电探测器
专利号： CN208062084U
专利类型： 实用新型
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一种凹槽型电极结构的InGaN基MSM可见光光电探测器
专利号： CN107482070B
专利类型： 发明
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一种可调控光分布的MSM紫外探测器及其制备方法
专利号： CN110581186A
专利类型： 发明
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掩埋式电极的GaN紫外光电探测传感器及其应用电路模块
专利号： CN107546283B
专利类型： 发明
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基于单个调制器产生多路无线和有线信号的系统
专利号： CN111901040B
专利类型： 发明
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一维硫碘化锑半导体纳米线光电探测器及其制备方法
专利号： CN110156077A
专利类型： 发明
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基于m面ZnOS薄膜的自发极化增强型光电探测器及其制备方法
专利号： CN109560161B
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MSM型多孔氧化镓日盲探测器及其制造方法
专利号： CN110970513B
专利类型： 发明
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一种交替增量式测量微位移传感器及测量方法
专利号： 2016103352726
专利类型： 发明
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一种基于双光电探测器的光电检测电路
专利号： 2015105195852
专利类型： 发明
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一种应力调控紫外多波长MSM光电探测器
专利号： 2018205531833
专利类型： 实用新型
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基于(AlxGa1-x)2O3材料MSM结构的紫外光电探测器及其制备方法
专利号： CN109285910A
专利类型： 发明
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抗逆杨树的分子标记、筛选方法、试剂盒及应用
专利号： CN104293775B
专利类型： 发明
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一种可调控光分布的MSM紫外探测器及其制备方法
专利号： CN110581186B
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一种MSM光电探测器的制备方法及MSM光电探测器
专利号： CN103268903B
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一种集成周期陷光结构的MSM光电探测器的制备方法
专利号： CN110752268B
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一种基于β-GeS2的紫外偏振光探测器件
专利号： CN111446312A
专利类型： 发明
