蚀刻技术推荐

华为不会孤单,芯片蚀刻技术我国领先国际!

芯片设计十分复杂繁琐,简单的说就是盖一栋比北京还要大的楼,还需要能满足各种功能,芯片生产也不遑多让。首先需要一个纯度达9个9以上的硅片,然后需要经过湿洗、光刻、离子注入、蚀刻、等离子冲洗、热处理、气相淀积等等流程,最后测试打磨封装出厂。具体流程复杂难懂,今天只讲讲其中最重要的两个,光刻和蚀刻,也就是使用光刻机和蚀刻机的两个环节。

光刻就是在硅片上涂上一层均匀的光刻胶,光刻胶只能被光腐蚀,不会被化学物质腐蚀,然后按照设计利用紫外线照射,把不需要的地方腐蚀掉,制作出所需要的图案。蚀刻就是按照光照射的图案进行雕刻,蚀刻出栅极,也就是晶体管。

简单来说,光刻就是在木头上描摹出字,蚀刻就是根据字在木头上雕刻字,让2D转为3D。不过这种形容不是很准确,实际操作的难度远远超过所形容的。

蚀刻技术推荐

  • 一种PCB线路板蚀刻废液的资源化处理及循环利用方法

    专利号:CN201310528684.8

    摘要:本发明涉及一种PCB线路板蚀刻废液的资源化处理及循环利用的方法。在蚀刻废液中添加碱源以促进水中的铜氨络合离子进行分解,并将游离的铵根离子转变成分子态氨,混合反应后的废水进入反应脱氨塔,在反应脱氨塔中铜氨络合离子进一步分解,同时水中的游离氨分子以气态从塔顶排出,进入氨吸收塔中被浓盐酸吸收为氯化铵溶液实现铵/氨资源回收,废水中的铜离子形成铜化合物沉淀进行回收。本发明对线路板蚀刻废液的氨氮去除率和氨回收率均在99.9%以上,铜的回收率95%,并将氨回收与氯化铵合成工艺耦合,将废液中的氨/铵、铜分别回收,回收制备的氯化铵溶液补充添加剂、去离子水后可作为新蚀刻液循环使用,实现线路板蚀刻工序氨氮废水的全组分资源化利用。

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  • 一种电解再生含镍三氯化铁蚀刻废液并联产铁黄的方法

    专利号:CN201410764425.X

    本发明公开了一种电解再生含镍三氯化铁蚀刻废液并联产铁黄的方法,包括以下步骤:采用阴离子膜电解法对蚀刻废液进行电解,分别获得阳极液和阴极液;向阴极液中加入碱液和分散剂,并通入空气进行反应,反应完成后离心,分别获得纳米铁黄粉体和铁黄过滤液;向铁黄过滤液中加入沉淀剂进行反应,反应完成后过滤,分别获得铁镍共沉淀物和滤液,滤液经活性炭吸附后排放。本发明经电解获得的阳极液即为再生三氯化铁蚀刻液,成分符合蚀刻工艺中对三氯化铁蚀刻液的质量要求,可以直接回收利用;通过碱法利用阴极液制备纳米铁黄粉体,进一步回收利用铁资源;Ni2+主要富集在铁黄过滤液,经沉淀剂沉淀后的滤液经简单吸附后即可按电镀行业标准达标排放。

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  • 一种电解再生碱性蚀刻液的方法

    专利号:CN201210162539.8

    本发明公开了一种电解再生碱性蚀刻液的方法,包括:电解前,将碱性蚀刻废液注入阳极贮液槽和阴极贮液槽中,电解过程中,通过耐腐蚀泵使阳极贮液槽中的碱性蚀刻废液在阳极室和阳极贮液槽中循环流动,使阴极贮液槽中的碱性蚀刻废液在阴极室和阴极贮液槽中循环流动,电解完成后,阳极贮液槽和阴极贮液槽中的碱性蚀刻废液分别电解形成阳极液和阴极液,以阳极液为原料再生蚀刻液,以阴极液为原料制备氯化亚铜。本发明方法使阳极电能得到充分利用,蚀刻的质量大为提高,同时充分利用了铜资源,不产生污染和浪费。

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  • 直写纳米蚀刻的方法

    专利号:CN200610138990.0

    摘要:一种直写纳米蚀刻方法,其包括提供一个固体基质;提供一个涂覆有墨水的针尖;以及使墨水从针尖传送到基质上,从而在固体基质上得到一个稳定的纳米结构,其中传送步骤是通过毛细作用使墨水从针尖流到基质上,其中墨水对基质具有化学亲和性。

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  • 一种RFID易撕蚀刻天线

    专利号:CN201320255142.3

    摘要:本实用新型涉及一种RFID易撕蚀刻天线,包括天线、支撑层(3),所述的天线粘接于支撑层(3),所述的天线包括天线电路层(1)和薄膜基材(2),天线电路层(1)与薄膜基材(2)粘接,薄膜基材(2)与所述的支撑层(3)粘接。本实用新型超高频RFID易撕蚀刻天线与现有技术相比,其制造工艺稳定性好、成品率高、成本低、易于剥离转移,而且剥离效果好,后道封装工艺简单,适合大规模工业化生产。

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  • 一种蚀刻液及其制备方法

    专利号:CN201310100019.9

    本发明公开一种对工件进行化学蚀刻加工中所用的蚀刻液,所述蚀刻液包括以下重量百分比的组分:三氯化铁20~50%、硝酸10~15%、氯化钠5~10%,余量为水。本发明所公开的蚀刻液,能够将所蚀刻金属成分中呈离子状态易结合生成难溶物质的镍、硅等离子转化生成可溶性盐,增强蚀刻液对金属的蚀刻能力,提高了反应速率,同时,可在工件表面掩膜覆盖部分自下而上发生侧蚀,侧蚀速率平稳,易于控制,被蚀刻加工的工件表面凹坑处易形成平滑过渡、截面形状近似正弦曲线的波谷,无明显棱边,具有较好的侧蚀效果。另外,本发明还公开了所述蚀刻液的制备方法,简便易于操作。

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  • 一种用于金属制品的双面蚀刻方法

    专利号:CN201310275951.5

    本发明公开一种用于金属制品的双面蚀刻方法,所述方法包括以下过程:在金属制品的上表面和下表面进行掩膜处理,所述上表面和下表面的掩膜层图案对应一致;先将掩膜后的金属制品上表面或下表面置于蚀刻机进行喷淋蚀刻,然后将金属制品翻转,将金属制品的下表面或上表面置于蚀刻机进行喷淋蚀刻,完成对金属制品的双面蚀刻;对双面蚀刻后的金属制品进行脱膜处理,除去掩膜层,并进行清洗、抛光后处理。本发明所述方法可在金属制品上加工出尺寸精度较好的微小通孔结果,侧蚀量小,加工效率高,适合大规模生产加工的需求。

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  • 一种蚀刻方法

    专利号:CN201310099980.0

    本发明公开一种蚀刻方法,所述方法先对掩膜处理后的工件进行初次蚀刻,基本形成断面呈梯形的凸凹图形,然后对初次蚀刻后的工件脱膜,并进行再次蚀刻,去掉棱边和棱角,最后进行将工件在蚀刻液中静液浸泡,进行进一步修形,最终在工件表面加工出具有平滑过度效果、断面呈凸凹状圆锥形的阵列微结构。本发明所公开的方法可用于所有可以用模具注塑加工出的产品中,例如电脑、手机、电子产品、汽车内饰、眼镜架等,可在产品表面加工出具有平滑过度效果、断面呈凸凹状圆锥形的阵列微结构,不仅增加美观,为人们的视觉带来丰富性和多样性,而且具有防滑效果。

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  • 一种蚀刻方法及其所用蚀刻抛光液

    专利号:CN201310178584.7

    本发明公开一种用于金属制品平面以及与所述平面连接的曲面进行蚀刻加工的方法,所述方法通过控制在金属制品平面和曲面上掩膜块和掩膜间隙的尺寸,以及在蚀刻过程中对蚀刻时间、蚀刻压力等相关工艺参数的控制,在金属制品表面形成凸凹起伏的连续微结构,凹坑的深度从平面的中心到曲面的边缘逐渐减小,凹坑截面呈正弦波的波谷状圆弧,凸起无明显棱边,凸起转接处平滑过渡,凸起的截面近似四棱柱状,整体结构过渡平缓,微结构呈现从有到无逐渐过渡性的衔接,具备较好的视觉和触觉效果,能够满足更好的防滑性能和美观要求。

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什么是蚀刻技术?

原理

通常所指蚀刻也称光化学蚀刻(photochemical etching),指通过曝光制版、显影后,将要蚀刻区域的保护膜去除,在蚀刻时接触化学溶液,达到溶解腐蚀的作用,形成凹凸或者镂空成型的效果。最早可用来制造铜版、锌版等印刷凹凸版,也广泛地被使用于减轻重量(weight reduction)仪器镶板,铭牌及传统加工法难以加工之薄形工件等的加工;经过不断改良和工艺设备发展,亦可以用于航空、机械、化学工业中电子薄片零件精密蚀刻产品的加工,特别在半导体制程上,蚀刻更是不可或缺的技术。

工艺流程:

  曝光法:工程根据图形开出备料尺寸-材料准备-材料清洗-烘干→贴膜或涂布→烘干→曝光→ 显影→烘干-蚀刻→脱膜→ok。

网印法:开料→清洗板材(不锈钢其它金属材料)→丝网印→蚀刻→脱膜→ok

传统工艺流程真的是太复杂了,蚀刻前的每一道工序都不能省去

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