找到62项技术成果数据。
找技术 >硝基苯敏感荧光传感薄膜的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
一、发明创造简介 将丹磺酰和芘经柔性长臂共价结合到玻璃、石英表面,实现了对硝基苯的液相和气相传感,该薄膜对硝基苯等含硝基化合物敏感,传感性能优越,有可能在爆炸品、污染物检测等方面获得应用。 将丹磺酰和芘等多环芳烃氨基衍生化,再进一步与在玻璃、石英等基片表面单层组装的3-缩水甘油丙醚基三甲氧基硅烷的环氧基反应,从而化学键合到固体基质表面,形成单层组装的荧光传感薄膜材料。由于连接荧光物种与基质的连接臂为柔性疏水长臂,其在极性介质中,会由于疏水相互作用而发生压缩、团聚,形成一层不同于本体相和固体基质的连接臂薄层。而荧光物种则由于疏水性而被包覆于连接臂层。因此,在极性介质如水中的一些猝灭剂并不能全部接触到荧光物种而发生猝灭,只有那些弱极性且能和荧光物种发生特异吸附的猝灭剂才能有效地进入连接臂层,充分接触荧光物种而有效地猝灭荧光传感薄膜的荧光发射。本发明就是基于上述考虑而设计制备了相关传感薄膜材料。 二、创新点 首次制备了对硝苯类化合物异常敏感的以丹磺酰或芘为传感元素,经由柔性长臂连接的传感薄膜材料。 三、发明的应用价值和市场前景 本发明提供了一种对硝基苯等爆炸品或有机毒性化合物选择性检测的高灵敏的荧光传感薄膜的制备方法。 本发明的突出意义在于创制了一种新材料,该材料器件化后,可以利用现行仪器实现对上述物质的特异检测,此外,此类薄膜材料传感机理与已有传感材料完全不同,仪器化前景,应用前景看好。
晶圆级高纯碳化硅单晶薄膜制备技术及硅基异质集成
成熟度:通过中试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本项目将利用离子束剥离及村底转移的方法发展新型4H-SiC单晶薄膜材料。离子束剥离4H-Sic与转移S ic薄膜的物理本质是通过H等轻元素离子注入,在4H-SiC单晶衬底的特定深度处形成富含注入离子的气泡和孔洞,并形成剥离缺陷层。在加热过程中,注入气体的膨胀作用使表层薄膜从单晶衬底上分离。通过晶圆键合,将剥离的4H-Sic薄膜转移到硅基衬底上形成硅基4H-SiC晶圆级异质集成衬底。该方法通过剥离和转移技术将材料的制备工艺温度降到了1200℃以下,实现单晶4H-SiC薄膜的制备以及硅基衬底的集成。制备4H-Sic/Si02/S结构的绝缘体上碳化硅(Sic-on-nsulator, SicOl)衬底将为研发高性能SiC射频、传感器件及光电子器件提供材料平台。
一种带隙可调的BN(Al)薄膜材料及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明公开了一种带隙可调的BN(Al)薄膜材料的制备方法,本发明通过Al掺杂的方法实现对六方BN带隙更自由的调控,增加其紫外光的吸收范围,其制备方法通过选择富硼的氮化硼靶材,在溅射过程中对衬底施加高偏压诱导出大量的N空位缺陷,同时通过共溅射使Al原子进入薄膜中N空位缺陷处,实现带隙可在较宽范围内调控的新型BN(Al)薄膜半导体材料。本发明中BN(Al)薄膜半导体材料采用射频共溅射法获得,工艺简单且效率高,可用于波长可调的发光器件,近紫外光吸收材料或光探测器件。
负泊松比钙钛矿型薄膜材料及其制备方法
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种负泊松比钙钛矿型薄膜材料及其制备方法。该钙钛矿型薄膜材料的化学成分为BaTiO3,具有钙钛矿型ABO3的结构。经实验表明,这种钙钛矿型薄膜材料的泊松比为负数,是一种具有负泊松比特性的材料。
几种薄膜材料的应用基础研究
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:科学研究和技术服务业
技术简介
在薄膜材料方面,中国科学院物理研究所用直流磁控溅射和原位热处理法制得的钇钡铜氧和轧钡铜氧外延超导薄膜,电子衍射图表明薄膜是C-轴取向,而且单晶性强,其零电阻临界温度T,C≥92K,临界电流密度J,C达到3.8×10'6安/厘米'2。薄膜的质量和工艺重复性达到了国际先进水平。在薄膜器件方法,中国科学院物理研究所研制成功地高温超导微波通滤波器和轧钡铜氧薄膜红外探测器,其性能分别达到和接近国际先进水平;山东大学在国内首次用金属有机化合物气相沉积技术研制成功微波HBT器件和DBRTD器件;中国科学院电子学研究所研制成功检测葡萄糖和尿素的两种酶生物传感器、固态pH值传感器,后者获1991年中国科学院技术进步三等奖。
应用电子自旋共振(ESR)技术研究非晶半导体薄膜材料微观结构
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
把ESR技术应用于研究ESR信号很弱的各种非晶态半导体薄膜材料的微观电子结构分析,解决了测量和制样中的关键技术,首次建立了“ESR数据处理”的计算机软件和定量用的“标样”;系统研究了各种非晶半导体薄膜材料的杂质、缺陷、电子态和微观结构特性、超晶格膜的界面特性,并研究了非晶硅太阳电池的异质结构特性,获得大量实验数据,博得国外同行的好评。
一种介电滤波薄膜材料及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种介电滤波薄膜材料及其制备方法,该材料是在K9玻璃或硅片衬底上用磁控溅射技术,在高纯氩气氛中逐次生长出具有七层结构的薄膜材料,其中第一、三、五、七层为SiO2膜或Si膜,第二、四、六层为Si膜或SiO2膜,用该技术制备时膜厚控制精确,而且材料中间不存在空气间隙层,该材料结构稳定,而且容易控制,并具有在1210纳米至2230纳米的光波波长范围内得到光子禁带,在光通讯波长1.3微米和1.55微米处同时得到光的共振模式的功能,得到的共振峰的峰位精确地控制在光通讯波长1.29微米和1.55微米,与光通讯波长1.30微米和1.55微米的偏差分别为0.77%和0.00%。
一种水杨酸修饰的镍锌铁氧体填充的碳纳米管-聚苯乙烯吸波薄膜材料的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明提供一种水杨酸修饰的镍锌铁氧体填充的碳纳米管-聚苯乙烯复合吸波材料的制备方法。该方法采用聚乙烯醇氧化开口在线填充-水热法获得镍锌铁氧体填充的碳纳米管,经水杨酸修饰后提高其分散能力,再与聚苯乙烯采用溶液共混法制备出水杨酸修饰的镍锌铁氧体填充的碳纳米管-聚苯乙烯吸波薄膜材料。该复合材料既具有良好的导电性和电磁性能,在国防军事、民用电磁防护、微波屏蔽等领域具有重要的应用价值。
一种电镀液、IrO2/ZnO纳米复合结构薄膜材料及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明公开了一种电镀液、IrO2/ZnO纳米复合结构薄膜材料及其制备方法。所述电解液包括铱离子源、电解质和锌离子源,可用于制备高比表面积的贵金属氧化物掺杂的载ZnO复合纳米结构的IrO2/ZnO薄膜光催化材料。其对亚甲基蓝的光催化降解效率高,对甲基橙的光降解效果良好,脱色能力强。本发明的工艺简单、成本低、适合规模化生产。
基于二维层状薄膜材料p‑g‑n异质结光电子器件
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
基于二维层状薄膜材料p‑g‑n异质结光电子器件,所述的光伏探测器包括在基底上设有自下到上的结构衬底绝缘层,所述绝缘层包括二氧化硅、PMMA等柔性绝缘衬底;p‑型二维层状薄膜材料薄膜层,所述p‑型二维层状薄膜材料薄膜层叠放在一个确定层数的石墨烯上,n‑型二维层状薄膜材料薄膜叠放在上述石墨烯下,整个异质结器件层置于所述绝缘层上,石墨烯将两半导体层完全分隔开;所述顶栅绝缘层包括二氧化硅、三氧化二铝、二氧化铪等;顶栅金属电极层设置所述顶栅绝缘层上。所述的异质结探测器感器还包括基底,设置在所述绝缘层下面。
找到62项技术成果数据。
找技术 >硝基苯敏感荧光传感薄膜的制备方法
成熟度:正在研发
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一、发明创造简介 将丹磺酰和芘经柔性长臂共价结合到玻璃、石英表面,实现了对硝基苯的液相和气相传感,该薄膜对硝基苯等含硝基化合物敏感,传感性能优越,有可能在爆炸品、污染物检测等方面获得应用。 将丹磺酰和芘等多环芳烃氨基衍生化,再进一步与在玻璃、石英等基片表面单层组装的3-缩水甘油丙醚基三甲氧基硅烷的环氧基反应,从而化学键合到固体基质表面,形成单层组装的荧光传感薄膜材料。由于连接荧光物种与基质的连接臂为柔性疏水长臂,其在极性介质中,会由于疏水相互作用而发生压缩、团聚,形成一层不同于本体相和固体基质的连接臂薄层。而荧光物种则由于疏水性而被包覆于连接臂层。因此,在极性介质如水中的一些猝灭剂并不能全部接触到荧光物种而发生猝灭,只有那些弱极性且能和荧光物种发生特异吸附的猝灭剂才能有效地进入连接臂层,充分接触荧光物种而有效地猝灭荧光传感薄膜的荧光发射。本发明就是基于上述考虑而设计制备了相关传感薄膜材料。 二、创新点 首次制备了对硝苯类化合物异常敏感的以丹磺酰或芘为传感元素,经由柔性长臂连接的传感薄膜材料。 三、发明的应用价值和市场前景 本发明提供了一种对硝基苯等爆炸品或有机毒性化合物选择性检测的高灵敏的荧光传感薄膜的制备方法。 本发明的突出意义在于创制了一种新材料,该材料器件化后,可以利用现行仪器实现对上述物质的特异检测,此外,此类薄膜材料传感机理与已有传感材料完全不同,仪器化前景,应用前景看好。
晶圆级高纯碳化硅单晶薄膜制备技术及硅基异质集成
成熟度:通过中试
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本项目将利用离子束剥离及村底转移的方法发展新型4H-SiC单晶薄膜材料。离子束剥离4H-Sic与转移S ic薄膜的物理本质是通过H等轻元素离子注入,在4H-SiC单晶衬底的特定深度处形成富含注入离子的气泡和孔洞,并形成剥离缺陷层。在加热过程中,注入气体的膨胀作用使表层薄膜从单晶衬底上分离。通过晶圆键合,将剥离的4H-Sic薄膜转移到硅基衬底上形成硅基4H-SiC晶圆级异质集成衬底。该方法通过剥离和转移技术将材料的制备工艺温度降到了1200℃以下,实现单晶4H-SiC薄膜的制备以及硅基衬底的集成。制备4H-Sic/Si02/S结构的绝缘体上碳化硅(Sic-on-nsulator, SicOl)衬底将为研发高性能SiC射频、传感器件及光电子器件提供材料平台。
一种带隙可调的BN(Al)薄膜材料及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明公开了一种带隙可调的BN(Al)薄膜材料的制备方法,本发明通过Al掺杂的方法实现对六方BN带隙更自由的调控,增加其紫外光的吸收范围,其制备方法通过选择富硼的氮化硼靶材,在溅射过程中对衬底施加高偏压诱导出大量的N空位缺陷,同时通过共溅射使Al原子进入薄膜中N空位缺陷处,实现带隙可在较宽范围内调控的新型BN(Al)薄膜半导体材料。本发明中BN(Al)薄膜半导体材料采用射频共溅射法获得,工艺简单且效率高,可用于波长可调的发光器件,近紫外光吸收材料或光探测器件。
负泊松比钙钛矿型薄膜材料及其制备方法
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种负泊松比钙钛矿型薄膜材料及其制备方法。该钙钛矿型薄膜材料的化学成分为BaTiO3,具有钙钛矿型ABO3的结构。经实验表明,这种钙钛矿型薄膜材料的泊松比为负数,是一种具有负泊松比特性的材料。
几种薄膜材料的应用基础研究
成熟度:-
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应用行业:科学研究和技术服务业
技术简介
在薄膜材料方面,中国科学院物理研究所用直流磁控溅射和原位热处理法制得的钇钡铜氧和轧钡铜氧外延超导薄膜,电子衍射图表明薄膜是C-轴取向,而且单晶性强,其零电阻临界温度T,C≥92K,临界电流密度J,C达到3.8×10'6安/厘米'2。薄膜的质量和工艺重复性达到了国际先进水平。在薄膜器件方法,中国科学院物理研究所研制成功地高温超导微波通滤波器和轧钡铜氧薄膜红外探测器,其性能分别达到和接近国际先进水平;山东大学在国内首次用金属有机化合物气相沉积技术研制成功微波HBT器件和DBRTD器件;中国科学院电子学研究所研制成功检测葡萄糖和尿素的两种酶生物传感器、固态pH值传感器,后者获1991年中国科学院技术进步三等奖。
应用电子自旋共振(ESR)技术研究非晶半导体薄膜材料微观结构
成熟度:-
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把ESR技术应用于研究ESR信号很弱的各种非晶态半导体薄膜材料的微观电子结构分析,解决了测量和制样中的关键技术,首次建立了“ESR数据处理”的计算机软件和定量用的“标样”;系统研究了各种非晶半导体薄膜材料的杂质、缺陷、电子态和微观结构特性、超晶格膜的界面特性,并研究了非晶硅太阳电池的异质结构特性,获得大量实验数据,博得国外同行的好评。
一种介电滤波薄膜材料及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种介电滤波薄膜材料及其制备方法,该材料是在K9玻璃或硅片衬底上用磁控溅射技术,在高纯氩气氛中逐次生长出具有七层结构的薄膜材料,其中第一、三、五、七层为SiO2膜或Si膜,第二、四、六层为Si膜或SiO2膜,用该技术制备时膜厚控制精确,而且材料中间不存在空气间隙层,该材料结构稳定,而且容易控制,并具有在1210纳米至2230纳米的光波波长范围内得到光子禁带,在光通讯波长1.3微米和1.55微米处同时得到光的共振模式的功能,得到的共振峰的峰位精确地控制在光通讯波长1.29微米和1.55微米,与光通讯波长1.30微米和1.55微米的偏差分别为0.77%和0.00%。
一种水杨酸修饰的镍锌铁氧体填充的碳纳米管-聚苯乙烯吸波薄膜材料的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明提供一种水杨酸修饰的镍锌铁氧体填充的碳纳米管-聚苯乙烯复合吸波材料的制备方法。该方法采用聚乙烯醇氧化开口在线填充-水热法获得镍锌铁氧体填充的碳纳米管,经水杨酸修饰后提高其分散能力,再与聚苯乙烯采用溶液共混法制备出水杨酸修饰的镍锌铁氧体填充的碳纳米管-聚苯乙烯吸波薄膜材料。该复合材料既具有良好的导电性和电磁性能,在国防军事、民用电磁防护、微波屏蔽等领域具有重要的应用价值。
一种电镀液、IrO2/ZnO纳米复合结构薄膜材料及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明公开了一种电镀液、IrO2/ZnO纳米复合结构薄膜材料及其制备方法。所述电解液包括铱离子源、电解质和锌离子源,可用于制备高比表面积的贵金属氧化物掺杂的载ZnO复合纳米结构的IrO2/ZnO薄膜光催化材料。其对亚甲基蓝的光催化降解效率高,对甲基橙的光降解效果良好,脱色能力强。本发明的工艺简单、成本低、适合规模化生产。
基于二维层状薄膜材料p‑g‑n异质结光电子器件
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
基于二维层状薄膜材料p‑g‑n异质结光电子器件,所述的光伏探测器包括在基底上设有自下到上的结构衬底绝缘层,所述绝缘层包括二氧化硅、PMMA等柔性绝缘衬底;p‑型二维层状薄膜材料薄膜层,所述p‑型二维层状薄膜材料薄膜层叠放在一个确定层数的石墨烯上,n‑型二维层状薄膜材料薄膜叠放在上述石墨烯下,整个异质结器件层置于所述绝缘层上,石墨烯将两半导体层完全分隔开;所述顶栅绝缘层包括二氧化硅、三氧化二铝、二氧化铪等;顶栅金属电极层设置所述顶栅绝缘层上。所述的异质结探测器感器还包括基底,设置在所述绝缘层下面。
找到62项技术成果数据。
找技术 >硝基苯敏感荧光传感薄膜的制备方法
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应用行业:制造业
技术简介
一、发明创造简介 将丹磺酰和芘经柔性长臂共价结合到玻璃、石英表面,实现了对硝基苯的液相和气相传感,该薄膜对硝基苯等含硝基化合物敏感,传感性能优越,有可能在爆炸品、污染物检测等方面获得应用。 将丹磺酰和芘等多环芳烃氨基衍生化,再进一步与在玻璃、石英等基片表面单层组装的3-缩水甘油丙醚基三甲氧基硅烷的环氧基反应,从而化学键合到固体基质表面,形成单层组装的荧光传感薄膜材料。由于连接荧光物种与基质的连接臂为柔性疏水长臂,其在极性介质中,会由于疏水相互作用而发生压缩、团聚,形成一层不同于本体相和固体基质的连接臂薄层。而荧光物种则由于疏水性而被包覆于连接臂层。因此,在极性介质如水中的一些猝灭剂并不能全部接触到荧光物种而发生猝灭,只有那些弱极性且能和荧光物种发生特异吸附的猝灭剂才能有效地进入连接臂层,充分接触荧光物种而有效地猝灭荧光传感薄膜的荧光发射。本发明就是基于上述考虑而设计制备了相关传感薄膜材料。 二、创新点 首次制备了对硝苯类化合物异常敏感的以丹磺酰或芘为传感元素,经由柔性长臂连接的传感薄膜材料。 三、发明的应用价值和市场前景 本发明提供了一种对硝基苯等爆炸品或有机毒性化合物选择性检测的高灵敏的荧光传感薄膜的制备方法。 本发明的突出意义在于创制了一种新材料,该材料器件化后,可以利用现行仪器实现对上述物质的特异检测,此外,此类薄膜材料传感机理与已有传感材料完全不同,仪器化前景,应用前景看好。
晶圆级高纯碳化硅单晶薄膜制备技术及硅基异质集成
成熟度:通过中试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本项目将利用离子束剥离及村底转移的方法发展新型4H-SiC单晶薄膜材料。离子束剥离4H-Sic与转移S ic薄膜的物理本质是通过H等轻元素离子注入,在4H-SiC单晶衬底的特定深度处形成富含注入离子的气泡和孔洞,并形成剥离缺陷层。在加热过程中,注入气体的膨胀作用使表层薄膜从单晶衬底上分离。通过晶圆键合,将剥离的4H-Sic薄膜转移到硅基衬底上形成硅基4H-SiC晶圆级异质集成衬底。该方法通过剥离和转移技术将材料的制备工艺温度降到了1200℃以下,实现单晶4H-SiC薄膜的制备以及硅基衬底的集成。制备4H-Sic/Si02/S结构的绝缘体上碳化硅(Sic-on-nsulator, SicOl)衬底将为研发高性能SiC射频、传感器件及光电子器件提供材料平台。
一种带隙可调的BN(Al)薄膜材料及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明公开了一种带隙可调的BN(Al)薄膜材料的制备方法,本发明通过Al掺杂的方法实现对六方BN带隙更自由的调控,增加其紫外光的吸收范围,其制备方法通过选择富硼的氮化硼靶材,在溅射过程中对衬底施加高偏压诱导出大量的N空位缺陷,同时通过共溅射使Al原子进入薄膜中N空位缺陷处,实现带隙可在较宽范围内调控的新型BN(Al)薄膜半导体材料。本发明中BN(Al)薄膜半导体材料采用射频共溅射法获得,工艺简单且效率高,可用于波长可调的发光器件,近紫外光吸收材料或光探测器件。
负泊松比钙钛矿型薄膜材料及其制备方法
成熟度:通过小试
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应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种负泊松比钙钛矿型薄膜材料及其制备方法。该钙钛矿型薄膜材料的化学成分为BaTiO3,具有钙钛矿型ABO3的结构。经实验表明,这种钙钛矿型薄膜材料的泊松比为负数,是一种具有负泊松比特性的材料。
几种薄膜材料的应用基础研究
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:科学研究和技术服务业
技术简介
在薄膜材料方面,中国科学院物理研究所用直流磁控溅射和原位热处理法制得的钇钡铜氧和轧钡铜氧外延超导薄膜,电子衍射图表明薄膜是C-轴取向,而且单晶性强,其零电阻临界温度T,C≥92K,临界电流密度J,C达到3.8×10'6安/厘米'2。薄膜的质量和工艺重复性达到了国际先进水平。在薄膜器件方法,中国科学院物理研究所研制成功地高温超导微波通滤波器和轧钡铜氧薄膜红外探测器,其性能分别达到和接近国际先进水平;山东大学在国内首次用金属有机化合物气相沉积技术研制成功微波HBT器件和DBRTD器件;中国科学院电子学研究所研制成功检测葡萄糖和尿素的两种酶生物传感器、固态pH值传感器,后者获1991年中国科学院技术进步三等奖。
应用电子自旋共振(ESR)技术研究非晶半导体薄膜材料微观结构
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
把ESR技术应用于研究ESR信号很弱的各种非晶态半导体薄膜材料的微观电子结构分析,解决了测量和制样中的关键技术,首次建立了“ESR数据处理”的计算机软件和定量用的“标样”;系统研究了各种非晶半导体薄膜材料的杂质、缺陷、电子态和微观结构特性、超晶格膜的界面特性,并研究了非晶硅太阳电池的异质结构特性,获得大量实验数据,博得国外同行的好评。
一种介电滤波薄膜材料及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种介电滤波薄膜材料及其制备方法,该材料是在K9玻璃或硅片衬底上用磁控溅射技术,在高纯氩气氛中逐次生长出具有七层结构的薄膜材料,其中第一、三、五、七层为SiO2膜或Si膜,第二、四、六层为Si膜或SiO2膜,用该技术制备时膜厚控制精确,而且材料中间不存在空气间隙层,该材料结构稳定,而且容易控制,并具有在1210纳米至2230纳米的光波波长范围内得到光子禁带,在光通讯波长1.3微米和1.55微米处同时得到光的共振模式的功能,得到的共振峰的峰位精确地控制在光通讯波长1.29微米和1.55微米,与光通讯波长1.30微米和1.55微米的偏差分别为0.77%和0.00%。
一种水杨酸修饰的镍锌铁氧体填充的碳纳米管-聚苯乙烯吸波薄膜材料的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明提供一种水杨酸修饰的镍锌铁氧体填充的碳纳米管-聚苯乙烯复合吸波材料的制备方法。该方法采用聚乙烯醇氧化开口在线填充-水热法获得镍锌铁氧体填充的碳纳米管,经水杨酸修饰后提高其分散能力,再与聚苯乙烯采用溶液共混法制备出水杨酸修饰的镍锌铁氧体填充的碳纳米管-聚苯乙烯吸波薄膜材料。该复合材料既具有良好的导电性和电磁性能,在国防军事、民用电磁防护、微波屏蔽等领域具有重要的应用价值。
一种电镀液、IrO2/ZnO纳米复合结构薄膜材料及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明公开了一种电镀液、IrO2/ZnO纳米复合结构薄膜材料及其制备方法。所述电解液包括铱离子源、电解质和锌离子源,可用于制备高比表面积的贵金属氧化物掺杂的载ZnO复合纳米结构的IrO2/ZnO薄膜光催化材料。其对亚甲基蓝的光催化降解效率高,对甲基橙的光降解效果良好,脱色能力强。本发明的工艺简单、成本低、适合规模化生产。
基于二维层状薄膜材料p‑g‑n异质结光电子器件
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
基于二维层状薄膜材料p‑g‑n异质结光电子器件,所述的光伏探测器包括在基底上设有自下到上的结构衬底绝缘层,所述绝缘层包括二氧化硅、PMMA等柔性绝缘衬底;p‑型二维层状薄膜材料薄膜层,所述p‑型二维层状薄膜材料薄膜层叠放在一个确定层数的石墨烯上,n‑型二维层状薄膜材料薄膜叠放在上述石墨烯下,整个异质结器件层置于所述绝缘层上,石墨烯将两半导体层完全分隔开;所述顶栅绝缘层包括二氧化硅、三氧化二铝、二氧化铪等;顶栅金属电极层设置所述顶栅绝缘层上。所述的异质结探测器感器还包括基底,设置在所述绝缘层下面。
找到62项技术成果数据。
找技术 >硝基苯敏感荧光传感薄膜的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
一、发明创造简介 将丹磺酰和芘经柔性长臂共价结合到玻璃、石英表面,实现了对硝基苯的液相和气相传感,该薄膜对硝基苯等含硝基化合物敏感,传感性能优越,有可能在爆炸品、污染物检测等方面获得应用。 将丹磺酰和芘等多环芳烃氨基衍生化,再进一步与在玻璃、石英等基片表面单层组装的3-缩水甘油丙醚基三甲氧基硅烷的环氧基反应,从而化学键合到固体基质表面,形成单层组装的荧光传感薄膜材料。由于连接荧光物种与基质的连接臂为柔性疏水长臂,其在极性介质中,会由于疏水相互作用而发生压缩、团聚,形成一层不同于本体相和固体基质的连接臂薄层。而荧光物种则由于疏水性而被包覆于连接臂层。因此,在极性介质如水中的一些猝灭剂并不能全部接触到荧光物种而发生猝灭,只有那些弱极性且能和荧光物种发生特异吸附的猝灭剂才能有效地进入连接臂层,充分接触荧光物种而有效地猝灭荧光传感薄膜的荧光发射。本发明就是基于上述考虑而设计制备了相关传感薄膜材料。 二、创新点 首次制备了对硝苯类化合物异常敏感的以丹磺酰或芘为传感元素,经由柔性长臂连接的传感薄膜材料。 三、发明的应用价值和市场前景 本发明提供了一种对硝基苯等爆炸品或有机毒性化合物选择性检测的高灵敏的荧光传感薄膜的制备方法。 本发明的突出意义在于创制了一种新材料,该材料器件化后,可以利用现行仪器实现对上述物质的特异检测,此外,此类薄膜材料传感机理与已有传感材料完全不同,仪器化前景,应用前景看好。
晶圆级高纯碳化硅单晶薄膜制备技术及硅基异质集成
成熟度:通过中试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本项目将利用离子束剥离及村底转移的方法发展新型4H-SiC单晶薄膜材料。离子束剥离4H-Sic与转移S ic薄膜的物理本质是通过H等轻元素离子注入,在4H-SiC单晶衬底的特定深度处形成富含注入离子的气泡和孔洞,并形成剥离缺陷层。在加热过程中,注入气体的膨胀作用使表层薄膜从单晶衬底上分离。通过晶圆键合,将剥离的4H-Sic薄膜转移到硅基衬底上形成硅基4H-SiC晶圆级异质集成衬底。该方法通过剥离和转移技术将材料的制备工艺温度降到了1200℃以下,实现单晶4H-SiC薄膜的制备以及硅基衬底的集成。制备4H-Sic/Si02/S结构的绝缘体上碳化硅(Sic-on-nsulator, SicOl)衬底将为研发高性能SiC射频、传感器件及光电子器件提供材料平台。
一种带隙可调的BN(Al)薄膜材料及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明公开了一种带隙可调的BN(Al)薄膜材料的制备方法,本发明通过Al掺杂的方法实现对六方BN带隙更自由的调控,增加其紫外光的吸收范围,其制备方法通过选择富硼的氮化硼靶材,在溅射过程中对衬底施加高偏压诱导出大量的N空位缺陷,同时通过共溅射使Al原子进入薄膜中N空位缺陷处,实现带隙可在较宽范围内调控的新型BN(Al)薄膜半导体材料。本发明中BN(Al)薄膜半导体材料采用射频共溅射法获得,工艺简单且效率高,可用于波长可调的发光器件,近紫外光吸收材料或光探测器件。
负泊松比钙钛矿型薄膜材料及其制备方法
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种负泊松比钙钛矿型薄膜材料及其制备方法。该钙钛矿型薄膜材料的化学成分为BaTiO3,具有钙钛矿型ABO3的结构。经实验表明,这种钙钛矿型薄膜材料的泊松比为负数,是一种具有负泊松比特性的材料。
几种薄膜材料的应用基础研究
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:科学研究和技术服务业
技术简介
在薄膜材料方面,中国科学院物理研究所用直流磁控溅射和原位热处理法制得的钇钡铜氧和轧钡铜氧外延超导薄膜,电子衍射图表明薄膜是C-轴取向,而且单晶性强,其零电阻临界温度T,C≥92K,临界电流密度J,C达到3.8×10'6安/厘米'2。薄膜的质量和工艺重复性达到了国际先进水平。在薄膜器件方法,中国科学院物理研究所研制成功地高温超导微波通滤波器和轧钡铜氧薄膜红外探测器,其性能分别达到和接近国际先进水平;山东大学在国内首次用金属有机化合物气相沉积技术研制成功微波HBT器件和DBRTD器件;中国科学院电子学研究所研制成功检测葡萄糖和尿素的两种酶生物传感器、固态pH值传感器,后者获1991年中国科学院技术进步三等奖。
应用电子自旋共振(ESR)技术研究非晶半导体薄膜材料微观结构
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
把ESR技术应用于研究ESR信号很弱的各种非晶态半导体薄膜材料的微观电子结构分析,解决了测量和制样中的关键技术,首次建立了“ESR数据处理”的计算机软件和定量用的“标样”;系统研究了各种非晶半导体薄膜材料的杂质、缺陷、电子态和微观结构特性、超晶格膜的界面特性,并研究了非晶硅太阳电池的异质结构特性,获得大量实验数据,博得国外同行的好评。
一种介电滤波薄膜材料及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种介电滤波薄膜材料及其制备方法,该材料是在K9玻璃或硅片衬底上用磁控溅射技术,在高纯氩气氛中逐次生长出具有七层结构的薄膜材料,其中第一、三、五、七层为SiO2膜或Si膜,第二、四、六层为Si膜或SiO2膜,用该技术制备时膜厚控制精确,而且材料中间不存在空气间隙层,该材料结构稳定,而且容易控制,并具有在1210纳米至2230纳米的光波波长范围内得到光子禁带,在光通讯波长1.3微米和1.55微米处同时得到光的共振模式的功能,得到的共振峰的峰位精确地控制在光通讯波长1.29微米和1.55微米,与光通讯波长1.30微米和1.55微米的偏差分别为0.77%和0.00%。
一种水杨酸修饰的镍锌铁氧体填充的碳纳米管-聚苯乙烯吸波薄膜材料的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明提供一种水杨酸修饰的镍锌铁氧体填充的碳纳米管-聚苯乙烯复合吸波材料的制备方法。该方法采用聚乙烯醇氧化开口在线填充-水热法获得镍锌铁氧体填充的碳纳米管,经水杨酸修饰后提高其分散能力,再与聚苯乙烯采用溶液共混法制备出水杨酸修饰的镍锌铁氧体填充的碳纳米管-聚苯乙烯吸波薄膜材料。该复合材料既具有良好的导电性和电磁性能,在国防军事、民用电磁防护、微波屏蔽等领域具有重要的应用价值。
一种电镀液、IrO2/ZnO纳米复合结构薄膜材料及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明公开了一种电镀液、IrO2/ZnO纳米复合结构薄膜材料及其制备方法。所述电解液包括铱离子源、电解质和锌离子源,可用于制备高比表面积的贵金属氧化物掺杂的载ZnO复合纳米结构的IrO2/ZnO薄膜光催化材料。其对亚甲基蓝的光催化降解效率高,对甲基橙的光降解效果良好,脱色能力强。本发明的工艺简单、成本低、适合规模化生产。
基于二维层状薄膜材料p‑g‑n异质结光电子器件
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
基于二维层状薄膜材料p‑g‑n异质结光电子器件,所述的光伏探测器包括在基底上设有自下到上的结构衬底绝缘层,所述绝缘层包括二氧化硅、PMMA等柔性绝缘衬底;p‑型二维层状薄膜材料薄膜层,所述p‑型二维层状薄膜材料薄膜层叠放在一个确定层数的石墨烯上,n‑型二维层状薄膜材料薄膜叠放在上述石墨烯下,整个异质结器件层置于所述绝缘层上,石墨烯将两半导体层完全分隔开;所述顶栅绝缘层包括二氧化硅、三氧化二铝、二氧化铪等;顶栅金属电极层设置所述顶栅绝缘层上。所述的异质结探测器感器还包括基底,设置在所述绝缘层下面。
找到62项技术成果数据。
找技术 >硝基苯敏感荧光传感薄膜的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
一、发明创造简介 将丹磺酰和芘经柔性长臂共价结合到玻璃、石英表面,实现了对硝基苯的液相和气相传感,该薄膜对硝基苯等含硝基化合物敏感,传感性能优越,有可能在爆炸品、污染物检测等方面获得应用。 将丹磺酰和芘等多环芳烃氨基衍生化,再进一步与在玻璃、石英等基片表面单层组装的3-缩水甘油丙醚基三甲氧基硅烷的环氧基反应,从而化学键合到固体基质表面,形成单层组装的荧光传感薄膜材料。由于连接荧光物种与基质的连接臂为柔性疏水长臂,其在极性介质中,会由于疏水相互作用而发生压缩、团聚,形成一层不同于本体相和固体基质的连接臂薄层。而荧光物种则由于疏水性而被包覆于连接臂层。因此,在极性介质如水中的一些猝灭剂并不能全部接触到荧光物种而发生猝灭,只有那些弱极性且能和荧光物种发生特异吸附的猝灭剂才能有效地进入连接臂层,充分接触荧光物种而有效地猝灭荧光传感薄膜的荧光发射。本发明就是基于上述考虑而设计制备了相关传感薄膜材料。 二、创新点 首次制备了对硝苯类化合物异常敏感的以丹磺酰或芘为传感元素,经由柔性长臂连接的传感薄膜材料。 三、发明的应用价值和市场前景 本发明提供了一种对硝基苯等爆炸品或有机毒性化合物选择性检测的高灵敏的荧光传感薄膜的制备方法。 本发明的突出意义在于创制了一种新材料,该材料器件化后,可以利用现行仪器实现对上述物质的特异检测,此外,此类薄膜材料传感机理与已有传感材料完全不同,仪器化前景,应用前景看好。
晶圆级高纯碳化硅单晶薄膜制备技术及硅基异质集成
成熟度:通过中试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本项目将利用离子束剥离及村底转移的方法发展新型4H-SiC单晶薄膜材料。离子束剥离4H-Sic与转移S ic薄膜的物理本质是通过H等轻元素离子注入,在4H-SiC单晶衬底的特定深度处形成富含注入离子的气泡和孔洞,并形成剥离缺陷层。在加热过程中,注入气体的膨胀作用使表层薄膜从单晶衬底上分离。通过晶圆键合,将剥离的4H-Sic薄膜转移到硅基衬底上形成硅基4H-SiC晶圆级异质集成衬底。该方法通过剥离和转移技术将材料的制备工艺温度降到了1200℃以下,实现单晶4H-SiC薄膜的制备以及硅基衬底的集成。制备4H-Sic/Si02/S结构的绝缘体上碳化硅(Sic-on-nsulator, SicOl)衬底将为研发高性能SiC射频、传感器件及光电子器件提供材料平台。
一种带隙可调的BN(Al)薄膜材料及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明公开了一种带隙可调的BN(Al)薄膜材料的制备方法,本发明通过Al掺杂的方法实现对六方BN带隙更自由的调控,增加其紫外光的吸收范围,其制备方法通过选择富硼的氮化硼靶材,在溅射过程中对衬底施加高偏压诱导出大量的N空位缺陷,同时通过共溅射使Al原子进入薄膜中N空位缺陷处,实现带隙可在较宽范围内调控的新型BN(Al)薄膜半导体材料。本发明中BN(Al)薄膜半导体材料采用射频共溅射法获得,工艺简单且效率高,可用于波长可调的发光器件,近紫外光吸收材料或光探测器件。
负泊松比钙钛矿型薄膜材料及其制备方法
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种负泊松比钙钛矿型薄膜材料及其制备方法。该钙钛矿型薄膜材料的化学成分为BaTiO3,具有钙钛矿型ABO3的结构。经实验表明,这种钙钛矿型薄膜材料的泊松比为负数,是一种具有负泊松比特性的材料。
几种薄膜材料的应用基础研究
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:科学研究和技术服务业
技术简介
在薄膜材料方面,中国科学院物理研究所用直流磁控溅射和原位热处理法制得的钇钡铜氧和轧钡铜氧外延超导薄膜,电子衍射图表明薄膜是C-轴取向,而且单晶性强,其零电阻临界温度T,C≥92K,临界电流密度J,C达到3.8×10'6安/厘米'2。薄膜的质量和工艺重复性达到了国际先进水平。在薄膜器件方法,中国科学院物理研究所研制成功地高温超导微波通滤波器和轧钡铜氧薄膜红外探测器,其性能分别达到和接近国际先进水平;山东大学在国内首次用金属有机化合物气相沉积技术研制成功微波HBT器件和DBRTD器件;中国科学院电子学研究所研制成功检测葡萄糖和尿素的两种酶生物传感器、固态pH值传感器,后者获1991年中国科学院技术进步三等奖。
应用电子自旋共振(ESR)技术研究非晶半导体薄膜材料微观结构
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
把ESR技术应用于研究ESR信号很弱的各种非晶态半导体薄膜材料的微观电子结构分析,解决了测量和制样中的关键技术,首次建立了“ESR数据处理”的计算机软件和定量用的“标样”;系统研究了各种非晶半导体薄膜材料的杂质、缺陷、电子态和微观结构特性、超晶格膜的界面特性,并研究了非晶硅太阳电池的异质结构特性,获得大量实验数据,博得国外同行的好评。
一种介电滤波薄膜材料及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种介电滤波薄膜材料及其制备方法,该材料是在K9玻璃或硅片衬底上用磁控溅射技术,在高纯氩气氛中逐次生长出具有七层结构的薄膜材料,其中第一、三、五、七层为SiO2膜或Si膜,第二、四、六层为Si膜或SiO2膜,用该技术制备时膜厚控制精确,而且材料中间不存在空气间隙层,该材料结构稳定,而且容易控制,并具有在1210纳米至2230纳米的光波波长范围内得到光子禁带,在光通讯波长1.3微米和1.55微米处同时得到光的共振模式的功能,得到的共振峰的峰位精确地控制在光通讯波长1.29微米和1.55微米,与光通讯波长1.30微米和1.55微米的偏差分别为0.77%和0.00%。
一种水杨酸修饰的镍锌铁氧体填充的碳纳米管-聚苯乙烯吸波薄膜材料的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明提供一种水杨酸修饰的镍锌铁氧体填充的碳纳米管-聚苯乙烯复合吸波材料的制备方法。该方法采用聚乙烯醇氧化开口在线填充-水热法获得镍锌铁氧体填充的碳纳米管,经水杨酸修饰后提高其分散能力,再与聚苯乙烯采用溶液共混法制备出水杨酸修饰的镍锌铁氧体填充的碳纳米管-聚苯乙烯吸波薄膜材料。该复合材料既具有良好的导电性和电磁性能,在国防军事、民用电磁防护、微波屏蔽等领域具有重要的应用价值。
一种电镀液、IrO2/ZnO纳米复合结构薄膜材料及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明公开了一种电镀液、IrO2/ZnO纳米复合结构薄膜材料及其制备方法。所述电解液包括铱离子源、电解质和锌离子源,可用于制备高比表面积的贵金属氧化物掺杂的载ZnO复合纳米结构的IrO2/ZnO薄膜光催化材料。其对亚甲基蓝的光催化降解效率高,对甲基橙的光降解效果良好,脱色能力强。本发明的工艺简单、成本低、适合规模化生产。
基于二维层状薄膜材料p‑g‑n异质结光电子器件
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
基于二维层状薄膜材料p‑g‑n异质结光电子器件,所述的光伏探测器包括在基底上设有自下到上的结构衬底绝缘层,所述绝缘层包括二氧化硅、PMMA等柔性绝缘衬底;p‑型二维层状薄膜材料薄膜层,所述p‑型二维层状薄膜材料薄膜层叠放在一个确定层数的石墨烯上,n‑型二维层状薄膜材料薄膜叠放在上述石墨烯下,整个异质结器件层置于所述绝缘层上,石墨烯将两半导体层完全分隔开;所述顶栅绝缘层包括二氧化硅、三氧化二铝、二氧化铪等;顶栅金属电极层设置所述顶栅绝缘层上。所述的异质结探测器感器还包括基底,设置在所述绝缘层下面。
找到62项技术成果数据。
找技术 >硝基苯敏感荧光传感薄膜的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
一、发明创造简介 将丹磺酰和芘经柔性长臂共价结合到玻璃、石英表面,实现了对硝基苯的液相和气相传感,该薄膜对硝基苯等含硝基化合物敏感,传感性能优越,有可能在爆炸品、污染物检测等方面获得应用。 将丹磺酰和芘等多环芳烃氨基衍生化,再进一步与在玻璃、石英等基片表面单层组装的3-缩水甘油丙醚基三甲氧基硅烷的环氧基反应,从而化学键合到固体基质表面,形成单层组装的荧光传感薄膜材料。由于连接荧光物种与基质的连接臂为柔性疏水长臂,其在极性介质中,会由于疏水相互作用而发生压缩、团聚,形成一层不同于本体相和固体基质的连接臂薄层。而荧光物种则由于疏水性而被包覆于连接臂层。因此,在极性介质如水中的一些猝灭剂并不能全部接触到荧光物种而发生猝灭,只有那些弱极性且能和荧光物种发生特异吸附的猝灭剂才能有效地进入连接臂层,充分接触荧光物种而有效地猝灭荧光传感薄膜的荧光发射。本发明就是基于上述考虑而设计制备了相关传感薄膜材料。 二、创新点 首次制备了对硝苯类化合物异常敏感的以丹磺酰或芘为传感元素,经由柔性长臂连接的传感薄膜材料。 三、发明的应用价值和市场前景 本发明提供了一种对硝基苯等爆炸品或有机毒性化合物选择性检测的高灵敏的荧光传感薄膜的制备方法。 本发明的突出意义在于创制了一种新材料,该材料器件化后,可以利用现行仪器实现对上述物质的特异检测,此外,此类薄膜材料传感机理与已有传感材料完全不同,仪器化前景,应用前景看好。
晶圆级高纯碳化硅单晶薄膜制备技术及硅基异质集成
成熟度:通过中试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本项目将利用离子束剥离及村底转移的方法发展新型4H-SiC单晶薄膜材料。离子束剥离4H-Sic与转移S ic薄膜的物理本质是通过H等轻元素离子注入,在4H-SiC单晶衬底的特定深度处形成富含注入离子的气泡和孔洞,并形成剥离缺陷层。在加热过程中,注入气体的膨胀作用使表层薄膜从单晶衬底上分离。通过晶圆键合,将剥离的4H-Sic薄膜转移到硅基衬底上形成硅基4H-SiC晶圆级异质集成衬底。该方法通过剥离和转移技术将材料的制备工艺温度降到了1200℃以下,实现单晶4H-SiC薄膜的制备以及硅基衬底的集成。制备4H-Sic/Si02/S结构的绝缘体上碳化硅(Sic-on-nsulator, SicOl)衬底将为研发高性能SiC射频、传感器件及光电子器件提供材料平台。
一种带隙可调的BN(Al)薄膜材料及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明公开了一种带隙可调的BN(Al)薄膜材料的制备方法,本发明通过Al掺杂的方法实现对六方BN带隙更自由的调控,增加其紫外光的吸收范围,其制备方法通过选择富硼的氮化硼靶材,在溅射过程中对衬底施加高偏压诱导出大量的N空位缺陷,同时通过共溅射使Al原子进入薄膜中N空位缺陷处,实现带隙可在较宽范围内调控的新型BN(Al)薄膜半导体材料。本发明中BN(Al)薄膜半导体材料采用射频共溅射法获得,工艺简单且效率高,可用于波长可调的发光器件,近紫外光吸收材料或光探测器件。
负泊松比钙钛矿型薄膜材料及其制备方法
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种负泊松比钙钛矿型薄膜材料及其制备方法。该钙钛矿型薄膜材料的化学成分为BaTiO3,具有钙钛矿型ABO3的结构。经实验表明,这种钙钛矿型薄膜材料的泊松比为负数,是一种具有负泊松比特性的材料。
几种薄膜材料的应用基础研究
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:科学研究和技术服务业
技术简介
在薄膜材料方面,中国科学院物理研究所用直流磁控溅射和原位热处理法制得的钇钡铜氧和轧钡铜氧外延超导薄膜,电子衍射图表明薄膜是C-轴取向,而且单晶性强,其零电阻临界温度T,C≥92K,临界电流密度J,C达到3.8×10'6安/厘米'2。薄膜的质量和工艺重复性达到了国际先进水平。在薄膜器件方法,中国科学院物理研究所研制成功地高温超导微波通滤波器和轧钡铜氧薄膜红外探测器,其性能分别达到和接近国际先进水平;山东大学在国内首次用金属有机化合物气相沉积技术研制成功微波HBT器件和DBRTD器件;中国科学院电子学研究所研制成功检测葡萄糖和尿素的两种酶生物传感器、固态pH值传感器,后者获1991年中国科学院技术进步三等奖。
应用电子自旋共振(ESR)技术研究非晶半导体薄膜材料微观结构
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
把ESR技术应用于研究ESR信号很弱的各种非晶态半导体薄膜材料的微观电子结构分析,解决了测量和制样中的关键技术,首次建立了“ESR数据处理”的计算机软件和定量用的“标样”;系统研究了各种非晶半导体薄膜材料的杂质、缺陷、电子态和微观结构特性、超晶格膜的界面特性,并研究了非晶硅太阳电池的异质结构特性,获得大量实验数据,博得国外同行的好评。
一种介电滤波薄膜材料及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种介电滤波薄膜材料及其制备方法,该材料是在K9玻璃或硅片衬底上用磁控溅射技术,在高纯氩气氛中逐次生长出具有七层结构的薄膜材料,其中第一、三、五、七层为SiO2膜或Si膜,第二、四、六层为Si膜或SiO2膜,用该技术制备时膜厚控制精确,而且材料中间不存在空气间隙层,该材料结构稳定,而且容易控制,并具有在1210纳米至2230纳米的光波波长范围内得到光子禁带,在光通讯波长1.3微米和1.55微米处同时得到光的共振模式的功能,得到的共振峰的峰位精确地控制在光通讯波长1.29微米和1.55微米,与光通讯波长1.30微米和1.55微米的偏差分别为0.77%和0.00%。
一种水杨酸修饰的镍锌铁氧体填充的碳纳米管-聚苯乙烯吸波薄膜材料的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明提供一种水杨酸修饰的镍锌铁氧体填充的碳纳米管-聚苯乙烯复合吸波材料的制备方法。该方法采用聚乙烯醇氧化开口在线填充-水热法获得镍锌铁氧体填充的碳纳米管,经水杨酸修饰后提高其分散能力,再与聚苯乙烯采用溶液共混法制备出水杨酸修饰的镍锌铁氧体填充的碳纳米管-聚苯乙烯吸波薄膜材料。该复合材料既具有良好的导电性和电磁性能,在国防军事、民用电磁防护、微波屏蔽等领域具有重要的应用价值。
一种电镀液、IrO2/ZnO纳米复合结构薄膜材料及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明公开了一种电镀液、IrO2/ZnO纳米复合结构薄膜材料及其制备方法。所述电解液包括铱离子源、电解质和锌离子源,可用于制备高比表面积的贵金属氧化物掺杂的载ZnO复合纳米结构的IrO2/ZnO薄膜光催化材料。其对亚甲基蓝的光催化降解效率高,对甲基橙的光降解效果良好,脱色能力强。本发明的工艺简单、成本低、适合规模化生产。
基于二维层状薄膜材料p‑g‑n异质结光电子器件
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
基于二维层状薄膜材料p‑g‑n异质结光电子器件,所述的光伏探测器包括在基底上设有自下到上的结构衬底绝缘层,所述绝缘层包括二氧化硅、PMMA等柔性绝缘衬底;p‑型二维层状薄膜材料薄膜层,所述p‑型二维层状薄膜材料薄膜层叠放在一个确定层数的石墨烯上,n‑型二维层状薄膜材料薄膜叠放在上述石墨烯下,整个异质结器件层置于所述绝缘层上,石墨烯将两半导体层完全分隔开;所述顶栅绝缘层包括二氧化硅、三氧化二铝、二氧化铪等;顶栅金属电极层设置所述顶栅绝缘层上。所述的异质结探测器感器还包括基底,设置在所述绝缘层下面。
找到62项技术成果数据。
找技术 >硝基苯敏感荧光传感薄膜的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
一、发明创造简介 将丹磺酰和芘经柔性长臂共价结合到玻璃、石英表面,实现了对硝基苯的液相和气相传感,该薄膜对硝基苯等含硝基化合物敏感,传感性能优越,有可能在爆炸品、污染物检测等方面获得应用。 将丹磺酰和芘等多环芳烃氨基衍生化,再进一步与在玻璃、石英等基片表面单层组装的3-缩水甘油丙醚基三甲氧基硅烷的环氧基反应,从而化学键合到固体基质表面,形成单层组装的荧光传感薄膜材料。由于连接荧光物种与基质的连接臂为柔性疏水长臂,其在极性介质中,会由于疏水相互作用而发生压缩、团聚,形成一层不同于本体相和固体基质的连接臂薄层。而荧光物种则由于疏水性而被包覆于连接臂层。因此,在极性介质如水中的一些猝灭剂并不能全部接触到荧光物种而发生猝灭,只有那些弱极性且能和荧光物种发生特异吸附的猝灭剂才能有效地进入连接臂层,充分接触荧光物种而有效地猝灭荧光传感薄膜的荧光发射。本发明就是基于上述考虑而设计制备了相关传感薄膜材料。 二、创新点 首次制备了对硝苯类化合物异常敏感的以丹磺酰或芘为传感元素,经由柔性长臂连接的传感薄膜材料。 三、发明的应用价值和市场前景 本发明提供了一种对硝基苯等爆炸品或有机毒性化合物选择性检测的高灵敏的荧光传感薄膜的制备方法。 本发明的突出意义在于创制了一种新材料,该材料器件化后,可以利用现行仪器实现对上述物质的特异检测,此外,此类薄膜材料传感机理与已有传感材料完全不同,仪器化前景,应用前景看好。
晶圆级高纯碳化硅单晶薄膜制备技术及硅基异质集成
成熟度:通过中试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本项目将利用离子束剥离及村底转移的方法发展新型4H-SiC单晶薄膜材料。离子束剥离4H-Sic与转移S ic薄膜的物理本质是通过H等轻元素离子注入,在4H-SiC单晶衬底的特定深度处形成富含注入离子的气泡和孔洞,并形成剥离缺陷层。在加热过程中,注入气体的膨胀作用使表层薄膜从单晶衬底上分离。通过晶圆键合,将剥离的4H-Sic薄膜转移到硅基衬底上形成硅基4H-SiC晶圆级异质集成衬底。该方法通过剥离和转移技术将材料的制备工艺温度降到了1200℃以下,实现单晶4H-SiC薄膜的制备以及硅基衬底的集成。制备4H-Sic/Si02/S结构的绝缘体上碳化硅(Sic-on-nsulator, SicOl)衬底将为研发高性能SiC射频、传感器件及光电子器件提供材料平台。
一种带隙可调的BN(Al)薄膜材料及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明公开了一种带隙可调的BN(Al)薄膜材料的制备方法,本发明通过Al掺杂的方法实现对六方BN带隙更自由的调控,增加其紫外光的吸收范围,其制备方法通过选择富硼的氮化硼靶材,在溅射过程中对衬底施加高偏压诱导出大量的N空位缺陷,同时通过共溅射使Al原子进入薄膜中N空位缺陷处,实现带隙可在较宽范围内调控的新型BN(Al)薄膜半导体材料。本发明中BN(Al)薄膜半导体材料采用射频共溅射法获得,工艺简单且效率高,可用于波长可调的发光器件,近紫外光吸收材料或光探测器件。
负泊松比钙钛矿型薄膜材料及其制备方法
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种负泊松比钙钛矿型薄膜材料及其制备方法。该钙钛矿型薄膜材料的化学成分为BaTiO3,具有钙钛矿型ABO3的结构。经实验表明,这种钙钛矿型薄膜材料的泊松比为负数,是一种具有负泊松比特性的材料。
几种薄膜材料的应用基础研究
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:科学研究和技术服务业
技术简介
在薄膜材料方面,中国科学院物理研究所用直流磁控溅射和原位热处理法制得的钇钡铜氧和轧钡铜氧外延超导薄膜,电子衍射图表明薄膜是C-轴取向,而且单晶性强,其零电阻临界温度T,C≥92K,临界电流密度J,C达到3.8×10'6安/厘米'2。薄膜的质量和工艺重复性达到了国际先进水平。在薄膜器件方法,中国科学院物理研究所研制成功地高温超导微波通滤波器和轧钡铜氧薄膜红外探测器,其性能分别达到和接近国际先进水平;山东大学在国内首次用金属有机化合物气相沉积技术研制成功微波HBT器件和DBRTD器件;中国科学院电子学研究所研制成功检测葡萄糖和尿素的两种酶生物传感器、固态pH值传感器,后者获1991年中国科学院技术进步三等奖。
应用电子自旋共振(ESR)技术研究非晶半导体薄膜材料微观结构
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
把ESR技术应用于研究ESR信号很弱的各种非晶态半导体薄膜材料的微观电子结构分析,解决了测量和制样中的关键技术,首次建立了“ESR数据处理”的计算机软件和定量用的“标样”;系统研究了各种非晶半导体薄膜材料的杂质、缺陷、电子态和微观结构特性、超晶格膜的界面特性,并研究了非晶硅太阳电池的异质结构特性,获得大量实验数据,博得国外同行的好评。
一种介电滤波薄膜材料及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种介电滤波薄膜材料及其制备方法,该材料是在K9玻璃或硅片衬底上用磁控溅射技术,在高纯氩气氛中逐次生长出具有七层结构的薄膜材料,其中第一、三、五、七层为SiO2膜或Si膜,第二、四、六层为Si膜或SiO2膜,用该技术制备时膜厚控制精确,而且材料中间不存在空气间隙层,该材料结构稳定,而且容易控制,并具有在1210纳米至2230纳米的光波波长范围内得到光子禁带,在光通讯波长1.3微米和1.55微米处同时得到光的共振模式的功能,得到的共振峰的峰位精确地控制在光通讯波长1.29微米和1.55微米,与光通讯波长1.30微米和1.55微米的偏差分别为0.77%和0.00%。
一种水杨酸修饰的镍锌铁氧体填充的碳纳米管-聚苯乙烯吸波薄膜材料的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明提供一种水杨酸修饰的镍锌铁氧体填充的碳纳米管-聚苯乙烯复合吸波材料的制备方法。该方法采用聚乙烯醇氧化开口在线填充-水热法获得镍锌铁氧体填充的碳纳米管,经水杨酸修饰后提高其分散能力,再与聚苯乙烯采用溶液共混法制备出水杨酸修饰的镍锌铁氧体填充的碳纳米管-聚苯乙烯吸波薄膜材料。该复合材料既具有良好的导电性和电磁性能,在国防军事、民用电磁防护、微波屏蔽等领域具有重要的应用价值。
一种电镀液、IrO2/ZnO纳米复合结构薄膜材料及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明公开了一种电镀液、IrO2/ZnO纳米复合结构薄膜材料及其制备方法。所述电解液包括铱离子源、电解质和锌离子源,可用于制备高比表面积的贵金属氧化物掺杂的载ZnO复合纳米结构的IrO2/ZnO薄膜光催化材料。其对亚甲基蓝的光催化降解效率高,对甲基橙的光降解效果良好,脱色能力强。本发明的工艺简单、成本低、适合规模化生产。
基于二维层状薄膜材料p‑g‑n异质结光电子器件
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
基于二维层状薄膜材料p‑g‑n异质结光电子器件,所述的光伏探测器包括在基底上设有自下到上的结构衬底绝缘层,所述绝缘层包括二氧化硅、PMMA等柔性绝缘衬底;p‑型二维层状薄膜材料薄膜层,所述p‑型二维层状薄膜材料薄膜层叠放在一个确定层数的石墨烯上,n‑型二维层状薄膜材料薄膜叠放在上述石墨烯下,整个异质结器件层置于所述绝缘层上,石墨烯将两半导体层完全分隔开;所述顶栅绝缘层包括二氧化硅、三氧化二铝、二氧化铪等;顶栅金属电极层设置所述顶栅绝缘层上。所述的异质结探测器感器还包括基底,设置在所述绝缘层下面。
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找技术 >硝基苯敏感荧光传感薄膜的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
一、发明创造简介 将丹磺酰和芘经柔性长臂共价结合到玻璃、石英表面,实现了对硝基苯的液相和气相传感,该薄膜对硝基苯等含硝基化合物敏感,传感性能优越,有可能在爆炸品、污染物检测等方面获得应用。 将丹磺酰和芘等多环芳烃氨基衍生化,再进一步与在玻璃、石英等基片表面单层组装的3-缩水甘油丙醚基三甲氧基硅烷的环氧基反应,从而化学键合到固体基质表面,形成单层组装的荧光传感薄膜材料。由于连接荧光物种与基质的连接臂为柔性疏水长臂,其在极性介质中,会由于疏水相互作用而发生压缩、团聚,形成一层不同于本体相和固体基质的连接臂薄层。而荧光物种则由于疏水性而被包覆于连接臂层。因此,在极性介质如水中的一些猝灭剂并不能全部接触到荧光物种而发生猝灭,只有那些弱极性且能和荧光物种发生特异吸附的猝灭剂才能有效地进入连接臂层,充分接触荧光物种而有效地猝灭荧光传感薄膜的荧光发射。本发明就是基于上述考虑而设计制备了相关传感薄膜材料。 二、创新点 首次制备了对硝苯类化合物异常敏感的以丹磺酰或芘为传感元素,经由柔性长臂连接的传感薄膜材料。 三、发明的应用价值和市场前景 本发明提供了一种对硝基苯等爆炸品或有机毒性化合物选择性检测的高灵敏的荧光传感薄膜的制备方法。 本发明的突出意义在于创制了一种新材料,该材料器件化后,可以利用现行仪器实现对上述物质的特异检测,此外,此类薄膜材料传感机理与已有传感材料完全不同,仪器化前景,应用前景看好。
晶圆级高纯碳化硅单晶薄膜制备技术及硅基异质集成
成熟度:通过中试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本项目将利用离子束剥离及村底转移的方法发展新型4H-SiC单晶薄膜材料。离子束剥离4H-Sic与转移S ic薄膜的物理本质是通过H等轻元素离子注入,在4H-SiC单晶衬底的特定深度处形成富含注入离子的气泡和孔洞,并形成剥离缺陷层。在加热过程中,注入气体的膨胀作用使表层薄膜从单晶衬底上分离。通过晶圆键合,将剥离的4H-Sic薄膜转移到硅基衬底上形成硅基4H-SiC晶圆级异质集成衬底。该方法通过剥离和转移技术将材料的制备工艺温度降到了1200℃以下,实现单晶4H-SiC薄膜的制备以及硅基衬底的集成。制备4H-Sic/Si02/S结构的绝缘体上碳化硅(Sic-on-nsulator, SicOl)衬底将为研发高性能SiC射频、传感器件及光电子器件提供材料平台。
一种带隙可调的BN(Al)薄膜材料及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明公开了一种带隙可调的BN(Al)薄膜材料的制备方法,本发明通过Al掺杂的方法实现对六方BN带隙更自由的调控,增加其紫外光的吸收范围,其制备方法通过选择富硼的氮化硼靶材,在溅射过程中对衬底施加高偏压诱导出大量的N空位缺陷,同时通过共溅射使Al原子进入薄膜中N空位缺陷处,实现带隙可在较宽范围内调控的新型BN(Al)薄膜半导体材料。本发明中BN(Al)薄膜半导体材料采用射频共溅射法获得,工艺简单且效率高,可用于波长可调的发光器件,近紫外光吸收材料或光探测器件。
负泊松比钙钛矿型薄膜材料及其制备方法
成熟度:通过小试
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本发明涉及一种负泊松比钙钛矿型薄膜材料及其制备方法。该钙钛矿型薄膜材料的化学成分为BaTiO3,具有钙钛矿型ABO3的结构。经实验表明,这种钙钛矿型薄膜材料的泊松比为负数,是一种具有负泊松比特性的材料。
几种薄膜材料的应用基础研究
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:科学研究和技术服务业
技术简介
在薄膜材料方面,中国科学院物理研究所用直流磁控溅射和原位热处理法制得的钇钡铜氧和轧钡铜氧外延超导薄膜,电子衍射图表明薄膜是C-轴取向,而且单晶性强,其零电阻临界温度T,C≥92K,临界电流密度J,C达到3.8×10'6安/厘米'2。薄膜的质量和工艺重复性达到了国际先进水平。在薄膜器件方法,中国科学院物理研究所研制成功地高温超导微波通滤波器和轧钡铜氧薄膜红外探测器,其性能分别达到和接近国际先进水平;山东大学在国内首次用金属有机化合物气相沉积技术研制成功微波HBT器件和DBRTD器件;中国科学院电子学研究所研制成功检测葡萄糖和尿素的两种酶生物传感器、固态pH值传感器,后者获1991年中国科学院技术进步三等奖。
应用电子自旋共振(ESR)技术研究非晶半导体薄膜材料微观结构
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
把ESR技术应用于研究ESR信号很弱的各种非晶态半导体薄膜材料的微观电子结构分析,解决了测量和制样中的关键技术,首次建立了“ESR数据处理”的计算机软件和定量用的“标样”;系统研究了各种非晶半导体薄膜材料的杂质、缺陷、电子态和微观结构特性、超晶格膜的界面特性,并研究了非晶硅太阳电池的异质结构特性,获得大量实验数据,博得国外同行的好评。
一种介电滤波薄膜材料及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
本发明公开了一种介电滤波薄膜材料及其制备方法,该材料是在K9玻璃或硅片衬底上用磁控溅射技术,在高纯氩气氛中逐次生长出具有七层结构的薄膜材料,其中第一、三、五、七层为SiO2膜或Si膜,第二、四、六层为Si膜或SiO2膜,用该技术制备时膜厚控制精确,而且材料中间不存在空气间隙层,该材料结构稳定,而且容易控制,并具有在1210纳米至2230纳米的光波波长范围内得到光子禁带,在光通讯波长1.3微米和1.55微米处同时得到光的共振模式的功能,得到的共振峰的峰位精确地控制在光通讯波长1.29微米和1.55微米,与光通讯波长1.30微米和1.55微米的偏差分别为0.77%和0.00%。
一种水杨酸修饰的镍锌铁氧体填充的碳纳米管-聚苯乙烯吸波薄膜材料的制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明提供一种水杨酸修饰的镍锌铁氧体填充的碳纳米管-聚苯乙烯复合吸波材料的制备方法。该方法采用聚乙烯醇氧化开口在线填充-水热法获得镍锌铁氧体填充的碳纳米管,经水杨酸修饰后提高其分散能力,再与聚苯乙烯采用溶液共混法制备出水杨酸修饰的镍锌铁氧体填充的碳纳米管-聚苯乙烯吸波薄膜材料。该复合材料既具有良好的导电性和电磁性能,在国防军事、民用电磁防护、微波屏蔽等领域具有重要的应用价值。
一种电镀液、IrO2/ZnO纳米复合结构薄膜材料及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明公开了一种电镀液、IrO2/ZnO纳米复合结构薄膜材料及其制备方法。所述电解液包括铱离子源、电解质和锌离子源,可用于制备高比表面积的贵金属氧化物掺杂的载ZnO复合纳米结构的IrO2/ZnO薄膜光催化材料。其对亚甲基蓝的光催化降解效率高,对甲基橙的光降解效果良好,脱色能力强。本发明的工艺简单、成本低、适合规模化生产。
基于二维层状薄膜材料p‑g‑n异质结光电子器件
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
基于二维层状薄膜材料p‑g‑n异质结光电子器件,所述的光伏探测器包括在基底上设有自下到上的结构衬底绝缘层,所述绝缘层包括二氧化硅、PMMA等柔性绝缘衬底;p‑型二维层状薄膜材料薄膜层,所述p‑型二维层状薄膜材料薄膜层叠放在一个确定层数的石墨烯上,n‑型二维层状薄膜材料薄膜叠放在上述石墨烯下,整个异质结器件层置于所述绝缘层上,石墨烯将两半导体层完全分隔开;所述顶栅绝缘层包括二氧化硅、三氧化二铝、二氧化铪等;顶栅金属电极层设置所述顶栅绝缘层上。所述的异质结探测器感器还包括基底,设置在所述绝缘层下面。