找到34项技术成果数据。
找技术 >一种用于触摸屏的光刻电子银胶组合物及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
一种用于触摸屏的光刻电子银胶组合物及其制备方法 本发明公开了一种用于触摸屏的光刻电子银胶组合物,它包括如下重量百分比的组分:乙烯基树脂粉末5~15%;混合溶剂10~30%;异冰片丙烯酸酯5~10% ;混合光引发剂5%;银粉45~75%。本发明还公开了上述光刻电子银胶组合物的制备方法和使用方法。本发明光刻电子银胶组合物的附着力1级;固化时间为10~25秒;漆膜的机械强度好,按照GB/T 17200标准进行测试,漆膜拉伸强度为50~80N;电阻变小,可达到5×10-5Ω。
一类用于双光子光刻的抗蚀剂及其应用
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明涉及一类用于双光子光刻的抗蚀剂及其应用,属于微纳加工技术领域,所述抗蚀剂包含组分A和组分B;按质量份数计,所述组分A包含笼型倍半硅氧烷化合物100份,双光子光敏剂0.1‑5份,光引发剂0.1‑5份,助剂1‑5份;所述组分B为基于所述组分A总质量的5‑95%的溶剂。该抗蚀剂具有非线性光学效应,优异的介电性及热稳定性,可耐350℃以上高温,可以通过HF溶液进行湿法刻蚀或CHF3、氧气等离子干法刻蚀;500℃以上高温烧结后转化为类二氧化硅结构CxSiOy,该类二氧化硅结构CxSiOy也可以通过HF溶液进行湿法刻蚀或CHF3、氧气等离子干法刻蚀。本发明中的抗蚀剂可很好地用于替代栅加工,满足围栅纳米线器件制备过程中,双光子加工技术和半导体工艺对于替代栅抗蚀剂的物化性能要求。
PVDF有机聚合物薄膜电容器的光刻制备方法
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
PVDF有机聚合物薄膜电容器器件的光刻制备方法,其特征在于步骤如下:在衬底上利用热蒸发设备低温沉积金属底电极后在底电极上溅射生长二氧化硅或氮化硅介电绝缘层;光刻腐蚀二氧化硅或氮化硅介电绝缘层,形成PVDF有机聚合物薄膜功能区开孔;制备PVDF有机聚合物薄膜;在PVDF有机聚合物薄膜上低温沉积金属上电极;光刻腐蚀金属上电极;氧等离子体刻蚀去除非功能区PVDF有机聚合物薄膜及残余光刻胶;在金属上电极上热蒸发低温沉积包裹电极;光刻腐蚀去除多余包裹电极,完成PVDF有机聚合物薄膜电容器器件的制备。该发明光刻制备方法提高了器件的稳定性和可靠性,使小面元、线列、面阵器件的制备及集成工艺成为可能。
激光诱导的跨尺度光刻方法
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
一种基于激光诱导跨尺度光刻方法,当准直的激光束聚焦到光刻材料时,通过调节激光能量及刻写速度从而改变相变热阈值效应及热扩散,得到从纳米尺度到微米尺度可变的多尺度结构,并且该结构一次形成。本发明简单实用,不需要复杂的操作,特别适用于制作具有不同线宽(从纳米尺度到微米尺度)的掩膜版。可替代半导体工业中的掩膜套刻曝光工艺,从而避免了多次套刻引起的图形误差。
大面积亚波长光学纳米结构的低成本快速微缩调整制备
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本项目的目标是以纳米压印光刻为基础,结合多种微纳加工工艺,提出一种新的工艺方法,达到避免使用直写工艺,针对性的解决对大面积光学纳米结构进行微缩调整时的成本难题,可对大面积亚波长光学纳米结构(例如AR增强现实衍射光栅)进行快速、低成本微缩调整和复形制备的目的。 本项目初期拟首先利用FDTD和RCWA方法对亚波长光学结构的方向特性和能量效率进行初步模拟仿真。同时,在初期搭建在大气环境下可大面积压印的紫外光软模纳米压印系统,并开发复合材料多层软模板,利用软模材料自身的重力,采取由中心点到边缘方案,实现大面积全尺寸无气泡的压印。项目中后期将基于以上的工艺开发,重点测试所设计的创新方法,对光学亚波长纳米结构(例如一维和二维衍射光栅)进行尺寸可调性研究, 并最终对已实现的参数进行优化和适配,将该尺寸微缩可调的工艺方法扩展至完整晶圆级大面积。 本项目的科技转化创新点在于,在不引入额外的复杂直写工艺的情况下,对已有的大面积纳米图形进行微调缩小和快速、低成本制备。可针对性的解决学术科研中的现实问题, 即在对大面积纳米结构做调整而引入直写工艺时所造成的巨大成本负担,从而将科研中的技术能力充分转化为工业产品。 首先将软模板固定于一机械圆环,待压印的基底固定于可抽气底座,二者以中心点对 准。利用自重,软模板的中心下垂,且整片软模板成弧形(a);基底底座以高速率上升, 基底的中心将首先与下垂的软模板中心接触(b);基底底座换以低速率上升,软模板与 基底的接触由中心点逐步向周边扩散(c);基底底座持续低速率上升,直至软模板与基 底实现完全接触,即完成压印过程(d);紫外光曝光;f)基底底座下降,完成软模板与 基底分离(e)。该压印方式,系统处于大气环境下,无需真空系统,可使用大尺寸的多 层复合软模板作为工作模板,支持大尺寸的基底(晶圆),实现全尺寸压印。压印以及基 底与软模板分离的过程可实现全自动化,从而获得最大程度的稳定性。 该项目拟引入中间模板的概念和步骤。该中间模板通过利用原母模板进行纳米压印可 简单快速实现。通过含有倾斜角度结构的中间模板进行分步压印,可将结构尺寸进行缩小 微调至目标模板的刻蚀掩模中,从而最终通过刻蚀实现结构的转移。 以分支1路为例,通过电子束光刻制备点阵结构的母模板,并沉积以FDTS单分子自 主装抗粘层(A);以母模板制备双层复合软模板(B);利用该软模板进行纳米压印(C); 通过优化低温刻蚀工艺制备锥形结构,作为中间模板(D);以锥形中间模板制备软模板 (E);利用锥形软模板进行纳米压印,将结构转移至光刻胶中(F);利用光刻胶的倾斜 角度,通过给予不同时间的刻蚀,可在刻蚀掩模中获得不同的结构尺寸(G-1/G-2/G-3); 最终利用该已调缩小尺寸的刻蚀掩模,最终通过可是获得目标微纳光学结构 (H-1/H-2/H-3),其尺寸获得了精确缩小调节 其他分支也可以同理进行实现。步骤三维结构俯视图剖面图步骤三维结构俯视图剖面图AG-10 •■ ■B□H-1i^^nnCo**G-20 0O 0DoH-2E■G-3♦BF■H-3♦i^^nn
一种仿壁虎脚微纳分级结构及其制造工艺
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明公开了一种用于仿壁虎脚微纳分级结构的制造工艺,包括:S1、使用LPCVD设备在洁净的硅片上热生长一层SiO2薄膜;S2、在有SiO2层的硅片表面旋涂光刻胶并进行光刻,制备出圆孔阵列图形;S3、使用缓冲氢氟酸溶液对暴露出的SiO2进行刻蚀,将光刻胶上的图形转移到SiO2层;S4、在样品表面镀一层Cu膜;S5、在丙酮或乙醇中进行超声,通过溶脱剥离工艺去除表面的光刻胶及光刻胶表面的Cu;S6、利用CVD-VLS生长工艺,以上述工艺制备的Cu为催化剂,以SiCl4为硅源,以H2为载气,生长Si微米线阵列;S7、在硅线表面镀一层Cu膜;S8、利用CVD-VLS生长工艺,以S7制备的Cu膜为催化剂,以SiCl4为硅源,以H2为载气,在Si微米线表面生长Si纳米线。本发明提供的微纳分级结构中Si微米线的表面分布有Si纳米线,即一种仿壁虎脚微纳分级结构,为干性黏附材料的设计与制造提供了一种解决方案。
柔性掩膜板
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
柔性掩膜板。 成果简介: 光学光刻技术已经在微电子制造领域得到了广泛的应用,光学光刻所采用的掩膜板通常是玻璃基板加上金属铬镀层构成的,由于玻璃基板硬度较大、缺乏柔性,因而光学光刻技术只能适用于平面基底的光刻加工,无法对曲面基底进行光刻加工,同时也不适宜于进行大面积基底的光刻加工。 针对上述问题,本技术研发了一种柔性掩膜板,包括柔性基板,柔性基板上方依次设有粘结层、金属图形结构层和柔性封装层;柔性基板采用透明性柔性材料制成;柔性基板的材质为聚碳酸酯或聚二甲基硅氧烷;粘结层的材质为环氧树脂胶粘剂;金属图形结构层的材质为铝或铜;柔性封装层的材质为聚二甲基硅氧烷。 本技术研发的柔性掩膜板能够对曲面基底进行光刻加工,而且其可以自然吸附到基底上实现紧密接触,不需要进行传统的抽真空处理,这使得本技术的柔性掩膜板适宜于进行大面积基底的光刻加工。 应用范围:本技术用于电子产品及其微纳米制造技术领域的光学光刻加工。 合作方式:技术转让、技术开发、技术服务。
蓝宝石衬底纳米孔制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明提供一种蓝宝石衬底纳米孔制备方法,包括以下步骤在蓝宝石衬底表面形成一层单晶薄膜;在所述单晶薄膜上旋涂一层光刻胶;通过光刻机对光刻胶进行曝光;对曝光后的光刻胶进行显影形成纳米孔图形;以形成有纳米孔图形的光刻胶为掩膜干法刻蚀所述单晶薄膜,将所述纳米孔图形转移到单晶薄膜上;去除光刻胶,以形成有所述纳米孔图形的单晶薄膜为掩膜,对所述蓝宝石衬底进行干法刻蚀,将所述纳米孔图形转移到所述蓝宝石衬底上;去除所述单晶薄膜。本发明提出的蓝宝石衬底纳米孔制备方法,通过激光干涉光刻配以干法刻蚀技术快速实现结构均匀、周期可控、占空比可控、低成本的纳米孔拼接块图形化蓝宝石衬底。
一种具有表面浮雕微结构金属滚筒的制作方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明公开了一种具有表面浮雕微结构金属滚筒的制作方法,包括下列步骤:(1)在金属滚筒上涂布光刻胶,在光刻胶上制作微结构掩膜,通过显影去除感光部分至露出金属表层;(2)将上述处理后的金属滚筒置于电铸溶液中,连接至电源阴极,进行金属电沉积,沉积厚度为150~500纳米;(3)从电铸溶液中取出金属滚筒,去除剩余的光刻胶即得到具有表面浮雕微结构的金属滚筒。本发明通过光刻与电铸的结合实现了具有表面浮雕结构的金属滚筒的制作,不需要进行平版卷绕拼接,不会产生拼缝,且可以获得高硬度的浮雕微结构,因而特别适用于高速连续滚动式模压复制;同时,金属光栅深度可以得到控制。
一种全息-离子束刻蚀制备光栅的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明公开了一种全息-离子束刻蚀制备光栅的方法,首先进行全息光刻,获得光刻胶光栅掩模,然后进行离子束刻蚀,最后去除残余的光刻胶,获得所需的光栅,其特征在于:所述离子束刻蚀为,先用氩离子束进行刻蚀1至3分钟,再用三氟甲烷反应离子束刻蚀至所需槽形深度。本发明在离子束刻蚀中,采用了两步法,首先进行氩离子束刻蚀,对光刻胶光栅掩模进行形貌修正,再采用三氟甲烷进行刻蚀,从而可以获得较小占宽比的光栅;通过对氩离子束刻蚀的时间控制,实现对光栅占宽比的控制,方法简便、易于实现,是控制刻蚀光栅占宽比的有效方法。
找到34项技术成果数据。
找技术 >一种用于触摸屏的光刻电子银胶组合物及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
一种用于触摸屏的光刻电子银胶组合物及其制备方法 本发明公开了一种用于触摸屏的光刻电子银胶组合物,它包括如下重量百分比的组分:乙烯基树脂粉末5~15%;混合溶剂10~30%;异冰片丙烯酸酯5~10% ;混合光引发剂5%;银粉45~75%。本发明还公开了上述光刻电子银胶组合物的制备方法和使用方法。本发明光刻电子银胶组合物的附着力1级;固化时间为10~25秒;漆膜的机械强度好,按照GB/T 17200标准进行测试,漆膜拉伸强度为50~80N;电阻变小,可达到5×10-5Ω。
一类用于双光子光刻的抗蚀剂及其应用
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明涉及一类用于双光子光刻的抗蚀剂及其应用,属于微纳加工技术领域,所述抗蚀剂包含组分A和组分B;按质量份数计,所述组分A包含笼型倍半硅氧烷化合物100份,双光子光敏剂0.1‑5份,光引发剂0.1‑5份,助剂1‑5份;所述组分B为基于所述组分A总质量的5‑95%的溶剂。该抗蚀剂具有非线性光学效应,优异的介电性及热稳定性,可耐350℃以上高温,可以通过HF溶液进行湿法刻蚀或CHF3、氧气等离子干法刻蚀;500℃以上高温烧结后转化为类二氧化硅结构CxSiOy,该类二氧化硅结构CxSiOy也可以通过HF溶液进行湿法刻蚀或CHF3、氧气等离子干法刻蚀。本发明中的抗蚀剂可很好地用于替代栅加工,满足围栅纳米线器件制备过程中,双光子加工技术和半导体工艺对于替代栅抗蚀剂的物化性能要求。
PVDF有机聚合物薄膜电容器的光刻制备方法
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
PVDF有机聚合物薄膜电容器器件的光刻制备方法,其特征在于步骤如下:在衬底上利用热蒸发设备低温沉积金属底电极后在底电极上溅射生长二氧化硅或氮化硅介电绝缘层;光刻腐蚀二氧化硅或氮化硅介电绝缘层,形成PVDF有机聚合物薄膜功能区开孔;制备PVDF有机聚合物薄膜;在PVDF有机聚合物薄膜上低温沉积金属上电极;光刻腐蚀金属上电极;氧等离子体刻蚀去除非功能区PVDF有机聚合物薄膜及残余光刻胶;在金属上电极上热蒸发低温沉积包裹电极;光刻腐蚀去除多余包裹电极,完成PVDF有机聚合物薄膜电容器器件的制备。该发明光刻制备方法提高了器件的稳定性和可靠性,使小面元、线列、面阵器件的制备及集成工艺成为可能。
激光诱导的跨尺度光刻方法
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
一种基于激光诱导跨尺度光刻方法,当准直的激光束聚焦到光刻材料时,通过调节激光能量及刻写速度从而改变相变热阈值效应及热扩散,得到从纳米尺度到微米尺度可变的多尺度结构,并且该结构一次形成。本发明简单实用,不需要复杂的操作,特别适用于制作具有不同线宽(从纳米尺度到微米尺度)的掩膜版。可替代半导体工业中的掩膜套刻曝光工艺,从而避免了多次套刻引起的图形误差。
大面积亚波长光学纳米结构的低成本快速微缩调整制备
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本项目的目标是以纳米压印光刻为基础,结合多种微纳加工工艺,提出一种新的工艺方法,达到避免使用直写工艺,针对性的解决对大面积光学纳米结构进行微缩调整时的成本难题,可对大面积亚波长光学纳米结构(例如AR增强现实衍射光栅)进行快速、低成本微缩调整和复形制备的目的。 本项目初期拟首先利用FDTD和RCWA方法对亚波长光学结构的方向特性和能量效率进行初步模拟仿真。同时,在初期搭建在大气环境下可大面积压印的紫外光软模纳米压印系统,并开发复合材料多层软模板,利用软模材料自身的重力,采取由中心点到边缘方案,实现大面积全尺寸无气泡的压印。项目中后期将基于以上的工艺开发,重点测试所设计的创新方法,对光学亚波长纳米结构(例如一维和二维衍射光栅)进行尺寸可调性研究, 并最终对已实现的参数进行优化和适配,将该尺寸微缩可调的工艺方法扩展至完整晶圆级大面积。 本项目的科技转化创新点在于,在不引入额外的复杂直写工艺的情况下,对已有的大面积纳米图形进行微调缩小和快速、低成本制备。可针对性的解决学术科研中的现实问题, 即在对大面积纳米结构做调整而引入直写工艺时所造成的巨大成本负担,从而将科研中的技术能力充分转化为工业产品。 首先将软模板固定于一机械圆环,待压印的基底固定于可抽气底座,二者以中心点对 准。利用自重,软模板的中心下垂,且整片软模板成弧形(a);基底底座以高速率上升, 基底的中心将首先与下垂的软模板中心接触(b);基底底座换以低速率上升,软模板与 基底的接触由中心点逐步向周边扩散(c);基底底座持续低速率上升,直至软模板与基 底实现完全接触,即完成压印过程(d);紫外光曝光;f)基底底座下降,完成软模板与 基底分离(e)。该压印方式,系统处于大气环境下,无需真空系统,可使用大尺寸的多 层复合软模板作为工作模板,支持大尺寸的基底(晶圆),实现全尺寸压印。压印以及基 底与软模板分离的过程可实现全自动化,从而获得最大程度的稳定性。 该项目拟引入中间模板的概念和步骤。该中间模板通过利用原母模板进行纳米压印可 简单快速实现。通过含有倾斜角度结构的中间模板进行分步压印,可将结构尺寸进行缩小 微调至目标模板的刻蚀掩模中,从而最终通过刻蚀实现结构的转移。 以分支1路为例,通过电子束光刻制备点阵结构的母模板,并沉积以FDTS单分子自 主装抗粘层(A);以母模板制备双层复合软模板(B);利用该软模板进行纳米压印(C); 通过优化低温刻蚀工艺制备锥形结构,作为中间模板(D);以锥形中间模板制备软模板 (E);利用锥形软模板进行纳米压印,将结构转移至光刻胶中(F);利用光刻胶的倾斜 角度,通过给予不同时间的刻蚀,可在刻蚀掩模中获得不同的结构尺寸(G-1/G-2/G-3); 最终利用该已调缩小尺寸的刻蚀掩模,最终通过可是获得目标微纳光学结构 (H-1/H-2/H-3),其尺寸获得了精确缩小调节 其他分支也可以同理进行实现。步骤三维结构俯视图剖面图步骤三维结构俯视图剖面图AG-10 •■ ■B□H-1i^^nnCo**G-20 0O 0DoH-2E■G-3♦BF■H-3♦i^^nn
一种仿壁虎脚微纳分级结构及其制造工艺
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明公开了一种用于仿壁虎脚微纳分级结构的制造工艺,包括:S1、使用LPCVD设备在洁净的硅片上热生长一层SiO2薄膜;S2、在有SiO2层的硅片表面旋涂光刻胶并进行光刻,制备出圆孔阵列图形;S3、使用缓冲氢氟酸溶液对暴露出的SiO2进行刻蚀,将光刻胶上的图形转移到SiO2层;S4、在样品表面镀一层Cu膜;S5、在丙酮或乙醇中进行超声,通过溶脱剥离工艺去除表面的光刻胶及光刻胶表面的Cu;S6、利用CVD-VLS生长工艺,以上述工艺制备的Cu为催化剂,以SiCl4为硅源,以H2为载气,生长Si微米线阵列;S7、在硅线表面镀一层Cu膜;S8、利用CVD-VLS生长工艺,以S7制备的Cu膜为催化剂,以SiCl4为硅源,以H2为载气,在Si微米线表面生长Si纳米线。本发明提供的微纳分级结构中Si微米线的表面分布有Si纳米线,即一种仿壁虎脚微纳分级结构,为干性黏附材料的设计与制造提供了一种解决方案。
柔性掩膜板
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
柔性掩膜板。 成果简介: 光学光刻技术已经在微电子制造领域得到了广泛的应用,光学光刻所采用的掩膜板通常是玻璃基板加上金属铬镀层构成的,由于玻璃基板硬度较大、缺乏柔性,因而光学光刻技术只能适用于平面基底的光刻加工,无法对曲面基底进行光刻加工,同时也不适宜于进行大面积基底的光刻加工。 针对上述问题,本技术研发了一种柔性掩膜板,包括柔性基板,柔性基板上方依次设有粘结层、金属图形结构层和柔性封装层;柔性基板采用透明性柔性材料制成;柔性基板的材质为聚碳酸酯或聚二甲基硅氧烷;粘结层的材质为环氧树脂胶粘剂;金属图形结构层的材质为铝或铜;柔性封装层的材质为聚二甲基硅氧烷。 本技术研发的柔性掩膜板能够对曲面基底进行光刻加工,而且其可以自然吸附到基底上实现紧密接触,不需要进行传统的抽真空处理,这使得本技术的柔性掩膜板适宜于进行大面积基底的光刻加工。 应用范围:本技术用于电子产品及其微纳米制造技术领域的光学光刻加工。 合作方式:技术转让、技术开发、技术服务。
蓝宝石衬底纳米孔制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明提供一种蓝宝石衬底纳米孔制备方法,包括以下步骤在蓝宝石衬底表面形成一层单晶薄膜;在所述单晶薄膜上旋涂一层光刻胶;通过光刻机对光刻胶进行曝光;对曝光后的光刻胶进行显影形成纳米孔图形;以形成有纳米孔图形的光刻胶为掩膜干法刻蚀所述单晶薄膜,将所述纳米孔图形转移到单晶薄膜上;去除光刻胶,以形成有所述纳米孔图形的单晶薄膜为掩膜,对所述蓝宝石衬底进行干法刻蚀,将所述纳米孔图形转移到所述蓝宝石衬底上;去除所述单晶薄膜。本发明提出的蓝宝石衬底纳米孔制备方法,通过激光干涉光刻配以干法刻蚀技术快速实现结构均匀、周期可控、占空比可控、低成本的纳米孔拼接块图形化蓝宝石衬底。
一种具有表面浮雕微结构金属滚筒的制作方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明公开了一种具有表面浮雕微结构金属滚筒的制作方法,包括下列步骤:(1)在金属滚筒上涂布光刻胶,在光刻胶上制作微结构掩膜,通过显影去除感光部分至露出金属表层;(2)将上述处理后的金属滚筒置于电铸溶液中,连接至电源阴极,进行金属电沉积,沉积厚度为150~500纳米;(3)从电铸溶液中取出金属滚筒,去除剩余的光刻胶即得到具有表面浮雕微结构的金属滚筒。本发明通过光刻与电铸的结合实现了具有表面浮雕结构的金属滚筒的制作,不需要进行平版卷绕拼接,不会产生拼缝,且可以获得高硬度的浮雕微结构,因而特别适用于高速连续滚动式模压复制;同时,金属光栅深度可以得到控制。
一种全息-离子束刻蚀制备光栅的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明公开了一种全息-离子束刻蚀制备光栅的方法,首先进行全息光刻,获得光刻胶光栅掩模,然后进行离子束刻蚀,最后去除残余的光刻胶,获得所需的光栅,其特征在于:所述离子束刻蚀为,先用氩离子束进行刻蚀1至3分钟,再用三氟甲烷反应离子束刻蚀至所需槽形深度。本发明在离子束刻蚀中,采用了两步法,首先进行氩离子束刻蚀,对光刻胶光栅掩模进行形貌修正,再采用三氟甲烷进行刻蚀,从而可以获得较小占宽比的光栅;通过对氩离子束刻蚀的时间控制,实现对光栅占宽比的控制,方法简便、易于实现,是控制刻蚀光栅占宽比的有效方法。
找到34项技术成果数据。
找技术 >一种用于触摸屏的光刻电子银胶组合物及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
一种用于触摸屏的光刻电子银胶组合物及其制备方法 本发明公开了一种用于触摸屏的光刻电子银胶组合物,它包括如下重量百分比的组分:乙烯基树脂粉末5~15%;混合溶剂10~30%;异冰片丙烯酸酯5~10% ;混合光引发剂5%;银粉45~75%。本发明还公开了上述光刻电子银胶组合物的制备方法和使用方法。本发明光刻电子银胶组合物的附着力1级;固化时间为10~25秒;漆膜的机械强度好,按照GB/T 17200标准进行测试,漆膜拉伸强度为50~80N;电阻变小,可达到5×10-5Ω。
一类用于双光子光刻的抗蚀剂及其应用
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明涉及一类用于双光子光刻的抗蚀剂及其应用,属于微纳加工技术领域,所述抗蚀剂包含组分A和组分B;按质量份数计,所述组分A包含笼型倍半硅氧烷化合物100份,双光子光敏剂0.1‑5份,光引发剂0.1‑5份,助剂1‑5份;所述组分B为基于所述组分A总质量的5‑95%的溶剂。该抗蚀剂具有非线性光学效应,优异的介电性及热稳定性,可耐350℃以上高温,可以通过HF溶液进行湿法刻蚀或CHF3、氧气等离子干法刻蚀;500℃以上高温烧结后转化为类二氧化硅结构CxSiOy,该类二氧化硅结构CxSiOy也可以通过HF溶液进行湿法刻蚀或CHF3、氧气等离子干法刻蚀。本发明中的抗蚀剂可很好地用于替代栅加工,满足围栅纳米线器件制备过程中,双光子加工技术和半导体工艺对于替代栅抗蚀剂的物化性能要求。
PVDF有机聚合物薄膜电容器的光刻制备方法
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
PVDF有机聚合物薄膜电容器器件的光刻制备方法,其特征在于步骤如下:在衬底上利用热蒸发设备低温沉积金属底电极后在底电极上溅射生长二氧化硅或氮化硅介电绝缘层;光刻腐蚀二氧化硅或氮化硅介电绝缘层,形成PVDF有机聚合物薄膜功能区开孔;制备PVDF有机聚合物薄膜;在PVDF有机聚合物薄膜上低温沉积金属上电极;光刻腐蚀金属上电极;氧等离子体刻蚀去除非功能区PVDF有机聚合物薄膜及残余光刻胶;在金属上电极上热蒸发低温沉积包裹电极;光刻腐蚀去除多余包裹电极,完成PVDF有机聚合物薄膜电容器器件的制备。该发明光刻制备方法提高了器件的稳定性和可靠性,使小面元、线列、面阵器件的制备及集成工艺成为可能。
激光诱导的跨尺度光刻方法
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
一种基于激光诱导跨尺度光刻方法,当准直的激光束聚焦到光刻材料时,通过调节激光能量及刻写速度从而改变相变热阈值效应及热扩散,得到从纳米尺度到微米尺度可变的多尺度结构,并且该结构一次形成。本发明简单实用,不需要复杂的操作,特别适用于制作具有不同线宽(从纳米尺度到微米尺度)的掩膜版。可替代半导体工业中的掩膜套刻曝光工艺,从而避免了多次套刻引起的图形误差。
大面积亚波长光学纳米结构的低成本快速微缩调整制备
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本项目的目标是以纳米压印光刻为基础,结合多种微纳加工工艺,提出一种新的工艺方法,达到避免使用直写工艺,针对性的解决对大面积光学纳米结构进行微缩调整时的成本难题,可对大面积亚波长光学纳米结构(例如AR增强现实衍射光栅)进行快速、低成本微缩调整和复形制备的目的。 本项目初期拟首先利用FDTD和RCWA方法对亚波长光学结构的方向特性和能量效率进行初步模拟仿真。同时,在初期搭建在大气环境下可大面积压印的紫外光软模纳米压印系统,并开发复合材料多层软模板,利用软模材料自身的重力,采取由中心点到边缘方案,实现大面积全尺寸无气泡的压印。项目中后期将基于以上的工艺开发,重点测试所设计的创新方法,对光学亚波长纳米结构(例如一维和二维衍射光栅)进行尺寸可调性研究, 并最终对已实现的参数进行优化和适配,将该尺寸微缩可调的工艺方法扩展至完整晶圆级大面积。 本项目的科技转化创新点在于,在不引入额外的复杂直写工艺的情况下,对已有的大面积纳米图形进行微调缩小和快速、低成本制备。可针对性的解决学术科研中的现实问题, 即在对大面积纳米结构做调整而引入直写工艺时所造成的巨大成本负担,从而将科研中的技术能力充分转化为工业产品。 首先将软模板固定于一机械圆环,待压印的基底固定于可抽气底座,二者以中心点对 准。利用自重,软模板的中心下垂,且整片软模板成弧形(a);基底底座以高速率上升, 基底的中心将首先与下垂的软模板中心接触(b);基底底座换以低速率上升,软模板与 基底的接触由中心点逐步向周边扩散(c);基底底座持续低速率上升,直至软模板与基 底实现完全接触,即完成压印过程(d);紫外光曝光;f)基底底座下降,完成软模板与 基底分离(e)。该压印方式,系统处于大气环境下,无需真空系统,可使用大尺寸的多 层复合软模板作为工作模板,支持大尺寸的基底(晶圆),实现全尺寸压印。压印以及基 底与软模板分离的过程可实现全自动化,从而获得最大程度的稳定性。 该项目拟引入中间模板的概念和步骤。该中间模板通过利用原母模板进行纳米压印可 简单快速实现。通过含有倾斜角度结构的中间模板进行分步压印,可将结构尺寸进行缩小 微调至目标模板的刻蚀掩模中,从而最终通过刻蚀实现结构的转移。 以分支1路为例,通过电子束光刻制备点阵结构的母模板,并沉积以FDTS单分子自 主装抗粘层(A);以母模板制备双层复合软模板(B);利用该软模板进行纳米压印(C); 通过优化低温刻蚀工艺制备锥形结构,作为中间模板(D);以锥形中间模板制备软模板 (E);利用锥形软模板进行纳米压印,将结构转移至光刻胶中(F);利用光刻胶的倾斜 角度,通过给予不同时间的刻蚀,可在刻蚀掩模中获得不同的结构尺寸(G-1/G-2/G-3); 最终利用该已调缩小尺寸的刻蚀掩模,最终通过可是获得目标微纳光学结构 (H-1/H-2/H-3),其尺寸获得了精确缩小调节 其他分支也可以同理进行实现。步骤三维结构俯视图剖面图步骤三维结构俯视图剖面图AG-10 •■ ■B□H-1i^^nnCo**G-20 0O 0DoH-2E■G-3♦BF■H-3♦i^^nn
一种仿壁虎脚微纳分级结构及其制造工艺
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明公开了一种用于仿壁虎脚微纳分级结构的制造工艺,包括:S1、使用LPCVD设备在洁净的硅片上热生长一层SiO2薄膜;S2、在有SiO2层的硅片表面旋涂光刻胶并进行光刻,制备出圆孔阵列图形;S3、使用缓冲氢氟酸溶液对暴露出的SiO2进行刻蚀,将光刻胶上的图形转移到SiO2层;S4、在样品表面镀一层Cu膜;S5、在丙酮或乙醇中进行超声,通过溶脱剥离工艺去除表面的光刻胶及光刻胶表面的Cu;S6、利用CVD-VLS生长工艺,以上述工艺制备的Cu为催化剂,以SiCl4为硅源,以H2为载气,生长Si微米线阵列;S7、在硅线表面镀一层Cu膜;S8、利用CVD-VLS生长工艺,以S7制备的Cu膜为催化剂,以SiCl4为硅源,以H2为载气,在Si微米线表面生长Si纳米线。本发明提供的微纳分级结构中Si微米线的表面分布有Si纳米线,即一种仿壁虎脚微纳分级结构,为干性黏附材料的设计与制造提供了一种解决方案。
柔性掩膜板
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
柔性掩膜板。 成果简介: 光学光刻技术已经在微电子制造领域得到了广泛的应用,光学光刻所采用的掩膜板通常是玻璃基板加上金属铬镀层构成的,由于玻璃基板硬度较大、缺乏柔性,因而光学光刻技术只能适用于平面基底的光刻加工,无法对曲面基底进行光刻加工,同时也不适宜于进行大面积基底的光刻加工。 针对上述问题,本技术研发了一种柔性掩膜板,包括柔性基板,柔性基板上方依次设有粘结层、金属图形结构层和柔性封装层;柔性基板采用透明性柔性材料制成;柔性基板的材质为聚碳酸酯或聚二甲基硅氧烷;粘结层的材质为环氧树脂胶粘剂;金属图形结构层的材质为铝或铜;柔性封装层的材质为聚二甲基硅氧烷。 本技术研发的柔性掩膜板能够对曲面基底进行光刻加工,而且其可以自然吸附到基底上实现紧密接触,不需要进行传统的抽真空处理,这使得本技术的柔性掩膜板适宜于进行大面积基底的光刻加工。 应用范围:本技术用于电子产品及其微纳米制造技术领域的光学光刻加工。 合作方式:技术转让、技术开发、技术服务。
蓝宝石衬底纳米孔制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明提供一种蓝宝石衬底纳米孔制备方法,包括以下步骤在蓝宝石衬底表面形成一层单晶薄膜;在所述单晶薄膜上旋涂一层光刻胶;通过光刻机对光刻胶进行曝光;对曝光后的光刻胶进行显影形成纳米孔图形;以形成有纳米孔图形的光刻胶为掩膜干法刻蚀所述单晶薄膜,将所述纳米孔图形转移到单晶薄膜上;去除光刻胶,以形成有所述纳米孔图形的单晶薄膜为掩膜,对所述蓝宝石衬底进行干法刻蚀,将所述纳米孔图形转移到所述蓝宝石衬底上;去除所述单晶薄膜。本发明提出的蓝宝石衬底纳米孔制备方法,通过激光干涉光刻配以干法刻蚀技术快速实现结构均匀、周期可控、占空比可控、低成本的纳米孔拼接块图形化蓝宝石衬底。
一种具有表面浮雕微结构金属滚筒的制作方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明公开了一种具有表面浮雕微结构金属滚筒的制作方法,包括下列步骤:(1)在金属滚筒上涂布光刻胶,在光刻胶上制作微结构掩膜,通过显影去除感光部分至露出金属表层;(2)将上述处理后的金属滚筒置于电铸溶液中,连接至电源阴极,进行金属电沉积,沉积厚度为150~500纳米;(3)从电铸溶液中取出金属滚筒,去除剩余的光刻胶即得到具有表面浮雕微结构的金属滚筒。本发明通过光刻与电铸的结合实现了具有表面浮雕结构的金属滚筒的制作,不需要进行平版卷绕拼接,不会产生拼缝,且可以获得高硬度的浮雕微结构,因而特别适用于高速连续滚动式模压复制;同时,金属光栅深度可以得到控制。
一种全息-离子束刻蚀制备光栅的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明公开了一种全息-离子束刻蚀制备光栅的方法,首先进行全息光刻,获得光刻胶光栅掩模,然后进行离子束刻蚀,最后去除残余的光刻胶,获得所需的光栅,其特征在于:所述离子束刻蚀为,先用氩离子束进行刻蚀1至3分钟,再用三氟甲烷反应离子束刻蚀至所需槽形深度。本发明在离子束刻蚀中,采用了两步法,首先进行氩离子束刻蚀,对光刻胶光栅掩模进行形貌修正,再采用三氟甲烷进行刻蚀,从而可以获得较小占宽比的光栅;通过对氩离子束刻蚀的时间控制,实现对光栅占宽比的控制,方法简便、易于实现,是控制刻蚀光栅占宽比的有效方法。
找到34项技术成果数据。
找技术 >一种用于触摸屏的光刻电子银胶组合物及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
一种用于触摸屏的光刻电子银胶组合物及其制备方法 本发明公开了一种用于触摸屏的光刻电子银胶组合物,它包括如下重量百分比的组分:乙烯基树脂粉末5~15%;混合溶剂10~30%;异冰片丙烯酸酯5~10% ;混合光引发剂5%;银粉45~75%。本发明还公开了上述光刻电子银胶组合物的制备方法和使用方法。本发明光刻电子银胶组合物的附着力1级;固化时间为10~25秒;漆膜的机械强度好,按照GB/T 17200标准进行测试,漆膜拉伸强度为50~80N;电阻变小,可达到5×10-5Ω。
一类用于双光子光刻的抗蚀剂及其应用
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明涉及一类用于双光子光刻的抗蚀剂及其应用,属于微纳加工技术领域,所述抗蚀剂包含组分A和组分B;按质量份数计,所述组分A包含笼型倍半硅氧烷化合物100份,双光子光敏剂0.1‑5份,光引发剂0.1‑5份,助剂1‑5份;所述组分B为基于所述组分A总质量的5‑95%的溶剂。该抗蚀剂具有非线性光学效应,优异的介电性及热稳定性,可耐350℃以上高温,可以通过HF溶液进行湿法刻蚀或CHF3、氧气等离子干法刻蚀;500℃以上高温烧结后转化为类二氧化硅结构CxSiOy,该类二氧化硅结构CxSiOy也可以通过HF溶液进行湿法刻蚀或CHF3、氧气等离子干法刻蚀。本发明中的抗蚀剂可很好地用于替代栅加工,满足围栅纳米线器件制备过程中,双光子加工技术和半导体工艺对于替代栅抗蚀剂的物化性能要求。
PVDF有机聚合物薄膜电容器的光刻制备方法
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
PVDF有机聚合物薄膜电容器器件的光刻制备方法,其特征在于步骤如下:在衬底上利用热蒸发设备低温沉积金属底电极后在底电极上溅射生长二氧化硅或氮化硅介电绝缘层;光刻腐蚀二氧化硅或氮化硅介电绝缘层,形成PVDF有机聚合物薄膜功能区开孔;制备PVDF有机聚合物薄膜;在PVDF有机聚合物薄膜上低温沉积金属上电极;光刻腐蚀金属上电极;氧等离子体刻蚀去除非功能区PVDF有机聚合物薄膜及残余光刻胶;在金属上电极上热蒸发低温沉积包裹电极;光刻腐蚀去除多余包裹电极,完成PVDF有机聚合物薄膜电容器器件的制备。该发明光刻制备方法提高了器件的稳定性和可靠性,使小面元、线列、面阵器件的制备及集成工艺成为可能。
激光诱导的跨尺度光刻方法
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
一种基于激光诱导跨尺度光刻方法,当准直的激光束聚焦到光刻材料时,通过调节激光能量及刻写速度从而改变相变热阈值效应及热扩散,得到从纳米尺度到微米尺度可变的多尺度结构,并且该结构一次形成。本发明简单实用,不需要复杂的操作,特别适用于制作具有不同线宽(从纳米尺度到微米尺度)的掩膜版。可替代半导体工业中的掩膜套刻曝光工艺,从而避免了多次套刻引起的图形误差。
大面积亚波长光学纳米结构的低成本快速微缩调整制备
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本项目的目标是以纳米压印光刻为基础,结合多种微纳加工工艺,提出一种新的工艺方法,达到避免使用直写工艺,针对性的解决对大面积光学纳米结构进行微缩调整时的成本难题,可对大面积亚波长光学纳米结构(例如AR增强现实衍射光栅)进行快速、低成本微缩调整和复形制备的目的。 本项目初期拟首先利用FDTD和RCWA方法对亚波长光学结构的方向特性和能量效率进行初步模拟仿真。同时,在初期搭建在大气环境下可大面积压印的紫外光软模纳米压印系统,并开发复合材料多层软模板,利用软模材料自身的重力,采取由中心点到边缘方案,实现大面积全尺寸无气泡的压印。项目中后期将基于以上的工艺开发,重点测试所设计的创新方法,对光学亚波长纳米结构(例如一维和二维衍射光栅)进行尺寸可调性研究, 并最终对已实现的参数进行优化和适配,将该尺寸微缩可调的工艺方法扩展至完整晶圆级大面积。 本项目的科技转化创新点在于,在不引入额外的复杂直写工艺的情况下,对已有的大面积纳米图形进行微调缩小和快速、低成本制备。可针对性的解决学术科研中的现实问题, 即在对大面积纳米结构做调整而引入直写工艺时所造成的巨大成本负担,从而将科研中的技术能力充分转化为工业产品。 首先将软模板固定于一机械圆环,待压印的基底固定于可抽气底座,二者以中心点对 准。利用自重,软模板的中心下垂,且整片软模板成弧形(a);基底底座以高速率上升, 基底的中心将首先与下垂的软模板中心接触(b);基底底座换以低速率上升,软模板与 基底的接触由中心点逐步向周边扩散(c);基底底座持续低速率上升,直至软模板与基 底实现完全接触,即完成压印过程(d);紫外光曝光;f)基底底座下降,完成软模板与 基底分离(e)。该压印方式,系统处于大气环境下,无需真空系统,可使用大尺寸的多 层复合软模板作为工作模板,支持大尺寸的基底(晶圆),实现全尺寸压印。压印以及基 底与软模板分离的过程可实现全自动化,从而获得最大程度的稳定性。 该项目拟引入中间模板的概念和步骤。该中间模板通过利用原母模板进行纳米压印可 简单快速实现。通过含有倾斜角度结构的中间模板进行分步压印,可将结构尺寸进行缩小 微调至目标模板的刻蚀掩模中,从而最终通过刻蚀实现结构的转移。 以分支1路为例,通过电子束光刻制备点阵结构的母模板,并沉积以FDTS单分子自 主装抗粘层(A);以母模板制备双层复合软模板(B);利用该软模板进行纳米压印(C); 通过优化低温刻蚀工艺制备锥形结构,作为中间模板(D);以锥形中间模板制备软模板 (E);利用锥形软模板进行纳米压印,将结构转移至光刻胶中(F);利用光刻胶的倾斜 角度,通过给予不同时间的刻蚀,可在刻蚀掩模中获得不同的结构尺寸(G-1/G-2/G-3); 最终利用该已调缩小尺寸的刻蚀掩模,最终通过可是获得目标微纳光学结构 (H-1/H-2/H-3),其尺寸获得了精确缩小调节 其他分支也可以同理进行实现。步骤三维结构俯视图剖面图步骤三维结构俯视图剖面图AG-10 •■ ■B□H-1i^^nnCo**G-20 0O 0DoH-2E■G-3♦BF■H-3♦i^^nn
一种仿壁虎脚微纳分级结构及其制造工艺
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明公开了一种用于仿壁虎脚微纳分级结构的制造工艺,包括:S1、使用LPCVD设备在洁净的硅片上热生长一层SiO2薄膜;S2、在有SiO2层的硅片表面旋涂光刻胶并进行光刻,制备出圆孔阵列图形;S3、使用缓冲氢氟酸溶液对暴露出的SiO2进行刻蚀,将光刻胶上的图形转移到SiO2层;S4、在样品表面镀一层Cu膜;S5、在丙酮或乙醇中进行超声,通过溶脱剥离工艺去除表面的光刻胶及光刻胶表面的Cu;S6、利用CVD-VLS生长工艺,以上述工艺制备的Cu为催化剂,以SiCl4为硅源,以H2为载气,生长Si微米线阵列;S7、在硅线表面镀一层Cu膜;S8、利用CVD-VLS生长工艺,以S7制备的Cu膜为催化剂,以SiCl4为硅源,以H2为载气,在Si微米线表面生长Si纳米线。本发明提供的微纳分级结构中Si微米线的表面分布有Si纳米线,即一种仿壁虎脚微纳分级结构,为干性黏附材料的设计与制造提供了一种解决方案。
柔性掩膜板
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
柔性掩膜板。 成果简介: 光学光刻技术已经在微电子制造领域得到了广泛的应用,光学光刻所采用的掩膜板通常是玻璃基板加上金属铬镀层构成的,由于玻璃基板硬度较大、缺乏柔性,因而光学光刻技术只能适用于平面基底的光刻加工,无法对曲面基底进行光刻加工,同时也不适宜于进行大面积基底的光刻加工。 针对上述问题,本技术研发了一种柔性掩膜板,包括柔性基板,柔性基板上方依次设有粘结层、金属图形结构层和柔性封装层;柔性基板采用透明性柔性材料制成;柔性基板的材质为聚碳酸酯或聚二甲基硅氧烷;粘结层的材质为环氧树脂胶粘剂;金属图形结构层的材质为铝或铜;柔性封装层的材质为聚二甲基硅氧烷。 本技术研发的柔性掩膜板能够对曲面基底进行光刻加工,而且其可以自然吸附到基底上实现紧密接触,不需要进行传统的抽真空处理,这使得本技术的柔性掩膜板适宜于进行大面积基底的光刻加工。 应用范围:本技术用于电子产品及其微纳米制造技术领域的光学光刻加工。 合作方式:技术转让、技术开发、技术服务。
蓝宝石衬底纳米孔制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明提供一种蓝宝石衬底纳米孔制备方法,包括以下步骤在蓝宝石衬底表面形成一层单晶薄膜;在所述单晶薄膜上旋涂一层光刻胶;通过光刻机对光刻胶进行曝光;对曝光后的光刻胶进行显影形成纳米孔图形;以形成有纳米孔图形的光刻胶为掩膜干法刻蚀所述单晶薄膜,将所述纳米孔图形转移到单晶薄膜上;去除光刻胶,以形成有所述纳米孔图形的单晶薄膜为掩膜,对所述蓝宝石衬底进行干法刻蚀,将所述纳米孔图形转移到所述蓝宝石衬底上;去除所述单晶薄膜。本发明提出的蓝宝石衬底纳米孔制备方法,通过激光干涉光刻配以干法刻蚀技术快速实现结构均匀、周期可控、占空比可控、低成本的纳米孔拼接块图形化蓝宝石衬底。
一种具有表面浮雕微结构金属滚筒的制作方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明公开了一种具有表面浮雕微结构金属滚筒的制作方法,包括下列步骤:(1)在金属滚筒上涂布光刻胶,在光刻胶上制作微结构掩膜,通过显影去除感光部分至露出金属表层;(2)将上述处理后的金属滚筒置于电铸溶液中,连接至电源阴极,进行金属电沉积,沉积厚度为150~500纳米;(3)从电铸溶液中取出金属滚筒,去除剩余的光刻胶即得到具有表面浮雕微结构的金属滚筒。本发明通过光刻与电铸的结合实现了具有表面浮雕结构的金属滚筒的制作,不需要进行平版卷绕拼接,不会产生拼缝,且可以获得高硬度的浮雕微结构,因而特别适用于高速连续滚动式模压复制;同时,金属光栅深度可以得到控制。
一种全息-离子束刻蚀制备光栅的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明公开了一种全息-离子束刻蚀制备光栅的方法,首先进行全息光刻,获得光刻胶光栅掩模,然后进行离子束刻蚀,最后去除残余的光刻胶,获得所需的光栅,其特征在于:所述离子束刻蚀为,先用氩离子束进行刻蚀1至3分钟,再用三氟甲烷反应离子束刻蚀至所需槽形深度。本发明在离子束刻蚀中,采用了两步法,首先进行氩离子束刻蚀,对光刻胶光栅掩模进行形貌修正,再采用三氟甲烷进行刻蚀,从而可以获得较小占宽比的光栅;通过对氩离子束刻蚀的时间控制,实现对光栅占宽比的控制,方法简便、易于实现,是控制刻蚀光栅占宽比的有效方法。
找到34项技术成果数据。
找技术 >一种用于触摸屏的光刻电子银胶组合物及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
一种用于触摸屏的光刻电子银胶组合物及其制备方法 本发明公开了一种用于触摸屏的光刻电子银胶组合物,它包括如下重量百分比的组分:乙烯基树脂粉末5~15%;混合溶剂10~30%;异冰片丙烯酸酯5~10% ;混合光引发剂5%;银粉45~75%。本发明还公开了上述光刻电子银胶组合物的制备方法和使用方法。本发明光刻电子银胶组合物的附着力1级;固化时间为10~25秒;漆膜的机械强度好,按照GB/T 17200标准进行测试,漆膜拉伸强度为50~80N;电阻变小,可达到5×10-5Ω。
一类用于双光子光刻的抗蚀剂及其应用
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明涉及一类用于双光子光刻的抗蚀剂及其应用,属于微纳加工技术领域,所述抗蚀剂包含组分A和组分B;按质量份数计,所述组分A包含笼型倍半硅氧烷化合物100份,双光子光敏剂0.1‑5份,光引发剂0.1‑5份,助剂1‑5份;所述组分B为基于所述组分A总质量的5‑95%的溶剂。该抗蚀剂具有非线性光学效应,优异的介电性及热稳定性,可耐350℃以上高温,可以通过HF溶液进行湿法刻蚀或CHF3、氧气等离子干法刻蚀;500℃以上高温烧结后转化为类二氧化硅结构CxSiOy,该类二氧化硅结构CxSiOy也可以通过HF溶液进行湿法刻蚀或CHF3、氧气等离子干法刻蚀。本发明中的抗蚀剂可很好地用于替代栅加工,满足围栅纳米线器件制备过程中,双光子加工技术和半导体工艺对于替代栅抗蚀剂的物化性能要求。
PVDF有机聚合物薄膜电容器的光刻制备方法
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
PVDF有机聚合物薄膜电容器器件的光刻制备方法,其特征在于步骤如下:在衬底上利用热蒸发设备低温沉积金属底电极后在底电极上溅射生长二氧化硅或氮化硅介电绝缘层;光刻腐蚀二氧化硅或氮化硅介电绝缘层,形成PVDF有机聚合物薄膜功能区开孔;制备PVDF有机聚合物薄膜;在PVDF有机聚合物薄膜上低温沉积金属上电极;光刻腐蚀金属上电极;氧等离子体刻蚀去除非功能区PVDF有机聚合物薄膜及残余光刻胶;在金属上电极上热蒸发低温沉积包裹电极;光刻腐蚀去除多余包裹电极,完成PVDF有机聚合物薄膜电容器器件的制备。该发明光刻制备方法提高了器件的稳定性和可靠性,使小面元、线列、面阵器件的制备及集成工艺成为可能。
激光诱导的跨尺度光刻方法
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
一种基于激光诱导跨尺度光刻方法,当准直的激光束聚焦到光刻材料时,通过调节激光能量及刻写速度从而改变相变热阈值效应及热扩散,得到从纳米尺度到微米尺度可变的多尺度结构,并且该结构一次形成。本发明简单实用,不需要复杂的操作,特别适用于制作具有不同线宽(从纳米尺度到微米尺度)的掩膜版。可替代半导体工业中的掩膜套刻曝光工艺,从而避免了多次套刻引起的图形误差。
大面积亚波长光学纳米结构的低成本快速微缩调整制备
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本项目的目标是以纳米压印光刻为基础,结合多种微纳加工工艺,提出一种新的工艺方法,达到避免使用直写工艺,针对性的解决对大面积光学纳米结构进行微缩调整时的成本难题,可对大面积亚波长光学纳米结构(例如AR增强现实衍射光栅)进行快速、低成本微缩调整和复形制备的目的。 本项目初期拟首先利用FDTD和RCWA方法对亚波长光学结构的方向特性和能量效率进行初步模拟仿真。同时,在初期搭建在大气环境下可大面积压印的紫外光软模纳米压印系统,并开发复合材料多层软模板,利用软模材料自身的重力,采取由中心点到边缘方案,实现大面积全尺寸无气泡的压印。项目中后期将基于以上的工艺开发,重点测试所设计的创新方法,对光学亚波长纳米结构(例如一维和二维衍射光栅)进行尺寸可调性研究, 并最终对已实现的参数进行优化和适配,将该尺寸微缩可调的工艺方法扩展至完整晶圆级大面积。 本项目的科技转化创新点在于,在不引入额外的复杂直写工艺的情况下,对已有的大面积纳米图形进行微调缩小和快速、低成本制备。可针对性的解决学术科研中的现实问题, 即在对大面积纳米结构做调整而引入直写工艺时所造成的巨大成本负担,从而将科研中的技术能力充分转化为工业产品。 首先将软模板固定于一机械圆环,待压印的基底固定于可抽气底座,二者以中心点对 准。利用自重,软模板的中心下垂,且整片软模板成弧形(a);基底底座以高速率上升, 基底的中心将首先与下垂的软模板中心接触(b);基底底座换以低速率上升,软模板与 基底的接触由中心点逐步向周边扩散(c);基底底座持续低速率上升,直至软模板与基 底实现完全接触,即完成压印过程(d);紫外光曝光;f)基底底座下降,完成软模板与 基底分离(e)。该压印方式,系统处于大气环境下,无需真空系统,可使用大尺寸的多 层复合软模板作为工作模板,支持大尺寸的基底(晶圆),实现全尺寸压印。压印以及基 底与软模板分离的过程可实现全自动化,从而获得最大程度的稳定性。 该项目拟引入中间模板的概念和步骤。该中间模板通过利用原母模板进行纳米压印可 简单快速实现。通过含有倾斜角度结构的中间模板进行分步压印,可将结构尺寸进行缩小 微调至目标模板的刻蚀掩模中,从而最终通过刻蚀实现结构的转移。 以分支1路为例,通过电子束光刻制备点阵结构的母模板,并沉积以FDTS单分子自 主装抗粘层(A);以母模板制备双层复合软模板(B);利用该软模板进行纳米压印(C); 通过优化低温刻蚀工艺制备锥形结构,作为中间模板(D);以锥形中间模板制备软模板 (E);利用锥形软模板进行纳米压印,将结构转移至光刻胶中(F);利用光刻胶的倾斜 角度,通过给予不同时间的刻蚀,可在刻蚀掩模中获得不同的结构尺寸(G-1/G-2/G-3); 最终利用该已调缩小尺寸的刻蚀掩模,最终通过可是获得目标微纳光学结构 (H-1/H-2/H-3),其尺寸获得了精确缩小调节 其他分支也可以同理进行实现。步骤三维结构俯视图剖面图步骤三维结构俯视图剖面图AG-10 •■ ■B□H-1i^^nnCo**G-20 0O 0DoH-2E■G-3♦BF■H-3♦i^^nn
一种仿壁虎脚微纳分级结构及其制造工艺
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明公开了一种用于仿壁虎脚微纳分级结构的制造工艺,包括:S1、使用LPCVD设备在洁净的硅片上热生长一层SiO2薄膜;S2、在有SiO2层的硅片表面旋涂光刻胶并进行光刻,制备出圆孔阵列图形;S3、使用缓冲氢氟酸溶液对暴露出的SiO2进行刻蚀,将光刻胶上的图形转移到SiO2层;S4、在样品表面镀一层Cu膜;S5、在丙酮或乙醇中进行超声,通过溶脱剥离工艺去除表面的光刻胶及光刻胶表面的Cu;S6、利用CVD-VLS生长工艺,以上述工艺制备的Cu为催化剂,以SiCl4为硅源,以H2为载气,生长Si微米线阵列;S7、在硅线表面镀一层Cu膜;S8、利用CVD-VLS生长工艺,以S7制备的Cu膜为催化剂,以SiCl4为硅源,以H2为载气,在Si微米线表面生长Si纳米线。本发明提供的微纳分级结构中Si微米线的表面分布有Si纳米线,即一种仿壁虎脚微纳分级结构,为干性黏附材料的设计与制造提供了一种解决方案。
柔性掩膜板
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
柔性掩膜板。 成果简介: 光学光刻技术已经在微电子制造领域得到了广泛的应用,光学光刻所采用的掩膜板通常是玻璃基板加上金属铬镀层构成的,由于玻璃基板硬度较大、缺乏柔性,因而光学光刻技术只能适用于平面基底的光刻加工,无法对曲面基底进行光刻加工,同时也不适宜于进行大面积基底的光刻加工。 针对上述问题,本技术研发了一种柔性掩膜板,包括柔性基板,柔性基板上方依次设有粘结层、金属图形结构层和柔性封装层;柔性基板采用透明性柔性材料制成;柔性基板的材质为聚碳酸酯或聚二甲基硅氧烷;粘结层的材质为环氧树脂胶粘剂;金属图形结构层的材质为铝或铜;柔性封装层的材质为聚二甲基硅氧烷。 本技术研发的柔性掩膜板能够对曲面基底进行光刻加工,而且其可以自然吸附到基底上实现紧密接触,不需要进行传统的抽真空处理,这使得本技术的柔性掩膜板适宜于进行大面积基底的光刻加工。 应用范围:本技术用于电子产品及其微纳米制造技术领域的光学光刻加工。 合作方式:技术转让、技术开发、技术服务。
蓝宝石衬底纳米孔制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明提供一种蓝宝石衬底纳米孔制备方法,包括以下步骤在蓝宝石衬底表面形成一层单晶薄膜;在所述单晶薄膜上旋涂一层光刻胶;通过光刻机对光刻胶进行曝光;对曝光后的光刻胶进行显影形成纳米孔图形;以形成有纳米孔图形的光刻胶为掩膜干法刻蚀所述单晶薄膜,将所述纳米孔图形转移到单晶薄膜上;去除光刻胶,以形成有所述纳米孔图形的单晶薄膜为掩膜,对所述蓝宝石衬底进行干法刻蚀,将所述纳米孔图形转移到所述蓝宝石衬底上;去除所述单晶薄膜。本发明提出的蓝宝石衬底纳米孔制备方法,通过激光干涉光刻配以干法刻蚀技术快速实现结构均匀、周期可控、占空比可控、低成本的纳米孔拼接块图形化蓝宝石衬底。
一种具有表面浮雕微结构金属滚筒的制作方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明公开了一种具有表面浮雕微结构金属滚筒的制作方法,包括下列步骤:(1)在金属滚筒上涂布光刻胶,在光刻胶上制作微结构掩膜,通过显影去除感光部分至露出金属表层;(2)将上述处理后的金属滚筒置于电铸溶液中,连接至电源阴极,进行金属电沉积,沉积厚度为150~500纳米;(3)从电铸溶液中取出金属滚筒,去除剩余的光刻胶即得到具有表面浮雕微结构的金属滚筒。本发明通过光刻与电铸的结合实现了具有表面浮雕结构的金属滚筒的制作,不需要进行平版卷绕拼接,不会产生拼缝,且可以获得高硬度的浮雕微结构,因而特别适用于高速连续滚动式模压复制;同时,金属光栅深度可以得到控制。
一种全息-离子束刻蚀制备光栅的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明公开了一种全息-离子束刻蚀制备光栅的方法,首先进行全息光刻,获得光刻胶光栅掩模,然后进行离子束刻蚀,最后去除残余的光刻胶,获得所需的光栅,其特征在于:所述离子束刻蚀为,先用氩离子束进行刻蚀1至3分钟,再用三氟甲烷反应离子束刻蚀至所需槽形深度。本发明在离子束刻蚀中,采用了两步法,首先进行氩离子束刻蚀,对光刻胶光栅掩模进行形貌修正,再采用三氟甲烷进行刻蚀,从而可以获得较小占宽比的光栅;通过对氩离子束刻蚀的时间控制,实现对光栅占宽比的控制,方法简便、易于实现,是控制刻蚀光栅占宽比的有效方法。
找到34项技术成果数据。
找技术 >一种用于触摸屏的光刻电子银胶组合物及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
一种用于触摸屏的光刻电子银胶组合物及其制备方法 本发明公开了一种用于触摸屏的光刻电子银胶组合物,它包括如下重量百分比的组分:乙烯基树脂粉末5~15%;混合溶剂10~30%;异冰片丙烯酸酯5~10% ;混合光引发剂5%;银粉45~75%。本发明还公开了上述光刻电子银胶组合物的制备方法和使用方法。本发明光刻电子银胶组合物的附着力1级;固化时间为10~25秒;漆膜的机械强度好,按照GB/T 17200标准进行测试,漆膜拉伸强度为50~80N;电阻变小,可达到5×10-5Ω。
一类用于双光子光刻的抗蚀剂及其应用
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明涉及一类用于双光子光刻的抗蚀剂及其应用,属于微纳加工技术领域,所述抗蚀剂包含组分A和组分B;按质量份数计,所述组分A包含笼型倍半硅氧烷化合物100份,双光子光敏剂0.1‑5份,光引发剂0.1‑5份,助剂1‑5份;所述组分B为基于所述组分A总质量的5‑95%的溶剂。该抗蚀剂具有非线性光学效应,优异的介电性及热稳定性,可耐350℃以上高温,可以通过HF溶液进行湿法刻蚀或CHF3、氧气等离子干法刻蚀;500℃以上高温烧结后转化为类二氧化硅结构CxSiOy,该类二氧化硅结构CxSiOy也可以通过HF溶液进行湿法刻蚀或CHF3、氧气等离子干法刻蚀。本发明中的抗蚀剂可很好地用于替代栅加工,满足围栅纳米线器件制备过程中,双光子加工技术和半导体工艺对于替代栅抗蚀剂的物化性能要求。
PVDF有机聚合物薄膜电容器的光刻制备方法
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
PVDF有机聚合物薄膜电容器器件的光刻制备方法,其特征在于步骤如下:在衬底上利用热蒸发设备低温沉积金属底电极后在底电极上溅射生长二氧化硅或氮化硅介电绝缘层;光刻腐蚀二氧化硅或氮化硅介电绝缘层,形成PVDF有机聚合物薄膜功能区开孔;制备PVDF有机聚合物薄膜;在PVDF有机聚合物薄膜上低温沉积金属上电极;光刻腐蚀金属上电极;氧等离子体刻蚀去除非功能区PVDF有机聚合物薄膜及残余光刻胶;在金属上电极上热蒸发低温沉积包裹电极;光刻腐蚀去除多余包裹电极,完成PVDF有机聚合物薄膜电容器器件的制备。该发明光刻制备方法提高了器件的稳定性和可靠性,使小面元、线列、面阵器件的制备及集成工艺成为可能。
激光诱导的跨尺度光刻方法
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
一种基于激光诱导跨尺度光刻方法,当准直的激光束聚焦到光刻材料时,通过调节激光能量及刻写速度从而改变相变热阈值效应及热扩散,得到从纳米尺度到微米尺度可变的多尺度结构,并且该结构一次形成。本发明简单实用,不需要复杂的操作,特别适用于制作具有不同线宽(从纳米尺度到微米尺度)的掩膜版。可替代半导体工业中的掩膜套刻曝光工艺,从而避免了多次套刻引起的图形误差。
大面积亚波长光学纳米结构的低成本快速微缩调整制备
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本项目的目标是以纳米压印光刻为基础,结合多种微纳加工工艺,提出一种新的工艺方法,达到避免使用直写工艺,针对性的解决对大面积光学纳米结构进行微缩调整时的成本难题,可对大面积亚波长光学纳米结构(例如AR增强现实衍射光栅)进行快速、低成本微缩调整和复形制备的目的。 本项目初期拟首先利用FDTD和RCWA方法对亚波长光学结构的方向特性和能量效率进行初步模拟仿真。同时,在初期搭建在大气环境下可大面积压印的紫外光软模纳米压印系统,并开发复合材料多层软模板,利用软模材料自身的重力,采取由中心点到边缘方案,实现大面积全尺寸无气泡的压印。项目中后期将基于以上的工艺开发,重点测试所设计的创新方法,对光学亚波长纳米结构(例如一维和二维衍射光栅)进行尺寸可调性研究, 并最终对已实现的参数进行优化和适配,将该尺寸微缩可调的工艺方法扩展至完整晶圆级大面积。 本项目的科技转化创新点在于,在不引入额外的复杂直写工艺的情况下,对已有的大面积纳米图形进行微调缩小和快速、低成本制备。可针对性的解决学术科研中的现实问题, 即在对大面积纳米结构做调整而引入直写工艺时所造成的巨大成本负担,从而将科研中的技术能力充分转化为工业产品。 首先将软模板固定于一机械圆环,待压印的基底固定于可抽气底座,二者以中心点对 准。利用自重,软模板的中心下垂,且整片软模板成弧形(a);基底底座以高速率上升, 基底的中心将首先与下垂的软模板中心接触(b);基底底座换以低速率上升,软模板与 基底的接触由中心点逐步向周边扩散(c);基底底座持续低速率上升,直至软模板与基 底实现完全接触,即完成压印过程(d);紫外光曝光;f)基底底座下降,完成软模板与 基底分离(e)。该压印方式,系统处于大气环境下,无需真空系统,可使用大尺寸的多 层复合软模板作为工作模板,支持大尺寸的基底(晶圆),实现全尺寸压印。压印以及基 底与软模板分离的过程可实现全自动化,从而获得最大程度的稳定性。 该项目拟引入中间模板的概念和步骤。该中间模板通过利用原母模板进行纳米压印可 简单快速实现。通过含有倾斜角度结构的中间模板进行分步压印,可将结构尺寸进行缩小 微调至目标模板的刻蚀掩模中,从而最终通过刻蚀实现结构的转移。 以分支1路为例,通过电子束光刻制备点阵结构的母模板,并沉积以FDTS单分子自 主装抗粘层(A);以母模板制备双层复合软模板(B);利用该软模板进行纳米压印(C); 通过优化低温刻蚀工艺制备锥形结构,作为中间模板(D);以锥形中间模板制备软模板 (E);利用锥形软模板进行纳米压印,将结构转移至光刻胶中(F);利用光刻胶的倾斜 角度,通过给予不同时间的刻蚀,可在刻蚀掩模中获得不同的结构尺寸(G-1/G-2/G-3); 最终利用该已调缩小尺寸的刻蚀掩模,最终通过可是获得目标微纳光学结构 (H-1/H-2/H-3),其尺寸获得了精确缩小调节 其他分支也可以同理进行实现。步骤三维结构俯视图剖面图步骤三维结构俯视图剖面图AG-10 •■ ■B□H-1i^^nnCo**G-20 0O 0DoH-2E■G-3♦BF■H-3♦i^^nn
一种仿壁虎脚微纳分级结构及其制造工艺
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明公开了一种用于仿壁虎脚微纳分级结构的制造工艺,包括:S1、使用LPCVD设备在洁净的硅片上热生长一层SiO2薄膜;S2、在有SiO2层的硅片表面旋涂光刻胶并进行光刻,制备出圆孔阵列图形;S3、使用缓冲氢氟酸溶液对暴露出的SiO2进行刻蚀,将光刻胶上的图形转移到SiO2层;S4、在样品表面镀一层Cu膜;S5、在丙酮或乙醇中进行超声,通过溶脱剥离工艺去除表面的光刻胶及光刻胶表面的Cu;S6、利用CVD-VLS生长工艺,以上述工艺制备的Cu为催化剂,以SiCl4为硅源,以H2为载气,生长Si微米线阵列;S7、在硅线表面镀一层Cu膜;S8、利用CVD-VLS生长工艺,以S7制备的Cu膜为催化剂,以SiCl4为硅源,以H2为载气,在Si微米线表面生长Si纳米线。本发明提供的微纳分级结构中Si微米线的表面分布有Si纳米线,即一种仿壁虎脚微纳分级结构,为干性黏附材料的设计与制造提供了一种解决方案。
柔性掩膜板
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
柔性掩膜板。 成果简介: 光学光刻技术已经在微电子制造领域得到了广泛的应用,光学光刻所采用的掩膜板通常是玻璃基板加上金属铬镀层构成的,由于玻璃基板硬度较大、缺乏柔性,因而光学光刻技术只能适用于平面基底的光刻加工,无法对曲面基底进行光刻加工,同时也不适宜于进行大面积基底的光刻加工。 针对上述问题,本技术研发了一种柔性掩膜板,包括柔性基板,柔性基板上方依次设有粘结层、金属图形结构层和柔性封装层;柔性基板采用透明性柔性材料制成;柔性基板的材质为聚碳酸酯或聚二甲基硅氧烷;粘结层的材质为环氧树脂胶粘剂;金属图形结构层的材质为铝或铜;柔性封装层的材质为聚二甲基硅氧烷。 本技术研发的柔性掩膜板能够对曲面基底进行光刻加工,而且其可以自然吸附到基底上实现紧密接触,不需要进行传统的抽真空处理,这使得本技术的柔性掩膜板适宜于进行大面积基底的光刻加工。 应用范围:本技术用于电子产品及其微纳米制造技术领域的光学光刻加工。 合作方式:技术转让、技术开发、技术服务。
蓝宝石衬底纳米孔制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明提供一种蓝宝石衬底纳米孔制备方法,包括以下步骤在蓝宝石衬底表面形成一层单晶薄膜;在所述单晶薄膜上旋涂一层光刻胶;通过光刻机对光刻胶进行曝光;对曝光后的光刻胶进行显影形成纳米孔图形;以形成有纳米孔图形的光刻胶为掩膜干法刻蚀所述单晶薄膜,将所述纳米孔图形转移到单晶薄膜上;去除光刻胶,以形成有所述纳米孔图形的单晶薄膜为掩膜,对所述蓝宝石衬底进行干法刻蚀,将所述纳米孔图形转移到所述蓝宝石衬底上;去除所述单晶薄膜。本发明提出的蓝宝石衬底纳米孔制备方法,通过激光干涉光刻配以干法刻蚀技术快速实现结构均匀、周期可控、占空比可控、低成本的纳米孔拼接块图形化蓝宝石衬底。
一种具有表面浮雕微结构金属滚筒的制作方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明公开了一种具有表面浮雕微结构金属滚筒的制作方法,包括下列步骤:(1)在金属滚筒上涂布光刻胶,在光刻胶上制作微结构掩膜,通过显影去除感光部分至露出金属表层;(2)将上述处理后的金属滚筒置于电铸溶液中,连接至电源阴极,进行金属电沉积,沉积厚度为150~500纳米;(3)从电铸溶液中取出金属滚筒,去除剩余的光刻胶即得到具有表面浮雕微结构的金属滚筒。本发明通过光刻与电铸的结合实现了具有表面浮雕结构的金属滚筒的制作,不需要进行平版卷绕拼接,不会产生拼缝,且可以获得高硬度的浮雕微结构,因而特别适用于高速连续滚动式模压复制;同时,金属光栅深度可以得到控制。
一种全息-离子束刻蚀制备光栅的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明公开了一种全息-离子束刻蚀制备光栅的方法,首先进行全息光刻,获得光刻胶光栅掩模,然后进行离子束刻蚀,最后去除残余的光刻胶,获得所需的光栅,其特征在于:所述离子束刻蚀为,先用氩离子束进行刻蚀1至3分钟,再用三氟甲烷反应离子束刻蚀至所需槽形深度。本发明在离子束刻蚀中,采用了两步法,首先进行氩离子束刻蚀,对光刻胶光栅掩模进行形貌修正,再采用三氟甲烷进行刻蚀,从而可以获得较小占宽比的光栅;通过对氩离子束刻蚀的时间控制,实现对光栅占宽比的控制,方法简便、易于实现,是控制刻蚀光栅占宽比的有效方法。
找到34项技术成果数据。
找技术 >一种用于触摸屏的光刻电子银胶组合物及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
一种用于触摸屏的光刻电子银胶组合物及其制备方法 本发明公开了一种用于触摸屏的光刻电子银胶组合物,它包括如下重量百分比的组分:乙烯基树脂粉末5~15%;混合溶剂10~30%;异冰片丙烯酸酯5~10% ;混合光引发剂5%;银粉45~75%。本发明还公开了上述光刻电子银胶组合物的制备方法和使用方法。本发明光刻电子银胶组合物的附着力1级;固化时间为10~25秒;漆膜的机械强度好,按照GB/T 17200标准进行测试,漆膜拉伸强度为50~80N;电阻变小,可达到5×10-5Ω。
一类用于双光子光刻的抗蚀剂及其应用
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明涉及一类用于双光子光刻的抗蚀剂及其应用,属于微纳加工技术领域,所述抗蚀剂包含组分A和组分B;按质量份数计,所述组分A包含笼型倍半硅氧烷化合物100份,双光子光敏剂0.1‑5份,光引发剂0.1‑5份,助剂1‑5份;所述组分B为基于所述组分A总质量的5‑95%的溶剂。该抗蚀剂具有非线性光学效应,优异的介电性及热稳定性,可耐350℃以上高温,可以通过HF溶液进行湿法刻蚀或CHF3、氧气等离子干法刻蚀;500℃以上高温烧结后转化为类二氧化硅结构CxSiOy,该类二氧化硅结构CxSiOy也可以通过HF溶液进行湿法刻蚀或CHF3、氧气等离子干法刻蚀。本发明中的抗蚀剂可很好地用于替代栅加工,满足围栅纳米线器件制备过程中,双光子加工技术和半导体工艺对于替代栅抗蚀剂的物化性能要求。
PVDF有机聚合物薄膜电容器的光刻制备方法
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
PVDF有机聚合物薄膜电容器器件的光刻制备方法,其特征在于步骤如下:在衬底上利用热蒸发设备低温沉积金属底电极后在底电极上溅射生长二氧化硅或氮化硅介电绝缘层;光刻腐蚀二氧化硅或氮化硅介电绝缘层,形成PVDF有机聚合物薄膜功能区开孔;制备PVDF有机聚合物薄膜;在PVDF有机聚合物薄膜上低温沉积金属上电极;光刻腐蚀金属上电极;氧等离子体刻蚀去除非功能区PVDF有机聚合物薄膜及残余光刻胶;在金属上电极上热蒸发低温沉积包裹电极;光刻腐蚀去除多余包裹电极,完成PVDF有机聚合物薄膜电容器器件的制备。该发明光刻制备方法提高了器件的稳定性和可靠性,使小面元、线列、面阵器件的制备及集成工艺成为可能。
激光诱导的跨尺度光刻方法
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
一种基于激光诱导跨尺度光刻方法,当准直的激光束聚焦到光刻材料时,通过调节激光能量及刻写速度从而改变相变热阈值效应及热扩散,得到从纳米尺度到微米尺度可变的多尺度结构,并且该结构一次形成。本发明简单实用,不需要复杂的操作,特别适用于制作具有不同线宽(从纳米尺度到微米尺度)的掩膜版。可替代半导体工业中的掩膜套刻曝光工艺,从而避免了多次套刻引起的图形误差。
大面积亚波长光学纳米结构的低成本快速微缩调整制备
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本项目的目标是以纳米压印光刻为基础,结合多种微纳加工工艺,提出一种新的工艺方法,达到避免使用直写工艺,针对性的解决对大面积光学纳米结构进行微缩调整时的成本难题,可对大面积亚波长光学纳米结构(例如AR增强现实衍射光栅)进行快速、低成本微缩调整和复形制备的目的。 本项目初期拟首先利用FDTD和RCWA方法对亚波长光学结构的方向特性和能量效率进行初步模拟仿真。同时,在初期搭建在大气环境下可大面积压印的紫外光软模纳米压印系统,并开发复合材料多层软模板,利用软模材料自身的重力,采取由中心点到边缘方案,实现大面积全尺寸无气泡的压印。项目中后期将基于以上的工艺开发,重点测试所设计的创新方法,对光学亚波长纳米结构(例如一维和二维衍射光栅)进行尺寸可调性研究, 并最终对已实现的参数进行优化和适配,将该尺寸微缩可调的工艺方法扩展至完整晶圆级大面积。 本项目的科技转化创新点在于,在不引入额外的复杂直写工艺的情况下,对已有的大面积纳米图形进行微调缩小和快速、低成本制备。可针对性的解决学术科研中的现实问题, 即在对大面积纳米结构做调整而引入直写工艺时所造成的巨大成本负担,从而将科研中的技术能力充分转化为工业产品。 首先将软模板固定于一机械圆环,待压印的基底固定于可抽气底座,二者以中心点对 准。利用自重,软模板的中心下垂,且整片软模板成弧形(a);基底底座以高速率上升, 基底的中心将首先与下垂的软模板中心接触(b);基底底座换以低速率上升,软模板与 基底的接触由中心点逐步向周边扩散(c);基底底座持续低速率上升,直至软模板与基 底实现完全接触,即完成压印过程(d);紫外光曝光;f)基底底座下降,完成软模板与 基底分离(e)。该压印方式,系统处于大气环境下,无需真空系统,可使用大尺寸的多 层复合软模板作为工作模板,支持大尺寸的基底(晶圆),实现全尺寸压印。压印以及基 底与软模板分离的过程可实现全自动化,从而获得最大程度的稳定性。 该项目拟引入中间模板的概念和步骤。该中间模板通过利用原母模板进行纳米压印可 简单快速实现。通过含有倾斜角度结构的中间模板进行分步压印,可将结构尺寸进行缩小 微调至目标模板的刻蚀掩模中,从而最终通过刻蚀实现结构的转移。 以分支1路为例,通过电子束光刻制备点阵结构的母模板,并沉积以FDTS单分子自 主装抗粘层(A);以母模板制备双层复合软模板(B);利用该软模板进行纳米压印(C); 通过优化低温刻蚀工艺制备锥形结构,作为中间模板(D);以锥形中间模板制备软模板 (E);利用锥形软模板进行纳米压印,将结构转移至光刻胶中(F);利用光刻胶的倾斜 角度,通过给予不同时间的刻蚀,可在刻蚀掩模中获得不同的结构尺寸(G-1/G-2/G-3); 最终利用该已调缩小尺寸的刻蚀掩模,最终通过可是获得目标微纳光学结构 (H-1/H-2/H-3),其尺寸获得了精确缩小调节 其他分支也可以同理进行实现。步骤三维结构俯视图剖面图步骤三维结构俯视图剖面图AG-10 •■ ■B□H-1i^^nnCo**G-20 0O 0DoH-2E■G-3♦BF■H-3♦i^^nn
一种仿壁虎脚微纳分级结构及其制造工艺
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明公开了一种用于仿壁虎脚微纳分级结构的制造工艺,包括:S1、使用LPCVD设备在洁净的硅片上热生长一层SiO2薄膜;S2、在有SiO2层的硅片表面旋涂光刻胶并进行光刻,制备出圆孔阵列图形;S3、使用缓冲氢氟酸溶液对暴露出的SiO2进行刻蚀,将光刻胶上的图形转移到SiO2层;S4、在样品表面镀一层Cu膜;S5、在丙酮或乙醇中进行超声,通过溶脱剥离工艺去除表面的光刻胶及光刻胶表面的Cu;S6、利用CVD-VLS生长工艺,以上述工艺制备的Cu为催化剂,以SiCl4为硅源,以H2为载气,生长Si微米线阵列;S7、在硅线表面镀一层Cu膜;S8、利用CVD-VLS生长工艺,以S7制备的Cu膜为催化剂,以SiCl4为硅源,以H2为载气,在Si微米线表面生长Si纳米线。本发明提供的微纳分级结构中Si微米线的表面分布有Si纳米线,即一种仿壁虎脚微纳分级结构,为干性黏附材料的设计与制造提供了一种解决方案。
柔性掩膜板
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
柔性掩膜板。 成果简介: 光学光刻技术已经在微电子制造领域得到了广泛的应用,光学光刻所采用的掩膜板通常是玻璃基板加上金属铬镀层构成的,由于玻璃基板硬度较大、缺乏柔性,因而光学光刻技术只能适用于平面基底的光刻加工,无法对曲面基底进行光刻加工,同时也不适宜于进行大面积基底的光刻加工。 针对上述问题,本技术研发了一种柔性掩膜板,包括柔性基板,柔性基板上方依次设有粘结层、金属图形结构层和柔性封装层;柔性基板采用透明性柔性材料制成;柔性基板的材质为聚碳酸酯或聚二甲基硅氧烷;粘结层的材质为环氧树脂胶粘剂;金属图形结构层的材质为铝或铜;柔性封装层的材质为聚二甲基硅氧烷。 本技术研发的柔性掩膜板能够对曲面基底进行光刻加工,而且其可以自然吸附到基底上实现紧密接触,不需要进行传统的抽真空处理,这使得本技术的柔性掩膜板适宜于进行大面积基底的光刻加工。 应用范围:本技术用于电子产品及其微纳米制造技术领域的光学光刻加工。 合作方式:技术转让、技术开发、技术服务。
蓝宝石衬底纳米孔制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明提供一种蓝宝石衬底纳米孔制备方法,包括以下步骤在蓝宝石衬底表面形成一层单晶薄膜;在所述单晶薄膜上旋涂一层光刻胶;通过光刻机对光刻胶进行曝光;对曝光后的光刻胶进行显影形成纳米孔图形;以形成有纳米孔图形的光刻胶为掩膜干法刻蚀所述单晶薄膜,将所述纳米孔图形转移到单晶薄膜上;去除光刻胶,以形成有所述纳米孔图形的单晶薄膜为掩膜,对所述蓝宝石衬底进行干法刻蚀,将所述纳米孔图形转移到所述蓝宝石衬底上;去除所述单晶薄膜。本发明提出的蓝宝石衬底纳米孔制备方法,通过激光干涉光刻配以干法刻蚀技术快速实现结构均匀、周期可控、占空比可控、低成本的纳米孔拼接块图形化蓝宝石衬底。
一种具有表面浮雕微结构金属滚筒的制作方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明公开了一种具有表面浮雕微结构金属滚筒的制作方法,包括下列步骤:(1)在金属滚筒上涂布光刻胶,在光刻胶上制作微结构掩膜,通过显影去除感光部分至露出金属表层;(2)将上述处理后的金属滚筒置于电铸溶液中,连接至电源阴极,进行金属电沉积,沉积厚度为150~500纳米;(3)从电铸溶液中取出金属滚筒,去除剩余的光刻胶即得到具有表面浮雕微结构的金属滚筒。本发明通过光刻与电铸的结合实现了具有表面浮雕结构的金属滚筒的制作,不需要进行平版卷绕拼接,不会产生拼缝,且可以获得高硬度的浮雕微结构,因而特别适用于高速连续滚动式模压复制;同时,金属光栅深度可以得到控制。
一种全息-离子束刻蚀制备光栅的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明公开了一种全息-离子束刻蚀制备光栅的方法,首先进行全息光刻,获得光刻胶光栅掩模,然后进行离子束刻蚀,最后去除残余的光刻胶,获得所需的光栅,其特征在于:所述离子束刻蚀为,先用氩离子束进行刻蚀1至3分钟,再用三氟甲烷反应离子束刻蚀至所需槽形深度。本发明在离子束刻蚀中,采用了两步法,首先进行氩离子束刻蚀,对光刻胶光栅掩模进行形貌修正,再采用三氟甲烷进行刻蚀,从而可以获得较小占宽比的光栅;通过对氩离子束刻蚀的时间控制,实现对光栅占宽比的控制,方法简便、易于实现,是控制刻蚀光栅占宽比的有效方法。
找到34项技术成果数据。
找技术 >一种用于触摸屏的光刻电子银胶组合物及其制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
一种用于触摸屏的光刻电子银胶组合物及其制备方法 本发明公开了一种用于触摸屏的光刻电子银胶组合物,它包括如下重量百分比的组分:乙烯基树脂粉末5~15%;混合溶剂10~30%;异冰片丙烯酸酯5~10% ;混合光引发剂5%;银粉45~75%。本发明还公开了上述光刻电子银胶组合物的制备方法和使用方法。本发明光刻电子银胶组合物的附着力1级;固化时间为10~25秒;漆膜的机械强度好,按照GB/T 17200标准进行测试,漆膜拉伸强度为50~80N;电阻变小,可达到5×10-5Ω。
一类用于双光子光刻的抗蚀剂及其应用
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明涉及一类用于双光子光刻的抗蚀剂及其应用,属于微纳加工技术领域,所述抗蚀剂包含组分A和组分B;按质量份数计,所述组分A包含笼型倍半硅氧烷化合物100份,双光子光敏剂0.1‑5份,光引发剂0.1‑5份,助剂1‑5份;所述组分B为基于所述组分A总质量的5‑95%的溶剂。该抗蚀剂具有非线性光学效应,优异的介电性及热稳定性,可耐350℃以上高温,可以通过HF溶液进行湿法刻蚀或CHF3、氧气等离子干法刻蚀;500℃以上高温烧结后转化为类二氧化硅结构CxSiOy,该类二氧化硅结构CxSiOy也可以通过HF溶液进行湿法刻蚀或CHF3、氧气等离子干法刻蚀。本发明中的抗蚀剂可很好地用于替代栅加工,满足围栅纳米线器件制备过程中,双光子加工技术和半导体工艺对于替代栅抗蚀剂的物化性能要求。
PVDF有机聚合物薄膜电容器的光刻制备方法
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
PVDF有机聚合物薄膜电容器器件的光刻制备方法,其特征在于步骤如下:在衬底上利用热蒸发设备低温沉积金属底电极后在底电极上溅射生长二氧化硅或氮化硅介电绝缘层;光刻腐蚀二氧化硅或氮化硅介电绝缘层,形成PVDF有机聚合物薄膜功能区开孔;制备PVDF有机聚合物薄膜;在PVDF有机聚合物薄膜上低温沉积金属上电极;光刻腐蚀金属上电极;氧等离子体刻蚀去除非功能区PVDF有机聚合物薄膜及残余光刻胶;在金属上电极上热蒸发低温沉积包裹电极;光刻腐蚀去除多余包裹电极,完成PVDF有机聚合物薄膜电容器器件的制备。该发明光刻制备方法提高了器件的稳定性和可靠性,使小面元、线列、面阵器件的制备及集成工艺成为可能。
激光诱导的跨尺度光刻方法
成熟度:-
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
一种基于激光诱导跨尺度光刻方法,当准直的激光束聚焦到光刻材料时,通过调节激光能量及刻写速度从而改变相变热阈值效应及热扩散,得到从纳米尺度到微米尺度可变的多尺度结构,并且该结构一次形成。本发明简单实用,不需要复杂的操作,特别适用于制作具有不同线宽(从纳米尺度到微米尺度)的掩膜版。可替代半导体工业中的掩膜套刻曝光工艺,从而避免了多次套刻引起的图形误差。
大面积亚波长光学纳米结构的低成本快速微缩调整制备
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
本项目的目标是以纳米压印光刻为基础,结合多种微纳加工工艺,提出一种新的工艺方法,达到避免使用直写工艺,针对性的解决对大面积光学纳米结构进行微缩调整时的成本难题,可对大面积亚波长光学纳米结构(例如AR增强现实衍射光栅)进行快速、低成本微缩调整和复形制备的目的。 本项目初期拟首先利用FDTD和RCWA方法对亚波长光学结构的方向特性和能量效率进行初步模拟仿真。同时,在初期搭建在大气环境下可大面积压印的紫外光软模纳米压印系统,并开发复合材料多层软模板,利用软模材料自身的重力,采取由中心点到边缘方案,实现大面积全尺寸无气泡的压印。项目中后期将基于以上的工艺开发,重点测试所设计的创新方法,对光学亚波长纳米结构(例如一维和二维衍射光栅)进行尺寸可调性研究, 并最终对已实现的参数进行优化和适配,将该尺寸微缩可调的工艺方法扩展至完整晶圆级大面积。 本项目的科技转化创新点在于,在不引入额外的复杂直写工艺的情况下,对已有的大面积纳米图形进行微调缩小和快速、低成本制备。可针对性的解决学术科研中的现实问题, 即在对大面积纳米结构做调整而引入直写工艺时所造成的巨大成本负担,从而将科研中的技术能力充分转化为工业产品。 首先将软模板固定于一机械圆环,待压印的基底固定于可抽气底座,二者以中心点对 准。利用自重,软模板的中心下垂,且整片软模板成弧形(a);基底底座以高速率上升, 基底的中心将首先与下垂的软模板中心接触(b);基底底座换以低速率上升,软模板与 基底的接触由中心点逐步向周边扩散(c);基底底座持续低速率上升,直至软模板与基 底实现完全接触,即完成压印过程(d);紫外光曝光;f)基底底座下降,完成软模板与 基底分离(e)。该压印方式,系统处于大气环境下,无需真空系统,可使用大尺寸的多 层复合软模板作为工作模板,支持大尺寸的基底(晶圆),实现全尺寸压印。压印以及基 底与软模板分离的过程可实现全自动化,从而获得最大程度的稳定性。 该项目拟引入中间模板的概念和步骤。该中间模板通过利用原母模板进行纳米压印可 简单快速实现。通过含有倾斜角度结构的中间模板进行分步压印,可将结构尺寸进行缩小 微调至目标模板的刻蚀掩模中,从而最终通过刻蚀实现结构的转移。 以分支1路为例,通过电子束光刻制备点阵结构的母模板,并沉积以FDTS单分子自 主装抗粘层(A);以母模板制备双层复合软模板(B);利用该软模板进行纳米压印(C); 通过优化低温刻蚀工艺制备锥形结构,作为中间模板(D);以锥形中间模板制备软模板 (E);利用锥形软模板进行纳米压印,将结构转移至光刻胶中(F);利用光刻胶的倾斜 角度,通过给予不同时间的刻蚀,可在刻蚀掩模中获得不同的结构尺寸(G-1/G-2/G-3); 最终利用该已调缩小尺寸的刻蚀掩模,最终通过可是获得目标微纳光学结构 (H-1/H-2/H-3),其尺寸获得了精确缩小调节 其他分支也可以同理进行实现。步骤三维结构俯视图剖面图步骤三维结构俯视图剖面图AG-10 •■ ■B□H-1i^^nnCo**G-20 0O 0DoH-2E■G-3♦BF■H-3♦i^^nn
一种仿壁虎脚微纳分级结构及其制造工艺
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明公开了一种用于仿壁虎脚微纳分级结构的制造工艺,包括:S1、使用LPCVD设备在洁净的硅片上热生长一层SiO2薄膜;S2、在有SiO2层的硅片表面旋涂光刻胶并进行光刻,制备出圆孔阵列图形;S3、使用缓冲氢氟酸溶液对暴露出的SiO2进行刻蚀,将光刻胶上的图形转移到SiO2层;S4、在样品表面镀一层Cu膜;S5、在丙酮或乙醇中进行超声,通过溶脱剥离工艺去除表面的光刻胶及光刻胶表面的Cu;S6、利用CVD-VLS生长工艺,以上述工艺制备的Cu为催化剂,以SiCl4为硅源,以H2为载气,生长Si微米线阵列;S7、在硅线表面镀一层Cu膜;S8、利用CVD-VLS生长工艺,以S7制备的Cu膜为催化剂,以SiCl4为硅源,以H2为载气,在Si微米线表面生长Si纳米线。本发明提供的微纳分级结构中Si微米线的表面分布有Si纳米线,即一种仿壁虎脚微纳分级结构,为干性黏附材料的设计与制造提供了一种解决方案。
柔性掩膜板
成熟度:正在研发
技术类型:-
应用行业:制造业
技术简介
柔性掩膜板。 成果简介: 光学光刻技术已经在微电子制造领域得到了广泛的应用,光学光刻所采用的掩膜板通常是玻璃基板加上金属铬镀层构成的,由于玻璃基板硬度较大、缺乏柔性,因而光学光刻技术只能适用于平面基底的光刻加工,无法对曲面基底进行光刻加工,同时也不适宜于进行大面积基底的光刻加工。 针对上述问题,本技术研发了一种柔性掩膜板,包括柔性基板,柔性基板上方依次设有粘结层、金属图形结构层和柔性封装层;柔性基板采用透明性柔性材料制成;柔性基板的材质为聚碳酸酯或聚二甲基硅氧烷;粘结层的材质为环氧树脂胶粘剂;金属图形结构层的材质为铝或铜;柔性封装层的材质为聚二甲基硅氧烷。 本技术研发的柔性掩膜板能够对曲面基底进行光刻加工,而且其可以自然吸附到基底上实现紧密接触,不需要进行传统的抽真空处理,这使得本技术的柔性掩膜板适宜于进行大面积基底的光刻加工。 应用范围:本技术用于电子产品及其微纳米制造技术领域的光学光刻加工。 合作方式:技术转让、技术开发、技术服务。
蓝宝石衬底纳米孔制备方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明提供一种蓝宝石衬底纳米孔制备方法,包括以下步骤在蓝宝石衬底表面形成一层单晶薄膜;在所述单晶薄膜上旋涂一层光刻胶;通过光刻机对光刻胶进行曝光;对曝光后的光刻胶进行显影形成纳米孔图形;以形成有纳米孔图形的光刻胶为掩膜干法刻蚀所述单晶薄膜,将所述纳米孔图形转移到单晶薄膜上;去除光刻胶,以形成有所述纳米孔图形的单晶薄膜为掩膜,对所述蓝宝石衬底进行干法刻蚀,将所述纳米孔图形转移到所述蓝宝石衬底上;去除所述单晶薄膜。本发明提出的蓝宝石衬底纳米孔制备方法,通过激光干涉光刻配以干法刻蚀技术快速实现结构均匀、周期可控、占空比可控、低成本的纳米孔拼接块图形化蓝宝石衬底。
一种具有表面浮雕微结构金属滚筒的制作方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明公开了一种具有表面浮雕微结构金属滚筒的制作方法,包括下列步骤:(1)在金属滚筒上涂布光刻胶,在光刻胶上制作微结构掩膜,通过显影去除感光部分至露出金属表层;(2)将上述处理后的金属滚筒置于电铸溶液中,连接至电源阴极,进行金属电沉积,沉积厚度为150~500纳米;(3)从电铸溶液中取出金属滚筒,去除剩余的光刻胶即得到具有表面浮雕微结构的金属滚筒。本发明通过光刻与电铸的结合实现了具有表面浮雕结构的金属滚筒的制作,不需要进行平版卷绕拼接,不会产生拼缝,且可以获得高硬度的浮雕微结构,因而特别适用于高速连续滚动式模压复制;同时,金属光栅深度可以得到控制。
一种全息-离子束刻蚀制备光栅的方法
成熟度:正在研发
技术类型:发明
应用行业:制造业
技术简介
摘要:本发明公开了一种全息-离子束刻蚀制备光栅的方法,首先进行全息光刻,获得光刻胶光栅掩模,然后进行离子束刻蚀,最后去除残余的光刻胶,获得所需的光栅,其特征在于:所述离子束刻蚀为,先用氩离子束进行刻蚀1至3分钟,再用三氟甲烷反应离子束刻蚀至所需槽形深度。本发明在离子束刻蚀中,采用了两步法,首先进行氩离子束刻蚀,对光刻胶光栅掩模进行形貌修正,再采用三氟甲烷进行刻蚀,从而可以获得较小占宽比的光栅;通过对氩离子束刻蚀的时间控制,实现对光栅占宽比的控制,方法简便、易于实现,是控制刻蚀光栅占宽比的有效方法。