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找技术 >一种半导体超疏水涂料及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明涉及疏水涂料领域,具体是一种半导体超疏水涂料及其制备方法,包括以下步骤:a.先将疏水纳米粒子、半导体填料剪切搅拌均匀后加入70%-80%有机溶剂混合;b.将热塑性成膜树脂和剩下的有机溶剂混合,剪切搅拌均匀;c.将a步骤和步骤b得到的溶液混合后加入低表面能物质、固化剂和助剂;d.将c步骤得到的溶液超声2-20分钟,然后搅拌5分钟~2小时直至搅拌均匀,即得产物;采用本方案的半导体超疏水涂料,能自我修复且无需消耗电能、不会分解表面的有机物质。
一种多孔结构隧穿层有机场效应晶体管存储器及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种多孔结构隧穿层有机场效应晶体管存储器及其制备方法,属于半导体行业存储器技术和生物薄膜技术领域。该存储器包括源漏电极、半导体、第二类栅绝缘层、浮栅层、第一类栅绝缘层,所述第一类栅绝缘层为二氧化硅/硅基片,所述半导体与第一类栅绝缘层之间从上到下依次有具有多孔结构聚合物薄膜层和纳米结构浮栅层。本发明通过简单的工艺手段改进存储器性能,使其反复擦写可靠性得到很大提升;并且采用金属铜作为器件源漏电极,降低了器件制备成本,便于推广、应用。
一种固态成像探测器
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
一种固态成像探测器 探测器每个单元的构成是:在基底P型半导体硅材料1上方的两侧设有重掺杂的N型半导体区域,分别构成探测器的两个漏区2,在基底P型半导体硅材料上方的中央设有重掺杂的N型半导体区域,构成探测器的源区3。两个漏区和共用源区之间基底的正上方依次分别设有隧穿氧化层4、光电子存储层5、阻挡绝缘介质层6和控制栅极7,控制栅极的上方覆盖有光阻挡层8。探测器的两个漏区和共用的源区之间分别形成两个MOSFET结构的存储管。探测器的源区和漏区的大小不对称,漏区2面积较小,且漏区表面被金属硅化物所覆盖9,防止光照入漏区。探测器的源区3面积较大,为探测器的光电转换区。探测器的源区采用N+注入形成的埋层构成,源区半导体表面没有被金属硅化物所覆盖。探测器从控制栅极往下到基底层没有对探测光波透明的或半透明的窗口,而在源区的上方设有对光波透明的或半透明的窗口。
GaN基金属‑超薄氧化物‑半导体的复合结构纳米激光器及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种GaN基金属‑超薄氧化物‑半导体的复合结构纳米激光器,由基片和InGaN/GaN量子阱纳米柱组成,基片结构依次包括SiO2‑Si衬底、金属层、超薄氧化物层;所述InGaN/GaN量子阱纳米柱放置于超薄氧化物层表面,其结构依次包括蓝宝石衬底层、n型GaN层、InxGa1‑xN/GaN量子阱有源层和p型GaN层。并公开了其制备方法。该激光器结构具有以下优点(1)具有很小的光模体积,能够突破光的衍射极限,实现亚微米尺寸激光器;(2)具有极低的激射阈值,MUTOS激光结构能够在0.15kW/cm2的光泵下产生激射;(3)能够对激光的模式进行调控,实现单模和多模激光发射。本发明的激光器结构在超高分辨智能显示,复杂生物成像,硅基集成电路与光电子器件光电互联方面都有潜在应用价值。
一步可控合成多种形貌Zn-Cd-S半导体纳米复合材料的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
ZnxCd1-xS纳米复合材料的制备方法,在具有温度梯度的管式炉中,以配备有抽真空装置的石英管为反应器,将CdS或ZnS放置于反应器中部,反应温度800-900℃,升温速率400-600℃/小时;相应的将ZnCl2或CdCl2放置于反应器氩气流进气口一端,反应温度300-700℃;表面镀金的Si100片放置于氩气流出气口一侧作为样品生长的衬底,反应温度400-650℃;硫化物和氯化物原料的摩尔比为1∶2-2∶1,氩气吹扫时间0.5-3小时,氩气流速15-60毫升/分钟,x为0.2至0.95。本发明工艺简单、成本低、过程容易控制,无污染,样品形貌丰富、选择性高、重复性好。
柔性场效应晶体管及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种柔性场效应晶体管及其制备方法。所述柔性场效应晶体管包括间隔设置在柔性衬底上且位于同一平面的源极和漏极,所述源极和漏极之间经半导体导电沟道电连接;覆盖于所述半导体导电沟道上的介质层;以及,叠设在所述介质层上的栅极。其中,所述半导体导电沟道采用碳纳米管层或氧化还原石墨烯层。本发明通过采用微机电系统加工技术、印刷电子技术与纳米碳材料等相结合,在柔性衬底上制备具有性能良好的场效应晶体管,其结构简单、工艺灵活、成本较低、适于大批量生产。
一种n型半导体有机薄膜及肖特基特性自整流阻变存储器
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种n型半导体有机薄膜及肖特基特性自整流阻变存储器。 所述有机薄膜是由甲基丙烯酸甲酯和聚醚酰亚胺组成的共混物制成。 所述肖特基特性自整流阻变存储器,包括底电极、沉积于底电极上的阻变层和沉积于阻变层上的上电极,所述底电极是导电薄膜电极,所述阻变层是n型PEI-MMA有机薄膜,所述上电极是金电极、银电极、铂电极、钯电极、铝电极、钛电极或铜电极。 本发明不仅保持器件具有较好的双极性存储功能,而且增加了存储器的自整流功能,可避免存储器在三维集成时其1R结构存在的串扰问题,其自整流功能具有肖特基特性,较之pn结自整流阻变存储器,具有肖特基二极管带来的开关速度快,开关损耗小等一切优点,降低了功耗,提高了读写速度。
铋掺杂的钒酸钇半导体用于光催化降解乙烯
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及铋掺杂的钒酸钇半导体用于光催化降解乙烯。该铋掺杂的钒酸钇光催化剂成本低、光催化活性高,稳定性好,能够在模拟太阳光辐照下,固定床和流动床高效光催化降解乙烯,同时该光催化剂很容易收集回收利用,具有很好的应用前景。
一种基于单片机的智能温控水杯
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型公开了一种基于单片机的智能温控水杯,包括杯盖、杯体和底座,所述杯体由外壳和内胆组成,所述外壳集成了显示屏幕和按键控制模块,所述内胆底部设有水温检测模块,主体面上贴有半导体冷热片,所述半导体冷热片外面安装热管散热器,所述底座集成了单片机控制模块和电源,所述单片机控制模块接收到所述水温检测模块和所述按键控制模块的信息,控制所述显示屏幕实时显示水温信息,并通过放大电路控制所述半导体冷热片对水温进行调节。本实用新型可实时显示水温信息,并对水杯内水进行快速制冷或加热;充分利用单片机的控制特点和半导体冷热片的体积小、高效率、无污染的特点,使智能温控水杯制冷加热效率高,且易携带。
基于电镀液中表面活性剂浓度控制氧化亚铜半导体导电类型的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明涉及一种基于电镀液中表面活性剂浓度控制氧化亚铜半导体导电类型的方法。现有技术中没有可以在一种固定pH值的酸性溶液中同时制得具有不同导电类型的氧化亚铜半导体的方法。本发明清洗导电玻璃备用;配置铜盐溶液作为二价铜离子的来源,并调节至酸性;将SDS加入铜盐溶液中得到电镀液,利用恒电位仪在该电镀液中进行电沉积;沉积所得的薄膜用二次蒸馏水清洗并用吹风机吹干,得到Cu2O薄膜;不同浓度的SDS的电镀液可制得不同导电类型的Cu2O薄膜。本发明可在固定pH值的酸性溶液中调控氧化亚铜半导体的导电类型,方便制备p型导电或者n型导电的氧化亚铜,方法简单且容易操作。
找到228项技术成果数据。
找技术 >一种半导体超疏水涂料及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明涉及疏水涂料领域,具体是一种半导体超疏水涂料及其制备方法,包括以下步骤:a.先将疏水纳米粒子、半导体填料剪切搅拌均匀后加入70%-80%有机溶剂混合;b.将热塑性成膜树脂和剩下的有机溶剂混合,剪切搅拌均匀;c.将a步骤和步骤b得到的溶液混合后加入低表面能物质、固化剂和助剂;d.将c步骤得到的溶液超声2-20分钟,然后搅拌5分钟~2小时直至搅拌均匀,即得产物;采用本方案的半导体超疏水涂料,能自我修复且无需消耗电能、不会分解表面的有机物质。
一种多孔结构隧穿层有机场效应晶体管存储器及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种多孔结构隧穿层有机场效应晶体管存储器及其制备方法,属于半导体行业存储器技术和生物薄膜技术领域。该存储器包括源漏电极、半导体、第二类栅绝缘层、浮栅层、第一类栅绝缘层,所述第一类栅绝缘层为二氧化硅/硅基片,所述半导体与第一类栅绝缘层之间从上到下依次有具有多孔结构聚合物薄膜层和纳米结构浮栅层。本发明通过简单的工艺手段改进存储器性能,使其反复擦写可靠性得到很大提升;并且采用金属铜作为器件源漏电极,降低了器件制备成本,便于推广、应用。
一种固态成像探测器
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
一种固态成像探测器 探测器每个单元的构成是:在基底P型半导体硅材料1上方的两侧设有重掺杂的N型半导体区域,分别构成探测器的两个漏区2,在基底P型半导体硅材料上方的中央设有重掺杂的N型半导体区域,构成探测器的源区3。两个漏区和共用源区之间基底的正上方依次分别设有隧穿氧化层4、光电子存储层5、阻挡绝缘介质层6和控制栅极7,控制栅极的上方覆盖有光阻挡层8。探测器的两个漏区和共用的源区之间分别形成两个MOSFET结构的存储管。探测器的源区和漏区的大小不对称,漏区2面积较小,且漏区表面被金属硅化物所覆盖9,防止光照入漏区。探测器的源区3面积较大,为探测器的光电转换区。探测器的源区采用N+注入形成的埋层构成,源区半导体表面没有被金属硅化物所覆盖。探测器从控制栅极往下到基底层没有对探测光波透明的或半透明的窗口,而在源区的上方设有对光波透明的或半透明的窗口。
GaN基金属‑超薄氧化物‑半导体的复合结构纳米激光器及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种GaN基金属‑超薄氧化物‑半导体的复合结构纳米激光器,由基片和InGaN/GaN量子阱纳米柱组成,基片结构依次包括SiO2‑Si衬底、金属层、超薄氧化物层;所述InGaN/GaN量子阱纳米柱放置于超薄氧化物层表面,其结构依次包括蓝宝石衬底层、n型GaN层、InxGa1‑xN/GaN量子阱有源层和p型GaN层。并公开了其制备方法。该激光器结构具有以下优点(1)具有很小的光模体积,能够突破光的衍射极限,实现亚微米尺寸激光器;(2)具有极低的激射阈值,MUTOS激光结构能够在0.15kW/cm2的光泵下产生激射;(3)能够对激光的模式进行调控,实现单模和多模激光发射。本发明的激光器结构在超高分辨智能显示,复杂生物成像,硅基集成电路与光电子器件光电互联方面都有潜在应用价值。
一步可控合成多种形貌Zn-Cd-S半导体纳米复合材料的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
ZnxCd1-xS纳米复合材料的制备方法,在具有温度梯度的管式炉中,以配备有抽真空装置的石英管为反应器,将CdS或ZnS放置于反应器中部,反应温度800-900℃,升温速率400-600℃/小时;相应的将ZnCl2或CdCl2放置于反应器氩气流进气口一端,反应温度300-700℃;表面镀金的Si100片放置于氩气流出气口一侧作为样品生长的衬底,反应温度400-650℃;硫化物和氯化物原料的摩尔比为1∶2-2∶1,氩气吹扫时间0.5-3小时,氩气流速15-60毫升/分钟,x为0.2至0.95。本发明工艺简单、成本低、过程容易控制,无污染,样品形貌丰富、选择性高、重复性好。
柔性场效应晶体管及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种柔性场效应晶体管及其制备方法。所述柔性场效应晶体管包括间隔设置在柔性衬底上且位于同一平面的源极和漏极,所述源极和漏极之间经半导体导电沟道电连接;覆盖于所述半导体导电沟道上的介质层;以及,叠设在所述介质层上的栅极。其中,所述半导体导电沟道采用碳纳米管层或氧化还原石墨烯层。本发明通过采用微机电系统加工技术、印刷电子技术与纳米碳材料等相结合,在柔性衬底上制备具有性能良好的场效应晶体管,其结构简单、工艺灵活、成本较低、适于大批量生产。
一种n型半导体有机薄膜及肖特基特性自整流阻变存储器
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种n型半导体有机薄膜及肖特基特性自整流阻变存储器。 所述有机薄膜是由甲基丙烯酸甲酯和聚醚酰亚胺组成的共混物制成。 所述肖特基特性自整流阻变存储器,包括底电极、沉积于底电极上的阻变层和沉积于阻变层上的上电极,所述底电极是导电薄膜电极,所述阻变层是n型PEI-MMA有机薄膜,所述上电极是金电极、银电极、铂电极、钯电极、铝电极、钛电极或铜电极。 本发明不仅保持器件具有较好的双极性存储功能,而且增加了存储器的自整流功能,可避免存储器在三维集成时其1R结构存在的串扰问题,其自整流功能具有肖特基特性,较之pn结自整流阻变存储器,具有肖特基二极管带来的开关速度快,开关损耗小等一切优点,降低了功耗,提高了读写速度。
铋掺杂的钒酸钇半导体用于光催化降解乙烯
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及铋掺杂的钒酸钇半导体用于光催化降解乙烯。该铋掺杂的钒酸钇光催化剂成本低、光催化活性高,稳定性好,能够在模拟太阳光辐照下,固定床和流动床高效光催化降解乙烯,同时该光催化剂很容易收集回收利用,具有很好的应用前景。
一种基于单片机的智能温控水杯
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型公开了一种基于单片机的智能温控水杯,包括杯盖、杯体和底座,所述杯体由外壳和内胆组成,所述外壳集成了显示屏幕和按键控制模块,所述内胆底部设有水温检测模块,主体面上贴有半导体冷热片,所述半导体冷热片外面安装热管散热器,所述底座集成了单片机控制模块和电源,所述单片机控制模块接收到所述水温检测模块和所述按键控制模块的信息,控制所述显示屏幕实时显示水温信息,并通过放大电路控制所述半导体冷热片对水温进行调节。本实用新型可实时显示水温信息,并对水杯内水进行快速制冷或加热;充分利用单片机的控制特点和半导体冷热片的体积小、高效率、无污染的特点,使智能温控水杯制冷加热效率高,且易携带。
基于电镀液中表面活性剂浓度控制氧化亚铜半导体导电类型的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明涉及一种基于电镀液中表面活性剂浓度控制氧化亚铜半导体导电类型的方法。现有技术中没有可以在一种固定pH值的酸性溶液中同时制得具有不同导电类型的氧化亚铜半导体的方法。本发明清洗导电玻璃备用;配置铜盐溶液作为二价铜离子的来源,并调节至酸性;将SDS加入铜盐溶液中得到电镀液,利用恒电位仪在该电镀液中进行电沉积;沉积所得的薄膜用二次蒸馏水清洗并用吹风机吹干,得到Cu2O薄膜;不同浓度的SDS的电镀液可制得不同导电类型的Cu2O薄膜。本发明可在固定pH值的酸性溶液中调控氧化亚铜半导体的导电类型,方便制备p型导电或者n型导电的氧化亚铜,方法简单且容易操作。
找到228项技术成果数据。
找技术 >一种半导体超疏水涂料及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明涉及疏水涂料领域,具体是一种半导体超疏水涂料及其制备方法,包括以下步骤:a.先将疏水纳米粒子、半导体填料剪切搅拌均匀后加入70%-80%有机溶剂混合;b.将热塑性成膜树脂和剩下的有机溶剂混合,剪切搅拌均匀;c.将a步骤和步骤b得到的溶液混合后加入低表面能物质、固化剂和助剂;d.将c步骤得到的溶液超声2-20分钟,然后搅拌5分钟~2小时直至搅拌均匀,即得产物;采用本方案的半导体超疏水涂料,能自我修复且无需消耗电能、不会分解表面的有机物质。
一种多孔结构隧穿层有机场效应晶体管存储器及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种多孔结构隧穿层有机场效应晶体管存储器及其制备方法,属于半导体行业存储器技术和生物薄膜技术领域。该存储器包括源漏电极、半导体、第二类栅绝缘层、浮栅层、第一类栅绝缘层,所述第一类栅绝缘层为二氧化硅/硅基片,所述半导体与第一类栅绝缘层之间从上到下依次有具有多孔结构聚合物薄膜层和纳米结构浮栅层。本发明通过简单的工艺手段改进存储器性能,使其反复擦写可靠性得到很大提升;并且采用金属铜作为器件源漏电极,降低了器件制备成本,便于推广、应用。
一种固态成像探测器
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
一种固态成像探测器 探测器每个单元的构成是:在基底P型半导体硅材料1上方的两侧设有重掺杂的N型半导体区域,分别构成探测器的两个漏区2,在基底P型半导体硅材料上方的中央设有重掺杂的N型半导体区域,构成探测器的源区3。两个漏区和共用源区之间基底的正上方依次分别设有隧穿氧化层4、光电子存储层5、阻挡绝缘介质层6和控制栅极7,控制栅极的上方覆盖有光阻挡层8。探测器的两个漏区和共用的源区之间分别形成两个MOSFET结构的存储管。探测器的源区和漏区的大小不对称,漏区2面积较小,且漏区表面被金属硅化物所覆盖9,防止光照入漏区。探测器的源区3面积较大,为探测器的光电转换区。探测器的源区采用N+注入形成的埋层构成,源区半导体表面没有被金属硅化物所覆盖。探测器从控制栅极往下到基底层没有对探测光波透明的或半透明的窗口,而在源区的上方设有对光波透明的或半透明的窗口。
GaN基金属‑超薄氧化物‑半导体的复合结构纳米激光器及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种GaN基金属‑超薄氧化物‑半导体的复合结构纳米激光器,由基片和InGaN/GaN量子阱纳米柱组成,基片结构依次包括SiO2‑Si衬底、金属层、超薄氧化物层;所述InGaN/GaN量子阱纳米柱放置于超薄氧化物层表面,其结构依次包括蓝宝石衬底层、n型GaN层、InxGa1‑xN/GaN量子阱有源层和p型GaN层。并公开了其制备方法。该激光器结构具有以下优点(1)具有很小的光模体积,能够突破光的衍射极限,实现亚微米尺寸激光器;(2)具有极低的激射阈值,MUTOS激光结构能够在0.15kW/cm2的光泵下产生激射;(3)能够对激光的模式进行调控,实现单模和多模激光发射。本发明的激光器结构在超高分辨智能显示,复杂生物成像,硅基集成电路与光电子器件光电互联方面都有潜在应用价值。
一步可控合成多种形貌Zn-Cd-S半导体纳米复合材料的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
ZnxCd1-xS纳米复合材料的制备方法,在具有温度梯度的管式炉中,以配备有抽真空装置的石英管为反应器,将CdS或ZnS放置于反应器中部,反应温度800-900℃,升温速率400-600℃/小时;相应的将ZnCl2或CdCl2放置于反应器氩气流进气口一端,反应温度300-700℃;表面镀金的Si100片放置于氩气流出气口一侧作为样品生长的衬底,反应温度400-650℃;硫化物和氯化物原料的摩尔比为1∶2-2∶1,氩气吹扫时间0.5-3小时,氩气流速15-60毫升/分钟,x为0.2至0.95。本发明工艺简单、成本低、过程容易控制,无污染,样品形貌丰富、选择性高、重复性好。
柔性场效应晶体管及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种柔性场效应晶体管及其制备方法。所述柔性场效应晶体管包括间隔设置在柔性衬底上且位于同一平面的源极和漏极,所述源极和漏极之间经半导体导电沟道电连接;覆盖于所述半导体导电沟道上的介质层;以及,叠设在所述介质层上的栅极。其中,所述半导体导电沟道采用碳纳米管层或氧化还原石墨烯层。本发明通过采用微机电系统加工技术、印刷电子技术与纳米碳材料等相结合,在柔性衬底上制备具有性能良好的场效应晶体管,其结构简单、工艺灵活、成本较低、适于大批量生产。
一种n型半导体有机薄膜及肖特基特性自整流阻变存储器
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种n型半导体有机薄膜及肖特基特性自整流阻变存储器。 所述有机薄膜是由甲基丙烯酸甲酯和聚醚酰亚胺组成的共混物制成。 所述肖特基特性自整流阻变存储器,包括底电极、沉积于底电极上的阻变层和沉积于阻变层上的上电极,所述底电极是导电薄膜电极,所述阻变层是n型PEI-MMA有机薄膜,所述上电极是金电极、银电极、铂电极、钯电极、铝电极、钛电极或铜电极。 本发明不仅保持器件具有较好的双极性存储功能,而且增加了存储器的自整流功能,可避免存储器在三维集成时其1R结构存在的串扰问题,其自整流功能具有肖特基特性,较之pn结自整流阻变存储器,具有肖特基二极管带来的开关速度快,开关损耗小等一切优点,降低了功耗,提高了读写速度。
铋掺杂的钒酸钇半导体用于光催化降解乙烯
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及铋掺杂的钒酸钇半导体用于光催化降解乙烯。该铋掺杂的钒酸钇光催化剂成本低、光催化活性高,稳定性好,能够在模拟太阳光辐照下,固定床和流动床高效光催化降解乙烯,同时该光催化剂很容易收集回收利用,具有很好的应用前景。
一种基于单片机的智能温控水杯
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型公开了一种基于单片机的智能温控水杯,包括杯盖、杯体和底座,所述杯体由外壳和内胆组成,所述外壳集成了显示屏幕和按键控制模块,所述内胆底部设有水温检测模块,主体面上贴有半导体冷热片,所述半导体冷热片外面安装热管散热器,所述底座集成了单片机控制模块和电源,所述单片机控制模块接收到所述水温检测模块和所述按键控制模块的信息,控制所述显示屏幕实时显示水温信息,并通过放大电路控制所述半导体冷热片对水温进行调节。本实用新型可实时显示水温信息,并对水杯内水进行快速制冷或加热;充分利用单片机的控制特点和半导体冷热片的体积小、高效率、无污染的特点,使智能温控水杯制冷加热效率高,且易携带。
基于电镀液中表面活性剂浓度控制氧化亚铜半导体导电类型的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明涉及一种基于电镀液中表面活性剂浓度控制氧化亚铜半导体导电类型的方法。现有技术中没有可以在一种固定pH值的酸性溶液中同时制得具有不同导电类型的氧化亚铜半导体的方法。本发明清洗导电玻璃备用;配置铜盐溶液作为二价铜离子的来源,并调节至酸性;将SDS加入铜盐溶液中得到电镀液,利用恒电位仪在该电镀液中进行电沉积;沉积所得的薄膜用二次蒸馏水清洗并用吹风机吹干,得到Cu2O薄膜;不同浓度的SDS的电镀液可制得不同导电类型的Cu2O薄膜。本发明可在固定pH值的酸性溶液中调控氧化亚铜半导体的导电类型,方便制备p型导电或者n型导电的氧化亚铜,方法简单且容易操作。
找到228项技术成果数据。
找技术 >一种半导体超疏水涂料及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明涉及疏水涂料领域,具体是一种半导体超疏水涂料及其制备方法,包括以下步骤:a.先将疏水纳米粒子、半导体填料剪切搅拌均匀后加入70%-80%有机溶剂混合;b.将热塑性成膜树脂和剩下的有机溶剂混合,剪切搅拌均匀;c.将a步骤和步骤b得到的溶液混合后加入低表面能物质、固化剂和助剂;d.将c步骤得到的溶液超声2-20分钟,然后搅拌5分钟~2小时直至搅拌均匀,即得产物;采用本方案的半导体超疏水涂料,能自我修复且无需消耗电能、不会分解表面的有机物质。
一种多孔结构隧穿层有机场效应晶体管存储器及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种多孔结构隧穿层有机场效应晶体管存储器及其制备方法,属于半导体行业存储器技术和生物薄膜技术领域。该存储器包括源漏电极、半导体、第二类栅绝缘层、浮栅层、第一类栅绝缘层,所述第一类栅绝缘层为二氧化硅/硅基片,所述半导体与第一类栅绝缘层之间从上到下依次有具有多孔结构聚合物薄膜层和纳米结构浮栅层。本发明通过简单的工艺手段改进存储器性能,使其反复擦写可靠性得到很大提升;并且采用金属铜作为器件源漏电极,降低了器件制备成本,便于推广、应用。
一种固态成像探测器
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
一种固态成像探测器 探测器每个单元的构成是:在基底P型半导体硅材料1上方的两侧设有重掺杂的N型半导体区域,分别构成探测器的两个漏区2,在基底P型半导体硅材料上方的中央设有重掺杂的N型半导体区域,构成探测器的源区3。两个漏区和共用源区之间基底的正上方依次分别设有隧穿氧化层4、光电子存储层5、阻挡绝缘介质层6和控制栅极7,控制栅极的上方覆盖有光阻挡层8。探测器的两个漏区和共用的源区之间分别形成两个MOSFET结构的存储管。探测器的源区和漏区的大小不对称,漏区2面积较小,且漏区表面被金属硅化物所覆盖9,防止光照入漏区。探测器的源区3面积较大,为探测器的光电转换区。探测器的源区采用N+注入形成的埋层构成,源区半导体表面没有被金属硅化物所覆盖。探测器从控制栅极往下到基底层没有对探测光波透明的或半透明的窗口,而在源区的上方设有对光波透明的或半透明的窗口。
GaN基金属‑超薄氧化物‑半导体的复合结构纳米激光器及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种GaN基金属‑超薄氧化物‑半导体的复合结构纳米激光器,由基片和InGaN/GaN量子阱纳米柱组成,基片结构依次包括SiO2‑Si衬底、金属层、超薄氧化物层;所述InGaN/GaN量子阱纳米柱放置于超薄氧化物层表面,其结构依次包括蓝宝石衬底层、n型GaN层、InxGa1‑xN/GaN量子阱有源层和p型GaN层。并公开了其制备方法。该激光器结构具有以下优点(1)具有很小的光模体积,能够突破光的衍射极限,实现亚微米尺寸激光器;(2)具有极低的激射阈值,MUTOS激光结构能够在0.15kW/cm2的光泵下产生激射;(3)能够对激光的模式进行调控,实现单模和多模激光发射。本发明的激光器结构在超高分辨智能显示,复杂生物成像,硅基集成电路与光电子器件光电互联方面都有潜在应用价值。
一步可控合成多种形貌Zn-Cd-S半导体纳米复合材料的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
ZnxCd1-xS纳米复合材料的制备方法,在具有温度梯度的管式炉中,以配备有抽真空装置的石英管为反应器,将CdS或ZnS放置于反应器中部,反应温度800-900℃,升温速率400-600℃/小时;相应的将ZnCl2或CdCl2放置于反应器氩气流进气口一端,反应温度300-700℃;表面镀金的Si100片放置于氩气流出气口一侧作为样品生长的衬底,反应温度400-650℃;硫化物和氯化物原料的摩尔比为1∶2-2∶1,氩气吹扫时间0.5-3小时,氩气流速15-60毫升/分钟,x为0.2至0.95。本发明工艺简单、成本低、过程容易控制,无污染,样品形貌丰富、选择性高、重复性好。
柔性场效应晶体管及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种柔性场效应晶体管及其制备方法。所述柔性场效应晶体管包括间隔设置在柔性衬底上且位于同一平面的源极和漏极,所述源极和漏极之间经半导体导电沟道电连接;覆盖于所述半导体导电沟道上的介质层;以及,叠设在所述介质层上的栅极。其中,所述半导体导电沟道采用碳纳米管层或氧化还原石墨烯层。本发明通过采用微机电系统加工技术、印刷电子技术与纳米碳材料等相结合,在柔性衬底上制备具有性能良好的场效应晶体管,其结构简单、工艺灵活、成本较低、适于大批量生产。
一种n型半导体有机薄膜及肖特基特性自整流阻变存储器
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种n型半导体有机薄膜及肖特基特性自整流阻变存储器。 所述有机薄膜是由甲基丙烯酸甲酯和聚醚酰亚胺组成的共混物制成。 所述肖特基特性自整流阻变存储器,包括底电极、沉积于底电极上的阻变层和沉积于阻变层上的上电极,所述底电极是导电薄膜电极,所述阻变层是n型PEI-MMA有机薄膜,所述上电极是金电极、银电极、铂电极、钯电极、铝电极、钛电极或铜电极。 本发明不仅保持器件具有较好的双极性存储功能,而且增加了存储器的自整流功能,可避免存储器在三维集成时其1R结构存在的串扰问题,其自整流功能具有肖特基特性,较之pn结自整流阻变存储器,具有肖特基二极管带来的开关速度快,开关损耗小等一切优点,降低了功耗,提高了读写速度。
铋掺杂的钒酸钇半导体用于光催化降解乙烯
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及铋掺杂的钒酸钇半导体用于光催化降解乙烯。该铋掺杂的钒酸钇光催化剂成本低、光催化活性高,稳定性好,能够在模拟太阳光辐照下,固定床和流动床高效光催化降解乙烯,同时该光催化剂很容易收集回收利用,具有很好的应用前景。
一种基于单片机的智能温控水杯
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型公开了一种基于单片机的智能温控水杯,包括杯盖、杯体和底座,所述杯体由外壳和内胆组成,所述外壳集成了显示屏幕和按键控制模块,所述内胆底部设有水温检测模块,主体面上贴有半导体冷热片,所述半导体冷热片外面安装热管散热器,所述底座集成了单片机控制模块和电源,所述单片机控制模块接收到所述水温检测模块和所述按键控制模块的信息,控制所述显示屏幕实时显示水温信息,并通过放大电路控制所述半导体冷热片对水温进行调节。本实用新型可实时显示水温信息,并对水杯内水进行快速制冷或加热;充分利用单片机的控制特点和半导体冷热片的体积小、高效率、无污染的特点,使智能温控水杯制冷加热效率高,且易携带。
基于电镀液中表面活性剂浓度控制氧化亚铜半导体导电类型的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明涉及一种基于电镀液中表面活性剂浓度控制氧化亚铜半导体导电类型的方法。现有技术中没有可以在一种固定pH值的酸性溶液中同时制得具有不同导电类型的氧化亚铜半导体的方法。本发明清洗导电玻璃备用;配置铜盐溶液作为二价铜离子的来源,并调节至酸性;将SDS加入铜盐溶液中得到电镀液,利用恒电位仪在该电镀液中进行电沉积;沉积所得的薄膜用二次蒸馏水清洗并用吹风机吹干,得到Cu2O薄膜;不同浓度的SDS的电镀液可制得不同导电类型的Cu2O薄膜。本发明可在固定pH值的酸性溶液中调控氧化亚铜半导体的导电类型,方便制备p型导电或者n型导电的氧化亚铜,方法简单且容易操作。
找到228项技术成果数据。
找技术 >一种半导体超疏水涂料及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明涉及疏水涂料领域,具体是一种半导体超疏水涂料及其制备方法,包括以下步骤:a.先将疏水纳米粒子、半导体填料剪切搅拌均匀后加入70%-80%有机溶剂混合;b.将热塑性成膜树脂和剩下的有机溶剂混合,剪切搅拌均匀;c.将a步骤和步骤b得到的溶液混合后加入低表面能物质、固化剂和助剂;d.将c步骤得到的溶液超声2-20分钟,然后搅拌5分钟~2小时直至搅拌均匀,即得产物;采用本方案的半导体超疏水涂料,能自我修复且无需消耗电能、不会分解表面的有机物质。
一种多孔结构隧穿层有机场效应晶体管存储器及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种多孔结构隧穿层有机场效应晶体管存储器及其制备方法,属于半导体行业存储器技术和生物薄膜技术领域。该存储器包括源漏电极、半导体、第二类栅绝缘层、浮栅层、第一类栅绝缘层,所述第一类栅绝缘层为二氧化硅/硅基片,所述半导体与第一类栅绝缘层之间从上到下依次有具有多孔结构聚合物薄膜层和纳米结构浮栅层。本发明通过简单的工艺手段改进存储器性能,使其反复擦写可靠性得到很大提升;并且采用金属铜作为器件源漏电极,降低了器件制备成本,便于推广、应用。
一种固态成像探测器
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
一种固态成像探测器 探测器每个单元的构成是:在基底P型半导体硅材料1上方的两侧设有重掺杂的N型半导体区域,分别构成探测器的两个漏区2,在基底P型半导体硅材料上方的中央设有重掺杂的N型半导体区域,构成探测器的源区3。两个漏区和共用源区之间基底的正上方依次分别设有隧穿氧化层4、光电子存储层5、阻挡绝缘介质层6和控制栅极7,控制栅极的上方覆盖有光阻挡层8。探测器的两个漏区和共用的源区之间分别形成两个MOSFET结构的存储管。探测器的源区和漏区的大小不对称,漏区2面积较小,且漏区表面被金属硅化物所覆盖9,防止光照入漏区。探测器的源区3面积较大,为探测器的光电转换区。探测器的源区采用N+注入形成的埋层构成,源区半导体表面没有被金属硅化物所覆盖。探测器从控制栅极往下到基底层没有对探测光波透明的或半透明的窗口,而在源区的上方设有对光波透明的或半透明的窗口。
GaN基金属‑超薄氧化物‑半导体的复合结构纳米激光器及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种GaN基金属‑超薄氧化物‑半导体的复合结构纳米激光器,由基片和InGaN/GaN量子阱纳米柱组成,基片结构依次包括SiO2‑Si衬底、金属层、超薄氧化物层;所述InGaN/GaN量子阱纳米柱放置于超薄氧化物层表面,其结构依次包括蓝宝石衬底层、n型GaN层、InxGa1‑xN/GaN量子阱有源层和p型GaN层。并公开了其制备方法。该激光器结构具有以下优点(1)具有很小的光模体积,能够突破光的衍射极限,实现亚微米尺寸激光器;(2)具有极低的激射阈值,MUTOS激光结构能够在0.15kW/cm2的光泵下产生激射;(3)能够对激光的模式进行调控,实现单模和多模激光发射。本发明的激光器结构在超高分辨智能显示,复杂生物成像,硅基集成电路与光电子器件光电互联方面都有潜在应用价值。
一步可控合成多种形貌Zn-Cd-S半导体纳米复合材料的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
ZnxCd1-xS纳米复合材料的制备方法,在具有温度梯度的管式炉中,以配备有抽真空装置的石英管为反应器,将CdS或ZnS放置于反应器中部,反应温度800-900℃,升温速率400-600℃/小时;相应的将ZnCl2或CdCl2放置于反应器氩气流进气口一端,反应温度300-700℃;表面镀金的Si100片放置于氩气流出气口一侧作为样品生长的衬底,反应温度400-650℃;硫化物和氯化物原料的摩尔比为1∶2-2∶1,氩气吹扫时间0.5-3小时,氩气流速15-60毫升/分钟,x为0.2至0.95。本发明工艺简单、成本低、过程容易控制,无污染,样品形貌丰富、选择性高、重复性好。
柔性场效应晶体管及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种柔性场效应晶体管及其制备方法。所述柔性场效应晶体管包括间隔设置在柔性衬底上且位于同一平面的源极和漏极,所述源极和漏极之间经半导体导电沟道电连接;覆盖于所述半导体导电沟道上的介质层;以及,叠设在所述介质层上的栅极。其中,所述半导体导电沟道采用碳纳米管层或氧化还原石墨烯层。本发明通过采用微机电系统加工技术、印刷电子技术与纳米碳材料等相结合,在柔性衬底上制备具有性能良好的场效应晶体管,其结构简单、工艺灵活、成本较低、适于大批量生产。
一种n型半导体有机薄膜及肖特基特性自整流阻变存储器
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种n型半导体有机薄膜及肖特基特性自整流阻变存储器。 所述有机薄膜是由甲基丙烯酸甲酯和聚醚酰亚胺组成的共混物制成。 所述肖特基特性自整流阻变存储器,包括底电极、沉积于底电极上的阻变层和沉积于阻变层上的上电极,所述底电极是导电薄膜电极,所述阻变层是n型PEI-MMA有机薄膜,所述上电极是金电极、银电极、铂电极、钯电极、铝电极、钛电极或铜电极。 本发明不仅保持器件具有较好的双极性存储功能,而且增加了存储器的自整流功能,可避免存储器在三维集成时其1R结构存在的串扰问题,其自整流功能具有肖特基特性,较之pn结自整流阻变存储器,具有肖特基二极管带来的开关速度快,开关损耗小等一切优点,降低了功耗,提高了读写速度。
铋掺杂的钒酸钇半导体用于光催化降解乙烯
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及铋掺杂的钒酸钇半导体用于光催化降解乙烯。该铋掺杂的钒酸钇光催化剂成本低、光催化活性高,稳定性好,能够在模拟太阳光辐照下,固定床和流动床高效光催化降解乙烯,同时该光催化剂很容易收集回收利用,具有很好的应用前景。
一种基于单片机的智能温控水杯
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型公开了一种基于单片机的智能温控水杯,包括杯盖、杯体和底座,所述杯体由外壳和内胆组成,所述外壳集成了显示屏幕和按键控制模块,所述内胆底部设有水温检测模块,主体面上贴有半导体冷热片,所述半导体冷热片外面安装热管散热器,所述底座集成了单片机控制模块和电源,所述单片机控制模块接收到所述水温检测模块和所述按键控制模块的信息,控制所述显示屏幕实时显示水温信息,并通过放大电路控制所述半导体冷热片对水温进行调节。本实用新型可实时显示水温信息,并对水杯内水进行快速制冷或加热;充分利用单片机的控制特点和半导体冷热片的体积小、高效率、无污染的特点,使智能温控水杯制冷加热效率高,且易携带。
基于电镀液中表面活性剂浓度控制氧化亚铜半导体导电类型的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明涉及一种基于电镀液中表面活性剂浓度控制氧化亚铜半导体导电类型的方法。现有技术中没有可以在一种固定pH值的酸性溶液中同时制得具有不同导电类型的氧化亚铜半导体的方法。本发明清洗导电玻璃备用;配置铜盐溶液作为二价铜离子的来源,并调节至酸性;将SDS加入铜盐溶液中得到电镀液,利用恒电位仪在该电镀液中进行电沉积;沉积所得的薄膜用二次蒸馏水清洗并用吹风机吹干,得到Cu2O薄膜;不同浓度的SDS的电镀液可制得不同导电类型的Cu2O薄膜。本发明可在固定pH值的酸性溶液中调控氧化亚铜半导体的导电类型,方便制备p型导电或者n型导电的氧化亚铜,方法简单且容易操作。
找到228项技术成果数据。
找技术 >一种半导体超疏水涂料及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明涉及疏水涂料领域,具体是一种半导体超疏水涂料及其制备方法,包括以下步骤:a.先将疏水纳米粒子、半导体填料剪切搅拌均匀后加入70%-80%有机溶剂混合;b.将热塑性成膜树脂和剩下的有机溶剂混合,剪切搅拌均匀;c.将a步骤和步骤b得到的溶液混合后加入低表面能物质、固化剂和助剂;d.将c步骤得到的溶液超声2-20分钟,然后搅拌5分钟~2小时直至搅拌均匀,即得产物;采用本方案的半导体超疏水涂料,能自我修复且无需消耗电能、不会分解表面的有机物质。
一种多孔结构隧穿层有机场效应晶体管存储器及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种多孔结构隧穿层有机场效应晶体管存储器及其制备方法,属于半导体行业存储器技术和生物薄膜技术领域。该存储器包括源漏电极、半导体、第二类栅绝缘层、浮栅层、第一类栅绝缘层,所述第一类栅绝缘层为二氧化硅/硅基片,所述半导体与第一类栅绝缘层之间从上到下依次有具有多孔结构聚合物薄膜层和纳米结构浮栅层。本发明通过简单的工艺手段改进存储器性能,使其反复擦写可靠性得到很大提升;并且采用金属铜作为器件源漏电极,降低了器件制备成本,便于推广、应用。
一种固态成像探测器
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
一种固态成像探测器 探测器每个单元的构成是:在基底P型半导体硅材料1上方的两侧设有重掺杂的N型半导体区域,分别构成探测器的两个漏区2,在基底P型半导体硅材料上方的中央设有重掺杂的N型半导体区域,构成探测器的源区3。两个漏区和共用源区之间基底的正上方依次分别设有隧穿氧化层4、光电子存储层5、阻挡绝缘介质层6和控制栅极7,控制栅极的上方覆盖有光阻挡层8。探测器的两个漏区和共用的源区之间分别形成两个MOSFET结构的存储管。探测器的源区和漏区的大小不对称,漏区2面积较小,且漏区表面被金属硅化物所覆盖9,防止光照入漏区。探测器的源区3面积较大,为探测器的光电转换区。探测器的源区采用N+注入形成的埋层构成,源区半导体表面没有被金属硅化物所覆盖。探测器从控制栅极往下到基底层没有对探测光波透明的或半透明的窗口,而在源区的上方设有对光波透明的或半透明的窗口。
GaN基金属‑超薄氧化物‑半导体的复合结构纳米激光器及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种GaN基金属‑超薄氧化物‑半导体的复合结构纳米激光器,由基片和InGaN/GaN量子阱纳米柱组成,基片结构依次包括SiO2‑Si衬底、金属层、超薄氧化物层;所述InGaN/GaN量子阱纳米柱放置于超薄氧化物层表面,其结构依次包括蓝宝石衬底层、n型GaN层、InxGa1‑xN/GaN量子阱有源层和p型GaN层。并公开了其制备方法。该激光器结构具有以下优点(1)具有很小的光模体积,能够突破光的衍射极限,实现亚微米尺寸激光器;(2)具有极低的激射阈值,MUTOS激光结构能够在0.15kW/cm2的光泵下产生激射;(3)能够对激光的模式进行调控,实现单模和多模激光发射。本发明的激光器结构在超高分辨智能显示,复杂生物成像,硅基集成电路与光电子器件光电互联方面都有潜在应用价值。
一步可控合成多种形貌Zn-Cd-S半导体纳米复合材料的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
ZnxCd1-xS纳米复合材料的制备方法,在具有温度梯度的管式炉中,以配备有抽真空装置的石英管为反应器,将CdS或ZnS放置于反应器中部,反应温度800-900℃,升温速率400-600℃/小时;相应的将ZnCl2或CdCl2放置于反应器氩气流进气口一端,反应温度300-700℃;表面镀金的Si100片放置于氩气流出气口一侧作为样品生长的衬底,反应温度400-650℃;硫化物和氯化物原料的摩尔比为1∶2-2∶1,氩气吹扫时间0.5-3小时,氩气流速15-60毫升/分钟,x为0.2至0.95。本发明工艺简单、成本低、过程容易控制,无污染,样品形貌丰富、选择性高、重复性好。
柔性场效应晶体管及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种柔性场效应晶体管及其制备方法。所述柔性场效应晶体管包括间隔设置在柔性衬底上且位于同一平面的源极和漏极,所述源极和漏极之间经半导体导电沟道电连接;覆盖于所述半导体导电沟道上的介质层;以及,叠设在所述介质层上的栅极。其中,所述半导体导电沟道采用碳纳米管层或氧化还原石墨烯层。本发明通过采用微机电系统加工技术、印刷电子技术与纳米碳材料等相结合,在柔性衬底上制备具有性能良好的场效应晶体管,其结构简单、工艺灵活、成本较低、适于大批量生产。
一种n型半导体有机薄膜及肖特基特性自整流阻变存储器
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种n型半导体有机薄膜及肖特基特性自整流阻变存储器。 所述有机薄膜是由甲基丙烯酸甲酯和聚醚酰亚胺组成的共混物制成。 所述肖特基特性自整流阻变存储器,包括底电极、沉积于底电极上的阻变层和沉积于阻变层上的上电极,所述底电极是导电薄膜电极,所述阻变层是n型PEI-MMA有机薄膜,所述上电极是金电极、银电极、铂电极、钯电极、铝电极、钛电极或铜电极。 本发明不仅保持器件具有较好的双极性存储功能,而且增加了存储器的自整流功能,可避免存储器在三维集成时其1R结构存在的串扰问题,其自整流功能具有肖特基特性,较之pn结自整流阻变存储器,具有肖特基二极管带来的开关速度快,开关损耗小等一切优点,降低了功耗,提高了读写速度。
铋掺杂的钒酸钇半导体用于光催化降解乙烯
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及铋掺杂的钒酸钇半导体用于光催化降解乙烯。该铋掺杂的钒酸钇光催化剂成本低、光催化活性高,稳定性好,能够在模拟太阳光辐照下,固定床和流动床高效光催化降解乙烯,同时该光催化剂很容易收集回收利用,具有很好的应用前景。
一种基于单片机的智能温控水杯
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型公开了一种基于单片机的智能温控水杯,包括杯盖、杯体和底座,所述杯体由外壳和内胆组成,所述外壳集成了显示屏幕和按键控制模块,所述内胆底部设有水温检测模块,主体面上贴有半导体冷热片,所述半导体冷热片外面安装热管散热器,所述底座集成了单片机控制模块和电源,所述单片机控制模块接收到所述水温检测模块和所述按键控制模块的信息,控制所述显示屏幕实时显示水温信息,并通过放大电路控制所述半导体冷热片对水温进行调节。本实用新型可实时显示水温信息,并对水杯内水进行快速制冷或加热;充分利用单片机的控制特点和半导体冷热片的体积小、高效率、无污染的特点,使智能温控水杯制冷加热效率高,且易携带。
基于电镀液中表面活性剂浓度控制氧化亚铜半导体导电类型的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明涉及一种基于电镀液中表面活性剂浓度控制氧化亚铜半导体导电类型的方法。现有技术中没有可以在一种固定pH值的酸性溶液中同时制得具有不同导电类型的氧化亚铜半导体的方法。本发明清洗导电玻璃备用;配置铜盐溶液作为二价铜离子的来源,并调节至酸性;将SDS加入铜盐溶液中得到电镀液,利用恒电位仪在该电镀液中进行电沉积;沉积所得的薄膜用二次蒸馏水清洗并用吹风机吹干,得到Cu2O薄膜;不同浓度的SDS的电镀液可制得不同导电类型的Cu2O薄膜。本发明可在固定pH值的酸性溶液中调控氧化亚铜半导体的导电类型,方便制备p型导电或者n型导电的氧化亚铜,方法简单且容易操作。
找到228项技术成果数据。
找技术 >一种半导体超疏水涂料及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明涉及疏水涂料领域,具体是一种半导体超疏水涂料及其制备方法,包括以下步骤:a.先将疏水纳米粒子、半导体填料剪切搅拌均匀后加入70%-80%有机溶剂混合;b.将热塑性成膜树脂和剩下的有机溶剂混合,剪切搅拌均匀;c.将a步骤和步骤b得到的溶液混合后加入低表面能物质、固化剂和助剂;d.将c步骤得到的溶液超声2-20分钟,然后搅拌5分钟~2小时直至搅拌均匀,即得产物;采用本方案的半导体超疏水涂料,能自我修复且无需消耗电能、不会分解表面的有机物质。
一种多孔结构隧穿层有机场效应晶体管存储器及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种多孔结构隧穿层有机场效应晶体管存储器及其制备方法,属于半导体行业存储器技术和生物薄膜技术领域。该存储器包括源漏电极、半导体、第二类栅绝缘层、浮栅层、第一类栅绝缘层,所述第一类栅绝缘层为二氧化硅/硅基片,所述半导体与第一类栅绝缘层之间从上到下依次有具有多孔结构聚合物薄膜层和纳米结构浮栅层。本发明通过简单的工艺手段改进存储器性能,使其反复擦写可靠性得到很大提升;并且采用金属铜作为器件源漏电极,降低了器件制备成本,便于推广、应用。
一种固态成像探测器
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
一种固态成像探测器 探测器每个单元的构成是:在基底P型半导体硅材料1上方的两侧设有重掺杂的N型半导体区域,分别构成探测器的两个漏区2,在基底P型半导体硅材料上方的中央设有重掺杂的N型半导体区域,构成探测器的源区3。两个漏区和共用源区之间基底的正上方依次分别设有隧穿氧化层4、光电子存储层5、阻挡绝缘介质层6和控制栅极7,控制栅极的上方覆盖有光阻挡层8。探测器的两个漏区和共用的源区之间分别形成两个MOSFET结构的存储管。探测器的源区和漏区的大小不对称,漏区2面积较小,且漏区表面被金属硅化物所覆盖9,防止光照入漏区。探测器的源区3面积较大,为探测器的光电转换区。探测器的源区采用N+注入形成的埋层构成,源区半导体表面没有被金属硅化物所覆盖。探测器从控制栅极往下到基底层没有对探测光波透明的或半透明的窗口,而在源区的上方设有对光波透明的或半透明的窗口。
GaN基金属‑超薄氧化物‑半导体的复合结构纳米激光器及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种GaN基金属‑超薄氧化物‑半导体的复合结构纳米激光器,由基片和InGaN/GaN量子阱纳米柱组成,基片结构依次包括SiO2‑Si衬底、金属层、超薄氧化物层;所述InGaN/GaN量子阱纳米柱放置于超薄氧化物层表面,其结构依次包括蓝宝石衬底层、n型GaN层、InxGa1‑xN/GaN量子阱有源层和p型GaN层。并公开了其制备方法。该激光器结构具有以下优点(1)具有很小的光模体积,能够突破光的衍射极限,实现亚微米尺寸激光器;(2)具有极低的激射阈值,MUTOS激光结构能够在0.15kW/cm2的光泵下产生激射;(3)能够对激光的模式进行调控,实现单模和多模激光发射。本发明的激光器结构在超高分辨智能显示,复杂生物成像,硅基集成电路与光电子器件光电互联方面都有潜在应用价值。
一步可控合成多种形貌Zn-Cd-S半导体纳米复合材料的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
ZnxCd1-xS纳米复合材料的制备方法,在具有温度梯度的管式炉中,以配备有抽真空装置的石英管为反应器,将CdS或ZnS放置于反应器中部,反应温度800-900℃,升温速率400-600℃/小时;相应的将ZnCl2或CdCl2放置于反应器氩气流进气口一端,反应温度300-700℃;表面镀金的Si100片放置于氩气流出气口一侧作为样品生长的衬底,反应温度400-650℃;硫化物和氯化物原料的摩尔比为1∶2-2∶1,氩气吹扫时间0.5-3小时,氩气流速15-60毫升/分钟,x为0.2至0.95。本发明工艺简单、成本低、过程容易控制,无污染,样品形貌丰富、选择性高、重复性好。
柔性场效应晶体管及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种柔性场效应晶体管及其制备方法。所述柔性场效应晶体管包括间隔设置在柔性衬底上且位于同一平面的源极和漏极,所述源极和漏极之间经半导体导电沟道电连接;覆盖于所述半导体导电沟道上的介质层;以及,叠设在所述介质层上的栅极。其中,所述半导体导电沟道采用碳纳米管层或氧化还原石墨烯层。本发明通过采用微机电系统加工技术、印刷电子技术与纳米碳材料等相结合,在柔性衬底上制备具有性能良好的场效应晶体管,其结构简单、工艺灵活、成本较低、适于大批量生产。
一种n型半导体有机薄膜及肖特基特性自整流阻变存储器
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种n型半导体有机薄膜及肖特基特性自整流阻变存储器。 所述有机薄膜是由甲基丙烯酸甲酯和聚醚酰亚胺组成的共混物制成。 所述肖特基特性自整流阻变存储器,包括底电极、沉积于底电极上的阻变层和沉积于阻变层上的上电极,所述底电极是导电薄膜电极,所述阻变层是n型PEI-MMA有机薄膜,所述上电极是金电极、银电极、铂电极、钯电极、铝电极、钛电极或铜电极。 本发明不仅保持器件具有较好的双极性存储功能,而且增加了存储器的自整流功能,可避免存储器在三维集成时其1R结构存在的串扰问题,其自整流功能具有肖特基特性,较之pn结自整流阻变存储器,具有肖特基二极管带来的开关速度快,开关损耗小等一切优点,降低了功耗,提高了读写速度。
铋掺杂的钒酸钇半导体用于光催化降解乙烯
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及铋掺杂的钒酸钇半导体用于光催化降解乙烯。该铋掺杂的钒酸钇光催化剂成本低、光催化活性高,稳定性好,能够在模拟太阳光辐照下,固定床和流动床高效光催化降解乙烯,同时该光催化剂很容易收集回收利用,具有很好的应用前景。
一种基于单片机的智能温控水杯
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型公开了一种基于单片机的智能温控水杯,包括杯盖、杯体和底座,所述杯体由外壳和内胆组成,所述外壳集成了显示屏幕和按键控制模块,所述内胆底部设有水温检测模块,主体面上贴有半导体冷热片,所述半导体冷热片外面安装热管散热器,所述底座集成了单片机控制模块和电源,所述单片机控制模块接收到所述水温检测模块和所述按键控制模块的信息,控制所述显示屏幕实时显示水温信息,并通过放大电路控制所述半导体冷热片对水温进行调节。本实用新型可实时显示水温信息,并对水杯内水进行快速制冷或加热;充分利用单片机的控制特点和半导体冷热片的体积小、高效率、无污染的特点,使智能温控水杯制冷加热效率高,且易携带。
基于电镀液中表面活性剂浓度控制氧化亚铜半导体导电类型的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明涉及一种基于电镀液中表面活性剂浓度控制氧化亚铜半导体导电类型的方法。现有技术中没有可以在一种固定pH值的酸性溶液中同时制得具有不同导电类型的氧化亚铜半导体的方法。本发明清洗导电玻璃备用;配置铜盐溶液作为二价铜离子的来源,并调节至酸性;将SDS加入铜盐溶液中得到电镀液,利用恒电位仪在该电镀液中进行电沉积;沉积所得的薄膜用二次蒸馏水清洗并用吹风机吹干,得到Cu2O薄膜;不同浓度的SDS的电镀液可制得不同导电类型的Cu2O薄膜。本发明可在固定pH值的酸性溶液中调控氧化亚铜半导体的导电类型,方便制备p型导电或者n型导电的氧化亚铜,方法简单且容易操作。
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找技术 >一种半导体超疏水涂料及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明涉及疏水涂料领域,具体是一种半导体超疏水涂料及其制备方法,包括以下步骤:a.先将疏水纳米粒子、半导体填料剪切搅拌均匀后加入70%-80%有机溶剂混合;b.将热塑性成膜树脂和剩下的有机溶剂混合,剪切搅拌均匀;c.将a步骤和步骤b得到的溶液混合后加入低表面能物质、固化剂和助剂;d.将c步骤得到的溶液超声2-20分钟,然后搅拌5分钟~2小时直至搅拌均匀,即得产物;采用本方案的半导体超疏水涂料,能自我修复且无需消耗电能、不会分解表面的有机物质。
一种多孔结构隧穿层有机场效应晶体管存储器及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种多孔结构隧穿层有机场效应晶体管存储器及其制备方法,属于半导体行业存储器技术和生物薄膜技术领域。该存储器包括源漏电极、半导体、第二类栅绝缘层、浮栅层、第一类栅绝缘层,所述第一类栅绝缘层为二氧化硅/硅基片,所述半导体与第一类栅绝缘层之间从上到下依次有具有多孔结构聚合物薄膜层和纳米结构浮栅层。本发明通过简单的工艺手段改进存储器性能,使其反复擦写可靠性得到很大提升;并且采用金属铜作为器件源漏电极,降低了器件制备成本,便于推广、应用。
一种固态成像探测器
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
一种固态成像探测器 探测器每个单元的构成是:在基底P型半导体硅材料1上方的两侧设有重掺杂的N型半导体区域,分别构成探测器的两个漏区2,在基底P型半导体硅材料上方的中央设有重掺杂的N型半导体区域,构成探测器的源区3。两个漏区和共用源区之间基底的正上方依次分别设有隧穿氧化层4、光电子存储层5、阻挡绝缘介质层6和控制栅极7,控制栅极的上方覆盖有光阻挡层8。探测器的两个漏区和共用的源区之间分别形成两个MOSFET结构的存储管。探测器的源区和漏区的大小不对称,漏区2面积较小,且漏区表面被金属硅化物所覆盖9,防止光照入漏区。探测器的源区3面积较大,为探测器的光电转换区。探测器的源区采用N+注入形成的埋层构成,源区半导体表面没有被金属硅化物所覆盖。探测器从控制栅极往下到基底层没有对探测光波透明的或半透明的窗口,而在源区的上方设有对光波透明的或半透明的窗口。
GaN基金属‑超薄氧化物‑半导体的复合结构纳米激光器及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种GaN基金属‑超薄氧化物‑半导体的复合结构纳米激光器,由基片和InGaN/GaN量子阱纳米柱组成,基片结构依次包括SiO2‑Si衬底、金属层、超薄氧化物层;所述InGaN/GaN量子阱纳米柱放置于超薄氧化物层表面,其结构依次包括蓝宝石衬底层、n型GaN层、InxGa1‑xN/GaN量子阱有源层和p型GaN层。并公开了其制备方法。该激光器结构具有以下优点(1)具有很小的光模体积,能够突破光的衍射极限,实现亚微米尺寸激光器;(2)具有极低的激射阈值,MUTOS激光结构能够在0.15kW/cm2的光泵下产生激射;(3)能够对激光的模式进行调控,实现单模和多模激光发射。本发明的激光器结构在超高分辨智能显示,复杂生物成像,硅基集成电路与光电子器件光电互联方面都有潜在应用价值。
一步可控合成多种形貌Zn-Cd-S半导体纳米复合材料的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
ZnxCd1-xS纳米复合材料的制备方法,在具有温度梯度的管式炉中,以配备有抽真空装置的石英管为反应器,将CdS或ZnS放置于反应器中部,反应温度800-900℃,升温速率400-600℃/小时;相应的将ZnCl2或CdCl2放置于反应器氩气流进气口一端,反应温度300-700℃;表面镀金的Si100片放置于氩气流出气口一侧作为样品生长的衬底,反应温度400-650℃;硫化物和氯化物原料的摩尔比为1∶2-2∶1,氩气吹扫时间0.5-3小时,氩气流速15-60毫升/分钟,x为0.2至0.95。本发明工艺简单、成本低、过程容易控制,无污染,样品形貌丰富、选择性高、重复性好。
柔性场效应晶体管及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种柔性场效应晶体管及其制备方法。所述柔性场效应晶体管包括间隔设置在柔性衬底上且位于同一平面的源极和漏极,所述源极和漏极之间经半导体导电沟道电连接;覆盖于所述半导体导电沟道上的介质层;以及,叠设在所述介质层上的栅极。其中,所述半导体导电沟道采用碳纳米管层或氧化还原石墨烯层。本发明通过采用微机电系统加工技术、印刷电子技术与纳米碳材料等相结合,在柔性衬底上制备具有性能良好的场效应晶体管,其结构简单、工艺灵活、成本较低、适于大批量生产。
一种n型半导体有机薄膜及肖特基特性自整流阻变存储器
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种n型半导体有机薄膜及肖特基特性自整流阻变存储器。 所述有机薄膜是由甲基丙烯酸甲酯和聚醚酰亚胺组成的共混物制成。 所述肖特基特性自整流阻变存储器,包括底电极、沉积于底电极上的阻变层和沉积于阻变层上的上电极,所述底电极是导电薄膜电极,所述阻变层是n型PEI-MMA有机薄膜,所述上电极是金电极、银电极、铂电极、钯电极、铝电极、钛电极或铜电极。 本发明不仅保持器件具有较好的双极性存储功能,而且增加了存储器的自整流功能,可避免存储器在三维集成时其1R结构存在的串扰问题,其自整流功能具有肖特基特性,较之pn结自整流阻变存储器,具有肖特基二极管带来的开关速度快,开关损耗小等一切优点,降低了功耗,提高了读写速度。
铋掺杂的钒酸钇半导体用于光催化降解乙烯
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及铋掺杂的钒酸钇半导体用于光催化降解乙烯。该铋掺杂的钒酸钇光催化剂成本低、光催化活性高,稳定性好,能够在模拟太阳光辐照下,固定床和流动床高效光催化降解乙烯,同时该光催化剂很容易收集回收利用,具有很好的应用前景。
一种基于单片机的智能温控水杯
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型公开了一种基于单片机的智能温控水杯,包括杯盖、杯体和底座,所述杯体由外壳和内胆组成,所述外壳集成了显示屏幕和按键控制模块,所述内胆底部设有水温检测模块,主体面上贴有半导体冷热片,所述半导体冷热片外面安装热管散热器,所述底座集成了单片机控制模块和电源,所述单片机控制模块接收到所述水温检测模块和所述按键控制模块的信息,控制所述显示屏幕实时显示水温信息,并通过放大电路控制所述半导体冷热片对水温进行调节。本实用新型可实时显示水温信息,并对水杯内水进行快速制冷或加热;充分利用单片机的控制特点和半导体冷热片的体积小、高效率、无污染的特点,使智能温控水杯制冷加热效率高,且易携带。
基于电镀液中表面活性剂浓度控制氧化亚铜半导体导电类型的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明涉及一种基于电镀液中表面活性剂浓度控制氧化亚铜半导体导电类型的方法。现有技术中没有可以在一种固定pH值的酸性溶液中同时制得具有不同导电类型的氧化亚铜半导体的方法。本发明清洗导电玻璃备用;配置铜盐溶液作为二价铜离子的来源,并调节至酸性;将SDS加入铜盐溶液中得到电镀液,利用恒电位仪在该电镀液中进行电沉积;沉积所得的薄膜用二次蒸馏水清洗并用吹风机吹干,得到Cu2O薄膜;不同浓度的SDS的电镀液可制得不同导电类型的Cu2O薄膜。本发明可在固定pH值的酸性溶液中调控氧化亚铜半导体的导电类型,方便制备p型导电或者n型导电的氧化亚铜,方法简单且容易操作。