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科易网>技术转让>技术列表>SIC半导体(SIC Shottky Diode;SIC MOFET)

SIC半导体(SIC Shottky Diode;SIC MOFET)

专利(申请号):

专利类型:

技术成熟度:正在研发

所 在 地:福建厦门

最近更新:2017-09-13 16:28:08

行    业:

价    格:

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SIC半导体(SIC Shottky Diode;SIC MOFET)0
    项目简介
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      SIC半导体具有控制和开关损耗低,导通电阻低;高频特性好;高温特性好和更短的响应时间等特点。

      公司优势:

      (1)完整的技术团队 (IGBT,-MOSFET,DI-ODE)。

      (2)国内领先高阶产品技术(与国外先进技术同水平)。

      (3)持有专利技术(包含设计和制造)。

      (4)产业链上下游合作伙伴关系紧密 。

      (5)国内首家高阶高功率IC设计及制造公司。

      产品优势:

      在功率器件的发展中,Si功率器件已趋其发展的材料极限,难以满足当今社会对于高频、高温、高功率、高能效、耐恶劣环境以及轻便小型化的新需求。以SiC为代表的第三代半导体材料凭借其优异属性,将成为突破口,正在迅速崛起。SiC作为一种宽禁带(WBG)半导体材料,不但击穿电场强度高、热稳定性好,还具有载流子饱和漂移速度高、热导率高等特点,可以用来制造各种耐高温的高频、高效大功率器件,应用于Si器件难以胜任的场合 。

      负责人:廖奇泊,IFTIKHAR,市“双百计划”

    交易保障

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