找到228项技术成果数据。
找技术 >晶体材料大尺寸、定晶向放电切割技术
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
近年来,在国家自然基金、江苏省自然基金、航空基金以及国防预研、国家新能源产业化专项、江苏省科技成果转化等项目资助下,本课题组进行了在半导体晶体材料加工上实现了大尺寸(600mm)、高尺寸精度(5μm)、定晶向(0.3分)、低损耗、低成本的集成技术优势,成为国内外首个在半导体晶体放电切割上实现重大突破和技术应用的研究团队,多项研究成果已经获得或即将获得重要应用。 本课题组在特种加工、微细加工、激光加工、再制造等方面开展了多年的研究工作,其中在电火花线切割加工工艺、电火花加工工艺、半导体放电加工机理、半导体硅片电火花线切割等方面取得了一系列的成果。 晶体材料大尺寸、定晶向放电切割技术基于特种加工领域先进放电切割技术,在以下三个方面实现了突破,具有高精度、大尺寸、低成本等特点。具体包括:(1)大尺寸半导体晶体放电切割技术;(2)大尺寸晶体定晶向放电切割技术;(3)大尺寸硅基复合材料放电切割技术。
太阳能制冷背包
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:电力、热力、燃气及水生产和供应业
技术简介
本实用新型公开了一种太阳能制冷背包,包括背包体(1),其特征在于:在背包体(1)内设置有支撑框架(2)和保温层(3),在背包体(1)的上部开设有通风孔(4),通风孔(4)处设置有半导体热电制冷片(5),且半导体热电制冷片(5)的冷端位于背包体(1)的内部,半导体热电制冷片(5)的热端位于背包体(1)的外部,在冷端处设置有冷端风扇(6),在热端处设置有热端风扇(7),在背包体(1)下部的卡槽(8)内设置有为冷端风扇(6)、热端风扇(7)和半导体热电制冷片(6)供电的锂电池(9),在背包体(1)外部还设置有多块单晶硅太阳能板(10),单晶硅太阳能板(10)与锂电池(9)通过导线连接。
蓄冷型太阳能半导体冷藏箱
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型公开了一种蓄冷型太阳能半导体冷藏箱,包括太阳能电池、半导体制冷片、冷藏箱体,其特征是:在冷藏箱体内部设置有蓄冷材料。本实用新型使用蓄冷材料取代现有的太阳能半导体冷藏箱中的铅酸蓄电池及其控制和保护装置,并且蓄冷材料直接放置于冷藏箱体内,和冷藏箱体组成整体结构。其结构简单、成本低、使用方便。
SiC PIN紫外光电探测器
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
一、项目特点和技术指标 紫外光电探测器由于在紫外天文学、环境监测、火灾探测、涡轮引擎燃烧效率监测、可燃气体成分分析和生物细胞癌变检测等方面有着广阔的前景,具有极高的军事和民用价值。采用4H-SiC半导体材料制备的紫外光电探测器,具有优良的可见光盲、漏电低、灵敏度高的特性,其探测波长范围在200-380nm,响应度约130mA/W,结电容约10fP,漏电流小于1pA,TO46金属管平面光窗封装。 二、技术成熟程度 我们从2002年就开始开展4H-SiC半导体紫外光电探测器的制备研究,掌握了SiC器件的制备关键工艺技术,研究了多种金属与SiC接触的性能,摸索出从材料清洗到封装的全部工艺流程,制备出的器件经福建省电子产品质量检验所检测,主要技术参数接近国际水平。 三、应用范围 可用于大气中的紫外强度告警、可燃气体成分分析及医学紫外荧光检测等。 四、投产条件与预期经济效益 SiC紫外光电探测器的制备需要比较完整的半导体工艺线,其制备工艺包括清洗、光刻、氧化、干法刻蚀、溅射金属、退火、划片到封装等过程,部分工艺要在较高的清洁度的洁净室内完成,如果全过程建设,所需的费用约500万元左右,如已有半导体工艺线,则经简单改造后即可进行生产。按目前PIN结构,管芯面积约500X500um2计算,包括衬底、制备消耗的气体、贵金属、化学药品及设备折旧和人工等,每个探测器成本约200元,市场参考价格约300元。小批量生产每月可完成3万个管芯的制备。 五、合作方式 面议
高端半导体激光器
成熟度:可规模生产
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
是以一定的半导体材料做工作物质而产生激光的器件。.其工作原理是通过一定的激励方式,在半导体物质的能带(导带与价带)之间,或者半导体物质的能带与杂质(受主或施主)能级之间,实现非平衡载流子的粒子数反转,当处于粒子数反转状态的大量电子与空穴复合时,便产生受激发射作用。1、体积小,重量轻;2、驱动功率和电流较低;3、效率高、工作寿命长;4、可直接电调制;5、易于与各种光电子器件实现光电子集成;6、与半导体制造技术兼容。
蓝宝石全画幅半导体封装产品
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
蓝宝石作为半导体封装使用还是个全新的尝试,市场还处在一片空白。借CANON改善封装产品裂片契机,突破技术难点之后可以导入蓝宝石产品的量产。此外,CANON本次应用蓝宝石封装产品具有试点效应,必将会带动SONY、NIKON等其他相机厂家进行跟进,市场前景广阔。按现有CANON高端相机规模,蓝宝石全画幅半导体封装产品预计3600万元/年销售规模。SONY、NIKON拥有类似规模,在全部跟进情况下年销售将超过1亿元/年。 全画幅半导体封装产品使用蓝宝石材料为首次应用,对产品各项标准都需要重新评估。主要包括分光特性、表面质量、检查机可行性。其中,分光特性上,通过重新测算基底和膜料参数,按测算后参数进行设计膜系;表面质量,通过优化镀膜工艺,改善镀膜设备配件清洗洁净度,从而改善产品表面质量;检查机可行性,通过调整检查机参数,达到产品检查能力。再通过检查机设备和显微镜对标,达成标准一直,达到检查机导入量产标准
面向半导体设计实现(Design Enablement)的智能EDA软件系统关键技术及产业化
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:信息传输、软件和信息技术服务业
技术简介
本项目围绕集成电路制造与设计的实际应用需求,核心痛点,研究开发一款大型全智能化的EDA软件工具(DES2)。此软件应用于集成电路设计实现(Design Enablement )领域PDK的自动化开发。此软件平台技术主要结合集成电路专业核心知识体系基于人机交互界面技术,云数据处理空间技术,以及采集现有人员研发轨迹作为主要数据来源的人工智能技术,从而帮助中国集成电路制造和设计企业快速提升制造信息的开发及传输,加快集成电路产品的设计,缩短开发周期,从而提高整个开发效率。 开发面向半导体Design Enablement的智能EDA软件系统-DES2,并为了设计端EDA工具国产化铺路。 该项目已完成全部项目目标,并已形成实际产品销售。该项目已申请两项技术专利,4项软件著作。存在问题DRM自动产生系统种layer mapping property 使用种点击未有冲突检查,DRC自动生成系统部分内容导出时需要添加加密功能,Min-DRC生成需要设定管理员权限。解决措施添加layer mapping property 模块进行冲突检查,添加DRC导出部分章节加密功能,添加Min-DRC生成设定管理员权限。
无线接入网高能效微波集成器件理论及实现机理
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
该项目为国家重点基础研究发展计划(973 计划)信息领域中的项目(项目编号: 2014CB339900)。 该项目以建设能源节约型信息化文明社会为目标,针对"无线接入网高能效微波集成器件"的国家重大需求与面临的科学挑战展开科学研究。围绕 "面向非恒包络(高峰均比)信号的功率微波集成器件结构与电路"、"植入式功能细胞的结构、组成与构建"和"大范围频率比单体多频微波集成器件调控机理与结构"三个关键科学问题,从高能效功率半导体微波器件理论、结构和实现方法、恒包络信号功率微波集成器件能量转换效率提升的新理论和电路结构、植入式准集总分布参数功能细胞的理论研究和构建方法、大范围频率比多频微波集成器件调控机理与结构四个方面开展研究,取得了一系列研究成果。
大晶格失配半导体异质外延及表征技术
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:科学研究和技术服务业
技术简介
在国际上首次提出了在硅衬底上通过低温生长引入高密度点缺陷Si薄层(LT-Si)来阻挡位错的异质外延新技术.将半导体材料的负面因素点缺陷用来作为阻挡位错的主体,获得了低位错密度(105 cm-2)、高弛豫度(90%),并且表面平整的高质量的SiGe合金层,比早先发展的组分渐变方法优越.这一新颖的学术思想丰富了人们关于晶格失配外延和位错阻挡的知识,开阔了思路.低温生长Si层的文章发表后的第二年,Kasper在评论文章中就肯定了陈弘等人提出的方法.之后国际上发表的有关SiGe的评论性文章几乎无例外地都引用了该项目提出的技术.在之后的16年中,引用没有间断过,并被写入"半导体半金属"丛书中.四篇相关文章他引总数310次,单篇最高他引114次.首次使用微区喇曼光谱扫描成象技术研究了外延膜表面局部应力,澄清了在大晶格失配的异质外延中普遍存在的表面十字网格起因的争论,确立了形成的物理机制.提出了利用X射线衍射摇摆曲线结合Φ扫描曲线测量晶粒的扭转角,推出位错密度的简单有效的方法,得到学术界的肯定和广泛的应用.20篇核心论文他引总数730次.由于该项目在失配外延方面的成果重要性,项目成员还应邀为Advanced Materials (IF=13.877)和Energy & Environment Science (IF=9.610)撰写了评述文章.指出了大晶格失配外延膜中的二极管反向漏电与具有螺旋分量的位错密度相关联;确定了在γ面蓝宝石衬底上生长的非极性α面GaN的各向异性来自于外延膜平面内的非对称性.
碳纳米管陈列有机污染物传感器及用途
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明揭示了一种碳纳米管阵列有机污染物传感器及用途,先利用化学气相沉积或交流电泳的方法在衬底上制成金属性和半导体性混合的定向单壁碳纳米管阵列;继而采用过载电流烧毁碳纳米管阵列中的金属性碳纳米管并采用金属纳米颗粒修饰所得到的半导体性碳纳米管阵列;最后在金属纳米颗粒修饰后的碳纳米管阵列表面光刻或金属膜沉积交叉指电极。该传感器完全是半导体碳纳米管阵列结构,具有实现室温环境下场效应的性能,能够提高器件对各种有机分子的识别和选择性,可用于对室内外或太空中NO、NO2及苯系物有机污染气体的灵敏探测。
找到228项技术成果数据。
找技术 >晶体材料大尺寸、定晶向放电切割技术
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
近年来,在国家自然基金、江苏省自然基金、航空基金以及国防预研、国家新能源产业化专项、江苏省科技成果转化等项目资助下,本课题组进行了在半导体晶体材料加工上实现了大尺寸(600mm)、高尺寸精度(5μm)、定晶向(0.3分)、低损耗、低成本的集成技术优势,成为国内外首个在半导体晶体放电切割上实现重大突破和技术应用的研究团队,多项研究成果已经获得或即将获得重要应用。 本课题组在特种加工、微细加工、激光加工、再制造等方面开展了多年的研究工作,其中在电火花线切割加工工艺、电火花加工工艺、半导体放电加工机理、半导体硅片电火花线切割等方面取得了一系列的成果。 晶体材料大尺寸、定晶向放电切割技术基于特种加工领域先进放电切割技术,在以下三个方面实现了突破,具有高精度、大尺寸、低成本等特点。具体包括:(1)大尺寸半导体晶体放电切割技术;(2)大尺寸晶体定晶向放电切割技术;(3)大尺寸硅基复合材料放电切割技术。
太阳能制冷背包
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:电力、热力、燃气及水生产和供应业
技术简介
本实用新型公开了一种太阳能制冷背包,包括背包体(1),其特征在于:在背包体(1)内设置有支撑框架(2)和保温层(3),在背包体(1)的上部开设有通风孔(4),通风孔(4)处设置有半导体热电制冷片(5),且半导体热电制冷片(5)的冷端位于背包体(1)的内部,半导体热电制冷片(5)的热端位于背包体(1)的外部,在冷端处设置有冷端风扇(6),在热端处设置有热端风扇(7),在背包体(1)下部的卡槽(8)内设置有为冷端风扇(6)、热端风扇(7)和半导体热电制冷片(6)供电的锂电池(9),在背包体(1)外部还设置有多块单晶硅太阳能板(10),单晶硅太阳能板(10)与锂电池(9)通过导线连接。
蓄冷型太阳能半导体冷藏箱
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型公开了一种蓄冷型太阳能半导体冷藏箱,包括太阳能电池、半导体制冷片、冷藏箱体,其特征是:在冷藏箱体内部设置有蓄冷材料。本实用新型使用蓄冷材料取代现有的太阳能半导体冷藏箱中的铅酸蓄电池及其控制和保护装置,并且蓄冷材料直接放置于冷藏箱体内,和冷藏箱体组成整体结构。其结构简单、成本低、使用方便。
SiC PIN紫外光电探测器
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
一、项目特点和技术指标 紫外光电探测器由于在紫外天文学、环境监测、火灾探测、涡轮引擎燃烧效率监测、可燃气体成分分析和生物细胞癌变检测等方面有着广阔的前景,具有极高的军事和民用价值。采用4H-SiC半导体材料制备的紫外光电探测器,具有优良的可见光盲、漏电低、灵敏度高的特性,其探测波长范围在200-380nm,响应度约130mA/W,结电容约10fP,漏电流小于1pA,TO46金属管平面光窗封装。 二、技术成熟程度 我们从2002年就开始开展4H-SiC半导体紫外光电探测器的制备研究,掌握了SiC器件的制备关键工艺技术,研究了多种金属与SiC接触的性能,摸索出从材料清洗到封装的全部工艺流程,制备出的器件经福建省电子产品质量检验所检测,主要技术参数接近国际水平。 三、应用范围 可用于大气中的紫外强度告警、可燃气体成分分析及医学紫外荧光检测等。 四、投产条件与预期经济效益 SiC紫外光电探测器的制备需要比较完整的半导体工艺线,其制备工艺包括清洗、光刻、氧化、干法刻蚀、溅射金属、退火、划片到封装等过程,部分工艺要在较高的清洁度的洁净室内完成,如果全过程建设,所需的费用约500万元左右,如已有半导体工艺线,则经简单改造后即可进行生产。按目前PIN结构,管芯面积约500X500um2计算,包括衬底、制备消耗的气体、贵金属、化学药品及设备折旧和人工等,每个探测器成本约200元,市场参考价格约300元。小批量生产每月可完成3万个管芯的制备。 五、合作方式 面议
高端半导体激光器
成熟度:可规模生产
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
是以一定的半导体材料做工作物质而产生激光的器件。.其工作原理是通过一定的激励方式,在半导体物质的能带(导带与价带)之间,或者半导体物质的能带与杂质(受主或施主)能级之间,实现非平衡载流子的粒子数反转,当处于粒子数反转状态的大量电子与空穴复合时,便产生受激发射作用。1、体积小,重量轻;2、驱动功率和电流较低;3、效率高、工作寿命长;4、可直接电调制;5、易于与各种光电子器件实现光电子集成;6、与半导体制造技术兼容。
蓝宝石全画幅半导体封装产品
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
蓝宝石作为半导体封装使用还是个全新的尝试,市场还处在一片空白。借CANON改善封装产品裂片契机,突破技术难点之后可以导入蓝宝石产品的量产。此外,CANON本次应用蓝宝石封装产品具有试点效应,必将会带动SONY、NIKON等其他相机厂家进行跟进,市场前景广阔。按现有CANON高端相机规模,蓝宝石全画幅半导体封装产品预计3600万元/年销售规模。SONY、NIKON拥有类似规模,在全部跟进情况下年销售将超过1亿元/年。 全画幅半导体封装产品使用蓝宝石材料为首次应用,对产品各项标准都需要重新评估。主要包括分光特性、表面质量、检查机可行性。其中,分光特性上,通过重新测算基底和膜料参数,按测算后参数进行设计膜系;表面质量,通过优化镀膜工艺,改善镀膜设备配件清洗洁净度,从而改善产品表面质量;检查机可行性,通过调整检查机参数,达到产品检查能力。再通过检查机设备和显微镜对标,达成标准一直,达到检查机导入量产标准
面向半导体设计实现(Design Enablement)的智能EDA软件系统关键技术及产业化
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:信息传输、软件和信息技术服务业
技术简介
本项目围绕集成电路制造与设计的实际应用需求,核心痛点,研究开发一款大型全智能化的EDA软件工具(DES2)。此软件应用于集成电路设计实现(Design Enablement )领域PDK的自动化开发。此软件平台技术主要结合集成电路专业核心知识体系基于人机交互界面技术,云数据处理空间技术,以及采集现有人员研发轨迹作为主要数据来源的人工智能技术,从而帮助中国集成电路制造和设计企业快速提升制造信息的开发及传输,加快集成电路产品的设计,缩短开发周期,从而提高整个开发效率。 开发面向半导体Design Enablement的智能EDA软件系统-DES2,并为了设计端EDA工具国产化铺路。 该项目已完成全部项目目标,并已形成实际产品销售。该项目已申请两项技术专利,4项软件著作。存在问题DRM自动产生系统种layer mapping property 使用种点击未有冲突检查,DRC自动生成系统部分内容导出时需要添加加密功能,Min-DRC生成需要设定管理员权限。解决措施添加layer mapping property 模块进行冲突检查,添加DRC导出部分章节加密功能,添加Min-DRC生成设定管理员权限。
无线接入网高能效微波集成器件理论及实现机理
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
该项目为国家重点基础研究发展计划(973 计划)信息领域中的项目(项目编号: 2014CB339900)。 该项目以建设能源节约型信息化文明社会为目标,针对"无线接入网高能效微波集成器件"的国家重大需求与面临的科学挑战展开科学研究。围绕 "面向非恒包络(高峰均比)信号的功率微波集成器件结构与电路"、"植入式功能细胞的结构、组成与构建"和"大范围频率比单体多频微波集成器件调控机理与结构"三个关键科学问题,从高能效功率半导体微波器件理论、结构和实现方法、恒包络信号功率微波集成器件能量转换效率提升的新理论和电路结构、植入式准集总分布参数功能细胞的理论研究和构建方法、大范围频率比多频微波集成器件调控机理与结构四个方面开展研究,取得了一系列研究成果。
大晶格失配半导体异质外延及表征技术
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:科学研究和技术服务业
技术简介
在国际上首次提出了在硅衬底上通过低温生长引入高密度点缺陷Si薄层(LT-Si)来阻挡位错的异质外延新技术.将半导体材料的负面因素点缺陷用来作为阻挡位错的主体,获得了低位错密度(105 cm-2)、高弛豫度(90%),并且表面平整的高质量的SiGe合金层,比早先发展的组分渐变方法优越.这一新颖的学术思想丰富了人们关于晶格失配外延和位错阻挡的知识,开阔了思路.低温生长Si层的文章发表后的第二年,Kasper在评论文章中就肯定了陈弘等人提出的方法.之后国际上发表的有关SiGe的评论性文章几乎无例外地都引用了该项目提出的技术.在之后的16年中,引用没有间断过,并被写入"半导体半金属"丛书中.四篇相关文章他引总数310次,单篇最高他引114次.首次使用微区喇曼光谱扫描成象技术研究了外延膜表面局部应力,澄清了在大晶格失配的异质外延中普遍存在的表面十字网格起因的争论,确立了形成的物理机制.提出了利用X射线衍射摇摆曲线结合Φ扫描曲线测量晶粒的扭转角,推出位错密度的简单有效的方法,得到学术界的肯定和广泛的应用.20篇核心论文他引总数730次.由于该项目在失配外延方面的成果重要性,项目成员还应邀为Advanced Materials (IF=13.877)和Energy & Environment Science (IF=9.610)撰写了评述文章.指出了大晶格失配外延膜中的二极管反向漏电与具有螺旋分量的位错密度相关联;确定了在γ面蓝宝石衬底上生长的非极性α面GaN的各向异性来自于外延膜平面内的非对称性.
碳纳米管陈列有机污染物传感器及用途
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明揭示了一种碳纳米管阵列有机污染物传感器及用途,先利用化学气相沉积或交流电泳的方法在衬底上制成金属性和半导体性混合的定向单壁碳纳米管阵列;继而采用过载电流烧毁碳纳米管阵列中的金属性碳纳米管并采用金属纳米颗粒修饰所得到的半导体性碳纳米管阵列;最后在金属纳米颗粒修饰后的碳纳米管阵列表面光刻或金属膜沉积交叉指电极。该传感器完全是半导体碳纳米管阵列结构,具有实现室温环境下场效应的性能,能够提高器件对各种有机分子的识别和选择性,可用于对室内外或太空中NO、NO2及苯系物有机污染气体的灵敏探测。
找到228项技术成果数据。
找技术 >晶体材料大尺寸、定晶向放电切割技术
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
近年来,在国家自然基金、江苏省自然基金、航空基金以及国防预研、国家新能源产业化专项、江苏省科技成果转化等项目资助下,本课题组进行了在半导体晶体材料加工上实现了大尺寸(600mm)、高尺寸精度(5μm)、定晶向(0.3分)、低损耗、低成本的集成技术优势,成为国内外首个在半导体晶体放电切割上实现重大突破和技术应用的研究团队,多项研究成果已经获得或即将获得重要应用。 本课题组在特种加工、微细加工、激光加工、再制造等方面开展了多年的研究工作,其中在电火花线切割加工工艺、电火花加工工艺、半导体放电加工机理、半导体硅片电火花线切割等方面取得了一系列的成果。 晶体材料大尺寸、定晶向放电切割技术基于特种加工领域先进放电切割技术,在以下三个方面实现了突破,具有高精度、大尺寸、低成本等特点。具体包括:(1)大尺寸半导体晶体放电切割技术;(2)大尺寸晶体定晶向放电切割技术;(3)大尺寸硅基复合材料放电切割技术。
太阳能制冷背包
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:电力、热力、燃气及水生产和供应业
技术简介
本实用新型公开了一种太阳能制冷背包,包括背包体(1),其特征在于:在背包体(1)内设置有支撑框架(2)和保温层(3),在背包体(1)的上部开设有通风孔(4),通风孔(4)处设置有半导体热电制冷片(5),且半导体热电制冷片(5)的冷端位于背包体(1)的内部,半导体热电制冷片(5)的热端位于背包体(1)的外部,在冷端处设置有冷端风扇(6),在热端处设置有热端风扇(7),在背包体(1)下部的卡槽(8)内设置有为冷端风扇(6)、热端风扇(7)和半导体热电制冷片(6)供电的锂电池(9),在背包体(1)外部还设置有多块单晶硅太阳能板(10),单晶硅太阳能板(10)与锂电池(9)通过导线连接。
蓄冷型太阳能半导体冷藏箱
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型公开了一种蓄冷型太阳能半导体冷藏箱,包括太阳能电池、半导体制冷片、冷藏箱体,其特征是:在冷藏箱体内部设置有蓄冷材料。本实用新型使用蓄冷材料取代现有的太阳能半导体冷藏箱中的铅酸蓄电池及其控制和保护装置,并且蓄冷材料直接放置于冷藏箱体内,和冷藏箱体组成整体结构。其结构简单、成本低、使用方便。
SiC PIN紫外光电探测器
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
一、项目特点和技术指标 紫外光电探测器由于在紫外天文学、环境监测、火灾探测、涡轮引擎燃烧效率监测、可燃气体成分分析和生物细胞癌变检测等方面有着广阔的前景,具有极高的军事和民用价值。采用4H-SiC半导体材料制备的紫外光电探测器,具有优良的可见光盲、漏电低、灵敏度高的特性,其探测波长范围在200-380nm,响应度约130mA/W,结电容约10fP,漏电流小于1pA,TO46金属管平面光窗封装。 二、技术成熟程度 我们从2002年就开始开展4H-SiC半导体紫外光电探测器的制备研究,掌握了SiC器件的制备关键工艺技术,研究了多种金属与SiC接触的性能,摸索出从材料清洗到封装的全部工艺流程,制备出的器件经福建省电子产品质量检验所检测,主要技术参数接近国际水平。 三、应用范围 可用于大气中的紫外强度告警、可燃气体成分分析及医学紫外荧光检测等。 四、投产条件与预期经济效益 SiC紫外光电探测器的制备需要比较完整的半导体工艺线,其制备工艺包括清洗、光刻、氧化、干法刻蚀、溅射金属、退火、划片到封装等过程,部分工艺要在较高的清洁度的洁净室内完成,如果全过程建设,所需的费用约500万元左右,如已有半导体工艺线,则经简单改造后即可进行生产。按目前PIN结构,管芯面积约500X500um2计算,包括衬底、制备消耗的气体、贵金属、化学药品及设备折旧和人工等,每个探测器成本约200元,市场参考价格约300元。小批量生产每月可完成3万个管芯的制备。 五、合作方式 面议
高端半导体激光器
成熟度:可规模生产
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
是以一定的半导体材料做工作物质而产生激光的器件。.其工作原理是通过一定的激励方式,在半导体物质的能带(导带与价带)之间,或者半导体物质的能带与杂质(受主或施主)能级之间,实现非平衡载流子的粒子数反转,当处于粒子数反转状态的大量电子与空穴复合时,便产生受激发射作用。1、体积小,重量轻;2、驱动功率和电流较低;3、效率高、工作寿命长;4、可直接电调制;5、易于与各种光电子器件实现光电子集成;6、与半导体制造技术兼容。
蓝宝石全画幅半导体封装产品
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
蓝宝石作为半导体封装使用还是个全新的尝试,市场还处在一片空白。借CANON改善封装产品裂片契机,突破技术难点之后可以导入蓝宝石产品的量产。此外,CANON本次应用蓝宝石封装产品具有试点效应,必将会带动SONY、NIKON等其他相机厂家进行跟进,市场前景广阔。按现有CANON高端相机规模,蓝宝石全画幅半导体封装产品预计3600万元/年销售规模。SONY、NIKON拥有类似规模,在全部跟进情况下年销售将超过1亿元/年。 全画幅半导体封装产品使用蓝宝石材料为首次应用,对产品各项标准都需要重新评估。主要包括分光特性、表面质量、检查机可行性。其中,分光特性上,通过重新测算基底和膜料参数,按测算后参数进行设计膜系;表面质量,通过优化镀膜工艺,改善镀膜设备配件清洗洁净度,从而改善产品表面质量;检查机可行性,通过调整检查机参数,达到产品检查能力。再通过检查机设备和显微镜对标,达成标准一直,达到检查机导入量产标准
面向半导体设计实现(Design Enablement)的智能EDA软件系统关键技术及产业化
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:信息传输、软件和信息技术服务业
技术简介
本项目围绕集成电路制造与设计的实际应用需求,核心痛点,研究开发一款大型全智能化的EDA软件工具(DES2)。此软件应用于集成电路设计实现(Design Enablement )领域PDK的自动化开发。此软件平台技术主要结合集成电路专业核心知识体系基于人机交互界面技术,云数据处理空间技术,以及采集现有人员研发轨迹作为主要数据来源的人工智能技术,从而帮助中国集成电路制造和设计企业快速提升制造信息的开发及传输,加快集成电路产品的设计,缩短开发周期,从而提高整个开发效率。 开发面向半导体Design Enablement的智能EDA软件系统-DES2,并为了设计端EDA工具国产化铺路。 该项目已完成全部项目目标,并已形成实际产品销售。该项目已申请两项技术专利,4项软件著作。存在问题DRM自动产生系统种layer mapping property 使用种点击未有冲突检查,DRC自动生成系统部分内容导出时需要添加加密功能,Min-DRC生成需要设定管理员权限。解决措施添加layer mapping property 模块进行冲突检查,添加DRC导出部分章节加密功能,添加Min-DRC生成设定管理员权限。
无线接入网高能效微波集成器件理论及实现机理
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
该项目为国家重点基础研究发展计划(973 计划)信息领域中的项目(项目编号: 2014CB339900)。 该项目以建设能源节约型信息化文明社会为目标,针对"无线接入网高能效微波集成器件"的国家重大需求与面临的科学挑战展开科学研究。围绕 "面向非恒包络(高峰均比)信号的功率微波集成器件结构与电路"、"植入式功能细胞的结构、组成与构建"和"大范围频率比单体多频微波集成器件调控机理与结构"三个关键科学问题,从高能效功率半导体微波器件理论、结构和实现方法、恒包络信号功率微波集成器件能量转换效率提升的新理论和电路结构、植入式准集总分布参数功能细胞的理论研究和构建方法、大范围频率比多频微波集成器件调控机理与结构四个方面开展研究,取得了一系列研究成果。
大晶格失配半导体异质外延及表征技术
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:科学研究和技术服务业
技术简介
在国际上首次提出了在硅衬底上通过低温生长引入高密度点缺陷Si薄层(LT-Si)来阻挡位错的异质外延新技术.将半导体材料的负面因素点缺陷用来作为阻挡位错的主体,获得了低位错密度(105 cm-2)、高弛豫度(90%),并且表面平整的高质量的SiGe合金层,比早先发展的组分渐变方法优越.这一新颖的学术思想丰富了人们关于晶格失配外延和位错阻挡的知识,开阔了思路.低温生长Si层的文章发表后的第二年,Kasper在评论文章中就肯定了陈弘等人提出的方法.之后国际上发表的有关SiGe的评论性文章几乎无例外地都引用了该项目提出的技术.在之后的16年中,引用没有间断过,并被写入"半导体半金属"丛书中.四篇相关文章他引总数310次,单篇最高他引114次.首次使用微区喇曼光谱扫描成象技术研究了外延膜表面局部应力,澄清了在大晶格失配的异质外延中普遍存在的表面十字网格起因的争论,确立了形成的物理机制.提出了利用X射线衍射摇摆曲线结合Φ扫描曲线测量晶粒的扭转角,推出位错密度的简单有效的方法,得到学术界的肯定和广泛的应用.20篇核心论文他引总数730次.由于该项目在失配外延方面的成果重要性,项目成员还应邀为Advanced Materials (IF=13.877)和Energy & Environment Science (IF=9.610)撰写了评述文章.指出了大晶格失配外延膜中的二极管反向漏电与具有螺旋分量的位错密度相关联;确定了在γ面蓝宝石衬底上生长的非极性α面GaN的各向异性来自于外延膜平面内的非对称性.
碳纳米管陈列有机污染物传感器及用途
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明揭示了一种碳纳米管阵列有机污染物传感器及用途,先利用化学气相沉积或交流电泳的方法在衬底上制成金属性和半导体性混合的定向单壁碳纳米管阵列;继而采用过载电流烧毁碳纳米管阵列中的金属性碳纳米管并采用金属纳米颗粒修饰所得到的半导体性碳纳米管阵列;最后在金属纳米颗粒修饰后的碳纳米管阵列表面光刻或金属膜沉积交叉指电极。该传感器完全是半导体碳纳米管阵列结构,具有实现室温环境下场效应的性能,能够提高器件对各种有机分子的识别和选择性,可用于对室内外或太空中NO、NO2及苯系物有机污染气体的灵敏探测。
找到228项技术成果数据。
找技术 >晶体材料大尺寸、定晶向放电切割技术
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
近年来,在国家自然基金、江苏省自然基金、航空基金以及国防预研、国家新能源产业化专项、江苏省科技成果转化等项目资助下,本课题组进行了在半导体晶体材料加工上实现了大尺寸(600mm)、高尺寸精度(5μm)、定晶向(0.3分)、低损耗、低成本的集成技术优势,成为国内外首个在半导体晶体放电切割上实现重大突破和技术应用的研究团队,多项研究成果已经获得或即将获得重要应用。 本课题组在特种加工、微细加工、激光加工、再制造等方面开展了多年的研究工作,其中在电火花线切割加工工艺、电火花加工工艺、半导体放电加工机理、半导体硅片电火花线切割等方面取得了一系列的成果。 晶体材料大尺寸、定晶向放电切割技术基于特种加工领域先进放电切割技术,在以下三个方面实现了突破,具有高精度、大尺寸、低成本等特点。具体包括:(1)大尺寸半导体晶体放电切割技术;(2)大尺寸晶体定晶向放电切割技术;(3)大尺寸硅基复合材料放电切割技术。
太阳能制冷背包
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:电力、热力、燃气及水生产和供应业
技术简介
本实用新型公开了一种太阳能制冷背包,包括背包体(1),其特征在于:在背包体(1)内设置有支撑框架(2)和保温层(3),在背包体(1)的上部开设有通风孔(4),通风孔(4)处设置有半导体热电制冷片(5),且半导体热电制冷片(5)的冷端位于背包体(1)的内部,半导体热电制冷片(5)的热端位于背包体(1)的外部,在冷端处设置有冷端风扇(6),在热端处设置有热端风扇(7),在背包体(1)下部的卡槽(8)内设置有为冷端风扇(6)、热端风扇(7)和半导体热电制冷片(6)供电的锂电池(9),在背包体(1)外部还设置有多块单晶硅太阳能板(10),单晶硅太阳能板(10)与锂电池(9)通过导线连接。
蓄冷型太阳能半导体冷藏箱
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型公开了一种蓄冷型太阳能半导体冷藏箱,包括太阳能电池、半导体制冷片、冷藏箱体,其特征是:在冷藏箱体内部设置有蓄冷材料。本实用新型使用蓄冷材料取代现有的太阳能半导体冷藏箱中的铅酸蓄电池及其控制和保护装置,并且蓄冷材料直接放置于冷藏箱体内,和冷藏箱体组成整体结构。其结构简单、成本低、使用方便。
SiC PIN紫外光电探测器
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
一、项目特点和技术指标 紫外光电探测器由于在紫外天文学、环境监测、火灾探测、涡轮引擎燃烧效率监测、可燃气体成分分析和生物细胞癌变检测等方面有着广阔的前景,具有极高的军事和民用价值。采用4H-SiC半导体材料制备的紫外光电探测器,具有优良的可见光盲、漏电低、灵敏度高的特性,其探测波长范围在200-380nm,响应度约130mA/W,结电容约10fP,漏电流小于1pA,TO46金属管平面光窗封装。 二、技术成熟程度 我们从2002年就开始开展4H-SiC半导体紫外光电探测器的制备研究,掌握了SiC器件的制备关键工艺技术,研究了多种金属与SiC接触的性能,摸索出从材料清洗到封装的全部工艺流程,制备出的器件经福建省电子产品质量检验所检测,主要技术参数接近国际水平。 三、应用范围 可用于大气中的紫外强度告警、可燃气体成分分析及医学紫外荧光检测等。 四、投产条件与预期经济效益 SiC紫外光电探测器的制备需要比较完整的半导体工艺线,其制备工艺包括清洗、光刻、氧化、干法刻蚀、溅射金属、退火、划片到封装等过程,部分工艺要在较高的清洁度的洁净室内完成,如果全过程建设,所需的费用约500万元左右,如已有半导体工艺线,则经简单改造后即可进行生产。按目前PIN结构,管芯面积约500X500um2计算,包括衬底、制备消耗的气体、贵金属、化学药品及设备折旧和人工等,每个探测器成本约200元,市场参考价格约300元。小批量生产每月可完成3万个管芯的制备。 五、合作方式 面议
高端半导体激光器
成熟度:可规模生产
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
是以一定的半导体材料做工作物质而产生激光的器件。.其工作原理是通过一定的激励方式,在半导体物质的能带(导带与价带)之间,或者半导体物质的能带与杂质(受主或施主)能级之间,实现非平衡载流子的粒子数反转,当处于粒子数反转状态的大量电子与空穴复合时,便产生受激发射作用。1、体积小,重量轻;2、驱动功率和电流较低;3、效率高、工作寿命长;4、可直接电调制;5、易于与各种光电子器件实现光电子集成;6、与半导体制造技术兼容。
蓝宝石全画幅半导体封装产品
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
蓝宝石作为半导体封装使用还是个全新的尝试,市场还处在一片空白。借CANON改善封装产品裂片契机,突破技术难点之后可以导入蓝宝石产品的量产。此外,CANON本次应用蓝宝石封装产品具有试点效应,必将会带动SONY、NIKON等其他相机厂家进行跟进,市场前景广阔。按现有CANON高端相机规模,蓝宝石全画幅半导体封装产品预计3600万元/年销售规模。SONY、NIKON拥有类似规模,在全部跟进情况下年销售将超过1亿元/年。 全画幅半导体封装产品使用蓝宝石材料为首次应用,对产品各项标准都需要重新评估。主要包括分光特性、表面质量、检查机可行性。其中,分光特性上,通过重新测算基底和膜料参数,按测算后参数进行设计膜系;表面质量,通过优化镀膜工艺,改善镀膜设备配件清洗洁净度,从而改善产品表面质量;检查机可行性,通过调整检查机参数,达到产品检查能力。再通过检查机设备和显微镜对标,达成标准一直,达到检查机导入量产标准
面向半导体设计实现(Design Enablement)的智能EDA软件系统关键技术及产业化
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:信息传输、软件和信息技术服务业
技术简介
本项目围绕集成电路制造与设计的实际应用需求,核心痛点,研究开发一款大型全智能化的EDA软件工具(DES2)。此软件应用于集成电路设计实现(Design Enablement )领域PDK的自动化开发。此软件平台技术主要结合集成电路专业核心知识体系基于人机交互界面技术,云数据处理空间技术,以及采集现有人员研发轨迹作为主要数据来源的人工智能技术,从而帮助中国集成电路制造和设计企业快速提升制造信息的开发及传输,加快集成电路产品的设计,缩短开发周期,从而提高整个开发效率。 开发面向半导体Design Enablement的智能EDA软件系统-DES2,并为了设计端EDA工具国产化铺路。 该项目已完成全部项目目标,并已形成实际产品销售。该项目已申请两项技术专利,4项软件著作。存在问题DRM自动产生系统种layer mapping property 使用种点击未有冲突检查,DRC自动生成系统部分内容导出时需要添加加密功能,Min-DRC生成需要设定管理员权限。解决措施添加layer mapping property 模块进行冲突检查,添加DRC导出部分章节加密功能,添加Min-DRC生成设定管理员权限。
无线接入网高能效微波集成器件理论及实现机理
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
该项目为国家重点基础研究发展计划(973 计划)信息领域中的项目(项目编号: 2014CB339900)。 该项目以建设能源节约型信息化文明社会为目标,针对"无线接入网高能效微波集成器件"的国家重大需求与面临的科学挑战展开科学研究。围绕 "面向非恒包络(高峰均比)信号的功率微波集成器件结构与电路"、"植入式功能细胞的结构、组成与构建"和"大范围频率比单体多频微波集成器件调控机理与结构"三个关键科学问题,从高能效功率半导体微波器件理论、结构和实现方法、恒包络信号功率微波集成器件能量转换效率提升的新理论和电路结构、植入式准集总分布参数功能细胞的理论研究和构建方法、大范围频率比多频微波集成器件调控机理与结构四个方面开展研究,取得了一系列研究成果。
大晶格失配半导体异质外延及表征技术
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:科学研究和技术服务业
技术简介
在国际上首次提出了在硅衬底上通过低温生长引入高密度点缺陷Si薄层(LT-Si)来阻挡位错的异质外延新技术.将半导体材料的负面因素点缺陷用来作为阻挡位错的主体,获得了低位错密度(105 cm-2)、高弛豫度(90%),并且表面平整的高质量的SiGe合金层,比早先发展的组分渐变方法优越.这一新颖的学术思想丰富了人们关于晶格失配外延和位错阻挡的知识,开阔了思路.低温生长Si层的文章发表后的第二年,Kasper在评论文章中就肯定了陈弘等人提出的方法.之后国际上发表的有关SiGe的评论性文章几乎无例外地都引用了该项目提出的技术.在之后的16年中,引用没有间断过,并被写入"半导体半金属"丛书中.四篇相关文章他引总数310次,单篇最高他引114次.首次使用微区喇曼光谱扫描成象技术研究了外延膜表面局部应力,澄清了在大晶格失配的异质外延中普遍存在的表面十字网格起因的争论,确立了形成的物理机制.提出了利用X射线衍射摇摆曲线结合Φ扫描曲线测量晶粒的扭转角,推出位错密度的简单有效的方法,得到学术界的肯定和广泛的应用.20篇核心论文他引总数730次.由于该项目在失配外延方面的成果重要性,项目成员还应邀为Advanced Materials (IF=13.877)和Energy & Environment Science (IF=9.610)撰写了评述文章.指出了大晶格失配外延膜中的二极管反向漏电与具有螺旋分量的位错密度相关联;确定了在γ面蓝宝石衬底上生长的非极性α面GaN的各向异性来自于外延膜平面内的非对称性.
碳纳米管陈列有机污染物传感器及用途
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明揭示了一种碳纳米管阵列有机污染物传感器及用途,先利用化学气相沉积或交流电泳的方法在衬底上制成金属性和半导体性混合的定向单壁碳纳米管阵列;继而采用过载电流烧毁碳纳米管阵列中的金属性碳纳米管并采用金属纳米颗粒修饰所得到的半导体性碳纳米管阵列;最后在金属纳米颗粒修饰后的碳纳米管阵列表面光刻或金属膜沉积交叉指电极。该传感器完全是半导体碳纳米管阵列结构,具有实现室温环境下场效应的性能,能够提高器件对各种有机分子的识别和选择性,可用于对室内外或太空中NO、NO2及苯系物有机污染气体的灵敏探测。
找到228项技术成果数据。
找技术 >晶体材料大尺寸、定晶向放电切割技术
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
近年来,在国家自然基金、江苏省自然基金、航空基金以及国防预研、国家新能源产业化专项、江苏省科技成果转化等项目资助下,本课题组进行了在半导体晶体材料加工上实现了大尺寸(600mm)、高尺寸精度(5μm)、定晶向(0.3分)、低损耗、低成本的集成技术优势,成为国内外首个在半导体晶体放电切割上实现重大突破和技术应用的研究团队,多项研究成果已经获得或即将获得重要应用。 本课题组在特种加工、微细加工、激光加工、再制造等方面开展了多年的研究工作,其中在电火花线切割加工工艺、电火花加工工艺、半导体放电加工机理、半导体硅片电火花线切割等方面取得了一系列的成果。 晶体材料大尺寸、定晶向放电切割技术基于特种加工领域先进放电切割技术,在以下三个方面实现了突破,具有高精度、大尺寸、低成本等特点。具体包括:(1)大尺寸半导体晶体放电切割技术;(2)大尺寸晶体定晶向放电切割技术;(3)大尺寸硅基复合材料放电切割技术。
太阳能制冷背包
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:电力、热力、燃气及水生产和供应业
技术简介
本实用新型公开了一种太阳能制冷背包,包括背包体(1),其特征在于:在背包体(1)内设置有支撑框架(2)和保温层(3),在背包体(1)的上部开设有通风孔(4),通风孔(4)处设置有半导体热电制冷片(5),且半导体热电制冷片(5)的冷端位于背包体(1)的内部,半导体热电制冷片(5)的热端位于背包体(1)的外部,在冷端处设置有冷端风扇(6),在热端处设置有热端风扇(7),在背包体(1)下部的卡槽(8)内设置有为冷端风扇(6)、热端风扇(7)和半导体热电制冷片(6)供电的锂电池(9),在背包体(1)外部还设置有多块单晶硅太阳能板(10),单晶硅太阳能板(10)与锂电池(9)通过导线连接。
蓄冷型太阳能半导体冷藏箱
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型公开了一种蓄冷型太阳能半导体冷藏箱,包括太阳能电池、半导体制冷片、冷藏箱体,其特征是:在冷藏箱体内部设置有蓄冷材料。本实用新型使用蓄冷材料取代现有的太阳能半导体冷藏箱中的铅酸蓄电池及其控制和保护装置,并且蓄冷材料直接放置于冷藏箱体内,和冷藏箱体组成整体结构。其结构简单、成本低、使用方便。
SiC PIN紫外光电探测器
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
一、项目特点和技术指标 紫外光电探测器由于在紫外天文学、环境监测、火灾探测、涡轮引擎燃烧效率监测、可燃气体成分分析和生物细胞癌变检测等方面有着广阔的前景,具有极高的军事和民用价值。采用4H-SiC半导体材料制备的紫外光电探测器,具有优良的可见光盲、漏电低、灵敏度高的特性,其探测波长范围在200-380nm,响应度约130mA/W,结电容约10fP,漏电流小于1pA,TO46金属管平面光窗封装。 二、技术成熟程度 我们从2002年就开始开展4H-SiC半导体紫外光电探测器的制备研究,掌握了SiC器件的制备关键工艺技术,研究了多种金属与SiC接触的性能,摸索出从材料清洗到封装的全部工艺流程,制备出的器件经福建省电子产品质量检验所检测,主要技术参数接近国际水平。 三、应用范围 可用于大气中的紫外强度告警、可燃气体成分分析及医学紫外荧光检测等。 四、投产条件与预期经济效益 SiC紫外光电探测器的制备需要比较完整的半导体工艺线,其制备工艺包括清洗、光刻、氧化、干法刻蚀、溅射金属、退火、划片到封装等过程,部分工艺要在较高的清洁度的洁净室内完成,如果全过程建设,所需的费用约500万元左右,如已有半导体工艺线,则经简单改造后即可进行生产。按目前PIN结构,管芯面积约500X500um2计算,包括衬底、制备消耗的气体、贵金属、化学药品及设备折旧和人工等,每个探测器成本约200元,市场参考价格约300元。小批量生产每月可完成3万个管芯的制备。 五、合作方式 面议
高端半导体激光器
成熟度:可规模生产
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
是以一定的半导体材料做工作物质而产生激光的器件。.其工作原理是通过一定的激励方式,在半导体物质的能带(导带与价带)之间,或者半导体物质的能带与杂质(受主或施主)能级之间,实现非平衡载流子的粒子数反转,当处于粒子数反转状态的大量电子与空穴复合时,便产生受激发射作用。1、体积小,重量轻;2、驱动功率和电流较低;3、效率高、工作寿命长;4、可直接电调制;5、易于与各种光电子器件实现光电子集成;6、与半导体制造技术兼容。
蓝宝石全画幅半导体封装产品
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
蓝宝石作为半导体封装使用还是个全新的尝试,市场还处在一片空白。借CANON改善封装产品裂片契机,突破技术难点之后可以导入蓝宝石产品的量产。此外,CANON本次应用蓝宝石封装产品具有试点效应,必将会带动SONY、NIKON等其他相机厂家进行跟进,市场前景广阔。按现有CANON高端相机规模,蓝宝石全画幅半导体封装产品预计3600万元/年销售规模。SONY、NIKON拥有类似规模,在全部跟进情况下年销售将超过1亿元/年。 全画幅半导体封装产品使用蓝宝石材料为首次应用,对产品各项标准都需要重新评估。主要包括分光特性、表面质量、检查机可行性。其中,分光特性上,通过重新测算基底和膜料参数,按测算后参数进行设计膜系;表面质量,通过优化镀膜工艺,改善镀膜设备配件清洗洁净度,从而改善产品表面质量;检查机可行性,通过调整检查机参数,达到产品检查能力。再通过检查机设备和显微镜对标,达成标准一直,达到检查机导入量产标准
面向半导体设计实现(Design Enablement)的智能EDA软件系统关键技术及产业化
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:信息传输、软件和信息技术服务业
技术简介
本项目围绕集成电路制造与设计的实际应用需求,核心痛点,研究开发一款大型全智能化的EDA软件工具(DES2)。此软件应用于集成电路设计实现(Design Enablement )领域PDK的自动化开发。此软件平台技术主要结合集成电路专业核心知识体系基于人机交互界面技术,云数据处理空间技术,以及采集现有人员研发轨迹作为主要数据来源的人工智能技术,从而帮助中国集成电路制造和设计企业快速提升制造信息的开发及传输,加快集成电路产品的设计,缩短开发周期,从而提高整个开发效率。 开发面向半导体Design Enablement的智能EDA软件系统-DES2,并为了设计端EDA工具国产化铺路。 该项目已完成全部项目目标,并已形成实际产品销售。该项目已申请两项技术专利,4项软件著作。存在问题DRM自动产生系统种layer mapping property 使用种点击未有冲突检查,DRC自动生成系统部分内容导出时需要添加加密功能,Min-DRC生成需要设定管理员权限。解决措施添加layer mapping property 模块进行冲突检查,添加DRC导出部分章节加密功能,添加Min-DRC生成设定管理员权限。
无线接入网高能效微波集成器件理论及实现机理
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
该项目为国家重点基础研究发展计划(973 计划)信息领域中的项目(项目编号: 2014CB339900)。 该项目以建设能源节约型信息化文明社会为目标,针对"无线接入网高能效微波集成器件"的国家重大需求与面临的科学挑战展开科学研究。围绕 "面向非恒包络(高峰均比)信号的功率微波集成器件结构与电路"、"植入式功能细胞的结构、组成与构建"和"大范围频率比单体多频微波集成器件调控机理与结构"三个关键科学问题,从高能效功率半导体微波器件理论、结构和实现方法、恒包络信号功率微波集成器件能量转换效率提升的新理论和电路结构、植入式准集总分布参数功能细胞的理论研究和构建方法、大范围频率比多频微波集成器件调控机理与结构四个方面开展研究,取得了一系列研究成果。
大晶格失配半导体异质外延及表征技术
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:科学研究和技术服务业
技术简介
在国际上首次提出了在硅衬底上通过低温生长引入高密度点缺陷Si薄层(LT-Si)来阻挡位错的异质外延新技术.将半导体材料的负面因素点缺陷用来作为阻挡位错的主体,获得了低位错密度(105 cm-2)、高弛豫度(90%),并且表面平整的高质量的SiGe合金层,比早先发展的组分渐变方法优越.这一新颖的学术思想丰富了人们关于晶格失配外延和位错阻挡的知识,开阔了思路.低温生长Si层的文章发表后的第二年,Kasper在评论文章中就肯定了陈弘等人提出的方法.之后国际上发表的有关SiGe的评论性文章几乎无例外地都引用了该项目提出的技术.在之后的16年中,引用没有间断过,并被写入"半导体半金属"丛书中.四篇相关文章他引总数310次,单篇最高他引114次.首次使用微区喇曼光谱扫描成象技术研究了外延膜表面局部应力,澄清了在大晶格失配的异质外延中普遍存在的表面十字网格起因的争论,确立了形成的物理机制.提出了利用X射线衍射摇摆曲线结合Φ扫描曲线测量晶粒的扭转角,推出位错密度的简单有效的方法,得到学术界的肯定和广泛的应用.20篇核心论文他引总数730次.由于该项目在失配外延方面的成果重要性,项目成员还应邀为Advanced Materials (IF=13.877)和Energy & Environment Science (IF=9.610)撰写了评述文章.指出了大晶格失配外延膜中的二极管反向漏电与具有螺旋分量的位错密度相关联;确定了在γ面蓝宝石衬底上生长的非极性α面GaN的各向异性来自于外延膜平面内的非对称性.
碳纳米管陈列有机污染物传感器及用途
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明揭示了一种碳纳米管阵列有机污染物传感器及用途,先利用化学气相沉积或交流电泳的方法在衬底上制成金属性和半导体性混合的定向单壁碳纳米管阵列;继而采用过载电流烧毁碳纳米管阵列中的金属性碳纳米管并采用金属纳米颗粒修饰所得到的半导体性碳纳米管阵列;最后在金属纳米颗粒修饰后的碳纳米管阵列表面光刻或金属膜沉积交叉指电极。该传感器完全是半导体碳纳米管阵列结构,具有实现室温环境下场效应的性能,能够提高器件对各种有机分子的识别和选择性,可用于对室内外或太空中NO、NO2及苯系物有机污染气体的灵敏探测。
找到228项技术成果数据。
找技术 >晶体材料大尺寸、定晶向放电切割技术
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
近年来,在国家自然基金、江苏省自然基金、航空基金以及国防预研、国家新能源产业化专项、江苏省科技成果转化等项目资助下,本课题组进行了在半导体晶体材料加工上实现了大尺寸(600mm)、高尺寸精度(5μm)、定晶向(0.3分)、低损耗、低成本的集成技术优势,成为国内外首个在半导体晶体放电切割上实现重大突破和技术应用的研究团队,多项研究成果已经获得或即将获得重要应用。 本课题组在特种加工、微细加工、激光加工、再制造等方面开展了多年的研究工作,其中在电火花线切割加工工艺、电火花加工工艺、半导体放电加工机理、半导体硅片电火花线切割等方面取得了一系列的成果。 晶体材料大尺寸、定晶向放电切割技术基于特种加工领域先进放电切割技术,在以下三个方面实现了突破,具有高精度、大尺寸、低成本等特点。具体包括:(1)大尺寸半导体晶体放电切割技术;(2)大尺寸晶体定晶向放电切割技术;(3)大尺寸硅基复合材料放电切割技术。
太阳能制冷背包
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:电力、热力、燃气及水生产和供应业
技术简介
本实用新型公开了一种太阳能制冷背包,包括背包体(1),其特征在于:在背包体(1)内设置有支撑框架(2)和保温层(3),在背包体(1)的上部开设有通风孔(4),通风孔(4)处设置有半导体热电制冷片(5),且半导体热电制冷片(5)的冷端位于背包体(1)的内部,半导体热电制冷片(5)的热端位于背包体(1)的外部,在冷端处设置有冷端风扇(6),在热端处设置有热端风扇(7),在背包体(1)下部的卡槽(8)内设置有为冷端风扇(6)、热端风扇(7)和半导体热电制冷片(6)供电的锂电池(9),在背包体(1)外部还设置有多块单晶硅太阳能板(10),单晶硅太阳能板(10)与锂电池(9)通过导线连接。
蓄冷型太阳能半导体冷藏箱
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型公开了一种蓄冷型太阳能半导体冷藏箱,包括太阳能电池、半导体制冷片、冷藏箱体,其特征是:在冷藏箱体内部设置有蓄冷材料。本实用新型使用蓄冷材料取代现有的太阳能半导体冷藏箱中的铅酸蓄电池及其控制和保护装置,并且蓄冷材料直接放置于冷藏箱体内,和冷藏箱体组成整体结构。其结构简单、成本低、使用方便。
SiC PIN紫外光电探测器
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
一、项目特点和技术指标 紫外光电探测器由于在紫外天文学、环境监测、火灾探测、涡轮引擎燃烧效率监测、可燃气体成分分析和生物细胞癌变检测等方面有着广阔的前景,具有极高的军事和民用价值。采用4H-SiC半导体材料制备的紫外光电探测器,具有优良的可见光盲、漏电低、灵敏度高的特性,其探测波长范围在200-380nm,响应度约130mA/W,结电容约10fP,漏电流小于1pA,TO46金属管平面光窗封装。 二、技术成熟程度 我们从2002年就开始开展4H-SiC半导体紫外光电探测器的制备研究,掌握了SiC器件的制备关键工艺技术,研究了多种金属与SiC接触的性能,摸索出从材料清洗到封装的全部工艺流程,制备出的器件经福建省电子产品质量检验所检测,主要技术参数接近国际水平。 三、应用范围 可用于大气中的紫外强度告警、可燃气体成分分析及医学紫外荧光检测等。 四、投产条件与预期经济效益 SiC紫外光电探测器的制备需要比较完整的半导体工艺线,其制备工艺包括清洗、光刻、氧化、干法刻蚀、溅射金属、退火、划片到封装等过程,部分工艺要在较高的清洁度的洁净室内完成,如果全过程建设,所需的费用约500万元左右,如已有半导体工艺线,则经简单改造后即可进行生产。按目前PIN结构,管芯面积约500X500um2计算,包括衬底、制备消耗的气体、贵金属、化学药品及设备折旧和人工等,每个探测器成本约200元,市场参考价格约300元。小批量生产每月可完成3万个管芯的制备。 五、合作方式 面议
高端半导体激光器
成熟度:可规模生产
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
是以一定的半导体材料做工作物质而产生激光的器件。.其工作原理是通过一定的激励方式,在半导体物质的能带(导带与价带)之间,或者半导体物质的能带与杂质(受主或施主)能级之间,实现非平衡载流子的粒子数反转,当处于粒子数反转状态的大量电子与空穴复合时,便产生受激发射作用。1、体积小,重量轻;2、驱动功率和电流较低;3、效率高、工作寿命长;4、可直接电调制;5、易于与各种光电子器件实现光电子集成;6、与半导体制造技术兼容。
蓝宝石全画幅半导体封装产品
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
蓝宝石作为半导体封装使用还是个全新的尝试,市场还处在一片空白。借CANON改善封装产品裂片契机,突破技术难点之后可以导入蓝宝石产品的量产。此外,CANON本次应用蓝宝石封装产品具有试点效应,必将会带动SONY、NIKON等其他相机厂家进行跟进,市场前景广阔。按现有CANON高端相机规模,蓝宝石全画幅半导体封装产品预计3600万元/年销售规模。SONY、NIKON拥有类似规模,在全部跟进情况下年销售将超过1亿元/年。 全画幅半导体封装产品使用蓝宝石材料为首次应用,对产品各项标准都需要重新评估。主要包括分光特性、表面质量、检查机可行性。其中,分光特性上,通过重新测算基底和膜料参数,按测算后参数进行设计膜系;表面质量,通过优化镀膜工艺,改善镀膜设备配件清洗洁净度,从而改善产品表面质量;检查机可行性,通过调整检查机参数,达到产品检查能力。再通过检查机设备和显微镜对标,达成标准一直,达到检查机导入量产标准
面向半导体设计实现(Design Enablement)的智能EDA软件系统关键技术及产业化
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:信息传输、软件和信息技术服务业
技术简介
本项目围绕集成电路制造与设计的实际应用需求,核心痛点,研究开发一款大型全智能化的EDA软件工具(DES2)。此软件应用于集成电路设计实现(Design Enablement )领域PDK的自动化开发。此软件平台技术主要结合集成电路专业核心知识体系基于人机交互界面技术,云数据处理空间技术,以及采集现有人员研发轨迹作为主要数据来源的人工智能技术,从而帮助中国集成电路制造和设计企业快速提升制造信息的开发及传输,加快集成电路产品的设计,缩短开发周期,从而提高整个开发效率。 开发面向半导体Design Enablement的智能EDA软件系统-DES2,并为了设计端EDA工具国产化铺路。 该项目已完成全部项目目标,并已形成实际产品销售。该项目已申请两项技术专利,4项软件著作。存在问题DRM自动产生系统种layer mapping property 使用种点击未有冲突检查,DRC自动生成系统部分内容导出时需要添加加密功能,Min-DRC生成需要设定管理员权限。解决措施添加layer mapping property 模块进行冲突检查,添加DRC导出部分章节加密功能,添加Min-DRC生成设定管理员权限。
无线接入网高能效微波集成器件理论及实现机理
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
该项目为国家重点基础研究发展计划(973 计划)信息领域中的项目(项目编号: 2014CB339900)。 该项目以建设能源节约型信息化文明社会为目标,针对"无线接入网高能效微波集成器件"的国家重大需求与面临的科学挑战展开科学研究。围绕 "面向非恒包络(高峰均比)信号的功率微波集成器件结构与电路"、"植入式功能细胞的结构、组成与构建"和"大范围频率比单体多频微波集成器件调控机理与结构"三个关键科学问题,从高能效功率半导体微波器件理论、结构和实现方法、恒包络信号功率微波集成器件能量转换效率提升的新理论和电路结构、植入式准集总分布参数功能细胞的理论研究和构建方法、大范围频率比多频微波集成器件调控机理与结构四个方面开展研究,取得了一系列研究成果。
大晶格失配半导体异质外延及表征技术
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:科学研究和技术服务业
技术简介
在国际上首次提出了在硅衬底上通过低温生长引入高密度点缺陷Si薄层(LT-Si)来阻挡位错的异质外延新技术.将半导体材料的负面因素点缺陷用来作为阻挡位错的主体,获得了低位错密度(105 cm-2)、高弛豫度(90%),并且表面平整的高质量的SiGe合金层,比早先发展的组分渐变方法优越.这一新颖的学术思想丰富了人们关于晶格失配外延和位错阻挡的知识,开阔了思路.低温生长Si层的文章发表后的第二年,Kasper在评论文章中就肯定了陈弘等人提出的方法.之后国际上发表的有关SiGe的评论性文章几乎无例外地都引用了该项目提出的技术.在之后的16年中,引用没有间断过,并被写入"半导体半金属"丛书中.四篇相关文章他引总数310次,单篇最高他引114次.首次使用微区喇曼光谱扫描成象技术研究了外延膜表面局部应力,澄清了在大晶格失配的异质外延中普遍存在的表面十字网格起因的争论,确立了形成的物理机制.提出了利用X射线衍射摇摆曲线结合Φ扫描曲线测量晶粒的扭转角,推出位错密度的简单有效的方法,得到学术界的肯定和广泛的应用.20篇核心论文他引总数730次.由于该项目在失配外延方面的成果重要性,项目成员还应邀为Advanced Materials (IF=13.877)和Energy & Environment Science (IF=9.610)撰写了评述文章.指出了大晶格失配外延膜中的二极管反向漏电与具有螺旋分量的位错密度相关联;确定了在γ面蓝宝石衬底上生长的非极性α面GaN的各向异性来自于外延膜平面内的非对称性.
碳纳米管陈列有机污染物传感器及用途
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明揭示了一种碳纳米管阵列有机污染物传感器及用途,先利用化学气相沉积或交流电泳的方法在衬底上制成金属性和半导体性混合的定向单壁碳纳米管阵列;继而采用过载电流烧毁碳纳米管阵列中的金属性碳纳米管并采用金属纳米颗粒修饰所得到的半导体性碳纳米管阵列;最后在金属纳米颗粒修饰后的碳纳米管阵列表面光刻或金属膜沉积交叉指电极。该传感器完全是半导体碳纳米管阵列结构,具有实现室温环境下场效应的性能,能够提高器件对各种有机分子的识别和选择性,可用于对室内外或太空中NO、NO2及苯系物有机污染气体的灵敏探测。
找到228项技术成果数据。
找技术 >晶体材料大尺寸、定晶向放电切割技术
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
近年来,在国家自然基金、江苏省自然基金、航空基金以及国防预研、国家新能源产业化专项、江苏省科技成果转化等项目资助下,本课题组进行了在半导体晶体材料加工上实现了大尺寸(600mm)、高尺寸精度(5μm)、定晶向(0.3分)、低损耗、低成本的集成技术优势,成为国内外首个在半导体晶体放电切割上实现重大突破和技术应用的研究团队,多项研究成果已经获得或即将获得重要应用。 本课题组在特种加工、微细加工、激光加工、再制造等方面开展了多年的研究工作,其中在电火花线切割加工工艺、电火花加工工艺、半导体放电加工机理、半导体硅片电火花线切割等方面取得了一系列的成果。 晶体材料大尺寸、定晶向放电切割技术基于特种加工领域先进放电切割技术,在以下三个方面实现了突破,具有高精度、大尺寸、低成本等特点。具体包括:(1)大尺寸半导体晶体放电切割技术;(2)大尺寸晶体定晶向放电切割技术;(3)大尺寸硅基复合材料放电切割技术。
太阳能制冷背包
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:电力、热力、燃气及水生产和供应业
技术简介
本实用新型公开了一种太阳能制冷背包,包括背包体(1),其特征在于:在背包体(1)内设置有支撑框架(2)和保温层(3),在背包体(1)的上部开设有通风孔(4),通风孔(4)处设置有半导体热电制冷片(5),且半导体热电制冷片(5)的冷端位于背包体(1)的内部,半导体热电制冷片(5)的热端位于背包体(1)的外部,在冷端处设置有冷端风扇(6),在热端处设置有热端风扇(7),在背包体(1)下部的卡槽(8)内设置有为冷端风扇(6)、热端风扇(7)和半导体热电制冷片(6)供电的锂电池(9),在背包体(1)外部还设置有多块单晶硅太阳能板(10),单晶硅太阳能板(10)与锂电池(9)通过导线连接。
蓄冷型太阳能半导体冷藏箱
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型公开了一种蓄冷型太阳能半导体冷藏箱,包括太阳能电池、半导体制冷片、冷藏箱体,其特征是:在冷藏箱体内部设置有蓄冷材料。本实用新型使用蓄冷材料取代现有的太阳能半导体冷藏箱中的铅酸蓄电池及其控制和保护装置,并且蓄冷材料直接放置于冷藏箱体内,和冷藏箱体组成整体结构。其结构简单、成本低、使用方便。
SiC PIN紫外光电探测器
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
一、项目特点和技术指标 紫外光电探测器由于在紫外天文学、环境监测、火灾探测、涡轮引擎燃烧效率监测、可燃气体成分分析和生物细胞癌变检测等方面有着广阔的前景,具有极高的军事和民用价值。采用4H-SiC半导体材料制备的紫外光电探测器,具有优良的可见光盲、漏电低、灵敏度高的特性,其探测波长范围在200-380nm,响应度约130mA/W,结电容约10fP,漏电流小于1pA,TO46金属管平面光窗封装。 二、技术成熟程度 我们从2002年就开始开展4H-SiC半导体紫外光电探测器的制备研究,掌握了SiC器件的制备关键工艺技术,研究了多种金属与SiC接触的性能,摸索出从材料清洗到封装的全部工艺流程,制备出的器件经福建省电子产品质量检验所检测,主要技术参数接近国际水平。 三、应用范围 可用于大气中的紫外强度告警、可燃气体成分分析及医学紫外荧光检测等。 四、投产条件与预期经济效益 SiC紫外光电探测器的制备需要比较完整的半导体工艺线,其制备工艺包括清洗、光刻、氧化、干法刻蚀、溅射金属、退火、划片到封装等过程,部分工艺要在较高的清洁度的洁净室内完成,如果全过程建设,所需的费用约500万元左右,如已有半导体工艺线,则经简单改造后即可进行生产。按目前PIN结构,管芯面积约500X500um2计算,包括衬底、制备消耗的气体、贵金属、化学药品及设备折旧和人工等,每个探测器成本约200元,市场参考价格约300元。小批量生产每月可完成3万个管芯的制备。 五、合作方式 面议
高端半导体激光器
成熟度:可规模生产
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
是以一定的半导体材料做工作物质而产生激光的器件。.其工作原理是通过一定的激励方式,在半导体物质的能带(导带与价带)之间,或者半导体物质的能带与杂质(受主或施主)能级之间,实现非平衡载流子的粒子数反转,当处于粒子数反转状态的大量电子与空穴复合时,便产生受激发射作用。1、体积小,重量轻;2、驱动功率和电流较低;3、效率高、工作寿命长;4、可直接电调制;5、易于与各种光电子器件实现光电子集成;6、与半导体制造技术兼容。
蓝宝石全画幅半导体封装产品
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
蓝宝石作为半导体封装使用还是个全新的尝试,市场还处在一片空白。借CANON改善封装产品裂片契机,突破技术难点之后可以导入蓝宝石产品的量产。此外,CANON本次应用蓝宝石封装产品具有试点效应,必将会带动SONY、NIKON等其他相机厂家进行跟进,市场前景广阔。按现有CANON高端相机规模,蓝宝石全画幅半导体封装产品预计3600万元/年销售规模。SONY、NIKON拥有类似规模,在全部跟进情况下年销售将超过1亿元/年。 全画幅半导体封装产品使用蓝宝石材料为首次应用,对产品各项标准都需要重新评估。主要包括分光特性、表面质量、检查机可行性。其中,分光特性上,通过重新测算基底和膜料参数,按测算后参数进行设计膜系;表面质量,通过优化镀膜工艺,改善镀膜设备配件清洗洁净度,从而改善产品表面质量;检查机可行性,通过调整检查机参数,达到产品检查能力。再通过检查机设备和显微镜对标,达成标准一直,达到检查机导入量产标准
面向半导体设计实现(Design Enablement)的智能EDA软件系统关键技术及产业化
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:信息传输、软件和信息技术服务业
技术简介
本项目围绕集成电路制造与设计的实际应用需求,核心痛点,研究开发一款大型全智能化的EDA软件工具(DES2)。此软件应用于集成电路设计实现(Design Enablement )领域PDK的自动化开发。此软件平台技术主要结合集成电路专业核心知识体系基于人机交互界面技术,云数据处理空间技术,以及采集现有人员研发轨迹作为主要数据来源的人工智能技术,从而帮助中国集成电路制造和设计企业快速提升制造信息的开发及传输,加快集成电路产品的设计,缩短开发周期,从而提高整个开发效率。 开发面向半导体Design Enablement的智能EDA软件系统-DES2,并为了设计端EDA工具国产化铺路。 该项目已完成全部项目目标,并已形成实际产品销售。该项目已申请两项技术专利,4项软件著作。存在问题DRM自动产生系统种layer mapping property 使用种点击未有冲突检查,DRC自动生成系统部分内容导出时需要添加加密功能,Min-DRC生成需要设定管理员权限。解决措施添加layer mapping property 模块进行冲突检查,添加DRC导出部分章节加密功能,添加Min-DRC生成设定管理员权限。
无线接入网高能效微波集成器件理论及实现机理
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
该项目为国家重点基础研究发展计划(973 计划)信息领域中的项目(项目编号: 2014CB339900)。 该项目以建设能源节约型信息化文明社会为目标,针对"无线接入网高能效微波集成器件"的国家重大需求与面临的科学挑战展开科学研究。围绕 "面向非恒包络(高峰均比)信号的功率微波集成器件结构与电路"、"植入式功能细胞的结构、组成与构建"和"大范围频率比单体多频微波集成器件调控机理与结构"三个关键科学问题,从高能效功率半导体微波器件理论、结构和实现方法、恒包络信号功率微波集成器件能量转换效率提升的新理论和电路结构、植入式准集总分布参数功能细胞的理论研究和构建方法、大范围频率比多频微波集成器件调控机理与结构四个方面开展研究,取得了一系列研究成果。
大晶格失配半导体异质外延及表征技术
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:科学研究和技术服务业
技术简介
在国际上首次提出了在硅衬底上通过低温生长引入高密度点缺陷Si薄层(LT-Si)来阻挡位错的异质外延新技术.将半导体材料的负面因素点缺陷用来作为阻挡位错的主体,获得了低位错密度(105 cm-2)、高弛豫度(90%),并且表面平整的高质量的SiGe合金层,比早先发展的组分渐变方法优越.这一新颖的学术思想丰富了人们关于晶格失配外延和位错阻挡的知识,开阔了思路.低温生长Si层的文章发表后的第二年,Kasper在评论文章中就肯定了陈弘等人提出的方法.之后国际上发表的有关SiGe的评论性文章几乎无例外地都引用了该项目提出的技术.在之后的16年中,引用没有间断过,并被写入"半导体半金属"丛书中.四篇相关文章他引总数310次,单篇最高他引114次.首次使用微区喇曼光谱扫描成象技术研究了外延膜表面局部应力,澄清了在大晶格失配的异质外延中普遍存在的表面十字网格起因的争论,确立了形成的物理机制.提出了利用X射线衍射摇摆曲线结合Φ扫描曲线测量晶粒的扭转角,推出位错密度的简单有效的方法,得到学术界的肯定和广泛的应用.20篇核心论文他引总数730次.由于该项目在失配外延方面的成果重要性,项目成员还应邀为Advanced Materials (IF=13.877)和Energy & Environment Science (IF=9.610)撰写了评述文章.指出了大晶格失配外延膜中的二极管反向漏电与具有螺旋分量的位错密度相关联;确定了在γ面蓝宝石衬底上生长的非极性α面GaN的各向异性来自于外延膜平面内的非对称性.
碳纳米管陈列有机污染物传感器及用途
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明揭示了一种碳纳米管阵列有机污染物传感器及用途,先利用化学气相沉积或交流电泳的方法在衬底上制成金属性和半导体性混合的定向单壁碳纳米管阵列;继而采用过载电流烧毁碳纳米管阵列中的金属性碳纳米管并采用金属纳米颗粒修饰所得到的半导体性碳纳米管阵列;最后在金属纳米颗粒修饰后的碳纳米管阵列表面光刻或金属膜沉积交叉指电极。该传感器完全是半导体碳纳米管阵列结构,具有实现室温环境下场效应的性能,能够提高器件对各种有机分子的识别和选择性,可用于对室内外或太空中NO、NO2及苯系物有机污染气体的灵敏探测。
找到228项技术成果数据。
找技术 >晶体材料大尺寸、定晶向放电切割技术
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
近年来,在国家自然基金、江苏省自然基金、航空基金以及国防预研、国家新能源产业化专项、江苏省科技成果转化等项目资助下,本课题组进行了在半导体晶体材料加工上实现了大尺寸(600mm)、高尺寸精度(5μm)、定晶向(0.3分)、低损耗、低成本的集成技术优势,成为国内外首个在半导体晶体放电切割上实现重大突破和技术应用的研究团队,多项研究成果已经获得或即将获得重要应用。 本课题组在特种加工、微细加工、激光加工、再制造等方面开展了多年的研究工作,其中在电火花线切割加工工艺、电火花加工工艺、半导体放电加工机理、半导体硅片电火花线切割等方面取得了一系列的成果。 晶体材料大尺寸、定晶向放电切割技术基于特种加工领域先进放电切割技术,在以下三个方面实现了突破,具有高精度、大尺寸、低成本等特点。具体包括:(1)大尺寸半导体晶体放电切割技术;(2)大尺寸晶体定晶向放电切割技术;(3)大尺寸硅基复合材料放电切割技术。
太阳能制冷背包
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:电力、热力、燃气及水生产和供应业
技术简介
本实用新型公开了一种太阳能制冷背包,包括背包体(1),其特征在于:在背包体(1)内设置有支撑框架(2)和保温层(3),在背包体(1)的上部开设有通风孔(4),通风孔(4)处设置有半导体热电制冷片(5),且半导体热电制冷片(5)的冷端位于背包体(1)的内部,半导体热电制冷片(5)的热端位于背包体(1)的外部,在冷端处设置有冷端风扇(6),在热端处设置有热端风扇(7),在背包体(1)下部的卡槽(8)内设置有为冷端风扇(6)、热端风扇(7)和半导体热电制冷片(6)供电的锂电池(9),在背包体(1)外部还设置有多块单晶硅太阳能板(10),单晶硅太阳能板(10)与锂电池(9)通过导线连接。
蓄冷型太阳能半导体冷藏箱
成熟度:正在研发
技术类型:实用新型
应用行业:制造业
技术简介
本实用新型公开了一种蓄冷型太阳能半导体冷藏箱,包括太阳能电池、半导体制冷片、冷藏箱体,其特征是:在冷藏箱体内部设置有蓄冷材料。本实用新型使用蓄冷材料取代现有的太阳能半导体冷藏箱中的铅酸蓄电池及其控制和保护装置,并且蓄冷材料直接放置于冷藏箱体内,和冷藏箱体组成整体结构。其结构简单、成本低、使用方便。
SiC PIN紫外光电探测器
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
一、项目特点和技术指标 紫外光电探测器由于在紫外天文学、环境监测、火灾探测、涡轮引擎燃烧效率监测、可燃气体成分分析和生物细胞癌变检测等方面有着广阔的前景,具有极高的军事和民用价值。采用4H-SiC半导体材料制备的紫外光电探测器,具有优良的可见光盲、漏电低、灵敏度高的特性,其探测波长范围在200-380nm,响应度约130mA/W,结电容约10fP,漏电流小于1pA,TO46金属管平面光窗封装。 二、技术成熟程度 我们从2002年就开始开展4H-SiC半导体紫外光电探测器的制备研究,掌握了SiC器件的制备关键工艺技术,研究了多种金属与SiC接触的性能,摸索出从材料清洗到封装的全部工艺流程,制备出的器件经福建省电子产品质量检验所检测,主要技术参数接近国际水平。 三、应用范围 可用于大气中的紫外强度告警、可燃气体成分分析及医学紫外荧光检测等。 四、投产条件与预期经济效益 SiC紫外光电探测器的制备需要比较完整的半导体工艺线,其制备工艺包括清洗、光刻、氧化、干法刻蚀、溅射金属、退火、划片到封装等过程,部分工艺要在较高的清洁度的洁净室内完成,如果全过程建设,所需的费用约500万元左右,如已有半导体工艺线,则经简单改造后即可进行生产。按目前PIN结构,管芯面积约500X500um2计算,包括衬底、制备消耗的气体、贵金属、化学药品及设备折旧和人工等,每个探测器成本约200元,市场参考价格约300元。小批量生产每月可完成3万个管芯的制备。 五、合作方式 面议
高端半导体激光器
成熟度:可规模生产
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
是以一定的半导体材料做工作物质而产生激光的器件。.其工作原理是通过一定的激励方式,在半导体物质的能带(导带与价带)之间,或者半导体物质的能带与杂质(受主或施主)能级之间,实现非平衡载流子的粒子数反转,当处于粒子数反转状态的大量电子与空穴复合时,便产生受激发射作用。1、体积小,重量轻;2、驱动功率和电流较低;3、效率高、工作寿命长;4、可直接电调制;5、易于与各种光电子器件实现光电子集成;6、与半导体制造技术兼容。
蓝宝石全画幅半导体封装产品
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
蓝宝石作为半导体封装使用还是个全新的尝试,市场还处在一片空白。借CANON改善封装产品裂片契机,突破技术难点之后可以导入蓝宝石产品的量产。此外,CANON本次应用蓝宝石封装产品具有试点效应,必将会带动SONY、NIKON等其他相机厂家进行跟进,市场前景广阔。按现有CANON高端相机规模,蓝宝石全画幅半导体封装产品预计3600万元/年销售规模。SONY、NIKON拥有类似规模,在全部跟进情况下年销售将超过1亿元/年。 全画幅半导体封装产品使用蓝宝石材料为首次应用,对产品各项标准都需要重新评估。主要包括分光特性、表面质量、检查机可行性。其中,分光特性上,通过重新测算基底和膜料参数,按测算后参数进行设计膜系;表面质量,通过优化镀膜工艺,改善镀膜设备配件清洗洁净度,从而改善产品表面质量;检查机可行性,通过调整检查机参数,达到产品检查能力。再通过检查机设备和显微镜对标,达成标准一直,达到检查机导入量产标准
面向半导体设计实现(Design Enablement)的智能EDA软件系统关键技术及产业化
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:信息传输、软件和信息技术服务业
技术简介
本项目围绕集成电路制造与设计的实际应用需求,核心痛点,研究开发一款大型全智能化的EDA软件工具(DES2)。此软件应用于集成电路设计实现(Design Enablement )领域PDK的自动化开发。此软件平台技术主要结合集成电路专业核心知识体系基于人机交互界面技术,云数据处理空间技术,以及采集现有人员研发轨迹作为主要数据来源的人工智能技术,从而帮助中国集成电路制造和设计企业快速提升制造信息的开发及传输,加快集成电路产品的设计,缩短开发周期,从而提高整个开发效率。 开发面向半导体Design Enablement的智能EDA软件系统-DES2,并为了设计端EDA工具国产化铺路。 该项目已完成全部项目目标,并已形成实际产品销售。该项目已申请两项技术专利,4项软件著作。存在问题DRM自动产生系统种layer mapping property 使用种点击未有冲突检查,DRC自动生成系统部分内容导出时需要添加加密功能,Min-DRC生成需要设定管理员权限。解决措施添加layer mapping property 模块进行冲突检查,添加DRC导出部分章节加密功能,添加Min-DRC生成设定管理员权限。
无线接入网高能效微波集成器件理论及实现机理
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
该项目为国家重点基础研究发展计划(973 计划)信息领域中的项目(项目编号: 2014CB339900)。 该项目以建设能源节约型信息化文明社会为目标,针对"无线接入网高能效微波集成器件"的国家重大需求与面临的科学挑战展开科学研究。围绕 "面向非恒包络(高峰均比)信号的功率微波集成器件结构与电路"、"植入式功能细胞的结构、组成与构建"和"大范围频率比单体多频微波集成器件调控机理与结构"三个关键科学问题,从高能效功率半导体微波器件理论、结构和实现方法、恒包络信号功率微波集成器件能量转换效率提升的新理论和电路结构、植入式准集总分布参数功能细胞的理论研究和构建方法、大范围频率比多频微波集成器件调控机理与结构四个方面开展研究,取得了一系列研究成果。
大晶格失配半导体异质外延及表征技术
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:科学研究和技术服务业
技术简介
在国际上首次提出了在硅衬底上通过低温生长引入高密度点缺陷Si薄层(LT-Si)来阻挡位错的异质外延新技术.将半导体材料的负面因素点缺陷用来作为阻挡位错的主体,获得了低位错密度(105 cm-2)、高弛豫度(90%),并且表面平整的高质量的SiGe合金层,比早先发展的组分渐变方法优越.这一新颖的学术思想丰富了人们关于晶格失配外延和位错阻挡的知识,开阔了思路.低温生长Si层的文章发表后的第二年,Kasper在评论文章中就肯定了陈弘等人提出的方法.之后国际上发表的有关SiGe的评论性文章几乎无例外地都引用了该项目提出的技术.在之后的16年中,引用没有间断过,并被写入"半导体半金属"丛书中.四篇相关文章他引总数310次,单篇最高他引114次.首次使用微区喇曼光谱扫描成象技术研究了外延膜表面局部应力,澄清了在大晶格失配的异质外延中普遍存在的表面十字网格起因的争论,确立了形成的物理机制.提出了利用X射线衍射摇摆曲线结合Φ扫描曲线测量晶粒的扭转角,推出位错密度的简单有效的方法,得到学术界的肯定和广泛的应用.20篇核心论文他引总数730次.由于该项目在失配外延方面的成果重要性,项目成员还应邀为Advanced Materials (IF=13.877)和Energy & Environment Science (IF=9.610)撰写了评述文章.指出了大晶格失配外延膜中的二极管反向漏电与具有螺旋分量的位错密度相关联;确定了在γ面蓝宝石衬底上生长的非极性α面GaN的各向异性来自于外延膜平面内的非对称性.
碳纳米管陈列有机污染物传感器及用途
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明揭示了一种碳纳米管阵列有机污染物传感器及用途,先利用化学气相沉积或交流电泳的方法在衬底上制成金属性和半导体性混合的定向单壁碳纳米管阵列;继而采用过载电流烧毁碳纳米管阵列中的金属性碳纳米管并采用金属纳米颗粒修饰所得到的半导体性碳纳米管阵列;最后在金属纳米颗粒修饰后的碳纳米管阵列表面光刻或金属膜沉积交叉指电极。该传感器完全是半导体碳纳米管阵列结构,具有实现室温环境下场效应的性能,能够提高器件对各种有机分子的识别和选择性,可用于对室内外或太空中NO、NO2及苯系物有机污染气体的灵敏探测。