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找技术 >脉冲技术-高质新型纳秒脉冲发电机
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
脉冲技术-高质新型纳秒脉冲发电机 项目简介 实验室简介:脉冲技术实验室是新科技方向 -- 超功率纳秒半导体电子仪器的奠基者。1992年发现半导体超密电流纳秒中断-SOS-效应,是研究的起点。(来自英语Semiconductor Opening Switch)。基础工作包括研究在电流超高密度时在半导体中电子空穴等离子体动态过程,并且确定电流在纳秒和亚纳秒时间波段中断过程规律性。 基础研究结果是在实验室研制的独有的超功率半导体仪器和强电流纳秒脉冲发电机的物理-技术原理。借助此成果,发电机最重要的性能,诸如脉冲功率,输出电压,电流,负荷电压、电流、功率增长速度,同早先已知的半导体设备相比,提高到几十和几百倍。其中,在纳秒半导体技术设备上,首次开发与脉冲功率大瓦特电平结合的兆伏级电压波段。 该基地制造出高质新型纳秒脉冲发电机,可用于脉冲电子加速器、X射线仪器,超高频电子仪器,超宽频带放射发生器,气体激光器和生态工艺。所研制设备全部能量固体配电,区别于使用火花放电器的传统设备。固体配电系统确定高频脉冲跟踪,和高稳定下单位平均功率:致密性,可靠性和实际无限期服务。正是这些性能为在各种电物理工业工艺中使用大功率脉冲设备所必须。
最新废水提白银技术
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
技术投资分析:最新废水提白银技术 一、白银是一种价格昂贵的金属,具有极强的反光能力和良好的导热、导电性,广泛应用于摄影、机械、电子、仪器、仪表、首饰、餐具等行业。目前国家收购价3000多元/公斤,今后由于工业用银大量增加,白银供不应求,价格将继续上涨。二、废水回收白银,过去采用电解法,但设备 投资大,成本高,时间长,且只能回收70%的银;后采用NA法,虽可回收90%的银,但在操作时有毒,对人体健康有影响,设备投资高达上万元。我单位独创的一种适合个人投资的两步法高效快速提取白银新技术,它提炼的白银经国家技术监督部门检测,符合国家收购标准。半小时即可将废水中的白银全部提出,手工操作,不用特殊设备,投资少(100-200元左右),一人即可操作,无毒、无污染、无放射性,提炼所需的化学药品在各县市医药公司或化学试剂商店均有售。技术的应用领域前景分析:通常人们只知道黄金、白银是从矿石中提取的,但还不知道全国各地照相馆、医院放射科、印刷厂、电镀厂、制镜厂、保温瓶厂、电台、电器开关厂、药检所、实验室、感光材料厂等单位每天排放的废水、废料中均含有大量白银,“三废”指:废照像定影液,废镀银液,半导体生产管出的处理废液、废半导体元件,电器接头、镀银边角料、制镜行业等废弃物。原料来源:到各地照像馆、医院放射科、印刷厂、电镀厂、无线电厂、电器开关厂、半导体元件厂、制镜厂、废品回收站等单位联系购买。 效益分析:利用简单工具投资200元,场地10-15平方米, 100公斤废水按300元计,需化工原料及其它费用50-70元,综合成本350-370元,原料充足,每人日可加工200公斤废水废料,因此利润相当可观。厂房条件建议:利用简单工具投资200元,场地10-15平方米, 100公斤废水按300元计,需化工原料及其它费用50-70元,综合成本350-370元,原料充足,每人日可加工200公斤废水废料,因此利润相当可观。备注:无
大功率半导体测试系统
成熟度:可规模生产
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
技术简介:近年来,电子工业不断发展功率元件及系统,而电力电子工业中使用IGBT装置的数量也急速增加。由半导体至电力产品之制造厂皆希望在这些产品中改善成较好的效率及降低所有工业制程步骤的成本,从产品的研发至最后产品品质的控制过程皆必须被完善控制。对这些所有的步骤,测试相对地变的非常重要,且必需准确及可靠。对在生产过程而言, 测试设备须具备多样的特点来配合不同的测试需求。研发工程师需要知道其特性便于其设计,生产的人员须要快速且容易使用的工具,可控制他们的生产制程,品质管制人员则需要检查他们所组合的产品的特性及收集他们的结果来做统计分析。IGBT功率半导体测试系统是指输出瞬态功率大于10KW的自动测试系统,主要用于测试IGBT为代表的新型功率半导体器件。自2007年国家发改委、科技部等部委联合推进实施中国新型大功率器件IGBT研发、生产和测试规划以来,短短几年,这种新型器件几乎从无到有,在中国大陆快速形成东北、东南、西北、华南、华中五个初据规模的研产基地,IGBT设计、芯片制造、模组和单管封装厂家达到近30家,新的生产线建设方兴未艾,仍在快速增加。与此同时,IGBT器件除了在传统电力电子、水利枢纽、冶炼溶炉领域日益广泛应用外,已经快速进入动汽、动车、地铁、机床控制、电源变频等新兴工业领域和诸多民用家电生产领域,2009年度国内IGBT产值接近40亿元。这种新型器件的剧速增产和广泛应用必然需要相应测试设备业的跟进和支持,从而引发了特大功率半导体测试系统需求热。效益与前景分析:在2009年出台的《电子信息产业调整和振兴规划》中,明确提出了“加快电子元器件产品升级”,“充分发挥整机需求的导向作用,围绕国内整机配套调整元器 件产品结构”,提高新型电力电子器件、高频频率器件等产品的研发生产能力,“初步形成完整配套、相互支撑的电子元器件产业体系”。根据《国家中长期科学和技术发展规划纲要(2006-2020年)》,科技部在“十一五”国家科技支撑计划重点项目“电力电子关键器件及重大装备研制”中,将“新型电力电子器件及电力电子集成技术”列为该重点项目的第一项课题。令人欣喜的是国家发改委于2010年3月19下发红头文件:《国家发展改革委办公厅关于组织实施2010年新型电力电子器件产业化专项的通知》,其专项重 点明确了以IGBT为代表的芯片和器件的设计开发及产业化、功率模块产业化等。
专利-轨道车厢及船舶用集成半导体个性化平板照明灯
成熟度:通过中试
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种轨道车厢及船舶用集成半导体个性化平板照明灯,现市场上均是仿传统灯具,而我们的基本特征是:主照明基板采用双面敷铜板,针对12V及24V恒流源光源采用大功率LED芯片4片或8片串联组成一个基本单元集成组件,需照度加大之后再并联,芯片直接焊接在敷铜板经腐蚀制板后保留的敷铜板上,保留的敷铜板分别作为大功率LED芯片各正、负电极的散热片,为增加散热片面积1倍,LED芯片各自正、负极散热片分别制备若干金属镀孔连通双面敷铜板的对应散热片;基板正面密封的保护罩作为辅助照明,保护罩采用阻燃耐高温的透明工程塑料板或透明玻璃制作,保护罩周边端面隐镶进用柔性电路板焊好的普通LED芯片作为辅助照明光源,保护罩内表面喷涂或丝印采光材料薄层;电源采用分别可挖主照明光源及辅助光源或两者一同发光照明,优点是:改进散热、改进色温、减弱光污染,属轨道车厢及船舶用集成半导体个性化平板照明灯技术领域。一种轨道车厢及船舶用集成半导体个性化平板照明灯,基特征是:主照明基板采用双面敷铜板,针对12V或24V恒流源光源采用大功率LED芯片4片或8片串联组成一个基本单元集成组件,需照度加大,之后再并联,芯片直接焊接在敷铜板经腐蚀制板后保留的敷铜板上,保留的敷铜板分别作为大功率LED芯片各正、负电极的散热片,为增加散热片面积1倍,LED芯片各自正、负极散热片分别制备若干金属镀孔连通双面敷铜板的对应散热片;基板正面密封的保护罩作为辅助照明,保护罩采用阻燃耐高温的透明工程塑料板或透明玻璃制作,保护罩周边端面隐镶进用柔性电路板焊好的普通LED芯片作为辅助照明光源,保护罩内表面喷涂或丝印采光材料薄层;电源采用分别可挖主照明光源及辅助光源或两者一同发光照明。
激光治疗仪以及应用技术
成熟度:可规模生产
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
项目概况激光治疗仪日益进入各级医院,特别在国家卫生部颁布的等级医院标准中都对各个等级医院必需具有的医疗设备进行了明文规定,因而开创了广阔的市场。如各种激光眼科治疗仪、半导体激光针灸仪、半导体激光理疗仪、半导体激光牙科治疗仪、弱激光血管内照射治疗仪、激光美容治疗仪等。考虑到这些治疗仪的购买成本并不很高,但给医院带来的经济效益相当可观,因而各级医院愿意购买各种激光治疗仪。近年来,国外在这方面的技术进展迅速,并有望形成广阔的市场。本技术研究各种激光治疗仪及其技术,进而建成先进的产生基地,为我国的激光医学事业提供先进的产品。项目条件自上世纪八十年代以来,我们近年来发挥专业优势,进行了激光对生物组织相互作用机理及其临床应用研究。而后结合国家九五科技攻关项目进行了激光医疗技术的研究,并获得了2001年度的江苏省科技进步奖。也将自行研制的Nd:YAG激光眼科治疗仪在临床中进行了应用研究。技术成熟程度本技术涉及的主要理论和技术均具有自主知识产权,可根据需求进行所需要的半导体或其它激光治疗仪的研制工作。
半导体照明荧光粉的研发及产业化
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
一、项目名称半导体照明荧光粉的研发及产业化二、技术概况半导体白光LED(W-LED)光电转换效率高、节能(同样亮度约为白炽灯的1/8、荧光灯的1/2)、使用寿命长(达10万小时)、安全可靠(全固体化)、环保(无荧光灯的汞污染)等。它在引发21世纪照明革命的同时,也为节能、环保、促进社会可持续发展作出贡献。目前,W-LED技术主要是在掺铟(In)氮化镓(GaN:In)发蓝光的芯片上,加少量发黄光的掺铈(Ce)钇铝石榴石(YAG:Ce)荧光粉,形成白光。YAG:Ce荧光粉目前几乎都从与日本"日亚"有关的台湾子公司进口,存在供货受限制或不及时、价格是成本的几倍等问题。所以,研发半导体照明荧光粉市场潜力巨大,对于经济发展、社会进步具有重要的意义。该项目以Y、Al和Ce的氧化物或盐为主要原料,配成特殊配方,采取不同的工艺制度,以制得不同激发波长的YAG:Ce荧光粉,可满足LED封装和照明的需要,质量稳定。产品为黄色微米级Y3Al512:Ce多晶粉末,结晶完全,无杂相,颗粒均匀,粒度在3~10?m之间,无团聚,粉末需干燥和真空(或保护气体)条件下保存。技术成熟程度该项目为在研的福建省重大科技专题,荧光粉相对亮度已超过主流的商品粉;其中的喷雾法和化学法一已实现产业化合作,固相法和化学法二希望与企业合作。三、产品用途和市场半导体照明荧光粉主要用于W-LED封装。目前,国内W-LED大部分封装厂家用的是台湾入境的荧光粉,此项目的成功,市场前景巨大。四、主要设备和总投资主要设备和测试手段:1,600℃以上气氛炉,行星球磨机,气流粉碎机,希望能有喷雾热解炉;物相分析仪,激光粒度分析仪,荧光粉相对亮度测量仪,LED光学参数测定仪。半导体照明荧光粉属于高科技产品。按我们的制备技术,荧光粉的成本仅为商品粉的几分之一。五、项目可供转让其他需要说明的情况经费资助,委托开发,合作开发,技术转让,等。
氧化铋纳米材料制备技术
成熟度:通过中试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
项目概况:纳米材料特有的量子尺寸效应、小尺寸效应、表面/界面效应和宏观量子隧穿效应,以及半导体纳米粒子的库仑堵塞和量子隧穿效应、介电限域效应、Fano效应、Kondo效应等,使得半导体纳米材料表现出与宏观材料具有显著差异的热、磁、电、声、光等性能。金属铋是一种重要的半导体功能掺杂材料,尤其铋系氧化物半导体材料表现出明显优异的高介电性、铁电性、催化性、超导性等。氧化铋是制备氧化物半导体材料的重要原材料,纳米氧化铋粉体可以有效改善金属铋在功能材料中的分布,降低烧结温度,提供功能材料的性能。技术指标:南京理工大学金属纳米材料与技术联合实验室研发的具有独立知识产权的溶剂热合成纳米氧化铋单晶片方法,可合成单晶氧化铋纳米片,延(345)晶面有生长优势,厚度约40-70nm,形貌单一、尺寸分布范围窄,带隙明显蓝移至2.92eV。用于制备铋的氧化物半导体纳米材料,过程中无杂质的引入,且利于铋元素在半导体功能材料中的均匀分布,进而提高功能材料的性能。知识产权:发明专利项目水平:国内先进成熟程度:小试市场前景:氧化铋单晶纳米片具有十分广阔的应用前景,是铋的氧化物半导体功能材料制备的重要原材料,制备过程无杂质的引入,纳米尺寸利于铋元素在功能材料中的均匀分布,降低烧结温度,提高功能材料的性能。在微电子陶瓷、气敏传感器、数字存储、医药制药和超导材料等领域有广阔的市场应用。合作方式:合作开发、专利许可、技术转让、技术入股
半导体激光测距机
成熟度:通过中试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
项目概况:半导体激光测距机采用高重频脉冲激光光源,利用自动增益技术,在非合作目标情况下,测量距离从十几米到几公里,测量精度为±0.3m,测量精度高,抗干扰能力强,可实现高频率测量,并能与计算机中控系统通讯连接。且具有体积小、重量轻、使用方便等优点。技术指标:测量范围:15m~3000m测量精度:0.3m测频:25KHz知识产权:发明专利项目水平:国内领先成熟程度:中试市场前景:该成果可广泛应用于各种军用、民用测距环境,具有广阔的市场前景。合作方式:合作开发、专利许可、技术转让、技术入股
谐振腔微波光电导晶体硅少子寿命测试仪
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
根据微波光电导的原理,采用谐振腔方案,检测晶体硅半导体材料的少子寿命。样品只要是片状晶体硅(多晶硅、多晶硅)即可。样品不必制备电极,属非破坏性快速检测,少子寿命检测范围:0.1μs到大于1ms,特别合适对低寿命的冶金法多晶硅少子寿命测量。测量误差:±15%;重复性良好。本方法国内首创,尚未见到同类工作的报道。大面积少子寿命的扫描检测,正在研发中。已申请发明专利1项。少子寿命少子寿命是衡量半导体材料纯度和缺陷的重要电学参数,其大小直接决定半导体太阳电池的光电转换效率。目前的光电导衰减和反射式微波光电导都只能检测导1μs以上的寿命,不能检测低寿命的材料,所以本方法特别适合于冶金法多晶硅少子寿命的检测。检测仪器成本低,可获3倍以上的利润。
薄膜型锑铟(ImSb)磁阻元件及传感器
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
我校承担的广东省“八五”攻关项目“半导体薄膜磁阻元件及传感器”,于1995年通过省级鉴定,达到国际先进水平。该磁阻元件的灵敏度比霍尔元件高10倍以上,而且可开发许多新用途。最典型的例子是用薄膜磁阻芯片制成的磁头可以检测磁迹信号,这是辨真防伪技术上的重要应用。目前我校是国内唯一的一家可以生产这种高灵敏度磁头的单位,半导体薄膜磁阻元件及半导体磁头已被评为一九九六年国家级新产品。现向社会推出磁阻元件、磁头、无接触式电位器三种产品和一种半成品:磁阻元件芯片。薄膜型磁阻元件可以制成半导体磁头、磁敏电流传感器、无触点开关、转速表、微位移传感器、编码器、检测中外现钞上磁性标志等二十多种产品。
找到228项技术成果数据。
找技术 >脉冲技术-高质新型纳秒脉冲发电机
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
脉冲技术-高质新型纳秒脉冲发电机 项目简介 实验室简介:脉冲技术实验室是新科技方向 -- 超功率纳秒半导体电子仪器的奠基者。1992年发现半导体超密电流纳秒中断-SOS-效应,是研究的起点。(来自英语Semiconductor Opening Switch)。基础工作包括研究在电流超高密度时在半导体中电子空穴等离子体动态过程,并且确定电流在纳秒和亚纳秒时间波段中断过程规律性。 基础研究结果是在实验室研制的独有的超功率半导体仪器和强电流纳秒脉冲发电机的物理-技术原理。借助此成果,发电机最重要的性能,诸如脉冲功率,输出电压,电流,负荷电压、电流、功率增长速度,同早先已知的半导体设备相比,提高到几十和几百倍。其中,在纳秒半导体技术设备上,首次开发与脉冲功率大瓦特电平结合的兆伏级电压波段。 该基地制造出高质新型纳秒脉冲发电机,可用于脉冲电子加速器、X射线仪器,超高频电子仪器,超宽频带放射发生器,气体激光器和生态工艺。所研制设备全部能量固体配电,区别于使用火花放电器的传统设备。固体配电系统确定高频脉冲跟踪,和高稳定下单位平均功率:致密性,可靠性和实际无限期服务。正是这些性能为在各种电物理工业工艺中使用大功率脉冲设备所必须。
最新废水提白银技术
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
技术投资分析:最新废水提白银技术 一、白银是一种价格昂贵的金属,具有极强的反光能力和良好的导热、导电性,广泛应用于摄影、机械、电子、仪器、仪表、首饰、餐具等行业。目前国家收购价3000多元/公斤,今后由于工业用银大量增加,白银供不应求,价格将继续上涨。二、废水回收白银,过去采用电解法,但设备 投资大,成本高,时间长,且只能回收70%的银;后采用NA法,虽可回收90%的银,但在操作时有毒,对人体健康有影响,设备投资高达上万元。我单位独创的一种适合个人投资的两步法高效快速提取白银新技术,它提炼的白银经国家技术监督部门检测,符合国家收购标准。半小时即可将废水中的白银全部提出,手工操作,不用特殊设备,投资少(100-200元左右),一人即可操作,无毒、无污染、无放射性,提炼所需的化学药品在各县市医药公司或化学试剂商店均有售。技术的应用领域前景分析:通常人们只知道黄金、白银是从矿石中提取的,但还不知道全国各地照相馆、医院放射科、印刷厂、电镀厂、制镜厂、保温瓶厂、电台、电器开关厂、药检所、实验室、感光材料厂等单位每天排放的废水、废料中均含有大量白银,“三废”指:废照像定影液,废镀银液,半导体生产管出的处理废液、废半导体元件,电器接头、镀银边角料、制镜行业等废弃物。原料来源:到各地照像馆、医院放射科、印刷厂、电镀厂、无线电厂、电器开关厂、半导体元件厂、制镜厂、废品回收站等单位联系购买。 效益分析:利用简单工具投资200元,场地10-15平方米, 100公斤废水按300元计,需化工原料及其它费用50-70元,综合成本350-370元,原料充足,每人日可加工200公斤废水废料,因此利润相当可观。厂房条件建议:利用简单工具投资200元,场地10-15平方米, 100公斤废水按300元计,需化工原料及其它费用50-70元,综合成本350-370元,原料充足,每人日可加工200公斤废水废料,因此利润相当可观。备注:无
大功率半导体测试系统
成熟度:可规模生产
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
技术简介:近年来,电子工业不断发展功率元件及系统,而电力电子工业中使用IGBT装置的数量也急速增加。由半导体至电力产品之制造厂皆希望在这些产品中改善成较好的效率及降低所有工业制程步骤的成本,从产品的研发至最后产品品质的控制过程皆必须被完善控制。对这些所有的步骤,测试相对地变的非常重要,且必需准确及可靠。对在生产过程而言, 测试设备须具备多样的特点来配合不同的测试需求。研发工程师需要知道其特性便于其设计,生产的人员须要快速且容易使用的工具,可控制他们的生产制程,品质管制人员则需要检查他们所组合的产品的特性及收集他们的结果来做统计分析。IGBT功率半导体测试系统是指输出瞬态功率大于10KW的自动测试系统,主要用于测试IGBT为代表的新型功率半导体器件。自2007年国家发改委、科技部等部委联合推进实施中国新型大功率器件IGBT研发、生产和测试规划以来,短短几年,这种新型器件几乎从无到有,在中国大陆快速形成东北、东南、西北、华南、华中五个初据规模的研产基地,IGBT设计、芯片制造、模组和单管封装厂家达到近30家,新的生产线建设方兴未艾,仍在快速增加。与此同时,IGBT器件除了在传统电力电子、水利枢纽、冶炼溶炉领域日益广泛应用外,已经快速进入动汽、动车、地铁、机床控制、电源变频等新兴工业领域和诸多民用家电生产领域,2009年度国内IGBT产值接近40亿元。这种新型器件的剧速增产和广泛应用必然需要相应测试设备业的跟进和支持,从而引发了特大功率半导体测试系统需求热。效益与前景分析:在2009年出台的《电子信息产业调整和振兴规划》中,明确提出了“加快电子元器件产品升级”,“充分发挥整机需求的导向作用,围绕国内整机配套调整元器 件产品结构”,提高新型电力电子器件、高频频率器件等产品的研发生产能力,“初步形成完整配套、相互支撑的电子元器件产业体系”。根据《国家中长期科学和技术发展规划纲要(2006-2020年)》,科技部在“十一五”国家科技支撑计划重点项目“电力电子关键器件及重大装备研制”中,将“新型电力电子器件及电力电子集成技术”列为该重点项目的第一项课题。令人欣喜的是国家发改委于2010年3月19下发红头文件:《国家发展改革委办公厅关于组织实施2010年新型电力电子器件产业化专项的通知》,其专项重 点明确了以IGBT为代表的芯片和器件的设计开发及产业化、功率模块产业化等。
专利-轨道车厢及船舶用集成半导体个性化平板照明灯
成熟度:通过中试
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种轨道车厢及船舶用集成半导体个性化平板照明灯,现市场上均是仿传统灯具,而我们的基本特征是:主照明基板采用双面敷铜板,针对12V及24V恒流源光源采用大功率LED芯片4片或8片串联组成一个基本单元集成组件,需照度加大之后再并联,芯片直接焊接在敷铜板经腐蚀制板后保留的敷铜板上,保留的敷铜板分别作为大功率LED芯片各正、负电极的散热片,为增加散热片面积1倍,LED芯片各自正、负极散热片分别制备若干金属镀孔连通双面敷铜板的对应散热片;基板正面密封的保护罩作为辅助照明,保护罩采用阻燃耐高温的透明工程塑料板或透明玻璃制作,保护罩周边端面隐镶进用柔性电路板焊好的普通LED芯片作为辅助照明光源,保护罩内表面喷涂或丝印采光材料薄层;电源采用分别可挖主照明光源及辅助光源或两者一同发光照明,优点是:改进散热、改进色温、减弱光污染,属轨道车厢及船舶用集成半导体个性化平板照明灯技术领域。一种轨道车厢及船舶用集成半导体个性化平板照明灯,基特征是:主照明基板采用双面敷铜板,针对12V或24V恒流源光源采用大功率LED芯片4片或8片串联组成一个基本单元集成组件,需照度加大,之后再并联,芯片直接焊接在敷铜板经腐蚀制板后保留的敷铜板上,保留的敷铜板分别作为大功率LED芯片各正、负电极的散热片,为增加散热片面积1倍,LED芯片各自正、负极散热片分别制备若干金属镀孔连通双面敷铜板的对应散热片;基板正面密封的保护罩作为辅助照明,保护罩采用阻燃耐高温的透明工程塑料板或透明玻璃制作,保护罩周边端面隐镶进用柔性电路板焊好的普通LED芯片作为辅助照明光源,保护罩内表面喷涂或丝印采光材料薄层;电源采用分别可挖主照明光源及辅助光源或两者一同发光照明。
激光治疗仪以及应用技术
成熟度:可规模生产
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
项目概况激光治疗仪日益进入各级医院,特别在国家卫生部颁布的等级医院标准中都对各个等级医院必需具有的医疗设备进行了明文规定,因而开创了广阔的市场。如各种激光眼科治疗仪、半导体激光针灸仪、半导体激光理疗仪、半导体激光牙科治疗仪、弱激光血管内照射治疗仪、激光美容治疗仪等。考虑到这些治疗仪的购买成本并不很高,但给医院带来的经济效益相当可观,因而各级医院愿意购买各种激光治疗仪。近年来,国外在这方面的技术进展迅速,并有望形成广阔的市场。本技术研究各种激光治疗仪及其技术,进而建成先进的产生基地,为我国的激光医学事业提供先进的产品。项目条件自上世纪八十年代以来,我们近年来发挥专业优势,进行了激光对生物组织相互作用机理及其临床应用研究。而后结合国家九五科技攻关项目进行了激光医疗技术的研究,并获得了2001年度的江苏省科技进步奖。也将自行研制的Nd:YAG激光眼科治疗仪在临床中进行了应用研究。技术成熟程度本技术涉及的主要理论和技术均具有自主知识产权,可根据需求进行所需要的半导体或其它激光治疗仪的研制工作。
半导体照明荧光粉的研发及产业化
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
一、项目名称半导体照明荧光粉的研发及产业化二、技术概况半导体白光LED(W-LED)光电转换效率高、节能(同样亮度约为白炽灯的1/8、荧光灯的1/2)、使用寿命长(达10万小时)、安全可靠(全固体化)、环保(无荧光灯的汞污染)等。它在引发21世纪照明革命的同时,也为节能、环保、促进社会可持续发展作出贡献。目前,W-LED技术主要是在掺铟(In)氮化镓(GaN:In)发蓝光的芯片上,加少量发黄光的掺铈(Ce)钇铝石榴石(YAG:Ce)荧光粉,形成白光。YAG:Ce荧光粉目前几乎都从与日本"日亚"有关的台湾子公司进口,存在供货受限制或不及时、价格是成本的几倍等问题。所以,研发半导体照明荧光粉市场潜力巨大,对于经济发展、社会进步具有重要的意义。该项目以Y、Al和Ce的氧化物或盐为主要原料,配成特殊配方,采取不同的工艺制度,以制得不同激发波长的YAG:Ce荧光粉,可满足LED封装和照明的需要,质量稳定。产品为黄色微米级Y3Al512:Ce多晶粉末,结晶完全,无杂相,颗粒均匀,粒度在3~10?m之间,无团聚,粉末需干燥和真空(或保护气体)条件下保存。技术成熟程度该项目为在研的福建省重大科技专题,荧光粉相对亮度已超过主流的商品粉;其中的喷雾法和化学法一已实现产业化合作,固相法和化学法二希望与企业合作。三、产品用途和市场半导体照明荧光粉主要用于W-LED封装。目前,国内W-LED大部分封装厂家用的是台湾入境的荧光粉,此项目的成功,市场前景巨大。四、主要设备和总投资主要设备和测试手段:1,600℃以上气氛炉,行星球磨机,气流粉碎机,希望能有喷雾热解炉;物相分析仪,激光粒度分析仪,荧光粉相对亮度测量仪,LED光学参数测定仪。半导体照明荧光粉属于高科技产品。按我们的制备技术,荧光粉的成本仅为商品粉的几分之一。五、项目可供转让其他需要说明的情况经费资助,委托开发,合作开发,技术转让,等。
氧化铋纳米材料制备技术
成熟度:通过中试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
项目概况:纳米材料特有的量子尺寸效应、小尺寸效应、表面/界面效应和宏观量子隧穿效应,以及半导体纳米粒子的库仑堵塞和量子隧穿效应、介电限域效应、Fano效应、Kondo效应等,使得半导体纳米材料表现出与宏观材料具有显著差异的热、磁、电、声、光等性能。金属铋是一种重要的半导体功能掺杂材料,尤其铋系氧化物半导体材料表现出明显优异的高介电性、铁电性、催化性、超导性等。氧化铋是制备氧化物半导体材料的重要原材料,纳米氧化铋粉体可以有效改善金属铋在功能材料中的分布,降低烧结温度,提供功能材料的性能。技术指标:南京理工大学金属纳米材料与技术联合实验室研发的具有独立知识产权的溶剂热合成纳米氧化铋单晶片方法,可合成单晶氧化铋纳米片,延(345)晶面有生长优势,厚度约40-70nm,形貌单一、尺寸分布范围窄,带隙明显蓝移至2.92eV。用于制备铋的氧化物半导体纳米材料,过程中无杂质的引入,且利于铋元素在半导体功能材料中的均匀分布,进而提高功能材料的性能。知识产权:发明专利项目水平:国内先进成熟程度:小试市场前景:氧化铋单晶纳米片具有十分广阔的应用前景,是铋的氧化物半导体功能材料制备的重要原材料,制备过程无杂质的引入,纳米尺寸利于铋元素在功能材料中的均匀分布,降低烧结温度,提高功能材料的性能。在微电子陶瓷、气敏传感器、数字存储、医药制药和超导材料等领域有广阔的市场应用。合作方式:合作开发、专利许可、技术转让、技术入股
半导体激光测距机
成熟度:通过中试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
项目概况:半导体激光测距机采用高重频脉冲激光光源,利用自动增益技术,在非合作目标情况下,测量距离从十几米到几公里,测量精度为±0.3m,测量精度高,抗干扰能力强,可实现高频率测量,并能与计算机中控系统通讯连接。且具有体积小、重量轻、使用方便等优点。技术指标:测量范围:15m~3000m测量精度:0.3m测频:25KHz知识产权:发明专利项目水平:国内领先成熟程度:中试市场前景:该成果可广泛应用于各种军用、民用测距环境,具有广阔的市场前景。合作方式:合作开发、专利许可、技术转让、技术入股
谐振腔微波光电导晶体硅少子寿命测试仪
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
根据微波光电导的原理,采用谐振腔方案,检测晶体硅半导体材料的少子寿命。样品只要是片状晶体硅(多晶硅、多晶硅)即可。样品不必制备电极,属非破坏性快速检测,少子寿命检测范围:0.1μs到大于1ms,特别合适对低寿命的冶金法多晶硅少子寿命测量。测量误差:±15%;重复性良好。本方法国内首创,尚未见到同类工作的报道。大面积少子寿命的扫描检测,正在研发中。已申请发明专利1项。少子寿命少子寿命是衡量半导体材料纯度和缺陷的重要电学参数,其大小直接决定半导体太阳电池的光电转换效率。目前的光电导衰减和反射式微波光电导都只能检测导1μs以上的寿命,不能检测低寿命的材料,所以本方法特别适合于冶金法多晶硅少子寿命的检测。检测仪器成本低,可获3倍以上的利润。
薄膜型锑铟(ImSb)磁阻元件及传感器
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
我校承担的广东省“八五”攻关项目“半导体薄膜磁阻元件及传感器”,于1995年通过省级鉴定,达到国际先进水平。该磁阻元件的灵敏度比霍尔元件高10倍以上,而且可开发许多新用途。最典型的例子是用薄膜磁阻芯片制成的磁头可以检测磁迹信号,这是辨真防伪技术上的重要应用。目前我校是国内唯一的一家可以生产这种高灵敏度磁头的单位,半导体薄膜磁阻元件及半导体磁头已被评为一九九六年国家级新产品。现向社会推出磁阻元件、磁头、无接触式电位器三种产品和一种半成品:磁阻元件芯片。薄膜型磁阻元件可以制成半导体磁头、磁敏电流传感器、无触点开关、转速表、微位移传感器、编码器、检测中外现钞上磁性标志等二十多种产品。
找到228项技术成果数据。
找技术 >脉冲技术-高质新型纳秒脉冲发电机
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
脉冲技术-高质新型纳秒脉冲发电机 项目简介 实验室简介:脉冲技术实验室是新科技方向 -- 超功率纳秒半导体电子仪器的奠基者。1992年发现半导体超密电流纳秒中断-SOS-效应,是研究的起点。(来自英语Semiconductor Opening Switch)。基础工作包括研究在电流超高密度时在半导体中电子空穴等离子体动态过程,并且确定电流在纳秒和亚纳秒时间波段中断过程规律性。 基础研究结果是在实验室研制的独有的超功率半导体仪器和强电流纳秒脉冲发电机的物理-技术原理。借助此成果,发电机最重要的性能,诸如脉冲功率,输出电压,电流,负荷电压、电流、功率增长速度,同早先已知的半导体设备相比,提高到几十和几百倍。其中,在纳秒半导体技术设备上,首次开发与脉冲功率大瓦特电平结合的兆伏级电压波段。 该基地制造出高质新型纳秒脉冲发电机,可用于脉冲电子加速器、X射线仪器,超高频电子仪器,超宽频带放射发生器,气体激光器和生态工艺。所研制设备全部能量固体配电,区别于使用火花放电器的传统设备。固体配电系统确定高频脉冲跟踪,和高稳定下单位平均功率:致密性,可靠性和实际无限期服务。正是这些性能为在各种电物理工业工艺中使用大功率脉冲设备所必须。
最新废水提白银技术
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
技术投资分析:最新废水提白银技术 一、白银是一种价格昂贵的金属,具有极强的反光能力和良好的导热、导电性,广泛应用于摄影、机械、电子、仪器、仪表、首饰、餐具等行业。目前国家收购价3000多元/公斤,今后由于工业用银大量增加,白银供不应求,价格将继续上涨。二、废水回收白银,过去采用电解法,但设备 投资大,成本高,时间长,且只能回收70%的银;后采用NA法,虽可回收90%的银,但在操作时有毒,对人体健康有影响,设备投资高达上万元。我单位独创的一种适合个人投资的两步法高效快速提取白银新技术,它提炼的白银经国家技术监督部门检测,符合国家收购标准。半小时即可将废水中的白银全部提出,手工操作,不用特殊设备,投资少(100-200元左右),一人即可操作,无毒、无污染、无放射性,提炼所需的化学药品在各县市医药公司或化学试剂商店均有售。技术的应用领域前景分析:通常人们只知道黄金、白银是从矿石中提取的,但还不知道全国各地照相馆、医院放射科、印刷厂、电镀厂、制镜厂、保温瓶厂、电台、电器开关厂、药检所、实验室、感光材料厂等单位每天排放的废水、废料中均含有大量白银,“三废”指:废照像定影液,废镀银液,半导体生产管出的处理废液、废半导体元件,电器接头、镀银边角料、制镜行业等废弃物。原料来源:到各地照像馆、医院放射科、印刷厂、电镀厂、无线电厂、电器开关厂、半导体元件厂、制镜厂、废品回收站等单位联系购买。 效益分析:利用简单工具投资200元,场地10-15平方米, 100公斤废水按300元计,需化工原料及其它费用50-70元,综合成本350-370元,原料充足,每人日可加工200公斤废水废料,因此利润相当可观。厂房条件建议:利用简单工具投资200元,场地10-15平方米, 100公斤废水按300元计,需化工原料及其它费用50-70元,综合成本350-370元,原料充足,每人日可加工200公斤废水废料,因此利润相当可观。备注:无
大功率半导体测试系统
成熟度:可规模生产
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
技术简介:近年来,电子工业不断发展功率元件及系统,而电力电子工业中使用IGBT装置的数量也急速增加。由半导体至电力产品之制造厂皆希望在这些产品中改善成较好的效率及降低所有工业制程步骤的成本,从产品的研发至最后产品品质的控制过程皆必须被完善控制。对这些所有的步骤,测试相对地变的非常重要,且必需准确及可靠。对在生产过程而言, 测试设备须具备多样的特点来配合不同的测试需求。研发工程师需要知道其特性便于其设计,生产的人员须要快速且容易使用的工具,可控制他们的生产制程,品质管制人员则需要检查他们所组合的产品的特性及收集他们的结果来做统计分析。IGBT功率半导体测试系统是指输出瞬态功率大于10KW的自动测试系统,主要用于测试IGBT为代表的新型功率半导体器件。自2007年国家发改委、科技部等部委联合推进实施中国新型大功率器件IGBT研发、生产和测试规划以来,短短几年,这种新型器件几乎从无到有,在中国大陆快速形成东北、东南、西北、华南、华中五个初据规模的研产基地,IGBT设计、芯片制造、模组和单管封装厂家达到近30家,新的生产线建设方兴未艾,仍在快速增加。与此同时,IGBT器件除了在传统电力电子、水利枢纽、冶炼溶炉领域日益广泛应用外,已经快速进入动汽、动车、地铁、机床控制、电源变频等新兴工业领域和诸多民用家电生产领域,2009年度国内IGBT产值接近40亿元。这种新型器件的剧速增产和广泛应用必然需要相应测试设备业的跟进和支持,从而引发了特大功率半导体测试系统需求热。效益与前景分析:在2009年出台的《电子信息产业调整和振兴规划》中,明确提出了“加快电子元器件产品升级”,“充分发挥整机需求的导向作用,围绕国内整机配套调整元器 件产品结构”,提高新型电力电子器件、高频频率器件等产品的研发生产能力,“初步形成完整配套、相互支撑的电子元器件产业体系”。根据《国家中长期科学和技术发展规划纲要(2006-2020年)》,科技部在“十一五”国家科技支撑计划重点项目“电力电子关键器件及重大装备研制”中,将“新型电力电子器件及电力电子集成技术”列为该重点项目的第一项课题。令人欣喜的是国家发改委于2010年3月19下发红头文件:《国家发展改革委办公厅关于组织实施2010年新型电力电子器件产业化专项的通知》,其专项重 点明确了以IGBT为代表的芯片和器件的设计开发及产业化、功率模块产业化等。
专利-轨道车厢及船舶用集成半导体个性化平板照明灯
成熟度:通过中试
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种轨道车厢及船舶用集成半导体个性化平板照明灯,现市场上均是仿传统灯具,而我们的基本特征是:主照明基板采用双面敷铜板,针对12V及24V恒流源光源采用大功率LED芯片4片或8片串联组成一个基本单元集成组件,需照度加大之后再并联,芯片直接焊接在敷铜板经腐蚀制板后保留的敷铜板上,保留的敷铜板分别作为大功率LED芯片各正、负电极的散热片,为增加散热片面积1倍,LED芯片各自正、负极散热片分别制备若干金属镀孔连通双面敷铜板的对应散热片;基板正面密封的保护罩作为辅助照明,保护罩采用阻燃耐高温的透明工程塑料板或透明玻璃制作,保护罩周边端面隐镶进用柔性电路板焊好的普通LED芯片作为辅助照明光源,保护罩内表面喷涂或丝印采光材料薄层;电源采用分别可挖主照明光源及辅助光源或两者一同发光照明,优点是:改进散热、改进色温、减弱光污染,属轨道车厢及船舶用集成半导体个性化平板照明灯技术领域。一种轨道车厢及船舶用集成半导体个性化平板照明灯,基特征是:主照明基板采用双面敷铜板,针对12V或24V恒流源光源采用大功率LED芯片4片或8片串联组成一个基本单元集成组件,需照度加大,之后再并联,芯片直接焊接在敷铜板经腐蚀制板后保留的敷铜板上,保留的敷铜板分别作为大功率LED芯片各正、负电极的散热片,为增加散热片面积1倍,LED芯片各自正、负极散热片分别制备若干金属镀孔连通双面敷铜板的对应散热片;基板正面密封的保护罩作为辅助照明,保护罩采用阻燃耐高温的透明工程塑料板或透明玻璃制作,保护罩周边端面隐镶进用柔性电路板焊好的普通LED芯片作为辅助照明光源,保护罩内表面喷涂或丝印采光材料薄层;电源采用分别可挖主照明光源及辅助光源或两者一同发光照明。
激光治疗仪以及应用技术
成熟度:可规模生产
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
项目概况激光治疗仪日益进入各级医院,特别在国家卫生部颁布的等级医院标准中都对各个等级医院必需具有的医疗设备进行了明文规定,因而开创了广阔的市场。如各种激光眼科治疗仪、半导体激光针灸仪、半导体激光理疗仪、半导体激光牙科治疗仪、弱激光血管内照射治疗仪、激光美容治疗仪等。考虑到这些治疗仪的购买成本并不很高,但给医院带来的经济效益相当可观,因而各级医院愿意购买各种激光治疗仪。近年来,国外在这方面的技术进展迅速,并有望形成广阔的市场。本技术研究各种激光治疗仪及其技术,进而建成先进的产生基地,为我国的激光医学事业提供先进的产品。项目条件自上世纪八十年代以来,我们近年来发挥专业优势,进行了激光对生物组织相互作用机理及其临床应用研究。而后结合国家九五科技攻关项目进行了激光医疗技术的研究,并获得了2001年度的江苏省科技进步奖。也将自行研制的Nd:YAG激光眼科治疗仪在临床中进行了应用研究。技术成熟程度本技术涉及的主要理论和技术均具有自主知识产权,可根据需求进行所需要的半导体或其它激光治疗仪的研制工作。
半导体照明荧光粉的研发及产业化
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
一、项目名称半导体照明荧光粉的研发及产业化二、技术概况半导体白光LED(W-LED)光电转换效率高、节能(同样亮度约为白炽灯的1/8、荧光灯的1/2)、使用寿命长(达10万小时)、安全可靠(全固体化)、环保(无荧光灯的汞污染)等。它在引发21世纪照明革命的同时,也为节能、环保、促进社会可持续发展作出贡献。目前,W-LED技术主要是在掺铟(In)氮化镓(GaN:In)发蓝光的芯片上,加少量发黄光的掺铈(Ce)钇铝石榴石(YAG:Ce)荧光粉,形成白光。YAG:Ce荧光粉目前几乎都从与日本"日亚"有关的台湾子公司进口,存在供货受限制或不及时、价格是成本的几倍等问题。所以,研发半导体照明荧光粉市场潜力巨大,对于经济发展、社会进步具有重要的意义。该项目以Y、Al和Ce的氧化物或盐为主要原料,配成特殊配方,采取不同的工艺制度,以制得不同激发波长的YAG:Ce荧光粉,可满足LED封装和照明的需要,质量稳定。产品为黄色微米级Y3Al512:Ce多晶粉末,结晶完全,无杂相,颗粒均匀,粒度在3~10?m之间,无团聚,粉末需干燥和真空(或保护气体)条件下保存。技术成熟程度该项目为在研的福建省重大科技专题,荧光粉相对亮度已超过主流的商品粉;其中的喷雾法和化学法一已实现产业化合作,固相法和化学法二希望与企业合作。三、产品用途和市场半导体照明荧光粉主要用于W-LED封装。目前,国内W-LED大部分封装厂家用的是台湾入境的荧光粉,此项目的成功,市场前景巨大。四、主要设备和总投资主要设备和测试手段:1,600℃以上气氛炉,行星球磨机,气流粉碎机,希望能有喷雾热解炉;物相分析仪,激光粒度分析仪,荧光粉相对亮度测量仪,LED光学参数测定仪。半导体照明荧光粉属于高科技产品。按我们的制备技术,荧光粉的成本仅为商品粉的几分之一。五、项目可供转让其他需要说明的情况经费资助,委托开发,合作开发,技术转让,等。
氧化铋纳米材料制备技术
成熟度:通过中试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
项目概况:纳米材料特有的量子尺寸效应、小尺寸效应、表面/界面效应和宏观量子隧穿效应,以及半导体纳米粒子的库仑堵塞和量子隧穿效应、介电限域效应、Fano效应、Kondo效应等,使得半导体纳米材料表现出与宏观材料具有显著差异的热、磁、电、声、光等性能。金属铋是一种重要的半导体功能掺杂材料,尤其铋系氧化物半导体材料表现出明显优异的高介电性、铁电性、催化性、超导性等。氧化铋是制备氧化物半导体材料的重要原材料,纳米氧化铋粉体可以有效改善金属铋在功能材料中的分布,降低烧结温度,提供功能材料的性能。技术指标:南京理工大学金属纳米材料与技术联合实验室研发的具有独立知识产权的溶剂热合成纳米氧化铋单晶片方法,可合成单晶氧化铋纳米片,延(345)晶面有生长优势,厚度约40-70nm,形貌单一、尺寸分布范围窄,带隙明显蓝移至2.92eV。用于制备铋的氧化物半导体纳米材料,过程中无杂质的引入,且利于铋元素在半导体功能材料中的均匀分布,进而提高功能材料的性能。知识产权:发明专利项目水平:国内先进成熟程度:小试市场前景:氧化铋单晶纳米片具有十分广阔的应用前景,是铋的氧化物半导体功能材料制备的重要原材料,制备过程无杂质的引入,纳米尺寸利于铋元素在功能材料中的均匀分布,降低烧结温度,提高功能材料的性能。在微电子陶瓷、气敏传感器、数字存储、医药制药和超导材料等领域有广阔的市场应用。合作方式:合作开发、专利许可、技术转让、技术入股
半导体激光测距机
成熟度:通过中试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
项目概况:半导体激光测距机采用高重频脉冲激光光源,利用自动增益技术,在非合作目标情况下,测量距离从十几米到几公里,测量精度为±0.3m,测量精度高,抗干扰能力强,可实现高频率测量,并能与计算机中控系统通讯连接。且具有体积小、重量轻、使用方便等优点。技术指标:测量范围:15m~3000m测量精度:0.3m测频:25KHz知识产权:发明专利项目水平:国内领先成熟程度:中试市场前景:该成果可广泛应用于各种军用、民用测距环境,具有广阔的市场前景。合作方式:合作开发、专利许可、技术转让、技术入股
谐振腔微波光电导晶体硅少子寿命测试仪
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
根据微波光电导的原理,采用谐振腔方案,检测晶体硅半导体材料的少子寿命。样品只要是片状晶体硅(多晶硅、多晶硅)即可。样品不必制备电极,属非破坏性快速检测,少子寿命检测范围:0.1μs到大于1ms,特别合适对低寿命的冶金法多晶硅少子寿命测量。测量误差:±15%;重复性良好。本方法国内首创,尚未见到同类工作的报道。大面积少子寿命的扫描检测,正在研发中。已申请发明专利1项。少子寿命少子寿命是衡量半导体材料纯度和缺陷的重要电学参数,其大小直接决定半导体太阳电池的光电转换效率。目前的光电导衰减和反射式微波光电导都只能检测导1μs以上的寿命,不能检测低寿命的材料,所以本方法特别适合于冶金法多晶硅少子寿命的检测。检测仪器成本低,可获3倍以上的利润。
薄膜型锑铟(ImSb)磁阻元件及传感器
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
我校承担的广东省“八五”攻关项目“半导体薄膜磁阻元件及传感器”,于1995年通过省级鉴定,达到国际先进水平。该磁阻元件的灵敏度比霍尔元件高10倍以上,而且可开发许多新用途。最典型的例子是用薄膜磁阻芯片制成的磁头可以检测磁迹信号,这是辨真防伪技术上的重要应用。目前我校是国内唯一的一家可以生产这种高灵敏度磁头的单位,半导体薄膜磁阻元件及半导体磁头已被评为一九九六年国家级新产品。现向社会推出磁阻元件、磁头、无接触式电位器三种产品和一种半成品:磁阻元件芯片。薄膜型磁阻元件可以制成半导体磁头、磁敏电流传感器、无触点开关、转速表、微位移传感器、编码器、检测中外现钞上磁性标志等二十多种产品。
找到228项技术成果数据。
找技术 >脉冲技术-高质新型纳秒脉冲发电机
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
脉冲技术-高质新型纳秒脉冲发电机 项目简介 实验室简介:脉冲技术实验室是新科技方向 -- 超功率纳秒半导体电子仪器的奠基者。1992年发现半导体超密电流纳秒中断-SOS-效应,是研究的起点。(来自英语Semiconductor Opening Switch)。基础工作包括研究在电流超高密度时在半导体中电子空穴等离子体动态过程,并且确定电流在纳秒和亚纳秒时间波段中断过程规律性。 基础研究结果是在实验室研制的独有的超功率半导体仪器和强电流纳秒脉冲发电机的物理-技术原理。借助此成果,发电机最重要的性能,诸如脉冲功率,输出电压,电流,负荷电压、电流、功率增长速度,同早先已知的半导体设备相比,提高到几十和几百倍。其中,在纳秒半导体技术设备上,首次开发与脉冲功率大瓦特电平结合的兆伏级电压波段。 该基地制造出高质新型纳秒脉冲发电机,可用于脉冲电子加速器、X射线仪器,超高频电子仪器,超宽频带放射发生器,气体激光器和生态工艺。所研制设备全部能量固体配电,区别于使用火花放电器的传统设备。固体配电系统确定高频脉冲跟踪,和高稳定下单位平均功率:致密性,可靠性和实际无限期服务。正是这些性能为在各种电物理工业工艺中使用大功率脉冲设备所必须。
最新废水提白银技术
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
技术投资分析:最新废水提白银技术 一、白银是一种价格昂贵的金属,具有极强的反光能力和良好的导热、导电性,广泛应用于摄影、机械、电子、仪器、仪表、首饰、餐具等行业。目前国家收购价3000多元/公斤,今后由于工业用银大量增加,白银供不应求,价格将继续上涨。二、废水回收白银,过去采用电解法,但设备 投资大,成本高,时间长,且只能回收70%的银;后采用NA法,虽可回收90%的银,但在操作时有毒,对人体健康有影响,设备投资高达上万元。我单位独创的一种适合个人投资的两步法高效快速提取白银新技术,它提炼的白银经国家技术监督部门检测,符合国家收购标准。半小时即可将废水中的白银全部提出,手工操作,不用特殊设备,投资少(100-200元左右),一人即可操作,无毒、无污染、无放射性,提炼所需的化学药品在各县市医药公司或化学试剂商店均有售。技术的应用领域前景分析:通常人们只知道黄金、白银是从矿石中提取的,但还不知道全国各地照相馆、医院放射科、印刷厂、电镀厂、制镜厂、保温瓶厂、电台、电器开关厂、药检所、实验室、感光材料厂等单位每天排放的废水、废料中均含有大量白银,“三废”指:废照像定影液,废镀银液,半导体生产管出的处理废液、废半导体元件,电器接头、镀银边角料、制镜行业等废弃物。原料来源:到各地照像馆、医院放射科、印刷厂、电镀厂、无线电厂、电器开关厂、半导体元件厂、制镜厂、废品回收站等单位联系购买。 效益分析:利用简单工具投资200元,场地10-15平方米, 100公斤废水按300元计,需化工原料及其它费用50-70元,综合成本350-370元,原料充足,每人日可加工200公斤废水废料,因此利润相当可观。厂房条件建议:利用简单工具投资200元,场地10-15平方米, 100公斤废水按300元计,需化工原料及其它费用50-70元,综合成本350-370元,原料充足,每人日可加工200公斤废水废料,因此利润相当可观。备注:无
大功率半导体测试系统
成熟度:可规模生产
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
技术简介:近年来,电子工业不断发展功率元件及系统,而电力电子工业中使用IGBT装置的数量也急速增加。由半导体至电力产品之制造厂皆希望在这些产品中改善成较好的效率及降低所有工业制程步骤的成本,从产品的研发至最后产品品质的控制过程皆必须被完善控制。对这些所有的步骤,测试相对地变的非常重要,且必需准确及可靠。对在生产过程而言, 测试设备须具备多样的特点来配合不同的测试需求。研发工程师需要知道其特性便于其设计,生产的人员须要快速且容易使用的工具,可控制他们的生产制程,品质管制人员则需要检查他们所组合的产品的特性及收集他们的结果来做统计分析。IGBT功率半导体测试系统是指输出瞬态功率大于10KW的自动测试系统,主要用于测试IGBT为代表的新型功率半导体器件。自2007年国家发改委、科技部等部委联合推进实施中国新型大功率器件IGBT研发、生产和测试规划以来,短短几年,这种新型器件几乎从无到有,在中国大陆快速形成东北、东南、西北、华南、华中五个初据规模的研产基地,IGBT设计、芯片制造、模组和单管封装厂家达到近30家,新的生产线建设方兴未艾,仍在快速增加。与此同时,IGBT器件除了在传统电力电子、水利枢纽、冶炼溶炉领域日益广泛应用外,已经快速进入动汽、动车、地铁、机床控制、电源变频等新兴工业领域和诸多民用家电生产领域,2009年度国内IGBT产值接近40亿元。这种新型器件的剧速增产和广泛应用必然需要相应测试设备业的跟进和支持,从而引发了特大功率半导体测试系统需求热。效益与前景分析:在2009年出台的《电子信息产业调整和振兴规划》中,明确提出了“加快电子元器件产品升级”,“充分发挥整机需求的导向作用,围绕国内整机配套调整元器 件产品结构”,提高新型电力电子器件、高频频率器件等产品的研发生产能力,“初步形成完整配套、相互支撑的电子元器件产业体系”。根据《国家中长期科学和技术发展规划纲要(2006-2020年)》,科技部在“十一五”国家科技支撑计划重点项目“电力电子关键器件及重大装备研制”中,将“新型电力电子器件及电力电子集成技术”列为该重点项目的第一项课题。令人欣喜的是国家发改委于2010年3月19下发红头文件:《国家发展改革委办公厅关于组织实施2010年新型电力电子器件产业化专项的通知》,其专项重 点明确了以IGBT为代表的芯片和器件的设计开发及产业化、功率模块产业化等。
专利-轨道车厢及船舶用集成半导体个性化平板照明灯
成熟度:通过中试
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种轨道车厢及船舶用集成半导体个性化平板照明灯,现市场上均是仿传统灯具,而我们的基本特征是:主照明基板采用双面敷铜板,针对12V及24V恒流源光源采用大功率LED芯片4片或8片串联组成一个基本单元集成组件,需照度加大之后再并联,芯片直接焊接在敷铜板经腐蚀制板后保留的敷铜板上,保留的敷铜板分别作为大功率LED芯片各正、负电极的散热片,为增加散热片面积1倍,LED芯片各自正、负极散热片分别制备若干金属镀孔连通双面敷铜板的对应散热片;基板正面密封的保护罩作为辅助照明,保护罩采用阻燃耐高温的透明工程塑料板或透明玻璃制作,保护罩周边端面隐镶进用柔性电路板焊好的普通LED芯片作为辅助照明光源,保护罩内表面喷涂或丝印采光材料薄层;电源采用分别可挖主照明光源及辅助光源或两者一同发光照明,优点是:改进散热、改进色温、减弱光污染,属轨道车厢及船舶用集成半导体个性化平板照明灯技术领域。一种轨道车厢及船舶用集成半导体个性化平板照明灯,基特征是:主照明基板采用双面敷铜板,针对12V或24V恒流源光源采用大功率LED芯片4片或8片串联组成一个基本单元集成组件,需照度加大,之后再并联,芯片直接焊接在敷铜板经腐蚀制板后保留的敷铜板上,保留的敷铜板分别作为大功率LED芯片各正、负电极的散热片,为增加散热片面积1倍,LED芯片各自正、负极散热片分别制备若干金属镀孔连通双面敷铜板的对应散热片;基板正面密封的保护罩作为辅助照明,保护罩采用阻燃耐高温的透明工程塑料板或透明玻璃制作,保护罩周边端面隐镶进用柔性电路板焊好的普通LED芯片作为辅助照明光源,保护罩内表面喷涂或丝印采光材料薄层;电源采用分别可挖主照明光源及辅助光源或两者一同发光照明。
激光治疗仪以及应用技术
成熟度:可规模生产
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
项目概况激光治疗仪日益进入各级医院,特别在国家卫生部颁布的等级医院标准中都对各个等级医院必需具有的医疗设备进行了明文规定,因而开创了广阔的市场。如各种激光眼科治疗仪、半导体激光针灸仪、半导体激光理疗仪、半导体激光牙科治疗仪、弱激光血管内照射治疗仪、激光美容治疗仪等。考虑到这些治疗仪的购买成本并不很高,但给医院带来的经济效益相当可观,因而各级医院愿意购买各种激光治疗仪。近年来,国外在这方面的技术进展迅速,并有望形成广阔的市场。本技术研究各种激光治疗仪及其技术,进而建成先进的产生基地,为我国的激光医学事业提供先进的产品。项目条件自上世纪八十年代以来,我们近年来发挥专业优势,进行了激光对生物组织相互作用机理及其临床应用研究。而后结合国家九五科技攻关项目进行了激光医疗技术的研究,并获得了2001年度的江苏省科技进步奖。也将自行研制的Nd:YAG激光眼科治疗仪在临床中进行了应用研究。技术成熟程度本技术涉及的主要理论和技术均具有自主知识产权,可根据需求进行所需要的半导体或其它激光治疗仪的研制工作。
半导体照明荧光粉的研发及产业化
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
一、项目名称半导体照明荧光粉的研发及产业化二、技术概况半导体白光LED(W-LED)光电转换效率高、节能(同样亮度约为白炽灯的1/8、荧光灯的1/2)、使用寿命长(达10万小时)、安全可靠(全固体化)、环保(无荧光灯的汞污染)等。它在引发21世纪照明革命的同时,也为节能、环保、促进社会可持续发展作出贡献。目前,W-LED技术主要是在掺铟(In)氮化镓(GaN:In)发蓝光的芯片上,加少量发黄光的掺铈(Ce)钇铝石榴石(YAG:Ce)荧光粉,形成白光。YAG:Ce荧光粉目前几乎都从与日本"日亚"有关的台湾子公司进口,存在供货受限制或不及时、价格是成本的几倍等问题。所以,研发半导体照明荧光粉市场潜力巨大,对于经济发展、社会进步具有重要的意义。该项目以Y、Al和Ce的氧化物或盐为主要原料,配成特殊配方,采取不同的工艺制度,以制得不同激发波长的YAG:Ce荧光粉,可满足LED封装和照明的需要,质量稳定。产品为黄色微米级Y3Al512:Ce多晶粉末,结晶完全,无杂相,颗粒均匀,粒度在3~10?m之间,无团聚,粉末需干燥和真空(或保护气体)条件下保存。技术成熟程度该项目为在研的福建省重大科技专题,荧光粉相对亮度已超过主流的商品粉;其中的喷雾法和化学法一已实现产业化合作,固相法和化学法二希望与企业合作。三、产品用途和市场半导体照明荧光粉主要用于W-LED封装。目前,国内W-LED大部分封装厂家用的是台湾入境的荧光粉,此项目的成功,市场前景巨大。四、主要设备和总投资主要设备和测试手段:1,600℃以上气氛炉,行星球磨机,气流粉碎机,希望能有喷雾热解炉;物相分析仪,激光粒度分析仪,荧光粉相对亮度测量仪,LED光学参数测定仪。半导体照明荧光粉属于高科技产品。按我们的制备技术,荧光粉的成本仅为商品粉的几分之一。五、项目可供转让其他需要说明的情况经费资助,委托开发,合作开发,技术转让,等。
氧化铋纳米材料制备技术
成熟度:通过中试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
项目概况:纳米材料特有的量子尺寸效应、小尺寸效应、表面/界面效应和宏观量子隧穿效应,以及半导体纳米粒子的库仑堵塞和量子隧穿效应、介电限域效应、Fano效应、Kondo效应等,使得半导体纳米材料表现出与宏观材料具有显著差异的热、磁、电、声、光等性能。金属铋是一种重要的半导体功能掺杂材料,尤其铋系氧化物半导体材料表现出明显优异的高介电性、铁电性、催化性、超导性等。氧化铋是制备氧化物半导体材料的重要原材料,纳米氧化铋粉体可以有效改善金属铋在功能材料中的分布,降低烧结温度,提供功能材料的性能。技术指标:南京理工大学金属纳米材料与技术联合实验室研发的具有独立知识产权的溶剂热合成纳米氧化铋单晶片方法,可合成单晶氧化铋纳米片,延(345)晶面有生长优势,厚度约40-70nm,形貌单一、尺寸分布范围窄,带隙明显蓝移至2.92eV。用于制备铋的氧化物半导体纳米材料,过程中无杂质的引入,且利于铋元素在半导体功能材料中的均匀分布,进而提高功能材料的性能。知识产权:发明专利项目水平:国内先进成熟程度:小试市场前景:氧化铋单晶纳米片具有十分广阔的应用前景,是铋的氧化物半导体功能材料制备的重要原材料,制备过程无杂质的引入,纳米尺寸利于铋元素在功能材料中的均匀分布,降低烧结温度,提高功能材料的性能。在微电子陶瓷、气敏传感器、数字存储、医药制药和超导材料等领域有广阔的市场应用。合作方式:合作开发、专利许可、技术转让、技术入股
半导体激光测距机
成熟度:通过中试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
项目概况:半导体激光测距机采用高重频脉冲激光光源,利用自动增益技术,在非合作目标情况下,测量距离从十几米到几公里,测量精度为±0.3m,测量精度高,抗干扰能力强,可实现高频率测量,并能与计算机中控系统通讯连接。且具有体积小、重量轻、使用方便等优点。技术指标:测量范围:15m~3000m测量精度:0.3m测频:25KHz知识产权:发明专利项目水平:国内领先成熟程度:中试市场前景:该成果可广泛应用于各种军用、民用测距环境,具有广阔的市场前景。合作方式:合作开发、专利许可、技术转让、技术入股
谐振腔微波光电导晶体硅少子寿命测试仪
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
根据微波光电导的原理,采用谐振腔方案,检测晶体硅半导体材料的少子寿命。样品只要是片状晶体硅(多晶硅、多晶硅)即可。样品不必制备电极,属非破坏性快速检测,少子寿命检测范围:0.1μs到大于1ms,特别合适对低寿命的冶金法多晶硅少子寿命测量。测量误差:±15%;重复性良好。本方法国内首创,尚未见到同类工作的报道。大面积少子寿命的扫描检测,正在研发中。已申请发明专利1项。少子寿命少子寿命是衡量半导体材料纯度和缺陷的重要电学参数,其大小直接决定半导体太阳电池的光电转换效率。目前的光电导衰减和反射式微波光电导都只能检测导1μs以上的寿命,不能检测低寿命的材料,所以本方法特别适合于冶金法多晶硅少子寿命的检测。检测仪器成本低,可获3倍以上的利润。
薄膜型锑铟(ImSb)磁阻元件及传感器
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
我校承担的广东省“八五”攻关项目“半导体薄膜磁阻元件及传感器”,于1995年通过省级鉴定,达到国际先进水平。该磁阻元件的灵敏度比霍尔元件高10倍以上,而且可开发许多新用途。最典型的例子是用薄膜磁阻芯片制成的磁头可以检测磁迹信号,这是辨真防伪技术上的重要应用。目前我校是国内唯一的一家可以生产这种高灵敏度磁头的单位,半导体薄膜磁阻元件及半导体磁头已被评为一九九六年国家级新产品。现向社会推出磁阻元件、磁头、无接触式电位器三种产品和一种半成品:磁阻元件芯片。薄膜型磁阻元件可以制成半导体磁头、磁敏电流传感器、无触点开关、转速表、微位移传感器、编码器、检测中外现钞上磁性标志等二十多种产品。
找到228项技术成果数据。
找技术 >脉冲技术-高质新型纳秒脉冲发电机
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
脉冲技术-高质新型纳秒脉冲发电机 项目简介 实验室简介:脉冲技术实验室是新科技方向 -- 超功率纳秒半导体电子仪器的奠基者。1992年发现半导体超密电流纳秒中断-SOS-效应,是研究的起点。(来自英语Semiconductor Opening Switch)。基础工作包括研究在电流超高密度时在半导体中电子空穴等离子体动态过程,并且确定电流在纳秒和亚纳秒时间波段中断过程规律性。 基础研究结果是在实验室研制的独有的超功率半导体仪器和强电流纳秒脉冲发电机的物理-技术原理。借助此成果,发电机最重要的性能,诸如脉冲功率,输出电压,电流,负荷电压、电流、功率增长速度,同早先已知的半导体设备相比,提高到几十和几百倍。其中,在纳秒半导体技术设备上,首次开发与脉冲功率大瓦特电平结合的兆伏级电压波段。 该基地制造出高质新型纳秒脉冲发电机,可用于脉冲电子加速器、X射线仪器,超高频电子仪器,超宽频带放射发生器,气体激光器和生态工艺。所研制设备全部能量固体配电,区别于使用火花放电器的传统设备。固体配电系统确定高频脉冲跟踪,和高稳定下单位平均功率:致密性,可靠性和实际无限期服务。正是这些性能为在各种电物理工业工艺中使用大功率脉冲设备所必须。
最新废水提白银技术
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
技术投资分析:最新废水提白银技术 一、白银是一种价格昂贵的金属,具有极强的反光能力和良好的导热、导电性,广泛应用于摄影、机械、电子、仪器、仪表、首饰、餐具等行业。目前国家收购价3000多元/公斤,今后由于工业用银大量增加,白银供不应求,价格将继续上涨。二、废水回收白银,过去采用电解法,但设备 投资大,成本高,时间长,且只能回收70%的银;后采用NA法,虽可回收90%的银,但在操作时有毒,对人体健康有影响,设备投资高达上万元。我单位独创的一种适合个人投资的两步法高效快速提取白银新技术,它提炼的白银经国家技术监督部门检测,符合国家收购标准。半小时即可将废水中的白银全部提出,手工操作,不用特殊设备,投资少(100-200元左右),一人即可操作,无毒、无污染、无放射性,提炼所需的化学药品在各县市医药公司或化学试剂商店均有售。技术的应用领域前景分析:通常人们只知道黄金、白银是从矿石中提取的,但还不知道全国各地照相馆、医院放射科、印刷厂、电镀厂、制镜厂、保温瓶厂、电台、电器开关厂、药检所、实验室、感光材料厂等单位每天排放的废水、废料中均含有大量白银,“三废”指:废照像定影液,废镀银液,半导体生产管出的处理废液、废半导体元件,电器接头、镀银边角料、制镜行业等废弃物。原料来源:到各地照像馆、医院放射科、印刷厂、电镀厂、无线电厂、电器开关厂、半导体元件厂、制镜厂、废品回收站等单位联系购买。 效益分析:利用简单工具投资200元,场地10-15平方米, 100公斤废水按300元计,需化工原料及其它费用50-70元,综合成本350-370元,原料充足,每人日可加工200公斤废水废料,因此利润相当可观。厂房条件建议:利用简单工具投资200元,场地10-15平方米, 100公斤废水按300元计,需化工原料及其它费用50-70元,综合成本350-370元,原料充足,每人日可加工200公斤废水废料,因此利润相当可观。备注:无
大功率半导体测试系统
成熟度:可规模生产
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
技术简介:近年来,电子工业不断发展功率元件及系统,而电力电子工业中使用IGBT装置的数量也急速增加。由半导体至电力产品之制造厂皆希望在这些产品中改善成较好的效率及降低所有工业制程步骤的成本,从产品的研发至最后产品品质的控制过程皆必须被完善控制。对这些所有的步骤,测试相对地变的非常重要,且必需准确及可靠。对在生产过程而言, 测试设备须具备多样的特点来配合不同的测试需求。研发工程师需要知道其特性便于其设计,生产的人员须要快速且容易使用的工具,可控制他们的生产制程,品质管制人员则需要检查他们所组合的产品的特性及收集他们的结果来做统计分析。IGBT功率半导体测试系统是指输出瞬态功率大于10KW的自动测试系统,主要用于测试IGBT为代表的新型功率半导体器件。自2007年国家发改委、科技部等部委联合推进实施中国新型大功率器件IGBT研发、生产和测试规划以来,短短几年,这种新型器件几乎从无到有,在中国大陆快速形成东北、东南、西北、华南、华中五个初据规模的研产基地,IGBT设计、芯片制造、模组和单管封装厂家达到近30家,新的生产线建设方兴未艾,仍在快速增加。与此同时,IGBT器件除了在传统电力电子、水利枢纽、冶炼溶炉领域日益广泛应用外,已经快速进入动汽、动车、地铁、机床控制、电源变频等新兴工业领域和诸多民用家电生产领域,2009年度国内IGBT产值接近40亿元。这种新型器件的剧速增产和广泛应用必然需要相应测试设备业的跟进和支持,从而引发了特大功率半导体测试系统需求热。效益与前景分析:在2009年出台的《电子信息产业调整和振兴规划》中,明确提出了“加快电子元器件产品升级”,“充分发挥整机需求的导向作用,围绕国内整机配套调整元器 件产品结构”,提高新型电力电子器件、高频频率器件等产品的研发生产能力,“初步形成完整配套、相互支撑的电子元器件产业体系”。根据《国家中长期科学和技术发展规划纲要(2006-2020年)》,科技部在“十一五”国家科技支撑计划重点项目“电力电子关键器件及重大装备研制”中,将“新型电力电子器件及电力电子集成技术”列为该重点项目的第一项课题。令人欣喜的是国家发改委于2010年3月19下发红头文件:《国家发展改革委办公厅关于组织实施2010年新型电力电子器件产业化专项的通知》,其专项重 点明确了以IGBT为代表的芯片和器件的设计开发及产业化、功率模块产业化等。
专利-轨道车厢及船舶用集成半导体个性化平板照明灯
成熟度:通过中试
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种轨道车厢及船舶用集成半导体个性化平板照明灯,现市场上均是仿传统灯具,而我们的基本特征是:主照明基板采用双面敷铜板,针对12V及24V恒流源光源采用大功率LED芯片4片或8片串联组成一个基本单元集成组件,需照度加大之后再并联,芯片直接焊接在敷铜板经腐蚀制板后保留的敷铜板上,保留的敷铜板分别作为大功率LED芯片各正、负电极的散热片,为增加散热片面积1倍,LED芯片各自正、负极散热片分别制备若干金属镀孔连通双面敷铜板的对应散热片;基板正面密封的保护罩作为辅助照明,保护罩采用阻燃耐高温的透明工程塑料板或透明玻璃制作,保护罩周边端面隐镶进用柔性电路板焊好的普通LED芯片作为辅助照明光源,保护罩内表面喷涂或丝印采光材料薄层;电源采用分别可挖主照明光源及辅助光源或两者一同发光照明,优点是:改进散热、改进色温、减弱光污染,属轨道车厢及船舶用集成半导体个性化平板照明灯技术领域。一种轨道车厢及船舶用集成半导体个性化平板照明灯,基特征是:主照明基板采用双面敷铜板,针对12V或24V恒流源光源采用大功率LED芯片4片或8片串联组成一个基本单元集成组件,需照度加大,之后再并联,芯片直接焊接在敷铜板经腐蚀制板后保留的敷铜板上,保留的敷铜板分别作为大功率LED芯片各正、负电极的散热片,为增加散热片面积1倍,LED芯片各自正、负极散热片分别制备若干金属镀孔连通双面敷铜板的对应散热片;基板正面密封的保护罩作为辅助照明,保护罩采用阻燃耐高温的透明工程塑料板或透明玻璃制作,保护罩周边端面隐镶进用柔性电路板焊好的普通LED芯片作为辅助照明光源,保护罩内表面喷涂或丝印采光材料薄层;电源采用分别可挖主照明光源及辅助光源或两者一同发光照明。
激光治疗仪以及应用技术
成熟度:可规模生产
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
项目概况激光治疗仪日益进入各级医院,特别在国家卫生部颁布的等级医院标准中都对各个等级医院必需具有的医疗设备进行了明文规定,因而开创了广阔的市场。如各种激光眼科治疗仪、半导体激光针灸仪、半导体激光理疗仪、半导体激光牙科治疗仪、弱激光血管内照射治疗仪、激光美容治疗仪等。考虑到这些治疗仪的购买成本并不很高,但给医院带来的经济效益相当可观,因而各级医院愿意购买各种激光治疗仪。近年来,国外在这方面的技术进展迅速,并有望形成广阔的市场。本技术研究各种激光治疗仪及其技术,进而建成先进的产生基地,为我国的激光医学事业提供先进的产品。项目条件自上世纪八十年代以来,我们近年来发挥专业优势,进行了激光对生物组织相互作用机理及其临床应用研究。而后结合国家九五科技攻关项目进行了激光医疗技术的研究,并获得了2001年度的江苏省科技进步奖。也将自行研制的Nd:YAG激光眼科治疗仪在临床中进行了应用研究。技术成熟程度本技术涉及的主要理论和技术均具有自主知识产权,可根据需求进行所需要的半导体或其它激光治疗仪的研制工作。
半导体照明荧光粉的研发及产业化
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
一、项目名称半导体照明荧光粉的研发及产业化二、技术概况半导体白光LED(W-LED)光电转换效率高、节能(同样亮度约为白炽灯的1/8、荧光灯的1/2)、使用寿命长(达10万小时)、安全可靠(全固体化)、环保(无荧光灯的汞污染)等。它在引发21世纪照明革命的同时,也为节能、环保、促进社会可持续发展作出贡献。目前,W-LED技术主要是在掺铟(In)氮化镓(GaN:In)发蓝光的芯片上,加少量发黄光的掺铈(Ce)钇铝石榴石(YAG:Ce)荧光粉,形成白光。YAG:Ce荧光粉目前几乎都从与日本"日亚"有关的台湾子公司进口,存在供货受限制或不及时、价格是成本的几倍等问题。所以,研发半导体照明荧光粉市场潜力巨大,对于经济发展、社会进步具有重要的意义。该项目以Y、Al和Ce的氧化物或盐为主要原料,配成特殊配方,采取不同的工艺制度,以制得不同激发波长的YAG:Ce荧光粉,可满足LED封装和照明的需要,质量稳定。产品为黄色微米级Y3Al512:Ce多晶粉末,结晶完全,无杂相,颗粒均匀,粒度在3~10?m之间,无团聚,粉末需干燥和真空(或保护气体)条件下保存。技术成熟程度该项目为在研的福建省重大科技专题,荧光粉相对亮度已超过主流的商品粉;其中的喷雾法和化学法一已实现产业化合作,固相法和化学法二希望与企业合作。三、产品用途和市场半导体照明荧光粉主要用于W-LED封装。目前,国内W-LED大部分封装厂家用的是台湾入境的荧光粉,此项目的成功,市场前景巨大。四、主要设备和总投资主要设备和测试手段:1,600℃以上气氛炉,行星球磨机,气流粉碎机,希望能有喷雾热解炉;物相分析仪,激光粒度分析仪,荧光粉相对亮度测量仪,LED光学参数测定仪。半导体照明荧光粉属于高科技产品。按我们的制备技术,荧光粉的成本仅为商品粉的几分之一。五、项目可供转让其他需要说明的情况经费资助,委托开发,合作开发,技术转让,等。
氧化铋纳米材料制备技术
成熟度:通过中试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
项目概况:纳米材料特有的量子尺寸效应、小尺寸效应、表面/界面效应和宏观量子隧穿效应,以及半导体纳米粒子的库仑堵塞和量子隧穿效应、介电限域效应、Fano效应、Kondo效应等,使得半导体纳米材料表现出与宏观材料具有显著差异的热、磁、电、声、光等性能。金属铋是一种重要的半导体功能掺杂材料,尤其铋系氧化物半导体材料表现出明显优异的高介电性、铁电性、催化性、超导性等。氧化铋是制备氧化物半导体材料的重要原材料,纳米氧化铋粉体可以有效改善金属铋在功能材料中的分布,降低烧结温度,提供功能材料的性能。技术指标:南京理工大学金属纳米材料与技术联合实验室研发的具有独立知识产权的溶剂热合成纳米氧化铋单晶片方法,可合成单晶氧化铋纳米片,延(345)晶面有生长优势,厚度约40-70nm,形貌单一、尺寸分布范围窄,带隙明显蓝移至2.92eV。用于制备铋的氧化物半导体纳米材料,过程中无杂质的引入,且利于铋元素在半导体功能材料中的均匀分布,进而提高功能材料的性能。知识产权:发明专利项目水平:国内先进成熟程度:小试市场前景:氧化铋单晶纳米片具有十分广阔的应用前景,是铋的氧化物半导体功能材料制备的重要原材料,制备过程无杂质的引入,纳米尺寸利于铋元素在功能材料中的均匀分布,降低烧结温度,提高功能材料的性能。在微电子陶瓷、气敏传感器、数字存储、医药制药和超导材料等领域有广阔的市场应用。合作方式:合作开发、专利许可、技术转让、技术入股
半导体激光测距机
成熟度:通过中试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
项目概况:半导体激光测距机采用高重频脉冲激光光源,利用自动增益技术,在非合作目标情况下,测量距离从十几米到几公里,测量精度为±0.3m,测量精度高,抗干扰能力强,可实现高频率测量,并能与计算机中控系统通讯连接。且具有体积小、重量轻、使用方便等优点。技术指标:测量范围:15m~3000m测量精度:0.3m测频:25KHz知识产权:发明专利项目水平:国内领先成熟程度:中试市场前景:该成果可广泛应用于各种军用、民用测距环境,具有广阔的市场前景。合作方式:合作开发、专利许可、技术转让、技术入股
谐振腔微波光电导晶体硅少子寿命测试仪
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
根据微波光电导的原理,采用谐振腔方案,检测晶体硅半导体材料的少子寿命。样品只要是片状晶体硅(多晶硅、多晶硅)即可。样品不必制备电极,属非破坏性快速检测,少子寿命检测范围:0.1μs到大于1ms,特别合适对低寿命的冶金法多晶硅少子寿命测量。测量误差:±15%;重复性良好。本方法国内首创,尚未见到同类工作的报道。大面积少子寿命的扫描检测,正在研发中。已申请发明专利1项。少子寿命少子寿命是衡量半导体材料纯度和缺陷的重要电学参数,其大小直接决定半导体太阳电池的光电转换效率。目前的光电导衰减和反射式微波光电导都只能检测导1μs以上的寿命,不能检测低寿命的材料,所以本方法特别适合于冶金法多晶硅少子寿命的检测。检测仪器成本低,可获3倍以上的利润。
薄膜型锑铟(ImSb)磁阻元件及传感器
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
我校承担的广东省“八五”攻关项目“半导体薄膜磁阻元件及传感器”,于1995年通过省级鉴定,达到国际先进水平。该磁阻元件的灵敏度比霍尔元件高10倍以上,而且可开发许多新用途。最典型的例子是用薄膜磁阻芯片制成的磁头可以检测磁迹信号,这是辨真防伪技术上的重要应用。目前我校是国内唯一的一家可以生产这种高灵敏度磁头的单位,半导体薄膜磁阻元件及半导体磁头已被评为一九九六年国家级新产品。现向社会推出磁阻元件、磁头、无接触式电位器三种产品和一种半成品:磁阻元件芯片。薄膜型磁阻元件可以制成半导体磁头、磁敏电流传感器、无触点开关、转速表、微位移传感器、编码器、检测中外现钞上磁性标志等二十多种产品。
找到228项技术成果数据。
找技术 >脉冲技术-高质新型纳秒脉冲发电机
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
脉冲技术-高质新型纳秒脉冲发电机 项目简介 实验室简介:脉冲技术实验室是新科技方向 -- 超功率纳秒半导体电子仪器的奠基者。1992年发现半导体超密电流纳秒中断-SOS-效应,是研究的起点。(来自英语Semiconductor Opening Switch)。基础工作包括研究在电流超高密度时在半导体中电子空穴等离子体动态过程,并且确定电流在纳秒和亚纳秒时间波段中断过程规律性。 基础研究结果是在实验室研制的独有的超功率半导体仪器和强电流纳秒脉冲发电机的物理-技术原理。借助此成果,发电机最重要的性能,诸如脉冲功率,输出电压,电流,负荷电压、电流、功率增长速度,同早先已知的半导体设备相比,提高到几十和几百倍。其中,在纳秒半导体技术设备上,首次开发与脉冲功率大瓦特电平结合的兆伏级电压波段。 该基地制造出高质新型纳秒脉冲发电机,可用于脉冲电子加速器、X射线仪器,超高频电子仪器,超宽频带放射发生器,气体激光器和生态工艺。所研制设备全部能量固体配电,区别于使用火花放电器的传统设备。固体配电系统确定高频脉冲跟踪,和高稳定下单位平均功率:致密性,可靠性和实际无限期服务。正是这些性能为在各种电物理工业工艺中使用大功率脉冲设备所必须。
最新废水提白银技术
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
技术投资分析:最新废水提白银技术 一、白银是一种价格昂贵的金属,具有极强的反光能力和良好的导热、导电性,广泛应用于摄影、机械、电子、仪器、仪表、首饰、餐具等行业。目前国家收购价3000多元/公斤,今后由于工业用银大量增加,白银供不应求,价格将继续上涨。二、废水回收白银,过去采用电解法,但设备 投资大,成本高,时间长,且只能回收70%的银;后采用NA法,虽可回收90%的银,但在操作时有毒,对人体健康有影响,设备投资高达上万元。我单位独创的一种适合个人投资的两步法高效快速提取白银新技术,它提炼的白银经国家技术监督部门检测,符合国家收购标准。半小时即可将废水中的白银全部提出,手工操作,不用特殊设备,投资少(100-200元左右),一人即可操作,无毒、无污染、无放射性,提炼所需的化学药品在各县市医药公司或化学试剂商店均有售。技术的应用领域前景分析:通常人们只知道黄金、白银是从矿石中提取的,但还不知道全国各地照相馆、医院放射科、印刷厂、电镀厂、制镜厂、保温瓶厂、电台、电器开关厂、药检所、实验室、感光材料厂等单位每天排放的废水、废料中均含有大量白银,“三废”指:废照像定影液,废镀银液,半导体生产管出的处理废液、废半导体元件,电器接头、镀银边角料、制镜行业等废弃物。原料来源:到各地照像馆、医院放射科、印刷厂、电镀厂、无线电厂、电器开关厂、半导体元件厂、制镜厂、废品回收站等单位联系购买。 效益分析:利用简单工具投资200元,场地10-15平方米, 100公斤废水按300元计,需化工原料及其它费用50-70元,综合成本350-370元,原料充足,每人日可加工200公斤废水废料,因此利润相当可观。厂房条件建议:利用简单工具投资200元,场地10-15平方米, 100公斤废水按300元计,需化工原料及其它费用50-70元,综合成本350-370元,原料充足,每人日可加工200公斤废水废料,因此利润相当可观。备注:无
大功率半导体测试系统
成熟度:可规模生产
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
技术简介:近年来,电子工业不断发展功率元件及系统,而电力电子工业中使用IGBT装置的数量也急速增加。由半导体至电力产品之制造厂皆希望在这些产品中改善成较好的效率及降低所有工业制程步骤的成本,从产品的研发至最后产品品质的控制过程皆必须被完善控制。对这些所有的步骤,测试相对地变的非常重要,且必需准确及可靠。对在生产过程而言, 测试设备须具备多样的特点来配合不同的测试需求。研发工程师需要知道其特性便于其设计,生产的人员须要快速且容易使用的工具,可控制他们的生产制程,品质管制人员则需要检查他们所组合的产品的特性及收集他们的结果来做统计分析。IGBT功率半导体测试系统是指输出瞬态功率大于10KW的自动测试系统,主要用于测试IGBT为代表的新型功率半导体器件。自2007年国家发改委、科技部等部委联合推进实施中国新型大功率器件IGBT研发、生产和测试规划以来,短短几年,这种新型器件几乎从无到有,在中国大陆快速形成东北、东南、西北、华南、华中五个初据规模的研产基地,IGBT设计、芯片制造、模组和单管封装厂家达到近30家,新的生产线建设方兴未艾,仍在快速增加。与此同时,IGBT器件除了在传统电力电子、水利枢纽、冶炼溶炉领域日益广泛应用外,已经快速进入动汽、动车、地铁、机床控制、电源变频等新兴工业领域和诸多民用家电生产领域,2009年度国内IGBT产值接近40亿元。这种新型器件的剧速增产和广泛应用必然需要相应测试设备业的跟进和支持,从而引发了特大功率半导体测试系统需求热。效益与前景分析:在2009年出台的《电子信息产业调整和振兴规划》中,明确提出了“加快电子元器件产品升级”,“充分发挥整机需求的导向作用,围绕国内整机配套调整元器 件产品结构”,提高新型电力电子器件、高频频率器件等产品的研发生产能力,“初步形成完整配套、相互支撑的电子元器件产业体系”。根据《国家中长期科学和技术发展规划纲要(2006-2020年)》,科技部在“十一五”国家科技支撑计划重点项目“电力电子关键器件及重大装备研制”中,将“新型电力电子器件及电力电子集成技术”列为该重点项目的第一项课题。令人欣喜的是国家发改委于2010年3月19下发红头文件:《国家发展改革委办公厅关于组织实施2010年新型电力电子器件产业化专项的通知》,其专项重 点明确了以IGBT为代表的芯片和器件的设计开发及产业化、功率模块产业化等。
专利-轨道车厢及船舶用集成半导体个性化平板照明灯
成熟度:通过中试
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种轨道车厢及船舶用集成半导体个性化平板照明灯,现市场上均是仿传统灯具,而我们的基本特征是:主照明基板采用双面敷铜板,针对12V及24V恒流源光源采用大功率LED芯片4片或8片串联组成一个基本单元集成组件,需照度加大之后再并联,芯片直接焊接在敷铜板经腐蚀制板后保留的敷铜板上,保留的敷铜板分别作为大功率LED芯片各正、负电极的散热片,为增加散热片面积1倍,LED芯片各自正、负极散热片分别制备若干金属镀孔连通双面敷铜板的对应散热片;基板正面密封的保护罩作为辅助照明,保护罩采用阻燃耐高温的透明工程塑料板或透明玻璃制作,保护罩周边端面隐镶进用柔性电路板焊好的普通LED芯片作为辅助照明光源,保护罩内表面喷涂或丝印采光材料薄层;电源采用分别可挖主照明光源及辅助光源或两者一同发光照明,优点是:改进散热、改进色温、减弱光污染,属轨道车厢及船舶用集成半导体个性化平板照明灯技术领域。一种轨道车厢及船舶用集成半导体个性化平板照明灯,基特征是:主照明基板采用双面敷铜板,针对12V或24V恒流源光源采用大功率LED芯片4片或8片串联组成一个基本单元集成组件,需照度加大,之后再并联,芯片直接焊接在敷铜板经腐蚀制板后保留的敷铜板上,保留的敷铜板分别作为大功率LED芯片各正、负电极的散热片,为增加散热片面积1倍,LED芯片各自正、负极散热片分别制备若干金属镀孔连通双面敷铜板的对应散热片;基板正面密封的保护罩作为辅助照明,保护罩采用阻燃耐高温的透明工程塑料板或透明玻璃制作,保护罩周边端面隐镶进用柔性电路板焊好的普通LED芯片作为辅助照明光源,保护罩内表面喷涂或丝印采光材料薄层;电源采用分别可挖主照明光源及辅助光源或两者一同发光照明。
激光治疗仪以及应用技术
成熟度:可规模生产
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
项目概况激光治疗仪日益进入各级医院,特别在国家卫生部颁布的等级医院标准中都对各个等级医院必需具有的医疗设备进行了明文规定,因而开创了广阔的市场。如各种激光眼科治疗仪、半导体激光针灸仪、半导体激光理疗仪、半导体激光牙科治疗仪、弱激光血管内照射治疗仪、激光美容治疗仪等。考虑到这些治疗仪的购买成本并不很高,但给医院带来的经济效益相当可观,因而各级医院愿意购买各种激光治疗仪。近年来,国外在这方面的技术进展迅速,并有望形成广阔的市场。本技术研究各种激光治疗仪及其技术,进而建成先进的产生基地,为我国的激光医学事业提供先进的产品。项目条件自上世纪八十年代以来,我们近年来发挥专业优势,进行了激光对生物组织相互作用机理及其临床应用研究。而后结合国家九五科技攻关项目进行了激光医疗技术的研究,并获得了2001年度的江苏省科技进步奖。也将自行研制的Nd:YAG激光眼科治疗仪在临床中进行了应用研究。技术成熟程度本技术涉及的主要理论和技术均具有自主知识产权,可根据需求进行所需要的半导体或其它激光治疗仪的研制工作。
半导体照明荧光粉的研发及产业化
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
一、项目名称半导体照明荧光粉的研发及产业化二、技术概况半导体白光LED(W-LED)光电转换效率高、节能(同样亮度约为白炽灯的1/8、荧光灯的1/2)、使用寿命长(达10万小时)、安全可靠(全固体化)、环保(无荧光灯的汞污染)等。它在引发21世纪照明革命的同时,也为节能、环保、促进社会可持续发展作出贡献。目前,W-LED技术主要是在掺铟(In)氮化镓(GaN:In)发蓝光的芯片上,加少量发黄光的掺铈(Ce)钇铝石榴石(YAG:Ce)荧光粉,形成白光。YAG:Ce荧光粉目前几乎都从与日本"日亚"有关的台湾子公司进口,存在供货受限制或不及时、价格是成本的几倍等问题。所以,研发半导体照明荧光粉市场潜力巨大,对于经济发展、社会进步具有重要的意义。该项目以Y、Al和Ce的氧化物或盐为主要原料,配成特殊配方,采取不同的工艺制度,以制得不同激发波长的YAG:Ce荧光粉,可满足LED封装和照明的需要,质量稳定。产品为黄色微米级Y3Al512:Ce多晶粉末,结晶完全,无杂相,颗粒均匀,粒度在3~10?m之间,无团聚,粉末需干燥和真空(或保护气体)条件下保存。技术成熟程度该项目为在研的福建省重大科技专题,荧光粉相对亮度已超过主流的商品粉;其中的喷雾法和化学法一已实现产业化合作,固相法和化学法二希望与企业合作。三、产品用途和市场半导体照明荧光粉主要用于W-LED封装。目前,国内W-LED大部分封装厂家用的是台湾入境的荧光粉,此项目的成功,市场前景巨大。四、主要设备和总投资主要设备和测试手段:1,600℃以上气氛炉,行星球磨机,气流粉碎机,希望能有喷雾热解炉;物相分析仪,激光粒度分析仪,荧光粉相对亮度测量仪,LED光学参数测定仪。半导体照明荧光粉属于高科技产品。按我们的制备技术,荧光粉的成本仅为商品粉的几分之一。五、项目可供转让其他需要说明的情况经费资助,委托开发,合作开发,技术转让,等。
氧化铋纳米材料制备技术
成熟度:通过中试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
项目概况:纳米材料特有的量子尺寸效应、小尺寸效应、表面/界面效应和宏观量子隧穿效应,以及半导体纳米粒子的库仑堵塞和量子隧穿效应、介电限域效应、Fano效应、Kondo效应等,使得半导体纳米材料表现出与宏观材料具有显著差异的热、磁、电、声、光等性能。金属铋是一种重要的半导体功能掺杂材料,尤其铋系氧化物半导体材料表现出明显优异的高介电性、铁电性、催化性、超导性等。氧化铋是制备氧化物半导体材料的重要原材料,纳米氧化铋粉体可以有效改善金属铋在功能材料中的分布,降低烧结温度,提供功能材料的性能。技术指标:南京理工大学金属纳米材料与技术联合实验室研发的具有独立知识产权的溶剂热合成纳米氧化铋单晶片方法,可合成单晶氧化铋纳米片,延(345)晶面有生长优势,厚度约40-70nm,形貌单一、尺寸分布范围窄,带隙明显蓝移至2.92eV。用于制备铋的氧化物半导体纳米材料,过程中无杂质的引入,且利于铋元素在半导体功能材料中的均匀分布,进而提高功能材料的性能。知识产权:发明专利项目水平:国内先进成熟程度:小试市场前景:氧化铋单晶纳米片具有十分广阔的应用前景,是铋的氧化物半导体功能材料制备的重要原材料,制备过程无杂质的引入,纳米尺寸利于铋元素在功能材料中的均匀分布,降低烧结温度,提高功能材料的性能。在微电子陶瓷、气敏传感器、数字存储、医药制药和超导材料等领域有广阔的市场应用。合作方式:合作开发、专利许可、技术转让、技术入股
半导体激光测距机
成熟度:通过中试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
项目概况:半导体激光测距机采用高重频脉冲激光光源,利用自动增益技术,在非合作目标情况下,测量距离从十几米到几公里,测量精度为±0.3m,测量精度高,抗干扰能力强,可实现高频率测量,并能与计算机中控系统通讯连接。且具有体积小、重量轻、使用方便等优点。技术指标:测量范围:15m~3000m测量精度:0.3m测频:25KHz知识产权:发明专利项目水平:国内领先成熟程度:中试市场前景:该成果可广泛应用于各种军用、民用测距环境,具有广阔的市场前景。合作方式:合作开发、专利许可、技术转让、技术入股
谐振腔微波光电导晶体硅少子寿命测试仪
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
根据微波光电导的原理,采用谐振腔方案,检测晶体硅半导体材料的少子寿命。样品只要是片状晶体硅(多晶硅、多晶硅)即可。样品不必制备电极,属非破坏性快速检测,少子寿命检测范围:0.1μs到大于1ms,特别合适对低寿命的冶金法多晶硅少子寿命测量。测量误差:±15%;重复性良好。本方法国内首创,尚未见到同类工作的报道。大面积少子寿命的扫描检测,正在研发中。已申请发明专利1项。少子寿命少子寿命是衡量半导体材料纯度和缺陷的重要电学参数,其大小直接决定半导体太阳电池的光电转换效率。目前的光电导衰减和反射式微波光电导都只能检测导1μs以上的寿命,不能检测低寿命的材料,所以本方法特别适合于冶金法多晶硅少子寿命的检测。检测仪器成本低,可获3倍以上的利润。
薄膜型锑铟(ImSb)磁阻元件及传感器
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
我校承担的广东省“八五”攻关项目“半导体薄膜磁阻元件及传感器”,于1995年通过省级鉴定,达到国际先进水平。该磁阻元件的灵敏度比霍尔元件高10倍以上,而且可开发许多新用途。最典型的例子是用薄膜磁阻芯片制成的磁头可以检测磁迹信号,这是辨真防伪技术上的重要应用。目前我校是国内唯一的一家可以生产这种高灵敏度磁头的单位,半导体薄膜磁阻元件及半导体磁头已被评为一九九六年国家级新产品。现向社会推出磁阻元件、磁头、无接触式电位器三种产品和一种半成品:磁阻元件芯片。薄膜型磁阻元件可以制成半导体磁头、磁敏电流传感器、无触点开关、转速表、微位移传感器、编码器、检测中外现钞上磁性标志等二十多种产品。
找到228项技术成果数据。
找技术 >脉冲技术-高质新型纳秒脉冲发电机
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
脉冲技术-高质新型纳秒脉冲发电机 项目简介 实验室简介:脉冲技术实验室是新科技方向 -- 超功率纳秒半导体电子仪器的奠基者。1992年发现半导体超密电流纳秒中断-SOS-效应,是研究的起点。(来自英语Semiconductor Opening Switch)。基础工作包括研究在电流超高密度时在半导体中电子空穴等离子体动态过程,并且确定电流在纳秒和亚纳秒时间波段中断过程规律性。 基础研究结果是在实验室研制的独有的超功率半导体仪器和强电流纳秒脉冲发电机的物理-技术原理。借助此成果,发电机最重要的性能,诸如脉冲功率,输出电压,电流,负荷电压、电流、功率增长速度,同早先已知的半导体设备相比,提高到几十和几百倍。其中,在纳秒半导体技术设备上,首次开发与脉冲功率大瓦特电平结合的兆伏级电压波段。 该基地制造出高质新型纳秒脉冲发电机,可用于脉冲电子加速器、X射线仪器,超高频电子仪器,超宽频带放射发生器,气体激光器和生态工艺。所研制设备全部能量固体配电,区别于使用火花放电器的传统设备。固体配电系统确定高频脉冲跟踪,和高稳定下单位平均功率:致密性,可靠性和实际无限期服务。正是这些性能为在各种电物理工业工艺中使用大功率脉冲设备所必须。
最新废水提白银技术
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
技术投资分析:最新废水提白银技术 一、白银是一种价格昂贵的金属,具有极强的反光能力和良好的导热、导电性,广泛应用于摄影、机械、电子、仪器、仪表、首饰、餐具等行业。目前国家收购价3000多元/公斤,今后由于工业用银大量增加,白银供不应求,价格将继续上涨。二、废水回收白银,过去采用电解法,但设备 投资大,成本高,时间长,且只能回收70%的银;后采用NA法,虽可回收90%的银,但在操作时有毒,对人体健康有影响,设备投资高达上万元。我单位独创的一种适合个人投资的两步法高效快速提取白银新技术,它提炼的白银经国家技术监督部门检测,符合国家收购标准。半小时即可将废水中的白银全部提出,手工操作,不用特殊设备,投资少(100-200元左右),一人即可操作,无毒、无污染、无放射性,提炼所需的化学药品在各县市医药公司或化学试剂商店均有售。技术的应用领域前景分析:通常人们只知道黄金、白银是从矿石中提取的,但还不知道全国各地照相馆、医院放射科、印刷厂、电镀厂、制镜厂、保温瓶厂、电台、电器开关厂、药检所、实验室、感光材料厂等单位每天排放的废水、废料中均含有大量白银,“三废”指:废照像定影液,废镀银液,半导体生产管出的处理废液、废半导体元件,电器接头、镀银边角料、制镜行业等废弃物。原料来源:到各地照像馆、医院放射科、印刷厂、电镀厂、无线电厂、电器开关厂、半导体元件厂、制镜厂、废品回收站等单位联系购买。 效益分析:利用简单工具投资200元,场地10-15平方米, 100公斤废水按300元计,需化工原料及其它费用50-70元,综合成本350-370元,原料充足,每人日可加工200公斤废水废料,因此利润相当可观。厂房条件建议:利用简单工具投资200元,场地10-15平方米, 100公斤废水按300元计,需化工原料及其它费用50-70元,综合成本350-370元,原料充足,每人日可加工200公斤废水废料,因此利润相当可观。备注:无
大功率半导体测试系统
成熟度:可规模生产
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
技术简介:近年来,电子工业不断发展功率元件及系统,而电力电子工业中使用IGBT装置的数量也急速增加。由半导体至电力产品之制造厂皆希望在这些产品中改善成较好的效率及降低所有工业制程步骤的成本,从产品的研发至最后产品品质的控制过程皆必须被完善控制。对这些所有的步骤,测试相对地变的非常重要,且必需准确及可靠。对在生产过程而言, 测试设备须具备多样的特点来配合不同的测试需求。研发工程师需要知道其特性便于其设计,生产的人员须要快速且容易使用的工具,可控制他们的生产制程,品质管制人员则需要检查他们所组合的产品的特性及收集他们的结果来做统计分析。IGBT功率半导体测试系统是指输出瞬态功率大于10KW的自动测试系统,主要用于测试IGBT为代表的新型功率半导体器件。自2007年国家发改委、科技部等部委联合推进实施中国新型大功率器件IGBT研发、生产和测试规划以来,短短几年,这种新型器件几乎从无到有,在中国大陆快速形成东北、东南、西北、华南、华中五个初据规模的研产基地,IGBT设计、芯片制造、模组和单管封装厂家达到近30家,新的生产线建设方兴未艾,仍在快速增加。与此同时,IGBT器件除了在传统电力电子、水利枢纽、冶炼溶炉领域日益广泛应用外,已经快速进入动汽、动车、地铁、机床控制、电源变频等新兴工业领域和诸多民用家电生产领域,2009年度国内IGBT产值接近40亿元。这种新型器件的剧速增产和广泛应用必然需要相应测试设备业的跟进和支持,从而引发了特大功率半导体测试系统需求热。效益与前景分析:在2009年出台的《电子信息产业调整和振兴规划》中,明确提出了“加快电子元器件产品升级”,“充分发挥整机需求的导向作用,围绕国内整机配套调整元器 件产品结构”,提高新型电力电子器件、高频频率器件等产品的研发生产能力,“初步形成完整配套、相互支撑的电子元器件产业体系”。根据《国家中长期科学和技术发展规划纲要(2006-2020年)》,科技部在“十一五”国家科技支撑计划重点项目“电力电子关键器件及重大装备研制”中,将“新型电力电子器件及电力电子集成技术”列为该重点项目的第一项课题。令人欣喜的是国家发改委于2010年3月19下发红头文件:《国家发展改革委办公厅关于组织实施2010年新型电力电子器件产业化专项的通知》,其专项重 点明确了以IGBT为代表的芯片和器件的设计开发及产业化、功率模块产业化等。
专利-轨道车厢及船舶用集成半导体个性化平板照明灯
成熟度:通过中试
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种轨道车厢及船舶用集成半导体个性化平板照明灯,现市场上均是仿传统灯具,而我们的基本特征是:主照明基板采用双面敷铜板,针对12V及24V恒流源光源采用大功率LED芯片4片或8片串联组成一个基本单元集成组件,需照度加大之后再并联,芯片直接焊接在敷铜板经腐蚀制板后保留的敷铜板上,保留的敷铜板分别作为大功率LED芯片各正、负电极的散热片,为增加散热片面积1倍,LED芯片各自正、负极散热片分别制备若干金属镀孔连通双面敷铜板的对应散热片;基板正面密封的保护罩作为辅助照明,保护罩采用阻燃耐高温的透明工程塑料板或透明玻璃制作,保护罩周边端面隐镶进用柔性电路板焊好的普通LED芯片作为辅助照明光源,保护罩内表面喷涂或丝印采光材料薄层;电源采用分别可挖主照明光源及辅助光源或两者一同发光照明,优点是:改进散热、改进色温、减弱光污染,属轨道车厢及船舶用集成半导体个性化平板照明灯技术领域。一种轨道车厢及船舶用集成半导体个性化平板照明灯,基特征是:主照明基板采用双面敷铜板,针对12V或24V恒流源光源采用大功率LED芯片4片或8片串联组成一个基本单元集成组件,需照度加大,之后再并联,芯片直接焊接在敷铜板经腐蚀制板后保留的敷铜板上,保留的敷铜板分别作为大功率LED芯片各正、负电极的散热片,为增加散热片面积1倍,LED芯片各自正、负极散热片分别制备若干金属镀孔连通双面敷铜板的对应散热片;基板正面密封的保护罩作为辅助照明,保护罩采用阻燃耐高温的透明工程塑料板或透明玻璃制作,保护罩周边端面隐镶进用柔性电路板焊好的普通LED芯片作为辅助照明光源,保护罩内表面喷涂或丝印采光材料薄层;电源采用分别可挖主照明光源及辅助光源或两者一同发光照明。
激光治疗仪以及应用技术
成熟度:可规模生产
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
项目概况激光治疗仪日益进入各级医院,特别在国家卫生部颁布的等级医院标准中都对各个等级医院必需具有的医疗设备进行了明文规定,因而开创了广阔的市场。如各种激光眼科治疗仪、半导体激光针灸仪、半导体激光理疗仪、半导体激光牙科治疗仪、弱激光血管内照射治疗仪、激光美容治疗仪等。考虑到这些治疗仪的购买成本并不很高,但给医院带来的经济效益相当可观,因而各级医院愿意购买各种激光治疗仪。近年来,国外在这方面的技术进展迅速,并有望形成广阔的市场。本技术研究各种激光治疗仪及其技术,进而建成先进的产生基地,为我国的激光医学事业提供先进的产品。项目条件自上世纪八十年代以来,我们近年来发挥专业优势,进行了激光对生物组织相互作用机理及其临床应用研究。而后结合国家九五科技攻关项目进行了激光医疗技术的研究,并获得了2001年度的江苏省科技进步奖。也将自行研制的Nd:YAG激光眼科治疗仪在临床中进行了应用研究。技术成熟程度本技术涉及的主要理论和技术均具有自主知识产权,可根据需求进行所需要的半导体或其它激光治疗仪的研制工作。
半导体照明荧光粉的研发及产业化
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
一、项目名称半导体照明荧光粉的研发及产业化二、技术概况半导体白光LED(W-LED)光电转换效率高、节能(同样亮度约为白炽灯的1/8、荧光灯的1/2)、使用寿命长(达10万小时)、安全可靠(全固体化)、环保(无荧光灯的汞污染)等。它在引发21世纪照明革命的同时,也为节能、环保、促进社会可持续发展作出贡献。目前,W-LED技术主要是在掺铟(In)氮化镓(GaN:In)发蓝光的芯片上,加少量发黄光的掺铈(Ce)钇铝石榴石(YAG:Ce)荧光粉,形成白光。YAG:Ce荧光粉目前几乎都从与日本"日亚"有关的台湾子公司进口,存在供货受限制或不及时、价格是成本的几倍等问题。所以,研发半导体照明荧光粉市场潜力巨大,对于经济发展、社会进步具有重要的意义。该项目以Y、Al和Ce的氧化物或盐为主要原料,配成特殊配方,采取不同的工艺制度,以制得不同激发波长的YAG:Ce荧光粉,可满足LED封装和照明的需要,质量稳定。产品为黄色微米级Y3Al512:Ce多晶粉末,结晶完全,无杂相,颗粒均匀,粒度在3~10?m之间,无团聚,粉末需干燥和真空(或保护气体)条件下保存。技术成熟程度该项目为在研的福建省重大科技专题,荧光粉相对亮度已超过主流的商品粉;其中的喷雾法和化学法一已实现产业化合作,固相法和化学法二希望与企业合作。三、产品用途和市场半导体照明荧光粉主要用于W-LED封装。目前,国内W-LED大部分封装厂家用的是台湾入境的荧光粉,此项目的成功,市场前景巨大。四、主要设备和总投资主要设备和测试手段:1,600℃以上气氛炉,行星球磨机,气流粉碎机,希望能有喷雾热解炉;物相分析仪,激光粒度分析仪,荧光粉相对亮度测量仪,LED光学参数测定仪。半导体照明荧光粉属于高科技产品。按我们的制备技术,荧光粉的成本仅为商品粉的几分之一。五、项目可供转让其他需要说明的情况经费资助,委托开发,合作开发,技术转让,等。
氧化铋纳米材料制备技术
成熟度:通过中试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
项目概况:纳米材料特有的量子尺寸效应、小尺寸效应、表面/界面效应和宏观量子隧穿效应,以及半导体纳米粒子的库仑堵塞和量子隧穿效应、介电限域效应、Fano效应、Kondo效应等,使得半导体纳米材料表现出与宏观材料具有显著差异的热、磁、电、声、光等性能。金属铋是一种重要的半导体功能掺杂材料,尤其铋系氧化物半导体材料表现出明显优异的高介电性、铁电性、催化性、超导性等。氧化铋是制备氧化物半导体材料的重要原材料,纳米氧化铋粉体可以有效改善金属铋在功能材料中的分布,降低烧结温度,提供功能材料的性能。技术指标:南京理工大学金属纳米材料与技术联合实验室研发的具有独立知识产权的溶剂热合成纳米氧化铋单晶片方法,可合成单晶氧化铋纳米片,延(345)晶面有生长优势,厚度约40-70nm,形貌单一、尺寸分布范围窄,带隙明显蓝移至2.92eV。用于制备铋的氧化物半导体纳米材料,过程中无杂质的引入,且利于铋元素在半导体功能材料中的均匀分布,进而提高功能材料的性能。知识产权:发明专利项目水平:国内先进成熟程度:小试市场前景:氧化铋单晶纳米片具有十分广阔的应用前景,是铋的氧化物半导体功能材料制备的重要原材料,制备过程无杂质的引入,纳米尺寸利于铋元素在功能材料中的均匀分布,降低烧结温度,提高功能材料的性能。在微电子陶瓷、气敏传感器、数字存储、医药制药和超导材料等领域有广阔的市场应用。合作方式:合作开发、专利许可、技术转让、技术入股
半导体激光测距机
成熟度:通过中试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
项目概况:半导体激光测距机采用高重频脉冲激光光源,利用自动增益技术,在非合作目标情况下,测量距离从十几米到几公里,测量精度为±0.3m,测量精度高,抗干扰能力强,可实现高频率测量,并能与计算机中控系统通讯连接。且具有体积小、重量轻、使用方便等优点。技术指标:测量范围:15m~3000m测量精度:0.3m测频:25KHz知识产权:发明专利项目水平:国内领先成熟程度:中试市场前景:该成果可广泛应用于各种军用、民用测距环境,具有广阔的市场前景。合作方式:合作开发、专利许可、技术转让、技术入股
谐振腔微波光电导晶体硅少子寿命测试仪
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
根据微波光电导的原理,采用谐振腔方案,检测晶体硅半导体材料的少子寿命。样品只要是片状晶体硅(多晶硅、多晶硅)即可。样品不必制备电极,属非破坏性快速检测,少子寿命检测范围:0.1μs到大于1ms,特别合适对低寿命的冶金法多晶硅少子寿命测量。测量误差:±15%;重复性良好。本方法国内首创,尚未见到同类工作的报道。大面积少子寿命的扫描检测,正在研发中。已申请发明专利1项。少子寿命少子寿命是衡量半导体材料纯度和缺陷的重要电学参数,其大小直接决定半导体太阳电池的光电转换效率。目前的光电导衰减和反射式微波光电导都只能检测导1μs以上的寿命,不能检测低寿命的材料,所以本方法特别适合于冶金法多晶硅少子寿命的检测。检测仪器成本低,可获3倍以上的利润。
薄膜型锑铟(ImSb)磁阻元件及传感器
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
我校承担的广东省“八五”攻关项目“半导体薄膜磁阻元件及传感器”,于1995年通过省级鉴定,达到国际先进水平。该磁阻元件的灵敏度比霍尔元件高10倍以上,而且可开发许多新用途。最典型的例子是用薄膜磁阻芯片制成的磁头可以检测磁迹信号,这是辨真防伪技术上的重要应用。目前我校是国内唯一的一家可以生产这种高灵敏度磁头的单位,半导体薄膜磁阻元件及半导体磁头已被评为一九九六年国家级新产品。现向社会推出磁阻元件、磁头、无接触式电位器三种产品和一种半成品:磁阻元件芯片。薄膜型磁阻元件可以制成半导体磁头、磁敏电流传感器、无触点开关、转速表、微位移传感器、编码器、检测中外现钞上磁性标志等二十多种产品。
找到228项技术成果数据。
找技术 >脉冲技术-高质新型纳秒脉冲发电机
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
脉冲技术-高质新型纳秒脉冲发电机 项目简介 实验室简介:脉冲技术实验室是新科技方向 -- 超功率纳秒半导体电子仪器的奠基者。1992年发现半导体超密电流纳秒中断-SOS-效应,是研究的起点。(来自英语Semiconductor Opening Switch)。基础工作包括研究在电流超高密度时在半导体中电子空穴等离子体动态过程,并且确定电流在纳秒和亚纳秒时间波段中断过程规律性。 基础研究结果是在实验室研制的独有的超功率半导体仪器和强电流纳秒脉冲发电机的物理-技术原理。借助此成果,发电机最重要的性能,诸如脉冲功率,输出电压,电流,负荷电压、电流、功率增长速度,同早先已知的半导体设备相比,提高到几十和几百倍。其中,在纳秒半导体技术设备上,首次开发与脉冲功率大瓦特电平结合的兆伏级电压波段。 该基地制造出高质新型纳秒脉冲发电机,可用于脉冲电子加速器、X射线仪器,超高频电子仪器,超宽频带放射发生器,气体激光器和生态工艺。所研制设备全部能量固体配电,区别于使用火花放电器的传统设备。固体配电系统确定高频脉冲跟踪,和高稳定下单位平均功率:致密性,可靠性和实际无限期服务。正是这些性能为在各种电物理工业工艺中使用大功率脉冲设备所必须。
最新废水提白银技术
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
技术投资分析:最新废水提白银技术 一、白银是一种价格昂贵的金属,具有极强的反光能力和良好的导热、导电性,广泛应用于摄影、机械、电子、仪器、仪表、首饰、餐具等行业。目前国家收购价3000多元/公斤,今后由于工业用银大量增加,白银供不应求,价格将继续上涨。二、废水回收白银,过去采用电解法,但设备 投资大,成本高,时间长,且只能回收70%的银;后采用NA法,虽可回收90%的银,但在操作时有毒,对人体健康有影响,设备投资高达上万元。我单位独创的一种适合个人投资的两步法高效快速提取白银新技术,它提炼的白银经国家技术监督部门检测,符合国家收购标准。半小时即可将废水中的白银全部提出,手工操作,不用特殊设备,投资少(100-200元左右),一人即可操作,无毒、无污染、无放射性,提炼所需的化学药品在各县市医药公司或化学试剂商店均有售。技术的应用领域前景分析:通常人们只知道黄金、白银是从矿石中提取的,但还不知道全国各地照相馆、医院放射科、印刷厂、电镀厂、制镜厂、保温瓶厂、电台、电器开关厂、药检所、实验室、感光材料厂等单位每天排放的废水、废料中均含有大量白银,“三废”指:废照像定影液,废镀银液,半导体生产管出的处理废液、废半导体元件,电器接头、镀银边角料、制镜行业等废弃物。原料来源:到各地照像馆、医院放射科、印刷厂、电镀厂、无线电厂、电器开关厂、半导体元件厂、制镜厂、废品回收站等单位联系购买。 效益分析:利用简单工具投资200元,场地10-15平方米, 100公斤废水按300元计,需化工原料及其它费用50-70元,综合成本350-370元,原料充足,每人日可加工200公斤废水废料,因此利润相当可观。厂房条件建议:利用简单工具投资200元,场地10-15平方米, 100公斤废水按300元计,需化工原料及其它费用50-70元,综合成本350-370元,原料充足,每人日可加工200公斤废水废料,因此利润相当可观。备注:无
大功率半导体测试系统
成熟度:可规模生产
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
技术简介:近年来,电子工业不断发展功率元件及系统,而电力电子工业中使用IGBT装置的数量也急速增加。由半导体至电力产品之制造厂皆希望在这些产品中改善成较好的效率及降低所有工业制程步骤的成本,从产品的研发至最后产品品质的控制过程皆必须被完善控制。对这些所有的步骤,测试相对地变的非常重要,且必需准确及可靠。对在生产过程而言, 测试设备须具备多样的特点来配合不同的测试需求。研发工程师需要知道其特性便于其设计,生产的人员须要快速且容易使用的工具,可控制他们的生产制程,品质管制人员则需要检查他们所组合的产品的特性及收集他们的结果来做统计分析。IGBT功率半导体测试系统是指输出瞬态功率大于10KW的自动测试系统,主要用于测试IGBT为代表的新型功率半导体器件。自2007年国家发改委、科技部等部委联合推进实施中国新型大功率器件IGBT研发、生产和测试规划以来,短短几年,这种新型器件几乎从无到有,在中国大陆快速形成东北、东南、西北、华南、华中五个初据规模的研产基地,IGBT设计、芯片制造、模组和单管封装厂家达到近30家,新的生产线建设方兴未艾,仍在快速增加。与此同时,IGBT器件除了在传统电力电子、水利枢纽、冶炼溶炉领域日益广泛应用外,已经快速进入动汽、动车、地铁、机床控制、电源变频等新兴工业领域和诸多民用家电生产领域,2009年度国内IGBT产值接近40亿元。这种新型器件的剧速增产和广泛应用必然需要相应测试设备业的跟进和支持,从而引发了特大功率半导体测试系统需求热。效益与前景分析:在2009年出台的《电子信息产业调整和振兴规划》中,明确提出了“加快电子元器件产品升级”,“充分发挥整机需求的导向作用,围绕国内整机配套调整元器 件产品结构”,提高新型电力电子器件、高频频率器件等产品的研发生产能力,“初步形成完整配套、相互支撑的电子元器件产业体系”。根据《国家中长期科学和技术发展规划纲要(2006-2020年)》,科技部在“十一五”国家科技支撑计划重点项目“电力电子关键器件及重大装备研制”中,将“新型电力电子器件及电力电子集成技术”列为该重点项目的第一项课题。令人欣喜的是国家发改委于2010年3月19下发红头文件:《国家发展改革委办公厅关于组织实施2010年新型电力电子器件产业化专项的通知》,其专项重 点明确了以IGBT为代表的芯片和器件的设计开发及产业化、功率模块产业化等。
专利-轨道车厢及船舶用集成半导体个性化平板照明灯
成熟度:通过中试
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种轨道车厢及船舶用集成半导体个性化平板照明灯,现市场上均是仿传统灯具,而我们的基本特征是:主照明基板采用双面敷铜板,针对12V及24V恒流源光源采用大功率LED芯片4片或8片串联组成一个基本单元集成组件,需照度加大之后再并联,芯片直接焊接在敷铜板经腐蚀制板后保留的敷铜板上,保留的敷铜板分别作为大功率LED芯片各正、负电极的散热片,为增加散热片面积1倍,LED芯片各自正、负极散热片分别制备若干金属镀孔连通双面敷铜板的对应散热片;基板正面密封的保护罩作为辅助照明,保护罩采用阻燃耐高温的透明工程塑料板或透明玻璃制作,保护罩周边端面隐镶进用柔性电路板焊好的普通LED芯片作为辅助照明光源,保护罩内表面喷涂或丝印采光材料薄层;电源采用分别可挖主照明光源及辅助光源或两者一同发光照明,优点是:改进散热、改进色温、减弱光污染,属轨道车厢及船舶用集成半导体个性化平板照明灯技术领域。一种轨道车厢及船舶用集成半导体个性化平板照明灯,基特征是:主照明基板采用双面敷铜板,针对12V或24V恒流源光源采用大功率LED芯片4片或8片串联组成一个基本单元集成组件,需照度加大,之后再并联,芯片直接焊接在敷铜板经腐蚀制板后保留的敷铜板上,保留的敷铜板分别作为大功率LED芯片各正、负电极的散热片,为增加散热片面积1倍,LED芯片各自正、负极散热片分别制备若干金属镀孔连通双面敷铜板的对应散热片;基板正面密封的保护罩作为辅助照明,保护罩采用阻燃耐高温的透明工程塑料板或透明玻璃制作,保护罩周边端面隐镶进用柔性电路板焊好的普通LED芯片作为辅助照明光源,保护罩内表面喷涂或丝印采光材料薄层;电源采用分别可挖主照明光源及辅助光源或两者一同发光照明。
激光治疗仪以及应用技术
成熟度:可规模生产
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
项目概况激光治疗仪日益进入各级医院,特别在国家卫生部颁布的等级医院标准中都对各个等级医院必需具有的医疗设备进行了明文规定,因而开创了广阔的市场。如各种激光眼科治疗仪、半导体激光针灸仪、半导体激光理疗仪、半导体激光牙科治疗仪、弱激光血管内照射治疗仪、激光美容治疗仪等。考虑到这些治疗仪的购买成本并不很高,但给医院带来的经济效益相当可观,因而各级医院愿意购买各种激光治疗仪。近年来,国外在这方面的技术进展迅速,并有望形成广阔的市场。本技术研究各种激光治疗仪及其技术,进而建成先进的产生基地,为我国的激光医学事业提供先进的产品。项目条件自上世纪八十年代以来,我们近年来发挥专业优势,进行了激光对生物组织相互作用机理及其临床应用研究。而后结合国家九五科技攻关项目进行了激光医疗技术的研究,并获得了2001年度的江苏省科技进步奖。也将自行研制的Nd:YAG激光眼科治疗仪在临床中进行了应用研究。技术成熟程度本技术涉及的主要理论和技术均具有自主知识产权,可根据需求进行所需要的半导体或其它激光治疗仪的研制工作。
半导体照明荧光粉的研发及产业化
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
一、项目名称半导体照明荧光粉的研发及产业化二、技术概况半导体白光LED(W-LED)光电转换效率高、节能(同样亮度约为白炽灯的1/8、荧光灯的1/2)、使用寿命长(达10万小时)、安全可靠(全固体化)、环保(无荧光灯的汞污染)等。它在引发21世纪照明革命的同时,也为节能、环保、促进社会可持续发展作出贡献。目前,W-LED技术主要是在掺铟(In)氮化镓(GaN:In)发蓝光的芯片上,加少量发黄光的掺铈(Ce)钇铝石榴石(YAG:Ce)荧光粉,形成白光。YAG:Ce荧光粉目前几乎都从与日本"日亚"有关的台湾子公司进口,存在供货受限制或不及时、价格是成本的几倍等问题。所以,研发半导体照明荧光粉市场潜力巨大,对于经济发展、社会进步具有重要的意义。该项目以Y、Al和Ce的氧化物或盐为主要原料,配成特殊配方,采取不同的工艺制度,以制得不同激发波长的YAG:Ce荧光粉,可满足LED封装和照明的需要,质量稳定。产品为黄色微米级Y3Al512:Ce多晶粉末,结晶完全,无杂相,颗粒均匀,粒度在3~10?m之间,无团聚,粉末需干燥和真空(或保护气体)条件下保存。技术成熟程度该项目为在研的福建省重大科技专题,荧光粉相对亮度已超过主流的商品粉;其中的喷雾法和化学法一已实现产业化合作,固相法和化学法二希望与企业合作。三、产品用途和市场半导体照明荧光粉主要用于W-LED封装。目前,国内W-LED大部分封装厂家用的是台湾入境的荧光粉,此项目的成功,市场前景巨大。四、主要设备和总投资主要设备和测试手段:1,600℃以上气氛炉,行星球磨机,气流粉碎机,希望能有喷雾热解炉;物相分析仪,激光粒度分析仪,荧光粉相对亮度测量仪,LED光学参数测定仪。半导体照明荧光粉属于高科技产品。按我们的制备技术,荧光粉的成本仅为商品粉的几分之一。五、项目可供转让其他需要说明的情况经费资助,委托开发,合作开发,技术转让,等。
氧化铋纳米材料制备技术
成熟度:通过中试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
项目概况:纳米材料特有的量子尺寸效应、小尺寸效应、表面/界面效应和宏观量子隧穿效应,以及半导体纳米粒子的库仑堵塞和量子隧穿效应、介电限域效应、Fano效应、Kondo效应等,使得半导体纳米材料表现出与宏观材料具有显著差异的热、磁、电、声、光等性能。金属铋是一种重要的半导体功能掺杂材料,尤其铋系氧化物半导体材料表现出明显优异的高介电性、铁电性、催化性、超导性等。氧化铋是制备氧化物半导体材料的重要原材料,纳米氧化铋粉体可以有效改善金属铋在功能材料中的分布,降低烧结温度,提供功能材料的性能。技术指标:南京理工大学金属纳米材料与技术联合实验室研发的具有独立知识产权的溶剂热合成纳米氧化铋单晶片方法,可合成单晶氧化铋纳米片,延(345)晶面有生长优势,厚度约40-70nm,形貌单一、尺寸分布范围窄,带隙明显蓝移至2.92eV。用于制备铋的氧化物半导体纳米材料,过程中无杂质的引入,且利于铋元素在半导体功能材料中的均匀分布,进而提高功能材料的性能。知识产权:发明专利项目水平:国内先进成熟程度:小试市场前景:氧化铋单晶纳米片具有十分广阔的应用前景,是铋的氧化物半导体功能材料制备的重要原材料,制备过程无杂质的引入,纳米尺寸利于铋元素在功能材料中的均匀分布,降低烧结温度,提高功能材料的性能。在微电子陶瓷、气敏传感器、数字存储、医药制药和超导材料等领域有广阔的市场应用。合作方式:合作开发、专利许可、技术转让、技术入股
半导体激光测距机
成熟度:通过中试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
项目概况:半导体激光测距机采用高重频脉冲激光光源,利用自动增益技术,在非合作目标情况下,测量距离从十几米到几公里,测量精度为±0.3m,测量精度高,抗干扰能力强,可实现高频率测量,并能与计算机中控系统通讯连接。且具有体积小、重量轻、使用方便等优点。技术指标:测量范围:15m~3000m测量精度:0.3m测频:25KHz知识产权:发明专利项目水平:国内领先成熟程度:中试市场前景:该成果可广泛应用于各种军用、民用测距环境,具有广阔的市场前景。合作方式:合作开发、专利许可、技术转让、技术入股
谐振腔微波光电导晶体硅少子寿命测试仪
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
根据微波光电导的原理,采用谐振腔方案,检测晶体硅半导体材料的少子寿命。样品只要是片状晶体硅(多晶硅、多晶硅)即可。样品不必制备电极,属非破坏性快速检测,少子寿命检测范围:0.1μs到大于1ms,特别合适对低寿命的冶金法多晶硅少子寿命测量。测量误差:±15%;重复性良好。本方法国内首创,尚未见到同类工作的报道。大面积少子寿命的扫描检测,正在研发中。已申请发明专利1项。少子寿命少子寿命是衡量半导体材料纯度和缺陷的重要电学参数,其大小直接决定半导体太阳电池的光电转换效率。目前的光电导衰减和反射式微波光电导都只能检测导1μs以上的寿命,不能检测低寿命的材料,所以本方法特别适合于冶金法多晶硅少子寿命的检测。检测仪器成本低,可获3倍以上的利润。
薄膜型锑铟(ImSb)磁阻元件及传感器
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
我校承担的广东省“八五”攻关项目“半导体薄膜磁阻元件及传感器”,于1995年通过省级鉴定,达到国际先进水平。该磁阻元件的灵敏度比霍尔元件高10倍以上,而且可开发许多新用途。最典型的例子是用薄膜磁阻芯片制成的磁头可以检测磁迹信号,这是辨真防伪技术上的重要应用。目前我校是国内唯一的一家可以生产这种高灵敏度磁头的单位,半导体薄膜磁阻元件及半导体磁头已被评为一九九六年国家级新产品。现向社会推出磁阻元件、磁头、无接触式电位器三种产品和一种半成品:磁阻元件芯片。薄膜型磁阻元件可以制成半导体磁头、磁敏电流传感器、无触点开关、转速表、微位移传感器、编码器、检测中外现钞上磁性标志等二十多种产品。