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找技术 >一种用于氮化镓外延生长的复合衬底
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
该发明提供一种用于氮化镓外延生长的复合衬底,该衬底由单晶硅片、二氧化硅层和单晶硅薄膜单元构成的阵列层组成。单晶硅薄膜单元为正方形,边长由光刻技术所能达到的最小线宽决定,厚度为2-100nm,单元间隔小于或等于所要生长GaN外延层的厚度。本发明的优点是结构简单,成本低廉,便于大规模生产,可以生长面积大、厚度大、位错密度非常低的GaN外延层,可用于制造发光亮度高、电学性质优良的GaN基半导体发光二极管、半导体激光器及其它光电子器件。
一种制备GaN薄膜材料的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
制备GaN薄膜材料的方法,在GaN/蓝宝石复合衬底上蒸镀金属镍(Ni)薄膜,退火得到纳米Ni颗粒,然后采用电感耦合等离子体刻蚀(ICP)方式蚀刻未被Ni覆盖的GaN/蓝宝石复合衬底上的GaN,形成纳米结构的GaN/蓝宝石复合衬底。在此纳米结构复合衬底上进行GaN的氢化物气相外延(HVPE)生长得到低应力高质量的GaN薄膜或者自支撑GaN衬底材料。本发明获得低应力高质量GaN薄膜材料。
一种半导体外延用的柔性复合衬底及制造方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明属于半导体领域,公开了一种半导体外延用的柔性复合衬底及制造方法,取两片厚度为100微米‑1000微米抛光的硅片,每片的抛光面蒸发或溅射上0.1微米‑5微米的金属铝,然后通过两片硅片上的铝贴合在一起进行高温键合,将两片硅片键合在一起;在键合的过程中部分铝和硅形成合金,硅片之间也会残留铝层,铝层厚度小于或等于0.5微米;将键合在一起两片硅片的一片进行减薄抛光到1微米‑10微米的厚度制成柔性衬底;柔性衬底的薄硅片一面向上,外延生长半导体薄膜材料。本发明通过将硅衬底制作成柔性衬底从而减少硅与半导体薄膜之间的热适配,这样就减少了硅与半导体薄膜之间的膨胀系数差异引起的应力。
锰酸钇薄膜台阶低能耗阻变存储器及其制备、使用方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明公开了一种锰酸钇薄膜台阶低能耗阻变存储器,包括Pt/TiO2/SiO2/Si复合衬底层和设置在Pt/TiO2/SiO2/Si复合衬底层上表面的YMO薄膜台阶层,YMO薄膜台阶层包括YMO薄膜厚层和YMO薄膜薄层,YMO薄膜台阶层的上表面设置有金属上电极层,Pt/TiO2/SiO2/Si复合衬底层中的Pt层作为下电极层。本发明具有工作特性高度稳定、低能耗、可反复循环使用的优点,能够有效克服信息存储过程中产生的耗电和散热问题,同时具有优良的循环耐受性、保持特性和擦写速度。
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该发明提供一种用于氮化镓外延生长的复合衬底,该衬底由单晶硅片、二氧化硅层和单晶硅薄膜单元构成的阵列层组成。单晶硅薄膜单元为正方形,边长由光刻技术所能达到的最小线宽决定,厚度为2-100nm,单元间隔小于或等于所要生长GaN外延层的厚度。本发明的优点是结构简单,成本低廉,便于大规模生产,可以生长面积大、厚度大、位错密度非常低的GaN外延层,可用于制造发光亮度高、电学性质优良的GaN基半导体发光二极管、半导体激光器及其它光电子器件。
一种制备GaN薄膜材料的方法
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制备GaN薄膜材料的方法,在GaN/蓝宝石复合衬底上蒸镀金属镍(Ni)薄膜,退火得到纳米Ni颗粒,然后采用电感耦合等离子体刻蚀(ICP)方式蚀刻未被Ni覆盖的GaN/蓝宝石复合衬底上的GaN,形成纳米结构的GaN/蓝宝石复合衬底。在此纳米结构复合衬底上进行GaN的氢化物气相外延(HVPE)生长得到低应力高质量的GaN薄膜或者自支撑GaN衬底材料。本发明获得低应力高质量GaN薄膜材料。
一种半导体外延用的柔性复合衬底及制造方法
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本发明属于半导体领域,公开了一种半导体外延用的柔性复合衬底及制造方法,取两片厚度为100微米‑1000微米抛光的硅片,每片的抛光面蒸发或溅射上0.1微米‑5微米的金属铝,然后通过两片硅片上的铝贴合在一起进行高温键合,将两片硅片键合在一起;在键合的过程中部分铝和硅形成合金,硅片之间也会残留铝层,铝层厚度小于或等于0.5微米;将键合在一起两片硅片的一片进行减薄抛光到1微米‑10微米的厚度制成柔性衬底;柔性衬底的薄硅片一面向上,外延生长半导体薄膜材料。本发明通过将硅衬底制作成柔性衬底从而减少硅与半导体薄膜之间的热适配,这样就减少了硅与半导体薄膜之间的膨胀系数差异引起的应力。
锰酸钇薄膜台阶低能耗阻变存储器及其制备、使用方法
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技术类型:发明
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技术简介
摘要:本发明公开了一种锰酸钇薄膜台阶低能耗阻变存储器,包括Pt/TiO2/SiO2/Si复合衬底层和设置在Pt/TiO2/SiO2/Si复合衬底层上表面的YMO薄膜台阶层,YMO薄膜台阶层包括YMO薄膜厚层和YMO薄膜薄层,YMO薄膜台阶层的上表面设置有金属上电极层,Pt/TiO2/SiO2/Si复合衬底层中的Pt层作为下电极层。本发明具有工作特性高度稳定、低能耗、可反复循环使用的优点,能够有效克服信息存储过程中产生的耗电和散热问题,同时具有优良的循环耐受性、保持特性和擦写速度。
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该发明提供一种用于氮化镓外延生长的复合衬底,该衬底由单晶硅片、二氧化硅层和单晶硅薄膜单元构成的阵列层组成。单晶硅薄膜单元为正方形,边长由光刻技术所能达到的最小线宽决定,厚度为2-100nm,单元间隔小于或等于所要生长GaN外延层的厚度。本发明的优点是结构简单,成本低廉,便于大规模生产,可以生长面积大、厚度大、位错密度非常低的GaN外延层,可用于制造发光亮度高、电学性质优良的GaN基半导体发光二极管、半导体激光器及其它光电子器件。
一种制备GaN薄膜材料的方法
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制备GaN薄膜材料的方法,在GaN/蓝宝石复合衬底上蒸镀金属镍(Ni)薄膜,退火得到纳米Ni颗粒,然后采用电感耦合等离子体刻蚀(ICP)方式蚀刻未被Ni覆盖的GaN/蓝宝石复合衬底上的GaN,形成纳米结构的GaN/蓝宝石复合衬底。在此纳米结构复合衬底上进行GaN的氢化物气相外延(HVPE)生长得到低应力高质量的GaN薄膜或者自支撑GaN衬底材料。本发明获得低应力高质量GaN薄膜材料。
一种半导体外延用的柔性复合衬底及制造方法
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本发明属于半导体领域,公开了一种半导体外延用的柔性复合衬底及制造方法,取两片厚度为100微米‑1000微米抛光的硅片,每片的抛光面蒸发或溅射上0.1微米‑5微米的金属铝,然后通过两片硅片上的铝贴合在一起进行高温键合,将两片硅片键合在一起;在键合的过程中部分铝和硅形成合金,硅片之间也会残留铝层,铝层厚度小于或等于0.5微米;将键合在一起两片硅片的一片进行减薄抛光到1微米‑10微米的厚度制成柔性衬底;柔性衬底的薄硅片一面向上,外延生长半导体薄膜材料。本发明通过将硅衬底制作成柔性衬底从而减少硅与半导体薄膜之间的热适配,这样就减少了硅与半导体薄膜之间的膨胀系数差异引起的应力。
锰酸钇薄膜台阶低能耗阻变存储器及其制备、使用方法
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摘要:本发明公开了一种锰酸钇薄膜台阶低能耗阻变存储器,包括Pt/TiO2/SiO2/Si复合衬底层和设置在Pt/TiO2/SiO2/Si复合衬底层上表面的YMO薄膜台阶层,YMO薄膜台阶层包括YMO薄膜厚层和YMO薄膜薄层,YMO薄膜台阶层的上表面设置有金属上电极层,Pt/TiO2/SiO2/Si复合衬底层中的Pt层作为下电极层。本发明具有工作特性高度稳定、低能耗、可反复循环使用的优点,能够有效克服信息存储过程中产生的耗电和散热问题,同时具有优良的循环耐受性、保持特性和擦写速度。
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该发明提供一种用于氮化镓外延生长的复合衬底,该衬底由单晶硅片、二氧化硅层和单晶硅薄膜单元构成的阵列层组成。单晶硅薄膜单元为正方形,边长由光刻技术所能达到的最小线宽决定,厚度为2-100nm,单元间隔小于或等于所要生长GaN外延层的厚度。本发明的优点是结构简单,成本低廉,便于大规模生产,可以生长面积大、厚度大、位错密度非常低的GaN外延层,可用于制造发光亮度高、电学性质优良的GaN基半导体发光二极管、半导体激光器及其它光电子器件。
一种制备GaN薄膜材料的方法
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制备GaN薄膜材料的方法,在GaN/蓝宝石复合衬底上蒸镀金属镍(Ni)薄膜,退火得到纳米Ni颗粒,然后采用电感耦合等离子体刻蚀(ICP)方式蚀刻未被Ni覆盖的GaN/蓝宝石复合衬底上的GaN,形成纳米结构的GaN/蓝宝石复合衬底。在此纳米结构复合衬底上进行GaN的氢化物气相外延(HVPE)生长得到低应力高质量的GaN薄膜或者自支撑GaN衬底材料。本发明获得低应力高质量GaN薄膜材料。
一种半导体外延用的柔性复合衬底及制造方法
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本发明属于半导体领域,公开了一种半导体外延用的柔性复合衬底及制造方法,取两片厚度为100微米‑1000微米抛光的硅片,每片的抛光面蒸发或溅射上0.1微米‑5微米的金属铝,然后通过两片硅片上的铝贴合在一起进行高温键合,将两片硅片键合在一起;在键合的过程中部分铝和硅形成合金,硅片之间也会残留铝层,铝层厚度小于或等于0.5微米;将键合在一起两片硅片的一片进行减薄抛光到1微米‑10微米的厚度制成柔性衬底;柔性衬底的薄硅片一面向上,外延生长半导体薄膜材料。本发明通过将硅衬底制作成柔性衬底从而减少硅与半导体薄膜之间的热适配,这样就减少了硅与半导体薄膜之间的膨胀系数差异引起的应力。
锰酸钇薄膜台阶低能耗阻变存储器及其制备、使用方法
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摘要:本发明公开了一种锰酸钇薄膜台阶低能耗阻变存储器,包括Pt/TiO2/SiO2/Si复合衬底层和设置在Pt/TiO2/SiO2/Si复合衬底层上表面的YMO薄膜台阶层,YMO薄膜台阶层包括YMO薄膜厚层和YMO薄膜薄层,YMO薄膜台阶层的上表面设置有金属上电极层,Pt/TiO2/SiO2/Si复合衬底层中的Pt层作为下电极层。本发明具有工作特性高度稳定、低能耗、可反复循环使用的优点,能够有效克服信息存储过程中产生的耗电和散热问题,同时具有优良的循环耐受性、保持特性和擦写速度。
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该发明提供一种用于氮化镓外延生长的复合衬底,该衬底由单晶硅片、二氧化硅层和单晶硅薄膜单元构成的阵列层组成。单晶硅薄膜单元为正方形,边长由光刻技术所能达到的最小线宽决定,厚度为2-100nm,单元间隔小于或等于所要生长GaN外延层的厚度。本发明的优点是结构简单,成本低廉,便于大规模生产,可以生长面积大、厚度大、位错密度非常低的GaN外延层,可用于制造发光亮度高、电学性质优良的GaN基半导体发光二极管、半导体激光器及其它光电子器件。
一种制备GaN薄膜材料的方法
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制备GaN薄膜材料的方法,在GaN/蓝宝石复合衬底上蒸镀金属镍(Ni)薄膜,退火得到纳米Ni颗粒,然后采用电感耦合等离子体刻蚀(ICP)方式蚀刻未被Ni覆盖的GaN/蓝宝石复合衬底上的GaN,形成纳米结构的GaN/蓝宝石复合衬底。在此纳米结构复合衬底上进行GaN的氢化物气相外延(HVPE)生长得到低应力高质量的GaN薄膜或者自支撑GaN衬底材料。本发明获得低应力高质量GaN薄膜材料。
一种半导体外延用的柔性复合衬底及制造方法
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本发明属于半导体领域,公开了一种半导体外延用的柔性复合衬底及制造方法,取两片厚度为100微米‑1000微米抛光的硅片,每片的抛光面蒸发或溅射上0.1微米‑5微米的金属铝,然后通过两片硅片上的铝贴合在一起进行高温键合,将两片硅片键合在一起;在键合的过程中部分铝和硅形成合金,硅片之间也会残留铝层,铝层厚度小于或等于0.5微米;将键合在一起两片硅片的一片进行减薄抛光到1微米‑10微米的厚度制成柔性衬底;柔性衬底的薄硅片一面向上,外延生长半导体薄膜材料。本发明通过将硅衬底制作成柔性衬底从而减少硅与半导体薄膜之间的热适配,这样就减少了硅与半导体薄膜之间的膨胀系数差异引起的应力。
锰酸钇薄膜台阶低能耗阻变存储器及其制备、使用方法
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摘要:本发明公开了一种锰酸钇薄膜台阶低能耗阻变存储器,包括Pt/TiO2/SiO2/Si复合衬底层和设置在Pt/TiO2/SiO2/Si复合衬底层上表面的YMO薄膜台阶层,YMO薄膜台阶层包括YMO薄膜厚层和YMO薄膜薄层,YMO薄膜台阶层的上表面设置有金属上电极层,Pt/TiO2/SiO2/Si复合衬底层中的Pt层作为下电极层。本发明具有工作特性高度稳定、低能耗、可反复循环使用的优点,能够有效克服信息存储过程中产生的耗电和散热问题,同时具有优良的循环耐受性、保持特性和擦写速度。
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该发明提供一种用于氮化镓外延生长的复合衬底,该衬底由单晶硅片、二氧化硅层和单晶硅薄膜单元构成的阵列层组成。单晶硅薄膜单元为正方形,边长由光刻技术所能达到的最小线宽决定,厚度为2-100nm,单元间隔小于或等于所要生长GaN外延层的厚度。本发明的优点是结构简单,成本低廉,便于大规模生产,可以生长面积大、厚度大、位错密度非常低的GaN外延层,可用于制造发光亮度高、电学性质优良的GaN基半导体发光二极管、半导体激光器及其它光电子器件。
一种制备GaN薄膜材料的方法
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制备GaN薄膜材料的方法,在GaN/蓝宝石复合衬底上蒸镀金属镍(Ni)薄膜,退火得到纳米Ni颗粒,然后采用电感耦合等离子体刻蚀(ICP)方式蚀刻未被Ni覆盖的GaN/蓝宝石复合衬底上的GaN,形成纳米结构的GaN/蓝宝石复合衬底。在此纳米结构复合衬底上进行GaN的氢化物气相外延(HVPE)生长得到低应力高质量的GaN薄膜或者自支撑GaN衬底材料。本发明获得低应力高质量GaN薄膜材料。
一种半导体外延用的柔性复合衬底及制造方法
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本发明属于半导体领域,公开了一种半导体外延用的柔性复合衬底及制造方法,取两片厚度为100微米‑1000微米抛光的硅片,每片的抛光面蒸发或溅射上0.1微米‑5微米的金属铝,然后通过两片硅片上的铝贴合在一起进行高温键合,将两片硅片键合在一起;在键合的过程中部分铝和硅形成合金,硅片之间也会残留铝层,铝层厚度小于或等于0.5微米;将键合在一起两片硅片的一片进行减薄抛光到1微米‑10微米的厚度制成柔性衬底;柔性衬底的薄硅片一面向上,外延生长半导体薄膜材料。本发明通过将硅衬底制作成柔性衬底从而减少硅与半导体薄膜之间的热适配,这样就减少了硅与半导体薄膜之间的膨胀系数差异引起的应力。
锰酸钇薄膜台阶低能耗阻变存储器及其制备、使用方法
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摘要:本发明公开了一种锰酸钇薄膜台阶低能耗阻变存储器,包括Pt/TiO2/SiO2/Si复合衬底层和设置在Pt/TiO2/SiO2/Si复合衬底层上表面的YMO薄膜台阶层,YMO薄膜台阶层包括YMO薄膜厚层和YMO薄膜薄层,YMO薄膜台阶层的上表面设置有金属上电极层,Pt/TiO2/SiO2/Si复合衬底层中的Pt层作为下电极层。本发明具有工作特性高度稳定、低能耗、可反复循环使用的优点,能够有效克服信息存储过程中产生的耗电和散热问题,同时具有优良的循环耐受性、保持特性和擦写速度。
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该发明提供一种用于氮化镓外延生长的复合衬底,该衬底由单晶硅片、二氧化硅层和单晶硅薄膜单元构成的阵列层组成。单晶硅薄膜单元为正方形,边长由光刻技术所能达到的最小线宽决定,厚度为2-100nm,单元间隔小于或等于所要生长GaN外延层的厚度。本发明的优点是结构简单,成本低廉,便于大规模生产,可以生长面积大、厚度大、位错密度非常低的GaN外延层,可用于制造发光亮度高、电学性质优良的GaN基半导体发光二极管、半导体激光器及其它光电子器件。
一种制备GaN薄膜材料的方法
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制备GaN薄膜材料的方法,在GaN/蓝宝石复合衬底上蒸镀金属镍(Ni)薄膜,退火得到纳米Ni颗粒,然后采用电感耦合等离子体刻蚀(ICP)方式蚀刻未被Ni覆盖的GaN/蓝宝石复合衬底上的GaN,形成纳米结构的GaN/蓝宝石复合衬底。在此纳米结构复合衬底上进行GaN的氢化物气相外延(HVPE)生长得到低应力高质量的GaN薄膜或者自支撑GaN衬底材料。本发明获得低应力高质量GaN薄膜材料。
一种半导体外延用的柔性复合衬底及制造方法
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本发明属于半导体领域,公开了一种半导体外延用的柔性复合衬底及制造方法,取两片厚度为100微米‑1000微米抛光的硅片,每片的抛光面蒸发或溅射上0.1微米‑5微米的金属铝,然后通过两片硅片上的铝贴合在一起进行高温键合,将两片硅片键合在一起;在键合的过程中部分铝和硅形成合金,硅片之间也会残留铝层,铝层厚度小于或等于0.5微米;将键合在一起两片硅片的一片进行减薄抛光到1微米‑10微米的厚度制成柔性衬底;柔性衬底的薄硅片一面向上,外延生长半导体薄膜材料。本发明通过将硅衬底制作成柔性衬底从而减少硅与半导体薄膜之间的热适配,这样就减少了硅与半导体薄膜之间的膨胀系数差异引起的应力。
锰酸钇薄膜台阶低能耗阻变存储器及其制备、使用方法
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摘要:本发明公开了一种锰酸钇薄膜台阶低能耗阻变存储器,包括Pt/TiO2/SiO2/Si复合衬底层和设置在Pt/TiO2/SiO2/Si复合衬底层上表面的YMO薄膜台阶层,YMO薄膜台阶层包括YMO薄膜厚层和YMO薄膜薄层,YMO薄膜台阶层的上表面设置有金属上电极层,Pt/TiO2/SiO2/Si复合衬底层中的Pt层作为下电极层。本发明具有工作特性高度稳定、低能耗、可反复循环使用的优点,能够有效克服信息存储过程中产生的耗电和散热问题,同时具有优良的循环耐受性、保持特性和擦写速度。
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该发明提供一种用于氮化镓外延生长的复合衬底,该衬底由单晶硅片、二氧化硅层和单晶硅薄膜单元构成的阵列层组成。单晶硅薄膜单元为正方形,边长由光刻技术所能达到的最小线宽决定,厚度为2-100nm,单元间隔小于或等于所要生长GaN外延层的厚度。本发明的优点是结构简单,成本低廉,便于大规模生产,可以生长面积大、厚度大、位错密度非常低的GaN外延层,可用于制造发光亮度高、电学性质优良的GaN基半导体发光二极管、半导体激光器及其它光电子器件。
一种制备GaN薄膜材料的方法
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制备GaN薄膜材料的方法,在GaN/蓝宝石复合衬底上蒸镀金属镍(Ni)薄膜,退火得到纳米Ni颗粒,然后采用电感耦合等离子体刻蚀(ICP)方式蚀刻未被Ni覆盖的GaN/蓝宝石复合衬底上的GaN,形成纳米结构的GaN/蓝宝石复合衬底。在此纳米结构复合衬底上进行GaN的氢化物气相外延(HVPE)生长得到低应力高质量的GaN薄膜或者自支撑GaN衬底材料。本发明获得低应力高质量GaN薄膜材料。
一种半导体外延用的柔性复合衬底及制造方法
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本发明属于半导体领域,公开了一种半导体外延用的柔性复合衬底及制造方法,取两片厚度为100微米‑1000微米抛光的硅片,每片的抛光面蒸发或溅射上0.1微米‑5微米的金属铝,然后通过两片硅片上的铝贴合在一起进行高温键合,将两片硅片键合在一起;在键合的过程中部分铝和硅形成合金,硅片之间也会残留铝层,铝层厚度小于或等于0.5微米;将键合在一起两片硅片的一片进行减薄抛光到1微米‑10微米的厚度制成柔性衬底;柔性衬底的薄硅片一面向上,外延生长半导体薄膜材料。本发明通过将硅衬底制作成柔性衬底从而减少硅与半导体薄膜之间的热适配,这样就减少了硅与半导体薄膜之间的膨胀系数差异引起的应力。
锰酸钇薄膜台阶低能耗阻变存储器及其制备、使用方法
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摘要:本发明公开了一种锰酸钇薄膜台阶低能耗阻变存储器,包括Pt/TiO2/SiO2/Si复合衬底层和设置在Pt/TiO2/SiO2/Si复合衬底层上表面的YMO薄膜台阶层,YMO薄膜台阶层包括YMO薄膜厚层和YMO薄膜薄层,YMO薄膜台阶层的上表面设置有金属上电极层,Pt/TiO2/SiO2/Si复合衬底层中的Pt层作为下电极层。本发明具有工作特性高度稳定、低能耗、可反复循环使用的优点,能够有效克服信息存储过程中产生的耗电和散热问题,同时具有优良的循环耐受性、保持特性和擦写速度。