英飞凌前身为西门子集团的半导体部门,目前是全球领先的半导体公司之一。英飞凌在氮化镓和碳化硅材料的专利整体均呈现平稳的增长,2011年开始该两种材料领域的专利急速增长并在2015年达到顶峰,技术步入成熟期。
英飞凌专利布局区域主要集中在美、德、中、日。另外在欧洲亦有相当数量的申请。剩下的申请则在韩国和澳大利亚。其中,英飞凌在美国和德国的专利数量尤为领先。在中国的专利数量也相当可观,排在美、德之后。
01 专利布局
英飞凌技术分支专利布局情况,其技术分支主要为碳化硅单晶生长、碳化硅衬底加工、碳化硅外延生长、碳化硅器件工艺和碳化硅封装,氮化镓异质衬底、氮化镓同质衬底、氮化镓外延生长和氮化镓芯片封装。在全球范围,其在碳化硅器件工艺、氮化镓封装和氮化镓外延生长的申请量较高,分别为165件、101件和82件,在剩下几个领域的申请量则较低,皆在40件以下。在中国,其在氮化镓同质衬底、氮化镓封装和碳化硅器件工艺领域的申请量稍高,为70件、58件和46件,其余领域的申请量较低。
02 运用策略
一是高度重视专利布局时机的把握
专利布局时机节奏感强,根据产业发展速度提前进行阶段性集中布局。在2004年和2015年左右出现两个较为集中的布局高峰期,期间有近十年的时间处于布局低谷期,这说明英飞凌一般会在技术获得重大突破后进行专利布局,并会根据产业发展的速度进行调整。
二是高度重视目标市场专利布局
英飞凌专利布局的大本营是美国。通过分析可以发现,从各个技术分支的主要布局的国家或地区看,英飞凌在美国的专利布局数量都是最多的,一方面说明美国是极其重要的目标市场,另一方面也说明英飞凌市场导向的布局原则非常明显。
三是高度重视技术研发团队的布局引领作用
通过对英飞凌发明人团队的分析可以发现,碳化硅领域排名前十的发明人包揽了英飞凌几乎80%的发明专利,这说明研发团队的领导者对专利申请具有非常重要的贡献和引领作用,同时也说明英飞凌有较好的激励研发团队进行专利布局的激励和管理机制。
四是高度重视技术研发合作和技术成果流动
英飞凌和上游下游厂商合作都很密切。通过转让数据可以看出,英飞凌向外转让的专利数量大于从外部获得专利数量,说明英飞凌研发实力较强,能够对上下游厂商形成有效的技术支撑,同时也非常重视从外部引用专利,完善自身产品的专利布局。(来源:比特巴)